KR20160061204A - Substrate treating apparatus having vortex prevention gate and the manufacturing method - Google Patents
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Abstract
본 발명은 챔버본체의 개구부를 개폐하는 게이트에서 와류 생성을 방지할 수 있는 기판처리장치 및 그 제조방법을 제공한다. 이를 구현하기 위한 본 발명의 기판처리장치는, 원통 형상으로 이루어진 챔버본체(100); 상기 챔버본체(100)의 일측 개구부(110)를 개폐하도록 곡면 형상으로 이루어진 게이트(200); 상기 게이트(200)를 상기 챔버본체(100)의 외측면에 대하여 수직되는 방향으로 이동시켜 상기 게이트(200)를 상기 개구부(110)로부터 개폐하기 위한 구동력을 제공하는 게이트개폐구동부(300)를 포함한다.The present invention provides a substrate processing apparatus capable of preventing vortex generation in a gate that opens and closes an opening of a chamber body and a method of manufacturing the same. In order to accomplish this, a substrate processing apparatus of the present invention comprises: a chamber body 100 formed in a cylindrical shape; A gate 200 having a curved shape for opening and closing one side opening 110 of the chamber body 100; And a gate opening and closing drive unit 300 for moving the gate 200 in a direction perpendicular to the outer surface of the chamber body 100 to provide a driving force for opening and closing the gate 200 from the opening 110 do.
Description
본 발명은 와류 방지 게이트가 구비된 기판처리장치 및 그 제조방법에 관한 것으로, 기판을 처리하기 위해 챔버 내부에 유입된 가스가 기판의 출입이 이루어지는 게이트로 인해 와류가 생성되는 것을 방지할 수 있는 와류 방지 게이트가 구비된 기판처리장치 및 그 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing apparatus provided with a vortex prevention gate and a method of manufacturing the same, and more particularly, to a vortex prevention apparatus capable of preventing a vortex from being generated due to a gate in and out of a substrate, Prevention gate, and a method of manufacturing the same.
일반적으로 기판처리장치는 기판을 공정 챔버 내부에 로딩한 상태에서 도어를 닫아 내부를 밀폐시킨 다음 서셉터에 안착된 기판 상에 공정가스로 소정의 처리 공정을 수행한다.In general, a substrate processing apparatus closes a door by closing a door while loading the substrate into a processing chamber, and then performs a predetermined processing process with a process gas on a substrate mounted on the susceptor.
반도체 공정에서는 고주파방전을 통해 기체상태의 화합물을 분해한 후 화학적 반응을 일으켜 기판위에 박막을 형성하는 화학기상증착공정, 플라즈마 상태의 이온이 기판의 재료를 식각하는 플라즈마 건식식각공정 등이 있고, 이러한 공정에서 챔버 내부에 주입된 가스에 와류가 발생하는 경우 증착 및 식각 균일도가 떨어질 수 있다.In the semiconductor process, there are a chemical vapor deposition process for decomposing a gaseous compound through a high frequency discharge to cause a chemical reaction to form a thin film on the substrate, and a plasma dry etching process for etching a substrate material in a plasma state. The deposition and etch uniformity may be reduced if a vortex occurs in the gas injected into the chamber during the process.
또한 반도체 후공정으로 리플로우(reflow)를 수행하는 장비에서도 챔버 내부에 가스를 주입시켜 기판의 처리를 행하는 경우 주입된 가스에 와류가 발생하는 경우 기판의 균일도(Uniformity)가 떨어질 수 있다.Also, in the case of a device for performing reflow by a post-semiconductor process, when the substrate is processed by injecting gas into the chamber, uniformity of the substrate may be lowered when a vortex is generated in the injected gas.
도 1은 종래의 기판처리장치를 보여주는 도면이다.1 is a view showing a conventional substrate processing apparatus.
