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KR20110121528A - Output driver and semiconductor device including same - Google Patents

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KR20110121528A
KR20110121528A KR1020100095629A KR20100095629A KR20110121528A KR 20110121528 A KR20110121528 A KR 20110121528A KR 1020100095629 A KR1020100095629 A KR 1020100095629A KR 20100095629 A KR20100095629 A KR 20100095629A KR 20110121528 A KR20110121528 A KR 20110121528A
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South Korea
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pull
signal
data
drive signal
delay
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이준우
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송택상
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주식회사 하이닉스반도체
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Abstract

본 발명의 출력 드라이버는 제 1 데이터의 펄스 폭을 조절하여 풀업 프리 드라이브 신호로서 출력하는 풀업 신호 생성부, 2 데이터의 펄스 폭을 조절하여 풀다운 프리 드라이브 신호로서 출력하는 풀다운 신호 생성부, 풀업 프리 드라이브 신호를 입력받고 풀업 메인 드라이브 신호를 생성하는 풀업 프리 드라이버부, 풀다운 프리 드라이브 신호를 입력받고 풀다운 메인 드라이브 신호를 생성하는 풀다운 프리 드라이버부, 풀업 메인 드라이브 신호에 따라 출력 노드를 차지하는 풀업 메인 드라이버부 및 풀다운 메인 드라이브 신호에 따라 출력 노드를 디스차지하는 제 2 드라이버부를 포함한다.The output driver of the present invention includes a pull-up signal generator for adjusting the pulse width of the first data and outputting it as a pull-up free drive signal, a pull-down signal generator for adjusting the pulse width of two data and outputting it as a pull-down free drive signal, and a pull-up free drive. A pull-up pre-driver section receiving a signal and generating a pull-up main drive signal, a pull-down pre-driver section receiving a pull-down main drive signal and generating a pull-down main drive signal, a pull-up main driver section taking up an output node according to the pull-up main drive signal; And a second driver unit configured to discharge the output node according to the pull-down main drive signal.

Description

출력 드라이버 및 이를 포함하는 반도체 장치{Outputting Driver and Semiconductor Apparatus with the same}Output driver and semiconductor device including the same {Outputting Driver and Semiconductor Apparatus with the same}

본 발명은 반도체 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 출력 드라이버를 포함하는 반도체 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a semiconductor device, and more particularly to a semiconductor device including an output driver.

도 1은 종래 기술에 따른 출력 드라이버의 회로도이다. 종래 기술에 따른 출력 드라이버는 풀업 신호 생성부(10), 풀다운 신호 생성부(20), 풀업 프리 드라이버부(30), 풀다운 프리 드라이버부(40), 풀업 메인 드라이버부(50a) 및 풀다운 메인 드라이버부(60a)를 포함한다.1 is a circuit diagram of an output driver according to the prior art. The output driver according to the related art includes a pull-up signal generator 10, a pull-down signal generator 20, a pull-up pre-driver 30, a pull-down pre-driver 40, a pull-up main driver 50a and a pull-down main driver. The part 60a is included.

풀업 신호 생성부(10)는 제 1 데이터(rdata)를 입력받아 풀업 프리 드라이브 신호(pup)를 생성하고, 인버터를 포함하여 구성될 수 있다.The pull-up signal generator 10 may receive a first data rdata, generate a pull-up pre-drive signal pup, and may include an inverter.

풀다운 신호 생성부(20)는 제 2 데이터(fdata)를 입력받아 풀다운 프리 드라이브 신호(pdn)를 생성하고 인버터를 포함하여 구성될 수 있다.The pull-down signal generator 20 may receive the second data fdata and generate a pull-down free drive signal pdn, and may include an inverter.

풀업 프리 드라이버부(30)는 풀업 프리 드라이브 신호(pup)를 입력받아 풀업 메인 드라이브 신호(up)를 생성한다. 풀업 프리 드라이버부(30)에서 생성된 풀업 메인 드라이브 신호(up)는 풀업 메인 드라이버부(50a)를 구동하기 위해 슬루 레이트(Slew Rate) 및 구동력이 조절된 신호이다. 풀업 프리 드라이버부(30)는 퓨즈 옵션 등으로 구동력을 달리할 수 있는 인버터를 포함하여 구성될 수 있다.The pull-up pre-driver unit 30 receives a pull-up pre-drive signal pup and generates a pull-up main drive signal up. The pull-up main drive signal up generated by the pull-up pre-driver unit 30 is a signal whose slew rate and driving force are adjusted to drive the pull-up main driver unit 50a. Pull-up pre-driver unit 30 may be configured to include an inverter that can vary the driving force by the fuse option or the like.

풀다운 프리 드라이버부(40)는 풀다운 메인 드라이브 신호(pdn)를 입력받아 풀다운 메인 드라이브 신호(dn)를 생성한다. 풀다운 프리 드라이버부(40)에서 생성되는 풀다운 메인 드라이브 신호(dn)는 풀다운 메인 드라이버부(60a)를 구동하기 위해 슬루 레이트 및 구동력이 조절된 신호이다. 풀다운 프리 드라이버부(40)는 퓨즈 옵션 등으로 구동력을 달리할 수 있는 인버터를 포함하여 구성될 수 있다.The pull-down pre-driver unit 40 receives the pull-down main drive signal pdn and generates a pull-down main drive signal dn. The pull-down main drive signal dn generated by the pull-down pre-driver unit 40 is a signal whose slew rate and driving force are adjusted to drive the pull-down main driver unit 60a. Pull-down pre-driver unit 40 may be configured to include an inverter that can vary the driving force by the fuse option.

풀업 메인 드라이버부(50a)는 풀업 메인 드라이브 신호(up)에 응답하여 출력 노드(no)를 차지한다. 풀업 메인 드라이버부(50a)는 피모스 트랜지스터(P)를 포함하여 구성될 수 있다. The pull-up main driver unit 50a occupies the output node no in response to the pull-up main drive signal up. The pull-up main driver unit 50a may include a PMOS transistor P.

풀다운 메인 드라이버부(60a)는 풀다운 메인 드라이브 신호(dn)에 응답하여 출력 노드(no)를 디스차지한다. 풀다운 메인 드라이버부(60a)는 엔모스 트랜지스터(N)를 포함하여 구성될 수 있다.The pull-down main driver 60a discharges the output node no in response to the pull-down main drive signal dn. The pull-down main driver unit 60a may include an NMOS transistor N.

종래 기술에 따른 출력 드라이버는 출력 신호(out)의 슬루 레이트(Slew Rate)를 조절하기 위해 풀업 메인 드라이브 신호 및 풀다운 메인 드라이브 신호(up, dn)의 슬루 레이트(Slew Rate)를 조절하는 방식을 사용한다. 풀업 메인 드라이브 신호 및 풀다운 메인 드라이브 신호(up, dn)의 슬루 레이트는 풀업 프리 드라이버부(30) 및 풀다운 프리 드라이버부(40)를 퓨즈 옵션 등으로 구동력을 달리할 수 있는 인버터를 포함하여 구성함으로써 조절한다. 출력 신호(out)의 슬루 레이트를 확인하고, 확인된 결과에 따라 풀업 프리 드라이버부(30) 및 풀다운 프리 드라이버부(40)의 구동력을 달리하게 되면 메인 드라이브 신호(up)의 슬루 레이트를 조절할 수 있다. 하지만, 종래 기술에 사용되는 출력 드라이버에서 사용하는 메인 드라이브 신호(up, dn)의 슬루 레이트를 조절하여 출력 신호(out)의 슬루 레이트를 조절하는 방법은 출력 신호(out)의 슬루 레이트를 조절하기 위해 변경해야 하는 메인 드라이브 신호(up, dn)의 슬루 레이트가 출력 신호(out)의 슬루 레이트의 변화보다 더 크다는 단점이 있다. 이것은 출력 신호(out)의 슬루 레이트에 충분한 변화를 주기 위해서 메인 드라이브 신호(up, dn)의 라이징 타임(rising time) 및 폴링 타임(falling time)이 충분이 길어지도록 변화할 수 있어야 한다는 것을 의미하고, 극단적인 경우, 메인 드라이브 신호(up, dn)가 전원 전압 레벨 내지 접지 전압 레벨로 풀 스윙(full swing)을 하지 못하는 경우가 생겨 데이터 패턴에 따라 ISI(inter symbol interference)로 인해 지터가 생기게 된다. 이러한 문제는 출력 신호의 타이밍 특성 열화, 데이터 패드(DQ)간 스큐(skew)의 발생을 초래한다. The output driver according to the prior art uses a method of adjusting the slew rate of the pull-up main drive signal and the pull-down main drive signal (up, dn) to adjust the slew rate of the output signal (out). do. The slew rates of the pull-up main drive signal and the pull-down main drive signal (up, dn) are configured by including the inverter capable of varying the driving power by the pull-up pre-driver section 30 and the pull-down pre-driver section 40 by a fuse option or the like. Adjust. When the slew rate of the output signal (out) is checked and the driving force of the pull-up pre-driver unit 30 and the pull-down pre-driver unit 40 is changed according to the confirmed result, the slew rate of the main drive signal up can be adjusted. have. However, the method of controlling the slew rate of the output signal out by adjusting the slew rate of the main drive signals up and dn used in the output driver used in the related art is to adjust the slew rate of the output signal out. The disadvantage is that the slew rate of the main drive signals up, dn, which must be changed for the sake, is greater than the change in the slew rate of the output signal out. This means that the rising time and the falling time of the main drive signal up, dn must be able to change to be long enough to give a sufficient change in the slew rate of the output signal out. In extreme cases, the main drive signal (up, dn) may not fully swing from the supply voltage level to the ground voltage level, resulting in jitter due to inter symbol interference (ISI) depending on the data pattern. . This problem leads to degradation of timing characteristics of the output signal and generation of skew between the data pads DQ.

도 2는 종래 기술에 따른 출력 드라이버를 포함하는 반도체 장치의 블록도이다. 도2에 도시된 반도체 장치는 풀업 신호 생성부(10), 풀다운 신호 생성부(20), 풀업 프리 드라이버부(30), 풀다운 프리 드라이버부(40), 풀업 드라이버부(50b), 풀다운 드라이버부(60b), 데이터 결정부(70) 및 임피던스 교정 신호 생성부(80)를 포함한다. 2 is a block diagram of a semiconductor device including an output driver according to the prior art. The semiconductor device illustrated in FIG. 2 includes a pull-up signal generator 10, a pull-down signal generator 20, a pull-up pre-driver 30, a pull-down pre-driver 40, a pull-up driver 50b, and a pull-down driver. 60b, the data determination unit 70 and the impedance correction signal generator 80 are included.

도 2에 도시된 반도체 장치는 도 1에 도시된 종래 기술에 따른 출력 드라이버와 유사한 구성을 하여 데이터 출력을 할 수 있고, 데이터 결정부(70) 및 임피던스 교정 신호 생성부(80)를 추가로 포함하여 온 다이 터미네이션(On Die Terminaton) 동작도 할 수 있도록 구성되었다. The semiconductor device shown in FIG. 2 can output data in a configuration similar to that of the output driver according to the related art shown in FIG. 1, and further includes a data determination unit 70 and an impedance correction signal generator 80. On Die Terminaton operation is also configured.

풀업 신호 생성부(10)는 제 1 데이터(rdata)를 입력받아 풀업 프리 드라이브 신호(pup)를 생성하고, 도 1에 도시된 풀업 신호 생성부(10)처럼 인버터를 포함하여 구성될 수 있다.The pull-up signal generator 10 may receive a first data rdata, generate a pull-up pre-drive signal pup, and may include an inverter like the pull-up signal generator 10 shown in FIG. 1.

풀다운 신호 생성부(20)는 제 2 데이터(fdata)를 입력받아 풀다운 프리 드라이브 신호(pdn)를 생성하고, 도 1에 도시된 풀다운 신호 생성부(20)처럼 인버터를 포함하여 구성될 수 있다.The pull-down signal generator 20 receives the second data fdata to generate a pull-down free drive signal pdn, and may include an inverter like the pull-down signal generator 20 illustrated in FIG. 1.

풀업 프리 드라이버부(30)는 풀업 프리 드라이브 신호(pup)를 입력받아 풀업 메인 드라이브 신호(up)를 생성한다. 풀업 프리 드라이버부(30)에서 생성된 풀업 메인 드라이브 신호(up)는 풀업 드라이버부(50b)를 구동하기 위해 슬루 레이트(Slew Rate) 및 구동력이 조절된 신호이다. 풀업 프리 드라이버부(30)는 도 1에 도시된 풀업 프리 드라이버부(30)처럼 병렬로 연결되어 퓨즈 옵션 등으로 구동력을 달리할 수 있는 복수 개의 인버터를 포함하여 구성될 수 있다.The pull-up pre-driver unit 30 receives a pull-up pre-drive signal pup and generates a pull-up main drive signal up. The pull-up main drive signal up generated by the pull-up pre-driver unit 30 is a signal whose slew rate and driving force are adjusted to drive the pull-up driver unit 50b. The pull-up pre-driver unit 30 may include a plurality of inverters connected in parallel as in the pull-up pre-driver unit 30 shown in FIG. 1 and varying driving power by a fuse option.

풀다운 프리 드라이버부(40)는 풀다운 메인 드라이브 신호(pdn)를 입력받아 풀다운 메인 드라이브 신호(dn)를 생성한다. 풀다운 프리 드라이버부(40)에서 생성되는 풀다운 메인 드라이브 신호(dn)는 풀다운 드라이버부(60b)를 구동하기 위해 슬루 레이트 및 구동력이 조절된 신호이다. 풀다운 프리 드라이버부(40)는 도 1에 도시된 풀다운 프리 드라이버부(40)처럼 병렬로 연결되어 퓨즈 옵션 등으로 구동력을 달리할 수 있는 복수 개의 인버터를 포함하여 구성될 수 있다.The pull-down pre-driver unit 40 receives the pull-down main drive signal pdn and generates a pull-down main drive signal dn. The pull-down main drive signal dn generated by the pull-down pre-driver unit 40 is a signal whose slew rate and driving force are adjusted to drive the pull-down driver unit 60b. The pull-down pre-driver unit 40 may include a plurality of inverters connected in parallel as in the pull-down pre-driver unit 40 shown in FIG.

풀업 드라이버부(50b)는 풀업 메인 드라이브 신호(up)에 응답하여 출력 노드(no)를 차지한다. 또한 풀업 드라이버부(50b)는 제 1 임피던스 교정 신호(pcode)에 응답하여 구동력 및 내부 임피던스 값이 조절된다. The pull-up driver unit 50b occupies the output node no in response to the pull-up main drive signal up. In addition, the pull-up driver 50b adjusts the driving force and the internal impedance in response to the first impedance calibration signal pcode.

풀다운 드라이버부(60b)는 풀다운 메인 드라이브 신호(dn)에 응답하여 출력 노드(no)를 디스차지한다. 또한 풀다운 드라이버부(60b)는 제 2 임피던스 교정 신호(ncode)에 응답하여 구동력 및 내부 임피던스 값이 조절된다.The pull-down driver unit 60b discharges the output node no in response to the pull-down main drive signal dn. In addition, the pull-down driver 60b adjusts the driving force and the internal impedance in response to the second impedance calibration signal ncode.

데이터 결정부(70)는 ODT 인에이블 신호(odten), 제 1 소스 신호(RDO) 및 제 2 4소스 신호(FDO)에 응답하여 제 1 데이터(rdata) 및 제 2 데이터(fdata)를 생성한다. 데이터 결정부(70) 및 ODT 인에이블 신호(odten)는 제 1 데이터(rdata) 및 제 2 데이터(fdata)를 조절함으로써 도 2에 도시된 반도체 장치가 온 다이 터미네이션(On Die Termination) 동작을 수행하도록 할 수 있다. 데이터 결정부(70)의 상세한 구성 및 ODT 인에이블 신호(odten)에 따른 온 다이 터미네이션 동작은 도 4를 참조하여 아래에서 설명하도록 한다.The data determiner 70 generates the first data rdata and the second data fdata in response to the ODT enable signal odten, the first source signal RDO, and the second fourth source signal FDO. . The data determining unit 70 and the ODT enable signal odten control the first data rdata and the second data fdata so that the semiconductor device shown in FIG. 2 performs an on die termination operation. You can do that. The detailed configuration of the data determination unit 70 and the on die termination operation according to the ODT enable signal odten will be described below with reference to FIG. 4.

임피던스 교정 신호 생성부(80)는 ZQ 패드에 연결된 오차가 매우 작은 저항 소자인 외부 저항(Rz)의 임피던스 값을 확인하고, 그 결과에 따라 제 1 임피던스 교정 신호(pcode) 및 제 2 임피던스 교정 신호(ncode)를 생성한다. 제 1 임피던스 교정 신호(pcode) 및 상기 제 2 임피던스 교정 신호(ncode)는 각각 풀업 드라이버부(50b) 및 풀다운 드라이버부(60b)에 입력되어 풀업 드라이버부(50b) 및 풀다운 드라이버부(60b)의 구동력 및 내부 임피던스 값을 조절하는 신호이다. The impedance calibration signal generator 80 checks the impedance value of the external resistor Rz, which is a resistor having a very small error connected to the ZQ pad, and according to the result, the first impedance calibration signal pcode and the second impedance calibration signal. produces (ncode) The first impedance calibration signal pcode and the second impedance calibration signal ncode are input to the pull-up driver unit 50b and the pull-down driver unit 60b, respectively, to form the pull-up driver unit 50b and the pull-down driver unit 60b. This signal adjusts driving force and internal impedance.

임피던스 교정(ZQ Calibration)이란 PVT 변화에 따라 변화하는 풀업 및 풀다운 코드를 생성하는 과정을 말하는데, 임피던스 교정 결과로 생성된 상기 풀업 및 풀다운 코드들, 즉 제 1 및 제 2 임피던스 교정 신호(pcode, ncode)를 이용하여 온 다이 터미네이션 장치의 저항 값(메모리장치의 경우에는 출력 드라이버 측의 터미네이션 저항 값 또는 입력버퍼 측의 터미네이션 저항 값, 도 3 참조)을 조정하게 된다. 제 1 및 제 2 임피던스 교정 신호(pcode, ncode)는 반도체 장치에 따라 비트 수가 달리 될 수 있는 신호인데, 반도체 메모리 장치의 경우 일반적으로 3 내지 6 비트로 구성된다(DDR3 DRAM의 경우 6 비트). 설명을 용이하게 하기 위해 본 명세서에서는 제 1 및 제 2 임피던스 교정 신호(pcode, ncode)가 3 비트로 구성된 경우를 예시로 설명하도록 한다.ZQ calibration refers to a process of generating pull-up and pull-down codes that change according to PVT changes, wherein the pull-up and pull-down codes generated as a result of impedance calibration, that is, first and second impedance calibration signals pcode and ncode ) To adjust the resistance value of the on-die termination device (in the case of a memory device, the termination resistance value of the output driver side or the termination resistance value of the input buffer side, see FIG. 3). The first and second impedance calibration signals pcode and ncode are signals that may vary in number depending on the semiconductor device, and are generally composed of 3 to 6 bits in the case of a semiconductor memory device (6 bits in a DDR3 DRAM). For ease of explanation, in the present specification, a case in which the first and second impedance correction signals pcode and ncode are configured with 3 bits will be described as an example.

도 2에 도시된 종래 기술의 반도체 장치는 ODT 인에이블 신호(odten)에 응답하여 데이터 출력 모드 또는 온 다이 터미네이션 모드로 동작한다. 데이터 출력 모드는 반도체 장치가 데이터를 출력 하는 동작을 수행하는 모드이고 온 다이 터미네이션 모드는 반도체 장치가 출력 노드(no)를 동시에 차지 및 디스차지함으로써, 하이 임피던스(Hi-Z) 상태의 출력 노드(no)의 전압을 특정 레벨로 고정 시키고, 데이터 패드(DQ)를 공유하는 입력 드라이버가 데이터 패드(DQ)를 통해 데이터를 수신 시, 신호의 종단 반사 현상을 방지하는 역할을 하는 모드이다. The semiconductor device of the related art shown in FIG. 2 operates in a data output mode or an on die termination mode in response to an ODT enable signal odten. The data output mode is a mode in which the semiconductor device outputs data, and in the on die termination mode, the semiconductor device simultaneously charges and discharges the output node no, thereby outputting the output node in a high impedance (Hi-Z) state. It is a mode that fixes the voltage of no) to a specific level and prevents the end reflection of the signal when the input driver sharing the data pad DQ receives data through the data pad DQ.

ODT 인에이블 신호(odten)가 비활성화되면, 반도체 장치가 데이터 출력 모드로 동작하게 되고, 반도체 장치는 제 1 소스 신호(RDO) 및 제 2 소스 신호(FDO)에 응답하여 출력 노드(no)를 차지 또는 디스차지함으로써 데이터 패드(DQ)로 출력 신호(out)를 출력한다. 이 때 데이터 결정부(70)는 제 1 소스 신호(RDO) 및 제 2 소스 신호(FDO)를 각각 제 1 데이터(rdata) 및 제 2 데이터(fdata)로서 생성한다. When the ODT enable signal odten is deactivated, the semiconductor device operates in the data output mode, and the semiconductor device occupies the output node no in response to the first source signal RDO and the second source signal FDO. Alternatively, the output signal is output to the data pad DQ by discharge. In this case, the data determiner 70 generates the first source signal RDO and the second source signal FDO as first data rdata and second data fdata, respectively.

ODT 인에이블 신호(odten)가 활성화되면, 반도체 장치가 온 다이 터미네이션 모드로 동작하게 되고, 반도체 장치는 제 1 소스 신호(RDO) 및 제 2 소스 신호(FDO)와 관련 없이, 출력 노드(no)를 동시에 차지 및 디스차지한다. 이에 따라 출력 노드(no)에 대한 온 다이 터미네이션 효과가 발생한다. 이때 데이터 결정부(70)는 풀업 드라이버부(50b) 및 풀다운 드라이버부(60b)가 출력 노드(no)를 동시에 차지 및 디스차지 할 수 있도록 제 1 데이터(rdata) 및 제 2 데이터(fdata)를 설정하여 출력한다. 또한 출력 노드(no)에 대한 온 다이 터미네이션 효과를 극대화 하기 위해 풀업 드라이버부(50b)의 풀업 전류 및 풀다운 드라이버부(60b)의 풀다운 전류는 서로 매치되어야 한다. 이를 위해 풀업 드라이버부(50b) 및 풀다운 드라이버부(60b)는 각각 임피던스 교정 신호 생성부(80)에서 출력되는 제 1 임피던스 교정 신호(pcode<0:3>) 및 제 2 임피던스 교정 신호(ncode<0:2>)를 입력받아 구동력이 서로 매치되도록 조절한다. When the ODT enable signal odten is activated, the semiconductor device is operated in an on die termination mode, and the semiconductor device is output node no regardless of the first source signal RDO and the second source signal FDO. Charge and discharge at the same time. This results in an on die termination effect on the output node no. In this case, the data determination unit 70 may collect the first data rdata and the second data fdata so that the pull-up driver 50b and the pull-down driver 60b may simultaneously occupy and discharge the output node no. Set and print. In addition, in order to maximize the on-die termination effect on the output node no, the pull-up current of the pull-up driver unit 50b and the pull-down current of the pull-down driver unit 60b must match each other. To this end, the pull-up driver unit 50b and the pull-down driver unit 60b may respectively output the first impedance calibration signal pcode <0: 3> and the second impedance calibration signal ncode < 0: 2>) and adjust the driving force to match each other.

도 3은 도 2에 도시된 풀업 드라이버부(50b) 및 풀다운 드라이버부(60b)의 회로도이다. 풀업 드라이버부(50b)는 직렬 연결된 두 개의 피모스 트랜지스터 그룹이 세 쌍 병렬 연결되도록 구성되었다. 도 3에 도시된 풀업 드라이버부(50b)에서, 상측에 위치한 세 개의 피모스 트랜지스터(51, 53, 55)는 풀업 메인 드라이브 신호(up)에 응답하여 턴온(turn-on)된다. 그리고 상측의 세 피모스 트랜지스터(51, 53, 55)와 각각 직렬로 연결된 하측에 위치한 세 개의 피모스 트랜지스터(52, 54, 56)는 제 1 임피던스 교정 신호(pcode<0:2>)의 각 비트에 응답하여 턴온된다. 또한 세 쌍의 병렬 연결된 피모스 트랜지스터 그룹은 저항(57)을 통해 출력 노드(no)에 연결된다. 도 3와 같이 구성된 풀업 드라이버부(50b)는 풀업 메인 드라이브 신호(up)에 따라 출력 노드(no)를 차지하고, 그 구동력, 즉 상기 출력 노드(no)에 대한 차지 전류는 제 1 임피던스 교정 신호(pcode<0:2>)에 따라 달라진다. 3 is a circuit diagram of the pull-up driver unit 50b and the pull-down driver unit 60b shown in FIG. 2. The pull-up driver unit 50b is configured such that two PMOS transistor groups connected in series are connected in parallel to three pairs. In the pull-up driver unit 50b shown in FIG. 3, the three PMOS transistors 51, 53, and 55 positioned on the upper side are turned on in response to the pull-up main drive signal up. In addition, the three PMOS transistors 52, 54, and 56 positioned on the lower side connected in series with the three PMOS transistors 51, 53, and 55 of the upper side may be configured to have the respective first impedance correction signals pcode <0: 2>. Turn on in response to the bit. In addition, three pairs of parallel connected PMOS transistor groups are connected to an output node no through a resistor 57. The pull-up driver unit 50b configured as shown in FIG. 3 occupies the output node no according to the pull-up main drive signal up, and its driving force, that is, the charge current for the output node no, is determined by the first impedance correction signal ( pcode <0: 2>).

