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KR20150083248A - Package for light emitting device - Google Patents

Package for light emitting device Download PDF

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KR20150083248A
KR20150083248A KR1020140002796A KR20140002796A KR20150083248A KR 20150083248 A KR20150083248 A KR 20150083248A KR 1020140002796 A KR1020140002796 A KR 1020140002796A KR 20140002796 A KR20140002796 A KR 20140002796A KR 20150083248 A KR20150083248 A KR 20150083248A
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KR
South Korea
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light emitting
lens
emitting element
light
emitting device
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Ceased
Application number
KR1020140002796A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
사다오 타카노
Original Assignee
엘지이노텍 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘지이노텍 주식회사 filed Critical 엘지이노텍 주식회사
Priority to KR1020140002796A priority Critical patent/KR20150083248A/en
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Abstract

실시 형태에 따른 발광 소자 패키지는, 기판; 상기 기판 상에 배치된 제1 발광 소자와 제2 발광 소자; 상기 제1 발광 소자를 제어하는 제1 점등 회로; 상기 제2 발광 소자를 제어하는 제2 점등 회로; 및 상기 제1 및 제2 발광 소자 상에 배치된 렌즈;를 포함하고, 상기 제1 점등 회로와 상기 제2 점등 회로는 서로 독립하여 동작하고, 상기 렌즈는 상기 제1 발광 소자 상에 배치된 제1 렌즈와 상기 제2 발광 소자 상에 배치된 제2 렌즈를 포함하고, 상기 제1 렌즈와 상기 제2 렌즈의 곡률 반지름은 서로 다르다.A light emitting device package according to an embodiment includes: a substrate; A first light emitting device and a second light emitting device disposed on the substrate; A first lighting circuit for controlling the first light emitting element; A second lighting circuit for controlling the second light emitting element; And a lens disposed on the first and second light emitting elements, wherein the first turn-on circuit and the second turn-on circuit operate independently of each other, and the lens is disposed on the first and second light emitting elements, 1 lens and a second lens disposed on the second light emitting element, wherein the radius of curvature of the first lens and the radius of curvature of the second lens are different from each other.

Description

발광 소자 패키지{PACKAGE FOR LIGHT EMITTING DEVICE}[0001] PACKAGE FOR LIGHT EMITTING DEVICE [0002]

실시 형태는 발광 소자 패키지에 관한 것으로, 보다 상세하게는 점등 회로의 제어에 의해 조사되는 빔의 각도 변경 및 조정이 가능한 발광 소자 패키지에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to a light emitting device package, and more particularly to a light emitting device package capable of changing and adjusting the angle of a beam irradiated by control of a lighting circuit.

발광 다이오드(LED)는 전기 에너지를 빛으로 변환하는 반도체 소자의 일종이다. 발광 다이오드는 형광등, 백열등 등 기존의 광원에 비해 저소비전력, 반영구적인 수명, 빠른 응답속도, 안전성, 환경 친화성의 장점을 가진다. 이에 기존의 광원을 발광 다이오드로 대체하기 위한 많은 연구가 진행되고 있으며, 발광 다이오드는 실내외에서 사용되는 각종 램프, 액정표시장치, 전광판, 가로등 등의 조명 장치의 광원으로서 사용이 증가되고 있는 추세이다. 발광 다이오드는 순 방향 전압 인가 시 n층의 전자와 p층의 정공이 결합하여 전도대(Conduction band)와 가전대(Valance band)의 에너지 갭에 해당하는 만큼의 빛 에너지를 생성할 수 있다.Light emitting diodes (LEDs) are a type of semiconductor devices that convert electrical energy into light. The light emitting diode has advantages of low power consumption, semi-permanent lifetime, fast response speed, safety, and environmental friendliness compared with conventional light sources such as fluorescent lamps and incandescent lamps. Accordingly, much research has been conducted to replace an existing light source with a light emitting diode, and a light emitting diode has been increasingly used as a light source for various lamps used in indoor / outdoor, a liquid crystal display, a display board, and a streetlight. When the forward voltage is applied to the light emitting diode, the electrons of the n layer and the holes of the p layer are combined to generate light energy corresponding to the energy gap between the conduction band and the valance band.

발광 다이오드 소자의 특성을 결정하는 기준으로는 색, 휘도 및 광도 등이 있고, 이러한 발광 다이오드 소자의 특성은 1차적으로 발광 다이오드 소자에 사용되고 있는 화합물 반도체 재료에 의해 결정되지만, 2차적인 요소로는 칩을 실장하기 위한 패키지 구조에 의해서도 큰 영향을 받게 되므로, 패키지 구조 등에 많은 관심을 갖게 되었다.The criteria for determining the characteristics of the light-emitting diode device include color, brightness, and brightness, and the characteristics of the light-emitting diode device are determined primarily by the compound semiconductor material used in the light-emitting diode device. But also by the package structure for mounting the chip, so that the package structure has attracted much attention.

도 1은 렌즈를 포함하는 종래 발광 소자 패키지(10A)를 나타낸 측 단면도이고, 도 2는 몰딩부를 포함하는 종래 발광 소자 패키지(10B)를 나타낸 측 단면도이다. FIG. 1 is a side sectional view showing a conventional light emitting device package 10A including a lens, and FIG. 2 is a side sectional view showing a conventional light emitting device package 10B including a molding part.

도 1의 발광 소자 패키지(10A)는, 기판(16) 상에 발광 소자(12)가 배치되고, 기판(16) 상에는 리드 프레임(14, 15)이 형성된다. 리드 프레임(14, 15)에는 발광 소자(12)의 전극(미도시)이 와이어(13) 본딩으로 연결되어 있다. 발광 소자(12) 상에는 렌즈(11)가 구비되어 있다. 도 2의 발광 소자 패키지(10B)는 기판(16)과, 기판(16) 상에 배치되는 발광 소자(12)를 포함한다. 도 2는 기판(16)의 상부에 발광 소자(12)를 둘러싸도록 형성된 몸체(18)를 포함하며, 발광 소자(12)의 보호를 위해 몸체(18)의 중앙 홀에 형성된 몰딩부(17)를 포함한다. 몰딩부(17)의 내부에는 확산제가 포함될 수 있다. 또한, 몰딩부(17) 내부에 형광체가 더 포함될 수도 있다. 그러나 도 1 및 도 2에 개시된 발광 소자 패키지(10A, 10B)는 발광 소자(12)에서 방사된 광이 일정한 광경로를 따라 발광 소자 패키지(10A, 10B)의 외부로 방사되므로, 제품마다 정해진 배향 특성을 갖게 되고 조사 빔 각도의 변경이나 조정을 위한 기능은 발광 소자(12)에 구비되어 있지 않기 때문에 배광(light distribution)각이 협소하고 이를 변경할 수 없다는 문제점이 있다.In the light emitting device package 10A of Fig. 1, the light emitting element 12 is disposed on the substrate 16, and the lead frames 14 and 15 are formed on the substrate 16. Electrodes (not shown) of the light emitting element 12 are connected to the lead frames 14 and 15 by wire bonding. On the light emitting element 12, a lens 11 is provided. The light emitting device package 10B of Fig. 2 includes a substrate 16 and a light emitting element 12 disposed on the substrate 16. Fig. 2 shows a molding unit 17 formed in the center hole of the body 18 for protecting the light emitting device 12 and includes a body 18 formed to surround the light emitting device 12 on the substrate 16, . A diffusion agent may be contained in the molding part 17. In addition, a fluorescent material may be further included in the molding part 17. However, since the light emitted from the light emitting device 12 is radiated to the outside of the light emitting device packages 10A and 10B along a certain optical path, the light emitting device packages 10A and 10B disclosed in FIGS. 1 and 2, And the function for changing or adjusting the irradiation beam angle is not provided in the light emitting element 12, so that the light distribution angle is narrow and it can not be changed.

