[go: up one dir, main page]

KR20140116526A - 전기활성 재료 - Google Patents

전기활성 재료 Download PDF

Info

Publication number
KR20140116526A
KR20140116526A KR1020147023234A KR20147023234A KR20140116526A KR 20140116526 A KR20140116526 A KR 20140116526A KR 1020147023234 A KR1020147023234 A KR 1020147023234A KR 20147023234 A KR20147023234 A KR 20147023234A KR 20140116526 A KR20140116526 A KR 20140116526A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
group
different
same
present
layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
KR1020147023234A
Other languages
English (en)
Inventor
경호 박
노라 사비나 라두
Original Assignee
이 아이 듀폰 디 네모아 앤드 캄파니
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 이 아이 듀폰 디 네모아 앤드 캄파니 filed Critical 이 아이 듀폰 디 네모아 앤드 캄파니
Publication of KR20140116526A publication Critical patent/KR20140116526A/ko
Ceased legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/06—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing organic luminescent materials
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
    • C07C211/00—Compounds containing amino groups bound to a carbon skeleton
    • C07C211/43—Compounds containing amino groups bound to a carbon skeleton having amino groups bound to carbon atoms of six-membered aromatic rings of the carbon skeleton
    • C07C211/54—Compounds containing amino groups bound to a carbon skeleton having amino groups bound to carbon atoms of six-membered aromatic rings of the carbon skeleton having amino groups bound to two or three six-membered aromatic rings
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
    • C07C211/00—Compounds containing amino groups bound to a carbon skeleton
    • C07C211/43—Compounds containing amino groups bound to a carbon skeleton having amino groups bound to carbon atoms of six-membered aromatic rings of the carbon skeleton
    • C07C211/57—Compounds containing amino groups bound to a carbon skeleton having amino groups bound to carbon atoms of six-membered aromatic rings of the carbon skeleton having amino groups bound to carbon atoms of six-membered aromatic rings being part of condensed ring systems of the carbon skeleton
    • C07C211/58—Naphthylamines; N-substituted derivatives thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/14—Carrier transporting layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/10—Organic polymers or oligomers
    • H10K85/111—Organic polymers or oligomers comprising aromatic, heteroaromatic, or aryl chains, e.g. polyaniline, polyphenylene or polyphenylene vinylene

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Polyoxymethylene Polymers And Polymers With Carbon-To-Carbon Bonds (AREA)
  • Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)

Abstract

하기 화학식 I을 갖는 화합물이 제공된다:
[화학식 I]
Figure pat00030

화학식에서: Ar1은 아릴렌이고; Ar2는 아릴 기이고; Ar3은 아릴렌이고; Binap는 바이나프틸 부분이고; M은 공액 부분이고; x, y 및 z는 x + y + z = 1.0이 되도록 하는 몰 분율이되, 단, x 및 y는 0이 아니다.