풀다운 드라이버부(60b)는 복수의 엔모스 트랜지스터를 포함하여 구성되었으며 풀업 드라이버부(50b)와 유사하게 구성될 수 있다. 풀다운 드라이버부(60b)는 직렬 연결된 두 개의 엔모스 트랜지스터 그룹이 세 쌍 병렬 연결되도록 구성되었다. 도 3에 도시된 풀다운 드라이버부(60b)에서, 하측에 위치한 세 개의 엔모스 트랜지스터(63, 65, 67)는 풀다운 메인 드라이브 신호(dn)에 응답하여 턴온된다. 그리고 하측의 세 엔모스 트랜지스터(63, 65, 67)와 각각 직렬로 연결된 상측에 위치한 세 개의 피모스 트랜지스터(62, 64, 66)는 제 2 임피던스 교정 신호(ncode<0:2>)의 각 비트에 응답하여 턴온된다. 또한 세 쌍의 병렬 연결된 엔모스 트랜지스터 그룹은 저항(58)을 통해 출력 노드(no)에 연결된다. 도 3와 같이 구성된 풀다운 드라이버부(60b)는 풀다운 메인 드라이브 신호(dn)에 따라 출력 노드(no)를 디스차지하고, 그 구동력은 제 2 임피던스 교정 신호(ncode<0:2>)에 따라 달라진다. The pull-down driver unit 60b includes a plurality of NMOS transistors and may be configured similarly to the pull-up driver unit 50b. The pull-down driver unit 60b is configured such that two NMOS transistor groups connected in series are connected in parallel to three pairs. In the pull-down driver unit 60b shown in FIG. 3, the three NMOS transistors 63, 65, and 67 located below are turned on in response to the pull-down main drive signal dn. In addition, the three PMOS transistors 62, 64, and 66 positioned in series with the lower three NMOS transistors 63, 65, and 67, respectively, are connected to the second impedance correction signal ncode <0: 2>. Turn on in response to the bit. In addition, three pairs of parallel connected NMOS transistor groups are connected to an output node no through a resistor 58. The pull-down driver 60b configured as shown in FIG. 3 discharges the output node no according to the pull-down main drive signal dn, and its driving force varies according to the second impedance correction signal ncode <0: 2>.

이처럼 제 1 임피던스 교정 신호(pcode<0:2>) 및 제 2 임피던스 교정 신호(ncode<0:2>)에 따라 풀업 드라이버부(50b) 및 풀다운 드라이버부(60b)는 터미네이션 저항 값, 즉 구동력을 조절하여 서로의 구동력이 매치되도록 한다. In this manner, the pull-up driver 50b and the pull-down driver 60b may use a termination resistance value, that is, driving force, in response to the first impedance calibration signal pcode <0: 2> and the second impedance calibration signal ncode <0: 2>. Adjust to match each other's driving force.

도 4는 도 2에 도시된 데이터 결정부(70)의 회로도이다. 데이터 결정부(70)는 제 1 데이터 생성부(71) 및 제 2 데이터 생성부(72)로 구성된다. FIG. 4 is a circuit diagram of the data determination unit 70 shown in FIG. 2. The data determination unit 70 includes a first data generation unit 71 and a second data generation unit 72.

제 1 데이터 생성부(71)는 인버터 구성으로 연결되어 각각 제 1 소스 신호(RDO)에 의해 턴온되는 피모스 트랜지스터(71-2) 및 엔모스 트랜지스터(71-3)를 포함한다. 또한 피모스 트랜지스터(71-2)는 전원 전압(Vcc)과 연결되고 ODT 인에이블 신호(odten)에 의해 활성화되는 피모스 트랜지스터(71-1)와 직렬 연결되어, 피모스 트랜지스터(71-1)를 통해 전원 전압으로부터의 전류경로가 형성된다. 또한 엔모스 트랜지스터(71-3)는 접지 전압(Vss)과 연결되고 ODT 인에이블 신호의 반전된 신호(odtenb)에 의해 활성화되는 엔모스 트랜지스터(71-4)와 직렬 연결되어, 엔모스 트랜지스터(71-4)를 통해 접지 전압으로의 전류경로가 형성된다. 피모스 트랜지스터(71-5)는 ODT 인에이블 신호의 반전된 신호(odtenb)에 의해 활성화되어 전원 전압(Vcc)로부터 피모스 트랜지스터(71-2) 및 엔모스 트랜지스터(71-3)가 공통으로 연결된 노드(307)로의 전류 경로를 형성한다. 인버터(71-6)는 노드(307)의 전압을 반전하여 제 1 데이터(rdata)로서 출력한다. ODT 인에이블 신호(odten)가 로우 레벨로 비활성화되면, 피모스 트랜지스터(71-5)는 턴오프(turn-off)되고 피모스 트랜지스터(71-1) 및 엔모스 트랜지스터(71-4)는 턴온되어 피모스 트랜지스터(71-2) 및 엔모스 트랜지스터(71-3)는 제 1 소스 신호(RDO)에 대한 인버터 동작을 수행한다. 따라서 ODT 인에이블 신호(odten)가 로우 레벨로 비활성화되면, 제 1 데이터 생성부(71)는 제 1 소스 신호(RDO)를 제 1 데이터(rdata)로서 출력한다. 반대로, ODT 인에이블 신호(odten)가 하이 레벨로 활성화되면, 피모스 트랜지스터(71-5)는 턴온되고 피모스 트랜지스터(71-1) 및 엔모스 트랜지스터(71-4)는 턴오프되어 피모스 트랜지스터(71-2) 및 엔모스 트랜지스터(71-3)는 노드(307)로의 전류경로를 형성하지 못한다. 피모스 트랜지스터(71-5)를 통해 전원 전압으로부터 노드(307)로 차지 동작이 수행된다. 따라서, ODT 인에이블 신호(odten)가 하이 레벨로 활성화되면, 제 1 데이터 생성부(71)는 제 1 데이터(rdata)를 로우 레벨로 출력한다.The first data generator 71 includes a PMOS transistor 71-2 and an NMOS transistor 71-3 connected in an inverter configuration and turned on by the first source signal RDO, respectively. In addition, the PMOS transistor 71-2 is connected to the power supply voltage Vcc and connected in series with the PMOS transistor 71-1 activated by the ODT enable signal odten, thereby forming the PMOS transistor 71-1. Through this, the current path from the power supply voltage is formed. In addition, the NMOS transistor 71-3 is connected in series with the NMOS transistor 71-4 connected to the ground voltage Vss and activated by the inverted signal odtenb of the ODT enable signal. 71-4) forms a current path to ground voltage. The PMOS transistor 71-5 is activated by the inverted signal odtenb of the ODT enable signal, so that the PMOS transistor 71-2 and the NMOS transistor 71-3 are common from the power supply voltage Vcc. Form a current path to the connected node 307. The inverter 71-6 inverts the voltage of the node 307 and outputs the first data rdata. When the ODT enable signal odten is deactivated to a low level, the PMOS transistor 71-5 is turned off and the PMOS transistor 71-1 and the NMOS transistor 71-4 are turned on. Thus, the PMOS transistor 71-2 and the NMOS transistor 71-3 perform an inverter operation on the first source signal RDO. Therefore, when the ODT enable signal odten is deactivated to the low level, the first data generator 71 outputs the first source signal RDO as the first data rdata. Conversely, when the ODT enable signal odten is activated at a high level, the PMOS transistor 71-5 is turned on and the PMOS transistor 71-1 and the NMOS transistor 71-4 are turned off to make the PMOS. The transistor 71-2 and the NMOS transistor 71-3 do not form a current path to the node 307. A charge operation is performed from the power supply voltage to the node 307 through the PMOS transistor 71-5. Therefore, when the ODT enable signal odten is activated at the high level, the first data generator 71 outputs the first data rdata at the low level.

제 2 데이터 생성부(72)는 ODT 인에이블 신호(odten)가 로우 레벨로 비활성화되면, 제 2 소스 신호(FDO)를 제 2 데이터(fdata)로서 출력하고, ODT 인에이블 신호(odten)가 하이 레벨로 활성화되면, 제 2 데이터 생성부(72)는 제 2 데이터(fdata)를 하이 레벨로 출력한다. 제 2 데이터 생성부(72)는 도 4에 도시된 것처럼 제 1 데이터 생성부(71)와 유사하게 구성될 수 있으므로 상세한 설명은 생략한다. When the ODT enable signal odten is deactivated to a low level, the second data generator 72 outputs the second source signal FDO as second data fdata, and the ODT enable signal odten is high. When activated at the level, the second data generator 72 outputs the second data fdata at the high level. Since the second data generator 72 may be configured similarly to the first data generator 71 as illustrated in FIG. 4, a detailed description thereof will be omitted.

데이터 출력 모드에서, ODT 인에이블 신호(odten)가 로우 레벨로 비활성화되면, 위에서 언급한 것처럼 제 1 소스 신호(RDO) 는 제 1 데이터(rdata)로서 출력되고 제 2 소스 신호(FDO)는 제 2 데이터(fdata)로서 출력된다. 이에 따라 도 2에 도시된 풀업 신호 생성부(10), 풀다운 신호 생성부(20), 풀업 프리 드라이버부(30) 및 풀다운 프리 드라이버부(40) 는 제 1 데이터(rdata)의 구동력을 조절하여 풀업 메인 드라이브 신호(up)를 생성하고 제 2 데이터(fdata)의 구동력을 조절하여 풀다운 메인 드라이브 신호(dn)를 생성한다. 그리고 도 3에 도시된 풀업 드라이버부(50a) 및 풀다운 드라이버부(60)는 풀업 메인 드라이브 신호(up) 및 풀다운 메인 드라이브 신호(dn)에 응답하여 출력 노드(no)를 차지 또는 디스차지한다. 여기서 도 3에 도시된 풀업 드라이버부(50a) 및 풀다운 드라이버부(60)의 구동력은 각각 제 1 임피던스 교정 신호(pcode<0:2>) 및 제 2 임피던스 교정 신호(ncode<0:2>)에 응답하여 턴온되는 피모스 트랜지스터(52, 54, 56) 및 엔모스 트랜지스터(62, 64, 66)에 따라 달라진다. 여기서 출력 노드(no)에 대한 차지 및 디스차지 동작은 교대로 수행된다. 좀더 자세히 설명하면, 풀업 드라이버부(50a)가 풀업 메인 드라이브 신호(up)에 응답하여 활성화되고 출력 노드(no)를 차지 하는 동안, 풀다운 드라이버부(60)는 풀다운 메인 드라이브 신호(dn)에 응답하여 비활성화되고 출력 노드(no)를 디스차지하지 않는다. 반대로 풀다운 드라이버부(60)가 풀다운 메인 드라이브 신호(dn)에 응답하여 활성화되고 출력 노드(no)를 디스차지하는 동안 풀업 드라이버부(50a)는 풀업 메인 드라이브 신호(up)에 응답하여 비활성화되고 출력 노드(no)를 차지하지 않는다.In the data output mode, when the ODT enable signal odten is deactivated to the low level, as mentioned above, the first source signal RDO is output as the first data rdata and the second source signal FDO is the second. It is output as data fdata. Accordingly, the pull-up signal generator 10, the pull-down signal generator 20, the pull-up pre-driver 30, and the pull-down pre-driver 40 shown in FIG. 2 adjust the driving force of the first data rdata. The pull-up main drive signal up is generated and the pull-down main drive signal dn is generated by adjusting the driving force of the second data fdata. In addition, the pull-up driver unit 50a and the pull-down driver unit 60 shown in FIG. 3 occupy or discharge the output node no in response to the pull-up main drive signal up and the pull-down main drive signal dn. Here, the driving force of the pull-up driver 50a and the pull-down driver 60 shown in FIG. 3 is the first impedance calibration signal pcode <0: 2> and the second impedance calibration signal ncode <0: 2>, respectively. And PMOS transistors 52, 54, 56 and NMOS transistors 62, 64, 66 that are turned on in response to the &lt; RTI ID = 0.0 &gt; Here, charge and discharge operations for the output node no are alternately performed. More specifically, while the pull-up driver unit 50a is activated in response to the pull-up main drive signal up and occupies the output node no, the pull-down driver unit 60 responds to the pull-down main drive signal dn. It is deactivated and does not discharge the output node no. On the contrary, while the pull-down driver unit 60 is activated in response to the pull-down main drive signal dn and discharges the output node no, the pull-up driver unit 50a is deactivated in response to the pull-up main drive signal up and the output node. does not occupy (no)

온 다이 터미네이션 모드에서, ODT 인에이블 신호(odten)가 하이 레벨로 활성화되면, 위에서 언급한 것처럼 제 1 데이터(rdata)는 로우 레벨로 출력되고 제 2 데이터(fdata)는 하이 레벨로 출력된다. 이에 따라 도 2에 도시된 풀업 신호 생성부(10), 풀다운 신호 생성부(20), 풀업 프리 드라이버부(30) 및 풀다운 프리 드라이버부(40) 는 풀업 메인 드라이브 신호(up)를 로우 레벨로 생성하고 풀다운 메인 드라이브 신호(dn)를 하이 레벨로 생성한다. 따라서 도 3에 도시된 풀업 드라이버부(50a) 및 풀다운 드라이버부(60)의 피모스 트랜지스터(51, 53, 55) 및 엔모스 트랜지스터(63, 65, 67)는 턴온된다. 그러므로 도 3에 도시된 풀업 드라이버부(50a) 및 풀다운 드라이버부(60)는 제 1 임피던스 교정 신호(pcode<0:2>) 및 제 2 임피던스 교정 신호(ncode<0:2>)에 따라 턴온되는 피모스 트랜지스터(52, 54, 56) 및 엔모스 트랜지스터(62, 64, 66)에 따라 구동력을 달리하여 출력 노드(no)에 대해 동시에 차지 및 디스차지함으로써 온 다이 터미네이션 동작을 수행한다. 일반적으로 이러한 온 다이 터미네이션 동작은 DQ 패드를 공유하는 입력 드라이버가 데이터를 입력 받는 동안 수행된다.In the on die termination mode, when the ODT enable signal odten is activated at the high level, as mentioned above, the first data rdata is output at the low level and the second data fdata is output at the high level. Accordingly, the pull-up signal generator 10, the pull-down signal generator 20, the pull-up pre-driver 30, and the pull-down pre-driver 40 shown in FIG. 2 set the pull-up main drive signal up to a low level. Generate a pull-down main drive signal dn to a high level. Accordingly, the PMOS transistors 51, 53, 55 and the NMOS transistors 63, 65, 67 of the pull-up driver unit 50a and the pull-down driver unit 60 shown in FIG. 3 are turned on. Therefore, the pull-up driver unit 50a and the pull-down driver unit 60 shown in FIG. 3 are turned on according to the first impedance calibration signal pcode <0: 2> and the second impedance calibration signal ncode <0: 2>. The on-die termination operation is performed by simultaneously charging and discharging the output node no with different driving forces depending on the PMOS transistors 52, 54, 56 and the NMOS transistors 62, 64, 66. Typically, this on die termination operation is performed while the input driver sharing the DQ pad receives data.

도 2 내지 도 4에서 도시된 종래 기술에 따른 반도체 장치는 도 1에 도시된 종래 기술에 따른 출력 드라이버와 마찬가지로 데이터 출력 모드에서 출력 신호(out)의 슬루 레이트(Slew Rate)를 조절하기 위해 풀업 및 풀다운 메인 드라이브 신호(up, dn)의 슬루 레이트(Slew Rate)를 조절하는 방식을 사용한다. 풀업 및 풀다운 메인 드라이브 신호(up, dn)의 슬루 레이트는 풀업 드라이버부(30) 및 풀다운 프리 드라이버부(40)를 병렬로 연결되어 퓨즈 옵션 등으로 구동력을 달리할 수 있는 복수 개의 인버터를 포함하여 구성함으로써 조절한다. 종래 기술에 따른 반도체 장치는 출력 신호(out)의 슬루 레이트를 확인하고, 확인된 결과에 따라 퓨즈 커팅 등으로 풀업 드라이버부(30) 및 풀다운 프리 드라이버부(40)의 구동력을 조절하여 메인 드라이브 신호(up)의 슬루 레이트를 조절한다. 풀업 드라이버부(30) 및 풀다운 드라이버부(40)를 구성하기 위한 복수 개의 인버터는 풀업(Pull-up) 동작을 하는 복수 개의 트랜지스터들 및 풀다운(Pull-down) 동작을 하는 복수 개의 트랜지스터들을 포함하여 구성된다. 이에 따라 종래 기술에 사용되는 반도체 장치는 풀업 드라이버부(30) 및 풀다운 드라이버부(40)를 구성하기 위한 풀업(Pull-up) 동작을 하는 복수 개의 트랜지스터들 및 풀다운(Pull-down) 동작을 하는 복수 개의 트랜지스터들의 특성에 따라 출력 신호(out)의 슬루 레이트 특성이 크게 변화된다. 즉, 종래 기술에 사용되는 반도체 장치는 PVT 변화(Process, Voltage, Temperature Variation)에 따라 특성이 크게 변하는 단점이 존재한다. The semiconductor device according to the related art shown in FIGS. 2 to 4 is similar to the output driver according to the prior art shown in FIG. 1. The slew rate of the pull-down main drive signal (up, dn) is adjusted. The slew rate of the pull-up and pull-down main drive signals (up, dn) includes a plurality of inverters in which the pull-up driver unit 30 and the pull-down pre-driver unit 40 are connected in parallel to vary the driving force by a fuse option or the like. Adjust by configuring. The semiconductor device according to the related art checks the slew rate of the output signal (out), and adjusts the driving force of the pull-up driver unit 30 and the pull-down pre-driver unit 40 by fuse cutting, etc. according to the result of the confirmation, and thus the main drive signal. Adjust the slew rate of (up). The plurality of inverters constituting the pull-up driver unit 30 and the pull-down driver unit 40 include a plurality of transistors for pull-up operation and a plurality of transistors for pull-down operation. It is composed. Accordingly, the semiconductor device used in the related art performs a plurality of transistors and a pull-down operation that perform pull-up operations for configuring the pull-up driver unit 30 and the pull-down driver unit 40. According to the characteristics of the plurality of transistors, the slew rate characteristic of the output signal out is greatly changed. That is, the semiconductor device used in the prior art has a disadvantage in that the characteristics change significantly according to PVT variation (Process, Voltage, Temperature Variation).

또한 풀업 드라이버부(30) 및 풀다운 프리 드라이버부(40)를 병렬로 연결되어 퓨즈 옵션으로 구동력을 달리할 수 있는 복수 개의 인버터를 포함하여 구성하는 경우, 퓨즈 옵션은 상대적으로 면적을 크게 차지 하는 구성 요소이므로 반도체 장치의 집적화에 단점으로 적용된다. In addition, when the pull-up driver unit 30 and the pull-down pre-driver unit 40 are connected in parallel to include a plurality of inverters that can vary the driving force by the fuse option, the fuse option is a configuration that occupies a relatively large area Since it is a component, it is applied as a disadvantage to the integration of semiconductor devices.

또한 종래 기술에 따른 반도체 장치는 데이터 출력 모드에서 출력 신호(out)의 슬루 레이트를 조절하기 위해 변경해야 하는 풀업 및 풀다운 메인 드라이브 신호(up, dn)의 슬루 레이트변화 정도는 조절하고자 하는 출력 신호(out)의 슬루 레이트의 변화 정도보다 더 크다는 단점이 존재한다. 이것은 PVT 변화에 따른 출력 신호(out)의 슬루 레이트를 보정하기 위해 메인 드라이브 신호(up, dn)의 라이징 타임(rising time) 및 폴링 타임(falling time)이 충분이 길어지도록 변화할 수 있어야 한다는 것을 의미하고, 극단적인 경우, 풀업 및 풀다운 메인 드라이브 신호(up, dn)가 전원 전압 레벨 내지 접지 전압 레벨로 풀 스윙(full swing)을 하지 못하는 경우가 생겨 데이터 패턴에 따라 ISI(inter symbol interference)로 인해 지터가 생기게 된다. 이러한 문제는 출력 신호의 타이밍 특성 열화, 데이터 패드(DQ)간 스큐(skew)의 발생을 초래한다.In addition, in the semiconductor device according to the related art, the degree of change in the slew rate of the pull-up and pull-down main drive signals up and dn, which should be changed in order to adjust the slew rate of the output signal out in the data output mode, is adjusted to the output signal ( The disadvantage is that it is greater than the degree of change in the slew rate. This means that the rising time and the falling time of the main drive signal up, dn must be changed to be long enough to correct the slew rate of the output signal out according to the PVT change. In extreme cases, pull-up and pull-down main drive signals (up, dn) may fail to full swing from the supply voltage level to the ground voltage level, resulting in inter symbol interference (ISI) depending on the data pattern. This results in jitter. This problem leads to degradation of timing characteristics of the output signal and generation of skew between the data pads DQ.

본 발명은 프리 드라이브 신호의 PVT 변화에 보다 둔감한 출력 드라이버 및 이를 포함하는 반도체 장치를 제공하는데 그 기술적 과제가 있다.The present invention provides an output driver insensitive to PVT variation of a pre-drive signal and a semiconductor device including the same.

본 발명의 일 실시예에 따른 출력 드라이버는 1 데이터의 펄스 폭을 조절하여 풀업 프리 드라이브 신호로서 출력하는 풀업 신호 생성부, 제 2 데이터의 펄스 폭을 조절하여 풀다운 프리 드라이브 신호로서 출력하는 풀다운 신호 생성부, 상기 풀업 프리 드라이브 신호를 입력받고 풀업 메인 드라이브 신호를 생성하는 풀업 프리 드라이버부, 상기 풀다운 프리 드라이브 신호를 입력받고 풀다운 메인 드라이브 신호를 생성하는 풀다운 프리 드라이버부, 상기 풀업 메인 드라이브 신호에 따라 출력 노드를 차지하는 풀업 메인 드라이버부 및 상기 풀다운 메인 드라이브 신호에 따라 상기 출력 노드를 디스차지하는 제 2 드라이버부를 포함한다.According to an embodiment of the present invention, an output driver generates a pull-up signal generator for adjusting a pulse width of one data and outputs it as a pull-up free drive signal, and generates a pull-down signal for outputting it as a pull-down free drive signal by adjusting a pulse width of second data. A pull-up pre-driver unit receiving the pull-up pre-drive signal and generating a pull-up main drive signal, a pull-down pre-driver unit receiving the pull-down pre-drive signal and generating a pull-down main drive signal, and outputting the pull-up main drive signal A pull-up main driver unit occupying a node and a second driver unit discharging the output node according to the pull-down main drive signal.

또한 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 장치는 제 1 임피던스 교정 신호 및 제 2 임피던스 교정 신호에 따라 제 1 데이터의 펄스 폭을 조절하여 풀업 프리 드라이브 신호로서 출력하고, 제 2 데이터의 펄스 폭을 조절하여 풀다운 프리 드라이브 신호를 출력하는 펄스 폭 조절부 및 상기 풀업 프리 드라이브 신호 및 상기 풀다운 프리 드라이브 신호에 응답하여 출력 노드를 구동하는 드라이버부를 포함하고, 상기 드라이버부는 데이터 출력 모드에서, 상기 출력 노드를 일정 시간 동시에 차지 및 디스차지한다.In addition, the semiconductor device according to an embodiment of the present invention adjusts the pulse width of the first data according to the first impedance correction signal and the second impedance correction signal, outputs it as a pull-up pre-drive signal, and adjusts the pulse width of the second data. And a driver unit driving an output node in response to the pull-up free drive signal and the pull-down free drive signal, wherein the driver unit drives the output node in a data output mode. Charge and discharge at the same time.

본 발명은 출력 드라이버의 슬루 레이트 특성을 PVT 변화에 둔감하게 하는 효과를 창출한다. 또한 메인 드라이브 신호의 슬루 레이트가 과도하게 낮아 메인 드라이브 신호가 전원 전압 레벨부터 접지 전압 레벨까지의 풀 스윙을 하지 못하는 경우를 방지한다. 이에 따라 ISI로 인한 지터를 방지하게 되고, 출력 신호의 타이밍 특성 열화, 데이터 패드간 스큐 발생을 방지하는 효과를 창출한다. 또한 퓨즈 옵션에 대한 필요를 줄일 수 있어 반도체 장치의 집적화에도 강점으로 적용된다.The present invention creates the effect of making the slew rate characteristics of the output driver insensitive to PVT variations. The excessive slew rate of the main drive signal prevents the main drive signal from failing full swing from the supply voltage level to the ground voltage level. This prevents jitter due to ISI, and creates an effect of preventing timing characteristics of output signals and skew between data pads. In addition, the need for fuse options can be reduced, which is an advantage in the integration of semiconductor devices.

도 1은 종래 기술에 따른 출력 드라이버의 회로도,
도 2는 종래 기술에 따른 출력 드라이버를 포함하는 반도체 장치의 블록도,
도 3은 도 2에 도시된 풀업 드라이버부(50b) 및 풀다운 드라이버부(60b)의 회로도,
도 4는 도 2에 도시된 데이터 결정부(70)의 회로도
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 출력 드라이버의 구성을 개략적으로 보여주는 블록도,
도 6은 도 5에 도시된 상기 출력 드라이버의 일 실시예에 따른 회로도,
도 7은 도 6에 도시된 상기 출력 드라이버의 내/외부 신호 파형도,
도 8은 본 발명의 다른 실시예에 따른 출력 드라이버의 회로도,
도 9는 본 발명에 따른 출력 드라이버의 슬루 레이트 시뮬레이션 결과,
도 10은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 출력 드라이버의 구성을 개략적으로 보여주는 블록도,
도 11은 도 10에 도시된 상기 풀업 신호 생성부(510)의 일 실시예(510a)에 따른 회로도
도 12는 도 10에 도시된 상기 풀다운 신호 생성부(520)의 일 실시예에 따른 회로도,
도 13은 도 10에 도시된 상기 풀업 신호 생성부(510)의 다른 실시예(510b)에 따른 회로도,
도 14a는 종래 기술에 따른 출력 드라이버의 PVT 변화 대비 슬루 레이트의 시뮬레이션 결과,
도 14b는 본 발명의 실시예에 따른 출력 드라이버가 PVT 변화에 둔감한 슬루 레이트 특성을 가짐을 보여주는 시뮬레이션 결과이다.
1 is a circuit diagram of an output driver according to the prior art,
2 is a block diagram of a semiconductor device including an output driver according to the prior art;
3 is a circuit diagram of the pull-up driver unit 50b and the pull-down driver unit 60b shown in FIG.
4 is a circuit diagram of the data determining unit 70 shown in FIG.
5 is a block diagram schematically illustrating a configuration of an output driver according to an embodiment of the present invention;
6 is a circuit diagram according to an embodiment of the output driver shown in FIG. 5;
7 is an internal / external signal waveform diagram of the output driver shown in FIG. 6;
8 is a circuit diagram of an output driver according to another embodiment of the present invention;
9 is a slew rate simulation result of the output driver according to the present invention,
10 is a block diagram schematically illustrating a configuration of an output driver according to another embodiment of the present invention;
FIG. 11 is a circuit diagram according to an exemplary embodiment 510a of the pull-up signal generator 510 shown in FIG. 10.
12 is a circuit diagram of an example of the pull-down signal generator 520 of FIG. 10.
FIG. 13 is a circuit diagram according to another embodiment 510b of the pull-up signal generator 510 shown in FIG. 10.
14A is a simulation result of slew rate versus PVT variation of an output driver according to the prior art,
14B is a simulation result showing that the output driver according to the embodiment of the present invention has a slew rate characteristic insensitive to PVT variation.

