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KR20160138912A - Adhesive sheet, dicing tape-integrated adhesive sheet, film, method for producing semiconductor device, and semiconductor device - Google Patents

Adhesive sheet, dicing tape-integrated adhesive sheet, film, method for producing semiconductor device, and semiconductor device Download PDF

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KR20160138912A
KR20160138912A KR1020160063931A KR20160063931A KR20160138912A KR 20160138912 A KR20160138912 A KR 20160138912A KR 1020160063931 A KR1020160063931 A KR 1020160063931A KR 20160063931 A KR20160063931 A KR 20160063931A KR 20160138912 A KR20160138912 A KR 20160138912A
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KR
South Korea
Prior art keywords
adhesive sheet
adhesive
lead frame
group
filler
Prior art date
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Abandoned
Application number
KR1020160063931A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
유타 기무라
사다히토 미스미
나오히데 다카모토
겐지 오니시
유이치로 시시도
Original Assignee
닛토덴코 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 닛토덴코 가부시키가이샤 filed Critical 닛토덴코 가부시키가이샤
Publication of KR20160138912A publication Critical patent/KR20160138912A/en
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Abstract

[과제] 칩에서 발생하는 열을 효과적으로 리드 프레임으로 놓아줄 수 있는 접착 시트를 제공하는 것을 목적으로 한다. 본 발명은 또한, 이러한 접착 시트를 포함하는 다이싱 테이프 일체형 접착 시트, 필름 등을 제공하는 것을 목적으로 한다.
[해결 수단] 본 발명은 접착 시트에 관한 것이다. 본 발명의 접착 시트를 이용하여, 리드 프레임, 리드 프레임 상에 배치된 접착층 및 접착층 상에 배치된 실리콘 칩을 갖는 장치를 형성했을 때, 접착층 및 리드 프레임의 계면 열저항이 0.15K/W 이하이며, 총 열저항이 0.55K/W 이하이다. 총 열저항은, 계면 열저항 및 접착층의 내부 열저항의 합계이다.[PROBLEMS] To provide an adhesive sheet capable of effectively placing heat generated in a chip into a lead frame. The present invention also aims to provide a dicing tape-integrated adhesive sheet, film or the like containing such an adhesive sheet.
[MEANS FOR SOLVING PROBLEMS] The present invention relates to an adhesive sheet. When the adhesive sheet of the present invention is used to form an apparatus having a lead frame, an adhesive layer disposed on the lead frame and a silicon chip disposed on the adhesive layer, the interfacial thermal resistance of the adhesive layer and the lead frame is 0.15 K / W or less , And the total thermal resistance is 0.55 K / W or less. The total heat resistance is the sum of the interface thermal resistance and the internal thermal resistance of the adhesive layer.

Description

접착 시트, 다이싱 테이프 일체형 접착 시트, 필름, 반도체 장치의 제조 방법 및 반도체 장치{ADHESIVE SHEET, DICING TAPE-INTEGRATED ADHESIVE SHEET, FILM, METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICE, AND SEMICONDUCTOR DEVICE}TECHNICAL FIELD [0001] The present invention relates to an adhesive sheet, a dicing tape integral adhesive sheet, a film, a method of manufacturing a semiconductor device, and a semiconductor device.

본 발명은, 접착 시트, 다이싱 테이프 일체형 접착 시트, 필름, 반도체 장치의 제조 방법 및 반도체 장치에 관한 것이다.The present invention relates to an adhesive sheet, a dicing tape-integrated adhesive sheet, a film, a method of manufacturing a semiconductor device, and a semiconductor device.

칩의 소형화, 배선의 미세화가 진행되고 있다. 그렇지만, 칩의 소형화는, 칩 표면으로부터 공기층으로의 방열의 저하를 가져온다. 배선의 미세화는, 칩의 발열량의 증대를 가져온다. 즉, 배선폭이 좁아지는 것에 의해, 배선 사이의 절연층이 작아져서, 절연성이 저하되고, 리크 전류가 증대되어, 결과적으로 칩의 발열량이 증대된다.Miniaturization of the chip and miniaturization of the wiring are progressing. However, miniaturization of the chip leads to a reduction in heat radiation from the chip surface to the air layer. The miniaturization of the wiring leads to an increase in the heat generation amount of the chip. That is, as the wiring width becomes narrow, the insulating layer between the wirings becomes small, so that the insulating property is lowered, the leak current is increased, and as a result, the heat generation amount of the chip is increased.

칩으로부터 발생하는 열을 기판으로 놓아주지 않으면 반도체의 기능을 유지할 수 없는 경우가 있다. 이와 같은 사정으로부터, 칩의 열을 기판 등으로 놓아주는 것이 가능한 고열전도성의 다이 어태치재가 요구되고 있다.The function of the semiconductor can not be maintained unless the heat generated from the chip is placed on the substrate. In view of such circumstances, there is a demand for a die attach material with high thermal conductivity capable of releasing the heat of a chip to a substrate or the like.

열전도성이 높은 다이 어태치재로서, 종래부터 은 페이스트가 사용되고 있다(예를 들면, 특허문헌 1 참조). 그렇지만, 칩의 박형화가 진행됨에 따라, 은 페이스트의 칩 표면으로의 기어오름이 문제가 되고 있다. 게다가, 은 페이스트는 밀려나오는 양이 크기 때문에, 칩의 소형화를 방해한다. 이와 같이, 은 페이스트에는 다양한 과제가 있다.As a die attach material having high thermal conductivity, a silver paste has been conventionally used (see, for example, Patent Document 1). However, as the thickness of the chip progresses, the rise of the silver paste to the chip surface becomes a problem. In addition, since the amount of silver paste is large, it hinders miniaturization of the chip. Thus, silver paste has various problems.

한편, 필름상의 다이 어태치재는 칩 표면으로의 기어오름이나 밀려나옴이 적기 때문에, 작고 얇은 패키지의 다이 어태치재로서 적합하다(예를 들면, 특허문헌 2 참조).On the other hand, the film die attach material is suitable as a die attach material of a small and thin package (for example, refer to Patent Document 2) since the increase and decrease of the lift to the chip surface is small.

일본 특허 3209961호 공보Japanese Patent No. 3209961 일본 특허 3117972호 공보Japanese Patent No. 3117972

열저항의 인자는 2개 있다. 첫번째는 다이 어태치재의 내부 열저항이다. 내부 열저항은 벌크 열저항으로 불리는 경우가 있다. 두번째는 다이 어태치재와 피착체의 계면 열저항이다.There are two factors of thermal resistance. The first is the internal thermal resistance of the die attach material. Internal thermal resistance is sometimes referred to as bulk thermal resistance. The second is the interfacial thermal resistance of the die attach material and the adherend.

내부 열저항을 작게 하는 방법은 주로 2개 있다. 첫번째는 열전도율을 올리는 방법, 두번째는 다이 어태치재의 두께를 얇게 하는 방법이다.There are mainly two ways to reduce internal thermal resistance. The first is to increase the thermal conductivity, the second is to thin the thickness of the die attach material.

종래의 열전도율이 낮은 다이 어태치재의 두께를 얇게 하는 것에 의해, 내부 열저항은 작아질 것처럼 생각된다. 그렇지만, 특허문헌 2 등에 기재된 종래의 다이 어태치재의 계면 열저항은 크다. 종래의 다이 어태치재의 열저항은 0.9K/W 정도이며, 계면 열저항은 0.55K/W 정도이다. 따라서, 다이 어태치재의 두께를 극한까지 얇게 해도, 열저항을 0.55K/W 이하로 낮출 수 없다.It is considered that by reducing the thickness of the conventional die attaching material having a low thermal conductivity, the internal thermal resistance will be reduced. However, the interface heat resistance of the conventional die attach material disclosed in Patent Document 2 is large. The thermal resistance of the conventional die attach material is about 0.9 K / W, and the interface thermal resistance is about 0.55 K / W. Therefore, even if the thickness of the die attach material is reduced to the limit, the thermal resistance can not be lowered to 0.55 K / W or less.

다이 어태치재의 열전도율을 높이기 위한 방법으로서 고열전도성의 필러를 고충전하는 방법이 있다. 일반적으로 다이 어태치재의 두께는 10∼30μm이기 때문에, 평균 입경 1μm 이하의 필러를 선택할 필요가 있다. 그렇지만, 일반적으로 소입경의 필러를 고충전하는 것에 의해, 다이 어태치재의 유동성이 저하된다. 또한, 반도체 칩의 강도가 그다지 높지 않기 때문에, 소입경의 필러를 고충전으로 하면, 다이 어태치재를 저압에서 압착해야 한다. 유동성이 낮은 다이 어태치재를 피착체에 저압에서 압착하면, 계면 열저항이 증대된다. 이와 같이, 열저항을 낮추는 것은 곤란하다.As a method for increasing the thermal conductivity of the die attach material, there is a method of high filling a high thermal conductive filler. Generally, since the thickness of the die attach material is 10 to 30 占 퐉, it is necessary to select a filler having an average particle diameter of 1 占 퐉 or less. However, in general, the fluidity of the die attach material is lowered by high filler filler of small particle diameter. Further, since the strength of the semiconductor chip is not so high, if the filler of a small particle diameter is made to be highly charged, the die attach material must be squeezed at a low pressure. When the die attach material with low fluidity is pressed against the adherend at low pressure, the interface thermal resistance is increased. Thus, it is difficult to lower the thermal resistance.