실시 형태는 조명 빔 각도의 전환이나 조명 영역의 제어가 가능한 발광 소자 패키지를 제공하는 것을 목적으로 한다.An embodiment of the present invention is to provide a light emitting device package capable of switching the angle of an illumination beam and controlling an illumination area.

또한, 실시 형태는 상황에 따라 조명 공간 분위기의 연출, 선택이 가능한 발광 소자 패키지를 제공하는 것을 목적으로 한다.It is also an object of the present invention to provide a light emitting device package capable of producing and selecting an atmosphere of an illumination space according to a situation.

또한, 실시 형태는 점등 회로의 전환에 의해 배광의 전환이 가능하기 때문에, 점등 스위치에 의해 간단히 조명 빔의 각도를 변경할 수 있는 발광 소자 패키지를 제공하는 것을 목적으로 한다.It is also an object of the present invention to provide a light emitting device package which can easily change the angle of an illumination beam by means of a lighting switch, since the light distribution can be switched by switching the lighting circuit.

또한, 실시 형태는 기계적인 전환이나, 렌즈의 교환없이, 조명기구의 소형화와 고성능화에 기여하는 발광 소자 패키지를 제공하는 것을 목적으로 한다.It is another object of the present invention to provide a light emitting device package that contributes to miniaturization and high performance of a lighting apparatus without mechanical switching or lens replacement.

실시 형태에 따른 발광 소자 패키지는, 기판; 상기 기판 상에 배치된 제1 발광 소자와 제2 발광 소자; 상기 제1 발광 소자를 제어하는 제1 점등 회로; 상기 제2 발광 소자를 제어하는 제2 점등 회로; 및 상기 제1 및 제2 발광 소자 상에 배치된 렌즈;를 포함하고, 상기 제1 점등 회로와 상기 제2 점등 회로는 서로 독립하여 동작하고, 상기 렌즈는 상기 제1 발광 소자 상에 배치된 제1 렌즈와 상기 제2 발광 소자 상에 배치된 제2 렌즈를 포함하고, 상기 제1 렌즈와 상기 제2 렌즈의 곡률 반지름은 서로 다르다.A light emitting device package according to an embodiment includes: a substrate; A first light emitting device and a second light emitting device disposed on the substrate; A first lighting circuit for controlling the first light emitting element; A second lighting circuit for controlling the second light emitting element; And a lens disposed on the first and second light emitting elements, wherein the first turn-on circuit and the second turn-on circuit operate independently of each other, and the lens is disposed on the first and second light emitting elements, 1 lens and a second lens disposed on the second light emitting element, wherein the radius of curvature of the first lens and the radius of curvature of the second lens are different from each other.

실시 형태에 따른 발광 소자 패키지는 점등 회로를 제어하여 빔 각도의 전환이나 조명 영역의 제어가 가능하다.The light emitting device package according to the embodiment can control the lighting angle by switching the beam angle by controlling the lighting circuit.

또한, 실시 형태에 따른 발광 소자 패키지는 상황에 따라 조명 공간 분위기의 연출, 선택이 가능하다.Further, the light emitting device package according to the embodiment can produce and select an illumination space atmosphere depending on the situation.

또한, 실시 형태에 따른 발광 소자 패키지는 점등 스위치에 의해 간단히 조명 빔의 각도를 변경할 수 있다.Further, in the light emitting device package according to the embodiment, the angle of the illumination beam can be simply changed by the lighting switch.

또한, 실시 형태에 따른 발광 소자 패키지는 조명기구의 소형화와 고성능화가 가능하다.Further, the light emitting device package according to the embodiment is capable of downsizing and high-performance lighting apparatus.

도 1은 렌즈를 포함하는 종래 발광 소자 패키지를 나타낸 측 단면도이다.
도 2는 몰딩부를 포함하는 종래 발광 소자 패키지를 나타낸 측 단면도이다.
도 3은 실시 형태에 따른 발광 소자 패키지의 지향각 분포를 나타낸 도면이다.
도 4a는 제1 동작 모드에서의 제1 실시 형태에 따른 발광 소자 패키지를 나타낸 측 단면도이고, 도 4b는 제1 동작 모드에서의 복수의 발광 소자를 나타내는 사시도이다.
도 5a는 제2 동작 모드에서의 제1 실시 형태에 따른 발광 소자 패키지를 나타낸 측 단면도이고, 도 5b는 제2 동작 모드에서의 복수의 발광 소자를 나타내는 사시도이다.
도 6은 제2 실시 형태에 따른 발광 소자 패키지의 렌즈를 나타낸 측 단면도이다.
도 7은 제3 실시 형태에 따른 발광 소자 패키지의 렌즈를 나타낸 측 단면도이다.
도 8은 제3 실시 형태에 따른 발광 소자 패키지의 복수의 발광 소자의 배치를 나타낸 상면도이다.
도 9는 제1 및 제2 동작 모드에서의 제3 실시 형태에 따른 발광 소자 패키지의 배광 시뮬레이션 결과이다.
1 is a side sectional view showing a conventional light emitting device package including a lens.
2 is a side sectional view showing a conventional light emitting device package including a molding part.
Fig. 3 is a view showing the distribution of the orientation angles of the light emitting device package according to the embodiment.
FIG. 4A is a side sectional view showing the light emitting device package according to the first embodiment in the first operation mode, and FIG. 4B is a perspective view showing a plurality of light emitting elements in the first operation mode.
FIG. 5A is a side sectional view showing a light emitting device package according to the first embodiment in the second operation mode, and FIG. 5B is a perspective view showing a plurality of light emitting elements in the second operation mode.
6 is a side sectional view showing a lens of the light emitting device package according to the second embodiment.
7 is a side sectional view showing a lens of the light emitting device package according to the third embodiment.
8 is a top view showing the arrangement of a plurality of light emitting elements of the light emitting device package according to the third embodiment.
9 is a result of light distribution simulation of the light emitting device package according to the third embodiment in the first and second operation modes.

이하 상기의 목적을 구체적으로 실현할 수 있는 본 발명의 실시 형태를 첨부한 도면을 참조하여 설명한다.BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Hereinafter, embodiments of the present invention which can specifically realize the above object will be described with reference to the accompanying drawings.

실시 형태들의 설명에 있어서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 "위(on)"에 또는 "아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "위(on)"와 "아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 층을 개재하여(indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 층의 위 또는 아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다.In the description of the embodiments, it is to be understood that each layer (film), region, pattern or structure is formed "on" or "under" a substrate, each layer The terms " on "and " under " encompass both being formed" directly "or" indirectly " In addition, the criteria for above or below each layer will be described with reference to the drawings.

도면에서 각층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장되거나 생략되거나 또는 개략적으로 도시되었다. 또한 각 구성요소의 크기는 실제크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다.The thickness and size of each layer in the drawings are exaggerated, omitted, or schematically shown for convenience and clarity of explanation. Also, the size of each component does not entirely reflect the actual size.

도 4a는 제1 동작 모드에서의 제1 실시 형태에 따른 발광 소자 패키지(100)를 나타낸 측 단면도이고, 도 4b는 제1 동작 모드에서의 복수의 발광 소자를 나타내는 사시도이다.FIG. 4A is a side sectional view showing the light emitting device package 100 according to the first embodiment in the first operation mode, and FIG. 4B is a perspective view showing a plurality of light emitting elements in the first operation mode.

도 5a는 제2 동작 모드에서의 제1 실시 형태에 따른 발광 소자 패키지(100)를 나타낸 측 단면도이고, 도 5b는 제2 동작 모드에서의 복수의 발광 소자를 나타내는 사시도이다.FIG. 5A is a side sectional view showing a light emitting device package 100 according to the first embodiment in the second operation mode, and FIG. 5B is a perspective view showing a plurality of light emitting elements in the second operation mode.

도 4a 및 도 5a에 도시된 바와 같이, 제1 실시 형태에 따른 발광 소자 패키지(100)는 기판(160), 발광 소자(120) 및 렌즈(110)를 포함할 수 있다. 4A and FIG. 5A, the light emitting device package 100 according to the first embodiment may include a substrate 160, a light emitting device 120, and a lens 110.

