KR20150017286A

KR20150017286A - Flexible organic light emitting diode display device and method of fabricating the same

Info

Publication number: KR20150017286A
Application number: KR1020130150943A
Authority: KR
Inventors: 최원열; 김병철; 이명수; 강남일; 김지민
Original assignee: 엘지디스플레이 주식회사
Priority date: 2013-08-06
Filing date: 2013-12-05
Publication date: 2015-02-16
Anticipated expiration: 2033-12-05
Also published as: KR102122528B1

Abstract

본 발명의 플렉서블 유기발광다이오드 표시장치 및 그 제조방법은 페이스 실(face seal) 봉지구조를 적용한 플렉서블 유기발광다이오드 표시장치에 있어, 봉지수단의 무기 보호막 증착에 사용되는 마스크와 접촉하는 TFT 기판의 패드영역 상면에 낮은 유전상수를 가진 절연물질로 대전 방지층을 형성함으로써 마스크의 로딩 및 언로딩 시 발생하는 정전기에 의한 소자의 손상을 방지하는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명의 플렉서블 유기발광다이오드 표시장치 및 그 제조방법은 노출된 패드전극 앞에 상기 절연물질로 확산 방지층을 형성하여 상기 봉지수단의 무기 보호막의 확산을 방지함으로써 상기 무기 보호막의 확산에 의한 신호 및 접촉 관련 불량을 방지할 수 있는 것을 특징으로 한다.The flexible organic light emitting diode display device and the method of manufacturing the same according to the present invention are applicable to a flexible organic light emitting diode display device using a face seal encapsulation structure, An antistatic layer is formed of an insulating material having a low dielectric constant on the upper surface of the region to prevent damage to the device due to static electricity generated upon loading and unloading of the mask.
The flexible organic light emitting diode display device and the method of fabricating the same according to the present invention can prevent the diffusion of the inorganic protective film of the sealing means by forming the diffusion preventing layer with the insulating material in front of the exposed pad electrode, It is possible to prevent contact-related defects.

Description

FIELD OF THE INVENTION [0001] The present invention relates to a flexible organic light emitting diode display device,

본 발명은 플렉서블 유기발광다이오드 표시장치 및 그 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 페이스 실(face seal) 봉지구조를 적용한 플렉서블 유기발광다이오드 표시장치 및 그 제조방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a flexible organic light emitting diode display device and a manufacturing method thereof, and more particularly, to a flexible organic light emitting diode display device using a face seal encapsulation structure and a manufacturing method thereof.

최근 정보 디스플레이에 관한 관심이 고조되고 휴대가 가능한 정보매체를 이용하려는 요구가 높아지면서 기존의 표시소자인 브라운관(Cathode Ray Tube; CRT)을 대체하는 경량 박형 평판표시소자(Flat Panel Display; FPD)에 대한 연구 및 상업화가 중점적으로 이루어지고 있다.In recent years, there has been a growing interest in information display and a demand for a portable information medium has increased, and a lightweight flat panel display (FPD) that replaces a cathode ray tube (CRT) And research and commercialization are being carried out.

이러한 평판표시소자 분야에서, 지금까지는 가볍고 전력소모가 적은 액정표시장치(Liquid Crystal Display Device; LCD)가 가장 주목받는 디스플레이 장치였지만, 다양한 요구에 따라 새로운 디스플레이 장치에 대한 개발이 활발하게 전개되고 있다.In the field of flat panel display devices, a liquid crystal display device (LCD), which has been light and consumes less power, has attracted the greatest attention, but a new display device has been actively developed according to various demands.

새로운 디스플레이 장치 중 하나인 유기발광다이오드 표시장치는 자체발광형이기 때문에 상기 액정표시장치에 비해 시야각과 명암비 등이 우수하며 백라이트(backlight)가 필요하지 않기 때문에 경량 박형이 가능하고, 소비전력 측면에서도 유리하다. 그리고, 직류 저전압 구동이 가능하고 응답속도가 빠르다는 장점이 있으며, 특히 제조비용 측면에서도 유리한 장점을 가지고 있다.Since the organic light emitting diode display device, which is one of the new display devices, is self-emitting type, it has a better viewing angle and contrast ratio than the above liquid crystal display device and does not require a backlight, Do. In addition, it has the advantage of being able to drive a DC low voltage and has a high response speed, and is particularly advantageous in terms of manufacturing cost.

이하, 상기 유기발광다이오드 표시장치의 기본적인 구조 및 동작 특성에 대해서 도면을 참조하여 상세히 설명한다.Hereinafter, the basic structure and operating characteristics of the organic light emitting diode display will be described in detail with reference to the drawings.

도 1은 유기발광다이오드의 발광원리를 설명하는 다이어그램이다.1 is a diagram for explaining the principle of light emission of an organic light emitting diode.

일반적인 유기발광다이오드 표시장치는 상기 도 1과 같이, 유기발광다이오드를 구비한다. 상기 유기발광다이오드는 화소전극인 양극(anode)(18)과 공통전극인 음극(cathode)(28) 사이에 형성된 다수의 유기 화합물층(30a, 30b, 30c, 30d, 30e)을 구비한다.A typical organic light emitting diode display device includes an organic light emitting diode as shown in FIG. The organic light emitting diode includes a plurality of organic compound layers 30a, 30b, 30c, 30d, and 30e formed between an anode 18 that is a pixel electrode and a cathode 28 that is a common electrode.

이때, 상기 유기 화합물층(30a, 30b, 30c, 30d, 30e)은 정공주입층(hole injection layer)(30a), 정공수송층(hole transport layer)(30b), 발광층(emission layer)(30c), 전자수송층(electron transport layer)(30d) 및 전자주입층(electron injection layer)(30e)을 포함한다.The hole injection layer 30a, the hole transport layer 30b, the emission layer 30c, the electron injection layer 30b, the electron injection layer 30c, and the electron injection layer 30c are formed on the organic compound layers 30a, 30b, 30c, An electron transport layer 30d, and an electron injection layer 30e.

상기 양극(18)과 음극(28)에 구동전압이 인가되면 상기 정공수송층(30b)을 통과한 정공과 상기 전자수송층(30d)을 통과한 전자가 발광층(30c)으로 이동되어 여기자를 형성하고, 그 결과 발광층(30c)이 가시광선을 발산하게 된다.When a driving voltage is applied to the anode 18 and the cathode 28, holes passing through the hole transport layer 30b and electrons passing through the electron transport layer 30d move to the light emitting layer 30c to form excitons, As a result, the light emitting layer 30c emits visible light.

유기발광다이오드 표시장치는 전술한 구조의 유기발광다이오드를 가지는 화소를 매트릭스 형태로 배열하고 그 화소들을 데이터전압과 스캔전압으로 선택적으로 제어함으로써 화상을 표시한다.The organic light emitting diode display device displays an image by arranging pixels having organic light emitting diodes of the above structure in a matrix form and selectively controlling the pixels with a data voltage and a scan voltage.

상기 유기발광다이오드 표시장치는 수동 매트릭스(passive matrix) 방식 또는 스위칭소자로써 TFT를 이용하는 능동 매트릭스 방식의 표시장치로 나뉘어진다. 이 중에서, 상기 능동 매트릭스 방식은 능동소자인 TFT를 선택적으로 턴-온(turn on)시켜 화소를 선택하고 스토리지 커패시터(storage capacitor)에 유지되는 전압으로 화소의 발광을 유지한다.The organic light emitting diode display device is divided into a passive matrix type display device or an active matrix type display device using a TFT as a switching device. The active matrix method selectively turns on the TFT as an active element to select a pixel and maintains the light emission of the pixel at a voltage held in a storage capacitor.

상기 능동 매트릭스 방식의 유기발광다이오드 표시장치의 화소는 유기발광다이오드, 서로 교차하는 데이터라인과 게이트라인, 스위칭 TFT, 구동 TFT 및 스토리지 커패시터를 구비한다.The pixels of the active matrix type organic light emitting diode display device include organic light emitting diodes, data lines and gate lines crossing each other, a switching TFT, a driving TFT, and a storage capacitor.

상기 스위칭 TFT는 게이트라인으로부터의 스캔펄스에 응답하여 턴-온됨으로써 자신의 소오스전극과 드레인전극 사이의 전류패스를 도통시킨다. 상기 스위칭 TFT의 온-타임기간 동안 데이터라인으로부터의 데이터전압은 스위칭 TFT의 소오스전극과 드레인전극을 경유하여 구동 TFT의 게이트전극과 스토리지 커패시터에 인가된다.The switching TFT is turned on in response to a scan pulse from the gate line, thereby conducting a current path between the source electrode and the drain electrode. The data voltage from the data line during the on-time period of the switching TFT is applied to the gate electrode of the driving TFT and the storage capacitor via the source electrode and the drain electrode of the switching TFT.

상기 구동 TFT는 자신의 게이트전극에 인가되는 데이터전압에 따라 상기 유기발광다이오드에 흐르는 전류를 제어한다. 그리고, 스토리지 커패시터는 데이터전압과 저전위 전원전압 사이의 전압을 저장한 후, 한 프레임기간동안 일정하게 유지시킨다.The driving TFT controls a current flowing in the organic light emitting diode according to a data voltage applied to its gate electrode. Then, the storage capacitor stores the voltage between the data voltage and the low potential power supply voltage, and keeps it constant for one frame period.

도 2는 일반적인 유기발광다이오드 표시장치에 있어, 무기 보호막의 증착을 위한 마스크의 로딩 및 언로딩 시 발생하는 정전기에 의한 소자 손상을 설명하기 위한 단면도이다.FIG. 2 is a cross-sectional view illustrating a device damage caused by static electricity generated when loading and unloading a mask for deposition of an inorganic protective film in a general organic light emitting diode display device.

이때, 상기 도 2는 봉지수단의 무기 보호막 증착을 위한 마스크가 접촉하는 TFT 기판의 패드영역 일부를 개략적으로 나타내는 단면도이다.2 is a cross-sectional view schematically showing a part of a pad region of a TFT substrate on which a mask for depositing an inorganic protective film of the encapsulation means is in contact.

상기 도 2를 참조하면, 일반적인 유기발광다이오드 표시장치는 다수의 TFT(미도시)와 유기발광다이오드(미도시)가 형성된 TFT 기판(10)과 상기 TFT 기판(10) 위에 형성되는 봉지층(encapsulation layer)(20)으로 이루어진다.2, a conventional organic light emitting diode display includes a TFT substrate 10 on which a plurality of TFTs (not shown) and organic light emitting diodes (not shown) are formed, and a sealing layer formed on the TFT substrate 10 layer (20).

이때, 상기 TFT 기판(10)의 기판(1)으로 폴리이미드와 같이 휘거나 굽힐 수 있는 플렉서블 기판을 적용할 수 있으며, 이 경우 표시영역의 곡면 형성이 가능하므로 디스플레이 응용 영역이 다양하게 될 뿐만 아니라 기존의 유리기판 기반의 표시장치로 적용이 제한적이거나 불가능했던 이형 표시장치의 실현을 가능하게 한다.At this time, a flexible substrate that can bend or bend like polyimide can be applied to the substrate 1 of the TFT substrate 10. In this case, since the curved surface of the display region can be formed, It is possible to realize a mold-release display device which is limited or impossible to be applied to a conventional glass substrate-based display device.