기판처리장치는 원통 형상의 챔버본체(10)와, 상기 챔버본체(10)의 일측에 형성된 개구부(11)를 개폐하는 게이트(20)와, 상기 게이트(20)가 상기 개구부(11)를 개폐할 수 있도록 구동력을 제공하는 게이트개폐구동부(30)와, 기판(W)이 안착되는 서셉터(40)와, 상기 서셉터(40) 상에 기판(W)을 안착시키기 위해 승하강하는 리프트핀(45), 상기 서셉터(40)상에 안착된 기판(W)을 처리하기 위하여 가스를 분사하기 위한 샤워헤드(50)와, 챔버본체(10)의 내부 가스를 외부로 배출하기 위한 배기구(60)로 이루어진다.The substrate processing apparatus includes a
상기 개구부(11)와 게이트(20)로 인해 형성되는 공간(A부분)에서는 가스의 흐름이 불완전하게 되어 와류가 발생한다. 이러한 와류는 기판의 처리 후 균일도를 저해하게 된다.The flow of the gas becomes incomplete in the space (portion A) formed by the
이와 같이 A부분의 공간이 형성되는 이유는 게이트(20)가 평판 형상으로 이루어져 있어, 평판 형상의 게이트(20)를 원통 형상의 챔버본체(10)에 밀착시켜 기밀을 유지하도록 하기 위해서는, 개구부(11)가 형성된 챔버본체(10)의 외측으로 돌출부(12)가 형성되어 있어야 하기 때문이다.The reason why the space A is formed in this manner is that the
상기 돌출부(12)에 접촉하는 게이트(20)에는 기밀을 유지하기 위한 패킹(미도시)이 구비된다.A gate (20) in contact with the protrusion (12) is provided with a packing (not shown) for maintaining airtightness.
이와 같은 가스의 와류로 인한 문제점을 방지하기 위해 대한민국 공개특허 제10-2006-0021136호의 플라즈마 진공장비가 개시되어 있다.In order to prevent such a problem caused by the vortex of the gas, Korean Patent Laid-Open No. 10-2006-0021136 discloses a plasma vacuum equipment.
상기 대한민국 공개특허 제10-2006-0021136호에서는 기판주입구의 빈 공간에 의한 가스 와류현상을 방지하기 위하여 도어밸브와 연결되는 챔버 내부의 플레이트가 구비되어 있다. Korean Patent Laid-Open Publication No. 10-2006-0021136 discloses a plate inside a chamber connected to a door valve to prevent a gas vortex due to a vacant space of a substrate injection port.
그러나 이와 같은 구조의 경우 챔버 내부에 구비되는 플레이트가 챔버의 내벽면과 접촉된 상태에서 상하 이동되어야 하므로 마모에 의한 파티클이 발생할 수 있다. 또한 챔버의 벽면과 접촉하는 위치에 패킹이 구비되어 있는 경우에는 패킹의 마모 속도가 매우 빨라지는 문제점이 있다.However, in such a structure, since the plate provided in the chamber is moved up and down in contact with the inner wall surface of the chamber, particles due to abrasion may occur. Further, when the packing is provided at a position in contact with the wall surface of the chamber, there is a problem that the wear rate of the packing becomes very high.
본 발명은 상술한 제반 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로, 챔버본체의 개구부를 개폐하는 게이트에서 와류 생성을 방지할 수 있는 기판처리장치 및 그 제조방법을 제공한다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention is conceived to solve the above-described problems, and provides a substrate processing apparatus and a manufacturing method thereof capable of preventing vortex generation at a gate for opening and closing an opening of a chamber body.
또한 와류 생성 방지 구조의 게이트의 구성 및 제조방법이 간단하게 되도록 함으로써 제조비용을 절감할 수 있는 기판처리장치 및 그 제조방법을 제공한다.The present invention also provides a substrate processing apparatus and a method of manufacturing the same that can reduce the manufacturing cost by simplifying the structure and manufacturing method of the gate of the vortex generation prevention structure.