Description

전기활성 재료{ELECTROACTIVE MATERIALS}
관련 출원
본 출원은 전체적으로 참고로 포함되는 2008년 12월 4일자 미국 가출원 제61/119,757호로부터 35 U.S.C. § 119(e) 하에 우선권을 주장한다.
본 발명은 신규한 전기활성 화합물에 관한 것이다. 본 발명은 또한 그러한 전기활성 화합물을 포함하는 적어도 하나의 활성 층을 갖는 전자 소자에 관한 것이다.
유기 발광 다이오드("OLED") 디스플레이를 구성하는 OLED와 같은 유기 광활성 전자 소자에서, 유기 활성 층은 OLED 디스플레이 내의 2개의 전기 접촉 층 사이에 개재된다. OLED에서, 유기 광활성 층은 전기 접촉 층을 가로질러 전압을 인가할 때 광투과성 전기 접촉 층을 통해 광을 발광한다.
발광 다이오드에서 활성 성분으로서 유기 전계발광 화합물을 사용하는 것은 널리 공지되어 있다. 단순한 유기 분자, 공액(conjugated) 중합체, 및 유기금속 착물이 사용되어 왔다.
광활성 재료를 사용하는 소자는 종종 광활성(예를 들어, 발광) 층과 접촉 층(정공-주입 접촉 층) 사이에 배치된 하나 이상의 전하 수송 층을 포함한다. 소자는 둘 이상의 접촉 층을 포함할 수 있다. 정공 수송 층은 광활성 층과 정공-주입 접촉 층 사이에 위치될 수 있다. 정공-주입 접촉 층은 또한 애노드(anode)로 불릴 수 있다. 전자 수송 층은 광활성 층과 전자-주입 접촉 층 사이에 위치될 수 있다. 전자-주입 접촉 층은 또한 캐소드(cathode)로 불릴 수 있다.
전자 소자에 사용하기 위한 전하 수송 재료에 대한 요구가 계속되고 있다.
하기 화학식 I을 갖는 화합물이 제공된다:
[화학식 I]
Figure pat00001
여기서,
Ar1은 각각 나타날 때 동일하거나 상이하고 아릴렌이며;
Ar2는 각각 나타날 때 동일하거나 상이하고 아릴 기이며;
Ar3은 각각 나타날 때 동일하거나 상이하고 아릴렌이며;
Binap은 바이나프틸 부분이고;
M은 각각 나타날 때 동일하거나 상이하고 공액 부분이며;
x, y 및 z는 x + y + z = 1.0이 되도록 하는 몰 분율이되, 단, x 및 y는 0이 아니다.
상기 화합물을 포함하는 적어도 하나의 층을 갖는 전자 소자가 또한 제공된다.
상기의 일반적인 설명 및 하기의 상세한 설명은 단지 예시적이고 설명적이며, 첨부된 특허청구범위에 한정된 바와 같이 본 발명을 제한하지 않는다.
실시 형태들은, 본원에 제시되는 개념의 이해를 돕기 위해 수반되는 도면에서 예시된다.
<도 1>
도 1은 유기 전자 소자의 일례의 예시를 포함하는 도면.
당업자는 도면의 대상이 단순함 및 명확함을 위해 예시되어 있으며 반드시 비율에 맞게 그려진 것은 아니라는 것을 이해한다. 예를 들어, 실시 형태의 이해 증진을 돕기 위해 도면 상의 일부 물체의 치수가 다른 물체에 비해 과장될 수 있다.
하기 화학식 I을 갖는 화합물이 제공된다:
[화학식 I]
Figure pat00002
여기서,
Ar1은 각각 나타날 때 동일하거나 상이하고 아릴렌이며;
Ar2는 각각 나타날 때 동일하거나 상이하고 아릴 기이며;
Ar3은 각각 나타날 때 동일하거나 상이하고 아릴렌이며;
Binap은 바이나프틸 부분이고;
M은 각각 나타날 때 동일하거나 상이하고 공액 부분이며;
x, y 및 z는 x + y + z = 1.0이 되도록 하는 몰 분율이되, 단, x 및 y는 0이 아니다.
화학식 I을 갖는 화합물을 포함하는 적어도 하나의 층을 갖는 전자 소자가 또한 제공된다.
많은 측면 및 실시 형태가 전술되었으며, 이들은 단지 예시적이며 제한적이지 않다. 본 명세서를 읽은 후에, 숙련자는 다른 태양 및 실시 형태가 본 발명의 범주로부터 벗어남이 없이 가능함을 이해한다.
실시 형태들 중 임의의 하나 이상의 실시 형태의 다른 특징 및 이득이 하기의 상세한 설명 및 특허청구범위로부터 명백해질 것이다. 상세한 설명은 먼저 용어의 정의와 해설에 대해 검토하며, 전기활성 화합물, 전자 소자에 대해 이어지고, 마지막으로 실시예가 이어진다.
1. 용어의 정의와 해설
이하에서 설명되는 실시 형태의 상세 사항을 다루기 전에, 몇몇 용어를 정의하거나 또는 명확히 하기로 한다.
본 명세서에 사용되는 바와 같이, 용어 "알킬"은 분지쇄 및 직쇄 포화 지방족 탄화수소 기를 포함한다. 달리 표시되지 않는 한, 이 용어는 또한 환형 기를 포함하고자 한다. 알킬 기의 예에는 메틸, 에틸, 프로필, 아이소프로필, 아이소부틸, sec-부틸, tert-부틸, 펜틸, 아이소펜틸, 네오펜틸, 사이클로펜틸, 헥실, 사이클로헥실, 아이소헥실 등이 포함된다. 용어 "알킬"은 치환된 그리고 비치환된 탄화수소 기 둘 모두를 추가로 포함한다. 일부 실시 형태에서, 알킬기는 일치환, 이치환 및 삼치환될 수 있다. 치환된 알킬기의 일례는 트라이플루오로메틸이다. 다른 치환된 알킬기는 본 명세서에 기재된 하나 이상의 치환체로부터 형성된다. 소정 실시 형태에서, 알킬기는 1 내지 20개의 탄소 원자를 갖는다. 다른 실시 형태에서, 이 기는 1 내지 6개의 탄소 원자를 갖는다. 이 용어는 헤테로알킬기를 포함하고자 한다. 헤테로알킬기는 1 내지 20개의 탄소 원자를 가질 수 있다.
용어 "아릴"은 방향족 탄소환식 부분을 의미하는데, 이는 단일 고리(단환식) 또는 함께 융합되거나 또는 공유 결합에 의해 연결된 다중 고리(이환식, 또는 그 이상)일 수 있다. 아릴 부분의 임의의 적합한 고리 위치는 정의된 화학 구조에 공유 결합에 의해 연결될 수 있다. 아릴 부분의 예는 페닐, 1-나프틸, 2-나프틸, 다이하이드로나프틸, 테트라하이드로나프틸, 바이페닐 안트릴, 페난트릴, 플루오레닐, 인다닐, 바이페닐레닐, 아세나프테닐, 아세나프틸레닐 등을 포함하지만 이로 한정되지 않는다. 일부 실시 형태에서, 아릴 기는 6 내지 60개의 탄소 원자를 가지며; 일부 실시 형태에서 6 내지 48개의 탄소 원자를 갖는다. 이 용어는 헤테로아릴 기를 포함하고자 한다. 헤테로아릴 기는 4 내지 50개의 탄소 원자를 가질 수 있다.
용어 "알콕시"는 -OR 기(여기서, R은 알킬임)를 의미하고자 하는 것이다.
용어 "아릴옥시"는 -OR 기(여기서, R은 아릴임)를 의미하고자 하는 것이다.
달리 표시되지 않는다면, 모든 기는 치환될 수 있거나 또는 치환되지 않을 수 있다. 알킬 또는 아릴과 같은 그러나 이로 제한되지 않는 선택적으로 치환된 기는 동일하거나 상이할 수 있는 하나 이상의 치환체로 치환될 수 있다. 적합한 치환체에는 알킬, 아릴, 니트로, 시아노, -N(R7)(R8), 할로, 하이드록시, 카르복시, 알케닐, 알키닐, 사이클로알킬, 헤테로아릴, 알콕시, 아릴옥시, 헤테로아릴옥시, 알콕시카르보닐, 퍼플루오로알킬, 퍼플루오로알콕시, 아릴알킬, 실릴, 실록산, 티오알콕시, -S(O)2-N(R')(R"), -C(=O)-N(R')(R"), (R')(R")N-알킬, (R')(R")N-알콕시알킬, (R')(R")N-알킬아릴옥시알킬, -S(O)s-아릴(여기서, s는 0 내지 2) 또는 -S(O)s-헤테로아릴(여기서, s는 0 내지 2)이 포함된다. 각각의 R' 및 R"은 독립적으로 선택적으로 치환된 알킬, 사이클로알킬 또는 아릴 기이다. 소정 실시 형태에서, R' 및 R"는, 이들이 결합된 질소 원자와 함께 고리 시스템(ring system)을 형성할 수 있다. 치환체는 또한 가교결합 기일 수 있다.
용어 "전하 수송"은 층, 재료, 부재, 또는 구조물을 언급할 때, 그러한 층, 재료, 부재, 또는 구조물이 상대적으로 효율적으로 그리고 전하 손실이 적게 그러한 층, 재료, 부재, 또는 구조물의 두께를 통해 그러한 전하의 이동을 촉진한다는 것을 의미하고자 한다. 정공 수송 재료는 양전하를 촉진하며; 전자 수송 재료는 음전하를 촉진한다. 발광 재료가 또한 일부 전하 수송 특성을 가질 수 있지만, 용어 "전하 수송층, 재료, 부재 또는 구조물"은 주요 기능이 발광인 층, 재료, 부재 또는 구조물을 포함하는 것을 의도하지 않는다.
용어 "화합물"은 원자를 또한 포함하는 분자로 구성된 전기적으로 하전되지 않은 물질을 의미하고자 하는 것으로, 여기서 원자는 화학 결합을 깨지 않고 물리적 수단에 의해서 당해 분자로부터 분리될 수 없다. 이 용어는 올리고머 및 중합체를 포함하고자 하는 것이다.
용어 "가교결합성 기" 또는 "가교결합 기"는 열처리 또는 방사선 노출을 통해 가교결합으로 이어질 수 있는 기를 의미하고자 하는 것이다. 일부 실시 형태에서, 방사선은 UV 또는 가시광선이다.
층 또는 재료를 말할 때, 용어 "전기활성"은 전자 소자의 작동을 전자적으로 촉진하는 층 또는 재료를 나타내고자 하는 것이다. 전기활성 재료의 예에는 전자 또는 정공일 수 있는 전하를 전도하거나, 주입하거나, 수송하거나, 또는 차단하는 재료, 또는 방사선을 방출하거나 방사선을 수용할 때 전자-정공 쌍의 농도 변화를 나타내는 재료가 포함되지만 이로 한정되지 않는다. 비활성 재료의 예에는 평탄화 재료, 절연 재료, 및 환경 장벽 재료가 포함되지만 이로 한정되지 않는다.
접두사 "플루오로"는 기 내의 하나 이상의 수소가 불소로 치환되었음을 나타내고자 하는 것이다.
접두사 "헤테로"는 하나 이상의 탄소 원자가 다른 원자로 치환되었음을 나타낸다. 일부 실시 형태에서, 헤테로원자는 O, N, S 또는 그 조합이다.
용어 "옥시알킬"은 하나 이상의 탄소가 산소로 치환된 헤테로알킬 기를 의미하고자 하는 것이다. 상기 용어는 산소를 통해 연결된 기를 포함한다.
용어 "광활성"은 전계발광 또는 감광성을 나타내는 임의의 재료를 의미하고자 하는 것이다.
용어 "실릴"은 기 R3Si-를 말하며, 여기서 R은 H, D, C1-20 알킬, 플루오로알킬, 또는 아릴이다. 일부 실시 형태에서, R 알킬기 내의 하나 이상의 탄소가 Si로 치환된다. 일부 실시 형태에서, 실릴기는 (헥실)2Si(Me)CH2CH2Si(Me) 2- 및 [CF3(CF2)6CH2CH2] 2SiMe-이다.