이와 같은 플렉서블 유기발광다이오드 표시장치의 특성상 봉지구조는 투과율이 좋고 투명한 물질들을 이용한 적층 구조를 가져야 한다. 이때, 페이스 실(face seal) 봉지구조를 적용한 경우 상기 봉지층(20)을 구체적으로 설명하면, 음극(미도시)이 형성된 TFT 기판(10) 위에는 봉지수단으로 1차 보호막(23a)과 유기막(23b) 및 2차 보호막(23c)이 차례대로 형성되어 있다.Because of the characteristics of such a flexible organic light emitting diode display device, the encapsulation structure must have a laminate structure using transparent materials with good transmittance. In this case, when the face seal encapsulation structure is applied, the encapsulation layer 20 will be described in more detail. The encapsulation means 23a and the organic film 23b are formed on the TFT substrate 10 on which the cathodes (not shown) A second protective film 23b and a second protective film 23c are formed in this order.

이때, 도면에는 도시하지 않았지만, 상기 2차 보호막(23c)이 형성된 TFT 기판(10) 전면에는 최종적인 봉지를 위해 다층으로 이루어진 보호필름(barrier film)이 대향하여 위치하게 되며, 상기 TFT 기판(10)과 보호필름 사이에는 투명하며 접착 특성을 갖는 점착제(adhesive)가 개재되어 있다.At this time, although not shown, a multi-layered barrier film is opposed to the entire surface of the TFT substrate 10 on which the secondary protective film 23c is formed, and the TFT substrate 10 ) And the protective film is transparent and has an adhesive having an adhesive property.

이와 같이 일반적인 유기발광다이오드 표시장치는 외부에서 유입되는 공기나 수분을 차단하여 TFT와 유기발광다이오드를 보호하기 위해 봉지층(20)을 구비하는데, 현재의 페이스 실 봉지구조에서는 무기 보호막인 상기 1차 보호막(23a)과 2차 보호막(23c)의 증착영역을 정의하기 위해 소정의 메탈 마스크(metal mask)(50)를 이용하게 된다.The conventional organic light emitting diode display device includes an encapsulation layer 20 for protecting the TFT and the organic light emitting diode by intercepting air or moisture from the outside. In the current face seal encapsulation structure, A predetermined metal mask 50 is used to define the deposition region of the protective film 23a and the secondary protective film 23c.

이때, 상기 마스크(50)가 접촉하는 TFT 기판(10)의 패드영역에는 소정의 보호막(15)이 형성되어 있고, 그 하부에는 표시영역의 게이트, 데이터 배선을 구성하는 도전물질로 이루어진 소정의 메탈 라인(12p)이 형성되어 있다.At this time, a predetermined protective film 15 is formed on the pad region of the TFT substrate 10 on which the mask 50 contacts, and a predetermined metal film 15 made of a conductive material constituting the gate of the display region, A line 12p is formed.

이 경우 상기 1차 보호막(23a)과 2차 보호막(23c)을 증착하기 위해 상기 마스크(50)를 TFT 기판(10)의 보호막(15d) 위에 안착, 즉 로딩하게 되며, 이후 상기 증착공정이 완료된 후에는 상기 마스크(50)를 탈착, 즉 언로딩하게 된다.In this case, the mask 50 is placed on the protective film 15d of the TFT substrate 10 so as to deposit the primary protective film 23a and the secondary protective film 23c, and then the deposition process is completed The mask 50 is detached, that is, unloaded.

이때, 상기 마스크(50)는 세라믹(ceramic)(55)으로 코팅되어 있으나, 마스크(50)의 안착, 또는 안착 후의 얼라인을 위한 이동 시 상기 마스크(50)와 TFT 기판(10)간 마찰 정전기가 발생하며, 이로 인해 소자, 즉 상기 메탈 라인(12p)이나 상기 메탈 라인(12p)에 연결되는 게이트, 데이터 배선 또는 유기발광다이오드에 열 손상이 발생하게 된다. 또한, 증착 공정 중 쌓여있던 전하가 마스크(50)의 탈착 시 정전상태가 깨지게 됨에 따라 박리 대전이 일어나게 되며, 이러한 박리 대전에 의해 발생한 방전 에너지가 상기 메탈 라인(12p)이나 게이트, 데이터 배선 또는 유기발광다이오드를 열화시키는 현상이 발생한다.At this time, the mask 50 is coated with a ceramic 55. However, when the mask 50 is moved or moved for alignment after the seating, the friction between the mask 50 and the TFT substrate 10, Which causes thermal damage to the device, that is, the gate, the data line, or the organic light emitting diode connected to the metal line 12p or the metal line 12p. Also, since the charge accumulated during the deposition process breaks the electrostatic state at the time of attaching / detaching the mask 50, peeling electrification occurs, and discharge energy generated by such peeling electrification is transferred to the metal line 12p, gate, A phenomenon of deteriorating the light emitting diode occurs.

본 발명은 상기한 문제를 해결하기 위한 것으로, 페이스 실(face seal) 봉지구조를 적용한 플렉서블 유기발광다이오드 표시장치에 있어, 봉지수단의 무기 보호막 증착에 사용되는 마스크와 TFT 기판간 발생하는 정전기를 최소화 한 플렉서블 유기발광다이오드 표시장치 및 그 제조방법을 제공하는데 목적이 있다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in order to solve the above problems and it is an object of the present invention to provide a flexible organic light emitting diode display device using a face seal encapsulation structure in which static electricity generated between a mask used for depositing an inorganic protective film of a sealing means and a TFT substrate is minimized A flexible organic light emitting diode display device and a manufacturing method thereof are provided.

본 발명의 다른 목적은 상기 봉지수단의 무기 보호막의 패드영역으로의 확산을 방지하여 신호 및 접촉 관련 불량을 방지하도록 한 플렉서블 유기발광다이오드 표시장치 및 그 제조방법을 제공하는데 있다.Another object of the present invention is to provide a flexible organic light emitting diode display device and a method of manufacturing the flexible organic light emitting diode display device, which prevent the diffusion of the inorganic protective film of the sealing means into the pad region to prevent signal and contact-

기타, 본 발명의 다른 목적 및 특징들은 후술되는 발명의 구성 및 특허청구범위에서 설명될 것이다.Other objects and features of the present invention will be described in the following description of the invention and the claims.

상기한 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치는 표시영역과 패드영역으로 구분되는 TFT 기판; 상기 패드영역의 TFT 기판에 형성된 더미 패턴; 상기 표시영역의 TFT 기판에 형성된 1차 보호막; 상기 1차 보호막 위에 형성된 유기막; 및 상기 유기막 위에 형성된 2차 보호막을 포함하며, 상기 더미 패턴은 상기 표시영역에 형성된 격벽이나 스페이서를 구성하는 절연물질로 이루어진 것을 특징으로 한다.According to an aspect of the present invention, there is provided an organic light emitting diode display comprising: a TFT substrate divided into a display region and a pad region; A dummy pattern formed on the TFT substrate of the pad region; A primary protective film formed on the TFT substrate of the display region; An organic film formed on the primary protective film; And a secondary protective film formed on the organic film, wherein the dummy pattern is formed of an insulating material constituting a barrier rib or a spacer formed in the display region.

이때, 점착제를 통해 상기 2차 보호막 위에 부착된 다층의 보호필름을 추가로 포함할 수 있다.At this time, it is possible to further include a multi-layer protective film attached on the secondary protective film through a pressure-sensitive adhesive.

상기 더미 패턴은 상기 표시영역의 격벽이나 스페이서를 구성하는 폴리이미드로 이루어질 수 있다.The dummy pattern may be formed of polyimide constituting a partition or a spacer of the display region.

이때, 상기 더미 패턴은 3~4의 유전상수를 가진 폴리이미드로 이루어져 상기 1차, 2차 보호막을 형성할 때 마스크의 안착이나 탈착 시 발생하는 정전기에 의한 소자의 손상을 방지하는 대전 방지층을 구성할 수 있다.At this time, the dummy pattern is made of polyimide having a dielectric constant of 3 to 4, so that an antistatic layer is formed to prevent damage of the device due to static electricity generated when the mask is seated or removed when the primary and secondary protective films are formed can do.

상기 대전 방지층은 상기 마스크와의 접촉면적을 줄이고자 라인이나 도트 형태로 구성될 수 있다.The antistatic layer may be in the form of a line or a dot to reduce the contact area with the mask.

상기 대전 방지층은 상기 패드영역의 TFT 기판에 형성되어 노출된 집적회로 칩이나 패드전극들을 피해서 구성될 수 있다.The antistatic layer may be formed on the TFT substrate of the pad region to avoid the exposed integrated circuit chip or pad electrodes.

상기 라인형 대전 방지층의 한 라인은 50nm ~ 50㎛의 두께 및 50nm ~ 50㎛의 폭을 가지도록 구성될 수 있다.One line of the line-shaped antistatic layer may have a thickness of 50 nm to 50 탆 and a width of 50 nm to 50 탆.

이때, 상기 라인형 대전 방지층의 라인간 간격은 50nm ~ 50㎛로 구성될 수 있다.At this time, the line gap of the line-shaped antistatic layer may be 50 nm to 50 탆.

상기 도트형 대전 방지층의 가로 및 세로는 50nm ~ 50㎛로 구성될 수 있다.The dot-shaped antistatic layer may have a width and a length of 50 nm to 50 탆.

이때, 상기 도트형 대전 방지층의 두께 및 도트간 간격은 50nm ~ 50㎛로 구성될 수 있다.At this time, the thickness and the dot-to-dot spacing of the dot-shaped antistatic layer may be 50 nm to 50 μm.

상기 더미 패턴은 상기 패드영역의 TFT 기판에 형성되어 노출된 집적회로 칩이나 패드전극들 앞에 적어도 1열로 형성되어 상기 1차, 2차 보호막의 확산을 방지하는 확산 방지층을 구성할 수 있다.The dummy pattern may be formed in at least one row in front of the integrated circuit chip or the pad electrodes formed on the TFT substrate of the pad region to form a diffusion prevention layer for preventing the diffusion of the primary and secondary protective layers.

이때, 상기 확산 방지층은 상기 노출된 집적회로 칩이나 패드전극들로부터 10㎛ ~ 300㎛ 앞에 10㎛ ~ 100㎛의 폭을 가지도록 형성될 수 있다.At this time, the diffusion preventing layer may be formed to have a width of 10 mu m to 100 mu m in front of 10 mu m to 300 mu m from the exposed integrated circuit chip or pad electrodes.

이때, 상기 확산 방지층은 2㎛ 이상의 두께를 가지도록 형성될 수 있다.At this time, the diffusion preventing layer may be formed to have a thickness of 2 탆 or more.

본 발명의 일 실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치의 제조방법은 표시영역과 패드영역으로 구분되는 TFT 기판을 제공하는 단계; 상기 패드영역의 TFT 기판에 더미 패턴을 형성하는 단계; 상기 표시영역의 TFT 기판에 1차 보호막을 형성하는 단계; 상기 1차 보호막 위에 유기막을 형성하는 단계; 및 상기 유기막 위에 2차 보호막을 형성하는 단계를 포함하며, 상기 더미 패턴은 상기 표시영역에 격벽이나 스페이서를 형성할 때 상기 격벽이나 스페이서를 구성하는 절연물질로 형성하는 것을 특징으로 한다.A method of manufacturing an organic light emitting diode display according to an embodiment of the present invention includes: providing a TFT substrate divided into a display region and a pad region; Forming a dummy pattern on the TFT substrate of the pad region; Forming a first protective film on the TFT substrate of the display area; Forming an organic film on the first protective film; And forming a secondary protective film on the organic film, wherein the dummy pattern is formed of an insulating material constituting the barrier rib or the spacer when the barrier rib or the spacer is formed in the display region.