기판(160)의 재질은 절연성 또는 전도성 재질로 형성될 수 있으며, 단층 또는 다층 구조를 포함할 수 있다. 기판(160)의 재질은 예를 들면 폴리프탈아미드(PPA:Polyphthalamide)와 같은 수지 재질, 실리콘(Si), 알루미늄(Al), 알루미늄 나이트라이드(AlN), AlOx, 액정폴리머(PSG, photo sensitive glass), 폴리아미드9T(PA9T), 신지오택틱폴리스티렌(SPS), 금속 재질, 사파이어(Al2O3), 베릴륨 옥사이드(BeO), 인쇄회로기판(PCB, Printed Circuit Board) 중 적어도 하나로 형성될 수 있다. 기판(160)은 사출 성형, 에칭 공정 등에 의해 형성될 수 있으나 이에 대해 한정하지는 않는다. The material of the substrate 160 may be formed of an insulating or conductive material, and may include a single layer or a multi-layer structure. The substrate 160 may be made of a resin material such as polyphthalamide (PPA), silicon (Al), aluminum nitride (AlN), AlOx, photo sensitive glass ), Polyamide 9T (PA9T), syndiotactic polystyrene (SPS), metal material, sapphire (Al2O3), beryllium oxide (BeO), and printed circuit board (PCB). The substrate 160 may be formed by injection molding, etching, or the like, but is not limited thereto.

기판(160) 상에는 전극(미도시)이 배치되어 복수의 발광 소자(120)의 제1 전극 및 제2 전극인 양극 단자 및 음극 단자에 전기적으로 연결되어 복수의 발광 소자(120)에 전원을 제공할 수 있다. 전극은 인쇄 기법을 통하거나, 접착제를 이용하여 형성될 수 있다. 전극은 전도성이 우수한 금속 물질, 예를 들어 구리 또는 알루미늄을 포함할 수 있으며, 양극 단자에 접속되는 전극 및 음극 단자에 접속되는 전극은 상호 절연될 수 있다. 또한, 도시되지는 않았으나 복수의 발광 소자(120)에는 각각 와이어가 연결될 수 있다. 복수의 발광 소자(120)는 와이어를 통하여 각각 제1 전극 또는 제2 전극과 연결될 수 있다. 또한 복수의 발광소자(120)은 와이어를 이용하지 않고 전극과 전기적으로 연결될 수도 있으며 이에 한정하지 않는다.An electrode (not shown) is disposed on the substrate 160 to be electrically connected to the positive and negative terminals of the plurality of light emitting devices 120 to supply power to the plurality of light emitting devices 120 can do. The electrode may be formed by a printing technique or by using an adhesive. The electrode may include a metal material having excellent conductivity, for example, copper or aluminum, and the electrode connected to the positive electrode terminal and the electrode connected to the negative electrode terminal may be mutually insulated. Although not shown, wires may be connected to the plurality of light emitting devices 120, respectively. The plurality of light emitting devices 120 may be connected to the first electrode or the second electrode through wires, respectively. The plurality of light emitting devices 120 may be electrically connected to the electrodes without using wires, but the present invention is not limited thereto.

기판(160) 상에는 발광 소자(120)가 복수 배치될 수 있다. 발광 소자(120)는 제1 도전형 반도체층, 활성층 및 제2 도전형 반도체층을 포함하는 발광 구조물을 구비할 수 있다. 예를 들어, 발광 구조물은 제1 도전형 반도체층과 제2 도전형 반도체층 사이에 활성층이 배치된 형태로 구비될 수 있다. A plurality of light emitting devices 120 may be disposed on the substrate 160. The light emitting device 120 may include a light emitting structure including a first conductive semiconductor layer, an active layer, and a second conductive semiconductor layer. For example, the light emitting structure may include an active layer disposed between the first conductive semiconductor layer and the second conductive semiconductor layer.

제1 도전형 반도체층은 n형 반도체층을 포함할 수 있고 GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP 등에서 선택될 수 있으며 Si, Ge, Sn, Se, Te 등의 n형 도펀트가 도핑될 수 있다. The first conductive semiconductor layer may include an n-type semiconductor layer and may be selected from among GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP, An n-type dopant such as Se or Te can be doped.

활성층은 상기 제1 도전형 반도체층을 통해서 주입되는 전자(또는 정공)와 제2 도전형 반도체층을 통해서 주입되는 정공(또는 전자)이 서로 만나서, 활성층의 형성 물질에 따른 에너지 밴드(Energy Band)의 밴드갭(Band Gap) 차이에 의해서 빛을 방출하는 층이다. 활성층은 단일 우물 구조, 다중 우물 구조, 양자점 구조 또는 양자선 구조 중 어느 하나로 형성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. In the active layer, electrons (or holes) injected through the first conductive type semiconductor layer and holes (or electrons) injected through the second conductive type semiconductor layer meet with each other to form an energy band corresponding to the formation material of the active layer, Is a layer which emits light due to a difference in band gap of the light emitting layer. The active layer may be formed of any one of a single well structure, a multi-well structure, a quantum dot structure, or a quantum wire structure, but is not limited thereto.

제2 도전형 반도체층은 p형 반도체층으로 구현될 수 있고 GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP 등에서 선택될 수 있으며 Mg, Zn, Ca, Sr, Ba 등의 p형 도펀트가 도핑될 수 있다. The second conductivity type semiconductor layer may be a p-type semiconductor layer and may be selected from GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP, A p-type dopant such as Sr, Ba or the like may be doped.

한편 제1 도전형 반도체층이 n형 반도체층을 포함하고 제2 도전형 반도체층이 p형 반도체층을 포함할 수도있다. 또한 제2 도전형 반도체층 아래에는 n형 또는 p형 반도체층을 포함하는 반도체층이 더 형성될 수 있다. 이에 따라, 발광 구조물은 n-p 접합 구조, p-n 접합 구조, n-p-n 접합 구조, 및 p-n-p 접합 구조 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 발광 소자(120)은 가시광선 대역부터 자외선 대역의 범위 중에서 선택적으로 발광할 수 있고, 반도체 재질 고유의 색을 갖는 빛을 방출할 수 있다. Meanwhile, the first conductivity type semiconductor layer may include an n-type semiconductor layer and the second conductivity type semiconductor layer may include a p-type semiconductor layer. Further, a semiconductor layer including an n-type or p-type semiconductor layer may be further formed under the second conductive type semiconductor layer. Accordingly, the light emitting structure may include at least one of an n-p junction structure, a p-n junction structure, an n-p-n junction structure, and a p-n-p junction structure. The light emitting device 120 can selectively emit light in the range of visible light band to ultraviolet light band, and can emit light having a unique color of the semiconductor material.

