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KR20130073190A - Dicing die bonding film and the semiconductor device - Google Patents

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KR20130073190A
KR20130073190A KR1020110140904A KR20110140904A KR20130073190A KR 20130073190 A KR20130073190 A KR 20130073190A KR 1020110140904 A KR1020110140904 A KR 1020110140904A KR 20110140904 A KR20110140904 A KR 20110140904A KR 20130073190 A KR20130073190 A KR 20130073190A
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KR
South Korea
Prior art keywords
adhesive layer
dicing die
bonding film
film
weight
Prior art date
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Ceased
Application number
KR1020110140904A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
송규석
김지호
최재원
김진만
김혜진
Original Assignee
제일모직주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 제일모직주식회사 filed Critical 제일모직주식회사
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Priority to PCT/KR2012/011106 priority patent/WO2013094983A1/en
Priority to TW101148677A priority patent/TW201333149A/en
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Abstract

본원 발명은 점착층 및 상기 점착층에 적층된 접착층을 포함하며, -20℃ 내지 0℃에서 상기 점착층에 대한 접착층의 탄성 모듈러스의 비가 1 내지 10이 되도록 함으로써, 다이싱 공정시 웨이퍼의 뒤틀림 현상을 억제하여 박막 웨이퍼의 저온 분단성 및 픽업 공정성이 우수한 다이싱 다이본딩 필름에 관한 것이다.
또한, 본원 발명은 충진제를 함유하여 물성이 단단하면서도 경화 전 점착력이 우수한 반도체용 점착 필름 및 상기 점착 필름을 포함하는 다이싱 다이본딩 필름에 관한 것이다.The present invention includes a pressure-sensitive adhesive layer and an adhesive layer laminated on the pressure-sensitive adhesive layer, the warpage phenomenon of the wafer during the dicing process by making the ratio of the elastic modulus of the adhesive layer to the pressure-sensitive adhesive layer at -20 ° C to 0 ° C to 1 to 10 The present invention relates to a dicing die-bonding film having excellent low temperature division property and pick-up processability of a thin film wafer.
In addition, the present invention relates to a dicing die-bonding film comprising a pressure-sensitive adhesive film for semiconductors containing a filler and excellent adhesive strength before curing and the adhesive film.

Description

다이싱 다이본딩 필름 및 반도체 장치{Dicing die bonding film and the semiconductor device}Dicing die bonding film and the semiconductor device

본원 발명은 점착층 및 상기 점착층에 적층된 접착층을 포함하며, -20℃ 내지 0℃에서 상기 점착층에 대한 접착층의 탄성 모듈러스의 비가 1 내지 10이 되도록 함으로써, 다이싱 공정시 웨이퍼의 뒤틀림 현상을 억제하여 박막 웨이퍼의 저온 분단성 및 픽업 공정성이 우수한 다이싱 다이본딩 필름에 관한 것이다.
The present invention includes a pressure-sensitive adhesive layer and an adhesive layer laminated on the pressure-sensitive adhesive layer, the warpage phenomenon of the wafer during the dicing process by making the ratio of the elastic modulus of the adhesive layer to the pressure-sensitive adhesive layer at -20 ° C to 0 ° C to 1 to 10 The present invention relates to a dicing die-bonding film having excellent low temperature division property and pick-up processability of a thin film wafer.

다이싱 필름(점착층)은 다이싱 공정에서 반도체 웨이퍼(wafer)를 고정하기 위해 사용되는 필름을 말한다. 다이싱 공정은 반도체 웨이퍼를 개개의 칩으로 절단하는 공정으로서, 상기 다이싱 공정에 연속해서 익스팬드 공정, 픽업 공정 및 마운팅 공정이 수행된다. 이러한 다이싱 필름은 통상 염화 비닐이나 폴리올레핀 구조의 기재 필름 위에 자외선 경화형 혹은 일반 경화형의 점착제를 코팅하고, 그 위에 PET 재질의 커버 필름을 접착하는 것으로 구성된다.The dicing film (adhesive layer) refers to a film used for fixing a semiconductor wafer in a dicing process. A dicing process is a process of cutting a semiconductor wafer into individual chips, and an expand process, a pick-up process, and a mounting process are performed successively to the said dicing process. Such a dicing film is usually composed of a UV-curable or general curable pressure-sensitive adhesive on a base film of vinyl chloride or polyolefin structure and adhering a cover film of PET material thereon.

한편, 일반적인 반도체 조립용 접착 필름은 반도체 웨이퍼에 접착 필름을 부착하고, 여기에 상기와 같은 구성을 갖는 다이싱 필름을 커버 필름이 제거된 상태에서 겹쳐 바른 뒤 다이싱 공정에 따라 조각화하는 것이다. 최근에는 다이싱 다이본딩용 반도체 조립용 접착제로서 PET 커버 필름을 제거한 다이싱 필름과 접착 필름을 서로 합지시켜 하나의 필름으로 만든 뒤, 그 위에 반도체 웨이퍼를 부착하고 다이싱 공정에 따라 조각화하는 경향이다.
On the other hand, the adhesive film for general semiconductor assembly attaches an adhesive film to a semiconductor wafer, and overlaps the dicing film which has the above structure in this state in the state which removed the cover film, and fragments it according to a dicing process. Recently, as an adhesive for semiconductor assembly for dicing die bonding, a dicing film from which a PET cover film has been removed and an adhesive film are laminated together to form a single film, and then a semiconductor wafer is attached thereon and fragmented according to a dicing process. .

일반적인 다이싱 공정에는 다이아몬드 블레이드(diamond blade)를 이용한 절단 방식이 있다. 상기 다이아몬드 블레이드를 이용한 절단 방법은 블레이드의 회전에 의해 접착층이 실오라기처럼 말려 올라가는 버(burr)와 이물이 생겨나, 칩 적층 공정의 불량 유발 및 신뢰성 저하의 문제가 발생한다.A general dicing process is a cutting method using a diamond blade. In the cutting method using the diamond blade, burrs and foreign matters in which the adhesive layer is rolled up like a yarn due to the rotation of the blades are generated, causing problems of chip failure and failure of chip stacking process.

또한 전자 제품의 경박단소화 및 회로 패턴의 미세화에 따라 웨이퍼 두께가 얇아짐에 따라 다이아몬드 블레이드에 의한 물리적인 절단은 한계에 이르고 있다. 박막 웨이퍼에 기존의 다이아몬드 블레이드 방식을 적용하는 경우, 웨이퍼에 전달되는 압력이 상대적으로 강하게 작용하여 웨이퍼에 절단면 외의 크랙이 발생하게 되고 이로 인해 쉽게 깨어지는 등의 문제가 발생되기 때문이다. 이러한 문제점을 해결하기 위하여 웨이퍼 내부에 레이저를 집광시켜 선택적으로 개질부를 형성하고, 그 뒤 저온에서 물리적인 인장을 통해 선택적 개질부 라인을 따라 웨이퍼를 접착층과 함께 개별화하는 스텔스 다이싱(stealth dicing) 방법이 대두되고 있다.
In addition, as the thickness of the wafer becomes thin due to the thinning and shortening of electronic products and the miniaturization of circuit patterns, physical cutting by diamond blades has reached its limit. When the existing diamond blade method is applied to the thin film wafer, the pressure delivered to the wafer is relatively strong, causing cracks on the wafer to be cut off outside the cutting plane, which causes breakage. In order to solve this problem, a stealth dicing method for condensing a laser inside the wafer to selectively form a modified portion, and then individualizing the wafer together with an adhesive layer along the selective modified line through physical tension at low temperature. This is emerging.

상기 다이아몬드 블레이드 방식과 달리 스텔스 다이싱 방법은 물리적인 인장을 통해 웨이퍼를 개별화하기 때문에 다이싱 다이본딩 필름의 접착층과 점착층에 전달되는 인장력이 균일할 것이 요구된다. 그렇지 않은 경우 두 층간의 계면이 들뜨는 현상이 발생하게 되어 두 층간의 점착력이 약해짐은 물론 이에 따라 웨이퍼의 뒤틀림(warpage) 현상이 심하게 나타나 웨이퍼의 분단성 저하를 야기하게 된다.Unlike the diamond blade method, since the stealth dicing method separates the wafers through physical tension, the tensile force transmitted to the adhesive layer and the adhesive layer of the dicing die bonding film is required to be uniform. Otherwise, the interface between the two layers is lifted up, and thus the adhesion between the two layers is weakened, and accordingly, the warpage of the wafer is severe, resulting in a decrease in segmentation of the wafer.

따라서, 박막 웨이퍼의 효율적인 분단성 및 픽업 공정성을 위해, 스텔스 다이싱 등의 수행시 저온 상태(-20℃ 내지 0℃)에서 필름에 가해지는 인장력이 접착층과 점착층에 고르게 전달될 수 있도록 조성된 필름의 개발이 요구된다.
Therefore, for efficient partitioning and pick-up processability of the thin film wafer, the tensile force applied to the film in a low temperature state (-20 ° C. to 0 ° C.) during stealth dicing and the like can be evenly transmitted to the adhesive layer and the adhesive layer. Development of film is required.

다이싱 공정 또는 픽업 공정의 공정성에 관한 선행 기술로는 다음과 같은 기술들을 들 수 있다.Prior arts regarding the fairness of the dicing process or the pick-up process include the following techniques.

대한민국등록특허공보 제10-0804891호는 다이 접착층과 다이싱 필름층 사이에 중간층을 포함하는 다이싱 다이 접착 필름으로서, 상기 중간층의 저장 탄성 모듈러스가 상기 다이 접착층 및 다이싱 필름층 보다 큰 것을 특징으로 한다. 상기 저장 탄성 모듈러스는 25℃ 이상에서 측정된 것으로, 이는 상온 이상에서 수행되는 다이아몬드 블레이드 방식에 적용할 것을 염두에 둔 것이고, 저온(일반적으로 0℃ 이하)에서 수행되는 스텔스 방식 등에 적합한 것은 아니다.Republic of Korea Patent Publication No. 10-0804891 is a dicing die adhesive film comprising an intermediate layer between the die adhesive layer and the dicing film layer, characterized in that the storage elastic modulus of the intermediate layer is larger than the die adhesive layer and dicing film layer. do. The storage elastic modulus is measured at 25 ° C. or higher, which is intended to be applied to the diamond blade method performed at room temperature or higher, and is not suitable for a stealth method performed at low temperature (generally 0 ° C. or lower).

또 다른 선행 기술로 대한민국등록특허공보 제10-0956751호는 에폭시 당량이 1,000 내지 10,000의 범위 내인 가교성 에폭시기를 포함하는 아크릴계 고분자 수지를 사용하는 반도체 조립용 접착 필름으로서, 25℃, 10 내지 1,000 mm/min의 인장 조건에 대하여 1,000 mm/min의 인장 속도에서 측정된 파단 신율이 50 내지 150%인 반도체 조립용 접착 필름에 관한 것이다. 상기 제10-0956751호 역시 박막 웨이퍼에는 적합하지 않은, 상온 이상에서 수행되는 다이아몬드 블레이드 방식에 적용되는 필름에 해당된다.In another prior art, Korean Patent Publication No. 10-0956751 is an adhesive film for assembling a semiconductor using an acrylic polymer resin containing a crosslinkable epoxy group having an epoxy equivalent in the range of 1,000 to 10,000, and is 25 ° C. and 10 to 1,000 mm. The present invention relates to an adhesive film for semiconductor assembly, wherein the elongation at break measured at a tensile speed of 1,000 mm / min for a tensile condition of / min is 50 to 150%. 10-0956751 also corresponds to a film applied to a diamond blade method performed at room temperature or higher, which is not suitable for a thin film wafer.

따라서, 웨이퍼의 개별화를 위해 저온에서 수행되는 스텔스 다이싱 등의 방법에 의해야 하는 박막 웨이퍼에 적용하여, 웨이퍼의 저온 분단성 및 픽업 공정성을 향상시킬 수 있도록 조성된 필름에 대하여는 선행 기술 어디에도 개시된 바가 없다.
Therefore, as disclosed in any of the prior arts for a film formed to be applied to a thin film wafer to be subjected to a method such as stealth dicing performed at a low temperature for individualization of the wafer, and to improve the low temperature segmentation and pick-up processability of the wafer. none.

대한민국등록특허공보 B1 제10-0804891호 (2008.02.20.공고)Republic of Korea Patent Publication B1 No. 10-0804891 (August 20, 2008) 대한민국등록특허공보 B1 제10-0956721호 (2010.05.06.공고)Republic of Korea Patent Publication B1 No. 10-0956721 (Jun. 10, 2010)

본 발명자들은 박막 웨이퍼의 효율적인 저온 분단성 및 픽업 공정성 향상을 위해, 스텔스 다이싱 등의 수행시 저온 상태에서 필름에 가해지는 인장력이 접착층과 점착층에 고르게 전달될 수 있도록 하기 위해서는 접착층과 점착층의 탄성 모듈러스의 차이가 크지 않아야 함을 인식하고, -20℃ 내지 0℃에서의 점착층에 대한 접착층의 탄성 모듈러스의 비가 1 내지 10이 되도록 하여 저온 익스팬딩(expending) 시 웨이퍼의 뒤틀림 현상이 억제되어 웨이퍼의 절단 및 픽업 공정성을 향상시키는 다이싱 다이본딩 필름을 개발하기에 이르렀다.
The inventors of the present invention have found that the adhesive layer and the adhesive layer of the adhesive layer and the adhesive layer in order to ensure that the tensile force applied to the film in the low temperature state during the stealth dicing, such as to improve the low-temperature partitioning and pickup processability of the thin film wafer evenly Recognizing that the difference between the elastic modulus should not be large, the ratio of the elastic modulus of the adhesive layer to the adhesive layer at -20 ℃ to 0 ℃ to 1 to 10 to suppress the warping of the wafer during low temperature expansion (expending) Dicing die-bonding films have been developed that improve the cutting and picking processability of wafers.