이때, 상기 더미 패턴은 3~4의 유전상수를 가진 폴리이미드로 형성되어 상기 1차, 2차 보호막을 형성할 때 마스크의 안착이나 탈착 시 발생하는 정전기에 의한 소자의 손상을 방지하는 대전 방지층을 구성할 수 있다.At this time, the dummy pattern is formed of polyimide having a dielectric constant of 3 to 4, and an antistatic layer for preventing the damage of the device due to static electricity generated when the mask is seated or removed when the primary and secondary protective layers are formed Can be configured.

상기 대전 방지층은 상기 마스크와의 접촉면적을 줄이고자 라인이나 도트 형태로 형성할 수 있다.The antistatic layer may be formed in the form of a line or a dot so as to reduce the contact area with the mask.

상기 대전 방지층은 상기 패드영역의 TFT 기판에 형성되어 노출된 집적회로 칩이나 패드전극들을 피해서 형성할 수 있다.The antistatic layer may be formed on the TFT substrate of the pad region to avoid the exposed integrated circuit chip or pad electrode.

이때, 상기 확산 방지층은 상기 노출된 집적회로 칩이나 패드전극들로부터 10㎛ ~ 300㎛ 앞에 10㎛ ~ 100㎛의 폭을 가지도록 형성할 수 있다.At this time, the diffusion preventing layer may be formed to have a width of 10 mu m to 100 mu m in front of 10 mu m to 300 mu m from the exposed integrated circuit chip or pad electrodes.

이때, 상기 확산 방지층은 2㎛ 이상의 두께를 가지도록 형성할 수 있다.At this time, the diffusion preventing layer may be formed to have a thickness of 2 탆 or more.

상술한 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치 및 그 제조방법은 봉지수단의 무기 보호막 증착에 사용되는 마스크와 접촉하는 TFT 기판의 패드영역 상면에 낮은 유전상수를 가진 절연물질로 대전 방지층을 형성함으로써 마스크의 로딩 및 언로딩 시 발생하는 정전기에 의한 소자의 손상을 방지할 수 있게 된다.As described above, the organic light emitting diode display device and the method of manufacturing the same according to an embodiment of the present invention are characterized in that an insulating material having a low dielectric constant is formed on a top surface of a pad region of a TFT substrate, which is in contact with a mask used for depositing an inorganic protective film, It is possible to prevent the element from being damaged by the static electricity generated when the mask is loaded and unloaded.

또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치 및 그 제조방법은 노출된 패드전극 앞에 상기 절연물질로 확산 방지층을 형성하여 상기 봉지수단의 무기 보호막의 확산을 방지함으로써 상기 무기 보호막의 확산에 의한 신호 및 접촉 관련 불량을 방지할 수 있게 된다.In addition, the organic light emitting diode display device and the method of manufacturing the same according to an embodiment of the present invention can prevent the diffusion of the inorganic protective film of the sealing means by forming the diffusion preventing layer with the insulating material in front of the exposed pad electrode, It is possible to prevent a signal and a contact-related defect from occurring.

도 1은 유기발광다이오드의 발광원리를 설명하는 다이어그램.
도 2는 일반적인 유기발광다이오드 표시장치에 있어, 무기 보호막의 증착을 위한 마스크의 로딩 및 언로딩 시 발생하는 정전기에 의한 소자 손상을 설명하기 위한 단면도.
도 3은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 플렉서블 유기발광다이오드 표시장치의 구조를 예시적으로 나타내는 사시도.
도 4는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 플렉서블 유기발광다이오드 표시장치에 있어, 표시영역의 일부를 개략적으로 나타내는 단면도.
도 5는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 플렉서블 유기발광다이오드 표시장치의 구조를 예시적으로 나타내는 단면도.
도 6은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 플렉서블 유기발광다이오드 표시장치에 있어, 패드영역의 일부를 개략적으로 나타내는 단면도.
도 7은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 플렉서블 유기발광다이오드 표시장치에 있어, 봉지수단의 무기 보호막을 증착하기 위한 마스크가 로딩된 상태를 예시적으로 나타내는 평면도.
도 8은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 플렉서블 유기발광다이오드 표시장치에 있어, 봉지수단의 무기 보호막을 증착하기 위한 마스크가 로딩된 상태를 예시적으로 나타내는 평면도.
도 9는 봉지수단의 무기 보호막의 증착 시 마스크의 들뜸으로 인한 무기 보호막의 확산을 설명하기 위한 단면도.
도 10a 및 도 10b는 본 발명의 제 3 실시예에 따른 플렉서블 유기발광다이오드 표시장치에 있어, 패드영역의 일부를 개략적으로 나타내는 단면도.
도 11은 본 발명의 제 3 실시예에 따른 플렉서블 유기발광다이오드 표시장치에 있어, 봉지수단의 무기 보호막을 증착하기 위한 마스크가 로딩된 상태를 예시적으로 나타내는 평면도.
도 12는 본 발명의 제 4 실시예에 따른 플렉서블 유기발광다이오드 표시장치에 있어, 봉지수단의 무기 보호막을 증착하기 위한 마스크가 로딩된 상태를 예시적으로 나타내는 평면도.
도 13은 본 발명에 따른 플렉서블 유기발광다이오드 표시장치의 제조공정을 순차적으로 나타내는 흐름도.1 is a diagram for explaining the principle of light emission of an organic light emitting diode;
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to an organic light emitting diode (OLED) display device, and more particularly,
3 is a perspective view illustrating a structure of a flexible organic light emitting diode display device according to a first embodiment of the present invention.
4 is a cross-sectional view schematically showing a part of a display region in a flexible organic light emitting diode display device according to a first embodiment of the present invention.
5 is a cross-sectional view illustrating a structure of a flexible organic light emitting diode display device according to a first embodiment of the present invention.
6 is a cross-sectional view schematically showing a part of a pad region in a flexible organic light emitting diode display device according to a first embodiment of the present invention.
7 is a plan view exemplarily showing a state in which a mask for depositing an inorganic protective film of a sealing means is loaded in a flexible organic light emitting diode display device according to the first embodiment of the present invention.
8 is a plan view exemplarily showing a state in which a mask for depositing an inorganic protective film of a sealing means is loaded in a flexible organic light emitting diode display device according to a second embodiment of the present invention.
9 is a sectional view for explaining the diffusion of the inorganic protective film due to lifting of the mask when the inorganic protective film of the sealing means is deposited.
10A and 10B are cross-sectional views schematically showing a part of a pad region in a flexible organic light emitting diode display device according to a third embodiment of the present invention.
11 is a plan view exemplarily showing a state in which a mask for depositing an inorganic protective film of a sealing means is loaded in a flexible organic light emitting diode display device according to a third embodiment of the present invention.
FIG. 12 is a plan view exemplarily showing a state in which a mask for depositing an inorganic protective film of a sealing means is loaded in a flexible organic light emitting diode display device according to a fourth embodiment of the present invention. FIG.
FIG. 13 is a flowchart sequentially illustrating a manufacturing process of a flexible organic light emitting diode display device according to the present invention. FIG.

이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명에 따른 유기발광다이오드 표시장치 및 그 제조방법의 바람직한 실시예를 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다.DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, exemplary embodiments of an organic light emitting diode display and a method of manufacturing the same according to exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나, 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성요소를 지칭한다. 도면에서 층 및 영역들의 크기 및 상대적인 크기는 설명의 명료성을 위해 과장될 수 있다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The advantages and features of the present invention and the manner of achieving them will become apparent with reference to the embodiments described in detail below with reference to the accompanying drawings. It should be understood, however, that the invention is not limited to the disclosed embodiments, but is capable of many different forms and should not be construed as limited to the embodiments set forth herein. Rather, these embodiments are provided so that this disclosure will be thorough and complete, To fully disclose the scope of the invention to those skilled in the art, and the invention is only defined by the scope of the claims. Like reference numerals refer to like elements throughout the specification. The dimensions and relative sizes of the layers and regions in the figures may be exaggerated for clarity of illustration.

소자(element) 또는 층이 다른 소자 또는 "위(on)" 또는 "상(on)"으로 지칭되는 것은 다른 소자 또는 층의 바로 위뿐만 아니라 중간에 다른 층 또는 다른 소자를 개재한 경우를 모두 포함한다. 반면, 소자가 "직접 위(directly on)" 또는 "바로 위"로 지칭되는 것은 중간에 다른 소자 또는 층을 개재하지 않는 것을 나타낸다.It will be understood that when an element or layer is referred to as being another element or "on" or "on ", it includes both intervening layers or other elements in the middle, do. On the other hand, when a device is referred to as "directly on" or "directly above ", it does not intervene another device or layer in the middle.

공간적으로 상대적인 용어인 "아래(below, beneath)", "하부(lower)", "위(above)", "상부(upper)" 등은 도면에 도시되어 있는 바와 같이 하나의 소자 또는 구성 요소들과 다른 소자 또는 구성 요소들과의 상관관계를 용이하게 기술하기 위해 사용될 수 있다. 공간적으로 상대적인 용어는 도면에 도시되어 있는 방향에 더하여 사용시 또는 동작시 소자의 서로 다른 방향을 포함하는 용어로 이해되어야 한다. 예를 들면, 도면에 도시되어 있는 소자를 뒤집을 경우, 다른 소자의 "아래(below)" 또는 "아래(beneath)"로 기술된 소자는 다른 소자의 "위(above)"에 놓여질 수 있다. 따라서, 예시적인 용어인 "아래"는 아래와 위의 방향을 모두 포함할 수 있다.The terms spatially relative, "below," "lower," "above," "upper," and the like, And may be used to easily describe the correlation with other elements or components. Spatially relative terms should be understood to include, in addition to the orientation shown in the drawings, terms that include different orientations of the device during use or operation. For example, when inverting an element shown in the figures, an element described as "below" or "beneath" of another element may be placed "above" another element. Thus, the exemplary term "below" can include both downward and upward directions.

본 명세서에서 사용된 용어는 실시예들을 설명하기 위한 것이며, 따라서 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함한다. 명세서에서 사용되는 "포함한다(comprise)" 및/또는 "포함하는(comprising)"은 언급된 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자는 하나 이상의 다른 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다.The terminology used herein is for the purpose of describing embodiments only and is not intended to be limiting of the invention. In the present specification, the singular form includes plural forms unless otherwise specified in the specification. &Quot; comprise "and / or" comprising ", as used in the specification, means that the presence of stated elements, Or additions.

도 3은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 플렉서블 유기발광다이오드 표시장치의 구조를 예시적으로 나타내는 사시도로써, 패드영역에 연성 회로기판(Flexible Printed Circuit Board; FPCB)이 체결된 상태의 플렉서블 유기발광다이오드 표시장치를 예를 들어 나타내고 있다.FIG. 3 is a perspective view illustrating a structure of a flexible organic light emitting diode display device according to a first embodiment of the present invention. Referring to FIG. 3, a flexible organic light emitting diode (FPCB) A diode display device is shown as an example.