본 발명은 상기 과제를 해결하여, 칩에서 발생하는 열을 효과적으로 리드 프레임으로 놓아줄 수 있는 접착 시트를 제공하는 것을 목적으로 한다.It is an object of the present invention to solve the above problems and provide an adhesive sheet capable of effectively releasing heat generated from a chip into a lead frame.

본 발명은 또한, 이러한 접착 시트를 포함하는 다이싱 테이프 일체형 접착 시트, 필름을 제공하는 것을 목적으로 한다. 본 발명은 또한, 이러한 접착 시트를 이용하는 반도체 장치의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. 본 발명은 또한, 이러한 접착 시트를 이용하여 얻어진 반도체 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.The present invention also aims to provide a dicing tape-integrated adhesive sheet and film comprising such an adhesive sheet. The present invention also aims to provide a method of manufacturing a semiconductor device using such an adhesive sheet. The present invention also aims to provide a semiconductor device obtained using such an adhesive sheet.

본 발명은, 리드 프레임, 리드 프레임 상에 배치된 접착층 및 접착층 상에 배치된 실리콘 칩을 갖는 장치를 형성했을 때, 접착층 및 리드 프레임의 계면 열저항이 0.15K/W 이하이며, 총 열저항이 0.55K/W 이하인 접착 시트에 관한 것이다. 총 열저항은, 계면 열저항 및 접착층의 내부 열저항의 합계이다. 장치는, 접착 시트로부터 접착 필름을 잘라내는 단계와, 구조체를 가열하는 단계를 갖는 방법에 의해 형성된다. 구조체는, 리드 프레임, 리드 프레임 상에 배치된 접착 필름 및 접착 필름 상에 배치된 실리콘 칩을 갖는다.The present invention is characterized in that when an apparatus having a lead frame, an adhesive layer disposed on a lead frame and a silicon chip disposed on an adhesive layer is formed, the interface thermal resistance of the adhesive layer and the lead frame is 0.15 K / W or less, 0.55 K / W or less. The total heat resistance is the sum of the interface thermal resistance and the internal thermal resistance of the adhesive layer. The apparatus is formed by a method including a step of cutting the adhesive film from the adhesive sheet and a step of heating the structure. The structure has a lead frame, an adhesive film disposed on the lead frame, and a silicon chip disposed on the adhesive film.

계면 열저항이 0.15K/W 이하이며, 총 열저항이 0.55K/W 이하인 것에 의해, 칩에서 발생하는 열을 효과적으로 리드 프레임으로 놓아줄 수 있다.Since the interface thermal resistance is 0.15 K / W or less and the total thermal resistance is 0.55 K / W or less, the heat generated in the chip can be effectively put into the lead frame.

바람직하게는, 본 발명의 접착 시트는 수지 성분을 포함한다. 바람직하게는, 수지 성분은, 유리 전이 온도 0℃ 이하, 중량 평균 분자량 85만∼140만의 아크릴 고무를 포함한다. 이러한 아크릴 고무는 가요성을 향상시킬 수 있다.Preferably, the adhesive sheet of the present invention comprises a resin component. Preferably, the resin component includes an acrylic rubber having a glass transition temperature of 0 DEG C or less and a weight average molecular weight of 850,000 to 1,400,000. Such an acrylic rubber can improve flexibility.

아크릴 고무의 함유량이 적을수록 130℃의 용융 점도가 낮아져, 계면 열저항이 낮아진다. 따라서, 수지 성분 100중량% 중의 아크릴 고무의 함유량은 30중량% 이하가 바람직하다. 한편, 아크릴 고무의 함유량은 5중량% 이상이 바람직하다. 5중량% 이상이면, 가요성이 양호하다.The smaller the content of the acrylic rubber is, the lower the melt viscosity at 130 캜 and the lower the interface thermal resistance. Therefore, the content of the acrylic rubber in 100 wt% of the resin component is preferably 30 wt% or less. On the other hand, the content of the acrylic rubber is preferably 5% by weight or more. If it is 5% by weight or more, flexibility is good.

카복시기는 알루미나 필러와 상호작용하기 때문에, 카복시기를 갖는 아크릴 고무를 배합하는 것에 의해 점도가 올라, 밀착성이 저하된다. 따라서, 카복시기를 갖지 않는 아크릴 고무가 바람직하다. 글리시딜기를 갖는 아크릴 고무를 배합하는 것에 의해 점도가 약간 올라, 밀착성이 저하된다. 따라서, 글리시딜기를 갖지 않는 아크릴 고무도 바람직하다.Since the carboxy group interacts with the alumina filler, when the acrylic rubber having a carboxy group is blended, the viscosity increases and the adhesiveness decreases. Therefore, an acrylic rubber having no carboxy group is preferable. When the acryl rubber having a glycidyl group is blended, the viscosity is slightly increased and the adhesion is lowered. Therefore, an acrylic rubber having no glycidyl group is also preferable.

바람직하게는, 본 발명의 접착 시트는 필러를 포함한다. 바람직하게는, 필러가 알루미나 필러를 포함한다. 바람직하게는, 알루미나 필러는 전처리용 실레인 커플링제에 의해 전처리된 표면 처리 필러이다.Preferably, the adhesive sheet of the present invention comprises a filler. Preferably, the filler comprises an alumina filler. Preferably, the alumina filler is a surface treated filler pretreated with a silane coupling agent for pretreatment.

에폭시기를 갖는 전처리용 실레인 커플링제, 다이아민기를 갖는 전처리용 실레인 커플링제 및 싸이올기를 갖는 전처리용 실레인 커플링제는, 다이 본딩 시의 유동성을 낮춘다. 따라서, 바람직하게는, 전처리용 실레인 커플링제는, 에폭시기, 다이아민기 및 싸이올기를 갖지 않는다.The silane coupling agent for pretreatment having an epoxy group, the silane coupling agent for pretreatment having a diamine group and the silane coupling agent for the pretreatment having a thiol group lower the fluidity at the time of die bonding. Therefore, preferably, the silane coupling agent for pretreatment does not have an epoxy group, a diamine group and a thiol group.

바람직하게는, 필러는 구상 필러이다. 다이 본딩 시의 유동성을 올리는 것이 가능하여, 계면 열저항을 낮출 수 있다는 이유로부터, 구상 필러의 진구도(眞球度)는, 바람직하게는 0.85 이상이다. 얇은 접착 시트를 제조할 수 있다는 이유로부터, 필러의 평균 입경은, 0.5μm∼1μm가 바람직하다. 구상 필러의 함유량은 75중량% 이상이 바람직하다.Preferably, the filler is a spherical filler. The sphericity of the spherical filler is preferably 0.85 or more because the fluidity at the time of die bonding can be increased and the interface thermal resistance can be lowered. For the reason that a thin adhesive sheet can be produced, the average particle diameter of the filler is preferably 0.5 m to 1 m. The content of the spherical filler is preferably 75 wt% or more.

다이 본딩 시의 유동성을 올릴 수 있다는 이유로부터, 바람직하게는, 본 발명의 접착 시트는 실온에서 액상인 제 1 에폭시 수지를 포함한다. 제 1 에폭시 수지의 에폭시 당량은 175g/eq. 이상이 바람직하다.The adhesive sheet of the present invention preferably comprises a first epoxy resin which is in a liquid state at room temperature, for the reason that the fluidity at the time of die bonding can be increased. The epoxy equivalent of the first epoxy resin was 175 g / eq. Or more.

바람직하게는, 본 발명의 접착 시트는 실온에서 고형인 제 2 에폭시 수지를 추가로 포함한다. 제 2 에폭시 수지의 에폭시 당량은 200g/eq. 이하가 바람직하다. 제 2 에폭시 수지를 제 1 에폭시 수지와 함께 사용하는 것에 의해, 경화성, 접착력을 올릴 수 있다.Preferably, the adhesive sheet of the present invention further comprises a second epoxy resin which is solid at room temperature. The epoxy equivalent of the second epoxy resin is 200 g / eq. Or less. By using the second epoxy resin together with the first epoxy resin, the curability and the adhesive strength can be increased.