도 1 및 도 2에 도시된 종래 기술에 따른 출력 드라이버는 풀업 프리 드라이버부(30) 및 풀다운 프리 드라이버부(40)의 구동력을 조절함을 통해 풀업 메인 드라이브 신호(up) 및 풀다운 메인 드라이브 신호(dn)의 슬루 레이트를 조절하고, 상기 풀업 메인 드라이브 신호(up) 및 풀다운 메인 드라이브 신호(dn)의 슬루 레이트를 조절함을 통해 노멀 출력 모드에서의 출력 신호(out)의 슬루 레이트를 조절한다. 따라서 종래 기술에 따른 출력 드라이버의 슬루 레이트 특성은 PVT 변화에 따라 민감하게 변화하고, 풀업 메인 드라이브 신호(up) 및 풀다운 메인 드라이브 신호(dn)의 슬루 레이트가 낮아짐에 따라 ISI에 의한 지터가 발생할 수 있다. 이와 달리, 본 발명에 따른 출력 드라이버는 풀업 프리 드라이브 신호(pup) 및 풀다운 프리 드라이브 신호(pdn)의 펄스 폭을 조절함을 통해 상기 풀업 메인 드라이브 신호(pup) 및 상기 풀다운 메인 드라이브 신호(pdn)의 펄스 폭을 조절하고, 상기 풀업 메인 드라이브 신호(pup) 및 상기 풀다운 메인 드라이브 신호(pdn)의 펄스 폭을 조절함을 통해 노멀 출력 모드에서의 상기 출력 신호(out)의 슬루 레이트를 조절한다. 또한 본 발명에 따른 출력 드라이버는 임피던스 교정 회로(ZQ Calibration Circuit)에서 출력되는 임피던스 교정 신호에 응답하여 상기 펄스 폭을 조절하도록 구성될 수 있다. 따라서 본 발명에 따른 출력 드라이버는 PVT 변화에 따라 달라지는 슬루 레이트 특성을 보상할 수 있어 PVT 변화에 둔감한 슬루 레이트 특성을 가질 수 있고, ISI에 의한 지터를 방지할 수 있다. The output driver according to the related art shown in FIGS. 1 and 2 adjusts the driving force of the pull-up pre-driver unit 30 and the pull-down pre-driver unit 40 to pull-up main drive signal up and pull-down main drive signal ( The slew rate of the output signal (out) in the normal output mode is controlled by adjusting the slew rate of dn) and the slew rate of the pull-up main drive signal up and the pull-down main drive signal dn. Therefore, the slew rate characteristic of the output driver according to the prior art changes sensitively with PVT change, and jitter due to ISI may occur as the slew rates of the pull-up main drive signal up and the pull-down main drive signal dn decrease. have. In contrast, the output driver according to the present invention adjusts the pulse widths of the pull-up free drive signal pup and the pull-down free drive signal pdn to control the pull-up main drive signal pup and the pull-down main drive signal pdn. The slew rate of the output signal (out) in the normal output mode is controlled by adjusting the pulse width of the pulse width and the pulse width of the pull-up main drive signal (pup) and the pull-down main drive signal (pdn). In addition, the output driver according to the present invention may be configured to adjust the pulse width in response to an impedance calibration signal output from a ZQ calibration circuit. Therefore, the output driver according to the present invention can compensate for the slew rate characteristic that varies with the PVT change, thereby having a slew rate characteristic that is insensitive to the PVT change, and can prevent jitter due to ISI.

도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 출력 드라이버의 구성을 개략적으로 보여주는 블록도 이다. 상기 출력 드라이버는 풀업 신호 생성부(100a), 풀다운 신호 생성부(200a), 풀업 프리 드라이버부(300), 풀다운 프리 드라이버부(400), 풀업 메인 드라이버부(50a) 및 풀다운 메인 드라이버부(60)를 포함하여 구성될 수 있다. 5 is a block diagram schematically illustrating a configuration of an output driver according to an embodiment of the present invention. The output driver includes a pull-up signal generator 100a, a pull-down signal generator 200a, a pull-up pre-driver 300, a pull-down pre-driver 400, a pull-up main driver 50a, and a pull-down main driver 60 It may be configured to include).

상기 풀업 신호 생성부(100a)는 선택 신호(sel)에 따라 제 1 데이터(rdata)의 펄스 폭을 조절하여 풀업 프리 드라이브 신호(pup)로서 출력한다.The pull-up signal generator 100a adjusts the pulse width of the first data rdata according to the selection signal sel and outputs the pull-up pre-drive signal pup.

상기 풀다운 신호 생성부(200a)는 상기 선택 신호(sel)에 따라 제 2 데이터(fdata)의 펄스 폭을 조절하여 풀다운 프리 드라이브 신호(pdn)로서 출력한다. The pull-down signal generator 200a adjusts the pulse width of the second data fdata according to the selection signal sel and outputs the pull-down free drive signal pdn.

상기 풀업 프리 드라이버부(300)는 상기 풀업 프리 드라이브 신호(pup)를 입력받고 풀업 메인 드라이브 신호(up)를 생성한다. The pull-up pre-driver unit 300 receives the pull-up pre-drive signal pup and generates a pull-up main drive signal up.

상기 풀다운 프리 드라이버부(400)는 상기 풀다운 프리 드라이브 신호(pdn)를 입력받고 풀다운 메인 드라이브 신호(dn)를 생성한다. The pull-down pre-driver unit 400 receives the pull-down free drive signal pdn and generates a pull-down main drive signal dn.

상기 풀업 메인 드라이버부(50a)는 상기 풀업 메인 드라이브 신호(up)에 따라 출력 노드(no)를 차지한다.The pull-up main driver unit 50a occupies the output node no according to the pull-up main drive signal up.

상기 풀다운 메인 드라이버부(60)는 상기 풀다운 메인 드라이브 신호(dn)에 따라 상기 출력 노드(no)를 디스차지한다.The pull-down main driver unit 60 discharges the output node no according to the pull-down main drive signal dn.

종래 기술에 따른 출력 드라이버는 상기 출력 노드(no)를 상기 풀업 메인 드라이버부(50a) 및 풀다운 메인 드라이버부(60)를 통해 차지하거나 디스차지할 때 상기 풀업 메인 드라이버부(50a) 및 풀다운 메인 드라이버부(60)를 서로 교대로 활성화시킨다. 좀 더 자세히 설명하면 상기 풀업 메인 드라이버(50a)가 활성화되어 상기 출력 노드(no)를 차지하는 구간에는 상기 풀다운 메인 드라이버(60)는 비활성화 되어 상기 출력 노드(no)를 디스차지하지 않는다. 반대로, 상기 풀다운 메인 드라이버(60)가 활성화되어 상기 출력 노드(no)를 디스차지하는 구간에는 상기 풀업 메인 드라이버(50a)는 비활성화되어 상기 출력 노드(no)를 차지하지 않는다. 이와 달리 본 발명에 따른 출력 드라이버는 상기 출력 노드(no)에 대한 차지 동작 및 디스차지 동작 중 하나를 수행하는 구간을 가질 뿐만 아니라, 상기 출력 노드(no)에 대한 차지 동작 및 디스차지 동작을 동시에 수행하는 구간을 추가로 가진다. 이러한 상기 출력 노드(no)에 대한 차지 동작 및 디스차지 동작을 동시에 수행하는 것은 상기 제 1 데이터(rdata) 및 상기 제 2 데이터(fdata)의 펄스 폭을 조절하여 상기 풀업 프리 드라이브 신호(pup) 및 상기 풀다운 프리 드라이브 신호(pdn)를 생성함으로써 이뤄진다. 본 발명에 따른 출력 드라이버는 이처럼 상기 출력 노드(no)에 대한 차지 동작 및 디스차지 동작을 동시에 수행하는 구간을 가짐으로써 슬루 레이트를 조절할 수 있다. 좀 더 자세히 설명하면, 제 1 구간 동안 상기 출력 노드(no)에 대해 차지 동작 만을 수행할 때의 슬루 레이트를 a라고 가정하고, 상기 제 1 구간의 일 부분 동안 상기 출력 노드(no)에 대해 차지 및 디스차지 동작을 동시에 수행하고, 상기 제 1 구간의 나머지 부분 동안 상기 출력 노드(no)에 대해 차지 동작 만을 수행하는 때의 슬루 레이트를 b라고 가정하면, a의 절대값은 b의 절대값보다 크다. 또한 상기 출력 노드(no)에 대해 차지 및 디스차지 동작을 동시에 수행하는 상기 제 1 구간의 일 부분이 상기 제 1 구간에서 차지하는 비율이 클수록 a의 절대값과 b의 절대값의 차이는 더 크다. According to the prior art, the output driver occupies or discharges the output node no through the pull-up main driver unit 50a and the pull-down main driver unit 60, and the pull-up main driver unit 50a and the pull-down main driver unit. Alternately activate 60. In more detail, in the section in which the pull-up main driver 50a is activated and occupies the output node no, the pull-down main driver 60 is inactivated and does not discharge the output node no. On the contrary, the pull-up main driver 50a is deactivated and does not occupy the output node no during a period in which the pull-down main driver 60 is activated to discharge the output node no. In contrast, the output driver according to the present invention not only has a section for performing one of the charge operation and the discharge operation for the output node no, but also simultaneously performs the charge operation and the discharge operation for the output node no. It additionally has a section to perform. Simultaneously performing the charge operation and the discharge operation on the output node no adjusts the pulse widths of the first data rdata and the second data fdata to control the pull-up pre-drive signal pup and By generating the pull-down free drive signal pdn. The output driver according to the present invention can adjust the slew rate by having a section for simultaneously performing the charge operation and the discharge operation for the output node no. In more detail, it is assumed that the slew rate when only performing the charge operation on the output node no during the first interval is a, and the charge on the output node no during a portion of the first interval is assumed. And assuming that the discharge operation is performed at the same time and only the charge operation is performed on the output node no for the rest of the first interval, the absolute value of a is greater than the absolute value of b. Big. In addition, as the proportion of the portion of the first section which simultaneously performs the charge and discharge operations with respect to the output node no occupies in the first section is greater, the difference between the absolute value of a and the absolute value of b becomes larger.

데이터 출력 모드에서, 상기 제 1 데이터(rdata) 및 상기 제 2 데이터(fdata)는 서로 같은 전압 레벨 및 같은 타이밍을 갖는 신호이다. 종래 기술에 따른 출력 드라이버의 경우, 상기 제 1 데이터(rdata) 및 상기 제 2 데이터(rdata)로서 같은 신호 값이 입력되고, 이에 따라 생성되는 상기 풀업 프리 드라이브 신호(pup) 및 상기 풀다운 프리 드라이브 신호(pdn)또한 같은 신호 값을 가진다. 물론 상기 풀업 메인 드라이브 신호(up) 및 상기 풀다운 메인 드라이브 신호(dn) 또한 같은 신호 값을 가진다. 도 1의 상기 풀업 메인 드라이버부(50a)는 피모스 트랜지스터를 포함하여 구성되고, 상기 풀다운 메인 드라이버부(60)는 엔모스 트랜지스터를 포함하여 구성되므로, 같은 신호 값을 가지는 상기 풀업 메인 드라이브 신호(up) 및 상기 풀다운 메인 드라이브 신호(dn)를 입력받아 활성화되는 상기 풀업 메인 드라이버부(50a) 및 상기 풀다운 메인 드라이버부(60)는 서로 교대로 활성화된다. 즉 상기 풀업 메인 드라이브 신호(up) 및 상기 풀다운 메인 드라이브 신호(dn)는 동시에 활성화되지 않는다. 이와 달리, 본 발명에 따른 출력 드라이버는 상기 제 1 데이터(rdata) 및 상기 제 2 데이터(fdata)의 펄스 폭을 조절하여 상기 풀업 프리 드라이브 신호(pup) 및 상기 풀다운 프리 드라이브 신호(pdn)를 생성함으로써, 상기 풀업 메인 드라이버부(50a) 및 상기 풀다운 메인 드라이버부(60)가 출력 노드(no)를 동시에 차지 및 디스차지 하는 구간을 가질 수 있다. 이러한 상기 제 1 데이터(rdata) 및 상기 제 2 데이터(fdata)의 펄스 폭 조절은 상기 선택 신호(sel)에 따라 조절된다. 상기 선택 신호(sel)에 따라 상기 풀업 프리 드라이브 신호(pup) 및 상기 풀다운 프리 드라이브 신호(pdn)의 펄스 폭 차이가 변화되고, 이에 따라 출력 신호(out)의 슬루 레이트 또한 변화된다. 상기 선택 신호(sel)로서 테스트 모드 신호를 사용할 수 있다.In the data output mode, the first data rdata and the second data fdata are signals having the same voltage level and the same timing. In the case of the output driver according to the related art, the same signal value is input as the first data rdata and the second data rdata, and the pull-up free drive signal pup and the pull-down free drive signal generated accordingly are input. (pdn) also has the same signal value. Of course, the pull-up main drive signal up and the pull-down main drive signal dn also have the same signal value. Since the pull-up main driver unit 50a of FIG. 1 includes a PMOS transistor and the pull-down main driver unit 60 includes an NMOS transistor, the pull-up main driver signal having the same signal value ( The pull-up main driver unit 50a and the pull-down main driver unit 60, which are activated by receiving up and the pull-down main drive signal dn, are alternately activated. In other words, the pull-up main drive signal up and the pull-down main drive signal dn are not activated at the same time. In contrast, the output driver according to the present invention generates the pull-up free drive signal pup and the pull-down free drive signal pdn by adjusting the pulse widths of the first data rdata and the second data fdata. As a result, the pull-up main driver 50a and the pull-down main driver 60 may have a section in which the output node no is simultaneously occupied and discharged. The pulse width adjustment of the first data rdata and the second data fdata is adjusted according to the selection signal sel. The pulse width difference between the pull-up free drive signal pup and the pull-down free drive signal pdn is changed according to the selection signal sel, and thus the slew rate of the output signal out is also changed. A test mode signal may be used as the selection signal sel.

본 발명에 따른 출력 드라이버가 상기 제 1 데이터(rdata) 및 상기 제 2 데이터(fdata)의 펄스 폭을 조절하여 상기 풀업 프리 드라이브 신호(pup) 및 상기 풀다운 프리 드라이브 신호(pdn)를 생성하여 상기 출력 신호(out)의 슬루 레이트를 조절한다는 점은 종래 기술에 따른 출력 드라이버에서 발생하는 문제점을 해결할 수 있다. 도 1에 도시된 종래 기술에 따른 상기 출력 신호(out)의 슬루 레이트를 조절하기 위해 상기 풀업 메인 드라이브 신호(up) 상기 풀다운 메인 드라이브 신호(dn)의 슬루 레이트를 조절하는 방식의 문제점인 상기 메인 드라이브 신호(up, dn)의 슬루 레이트가 과도하게 작아서 상기 메인 드라이브 신호(up, dn)의 전원 전압 레벨 내지 접지 전압 레벨로의 풀 스윙(full swing)을 못할 수 있고, 이에 따라 ISI(inter symbol interference)로 인해 지터가 생기게 되어 상기 출력 신호(out) 타이밍 특성 열화 및 데이터 패드(DQ)간 스큐(skew)가 발생하는 점은 본 발명에 따른 상기 제 1 데이터(rdata) 및 상기 제 2 데이터(fdata)의 펄스 폭을 조절하여 상기 출력 신호(out)의 슬루 레이트를 조절한다는 점으로 개선 가능하다. 본 발명에 따라 생성되는 상기 풀업 메인 드라이브 신호(up) 및 상기 풀다운 메인 드라이브 신호(dn)의 슬루 레이트는 상기 출력 신호(out)의 슬루레이트를 조절하기 위해 달라질 필요가 없기 때문이다.The output driver according to the present invention generates the pull-up free drive signal pup and the pull-down free drive signal pdn by adjusting the pulse widths of the first data rdata and the second data fdata. Adjusting the slew rate of the signal out can solve the problem occurring in the output driver according to the prior art. The main, which is a problem of a method of adjusting the slew rate of the pull-up main drive signal up and the pull-down main drive signal dn to adjust the slew rate of the output signal out according to the prior art shown in FIG. 1. The slew rate of the drive signals up and dn is excessively small to prevent full swing of the main drive signals up and dn from the power supply voltage level to the ground voltage level. Interference causes jitter, which causes degradation of the output signal timing characteristics and skew between the data pads DQ. The first data rdata and the second data The pulse width of fdata) can be adjusted to adjust the slew rate of the output signal out. This is because the slew rate of the pull-up main drive signal up and the pull-down main drive signal dn generated according to the present invention does not need to be changed to adjust the slew rate of the output signal out.

도 6은 도 5에 도시된 상기 출력 드라이버의 일 실시예에 따른 회로도이다. FIG. 6 is a circuit diagram according to an embodiment of the output driver shown in FIG. 5.

상기 출력 드라이버는 도 5처럼 상기 풀업 신호 생성부(100a), 상기 풀다운 신호 생성부(200a), 상기 풀업 프리 드라이버부(300), 상기 풀다운 프리 드라이버부(400), 상기 풀업 메인 드라이버부(50a) 및 상기 풀다운 메인 드라이버부(60)를 포함한다. The output driver may include the pull-up signal generator 100a, the pull-down signal generator 200a, the pull-up pre-driver 300, the pull-down pre-driver 400, and the pull-up main driver 50a. ) And the pull-down main driver unit 60.

상기 풀업 메인 드라이버부(50a)는 도 1에 도시된 종래 기술에 따른 상기 풀업 메인 드라이버부(50a)처럼 구성될 수 있다. 상기 풀다운 메인 드라이버부(60) 또한 도 1에 도시된 종래 기술에 따른 상기 풀다운 메인 드라이버부(60)처럼 구성될 수 있다.The pull-up main driver unit 50a may be configured like the pull-up main driver unit 50a according to the related art shown in FIG. 1. The pull-down main driver unit 60 may also be configured like the pull-down main driver unit 60 according to the related art shown in FIG. 1.

상기 풀업 프리 드라이버부(300)는 제 1 인버터(IV1)를 포함하여 구성될 수 있다. 상기 제 1 인버터(IV1)는 구동력이 일정한 인버터이다. 상기 풀업 프리 드라이버부(300)는 종래 기술에 따른 풀업 프리 드라이버부(30)과 달리 퓨즈 옵션으로 구동력을 달리할 수 있는 인버터를 포함할 필요가 없다. 위에서 설명한 것처럼, 본 발명에 따른 출력 드라이버는 상기 풀업 신호 생성부(100a) 및 상기 풀다운 신호 생성부(200a)에서 상기 제 1 데이터(rdata) 및 상기 제 2 데이터(fdata)의 펄스 폭을 조절하여 상기 풀업 프리 드라이브 신호(pup) 및 상기 풀다운 프리 드라이브 신호(pdn)를 생성함으로써 상기 출력 신호(out)의 펄스 폭을 조절하기 때문이다. 하지만 상기 풀업 프리 드라이버부(300)를 구동력 조절 소자(예를 들어 퓨즈 옵션으로 구동력을 달리할 수 있는 인버터)를 포함하여 구성한다면 더욱 상세하게 상기 출력 신호(out)의 펄스 폭을 조절할 수 있다. 따라서 도 6에 도시된 것처럼 상기 풀업 프리 드라이버부(300) 및 이하에서 설명될 상기 풀다운 프리 드라이버부(400)를 구동력이 일정한 인버터로 구성하는 것은 본 발명을 실시하기 위한 필수적 요소로 제시된 것이 아님이 이해되어야 한다. The pull-up pre-driver unit 300 may include a first inverter IV1. The first inverter IV1 is an inverter having a constant driving force. Unlike the pull-up pre-driver unit 30 according to the related art, the pull-up pre-driver unit 300 does not need to include an inverter capable of varying driving force with a fuse option. As described above, the output driver according to the present invention adjusts the pulse widths of the first data rdata and the second data fdata in the pull-up signal generator 100a and the pull-down signal generator 200a. This is because the pulse width of the output signal out is adjusted by generating the pull-up free drive signal pup and the pull-down free drive signal pdn. However, if the pull-up pre-driver unit 300 includes a driving force adjusting element (for example, an inverter capable of varying driving force with a fuse option), the pulse width of the output signal (out) can be adjusted in more detail. Therefore, as shown in FIG. 6, the configuration of the pull-up pre-driver unit 300 and the pull-down pre-driver unit 400 to be described below as an inverter having a constant driving force is not presented as an essential element for implementing the present invention. It must be understood.

상기 풀다운 프리 드라이버부(400)는 상기 풀업 프리 드라이버부(300)와 동일한 방식으로 구성되며, 제 2 인버터(IV2)를 포함하여 구성될 수 있다. 상세한 설명은 생략한다.The pull-down pre-driver unit 400 may be configured in the same manner as the pull-up pre-driver unit 300, and may include a second inverter IV2. Detailed description will be omitted.

도 6에 도시된 상기 풀업 신호 생성부(100a)는 상기 선택 신호(sel)가 활성화되면 상기 제 1 데이터(rdata)의 펄스 폭을 조절하여 상기 풀업 프리 드라이브 신호(pup)로서 출력하고, 상기 선택 신호(sel)가 비활성화되면 상기 제 1 데이터(rdata)의 펄스 폭을 조절하지 않고 상기 풀업 프리 드라이브 신호(pup)로서 출력한다. 6, when the selection signal sel is activated, the pull-up signal generator 100a adjusts the pulse width of the first data rdata and outputs the pull-up pre-drive signal pup. When the signal sel is inactivated, the output signal is output as the pull-up pre-drive signal pup without adjusting the pulse width of the first data rdata.

상기 풀업 신호 생성부(100a)는 제 1 딜레이 신호 생성부(110a) 및 제 1 펄스 조절부(120)를 포함한다. The pull-up signal generator 100a includes a first delay signal generator 110a and a first pulse controller 120.

상기 제 1 딜레이 신호 생성부(110a)는 상기 선택 신호(sel)가 활성화되면 상기 제 1 데이터(rdata)를 지연하여 제 1 딜레이 신호(d1)로서 출력하고 상기 선택 신호(sel)가 비활성화되면 상기 제 1 딜레이 신호(d1)를 특정 전압 레벨로 설정하여 출력한다. The first delay signal generator 110a delays the first data rdata when the selection signal sel is activated and outputs the first delay signal d1 when the selection signal sel is inactivated. The first delay signal d1 is set to a specific voltage level and output.

상기 제 1 펄스 조절부(120)는 상기 제 1 데이터(rdata) 및 상기 제 1 딜레이 신호(d1)를 입력받아 상기 제 1 딜레이 신호(d1)가 상기 특정 전압 레벨이면 상기 제 1 데이터(rdata)의 펄스 폭을 조절하지 않고 상기 풀업 프리 드라이브 신호(pup)로서 출력하고, 상기 제 1 딜레이 신호(d1)가 상기 특정 전압 레벨이 아니면 상기 제 1 데이터(rdata)의 펄스 폭을 조절하여 상기 풀업 프리 드라이브 신호(pup)로서 출력한다. 상기 펄스 폭이 조절되는 정도는 상기 제 1 딜레이 신호(d1)가 상기 제 1 데이터(rdata)에 대해 지연된 시간에 따라 다르다. The first pulse controller 120 receives the first data rdata and the first delay signal d1 and the first data rdata when the first delay signal d1 is at the specific voltage level. Output as the pull-up pre-drive signal pup without adjusting the pulse width of the signal, and if the first delay signal d1 is not at the specific voltage level, the pulse width of the first data rdata is adjusted to adjust the pull-up free signal. It outputs as a drive signal pup. The degree to which the pulse width is adjusted depends on the time when the first delay signal d1 is delayed with respect to the first data rdata.