그리고, 도 4는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 플렉서블 유기발광다이오드 표시장치에 있어, 표시영역의 일부를 개략적으로 나타내는 단면도이다.4 is a cross-sectional view schematically showing a part of a display region in a flexible organic light emitting diode display device according to a first embodiment of the present invention.

이때, 설명의 편의상 상기 도 4는 코플라나 구조의 TFT를 이용한 전면발광(top emission) 방식의 유기발광다이오드 표시장치의 TFT부 및 커패시터 형성부를 포함하는 하나의 부화소를 예를 들어 나타내고 있다. 다만, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 본 발명은 TFT의 구조 및 발광 방식에 관계없이 적용 가능하다.4 illustrates one sub-pixel including a TFT portion and a capacitor forming portion of a top emission organic light emitting diode display using a coplanar TFT. However, the present invention is not limited thereto, and the present invention is applicable regardless of the structure of the TFT and the light emitting method.

도 5는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 플렉서블 유기발광다이오드 표시장치의 구조를 예시적으로 나타내는 단면도이다.5 is a cross-sectional view illustrating a structure of a flexible organic light emitting diode display device according to a first embodiment of the present invention.

도 6은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 플렉서블 유기발광다이오드 표시장치에 있어, 패드영역의 일부를 개략적으로 나타내는 단면도로써, 봉지수단의 무기 보호막 증착을 위한 마스크가 접촉하는 TFT 기판의 패드영역 일부를 개략적으로 나타내고 있다.FIG. 6 is a cross-sectional view schematically showing a part of a pad region in a flexible organic light emitting diode display according to a first embodiment of the present invention. In FIG. 6, As shown in FIG.

상기 도 3을 참조하면, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 플렉서블 유기발광 디스플레이 장치는 크게 영상을 표시하는 패널 어셈블리(100)와 상기 패널 어셈블리(100)에 연결되는 연성 회로기판(140)을 포함한다.Referring to FIG. 3, the flexible organic light emitting display device according to the first embodiment of the present invention includes a panel assembly 100 for displaying an image and a flexible circuit board 140 connected to the panel assembly 100 do.

상기 패널 어셈블리(100)는 표시영역(active area)(AA)과 패드영역이 정의되는 TFT 기판(110)과 상기 표시영역(AA)을 덮으면서 상기 TFT 기판(110) 위에 형성되는 봉지층(encapsulation layer)(120)을 포함한다.The panel assembly 100 includes a TFT substrate 110 on which an active area AA and a pad area are defined and an encapsulation layer on the TFT substrate 110 while covering the display area AA. layer (120).

이때, 상기 패드영역은 상기 봉지층(120)에 의해 덮이지 않고 노출될 수 있다.At this time, the pad region may be exposed without being covered by the sealing layer 120.

TFT와 유기발광다이오드 등을 포함하는 상기 TFT 기판(110)은 베이스가 되는 기판(101)으로 폴리이미드 기판을 적용할 수 있으며, 이때 그 배면에는 백 플레이트(back plate)(105)가 부착될 수 있다.The TFT substrate 110 including the TFT and the organic light emitting diode may be a polyimide substrate as a substrate 101 on which a back plate 105 may be attached have.

그리고, 상기 봉지층(120) 위에는 외부로부터 입사된 광의 반사를 막기 위한 편광판(미도시)이 부착될 수 있다.A polarizer (not shown) may be attached on the sealing layer 120 to prevent reflection of light incident from the outside.

이때, 도시하지 않았지만, 상기 TFT 기판(110)의 표시영역(AA)에는 부화소(sub pixel)들이 매트릭스 형태로 배치되며, 상기 표시영역(AA)의 외측에는 부화소들을 구동시키기 위한 스캔 드라이버와 데이터 드라이버 등의 구동소자 및 기타 부품들이 위치한다.Although not shown, sub-pixels are arranged in a matrix in a display area AA of the TFT substrate 110, and a scan driver for driving sub-pixels is disposed outside the display area AA Driving elements such as a data driver and other components are located.

이러한 TFT 기판(110)의 표시영역(AA)을 상기 도 4를 참조하여 구체적으로 설명하면, 투명한 유리 또는 플라스틱 등의 절연물질로 이루어진 기판(101) 위에 버퍼층(111)이 형성되고, 그 위에 액티브층(114)이 형성되어 있다.4, a buffer layer 111 is formed on a substrate 101 made of an insulating material such as transparent glass or plastic, and an active region (not shown) A layer 114 is formed.

그리고, 상기 액티브층(114) 위에는 실리콘질화막(SiNx) 또는 실리콘산화막(SiO₂) 등으로 이루어진 게이트절연막(115a)이 형성되어 있으며, 그 위에 게이트전극(112)을 포함하는 게이트라인(미도시) 및 제 1 유지전극(116)이 형성되어 있다.A gate line (not shown) containing silicon nitride (SiNx) or silicon oxide (SiO ₂₎ gate insulating film and (115a) are formed, the gate electrodes 112 thereon composed of the like formed on the active layer 114 And a first sustain electrode 116 are formed.

상기 게이트전극(112)을 포함하는 게이트라인 및 제 1 유지전극(116) 위에는 실리콘질화막 또는 실리콘산화막 등으로 이루어진 층간절연막(inter insulation layer)(115b)이 형성되어 있으며, 그 위에 데이터라인(미도시), 구동 전압라인(미도시), 소오스/드레인전극(113a, 113b) 및 제 2 유지전극(117)이 형성되어 있다.An inter insulation layer 115b made of a silicon nitride layer, a silicon oxide layer, or the like is formed on the gate line including the gate electrode 112 and the first sustain electrode 116, and a data line (not shown) (Not shown), source / drain electrodes 113a and 113b, and a second sustain electrode 117 are formed.

이때, 상기 제 2 유지전극(117)은 상기 층간절연막(115b)을 사이에 두고 그 하부의 제 1 유지전극(116)의 일부와 중첩하여 스토리지 커패시터를 형성하게 된다.At this time, the second sustaining electrode 117 overlaps a part of the first sustaining electrode 116 under the interlayer insulating film 115b to form a storage capacitor.

상기 소오스/드레인전극(113a, 113b)은 콘택홀을 통해 상기 액티브층(114)의 소오스/드레인영역에 전기적으로 접속하게 된다.The source / drain electrodes 113a and 113b are electrically connected to a source / drain region of the active layer 114 through a contact hole.

상기 데이터라인, 구동 전압라인, 소오스/드레인전극(113a, 113b) 및 제 2 유지전극(117)이 형성된 기판(101) 위에는 실리콘질화막 또는 실리콘산화막 등의 무기 절연물질이나 벤조싸이클로부텐(benzocyclobutene; BCB), 포토 아크릴 등의 유기 절연물질로 이루어진 보호막(115c)이 형성되어 있다.On the substrate 101 on which the data line, the driving voltage line, the source / drain electrodes 113a and 113b and the second sustain electrode 117 are formed, an inorganic insulating material such as a silicon nitride film or a silicon oxide film, a benzocyclobutene ), And a protective film 115c made of an organic insulating material such as photo-acryl.

그리고, 상기 보호막(115c) 위에는 화소전극(118)이 형성되어 있다. 상기 화소전극(118)은 인듐-틴-옥사이드(Indium Tin Oxide; ITO) 또는 인듐-징크-옥사이드(Indium Zinc Oxide; IZO) 등의 투명한 도전물질이나 알루미늄, 은 또는 그 합금 등의 반사성 도전물질로 이루어질 수 있다.A pixel electrode 118 is formed on the passivation layer 115c. The pixel electrode 118 may be formed of a transparent conductive material such as indium tin oxide (ITO) or indium zinc oxide (IZO) or a reflective conductive material such as aluminum, silver or an alloy thereof. Lt; / RTI >

이때, 양극인 상기 화소전극(118)은 콘택홀을 통해 상기 드레인전극(113b)과 전기적으로 접속하게 된다.At this time, the pixel electrode 118, which is an anode, is electrically connected to the drain electrode 113b through a contact hole.

상기 화소전극(118)이 형성된 기판(101) 위에는 격벽(partition)(115e)이 형성되어 있다. 이때, 상기 격벽(115e)은 화소전극(118) 가장자리 주변을 둑(bank)처럼 둘러싸서 개구부(opening)를 정의하며 유기 절연물질 또는 무기 절연물질로 만들어진다. 상기 격벽(115e)은 또한 검정색 안료를 포함하는 감광제로 만들어질 수 있는데, 이 경우 격벽(115e)은 차광부재의 역할을 하게 된다.A partition 115e is formed on the substrate 101 on which the pixel electrode 118 is formed. At this time, the barrier rib 115e surrounds the periphery of the pixel electrode 118 to define an opening, and is made of an organic insulating material or an inorganic insulating material. The barrier rib 115e may also be made of a photoresist containing a black pigment, in which case the barrier rib 115e serves as a light shielding member.

상기 격벽(115e)이 형성된 기판(101) 위에는 유기발광층(130)이 형성되어 있다.An organic light emitting layer 130 is formed on the substrate 101 on which the barrier rib 115e is formed.

이때, 상기 유기발광층(130)은 빛을 내는 발광층 외에 발광층의 발광 효율을 향상하기 위한 부대층(auxiliary layer)을 포함하는 다층 구조를 가질 수 있다. 상기 부대층에는 전자와 정공의 균형을 맞추기 위한 전자수송층 및 정공수송층과 전자와 정공의 주입을 강화하기 위한 전자주입층 및 정공주입층 등이 있다.At this time, the organic light emitting layer 130 may have a multi-layer structure including an auxiliary layer for improving the luminous efficiency of the light emitting layer in addition to the light emitting layer. The sub-layer includes an electron transport layer and a hole transport layer for balancing electrons and holes, and an electron injection layer and a hole injection layer for enhancing injection of electrons and holes.

상기 유기발광층(130) 위에는 음극인 공통전극(common electrode)(128)이 형성되어 있다. 이때, 상기 공통전극(128)은 공통 전압을 인가 받으며, 칼슘(Ca), 바륨(Ba), 마그네슘(Mg), 알루미늄, 은 등을 포함하는 반사성 도전물질 또는 ITO, IZO 등의 투명한 도전물질로 이루어질 수 있다.A common electrode 128, which is a cathode, is formed on the organic light emitting layer 130. At this time, the common electrode 128 receives a common voltage and is formed of a reflective conductive material including calcium (Ca), barium (Ba), magnesium (Mg), aluminum, silver, etc. or a transparent conductive material such as ITO or IZO Lt; / RTI >

그리고, 상기 TFT 기판(110)의 패드영역에는 스캔 드라이버와 데이터 드라이버로 전기 신호를 전달하기 위한 패드전극들이 위치한다.In the pad region of the TFT substrate 110, pad electrodes for transmitting an electric signal to the scan driver and the data driver are located.

상기 봉지층(120)은 TFT 기판(110)에 형성된 TFT와 유기발광다이오드 위에 형성되어 TFT와 유기발광다이오드를 외부로부터 밀봉하여 보호한다.The sealing layer 120 is formed on the TFT formed on the TFT substrate 110 and the organic light emitting diode to protect the TFT and the organic light emitting diode from the outside.