용어 "실록산"은 기 (RO)3Si-를 말하며, 여기서 R은 H, D , C1-20 알킬 또는 플루오로알킬이다.
어구 "인접한"은, 소자 내의 층을 말하기 위해 사용될 때, 한 층이 다른 층에 바로 옆에 있는 것을 반드시 의미하지는 않는다. 반면에, 어구 "인접한 R 기"는 화학식 내에서 서로 옆에 있는 R 기(즉, 결합에 의해서 연결된 원자들 상에 있는 R기들)를 말하고자 사용된다.
본 명세서에 사용되는 용어 "함유하다", "함유하는", "포함하다", "포함하는", "가진다", "가지는" 또는 이들의 임의의 다른 변형은 비배타적인 포함을 망라하고자 하는 것이다. 예를 들어, 요소들의 목록을 포함하는 공정, 방법, 용품, 또는 장치는 반드시 그러한 요소만으로 제한되지는 않고, 명확하게 열거되지 않거나 그러한 공정, 방법, 용품, 또는 장치에 내재적인 다른 요소를 포함할 수도 있다. 또한, 명백히 반대로 기술되지 않는다면, "또는"은 포괄적인 '또는'을 말하며 배타적인 '또는'을 말하는 것은 아니다. 예를 들어, 조건 A 또는 B는 하기 중 어느 하나에 의해 만족된다: A는 참(또는 존재함)이고 B는 거짓(또는 존재하지 않음), A는 거짓(또는 존재하지 않음)이고 B는 참(또는 존재함), A 및 B 모두가 참(또는 존재함).
또한, 부정관사("a" 또는 "an")의 사용은 본 명세서에서 설명되는 요소들 및 구성요소들을 설명하기 위해 채용된다. 이는 단지 편의상 그리고 본 발명의 범주의 전반적인 의미를 제공하기 위해 행해진다. 이러한 표현은 하나 또는 적어도 하나를 포함하는 것으로 파악되어야 하며, 단수형은 그 수가 명백하게 단수임을 의미하는 것이 아니라면 복수형을 또한 포함한다.
원소의 주기율표 내의 컬럼(column)에 대응하는 족(group) 번호는 문헌[CRC Handbook of Chemistry and Physics, 81st Edition(2000-2001)]에 나타난 바와 같은 "새로운 표기(New Notation)" 규정을 사용한다.
달리 정의되지 않는 한, 본 명세서에서 사용되는 모든 기술적 및 과학적 용어는 본 발명이 속하는 기술 분야의 숙련자에 의해 통상적으로 이해되는 바와 동일한 의미를 갖는다. 본 명세서에 기재되는 것과 유사하거나 등가인 방법 및 재료가 본 발명의 실시 형태의 실시 또는 시험에서 사용될 수 있지만, 적합한 방법 및 재료가 후술된다. 본 명세서에서 언급되는 모든 간행물, 특허 출원, 특허, 및 다른 참조 문헌은 특정 구절이 인용되지 않으면 전체가 본 명세서에 참고로 포함된다. 상충되는 경우에는, 정의를 비롯하여 본 명세서가 좌우할 것이다. 게다가, 재료, 방법, 및 실시예는 단지 예시적인 것이며 제한하고자 하는 것은 아니다.
본원에 기재되지 않는 범위까지, 특정 재료, 가공 행위 및 회로에 관한 많은 상세사항은 통상적이며, 유기 발광 다이오드 디스플레이, 광검출기, 광전지 및 반도체 부재 기술 분야의 교재 및 기타 출처에서 확인할 수 있다.
2. 전기활성 화합물
본 명세서에 기재된 화합물은 하기 화학식 I을 갖는다:
[화학식 I]
Figure pat00003
여기서,
Ar1은 각각 나타날 때 동일하거나 상이하고 아릴렌이며;
Ar2는 각각 나타날 때 동일하거나 상이하고 아릴 기이며;
Ar3은 각각 나타날 때 동일하거나 상이하고 아릴렌이며;
Binap은 바이나프틸 부분이고;
M은 각각 나타날 때 동일하거나 상이하고 공액 부분이며;
x, y 및 z는 x + y + z = 1.0이 되도록 하는 몰 분율이되, 단, x 및 y는 0이 아니다.
화학식 I의 화합물은 적어도 바이나프틸 부분과, 2개의 아미노 질소를 갖는 아릴 아미노 부분을 갖는다. 화합물은 양호한 정공 수송 특성을 갖는다. 이러한 재료가 OLED의 정공 수송 층에 사용되는 경우, 생성되는 소자는 양호한 효율 및 수명을 가질 수 있다. 일부 실시 형태에서, 화합물은 소자의 발광 층 중의 발광 재료를 위한 호스트로서 사용될 수 있다.
일부 실시 형태에서, Binap 기는 하기 화학식 II를 갖는 1,1'-바이나프틸 기이다
[화학식 II]
Figure pat00004
여기서,
*는 화합물 내의 다른 단위에 대한 부착점을 나타내고;
R1은 각각 나타날 때 동일하거나 상이하고 H, D, 아릴 기, 알킬 기, 실릴 기, 실록산 기, 플루오로알킬 기, 알콕시 기, 및 플루오로알콕시 기로 이루어진 군으로부터 선택되거나, 또는 2개의 R1 기가 함께 연결되어 5 내지 10개의 탄소를 갖는 지방족 고리를 형성할 수 있고;
R2는 각각 나타날 때 동일하거나 상이하고 D, 아릴 기, 알킬 기, 실릴 기, 실록산 기, 플루오로알킬 기, 알콕시 기, 및 플루오로알콕시 기로 이루어진 군으로부터 선택되고;
a는 각각 나타날 때 동일하거나 상이하고 0 내지 5의 정수이다.
일부 실시 형태에서, 1,1'-바이나프틸 기는 3- 및 3'-위치에 부착점을 갖는 화학식 IIa를 가지며, 여기서, *, R1, R2 및 a는 상기에 정의된 바와 같다:
[화학식 IIa]
Figure pat00005
본 명세서에 사용되는 바와 같이, 구조는 R2가 융합 고리 구조 내의 임의의 이용가능한 탄소에 결합될 수 있음을 나타낸다.
일부 실시 형태에서, 1,1'-바이나프틸 기는 4- 및 4'-위치에 부착점을 갖는 화학식 IIb를 가지며, 여기서, *, R1, R2 및 a는 상기에 정의된 바와 같다:
[화학식 IIb]
Figure pat00006
일부 실시 형태에서, 1,1'-바이나프틸 기는 5- 및 5'-위치에 부착점을 갖는 화학식 IIc를 가지며, 여기서, *, R1, R2 및 a는 상기에 정의된 바와 같다:
[화학식 IIc]
Figure pat00007
일부 실시 형태에서, 1,1'-바이나프틸 기는 6- 및 6'-위치에 부착점을 갖는 화학식 IId를 가지며, 여기서, *, R1, R2 및 a는 상기에 정의된 바와 같다:
[화학식 IId]
Figure pat00008
일부 실시 형태에서, 1,1'-바이나프틸 기는 7- 및 7'-위치에 부착점을 갖는 화학식 IIe를 가지며, 여기서, *, R1, R2 및 a는 상기에 정의된 바와 같다:
[화학식 IIe]
Figure pat00009
화학식 II 및 화학식 IIa 내지 화학식 IIe의 일부 실시 형태에서, R1은 1 내지 12개의 탄소 원자를 갖는 알킬 기 및 1 내지 12개의 탄소 원자를 갖는 알콕시 기로부터 선택된다.
화학식 II 및 화학식 IIa 내지 화학식 IIe의 일부 실시 형태에서, R2는 1 내지 12개의 탄소 원자를 갖는 알킬 기 및 1 내지 12개의 탄소 원자를 갖는 알콕시 기로부터 선택된다.
화학식 II 및 화학식 IIa 내지 화학식 IIe의 일부 실시 형태에서, a는 0 및 1로부터 선택된다. 일부 실시 형태에서, a는 0이다.
일부 실시 형태에서, Ar1은 하기 화학식 III을 갖는다
[화학식 III]
Figure pat00010
여기서,
R3은 각각 나타날 때 동일하거나 상이하고 D, 알킬, 알콕시, 실록산 및 실릴로 이루어진 군으로부터 선택되며;
c는 각각 나타날 때 동일하거나 상이하고 0 내지 4의 정수이며;
m은 각각 나타날 때 동일하거나 상이하고 1 내지 6의 정수이다.
일부 실시 형태에서, 하나의 c의 적어도 하나는 0이 아니다. 일부 실시 형태에서, m은 1 내지 3이다.
일부 실시 형태에서, Ar1은 페닐렌, p-바이페닐렌, p-터페닐렌, 나프틸렌, 페닐렌나프틸렌, 및 나프틸렌페닐렌으로 이루어진 군으로부터 선택된다. 일부 실시 형태에서, Ar1은 페닐렌 및 바이페닐렌으로 이루어진 군으로부터 선택된다.
일부 실시 형태에서, Ar2는 화학식 IV를 갖는다
[화학식 IV]
Figure pat00011
여기서,
R3은 각각 나타날 때 동일하거나 상이하고 D, 알킬, 알콕시, 실록산 및 실릴로 이루어진 군으로부터 선택되며;
c는 각각 나타날 때 동일하거나 상이하고 0 내지 4의 정수이며;
d는 각각 나타날 때 동일하거나 상이하고 0 내지 5의 정수이며;
m은 각각 나타날 때 동일하거나 상이하고 1 내지 6의 정수이다.
화학식 IV의 일부 실시 형태에서, 하나의 c 및 d의 적어도 하나는 0이 아니다. 일부 실시 형태에서, m은 1 내지 3이다. 일부 실시 형태에서, Ar2는 페닐, 바이페닐, 터페닐, 및 나프틸로 이루어진 군으로부터 선택된다.
일부 실시 형태에서, Ar3은 상기에 정의된 바와 같은 화학식 III을 갖는다.
화학식 III의 일부 실시 형태에서, 하나의 c 및 d의 적어도 하나는 0이 아니다. 일부 실시 형태에서, m은 1 내지 3이다. 일부 실시 형태에서, Ar3은 페닐렌, 바이페닐렌, 및 나프틸렌으로 이루어진 군으로부터 선택된다. 일부 실시 형태에서, Ar3은 페닐렌 및 바이페닐렌으로 이루어진 군으로부터 선택된다.
임의의 Ar1, Ar2 및 Ar3가 임의의 위치에서 치환될 수 있다. 치환체는 화합물의 하나 이상의 물리적 특성, 예를 들어, 용해도를 개선하도록 존재할 수 있다. 일부 실시 형태에서, 치환체는 D, 알킬 기, 실릴 기, 실록산 기, 및 알콕시 기로 이루어진 군으로부터 선택된다. 일부 실시 형태에서, 기들은 1 내지 12개의 탄소 원자를 갖는다. 일부 실시 형태에서, 인접한 알킬 기들이 함께 연결되어 비방향족 고리를 형성한다. 일부 실시 형태에서, 가교결합성 기를 포함하는 적어도 하나의 치환체가 있다. 일부 실시 형태에서, 가교결합 치환체가 적어도 하나의 Ar2 상에 존재한다. 가교결합성 기의 예에는 비닐, 아크릴레이트, 퍼플루오로비닐에테르, 1-벤조-3,4-사이클로부탄, 실록산, 시아네이트기, 환형 에테르(에폭사이드), 사이클로알켄, 및 아세틸렌기가 포함되지만 이로 한정되지 않는다. 일 실시 형태에서, 가교결합성 기는 비닐이다.
화학식 I은 적어도 2개의 상이한 공액 부분이 있는 공중합체를 나타낸다. 일부 실시 형태에서, x는 적어도 0.4이고 y는 적어도 0.4이다. 일부 실시 형태에서, x 및 y는 각각 0.4 내지 0.6의 범위에 있다. 공중합체는 랜덤, 교대, 또는 블록 공중합체일 수 있다. 일부 실시 형태에서, 공중합체는 랜덤 공중합체이다.