상기 제 1 딜레이 신호 생성부(110a)는 제 1 모드 선택부(111) 및 제 1 딜레이부(112)를 포함한다. 상기 제 1 모드 선택부(111)는 상기 선택 신호(sel)가 활성화되면 상기 제 1 데이터(rdata)를 제 1 모드 신호(m1)로서 출력하고 상기 선택 신호(sel)가 비활성화되면 상기 제 1 모드 신호(m1)를 특정 전압 레벨로 설정하여 출력한다. 상기 제 1 딜레이부(112)는 상기 제 1 모드 신호(m1)를 지연하여 상기 제 1 딜레이 신호(d1)으로서 출력한다. 상기 선택 신호(sel)가 활성화되면 상기 제 1 모드 선택부(111)는 상기 제 1 데이터(rdata)를 상기 제 1 모드 신호(m1)로서 출력하고, 상기 제 1 딜레이부(112)는 상기 제 1 모드 신호(m1)를 지연하여 상기 제 1 딜레이 신호(d1)로서 출력하므로, 상기 선택 신호(sel)가 활성화 되었을 때 상기 제 1 딜레이 신호(d1)는 상기 제 1 데이터(rdata)가 지연된 신호이다. 또한 상기 선택 신호(sel)가 비활성화되면 상기 제 1 모드 선택부(111)는 상기 제 1 모드 신호(m1)를 특정 전압 레벨로 설정하여 출력하고 상기 제 1 딜레이부(112)는 상기 제 1 모드 신호(m1)를 지연하여 상기 제 1 딜레이 신호(d1)로서 출력하므로, 상기 선택 신호(sel)가 비활성화 되었을 때 상기 제 1 딜레이 신호(d1)는 상기 특정 전압 레벨이다. The first delay signal generator 110a includes a first mode selector 111 and a first delay unit 112. The first mode selector 111 outputs the first data rdata as the first mode signal m1 when the selection signal sel is activated and the first mode when the selection signal sel is deactivated. The signal m1 is set to a specific voltage level and output. The first delay unit 112 delays the first mode signal m1 and outputs the first delay signal d1 as the first delay signal d1. When the selection signal sel is activated, the first mode selector 111 outputs the first data rdata as the first mode signal m1, and the first delay unit 112 outputs the first signal. Since the first mode signal m1 is delayed and output as the first delay signal d1, when the selection signal sel is activated, the first delay signal d1 is a signal in which the first data rdata is delayed. to be. In addition, when the selection signal sel is inactivated, the first mode selector 111 sets and outputs the first mode signal m1 to a specific voltage level, and the first delay unit 112 outputs the first mode. Since the signal m1 is delayed and output as the first delay signal d1, the first delay signal d1 is the specific voltage level when the selection signal sel is inactivated.

상기 제 1 모드 선택부(111)는 제 1 삼상태 인버터(TIV1, Tri-State Inverter), 제 3 인버터(IV3), 및 고정 엔모스 트랜지스터(N2)를 포함하여 구성될 수 있다. 상기 제 3 인버터(IV3)는 상기 선택 신호(sel)를 반전하여 출력한다. 상기 제 1 삼상태 인버터(TIV1)는 상기 제 1 데이터(rdata)를 입력 단으로 입력받고 상기 선택 신호(sel)를 엔모스 입력 단으로 입력받고 상기 선택 신호(sel)의 반전된 신호를 피모스 입력 단으로 입력받는다. 상기 고정 엔모스 트랜지스터(N2)는 상기 제 1 삼상태 인버터(TIV1)의 출력 단 및 접지 전압 사이에 연결되어 상기 선택 신호(sel)의 반전된 값을 입력받는다. 상기 제 1 모드 선택부(111)는 상기 선택 신호(sel)가 하이 레벨로 활성화 되면 상기 제 1 삼상태 인버터(TIV1)가 활성화되고 상기 고정 엔모스 트랜지스터(N2)가 턴오프되어 상기 제 1 데이터(rdata)를 상기 제 1 모드 신호(m1)로서 반전하여 출력하고, 반대로 상기 선택 신호(sel)가 로우 레벨로 비활성화 되면 상기 제 1 삼상태 인버터(TIV1)가 비활성화 되고 상기 고정 엔모스 트랜지스터(N2)가 턴온되어 상기 제 1 모드 신호(m1)를 하이 레벨로 설정하여 출력한다. The first mode selector 111 may include a first tri-state inverter (TIV1, Tri-State Inverter), a third inverter (IV3), and a fixed NMOS transistor (N2). The third inverter IV3 inverts and outputs the selection signal sel. The first tri-state inverter TIV1 receives the first data rdata as an input terminal, receives the selection signal sel as an NMOS input terminal, and outputs the inverted signal of the selection signal sel. It is inputted to the input stage. The fixed NMOS transistor N2 is connected between the output terminal of the first tri-state inverter TIV1 and a ground voltage to receive an inverted value of the selection signal sel. When the selection signal sel is activated to a high level, the first mode selector 111 activates the first tri-state inverter TIV1 and turns off the fixed NMOS transistor N2 to turn the first data on. Inverting and outputting rdata as the first mode signal m1, and conversely, when the selection signal sel is inactivated to a low level, the first tri-state inverter TIV1 is inactivated and the fixed NMOS transistor N2. ) Is turned on to set and output the first mode signal m1 to a high level.

위에서 설명한 것처럼, 상기 제 1 딜레이부(112)는 상기 제 1 모드 신호(m1)를 지연하여 상기 제 1 딜레이 신호(d1)으로서 출력한다. 상기 제 1 딜레이부(112)는 일반적인 딜레이 인버터(DIV1)로 구성될 수 있다. 상기 제 1 딜레이부(112)의 지연 시간에 따라 상기 풀업 프리 드라이브 신호(pup)의 펄스 폭 변화가 결정되므로, 당업자의 목적에 따라 상기 제 1 딜레이부(112)를 상기 제 1 모드 신호(m1)를 소정 시간 지연하도록 설계하거나 또는 퓨즈 옵션 등으로 상기 제 1 모드 신호(m1)를 가변 지연하도록 설계할 수 있다. As described above, the first delay unit 112 delays the first mode signal m1 and outputs the first delay signal d1 as the first delay signal d1. The first delay unit 112 may be configured as a general delay inverter DIV1. Since the pulse width change of the pull-up pre-drive signal pup is determined according to the delay time of the first delay unit 112, the first delay unit 112 may be converted into the first mode signal m1 according to a person skilled in the art. ) May be designed to delay a predetermined time, or may be designed to variably delay the first mode signal m1 using a fuse option or the like.

상기 제 1 펄스 조절부(120)는 조합 낸드 게이트(ND1)를 포함하여 구성될 수 있다. 상기 조합 낸드 게이트(ND1)는 상기 제 1 데이터(rdata) 및 상기 제 1 딜레이 신호(d1)를 입력받아 낸드 연산하여 상기 풀업 프리 드라이브 신호(pup)를 생성한다. 낸드 연산의 특성상 상기 제 1 딜레이 신호(d1)가 하이 레벨이면 상기 조합 낸드 게이트(ND1)는 상기 제 1 데이터(rdata)를 반전하여 출력한다. 따라서 상기 제 1 펄스 조절부(120)는 제 1 딜레이 신호(d1)가 하이 레벨이면 상기 제 1 데이터(rdata)의 펄스 폭을 조절하지 않고 상기 풀업 프리 드라이브 신호(pup)를 생성하여 출력한다. 상기 선택 신호(sel)가 로우 레벨이 되어 상기 조합 낸드 게이트(ND1)에 제 1 데이터(rdata)의 지연된 신호가 상기 제 1 딜레이 신호(d1)로서 입력되면, 상기 조합 낸드 게이트(ND1)는 낸드 연산에 따라 상기 제 1 데이터(rdata1)의 하이 레벨 펄스 폭이 좁아진 형태로 상기 풀업 프리 드라이브 신호를 생성한다. 이때, 좁아지는 펄스의 폭은 상기 제 1 딜레이 신호(d1)가 상기 제 1 데이터(rdata)에 비해 지연된 시간에 따라 다르다.The first pulse controller 120 may include a combination NAND gate ND1. The combined NAND gate ND1 receives the first data rdata and the first delay signal d1 to perform a NAND operation to generate the pull-up free drive signal pup. When the first delay signal d1 is at a high level due to the nature of the NAND operation, the combination NAND gate ND1 inverts the first data rdata and outputs the inverted first data rdata. Accordingly, when the first delay signal d1 is at a high level, the first pulse controller 120 generates and outputs the pull-up pre-drive signal pup without adjusting the pulse width of the first data rdata. When the selection signal sel becomes low level and the delayed signal of the first data rdata is input to the combination NAND gate ND1 as the first delay signal d1, the combination NAND gate ND1 is NAND. According to an operation, the pull-up pre-drive signal is generated in a form in which the high level pulse width of the first data rdata1 is narrowed. In this case, the width of the narrowing pulse is different depending on the time when the first delay signal d1 is delayed compared to the first data rdata.

도 6에 도시된 상기 풀다운 신호 생성부(200a)는 상기 선택 신호(sel)가 활성화되면 상기 제 2 데이터(fdata)의 펄스 폭을 조절하여 상기 풀다운 프리 드라이브 신호(pdn)로서 출력하고, 상기 선택 신호(sel)가 비활성화되면 상기 제 2 데이터(fdata)의 펄스 폭을 조절하지 않고 상기 풀다운 프리 드라이브 신호(pdn)로서 출력한다. 6, when the selection signal sel is activated, the pull-down signal generator 200a adjusts the pulse width of the second data fdata and outputs the pull-down free drive signal pdn. When the signal sel is inactivated, the signal sel is output as the pull-down free drive signal pdn without adjusting the pulse width of the second data fdata.

상기 풀다운 신호 생성부(200a)는 제 2 딜레이 신호 생성부(210a) 및 제 2 펄스 조절부(220)를 포함한다.The pull-down signal generator 200a includes a second delay signal generator 210a and a second pulse controller 220.

상기 제 2 딜레이 신호 생성부(210a)는 상기 선택 신호(sel)가 활성화되면 상기 제 2 데이터(fdata)를 지연하여 제 2 딜레이 신호(d2)로서 출력하고 상기 선택 신호(sel)가 비활성화되면 상기 제 2 딜레이 신호(d2)를 특정 전압 레벨로 설정하여 출력한다. The second delay signal generator 210a delays the second data fdata when the selection signal sel is activated and outputs the second delay signal d2 when the selection signal sel is inactivated. The second delay signal d2 is set to a specific voltage level and output.

상기 제 2 펄스 조절부(220)는 상기 제 2 데이터(fdata) 및 상기 제 2 딜레이 신호(d2)를 입력받아 상기 제 2 딜레이 신호(d2)가 상기 특정 전압 레벨이면 상기 제 2 데이터(fdata)의 펄스 폭을 조절하지 않고 상기 풀다운 프리 드라이브 신호(pdn)로서 출력하고, 상기 제 2 딜레이 신호(d2)가 상기 특정 전압 레벨이 아니면 상기 제 2 데이터(fdata)의 펄스 폭을 조절하여 상기 풀다운 프리 드라이브 신호(pdn)로서 출력한다. 상기 펄스 폭이 조절되는 정도는 상기 제 2 딜레이 신호(d2)가 상기 제 2 데이터(fdata)에 대해 지연된 시간에 따라 다르다. The second pulse controller 220 receives the second data fdata and the second delay signal d2 and the second data fdata when the second delay signal d2 is at the specific voltage level. The pull-down free drive signal pdn is output without adjusting the pulse width of the second delay signal d2 if the second voltage fdata is not the specific voltage level. It outputs as a drive signal pdn. The degree to which the pulse width is adjusted depends on the time delay for the second delay signal d2 to the second data fdata.

상기 제 2 딜레이 신호 생성부(210a)는 제 2 모드 선택부(211) 및 제 2 딜레이부(212)를 포함한다. 상기 제 2 모드 선택부(212)는 상기 선택 신호(sel)가 활성화되면 상기 제 2 데이터(fdata)를 제 2 모드 신호(m2)로서 출력하고 상기 선택 신호(sel)가 비활성화되면 상기 제 2 모드 신호(m2)를 특정 전압 레벨로 설정하여 출력한다. 상기 제 2 딜레이부(212)는 상기 제 2 모드 신호(m2)를 지연하여 상기 제 2 딜레이 신호(d2)로서 출력한다. 상기 선택 신호(sel)가 활성화되면 상기 제 2 모드 선택부(211)는 상기 제 2 데이터(fdata)를 상기 제 2 모드 신호(m2)로서 출력하고, 상기 제 2 딜레이부(212)는 상기 제 2 모드 신호(m2)를 지연하여 상기 제 2 딜레이 신호(d2)로서 출력하므로, 상기 선택 신호(sel)가 활성화 되었을 때 상기 제 2 딜레이 신호(d2)는 상기 제 2 데이터(fdata)가 지연된 신호이다. 또한 상기 선택 신호(sel)가 비활성화되면 상기 제 2 모드 선택부(211)는 상기 제 2 모드 신호(m2)를 특정 전압 레벨로 설정하여 출력하고 상기 제 2 딜레이부(212)는 상기 제 2 모드 신호(m2)를 지연하여 상기 제 2 딜레이 신호(d2)로서 출력하므로, 상기 선택 신호(sel)가 비활성화 되었을 때 상기 제 2 딜레이 신호(d2)는 상기 특정 전압 레벨이다. The second delay signal generator 210a includes a second mode selector 211 and a second delay unit 212. The second mode selector 212 outputs the second data fdata as the second mode signal m2 when the selection signal sel is activated and the second mode when the selection signal sel is deactivated. The signal m2 is set to a specific voltage level and output. The second delay unit 212 delays the second mode signal m2 and outputs the second delay signal d2 as the second delay signal d2. When the selection signal sel is activated, the second mode selector 211 outputs the second data fdata as the second mode signal m2, and the second delay unit 212 outputs the second signal. Since the second mode signal m2 is delayed and output as the second delay signal d2, when the selection signal sel is activated, the second delay signal d2 is a signal in which the second data fdata is delayed. to be. In addition, when the selection signal sel is inactivated, the second mode selector 211 sets and outputs the second mode signal m2 to a specific voltage level, and the second delay unit 212 outputs the second mode. Since the signal m2 is delayed and output as the second delay signal d2, the second delay signal d2 is the specific voltage level when the selection signal sel is inactivated.

상기 제 2 모드 선택부(211)는 제 2 삼상태 인버터(TIV2), 제 4 인버터(IV4), 및 고정 피모스 트랜지스터(P2)를 포함하여 구성될 수 있다. 상기 제 4 인버터(IV4)는 상기 선택 신호(sel)를 반전하여 출력한다. 상기 제 2 삼상태 인버터(TIV2)는 상기 제 2 데이터(fdata)를 입력 단으로 입력받고 상기 선택 신호(sel)를 엔모스 입력 단으로 입력받고 상기 선택 신호(sel)의 반전된 신호를 피모스 입력 단으로 입력받는다. 상기 고정 피모스 트랜지스터(P2)는 상기 제 2 삼상태 인버터(TIV2)의 출력 단 및 상기 접지 전압 사이에 연결되어 상기 선택 신호(sel)를 입력받는다. 상기 제 2 모드 선택부(211)는 상기 선택 신호(sel)가 하이 레벨로 활성화 되면 상기 제 2 삼상태 인버터(TIV2)가 열리게 되고 상기 고정 피모스 트랜지스터(P2)가 턴오프되어 상기 제 2 데이터(fdata)를 상기 제 2 모드 신호(m2)로서 출력하고, 반대로 상기 선택 신호(sel)가 로우 레벨로 비활성화 되면 상기 제 2 삼상태 인버터(TIV2)가 닫히게 되고 상기 고정 피모스 트랜지스터(P2)가 턴온되어 상기 제 2 모드 신호(m2)를 로우 레벨로 설정하여 출력한다. The second mode selector 211 may include a second tri-state inverter TIV2, a fourth inverter IV4, and a fixed PMOS transistor P2. The fourth inverter IV4 inverts and outputs the selection signal sel. The second tri-state inverter TIV2 receives the second data fdata as an input terminal, receives the selection signal sel as an NMOS input terminal, and outputs the inverted signal of the selection signal sel. It is inputted to the input stage. The fixed PMOS transistor P2 is connected between the output terminal of the second tri-state inverter TIV2 and the ground voltage to receive the selection signal sel. When the selection signal sel is activated to a high level, the second mode selector 211 opens the second tri-state inverter TIV2 and turns off the fixed PMOS transistor P2 to turn off the second data. (fdata) is outputted as the second mode signal m2, on the contrary, when the selection signal sel is inactivated to a low level, the second tri-state inverter TIV2 is closed and the fixed PMOS transistor P2 is closed. When turned on, the second mode signal m2 is set to a low level and output.

위에서 설명한 것처럼, 상기 제 2 딜레이부(212)는 상기 제 2 모드 신호(m2)를 지연하여 상기 제 2 딜레이 신호(d2)으로서 출력한다. 상기 제 2 딜레이부(212)는 일반적인 딜레이 회로로 구성될 수 있다. 상기 제 2 딜레이부(212)의 지연 시간에 따라 상기 풀다운 프리 드라이브 신호(pdn)의 펄스 폭 변화가 결정된다. 상기 풀다운 프리 드라이브 신호(pdn)의 펄스 폭 변화는 상기 출력 신호(out)의 슬루 레이트를 변화시키므로, 당업자의 목적에 따라 상기 제 2 딜레이부(212)를 상기 제 2 모드 신호(m2)를 소정 시간 지연하도록 설계하거나 또는 퓨즈 옵션 등으로 상기 제 2 모드 신호(m2)를 가변 지연하도록 설계할 수 있다. As described above, the second delay unit 212 delays the second mode signal m2 and outputs the second delay signal d2 as the second delay signal d2. The second delay unit 212 may be configured as a general delay circuit. The pulse width change of the pull-down pre-drive signal pdn is determined according to the delay time of the second delay unit 212. Since the change in the pulse width of the pull-down free drive signal pdn changes the slew rate of the output signal out, the second delay unit 212 determines the second mode signal m2 according to the purpose of a person skilled in the art. The second mode signal m2 may be variably delayed by designing a time delay or a fuse option.

상기 제 2 펄스 조절부(220)는 조합 노어 게이트(NR1)를 포함하여 구성될 수 있다. 상기 조합 노어 게이트(NR1)는 상기 제 2 데이터(fdata) 및 상기 제 2 딜레이 신호(d2)를 입력받아 노어 연산하여 상기 풀다운 프리 드라이브 신호(pdn)를 생성한다. 노어 연산의 특성상 상기 제 2 딜레이 신호(d2)가 로우 레벨이면 상기 조합 노어 게이트(NR1)는 상기 제 2 데이터(fdata)를 반전하여 출력한다. 따라서 상기 제 2 펄스 조절부(220)는 제 2 딜레이 신호(d2)가 로우 레벨이면 상기 제 2 데이터(rdata)의 펄스 폭을 조절하지 않고 상기 풀다운 프리 드라이브 신호(pdn)로서 출력한다. 상기 선택 신호(sel)가 하이 레벨이 되어 상기 조합 노어 게이트(NR1)에 제 2 데이터(fdata)의 지연된 신호가 상기 제 2 딜레이 신호(d2)로서 입력되면, 상기 조합 노어 게이트(NR1)는 노어 연산에 따라 상기 제 2 데이터(fdata1)의 하이 레벨 펄스 폭이 넓어진 형태로 상기 풀다운 프리 드라이브 신호(pdn)를 생성한다. 이때, 넓어지는 펄스의 폭은 상기 제 2 딜레이 신호(d2)가 상기 제 2 데이터(fdata)에 비해 지연된 시간에 따라 다르다.The second pulse controller 220 may include a combination NOR gate NR1. The combined NOR gate NR1 receives the second data fdata and the second delay signal d2 and performs a NOR operation to generate the pull-down free drive signal pdn. When the second delay signal d2 is at a low level due to the characteristics of the NOR operation, the combination NOR gate NR1 inverts and outputs the second data fdata. Therefore, when the second delay signal d2 is at the low level, the second pulse controller 220 outputs the pull-down free drive signal pdn without adjusting the pulse width of the second data rdata. When the selection signal sel becomes high level and the delayed signal of the second data fdata is input to the combination NOR gate NR1 as the second delay signal d2, the combination NOR gate NR1 is NOR. The pull-down free drive signal pdn is generated in a form in which the high level pulse width of the second data fdata1 is widened according to the operation. In this case, the width of the widened pulse is different depending on the time when the second delay signal d2 is delayed compared to the second data fdata.

도 6에 도시된 상기 풀업 신호 생성부(100a) 및 상기 풀다운 신호 생성부(200a)는 상기 선택 신호(sel)가 비활성화되면, 상기 제 1 데이터(rdata) 및 상기 제 2 데이터(fdata)의 펄스 폭을 조절하지 않고 상기 풀업 프리 드라이브 신호(pup) 및 상기 풀다운 프리 드라이브 신호(pdn)를 생성한다. 이 경우, 종래 기술에 따른 출력 드라이버처럼 상기 풀업 프리 드라이버부(300) 및 상기 풀다운 프리 드라이버부(400)의 구동력에 따라 상기 출력 신호(out)의 슬루 레이트가 결정된다. 반대로 상기 선택 신호(sel)가 활성화되면, 상기 풀업 신호 생성부(100a) 및 상기 풀다운 신호 생성부(200a)는 상기 제 1 데이터(rdata) 및 상기 제 2 데이터(fdata)의 펄스 폭을 조절하여 상기 풀업 프리 드라이브 신호(pup) 및 상기 풀다운 프리 드라이브 신호(pdn)를 생성한다. 이 경우, 종래 기술에 따른 출력 드라이버와 달리 상기 풀업 프리 드라이브 신호(pup) 및 상기 풀다운 프리 드라이브 신호(pdn)의 펄스 폭에 따라 상기 출력 신호(out)의 슬루 레이트가 결정된다. 이러한 기능은 반도체 장치의 개발과정에 용이하게 사용될 수 있다. 반도체 장치의 개발과정에서, 상기 출력 신호(out)의 슬루 레이트는 설계치와 생산 후 결과치가 다를 수 있다. 생산 후 상기 출력 신호(out)의 슬루 레이트를 확인하여, 확인된 결과가 설계치에 부합되는지에 따라 상기 선택 신호(sel)를 활성화 또는 비활성화되도록 설정하면 상기 출력 신호(out)가 원하는 슬루 레이트를 가지도록 할 수 있다. When the selection signal sel is inactivated, the pull-up signal generator 100a and the pull-down signal generator 200a shown in FIG. 6 may pulse the first data rdata and the second data fdata. The pull-up free drive signal pup and the pull-down free drive signal pdn are generated without adjusting the width. In this case, the slew rate of the output signal out is determined according to the driving force of the pull-up pre-driver 300 and the pull-down pre-driver 400 like the output driver according to the prior art. On the contrary, when the selection signal sel is activated, the pull-up signal generator 100a and the pull-down signal generator 200a may adjust pulse widths of the first data rdata and the second data fdata. The pull-up free drive signal pup and the pull-down free drive signal pdn are generated. In this case, unlike the output driver according to the related art, the slew rate of the output signal out is determined according to the pulse widths of the pull-up free drive signal pup and the pull-down free drive signal pdn. This function can be easily used in the development process of the semiconductor device. In the development of the semiconductor device, the slew rate of the output signal (out) may be different from the design value and the post-production result. After production, the slew rate of the output signal (out) is checked, and the selected signal (sel) is set to be activated or deactivated depending on whether the confirmed result conforms to the design value. You can do that.

도 7은 도 6에 도시된 상기 출력 드라이버에 입력되는 상기 제 1 데이터(rdata) 및 상기 제 2 데이터(fdata)와 상기 풀업 신호 생성부(100a) 및 상기 풀다운 신호 생성부(200a)에서 생성되는 상기 풀업 프리 드라이브 신호(pup) 및 상기 풀다운 프리 드라이브 신호(pdn)의 파형도이다.7 is generated by the first data rdata and the second data fdata and the pull-up signal generator 100a and the pull-down signal generator 200a input to the output driver shown in FIG. 6. The waveform diagram of the pull-up free drive signal pup and the pull-down free drive signal pdn is shown.

상기 선택 신호(sel)가 활성화되었을 때, 상기 풀업 신호 생성부(100a)에서 생성된 상기 풀업 프리 드라이브 신호(pup)는 상기 제 1 데이터(rdata)의 하이 레벨의 펄스 폭이 좁아지고 반전된 형태로 생성된다. 좁아진 펄스 폭의 크기는 상기 제 1 딜레이부(112)의 딜레이 정도에 따라 다르다. When the selection signal sel is activated, the pull-up pre-drive signal pup generated by the pull-up signal generating unit 100a is inverted and inverted in a high level pulse width of the first data rdata. Is generated. The size of the narrowed pulse width depends on the degree of delay of the first delay unit 112.

상기 선택 신호(sel)가 활성화되었을 때, 상기 풀다운 신호 생성부(200a)에서 생성된 상기 풀다운 프리 드라이브 신호(pdn)는 상기 제 2 데이터(fdata)의 하이 레벨의 펄스 폭이 넓어지고 반전된 형태로 생성된다. 넓어진 펄스 폭의 크기는 상기 제 2 딜레이부(212)의 딜레이 정도에 따라 다르다.When the selection signal sel is activated, the pull-down free drive signal pdn generated by the pull-down signal generator 200a has a high pulse width of the second data fdata and is inverted. Is generated. The magnitude of the widened pulse width depends on the degree of delay of the second delay unit 212.