상기 봉지층(120)을 상기 도 5를 참조하여 구체적으로 설명하면, 일 예로 음극(128)이 형성된 TFT 기판(110) 위에 봉지수단으로 1차 보호막(123a)과 유기막(123b) 및 2차 보호막(123c)이 차례대로 형성되어 있다.5, the encapsulation layer 120 may be formed on the TFT substrate 110 on which the cathode 128 is formed by using a first protective film 123a, an organic film 123b, And a protective film 123c are sequentially formed.

상기 1차 보호막(123a)의 경우 무기절연막으로 이루어져 있어 하부 TFT 단차에 의해 스택 커버리지(stack coverage)가 좋지 않으나, 그 상부에 위치하는 유기막(123b)이 평탄화 역할을 하기 때문에 2차 보호막(123c)은 하부 막에 의한 단차에 영향을 받지 않게 된다. 또한, 폴리머로 이루어진 상기 유기막(123b)의 두께가 충분히 두껍기 때문에 이물에 의한 크랙(crack)도 보완해 줄 수 있다.Since the primary protective film 123a is made of an inorganic insulating film and stack coverage is not good due to the lower TFT step difference, the organic film 123b located on the upper part plays a role of planarizing, ) Is not affected by the step difference caused by the lower film. Further, since the thickness of the organic film 123b made of the polymer is sufficiently thick, cracks due to foreign substances can be compensated.

상기 2차 보호막(123c)을 포함하는 TFT 기판(110) 전면에는 최종적인 봉지를 위해 다층으로 이루어진 보호필름(125)이 대향하여 위치하게 되며, 상기 TFT 기판(110)과 보호필름(125) 사이에는 투명하며 접착 특성을 갖는 점착제(124)가 개재되어 있다.A multilayer protective film 125 is positioned facing the TFT substrate 110 including the secondary protective film 123c for final sealing and a protective film 125 is formed between the TFT substrate 110 and the protective film 125 A pressure-sensitive adhesive 124 which is transparent and has adhesive properties is interposed.

이렇게 구성된 패널 어셈블리(100)의 패드영역에는 칩 온 글라스(chip on glass) 방식으로 집적회로 칩(미도시)이 실장 된다.An integrated circuit chip (not shown) is mounted on the pad region of the panel assembly 100 having the above structure in a chip on glass manner.

상기 연성 회로기판(140)에는 구동 신호를 처리하기 위한 전자 소자(미도시)들이 칩 온 필름(chip on film) 방식으로 실장되고, 외부 신호를 연성 회로기판(140)으로 전송하기 위한 커넥터(미도시)가 설치된다.On the flexible circuit board 140, electronic elements (not shown) for processing a driving signal are mounted on a chip on film basis and connectors for transmitting an external signal to the flexible circuit board 140 City) is installed.

이러한 연성 회로기판(140)은 패널 어셈블리(100)의 뒤쪽으로 접혀 연성 회로기판(140)이 패널 어셈블리(100)의 배면과 마주하도록 한다. 즉, TFT 기판(110)에 봉지층(120)이 합착되어 패널 어셈블리(100)를 구성하는 상태에서 벤딩부를 가진 연성 회로기판(140)이 접착층(미도시)을 통해 유기발광다이오드 표시장치의 배면에 부착되게 된다.The flexible circuit board 140 is folded to the rear of the panel assembly 100 so that the flexible circuit board 140 faces the rear surface of the panel assembly 100. That is, the flexible circuit board 140 having a bending portion in a state where the sealing layer 120 is bonded to the TFT substrate 110 to form the panel assembly 100 is bonded to the rear surface of the organic light emitting diode display device through an adhesive layer As shown in Fig.

한편, 전술한 바와 같이 현재의 플렉서블 유기발광다이오드 표시장치의 봉지에는 무기 보호막인 1차 보호막과 2차 보호막의 증착영역을 정의하기 위해 소정의 메탈로 이루어진 마스크를 사용하게 된다. 이때, 상기 마스크가 TFT 기판 위에 안착되는 과정에서 마찰 대전이 발생하고, 마스크 탈착 시에는 박리 대전이 발생하여 소자에 손상을 주고 있다.On the other hand, as described above, a mask made of a predetermined metal is used to define the deposition region of the primary protective film and the secondary protective film, which are inorganic protective films, in the encapsulation of the present flexible organic light emitting diode display device. At this time, triboelectrification occurs while the mask is placed on the TFT substrate, and peeling electrification occurs when the mask is removed, thereby damaging the device.

상기 도 6을 참조하면, 이에 본 발명은 이러한 문제점을 해결하기 위해 세라믹(155)으로 코팅된 상기 마스크(150)와 접촉하는 TFT 기판(110)의 패드영역 상면에 1~6의 낮은 유전상수를 가진 절연물질로 대전 방지층(125)을 형성함으로써 마스크(150)의 안착 및 탈착 시 상기 패드영역의 메탈 라인(112p)과 발생하는 정전기에 의한 소자의 손상을 방지할 수 있는 것을 특징으로 한다.6, a low dielectric constant of 1 to 6 is applied to the upper surface of the pad region of the TFT substrate 110 in contact with the mask 150 coated with the ceramic layer 155 The antistatic layer 125 is formed of an insulating material having an insulating property so that damage to the device caused by the static electricity generated in the metal line 112p of the pad region when the mask 150 is mounted and detached can be prevented.

즉, 본 발명은 마스크(150)와 접촉하는 TFT 기판(110)의 접촉면에 대전 방지층(125)을 형성하여 정전기 발생을 억제 또는 방전 에너지를 감소시키는 것을 목적으로 한다.That is, an object of the present invention is to form an antistatic layer 125 on the contact surface of the TFT substrate 110 in contact with the mask 150, thereby suppressing the generation of static electricity or reducing the discharge energy.

일반적으로 정전기는 대전물체의 마찰 및 박리 시 일어나며, 본 발명에서는 메탈 마스크(150)와 TFT 기판(110)의 보호막(115) 사이의 마찰 및 박리 시 발생하는 정전기를 방지하고자 저유전율을 가진 대전 방지층(125)을 상기 보호막(115) 위에 형성하는 것을 특징으로 한다.In order to prevent static electricity generated during friction and peeling between the metal mask 150 and the passivation film 115 of the TFT substrate 110, an antistatic layer having a low dielectric constant is formed in order to prevent static electricity generated during the friction and peeling of the electrified object. (125) is formed on the protective film (115).

이러한 대전 방지층(125)은 1~6의 낮은 유전상수를 가진 절연물질로 형성할 수 있으며, 일 예로 3~4의 유전상수를 가진 폴리이미드를 사용할 수 있으며, 마스크(150)와의 접촉면적을 줄이고자 라인이나 도트 형태로 형성할 수 있다.The antistatic layer 125 may be formed of an insulating material having a low dielectric constant of 1 to 6, for example, polyimide having a dielectric constant of 3 to 4, and may reduce the contact area with the mask 150 And can be formed in a line or a dot shape.

상기 대전 방지층(125)으로 폴리이미드를 사용하는 경우 표시영역(AA)의 격벽(115e)이나 스페이서 형성 시 동시에 형성할 수 있어 마스크의 추가가 필요하지 않은 이점을 가진다.When polyimide is used as the antistatic layer 125, it can be formed at the same time when the partition 115e or the spacer in the display area AA is formed, so that there is no need to add a mask.

여기서 낮은 유전상수를 가진 절연물질을 이용하는 이유는 방전에너지(E)가 정전용량(C)에 비례하는데, 상기 정전용량(C)은 다음 수학식과 같이 사용된 부도체의 유전상수에 비례하기 때문이다.The reason why the insulating material having a low dielectric constant is used here is that the discharge energy E is proportional to the capacitance C because the capacitance C is proportional to the dielectric constant of the insulator used as shown in the following equation.

[수학식]

[Mathematical Expression]

이때, 상기

는 진공의 유전율을 나타내며,

은 사용된 부도체의 유전상수 혹은 상대 유전율을 나타낸다. 상기 A는 도체 판 하나의 넓이를 나타내며, 상기 d는 도체 판 사이의 거리를 나타낸다.At this time,

Represents the dielectric constant of the vacuum,

Represents the dielectric constant or relative permittivity of the nonconductor used. A represents the width of one conductor plate, and d represents the distance between the conductor plates.

도 7은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 플렉서블 유기발광다이오드 표시장치에 있어, 봉지수단의 무기 보호막을 증착하기 위한 마스크가 로딩된 상태를 예시적으로 나타내는 평면도이다.7 is a plan view illustrating a state in which a mask for depositing an inorganic protective film of the sealing means is loaded in the flexible organic light emitting diode display device according to the first embodiment of the present invention.

그리고, 도 8은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 플렉서블 유기발광다이오드 표시장치에 있어, 봉지수단의 무기 보호막을 증착하기 위한 마스크가 로딩된 상태를 예시적으로 나타내는 평면도이다.8 is a plan view illustrating a state in which a mask for depositing an inorganic protective film of a sealing means is loaded in a flexible organic light emitting diode display device according to a second embodiment of the present invention.

이때, 상기 도 7은 라인 형태의 대전 방지층을 적용한 경우를 예를 들어 나타내고 있으며, 상기 도 8은 도트 형태의 대전 방지층을 적용한 경우를 예를 들어 나타내고 있다.In this case, FIG. 7 shows a case where a line-shaped antistatic layer is applied, and FIG. 8 shows a case where a dot-shaped antistatic layer is applied, for example.

상기 도 7 및 도 8을 참조하면, 본 발명의 대전 방지층(125, 225)은 1~6의 낮은 유전상수를 가진 절연물질로 형성할 수 있으며, 일 예로 3~4의 유전상수를 가진 폴리이미드를 사용할 수 있으며, 마스크(150, 250)와의 접촉면적을 줄이고자 라인이나 도트 형태로 형성할 수 있다.Referring to FIGS. 7 and 8, the antistatic layers 125 and 225 of the present invention may be formed of an insulating material having a low dielectric constant of 1 to 6, for example, polyimide having a dielectric constant of 3 to 4 And may be formed in the form of a line or a dot so as to reduce the contact area with the masks 150 and 250.

이와 같이 상기 대전 방지층(125, 225)을 패터닝하는 이유로는 외부와 연결되는 집적회로 칩이나 패드전극들(113p, 213p)을 피해서 형성하는 한편, 도체 판 넓이(A)의 감소로 정전용량(C)을 줄여주는 효과를 주기 위함이다.The reason for patterning the antistatic layers 125 and 225 as described above is to avoid forming the integrated circuit chip or the pad electrodes 113p and 213p connected to the outside while decreasing the capacitance C ) To reduce the effect.

이때, 도시된 집적회로 칩이나 패드전극들(113p, 213p)의 형성 위치 및 개수, 형태 등은 설명의 편의를 위해 예를 들고 있는 것으로, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 또한, 상기 대전 방지층(125, 225)의 형성 위치 및 개수, 형태 등 역시 도시된 바에 한정되는 것은 아니며, 외부로 노출되는 상기 집적회로 칩이나 패드전극들(113p, 213p)이 존재하지 않는 부분의 패드영역에 형성하기만 하면 다양하게 변형 가능하다.At this time, the positions, the number, the shape, and the like of the illustrated integrated circuit chip and pad electrodes 113p and 213p are shown as examples for convenience of description, and the present invention is not limited thereto. In addition, the position, number, shape, etc. of the antistatic layers 125 and 225 are not limited to those shown in the drawings, and the portions of the portions where the integrated circuit chip or pad electrodes 113p and 213p exposed to the outside do not exist It can be variously modified as long as it is formed in the pad region.