일부 실시 형태에서, z는 0 초과이고 M은 트라이아릴아민 단위를 갖는 방향족 단위이다. 일부 실시 형태에서, M은 방향족 기이다. 일부 실시 형태에서, M은 가교결합성 치환체를 갖는 방향족 단위이다. 가교결합성 치환체를 갖는 M의 양은 일반적으로 4 내지 20 몰%이다.
Binap 기가 화학식 II를 갖고 R1이 H 또는 D가 아닌 경우, 치환된 바이나프틸 기는 화학식 I을 갖는 화합물의 골격에 비평면성을 도입한다. 제1 나프틸 기는 이것이 연결된 제2 나프틸 기와는 상이한 평면에서 배향된다. 비평면성으로 인해, 화합물은 카이랄성이다. 일반적으로, 화합물은 라세미 혼합물로서 형성된다.
화학식 I을 갖는 화합물의 일부 비제한적인 예는 하기 화합물 A 내지 화합물 C를 포함한다.
화합물 A
Figure pat00012
화합물 B
Figure pat00013
화합물 C:
Figure pat00014
새로운 화합물은 C-C 또는 C-N 결합을 수득할 임의의 기술을 사용하여 제조될 수 있다. 다양한 그러한 기술, 예를 들어, 스즈키(Suzuki), 야마모토(Yamamoto), 스틸(Stille), 및 다른 전이금속 촉매 커플링 반응이 공지되어 있다. 화합물은 용액 처리 기술을 사용하여 층으로 형성될 수 있다. 용어 "층"은 용어 "필름"과 호환적으로 사용되며 목적하는 영역을 덮는 코팅을 지칭한다. 이 용어는 크기에 의해 한정되지 않는다. 영역은 전체 소자만큼 크거나, 실제 영상 디스플레이(visual display)와 같은 특이적 기능성 영역만큼 작거나, 단일 부화소(sub-pixel)만큼 작을 수 있다. 층 및 필름은 임의의 종래 침착(deposition) 기술, 예를 들어 증착(vapor deposition), 액체 침착(liquid deposition)(연속식 및 불연속식 기술), 및 열전사(thermal transfer)에 의해 형성될 수 있다. 연속식 침착 기술은 스핀 코팅(spin coating), 그라비어 코팅(gravure coating), 커튼 코팅(curtain coating), 딥 코팅(dip coating), 슬롯-다이 코팅(slot-die coating), 분무 코팅(spray coating) 및 연속식 노즐 코팅(continuous nozzle coating)을 포함하나 이에 한정되지 않는다. 불연속식 침착 기술은 잉크젯 인쇄(ink jet printing), 그라비어 인쇄(gravure printing) 및 스크린 인쇄(screen printing)를 포함하나 이에 한정되지 않는다. 가교결합 기가 존재하는 경우, 필름은 가열되고/되거나 UV로 처리되어 가교결합된 필름을 형성할 수 있다. 가교결합된 필름은 추가적인 처리 단계에 대해 더 견고하며 일반적으로 처리 용매에 가용성이 아니다.
본 명세서에서 개시된 새로운 화합물은 정공 수송 재료로서, 광활성 재료로서, 그리고 광활성 재료를 위한 호스트로서 사용될 수 있다. 새로운 화합물은 N,N'-다이페닐-N,N'-비스(3-메틸페닐)-[1,1'-바이페닐]-4,4'-다이아민(TPD) 및 N,N'-비스(나프탈렌-1-일)-N,N'-비스-(페닐)벤지딘(α-NPB)과 같은 효율적인 소분자 정공 수송 화합물과 유사한 정공 이동성 및 HOMO/LUMO 에너지를 갖는다. TPD 및 NPD와 같은 화합물은 일반적으로 증착 기술을 사용하여 적용되어야 한다.
일부 실시 형태에서 새로운 화합물은 광활성 재료를 위한 호스트로서 유용하다.
3. 전자 소자
본 명세서에 기재된 적어도 하나의 화합물을 포함하는 하나 이상의 층을 갖는 것으로부터 이익을 얻을 수 있는 유기 전자 소자는 (1) 전기 에너지를 방사선으로 변환하는 소자(예컨대, 발광 다이오드, 발광 다이오드 디스플레이, 또는 다이오드 레이저), (2) 전자공학적 공정을 통해 신호를 검출하는 소자(예컨대, 광검출기, 광전도성 전지, 포토레지스터, 광스위치, 광트랜지스터, 광전관, IR 검출기), (3) 방사선을 전기 에너지로 변환하는 소자(예컨대, 광기전 장치 또는 태양 전지), 및 (4) 하나 이상의 유기 반도체 층을 포함하는 하나 이상의 전자 구성요소를 포함하는 소자(예컨대, 트랜지스터 또는 다이오드)를 포함하지만 이로 한정되지 않는다. 본 발명에 따른 조성물의 다른 용도에는 메모리 저장 소자용 코팅 재료, 정전기방지 필름, 바이오센서, 전기 변색 소자, 고체 전해질 커패시터, 재충전가능한 배터리와 같은 에너지 저장 소자, 및 전자기 차단 용도가 포함된다.
유기 전자 소자 구조의 일 예시가 도 1에 도시되어 있다. 소자(100)는 애노드층(110) 및 캐소드 층(150), 및 이들 사이의 광활성 층(130)을 갖는다. 애노드에 인접하여 전하 수송 재료, 예를 들어, 정공 수송 재료를 포함하는 층(120)이 있다. 캐소드에 인접하여, 전자 수송 재료를 포함하는 전하 수송 층(140)이 있을 수 있다. 선택 사양으로서, 소자는 애노드(110) 옆의 하나 이상의 추가적인 정공 주입 또는 정공 수송 층(도시하지 않음) 및/또는 캐소드(150) 옆의 하나 이상의 추가적인 전자 주입 또는 전자 수송 층(도시하지 않음)을 사용할 수 있다.
본 명세서에 사용되는 바와 같이, 용어 "광활성"은 (발광 다이오드 또는 발광 전기화학 전지에서와 같이) 인가된 전압에 의해 활성화될 때 광을 발광하거나, 또는 (광검출기에서와 같이) 인가된 바이어스 전압에 의해 또는 바이어스 전압 없이 방사 에너지에 응답하여 신호를 발생시키는 재료를 말한다. 일 실시 형태에서, 광활성층은 에미터(emitter) 층이다.
소자(100)의 용도에 따라, 광활성 층(130)은 (발광 다이오드 또는 발광 전기화학 전지에서와 같이) 인가된 전압에 의해 활성화되는 발광 층, 또는 (광검출기 내에서와 같이) 인가된 바이어스 전압에 의해 또는 바이어스 전압 없이 방사 에너지에 응답하여 신호를 발생시키는 재료의 층일 수 있다. 광검출기의 예에는 광전도성 전지, 광저항기, 광스위치, 광트랜지스터 및 광전관, 및 광전지가 포함되며, 이들 용어는 문헌[ Kirk-Othmer Concise Encyclopedia of Chemical Technology, 4th edition, p.1537, (1999)]에 기재되어 있다.
일부 실시 형태에서, 정공 수송 층(120)은 본 명세서에 기재된 적어도 하나의 새로운 전기활성 화합물을 포함한다.
일부 실시 형태에서, 광활성 층(130)은 본 명세서에 기재된 적어도 하나의 새로운 전기활성 화합물을 포함하며, 여기서 전기활성 화합물은 광활성이다.
일부 실시 형태에서, 광활성 층(130)은 본 명세서에 기재된 적어도 하나의 새로운 전기활성 화합물을 포함하며, 여기서 전기활성 화합물은 그 안에 광활성 재료가 분산되어 있는 호스트로서 작용한다.
소자 내의 기타 층은 그러한 층에 유용한 것으로 공지된 임의의 재료로 만들어질 수 있다. 애노드(110)는 양전하 캐리어를 주입하는 데 있어서 특히 효율적인 전극이다. 이는, 예를 들어 금속, 혼합된 금속, 합금, 금속 산화물 또는 혼합된-금속 산화물을 함유하는 재료로 만들어질 수 있고, 또는 전도성 중합체 및 이의 혼합물일 수 있다. 적합한 금속은 11족 금속, 4, 5 및 6족 금속, 및 8 내지 10족 전이 금속을 포함한다. 애노드가 광투과성이라면, 제12, 13 및 14족 금속의 혼합된-금속 산화물, 예컨대 인듐-주석-산화물이 일반적으로 사용된다. 애노드(110)는 문헌["Flexible light-emitting diodes made from soluble conducting polymer, " Nature vol. 357, pp 477 479 (11 June 1992)]에 기재된 바와 같은 폴리아닐린과 같은 유기 재료를 또한 포함할 수 있다. 발생된 빛의 관찰이 가능하도록, 애노드 및 캐소드 중 적어도 하나는 적어도 부분적으로 투명해야 한다.
일부 실시 형태에서 소자는 애노드와 새로운 중합체를 포함하는 층 사이에 완충 층을 추가로 포함한다. 용어 "완충 층"은 전기 전도성 또는 반전도성 재료를 포함하는 층을 의미하고자 하는 것이며, 하부 층의 평탄화, 전하 수송 및/또는 전하 주입 특성, 산소나 금속 이온과 같은 불순물의 청소, 및 유기 전자 소자의 성능을 촉진하거나 개선할 기타 태양을 포함하지만 이에 한정되지 않는 유기 전자 소자의 하나 이상의 기능을 가질 수 있다. 완충 재료는 중합체, 올리고머 또는 소분자일 수 있고, 용액, 분산액, 현탁액, 에멀젼, 콜로이드 혼합물 또는 다른 조성물의 형태일 수 있다. 완충층은 종종 양성자성 산으로 도핑되는 중합체 재료, 예컨대 폴리아닐린(PANI) 또는 폴리에틸렌다이옥시티오펜(PEDOT)으로 형성될 수 있다. 양성자성 산은, 예를 들어 폴리(스티렌설폰산), 폴리(2-아크릴아미도-2-메틸-1-프로판설폰산) 등일 수 있다. 완충층은 전하 수송 화합물 등, 예컨대 구리 프탈로시아닌 및 테트라티아풀발렌-테트라시아노퀴노다이메탄 시스템(TTF-TCNQ)을 포함할 수 있다. 한 실시 형태에서, 완충층은 전도성 중합체 및 콜로이드-형성 고분자 산의 분산액으로부터 만들어진다. 그러한 재료는, 예를 들어, 미국 특허 출원 공개 제2004-0102577호, 제2004-0127637호, 및 제2005/205860호에 기재되어 있다.