위에서 설명한 것처럼 동일한 전압 레벨 및 동일한 펄스 폭을 가지는 상기 제 1 데이터(rdata) 및 상기 제 2 데이터(fdata)와 달리, 상기 풀업 프리 드라이브 신호(pup)는 상기 제 1 데이터(rdata)보다 로우 논리 값의 펄스 폭이 좁고 상기 풀다운 프리 드라이브 신호(pdn)는 상기 제 2 데이터(fdata)는 상기 제 2 데이터(rdata)보다 로우 논리 값의 펄스 폭이 넓다. 그러므로, 상기 풀업 프리 드라이브 신호(pup) 및 상기 풀다운 프리 드라이브 신호(pdn)는 서로 다른 값을 가지는 구간, 즉 도 7의 파형도에서 상기 풀업 프리 드라이브 신호(pup)는 하이 레벨이고 상기 풀다운 프리 드라이브 신호(pdn)는 로우 레벨인 구간(이하 (a) 구간이라고 칭한다)이 존재한다. (a) 구간에서, 상기 풀업 메인 드라이버부(50a) 및 상기 풀다운 메인 드라이버부(60)는 상기 출력 노드(no)를 동시에 차지 및 디스차지한다. (b) 구간은 상기 풀업 프리 드라이브 신호(pup) 및 상기 풀다운 프리 드라이브 신호(pdn)가 모두 로우 레벨인 구간으로서, 상기 풀업 메인 드라이버부(50a)가 상기 출력 노드(no)를 차지하지 않고, 상기 풀다운 메인 드라이버부(60)는 상기 출력 노드(no)를 디스차지하는 구간이다. (c)구간은 상기 풀업 프리 드라이브 신호(pup) 및 상기 풀다운 프리 드라이브 신호(pdn)가 모두 하이 레벨인 구간으로서, 상기 풀업 메인 드라이버부(50a)가 상기 출력 노드(no)를 차지하고, 상기 풀다운 메인 드라이버부(60)는 상기 출력 노드(no)를 디스차지하지 않는 구간이다. 이처럼 상기 출력 노드(no)를 디스차지하는 (b) 구간 및 상기 출력 노드(no)를 차지하는 (c) 구간 사이에 상기 출력 노드(no)를 동시에 차지 및 디스차지하는 (a)구간이 존재함으로써, 상기 출력 신호(out)의 슬루 레이트가 조절된다. Unlike the first data rdata and the second data fdata having the same voltage level and the same pulse width as described above, the pull-up free drive signal pup has a lower logical value than the first data rdata. The pulse width of N is narrow and the pull-down free drive signal pdn has a wider pulse width with a lower logic value than that of the second data rdata. Therefore, the pull-up free drive signal pup and the pull-down free drive signal pdn have different values, that is, in the waveform diagram of FIG. 7, the pull-up free drive signal pup is at a high level and the pull-down free drive. The signal pdn has a low level section (hereinafter referred to as section (a)). In the section (a), the pull-up main driver unit 50a and the pull-down main driver unit 60 simultaneously charge and discharge the output node no. Section (b) is a section in which both the pull-up pre-drive signal pup and the pull-down free drive signal pdn are low level, and the pull-up main driver 50a does not occupy the output node no. The pull-down main driver 60 is a section for discharging the output node (no). The section (c) is a section in which both the pull-up free drive signal pup and the pull-down free drive signal pdn are high level, and the pull-up main driver unit 50a occupies the output node no, and the pull-down The main driver unit 60 is a section in which the output node no is not discharged. As such, a section (a) for simultaneously charging and discharging the output node no exists between the interval (b) for discharging the output node no and the interval (c) for occupying the output node no. The slew rate of the output signal out is adjusted.

도 8은 본 발명의 다른 실시예에 따른 출력 드라이버의 회로도이다.8 is a circuit diagram of an output driver according to another embodiment of the present invention.

상기 출력 드라이버는 풀업 신호 생성부(100b), 풀다운 신호 생성부(200b), 풀업 프리 드라이버부(300), 풀다운 프리 드라이버부(400), 풀업 메인 드라이버부(50a) 및 풀다운 메인 드라이버부(60)를 포함한다. The output driver includes a pull-up signal generator 100b, a pull-down signal generator 200b, a pull-up pre-driver 300, a pull-down pre-driver 400, a pull-up main driver 50a, and a pull-down main driver 60 ).

상기 풀업 신호 생성부(100b)는 제 1 데이터(rdata)를 입력받아 펄스 폭을 조절하여 풀업 프리 드라이브 신호(pup)로서 출력한다. The pull-up signal generator 100b receives the first data rdata and adjusts the pulse width to output the pull-up pre-drive signal pup.

상기 풀다운 신호 생성부(200b)는 제 2 데이터(fdata)를 입력받아 펄스 폭을 조절하여 풀다운 프리 드라이브 신호(pdn)로서 출력한다.The pull-down signal generator 200b receives the second data fdata and adjusts the pulse width to output the pull-down free drive signal pdn.

상기 풀업 프리 드라이버부(300)는 상기 풀업 프리 드라이브 신호(pup)를 입력받고 풀업 메인 드라이브 신호(up)를 생성한다. 상기 풀업 프리 드라이버부(300)는 도 6에 도시된 상기 풀업 프리 드라이버부(300)와 동일하게 구성될 수 있다.The pull-up pre-driver unit 300 receives the pull-up pre-drive signal pup and generates a pull-up main drive signal up. The pull-up pre-driver unit 300 may be configured in the same manner as the pull-up pre-driver unit 300 shown in FIG. 6.

상기 풀다운 프리 드라이버부(400)는 상기 풀다운 프리 드라이브 신호(pdn)를 입력받고 풀다운 메인 드라이브 신호(dn)를 생성한다. 상기 풀다운 프리 드라이버부(400)는 도 6에 도시된 상기 풀다운 프리 드라이버부(400)와 동일하게 구성될 수 있다.The pull-down pre-driver unit 400 receives the pull-down free drive signal pdn and generates a pull-down main drive signal dn. The pull-down pre-driver unit 400 may be configured in the same manner as the pull-down pre-driver unit 400 shown in FIG. 6.

상기 풀업 메인 드라이버부(50a)는 상기 풀업 메인 드라이브 신호(up)에 따라 출력 노드(no)를 차지한다. 상기 풀업 메인 드라이버부(50a)는 도 6에 도시된 상기 풀업 메인 드라이버부(50a)와 동일하게 구성될 수 있다.The pull-up main driver unit 50a occupies the output node no according to the pull-up main drive signal up. The pull-up main driver 50a may be configured in the same manner as the pull-up main driver 50a illustrated in FIG. 6.

상기 풀다운 메인 드라이버부(60)는 상기 풀다운 메인 드라이브 신호(dn)에 따라 출력 노드(no)를 디스차지한다. 상기 풀다운 메인 드라이버부(60)는 도 6에 도시된 상기 풀다운 메인 드라이버부(60)와 동일하게 구성될 수 있다.The pull-down main driver unit 60 discharges the output node no according to the pull-down main drive signal dn. The pull-down main driver unit 60 may be configured in the same manner as the pull-down main driver unit 60 shown in FIG. 6.

도 8에 도시된 상기 출력 드라이버는 도 5에 도시된 상기 출력 드라이버에서, 상기 선택 신호(sel)가 활성화되었을 때의 동작과 동일하게 동작한다. 상기 출력 드라이버는 상기 제 1 데이터(rdata) 및 상기 제 2 데이터(fdata)의 펄스 폭을 조절하여 각각 상기 풀업 프리 드라이브 신호(pup) 및 상기 풀다운 프리 드라이브 신호(pdn)를 생성하고, 상기 풀업 프리 드라이브 신호(pup) 및 상기 풀다운 프리 드라이브 신호(pdn)의 펄스 폭에 따라 상기 출력 신호(out)의 슬루 레이트가 결정된다. 하지만 도 8에 도시된 상기 출력 드라이버는 도 5에 도시된 상기 출력 드라이버와 달리 상기 선택 신호(sel)를 입력 받지 않는다. 도 6에 도시된 상기 출력 드라이버가 상기 선택 신호(sel)의 활성화 여부에 따라 상기 제 1 데이터(rdata) 및 상기 제 2 데이터(fdata)의 펄스 폭을 조절하거나 조절하지 않고 상기 풀업 프리 드라이브 신호(pup) 및 상기 풀다운 프리 드라이브 신호(pdn)를 생성하였던 것과 달리, 도 8에 도시된 상기 출력 드라이버는 상기 제 1 데이터(rdata) 및 상기 제 2 데이터(fdata)의 펄스 폭을 조절하여 상기 풀업 프리 드라이브 신호(pup) 및 상기 풀다운 프리 드라이브 신호(pdn)를 생성한다. 도 8에 도시된 상기 출력 드라이버는 상기 제 1 데이터(rdata) 및 상기 제 2 데이터(fdata)의 펄스 폭을 조절하여 상기 풀업 프리 드라이브 신호(pup) 및 상기 풀다운 프리 드라이브 신호(pdn)를 생성함으로써 상기 출력 노드(no)에 대해 차지 및 디스차지 동작 중 하나를 수행하는 구간뿐만 아니라, 차지 및 디스차지 동작을 동시에 수행하는 구간을 추가로 가진다. 본 발명에 따른 출력 드라이버는 이처럼 상기 출력 노드(no)에 대한 차지 및 디스차지 동작을 얼마 동안 동시에 수행하는지에 따라 상기 출력 신호(out)의 슬루 레이트가 결정된다. The output driver shown in FIG. 8 operates in the same way as the operation when the selection signal sel is activated in the output driver shown in FIG. The output driver generates the pull-up free drive signal pup and the pull-down free drive signal pdn by adjusting the pulse widths of the first data rdata and the second data fdata, respectively, The slew rate of the output signal out is determined according to the pulse width of the drive signal pup and the pull-down free drive signal pdn. However, unlike the output driver illustrated in FIG. 5, the output driver illustrated in FIG. 8 does not receive the selection signal sel. The pull-up pre-drive signal without adjusting or adjusting the pulse widths of the first data rdata and the second data fdata according to whether the output driver illustrated in FIG. 6 is activated. Unlike generating a pup and the pull-down free drive signal pdn, the output driver shown in FIG. 8 adjusts the pulse widths of the first data rdata and the second data fdata so as to adjust the pull-up free signal. A drive signal pup and the pull-down free drive signal pdn are generated. The output driver shown in FIG. 8 generates the pull-up free drive signal pup and the pull-down free drive signal pdn by adjusting pulse widths of the first data rdata and the second data fdata. In addition to the section for performing one of the charge and discharge operations for the output node (no), it further has a section for performing the charge and discharge operations at the same time. The output driver according to the present invention determines the slew rate of the output signal out according to how long the charge and discharge operations for the output node no are simultaneously performed.

상기 풀업 신호 생성부(100b)는 제 1 딜레이 신호 생성부(110b) 및 제 1 펄스 조절부(120)를 포함할 수 있다.The pull-up signal generator 100b may include a first delay signal generator 110b and a first pulse controller 120.

상기 제 1 딜레이 신호 생성부(110b)는 상기 제 1 데이터(rdata)를 입력받아 지연하여 제 1 딜레이 신호(d11)로서 출력한다. 상기 제 1 딜레이 신호 생성부(110b)는 일반적인 딜레이 회로를 포함하여 구성될 수 있다. 도 8에 도시된 상기 출력 드라이버는 도 6에 도시된 상기 출력 드라이버처럼 상기 제 1 딜레이 신호 생성부(110b)의 지연 시간에 따라 상기 풀업 프리 드라이브 신호(pup)의 펄스 폭 변화가 결정되므로, 당업자의 목적에 따라 상기 제 1 딜레이 신호 생성부(110b)가 상기 제 1 데이터(rdata)를 소정 시간 지연하도록 설계하거나 또는 퓨즈 옵션 등으로 상기 제 1 데이터(rdata)를 가변 지연하도록 설계할 수 있다.The first delay signal generator 110b receives the first data rdata and delays the first data rdata to output the first delay signal d11. The first delay signal generator 110b may include a general delay circuit. Since the output driver shown in FIG. 8 is changed in the pulse width of the pull-up pre-drive signal pup according to the delay time of the first delay signal generator 110b like the output driver shown in FIG. For example, the first delay signal generator 110b may be designed to delay the first data rdata by a predetermined time or to variably delay the first data rdata by a fuse option or the like.

상기 제 1 펄스 조절부(120)는 상기 제 1 데이터(rdata) 및 상기 제 1 딜레이 신호(d11)를 입력받아 상기 풀업 프리 드라이브 신호(pup)를 생성한다. 상기 제 1 펄스 조절부(120)는 조합 낸드 게이트(ND2)를 포함하여 구성될 수 있다. 상기 제 1 딜레이 신호(d11)는 상기 제 1 데이터(rdata)가 지연된 신호이므로, 상기 조합 낸드 게이트(ND2)를 포함하여 구성된 상기 제 1 펄스 조절부(120)에서 생성하는 상기 풀업 프리 드라이브 신호(pup)는 상기 제 1 데이터(rdata)의 펄스 폭이 좁아진 형태이다. 위에서 설명한 것처럼, 상기 풀업 프리 드라이브 신호(pup)의 펄스 폭은 상기 제 1 딜레이 신호(d11)가 상기 제 1 데이터(rdata)로부터 지연된 시간에 따라 달라진다. The first pulse controller 120 receives the first data rdata and the first delay signal d11 to generate the pull-up pre-drive signal pup. The first pulse controller 120 may include a combination NAND gate ND2. Since the first delay signal d11 is a delayed signal of the first data rdata, the pull-up pre-drive signal generated by the first pulse controller 120 including the combined NAND gate ND2 is generated. The pup has a narrow pulse width of the first data rdata. As described above, the pulse width of the pull-up pre-drive signal pup depends on the time when the first delay signal d11 is delayed from the first data rdata.

상기 풀다운 신호 생성부(200b)는 제 2 딜레이 신호 생성부(210b) 및 제 2 펄스 조절부(220)를 포함한다. The pull-down signal generator 200b includes a second delay signal generator 210b and a second pulse controller 220.

상기 제 2 딜레이 신호 생성부(210b)는 상기 제 2 데이터(fdata)를 입력받아 지연하여 제 2 딜레이 신호(d2)로서 출력한다. 상기 제 2 딜레이 신호 생성부(210b)는 일반적인 딜레이 회로를 포함하여 구성될 수 있다. 상기 제 2 딜레이 신호 생성부(210b)는 상기 제 1 딜레이 신호 생성부(110b)처럼 당업자의 목적에 따라 상기 제 2 딜레이 신호 생성부(210b)가 상기 제 2 데이터(fdata)를 소정 시간 지연하도록 설계하거나 또는 퓨즈 옵션 등으로 상기 제 2 데이터(fdata)를 가변 지연하도록 설계할 수 있다.The second delay signal generator 210b receives the second data fdata and delays it, and outputs the second delay signal d2 as a second delay signal d2. The second delay signal generator 210b may include a general delay circuit. The second delay signal generator 210b may be configured such that the second delay signal generator 210b delays the second data fdata for a predetermined time in accordance with the purpose of a person skilled in the art as the first delay signal generator 110b. The second data fdata may be designed to be variably delayed by a design or a fuse option.

상기 제 2 펄스 조절부(220)는 상기 제 2 데이터(fdata) 및 상기 제 2 딜레이 신호(d12)를 입력받아 상기 풀다운 프리 드라이브 신호(pdn)를 생성한다. 상기 제 2 펄스 조절부(220)는 조합 노어 게이트(NR2)를 포함하여 구성될 수 있다. 상기 제 2 딜레이 신호(d12)는 상기 제 2 데이터(fdata)가 지연된 신호이므로, 상기 조합 노어 게이트(NR2)를 포함하여 구성된 상기 제 2 펄스 조절부(220)에서 생성하는 상기 풀다운 프리 드라이브 신호(pdn)는 상기 제 2 데이터(fdata)의 펄스 폭이 넓어진 형태이다. 상기 풀다운 프리 드라이브 신호(pdn)의 펄스 폭은 상기 제 2 딜레이 신호(d12)가 상기 제 2 데이터(fdata)로부터 지연된 시간에 따라 달라진다. The second pulse controller 220 receives the second data fdata and the second delay signal d12 to generate the pull-down free drive signal pdn. The second pulse controller 220 may include a combination NOR gate NR2. Since the second delay signal d12 is a delayed signal of the second data fdata, the pull-down free drive signal generated by the second pulse controller 220 including the combined NOR gate NR2 ( pdn) is a form in which the pulse width of the second data fdata is widened. The pulse width of the pull-down free drive signal pdn depends on the time delayed by the second delay signal d12 from the second data fdata.

도 8에 도시된 상기 출력 드라이버는 도 5 및 도 6에 도시된 상기 출력 드라이버와 비교하여 볼 때, 상기 선택 신호(sel)를 입력 받지 않아 상기 선택 신호(sel)에 따라 상기 제 1 데이터(rdata) 및 상기 제 2 데이터(fdata)의 펄스 폭을 조절하지 않고 상기 풀업 프리 드라이브 신호(pup) 및 상기 풀다운 프리 드라이브 신호(pdn)를 생성하는 기능이 없다는 점을 제외하고 동일한 방식으로 동작된다.In comparison with the output driver illustrated in FIGS. 5 and 6, the output driver illustrated in FIG. 8 does not receive the selection signal sel, and thus the first data rdata according to the selection signal sel. ) And the pull-up free drive signal pup and the pull-down free drive signal pdn without adjusting the pulse width of the second data fdata.

위에서 설명된 것처럼, 상기 출력 신호(out)의 슬루 레이트는 상기 풀업 드라이버부(300) 및 상기 풀다운 드라이버부(400)가 상기 출력 노드(no)를 얼마나 동시에 차지 및 디스차지하는지에 따라 결정되고, 상기 풀업 드라이버부(300) 및 상기 풀다운 드라이버부(400)가 상기 출력 노드(no)를 얼마나 동시에 차지 및 디스차지하는지는 상기 풀업 프리 드라이브 신호(pup) 및 상기 풀다운 프리 드라이브 신호(pdn)의 펄스 폭에 따라 결정되므로, 상기 출력 신호(out)의 슬루 레이트는 상기 제 1 딜레이 신호 생성부(110b) 및 상기 제 2 딜레이 신호 생성부(210b)가 각각 상기 제 1 데이터(rdata) 및 상기 제 2 데이터(fdata)를 얼마나 지연하는지에 따라 결정된다. 따라서 상기 제 1 딜레이 신호 생성부(110b) 및 상기 제 2 딜레이 신호 생성부(210b)를 퓨즈 옵션 등으로 딜레이 시간이 조절되는 딜레이 회로를 포함하도록 구성하면 상기 출력 신호(out)의 슬루 레이트를 조절할 수 있다. As described above, the slew rate of the output signal out is determined depending on how simultaneously the pull-up driver 300 and the pull-down driver 400 charge and discharge the output node no, How simultaneously the pull-up driver 300 and the pull-down driver 400 charge and discharge the output node no depends on the pulse width of the pull-up free drive signal pup and the pull-down free drive signal pdn. Since the slew rate of the output signal out is determined by the first delay signal generator 110b and the second delay signal generator 210b, respectively, the first data rdata and the second data ( fdata) is determined by how much delay. Therefore, when the first delay signal generator 110b and the second delay signal generator 210b are configured to include a delay circuit whose delay time is adjusted by a fuse option or the like, the slew rate of the output signal (out) is adjusted. Can be.

도 9에서 도시된 그래프는, 도 6에 도시된 상기 출력 드라이버에서, 상기 선택 신호(sel)를 활성화 시켜 상기 제 1 데이터(rdata) 및 상기 제 2 데이터(fdata)의 펄스 폭을 조절하여 상기 풀업 프리 드라이브 신호(pup) 및 상기 풀다운 프리 드라이브 신호(pdn)를 생성한 경우의 시뮬레이션 결과이다. 또한 상기 그래프는 도 8에 도시된 상기 출력 드라이버에도 적용된다. 도 9에 도시된 그래프는, 도 6의 상기 제 1 딜레이부(112) 및 상기 제 2 딜레이부(212)의 딜레이 시간에 따른 상기 출력 신호(out)의 라이징 엣지(rising edge)의 슬루 레이트 및 폴링 엣지(falling edge)의 슬루 레이트를 보여주고 있다. 도 9에서 보여지는 바와 같이, 상기 제 1 딜레이부(112) 및 상기 제 2 딜레이부(212)의 딜레이 시간이 늘어남에 따라 상기 출력 신호(out)의 라이징 엣지의 슬루 레이트 및 상기 폴링 엣지의 슬루 레이트는 감소함을 알 수 있다. 이처럼 본 발명에 따른 상기 출력 드라이버는 상기 제 1 데이터(rdata) 및 상기 제 2 데이터(fdata)의 펄스 폭을 조절하여 상기 풀업 프리 드라이브 신호(pup) 및 상기 풀다운 프리 드라이브 신호(pdn)를 생성함으로써 상기 출력 신호(out)의 슬루 레이트를 조절할 수 있다.In the output driver shown in FIG. 9, the graph shown in FIG. 6 activates the selection signal sel to adjust the pulse widths of the first data rdata and the second data fdata to pull up the pull-up. The simulation result when the free drive signal pup and the pull-down free drive signal pdn are generated. The graph also applies to the output driver shown in FIG. 9 illustrates a slew rate of the rising edge of the output signal out according to the delay times of the first delay unit 112 and the second delay unit 212 of FIG. 6. The slew rate of the falling edge is shown. As shown in FIG. 9, as the delay time of the first delay unit 112 and the second delay unit 212 increases, the slew rate of the rising edge of the output signal out and the slew of the falling edge are shown. It can be seen that the rate decreases. As described above, the output driver generates the pull-up free drive signal pup and the pull-down free drive signal pdn by adjusting the pulse widths of the first data rdata and the second data fdata. The slew rate of the output signal (out) can be adjusted.

도 10은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 출력 드라이버의 구성을 개략적으로 보여주는 블록도 이다. 상기 출력 드라이버는 펄스 폭 조절부(500) 및 드라이버부(600)를 포함하여 구성될 수 있다. 10 is a block diagram schematically illustrating a configuration of an output driver according to another embodiment of the present invention. The output driver may include a pulse width adjusting part 500 and a driver part 600.

상기 펄스 폭 조절부(500)는 상기 제 1 임피던스 교정 신호(pcode<0:2>) 및 상기 제 2 임피던스 교정 신호(ncode<0:2>)에 따라 제 1 데이터(rdata)의 펄스 폭을 조절하여 풀업 프리 드라이브 신호(pup)로서 출력하고, 제 2 데이터(fdata)의 펄스 폭을 조절하여 풀다운 프리 드라이브 신호(pdn)로서 출력한다. 상기 펄스 폭의 조절 정도는 상기 제 1 임피던스 교정 신호(pcode<0:2>) 및 상기 제 2 임피던스 교정 신호(ncode<0:2>)에 따라 달라진다. 도 10에 도시된 출력 드라이버는 도 5 및 도 8에 도시된 출력 드라이버처럼 상기 펄스 폭 조절부(500)에서 조절 하는 펄스 폭의 정도에 따라 상기 출력 신호(out)의 슬루 레이트가 결정된다.The pulse width adjusting part 500 adjusts the pulse width of the first data rdata according to the first impedance calibration signal pcode <0: 2> and the second impedance calibration signal ncode <0: 2>. The pulse width of the second data fdata is adjusted and output as the pull-down free drive signal pdn. The degree of adjustment of the pulse width depends on the first impedance calibration signal pcode <0: 2> and the second impedance calibration signal ncode <0: 2>. In the output driver illustrated in FIG. 10, like the output driver illustrated in FIGS. 5 and 8, the slew rate of the output signal out is determined according to the degree of the pulse width adjusted by the pulse width adjuster 500.

상기 드라이버부(600)는 상기 풀업 메인 드라이브 신호(up) 및 상기 풀다운 메인 드라이브 신호(dn)에 응답하여 상기 출력 노드(no)를 구동한다. 또한 상기 드라이버부(600)는 데이터 출력 모드에서, 상기 출력 노드(no)를 일정 시간 동시에 차지 및 디스차지한다. 이때 상기 드라이버부(600)가 상기 출력 노드(no)를 동시에 차지 및 디스차지하는 상기 일정 시간은 상기 펄스 폭 조절부(500)가 펄스 폭을 조절하는 정도에 해당한다. 상기 드라이버부(600)에 의해 상기 출력 노드(no)가 차지 및 디스차지됨으로써 상기 출력 신호(out)가 생성된다. 상기 출력 신호(out)는 DQ 패드를 통해 출력된다.The driver unit 600 drives the output node no in response to the pull-up main drive signal up and the pull-down main drive signal dn. In addition, the driver unit 600 simultaneously charges and discharges the output node no for a predetermined time in a data output mode. In this case, the predetermined time during which the driver 600 simultaneously charges and discharges the output node no corresponds to a degree in which the pulse width control unit 500 adjusts the pulse width. The output signal no is generated by charging and discharging the output node no by the driver 600. The output signal out is output through the DQ pad.

상기 펄스 폭 조절부(500)는 도 10에 도시된 것처럼, 풀업 신호 생성부(510) 및 풀다운 신호 생성부(520)를 포함하여 구성될 수 있다. 상기 풀업 신호 생성부(510)는 상기 제 1 임피던스 교정 신호(pcode<0:2>) 및 상기 제 2 임피던스 교정 신호(ncode<0:2>)에 따라 제 1 데이터(rdata)의 펄스 폭을 조절하여 풀업 프리 드라이브 신호(pup)를 생성한다. 상기 풀다운 신호 생성부(520)는 상기 제 1 임피던스 교정 신호(pcode<0:2>) 및 상기 제 2 임피던스 교정 신호(ncode<0:2>)에 따라 제 2 데이터(fdata)의 펄스 폭을 조절하여 풀다운 프리 드라이브 신호(pdn)를 생성한다. 상기 드라이버부(600)가 상기 일정 시간 상기 출력 노드(no)를 동시에 차지 및 디스차지 하도록 하기 위해, 상기 풀업 신호 생성부(510)는 상기 드라이버부(600)가 상기 출력 노드(no)를 상기 제 1 데이터(rdata)의 펄스 폭보다 더 오래 차지 하도록 상기 풀업 프리 드라이브 신호(pup)를 생성하고, 상기 풀다운 신호 생성부(520)는 상기 드라이버부(600)가 상기 출력 노드(no)를 상기 제 2 데이터(fdata)의 펄스 폭보다 더 오래 디스차지 하도록 상기 풀다운 프리 드라이브 신호(pdn)를 생성하도록 구성하는 것이 바람직하다. As illustrated in FIG. 10, the pulse width adjusting unit 500 may include a pull-up signal generator 510 and a pull-down signal generator 520. The pull-up signal generator 510 may adjust the pulse width of the first data rdata according to the first impedance calibration signal pcode <0: 2> and the second impedance calibration signal ncode <0: 2>. Adjust to generate a pull-up pre-drive signal (pup). The pull-down signal generator 520 may adjust the pulse width of the second data fdata according to the first impedance calibration signal pcode <0: 2> and the second impedance calibration signal ncode <0: 2>. Adjust to generate a pull-down free drive signal (pdn). In order for the driver unit 600 to simultaneously charge and discharge the output node no at a predetermined time, the pull-up signal generator 510 causes the driver unit 600 to output the output node no. The pull-up pre-drive signal pup is generated to occupy longer than the pulse width of the first data rdata, and the pull-down signal generator 520 causes the driver 600 to output the output node no. Preferably, the pull-down free drive signal pdn is configured to be discharged longer than the pulse width of the second data fdata.