상기 라인형 대전 방지층(125)의 한 라인은 50nm ~ 50㎛의 두께 및 50nm ~ 50㎛의 폭을 가지도록 구성할 수 있으며, 라인간 간격은 50nm ~ 50㎛로 구성할 수 있다.One line of the line-shaped antistatic layer 125 may be formed to have a thickness of 50 nm to 50 탆 and a width of 50 nm to 50 탆, and a line spacing of 50 nm to 50 탆.

그리고, 상기 도트형 대전 방지층(225)의 가로 및 세로는 50nm ~ 50㎛로 구성할 수 있으며, 두께 및 도트간 간격은 50nm ~ 50㎛로 구성할 수 있다.The dot-shaped antistatic layer 225 may have a width and a length of 50 nm to 50 μm, and the thickness and the interval between the dots may be 50 nm to 50 μm.

한편, 무기 보호막인 1차 보호막과 2차 보호막은 증착 시 마스크의 끝단에서 확산이 막히게 된다. 그러나, 상기 마스크가 증착 과정에서 발생하는 열에 의해 국부적으로 변형이 일어나게 되며, 기판에 밀착되어야 하는 마스크가 변형으로 들뜨게 되는데, 이를 도면을 참조하여 상세히 설명한다.On the other hand, the primary protective film and the secondary protective film, which are inorganic protective films, are prevented from diffusing at the edges of the mask during deposition. However, the mask is locally deformed by the heat generated during the deposition process, and the mask to be adhered to the substrate is deformed, which will be described in detail with reference to the drawings.

도 9는 봉지수단의 무기 보호막의 증착 시 마스크의 들뜸으로 인한 무기 보호막의 확산을 설명하기 위한 단면도이다.9 is a cross-sectional view for explaining the diffusion of the inorganic protective film due to lifting of the mask when the inorganic protective film of the sealing means is deposited.

이때, 상기 도 9는 봉지수단으로 1차 보호막 증착을 위한 마스크가 접촉하는 TFT 기판의 패드영역 일부를 예를 들어 나타내고 있다.9 illustrates a portion of the pad region of the TFT substrate on which the mask for depositing the first passivation film contacts with the sealing means.

상기 도 9를 참조하면, 전술한 바와 같이 유기발광다이오드 표시장치는 다수의 TFT(미도시)와 유기발광다이오드(미도시)가 형성된 TFT 기판(10)과 상기 TFT 기판(10) 위에 형성되는 1차 보호막(23a)을 포함하는 봉지층으로 이루어진다.9, the organic light emitting diode display device includes a TFT substrate 10 on which a plurality of TFTs (not shown) and organic light emitting diodes (not shown) are formed, And a seal layer 23a.

이때, 상기 마스크(50)가 접촉하는 TFT 기판(10)의 패드영역에는 소정의 보호막(15)이 형성되어 있고, 그 상부 및 하부에는 표시영역의 전극 및 게이트, 데이터 배선을 구성하는 도전물질로 이루어진 소정의 패드전극(13p) 및 메탈 라인(12p)이 형성되어 있다.At this time, a predetermined protective film 15 is formed on the pad region of the TFT substrate 10 on which the mask 50 contacts, and on the upper and lower portions thereof, a conductive material constituting electrodes, gates, A predetermined pad electrode 13p and a metal line 12p are formed.

이때, 상기 마스크(50)가 상기 1차 보호막(23a)의 증착 과정에서 발생하는 열에 의해 국부적으로 변형이 일어나게 되며, TFT 기판(10)에 밀착되어야 하는 마스크(50)가 변형으로 들뜨게 된다.At this time, the mask 50 is locally deformed due to the heat generated in the deposition process of the primary protective film 23a, and the mask 50 to be adhered to the TFT substrate 10 is deformed.

이러한 마스크(50)의 들뜸으로 인해 상기 마스크(50) 안쪽으로 증착 기체의 확산이 이루어지게 되고, 상기 1차 보호막(23a)이 증착되지 않아야 하는 콘택영역, 즉 상기 패드전극(13p)과 같은 패드 및 FPCB 부착 부에 상기 1차 보호막(23a)의 형성으로 접촉 및 신호 불량이 발생하게 된다.As a result of the lifting of the mask 50, the deposition gas is diffused into the mask 50, and the contact area where the first protective film 23a should not be deposited, that is, the pad such as the pad electrode 13p And the primary protective film 23a are formed on the FPCB mounting portion, thereby causing contact and signal failure.

이에 따라 본 발명에서는 노출된 패드전극 앞에 절연물질로 확산 방지층을 형성하여 상기 봉지수단의 무기 보호막의 확산을 방지함으로써 상기 무기 보호막의 확산에 의한 신호 및 접촉 관련 불량을 방지하는 것을 특징으로 하며, 이를 다음의 본 발명의 제 3, 제 4 실시예를 통해 상세히 설명한다.Accordingly, in the present invention, a diffusion prevention layer is formed of an insulating material in front of the exposed pad electrode to prevent diffusion of the inorganic protection layer of the sealing means, thereby preventing signal and contact-related defects due to diffusion of the inorganic protection layer. The third and fourth embodiments of the present invention will now be described in detail.

도 10a 및 도 10b는 본 발명의 제 3 실시예에 따른 플렉서블 유기발광다이오드 표시장치에 있어, 패드영역의 일부를 개략적으로 나타내는 단면도로써, 봉지수단의 무기 보호막 증착을 위한 마스크가 접촉하는 TFT 기판의 패드영역 일부를 개략적으로 나타내고 있다.10A and 10B are cross-sectional views schematically showing a part of a pad region in a flexible organic light emitting diode display device according to a third embodiment of the present invention, in which a mask for depositing an inorganic protective film of a sealing means contacts a TFT substrate A part of the pad region is schematically shown.

이때, 상기 도 10a는 확산 방지층이 1열로 구성된 경우를 예를 들어 나타내고 있으며, 상기 도 10b는 확산 방지층이 2열로 구성된 경우를 예를 들어 나타내고 있다. 다만, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 본 발명의 확산 방지층은 1열 이상으로 구성될 수 있다.In this case, FIG. 10A shows a case where the diffusion preventing layer is composed of one column, and FIG. 10B shows the case where the diffusion preventing layer is composed of two columns. However, the present invention is not limited thereto, and the diffusion preventing layer of the present invention may be constituted by one or more rows.

상기 도면들을 참조하면, 본 발명의 제 3 실시예에 따른 플렉서블 유기발광 디스플레이 장치는 다수의 TFT(미도시)와 유기발광다이오드(미도시)가 형성된 TFT 기판(310)과 상기 TFT 기판(310) 위에 형성되는 1차 보호막(323a)을 포함하는 봉지층(미도시)으로 이루어진다.Referring to the drawings, a flexible organic light emitting display device according to a third embodiment of the present invention includes a TFT substrate 310 having a plurality of TFTs (not shown) and organic light emitting diodes (not shown) And a sealing layer (not shown) including a primary protective film 323a formed thereon.

이때, 표시영역과 패드영역이 정의되는 상기 TFT 기판(310)과 상기 표시영역을 덮으면서 상기 TFT 기판(310) 위에 형성되는 상기 봉지층을 포함하여 패널 어셈블리를 구성하게 된다.At this time, the panel assembly including the TFT substrate 310 in which the display region and the pad region are defined and the encapsulation layer formed on the TFT substrate 310 while covering the display region is formed.

이때, 상기 패드영역은 상기 봉지층에 의해 덮이지 않고 노출될 수 있다.At this time, the pad region may be exposed without being covered by the sealing layer.

상기 TFT 기판(310)의 기판(301)으로 폴리이미드 기판과 같이 휘거나 굽힐 수 있는 플렉서블 기판을 적용할 수 있으며, 이 경우 표시영역의 곡면 형성이 가능하므로 디스플레이 응용 영역이 다양하게 될 뿐만 아니라 기존의 유리기판 기반의 표시장치로 적용이 제한적이거나 불가능했던 이형 표시장치의 실현을 가능하게 한다.A flexible substrate which can be bent or bent like a polyimide substrate can be applied to the substrate 301 of the TFT substrate 310. In this case, since the curved surface of the display region can be formed, Which is limited or impossible to be applied to a glass substrate-based display device of the present invention.

즉, TFT와 유기발광다이오드 등을 포함하는 상기 TFT 기판(310)은 베이스가 되는 기판(301)으로 폴리이미드 기판을 적용할 수 있으며, 이때 그 배면에는 백 플레이트(미도시)가 부착될 수 있다.That is, the TFT substrate 310 including the TFT and the organic light emitting diode may be a polyimide substrate as a base substrate 301, and a back plate (not shown) may be attached to the back surface of the substrate 301 .

이와 같은 플렉서블 유기발광다이오드 표시장치의 특성상 봉지구조는 투과율이 좋고 투명한 물질들을 이용한 적층 구조를 가져야 한다. 이때, 페이스 실 봉지구조를 적용한 경우 상기 봉지층을 구체적으로 설명하면, 음극(미도시)이 형성된 TFT 기판(310) 위에는 봉지수단으로 1차 보호막(323a)과 유기막(미도시) 및 2차 보호막(미도시)이 차례대로 형성될 수 있다.Because of the characteristics of such a flexible organic light emitting diode display device, the encapsulation structure must have a laminate structure using transparent materials with good transmittance. In this case, when the face seal structure is applied, the encapsulation layer will be described in detail. A first protective film 323a, an organic film (not shown) and a second protective film 323b are formed on the TFT substrate 310 on which a cathode A protective film (not shown) may be formed in order.

이때, 도시하지 않았지만, 상기 2차 보호막이 형성된 TFT 기판(310) 전면에는 최종적인 봉지를 위해 다층으로 이루어진 보호필름이 대향하여 위치하게 되며, 상기 TFT 기판(310)과 보호필름 사이에는 투명하며 접착 특성을 갖는 점착제가 개재될 수 있다At this time, although not shown, a multi-layered protective film is opposed to the entire surface of the TFT substrate 310 on which the secondary protective film is formed, and the transparent protective film is transparent between the TFT substrate 310 and the protective film A pressure-sensitive adhesive having properties can be interposed

그리고, 상기 봉지층 위에는 외부로부터 입사된 광의 반사를 막기 위한 편광판이 부착될 수 있다.A polarizer may be attached on the sealing layer to prevent reflection of light incident from the outside.

이때, 상기 TFT 기판(310)의 표시영역에는 부화소들이 매트릭스 형태로 배치되며, 상기 표시영역의 외측에는 부화소들을 구동시키기 위한 스캔 드라이버와 데이터 드라이버 등의 구동소자 및 기타 부품들이 위치한다.At this time, sub-pixels are arranged in a matrix in a display region of the TFT substrate 310, and driving elements and other components such as a scan driver and a data driver for driving sub-pixels are located outside the display region.