일부 실시 형태에서, 정공 수송 층(120)은 본 명세서에 기재된 새로운 전기활성 화합물을 포함한다. 일부 실시 형태에서, 층(120)은 다른 정공 수송 재료를 포함한다. 층(120)을 위한 다른 정공 수송 재료의 예는, 예를 들어, 문헌[Kirk Othmer Encyclopedia of Chemical Technology, Fourth Edition, Vol. 18, p. 837 860, 1996, by Y. Wang]에 요약되어 있다. 정공 수송 분자 및 중합체는 양자 모두 사용 가능하다. 통상적으로 사용되는 정공 수송 분자는 하기를 포함하지만 이로 한정되지 않는다: N,N'-다이페닐-N,N'-비스(3-메틸페닐)-[1,1'-바이페닐]-4,4'-다이아민(TPD), 1,1-비스[(다이-4-톨릴아미노)페닐]사이클로헥산(TAPC), N,N'-비스(4-메틸페닐)-N,N'-비스(4-에틸페닐)-[1,1'-(3,3'-다이메틸)바이페닐]-4,4'-다이아민(ETPD), 테트라키스(3-메틸페닐)-N,N,N',N'-2,5-페닐렌다이아민(PDA), a-페닐4-N,N-다이페닐아미노스티렌(TPS), p-(다이에틸아미노)벤즈알데히드 다이페닐하이드라존(DEH), 트라이페닐아민(TPA), 비스[4(N,N-다이에틸아미노)-2-메틸페닐](4-메틸페닐)메탄(MPMP), 1-페닐-3-[p-(다이에틸아미노)스티릴]-5-[p-(다이에틸아미노)페닐] 피라졸린(PPR 또는 DEASP), 1,2-트랜스-비스(9H-카르바졸-9-일)사이클로부탄(DCZB), N,N,N',N'테트라키스(4-메틸페닐)-(1,1'-바이페닐)-4,4'-다이아민(TTB), N,N'-비스(나프탈렌-1-일)-N,N'-비스-(페닐)벤지딘(α-NPB), 및 포르피린 화합물, 예를 들어, 구리 프탈로시아닌. 통상적으로 사용되는 정공 수송 중합체는 폴리비닐카르바졸, (페닐메틸)폴리실란, 및 폴리아닐린을 포함하지만 이로 한정되지 않는다. 상기 언급한 것들과 같은 정공 수송 분자를 폴리스티렌 및 폴리카보네이트와 같은 중합체 내로 도핑함으로써 정공 수송 중합체를 수득할 수도 있다. 미국 특허 출원 공개 제2004/102577호, 제2004/127637호 및 제2005/205860호에 기재되어 있는 바와 같이, 완충 층 및/또는 정공 수송 층은 티오펜, 아닐린 또는 피롤과 중합체성 플루오르화 설폰산의 중합체를 또한 포함할 수 있다.
소분자 유기 형광 화합물, 형광 및 인광 금속 착물, 공액 중합체, 및 이들의 혼합물을 포함하지만 이로 한정되지 않는 임의의 유기 전계발광("EL") 재료가 광활성 층(130)에서 광활성 재료로서 사용될 수 있다. 형광 화합물의 예에는 크라이센, 피렌, 페릴렌, 루브렌, 쿠마린, 안트라센, 티아다이아졸, 이들의 유도체, 및 이들의 혼합물이 포함되지만 이로 한정되지 않는다. 금속 착물의 예는 금속 킬레이트화 옥시노이드 화합물, 예를 들어 트리스(8-하이드록시퀴놀라토)알루미늄(Alq3); 고리금속(cyclometalated) 이리듐 및 백금 전계발광 화합물, 예를 들어, 페트로브(Petrov) 등의 미국 특허 제6,670,645호와 국제특허 공개 WO 03/063555호 및 WO 2004/016710호에 개시된 바와 같은, 페닐피리딘, 페닐퀴놀린, 또는 페닐피리미딘 리간드와의 이리듐의 착물, 및 예를 들어, 국제특허 공개 WO 03/008424호, WO 03/091688호 및 WO 03/040257호에 기재된 유기금속 착물, 및 이들의 혼합물이 포함되지만 이로 한정되지 않는다. 일부 경우에, 소분자 형광 또는 유기금속 재료는 가공 및/또는 전자 특성을 개선하기 위하여 호스트 재료와 함께 도펀트로서 침착된다. 공액 중합체의 예에는 폴리(페닐렌비닐렌), 폴리플루오렌, 폴리(스피로바이플루오렌), 폴리티오펜, 폴리(p-페닐렌), 그 공중합체, 및 그 혼합물이 포함되지만 이로 한정되지 않는다. 재료들은 또한 호스트 재료와의 혼합물 형태로 존재할 수 있다. 일부 실시 형태에서, 호스트 재료는 정공 수송 재료 또는 전자 수송 재료이다. 일부 실시 형태에서, 호스트는 본 명세서에 기재된 새로운 전기활성 화합물이다. 일부 실시 형태에서 호스트 재료 대 광활성 재료의 비는 5:1 내지 20:1, 일부 실시 형태에서는 10:1 내지 15:1의 범위에 있다.
전자 수송 층(140) 및/또는 층(140)과 캐소드 사이의 선택적 층에서 사용될 수 있는 전자 수송 재료의 예에는 금속 킬레이트 옥시노이드 화합물, 예를 들어, 트리스(8-하이드록시퀴놀라토)알루미늄(AlQ), 비스(2-메틸-8-퀴놀리놀라토)(p-페닐페놀라토) 알루미늄(BAlq), 테트라키스-(8-하이드록시퀴놀라토)하프늄(HfQ) 및 테트라키스-(8-하이드록시퀴놀라토)지르코늄(ZrQ); 및 아졸 화합물, 예컨대 2-(4-바이페닐릴)-5-(4-t-부틸페닐)-1,3,4-옥사다이아졸(PBD), 3-(4-바이페닐릴)-4-페닐-5-(4-t-부틸페닐)-1,2,4-트라이아졸(TAZ) 및 1,3,5-트라이(페닐-2-벤즈이미다졸)벤젠(TPBI); 퀴녹살린 유도체, 예를 들어 2,3-비스(4-플루오로페닐)퀴녹살린; 페난트롤린, 예컨대 4,7-다이페닐-1,10-페난트롤린(DPA) 및 2,9-다이메틸-4,7-다이페닐-1,10-페난트롤린(DDPA) 및 이들의 혼합물이 포함된다.
캐소드(150)는 전자 또는 음전하 캐리어를 주입하는 데 있어서 특히 효율적인 전극이다. 캐소드는 애노드보다 낮은 일함수를 갖는 임의의 금속 또는 비금속일 수 있다. 캐소드를 위한 재료는 제1족의 알칼리 금속(예, Li, Cs), 제2족 (알칼리 토) 금속, 제12족 금속 (희토류 원소 및 란탄족 및 악티늄족 원소 포함)으로부터 선택할 수 있다. 알루미늄, 인듐, 칼슘, 바륨, 사마륨 및 마그네슘과 같은 재료 및 또한 이의 조합을 사용할 수 있다. Li-함유 유기금속성 화합물, LiF 및 Li2O를 또한 유기 층과 캐소드층 사이에 침착시켜 작동 전압을 낮출 수 있다.
각각의 요소 층을 위한 재료의 선택은 바람직하게는 고도의 소자 효율을 갖는 소자를 제공하고자 하는 목표와 소자 작동 수명을 비교 평가함으로써 결정된다. 다른 층들이 또한 소자에 존재할 수 있다. 완충 층과 유기 활성 층 사이에 하나 이상의 정공 주입 및/또는 정공 수송 층이 있을 수 있다. 유기 활성 층과 캐소드 사이에 하나 이상의 전자 수송 층 및/또는 전자 주입 층이 있을 수 있다.
소자는 적합한 기재 상에 개별 층을 순차적으로 침착하는 것을 포함하는 다양한 기술에 의해 제조될 수 있다. 유리 및 중합체 필름과 같은 기재를 사용할 수 있다. 열증발, 화학 증착 등과 같은 종래의 증착 기술을 사용할 수 있다. 대안적으로, 유기 층은 적합한 용매를 사용하는 액체 침착에 의해 적용될 수 있다. 액체는 용액, 분산액, 현탁액 또는 에멀젼의 형태일 수 있다. 전형적인 액체 침착 기술은 스핀 코팅, 그라비어 코팅, 커튼 코팅, 딥 코팅, 슬롯-다이 코팅, 분무 코팅 및 연속식 노즐 코팅과 같은 연속식 침착 기술; 그리고 잉크젯 인쇄, 그라비어 인쇄, 및 스크린 인쇄와 같은 불연속식 침착 기술을 포함하지만 이에 한정되는 것은 아니다. 임의의 종래의 코팅 또는 인쇄 기술은 스핀 코팅, 딥 코팅, 롤-투-롤 기술, 잉크젯 인쇄, 스크린 인쇄, 그라비어 인쇄 등을 포함하지만 이로 한정되지 않는다.
본 명세서에 기재된 새로운 전기활성 화합물은 액체 조성물로부터 액체 침착에 의해 적용될 수 있다. 용어 "액체 조성물"은 재료가 그 안에 용해되어 용액을 형성하는 액체 매질, 재료가 그 안에 분산되어 분산액을 형성하는 액체 매질 또는 재료가 그 안에 현탁되어 현탁액 또는 에멀젼을 형성하는 액체 매질을 의미하는 것을 의도한다. 화합물이 용해 또는 분산되어 그로부터 필름을 형성하는 임의의 액체 매질이 사용될 수 있다. 일 실시 형태에서, 액체 매질은 하나 이상의 유기 용매로 본질적으로 이루어진다. 일 실시 형태에서 유기 용매는 방향족 용매이다. 일 실시 형태에서, 유기 액체는 클로로포름, 다이클로로메탄, 톨루엔, 아니솔, 및 그 혼합물로부터 선택된다. 새로운 화합물은 0.2 내지 2 중량%의 농도로 액체 매질 중에 존재할 수 있다. 액체 매질에 따라, 다른 중량 백분율의 새로운 화합물이 사용될 수 있다.
일 실시 형태에서, 다양한 층들은 하기 범위의 두께를 갖는다: 애노드(110)는 50 내지 500 ㎚(500 내지 5000 Å)이고, 일 실시 형태에서는 100 내지 200 ㎚(1000 내지 2000 Å)이며; 정공 수송 층(120)은 5 내지 200 ㎚(50 내지 2000 Å)이고, 일 실시 형태에서는 20 내지 100 ㎚(200 내지 1000 Å)이며; 광활성 층(130)은 1 내지 200 ㎚(10 내지 2000 Å)이고, 일 실시 형태에서는 10 내지 100 ㎚(100 내지 1000 Å)이며; 층(140)은 5 내지 200 ㎚(50 내지 2000 Å)이고, 일 실시 형태에서는 10 내지 100 ㎚(100 내지 1000 Å)이며; 캐소드(150)는 20 내지 1000 ㎚(200 내지 10000 Å)이고, 일 실시 형태에서는 30 내지 500 ㎚(300 내지 5000 Å)이다. 소자 중의 전자-정공 재조합 구역의 위치, 및 따라서 소자의 발광 스펙트럼은 각 층의 상대적인 두께에 의해 영향을 받을 수 있다. 따라서 전자-정공 재결합 구역이 발광층 내에 존재하도록 전자-수송층의 두께를 선정해야 한다. 층 두께의 목적하는 비율은 사용되는 재료의 정확한 성질에 의존할 것이다.
일 실시 형태에서, 소자는 하기의 구조를 순서대로 갖는다: 애노드, 완충 층, 정공 수송 층, 광활성 층, 전자 수송 층, 전자 주입 층, 캐소드. 일 실시 형태에서, 애노드는 인듐 주석 산화물 또는 인듐 아연 산화물로 구성된다. 일 실시 형태에서, 완충 층은 폴리티오펜, 폴리아닐린, 폴리피롤, 그 공중합체, 및 그 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택된 전도성 중합체를 포함한다. 일 실시 형태에서, 완충 층은 전도성 중합체와 콜로이드-형성 중합체성 산의 착물을 포함한다.
일 실시 형태에서, 정공 수송 층은 본 명세서에 기재된 새로운 화합물을 포함한다. 일 실시 형태에서, 정공 수송 층은 본 명세서에 기재된 새로운 전기활성 화합물로 본질적으로 이루어진다.