상기 드라이버부(600)는 상기 제 1 임피던스 교정 신호(pcode<0:2>) 및 상기 제 2 임피던스 교정 신호(ncode<0:2>)를 추가로 입력받아, 온 다이 터미네이션 동작을 수행할 수 있다. 온 다이 터미네이션 모드에서, 상기 드라이버부(600)는 상기 제 1 임피던스 교정 신호(pcode<0:2>)에 따라 상기 출력 노드(no)에 대한 차지 전류가 결정되고, 상기 제 2 임피던스 교정 신호(ncode<0:2>)에 따라 상기 출력 노드(no)에 대한 디스차지 전류가 결정된다. 상기 드라이버부(600)는 도 10에 도시된 것처럼, 풀업 드라이버부(50b) 및 풀다운 드라이버부(60b)를 포함하여 구성될 수 있고, 상기 풀업 드라이버부(50b) 및 상기 풀다운 드라이버부(60b)는 도 3에 도시된 상기 풀업 드라이버부(50b) 및 상기 풀다운 드라이버부(60b)와 동일하게 구성될 수 있다. The driver 600 may further receive the first impedance calibration signal pcode <0: 2> and the second impedance calibration signal ncode <0: 2> to perform on die termination. have. In the on-die termination mode, the driver 600 determines the charge current for the output node no according to the first impedance calibration signal pcode <0: 2>, and the second impedance calibration signal ( The discharge current for the output node no is determined according to ncode <0: 2>. As shown in FIG. 10, the driver unit 600 may include a pull-up driver unit 50b and a pull-down driver unit 60b, and the pull-up driver unit 50b and the pull-down driver unit 60b. 3 may be configured in the same manner as the pull-up driver unit 50b and the pull-down driver unit 60b shown in FIG. 3.

또한 상기 드라이버부(600)는 도 10에 도시된 것처럼 프리 드라이버부(300, 400)를 추가로 포함하여 구성될 수 있다. 상기 프리 드라이버부(300, 400)는 상기 풀업 프리 드라이브 신호(pup)를 입력받아 풀업 메인 드라이브 신호(up)를 생성하고 상기 풀다운 프리 드라이브 신호(pdn)를 입력받아 풀다운 메인 드라이브 신호(dn)를 생성한다. 상기 프리 드라이버부(300, 400)는 풀업 프리 드라이버부(300) 및 풀다운 프리 드라이버부(400)로 구성될 수 있고, 도 5에 도시된 상기 풀업 프리 드라이버부(300) 및 상기 풀다운 프리 드라이버부(400)를 포함하여 구성될 수 있다. 위에서 언급된 것처럼, 상기 풀업 프리 드라이버부(300) 및 풀다운 프리 드라이버부(400)는 도 1 및 도 2에 도시된 종래 기술에 따른 풀업 프리 드라이버부(30) 및 풀다운 프리 드라이버부(40)와 달리, 구동력을 달리할 필요가 없어 고정된 구동력을 가지도록 구성될 수 있다. 따라서 상기 프리 드라이버부(300, 400)는 상기 풀업 프리 드라이브 신호(pup) 및 상기 풀다운 프리 드라이브 신호(pdn)를 제외하고, 상기 풀업 메인 드라이브 신호(up) 및 상기 풀다운 메인 드라이브 신호(dn)의 슬루 레이트를 조절하기 위한 다른 신호를 수신할 필요가 없다. 또한 상기 풀업 프리 드라이버부(300) 및 풀다운 프리 드라이버부(400)는 퓨즈 옵션과 같은 구동력 조절 소자를 포함하거나 상기 구동력 조절 소자에 연결되어 구동력이 조절될 필요가 없다. 하지만 상기 풀업 프리 드라이버부(300) 및 풀다운 프리 드라이버부(400)를 상기 구동력 조절 소자를 포함하여 구성하게 되면 보다 세밀하게 상기 출력 신호(out)의 슬루 레이트를 조절할 수 있다. 따라서 도 10에 도시된 것처럼 상기 프리 드라이버부(300, 400)를 구동력이 일정한 인버터로 구성하는 것은 본 발명을 실시하기 위한 필수적 요소로 제시된 것이 아님이 이해되어야 한다. 하지만 구동력 조절 소자는 상대적으로 반도체 장치에서 차지하는 면적이 크고, 또한 상기 출력 신호(out)의 슬루 레이트를 조절하기 위해 본 발명에 따른 출력 드라이버는 상기 프리 풀업 드라이브 신호(pup) 및 상기 프리 풀다운 드라이브 신호(pdn)의 펄스 폭을 조절하는 방법을 사용하므로 반도체 장치의 면적을 효율적으로 사용하기 위해 상기 프리 드라이버부(300, 400)는 퓨즈 옵션과 같은 구동력 소절 소자를 포함하지 않고 구성되는 것이 바람직하다.In addition, the driver unit 600 may further include a pre-driver unit 300, 400 as shown in FIG. The pre-drivers 300 and 400 receive the pull-up pre-drive signal pup to generate a pull-up main drive signal up, and receive the pull-down pre-drive signal pdn to receive a pull-down main drive signal dn. Create The pre-drivers 300 and 400 may include a pull-up pre-driver 300 and a pull-down pre-driver 400, and the pull-up pre-driver 300 and the pull-down pre-driver shown in FIG. 5. 400 can be configured to include. As mentioned above, the pull-up pre-driver unit 300 and the pull-down pre-driver unit 400 may include a pull-up pre-driver unit 30 and a pull-down pre-driver unit 40 according to the related art shown in FIGS. 1 and 2. Alternatively, it may be configured to have a fixed driving force because there is no need to vary the driving force. Accordingly, the pre-drivers 300 and 400 may exclude the pull-up main drive signal up and the pull-down main drive signal dn except for the pull-up free drive signal pup and the pull-down free drive signal pdn. There is no need to receive other signals to adjust the slew rate. In addition, the pull-up pre-driver unit 300 and the pull-down pre-driver unit 400 may include a driving force adjusting element such as a fuse option or may be connected to the driving force adjusting element so that the driving force does not need to be adjusted. However, when the pull-up pre-driver 300 and the pull-down pre-driver 400 include the driving force adjusting element, the slew rate of the output signal out can be adjusted in more detail. Therefore, it should be understood that the configuration of the pre-drivers 300 and 400 as inverters having a constant driving force, as shown in FIG. 10, is not presented as an essential element for implementing the present invention. However, the driving force adjusting element has a relatively large area in the semiconductor device, and in order to adjust the slew rate of the output signal out, the output driver according to the present invention uses the pre-pull drive signal and the pre-pull drive signal. Since the method of adjusting the pulse width of pdn is used, the pre-drivers 300 and 400 are preferably configured without a driving force reducing element such as a fuse option in order to efficiently use the area of the semiconductor device.

위에서 언급된 것처럼, 데이터 출력 모드 시 도 3 에 도시된 종래 기술에 따른 출력 드라이버의 상기 풀업 드라이버부(50b) 및 풀다운 드라이버부(60b)는 상기 출력 노드(no)를 교대로 차지하거나 디스차지한다. 좀더 자세히 설명하면 상기 풀업 드라이버부(50b)가 활성화되어 상기 출력 노드(no)를 차지하는 구간에는 상기 풀다운 드라이버부(60b)는 비활성화 되어 상기 출력 노드(no)를 디스차지하지 않는다. 반대로, 상기 풀다운 드라이버부(60b)가 활성화되어 상기 출력 노드(no)를 디스차지하는 구간에는 상기 풀업 드라이버부(50b)는 비활성화되어 상기 출력 노드(no)를 차지하지 않는다. 이와 달리 본 발명의 일 실시예에 따른 출력 드라이버는 데이터 출력 모드 시 상기 출력 노드(no)에 대한 차지 동작 및 디스차지 동작 중 하나를 수행하는 구간을 가질 뿐만 아니라, 상기 출력 노드(no)에 대한 차지 동작 및 디스차지 동작을 동시에 수행하는 구간을 추가로 갖는다. 상기 출력 노드(no)에 대한 차지 동작 및 디스차지 동작을 동시에 수행하는 구간은 상기 출력 신호(out)의 슬루 레이트를 낮게 한다. 또한 상기 출력 노드(no)에 대한 차지 동작 및 디스차지 동작을 동시에 수행하는 구간이 상기 출력 노드(no)에 대한 차지 동작 및 디스차지 동작 중 하나를 수행하는 구간에 비해서 커질수록 상기 출력 신호(out)의 슬루 레이트는 더욱 낮아진다. 이러한 원리를 이용하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 출력 드라이버는 상기 출력 노드(no)에 대한 차지 동작 및 디스차지 동작을 동시에 수행하는 구간을 조절함으로써 상기 출력 신호(out)의 슬루 레이트를 조절할 수 있다. 상기 출력 노드(no)에 대한 차지 동작 및 디스차지 동작을 동시에 수행하는 구간을 추가로 갖는 것은 상기 제 1 데이터(rdata) 및 상기 제 2 데이터(fdata)의 펄스 폭을 조절하여 상기 풀업 프리 드라이브 신호(pup) 및 상기 풀다운 프리 드라이브 신호(pdn)를 생성함으로써 이뤄질 수 있다. 또한 상기 펄스 폭의 조절 정도는 상기 제 1 임피던스 교정 신호(pcode<0:2>) 및 상기 제 2 임피던스 교정 신호(ncode<0:2>)에 따라 달라지므로, 본 발명에 따른 출력 드라이버에 의해 조절되는 상기 슬루 레이트는 PVT 변화에 따른 변화에 대한 보상이 적용된다. 상기 데이터 출력 모드에서 데이터의 출력을 위해 사용되는 상기 제 1 데이터(rdata) 및 상기 제 2 데이터(fdata)는 서로 같은 전압 레벨 및 같은 타이밍을 갖는, 즉 서로 같은 신호 값을 갖는 신호이다. 도 2에서 도시된 종래 기술에 따른 출력 드라이버는 서로 같은 신호 값을 갖는 상기 제 1 데이터(rdata) 및 상기 제 2 데이터(rdata)를 입력받아 서로 같은 신호 값을 갖는 상기 풀업 프리 드라이브 신호(pup) 및 상기 풀다운 프리 드라이브 신호(pdn)를 생성하고, 또한 서로 같은 신호 값을 갖는 상기 풀업 메인 드라이브 신호(up) 및 상기 풀다운 메인 드라이브 신호(dn)를 생성한다. 도 1에 도시된 것처럼, 상기 풀업 드라이버부(50b)는 피모스 트랜지스터 그룹을 포함하여 구성되고, 상기 풀다운 드라이버부(60b)는 엔모스 트랜지스터 그룹을 포함하여 구성되므로, 서로 같은 신호 값을 가지는 상기 풀업 메인 드라이브 신호(up) 및 상기 풀다운 메인 드라이브 신호(dn)를 입력받아 활성화되는 상기 풀업 드라이버부(50b) 및 상기 풀다운 드라이버부(60b)는 서로 교대로 활성화된다. 즉, 상기 데이터 출력 모드에서 종래기술에 따른 상기 풀업 메인 드라이브 신호(up) 및 상기 풀다운 메인 드라이브 신호(dn)는 동시에 활성화되지 않는다. 이와 달리, 본 발명의 일 실시예에 따른 출력 드라이버는 상기 제 1 데이터(rdata) 및 상기 제 2 데이터(fdata)의 펄스 폭을 조절하여 상기 풀업 프리 드라이브 신호(pup) 및 상기 풀다운 프리 드라이브 신호(pdn)를 생성함으로써, 데이터 출력 모드에서도 상기 풀업 드라이버부(50b) 및 상기 풀다운 드라이버부(60b)가 동시에 활성화되어 상기 출력 노드(no)를 동시에 차지 및 디스차지 하는 구간을 가지도록 한다. 여기서 상기 출력 노드(no)를 동시에 차지 및 디스차지하는 구간은 상기 출력 노드(no)를 교대로 차지 또는 디스차지하는 구간 사이에 소정 시간 존재한다. 데이터 출력 모드에서 본 발명의 실시예에 따른 출력 드라이버가 상기 출력 노드(no)를 동시에 차지 및 디스차지 하는 동작은 온 다이 터미네이션 모드처럼 온 다이 터미네이션 동작 구간 동안 계속 유지되는 것이 아니고, 도 7의 파형처럼 상기 출력 노드(no)를 교대로 차지 또는 디스차지하는 구간 사이에 일정 시간 유지된다. 또한 상기 데이터 출력 모드에서 상기 출력 노드(no)를 동시에 차지 및 디스차지 하는 구간은 상기 풀업 프리 드라이브 신호(pup) 및 상기 풀다운 프리 드라이브 신호(pdn)의 펄스 폭에 따라 조절되고, 상기 펄스 폭의 조절 정도는 상기 제 1 및 제 2 임피던스 교정 신호(pcode<0:2>, ncode<0:2>)에 따라 조절된다. 따라서 상기 제 1 및 제 2 임피던스 교정 신호(pcode<0:2>, ncode<0:2>)에 따라 상기 풀업 프리 드라이브 신호(pup) 및 상기 풀다운 프리 드라이브 신호(pdn)의 펄스 폭 차이가 변화되고, 이에 따라 상기 출력 신호(out)의 슬루 레이트 또한 변화된다.As mentioned above, in the data output mode, the pull-up driver section 50b and the pull-down driver section 60b of the output driver according to the prior art shown in FIG. 3 alternately occupy or discharge the output node no. . In more detail, in the section in which the pull-up driver unit 50b is activated and occupies the output node no, the pull-down driver unit 60b is inactivated and does not discharge the output node no. On the contrary, in the period in which the pull-down driver unit 60b is activated to discharge the output node no, the pull-up driver unit 50b is deactivated and does not occupy the output node no. In contrast, the output driver according to an embodiment of the present invention not only has a section for performing one of the charge operation and the discharge operation for the output node no in the data output mode, but also for the output node no. It further has a section for simultaneously performing the charge operation and the discharge operation. A period in which the charge operation and the discharge operation for the output node no are simultaneously performed lowers the slew rate of the output signal out. In addition, the output signal (out) increases as the interval for simultaneously performing the charge operation and the discharge operation for the output node no is larger than the interval for performing one of the charge operation and the discharge operation for the output node no. Slew rate is lower. Using this principle, the output driver according to an embodiment of the present invention adjusts the slew rate of the output signal (out) by adjusting a section for simultaneously performing the charge operation and the discharge operation for the output node (no). Can be. Further having a section for simultaneously performing the charge operation and the discharge operation for the output node (no) is the pull-up pre-drive signal by adjusting the pulse width of the first data (rdata) and the second data (fdata) It can be achieved by generating a pup and the pull-down free drive signal pdn. In addition, the degree of adjustment of the pulse width depends on the first impedance calibration signal (pcode <0: 2>) and the second impedance calibration signal (ncode <0: 2>). The slew rate to be adjusted is applied compensation for the change according to the PVT change. The first data rdata and the second data fdata used for outputting data in the data output mode are signals having the same voltage level and the same timing, that is, having the same signal value. The output driver according to the related art shown in FIG. 2 receives the first data rdata and the second data rdata having the same signal value and the pull-up pre-drive signal pup having the same signal value. And generate the pull-down free drive signal pdn, and generate the pull-up main drive signal up and the pull-down main drive signal dn having the same signal value. As shown in FIG. 1, since the pull-up driver unit 50b includes a PMOS transistor group and the pull-down driver unit 60b includes an NMOS transistor group, the pull-up driver unit 50b may have the same signal value. The pull-up driver 50b and the pull-down driver 60b, which are activated by receiving a pull-up main drive signal up and the pull-down main drive signal dn, are alternately activated. That is, in the data output mode, the pull-up main drive signal up and the pull-down main drive signal dn according to the prior art are not activated at the same time. Alternatively, the output driver according to an embodiment of the present invention adjusts the pulse widths of the first data rdata and the second data fdata so that the pull-up free drive signal pup and the pull-down free drive signal ( By generating pdn), the pull-up driver unit 50b and the pull-down driver unit 60b are simultaneously activated in the data output mode to have a section for simultaneously charging and discharging the output node no. Here, a section for simultaneously charging and discharging the output node no exists for a predetermined time between sections for alternately charging or discharging the output node no. In the data output mode, the operation of simultaneously occupying and discharging the output node no by the output driver according to the exemplary embodiment of the present invention is not maintained for the duration of the on die termination operation like the on die termination mode, and the waveform of FIG. As such, it is maintained for a certain time between the sections alternately occupying or discharging the output node no. In addition, in the data output mode, a period in which the output node no is simultaneously occupied and discharged is adjusted according to the pulse widths of the pull-up free drive signal pup and the pull-down free drive signal pdn, The degree of adjustment is adjusted according to the first and second impedance calibration signals pcode <0: 2> and ncode <0: 2>. Accordingly, the pulse width difference between the pull-up free drive signal pup and the pull-down free drive signal pdn varies according to the first and second impedance calibration signals pcode <0: 2> and ncode <0: 2>. Thus, the slew rate of the output signal out is also changed.

본 발명에 따른 출력 드라이버는 상기 제 1 데이터(rdata) 및 상기 제 2 데이터(fdata)의 펄스 폭을 조절하여 상기 풀업 프리 드라이브 신호(pup) 및 상기 풀다운 프리 드라이브 신호(pdn)를 생성하고, 상기 풀업 프리 드라이브 신호(pup) 및 상기 풀다운 프리 드라이브 신호(pdn)를 통해 상기 출력 신호(out)의 슬루 레이트를 조절하므로 종래 기술에 따른 출력 드라이버에서 발생하는 문제점을 방지한다. 위에서 언급한 것처럼, 도 2에 도시된 종래 기술에 따른 출력 드라이버는 PVT 변화에 따라 상기 출력 신호(out)의 슬루 레이트의 변화가 심하다. 종래 기술에 따른 출력 드라이버는 이러한 슬루 레이트의 변화를 보상하기 위해 상기 풀업 및 풀다운 메인 드라이브 신호(up, dn)의 슬루 레이트를 조절하는 방식을 사용하게 되는데, 이 방식은 상기 메인 드라이브 신호(up, dn)의 슬루 레이트가 과도하게 작아서 상기 메인 드라이브 신호(up, dn)의 전원 전압 레벨 내지 접지 전압 레벨로의 풀 스윙을 못할 수 있고, 이에 따라 ISI로 인해 지터가 생기게 되어 상기 출력 신호(out) 타이밍 특성 열화 및 데이터 패드간 스큐가 발생하는 문제점을 가지고 있다. 본 발명의 실시예에 따른 상기 출력 드라이버는 상기 메인 드라이브 신호(up, dn)의 슬루 레이트를 조절하는 것이 아니라, 상기 풀업 프리 드라이브 신호(pup) 및 상기 풀다운 프리 드라이브 신호(pdn)의 펄스 폭을 조절함으로써 상기 출력 신호(out)의 슬루 레이트를 조절하기 때문에 상기 메인 드라이브 신호(up, dn)의 슬루 레이트가 과도하게 낮게 설정되어 ISI 지터가 발생하는 상황을 방지한다. 또한 상기 펄스 폭을 상기 제 1 및 제 2 임피던스 교정 신호(pcode<0:2>, ncode<0:2>)에 따라 조절하기 때문에, PVT 변화에 따라 달라지는 슬루 레이트 변화를 보상할 수 있다. The output driver according to the present invention generates the pull-up free drive signal pup and the pull-down free drive signal pdn by adjusting pulse widths of the first data rdata and the second data fdata. The slew rate of the output signal out is adjusted through the pull-up free drive signal pup and the pull-down free drive signal pdn, thereby preventing a problem occurring in the output driver according to the prior art. As mentioned above, the output driver according to the related art shown in FIG. 2 has a significant change in the slew rate of the output signal out according to the PVT change. The output driver according to the related art uses a method of adjusting the slew rates of the pull-up and pull-down main drive signals up and dn to compensate for the change in the slew rate, which is the main drive signal up, The slew rate of dn) is too small to allow full swing of the main drive signal up, dn from the power supply voltage level to the ground voltage level, resulting in jitter due to ISI, resulting in the output signal out. There is a problem in that timing characteristics deteriorate and skew between data pads occurs. The output driver according to an exemplary embodiment of the present invention does not adjust the slew rates of the main drive signals up and dn, but rather adjusts the pulse widths of the pull-up free drive signal pup and the pull-down free drive signal pdn. By adjusting the slew rate of the output signal out, the slew rate of the main drive signals up and dn is set excessively low to prevent the occurrence of ISI jitter. In addition, since the pulse width is adjusted according to the first and second impedance calibration signals pcode <0: 2> and ncode <0: 2>, it is possible to compensate for a slew rate change depending on the PVT change.

또한 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 장치는 도 10에 도시된 상기 펄스 폭 조절부(500) 및 상기 드라이버부(600)를 포함하는 출력 드라이버 및 도 10에 도시된 데이터 결정부(70) 및 임피던스 교정 신호 생성부(80)를 추가로 포함하여 구성될 수 있다. 상기 데이터 결정부(70) 및 상기 임피던스 교정 신호 생성부(80)는 도 2 및 도 4에 도시된 종래 기술에 따른 상기 데이터 결정부(70) 및 상기 임피던스 교정 신호 생성부(80)와 동일하게 구성될 수 있다. 따라서 상기 데이터 결정부(70) 및 상기 임피던스 교정 신호 생성부(80)에 대한 상세한 설명은 생략한다. In addition, a semiconductor device according to an embodiment of the present invention may include an output driver including the pulse width adjusting unit 500 and the driver unit 600 illustrated in FIG. 10, a data determination unit 70 illustrated in FIG. 10, and It may be configured to further include an impedance calibration signal generator 80. The data determiner 70 and the impedance correction signal generator 80 are the same as the data determiner 70 and the impedance correction signal generator 80 according to the related art shown in FIGS. 2 and 4. Can be configured. Therefore, detailed descriptions of the data determiner 70 and the impedance calibration signal generator 80 will be omitted.

도 11은 도 10에 도시된 상기 풀업 신호 생성부(510)의 일 실시예(510a)에 따른 회로도이다. FIG. 11 is a circuit diagram of an embodiment 510a of the pull-up signal generator 510 shown in FIG. 10.

위에서 설명한 것처럼, 상기 풀업 신호 생성부(510a)는 상기 제 1 임피던스 교정 신호(pcode<0:2>) 및 상기 제 2 임피던스 교정 신호(ncode<0:2>)에 따라 상기 제 1 데이터(rdata)의 펄스 폭을 조절하여 풀업 프리 드라이브 신호(pup)로서 출력한다. 상기 풀업 신호 생성부(510a)는 제 1 딜레이 신호 생성부(511a) 및 제 1 펄스 조절부(512a)를 포함하여 구성될 수 있다. 도 11에 도시된 상기 풀업 신호 생성부(510a)는 상기 제 1 딜레이 신호 생성부(511a)를 통해 제 1 딜레이 신호(d1)를 생성하고, 상기 제 1 데이터(rdata) 및 상기 제 1 딜레이 신호(d1)를 상기 제 1 펄스 조절부(512a)를 통해 낸드(NAND) 연산함으로써 상기 제 1 데이터(rdata)의 펄스 폭을 조절한 형태로 상기 풀업 프리 드라이브 신호(pup)를 생성할 수 있다.As described above, the pull-up signal generator 510a may generate the first data rdata according to the first impedance calibration signal pcode <0: 2> and the second impedance calibration signal ncode <0: 2>. Pulse width is adjusted and output as a pull-up pre-drive signal (pup). The pull-up signal generator 510a may include a first delay signal generator 511a and a first pulse controller 512a. The pull-up signal generator 510a shown in FIG. 11 generates a first delay signal d1 through the first delay signal generator 511a, and generates the first data rdata and the first delay signal. The pull-up pre-drive signal pup may be generated by adjusting a pulse width of the first data rdata by performing a NAND operation on the d1 through the first pulse controller 512a.

상기 제 1 펄스 조절부(512a)는 상기 제 1 데이터(rdata) 및 상기 제 1 딜레이 신호(d1)를 입력받아 상기 풀업 프리 드라이브 신호(pup)를 생성한다. 도 11에 도시된 것처럼 상기 제 1 펄스 조절부(512a)는 상기 제 1 데이터(rdata) 및 상기 제 1 딜레이 신호(d1)를 입력받는 제 1 낸드 게이트(ND3)를 포함하여 구성될 수 있다.The first pulse controller 512a receives the first data rdata and the first delay signal d1 to generate the pull-up pre-drive signal pup. As illustrated in FIG. 11, the first pulse controller 512a may include a first NAND gate ND3 that receives the first data rdata and the first delay signal d1.