본원 발명은, 박막 웨이퍼에 적용되는 다이싱 다이본딩 필름으로서, 저온 익스팬딩 시 웨이퍼의 뒤틀림 현상, 칩 플라잉(Chip flying) 현상을 억제하여 저온 분단성을 향상시키는 다이싱 다이본딩 필름을 제공하는 것을 목적으로 한다.The present invention provides a dicing die-bonding film applied to a thin-film wafer, which provides a dicing die-bonding film that suppresses warping and chip flying of the wafer during low-temperature expansion and improves low-temperature division. The purpose.

또한 본원 발명은 박막 웨이퍼의 절단 및 픽업 공정성이 우수한 다이싱 다이본딩 필름을 제공하는 것을 목적으로 한다.In addition, an object of the present invention is to provide a dicing die-bonding film excellent in cutting and pickup processability of a thin film wafer.

또한 본원 발명은 충진제를 함유하여 물성이 단단하면서도 경화 전 점착력이 우수한 반도체용 점착 필름 및 상기 점착 필름을 포함하는 다이싱 다이본딩 필름을 제공하는 것을 목적으로 한다.
In addition, an object of the present invention is to provide a dicing die-bonding film comprising a pressure-sensitive adhesive film for semiconductor and excellent adhesive strength before hardening containing a filler and the adhesive film.

본원 발명의 일 양태는 저온에서 접착층 및 점착층에 작용하는 인장력이 고르게 전달될 수 있도록 기존에 비해 점착층의 탄성 모듈러스를 높여 접착층과 점착층의 탄성 모듈러스의 차이를 작게 한, 다이싱 다이본딩 필름을 제공한다.One aspect of the present invention is to increase the elastic modulus of the pressure-sensitive adhesive layer compared to the existing to reduce the difference between the elastic modulus of the adhesive layer and the pressure-sensitive adhesive layer so that the tensile force acting on the adhesive layer and the pressure-sensitive adhesive layer at a low temperature, dicing die bonding film To provide.

또한 본원 발명의 일 양태는, 저온에서의 점착층에 대한 접착층의 탄성 모듈러스의 비가 1 내지 10이 되도록 점착층의 탄성 모듈러스를 높이기 위하여, 기존의 점착층에서는 점착력 저하의 이유로 사용되지 않았던 충진제를 점착층의 일 구성 요소로 포함하는 다이싱 다이본딩 필름을 제공한다.In addition, one aspect of the present invention, in order to increase the elastic modulus of the pressure-sensitive adhesive layer so that the ratio of the elastic modulus of the adhesive layer to the pressure-sensitive adhesive layer at a low temperature is 1 to 10, in the conventional pressure-sensitive adhesive layer, the filler which was not used for the reason of lowering the adhesive force It provides a dicing die-bonding film comprising as one component of a layer.

또한 본원 발명의 일 양태는, 충진제를 함유하는 점착층이면서도 UV 경화 전 점착력이 우수한 점착층 및 이를 포함하는 다이싱 다이본딩 필름을 제공한다.
In addition, an aspect of the present invention provides a pressure-sensitive adhesive layer and a dicing die-bonding film comprising the same, but also a pressure-sensitive adhesive layer containing a filler before UV curing.

이하, 본원 발명의 양태들을 보다 구체적으로 설명한다. 다만 본원 발명의 내용이 이에 제한되는 것은 아니다.
Hereinafter, aspects of the present invention will be described in more detail. However, the content of the present invention is not limited thereto.

본원 발명의 일 양태는,According to one aspect of the present invention,

a) 점착층; 및a) an adhesive layer; And

b) 상기 점착층에 적층된 접착층;b) an adhesive layer laminated on the adhesive layer;

을 포함하며, -20℃ 내지 0℃에서 상기 점착층(x)에 대한 접착층(y)의 탄성 모듈러스의 비(y/x)가 1 내지 10인, 다이싱 다이본딩 필름을 제공한다.
It includes, and the ratio (y / x) of the elastic modulus of the adhesive layer (y) to the adhesive layer (y) at -20 ℃ to 0 ℃ provides a dicing die bonding film.

본원 발명의 또 다른 일 양태에 따르면, 상기 점착층은, 점착층의 고형분 100 중량부에 대하여 0.1 내지 10 중량부의 충진제를 함유하는, 다이싱 다이본딩 필름을 제공한다.According to another aspect of the present invention, the pressure-sensitive adhesive layer provides a dicing die-bonding film containing 0.1 to 10 parts by weight of a filler with respect to 100 parts by weight of the solid content of the pressure-sensitive adhesive layer.

본원 발명의 또 다른 일 양태에 따르면, 상기 충진제는, 금가루, 은가루, 동분, 니켈, 알루미나, 수산화알루미늄, 수산화마그네슘, 탄산칼슘, 탄산마그네슘, 규산칼슘, 규산마그네슘, 산화칼슘, 산화마그네슘, 산화알루미늄, 질화알루미늄, 실리카, 질화붕소, 이산화티타늄, 유리, 산화철 및 세라믹으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상인, 다이싱 다이본딩 필름을 제공한다.According to another aspect of the present invention, the filler is gold powder, silver powder, copper powder, nickel, alumina, aluminum hydroxide, magnesium hydroxide, calcium carbonate, magnesium carbonate, calcium silicate, magnesium silicate, calcium oxide, magnesium oxide, aluminum oxide It provides a dicing die-bonding film, which is at least one selected from the group consisting of aluminum nitride, silica, boron nitride, titanium dioxide, glass, iron oxide, and ceramics.

본원 발명의 또 다른 일 양태에 따르면, 상기 충진제는 실리카인, 다이싱 다이본딩 필름을 제공한다.
According to another aspect of the present invention, the filler provides a dicing die-bonding film, silica.

본원 발명의 또 다른 일 양태에 따르면, 상기 점착층이,According to another aspect of the present invention, the adhesive layer,

상기 점착층의 고형분 100 중량부에 대하여,With respect to 100 weight part of solid content of the said adhesion layer,

a) 아크릴계 수지를 함유하는 바인더 수지 60 내지 95 중량부;a) 60 to 95 parts by weight of a binder resin containing an acrylic resin;

b) 경화제 0.1 내지 10 중량부;b) 0.1 to 10 parts by weight of the curing agent;

c) 광 개시제 0.1 내지 15 중량부;c) 0.1 to 15 parts by weight of photoinitiator;

d) 충진제 0.1 내지 10 중량부; 및d) 0.1 to 10 parts by weight of the filler; And

e) 실란 커플링제 0.1 내지 10 중량부;e) 0.1 to 10 parts by weight of the silane coupling agent;

를 함유하는 것을 특징으로 하는, 다이싱 다이본딩 필름을 제공한다.
It provides the dicing die-bonding film characterized by containing.

본원 발명의 또 다른 일 양태에 따르면, 상기 점착층의 UV 경화 전 박리력이 1 N/25mm 이상인, 다이싱 다이본딩 필름을 제공한다.According to another aspect of the present invention, a dicing die-bonding film, the peeling force before UV curing of the pressure-sensitive adhesive layer is 1 N / 25mm or more.

본원 발명의 또 다른 일 양태에 따르면, 상기 점착층의 -10℃에서의 탄성 모듈러스가 150 내지 2,500 MPa인, 다이싱 다이본딩 필름을 제공한다.According to another aspect of the present invention, the elastic modulus of the pressure-sensitive adhesive layer at -10 ° C provides a dicing die bonding film, 150 to 2,500 MPa.

본원 발명의 또 다른 일 양태에 따르면, 상기 접착층의 -10℃에서의 탄성 모듈러스가 1,500 내지 3,500 MPa인, 다이싱 다이본딩 필름을 제공한다.According to another aspect of the present invention, the elastic modulus at -10 ° C of the adhesive layer provides a dicing die-bonding film, 1,500 to 3,500 MPa.

본원 발명의 또 다른 일 양태에 따르면, 상기 접착층의 -10℃에서의 탄성 모듈러스가 1,800 내지 2,500 MPa인, 다이싱 다이본딩 필름을 제공한다.
According to another aspect of the present invention, the adhesive modulus at -10 ℃ provides a dicing die-bonding film, 1,800 to 2,500 MPa.

본원 발명의 또 다른 일 양태에 따르면, 배선 기판 및 반도체 칩을 포함하며 상기의 다이싱 다이본딩 필름으로 접속된 반도체 장치를 제공한다.
According to still another aspect of the present invention, there is provided a semiconductor device including a wiring board and a semiconductor chip and connected with the dicing die bonding film described above.

본원 발명의 다이싱 다이본딩 필름은 박막 웨이퍼에 적용되는 다이싱 다이본딩 필름으로서, 저온 익스팬딩 시 웨이퍼의 뒤틀림 현상, 칩 플라잉(Chip flying) 현상을 억제하여 저온 분단성을 향상시키는 효과를 갖는다.The dicing die-bonding film of the present invention is a dicing die-bonding film applied to a thin film wafer, and has an effect of suppressing warp and chip flying phenomena of the wafer during low-temperature expansion, thereby improving low-temperature splitability.

또한 본원 발명은 박막 웨이퍼의 절단 및 픽업 공정성이 우수한 다이싱 다이본딩 필름을 제공하는 효과를 갖는다.In addition, the present invention has the effect of providing a dicing die-bonding film excellent in cutting and pickup processability of the thin film wafer.

또한 본원 발명은 충진제를 함유하여 물성이 단단하면서도 경화 전 점착력이 우수한 반도체용 점착 필름 및 상기 점착 필름을 포함하는 다이싱 다이본딩 필름을 제공하는 효과를 갖는다.
In another aspect, the present invention has the effect of providing a pressure-sensitive adhesive film for semiconductors and a dicing die-bonding film comprising the pressure-sensitive adhesive film containing a filler and excellent adhesive strength before curing.

이하, 본원 발명에 대하여 보다 상세히 설명한다. 본원 명세서에 기재되지 아니한 사항은 본원 발명의 기술 분야 또는 유사 분야에서 숙련된 자이면 충분히 인식하고 유추할 수 있는 것이므로 그 설명을 생략한다.
Hereinafter, the present invention will be described in more detail. Those skilled in the art will appreciate that those skilled in the art will appreciate that various modifications, additions and substitutions are possible, without departing from the scope and spirit of the invention as disclosed in the accompanying claims.

본원 발명의 일 양태는,According to one aspect of the present invention,

a) 점착층; 및a) an adhesive layer; And

b) 상기 점착층에 적층된 접착층;b) an adhesive layer laminated on the adhesive layer;

을 포함하며, -20℃ 내지 0℃에서 상기 점착층(x)에 대한 접착층(y)의 탄성 모듈러스의 비(y/x)가 1 내지 10인, 다이싱 다이본딩 필름을 제공한다.
It includes, and the ratio (y / x) of the elastic modulus of the adhesive layer (y) to the adhesive layer (y) at -20 ℃ to 0 ℃ provides a dicing die bonding film.

상기 탄성 모듈러스(Elastic modulus)의 측정 방법은 특별히 제한되지 아니하며 당해 기술 분야에서 통상적으로 사용하는 방법을 사용할 수 있다. 탄성 모듈러스를 측정하는 방법의 비제한적인 일 예시는 다음과 같다: 제조된 접착 필름 또는 점착 필름을 일정 크기(예를 들어, 가로 7 mm × 세로 15 mm × 두께 430 ㎛)로 절단하여 측정 온도 범위를 -30℃ 내지 170℃로 하고, 승온 조건 4℃/분, 진동수를 10 Hz로 한다. 상기 조건에서 DMA(Dynamic Mechanical Analyzer; TA사의 Q800)를 이용하여 탄성 모듈러스를 측정할 수 있다.The measuring method of the elastic modulus is not particularly limited and may be a method commonly used in the art. One non-limiting example of a method for measuring the elastic modulus is as follows: Measuring temperature range by cutting the prepared adhesive film or adhesive film to a certain size (for example, 7 mm × 15 mm × 430 μm in thickness) Is -30 degreeC-170 degreeC, temperature rising condition 4 degree-C / min, and frequency is 10 Hz. Under the above conditions, elastic modulus may be measured using a DMA (Q800).

상기 점착층(x)에 대한 접착층(y)의 탄성 모듈러스의 비(y/x)는 1 내지 10일 수 있고, 보다 바람직하게는 1 내지 8일 수 있으며, 가장 바람직하게는 3 내지 6일 수 있다.The ratio (y / x) of the elastic modulus of the adhesive layer y to the adhesive layer x may be 1 to 10, more preferably 1 to 8, and most preferably 3 to 6 days. have.

상기 점착층에 대한 접착층의 탄성 모듈러스의 비가 1 미만일 경우에는 점착층과 접착층이 분단되는 현상 및/또는 칩플라잉 현상이 발생할 수 있으며 이에 따라 칩 픽업성이 불량해지는 문제가 있고, 10을 초과할 경우에는 접착층의 저온 분단성이 저하되는 문제가 있다.
When the ratio of the elastic modulus of the adhesive layer to the adhesive layer is less than 1, a phenomenon in which the adhesive layer and the adhesive layer are divided and / or chip flying may occur, thereby resulting in poor chip pick-up property. There is a problem that the low-temperature partitioning property of the adhesive layer is lowered.

본원 발명의 또 다른 일 양태에 따르면, 상기 점착층은, 점착층의 고형분 100 중량부에 대하여 0.1 내지 10 중량부의 충진제를 함유하는, 다이싱 다이본딩 필름을 제공한다.According to another aspect of the present invention, the pressure-sensitive adhesive layer provides a dicing die-bonding film containing 0.1 to 10 parts by weight of a filler with respect to 100 parts by weight of the solid content of the pressure-sensitive adhesive layer.