복수의 발광 소자(120) 상에는 파장 변환층(미도시)이 배치될 수 있다. 파장 변환층은 예를 들어 복수의 발광 소자(120)에서 방출되는 제1 파장의 광보다 장 파장인 제2 파장의 광으로 변환하여 발광하게 할 수 있다. 파장 변환층은 청색 형광체, 적색 형광체, 녹색 형광체, 황색 형광체 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 청색 형광체는 Sr2MgSi2O7:Eu2 +의 물질, BaMgAl10O17:Eu(Mn), Sr5Ba3MgSi2O8:Eu2 +, Sr2P2O7:Eu2+, SrSiAl2O3N2:Eu2 +, (Ba1 - xSrx)SiO4:Eu2 +, (Sr,Ca,Ba,Mg)10(PO4)6Cl2:Eu2 +, CaMgSi2O6:Eu2+중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 적색 형광체는 La2O2S:Eu3 +, Y2O2S:Eu3+, Y2O3:Eu3 +(Bi3 +), CaS:Eu2 +, K5(WO4)6.25:Eu3 +2.5, LiLa2O2BO3:Eu3 +중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 녹색 형광체는 ZnS:Cu+(Al3 +), SrGa2S4:Eu2 +, CaMgSi2O7:Eu2 +, Ca8Mg(SiO4)Cl2:Eu2+(Mn2+), (Ba, Sr)2SiO4:Eu2 + 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 황색 형광체는 Y3Al5O12:Ce3 +, Sr2SiO4:Eu2 +중 적어도 하나를 포함할 수 있다.A wavelength conversion layer (not shown) may be disposed on the plurality of light emitting devices 120. The wavelength conversion layer may convert light into a light having a second wavelength that is longer than the light having the first wavelength emitted from the plurality of light emitting devices 120, for example, to emit light. The wavelength conversion layer may include at least one of a blue phosphor, a red phosphor, a green phosphor, and a yellow phosphor. Blue phosphor Sr 2 MgSi 2 O 7: material of Eu 2 +, BaMgAl 10 O 17 : Eu (Mn), Sr 5 Ba 3 MgSi 2 O 8: Eu 2 +, Sr 2 P 2 O 7: Eu 2+, SrSiAl 2 O 3 N 2: Eu 2 +, (Ba 1 - x Sr x) SiO 4: Eu 2 +, (Sr, Ca, Ba, Mg) 10 (PO 4) 6 Cl 2: Eu 2 +, CaMgSi 2 O 6 : Eu 2+ . Red phosphor La 2 O 2 S: Eu 3 +, Y 2 O 2 S: Eu 3+, Y 2 O 3: Eu 3 + (Bi 3 +), CaS: Eu 2 +, K 5 (WO 4) 6.25 : Eu 3 + 2.5, and LiLa 2 O 2 BO 3 : Eu 3 + . Green phosphor ZnS: Cu + (Al 3 + ), SrGa 2 S 4: Eu 2 +, CaMgSi 2 O 7: Eu 2 +, Ca 8 Mg (SiO 4) Cl 2: Eu 2+ (Mn 2+), ( Ba, Sr) 2 SiO 4: may include at least one of Eu 2 +. The yellow phosphor may include at least one of Y 3 Al 5 O 12 : Ce 3 + , and Sr 2 SiO 4 : Eu 2 + .

복수의 발광 소자(120)는 내측 발광 소자(122) 및 외측 발광 소자(121)를 포함할 수 있으며 각각 전기적으로 연결될 수 있다. The plurality of light emitting devices 120 may include an inner light emitting device 122 and an outer light emitting device 121, and may be electrically connected to each other.

제1 실시 형태에 따른 발광 소자 패키지에서는 내측 발광 소자(122)와 외측 발광 소자(121)가 복수이지만, 내측 발광 소자(122)와 외측 발광 소자(121)는 각각 단일의 발광 소자일 수 있다. In the light emitting device package according to the first embodiment, the inner light emitting element 122 and the outer light emitting element 121 may be a single light emitting element, while the inner light emitting element 122 and the outer light emitting element 121 are plural.

외측 발광 소자(121)는 내측 발광 소자(122)를 둘러싸도록 배치되는데, 내측 및 외측의 경계는 사용자의 편의와 사용 용도에 따라 변경될 수 있다. The outer light emitting element 121 is disposed so as to surround the inner light emitting element 122, and the inner and outer boundaries may be changed according to the convenience of the user and the intended use.

내측 발광 소자(122) 및 외측 발광 소자(121)는 동일한 파장의 광을 발광할 수 있고, 다른 파장의 광을 발광할 수도 있다. 내측 발광 소자(122)가 복수로 배치되는 경우, 각각 동일하거나 다른 파장의 광을 발광할 수 있으며, 이는 외측 발광 소자(121)의 경우에도 동일하게 적용될 수 있다. The inner light emitting element 122 and the outer light emitting element 121 can emit light of the same wavelength and emit light of other wavelengths. When a plurality of inner light emitting devices 122 are arranged, light of the same or different wavelengths may be emitted, and the same may be applied to the case of the outer light emitting device 121.

내측 발광 소자(122) 및 외측 발광 소자(121)는 각각 서로 다른 점등 회로와 연결된다. 즉, 내측 발광 소자(122)는 제1 점등 회로와 연결되고, 외측 발광 소자(121)는 제2 점등 회로는 연결되어 서로 독립적으로 동작될 수 있다. 따라서 내측 발광 소자(122)와 외측 발광 소자(121) 중 어느 하나가 점등된 경우, 다른 하나는 소등될 수 있다. 즉, 상호 배타적으로 동작할 수 있다. 구체적으로, 내측 발광 소자(122)가 점등된 경우, 외측 발광 소자(121)는 소등될 수 있다. 또는 내측 발광 소자(122)가 소등된 경우, 외측 발광 소자(121)는 점등될 수 있다. 또는 내측 발광 소자(122) 및 외측 발광 소자(121)가 동시에 점등되거나 소등될 수도 있다.The inner light emitting element 122 and the outer light emitting element 121 are connected to different lighting circuits respectively. That is, the inner light emitting element 122 may be connected to the first lighting circuit, and the outer light emitting element 121 may be connected to the second lighting circuit and operated independently of each other. Therefore, when one of the inner light emitting element 122 and the outer light emitting element 121 is turned on, the other one may be turned off. That is, they can operate mutually exclusive. Specifically, when the inner light emitting element 122 is turned on, the outer light emitting element 121 can be turned off. Or when the inner light emitting element 122 is turned off, the outer light emitting element 121 may be turned on. Or the inner light emitting element 122 and the outer light emitting element 121 may be turned on or off at the same time.

점등 회로의 부가적인 구성에 의해, 복수의 내측 발광 소자(122) 내에서도 일부 발광 소자의 점등 및 소등을 분리하여 제어하는 점등 회로가 연결될 수 있으며 이는 외측 발광 소자(121)의 경우에도 동일하게 적용될 수 있다. 예를 들어, 도 4b에 도시된 바와 같이, 복수의 내측 발광 소자(122)는 정방형으로 16개가 배치되는데, 내부의 4개 발광 소자와 이를 둘러싸도록 배치되는 12개의 발광 소자가 독립적으로 동작할 수 있다. 또는 세로 중심축을 기준으로 우측에 배치되는 8개의 발광 소자와 좌측에 배치되는 8개의 발광 소자가 독립적으로 동작할 수 있다. 이는 하나의 예시이고, 발광 소자의 배치 및 회로의 구성에 의해 독립적으로 동작하는 발광 소자를 더 세분할 수도 있다.A lighting circuit for separately controlling lighting and lighting of some light emitting elements can be connected even in a plurality of inner light emitting elements 122 by the additional configuration of the lighting circuit, have. For example, as shown in FIG. 4B, a plurality of inner light emitting devices 122 are arranged in a square manner, and four inner light emitting devices and twelve light emitting devices arranged to surround the four inner light emitting devices 122 can operate independently have. Or eight light emitting elements disposed on the right side with respect to the longitudinal center axis and eight light emitting elements disposed on the left side can operate independently. This is an example, and the light emitting element that operates independently by the arrangement of the light emitting elements and the configuration of the circuit may be further subdivided.

복수의 발광 소자(120) 상에는 발광 소자(120)로부터 방출되는 광을 소정의 각도로 배광하기 위한 렌즈(110)가 배치될 수 있다. A lens 110 for distributing light emitted from the light emitting device 120 at a predetermined angle may be disposed on the plurality of light emitting devices 120.

렌즈(110)는 투광성 수지 재질 예컨대, 에폭시 또는 실리콘을 포함하거나, 유리 재질로 형성될 수 있다.The lens 110 may include a transparent resin material such as epoxy or silicon, or may be formed of a glass material.