두께가 작을수록 내부 열저항이 작다. 따라서, 본 발명에 있어서의 접착 시트의 두께는 15μm 이하가 바람직하다.The smaller the thickness, the smaller the internal thermal resistance. Therefore, the thickness of the adhesive sheet in the present invention is preferably 15 占 퐉 or less.

싸이올 골격을 갖는 실레인 커플링제, 다이싸이오펜 골격을 갖는 실레인 커플링제, 테트라싸이오펜 골격을 갖는 실레인 커플링제는 리드 프레임과 화학 결합을 형성 가능하여, 리드 프레임에 대한 젖음성을 올릴 수 있다. 결과적으로, 계면 열저항을 낮출 수 있다. 따라서, 바람직하게는, 본 발명의 접착 시트는 싸이올, 다이싸이오펜 및 테트라싸이오펜으로 이루어지는 군으로부터 선택된 적어도 1종의 골격을 갖는 실레인 커플링제를 포함한다.A silane coupling agent having a thiol skeleton, a silane coupling agent having a thiothiophene skeleton, and a silane coupling agent having a tetrathiophene skeleton can form a chemical bond with a lead frame, thereby increasing the wettability to the lead frame. have. As a result, the interface thermal resistance can be lowered. Accordingly, preferably, the adhesive sheet of the present invention comprises a silane coupling agent having at least one skeleton selected from the group consisting of thiols, dithiophenes and tetrathiophenes.

본 발명은 또한, 다이싱 테이프 일체형 접착 시트에 관한 것이다. 본 발명의 다이싱 테이프 일체형 접착 시트는, 기재 및 기재 상에 배치된 점착제층을 포함하는 다이싱 테이프와 점착제층 상에 배치된 접착 시트를 포함한다.The present invention also relates to a dicing tape-integrated adhesive sheet. The dicing tape-integrated adhesive sheet of the present invention comprises a dicing tape including a base material and a pressure-sensitive adhesive layer disposed on the base material, and an adhesive sheet disposed on the pressure-sensitive adhesive layer.

본 발명은 또한, 세퍼레이터와 세퍼레이터 상에 배치된 다이싱 테이프 일체형 접착 시트를 포함하는 필름에 관한 것이다.The present invention also relates to a film comprising a separator and a dicing tape-integrated adhesive sheet disposed on the separator.

본 발명은 또한, 접착 시트에 반도체 웨이퍼를 압착하는 공정과, 접착 시트에 반도체 웨이퍼를 압착하는 공정 후에, 다이 분할을 이루는 것에 의해 다이 본드용 칩을 형성하는 공정과, 다이 본드용 칩을 리드 프레임에 압착하는 공정을 포함하는 반도체 장치의 제조 방법에 관한 것이다. 다이 본드용 칩은, 반도체 칩 및 반도체 칩 상에 배치된 접착 필름을 포함한다.The present invention also provides a method for manufacturing a semiconductor device, comprising the steps of: pressing a semiconductor wafer onto an adhesive sheet; pressing the semiconductor wafer onto the adhesive sheet; forming a die bond by forming die segments; And a method of manufacturing the semiconductor device. The die bonding chip includes a semiconductor chip and an adhesive film disposed on the semiconductor chip.

본 발명은 또한, 이러한 방법에 의해 얻어진 반도체 장치에 관한 것이다.The present invention also relates to a semiconductor device obtained by such a method.

본 발명은, 칩에서 발생하는 열을 효과적으로 리드 프레임으로 놓아줄 수 있는 접착 시트를 제공할 수 있다.INDUSTRIAL APPLICABILITY The present invention can provide an adhesive sheet capable of effectively releasing heat generated in a chip into a lead frame.

본 발명은 또한, 이러한 접착 시트를 포함하는 다이싱 테이프 일체형 접착 시트, 필름을 제공할 수 있다. 본 발명은 또한, 이러한 접착 시트를 이용하는 반도체 장치의 제조 방법을 제공할 수 있다. 본 발명은 또한, 이러한 접착 시트를 이용하여 얻어진 반도체 장치를 제공할 수 있다.The present invention can also provide a dicing tape-integrated adhesive sheet, film comprising such an adhesive sheet. The present invention can also provide a method of manufacturing a semiconductor device using such an adhesive sheet. The present invention can also provide a semiconductor device obtained using such an adhesive sheet.

도 1은 필름의 개략 평면도이다.
도 2는 필름의 일부의 개략 단면도이다.
도 3은 장치의 개략 단면도이다.
도 4는 구조체의 개략 단면도이다.
도 5는 반도체 장치의 제조 공정의 개략 단면도이다.
도 6은 반도체 장치의 제조 공정의 개략 단면도이다.
도 7은 반도체 장치의 제조 공정의 개략 단면도이다.
도 8은 반도체 장치의 제조 공정의 개략 단면도이다.
도 9는 변형예 4에 있어서의 필름의 일부의 개략 단면도이다.
도 10은 실시형태 2에 있어서의 필름의 개략 단면도이다.Figure 1 is a schematic plan view of the film.
2 is a schematic sectional view of a part of the film.
3 is a schematic cross-sectional view of the device.
4 is a schematic cross-sectional view of the structure.
5 is a schematic cross-sectional view of the manufacturing process of the semiconductor device.
6 is a schematic cross-sectional view of the manufacturing process of the semiconductor device.
7 is a schematic cross-sectional view of the manufacturing process of the semiconductor device.
8 is a schematic cross-sectional view of the manufacturing process of the semiconductor device.
Fig. 9 is a schematic cross-sectional view of a part of the film in Modification 4. Fig.
10 is a schematic sectional view of the film in the second embodiment.

이하에 실시형태를 게재하여, 본 발명을 상세히 설명하지만, 본 발명은 이들 실시형태에만 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, the present invention will be described in detail by showing embodiments, but the present invention is not limited to these embodiments.

[실시형태 1][Embodiment 1]

(필름(1))(Film (1))

도 1 및 도 2에 나타내는 바와 같이, 필름(1)은, 세퍼레이터(13) 및 세퍼레이터(13) 상에 배치된 접착 시트(11)를 포함한다. 보다 구체적으로는, 필름(1)은, 세퍼레이터(13) 및 세퍼레이터(13) 상에 배치된 다이싱 테이프 일체형 접착 시트(71a, 71b, 71c, ……, 71m)(이하, 「다이싱 테이프 일체형 접착 시트(71)」라고 총칭한다.)를 포함한다. 다이싱 테이프 일체형 접착 시트(71a)와 다이싱 테이프 일체형 접착 시트(71b) 사이의 거리, 다이싱 테이프 일체형 접착 시트(71b)와 다이싱 테이프 일체형 접착 시트(71c) 사이의 거리, ……, 다이싱 테이프 일체형 접착 시트(71l)와 다이싱 테이프 일체형 접착 시트(71m) 사이의 거리는 일정하다. 필름(1)은 롤상을 이룰 수 있다.1 and 2, the film 1 includes a separator 13 and an adhesive sheet 11 disposed on the separator 13. As shown in Fig. More specifically, the film 1 includes dicing tape-integrated adhesive sheets 71a, 71b, 71c, ..., and 71m (hereinafter referred to as " dicing tape- Adhesive sheet 71 "). The distance between the dicing tape integral adhesive sheet 71a and the dicing tape integral adhesive sheet 71b, the distance between the dicing tape integral adhesive sheet 71b and the dicing tape integral adhesive sheet 71c, ... , The distance between the dicing tape-integrated adhesive sheet 71l and the dicing tape-integrated adhesive sheet 71m is constant. The film (1) can be rolled.

다이싱 테이프 일체형 접착 시트(71)는, 다이싱 테이프(12) 및 다이싱 테이프(12) 상에 배치된 접착 시트(11)를 포함한다. 다이싱 테이프(12)는, 기재(121) 및 기재(121) 상에 배치된 점착제층(122)을 포함한다. 접착 시트(11)는, 점착제층(122)과 접하는 제 1 주면(主面), 및 제 1 주면에 대향한 제 2 주면으로 양면을 정의할 수 있다. 제 2 주면은 세퍼레이터(13)와 접한다.The dicing tape-integrated adhesive sheet 71 includes a dicing tape 12 and an adhesive sheet 11 disposed on the dicing tape 12. The dicing tape- The dicing tape 12 includes a base material 121 and a pressure-sensitive adhesive layer 122 disposed on the base material 121. The adhesive sheet 11 can define both surfaces with a first major surface contacting the pressure-sensitive adhesive layer 122 and a second major surface opposed to the first major surface. The second main surface is in contact with the separator 13.

(접착 시트(11))(The adhesive sheet 11)

접착 시트(11)는 열경화성을 구비한다.The adhesive sheet 11 has a thermosetting property.