상술한 바와 같은 목적을 구현하기 위한 본 발명의 기판처리장치는, 원통 형상으로 이루어진 챔버본체(100); 상기 챔버본체(100)의 일측 개구부(110)를 개폐하도록 곡면 형상으로 이루어진 게이트(200); 상기 게이트(200)를 상기 챔버본체(100)의 외측면에 대하여 수직되는 방향으로 이동시켜 상기 게이트(200)를 상기 개구부(110)로부터 개폐하기 위한 구동력을 제공하는 게이트개폐구동부(300)를 포함한다.In order to achieve the above object, the present invention provides a substrate processing apparatus comprising: a chamber body (100) having a cylindrical shape; A
상기 게이트(200)의 곡률은 상기 챔버본체(100)의 곡률과 동일한 것으로 이루어질 수 있다.The curvature of the
상기 게이트(200)의 곡률은 상기 챔버본체(100)의 곡률보다 더 큰 것으로 이루어질 수 있다.The curvature of the
상기 게이트(200)에서 상기 챔버본체(100)를 향하는 내측면에는 오목하게 패인 패킹삽입홈(210)이 형성되어 있고, 상기 패킹삽입홈(210)에는 패킹(220)이 삽입되어, 상기 게이트(200)가 상기 개구부(110)를 폐쇄하는 경우 상기 패킹(220)이 상기 챔버본체(100)에 밀착되어 기밀이 유지되는 것일 수 있다.A
상기 게이트(200)는 평판 형상의 플레이트에 상기 패킹삽입홈(210)을 가공한 후 굽힘가공에 의해 곡면으로 형성되는 것일 수 있다.The
상기 게이트개폐구동부(300)는, 상기 게이트(200)를 상기 챔버본체(100)의 외측면에 대하여 수직되는 방향으로 이동시키는 제1구동부(310)와, 상기 게이트(200)를 상기 챔버본체(100)의 외측면에 대하여 수평되는 방향으로 이동시키는 제2구동부(320)로 이루어진 것일 수 있다.The gate opening and
본 발명의 기판처리장치의 제조방법은, 원통 형상으로 이루어진 챔버본체(100), 상기 챔버본체(100)의 일측 개구부(110)를 개폐하도록 곡면 형상으로 이루어진 게이트(200), 상기 게이트(200)를 상기 챔버본체(100)의 외측면에 대하여 수직되는 방향으로 이동시켜 상기 게이트(200)를 상기 개구부(110)로부터 개폐하기 위한 구동력을 제공하는 게이트개폐구동부(300)를 포함하는 기판처리장치의 제조방법으로서, 상기 게이트(200)는, a) 평판 형상의 플레이트에서 상기 챔버본체(100)를 향하는 내측면에 오목하게 패인 패킹삽입홈(210)을 형성시키는 단계; b) 상기 패킹삽입홈(210)이 형성된 플레이트를 굽힘 가공에 의해 곡면으로 성형하는 단계; c) 상기 패킹삽입홈(210)에 패킹(220)을 삽입하는 단계에 의해 제조된다.A method of manufacturing a substrate processing apparatus according to the present invention includes a
상기 게이트(200)의 곡률은 상기 챔버본체(100)의 곡률과 동일한 곡률로 이루어지도록 상기 b)단계의 굽힘 가공이 이루어지는 것일 수 있다.The curvature of the
상기 게이트(200)의 곡률은 상기 챔버본체(100)의 곡률보다 더 큰 곡률로 이루어지도록 상기 b)단계의 굽힘 가공이 이루어지는 것일 수 있다.The curvature of the
본 발명에 의하면, 기판의 처리가 이루어지는 챔버본체의 내부에서 가스의 와류가 발생하는 것을 방지함으로써 공정 균일도(Uniformity)를 향상시킬 수 있다.According to the present invention, it is possible to prevent the generation of a vortex of the gas in the chamber body in which the substrate is processed, thereby improving the process uniformity.