본원 발명의 점착층에 사용될 수 있는 상기 충진제는 특별히 제한되지 아니하며, 당해 기술 분야에서 알려진 것을 사용할 수 있다. 상기 충진제의 비제한적인 예로는 금속성분인 금가루, 은가루, 동분, 니켈 등을 사용할 수 있고, 비금속성분인 알루미나, 수산화알루미늄, 수산화마그네슘, 탄산칼슘, 탄산마그네슘, 규산칼슘, 규산마그네슘, 산화칼슘, 산화마그네슘, 산화알루미늄, 질화알루미늄, 실리카, 질화붕소, 이산화티타늄, 유리, 산화철 또는 세라믹 등을 사용할 수 있다. 이들은 단독 또는 2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다.The filler that can be used in the pressure-sensitive adhesive layer of the present invention is not particularly limited, and those known in the art may be used. Non-limiting examples of the filler may be metal powders such as gold powder, silver powder, copper powder, nickel, and the like, non-metallic components such as alumina, aluminum hydroxide, magnesium hydroxide, calcium carbonate, magnesium carbonate, calcium silicate, magnesium silicate, calcium oxide, Magnesium oxide, aluminum oxide, aluminum nitride, silica, boron nitride, titanium dioxide, glass, iron oxide or ceramic can be used. These may be used alone or in combination of two or more.

본원 발명의 점착층에 사용되는 상기 충진제는 바람직하게는 실리카를 사용할 수 있다.The filler used in the pressure-sensitive adhesive layer of the present invention may preferably use silica.

상기 충진제의 형상과 크기는 특별히 제한되지 아니하나, 통상적으로 무기 필러 중에서는 구형 실리카와 무정형 실리카가 주로 사용되고, 그 크기는 5 ㎚ 내지 5 ㎛인 것이 바람직하다.The shape and size of the filler are not particularly limited, but in the inorganic filler, spherical silica and amorphous silica are mainly used, and the size of the filler is preferably 5 nm to 5 μm.

상기 충진제는 상기 점착층의 고형분 100 중량부에 대하여 0.1 내지 10 중량부로 함유되는 것이 바람직하며, 보다 바람직하게는 0.5 내지 8 중량부일 수 있고, 가장 바람직하게는 1 내지 5 중량부일 수 있다. 상기 범위 내에서 뛰어난 저온 분단성을 획득할 수 있으며, 필름의 형성이 용이해지고 피착제에 대한 점착성이 향상되며, 소잉 또는 픽업과 같은 공정에 있어서 공정성이 향상되는 이점이 있다.
The filler is preferably contained in an amount of 0.1 to 10 parts by weight, more preferably 0.5 to 8 parts by weight, and most preferably 1 to 5 parts by weight, based on 100 parts by weight of the solid content of the adhesive layer. It is possible to obtain excellent low-temperature division properties within the above range, to facilitate formation of a film, to improve adhesion to an adherend, and to improve processability in a process such as sawing or picking up.

본원 발명의 또 다른 일 양태에 따르면, 상기 점착층이,According to another aspect of the present invention, the adhesive layer,

점착층의 고형분 100 중량부에 대하여,About 100 weight part of solids of an adhesion layer,

a) 아크릴계 수지를 함유하는 바인더 수지 60 내지 95 중량부;a) 60 to 95 parts by weight of a binder resin containing an acrylic resin;

b) 경화제 0.1 내지 10 중량부;b) 0.1 to 10 parts by weight of the curing agent;

c) 광 개시제 0.1 내지 15 중량부;c) 0.1 to 15 parts by weight of photoinitiator;

d) 충진제 0.1 내지 10 중량부; 및d) 0.1 to 10 parts by weight of the filler; And

e) 실란 커플링제 0.1 내지 10 중량부;e) 0.1 to 10 parts by weight of the silane coupling agent;

를 함유하는 것을 특징으로 하는, 다이싱 다이본딩 필름을 제공한다.
It provides the dicing die-bonding film characterized by containing.

본원 발명의 점착층에 사용되는 상기 아크릴계 수지로는 상기 점착층에 점착력을 부여해줄 수 있는 아크릴계 모노머를 주 모노머로 하고, 거기에 기능성 아크릴 모노머 및 중합반응 개시제를 부가하여 중합 반응함으로써 제조될 수 있다. 바람직하게는, 아크릴 모노머, 기능성 아크릴 모노머 및 중합반응 개시제가 중합 반응되어 아크릴 폴리올 점착 바인더 수지를 제조할 수 있다.As the acrylic resin used in the pressure-sensitive adhesive layer of the present invention, an acrylic monomer capable of imparting adhesion to the pressure-sensitive adhesive layer may be prepared as a main monomer, and a functional acrylic monomer and a polymerization initiator are added thereto to polymerize the reaction. . Preferably, the acrylic monomer, the functional acrylic monomer, and the polymerization initiator may be polymerized to prepare an acrylic polyol adhesive binder resin.

상기 아크릴 모노머는 필름에 점착력을 부여하는 기능을 하는 것으로, 상기 아크릴 모노머의 종류는 특별히 제한되지 아니하며 당해 기술 분야에서 통상적으로 사용하는 것을 사용할 수 있다. 상기 아크릴 모노머로는 탄소수 4 개 내지 20 개의 아크릴산 에스테르 또는 메타크릴산 에스테르 등을 사용할 수 있다. 상기 아크릴 모노머의 비제한적인 예로는, 2-에틸헥실아크릴레이트, 2-에틸헥실메타크릴레이트, 이소옥틸아크릴레이트, 에틸아크릴레이트, n-부틸아크릴레이트, 이소부틸아크릴레이트 또는 옥타데실메타크릴레이트 등을 들 수 있다. 이들은 단독 또는 2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다.The acrylic monomer has a function of imparting adhesion to the film, and the type of the acrylic monomer is not particularly limited and may be one commonly used in the art. As the acrylic monomer, an acrylic acid ester or methacrylic acid ester having 4 to 20 carbon atoms may be used. Non-limiting examples of the acrylic monomer, 2-ethylhexyl acrylate, 2-ethylhexyl methacrylate, isooctyl acrylate, ethyl acrylate, n-butyl acrylate, isobutyl acrylate or octadecyl methacrylate Etc. can be mentioned. These may be used alone or in combination of two or more.

상기 기능성 아크릴 모노머는 특별히 제한되지 아니하며 당해 기술 분야에서 통상적으로 사용하는 것을 사용할 수 있다. 상기 기능성 아크릴 모노머의 비제한적인 예로는 히드록시 모노머, 에폭시기 모노머 또는 반응성 모노머 등을 들 수 있다. 이들은 단독 또는 2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다. 이들 중 보다 바람직하게는 히드록시 모노머와 에폭시기 모노머의 조합을 사용할 수 있다.The functional acrylic monomer is not particularly limited and may be used that is commonly used in the art. Non-limiting examples of the functional acrylic monomers include hydroxy monomers, epoxy group monomers or reactive monomers. These may be used alone or in combination of two or more. More preferably, a combination of a hydroxy monomer and an epoxy group monomer can be used.

상기 히드록시 모노머는 특별히 제한되지 아니하며, 당해 기술 분야에서 통상적으로 사용하는 것을 사용할 수 있다. 상기 히드록시 모노머로는 히드록시기를 포함하는 탄소수 4 개 내지 20 개의 아크릴산 에스테르 또는 메타크릴산 에스테르 등을 사용할 수 있다. 상기 히드록시 모노머의 비제한적인 예로는, 히드록시메틸메타크릴레이트, 2-히드록시에틸메타크릴레이트, 2-히드록시에틸아크릴레이트, 4-히드록시부틸아크릴레이트, 히드록시프로필메타크릴레이트 또는 비닐카프로락탐 등을 들 수 있다. 이들은 단독 또는 2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다.The hydroxy monomer is not particularly limited, and those commonly used in the art may be used. As the hydroxy monomer, an acrylic acid ester or methacrylic acid ester having 4 to 20 carbon atoms including a hydroxy group may be used. Non-limiting examples of the hydroxy monomers include hydroxymethyl methacrylate, 2-hydroxyethyl methacrylate, 2-hydroxyethyl acrylate, 4-hydroxybutyl acrylate, hydroxypropyl methacrylate or Vinyl caprolactam etc. are mentioned. These may be used alone or in combination of two or more.

상기 에폭시기 모노머는 특별히 제한되지 아니하며, 당해 기술 분야에서 통상적으로 사용하는 것을 사용할 수 있다. 상기 에폭시기 모노머로는 에폭시기를 포함하고 탄소수 4 개 내지 20 개인 아크릴산 에스테르 또는 메타크릴산 에스테르 등을 사용할 수 있다. 상기 에폭시기 모노머의 비제한적인 예로는, 글리시딜아크릴레이트 또는 글리시딜메타크릴레이트 등을 들 수 있다.The epoxy group monomer is not particularly limited, and those commonly used in the art may be used. As the epoxy group monomer, an acrylic acid ester or methacrylic acid ester including 4 to 20 carbon atoms may be used. Non-limiting examples of the epoxy group monomers include glycidyl acrylate, glycidyl methacrylate, and the like.

상기 반응성 모노머는 특별히 제한되지 아니하며, 탄소수 20 개 이상의 모노머를 단독으로 또는 2 종 이상을 혼합을 사용할 수 있다. 상기 반응성 모노머의 비제한적인 예로는, 라우릴아크릴레이트, 라우릴메타크릴레이트, 스테아릴메타크릴레이트, 세틸아크릴레이트, 옥타데실아크릴레이트, 옥타데실메타크릴레이트 등을 들 수 있다.The reactive monomer is not particularly limited, and a monomer having 20 or more carbon atoms or a mixture of two or more thereof may be used. Non-limiting examples of the reactive monomers include lauryl acrylate, lauryl methacrylate, stearyl methacrylate, cetyl acrylate, octadecyl acrylate, octadecyl methacrylate and the like.

상기 중합 반응 개시제는 특별히 제한되지 아니하며 당해 기술 분야에서 통상적으로 사용하는 것을 사용할 수 있다. 상기 중합 반응 개시제의 비제한적인 예로는, 아조비스이소부티로니트릴 등과 같은 아조비스계; 벤조일퍼옥사이드 등과 같은 유기 과산화물계 등의 라디칼 발생제를 사용할 수 있다. 한편, 필요에 따라 촉매 및/또는 중합 반응 금지제를 병용할 수 있다.The polymerization reaction initiator is not particularly limited and may be used commonly used in the art. Non-limiting examples of the polymerization initiator include azobis-based, such as azobisisobutyronitrile; Radical generators, such as organic peroxide type, such as benzoyl peroxide, etc. can be used. In addition, a catalyst and / or a polymerization reaction inhibitor can be used together as needed.

상기 중합 반응은 특별히 제한되지 아니하며 당해 기술 분야에서 통상적으로 사용하는 방법을 사용할 수 있다. 상기 중합 반응의 중합 온도는 바람직하게는 80 내지 120℃일 수 있고 중합 시간은 바람직하게는 1 내지 70 시간, 보다 바람직하게는 5 내지 15 시간일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.The polymerization reaction is not particularly limited and may be a method commonly used in the art. The polymerization temperature of the polymerization reaction may be preferably 80 to 120 ° C and the polymerization time is preferably 1 to 70 hours, more preferably 5 to 15 hours, but is not limited thereto.

상기 아크릴계 수지를 함유하는 바인더 수지는 상기 점착층의 고형분 100 중량부에 대하여 60 내지 95 중량부 일 수 있으며, 보다 바람직하게는 70 내지 95 중량부, 가장 바람직하게는 80 내지 95 중량부 일 수 있다. 상기의 함량 범위 내에서 신뢰성이 우수한 필름을 제조할 수 있다. 보다 구체적으로 상기의 범위 내에서 강한 초기 점착력을 획득할 수 있으며, 점착층의 형성이 용이하고 광경화 후 점착력 손실이 효과적으로 일어나 칩 픽업성이 향상되는 이점이 있다.
The binder resin containing the acrylic resin may be 60 to 95 parts by weight, more preferably 70 to 95 parts by weight, most preferably 80 to 95 parts by weight based on 100 parts by weight of the solid content of the adhesive layer. . It is possible to produce a film having excellent reliability within the above content range. More specifically, it is possible to obtain a strong initial adhesive force within the above range, there is an advantage in that the formation of the adhesive layer is easy and the adhesive force loss after the photocuring effectively occurs to improve the chip pickup.

본원 발명의 점착층에 사용되는 상기 경화제는 특별히 제한되지 아니하나 바람직하게는 이소시아네이트계 열 경화제를 사용할 수 있다. 상기 이소시아네이트계 경화제는 특별히 제한되지 아니하며 당해 기술 분야에서 통상적으로 사용하는 것을 사용할 수 있다. 상기 이소시아네이트계 열 경화제의 비제한적인 예로는, 2,4-트릴렌 디이소시아네이트, 2,6-트릴렌 디이소시아네이트, 수소화트릴렌 디이소시아네이트, 1,3-크실렌 디이소시아네이트, 1,4-크실렌 디이소시아네이트, 디페닐 메탄-4,4-디이소시아네이트, 1,3-비스이소시아네이토메틸 시클로헥산, 테트라메틸크실렌 디이소시아네이트, 1,5-나프탈렌디이소시아네이트, 2,2,4-트리메틸헥사메틸렌 디이소시아네이트, 2,4,4-트리메틸헥사메틸렌 디이소시아네이트, 트리메틸롤프로판의 트릴렌 디이소시아네이트 어덕트, 트리메틸롤프로판의 크실렌 디이소시아네이트 어덕트, 트리페닐메탄트리이소시아네이트, 메틸렌 비스 트리 이소시아네이트 등을 들 수 있다. 이들은 단독 또는 2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다.The curing agent used in the pressure-sensitive adhesive layer of the present invention is not particularly limited, but is preferably an isocyanate-based thermal curing agent. The isocyanate-based curing agent is not particularly limited and may be used commonly used in the art. Non-limiting examples of the isocyanate-based thermosetting agent include 2,4-trilene diisocyanate, 2,6-triylene diisocyanate, hydride triylene diisocyanate, 1,3-xylene diisocyanate, 1,4-xylene di Isocyanate, diphenyl methane-4,4-diisocyanate, 1,3-bisisocyanatomethyl cyclohexane, tetramethylxylene diisocyanate, 1,5-naphthalene diisocyanate, 2,2,4-trimethylhexamethylene diisocyanate And 2,4,4-trimethylhexamethylene diisocyanate, triylene diisocyanate adduct of trimethylolpropane, xylene diisocyanate adduct of trimethylolpropane, triphenylmethanetriisocyanate, methylene bistri isocyanate and the like. These may be used alone or in combination of two or more.