일 실시 형태에서, 광활성 층은 본 명세서에 기재된 새로운 전기활성 화합물과 광활성 화합물을 포함한다. 일 실시 형태에서, 광활성 층은 제2 호스트 재료를 추가로 포함한다. 일부 실시 형태에서, 광활성 층은 본 명세서에 기재된 새로운 전기활성 화합물과 광활성 화합물로 본질적으로 이루어진다. 일부 실시 형태에서, 광활성 재료는 적어도 1 중량%의 양으로 존재한다. 일부 실시 형태에서, 광활성 재료는 2 내지 20 중량%이다.
일 실시 형태에서, 전자 수송 층은 하이드록시아릴-N-헤테로사이클의 금속 착물을 포함한다. 일 실시 형태에서, 하이드록시아릴-N-헤테로사이클은 비치환되거나 또는 치환된 8-하이드록시퀴놀린이다.
일 실시 형태에서, 전자 주입 층은 LiF 또는 Li2O이다. 일 실시 형태에서, 캐소드는 Al 또는 Ba/Al이다.
일 실시 형태에서, 소자는 완충 층, 정공 수송 층, 및 광활성 층의 액체 침착, 및 전자 수송 층, 전자 주입 층, 및 캐소드의 증착에 의해서 제작된다.
본 명세서에서 설명되는 것과 유사하거나 등가인 방법 및 재료가 본 발명의 실시 또는 시험에서 사용될 수 있지만, 적합한 방법 및 재료가 후술된다. 게다가, 재료, 방법, 및 실시예는 단지 예시적인 것이며 제한하고자 하는 것은 아니다. 본 명세서에 언급되는 모든 간행물, 특허 출원, 특허 및 다른 참고 문헌은 전체적으로 본 명세서에 참고로 포함된다.
실시예
본 명세서에서 설명된 개념은 하기의 실시예에서 추가로 설명될 것이며, 이러한 실시예는 특허청구범위에서 기술되는 본 발명의 범주를 제한하지 않는다.
실시예 1
본 실시예는 하기에 개략된 바와 같은 바이나프틸 단량체의 제조를 예시한다. 단량체를 사용하여 전기활성 화합물, 화합물 A를 형성할 수 있다.
(a) 시재료 다이트라이플레이트 1을 하기에 기재된 도식에 의해 합성하였다.
Figure pat00015
화합물 4는 문헌 [Tetrahedron Letters (Masahiro Noji, Makoto Nakajima, Kenji Koga ,vol.35, No.43, pp 7983-7984, 1994)]에 기재된 바와 같은 문헌 방법에 따라 7-메톡시-2-나프톨로부터 합성하였다.
화합물 5
피리딘(40 ㎖) 중 화합물 4(3.9g, 11.26 mmol)의 용액에 - 10℃에서 Tf2O(6.98g, 24.77 mmol, 2.2 eq)를 천천히 첨가하였다. 온도를 실온으로 올리면서 혼합물을 6시간 동안 교반하였다. 혼합물을 에틸 아세테이트로 희석한 다음, 물 및 염수로 연속하여 세척하였다. 유기 층을 무수 MgSO4로 건조하였다. 여과, 여과액의 농축, 및 짧은 실리카 컬럼에 의해서 원하는 물질 5(6.5g)를 얻었다.
화합물 6:
에테르(25 ㎖) 중 화합물 5(6.3 g, 10.32 mmol)의 용액에 MeMgBr(에테르 중 3M, 25 ㎖, 75.33 mmol)을 첨가한 다음, 촉매 Ni(DPPP)Cl2 (0.28 g, 0.516 mmol)를 첨가하였다. 혼합물을 질소 하에 실온에서 24시간 동안 교반한 다음, 아이소프로판올로 켄칭하였다(quenched). 혼합물을 에틸 아세테이트 및 물로 처리한 후, 1 M HCl(20 ㎖)을 첨가하였다. 유기 층을 무수 MgSO4로 건조하였다. 여과, 여과액의 농축, 및 짧은 실리카 컬럼에 의해서 원하는 물질 6(3.2 g)을 얻었다.
화합물 7:
메틸렌 클로라이드(40 ㎖) 중 화합물 6(3 g, 8.76 mmol)의 용액에 질소 하에 0℃에서 BBr3(메틸렌 클로라이드 중 1M, 19 ㎖, 18.4 mmol)을 첨가하였다. 혼합물을 질소 하에 실온에서 24시간 동안 교반한 다음, 물로 켄칭하였다. 혼합물을 메틸렌 클로라이드로 희석한 다음, 물로 세척하였다. 유기 층을 무수 MgSO4로 건조하였다. 여과, 여과액의 농축, 및 짧은 실리카 컬럼에 의해서 원하는 물질 7(2.75 g)을 얻었다.
화합물 8:
피리딘(40 ㎖) 중 화합물 7(2.75 g, 8.74 mmol)의 용액에 - 10℃에서 Tf2O(5.43 g, 19.24 mmol, 2.2 eq)를 천천히 첨가하였다. 온도를 실온으로 올리면서 혼합물을 6시간 동안 교반하였다. 혼합물을 에틸 아세테이트로 희석한 다음, 물 및 염수로 연속하여 세척하였다. 유기 층을 무수 MgSO4로 건조하였다. 여과, 여과액의 농축, 및 짧은 실리카 컬럼에 의해서 원하는 물질 8(5.0 g)을 얻었다.
화합물 9: 화합물 8(10 g, 17.28 mmol), 3-메톡시페닐 보론산(6.56 g, 43.21 mmol, 2.5 eq), 및 촉매(팔라듐 테트라키스 트라이페닐포스핀)(2 g, 0.17 mmol)를 탈기된 THF(90 ㎖) 중에서 질소 하에 함께 혼합한 다음, 70 ㎖ 물 중 Na2CO3(9.16g, 86.43 mmol, 5 eq)의 탈기된 용액을 첨가하였다. 반응 혼합물을 24시간 동안 환류 가열한 다음, 혼합물을 메틸렌 클로라이드 및 물로 처리하였다. 유기 층을 MgSO4로 건조하고, 여과하고, 농축하였다. 컬럼 크로마토그래피(헥산 중 7% EtOAc)에 의해서, 원하는 물질 9(8.55 g)을 백색 고체로서 얻었다.
화합물 1: 메틸렌 클로라이드(80 ㎖) 중 화합물 9(8.55 g, 17.28 mmol)의 용액에 질소 하에 0℃에서 BBr3(메틸렌 클로라이드 중 1M, 36.3 ㎖, 36.3 mmol)을 첨가하였다. 혼합물을 질소 하에 실온에서 16시간 동안 교반한 다음, 물로 켄칭하였다. 혼합물을 메틸렌 클로라이드로 희석한 다음, 물로 세척하였다. 유기 층을 무수 Na2SO4로 건조하였다. 여과, 여과액의 농축, 및 짧은 실리카 컬럼에 의해서 원하는 다이올 화합물(9.08 g)을 얻었다. 피리딘(100 ㎖) 중 다이올 화합물(8.07 g, 17.3 mmol)의 용액에 - 10℃에서 Tf2O(10.74 g, 38.05 mmol, 2.2 eq)를 천천히 첨가하였다. 온도를 실온으로 올리면서 혼합물을 20시간 동안 교반하였다. 혼합물을 에틸 아세테이트로 희석한 다음, 물 및 염수로 연속하여 세척하였다. 유기 층을 무수 Na2SO4로 건조하였다. 여과, 여과액의 농축, 및 실리카 컬럼 크로마토그래피(헥산 중 10% 내지 20% 메틸렌 클로라이드)에 의해서 원하는 물질 1(11.1 g)을 백색 고체로서 얻었다.
(b) 단량체 3을 하기 도식에 따라 합성하였다.
Figure pat00016
질소 퍼징된 글로브박스 내에서, 다이트라이플레이트 1(3 g, 4.11 mmol) 및 3-옥틸아닐린(1.77 g,8.62 mmol)을 100 ㎖의 둥근바닥 플라스크에서 톨루엔(40 ㎖)에 용해시키고, 이어서 트리스(다이벤질리덴아세톤)다이팔라듐(0)(102 ㎎, 0.027 eq.) 및 1,1'-비스(다이페닐포스피노)페로센(121 ㎎, 0.053 eq)의 톨루엔(10 ㎖) 용액을 혼합물에 첨가하였다. 5분 동안 혼합물을 교반한 후, 소듐 t-부톡사이드(0.986 g, 10.26 mmol, 2.5 eq)를 생성된 용액에 첨가하였다. 반응 혼합물을 글로브박스 밖에서 질소 하에 3일 동안 85℃에서 교반하였다. 혼합물을 실리카 겔의 패드에 통과시키고 톨루엔으로 헹구었다. 조합된 용액을 회전 증발기에서 농축하고, 이어서 플래시 컬럼 크로마토그래피(헥산 중 5% 내지 10% 에틸아세테이트, 구배)에 의해 3 g의 백색 고체를 생성물로서 얻었다. NMR 분석으로 중간체 다이아민 화합물 2의 구조를 확인하였다.
질소 퍼징된 글로브박스 내에서, 다이아민 2(1.2 g, 1.42mmol) 및 4-브로모-4'-요오도바이페닐(2.3 g, 6.42 mmol)을 100 ㎖의 둥근바닥 플라스크에서 톨루엔(30 ㎖)에 용해시키고, 이어서 트리스(다이벤질리덴아세톤)다이팔라듐(0)(35 ㎎, 0.027 eq.) 및 1,1'-비스(다이페닐포스피노)페로센(42 ㎎, 0.053 eq)의 톨루엔(8 ㎖) 용액을 혼합물에 첨가하였다. 5분 동안 혼합물을 교반한 후, 소듐 t-부톡사이드(341 ㎎, 3.55 mmol, 2.5 eq)를 생성된 용액에 첨가하였다. 반응 혼합물을 글로브박스 밖에서 질소 하에 20시간 동안 95℃에서 교반하였다. 혼합물을 실리카 겔의 패드에 통과시키고 톨루엔으로 헹구었다. 조합된 용액을 회전 증발기에서 농축하고, 이어서 플래시 컬럼 크로마토그래피(헥산 중 7% 톨루엔)에 의해 1.2 g의 백색 고체를 얻었다. NMR 분석으로 화합물 3의 구조를 확인하였다.
실시예 2
실시예 1로부터의 단량체를 N,N'-비스(4-브로모페닐)-N,N'-다이페닐벤지딘과 1:1 몰 비로 중합하여 화합물 A를 형성할 수 있다. 이는 하기 도식 에 따른 야마모토 커플링을 사용하여 행할 수 있다:
Figure pat00017
전반적인 설명 또는 실시예에서 전술된 모든 작용이 요구되지는 않으며, 특정 작용의 일부가 요구되지 않을 수 있고, 설명된 것에 더하여 하나 이상의 추가의 작용이 수행될 수 있음을 알아야 한다. 또한, 작용들이 나열된 순서는 반드시 그들이 수행되는 순서는 아니다.
상기 명세서에서, 개념들이 특정 실시 형태를 참조하여 설명되었다. 그러나, 당업자는 아래의 특허청구범위에서 설명되는 바와 같은 본 발명의 범주로부터 벗어남이 없이 다양한 변형 및 변경이 이루어질 수 있음을 이해한다. 따라서, 명세서 및 도면은 제한적이라기보다 예시적인 의미로 간주되어야 하며, 그러한 모든 변형은 본 발명의 범주 내에 포함시키고자 한다.
이득, 다른 이점, 및 문제에 대한 해결책이 특정 실시 형태에 관해 전술되었다. 그러나, 이득, 이점, 문제에 대한 해결책, 그리고 임의의 이득, 이점, 또는 해결책을 발생시키거나 더 명확해지게 할 수 있는 임의의 특징부(들)는 임의의 또는 모든 특허청구범위의 매우 중요하거나, 요구되거나, 필수적인 특징부로서 해석되어서는 안 된다.
소정 특징부가 명확함을 위해 별개의 실시 형태들과 관련하여 본 명세서에서 설명되고, 단일 실시 형태와 조합하여 또한 제공될 수 있다는 것을 이해하여야 한다. 역으로, 간략함을 위해 단일 실시 형태와 관련하여 설명된 여러 특징부들은 별개로 또는 임의의 하위 조합으로 또한 제공될 수 있다. 아울러, 범위로 기재된 값의 참조는 그 범위 내의 각각의 모든 값을 포함한다.