또한 챔버본체의 개구부를 개폐하는 게이트를 원통 형상의 챔버본체의 곡률에 대응하도록 곡면으로 형성함으로써 게이트개폐구동부의 구성을 간단하게 할 수 있다.And the gate for opening and closing the opening of the chamber body is formed into a curved surface so as to correspond to the curvature of the cylindrical body of the cylindrical body, thereby simplifying the configuration of the gate opening and closing guide.
또한 게이트의 내측면에 패킹삽입홈을 형성한 후 굽힘 가공에 의해 곡면 형상으로 성형함으로써 패킹삽입홈의 가공이 용이해진다.Further, after the packing insertion groove is formed in the inner surface of the gate, the packing insertion groove is easily formed by molding into a curved shape by bending.
도 1(a),(b)는 종래의 기판처리장치를 보여주는 평단면도와 정단면도
도 2(a),(b)는 본 발명에 의한 기판처리장치를 보여주는 평단면도와 정단면도
도 3(a),(b)는 본 발명에 의한 게이트가 굽힘 가공되기 전의 상태를 보여주는 평면도와 정면도
도 4는 도 3의 A-A단면도
도 5(a),(b)는 도 3의 게이트를 굽힘 가공한 후의 상태를 보여주는 평면도와 정면도1 (a) and 1 (b) are a plan sectional view and a front sectional view showing a conventional substrate processing apparatus
2 (a) and 2 (b) are a plan sectional view and a front sectional view showing a substrate processing apparatus according to the present invention
3 (a) and 3 (b) are a plan view and a front view showing the state before the gate is bent according to the present invention
FIG. 4 is a cross-
5 (a) and 5 (b) are a plan view and a front view showing a state after bending the gate of FIG. 3
이하 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 대한 구성 및 작용을 상세히 설명하면 다음과 같다.DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도 2(a),(b)는 본 발명에 의한 기판처리장치를 보여주는 평단면도와 정단면도이다.2 (a) and 2 (b) are a plan sectional view and a front sectional view showing the substrate processing apparatus according to the present invention.
본 발명의 와류 방지 게이트가 구비된 기판처리장치는, 원통 형상으로 이루어진 챔버본체(100), 상기 챔버본체(100)의 일측 개구부(110)를 개폐하도록 곡면 형상으로 이루어진 게이트(200), 상기 게이트(200)를 상기 챔버본체(100)의 외측면에 대하여 수직되는 방향으로 이동시켜 상기 게이트(200)를 상기 개구부(110)로부터 개폐하기 위한 구동력을 제공하는 게이트개폐구동부(300)를 포함한다.A substrate processing apparatus with a vortex prevention gate according to the present invention includes a