상기 경화제는 상기 점착층의 고형분 100 중량부에 대하여 0.1 내지 10 중량부일 수 있으며, 보다 바람직하게는 1 내지 10 중량부 일 수 있다. 상기 범위 내에서 경화 전후의 물성에 있어 기재 필름과의 밀착력이 강하여 기재 필름과 점착 코팅층간의 부착력이 낮아지는 현상 및 이에 따른 웨이퍼 또는 접착층으로의 전이 문제를 방지할 수 있으며, 미반응 이소시아네이트가 거의 생기지 않아 접착 필름과의 박리가 용이해지는 이점이 있다.
The curing agent may be 0.1 to 10 parts by weight, and more preferably 1 to 10 parts by weight, based on 100 parts by weight of the solid of the adhesive layer. Within this range, the adhesion between the base film and the adhesive film may be reduced due to the strong adhesion between the base film and the physical property before and after curing, thereby preventing the problem of transition to the wafer or the adhesive layer and hardly generating unreacted isocyanate. There is an advantage that the peeling with the adhesive film is easy.

본원 발명의 점착층에 사용되는 상기 광 개시제는 특별히 제한되지 아니하며 당해 기술 분야에서 통상적으로 사용하는 것을 사용할 수 있다. 상기 광 개시제로는 알파-아미노 케톤 타입의 화합물, 벤질다이메틸-케탈 타입의 화합물, 알파-하이드록시 케톤 타입의 화합물 등을 사용할 수 있다.The photoinitiator used in the pressure-sensitive adhesive layer of the present invention is not particularly limited and may be used commonly used in the art. Alpha-amino ketone type compounds, benzyldimethyl-ketal type compounds, alpha-hydroxy ketone type compounds, and the like may be used as the photoinitiator.

상기 광 개시제는 상기 점착층의 고형분 100 중량부에 대하여 0.1 내지 15 중량부로 포함되는 것이 바람직하며, 보다 바람직하게는 1 내지 10 중량부일 수 있고 가장 바람직하게는 3 내지 8 중량부일 수 있다. 상기 범위 내에서 광경화 후 점착력의 손실이 효과적으로 일어나며, 웨이퍼 또는 접착 필름과의 부착력이 지나치게 강해지는 현상을 방지하여 광경화 후 픽업성을 향상시키는 이점이 있다.
The photoinitiator may be included in an amount of 0.1 to 15 parts by weight, more preferably 1 to 10 parts by weight, and most preferably 3 to 8 parts by weight, based on 100 parts by weight of the solid content of the adhesive layer. Within this range, the loss of adhesive force occurs effectively after photocuring, and the adhesive force with the wafer or the adhesive film is prevented from being excessively strong, thereby improving pickup performance after photocuring.

본원 발명의 점착층에 사용되는 상기 실란 커플링제는 특별히 제한되지 아니하며 당해 기술 분야에서 통상적으로 사용되는 것을 사용할 수 있다. 상기 실란 커플링제의 비제한적인 예로는, 헥실트리메톡시 실란, 에폭시가 함유된 2-(3,4 에폭시 사이클로 헥실)-에틸트리메톡시실란, 3-글리시독시트리메톡시실란, 3-글리시독시프로필트리에톡시실란, 아민기가 함유된 N-2(아미노에틸)3-아미토프로필메틸디메톡시실란, N-2(아미노에틸)3-아미노프로필트리메톡시실란, N-2(아미노에틸)3-아미노프로필트리에톡시실란, 3-아미노프로필트리메톡시실란, 3-아미노프로필트리에톡시실란, 3-트리에톡시실리-N-(1,3-디메틸뷰틸리덴)프로필아민, N-페닐-3-아미노프로필트리메톡시실란, 머캅토가 함유된 3-머캅토프로필메틸디메톡시실란, 3-머캅토프로필트리에톡시실란, 이소시아네이트가 함유된 3-이소시아네이트프로필트리에톡시실란 등을 들 수 있다. 이들을 단독 또는 2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다.The silane coupling agent used in the pressure-sensitive adhesive layer of the present invention is not particularly limited, and those commonly used in the art may be used. Non-limiting examples of such silane coupling agents include hexyltrimethoxy silane, 2- (3,4 epoxy cyclohexyl) -ethyltrimethoxysilane, 3-glycidoxycitrimethoxysilane, 3-containing epoxy Glycidoxypropyltriethoxysilane, N-2 (aminoethyl) 3-amitopropylmethyldimethoxysilane containing an amine group, N-2 (aminoethyl) 3-aminopropyltrimethoxysilane, N-2 ( Aminoethyl) 3-aminopropyltriethoxysilane, 3-aminopropyltrimethoxysilane, 3-aminopropyltriethoxysilane, 3-triethoxysil-N- (1,3-dimethylbutylidene) propyl 3-isocyanate propyltri with amine, N-phenyl-3-aminopropyltrimethoxysilane, 3-mercaptopropylmethyldimethoxysilane with mercapto, 3-mercaptopropyltriethoxysilane, and isocyanate Oxysilane, etc. are mentioned. These may be used singly or in combination of two or more.

상기 실란 커플링제의 함량은 상기 점착층의 고형분 100 중량부에 대하여 0.1 내지 10 중량부로 함유되는 것이 바람직하며, 보다 바람직하게는 1 내지 7 중량부일 수 있고, 가장 바람직하게는 1 내지 5 중량부일 수 있다. 상기 범위 내에서 점착 필름의 부착력이 충분히 발현되어 점착 신뢰성이 향상되며, 실란 커플링제 간의 자체 반응을 방지함으로써, 부반응물의 증가로 인한 전체적인 필름 물성의 저하를 방지하는 이점이 있다.
The content of the silane coupling agent may be contained in an amount of 0.1 to 10 parts by weight, more preferably 1 to 7 parts by weight, and most preferably 1 to 5 parts by weight, based on 100 parts by weight of the solid content of the adhesive layer. have. The adhesion of the pressure-sensitive adhesive film is sufficiently expressed within the above range, thereby improving the adhesion reliability, and by preventing the self-reaction between the silane coupling agents, there is an advantage of preventing the deterioration of the overall film properties due to the increase of the side reactants.

본원 발명의 다이싱 다이본딩 필름용 점착층을 형성하는 데에는 특별한 장치나 설비가 필요치 아니하며, 당해 기술 분야에서 알려진 방법에 의해 특별한 제한없이 제조될 수 있다. 상기 점착층의 제조 방법에 대한 비제한적인 예는 다음과 같다: 아크릴 수지, 광 개시제, 경화제, 실란 커플링제 및 충진제 등을 메틸에틸케톤 또는 시클로헥사논 등과 같은 용제에 용해시킨 다음, 비드 밀을 이용하여 충분히 혼련시킨 후, 어플리케이터를 이용하여 이형 처리된 폴리에틸렌테레프 탈레이트(PET) 필름상에 도포하고 100℃ 오븐에서 2 내지 10분간 가열 건조한 후 폴리올레핀(PO) 필름상에 전사시키면 적당한 도막 두께를 가지는 점착필름을 얻을 수 있다. 그 후 25 내지 40℃의 오븐에서 3 내지 7일 동안 에이징을 실시하여 균일한 품질의 점착필름을 얻을 수 있다.No particular apparatus or equipment is required to form the pressure-sensitive adhesive layer for the dicing die-bonding film of the present invention, and may be manufactured without particular limitation by methods known in the art. Non-limiting examples of the method for producing the pressure-sensitive adhesive layer is as follows: acrylic resin, photoinitiator, curing agent, silane coupling agent, filler and the like dissolved in a solvent such as methyl ethyl ketone or cyclohexanone, and then bead mill After sufficient kneading, the film is applied onto a release-treated polyethylene terephthalate (PET) film using an applicator, heated and dried in an oven at 100 ° C. for 2 to 10 minutes, and then transferred onto a polyolefin (PO) film. An adhesive film may be obtained. Thereafter, aging is carried out in an oven at 25 to 40 DEG C for 3 to 7 days to obtain a uniform quality adhesive film.

상기 점착층의 두께는 3 내지 100 ㎛인 것이 바람직하고, 5 내지 30 ㎛인 것이 보다 바람직하다. 두께가 3 ㎛ 미만일 경우에는 균일한 점착력의 획득이 어려울 우려가 있고 100 ㎛를 초과하는 경우에는 경제성이 떨어지는 문제가 있다.
The thickness of the adhesive layer is preferably 3 to 100 탆, more preferably 5 to 30 탆. When the thickness is less than 3 탆, it may be difficult to obtain a uniform adhesive force, and when the thickness exceeds 100 탆, there is a problem that economical efficiency is poor.

본원 발명의 또 다른 일 양태에 따르면 상기 점착층의 UV 경화 전 점착력이 1 N/25mm 이상인, 다이싱 다이본딩 필름을 제공한다.According to another aspect of the present invention provides a dicing die-bonding film, the adhesive force before UV curing of the pressure-sensitive adhesive layer is 1 N / 25mm or more.

상기 점착층의 UV 경화 전 점착력은 상기 점착층과 접착층 간의 계면 박리력을 측정함으로써 판단할 수 있다.The adhesive force before UV curing of the adhesive layer can be determined by measuring the interfacial peeling force between the adhesive layer and the adhesive layer.

상기 점착층과 접착층 간의 계면 박리력을 측정하는 방법은 특별히 제한되지 아니하며, 당해 기술 분야에서 알려진 방법에 따라 수행할 수 있다. 상기 박리력 측정 방법에 대한 비제한적인 일 예시는 다음과 같다: 점착층과 접착층 간의 계면 박리력 측정은 한국 공업 규격 KS-A-01107(점착 테이프 및 점착 시이트의 시험 방법)의 제8항에 따라 시험할 수 있다. 상기 시험 방법에 따르면, 다이 접착용 접착층에 점착층 시료(폭 25 mm, 길이 250 mm) 시료를 붙인 후 2 kg 하중의 압착 롤러를 이용하여 300 mm/min의 속도로 1회 왕복시켜 압착한다. 압착 후 30분 경과 후에 시험편의 접은 부분을 180˚로 뒤집어 약 25 mm를 벗긴 후, 10 N 로드셀(Load Cell)에서 인장 강도기의 위쪽 클립에는 상기 시험편을, 아래쪽 클립에는 상기 접착층을 고정시키고, 300 mm/min의 인장 속도로 당겨 벗길 때의 하중을 측정하는 방식으로 측정할 수 있다. 상기 인장 시험기는 "Instron Series 1X/s Automated materials Tester-3343"을 사용할 수 있다.
The method for measuring the interfacial peeling force between the adhesive layer and the adhesive layer is not particularly limited, and may be performed according to a method known in the art. One non-limiting example of the method for measuring the peeling force is as follows: Measurement of the interfacial peeling force between the adhesive layer and the adhesive layer is described in claim 8 of Korean Industrial Standard KS-A-01107 (Testing Method of Adhesive Tape and Adhesive Sheet). Can be tested accordingly. According to the test method, the adhesive layer sample (width 25 mm, length 250 mm) was attached to the die-bonding adhesive layer, and then reciprocated once at a speed of 300 mm / min using a 2 kg load roller. After 30 minutes after crimping, the folded part of the test piece was turned to 180 ° and peeled off about 25 mm, and then the test piece was fixed to the upper clip of the tensile strength tester and the adhesive layer to the lower clip in a 10 N load cell. It can be measured by measuring the load when peeling off at a tensile speed of 300 mm / min. The tensile tester may use "Instron Series 1X / s Automated materials Tester-3343".

본원 발명의 또 다른 일 양태에 따르면, 상기 점착층의 -10℃에서의 탄성 모듈러스가 150 내지 2,500 MPa인, 다이싱 다이본딩 필름을 제공한다.According to another aspect of the present invention, the elastic modulus of the pressure-sensitive adhesive layer at -10 ° C provides a dicing die bonding film, 150 to 2,500 MPa.

상기 탄성 모듈러스(Elastic modulus)의 측정 방법은 특별히 제한되지 아니하며 당해 기술 분야에서 통상적으로 사용하는 방법을 사용할 수 있다. 탄성 모듈러스를 측정하는 방법의 비제한적인 일 예시는 다음과 같다: 제조된 점착 필름을 일정 크기(예를 들어, 가로 7 mm × 세로 15 mm × 두께 430 ㎛)로 절단하여 측정 온도 범위를 -30℃ 내지 170℃로 하고, 승온 조건 4℃/분, 진동수를 10 Hz로 한다. 상기 조건에서 DMA(Dynamic Mechanical Analyzer; TA사의 Q800)를 이용하여 탄성 모듈러스를 측정할 수 있다.
The measuring method of the elastic modulus is not particularly limited and may be a method commonly used in the art. One non-limiting example of a method of measuring elastic modulus is as follows: The prepared adhesive film is cut into a certain size (eg, 7 mm × 15 mm × 430 μm in thickness) to reduce the measurement temperature range to -30. The temperature is 4 ° C to 170 ° C, the temperature is 4 ° C / min, and the frequency is 10 Hz. Under the above conditions, elastic modulus may be measured using a DMA (Q800).

본원 발명의 또 다른 일 양태에 따르면, 상기 접착층의 -10℃에서의 탄성 모듈러스가, 바람직하게는 1,500 내지 3,500 MPa, 보다 바람직하게는 1,800 내지 2,500 MPa인, 다이싱 다이본딩 필름을 제공한다.
According to another aspect of the present invention, the elastic modulus at -10 ° C of the adhesive layer is preferably 1,500 to 3,500 MPa, more preferably 1,800 to 2,500 MPa to provide a dicing die bonding film.