또한, 마스크(350)가 접촉하는 상기 TFT 기판(310)의 패드영역에는 소정의 보호막(315)이 형성되어 있고, 그 상부 및 하부에는 표시영역의 전극 및 게이트, 데이터 배선을 구성하는 도전물질로 이루어진 소정의 패드전극(313p) 및 메탈 라인(312p)이 형성될 수 있다.In addition, a predetermined protective film 315 is formed on the pad region of the TFT substrate 310 on which the mask 350 contacts, and upper and lower portions of the protective film 315 are formed of a conductive material constituting electrodes, A predetermined pad electrode 313p and a metal line 312p may be formed.

이때, 세라믹(355)으로 코팅된 상기 마스크(350)와 접촉하는 본 발명의 제 3 실시예에 따른 TFT 기판(310)의 패드영역에는 상기 노출된 패드전극(313p) 앞에 소정의 절연물질로 확산 방지층(326)이 형성되어 있으며, 상기 확산 방지층(326)은 상기 1차 보호막(323a)을 포함하는 무기 보호막의 확산을 방지함으로써 상기 무기 보호막의 확산에 의한 신호 및 접촉 관련 불량을 방지할 수 있는 것을 특징으로 한다.At this time, in the pad region of the TFT substrate 310 according to the third embodiment of the present invention in contact with the mask 350 coated with the ceramics 355, a predetermined insulating material is diffused in front of the exposed pad electrode 313p The diffusion preventive layer 326 is formed to prevent the diffusion of the inorganic protective film including the primary protective film 323a so as to prevent signal and contact related defects due to the diffusion of the inorganic protective film .

이러한 확산 방지층(326)은 3~4의 유전상수를 가진 폴리이미드를 사용하여 형성할 수 있으며, 전술한 바와 같이 마스크(350)와의 접촉면적을 줄이고자 라인이나 도트 형태로 형성할 수 있다.The diffusion barrier layer 326 may be formed using polyimide having a dielectric constant of 3 to 4, and may be formed in a line or a dot shape to reduce the contact area with the mask 350 as described above.

이때, 상기 확산 방지층(326)으로 폴리이미드를 사용하는 경우 표시영역의 격벽이나 스페이서 형성 시 동시에 형성할 수 있어 마스크의 추가가 필요하지 않은 이점을 가진다.At this time, when polyimide is used as the diffusion preventing layer 326, it can be formed at the same time when the barrier ribs and the spacers of the display region are formed, so that there is no need to add a mask.

특히, 본 발명에 따른 상기 확산 방지층(326)은 상기 무기 보호막이 증착되지 않아야 하는 콘택영역, 즉 상기 패드전극(313p)과 같은 패드 및 FPCB 부착 부로부터 10㎛ ~ 300㎛ 앞에 10㎛ ~ 100㎛의 폭을 가지도록 형성될 수 있다.Particularly, the diffusion barrier layer 326 according to the present invention is formed in a contact region where the inorganic protective film should not be deposited, that is, 10 to 100 μm before 10 μm to 300 μm from the pad such as the pad electrode 313p and the FPCB attachment portion As shown in FIG.

또한, 상기 확산 방지층(326)은 2㎛ 이상의 두께를 가지도록 형성될 수 있으며, 전술한 바와 같이 1열 이상으로 구성될 수 있다.Also, the diffusion preventing layer 326 may be formed to have a thickness of 2 탆 or more, and may be composed of one or more rows as described above.

도 11은 본 발명의 제 3 실시예에 따른 플렉서블 유기발광다이오드 표시장치에 있어, 봉지수단의 무기 보호막을 증착하기 위한 마스크가 로딩된 상태를 예시적으로 나타내는 평면도이다.11 is a plan view illustrating a state in which a mask for depositing an inorganic protective film of a sealing means is loaded in a flexible organic light emitting diode display device according to a third embodiment of the present invention.

그리고, 도 12는 본 발명의 제 4 실시예에 따른 플렉서블 유기발광다이오드 표시장치에 있어, 봉지수단의 무기 보호막을 증착하기 위한 마스크가 로딩된 상태를 예시적으로 나타내는 평면도이다.12 is a plan view illustrating a state in which a mask for depositing an inorganic protective film of a sealing means is loaded in a flexible organic light emitting diode display device according to a fourth embodiment of the present invention.

이때, 상기 도 11은 패드전극의 형성여부와 관계없이 콘택영역 앞에 길게 확산 방지층을 형성한 경우를 예를 들어 나타내고 있으며, 상기 도 12는 패드전극이 형성된 콘택영역 앞에만 패터닝되도록 확산 방지층을 형성한 경우를 예를 들어 나타내고 있다.11 illustrates a case where a diffusion barrier layer is formed in front of a contact region regardless of whether a pad electrode is formed or not. FIG. 12 illustrates a case where a diffusion barrier layer is formed to pattern only a front contact region formed with a pad electrode For example.

상기 도 11 및 도 12를 참조하면, 본 발명의 확산 방지층(326, 426)은 3~4의 유전상수를 가진 폴리이미드를 사용하여 형성할 수 있으며, 라인이나 도트 형태로 형성할 수 있다.Referring to FIGS. 11 and 12, the diffusion barrier layers 326 and 426 of the present invention may be formed using polyimide having a dielectric constant of 3 to 4, and may be formed in the form of a line or a dot.

이때, 도시된 집적회로 칩이나 패드전극들(313p, 413p)의 형성 위치 및 개수, 형태 등은 설명의 편의를 위해 예를 들고 있는 것으로, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 또한, 상기 확산 방지층(326, 426)의 형성 위치 및 개수, 형태 등 역시 도시된 바에 한정되는 것은 아니며, 외부로 노출되는 상기 집적회로 칩이나 패드전극들(313p, 413p)의 앞에 형성하기만 하면 다양하게 변형 가능하다.At this time, the positions, the numbers, the shapes, and the like of the illustrated integrated circuit chip and pad electrodes 313p and 413p are shown for convenience of explanation, and the present invention is not limited thereto. The positions, the number, the shape, and the like of the diffusion prevention layers 326 and 426 are not limited to those shown in the drawings, but may be formed only in front of the integrated circuit chip or pad electrodes 313p and 413p exposed to the outside It can be variously modified.

전술한 바와 같이, 상기 확산 방지층(326, 426)은 상기 무기 보호막이 증착되지 않아야 하는 콘택영역, 즉 상기 패드전극(313p, 413p)과 같은 패드 및 FPCB 부착 부로부터 10㎛ ~ 300㎛ 앞에 10㎛ ~ 100㎛의 폭을 가지도록 형성될 수 있다.As described above, the diffusion preventing layers 326 and 426 are formed in the contact regions where the inorganic protective film should not be deposited, that is, 10 占 퐉 to 300 占 퐉 in front of the pad such as the pad electrodes 313p and 413p and the FPCB attaching portion, To < RTI ID = 0.0 > 100m. &Lt; / RTI >

또한, 상기 확산 방지층(326, 426)은 2㎛ 이상의 두께를 가지도록 형성될 수 있으며, 1열 이상으로 구성될 수 있다.In addition, the diffusion preventing layers 326 and 426 may be formed to have a thickness of 2 탆 or more, and may be composed of one or more rows.

이하, 본 발명의 플렉서블 유기발광다이오드 표시장치의 제조방법을 도면을 참조하여 상세히 설명한다.Hereinafter, a manufacturing method of a flexible organic light emitting diode display device of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

도 13은 본 발명에 따른 플렉서블 유기발광다이오드 표시장치의 제조공정을 순차적으로 나타내는 흐름도이다.13 is a flowchart sequentially illustrating a manufacturing process of a flexible organic light emitting diode display device according to the present invention.

유기발광다이오드 패널은 소정의 기판 위에 다수의 TFT 및 유기발광다이오드들을 구비하며, 상기 유기발광다이오드는 다수의 적층구조를 갖는데, 이를 위해 폴리이미드 기판으로 이루어진 기판을 준비한다(S110).The organic light emitting diode panel includes a plurality of TFTs and organic light emitting diodes on a predetermined substrate. The organic light emitting diode has a plurality of stacked structures. For this purpose, a substrate made of a polyimide substrate is prepared (S110).

이후, 상기 기판 위에 소정의 TFT 공정을 진행하여 다수의 TFT를 형성하는데(S120), 우선 버퍼층이 형성된 상기 기판 위에 수소화 비정질 규소(hydrogenated amorphous silicon), 다결정 규소(polycrystalline silicon) 또는 산화물 반도체(oxide semiconductor)로 이루어진 액티브층이 형성될 수 있다.Thereafter, a predetermined TFT process is performed on the substrate to form a plurality of TFTs (S120). First, on the substrate on which the buffer layer is formed, hydrogenated amorphous silicon, polycrystalline silicon, ) May be formed.

상기 액티브층을 포함하는 기판 위에는 질화규소(SiNx) 또는 이산화규소(SiO₂) 등으로 이루어진 게이트절연막이 형성되어 있으며, 그 위에 게이트전극, 게이트라인 및 유지전극(storage electrode)이 형성될 수 있다.And a gate formed above the substrate including the active layer of silicon nitride (SiNx) or silicon dioxide (SiO _2), such as an insulating film is formed, it may be a gate electrode, a gate line and a sustain electrode (storage electrode) formed thereon.

상기 게이트전극, 게이트라인 및 유지전극이 형성된 기판 위에는 질화규소 또는 이산화규소 등으로 이루어진 게이트절연막이 형성되어 있으며, 그 위에 데이터라인과 구동 전압라인 및 소오스/드레인전극이 형성될 수 있다.On the substrate on which the gate electrode, the gate line, and the sustain electrode are formed, a gate insulating layer made of silicon nitride, silicon dioxide, or the like is formed, and a data line, a driving voltage line, and a source / drain electrode may be formed thereon.

상기 데이터라인, 구동 전압라인 및 소오스/드레인전극이 형성된 기판 위에는 질화규소 또는 이산화규소 등으로 이루어진 보호막이 형성될 수 있다.A protective layer made of silicon nitride, silicon dioxide, or the like may be formed on the substrate on which the data line, the driving voltage line, and the source / drain electrode are formed.

그리고, 상기 보호막 위에는 화소전극(pixel electrode)이 형성될 수 있다. 상기 화소전극은 인듐-틴-옥사이드(Indium Tin Oxide; ITO) 또는 인듐-징크-옥사이드(Indium Zinc Oxide; IZO) 등의 투명한 도전물질이나 알루미늄, 은 또는 그 합금 등의 반사성 도전물질로 이루어질 수 있다.A pixel electrode may be formed on the passivation layer. The pixel electrode may be formed of a transparent conductive material such as indium tin oxide (ITO) or indium zinc oxide (IZO), or a reflective conductive material such as aluminum, silver or an alloy thereof .

상기 화소전극이 형성된 기판 위에는 격벽(partition)이 형성될 수 있다.A partition may be formed on the substrate on which the pixel electrode is formed.

이때, 상기 격벽은 화소전극 가장자리 주변을 둑(bank)처럼 둘러싸서 개구부(opening)를 정의하며 유기 절연물질 또는 무기 절연물질로 만들어진다. 상기 격벽은 또한 검정색 안료를 포함하는 감광제로 만들어질 수 있는데, 이 경우 격벽은 차광부재의 역할을 하게 된다.At this time, the barrier ribs surround the edge of the pixel electrode to define an opening and are made of an organic insulating material or an inorganic insulating material. The partition may also be made of a photosensitizer containing a black pigment, in which case the partition serves as a light shielding member.