상기 챔버본체(100)는 단면이 원형인 원통형상으로 이루어져 있다. 상기 챔버본체(100)의 일측에는 기판(W)의 투입 또는 토출이 이루어지는 개구부(110)가 형성되어 있다. 상기 개구부(110)는 챔버본체(100)의 일정 부분을 절개하여 관통된 형상으로 이루어진다. 상기 개구부(110)를 통해 로봇아암(미도시)이 챔버본체(100)의 내부 공간으로 진입하여 서셉터(400) 상에 기판(W)을 안착시키거나 처리가 완료된 기판(W)을 외부로 언로딩하게 된다.The
상기 챔버본체(100)의 상부에는 유입된 공정가스를 기판(W)의 전체에 걸쳐 균일하게 분사하기 위하여 샤워헤드(500)가 구비된다. 상기 샤워헤드(500)의 상측에는 상부히터(미도시)가 구비될 수 있다.The
상기 챔버본체(100)의 내부에는 기판(W)이 안착되는 서셉터(400)가 구비된다. 상기 서셉터(400)에는 기판(W)에 열을 가한 상태에서 공정을 진행하기 위하여 하부히터(미도시)가 구비될 수 있다.In the
상기 서셉터(400) 상에 안착된 기판(W)을 승강시키거나, 챔버본체(100) 내부에 투입된 기판(W)을 서셉터(400) 상에 안착시키기 위하여 리프트핀(450)이 구비된다. 상기 리프트핀(450)은 상기 서셉터(400)를 관통하도록 구비된 상태에서 구동부(미도시)에 의해 상하 방향으로 승강 또는 하강됨으로써 기판(W)을 승강 또는 하강시킨다.A
상기 챔버본체(100)의 바닥부(120)에는 챔버본체(100) 내부 공간의 가스를 배기하기 위한 배기구(600)가 형성되어 있다.An
상기 게이트(200)는 개구부(110)를 폐쇄하거나 개방시키기 위하여, 챔버본체(100)의 외측면에 대하여 수직되는 방향(도 2에서 수평방향)으로 이동된다.The
상기 게이트(200)는 원통 형상으로 이루어진 챔버본체(100)의 외주면에 대응되도록 곡면 형상으로 이루어지는데, 상기 게이트(200)의 곡률은 챔버본체(100)의 곡률과 동일하거나 챔버본체(100)의 곡률보다 더 큰 곡률로 이루어지도록 구성할 수 있다.The curvature of the
상기 게이트(200)는 평평한 스테인레스 재질의 플레이트를 굽힘 가공하여 곡면 형상으로 성형한 것이다. 게이트(200)로 개구부(110)를 폐쇄시키기 위해 게이트개폐구동부(300)의 제어에 의해 게이트(200)를 개구부(110) 방향으로 가압하면 게이트(200)의 곡률에 변형이 생길 수 있다. 따라서 게이트(200)의 곡률을 챔버본체(100)의 곡률보다 더 크게 성형하면 상기한 가압에 의해 게이트(200)의 곡률에 생긴 변형을 흡수하여 개구부(110)의 밀폐력을 향상시킬 수 있다.The
상기 게이트개폐구동부(300)는, 상기 게이트(200)를 상기 챔버본체(100)의 외측면에 대하여 수직되는 방향(도 2에서 수평방향)으로 이동시키는 제1구동부(310)와, 상기 게이트(200)를 상기 챔버본체(100)의 외측면에 대하여 수평되는 방향(도 2에서 수직방향)으로 이동시키는 제2구동부(320)로 이루어진다.The gate opening /
상기 제1구동부(310)에 의해 게이트(200)가 개구부(110)로부터 이격되거나 근접하도록 이동되고, 상기 제2구동부(320)에 의해 게이트(200) 및 제1구동부(310)가 일체로 상하 승하강된다.The
상기 게이트(200)의 내측면과 챔버본체(100)의 외측면 사이에는 패킹(220)이 개재되고, 상기 게이트(200)를 챔버본체(100) 방향으로 가압하면 패킹(220)이 압착되어 기밀이 유지된다.A
도 3(a),(b)는 본 발명에 의한 게이트가 굽힘 가공되기 전의 상태를 보여주는 평면도와 정면도, 도 4는 도 3의 A-A단면도, 도 5(a),(b)는 도 3의 게이트를 굽힘 가공한 후의 상태를 보여주는 평면도와 정면도이다.3 (a) and 3 (b) are a plan view and a front view showing a state before a gate is bent according to the present invention, FIG. 4 is a sectional view taken along line AA of FIG. 3, And a front view showing a state after bending the gate.