본원 발명에 사용되는 다이싱 다이본딩 필름용 접착층을 제조하기 위한 조성물에는 고분자 수지, 에폭시 수지, 경화제, 경화 촉매, 커플링제, 충진제 및 기타 첨가제 등이 함유될 수 있다. 이들의 종류 및 함량은 특별히 한정되지 아니하며 당해 기술 분야에서 알려진 조성을 따를 수 있다. 이하, 본원 발명의 접착층에 사용 가능한 성분의 구체적인 예를 기술한다.
The composition for producing the adhesive layer for a dicing die-bonding film used in the present invention may contain a polymer resin, an epoxy resin, a curing agent, a curing catalyst, a coupling agent, a filler, and other additives. The kind and content thereof are not particularly limited and may be a composition which is known in the art. Hereinafter, specific examples of components usable in the adhesive layer of the present invention will be described.

고분자 수지Polymer resin

본원 발명에 사용되는 고분자 수지는 당해 기술 분야에서 통상 사용되는 것이면 그 종류가 특별히 제한되지 않는다. 상기 고분자 수지의 비제한적인 예로는 폴리이미드 수지, 폴리스타이렌 수지, 폴리에틸렌 수지, 폴리에스테르 수지, 폴리아미드 수지, 부타디엔 고무, 아크릴 고무, (메타)아크릴 수지, 우레탄 수지, 폴리페닐렌 에테르 수지, 폴리 에테르 이미드 수지, 페녹시 수지, 폴리카보네이트 수지, 폴리페닐렌 에테르 수지, 변성 폴리페닐렌 에테르 수지 및 이들의 혼합물 등을 들 수 있다.The type of polymer resin used in the present invention is not particularly limited as long as it is commonly used in the art. Non-limiting examples of the polymer resin include polyimide resin, polystyrene resin, polyethylene resin, polyester resin, polyamide resin, butadiene rubber, acrylic rubber, (meth) acrylic resin, urethane resin, polyphenylene ether resin, polyether Imide resins, phenoxy resins, polycarbonate resins, polyphenylene ether resins, modified polyphenylene ether resins, and mixtures thereof.

또한, 관능성 모노머를 포함하는 고분자 성분, 예를 들어 글리시딜 아크릴레이트 또는 글리시딜 메타크릴레이트 등의 관능성 모노머를 함유하는 에폭시기 함유 (메타)아크릴 공중합체를 사용할 수 있다. 상기 에폭시기 함유 (메타)아크릴 공중합체로는 (메타)아크릴 에스테르 공중합체, 아크릴 고무 등을 사용할 수 있다.
Further, an epoxy group-containing (meth) acrylic copolymer containing a functional monomer including a functional monomer such as glycidyl acrylate or glycidyl methacrylate can be used. As the epoxy group-containing (meth) acrylic copolymer, a (meth) acrylic ester copolymer, an acrylic rubber, or the like can be used.

에폭시 수지Epoxy resin

본원 발명에 사용되는 에폭시 수지는 당해 기술 분야에서 통상 사용되는 것이면 그 종류가 특별히 제한되지 아니하며, 액상 에폭시 수지 또는 고상 에폭시 수지를 어느 하나 이상 포함할 수 있다.The type of the epoxy resin used in the present invention is not particularly limited as long as it is commonly used in the art, and may include at least one of a liquid epoxy resin or a solid epoxy resin.

상기 액상 에폭시 수지의 비제한적인 예로, 비스페놀 A형 액상 에폭시 수지, 비스페놀 F형 액상 에폭시 수지, 3 관능성 이상의 다관능성 액상 에폭시 수지, 고무변성 액상 에폭시 수지, 우레탄 변성 액상 에폭시 수지, 아크릴 변성 액상 에폭시 수지 및 감광성 액상 에폭시 수지 등을 들 수 있다. 이들은 단독 또는 2 종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다.Non-limiting examples of the liquid epoxy resin include bisphenol A type liquid epoxy resin, bisphenol F type liquid epoxy resin, trifunctional or higher polyfunctional liquid epoxy resin, rubber modified liquid epoxy resin, urethane modified liquid epoxy resin, acrylic modified liquid epoxy A resin and a photosensitive liquid epoxy resin. These may be used alone or in combination of two or more.

상기 고상 에폭시 수지는 상온에서 고상 또는 고상에 근접한 에폭시로서 하나 이상의 관능기를 가지고 있는 에폭시 수지를 사용할 수 있으며, 그의 비제한적인 예로는, 비스페놀계 에폭시, 페놀 노볼락(Phenol novolac)계 에폭시, o-크레졸 노볼락(Cresol novolac)계 에폭시, 다관능 에폭시, 아민계 에폭시, 복소환 함유 에폭시, 치환형 에폭시, 나프톨계 에폭시 및 이들의 유도체등을 들 수 있다.The solid epoxy resin may be an epoxy resin having one or more functional groups as a solid at or near the solid phase at room temperature, and non-limiting examples thereof include bisphenol-based epoxy, phenol novolac-based epoxy, and o-. Cresol novolac epoxy, polyfunctional epoxy, amine epoxy, heterocyclic containing epoxy, substituted epoxy, naphthol epoxy and derivatives thereof.

이러한 에폭시계 수지로서 현재 시판되고 있는 제품에는 비스페놀계로서는 국도 화학의 YD-017H, YD-020, YD020-L, YD-014, YD-014ER, YD-013K, YD-019K, YD-019, YD-017R, YD-017, YD-012, YD-011H, YD-011S, YD-011, YDF-2004, YDF-2001 등이 있고, 페놀 노볼락(Phenol novolac)계로서는 유카 쉘 에폭시 주식회사의 체피코트 152, 에피코트 154, 일본 화약 주식회사의 EPPN-201, 다우 케미컬의 DN-483, 국도 화학의 YDPN-641, YDPN-638A80, YDPN-638, YDPN-637, YDPN-644, YDPN-631 등이 있고, o-크레졸 노볼락(Cresol novolac)계로서는 국도 화학의 YDCN-500-1P, YDCN-500-2P, YDCN-500-4P, YDCN-500-5P, YDCN-500-7P, YDCN-500-8P, YDCN-500-10P, YDCN-500-80P, YDCN-500-80PCA60, YDCN-500-80PBC60, YDCN-500-90P, YDCN-500-90PA75 등이 있고 일본 화약 주식회사의 EOCN-102S, EOCN-103S, EOCN-104S, EOCN-1012, EOCN-1025, EOCN-1027, 독도 화학 주식회사의 YDCN-701, YDCN-702, YDCN-703, YDCN-704, 대일본 잉크화학의 에피클론 N-665-EXP 등이 있고, 비스페놀계 노볼락 에폭시로는 국도 화학의 KBPN-110, KBPN-120, KBPN-115 등이 있고, 다관능 에폭시 수지로서는 유카 쉘 에폭시 주식회사 Epon 1031S, 시바 스페샬리티 케미칼 주식회사의 아랄디이토 0163, 나가섭씨온도 화성 주식회사의 데타콜 EX-611, 데타콜 EX-614, 데타콜 EX-25-12614B, 데타콜 EX-622, 데타콜 EX-512, 데타콜 EX-521, 데타콜 EX-421, 데타콜 EX-411, 데타콜 EX-321, 국도 화학의 EP-5200R, KD-1012, EP-5100R, KD-1011, KDT-4400A70, KDT-4400, YH-434L, YH-434, YH-300 등이 있으며, 아민계 에폭시 수지로서는 유카 쉘 에폭시 주식회사 에피코트 604, 독도 화학 주식회사의 YH-434, 미쓰비시가스화학 주식회사의 TETRAD-X, TETRAD-C, 스미토모 화학 주식회사의 ELM-120 등이 있고, 복소환 함유 에폭시 수지로는 시바 스페샬리티 케미칼 주식회사의 PT-810, 치환형 에폭시 수지로는 UCC사의 ERL-4234, ERL-4299, ERL-4221, ERL-4206, 나프톨계 에폭시로는 대일본 잉크화학의 에피클론 HP-4032, 에피클론 HP-4032D, 에피클론 HP-4700, 에피클론 4701 등이 있다. 이들은 단독 또는 2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다.
Bisphenol-based products include YD-017H, YD-020, YD020-L, YD-014, YD-014ER, YD-013K, YD-019K, YD-019, and YD. -017R, YD-017, YD-012, YD-011H, YD-011S, YD-011, YDF-2004, YDF-2001, and the like.Phenol novolac-based coat coat of Yuka Shell Epoxy Co., Ltd. 152, Epicoat 154, EPPN-201 from Nippon Kayaku Co., Ltd., DN-483 from Dow Chemical, YDPN-641, YDPN-638A80, YDPN-638, YDPN-637, YDPN-644, YDPN-631 from Kukdo Chemical. , o-cresol novolac-based YDCN-500-1P, YDCN-500-2P, YDCN-500-4P, YDCN-500-5P, YDCN-500-7P, YDCN-500-8P , YDCN-500-10P, YDCN-500-80P, YDCN-500-80PCA60, YDCN-500-80PBC60, YDCN-500-90P, YDCN-500-90PA75, and EOCN-102S, EOCN-103S from Nippon Kayaku Co., Ltd. , EOCN-104S, EOCN-1012, EOCN-1025, EOCN-1027, YDCN-701, YDCN-702, YDCN-703, YDCN-704 of Dokdo Chemical Co., Ltd. Piclon N-665-EXP, and bisphenol-based novolac epoxy include KBPN-110, KBPN-120, KBPN-115 of Kukdo Chemical, and Yuka Shell Epoxy Co., Ltd. Epon 1031S, Ciba Special Araldiito 0163 from RITITY CHEMICALS, Detacol EX-611, Detacol EX-614, Detacol EX-25-12614B, Detacol EX-622, Detacol EX-512, Detacol EX -521, Detacol EX-421, Detacol EX-411, Detacol EX-321, EP-5200R, KD-1012, EP-5100R, KD-1011, KDT-4400A70, KDT-4400, YH- 434L, YH-434, YH-300, and the like.Amine epoxy resins include Yuka Shell Epoxy Epicoat 604, Dokdo Chemical Co., Ltd. YH-434, Mitsubishi Gas Chemical Co., Ltd., TETRAD-X, TETRAD-C, and Sumitomo Chemical Co., Ltd. ELM-120 and the like, and heterocyclic containing epoxy resin PT-810 of Ciba Specialty Chemical Co., Ltd., UC as a substituted epoxy resin E company's ERL-4234, ERL-4299, ERL-4221, ERL-4206, and naphthol-based epoxy include epiclon HP-4032, epiclon HP-4032D, epiclon HP-4700, epiclon 4701, etc. There is this. These may be used alone or in combination of two or more.

경화제Hardener

본원 발명에 사용되는 경화제는 당해 기술 분야에서 통상 사용되는 것이면 그 종류가 특별히 제한되지 아니하며, 상기 경화제로 페놀형 에폭시 수지 경화제를 사용할 수 있다.The type of the curing agent used in the present invention is not particularly limited as long as it is commonly used in the art, and a phenol type epoxy resin curing agent may be used as the curing agent.

상기 페놀형 경화제의 비제한적인 예로는, 비스페놀 A, 비스페놀 F, 비스페놀 S 등의 비스페놀계 수지; 페놀 노볼락계 수지; 비스페놀 A계 노볼락 수지; 자일록계, 크레졸계 노볼락, 비페닐계 등의 페놀계 수지 등을 들 수 있다.Non-limiting examples of the phenol-type curing agent include bisphenol-based resins such as bisphenol A, bisphenol F, and bisphenol S; Phenol novolac resins; Bisphenol A novolac resins; Phenol resins, such as a xylolic system, a cresol novolak, a biphenyl system, etc. are mentioned.

이러한 페놀형 에폭시 수지 경화제로서 현재 시판되고 있는 제품의 예로는, 단순 페놀계의 경화제로 메이화 플라스틱 산업 주식회사의 H-1, H-4, HF-1M, HF-3M, HF-4M, HF-45 등이 있고, 파라 자일렌계열의 메이화 플라스틱 산업 주식회사의 MEH-78004S, MEH-7800SS, MEH-7800S, MEH-7800M, MEH-7800H, MEH-7800HH, MEH-78003H, 코오롱 유화 주식회사의 KPH-F3065, 비페닐 계열의 메이화 플라스틱 산업 주식회사의 MEH-7851SS, MEH-7851S, MEH7851M, MEH-7851H, MEH-78513H, MEH-78514H, 코오롱 유화 주식회사의 KPH-F4500, 트리페닐메틸계의 메이화 플라스틱 산업 주식회사의 MEH-7500, MEH-75003S, MEH-7500SS, MEH-7500S, MEH-7500H 등이 있다. 이들은 단독 또는 2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다.
HF-1M, HF-3M, HF-4M, HF-4M, and HF-1M manufactured by Meiwa Plastic Industries, Ltd. as a simple phenolic hardening agent. Examples of the phenol- MEH-7800H, MEH-7800HH, MEH-78003H, and KPH-78003H of Kolon Oil & Co., Ltd. under the trade names of MEH-78004S, MEH-7800SS, MEH- MEH-7851S, MEH7851M, MEH-7851H, MEH-78513H, MEH-78514H from Kolmar Chemical Industries, Ltd., KPH-F4500 from Kolon Chemical Industries Co., Ltd., MEH-7500S, MEH-7500SS, MEH-7500S, and MEH-7500H of Industrial Co., Ltd. These may be used alone or in combination of two or more.