접착 시트(11)는 다음의 성질을 추가로 구비한다. 즉, 접착 시트(11)를 이용하여 장치(901)를 형성했을 때, 접착층(992) 및 리드 프레임(906)의 계면 열저항이 0.15K/W 이하이다. 총 열저항이 0.55K/W 이하이다.The adhesive sheet 11 further has the following properties. That is, when the device 901 is formed using the adhesive sheet 11, the interface thermal resistance of the adhesive layer 992 and the lead frame 906 is 0.15 K / W or less. Total heat resistance is 0.55 K / W or less.

도 3에 나타내는 바와 같이, 장치(901)는, 리드 프레임(906), 리드 프레임(906) 상에 배치된 접착층(992) 및 접착층(992) 상에 배치된 실리콘 칩(941)을 갖는다. 장치(901)는, 실리콘 칩(941)과 리드 프레임(906)을 접속하는 본딩 와이어(907)를 추가로 갖는다. 장치(901)는, 실리콘 칩(941)을 덮는 봉지 수지(908)를 추가로 갖는다.3, the device 901 has a lead frame 906, an adhesive layer 992 disposed on the lead frame 906, and a silicon chip 941 disposed on the adhesive layer 992. The device 901 further has a bonding wire 907 for connecting the silicon chip 941 and the lead frame 906. The apparatus 901 further has a sealing resin 908 covering the silicon chip 941. [

도 4에 나타내는 바와 같이, 장치(901)의 제작 방법은, 접착 시트(11)로부터 접착 필름(991)을 잘라내는 단계를 갖는다. 접착 시트(11)로부터 접착 필름(991)을 잘라내는 단계는, 접착 시트(11)에 실리콘 칩(941)을 압착하는 스텝, 및 접착 시트(11) 중 실리콘 칩(941)과 접하지 않는 부분을 떼어내는 것에 의해 필름 일체형 칩(905)을 형성하는 스텝을 포함한다. 필름 일체형 칩(905)은, 접착 필름(991) 및 접착 필름(991) 상에 배치된 실리콘 칩(941)을 포함한다.As shown in Fig. 4, the manufacturing method of the apparatus 901 has a step of cutting the adhesive film 991 from the adhesive sheet 11. Fig. The step of cutting off the adhesive film 991 from the adhesive sheet 11 includes a step of pressing the silicon chip 941 on the adhesive sheet 11 and a step of pressing the silicon chip 941 on the portion of the adhesive sheet 11 not in contact with the silicon chip 941 To form a film-integrated chip (905). The film-integrated chip 905 includes an adhesive film 991 and a silicon chip 941 disposed on the adhesive film 991.

장치(901)의 제작 방법은, 필름 일체형 칩(905)을 리드 프레임(906)에 압착하는 것에 의해 구조체(902)를 형성하는 단계를 추가로 갖는다. 구조체(902)는, 리드 프레임(906), 리드 프레임(906) 상에 배치된 접착 필름(991) 및 접착 필름(991) 상에 배치된 실리콘 칩(941)을 갖는다.The method of manufacturing the apparatus 901 further includes the step of forming the structure 902 by pressing the film integrated chip 905 onto the lead frame 906. [ The structure 902 has a lead frame 906, an adhesive film 991 disposed on the lead frame 906 and a silicon chip 941 disposed on the adhesive film 991.

장치(901)의 제작 방법은, 구조체(902)를 가열하는 단계를 추가로 갖는다.The method of making the apparatus 901 further includes the step of heating the structure 902.

계면 열저항은, 젖음성, 필러와 리드 프레임(906)의 접촉률, 경화 후의 열전도율 등에 의해 컨트롤할 수 있다.The interfacial thermal resistance can be controlled by the wettability, the contact ratio between the filler and the lead frame 906, the thermal conductivity after curing, and the like.

계면 열저항의 하한은, 예를 들면 0.01K/W, 0.05K/W 등이다.The lower limit of the interface thermal resistance is, for example, 0.01 K / W and 0.05 K / W.

총 열저항은, 계면 열저항 및 접착층(992)의 내부 열저항의 합계이다.The total heat resistance is the sum of the interfacial thermal resistance and the internal thermal resistance of the adhesive layer 992.

총 열저항의 하한은, 예를 들면 0.05K/W, 0.1K/W, 0.2K/W 등이다.The lower limit of total heat resistance is, for example, 0.05 K / W, 0.1 K / W, 0.2 K / W and the like.

내부 열저항은, 접착 시트(11)의 두께, 경화 후의 열전도율 등에 의해 컨트롤할 수 있다.The internal thermal resistance can be controlled by the thickness of the adhesive sheet 11, the thermal conductivity after curing, and the like.

계면 열저항 및 총 열저항은, 과도 열분석 장치를 이용하여 측정한다.The interfacial thermal resistance and the total thermal resistance are measured using a transient thermal analyzer.

접착 시트(11)에 있어서의 130℃의 용융 점도를 낮추는 것에 의해, 다이 본딩 시의 유동성을 올리는 것이 가능하여, 계면 열저항을 낮출 수 있다. 따라서, 접착 시트(11)에 있어서의 130℃의 용융 점도는, 바람직하게는 1000Pa·s 이하, 보다 바람직하게는 800Pa·s 이하, 더 바람직하게는 600Pa·s 이하이다. 한편, 130℃는, 다이 본딩의 일반적인 온도이다. 130℃의 용융 점도의 하한은, 예를 들면 10Pa·s, 50Pa·s, 100Pa·s 등이다.By lowering the melt viscosity at 130 占 폚 in the adhesive sheet 11, it is possible to increase the fluidity at the time of die bonding and lower the interface thermal resistance. Therefore, the melt viscosity of the adhesive sheet 11 at 130 캜 is preferably 1000 Pa · s or less, more preferably 800 Pa · s or less, and further preferably 600 Pa · s or less. On the other hand, 130 deg. C is a general temperature for die bonding. The lower limit of the melt viscosity at 130 캜 is, for example, 10 Pa · s, 50 Pa · s, 100 Pa · s, and the like.

바람직하게는, 접착 시트(11)는 다음의 성질을 추가로 구비한다. 즉, 120℃를 1시간 유지하고, 이어서 175℃를 1시간 유지하는 것에 의해 경화시킨 후에 있어서의 열전도율은 1W/m·K 이상이다. 열전도율은 1W/m·K 이상이면, 칩에서 발생하는 열을 효과적으로 리드 프레임으로 놓아줄 수 있다. 열전도율의 상한은, 예를 들면 20W/m·K, 10W/m·K, 5W/m·K이다.Preferably, the adhesive sheet 11 further has the following properties. That is, the thermal conductivity after curing by holding at 120 ° C for 1 hour and then at 175 ° C for 1 hour is 1 W / m · K or more. If the thermal conductivity is 1 W / m · K or more, the heat generated from the chip can be effectively put into the lead frame. The upper limit of the thermal conductivity is, for example, 20 W / mK, 10 W / mK, and 5 W / mK.

접착 시트(11)는 수지 성분을 포함한다. 수지 성분으로서는, 아크릴 고무, 열경화성 수지 등을 들 수 있다.The adhesive sheet 11 includes a resin component. Examples of the resin component include an acrylic rubber, a thermosetting resin and the like.

아크릴 고무로서는, 특별히 한정되는 것은 아니며, 탄소수 30 이하, 특히 탄소수 4∼18의 직쇄 또는 분기의 알킬기를 갖는 아크릴산 또는 메타크릴산의 에스터의 1종 또는 2종 이상을 성분으로 하는 중합체(아크릴 공중합체) 등을 들 수 있다. 상기 알킬기로서는, 예를 들면 메틸기, 에틸기, 프로필기, 아이소프로필기, n-뷰틸기, t-뷰틸기, 아이소뷰틸기, 아밀기, 아이소아밀기, 헥실기, 헵틸기, 사이클로헥실기, 2-에틸헥실기, 옥틸기, 아이소옥틸기, 노닐기, 아이소노닐기, 데실기, 아이소데실기, 운데실기, 라우릴기, 트라이데실기, 테트라데실기, 스테아릴기, 옥타데실기, 또는 도데실기 등을 들 수 있다.The acrylic rubber is not particularly limited, and a polymer comprising one or more kinds of acrylic acid or methacrylic acid ester having a straight chain or branched alkyl group having 30 or less carbon atoms, particularly 4 to 18 carbon atoms (acrylic copolymer ) And the like. Examples of the alkyl group include a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, an n-butyl group, a t-butyl group, an isobutyl group, an amyl group, an isoamyl group, a hexyl group, a heptyl group, An ethylhexyl group, an octyl group, an isooctyl group, a nonyl group, an isononyl group, a decyl group, an isodecyl group, an undecyl group, a lauryl group, a tridecyl group, a tetradecyl group, a stearyl group, Dodecyl group and the like.