본 발명에 의한 게이트(200)는 원통 형상으로 이루어진 챔버본체(100)의 외주면에 대응하도록 곡면 형상으로 이루어지고, 상기 게이트(200)에서 챔버본체(100)에 대향하는 내측면에는 패킹(220)이 삽입되는 패킹삽입홈(210)이 형성되어 있다.The
상기 패킹삽입홈(210)은 게이트(200)의 내측면 둘레를 따라 사각형의 형상으로 오목하게 패인 것이다. 상기 패킹삽입홈(210)에 패킹(220)이 삽입된 상태에서 게이트(200)가 개구부(110)를 폐쇄하는 경우 상기 패킹(220)이 상기 챔버본체(100)에 밀착되어 기밀이 유지된다.The
상기 게이트(200)는 곡면 형상으로 이루어져 있는데, 곡면 형상의 게이트(200) 내측면에 패킹삽입홈(210)을 가공하는 것은 어려운 작업이다. 따라서 도 3과 도 5에 도시된 바와 같이 평평한 플레이트에 패킹삽입홈(210)을 가공한 후 굽힘 가공에 의해 곡면 형상으로 성형하는 것이 바람직하다.The
즉, 도 3에 도시된 바와 같이, 평평한 플레이트로 이루어진 게이트(200)의 내측면에 패킹삽입홈(210)을 사각형으로 가공한다.That is, as shown in FIG. 3, the packing
이와 같이 패킹삽입홈(210)을 가공하면 도 4에 도시된 바와 같은 단면 형상의 패킹삽입홈(210)이 형성된다. When the packing
패킹삽입홈(210)의 가공은 게이트(200)가 평평한 플레이트 상태에서 이루어지므로 가공 공정이 용이해진다.The processing of the packing
패킹삽입홈(210)의 가공이 완료되면 게이트(200)를 굽힘 가공한다. 굽힘 가공이 완료되면 게이트(200)는 도 5에 도시된 바와 같이 곡면 형상으로 이루어져 챔버본체(100)의 외측면에 대응하도록 성형된다.When processing of the packing
상기와 같이 굽힘 가공에 의해 게이트(200)가 곡면 형상으로 형성되면, 패킹삽입홈(210) 내부에 패킹(220)을 삽입한 후 챔버본체(100)에 조립함으로써 기판처리장치를 제조한다.When the
상기한 바와 같은 구성으로 이루어진 본 발명에 의하면, 챔버본체(100)에 종래기술에서 기재한 돌출부(12)와 같은 구성이 형성되지 않으므로 기판(W)을 처리하기 위한 가스의 흐름에 와류가 형성되지 않아 공정 균일도(Uniformity)를 향상시킬 수 있다.According to the present invention having the above-described configuration, since the
또한 게이트(200)를 곡면으로 형성하면 게이트(200)를 챔버본체(100) 방향으로 가압하거나 이격시키는 작동에 의해 개구부(110)의 개폐가 이루어지므로, 챔버본체(100)에 접촉하는 패킹(220)의 마모가 방지되고, 챔버본체(100) 내부에 파티클이 발생되지 않는다.When the
이상 설명한 바와 같이, 본 발명은 상술한 실시예에 한정되지 아니하며, 청구범위에서 청구되는 본 발명의 기술적 사상에 벗어남 없이 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 자명한 변형실시가 가능하며, 이러한 변형실시는 본 발명의 범위에 속한다.As described above, the present invention is not limited to the above-described embodiments, and various changes and modifications may be made without departing from the scope of the present invention as defined in the appended claims. And such modifications are within the scope of the present invention.
10, 100 : 챔버본체
11, 110 : 개구부
20, 200 : 게이트
210 : 패킹삽입홈
220 : 패킹
30, 300 : 게이트개폐구동부
310 : 제1구동부
320 : 제2구동부
40, 400 : 서셉터
45, 450 : 리프트핀
50, 500 : 샤워헤드
60, 600 : 배기구10, 100:
20, 200: gate 210: packing insertion groove
220: packing 30, 300: gate opening /
310: first driving part 320: second driving part
40, 400:
50, 500:
Claims (9)
상기 챔버본체(100)의 일측 개구부(110)를 개폐하도록 곡면 형상으로 이루어진 게이트(200);
상기 게이트(200)를 상기 챔버본체(100)의 외측면에 대하여 수직되는 방향으로 이동시켜 상기 게이트(200)를 상기 개구부(110)로부터 개폐하기 위한 구동력을 제공하는 게이트개폐구동부(300);
를 포함하는 와류 방지 게이트가 구비된 기판처리장치 및 그 제조방법.A chamber body 100 formed in a cylindrical shape;
A gate 200 having a curved shape for opening and closing one side opening 110 of the chamber body 100;
A gate opening and closing drive unit 300 for moving the gate 200 in a direction perpendicular to the outer surface of the chamber body 100 to provide a driving force for opening and closing the gate 200 from the opening 110;
And a vortex prevention gate including the vortex prevention gate.