이때, 폴리이미드와 같은 유기 절연물질을 이용하여 상기 격벽을 형성할 때 상기 TFT 기판의 패드영역에 상기 격벽을 구성하는 유기 절연물질로 대전 방지층이나 확산 방지층을 형성하게 되며, 이러한 대전 방지층이나 확산 방지층은 후술할 무기 보호막을 형성하기 위한 마스크와의 접촉면적을 줄이고자 라인이나 도트 형태로 형성할 수 있다.At this time, when an organic insulating material such as polyimide is used to form the barrier ribs, an antistatic layer or a diffusion barrier layer is formed of an organic insulating material constituting the barrier ribs in the pad region of the TFT substrate. May be formed in the form of a line or a dot so as to reduce the contact area with a mask for forming an inorganic protective film to be described later.

상기 격벽이 형성된 기판 위에는 유기 화합물층으로 이루어진 유기발광다이오드가 형성될 수 있다(S130).An organic light emitting diode including an organic compound layer may be formed on the substrate on which the barrier ribs are formed (S130).

이때, 상기 유기 화합물층은 빛을 내는 발광층 외에 발광층의 발광 효율을 향상하기 위한 부대층을 포함하는 다층 구조를 가질 수 있다. 상기 부대층에는 전자와 정공의 균형을 맞추기 위한 전자수송층 및 정공수송층과 전자와 정공의 주입을 강화하기 위한 전자주입층 및 정공주입층 등이 있다.At this time, the organic compound layer may have a multi-layer structure including a light-emitting layer and a sub-layer for improving the light-emitting efficiency of the light-emitting layer. The sub-layer includes an electron transport layer and a hole transport layer for balancing electrons and holes, and an electron injection layer and a hole injection layer for enhancing injection of electrons and holes.

상기 유기 화합물층 위에는 캐소드인 공통전극(common electrode)이 형성될 수 있다. 이때, 상기 공통전극은 공통 전압을 인가 받으며, 칼슘(Ca), 바륨(Ba), 마그네슘(Mg), 알루미늄, 은 등을 포함하는 반사성 도전물질 또는 ITO, IZO 등의 투명한 도전물질로 이루어질 수 있다.A common electrode, which is a cathode, may be formed on the organic compound layer. At this time, the common electrode may be formed of a reflective conductive material including calcium (Ca), barium (Ba), magnesium (Mg), aluminum, silver, etc. or a transparent conductive material such as ITO or IZO .

상기 공통전극이 형성된 기판 위에는 봉지수단으로 1차 보호막과 유기막 및 2차 보호막이 차례대로 형성될 수 있다(S140-1, S140-2, S140-3).The first protective film, the organic film, and the second protective film may be sequentially formed on the substrate having the common electrode formed thereon by sealing means (S140-1, S140-2, S140-3).

상기 유기막은 폴리머와 같은 고분자 유기물질로 이루어질 수 있으며, 일 예로 올레핀(olefin)계 고분자, PET, 에폭시 수지(epoxy resin), 플루오르 수지(fluorine resin), 폴리실록산(polysiloxane) 등이 사용될 수 있다.The organic layer may be formed of a polymer organic material such as a polymer. For example, an olefin polymer, PET, an epoxy resin, a fluorine resin, a polysiloxane, or the like may be used.

또한, 상기 1차 보호막 및 2차 보호막은 질화규소 또는 이산화규소 등의 무기절연막으로 이루어질 수 있다.The first protective film and the second protective film may be made of an inorganic insulating film such as silicon nitride or silicon dioxide.

이때, 상기 본 발명에 따른 무기 보호막은 TFT 기판의 패드영역을 가리도록 위치하는 소정의 메탈 마스크를 사용함에 따라 표시영역 내에만 형성할 수 있다.At this time, the inorganic protective film according to the present invention can be formed only in the display region by using a predetermined metal mask positioned to cover the pad region of the TFT substrate.

이때, 전술한 바와 같이 상기 TFT 기판의 패드영역에 1~6의 낮은 유전상수를 가진 절연물질로 대전 방지층이 형성되는 경우 마스크와 TFT 기판의 접촉에 따른 정전기 발생을 억제 또는 방전 에너지를 감소시킬 수 있게 된다.In this case, when the antistatic layer is formed of an insulating material having a low dielectric constant of 1 to 6 in the pad region of the TFT substrate as described above, it is possible to suppress the generation of static electricity due to the contact between the mask and the TFT substrate, .

또한, 노출된 패드전극 앞에 상기 절연물질로 확산 방지층이 형성되는 경우 상기 봉지수단의 무기 보호막의 확산이 방지됨에 따라 상기 무기 보호막의 확산에 의한 신호 및 접촉 관련 불량을 방지할 수 있게 된다.In addition, when the diffusion barrier layer is formed of the insulating material in front of the exposed pad electrode, diffusion of the inorganic barrier layer of the encapsulation unit is prevented, thereby preventing signal and contact related defects due to diffusion of the inorganic barrier layer.

다음으로, 상기 2차 보호막을 포함하는 기판 전면에는 유기발광다이오드 패널의 봉지를 위해 다층으로 이루어진 보호필름이 대향하여 위치하게 되며, 상기 기판과 보호필름 사이에는 투명하며 접착 특성을 갖는 점착제가 개재될 수 있다(S140-4, S140).Next, a multi-layered protective film is placed on the entire surface of the substrate including the secondary protective film so as to seal the organic light emitting diode panel, and a transparent adhesive having adhesive properties is interposed between the substrate and the protective film (S140-4, S140).

상기 점착제는 일 예로, 접착테이프(Pressure Sensitive Adhesive Tape; PSA Tape)를 사용할 수 있다.As the pressure-sensitive adhesive, for example, a pressure sensitive adhesive tape (PSA tape) may be used.

그리고, 상기 봉지층 위에는 외부로부터 입사된 광의 반사를 막기 위한 편광판이 부착될 수 있으며, 후공정인 조립공정 및 검사를 거쳐 유기발광다이오드 표시장치의 제조를 완료하게 된다(S150, S160).In addition, a polarizing plate for preventing reflection of light incident from the outside may be attached on the sealing layer, and the manufacturing process of the organic light emitting diode display device is completed through a post-process assembly process and inspection (S150, S160).

상기한 설명에 많은 사항이 구체적으로 기재되어 있으나 이것은 발명의 범위를 한정하는 것이라기보다 바람직한 실시예의 예시로서 해석되어야 한다. 따라서 발명은 설명된 실시예에 의하여 정할 것이 아니고 특허청구범위와 특허청구범위에 균등한 것에 의하여 정하여져야 한다.While a great many are described in the foregoing description, it should be construed as an example of preferred embodiments rather than limiting the scope of the invention. Therefore, the invention should not be construed as limited to the embodiments described, but should be determined by equivalents to the appended claims and the claims.

101,301 : 기판 110,210,310,410 : TFT 기판
120 : 봉지층 125,225 : 대전 방지층
150,250,350,450 : 마스크 326,426 : 확산 방지층101, 301: substrate 110, 210, 310, 410: TFT substrate
120: sealing layer 125, 225: antistatic layer
150, 250, 350, 450: Mask 326, 426:

Claims

A TFT substrate divided into a display region and a pad region;
A dummy pattern formed on the TFT substrate of the pad region;
A primary protective film formed on the TFT substrate of the display region;
An organic film formed on the primary protective film; And
And a secondary protective film formed on the organic film,
Wherein the dummy pattern is made of an insulating material constituting partitions or spacers formed in the display region.

The flexible organic light-emitting diode display according to claim 1, further comprising a multi-layer protective film attached on the secondary protective film through a pressure-sensitive adhesive.

The flexible organic light-emitting diode display according to claim 1, wherein the dummy pattern is formed of polyimide constituting a partition or a spacer of the display region.

The method as claimed in claim 3, wherein the dummy pattern is formed of polyimide having a dielectric constant of 3 to 4 to prevent damage to the device due to static electricity generated when the mask is seated or removed when the primary and secondary protective films are formed And an antistatic layer are formed on the surface of the flexible organic light emitting diode.

The flexible organic light emitting diode display according to claim 4, wherein the antistatic layer is formed in a line or a dot shape to reduce a contact area with the mask.

5. The flexible organic light emitting diode display of claim 4, wherein the antistatic layer is formed on the TFT substrate of the pad region to avoid exposed integrated circuit chips or pad electrodes.

The flexible organic light emitting diode display according to claim 5, wherein one line of the line-shaped antistatic layer is formed to have a thickness of 50 nm to 50 탆 and a width of 50 nm to 50 탆.

The flexible organic light emitting diode display according to claim 7, wherein the line spacing of the line-shaped antistatic layer is 50 nm to 50 탆.

The flexible organic light-emitting diode display according to claim 5, wherein the dot-shaped antistatic layer has a width and a length of 50 nm to 50 탆.

The flexible organic light-emitting diode display according to claim 9, wherein the thickness of the dot-shaped antistatic layer and the interval between the dots is 50 nm to 50 탆.

The semiconductor device according to claim 3, wherein the dummy pattern is formed in at least one row in front of the integrated circuit chip or pad electrodes formed on the TFT substrate of the pad region and configured to prevent the diffusion of the primary and secondary protective films And the organic light emitting diode display device.

12. The flexible organic light emitting diode display according to claim 11, wherein the diffusion barrier layer is formed to have a width of 10 mu m to 100 mu m in front of 10 mu m to 300 mu m from the exposed integrated circuit chip or pad electrodes.

13. The flexible organic light emitting diode display according to claim 12, wherein the diffusion preventing layer is formed to have a thickness of 2 占 퐉 or more.

Providing a TFT substrate divided into a display area and a pad area;
Forming a dummy pattern on the TFT substrate of the pad region;
Forming a first protective film on the TFT substrate of the display area;
Forming an organic film on the first protective film; And
Forming a second protective film on the organic film,
Wherein the dummy pattern is formed of an insulating material constituting the partition or the spacer when the partition or the spacer is formed in the display region.

15. The method of claim 14, wherein the dummy pattern is formed of polyimide having a dielectric constant of 3 to 4 to prevent damage to the device due to static electricity generated when the mask is seated or removed when the primary and secondary protective films are formed. Wherein the antistatic layer is made of an antistatic layer.

16. The manufacturing method of a flexible organic light emitting diode display according to claim 15, wherein the antistatic layer is formed in a line or dot shape to reduce a contact area with the mask.

16. The method of claim 15, wherein the antistatic layer is formed on the TFT substrate of the pad region to avoid the exposed integrated circuit chip or pad electrode.

15. The method of claim 14, wherein the dummy pattern is formed in at least one row in front of the integrated circuit chip or pad electrodes formed on the TFT substrate of the pad region to form a diffusion preventing layer for preventing diffusion of the primary and secondary protective films Wherein the flexible organic light emitting diode display device is a flexible organic light emitting diode display device.

19. The flexible organic light emitting diode display according to claim 18, wherein the diffusion preventing layer is formed to have a width of 10 mu m to 100 mu m in front of the exposed integrated circuit chip or pad electrodes by 10 mu m to 300 mu m. Gt;

The manufacturing method of a flexible organic light emitting diode display device according to claim 19, wherein the diffusion preventing layer has a thickness of 2 탆 or more.