또한, 중합체(아크릴 공중합체)를 형성하는 다른 모노머로서는, 특별히 한정되는 것은 아니며, 예를 들면 아크릴산, 메타크릴산, 카복시에틸 아크릴레이트, 카복시펜틸 아크릴레이트, 이타콘산, 말레산, 퓨마르산 또는 크로톤산 등과 같은 카복실기 함유 모노머, 무수 말레산 또는 무수 이타콘산 등과 같은 산 무수물 모노머, (메트)아크릴산 2-하이드록시에틸, (메트)아크릴산 2-하이드록시프로필, (메트)아크릴산 4-하이드록시뷰틸, (메트)아크릴산 6-하이드록시헥실, (메트)아크릴산 8-하이드록시옥틸, (메트)아크릴산 10-하이드록시데실, (메트)아크릴산 12-하이드록시라우릴 또는 (4-하이드록시메틸사이클로헥실)-메틸 아크릴레이트 등과 같은 하이드록실기 함유 모노머, 스타이렌설폰산, 알릴설폰산, 2-(메트)아크릴아마이드-2-메틸프로페인설폰산, (메트)아크릴아마이드프로페인설폰산, 설포프로필 (메트)아크릴레이트 또는 (메트)아크릴로일옥시나프탈렌설폰산 등과 같은 설폰산기 함유 모노머, 또는 2-하이드록시에틸아크릴로일포스페이트 등과 같은 인산기 함유 모노머를 들 수 있다.The other monomer forming the polymer (acrylic copolymer) is not particularly limited, and examples thereof include acrylic acid, methacrylic acid, carboxyethyl acrylate, carboxypentyl acrylate, itaconic acid, maleic acid, fumaric acid or croton (Meth) acrylate, 2-hydroxyethyl (meth) acrylate, 2-hydroxypropyl (meth) acrylate, 4-hydroxybutyl (meth) acrylate and the like. Hydroxyhexyl (meth) acrylate, 8-hydroxyoctyl (meth) acrylate, 10-hydroxydecyl (meth) acrylate, 12-hydroxylauryl (meth) acrylate or (4-hydroxymethylcyclohexyl ) -Methyl acrylate and the like, monomers containing a hydroxyl group such as styrene sulfonic acid, allylsulfonic acid, 2- (meth) acrylamide-2-methylpropanesulfonic acid, Sulfonic acid group-containing monomers such as acrylamide propyl sulfonic acid, sulfopropyl (meth) acrylate or (meth) acryloyloxynaphthalenesulfonic acid, and phosphoric acid group-containing monomers such as 2-hydroxyethyl acryloyl phosphate. have.

아크릴 고무의 유리 전이 온도는 바람직하게는 0℃ 이하, 보다 바람직하게는 -20℃ 이하, 더 바람직하게는 -30℃ 이하이다. 0℃ 이하이면, 가요성이 양호하다. 아크릴 고무의 유리 전이 온도의 하한은, 예를 들면 -70℃, -50℃ 등이다.The glass transition temperature of the acrylic rubber is preferably 0 占 폚 or lower, more preferably -20 占 폚 or lower, and still more preferably -30 占 폚 or lower. When it is 0 DEG C or less, flexibility is good. The lower limit of the glass transition temperature of the acrylic rubber is, for example, -70 캜, -50 캜 and the like.

아크릴 고무의 중량 평균 분자량은 바람직하게는 85만∼140만이다. 85만∼140만이면, 가요성이 양호하다.The weight average molecular weight of the acrylic rubber is preferably from 850,000 to 1.4 million. If it is from 850,000 to 140,000, the flexibility is good.

한편, 중량 평균 분자량은, GPC(겔 퍼미에이션 크로마토그래피)에 의해 측정하여, 폴리스타이렌 환산에 의해 산출된 값이다.On the other hand, the weight average molecular weight is a value calculated by polystyrene conversion as measured by GPC (gel permeation chromatography).

아크릴 고무는, 바람직하게는 수산기(하이드록실기)를 갖는다. 아크릴 고무가 수산기를 가지면, 아크릴 고무가 에폭시 수지와 반응할 수 있다.The acrylic rubber preferably has a hydroxyl group (hydroxyl group). If the acrylic rubber has a hydroxyl group, the acrylic rubber may react with the epoxy resin.

카복시기는 알루미나 필러와 상호작용하기 때문에, 카복시기를 갖는 아크릴 고무를 배합하는 것에 의해 점도가 올라, 밀착성이 저하된다. 따라서, 카복시기를 갖지 않는 아크릴 고무가 바람직하다.Since the carboxy group interacts with the alumina filler, when the acrylic rubber having a carboxy group is blended, the viscosity increases and the adhesiveness decreases. Therefore, an acrylic rubber having no carboxy group is preferable.

글리시딜기를 갖는 아크릴 고무를 배합하는 것에 의해 점도가 약간 올라, 밀착성이 저하된다. 따라서, 글리시딜기를 갖지 않는 아크릴 고무가 바람직하다.When the acryl rubber having a glycidyl group is blended, the viscosity is slightly increased and the adhesion is lowered. Therefore, an acrylic rubber having no glycidyl group is preferable.

수지 성분 100중량% 중의 아크릴 고무의 함유량은, 바람직하게는 30중량% 이하, 보다 바람직하게는 25중량% 이하, 더 바람직하게는 14중량% 이하이다. 아크릴 고무의 함유량이 적을수록 130℃의 용융 점도가 낮아져, 계면 열저항이 낮아진다. 수지 성분 100중량% 중의 아크릴 고무의 함유량은, 바람직하게는 5중량% 이상이다. 5중량% 이상이면, 가요성이 양호하다.The content of the acrylic rubber in 100 wt% of the resin component is preferably 30 wt% or less, more preferably 25 wt% or less, and further preferably 14 wt% or less. The smaller the content of the acrylic rubber is, the lower the melt viscosity at 130 캜 and the lower the interface thermal resistance. The content of the acrylic rubber in 100 wt% of the resin component is preferably 5 wt% or more. If it is 5% by weight or more, flexibility is good.

열경화성 수지로서는, 에폭시 수지, 페놀 수지 등을 들 수 있다.Examples of the thermosetting resin include an epoxy resin and a phenol resin.

에폭시 수지로서는 특별히 한정되지 않고, 예를 들면 비스페놀 A형, 비스페놀 F형, 비스페놀 S형, 브로민화 비스페놀 A형, 수첨 비스페놀 A형, 비스페놀 AF형, 바이페닐형, 나프탈렌형, 플루오렌형, 페놀노볼락형, 오쏘크레졸노볼락형, 트리스하이드록시페닐메테인형, 테트라페닐올에테인형 등의 2작용 에폭시 수지나 다작용 에폭시 수지, 또는 하이단토인형, 트리스글리시딜 아이소사이아누레이트형 또는 글리시딜 아민형 등의 에폭시 수지가 이용된다. 이들 에폭시 수지 중 노볼락형 에폭시 수지, 바이페닐형 에폭시 수지, 트리스하이드록시페닐메테인형 수지 또는 테트라페닐올에테인형 에폭시 수지가 특히 바람직하다. 이들 에폭시 수지는, 경화제로서의 페놀 수지와의 반응성이 풍부하여, 내열성 등이 우수하기 때문이다.The epoxy resin is not particularly limited and examples thereof include bisphenol A type, bisphenol F type, bisphenol S type, brominated bisphenol A type, hydrogenated bisphenol A type, bisphenol AF type, biphenyl type, naphthalene type, fluorene type, phenol A bifunctional epoxy resin or a polyfunctional epoxy resin such as a novolak type, an orthocresol novolak type, a tris hydroxyphenyl methane type, a tetraphenylol ethene type or a polyfunctional epoxy resin such as a higanto doll, a trisglycidyl isocyanurate type, An epoxy resin such as glycidylamine type is used. Of these epoxy resins, novolak type epoxy resins, biphenyl type epoxy resins, trishydroxyphenylmethane type resins and tetraphenylol ethane type epoxy resins are particularly preferable. These epoxy resins are rich in reactivity with a phenol resin as a curing agent, and are excellent in heat resistance and the like.

바람직하게는, 수지 성분은, 실온에서 액상인 에폭시 수지(이하, 「제 1 에폭시 수지」라고 한다)를 포함한다. 제 1 에폭시 수지는, 다이 본딩 시의 유동성을 올릴 수 있다.Preferably, the resin component includes an epoxy resin which is liquid at room temperature (hereinafter referred to as " first epoxy resin "). The first epoxy resin can increase the fluidity at the time of die bonding.

제 1 에폭시 수지의 에폭시 당량은, 바람직하게는 175g/eq. 이상이다. 제 1 에폭시 수지의 에폭시 당량의 상한은, 예를 들면, 250g/eq., 200g/eq. 등이다.The epoxy equivalent of the first epoxy resin is preferably 175 g / eq. Or more. The upper limit of the epoxy equivalence of the first epoxy resin is, for example, 250 g / eq., 200 g / eq. .