상기 게이트(200)의 곡률은 상기 챔버본체(100)의 곡률과 동일한 것을 특징으로 하는 와류 방지 게이트가 구비된 기판처리장치 및 그 제조방법.The method according to claim 1,
Wherein a curvature of the gate (200) is equal to a curvature of the chamber body (100).
상기 게이트(200)의 곡률은 상기 챔버본체(100)의 곡률보다 더 큰 것을 특징으로 하는 와류 방지 게이트가 구비된 기판처리장치 및 그 제조방법.The method according to claim 1,
Wherein a curvature of the gate (200) is greater than a curvature of the chamber body (100).
상기 게이트(200)에서 상기 챔버본체(100)를 향하는 내측면에는 오목하게 패인 패킹삽입홈(210)이 형성되어 있고, 상기 패킹삽입홈(210)에는 패킹(220)이 삽입되어, 상기 게이트(200)가 상기 개구부(110)를 폐쇄하는 경우 상기 패킹(220)이 상기 챔버본체(100)에 밀착되어 기밀이 유지되는 것을 특징으로 하는 와류 방지 게이트가 구비된 기판처리장치 및 그 제조방법.The method according to claim 1,
A packing inserting groove 210 is formed in an inner side surface facing the chamber body 100 from the gate 200. A packing 220 is inserted into the packing inserting groove 210, 200) closes the opening (110), the packing (220) is closely attached to the chamber body (100) to maintain airtightness.
상기 게이트(200)는 평판 형상의 플레이트에 상기 패킹삽입홈(210)을 가공한 후 굽힘가공에 의해 곡면으로 형성되는 것을 특징으로 하는 와류 방지 게이트가 구비된 기판처리장치 및 그 제조방법.5. The method of claim 4,
Wherein the gate (200) is formed into a curved surface by bending after the packing insertion groove (210) is formed on a flat plate.
상기 게이트개폐구동부(300)는, 상기 게이트(200)를 상기 챔버본체(100)의 외측면에 대하여 수직되는 방향으로 이동시키는 제1구동부(310)와, 상기 게이트(200)를 상기 챔버본체(100)의 외측면에 대하여 수평되는 방향으로 이동시키는 제2구동부(320)로 이루어진 것을 특징으로 하는 와류 방지 게이트가 구비된 기판처리장치 및 그 제조방법.The method according to claim 1,
The gate opening and closing drive unit 300 includes a first driving unit 310 for moving the gate 200 in a direction perpendicular to the outer surface of the chamber body 100, 100), and a second driving unit (320) for moving the second driving unit (320) in a horizontal direction with respect to the outer side surface of the vortex prevention gate (100).
상기 게이트(200)는,
a) 평판 형상의 플레이트에서 상기 챔버본체(100)를 향하는 내측면에 오목하게 패인 패킹삽입홈(210)을 형성시키는 단계;
b) 상기 패킹삽입홈(210)이 형성된 플레이트를 굽힘 가공에 의해 곡면으로 성형하는 단계;
c) 상기 패킹삽입홈(210)에 패킹(220)을 삽입하는 단계;
에 의해 제조되는 기판처리장치의 제조방법.A gate 200 having a curved surface shape for opening and closing one side opening 110 of the chamber body 100; a gate 200 formed on the outer side of the chamber body 100; (300) for moving the gate (200) in a direction perpendicular to the opening (110) so as to provide a driving force for opening and closing the gate (200) from the opening (110), the method comprising:
The gate (200)
a) forming a packing insertion groove 210 having a concave depression in an inner surface of the plate-like plate facing the chamber body 100;
b) molding the plate having the packing insertion groove 210 formed therein into a curved surface by bending;
c) inserting the packing (220) into the packing insertion groove (210);
Wherein the substrate processing apparatus is manufactured by the method.