렌즈(110)의 상면(또는 광 출사면)은 볼록하게 또는 오목하게 형성될 수 있다. 이와 같이 렌즈(110)의 상면을 볼록하게 또는 오목하게 형성하면, 발광 소자(120)에서 발생되는 광이 렌즈(110)를 지나는 동안 소정의 각도로 굴절시켜 사용자가 원하는 적어도 둘 이상의 복수의 배광 범위를 구현할 수 있다.The upper surface (or light emitting surface) of the lens 110 may be formed convexly or concavely. When the upper surface of the lens 110 is convex or concave, the light generated by the light emitting device 120 is refracted at a predetermined angle while passing through the lens 110, Can be implemented.

렌즈(110)는 내측 발광 소자(122)에 대응하는 내측 렌즈(112)와 외측 발광 소자(121)에 대응하는 외측 렌즈(111)를 포함할 수 있다. The lens 110 may include an inner lens 112 corresponding to the inner light emitting element 122 and an outer lens 111 corresponding to the outer light emitting element 121. [

내측 렌즈(112)와 외측 렌즈(111)는 서로 상이한 형상을 가질 수 있다. 이를 통해 다양한 배광각의 조절이 가능할 수 있다. 예를 들어, 내측 렌즈(112)의 상면(또는 광 출사면)의 곡률 반지름과 외측 렌즈(111)의 상면(또는 광 출사면)의 곡률 반지름을 서로 다르게 형성하여 다양한 배광각의 조절을 할 수 있다.The inner lens 112 and the outer lens 111 may have different shapes from each other. This allows various adjustment of the beam angle. For example, the curvature radius of the upper surface (or the light exit surface) of the inner lens 112 and the curvature radius of the upper surface (or the light exit surface) of the outer lens 111 may be different from each other, have.

내측 렌즈(112)와 외측 렌즈(111)의 저면(또는 광 입사면)은 평평할 수 있다. 내측 렌즈(112)의 저면은 외측 렌즈(111)의 저면과 동일 평면 상에 배치될 수 있다.The bottom surface (or light incidence surface) of the inner lens 112 and the outer lens 111 may be flat. The bottom surface of the inner lens 112 may be disposed on the same plane as the bottom surface of the outer lens 111. [

내측 렌즈(112)는 내측 발광 소자(122) 상에 배치되고, 외측 렌즈(111)는 외측 발광 소자(121) 상에 배치될 수 있다.The inner lens 112 may be disposed on the inner light emitting element 122 and the outer lens 111 may be disposed on the outer light emitting element 121. [

외측 렌즈(111)는 내측 렌즈(112)를 둘러싸도록 배치될 수 있다. 예를 들어, 외측 렌즈(111)는 내측 렌즈(112)의 측부를 둘러싸도록 배치될 수 있다.The outer lens 111 may be disposed so as to surround the inner lens 112. For example, the outer lens 111 may be arranged to surround the side of the inner lens 112.

외측 렌즈(111)는 내측 렌즈(112)의 측부에서 바깥쪽으로 연장된 것일 수 있다. 따라서, 렌즈(110)의 상면(또는 광 입사면)에서, 내측 렌즈(112)와 외측 렌즈(111)가 서로 연결되는 접점은 렌즈(110)의 저면과 접하지 않고, 렌즈(110)의 저면 상에 배치 또는 렌즈(110)의 저면으로부터 소정 간격 이격될 수 있다.The outer lens 111 may extend outward from the side of the inner lens 112. The contact point where the inner lens 112 and the outer lens 111 are connected to each other on the upper surface (or the light incident surface) of the lens 110 does not contact the bottom surface of the lens 110, Or may be spaced apart from the bottom surface of the lens 110 by a predetermined distance.

내측 렌즈(112)의 두께가 외측 렌즈(111)의 두께보다 두꺼울 수 있다. 여기서, 내측 렌즈(112)와 외측 렌즈(111)의 두께는 렌즈(110)의 저면으로부터의 높이일 수 있다. 또한 내측 렌즈(112)와 외측 렌즈(111)의 두께는 서로 같거나 외측 렌즈(111)의 두께가 내측 렌즈(111)의 두께보다 두꺼울 수 있으며 이를 통해 다양한 배광각 조절을 할 수 있다.The thickness of the inner lens 112 may be thicker than the thickness of the outer lens 111. [ Here, the thickness of the inner lens 112 and the outer lens 111 may be a height from the bottom of the lens 110. The thickness of the inner lens 112 and the outer lens 111 may be equal to each other or the thickness of the outer lens 111 may be thicker than the thickness of the inner lens 111,

이하, 도 4a 및 도 5a를 참고하여 각 동작모드에서의 배광을 살펴보기로 한다. 도 4a에 도시된 바와 같이, 제1 동작모드에서는 내측 발광 소자(122)가 점등되고, 외측 발광 소자(121)가 소등된다. 이에 따라 내측 발광 소자(122)만 점등되어 내측 발광 소자(122)로부터의 광이 내측 렌즈(112)의 저면(또는 광 입사면)으로 입사된다.Hereinafter, the light distribution in each operation mode will be described with reference to FIGS. 4A and 5A. As shown in Fig. 4A, in the first operation mode, the inner light emitting element 122 is turned on and the outer light emitting element 121 is turned off. Accordingly, only the inner light emitting element 122 is turned on, and the light from the inner light emitting element 122 is incident on the bottom face (or the light incident face) of the inner lens 112.

도 5a에 도시된 바와 같이, 제2 동작모드에서는 내측 발광 소자(122)가 소등되고, 외측 발광 소자(121)가 점등된다. 이에 따라 외측 발광 소자(121)만 점등되어 외측 발광 소자(121)로부터의 광이 외측 렌즈(111)의 저면으로 입사된다.As shown in Fig. 5A, in the second operation mode, the inner light emitting element 122 is turned off and the outer light emitting element 121 is turned on. Accordingly, only the outer light emitting element 121 is turned on, and the light from the outer light emitting element 121 is incident on the bottom surface of the outer lens 111.

도 4a와 도 5a에 도시된 렌즈(110)의 내측 렌즈(112)와 외측 렌즈(111)의 곡률 반지름이 서로 상이하므로, 제1 및 제2 동작 모드 각각에서 방출되는 광의 배광 범위는 서로 상이하다. Since the curvature radii of the inner lens 112 and the outer lens 111 of the lens 110 shown in Figs. 4A and 5A are different from each other, the light distribution ranges of light emitted in the first and second operation modes are different from each other .

따라서, 제1 실시 형태에 따른 발광 소자 패키지는 내측 발광 소자 및 외측 발광 소자의 점등을 개별적으로 제어하는 점등 회로에 의해 서로 다른 배광 각도의 전환이 가능하고, 상황에 따라서 주변 분위기의 연출 및 선택이 가능한 이점이 있다.Therefore, in the light emitting device package according to the first embodiment, different light distribution angles can be switched by a lighting circuit for individually controlling the lighting of the inner light emitting element and the outer light emitting element, There is a possible advantage.

한편, 도 4a 내지 도 5a에 도시된 렌즈(110)에 있어서, 제1 동작모드의 경우 내측 발광 소자(122)에서 방출된 광 중 일부가 내측 렌즈(112)가 아닌 외측 렌즈(111)로 입사될 수 있고, 제2 동작모드의 경우 외측 발광 소자(121)에서 방출된 광 중 일부가 외측 렌즈(111)가 아닌 내측 렌즈(112)로 입사될 수 있다. 이러한 경우 도 4a 및 도 5a에 도시된 렌즈(110)는 설계자가 원하는 서로 다른 배광 각도를 정확히 구현할 수 없는 문제가 있다. 따라서, 이러한 문제를 해결할 수 있는 다른 렌즈를 도 6을 참조하여 구체적으로 설명하도록 한다.On the other hand, in the lens 110 shown in Figs. 4A to 5A, in the first operation mode, a part of light emitted from the inner light emitting element 122 is incident on the outer lens 111, not the inner lens 112, And in the second mode of operation, some of the light emitted from the outer light emitting element 121 may be incident on the inner lens 112, rather than the outer lens 111. In this case, there is a problem that the lens 110 shown in FIGS. 4A and 5A can not accurately implement different light distribution angles desired by the designer. Therefore, another lens capable of solving such a problem will be described in detail with reference to Fig.