Claims (11)

  1. 하기 화학식 I을 갖는 화합물:
    [화학식 I]
    Figure pat00018

    (여기서,
    Ar1은 각각 나타날 때 동일하거나 상이하고 아릴렌이며;
    Ar2는 각각 나타날 때 동일하거나 상이하고 아릴 기이며;
    Ar3은 각각 나타날 때 동일하거나 상이하고 아릴렌이며;
    Binap은 바이나프틸 부분이고;
    M은 각각 나타날 때 동일하거나 상이하고 공액 부분이며;
    x, y 및 z는 x + y + z = 1.0이 되도록 하는 몰 분율이되, 단, x 및 y는 0이 아니고, 0.4 미만 또는 0.6 초과이고;
    여기서, 상기 Ar2는 가교결합 치환체를 갖지 않고;
    상기 M은 트라이아릴아민 단위를 갖는 방향족 기 또는 가교결합성 치환체를 포함하지 않으며;
    상기 바이나프틸 부분이 하기 화학식 II를 갖는 1,1'-바이나프틸 기인 경우:
    [화학식 II]
    Figure pat00019

    (여기서,
    *는 화합물 내의 다른 단위에 대한 부착점을 나타내고;
    R1은 각각 나타날 때 동일하거나 상이하고, H, D, 아릴 기, 알킬 기, 실릴 기, 실록산 기, 플루오로알킬 기, 알콕시 기 및 플루오로알콕시 기로 이루어진 군으로부터 선택되거나, 또는 2개의 R1 기가 함께 연결되어 5 내지 10개의 탄소를 갖는 지방족 고리를 형성할 수 있고;
    R2는 각각 나타날 때 동일하거나 상이하고, D, 아릴 기, 알킬 기, 실릴 기, 실록산 기, 플루오로알킬 기, 알콕시 기 및 플루오로알콕시 기로 이루어진 군으로부터 선택되고;
    a는 각각 나타날 때 동일하거나 상이하고 0 내지 5의 정수임),
    상기 R2는 1 내지 12개의 탄소 원자를 갖는 알킬 기 또는 1 내지 12개의 탄소 원자를 갖는 알콕시 기가 아님).
  2. 제1항에 있어서, Binap은 하기 화학식 II를 갖는 1,1'-바이나프틸 기인 화합물:
    [화학식 II]
    Figure pat00020

    (여기서, *, R1, R2 및 a는 제1항에 정의된 바와 같음).
  3. 제2항에 있어서, 1,1'-바이나프틸 기는 하기 화학식 IIa 내지 화학식 IIe로 이루어진 군으로부터 선택되는 화학식을 갖는 화합물:
    [화학식 IIa]
    Figure pat00021

    [화학식 IIb]
    Figure pat00022

    [화학식 IIc]
    Figure pat00023

    [화학식 IId]
    Figure pat00024

    [화학식 IIe]
    Figure pat00025

    (여기서, *, R1, R2 및 a는 제1항에 정의된 바와 같음).
  4. 제2항에 있어서, R1은 1 내지 12개의 탄소 원자를 갖는 알킬 기 및 1 내지 12개의 탄소 원자를 갖는 알콕시 기로부터 선택되는 화합물.
  5. 제1항에 있어서, Ar1은 하기 화학식 III을 갖는 화합물:
    [화학식 III]
    Figure pat00026

    (여기서,
    R3은 각각 나타날 때 동일하거나 상이하고, D, 알킬, 알콕시, 실록산 및 실릴로 이루어진 군으로부터 선택되며;
    c는 각각 나타날 때 동일하거나 상이하고 0 내지 4의 정수이며;
    m은 각각 나타날 때 동일하거나 상이하고 1 내지 6의 정수임).
  6. 제1항에 있어서, Ar1은 페닐렌, p-바이페닐렌, p-터페닐렌, 나프틸렌, 페닐렌나프틸렌 및 나프틸렌페닐렌으로 이루어진 군으로부터 선택되는 화합물.
  7. 제1항에 있어서, Ar2는 나프틸 및 하기 화학식 IV를 갖는 기로 이루어진 군으로부터 선택되는 화합물:
    [화학식 IV]
    Figure pat00027

    (여기서,
    R3은 각각 나타날 때 동일하거나 상이하고, D, 알킬, 알콕시, 실록산 및 실릴로 이루어진 군으로부터 선택되며;
    c는 각각 나타날 때 동일하거나 상이하고 0 내지 4의 정수이며;
    d는 각각 나타날 때 동일하거나 상이하고 0 내지 5의 정수이며;
    m은 각각 나타날 때 동일하거나 상이하고 1 내지 6의 정수임).
  8. 제1항에 있어서, Ar3은 나프틸렌 및 하기 화학식 III을 갖는 기로 이루어진 군으로부터 선택되는 화합물:
    [화학식 III]
    Figure pat00028

    (여기서,
    R3은 각각 나타날 때 동일하거나 상이하고, D, 알킬, 알콕시, 실록산 및 실릴로 이루어진 군으로부터 선택되며;
    c는 각각 나타날 때 동일하거나 상이하고 0 내지 4의 정수이며;
    m은 각각 나타날 때 동일하거나 상이하고 1 내지 6의 정수임).
  9. 제1 전기 접촉 층, 제2 전기 접촉 층, 및 이들 접촉 층들 사이의 활성 층을 포함하고, 활성 층은 하기 화학식 I을 갖는 화합물을 포함하는 유기 전자 소자:
    [화학식 I]
    Figure pat00029

    (여기서,
    Ar1은 각각 나타날 때 동일하거나 상이하고 아릴렌이며;
    Ar2는 각각 나타날 때 동일하거나 상이하고 아릴 기이며;
    Ar3은 각각 나타날 때 동일하거나 상이하고 아릴렌이며;
    Binap은 바이나프틸 부분이고;
    M은 각각 나타날 때 동일하거나 상이하고 공액 부분이며;
    x, y 및 z는 x + y + z = 1.0이 되도록 하는 몰 분율이되, 단, x 및 y는 0이 아님).
  10. 제9항에 있어서, 활성 층은 정공 수송 층이며, 이 층은 화학식 I을 갖는 화합물로 본질적으로 이루어지는 소자.
  11. 제9항에 있어서, 활성 층은 광활성 층이며 선택적으로 광활성 재료를 추가로 포함하는 소자.
KR1020147023234A 2008-12-04 2009-12-03 전기활성 재료 Ceased KR20140116526A (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US11975708P 2008-12-04 2008-12-04
US61/119,757 2008-12-04
PCT/US2009/066513 WO2010065700A2 (en) 2008-12-04 2009-12-03 Electroactive materials

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020117015260A Division KR101616149B1 (ko) 2008-12-04 2009-12-03 전기활성 재료

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20140116526A true KR20140116526A (ko) 2014-10-02

Family

ID=42233858

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020117015260A Active KR101616149B1 (ko) 2008-12-04 2009-12-03 전기활성 재료
KR1020147023234A Ceased KR20140116526A (ko) 2008-12-04 2009-12-03 전기활성 재료

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020117015260A Active KR101616149B1 (ko) 2008-12-04 2009-12-03 전기활성 재료

Country Status (6)

Country Link
US (1) US8420232B2 (ko)
EP (1) EP2352803B1 (ko)
JP (1) JP2012511086A (ko)
KR (2) KR101616149B1 (ko)
TW (1) TW201029958A (ko)
WO (1) WO2010065700A2 (ko)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20210091062A (ko) * 2020-01-13 2021-07-21 주식회사 엘지화학 중합체 및 이를 이용한 유기 발광 소자
KR20220122451A (ko) * 2021-02-26 2022-09-02 주식회사 엘지화학 중합체 및 이를 이용한 유기 발광 소자
US11538998B2 (en) 2018-12-12 2022-12-27 Lg Display Co., Ltd. Organic compound, light emitting diode and light emitting device having the compound

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101589864B1 (ko) 2007-06-01 2016-01-29 이 아이 듀폰 디 네모아 앤드 캄파니 발광 용도를 위한 전하 수송 재료
US8063399B2 (en) 2007-11-19 2011-11-22 E. I. Du Pont De Nemours And Company Electroactive materials
US8343381B1 (en) 2008-05-16 2013-01-01 E I Du Pont De Nemours And Company Hole transport composition
EP2352802A4 (en) * 2008-12-01 2012-10-31 Du Pont ELECTROACTIVE MATERIALS
US9099653B2 (en) * 2008-12-01 2015-08-04 E I Du Pont De Nemours And Company Electroactive materials
KR101582707B1 (ko) 2009-04-03 2016-01-05 이 아이 듀폰 디 네모아 앤드 캄파니 전기활성 재료
KR101910580B1 (ko) 2011-12-09 2018-10-23 삼성전자주식회사 고분자 및 상기 고분자를 포함한 유기 발광 소자
US9267003B2 (en) 2012-01-30 2016-02-23 Sumitomo Chemical Company, Limited Polymer compound, composition, and light-emitting device using the same
JP6565678B2 (ja) * 2013-10-04 2019-08-28 三菱ケミカル株式会社 重合体、有機電界発光素子用組成物、有機電界発光素子、有機ｅｌ表示装置及び有機ｅｌ照明