상기 게이트(200)의 곡률은 상기 챔버본체(100)의 곡률과 동일한 곡률로 이루어지도록 상기 b)단계의 굽힘 가공이 이루어지는 것을 특징으로 하는 기판처리장치의 제조방법.8. The method of claim 7,
Wherein the bending process of step (b) is performed so that the curvature of the gate (200) has the same curvature as the curvature of the chamber body (100).
상기 게이트(200)의 곡률은 상기 챔버본체(100)의 곡률보다 더 큰 곡률로 이루어지도록 상기 b)단계의 굽힘 가공이 이루어지는 것을 특징으로 하는 기판처리장치의 제조방법.8. The method of claim 7,
Wherein the bending of step (b) is performed so that the curvature of the gate (200) is larger than the curvature of the chamber body (100).
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020140163803A KR20160061204A (en) | 2014-11-21 | 2014-11-21 | Substrate treating apparatus having vortex prevention gate and the manufacturing method |
| TW104138460A TW201624536A (en) | 2014-11-21 | 2015-11-20 | Substrate treating apparatus having vortex prevention gate and manufacturing method thereof |
| CN201510815412.5A CN105632974A (en) | 2014-11-21 | 2015-11-23 | Substrate treating apparatus having vortex prevention gate and manufacturing method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020140163803A KR20160061204A (en) | 2014-11-21 | 2014-11-21 | Substrate treating apparatus having vortex prevention gate and the manufacturing method |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20160061204A true KR20160061204A (en) | 2016-05-31 |
Family
ID=56047769
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020140163803A Ceased KR20160061204A (en) | 2014-11-21 | 2014-11-21 | Substrate treating apparatus having vortex prevention gate and the manufacturing method |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR20160061204A (en) |
| CN (1) | CN105632974A (en) |
| TW (1) | TW201624536A (en) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6902409B2 (en) * | 2017-06-23 | 2021-07-14 | 東京エレクトロン株式会社 | Plasma processing equipment |
| KR102278461B1 (en) * | 2019-12-04 | 2021-07-16 | 주식회사 케이씨텍 | Substrate processing apparatus comprising a door having an inclined surface |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7469715B2 (en) * | 2005-07-01 | 2008-12-30 | Applied Materials, Inc. | Chamber isolation valve RF grounding |
| KR20080048666A (en) * | 2006-11-29 | 2008-06-03 | 엘지디스플레이 주식회사 | Process chamber and its formation method |
| KR101588565B1 (en) * | 2007-11-01 | 2016-01-26 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | Method and apparatus for sealing an opening of a processing chamber |
| CN104109847A (en) * | 2013-04-16 | 2014-10-22 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | Reaction cavity and plasma processing equipment |
-
2014
- 2014-11-21 KR KR1020140163803A patent/KR20160061204A/en not_active Ceased
-
2015
- 2015-11-20 TW TW104138460A patent/TW201624536A/en unknown
- 2015-11-23 CN CN201510815412.5A patent/CN105632974A/en active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN105632974A (en) | 2016-06-01 |
| TW201624536A (en) | 2016-07-01 |
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|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| PA0109 | Patent application |
Patent event code: PA01091R01D Comment text: Patent Application Patent event date: 20141121 |
|
| PA0201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| PE0902 | Notice of grounds for rejection |
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|
| E601 | Decision to refuse application | ||
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|
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