한편, 에폭시 수지의 에폭시 당량은, JIS K 7236-2009에 규정된 방법으로 측정할 수 있다.On the other hand, the epoxy equivalent of the epoxy resin can be measured by the method specified in JIS K 7236-2009.

본 명세서에 있어서, 실온에서 액상이란, 25℃의 점도가 5000Pa·s 미만인 것을 말한다. 한편, 점도는, Thermo Scientific사제의 형식번호 HAAKE Roto VISCO1로 측정할 수 있다.In the present specification, the liquid phase at room temperature means that the viscosity at 25 ° C is less than 5000 Pa · s. On the other hand, the viscosity can be measured with a model No. HAAKE Roto VISCO1 manufactured by Thermo Scientific.

제 1 에폭시 수지로서는, 비스페놀 F형이 바람직하다.As the first epoxy resin, bisphenol F type is preferable.

수지 성분 100중량% 중의 제 1 에폭시 수지의 함유량은, 바람직하게는 3중량% 이상, 보다 바람직하게는 5중량% 이상, 더 바람직하게는 10중량% 이상이다. 수지 성분 100중량% 중의 제 1 에폭시 수지의 함유량은, 바람직하게는 60중량% 이하, 보다 바람직하게는 40중량% 이하이다.The content of the first epoxy resin in 100% by weight of the resin component is preferably 3% by weight or more, more preferably 5% by weight or more, and still more preferably 10% by weight or more. The content of the first epoxy resin in 100 wt% of the resin component is preferably 60 wt% or less, and more preferably 40 wt% or less.

바람직하게는, 수지 성분은 실온에서 고형인 에폭시 수지(이하, 「제 2 에폭시 수지」라고 한다)를 추가로 포함한다.Preferably, the resin component further comprises an epoxy resin which is solid at room temperature (hereinafter referred to as " second epoxy resin ").

제 2 에폭시 수지의 에폭시 당량은, 바람직하게는 200g/eq. 이하이다. 에폭시 당량 200g/eq. 이하의 제 2 에폭시 수지를 제 1 에폭시 수지와 함께 사용하는 것에 의해, 경화성, 접착력을 올릴 수 있다. 제 2 에폭시 수지의 에폭시 당량의 하한은, 예를 들면, 100g/eq. 등이다.The epoxy equivalent of the second epoxy resin is preferably 200 g / eq. Or less. Epoxy equivalent of 200 g / eq. By using the second epoxy resin together with the first epoxy resin, the curing property and the adhesive strength can be increased. The lower limit of the epoxy equivalent of the second epoxy resin is, for example, 100 g / eq. .

수지 성분 100중량% 중의 제 2 에폭시 수지의 함유량은, 바람직하게는 3중량% 이상, 보다 바람직하게는 5중량% 이상이다. 수지 성분 100중량% 중의 제 2 에폭시 수지의 함유량은, 바람직하게는 60중량% 이하, 보다 바람직하게는 40중량% 이하, 더 바람직하게는 20중량% 이하이다.The content of the second epoxy resin in 100 wt% of the resin component is preferably 3 wt% or more, and more preferably 5 wt% or more. The content of the second epoxy resin in 100% by weight of the resin component is preferably 60% by weight or less, more preferably 40% by weight or less, and still more preferably 20% by weight or less.

페놀 수지는, 에폭시 수지의 경화제로서 작용하는 것이며, 예를 들면, 페놀노볼락 수지, 페놀아르알킬 수지, 크레졸노볼락 수지, tert-뷰틸페놀노볼락 수지, 노닐페놀노볼락 수지 등의 노볼락형 페놀 수지, 레졸형 페놀 수지, 폴리파라옥시스타이렌 등의 폴리옥시스타이렌 등을 들 수 있다. 이들 페놀 수지 중 페놀노볼락 수지, 페놀아르알킬 수지가 특히 바람직하다. 반도체 장치의 접속 신뢰성을 향상시킬 수 있기 때문이다.The phenol resin acts as a curing agent for the epoxy resin. Examples thereof include phenol novolac resins, phenol aralkyl resins, cresol novolak resins, tert-butyl phenol novolac resins, and novolac phenol novolac resins, Phenol resins, resole-type phenol resins, and polyoxystyrenes such as polyparaxyxystyrene. Of these phenolic resins, phenol novolac resins and phenol aralkyl resins are particularly preferable. This is because connection reliability of the semiconductor device can be improved.

페놀 수지의 수산기 당량은, 바람직하게는 150g/eq. 이상, 보다 바람직하게는 170g/eq. 이상이다. 한편, 페놀 수지의 수산기 당량은, 바람직하게는 300g/eq. 이하, 보다 바람직하게는 250g/eq. 이하이다.The hydroxyl group equivalent of the phenol resin is preferably 150 g / eq. Or more, more preferably 170 g / eq. Or more. On the other hand, the hydroxyl group equivalent of the phenol resin is preferably 300 g / eq. More preferably 250 g / eq. Or less.

페놀 수지는, 바람직하게는 실온에서 고형을 이룬다.The phenolic resin is preferably solid at room temperature.

에폭시 수지와 페놀 수지의 배합 비율은, 예를 들면, 에폭시 수지 성분 중의 에폭시기 1당량당 페놀 수지 중의 수산기가 0.5∼2.0당량이 되도록 배합하는 것이 적합하다. 보다 적합한 것은 0.8∼1.2당량이다. 즉, 양자의 배합 비율이 이러한 범위를 벗어나면, 충분한 경화 반응이 진행되지 않고, 경화물의 특성이 열화되기 쉬워지기 때문이다.The mixing ratio of the epoxy resin to the phenol resin is preferably such that the hydroxyl group in the phenol resin is equivalent to 0.5 to 2.0 equivalents per equivalent of the epoxy group in the epoxy resin component. More suitable is 0.8 to 1.2 equivalents. That is, if the blending ratio of the two is out of this range, a sufficient curing reaction does not proceed and the properties of the cured product are liable to deteriorate.

수지 성분 100중량% 중의 에폭시 수지 및 페놀 수지의 합계 함유량은, 바람직하게는 70중량% 이상, 보다 바람직하게는 75중량% 이상, 더 바람직하게는 86중량% 이상이다. 한편, 에폭시 수지 및 페놀 수지의 합계 함유량은, 바람직하게는 95중량% 이하이다.The total content of the epoxy resin and the phenol resin in 100 wt% of the resin component is preferably 70 wt% or more, more preferably 75 wt% or more, and even more preferably 86 wt% or more. On the other hand, the total content of the epoxy resin and the phenol resin is preferably 95% by weight or less.

접착 시트(11)는, 바람직하게는 필러를 포함한다.The adhesive sheet 11 preferably includes a filler.

필러의 열전도율은, 바람직하게는 12W/m·K 이상, 보다 바람직하게는 20W/m·K 이상이다. 필러의 열전도율의 상한은, 예를 들면 400W/m·K, 50W/m·K 등이다.The thermal conductivity of the filler is preferably 12 W / m · K or more, and more preferably 20 W / m · K or more. The upper limit of the thermal conductivity of the filler is, for example, 400 W / mK, 50 W / mK.

한편, 필러의 열전도율은, X선 구조 해석에 의해 얻어진 결정 구조로부터 추정할 수 있다.On the other hand, the thermal conductivity of the filler can be estimated from the crystal structure obtained by X-ray structural analysis.

열전도성이 높고, 진구도가 높은 것을 입수하기 쉽다는 점에서, 알루미나 필러가 바람직하다. 알루미나 필러의 열전도율은 36W/m·K 정도이다.An alumina filler is preferable because it has high thermal conductivity and high sphericity and is easy to obtain. The thermal conductivity of the alumina filler is about 36 W / m · K.

필러의 형상으로서는, 예를 들면, 플레이크상, 침상, 필라멘트상, 구상, 인편상 등을 들 수 있다. 다이 본딩 시의 유동성을 올리는 것이 가능하여, 계면 열저항을 낮출 수 있다는 이유로부터, 구상이 바람직하다.Examples of the shape of the filler include flake, needle, filament, spherical, scaly and the like. Squeezing is preferable because it is possible to increase the fluidity at the time of die bonding and lower the interface thermal resistance.

얇은 접착 시트(11)를 제조할 수 있다는 이유로부터, 필러의 평균 입경은, 바람직하게는 0.5μm∼1μm이다.For the reason that a thin adhesive sheet 11 can be produced, the average particle diameter of the filler is preferably 0.5 m to 1 m.

한편, 필러의 평균 입경은, 이하의 방법으로 측정할 수 있다.On the other hand, the average particle diameter of the filler can be measured by the following method.