도 6은 제2 실시 형태에 따른 발광 소자 패키지의 렌즈를 나타낸 측 단면도이다.6 is a side sectional view showing a lens of the light emitting device package according to the second embodiment.

도 6을 참조하면, 제2 실시 형태에 따른 발광 소자 패키지의 렌즈(110’)는 내측 발광 소자(122)에 대응하는 외측 렌즈(111’)과 외측 발광 소자(121)에 대응하는 내측 렌즈(112’)를 포함할 수 있다.6, the lens 110 'of the light emitting device package according to the second embodiment includes an outer lens 111' corresponding to the inner light emitting element 122 and an inner lens 111 'corresponding to the outer light emitting element 121 112 ').

내측 렌즈(112’)는 내측 발광 소자(122) 상에 배치되고, 외측 렌즈(111’)는 외측 발광 소자(121) 상에 배치된다. The inner lens 112 'is disposed on the inner light emitting element 122 and the outer lens 111' is disposed on the outer light emitting element 121.

외측 렌즈(111’)는 내측 렌즈(112’)를 둘러싸도록 배치된다. 구체적으로, 외측 렌즈(111’)는 내측 렌즈(112’)의 측부를 둘러싸도록 배치될 수 있다.The outer lens 111 'is arranged so as to surround the inner lens 112'. Specifically, the outer lens 111 'may be arranged to surround the side of the inner lens 112'.

내측 렌즈(112’)와 외측 렌즈(111’)의 저면(또는 광 입사면)은 평평할 수 있다. 내측 렌즈(112’)의 저면(또는 광 입사면)과 외측 렌즈(111’)의 저면(또는 광 입사면)은 동일 평면 상에 배치될 수 있다.The bottom surface (or light incidence surface) of the inner lens 112 'and the outer lens 111' may be flat. The bottom surface (or light incidence surface) of the inner lens 112 'and the bottom surface (or light incidence surface) of the outer lens 111' may be arranged on the same plane.

내측 렌즈(112’)의 상면(또는 광 출사면)과 외측 렌즈(111’)의 상면(또는 광 출사면)은 곡면일 수 있다. 여기서, 내측 렌즈(112’)의 곡률 반지름은 외측 렌즈(111’)의 곡률 반지름보다 작을 수 있다. The upper surface (or light output surface) of the inner lens 112 'and the upper surface (or light output surface) of the outer lens 111' may be curved surfaces. Here, the radius of curvature of the inner lens 112 'may be smaller than the radius of curvature of the outer lens 111'.

내측 렌즈(112’)의 상면의 가장자리(또는 외주)는 내측 렌즈(112’)의 저면(또는 광 입사면)에 접할 수 있고, 외측 렌즈(111’)의 상면의 가장자리(또는 원주)는 외측 렌즈(111’)의 저면(또는 광 입사면)에 접할 수 있다.The edge (or outer circumference) of the upper surface of the inner lens 112 'can contact the bottom surface (or the light incident surface) of the inner lens 112', and the edge (Or light incidence plane) of the lens 111 '.

내측 렌즈(112’)의 최대 두께는 외측 렌즈(111’)의 최대 두께보다 두꺼울 수 있다. 여기서, 내측 렌즈(112’)와 외측 렌즈(111’)의 최대 두께는 각 렌즈의 저면(또는 광 입사면)을 기준으로 한 최대 높이일 수 있다.The maximum thickness of the inner lens 112 'may be thicker than the maximum thickness of the outer lens 111'. Here, the maximum thickness of the inner lens 112 'and the outer lens 111' may be the maximum height based on the bottom surface (or the light incidence surface) of each lens.

이러한 구조를 갖는 렌즈(110’)는 내측 렌즈(112’)와 외측 렌즈(111’)가 구조적으로 서로 분리되어 있기 때문에, 내측 발광 소자(122)에서 방출된 광이 외측 렌즈(111’)로 입사되기 어렵고, 외측 발광 소자(121)에서 방출된 광이 내측 렌즈(112’)로 입사되기 어렵다. 따라서, 도 4a 내지 도 5a에 도시된 렌즈(110)의 문제점을 해결할 수 있다.Since the lens 110 'having such a structure is structurally separated from the inner lens 112' and the outer lens 111 ', the light emitted from the inner light emitting element 122 is transmitted to the outer lens 111' And it is difficult for the light emitted from the outer light emitting element 121 to be incident on the inner lens 112 '. Therefore, the problem of the lens 110 shown in Figs. 4A to 5A can be solved.

도 7은 제3 실시 형태에 따른 발광 소자 패키지의 렌즈를 나타낸 측 단면도이다. 도 8은 제3 실시 형태에 따른 발광 소자 패키지의 복수의 발광 소자의 배치를 나타낸 상면도이다.7 is a side sectional view showing a lens of the light emitting device package according to the third embodiment. 8 is a top view showing the arrangement of a plurality of light emitting elements of the light emitting device package according to the third embodiment.

도 7 및 도 8에 도시된 바와 같이, 복수의 발광 소자는, 내측 발광 소자(122) 및 내측 발광 소자(122)를 둘러싸도록 배치된 외측 발광 소자(121)를 포함한다.  7 and 8, the plurality of light emitting elements includes an inner light emitting element 122 and an outer light emitting element 121 arranged so as to surround the inner light emitting element 122. As shown in FIG.

내측 발광 소자(122) 및 외측 발광 소자(121)의 상부에는 렌즈(110’’)가 배치될 수 있다. A lens 110 '' may be disposed on the inner light emitting element 122 and the outer light emitting element 121.

렌즈(110’’)는 내측 발광 소자(122)와 대응하는 내측 렌즈(112’’)와 외측 발광 소자(121)와 대응하는 외측 렌즈(111’’)를 포함한다.The lens 110 '' includes an inner lens 112 '' corresponding to the inner light emitting element 122 and an outer lens 111 '' corresponding to the outer light emitting element 121.

내측 렌즈(112’’)는 내측 발광 소자(122) 상에 배치되고, 외측 렌즈(111’’)는 외측 발광 소자(121) 상에 배치된다. The inner lens 112 '' is disposed on the inner light emitting element 122 and the outer lens 111 '' is disposed on the outer light emitting element 121.

외측 렌즈(111’’)는 내측 렌즈(112’’)를 둘러싸도록 배치된다. 외측 렌즈(111’’)는 내측 렌즈(112’’)의 측부에서 바깥쪽으로 연장된 것일 수 있다. The outer lens 111 '' is arranged to surround the inner lens 112 ''. The outer lens 111 '' may extend outwardly from the side of the inner lens 112 ''.

내측 렌즈(112’’)의 두께는 외측 렌즈(111’’)의 두께보다 두꺼울 수 있다. 여기서, 내측 렌즈(112’’)와 외측 렌즈(111’’)의 두께는 각 렌즈의 저면(또는 광 입사면)을 기준으로 한 높이일 수 있다.The thickness of the inner lens 112 " may be thicker than the thickness of the outer lens 111 ". Here, the thickness of the inner lens 112 '' and the outer lens 111 '' may be a height based on the bottom surface (or the light incidence surface) of each lens.

렌즈(110’’)의 상면(또는 광 출사면)에서 내측 렌즈(112’’)와 외측 렌즈(111’’)가 서로 연결되는 접점은 저면(113)과 접하지 않고, 저면(113) 상에 배치 또는 저면(113)으로부터 소정 간격 이격된다.The contact point where the inner lens 112 '' and the outer lens 111 '' are connected to each other on the upper surface (or the light output surface) of the lens 110 '' does not contact the bottom surface 113, Or spaced apart from the bottom surface 113 by a predetermined distance.