상기 제 1 딜레이 신호 생성부(511a)는 상기 제 1 임피던스 교정 신호(pcode<0:2>) 및 상기 제 2 임피던스 교정 신호(ncode<0:2>)에 따라 상기 제 1 데이터(rdata)를 가변 지연하여 제 1 딜레이 신호(d1)를 생성한다. 도 11를 참조하면, 상기 제 1 딜레이 신호 생성부(511a)는 두 개의 가변 지연 인버터(511-1, 511-2)의 직렬 조합으로 구성된다. 제 1 가변 지연 인버터(511-1)는 상기 제 2 임피던스 교정 신호(ncode<0:2>)에 따라 상기 제 1 데이터(rdata)를 가변 지연하여 제 1 노드(n1)의 레벨을 변화시킨다. 제 2 가변 지연 인버터(511-2)는 상기 제 1 노드(n1)의 전압을 입력받아 상기 제 1 임피던스 교정 신호(pcode<0:2>)를 가변 지연하여 제 2 노드(n2)로 상기 제 1 딜레이 신호(d1)를 출력한다. 도 11에서, 상기 제 1 가변 지연 인버터(511-1)는 제 1 피모스 트랜지스터(1111), 제 1 엔모스 트랜지스터(1112), 제 1 내지 제 3 조절 엔모스 트랜지스터(1113~1115) 및 제 1 내지 제 3 인에이블 엔모스 트랜지스터(1116~1118)를 포함하여 구성되었다. 상기 제 1 피모스 트랜지스터(1111)는 전원 전압(Vcc) 단자 및 상기 제 1 노드(n1) 사이에 연결되어 상기 제 1 데이터(rdata)를 입력받는다. 상기 제 1 엔모스 트랜지스터(1112)는 상기 제 1 노드(n1) 및 접지 단자 사이에 연결되어 상기 제 1 데이터(rdata)를 입력받는다. 상기 제 1 내지 제 3 조절 엔모스 트랜지스터(1113~1115)는 공통 드레인 단자가 상기 제 1 노드(n1)에 연결되어 있고, 각각 상기 제 1 내지 제 3 인에이블 엔모스 트랜지스터(1116~1118)와 직렬 연결되어있다. 또한 상기 제 1 내지 제 3 조절 엔모스 트랜지스터(1113~1115)는 상기 제 1 데이터(rdata)를 공통으로 입력받는다. 상기 제 1 내지 제 3 인에이블 엔모스 트랜지스터(1116~1118)는 공통 소스 단자가 접지 단자와 연결되어있고 상기 제 2 임피던스 교정 신호(ncode<0:2>)의 각 비트를 각각 입력받는다. 즉, 상기 제 1 내지 제 3 인에이블 엔모스 트랜지스터(1116~1118)는 상기 제 2 임피던스 교정 신호(ncode<0:2>)의 각 비트에 따라 활성화되어 각각 상기 제 1 내지 제 3 조절 엔모스 트랜지스터(1113~1115)의 전류 싱크 경로의 역할을 한다. 상기 제 2 임피던스 교정 신호(ncode<0:2>)에 따라 상기 제 1 내지 제 3 인에이블 엔모스 트랜지스터(1116~1118) 중 어느 트랜지스터가 턴온되는지가 결정되고, 상기 제 1 데이터(rdata)가 하이 레벨로 입력되면 상기 제 1 엔모스 트랜지스터(1112)는 활성화 되어 상기 제 1 노드(n1)를 디스차지하고, 상기 제 2 임피던스 교정 신호(ncode<0:2>)에 따라 턴온되어 전류 싱크 경로로서 동작하는 상기 제 1 내지 제 3 인에이블 엔모스 트랜지스터(1116~1118)와 직렬 연결된 제 1 내지 제 3 조절 엔모스 트랜지스터(1113~1115)는 상기 제 1 노드(n1)를 추가로 디스차지한다. 상기 제 1 내지 제 3 조절 엔모스 트랜지스터(1113~1115)의 턴온 또는 턴오프 상태에 따라 상기 제 1 노드(n1)의 디스차지 속도가 달라지게 되므로, 상기 제 2 임피던스 교정 신호(ncode<0:2>)에 따라 상기 제 1 노드(n1)의 전압 레벨 변화 속도가 달라진다. 즉 상기 제 1 가변 지연 인버터(511-1)는 상기 제 1 데이터(rdata)를 상기 제 2 임피던스 교정 신호(ncode<0:2>)에 따라 가변 지연 및 반전하여 상기 제 1 노드(n1)로 출력한다. 상기 제 2 가변 지연 인버터(511-2)는 제 2 엔모스 트랜지스터(1119), 제 2 피모스 트랜지스터(1120), 제 1 내지 제 3 조절 피모스 트랜지스터(1121~1123) 및 제 1 내지 제 3 인에이블 피모스 트랜지스터(1124~1126)를 포함하여 구성되었다. 상기 제 2 엔모스 트랜지스터(1119)는 상기 제 2 노드(n2) 및 접지 단자 사이에 연결되어 상기 제 1 노드(n1)의 전압을 입력받는다. 상기 제 2 피모스 트랜지스터(1120)는 전원 전압(Vcc) 단자 및 상기 제 2 노드(n2) 사이에 연결되어 상기 제 1 노드(n1)의 전압을 입력받는다. 상기 제 1 내지 제 3 조절 피모스 트랜지스터(1121~1123)는 공통 드레인 단자가 상기 제 2 노드(n2)에 연결되어 있고, 각각 상기 제 1 내지 제 3 인에이블 피모스 트랜지스터(1124~1126)와 직렬 연결되어있다. 또한 상기 제 1 내지 제 3 조절 피모스 트랜지스터(1121~1123)는 상기 제 1 노드(n1)의 전압을 공통으로 입력받는다. 상기 제 1 내지 제 3 인에이블 피모스 트랜지스터(1124~1126)는 공통 소스 단자가 전원 전압(Vcc) 단자와 연결되어있고 상기 제 1 임피던스 교정 신호(pcode<0:2>)를 각각 입력받는다. 즉, 상기 제 1 내지 제 3 인에이블 피모스 트랜지스터(1124~1126)는 제 1 임피던스 교정 신호(pcode<0:2>)에 따라 활성화되어 각각 상기 제 1 내지 제 3 조절 피모스 트랜지스터(1121~1123)로 전원을 공급한다. 즉, 상기 제 2 가변 지연 인버터(511-2)는 상기 제 1 노드(n1)의 전압을 제 1 임피던스 교정 신호(pcode<0:2>)에 따라 가변 지연 및 반전하여 상기 제 2 노드(n2)로 상기 제 1 딜레이 신호(d1)로서 출력한다. 직렬 연결된 상기 제 1 가변 지연 인버터(511-1) 및 상기 제 2 가변 지연 인버터(511-2)의 동작에 따라, 상기 제 1 딜레이 신호(d1)는 상기 제 1 데이터(rdata)를 제 1 임피던스 교정 신호(pcode<0:2>)에 따라 가변 지연한 신호이다. 도 10에서, 상기 제 1 및 제 2 가변 지연 인버터(511-1, 511-2)는 3 비트의 제 2 임피던스 교정 신호(ncode<0:2>)를 입력받는 상기 제 1 내지 제 3 인에이블 엔모스 트랜지스터(1116~1118) 및 3 비트의 제 1 임피던스 교정 신호(pcode<0:2>)를 입력받는 3 개의 트랜지스터, 즉 상기 제 1 내지 제 3 인에이블 피모스 트랜지스터(1124~1126)를 포함하는 구성이 도시되었다. 여기서 제 1 임피던스 교정 신호(pcode<0:2>) 및 제 2 임피던스 교정 신호(ncode<0:2>)가 3 비트의 신호인 것은 설명을 용이하게 하기 위해 예시된 것으로, 상기 제 1 임피던스 교정 신호(pcode<0:2>) 및 제 2 임피던스 교정 신호(ncode<0:2>)의 비트 수는 달리 설정될 수 있다. 또는 당업자의 설계에 따라 n 비트의 상기 임피던스 교정 신호를 조합하여 n 보다 작은 비트 수를 가진 조절 신호를 생성하는 것도 가능하다. 위에서 언급한 것처럼 상기 제 1 임피던스 교정 신호(pcode<0:2>) 및 제 2 임피던스 교정 신호(ncode<0:2>)를 3 비트로 예시한 것은 설명을 용이하게 하기 위함으로, 상기 제 1 임피던스 교정 신호(pcode<0:2>) 및 제 2 임피던스 교정 신호(ncode<0:2>)의 비트 수를 한정하려는 의도가 아님을 명시한다. 도 11에 도시된 상기 제 1 및 제 2 가변 지연 인버터가 일반적인 단일 인버터로 구성되어 있다면 PVT 변화에 따라 그 지연 시간이 달라지게 되지만, 상기 제 1 임피던스 교정 신호(pcode<0:2>) 및 제 2 임피던스 교정 신호(ncode<0:2>)에 따라 턴온 또는 턴오프되어 조절되는 트랜지스터들이 병렬 구성된 도 11의 경우, PVT 변화에 따라 지연 시간이 길어지는 조건에서는 병렬 구성된 트랜지스터들 중 상대적으로 많은 트랜지스터들이 턴온되어 지연 시간을 줄여주고, PVT 변화에 따라 지연 시간이 짧아지는 조건에서는 병렬 구성된 트랜지스터들 중 상대적으로 적은 트랜지스터들이 턴온되어 지연 시간을 늘려주게 되어 PVT 변화에 대한 지연 시간 보상이 가능하다. The first delay signal generator 511a may generate the first data rdata according to the first impedance correction signal pcode <0: 2> and the second impedance correction signal ncode <0: 2>. Variable delay is performed to generate the first delay signal d1. Referring to FIG. 11, the first delay signal generator 511a is configured by a series combination of two variable delay inverters 511-1 and 511-2. The first variable delay inverter 511-1 variably delays the first data rdata according to the second impedance correction signal ncode <0: 2> to change the level of the first node n1. The second variable delay inverter 511-2 receives the voltage of the first node n1 and variably delays the first impedance calibration signal pcode <0: 2> to the second node n2. The one delay signal d1 is output. In FIG. 11, the first variable delay inverter 511-1 includes a first PMOS transistor 1111, a first NMOS transistor 1112, first to third adjustable NMOS transistors 1113 to 1115, and a first variable delay inverter 511-1. 1 to 3 enable NMOS transistors 1116 to 1118. The first PMOS transistor 1111 is connected between a power supply voltage Vcc terminal and the first node n1 to receive the first data rdata. The first NMOS transistor 1112 is connected between the first node n1 and a ground terminal to receive the first data rdata. The first to third control NMOS transistors 1113 to 1115 have a common drain terminal connected to the first node n1, and the first to third enable NMOS transistors 1116 to 1118, respectively. Is connected in series. In addition, the first to third regulating NMOS transistors 1113 to 1115 receive the first data rdata in common. The first to third enable NMOS transistors 1116 to 1118 have a common source terminal connected to a ground terminal and receive respective bits of the second impedance correction signal ncode <0: 2>. That is, the first to third enable NMOS transistors 1116 to 1118 are activated according to the respective bits of the second impedance correction signal ncode <0: 2>, respectively, and the first to third control NMOS transistors, respectively. It serves as a current sink path of the transistors 1113 to 1115. According to the second impedance calibration signal ncode <0: 2>, which of the first to third enable NMOS transistors 1116 to 1118 is turned on, and the first data rdata is determined. When input to the high level, the first NMOS transistor 1112 is activated to discharge the first node n1 and is turned on according to the second impedance correction signal ncode <0: 2> to serve as a current sink path. The first to third control NMOS transistors 1113 to 1115 connected in series with the first to third enable NMOS transistors 1116 to 1118 further discharge the first node n1. Since the discharge speed of the first node n1 is changed according to the turn-on or turn-off states of the first to third regulating NMOS transistors 1113 to 1115, the second impedance calibration signal ncode <0: 2>), the rate of change of the voltage level of the first node n1 varies. That is, the first variable delay inverter 511-1 variably delays and inverts the first data rdata according to the second impedance correction signal ncode <0: 2> to the first node n1. Output The second variable delay inverter 511-2 includes a second NMOS transistor 1119, a second PMOS transistor 1120, first to third adjustable PMOS transistors 1121 to 1123, and first to third It is comprised including the enable PMOS transistors 1124-1126. The second NMOS transistor 1119 is connected between the second node n2 and the ground terminal to receive the voltage of the first node n1. The second PMOS transistor 1120 is connected between a power supply voltage Vcc terminal and the second node n2 to receive a voltage of the first node n1. Each of the first to third adjustable PMOS transistors 1121 to 1123 has a common drain terminal connected to the second node n2, and the first to third enable PMOS transistors 1124 to 1126, respectively. Is connected in series. In addition, the first to third regulating PMOS transistors 1121 to 1123 may receive a voltage of the first node n1 in common. The first to third enable PMOS transistors 1124 to 1126 have a common source terminal connected to a power supply voltage Vcc terminal and receive the first impedance calibration signals pcode <0: 2>, respectively. That is, the first to third enable PMOS transistors 1124 to 1126 are activated according to the first impedance correction signal pcode <0: 2>, respectively, to respectively the first to third adjustable PMOS transistors 1121 to 1. 1123) to supply power. That is, the second variable delay inverter 511-2 variably delays and inverts the voltage of the first node n1 according to the first impedance calibration signal pcode <0: 2> to allow the second node n2 to be inverted. ) Is output as the first delay signal d1. According to the operations of the first variable delay inverter 511-1 and the second variable delay inverter 511-2 connected in series, the first delay signal d1 is configured to convert the first data rdata into a first impedance. The signal is variable delayed according to the calibration signal pcode <0: 2>. In FIG. 10, the first and second variable delay inverters 511-1 and 511-2 may receive the first to third enable signals that receive the third impedance correction signal ncode <0: 2> of 3 bits. The NMOS transistors 1116 to 1118 and three transistors receiving the first 3-bit first impedance correction signal pcode <0: 2>, that is, the first to third enable PMOS transistors 1124 to 1126, are connected. Including configuration is shown. Here, the first impedance calibration signal pcode <0: 2> and the second impedance calibration signal ncode <0: 2> are three-bit signals, which are illustrated for ease of explanation. The number of bits of the signal pcode <0: 2> and the second impedance correction signal ncode <0: 2> may be set differently. Alternatively, it is also possible to combine the n bits of the impedance correction signal according to the design of a person skilled in the art to generate an adjustment signal having a bit number smaller than n. As mentioned above, the first impedance calibration signal pcode <0: 2> and the second impedance calibration signal ncode <0: 2> are illustrated in three bits for ease of explanation, and thus, the first impedance It is not intended to limit the number of bits of the calibration signal pcode <0: 2> and the second impedance calibration signal ncode <0: 2>. If the first and second variable delay inverters shown in FIG. 11 are configured as a general single inverter, the delay time of the first and second variable delay inverters is changed according to the PVT change, but the first impedance correction signal pcode <0: 2> and the first In FIG. 11, in which transistors turned on or turned off according to the impedance correction signal ncode <0: 2> are adjusted in parallel, in the condition that the delay time is increased according to the PVT change, a relatively large number of transistors in parallel are configured. Are turned on to reduce the delay time, and in a condition where the delay time is shortened according to the PVT change, a relatively small number of transistors in parallel are turned on to increase the delay time to compensate for the delay of the PVT change.

도 11의 회로도를 참조하면, 상기 제 1 가변 지연 인버터(511-1)는 상기 제 1 노드(n1)를 디스차지하는 엔모스 트랜지스터들을 병렬 연결로 구성하였고, 상기 제 2 가변 지연 인버터(511-2)는 상기 제 2 노드(n2)를 차지하는 피모스 트랜지스터들을 병렬 연결로 구성하였음이 도시되었다. 또한 상기 제 1 노드(n1)를 차지하는 피모스 트랜지스터는 상기 제 1 피모스 트랜지스터(1111) 만을 포함하여 구성하였고, 상기 제 2 노드(n2)를 디스차지하는 엔모스 트랜지스터는 상기 제 2 엔모스 트랜지스터(1119) 만을 포함하여 구성하였다. 이것은 상기 풀업 신호 생성부(510a)가 생성하는 상기 풀업 프리 드라이브 신호(pup)의 파형을 구현하기 위한 구성이기 때문이다. 도 7의 파형도를 참조하면 알 수 있듯이, 상기 풀업 프리 드라이브 신호(pup)는 상기 제 1 데이터(rdata)의 펄스 폭이 좁아지고, 반전된 형태이다. 상기 제 1 펄스 조절부(512a)가 상기 제 1 데이터(rdata) 및 상기 제 1 딜레이 신호(d1)를 낸드 연산하여 상기 풀업 프리 드라이브 신호(pup)를 생성하기 때문에, 상기 제 1 딜레이 신호(d1)의 라이징 엣지(rising edge)의 타이밍이 상기 풀업 프리 드라이브 신호(pup)의 펄스 폭을 결정한다. 위에서 언급한 도 11에 도시된 상기 제 1 가변 지연 인버터(511-1) 및 상기 제 2 가변 지연 인버터(511-2)의 구성은 상기 제 1 임피던스 교정 신호(pcode<0:2>) 및 제 2 임피던스 교정 신호(ncode<0:2>)에 따른 상기 제 1 딜레이 신호(d1)의 라이징 엣지의 타이밍을 결정하기 위한 구성이다. 상기 제 1 딜레이 신호(d1)의 폴링 엣지(falling edge)는 상기 풀업 프리 드라이브 신호(pup)의 파형에 영향을 주지 않기 때문에 상기 제 1 노드(n1)를 차지 하는 상기 제 1 피모스 트랜지스터(1111) 및 상기 제 2 노드(n2)를 디스차지하는 상기 제 2 엔모스 트랜지스터(1119)는 상기 제 1 임피던스 교정 신호(pcode<0:2>) 및 제 2 임피던스 교정 신호(ncode<0:2>)를 입력받는 트랜지스터들의 병렬 조합으로 구성될 필요가 없다. 따라서 면적 효율을 위해 상기 제 1 피모스 트랜지스터(1111) 및 상기 제 2 엔모스 트랜지스터(1119)처럼 단일 트랜지스터로서 구성하는 것이 바람직하다. 상기 제 1 가변 지연 인버터(511-1) 및 상기 제 2 가변 지연 인버터(511-2)가 상기 제 1 데이터(rdata)의 라이징 엣지를 얼마나 지연하여 상기 제 1 딜레이 신호(d1)를 생성하는 지에 따라 상기 드라이버부(600)가 상기 출력 노드(no)를 동시에 차지 및 디스차지 하는 상기 일정 시간이 달라진다. 도 11에 도시된 상기 제 1 딜레이 신호 생성부(511a)가 상기 제 1 데이터(rdata)의 라이징 엣지를 지연한 시간은 상기 드라이버부(600)가 상기 제 1 데이터(rdata)의 펄스 폭 보다 오래 상기 출력 노드(no)를 차지하도록 하고, 도 12에서 제시될 제 2 딜레이 신호 생성부(521)가 상기 제 2 데이터(fdata)의 폴링 엣지를 지연한 시간은 상기 드라이버부(600)가 상기 제 2 데이터(fdata)의 펄스 폭보다 오래 상기 출력 노드(no)를 디스차지 하도록 한다. 따라서 도 11에 도시된 상기 제 1 딜레이 신호 생성부(511a)가 상기 제 1 데이터(rdata)의 라이징 엣지를 지연한 시간과 도 12에서 제시될 상기 제 2 딜레이 신호 생성부(521)가 상기 제 2 데이터(fdata)의 폴링 엣지를 지연한 시간의 합은 상기 일정 시간과 같다. Referring to the circuit diagram of FIG. 11, the first variable delay inverter 511-1 configures NMOS transistors for discharging the first node n1 in parallel and the second variable delay inverter 511-2. ) Shows that the PMOS transistors occupying the second node n2 are configured in parallel connection. The PMOS transistor occupying the first node n1 includes only the first PMOS transistor 1111, and the NMOS transistor discharged from the second node n2 is the second NMOS transistor ( 1119) only. This is because the configuration of the waveform of the pull-up pre-drive signal (pup) generated by the pull-up signal generator 510a. As shown in the waveform diagram of FIG. 7, the pull-up pre-drive signal pup has a narrow pulse width of the first data rdata and is inverted. Since the first pulse controller 512a performs the NAND operation on the first data rdata and the first delay signal d1 to generate the pull-up pre-drive signal pup, the first delay signal d1 is generated. The timing of the rising edge of () determines the pulse width of the pull-up pre-drive signal (pup). The above-described configuration of the first variable delay inverter 511-1 and the second variable delay inverter 511-2 shown in FIG. 11 includes the first impedance correction signal pcode <0: 2> and the first variable delay inverter 511-2. 2 is a configuration for determining the timing of the rising edge of the first delay signal d1 according to the impedance correction signal ncode <0: 2>. Since the falling edge of the first delay signal d1 does not affect the waveform of the pull-up pre-drive signal pup, the first PMOS transistor 1111 occupies the first node n1. ) And the second NMOS transistor 1119, which discharges the second node n2, may include the first impedance correction signal pcode <0: 2> and the second impedance correction signal ncode <0: 2>. It does not need to be configured as a parallel combination of transistors that receive. Therefore, for the area efficiency, it is preferable to configure a single transistor as the first PMOS transistor 1111 and the second NMOS transistor 1119. How the first variable delay inverter 511-1 and the second variable delay inverter 511-2 delays the rising edge of the first data rdata to generate the first delay signal d1 Accordingly, the predetermined time during which the driver unit 600 simultaneously charges and discharges the output node no varies. The delay time of the rising edge of the first data rdata by the first delay signal generator 511a shown in FIG. 11 is longer than the pulse width of the first data rdata by the driver 600. The driver node 600 causes the output node to occupy the output node no, and delays the falling edge of the second data fdata by the second delay signal generator 521 shown in FIG. 12. The output node no is discharged longer than the pulse width of 2 data fdata. Accordingly, the delay time of the rising edge of the first data rdata by the first delay signal generator 511a shown in FIG. 11 and the second delay signal generator 521 to be presented in FIG. The sum of the delay times of the falling edges of two data fdata is equal to the predetermined time.

도 12는 도 10에 도시된 상기 풀다운 신호 생성부(520)의 일 실시예에 따른 회로도이다. 위에서 설명한 것처럼, 상기 풀다운 신호 생성부(520)는 상기 제 1 임피던스 교정 신호(pcode<0:2>) 및 제 2 임피던스 교정 신호(ncode<0:2>)에 따라 상기 제 2 데이터(fdata)의 펄스 폭을 조절하여 풀다운 프리 드라이브 신호(pdn)로서 출력한다. 상기 풀다운 신호 생성부(520)는 제 2 딜레이 신호 생성부(521) 및 제 2 펄스 조절부(522)를 포함하여 구성될 수 있다. 도 12에 도시된 상기 풀다운 신호 생성부(520)는 상기 제 2 딜레이 신호 생성부(521)를 통해 제 2 딜레이 신호(d2)를 생성하고, 상기 제 2 데이터(fdata) 및 상기 제 2 딜레이 신호(d2)를 상기 제 2 펄스 조절부(522)를 통해 노어(NOR) 연산함으로써 생성하도록 구성되었다.FIG. 12 is a circuit diagram of an example of the pull-down signal generator 520 of FIG. 10. As described above, the pull-down signal generator 520 may generate the second data fdata according to the first impedance calibration signal pcode <0: 2> and the second impedance calibration signal ncode <0: 2>. The pulse width is adjusted and output as a pull-down free drive signal pdn. The pulldown signal generator 520 may include a second delay signal generator 521 and a second pulse controller 522. The pulldown signal generator 520 illustrated in FIG. 12 generates a second delay signal d2 through the second delay signal generator 521, and generates the second data fdata and the second delay signal. (d2) is generated by performing a NOR operation through the second pulse controller 522.

상기 제 2 펄스 조절부(522)는 상기 제 2 데이터(fdata) 및 상기 제 2 딜레이 신호(d2)를 입력받아 상기 풀다운 프리 드라이브 신호(pdn)를 생성한다. 도 12에서 상기 제 2 펄스 조절부(522)는 상기 제 2 데이터(fdata) 및 상기 제 2 딜레이 신호(d2)를 입력받는 제 1 노어 게이트(NR3)를 포함하여 구성될 수 있다.The second pulse controller 522 receives the second data fdata and the second delay signal d2 to generate the pull-down free drive signal pdn. In FIG. 12, the second pulse controller 522 may include a first NOR gate NR3 that receives the second data fdata and the second delay signal d2.

상기 제 2 딜레이 신호 생성부(521)는 상기 제 1 임피던스 교정 신호(pcode<0:2>) 및 제 2 임피던스 교정 신호(ncode<0:2>)에 따라 상기 제 2 데이터(fdata)를 지연하여 제 2 딜레이 신호(d2)로서 출력한다. 상기 제 2 딜레이 신호 생성부(521)는 상기 제 1 딜레이 신호 생성부(510a)와 유사한 구성으로 예시되었다. 상기 제 2 딜레이 신호 생성부(521)는 상기 제 1 딜레이 신호 생성부(510a)처럼, 두 개의 가변 지연 인버터의 조합으로 구성되었다. 상기 제 2 딜레이 신호 생성부(521)는 도 7의 파형도에서 보이는 것처럼, 상기 제 1 딜레이 신호 생성부(510)와 달리 상기 제 2 데이터(fdata)의 펄스 폭을 넓게 조절하여 상기 풀다운 프리 드라이브 신호(pdn)를 생성한다. 즉, 상기 제 2 딜레이 신호(d2)의 폴링 엣지(falling edge) 타이밍을 결정하기 위해 구성되었다. 상기 제 2 딜레이 신호 생성부(521)의 구성 및 동작 원리는 상기 제 1 딜레이 신호 생성부(510a)의 구성 및 동작 원리와 대칭적이고 유사하므로 자세한 설명은 생략한다.The second delay signal generator 521 delays the second data fdata according to the first impedance correction signal pcode <0: 2> and the second impedance correction signal ncode <0: 2>. To output as a second delay signal d2. The second delay signal generator 521 is illustrated in a similar configuration to the first delay signal generator 510a. The second delay signal generator 521 is composed of a combination of two variable delay inverters, like the first delay signal generator 510a. As shown in the waveform diagram of FIG. 7, the second delay signal generator 521 controls the pulse width of the second data fdata to be wider than the first delay signal generator 510 so as to widen the pull-down free drive. Generate a signal pdn. That is, it is configured to determine the falling edge timing of the second delay signal d2. The configuration and operation principle of the second delay signal generation unit 521 are symmetrical and similar to the configuration and operation principle of the first delay signal generation unit 510a, and thus a detailed description thereof will be omitted.