필러의 평균 입경의 측정Measurement of average particle diameter of filler

접착 시트(11)를 도가니에 넣고, 대기 분위기 하, 700℃에서 2시간 강열로 회화(灰化)시킨다. 얻어진 회분을 순수 중에 분산시켜 10분간 초음파 처리하고, 레이저 회절 산란식 입도 분포 측정 장치(베크만쿨터사제, 「LS 13 320」; 습식법)를 이용하여 평균 입경을 구한다.The adhesive sheet 11 is placed in a crucible and is subjected to heat treatment at 700 ° C for two hours in an atmosphere atmosphere (ashing). The obtained ash was dispersed in pure water and ultrasonicated for 10 minutes, and the average particle size was determined using a laser diffraction scattering particle size distribution analyzer (Beckman Coulter, "LS 13 320"; wet method).

필러의 입도 분포에 있어서, 피크는 1개가 바람직하다.In the particle size distribution of the filler, one peak is preferable.

다이 본딩 시의 유동성을 올리는 것이 가능하여, 계면 열저항을 낮출 수 있다는 이유로부터, 필러의 진구도는, 바람직하게는 0.85 이상이다. 한편, 진구도가 1에 가까워질수록 진구에 가까운 것을 나타낸다.The sphericity of the filler is preferably 0.85 or more because the fluidity at the time of die bonding can be increased and the interface thermal resistance can be lowered. On the other hand, the closer to 1, the closer to Jingu.

한편, 필러의 진구도는, 이하의 방법으로 측정할 수 있다.On the other hand, the sphericity of the filler can be measured by the following method.

진구도의 측정Measurement

접착 시트(11)를 도가니에 넣고, 대기 분위기 하, 700℃에서 2시간 강열로 회화시킨다. 얻어진 회분을 SEM으로 사진을 찍어, 그 관찰되는 입자의 면적과 주위 길이로부터, 하기 식으로 진구도를 산출한다. 한편, 100개의 입자에 대하여, 화상 처리 장치(시스멕스주식회사: FPIA-3000)를 이용하여 진구도를 측정한다.The adhesive sheet 11 is placed in a crucible and is subjected to heat treatment at 700 DEG C for 2 hours in an atmosphere atmosphere. The obtained ash is photographed by SEM, and the sphericity is calculated from the observed particle size and the peripheral length by the following formula. On the other hand, for 100 particles, the sphericity is measured using an image processing apparatus (SISMEX Corporation: FPIA-3000).

(진구도) = {4π×(면적)÷(주위 길이)2}(Jingudo) = {4 pi x (area) / (circumference length) 2 }

바람직하게는, 필러는 전처리용 실레인 커플링제에 의해 전처리된 표면 처리 필러이다.Preferably, the filler is a surface treated filler pretreated with a silane coupling agent for pretreatment.

에폭시기를 갖는 전처리용 실레인 커플링제, 다이아민기를 갖는 전처리용 실레인 커플링제 및 싸이올기를 갖는 전처리용 실레인 커플링제는, 다이 본딩 시의 유동성을 낮춘다. 따라서, 바람직하게는, 전처리용 실레인 커플링제는, 에폭시기, 다이아민기 및 싸이올기를 갖지 않는다.The silane coupling agent for pretreatment having an epoxy group, the silane coupling agent for pretreatment having a diamine group and the silane coupling agent for the pretreatment having a thiol group lower the fluidity at the time of die bonding. Therefore, preferably, the silane coupling agent for pretreatment does not have an epoxy group, a diamine group and a thiol group.

바람직하게는, 전처리용 실레인 커플링제는, 메톡시기 또는 에톡시기를 갖는다. 그 중에서도, 가수 분해 속도가 빨라 처리가 용이하다는 이유로부터, 메톡시기가 바람직하다.Preferably, the silane coupling agent for pretreatment has a methoxy group or an ethoxy group. Among them, a methoxy group is preferable because of its high hydrolysis rate and easy processing.

바람직하게는, 전처리용 실레인 커플링제는 메타크릴기를 갖는다.Preferably, the silane coupling agent for pretreatment has a methacryl group.

전처리용 실레인 커플링제에 의해 필러를 처리하는 방법으로서는 특별히 한정되지 않고, 용매 중에서 필러와 전처리용 실레인 커플링제를 혼합하는 습식법, 기상 중에서 필러와 전처리용 실레인 커플링제를 처리시키는 건식법 등을 들 수 있다.The method for treating the filler with the silane coupling agent for pretreatment is not particularly limited, and a wet method in which a filler and a silane coupling agent for pretreatment are mixed in a solvent, a dry method in which a filler and a silane coupling agent for pretreatment are treated in a gas phase .

전처리용 실레인 커플링제의 처리량은 특별히 한정되지 않지만, 필러 100중량부에 대해서, 전처리용 실레인 커플링제를 0.05∼5중량부 처리하는 것이 바람직하다.The throughput of the silane coupling agent for pretreatment is not particularly limited, but it is preferable to treat 0.05 to 5 parts by weight of the silane coupling agent for pretreatment with respect to 100 parts by weight of the filler.

접착 시트(11) 중의 필러의 함유량은, 바람직하게는 75중량% 이상, 보다 바람직하게는 78중량% 이상이다. 한편, 필러의 함유량의 상한은, 예를 들면 90중량%, 85중량% 등이다.The content of the filler in the adhesive sheet 11 is preferably 75% by weight or more, and more preferably 78% by weight or more. On the other hand, the upper limit of the content of the filler is, for example, 90% by weight or 85% by weight.

접착 시트(11)는, 바람직하게는 실레인 커플링제를 포함한다. 싸이올 골격을 갖는 실레인 커플링제, 다이싸이오펜 골격을 갖는 실레인 커플링제, 테트라싸이오펜 골격을 갖는 실레인 커플링제는 리드 프레임과 화학 결합을 형성 가능하여, 리드 프레임에 대한 젖음성을 올릴 수 있다. 결과적으로, 계면 열저항을 낮출 수 있다. 따라서, 싸이올 골격을 갖는 실레인 커플링제, 다이싸이오펜 골격을 갖는 실레인 커플링제, 테트라싸이오펜 골격을 갖는 실레인 커플링제가 바람직하다.The adhesive sheet 11 preferably includes a silane coupling agent. A silane coupling agent having a thiol skeleton, a silane coupling agent having a thiothiophene skeleton, and a silane coupling agent having a tetrathiophene skeleton can form a chemical bond with a lead frame, thereby increasing the wettability to the lead frame. have. As a result, the interface thermal resistance can be lowered. Therefore, a silane coupling agent having a thiol skeleton, a silane coupling agent having a thiothiophene skeleton, and a silane coupling agent having a tetrathiophene skeleton are preferable.

접착 시트(11) 중의 실레인 커플링제의 함유량은, 바람직하게는 0.005중량% 이상, 보다 바람직하게는 0.01중량% 이상이다. 접착 시트(11) 중의 실레인 커플링제의 함유량은, 바람직하게는 0.5중량% 이하, 보다 바람직하게는 0.1중량% 이하이다.The content of the silane coupling agent in the adhesive sheet (11) is preferably 0.005% by weight or more, and more preferably 0.01% by weight or more. The content of the silane coupling agent in the adhesive sheet (11) is preferably 0.5% by weight or less, more preferably 0.1% by weight or less.

접착 시트(11)는 경화 촉진제를 포함하는 것이 바람직하다. 경화 촉진제의 함유량은, 수지 성분 100중량부에 대해, 바람직하게는 0.1∼5중량부, 보다 바람직하게는 0.1∼3중량부이다. 0.1중량부 이상이면, 단시간에 경화시키는 것이 가능하다.The adhesive sheet 11 preferably includes a curing accelerator. The content of the curing accelerator is preferably 0.1 to 5 parts by weight, more preferably 0.1 to 3 parts by weight, based on 100 parts by weight of the resin component. When the amount is 0.1 part by weight or more, curing can be performed in a short time.

경화 촉진제로서는 특별히 한정되지 않고, 예를 들면, 이미다졸계 화합물, 트라이페닐포스핀계 화합물, 아민계 화합물, 트라이페닐보레인계 화합물, 트라이할로젠보레인계 화합물 등을 들 수 있다.The curing accelerator is not particularly limited and examples thereof include an imidazole-based compound, a triphenylphosphine-based compound, an amine-based compound, a triphenylborene-based compound, and a trihalogenborane-based compound.