경화 촉매Curing catalyst

본원 발명에 사용되는 상기 경화 촉매는 반도체 공정 동안에 에폭시 수지가 완전히 경화될 수 있도록 경화시간을 단축시키는 촉매로서, 당해 기술 분야에서 통상 사용되는 것이면 그 종류가 특별히 제한되지 않는다. 상기 경화 촉매의 비제한적인 예로는 멜라민계, 이미다졸계, 트리페닐포스핀계 촉매 등을 들 수 있다. 현재 시판되고 있는 제품의 예로는, 이미다졸계로서 아지노모토 정밀 기술 주식회사의 PN-23, PN-40, 사국 화학 주식회사의 2P4MZ, 2MA-OK, 2MAOK-PW, 2P4MHZ 등이 있고, 호코 케미칼사(HOKKO CHEMICAL INDUSTRY CO., LTD)의 TPP-K, TPP-MK 등이 있다. 이들은 단독 또는 2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다.
The curing catalyst used in the present invention is a catalyst for shortening the curing time so that the epoxy resin can be completely cured during the semiconductor process, and the kind thereof is not particularly limited as long as it is commonly used in the art. Non-limiting examples of the curing catalyst include melamine-based, imidazole-based, and triphenylphosphine-based catalysts. 2M-OK, 2MAOK-PW, and 2P4MHZ of Ajinomoto Precision Technology Co., Ltd., PNK-23, PN-40, and Sankoku Chemical Co., Ltd. as the imidazole system. HOKKO CHEMICAL INDUSTRY CO., LTD.) TPP-K and TPP-MK. These may be used alone or in combination of two or more.

실란Silane 커플링제Coupling agent

본원 발명에 사용될 수 있는 커플링제는 조성물 배합시 실리카와 같은 무기물질의 표면과 유기 물질간의 화학적 결합으로 인한 접착력을 증진시키기 위한 접착증진제의 작용을 한다.The coupling agent that can be used in the present invention acts as an adhesion promoter for enhancing the adhesion due to the chemical bonding between the surface of the inorganic material such as silica and the organic material when the composition is formulated.

상기 커플링제는 당해 기술 분야에서 통상 사용되는 것이면 그 종류가 특별히 제한되지 아니하며, 그 비제한적인 예로는, 헥실트리메톡시 실란, 에폭시가 함유된 2-(3,4 에폭시 사이클로 헥실)-에틸트리메톡시실란, 3-글리시독시트리메톡시실란, 3-글리시독시프로필트리에톡시실란, 아민기가 함유된 N-2(아미노에틸)3-아미토프로필메틸디메톡시실란, N-2(아미노에틸)3-아미노프로필트리메톡시실란, N-2(아미노에틸)3-아미노프로필트리에톡시실란, 3-아미노프로필트리메톡시실란, 3-아미노프로필트리에톡시실란, 3-트리에톡시실리-N-(1,3-디메틸뷰틸리덴)프로필아민, N-페닐-3-아미노프로필트리메톡시실란, 머캅토가 함유된 3-머캅토프로필메틸디메톡시실란, 3-머캅토프로필트리에톡시실란, 이소시아네이트가 함유된 3-이소시아네이트프로필트리에톡시실란 등을 들 수 있다. 이들을 단독 또는 2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다.
The coupling agent is not particularly limited as long as it is commonly used in the art, and non-limiting examples thereof include hexyltrimethoxy silane and 2- (3,4 epoxy cyclohexyl) -ethyltri containing epoxy. Methoxysilane, 3-glycidoxycitrimethoxysilane, 3-glycidoxypropyltriethoxysilane, N-2 (aminoethyl) 3-amitopropylmethyldimethoxysilane containing amine group, N-2 ( Aminoethyl) 3-aminopropyltrimethoxysilane, N-2 (aminoethyl) 3-aminopropyltriethoxysilane, 3-aminopropyltrimethoxysilane, 3-aminopropyltriethoxysilane, 3-trie Methoxysil-N- (1,3-dimethylbutylidene) propylamine, N-phenyl-3-aminopropyltrimethoxysilane, 3-mercaptopropylmethyldimethoxysilane with mercapto, 3-mercapto Propyltriethoxysilane, 3-isocyanatepropyltriethoxysilane containing isocyanate The can. These may be used singly or in combination of two or more.

충진제Filler

본원 발명의 접착 조성물은 틱소트로픽성(thixotropy)을 발현하여 용융점도를 조절하기 위하여 충진제를 포함할 수 있다. 상기 충진제는 당해 기술 분야에서 통상 사용되는 것이면 그 종류가 특별히 제한되지 않는다. 상기 충진제로는 필요에 따라 무기 또는 유기 충진제를 사용할 수 있으며, 무기 충진제로는 금속성분인 금가루, 은가루, 동분, 니켈을 사용할 수 있고, 비금속성분인 알루미나, 수산화 일미늄, 수산화 마그네슘, 탄산칼슘, 탄산마그네슘, 규산칼슘, 규산마그네슘, 산화칼슘, 산화마그네슘, 산화 알루미늄, 질화 알루미늄, 실리카, 질화 붕소, 이산화티타늄, 유리, 산화철, 세라믹 등을 사용할 수 있고, 유기 충진제로서는 카본, 고무계 필러, 폴리머계 등을 사용할 수 있다. 상기 충진제의 형상과 크기는 특별히 제한되지 아니하나, 바람직하게는 구형 일 수 있으며 크기는 500 nm 내지 10 ㎛의 범위가 바람직하다.
The adhesive composition of the present invention may contain a filler to control thixotropy and control melt viscosity. The kind of the filler is not particularly limited as long as it is commonly used in the art. As the inorganic filler, gold powder, silver powder, copper powder, and nickel, which are metal components, may be used. As the inorganic filler, alumina, aluminum hydroxide, magnesium hydroxide, calcium carbonate, Silica, boron nitride, titanium dioxide, glass, iron oxide, ceramics and the like can be used. As the organic filler, there can be used carbon, rubber fillers, polymeric fillers such as calcium carbonate, magnesium silicate, calcium oxide, magnesium oxide, aluminum oxide, aluminum nitride, silica, Etc. may be used. The shape and size of the filler are not particularly limited, but may preferably be spherical and the size is preferably in the range of 500 nm to 10 mu m.

유기 용매Organic solvent

본원 발명의 접착 조성물은 유기용매를 추가로 포함할 수 있다. 상기 유기용매는 반도체용 접착 조성물의 점도를 낮게 하여 필름의 제조가 용이하도록 하며, 당해 기술 분야에서 통상 사용되는 것이면 그 종류가 특별히 제한되지 않는다. 그 비제한적인 예로는, 톨루엔, 자일렌, 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트, 벤젠, 아세톤, 메틸에틸케톤, 테트라히드로 퓨란, 디메틸포름알데히드, 시클로헥사논 등을 들 수 있다.
The adhesive composition of the present invention may further comprise an organic solvent. The organic solvent lowers the viscosity of the adhesive composition for semiconductor to facilitate the production of the film. The type of the organic solvent is not particularly limited as long as it is usually used in the art. Non-limiting examples thereof include toluene, xylene, propylene glycol monomethyl ether acetate, benzene, acetone, methyl ethyl ketone, tetrahydrofuran, dimethyl formaldehyde, cyclohexanone and the like.

기타 첨가제Other additives

한편, 상기와 같은 본원 발명의 반도체용 접착 조성물은 이온성 불순물을 흡착하고 흡습 시의 절연 신뢰성을 구현하기 위하여 이온 포착제를 추가로 포함할 수 있다. 상기 이온 포착제로는 당해 기술 분야에서 통상 사용되는 것이면 그 종류가 특별히 제한되지 아니하며, 비제한적인 예로 트리아진 티올(Triazin thiol)화합물, 지르코늄계(Zirconium), 안티몬 비스무트계(Antimon bismuth), 마그네슘 알루미늄계(magnesium aluminium) 화합물 등을 들 수 있다.
Meanwhile, the adhesive composition for semiconductor of the present invention may further include an ion trap agent to adsorb ionic impurities and realize insulation reliability at the time of moisture absorption. The ion trapping agent is not particularly limited as long as it is commonly used in the art, and examples thereof include, but not limited to, triazin thiol compounds, zirconium, antimony bismuth, magnesium aluminum Magnesium aluminum compounds and the like.

본원 발명에 사용되는 접착층은 그 필름을 형성하는 데에 특별한 장치나 설비가 필요치 아니하며, 당해 기술 분야에서 알려진 방법에 의해 특별한 제한없이 제조될 수 있다.
The adhesive layer used in the present invention does not require any special apparatus or equipment to form the film, and can be produced without particular limitation by methods known in the art.

본원 발명의 또 다른 일 양태에 따르면, 상기의 다이싱 다이본딩 필름으로 접속된 반도체 장치를 제공한다.According to still another aspect of the present invention, a semiconductor device connected with the dicing die bonding film is provided.

상기 반도체 장치는, 배선 기판; 상기 배선 기판의 칩 탑재면에 부착되어 있는 다이싱 다이본딩 필름; 및 상기 필름상에 탑재된 반도체 칩을 포함할 수 있다.The semiconductor device includes: a wiring board; A dicing die bonding film attached to the chip mounting surface of the wiring board; And a semiconductor chip mounted on the film.

본원 발명에 사용되는 상기 배선 기판, 반도체 칩은 특별히 한정되지 아니하며, 당해 기술 분야에서 알려진 것을 사용할 수 있다.The wiring board and the semiconductor chip used in the present invention are not particularly limited, and those known in the art can be used.

본원 발명의 반도체 장치를 제조하는 방법은 특별히 한정되지 아니하며, 당해 기술 분야에서 알려진 방법으로 수행될 수 있다.
The method for manufacturing the semiconductor device of the present invention is not particularly limited and may be performed by a method known in the art.

이하, 실시예, 비교예 및 실험예를 기술함으로써 본원 발명을 보다 상세히 설명한다. 다만, 하기의 실시예, 및 실험예는 본원 발명의 일 예시에 불과하며, 본원 발명의 내용이 이에 한정되는 것으로 해석되어서는 아니된다.
Hereinafter, the present invention will be described in more detail by describing Examples, Comparative Examples, and Experimental Examples. However, the following examples and experimental examples are merely examples of the present invention and should not be construed as limiting the scope of the present invention.

실시예Example 1 One

다이싱Dicing 다이본딩Die bonding 필름용 접착층의 제조 Preparation of adhesive layer for film

아크릴 수지 KLS-1046DR(수산기값: 13 mgKOH/g, 산가: 63 mgKOH/g, 유리 전이 온도: 38℃, 평균 분자량: 690,000, 제조원: 후지쿠라 상사) 400g;400 g of acrylic resin KLS-1046DR (hydroxyl value: 13 mgKOH / g, acid value: 63 mgKOH / g, glass transition temperature: 38 ° C., average molecular weight: 690,000, manufactured by Fujikura Corporation);

아크릴 수지 WS-023(수산기값 혹은 산가: 20 mgKOH/g, 유리 전이 온도: -5℃, 평균 분자량: 500,000, 수산기 혹은 카르복시기 함유량: 20, 제조원: 나가세켐텍) 60g;60 g of acrylic resin WS-023 (hydroxyl value or acid value: 20 mgKOH / g, glass transition temperature: -5 ° C, average molecular weight: 500,000, hydroxyl group or carboxyl group content: 20, manufactured by Nagase Chemtech);

크레졸 노볼락계로 이루어진 에폭시 수지 YDCN-500-4P(제조원: 국도 화학, 분자량: 10,000 이하) 60g; 60 g of epoxy resin YDCN-500-4P (manufactured by Kukdo Chemical, molecular weight: 10,000 or less) consisting of cresol novolac;

크레졸 노볼락계 경화제 MEH-7800SS(제조원: 메이화 플라스틱 산업) 40g;40 g of cresol novolak-based curing agent MEH-7800SS manufactured by Meihwa Plastics Industry;

이미다졸계 경화촉매 2P4MZ(제조원: 사국 화학) 0.1g;0.1 g of imidazole series curing catalyst 2P4MZ (manufactured by Shukuchi Chemical);

머켑토 실란 커플링제 KBM-803(제조원: 신에쯔 주식회사) 0.5g;0.5 g of Murkitto silane coupling agent KBM-803 (manufactured by Shin-Etsu Co., Ltd.);

에폭시 실란 커플링제 KBM-303(제조원: 신에쯔 주식회사) 0.5g; 및0.5 g of epoxy silane coupling agent KBM-303 (manufactured by Shin-Etsu Co., Ltd.); And

무정형 실리카 충진제(OX-50, 제조원: 대구사) 20g을 혼합한 후, 500 rpm에서 2시간 동안 1차 분산시켰다.20 g of amorphous silica filler (OX-50, manufactured by Daegu) was mixed and then first dispersed at 500 rpm for 2 hours.

상기 1차 분산 후 밀링(milling)을 실시하였다. 밀링은 주로 무기 입자를 이용한 비드 밀링 방법을 사용하였다. 밀링이 완료된 후 38 ㎛의 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET) 이형 필름의 편면에 건조 후, 막 두께 20 ㎛로 하여 코팅을 실시하였다. 상기 코팅된 면을 보호하기 위하여 코팅층 상부 면에 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름으로 적층하여 접착층을 제조하였다.
Milling was performed after the first dispersion. The milling method was mainly a bead milling method using inorganic particles. After the milling was completed, the film was dried on one side of a polyethylene terephthalate (PET) release film having a thickness of 38 μm, and coated with a film thickness of 20 μm. In order to protect the coated surface, an adhesive layer was prepared by laminating a polyethylene terephthalate film on the upper surface of the coating layer.