Family Cites Families (71)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0650955B1 (en) * 1993-11-01 1998-08-19 Hodogaya Chemical Co., Ltd. Amine compound and electro-luminescence device comprising same
DE69511755T2 (de) 1994-04-26 2000-01-13 Tdk Corp Phenylanthracenderivat und organisches EL-Element
JP3586906B2 (ja) 1994-12-14 2004-11-10 凸版印刷株式会社 透明導電膜の製造方法
US5708130A (en) * 1995-07-28 1998-01-13 The Dow Chemical Company 2,7-aryl-9-substituted fluorenes and 9-substituted fluorene oligomers and polymers
US5929194A (en) * 1996-02-23 1999-07-27 The Dow Chemical Company Crosslinkable or chain extendable polyarylpolyamines and films thereof
US6259202B1 (en) * 1996-06-12 2001-07-10 The Trustees Of Princeton University Plasma treatment of conductive layers
US6309763B1 (en) * 1997-05-21 2001-10-30 The Dow Chemical Company Fluorene-containing polymers and electroluminescent devices therefrom
US6303238B1 (en) * 1997-12-01 2001-10-16 The Trustees Of Princeton University OLEDs doped with phosphorescent compounds
JPH11338172A (ja) 1998-05-27 1999-12-10 Chisso Corp ナフタレン誘導体、及びそれを用いた有機電界発光素子
JP2000068073A (ja) 1998-08-27 2000-03-03 Futaba Corp 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法
JP4006862B2 (ja) 1998-12-22 2007-11-14 コニカミノルタホールディングス株式会社 新規アミノ化合物とその製造方法、及び用途
EP1083776A4 (en) 1999-02-15 2003-10-15 Idemitsu Kosan Co ORGANIC ELECTROLUMINESCENT DEVICE AND METHOD FOR THEIR PRODUCTION
US6008399A (en) 1999-03-11 1999-12-28 Mobil Oil Corporation Process for preparing organic carbonates
CN101312235B (zh) 1999-05-13 2010-06-09 普林斯顿大学理事会 基于电致磷光的极高效有机发光器件
CN1840607B (zh) 1999-12-01 2010-06-09 普林斯顿大学理事会 作为有机发光器件的磷光掺杂剂的l2mx形式的络合物
JP4220644B2 (ja) 2000-02-14 2009-02-04 三井化学株式会社 アミン化合物および該化合物を含有する有機電界発光素子
US6670645B2 (en) * 2000-06-30 2003-12-30 E. I. Du Pont De Nemours And Company Electroluminescent iridium compounds with fluorinated phenylpyridines, phenylpyrimidines, and phenylquinolines and devices made with such compounds
KR100867496B1 (ko) * 2000-11-24 2008-11-10 도레이 가부시끼가이샤 발광 소자 재료 및 이를 이용한 발광 소자
GB0028867D0 (en) * 2000-11-28 2001-01-10 Avecia Ltd Field effect translators,methods for the manufacture thereof and materials therefor
US6875523B2 (en) 2001-07-05 2005-04-05 E. I. Du Pont De Nemours And Company Photoactive lanthanide complexes with phosphine oxides, phosphine oxide-sulfides, pyridine N-oxides, and phosphine oxide-pyridine N-oxides, and devices made with such complexes
GB0116644D0 (en) * 2001-07-09 2001-08-29 Elam T Ltd Electroluminescent materials and devices
JP4066619B2 (ja) 2001-07-13 2008-03-26 三菱化学株式会社 ビナフチル系化合物及びその製造方法並びに有機電界発光素子
IL158865A0 (en) 2001-07-18 2004-05-12 Du Pont Luminescent lanthanide complexes with imine ligands and devices made with such complexes
US7166368B2 (en) 2001-11-07 2007-01-23 E. I. Du Pont De Nemours And Company Electroluminescent platinum compounds and devices made with such compounds
EP1466506A4 (en) 2001-12-26 2007-03-07 Du Pont IRIDIUM ELECTROLUMINESCENT COMPOUNDS WITH FLUORINATED PHENYLPYRIDINES, PHENYLPYRIMIDINES AND PHENYLQUINOLINES AND DEVICES CONTAINED THEREFROM
JP2003238501A (ja) 2002-02-18 2003-08-27 Idemitsu Kosan Co Ltd 芳香族オリゴアミン誘導体およびそれを含有する有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2003282274A (ja) * 2002-03-25 2003-10-03 Dainippon Printing Co Ltd Ｅｌ電極の製造方法
US7241512B2 (en) * 2002-04-19 2007-07-10 3M Innovative Properties Company Electroluminescent materials and methods of manufacture and use
JP3988539B2 (ja) * 2002-06-04 2007-10-10 三菱化学株式会社 有機電界発光素子
US20040004433A1 (en) * 2002-06-26 2004-01-08 3M Innovative Properties Company Buffer layers for organic electroluminescent devices and methods of manufacture and use
DE60333106D1 (de) * 2002-07-19 2010-08-05 Idemitsu Kosan Co Organische elektrolumineszenzvorrichtungen und organisches lumineszenzmedium
US6963005B2 (en) 2002-08-15 2005-11-08 E. I. Du Pont De Nemours And Company Compounds comprising phosphorus-containing metal complexes
US7189989B2 (en) * 2002-08-22 2007-03-13 Fuji Photo Film Co., Ltd. Light emitting element
JP2004107292A (ja) 2002-09-20 2004-04-08 Tosoh Corp 新規ビナフタレン誘導体並びにその製造方法
EP1549696A1 (en) 2002-09-24 2005-07-06 E.I. Du Pont De Nemours And Company Water dispersible polyanilines made with polymeric acid colloids for electronics applications
CA2499377A1 (en) * 2002-09-24 2004-04-08 E. I. Du Pont De Nemours And Company Water dispersible polythiophenes made with polymeric acid colloids
GB0226010D0 (en) * 2002-11-08 2002-12-18 Cambridge Display Tech Ltd Polymers for use in organic electroluminescent devices
US6872475B2 (en) * 2002-12-03 2005-03-29 Canon Kabushiki Kaisha Binaphthalene derivatives for organic electro-luminescent devices
EP1596637A4 (en) * 2003-02-20 2007-09-05 Fujifilm Corp ORGANIC EL-ELEMENT AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
JP3848306B2 (ja) * 2003-06-27 2006-11-22 キヤノン株式会社 アントリル誘導基置換化合物およびそれを使用した有機発光素子
US6953705B2 (en) * 2003-07-22 2005-10-11 E. I. Du Pont De Nemours And Company Process for removing an organic layer during fabrication of an organic electronic device
JP3915757B2 (ja) * 2003-08-14 2007-05-16 ソニーケミカル＆インフォメーションデバイス株式会社 エレクトロルミネスセンスポリマー、有機ｅｌ素子及びディスプレイ装置
GB0321781D0 (en) * 2003-09-17 2003-10-15 Toppan Printing Company Ltd Electroluminescent device
TW201219350A (en) * 2003-11-17 2012-05-16 Sumitomo Chemical Co Crosslinkable arylamine compounds
KR20050073233A (ko) 2004-01-09 2005-07-13 삼성코닝 주식회사 인듐 주석 산화물 박막 제조방법
US7365230B2 (en) * 2004-02-20 2008-04-29 E.I. Du Pont De Nemours And Company Cross-linkable polymers and electronic devices made with such polymers
US7351358B2 (en) 2004-03-17 2008-04-01 E.I. Du Pont De Nemours And Company Water dispersible polypyrroles made with polymeric acid colloids for electronics applications
DE102004020299A1 (de) * 2004-04-26 2005-12-01 Covion Organic Semiconductors Gmbh Konjugierte Polymere, deren Darstellung und Verwendung
US7023013B2 (en) * 2004-06-16 2006-04-04 Eastman Kodak Company Array of light-emitting OLED microcavity pixels
JP2006013222A (ja) * 2004-06-28 2006-01-12 Fuji Photo Film Co Ltd 有機電界発光素子、およびその製造方法
EP1624500B1 (de) 2004-08-05 2016-03-16 Novaled GmbH Spiro-Bifluoren Verbindungen als organisches Halbleiter-Matrixmaterial
US7540978B2 (en) * 2004-08-05 2009-06-02 Novaled Ag Use of an organic matrix material for producing an organic semiconductor material, organic semiconductor material and electronic component
TW200639193A (en) * 2004-12-18 2006-11-16 Merck Patent Gmbh Electroluminescent polymers and their use
US20070181874A1 (en) * 2004-12-30 2007-08-09 Shiva Prakash Charge transport layers and organic electron devices comprising same
JP4832017B2 (ja) 2005-04-25 2011-12-07 ケミプロ化成株式会社 ビナフチル誘導体、それよりなるホスト材料、ホール輸送材料およびそれを用いた有機ｅｌ素子
EP1933603A1 (en) 2005-09-12 2008-06-18 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Conductive laminate and organic el device
JP5009516B2 (ja) * 2005-09-14 2012-08-22 出光興産株式会社 芳香族化合物の製造方法及びその方法で得られた芳香族化合物
JP5162891B2 (ja) 2005-12-08 2013-03-13 三菱化学株式会社 有機化合物、電荷輸送材料、電荷輸送材料組成物および有機電界発光素子
DE102005058557A1 (de) 2005-12-08 2007-06-14 Merck Patent Gmbh Organische Elektrolumineszenzvorrichtung
US8440324B2 (en) * 2005-12-27 2013-05-14 E I Du Pont De Nemours And Company Compositions comprising novel copolymers and electronic devices made with such compositions
JP2007220772A (ja) * 2006-02-15 2007-08-30 Idemitsu Kosan Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス用高分子化合物及びその製造方法
KR100765728B1 (ko) 2006-03-31 2007-10-11 성균관대학교산학협력단 산소 플라즈마 및 열처리를 이용한 ｉｔｏ 표면처리방법 및이 방법에 의해 제조된 ｏｌｅｄ 소자
CN101415662A (zh) * 2006-04-03 2009-04-22 出光兴产株式会社 联蒽衍生物及利用了它的有机电致发光元件
KR101412956B1 (ko) 2006-07-25 2014-07-09 메르크 파텐트 게엠베하 중합체 블렌드 및 유기 발광 장치에서의 이의 용도
US8242223B2 (en) * 2006-08-24 2012-08-14 E I Du Pont De Nemours And Company Hole transport polymers
US20080097076A1 (en) * 2006-08-24 2008-04-24 Radu Nora S Hole transport polymers
EP2082446A2 (en) * 2006-11-13 2009-07-29 E.I. Du Pont De Nemours And Company Organic electronic device
US9012037B2 (en) * 2007-06-01 2015-04-21 Ei Du Pont De Nemours And Company Hole transport materials
US8063399B2 (en) * 2007-11-19 2011-11-22 E. I. Du Pont De Nemours And Company Electroactive materials
EP2352802A4 (en) * 2008-12-01 2012-10-31 Du Pont ELECTROACTIVE MATERIALS
US9099653B2 (en) * 2008-12-01 2015-08-04 E I Du Pont De Nemours And Company Electroactive materials

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11538998B2 (en) 2018-12-12 2022-12-27 Lg Display Co., Ltd. Organic compound, light emitting diode and light emitting device having the compound
KR20210091062A (ko) * 2020-01-13 2021-07-21 주식회사 엘지화학 중합체 및 이를 이용한 유기 발광 소자
KR20220122451A (ko) * 2021-02-26 2022-09-02 주식회사 엘지화학 중합체 및 이를 이용한 유기 발광 소자

Also Published As

Publication number Publication date
US20100187507A1 (en) 2010-07-29
TW201029958A (en) 2010-08-16
WO2010065700A3 (en) 2010-08-26
KR20110099294A (ko) 2011-09-07
KR101616149B1 (ko) 2016-04-27
WO2010065700A2 (en) 2010-06-10
EP2352803B1 (en) 2020-02-05
EP2352803A2 (en) 2011-08-10
JP2012511086A (ja) 2012-05-17
EP2352803A4 (en) 2012-07-11
US8420232B2 (en) 2013-04-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101616149B1 (ko) 전기활성 재료
KR101599563B1 (ko) 전기활성 재료
KR101817808B1 (ko) 전기활성 재료
US10199577B2 (en) Electroactive materials
KR101564129B1 (ko) 전기활성 재료
US9574084B2 (en) Hole transport composition
KR101582707B1 (ko) 전기활성 재료
KR102232237B1 (ko) 정공 수송 물질
KR20100023909A (ko) 정공 수송 재료
KR102251403B1 (ko) 정공수송물질
KR20080018834A (ko) 유기 전자 디바이스
KR101924661B1 (ko) 전기활성 재료
KR20170045130A (ko) 전기활성 재료

Legal Events

Date Code Title Description
A107 Divisional application of patent
A201 Request for examination
PA0104 Divisional application for international application

Comment text: Divisional Application for International Patent

Patent event code: PA01041R01D

Patent event date: 20140820

Application number text: 1020117015260

Filing date: 20110701

PA0201 Request for examination
PG1501 Laying open of application
E902 Notification of reason for refusal
PE0902 Notice of grounds for rejection

Comment text: Notification of reason for refusal

Patent event date: 20160602

Patent event code: PE09021S01D

E601 Decision to refuse application
PE0601 Decision on rejection of patent

Patent event date: 20160808

Comment text: Decision to Refuse Application

Patent event code: PE06012S01D

Patent event date: 20160602

Comment text: Notification of reason for refusal

Patent event code: PE06011S01I