내측 렌즈(112’’)의 저면(또는 광 입사면)과 외측 렌즈(111’)의 저면(또는 광 입사면)은 동일 평면(113) 상에 배치된다.The bottom surface (or light incidence surface) of the inner lens 112 '' and the bottom surface (or light incidence surface) of the outer lens 111 'are disposed on the same plane 113.

내측 렌즈(112’’)의 상면(또는 광 출사면)의 곡률 반지름은 외측 렌즈(111’’)의 상면(또는 광 출사면)의 곡률 반지름의 절반 이하의 값을 가질 수 있다.The radius of curvature of the upper surface (or light exit surface) of the inner lens 112 '' may have a value less than half of the radius of curvature of the upper surface (or light exit surface) of the outer lens 111 ''.

내측 렌즈(112’’)의 상면(또는 광 출사면)의 곡률 반지름(R1)은 내측 렌즈(112’’)의 직경(φ1)의 절반값보다는 크고, 무한대(∞)보다는 작을 수 있다((φ1)/2≤R1<∞). R1이 내측 렌즈(112’’)의 직경(φ1)의 절반값((φ1)/2)에 가까울수록 내측 렌즈(112’’)에서 방출되는 광의 배광 범위는 좁아지고, 무한대(∞)로 갈수록 내측 렌즈(112’’)에서 방출되는 광의 배광 범위는 넓어진다. 여기서, R1이 무한대(∞)값을 갖지 않는 이유는 R1이 무한대(∞)이면, 내측 렌즈(112’’)의 상면(또는 광 출사면)은 평면이 되기 때문이다.The curvature radius R1 of the upper surface (or light exit surface) of the inner lens 112 '' is larger than half the diameter 1 of the inner lens 112 '' and may be smaller than infinity (( ? 1) / 2? R 1 <?). The closer the R1 is to the half value (? 1) / 2 of the diameter? 1 of the inner lens 112 '', the narrower the light distribution range of the light emitted from the inner lens 112 '' becomes, The light distribution range of the light emitted from the inner lens 112 '' is widened. Here, the reason that R1 does not have an infinite (infinity) value is because if the value of R1 is infinite (∞), the top surface (or light output surface) of the inner lens 112 '' becomes flat.

외측 렌즈(111’’)의 상면(또는 광 출사면)의 곡률 반지름(R2)은 외측 렌즈(111’’)의 폭(W)의 절반값보다는 크고, 무한대(∞)보다는 작을 수 있다(W/2≤R2<∞). R2이 외측 렌즈(111’’)의 폭(W)의 절반값(W/2)에 가까울수록 외측 렌즈(111’’)에서 방출되는 광의 배광 범위는 좁아지고, 무한대(∞)로 갈수록 외측 렌즈(111’’)에서 방출되는 광의 배광 범위는 넓어진다. 여기서, R2이 무한대(∞)값을 갖지 않는 이유는 R2이 무한대(∞)이면, 외측 렌즈(111’’)의 상면(또는 광 출사면)은 평면이 되기 때문이다.The curvature radius R2 of the upper surface (or light exit surface) of the outer lens 111 '' is larger than half the width W of the outer lens 111 '' and may be smaller than infinity W / 2? R 2 <?). The closer to the half value W / 2 of the width W of the outer lens 111 '', the narrower the light distribution range of the light emitted from the outer lens 111 '' becomes, The light distribution range of the light emitted from the light source 111 '' is widened. Here, the reason that R2 does not have an infinite (infinity) value is because the upper surface (or light emitting surface) of the outer lens 111 '' becomes flat when R2 is infinite.

내측 렌즈(112’’)의 최소 배광 각도는 40도(°) 이상일 수 있고, 내측 렌즈(112’’)의 최대 배광 각도는 내측 발광 소자(122)의 배광 각도일 수 있다. 여기서, 내측 렌즈(112’’)의 최대 배광 각도가 내측 발광 소자(122)의 배광 각도인 이유는, 내측 렌즈(112’’)의 상면(또는 광 출사면)이 평평(flat)하게 되면, 내측 렌즈(122’’)의 배광 각도는 내측 발광 소자(122)의 배광 각도와 동일해지기 때문이다. 예를 들어, 내측 발광 소자(122)의 배광 각도가 60(°)인 경우, 내측 렌즈(112’’)의 배광 범위는 40도(°) 이상 60(°) 이하일 수 있다.The minimum light distribution angle of the inner lens 112 '' may be greater than 40 degrees and the maximum light distribution angle of the inner lens 112 '' may be the light distribution angle of the inner light emitting element 122. The reason why the maximum light distribution angle of the inner lens 112 '' is the light distribution angle of the inner light emitting element 122 is that if the upper surface (or light output surface) of the inner lens 112 '' becomes flat, This is because the light distribution angle of the inner lens 122 &quot; becomes equal to the light distribution angle of the inner light emitting element 122. For example, when the light distribution angle of the inner light emitting element 122 is 60 (degrees), the light distribution range of the inner lens 112 '' may be 40 degrees or more and 60 degrees or less.

외측 렌즈(111’’)의 최소 배광 각도는 45(°) 이상일 수 있고, 외측 렌즈(111’’)의 최대 배광 각도는 외측 발광 소자(121)의 배광 각도일 수 있다. 여기서, 외측 렌즈(111’’)의 최대 배광 각도가 외측 발광 소자(121)의 배광 각도인 이유는, 외측 렌즈(111’’)의 상면(또는 광 출사면)이 평평(flat)하게 되면, 외측 렌즈(121’’)의 배광 각도는 외측 발광 소자(121)의 배광 각도와 동일해지기 때문이다. 예를 들어, 외측 발광 소자(121)의 배광 각도가 60(°)인 경우, 외측 렌즈(111’’)의 배광 범위는 45도(°) 이상 60(°) 이하일 수 있다.The minimum light distribution angle of the outer lens 111 '' may be 45 (°) or more and the maximum light distribution angle of the outer lens 111 '' may be the light distribution angle of the outer light emitting element 121 '. The reason why the maximum light distribution angle of the outer lens 111 '' is the light distribution angle of the outer light emitting element 121 is that when the upper surface (or the light output surface) of the outer lens 111 '' becomes flat, This is because the light distribution angle of the outer lens 121 '' is equal to the light distribution angle of the outer light emitting element 121. For example, when the light distribution angle of the outer light emitting element 121 is 60 (degrees), the light distribution range of the outer lens 111 '' may be 45 degrees or more and 60 degrees or less.

렌즈(110’’)의 구체적인 일 수치로서, 내측 렌즈(112’’)의 반지름(R1)은 2.5mm일 수 있고, 외측 렌즈(111’’)의 반지름(R2)은 6.5mm일 수 있다. 이 경우, 복수의 발광 소자(120)로부터의 광이 입사하는 렌즈(110’’)의 저면(113)에서부터 내측 렌즈(112’’) 및 외측 렌즈(111’’)의 곡률이 변하는 경계점 사이의 높이(t) 또는 외측 렌즈(111’’)의 두께(t)는 0.5mm의 값을 가질 수 있다. 또한, 이 경우 렌즈(110’’)의 저면(113)의 전체 직경(φ2)은 10mm일 수 있고, 내측 렌즈(112’’)의 직경(φ1)은 5mm일 수 있다. 그리고 내측 렌즈(112’’) 및 외측 렌즈(111’’)의 굴절률은 1.5의 값을 가질 수 있다. As a specific numerical value of the lens 110 '', the radius R1 of the inner lens 112 '' may be 2.5 mm and the radius R2 of the outer lens 111 '' may be 6.5 mm. In this case, between the boundary surfaces where the curvatures of the inner lens 112 '' and the outer lens 111 '' change from the bottom surface 113 of the lens 110 '' where the light from the plurality of light emitting devices 120 enters, The height t or the thickness t of the outer lens 111 &quot; may have a value of 0.5 mm. In this case, the total diameter 2 of the bottom surface 113 of the lens 110 &quot; may be 10 mm, and the diameter 1 of the inner lens 112 &quot; may be 5 mm. The refractive indices of the inner lens 112 '' and the outer lens 111 '' may have a value of 1.5.