실시예Example 2 2

충진제를Filler 함유하는  Containing 다이싱Dicing 다이본딩Die bonding 필름용  For film 점착층의The adhesive layer 제조 Produce

점착층의 고형분 100 중량부에 대하여,About 100 weight part of solids of an adhesion layer,

아크릴 수지 SR-09184R(제조원: 삼화 케미칼) 86.5 중량부;86.5 parts by weight of acrylic resin SR-09184R (manufactured by Samwha Chemical);

이소시아네이트 경화제 AK-75(제조원: 애경 화학) 3.4 중량부;3.4 parts by weight of isocyanate curing agent AK-75 (Aekyung Chemical);

광 개시제 IC-184(제조원: 시바 케미칼) 6.1 중량부;6.1 parts by weight of photoinitiator IC-184 manufactured by Ciba Chemicals;

실란 커플링제 KBM-403(제조원: 신에쯔 주식회사) 2.3 중량부; 및2.3 parts by weight of silane coupling agent KBM-403 (manufactured by Shin-Etsu Co., Ltd.); And

충진제 R-972(제조원: 대구사) 1.7 중량부를 혼합하여 유기 용매인 메틸 에틸 케톤(제조원: 대정 화금)에 용해시킨 후, 비드 밀을 이용하여 충분히 혼련시킨 다음, 어플리케이터를 이용하여 이형 처리된 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름상에 도포하였다. 그 다음 100℃ 오븐에서 10분가량 가열 건조한 후 폴리올레핀(PO) 필름상에 전사시켜 두께 20 ㎛인 점착층을 제조하였다.
1.7 parts by weight of filler R-972 (manufactured by Daegu) was mixed, dissolved in an organic solvent, methyl ethyl ketone (manufactured by Daejeong Fine Gold), sufficiently kneaded using a bead mill, and then released by polyethylene using an applicator. Application was made on terephthalate films. Then, after heating for 10 minutes in an oven at 100 ℃ and transferred to a polyolefin (PO) film to prepare a pressure-sensitive adhesive layer having a thickness of 20 ㎛.

실시예Example 3 3

충진제를Filler 함유하는  Containing 다이싱Dicing 다이본딩Die bonding 필름용  For film 점착층의The adhesive layer 제조 Produce

점착층의 고형분 100 중량부에 대하여,About 100 weight part of solids of an adhesion layer,

아크릴 수지 SR-09184R(제조원: 삼화 케미칼)을 84.7 중량부; 및84.7 parts by weight of acrylic resin SR-09184R (manufactured by Samwha Chemical); And

충진제 R-972(제조원: 대구사)를 3.5 중량부로 사용하는 것을 제외하고는 상기 실시예 2와 동일한 방법에 의하여 점착층을 제조하였다.
A pressure-sensitive adhesive layer was prepared in the same manner as in Example 2, except that the filler R-972 (manufactured by Daegu Co., Ltd.) was used at 3.5 parts by weight.

실시예Example 4 4

충진제를Filler 함유하는  Containing 다이싱Dicing 다이본딩Die bonding 필름용  For film 점착층의The adhesive layer 제조 Produce

점착층의 고형분 100 중량부에 대하여,About 100 weight part of solids of an adhesion layer,

아크릴 수지 SR-09184R(제조원: 삼화 케미칼)을 84.1 중량부;84.1 parts by weight of acrylic resin SR-09184R (manufactured by Samwha Chemical);

이소시아네이트 경화제 AK-75(제조원: 애경 화학)를 4 중량부; 및4 parts by weight of an isocyanate curing agent AK-75 (manufactured by Aekyung Chemical); And

충진제 R-972(제조원: 대구사)를 3.5 중량부로 사용하는 것을 제외하고는 상기 실시예 2와 동일한 방법에 의하여 점착층을 제조하였다.
A pressure-sensitive adhesive layer was prepared in the same manner as in Example 2, except that the filler R-972 (manufactured by Daegu Co., Ltd.) was used at 3.5 parts by weight.

비교예Comparative example 1 One

충진제를Filler 함유하지 않는  Not containing 다이싱Dicing 다이본딩Die bonding 필름용  For film 점착층의The adhesive layer 제조 Produce

점착층의 고형분 100 중량부에 대하여,About 100 weight part of solids of an adhesion layer,

아크릴 수지 SR-09184R(제조원: 삼화 케미칼)을 90.5 중량부로 사용하는 것을 제외하고는 상기 실시예 2와 동일한 방법에 의하여 점착층을 제조하였다.
An adhesive layer was prepared in the same manner as in Example 2, except that 90.5 parts by weight of acrylic resin SR-09184R (manufactured by Samwha Chemical) was used.

비교예Comparative example 2 2

충진제를Filler 함유하지 않는  Not containing 다이싱Dicing 다이본딩Die bonding 필름용  For film 점착층의The adhesive layer 제조 Produce

점착층의 고형분 100 중량부에 대하여,About 100 weight part of solids of an adhesion layer,

아크릴 수지 SR-09184R(제조원: 삼화 케미칼)을 85.9 중량부; 및85.9 parts by weight of acrylic resin SR-09184R (manufactured by Samwha Chemical); And

이소시아네이트 경화제 AK-75(제조원: 애경 화학)를 8 중량부로 사용하는 것을 제외하고는 상기 실시예 2와 동일한 방법에 의하여 점착층을 제조하였다.
An adhesive layer was prepared in the same manner as in Example 2, except that 8 parts by weight of an isocyanate curing agent AK-75 (manufactured by Aekyung Chemical) was used.

비교예Comparative example 3 3

충진제를Filler 다량 함유하는  Containing a large amount 다이싱Dicing 다이본딩Die bonding 필름용  For film 점착층의The adhesive layer 제조 Produce

점착층의 고형분 100 중량부에 대하여,About 100 weight part of solids of an adhesion layer,

아크릴 수지SR-09184R(제조원: 삼화 케미칼)을 76.3 중량부; 및76.3 parts by weight of acrylic resin SR-09184R (manufactured by Samwha Chemical); And

충진제 R-972(제조원: 대구사)를 11.9 중량부로 사용하는 것을 제외하고는 상기 실시예 2와 동일한 방법에 의하여 점착층을 제조하였다.
A pressure-sensitive adhesive layer was prepared in the same manner as in Example 2, except that the filler R-972 (manufactured by Daegu Co., Ltd.) was used at 11.9 parts by weight.

하기 표 1은 상기 실시예 2 내지 4, 및 비교예 1 내지 3의 점착층의 조성을 중량부로 나타낸 것이다.Table 1 shows the compositions of the adhesive layers of Examples 2 to 4 and Comparative Examples 1 to 3 by weight.

실시예 2Example 2 실시예 3Example 3 실시예 4Example 4 비교예 1Comparative Example 1 비교예 2Comparative Example 2 비교예 3Comparative Example 3 아크릴 수지Acrylic resin 86.586.5 84.784.7 84.184.1 90.590.5 85.985.9 76.376.3 경화제Hardener 3.43.4 3.43.4 4.04.0 3.43.4 8.08.0 3.43.4 광 개시제Photoinitiator 6.16.1 6.16.1 6.16.1 6.16.1 6.16.1 6.16.1 실란커플링제Silane coupling agent 2.32.3 2.32.3 2.32.3 -- -- 2.32.3 충진제Filler 1.71.7 3.53.5 3.53.5 -- -- 11.911.9 중량부 합계Parts by weight 100100 100100 100100 100100 100100 100100

실험예Experimental Example 1 One

경화 전 탄성 Elasticity before curing 모듈러스의Modulous 측정 Measure

필름의 경화 전 탄성 모듈러스를 측정하기 위하여 상기 실시예 1의 접착층과 상기 실시예 2 내지 4 및 비교예 1 내지 3에서 사용된 조성에서 폴리올레핀 필름에 전사하는 대신 폴리에틸렌테레프탈레이트와 합지한 점착층을 각각 420 ㎛의 두께로 라미네이션하고, 이들을 각각 가로 7 ㎜ × 세로 15 ㎜로 절단하였다.In order to measure the elastic modulus before curing of the film, instead of transferring to the polyolefin film in the adhesive layer of Example 1 and the composition used in Examples 2 to 4 and Comparative Examples 1 to 3, the adhesive layer laminated with polyethylene terephthalate, respectively Lamination was carried out to the thickness of 420 micrometers, and these were cut | disconnected by 7 mm x 15 mm, respectively.

측정 온도 범위 -30℃ 내지 170℃, 승온 조건 4℃/분, 진동수 10 Hz의 조건하에서 DMA(Dynamic Mechanical Analyzer, TA사의 Q800)를 이용하여 필름의 경화 전 탄성 모듈러스를 측정하였다. 최종 측정은 저온 분단성을 가늠해주는 -10℃에서의 모듈러스 값으로 하였다.
The elastic modulus before curing of the film was measured using DMA (Dynamic Mechanical Analyzer, TA Q800) under conditions of a measurement temperature range of -30 ° C to 170 ° C, an elevated temperature condition of 4 ° C / min, and a frequency of 10 Hz. Final measurements were made with modulus values at −10 ° C., indicating low temperature segmentation.

실험예Experimental Example 2 2

저온 Low temperature 분단성Segmentation 측정 Measure

상기 실시예 2 내지 4 및 비교예 1 내지 3에서 제조한 각각의 점착층을 광폭코팅 한 후, 상기 실시예 1에서 제조한 접착층에 라미네이션한 후, 1일간 방치하였다. 그 다음 두께 50 ㎛의 웨이퍼에 상기의 라미네이션된 필름을 다시 라미네이션한 후, 링 프레임에 장착하여 웨이퍼의 중심부 30 ㎛을 레이저를 이용하여 개질부를 형성하였다. 이때 칩은 가로 10 mm × 세로 10 ㎜의 크기로 다이싱 하였고 -10℃로 온도를 고정시킨 상태에서 웨이퍼 링 익스팬젼을 실시하였다. 익스팬젼은 총 12 mm를 실시하며 1차로 7 mm를 200 mm/s로 상승시킨 후 5초간 유지하며 추가로 5 mm를 10 mm/s의 속도로 상승시키는 방식으로 실시하였다.After each of the adhesive layers prepared in Examples 2 to 4 and Comparative Examples 1 to 3 was wide coated, and then laminated on the adhesive layer prepared in Example 1, it was left for 1 day. Then, the laminated film was laminated again on a wafer having a thickness of 50 µm, and then mounted on a ring frame to form a modified portion of the central portion of the wafer using a laser. At this time, the chip was diced into a size of 10 mm × 10 mm, and the wafer ring expansion was carried out with the temperature fixed at -10 ° C. Expansion was carried out in a total of 12 mm was carried out by raising the first 7 mm to 200 mm / s, then maintained for 5 seconds and further increased 5 mm at a rate of 10 mm / s.

상기 익스팬젼 후 필름을 70 mW/㎠의 조도를 가진 고압 수은등에서 3초간 조사하여 노광량 200 mJ/㎠로 조사하였다. 조각화된 웨이퍼 200개를 떼어내어 접착필름의 분할이 95% 이상 이루어지면 양호, 95% 미만이면 불량으로 표시하였다.
After the expansion, the film was irradiated for 3 seconds in a high pressure mercury lamp having an illuminance of 70 mW / cm 2 to an exposure dose of 200 mJ / cm 2. 200 fragmented wafers were removed and good when the adhesive film was divided into 95% or more, and less than 95%.

실험예Experimental Example 3 3

픽업(pick up( PickPick up) 성공률 측정 up) success rate measurement

상기 실시예 1의 접착층에, 상기 실시예 2 내지 4 및 비교예 1 내지 3에서 제조한 점착층을 각각 합지하여 제조한 다이싱 다이본딩 필름에, 두께 50 ㎛의 실리콘 웨이퍼를 60℃, 10초간 열 압착시킨 후 DFD-650(DISCO사)을 이용하여 가로 10 mm × 세로 10 mm의 크기로 다이싱하였다. 그 다음 상기 필름을 70 mW/㎠의 조도를 가진 고압 수은등에서 3초간 조사하여 노광량 200 mJ/㎠로 조사하였다. 상기 조사가 완료된 후 실리콘 웨이퍼 중앙부의 칩 200개에 대하여 다이본더 장치(SDB-1000M, 세크론)를 이용하여 픽업시험을 실시하고, 그 성공률(%)을 측정하였다.
A silicon wafer having a thickness of 50 μm was 60 ° C. for 10 seconds on a dicing die-bonding film prepared by laminating the adhesive layers prepared in Examples 2 to 4 and Comparative Examples 1 to 3 to the adhesive layer of Example 1, respectively. After thermal compression, DFD-650 (DISCO Co., Ltd.) was used for dicing to a size of 10 mm x 10 mm. The film was then irradiated for 3 seconds in a high pressure mercury lamp with a roughness of 70 mW / cm 2 to an exposure dose of 200 mJ / cm 2. After the irradiation was completed, a pickup test was carried out on a die chip device (SDB-1000M, Secron) on 200 chips in the center of the silicon wafer, and the success rate (%) was measured.

실험예Experimental Example 4 4

버(Bur ( BurrBurr ) 평가) evaluation

상기 실시예 1의 접착층에, 상기 실시예 2 내지 4 및 비교예 1 내지 3에서 제조한 점착층을 각각 합지하여 제조한 다이싱 다이본딩 필름에, 두께 50 ㎛의 실리콘 웨이퍼를 60℃, 10초간 열 압착시킨 후 DFD-650(DISCO사)을 이용하여 가로 10 mm × 세로 10 mm의 크기로 다이싱하였다. 그 다름 상기 필름을 70 mW/㎠의 조도를 가진 고압 수은등에서 3초간 조사하여 노광량 200 mJ/㎠로 조사하였다. 조사가 완료된 후 칩을 분리하여 상면(Top), 저면(Bottom), 측면(Side) 삼면을 현미경을 통하여 버의 발생 정도를 관찰하였다. 총 100개의 칩을 무작위로 추출해 그 중 100 ㎛ 이상의 버가 칩의 상면, 저면, 측면 중 한 면에라도 1개 이상 발생시 불량으로 표시하였다.
A silicon wafer having a thickness of 50 μm was 60 ° C. for 10 seconds on a dicing die-bonding film prepared by laminating the adhesive layers prepared in Examples 2 to 4 and Comparative Examples 1 to 3 to the adhesive layer of Example 1, respectively. After thermal compression, DFD-650 (DISCO Co., Ltd.) was used for dicing to a size of 10 mm x 10 mm. The film was then irradiated for 3 seconds in a high pressure mercury lamp having an illuminance of 70 mW / cm 2 to an exposure dose of 200 mJ / cm 2. After the irradiation was completed, the chip was separated, and the burr was observed on the top, bottom, and side surfaces through a microscope. A total of 100 chips were randomly extracted, and a burr of 100 µm or more was marked as defective when one or more of the chips appeared on one of the top, bottom, and side surfaces of the chip.