도 13은 도 10에 도시된 상기 풀업 신호 생성부(510)의 다른 실시예(510b)에 따른 회로도이다. 도 13에 도시된 상기 풀업 신호 생성부(510b)는 도 11에 도시된 상기 풀업 신호 생성부(510a)와 달리 상기 제 1 딜레이 신호 생성부(511b)에 딜레이 인에이블 신호(enb)를 입력받는 두 개의 트랜지스터(Pe, Ne)를 추가로 포함한다. 상기 딜레이 인에이블 신호(enb)는 로우 액티브(Low Active) 신호로서 테스트 모드 신호를 사용하여 구성될 수 있다. 도 13에서 도시된 상기 풀업 신호 생성부(510b)는 상기 딜레이 인에이블 신호(enb)가 활성화되면 도 11에 도시된 상기 풀업 신호 생성부(510a)처럼 상기 제 1 데이터(rdata)를 상기 제 1 임피던스 교정 신호(pcode<0:2>) 및 제 2 임피던스 교정 신호(ncode<0:2>)에 따라 펄스 폭을 조절하여 상기 풀업 프리 드라이브 신호(pup)로서 출력한다. 하지만 도 13에 도시된 상기 풀업 신호 생성부(510b)는 상기 딜레이 인에이블 신호(enb)가 비활성화되면 도 11에 도시된 상기 풀업 신호 생성부(501a)와 달리 상기 제 1 데이터(rdata)의 펄스 폭을 조절하지 않고 상기 풀업 프리 드라이브 신호(pup)로서 출력한다. 도 13에 도시된 상기 제 1 딜레이 신호 생성부(511b)는 도 11에 도시된 상기 제 1 딜레이 신호 생성부(511a)와 달리 상기 딜레이 인에이블 신호(enb)를 입력받는 두 개의 트랜지스터(Pe, Ne)를 추가로 포함한다. 상기 제 1 딜레이 신호 생성부(511b)는 상기 제 1 딜레이 신호 생성부(511a)의 상기 제 1 피모스 트랜지스터(P1) 및 상기 전원 전압(Vcc) 단자 사이에 상기 딜레이 인에이블 신호(enb)를 입력받는 스위치 피모스 트랜지스터(1301)를 추가로 포함한다. 또한 상기 제 1 딜레이 신호 생성부(511b)는 도 11에 도시된 상기 제 1 딜레이 신호 생성부(511a)의 상기 제 1 노드(n1)에 해당하는 제 5 노드(n5) 및 접지 단자 사이에 상기 딜레이 인에이블 신호(enb)를 입력받는 스위치 엔모스 트랜지스터(1302)를 추가로 포함한다. 상기 딜레이 인에이블 신호(enb)가 활성화 되면 상기 스위치 피모스 트랜지스터(1301)는 턴온되고 상기 스위치 엔모스 트랜지스터(1302)는 턴오프되어 상기 제 1 딜레이 신호 생성부(511b)는 상기 제 1 딜레이 신호 생성부(511a)와 같이 동작한다. 반대로, 상기 딜레이 인에이블 신호(enb)가 활성화 되면 상기 스위치 피모스 트랜지스터(1301)는 턴오프되고 상기 스위치 엔모스 트랜지스터(1302)는 턴온되어 상기 제 1 딜레이 신호 생성부(511b)는 제 6 노드(n6)의 전압을 로우 레벨로 변화, 즉 상기 제 1 딜레이 신호(d1)를 로우 레벨로 고정하여 출력한다. 상기 제 1 딜레이 신호(d1)는 상기 제 1 낸드 게이트(ND1)에 입력되기 때문에, 낸드 연산의 특성상, 로우 레벨의 상기 제 1 딜레이 신호(d1)를 입력받는 상기 제 1 낸드 게이트(ND1)는 인버터로서 동작하게 된다. 이에 따라 상기 풀업 프리 드라이브 신호(pup)는 상기 제 1 데이터(rdata)와 동일한 펄스 폭을 가지는 신호가 된다. 이처럼 상기 제 1 딜레이 신호 생성부(511b)가 상기 제 1 딜레이 신호 생성부(511a)와 달리 상기 딜레이 인에이블 신호(enb)를 추가로 입력 받음으로써, 상기 풀업 신호 생성부(510b)가 펄스 폭을 조절하는 동작을 활성화/비활성화 시킬 수 있다. 상기 풀다운 신호 생성부(520) 또한 상기 딜레이 인에이블 신호(enb)를 추가로 입력 받음으로써 즉, 도 13에 도시된 상기 제 1 딜레이 신호 생성부(511b)와 같이 상기 제 2 딜레이 신호 생성부(520)를 구성함으로써 상기 풀다운 신호 생성부(520)가 펄스 폭을 조절하는 동작을 활성화/비활성화 시킬 수 있다. FIG. 13 is a circuit diagram according to another embodiment 510b of the pull-up signal generator 510 shown in FIG. 10. Unlike the pull-up signal generator 510a illustrated in FIG. 11, the pull-up signal generator 510b receives a delay enable signal enb from the first delay signal generator 511b. It further includes two transistors (Pe, Ne). The delay enable signal enb may be configured using a test mode signal as a low active signal. When the delay enable signal enb is activated, the pull-up signal generator 510b shown in FIG. 13 performs the first data rdata like the pull-up signal generator 510a shown in FIG. The pulse width is adjusted according to the impedance calibration signal pcode <0: 2> and the second impedance calibration signal ncode <0: 2> and output as the pull-up free drive signal pup. However, when the delay enable signal enb is deactivated, the pull-up signal generator 510b shown in FIG. 13 is different from the pull-up signal generator 501a shown in FIG. 11. Output as the pull-up pre-drive signal pup without adjusting the width. Unlike the first delay signal generator 511a illustrated in FIG. 11, the first delay signal generator 511b illustrated in FIG. 13 may include two transistors Pe, which receive the delay enable signal enb. Ne) additionally. The first delay signal generator 511b may apply the delay enable signal enb between the first PMOS transistor P1 and the power voltage Vcc terminal of the first delay signal generator 511a. The switch PMOS transistor 1301 further includes an input. In addition, the first delay signal generator 511b may be disposed between the fifth node n5 corresponding to the first node n1 of the first delay signal generator 511a and the ground terminal of FIG. 11. The switch NMOS transistor 1302 may further include a delay enable signal enb. When the delay enable signal enb is activated, the switch PMOS transistor 1301 is turned on and the switch NMOS transistor 1302 is turned off, so that the first delay signal generator 511b is turned on by the first delay signal. It operates in the same manner as the generation unit 511a. In contrast, when the delay enable signal enb is activated, the switch PMOS transistor 1301 is turned off and the switch NMOS transistor 1302 is turned on so that the first delay signal generator 511b is a sixth node. The voltage of n6 is changed to a low level, that is, the first delay signal d1 is fixed at a low level and output. Since the first delay signal d1 is input to the first NAND gate ND1, the first NAND gate ND1 that receives the first delay signal d1 having a low level has a characteristic of NAND operation. It acts as an inverter. Accordingly, the pull-up pre-drive signal pup becomes a signal having the same pulse width as the first data rdata. As described above, unlike the first delay signal generator 511a, the first delay signal generator 511b receives the delay enable signal enb additionally so that the pull-up signal generator 510b receives a pulse width. You can enable / disable the operation to control. The pulldown signal generator 520 also receives the delay enable signal enb additionally, that is, the second delay signal generator 511b as shown in FIG. 13. By configuring 520, the pull-down signal generator 520 may activate / deactivate an operation of adjusting the pulse width.

도 10 내지 도 13에 도시된, 본 발명의 일 실시예에 따른 출력 드라이버는 종래 기술에 따른 출력 드라이버와 달리 상기 풀업 프리 드라이브 신호(pup) 및 상기 풀다운 프리 드라이브 신호(pdn)의 펄스 폭을 조절함을 통해 노멀 출력 모드에서의 상기 출력 신호(out)의 슬루 레이트를 조절하고, 또한 제 1 임피던스 교정 신호(pcode<0:2>) 및 제 2 임피던스 교정 신호(ncode<0:2>)에 응답하여 상기 펄스 폭을 변화시키기 때문에 PVT 변화에 둔감한 슬루 레이트 특성을 가진다. 10 to 13, the output driver according to an embodiment of the present invention, unlike the output driver according to the prior art, adjusts the pulse width of the pull-up pre-drive signal (pup) and the pull-down free drive signal (pdn) To adjust the slew rate of the output signal out in the normal output mode, and also to the first impedance correction signal pcode <0: 2> and the second impedance correction signal ncode <0: 2>. In response, the pulse width is varied so that it has a slew rate characteristic insensitive to PVT variation.

도 14a는 종래 기술에 따른 출력 드라이버의 PVT 변화 대비 슬루 레이트의 시뮬레이션 결과이고, 도 14b는 본 발명의 실시예에 따른 출력 드라이버가 PVT 변화에 둔감한 슬루 레이트 특성을 가짐을 보여주는 시뮬레이션 결과이다. 도 14a 및 도 14b에 도시된 점들의 무리는 전원 전압(Vcc)을 단계별로 고정하고(2.00V, 1.80V, 1.65V, 1.50V, 1.35V 및 1.20V) 공정(Process) 및 온도(Temperature)를 변화 시킨 경우에 계산된 슬루 레이트의 결과값들 이다. FIG. 14A is a simulation result of slew rate versus PVT change of an output driver according to the prior art, and FIG. 14B is a simulation result showing that the output driver has a slew rate characteristic insensitive to PVT change. The bunch of dots shown in FIGS. 14A and 14B lock the supply voltage (Vcc) step by step (2.00V, 1.80V, 1.65V, 1.50V, 1.35V, and 1.20V) and process and temperature These are the results of the calculated slew rate when the is changed.

도 14a 및 도 14b을 참조하면, 전압(Voltage) 변화에 따라 전원 전압(Vcc)이 변화하였을 경우 변화하는 슬루 레이트의 기울기를 볼 때, 도 14b쪽이 도 14a쪽 보다 슬루 레이트의 기울기가 낮은 것을 볼 수 있다. 이처럼 본 발명의 실시예에 따른 출력 드라이버는 종래 기술의 출력 드라이버보다 전압 변화에 따른 슬루 레이트 변화가 작다. Referring to FIGS. 14A and 14B, when the slope of the slew rate changes when the power supply voltage Vcc changes according to the voltage voltage, the slope of the slew rate is lower than that of FIG. 14A. can see. As such, the output driver according to the embodiment of the present invention has a smaller slew rate change due to voltage change than the output driver of the prior art.

또한 도 14a 및 도 14b를 참조하면, 공정 및 온도의 변화에 따라 달라지는 슬루 레이트의 분산 정도를 볼 때, 도 14b쪽이 도9a쪽 보다 분산 정도가 낮은 것을 볼 수 있다. 이처럼 본 발명의 실시예에 따른 출력 드라이버는 종래 기술의 출력 드라이버보다 공정 및 온도 변화에 따른 슬루 레이트 변화가 작다.14A and 14B, when the degree of dispersion of the slew rate varies depending on the process and the temperature, it can be seen that the degree of dispersion of FIG. 14B is lower than that of FIG. 9A. As such, the output driver according to the embodiment of the present invention has a smaller slew rate change due to process and temperature change than the output driver of the prior art.

본 발명이 속하는 기술분야의 당업자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있으므로, 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적인 것이 아닌 것으로서 이해해야만 한다. 본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.
As those skilled in the art to which the present invention pertains may implement the present invention in other specific forms without changing the technical spirit or essential features, the embodiments described above are intended to be illustrative in all respects and should not be considered as limiting. Should be. The scope of the present invention is shown by the following claims rather than the detailed description, and all changes or modifications derived from the meaning and scope of the claims and their equivalents should be construed as being included in the scope of the present invention. do.

10/100a/100b/510/510a/510b: 풀업 신호 생성부
20/200a/200b/520: 풀다운 신호 생성부
30/300: 풀업 프리 드라이버부 40/400: 풀다운 프리 드라이버부
50a/50b: 풀업 메인 드라이버부 60a/60b: 풀다운 메인 드라이버부
70: 데이터 결정부 71: 제 1 데이터 생성부
72: 제 2 데이터 생성부 80: 임피던스 교정 신호 생성부
110a/110b/511a/511b: 제 1 딜레이 신호 생성부
111: 제 1 모드 선택부 112: 제 1 딜레이부
120/512a/512b: 제 1 펄스 조절부
210a/210b/521: 제 2 딜레이 신호 생성부
211: 제 2 모드 선택부 212: 제 2 딜레이부
220/522: 제 2 펄스 조절부 500: 펄스 폭 조절부
511-1: 제 1 가변 지연 인버터 511-2: 제 2 가변 지연 인버터
600: 드라이버부
10 / 100a / 100b / 510 / 510a / 510b: pull-up signal generator
20 / 200a / 200b / 520: Pulldown signal generator
30/300: pull-up free driver part 40/400: pull-down free driver part
50a / 50b: pull-up main driver section 60a / 60b: pull-down main driver section
70: data determining unit 71: first data generating unit
72: second data generator 80: impedance calibration signal generator
110a / 110b / 511a / 511b: first delay signal generator
111: first mode selection unit 112: first delay unit
120 / 512a / 512b: first pulse control unit
210a / 210b / 521: second delay signal generator
211: second mode selection unit 212: second delay unit
220/522: second pulse adjusting unit 500: pulse width adjusting unit
511-1: First Variable Delay Inverter 511-2: Second Variable Delay Inverter
600: driver unit

Claims (19)

제 1 데이터의 펄스 폭을 조절하여 풀업 프리 드라이브 신호로서 출력하는 풀업 신호 생성부;
제 2 데이터의 펄스 폭을 조절하여 풀다운 프리 드라이브 신호로서 출력하는 풀다운 신호 생성부
상기 풀업 프리 드라이브 신호를 입력받고 풀업 메인 드라이브 신호를 생성하는 풀업 프리 드라이버부;
상기 풀다운 프리 드라이브 신호를 입력받고 풀다운 메인 드라이브 신호를 생성하는 풀다운 프리 드라이버부;
상기 풀업 메인 드라이브 신호에 따라 출력 노드를 차지하는 풀업 메인 드라이버부; 및
상기 풀다운 메인 드라이브 신호에 따라 상기 출력 노드를 디스차지하는 제 2 드라이버부를 포함하는 출력 드라이버.
A pull-up signal generator which adjusts a pulse width of the first data and outputs the pull-up free drive signal;
Pull-down signal generator for adjusting the pulse width of the second data to output as a pull-down free drive signal
A pull-up pre-driver unit configured to receive the pull-up pre-drive signal and generate a pull-up main drive signal;
A pull-down pre-driver unit configured to receive the pull-down free drive signal and generate a pull-down main drive signal;
A pull-up main driver unit occupying an output node according to the pull-up main drive signal; And
And a second driver unit configured to discharge the output node according to the pull-down main drive signal.
제 1 항에 있어서,
상기 풀업 신호 생성부는 선택 신호가 활성화되면 상기 제 1 데이터의 펄스 폭을 조절하여 상기 풀업 프리 드라이브 신호로서 출력하고 상기 선택 신호가 비활성화되면 상기 제 1 데이터의 펄스 폭을 조절하지 않고 상기 풀업 프리 드라이브 신호로서 출력하는 것을 특징으로 하는 출력 드라이버.
The method of claim 1,
The pull-up signal generation unit adjusts the pulse width of the first data when the selection signal is activated and outputs the pull-up pre-drive signal. When the selection signal is inactivated, the pull-up pre-drive signal does not adjust the pulse width of the first data. Output driver, characterized in that output as.
제 1 항에 있어서,
상기 풀다운 신호 생성부는 선택 신호가 활성화되면 상기 제 2 데이터의 펄스 폭을 조절하여 상기 풀다운 프리 드라이브 신호로서 출력하고 상기 선택 신호가 비활성화되면 상기 제 2 데이터의 펄스 폭을 조절하지 않고 상기 풀다운 프리 드라이브 신호로서 출력하는 것을 특징으로 하는 출력 드라이버.
The method of claim 1,
The pull-down signal generation unit adjusts the pulse width of the second data when the selection signal is activated and outputs the pull-down free drive signal. When the selection signal is inactivated, the pull-down free drive signal does not adjust the pulse width of the second data. Output driver, characterized in that output as.
제 1 임피던스 교정 신호 및 제 2 임피던스 교정 신호에 따라 제 1 데이터의 펄스 폭을 조절하여 풀업 프리 드라이브 신호로서 출력하고, 제 2 데이터의 펄스 폭을 조절하여 풀다운 프리 드라이브 신호를 출력하는 펄스 폭 조절부; 및
상기 풀업 프리 드라이브 신호 및 상기 풀다운 프리 드라이브 신호에 응답하여 출력 노드를 구동하는 드라이버부를 포함하고,
상기 드라이버부는 데이터 출력 모드에서, 상기 출력 노드를 일정 시간 동시에 차지 및 디스차지하는 반도체 장치.
A pulse width adjusting unit configured to adjust a pulse width of the first data and output the pull-up free drive signal according to the first impedance correction signal and the second impedance correction signal, and output a pull-down free drive signal by adjusting the pulse width of the second data. ; And
A driver unit driving an output node in response to the pull-up free drive signal and the pull-down free drive signal;
And the driver unit charges and discharges the output node simultaneously for a predetermined time in a data output mode.
제 4 항에 있어서,
상기 드라이버부는 상기 풀업 프리 드라이브 신호에 응답하여 상기 출력 노드를 차지하고, 상기 풀다운 프리 드라이브 신호에 응답하여 상기 출력 노드를 디스차지하고,
상기 일정 시간은 상기 펄스 폭 조절부가 펄스 폭을 조절하는 정도에 해당하는 반도체 장치.
The method of claim 4, wherein
The driver unit occupies the output node in response to the pull-up free drive signal, discharges the output node in response to the pull-down free drive signal,
The predetermined time period corresponds to a degree in which the pulse width control unit adjusts the pulse width.
제 4 항에 있어서,
상기 펄스 폭 조절부는 상기 제 1 임피던스 교정 신호 및 상기 제 2 임피던스 교정 신호에 따라 상기 제 1 데이터를 가변 지연하여 제 1 딜레이 신호로서 출력하고, 상기 제 2 데이터를 가변 지연하여 제 2 딜레이 신호로서 출력하는 딜레이 신호 생성부; 및
상기 제 1 데이터 및 상기 제 1 딜레이 신호를 입력받아 상기 풀업 프리 드라이브 신호를 생성하고, 상기 제 2 데이터 및 상기 제 2 딜레이 신호를 입력받아 상기 풀다운 프리 드라이브 신호를 생성하는 펄스 조절부를 포함하는 반도체 장치.
The method of claim 4, wherein
The pulse width adjusting unit may variably delay the first data and output the first delay signal as a first delay signal according to the first impedance correction signal and the second impedance correction signal, and output the second delay signal as a second delay signal. A delay signal generator; And
And a pulse controller configured to receive the first data and the first delay signal to generate the pull-up pre-drive signal, and to receive the second data and the second delay signal to generate the pull-down free drive signal. .
제 6 항에 있어서,
상기 딜레이 신호 생성부는 상기 제 1 데이터의 라이징 엣지를 지연하여 상기 제 1 딜레이 신호를 생성하고, 상기 제 2 데이터의 폴링 엣지를 지연하여 상기 제 2 딜레이 신호를 생성하는 반도체 장치.
The method according to claim 6,
And the delay signal generator generates the first delay signal by delaying the rising edge of the first data, and generates the second delay signal by delaying the falling edge of the second data.
제 6 항에 있어서,
상기 딜레이 신호 생성부는 상기 제 1 데이터의 폴링 엣지를 지연하여 상기 제 1 딜레이 신호를 생성하고, 상기 제 2 데이터의 라이징 엣지를 지연하여 상기 제 2 딜레이 신호를 생성하는 반도체 장치.
The method according to claim 6,
The delay signal generator is configured to delay the falling edge of the first data to generate the first delay signal, and to delay the rising edge of the second data to generate the second delay signal.
제 6 항에 있어서,
상기 딜레이 신호 생성부는 상기 제 1 임피던스 교정 신호를 입력받는 피모스 트랜지스터 및 상기 제 2 임피던스 교정 신호를 입력받는 엔모스 트랜지스터를 포함하여 구성된 반도체 장치.
The method according to claim 6,
The delay signal generator includes a PMOS transistor configured to receive the first impedance correction signal and an NMOS transistor configured to receive the second impedance correction signal.
제 9 항에 있어서,
상기 딜레이 신호 생성부는 상기 제 1 임피던스 교정 신호를 입력받는 제 1 가변 지연 인버터 및 상기 제 2 임피던스 교정 신호를 입력받는 제 2 가변 지연 인버터를 포함하여 구성되는 반도체 장치.
The method of claim 9,
The delay signal generator includes a first variable delay inverter receiving the first impedance correction signal and a second variable delay inverter receiving the second impedance correction signal.
제 4 항에 있어서,
상기 펄스 폭 조절부는 딜레이 인에이블 신호를 추가로 입력받고 상기 딜레이 인에이블 신호에 따라 각각 상기 제 1 데이터 및 상기 제 2 데이터의 펄스 폭을 조절하거나 조절하지 않고 상기 풀업 프리 드라이브 신호 및 상기 풀다운 프리 드라이브 신호로서 출력하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
The method of claim 4, wherein
The pulse width adjusting unit further receives a delay enable signal and adjusts or does not adjust a pulse width of the first data and the second data according to the delay enable signal, respectively, and the pull-up free drive signal and the pull-down free drive. Output as a signal, a semiconductor device.
제 4 항에 있어서,
상기 펄스 폭 조절부는 상기 제 1 임피던스 교정 신호 및 상기 제 2 임피던스 교정 신호에 따라 상기 제 1 데이터의 펄스 폭을 조절하여 상기 풀업 프리 드라이브 신호로서 출력하는 풀업 신호 생성부; 및
상기 제 1 임피던스 교정 신호 및 상기 제 2 임피던스 교정 신호에 따라 상기 제 2 데이터의 펄스 폭을 조절하여 상기 풀다운 프리 드라이브 신호로서 출력하는 풀다운 신호 생성부를 포함하고,
상기 풀업 신호 생성부는 상기 드라이버부가 상기 출력 노드를 상기 제 1 데이터의 펄스 폭보다 더 오래 차지 하도록 상기 풀업 프리 드라이브 신호를 생성하고,
상기 풀다운 신호 생성부는 상기 드라이버부가 상기 출력 노드를 상기 제 2 데이터의 펄스 폭보다 더 오래 디스차지 하도록 상기 풀다운 프리 드라이브 신호를 생성하는 반도체 장치.
The method of claim 4, wherein
The pulse width adjusting unit may include a pull-up signal generation unit configured to adjust the pulse width of the first data according to the first impedance calibration signal and the second impedance calibration signal and output the same as the pull-up free drive signal; And
A pull-down signal generation unit configured to adjust the pulse width of the second data according to the first impedance calibration signal and the second impedance calibration signal and output the same as the pull-down free drive signal;
The pull-up signal generation unit generates the pull-up pre-drive signal so that the driver occupies the output node longer than the pulse width of the first data,
And the pull-down signal generator generates the pull-down free drive signal such that the driver discharges the output node longer than a pulse width of the second data.
제 4 항에 있어서,
상기 드라이버부는 상기 제 1 임피던스 교정 신호 및 상기 제 2 임피던스 교정 신호를 추가로 입력받고, 상기 제 1 임피던스 교정 신호에 따라 온 다이 터미네이션 모드 시 상기 출력 노드에 대한 차지 전류가 결정되고 상기 제 2 임피던스 교정 신호에 따라 상기 온 다이 터미네이션 모드 시 상기 출력 노드에 대한 디스차지 전류가 결정되는 반도체 장치.
The method of claim 4, wherein
The driver unit may further receive the first impedance calibration signal and the second impedance calibration signal, determine a charge current for the output node in an on die termination mode according to the first impedance calibration signal, and correct the second impedance. And a discharge current for the output node is determined in the on die termination mode according to a signal.
제 4 항에 있어서,
상기 드라이버부는 상기 풀업 프리 드라이브 신호를 입력받아 풀업 메인 드라이브 신호를 생성하고, 상기 풀다운 프리 드라이브 신호를 입력받아 풀다운 메인 드라이브 신호를 생성하는 프리 드라이버부; 및
상기 풀업 메인 드라이브 신호에 응답하여 상기 출력 노드를 차지하고 상기 풀다운 메인 드라이브 신호에 응답하여 상기 출력노드를 디스차지하는 메인 드라이버부를 포함하는 반도체 장치.
The method of claim 4, wherein
The driver unit receives the pull-up pre-drive signal to generate a pull-up main drive signal, and receives the pull-down pre-drive signal to generate a pull-down main drive signal; And
And a main driver unit occupying the output node in response to the pull-up main drive signal and discharging the output node in response to the pull-down main drive signal.
제 14 항에 있어서,
상기 프리 드라이버부는 상기 풀업 메인 드라이브 신호 및 상기 풀다운 메인 드라이브 신호에 대해 고정된 구동력을 가지는 반도체 장치.
The method of claim 14,
The pre-driver unit has a fixed driving force with respect to the pull-up main drive signal and the pull-down main drive signal.
제 4 항에 있어서,
제 1 소스 신호, 제 2 소스 신호 및 ODT 인에이블 신호에 응답하여 상기 제 1 데이터 및 상기 제 2 데이터를 생성하는 데이터 결정부를 추가로 포함하는 반도체 장치.
The method of claim 4, wherein
And a data determiner configured to generate the first data and the second data in response to a first source signal, a second source signal, and an ODT enable signal.
제 16 항에 있어서,
상기 데이터 결정부는 상기 ODT 인에이블 신호가 비활성화되면 상기 제 1 소스 신호를 상기 제 1 데이터로서 출력하고 상기 제 2 소스 신호를 상기 제 2 데이터로서 출력하고,
상기 ODT 인에이블 신호가 활성화되면 상기 풀업 드라이버부 및 상기 풀다운 드라이버부가 온 다이 터미네이션 동작을 수행하도록 상기 제 1 데이터 및 제 2 데이터를 생성하는 반도체 장치.
17. The method of claim 16,
The data determiner outputs the first source signal as the first data and the second source signal as the second data when the ODT enable signal is inactivated.
And generating the first data and the second data so that the pull-up driver unit and the pull-down driver unit perform an on die termination operation when the ODT enable signal is activated.
제 17 항에 있어서,
상기 ODT 인에이블 신호는 상기 온 다이 터미네이션 모드 시 활성화 되고 상기 데이터출력 모드 시 비활성화 되는 반도체 장치.
The method of claim 17,
And the ODT enable signal is activated in the on die termination mode and inactivated in the data output mode.
제 4 항에 있어서,
ZQ 패드에 연결된 외부 저항의 임피던스 값을 확인하고, 그 결과에 따라 상기 제 1 및 제 2 임피던스 교정 신호를 생성하는 임피던스 교정 신호 생성부를 추가로 포함하는 반도체 장치.
The method of claim 4, wherein
And an impedance calibration signal generator for checking an impedance value of an external resistor connected to a ZQ pad and generating the first and second impedance calibration signals according to the result.
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