도 9는 제1 및 제2 동작 모드에서 제3 실시 형태에 따른 발광 소자 패키지 각각의 배광 시뮬레이션 결과이다. 9 is a result of light distribution simulation for each of the light emitting device packages according to the third embodiment in the first and second operation modes.

도 9에 도시된 바와 같이, 제1 동작 모드, 즉 내측 발광 소자(122)만 점등된 경우의 배광각인, 피크 투 피크(peak to peak) 사이의 각도(θ1)는 41°로서, 제2 동작 모드와 비교하여 볼 때 상대적으로 협각의 배광이다. As shown in Fig. 9, the angle? 1 between the peak-to-peak, which is the first operation mode, that is, the light distribution when the inner light emitting element 122 is ON only, Compared to the mode, it is a relatively narrow light distribution.

그리고, 제2 동작 모드, 즉 외측 발광 소자(121)만 점등된 경우의 배광각은 54°로서, 제1 동작 모드와 비교하여 볼 때 상대적으로 광각의 배광임을 확인할 수 있다(도 3 참조). 즉, 점등 회로의 스위칭에 의해 발광 소자 패키지의 배광 각도가 광각 또는 협각으로 변환할 수 있음이 확인할 수 있다. In addition, it can be seen that the second operation mode, that is, the diffusing angle when only the outer light emitting element 121 is turned on is 54 degrees, and the light distribution is relatively wide angle as compared with the first operation mode (see FIG. That is, it can be confirmed that the light distribution angle of the light emitting device package can be changed to a wide angle or a narrow angle by switching of the lighting circuit.

본 발명의 여러 실시 형태에 따른 발광 소자 패키지는 LED 디바이스, 주택용 조명(예를 들어, 다운 라이트(downlight), 천장등, 펜던트 라이트, 데스크 라이트, 전구형 라이트 등), 점포용 조명(예를 들어, 스포트용 라이트, 디스플레이용 라이트, 스튜디오용 라이트 등), 옥외산업용 조명(예를 들어, 도로 조명, 가로등, 스타디움 조명, 고천정조명, 펄라이트(pearlite), 투광기 등), 가전제품용 조명, 자동차용 조명, 항공우주용 조명, 선박용 조명, 의료용 조명, 전광 장식용 조명 및 농림수산업용 조명 등에 사용될 수 있으나 이에 한정하는 것은 아니다.The light emitting device package according to various embodiments of the present invention may be applied to various types of lighting devices such as LED devices, residential lights (e.g., downlights, ceiling lights, pendant lights, desk lights, (For example, street lights, street lights, stadium lights, high ceiling lights, pearlite, floodlights, etc.), lighting for household appliances, automobiles But are not limited to, lighting, aerospace lighting, marine lighting, medical lighting, lightening ornamental lighting, and agriculture and forestry lighting.

또한, 이상에서 실시 형태를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시 형태의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시 형태에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.While the present invention has been described with reference to exemplary embodiments, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments. It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the spirit or scope of the inventions. It will be appreciated that many variations and applications not illustrated are possible. For example, each component specifically shown in the embodiments can be modified and implemented. It is to be understood that all changes and modifications that come within the meaning and range of equivalency of the claims are therefore intended to be embraced therein.

100, 100’, 100’’: 발광 소자 패키지
110, 110’, 110’’: 렌즈
120: 발광 소자
160: 기판
100, 100 ', 100'': Light emitting device package
110, 110 ', 110'': lens
120: Light emitting element
160: substrate

Claims (9)

기판;
상기 기판 상에 배치된 제1 발광 소자와 제2 발광 소자;
상기 제1 발광 소자를 제어하는 제1 점등 회로;
상기 제2 발광 소자를 제어하는 제2 점등 회로; 및
상기 제1 및 제2 발광 소자 상에 배치된 렌즈;를 포함하고,
상기 제1 점등 회로와 상기 제2 점등 회로는 서로 독립하여 동작하고,
상기 렌즈는 상기 제1 발광 소자 상에 배치된 제1 렌즈와 상기 제2 발광 소자 상에 배치된 제2 렌즈를 포함하고,
상기 제1 렌즈와 상기 제2 렌즈의 곡률 반지름은 서로 다른, 발광 소자 패키지.
Board;
A first light emitting device and a second light emitting device disposed on the substrate;
A first lighting circuit for controlling the first light emitting element;
A second lighting circuit for controlling the second light emitting element; And
And a lens disposed on the first and second light emitting elements,
The first lighting circuit and the second lighting circuit operate independently of each other,
Wherein the lens includes a first lens disposed on the first light emitting element and a second lens disposed on the second light emitting element,
Wherein a radius of curvature of the first lens and a radius of curvature of the second lens are different from each other.
제 1 항에 있어서,
상기 제2 발광 소자는 복수이고,
상기 복수의 제2 발광 소자는 상기 제1 발광 소자를 둘러싸도록 배치되고,
상기 제2 렌즈는 상기 제1 렌즈를 둘러싸도록 배치되고,
상기 제1 렌즈의 곡률 반지름은 상기 제2 렌즈의 곡률 반지름보다 작은, 발광 소자 패키지.
The method according to claim 1,
Wherein the second light emitting element is a plurality of light emitting elements,
Wherein the plurality of second light emitting elements are arranged to surround the first light emitting element,
The second lens is disposed so as to surround the first lens,
Wherein the curvature radius of the first lens is smaller than the curvature radius of the second lens.
제 2 항에 있어서,
상기 제1 렌즈의 두께는 상기 제2 렌즈의 두께보다 두꺼운, 발광 소자 패키지.
3. The method of claim 2,
And the thickness of the first lens is thicker than the thickness of the second lens.
제 2 항 또는 제 3 항에 있어서,
상기 제2 렌즈는 상기 제1 렌즈의 측부에서 바깥으로 연장된, 발광 소자 패키지.
The method according to claim 2 or 3,
And the second lens extends outward from the side of the first lens.
제 2 항 또는 제 3 항에 있어서,
상기 제1 렌즈의 상면과 상기 제2 렌즈의 상면이 연결되는 접점은 상기 렌즈의 저면과 동일 평면 상에 배치된, 발광 소자 패키지.
The method according to claim 2 or 3,
Wherein a contact point between the upper surface of the first lens and the upper surface of the second lens is disposed on the same plane as the lower surface of the lens.
제 2 항 또는 제 3 항에 있어서,
상기 제1 렌즈의 곡률 반지름은 상기 제2 렌즈의 곡률 반지름의 절반 이하인 발광 소자 패키지.
The method according to claim 2 or 3,
Wherein the curvature radius of the first lens is not more than half the curvature radius of the second lens.
제 2 항 또는 제 3 항에 있어서,
상기 제1 렌즈의 곡률 반지름은 상기 제1 렌즈의 직경의 절반값보다는 크고, 무한대(∞)보다는 작은, 발광 소자 패키지.
The method according to claim 2 or 3,
Wherein a radius of curvature of the first lens is larger than a half value of a diameter of the first lens and is smaller than an infinity (?).
제 2 항 또는 제 3 항에 있어서,
상기 제2 렌즈의 곡률 반지름은 상기 제2 렌즈의 폭의 절반값보다는 크고, 무한대(∞)보다는 작은, 발광 소자 패키지.
The method according to claim 2 or 3,
Wherein a radius of curvature of the second lens is larger than a half value of a width of the second lens and is smaller than an infinity (?).
제 2 항 또는 제 3 항에 있어서,
상기 제1 렌즈의 저면과 상기 제2 렌즈의 저면은 동일 평면 상에 배치된, 발광 소자 패키지.
The method according to claim 2 or 3,
Wherein a bottom surface of the first lens and a bottom surface of the second lens are disposed on the same plane.
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