실험예Experimental Example 5 5

칩 chip 플라잉Flying (( ChipChip flyingflying ) 평가) evaluation

상기 실시예 1의 접착층에, 상기 실시예 2 내지 4 및 비교예 1 내지 3에서 제조한 점착층을 각각 합지하여 제조한 다이싱 다이본딩 필름에, 두께 50 ㎛의 실리콘 웨이퍼를 60℃, 10초간 열 압착시킨 후 DFD-650(DISCO사)을 이용하여 가로 5 mm × 세로 5 mm의 크기로 다이싱하였다. 상기 다이싱 이후 육안으로 판별하여 소실된 칩의 개수가 1개 이상인 경우 불량으로 표시하였다.
A silicon wafer having a thickness of 50 μm was 60 ° C. for 10 seconds on a dicing die-bonding film prepared by laminating the adhesive layers prepared in Examples 2 to 4 and Comparative Examples 1 to 3 to the adhesive layer of Example 1, respectively. After thermal compression, DFD-650 (DISCO Co., Ltd.) was used for dicing to a size of 5 mm x 5 mm. After dicing, it was visually determined, and when the number of chips lost was one or more, it was marked as bad.

실험예Experimental Example 6 6

접착층과 With adhesive layer 점착층Adhesive layer 간의 계면  Interface between 박리력의Peel force 측정 Measure

상기 실시예 1에 의하여 제조한 접착층과, 상기 실시예 2 내지 4 및 비교예 1 내지 3에 의하여 제조한 점착층간의 각각의 점착력(박리력)을 한국 공업 규격 KS-A-01107(점착 테이프 및 점착 시이트의 시험 방법)의 8항에 따라 시험하였다.
The adhesive strength (peel strength) between the adhesive layer prepared in Example 1 and the adhesive layers prepared in Examples 2 to 4 and Comparative Examples 1 to 3 was determined by Korean Industrial Standard KS-A-01107 (adhesive tape and Test method of the adhesive sheet).

(1) UV 경화 전 박리력 측정(1) Peel force measurement before UV curing

상기 접착층에 상기 점착층 시료(폭 25 mm, 길이 250 mm)를 붙인 후, 2 kg 하중의 압착 롤러를 이용하여 300 mm/min의 속도로 1회 왕복시켜 압착하였다. 압착 후 30분 경과 후에 시험편의 접은 부분을 180˚로 뒤집어 약 25 mm를 벗긴 후, 10 N 로드셀(Load Cell)에서 인장 강도기의 위쪽 클립에 상기 시험편을, 아래쪽 클립에 상기 접착층을 고정시키고, 300 mm/min의 인장 속도로 당겨 벗길 때의 하중을 측정하였다(시험편 10개에 대하여 측정한 후 평균값 계산). 상기 인장 시험기는 "Instron Series 1X/s Automated materials Tester-3343"을 사용하였다.
After attaching the adhesive layer sample (width 25 mm, length 250 mm) to the adhesive layer, the pressure-sensitive adhesive roller was reciprocated once at a speed of 300 mm / min using a 2 kg load roller. After 30 minutes after crimping, the folded part of the test piece was turned to 180 ° and peeled off about 25 mm, and then the test piece was fixed to the upper clip of the tensile strength tester and the adhesive layer was fixed to the lower clip in a 10 N load cell. The load when peeled off at a tensile speed of 300 mm / min was measured (measured on 10 test pieces and then averaged). The tensile tester used "Instron Series 1X / s Automated materials Tester-3343".

(2) UV 경화 후 박리력 측정(2) Peel force measurement after UV curing

상기 (1)의 방법과 동일하되, 상기 제작된 시험편을 70 mW/㎠의 조도를 가진 고압 수은등에서 3초간 조사하여 노광량 200 mJ/㎠로 조사한 후 측정하였다.
In the same manner as in the above (1), the prepared test piece was irradiated with a high-pressure mercury lamp having a roughness of 70 mW / cm 2 for 3 seconds and then irradiated with an exposure dose of 200 mJ / cm 2.

하기의 표 2 및 3은 상기 실험예 1 내지 6에 대한 측정 결과를 나타낸 것이다.Tables 2 and 3 below show the measurement results for Experimental Examples 1 to 6.

비교 항목Compare 단위unit 접착층(실시예1)Adhesive Layer (Example 1) 실시예 2Example 2 실시예 3Example 3 실시예 4Example 4 탄성 모듈러스Elastic modulus MPaMPa 24702470 360360 680680 770770 저온 분단성Low temperature segmentation 95% 이상-양호95% or more-good





양호Good 양호Good 양호Good 버Burr 1개 이상-불량1 or more-defective 양호Good 양호Good 양호Good 칩 플라잉Chip Flying 1개 이상-불량1 or more-defective 양호Good 양호Good 양호Good 픽업 성공률
Pickup Success Rate
Stroke(㎛)Stroke (μm) 250250 250250 300300 성공률(%)Success rate (%) 100100 100100 100100 UV 전 박리력Peeling force before UV N/25mmN / 25mm 1.31.3 1.51.5 1.51.5 UV 후 박리력Peeling force after UV 0.170.17 0.170.17 0.180.18

비교 항목Compare 단위unit 접착층(실시예1)Adhesive Layer (Example 1) 비교예 1Comparative Example 1 비교예 2Comparative Example 2 비교예 3Comparative Example 3 탄성 모듈러스Elastic modulus MPaMPa 24702470 23
(연질이라
측정 어려움)23
(Soft
Difficult to measure) 130130 27202720 저온 분단성Low temperature segmentation 95% 이상-양호95% or more-good





불량Bad 양호Good 불량Bad 버Burr 1개 이상-불량1 or more-defective 양호Good 양호Good 불량Bad 칩 플라잉Chip Flying 1개 이상-불량1 or more-defective 양호Good 양호Good 불량Bad 픽업 성공률
Pickup Success Rate
Stroke(㎛)Stroke (㎛) 250250 NGNG 200200 성공률(%)Success rate (%) 100100 7979 UV 전 박리력Peeling force before UV N/25mmN / 25mm 1.51.5 1.71.7 0.50.5 UV 후 박리력Peeling force after UV 0.180.18 0.230.23 0.080.08

상기 표 2 및 3을 살펴보면, 점착층에 충진제를 첨가하는 경우에 탄성 모듈러스가 높고, 그 함량이 증가할수록 탄성 모듈러스의 값도 증가함을 확인할 수 있었다. 다만, 충진제의 함량이 지나치게 많은 경우에는 비교예 3과 같이 탄성 모듈러스가 2,720 MPa로 과도하게 상승하여 필름 형성에 악영향을 미치며, 버 발생을 야기하며 접착층과의 점착력을 소실하여 저온 분단성 및 칩 플라잉 항목에서 모두 불량인 것으로 평가되었다. 또한, 픽업 공정에서 점착력이 지나치게 낮아, 다이싱 다이본딩 필름을 익스팬딩할 경우 다이의 오리엔테이션이 틀어져 픽업 미스를 야기하기도 하였다.Looking at Tables 2 and 3, when the filler is added to the adhesive layer it was confirmed that the elastic modulus is high, the value of the elastic modulus increases as the content increases. However, when the content of the filler is excessively high, the elastic modulus excessively rises to 2,720 MPa as in Comparative Example 3, adversely affecting film formation, causing burr generation, and losing adhesive strength with the adhesive layer, thereby causing low-temperature division and chip flying. All of the items were rated as defective. In addition, the adhesive force is too low in the pick-up process, when expanding the dicing die-bonding film, the orientation of the die is misaligned, causing pickup miss.

한편, 비교예 1과 비교예 2를 비교할 때, 경화제의 함량을 증가시키면 탄성 모듈러스 값도 증가하여 저온 분단성이 향상됨을 확인할 수 있으나, 충진제를 첨가하여 탄성 모듈러스를 증가시킨 실시예 2 내지 4와 달리 픽업성이 불량인 것으로 평가되었다. 구체적으로, 경화제를 과도하게 사용한 경우 미반응 이소시아네이트에 의하여 접착층과 점착층간의 계면 박리력이 상대적으로 무거워져서 픽업 불량을 야기한 것으로 판단된다.On the other hand, when comparing the Comparative Example 1 and Comparative Example 2, it can be seen that the increase in the content of the curing agent also increases the elastic modulus value to improve the low-temperature splitability, Examples 2 to 4 and increased the elastic modulus by adding a filler Otherwise the pickup was evaluated as poor. Specifically, when excessively using a curing agent, the interfacial peeling force between the adhesive layer and the adhesive layer is relatively heavy by unreacted isocyanate, which is considered to cause pickup failure.

Claims (10)

a) 점착층; 및
b) 상기 점착층에 적층된 접착층;
을 포함하며, -20℃ 내지 0℃에서 상기 점착층(x)에 대한 접착층(y)의 탄성 모듈러스의 비(y/x)가 1 내지 10인, 다이싱 다이본딩 필름.a) an adhesive layer; And
b) an adhesive layer laminated on the adhesive layer;
And dicing die bonding film having a ratio (y / x) of elastic modulus of the adhesive layer (y) to the adhesive layer (x) at -20 ° C to 0 ° C. 제1항에 있어서, 상기 점착층은, 점착층의 고형분 100 중량부에 대하여 0.1 내지 10 중량부의 충진제를 함유하는, 다이싱 다이본딩 필름.The dicing die-bonding film of Claim 1 in which the said adhesion layer contains 0.1-10 weight part of fillers with respect to 100 weight part of solid content of an adhesion layer. 제2항에 있어서, 상기 충진제는, 금가루, 은가루, 동분, 니켈, 알루미나, 수산화알루미늄, 수산화마그네슘, 탄산칼슘, 탄산마그네슘, 규산칼슘, 규산마그네슘, 산화칼슘, 산화마그네슘, 산화알루미늄, 질화알루미늄, 실리카, 질화붕소, 이산화티타늄, 유리, 산화철 및 세라믹으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상인, 다이싱 다이본딩 필름.The method of claim 2, wherein the filler is gold powder, silver powder, copper powder, nickel, alumina, aluminum hydroxide, magnesium hydroxide, calcium carbonate, magnesium carbonate, calcium silicate, magnesium silicate, calcium oxide, magnesium oxide, aluminum oxide, aluminum nitride, A dicing die-bonding film, which is at least one selected from the group consisting of silica, boron nitride, titanium dioxide, glass, iron oxide and ceramics. 제3항에 있어서, 상기 충진제는 실리카인, 다이싱 다이본딩 필름.The dicing die-bonding film of claim 3, wherein the filler is silica. 제1항에 있어서, 상기 점착층은,
상기 점착층의 고형분 100 중량부에 대하여,
a) 아크릴계 수지를 함유하는 바인더 수지 60 내지 95 중량부;
b) 경화제 0.1 내지 10 중량부;
c) 광 개시제 0.1 내지 15 중량부;
d) 충진제 0.1 내지 10 중량부; 및
e) 실란 커플링제 0.1 내지 10 중량부;
를 함유하는 것을 특징으로 하는, 다이싱 다이본딩 필름.The method of claim 1, wherein the adhesive layer,
With respect to 100 weight part of solid content of the said adhesion layer,
a) 60 to 95 parts by weight of a binder resin containing an acrylic resin;
b) 0.1 to 10 parts by weight of the curing agent;
c) 0.1 to 15 parts by weight of photoinitiator;
d) 0.1 to 10 parts by weight of the filler; And
e) 0.1 to 10 parts by weight of the silane coupling agent;
Dicing die-bonding film, characterized in that it contains. 제1항 내지 제5항 중 어느 하나의 항에 있어서, 상기 점착층의 UV 경화 전 박리력이 1 N/25mm 이상인, 다이싱 다이본딩 필름.The dicing die-bonding film of any one of Claims 1-5 whose peeling force before UV hardening of the said adhesion layer is 1 N / 25mm or more. 제1항 내지 제5항 중 어느 하나의 항에 있어서, 상기 점착층의 -10℃에서의 탄성 모듈러스가 150 내지 2,500 MPa인, 다이싱 다이본딩 필름.The dicing die-bonding film according to any one of claims 1 to 5, wherein the elastic modulus at −10 ° C. of the adhesive layer is 150 to 2,500 MPa. 제1항 내지 제5항 중 어느 하나의 항에 있어서, 상기 접착층의 -10℃에서의 탄성 모듈러스가 1,500 내지 3,500 MPa인, 다이싱 다이본딩 필름.The dicing die-bonding film according to any one of claims 1 to 5, wherein the elastic modulus at -10 ° C of the adhesive layer is 1,500 to 3,500 MPa. 제8항에 있어서, 상기 접착층의 -10℃에서의 탄성 모듈러스가 1,800 내지 2,500 MPa인, 다이싱 다이본딩 필름.The dicing die-bonding film of claim 8, wherein the elastic modulus at −10 ° C. of the adhesive layer is 1,800 to 2,500 MPa. a) 배선 기판;
b) 상기 배선 기판의 칩 탑재면에 부착되어 있는 다이싱 다이본딩 필름; 및
c) 상기 다이싱 다이본딩 필름상에 탑재된 반도체 칩;
을 포함하는 반도체 장치로서,
상기 다이싱 다이본딩 필름은 제1항에 기재된 필름인, 반도체 장치.a) a wiring board;
b) a dicing die bonding film attached to the chip mounting surface of the wiring board; And
c) a semiconductor chip mounted on the dicing die bonding film;
A semiconductor device comprising:
The dicing die bonding film is a semiconductor device according to claim 1.
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