이미다졸계 화합물로서는, 2-메틸이미다졸(상품명; 2MZ), 2-운데실이미다졸(상품명; C11Z), 2-헵타데실이미다졸(상품명; C17Z), 1,2-다이메틸이미다졸(상품명; 1.2DMZ), 2-에틸-4-메틸이미다졸(상품명; 2E4MZ), 2-페닐이미다졸(상품명; 2PZ), 2-페닐-4-메틸이미다졸(상품명; 2P4MZ), 1-벤질-2-메틸이미다졸(상품명; 1B2MZ), 1-벤질-2-페닐이미다졸(상품명; 1B2PZ), 1-사이아노에틸-2-메틸이미다졸(상품명; 2MZ-CN), 1-사이아노에틸-2-운데실이미다졸(상품명; C11Z-CN), 1-사이아노에틸-2-페닐이미다졸륨 트라이멜리테이트(상품명; 2PZCNS-PW), 2,4-다이아미노-6-[2'-메틸이미다졸릴-(1')]-에틸-s-트라이아진(상품명; 2MZ-A), 2,4-다이아미노-6-[2'-운데실이미다졸릴-(1')]-에틸-s-트라이아진(상품명; C11Z-A), 2,4-다이아미노-6-[2'-에틸-4'-메틸이미다졸릴-(1')]-에틸-s-트라이아진(상품명; 2E4MZ-A), 2,4-다이아미노-6-[2'-메틸이미다졸릴-(1')]-에틸-s-트라이아진아이소사이아누르산 부가물(상품명; 2MA-OK), 2-페닐-4,5-다이하이드록시메틸이미다졸(상품명; 2PHZ-PW), 2-페닐-4-메틸-5-하이드록시메틸이미다졸(상품명; 2P4MHZ-PW) 등을 들 수 있다(모두 시코쿠 화성(주)제).Examples of the imidazole compound include 2-methylimidazole (trade name: 2MZ), 2-undecylimidazole (trade name: C11Z), 2-heptadecylimidazole (trade name: C17Z) 2-phenylimidazole (trade name: 2PZ), 2-phenyl-4-methylimidazole (trade name: 1.2MZ), 2-ethyl-4-methylimidazole 1-benzyl-2-methylimidazole (trade name: 1B2MZ), 1-benzyl-2-phenylimidazole 2MZ-CN), 1-cyanoethyl-2-undecylimidazole (trade name: C11Z-CN), 1-cyanoethyl- 2MZ-A), 2,4-diamino-6- [2 ', 5'-tetramethyl- (1 ')] - ethyl-s-triazine (trade name C11Z-A), 2,4-diamino-6- [2'-ethyl-4'-methylimidazolyl- (1 ')] - ethyl-s-triazine (trade name: 2E4MZ-A), 2,4-diamino- -Methylimidazolyl- (1 ')] - ethyl-s-triazine isocyanuric acid adduct (trade name: 2MA-OK), 2-phenyl-4,5-dihydroxymethylimidazole ; 2PHZ-PW), 2-phenyl-4-methyl-5-hydroxymethylimidazole (trade name: 2P4MHZ-PW) and the like (all available from Shikoku Chemical Co., Ltd.).

트라이페닐포스핀계 화합물로서는 특별히 한정되지 않고, 예를 들면, 트라이페닐포스핀, 트라이뷰틸포스핀, 트라이(p-메틸페닐)포스핀, 트라이(노닐페닐)포스핀, 다이페닐톨릴포스핀 등의 트라이오가노포스핀, 테트라페닐포스포늄 브로마이드(상품명; TPP-PB), 메틸트라이페닐포스포늄(상품명; TPP-MB), 메틸트라이페닐포스포늄 클로라이드(상품명; TPP-MC), 메톡시메틸트라이페닐포스포늄(상품명; TPP-MOC), 벤질트라이페닐포스포늄 클로라이드(상품명; TPP-ZC) 등을 들 수 있다(모두 홋코우화학사제).Examples of the triphenylphosphine compound include, but are not limited to, triphenylphosphine, triphenylphosphine, tri (p-methylphenyl) phosphine, tri (nonylphenyl) phosphine, diphenyltolylphosphine, TPP-MB), methyltriphenylphosphonium chloride (trade name: TPP-MC), methoxymethyltriphenylphosphorus (trade name: TPP-MB), methyltriphenylphosphonium chloride (Trade name: TPP-MOC), benzyltriphenylphosphonium chloride (trade name: TPP-ZC) and the like (all manufactured by Hokko Chemical Co., Ltd.).

트라이페닐보레인계 화합물로서는 특별히 한정되지 않고, 예를 들면, 트라이(p-메틸페닐)포스핀 등을 들 수 있다. 또한, 트라이페닐보레인계 화합물로서는, 추가로 트라이페닐포스핀 구조를 갖는 것도 포함된다. 트라이페닐포스핀 구조 및 트라이페닐보레인 구조를 갖는 화합물로서는 특별히 한정되지 않고, 예를 들면, 테트라페닐포스포늄 테트라페닐보레이트(상품명; TPP-K), 테트라페닐포스포늄 테트라-p-트라이보레이트(상품명; TPP-MK), 벤질트라이페닐포스포늄 테트라페닐보레이트(상품명; TPP-ZK), 트라이페닐포스핀 트라이페닐보레인(상품명; TPP-S) 등을 들 수 있다(모두 홋코우화학사제).The triphenylborane-based compound is not particularly limited, and examples thereof include tri (p-methylphenyl) phosphine and the like. The triphenylborane-based compound further includes a compound having a triphenylphosphine structure. The compound having a triphenylphosphine structure and a triphenylborane structure is not particularly limited and includes, for example, tetraphenylphosphonium tetraphenylborate (trade name: TPP-K), tetraphenylphosphonium tetra-p-triborate (Trade name, TPP-MK), benzyltriphenylphosphonium tetraphenylborate (trade name: TPP-ZK), triphenylphosphine triphenylborane (trade name: TPP-S) .

아미노계 화합물로서는 특별히 한정되지 않고, 예를 들면, 모노에탄올아민 트라이플루오로보레이트(스텔라케미파(주)제), 다이사이안다이아마이드(나칼라이테스크(주)제) 등을 들 수 있다.The amino-based compound is not particularly limited, and examples thereof include monoethanolamine trifluorifluoroborate (manufactured by Stella Chemipa Corporation) and dicyandiamide (manufactured by Nacalai Tesque).

트라이할로젠보레인계 화합물로서는 특별히 한정되지 않고, 예를 들면, 트라이클로로보레인 등을 들 수 있다.The trihalogenborene-based compound is not particularly limited and includes, for example, trichloroborane.

접착 시트(11)는, 상기 성분 이외에도, 필름 제조에 일반적으로 사용되는 배합제, 예를 들면, 가교제 등을 적절히 함유해도 된다.In addition to the above components, the adhesive sheet 11 may suitably contain a compounding agent generally used in the production of a film, for example, a crosslinking agent.

접착 시트(11)는, 통상의 방법으로 제조할 수 있다. 예를 들면, 상기 각 성분을 함유하는 접착제 조성물 용액을 제작하고, 접착제 조성물 용액을 기재 세퍼레이터 상에 소정 두께가 되도록 도포하여 도포막을 형성한 후, 도포막을 건조시킴으로써, 접착 시트(11)를 제조할 수 있다.The adhesive sheet 11 can be manufactured by a usual method. For example, an adhesive composition solution containing the above components is prepared, a solution of the adhesive composition is coated on the substrate separator to a predetermined thickness to form a coating film, and then the coating film is dried to produce the adhesive sheet 11 .

접착제 조성물 용액에 이용하는 용매로서는 특별히 한정되지 않지만, 상기 각 성분을 균일하게 용해, 혼련 또는 분산시킬 수 있는 유기 용매가 바람직하다. 예를 들면, 다이메틸폼아마이드, 다이메틸아세트아마이드, N-메틸피롤리돈, 아세톤, 메틸 에틸 케톤, 사이클로헥산온 등의 케톤계 용매, 톨루엔, 자일렌 등을 들 수 있다. 도포 방법은 특별히 한정되지 않는다. 용제 도공의 방법으로서는, 예를 들면, 다이 코터, 그라비어 코터, 롤 코터, 리버스 코터, 콤마 코터, 파이프 닥터 코터, 스크린 인쇄 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 도포 두께의 균일성이 높다는 점에서, 다이 코터가 바람직하다.The solvent used in the adhesive composition solution is not particularly limited, but an organic solvent capable of uniformly dissolving, kneading or dispersing the above components is preferable. Examples thereof include ketone solvents such as dimethylformamide, dimethylacetamide, N-methylpyrrolidone, acetone, methyl ethyl ketone and cyclohexanone, toluene and xylene. The application method is not particularly limited. Examples of a solvent coating method include a die coater, a gravure coater, a roll coater, a reverse coater, a comma coater, a pipe doctor coater, a screen printing, and the like. Among them, a die coater is preferable in that the uniformity of coating thickness is high.

기재 세퍼레이터로서는, 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET), 폴리에틸렌, 폴리프로필렌이나, 불소계 박리제, 장쇄 알킬 아크릴레이트계 박리제 등의 박리제에 의해 표면 코팅된 플라스틱 필름이나 종이 등이 사용 가능하다. 접착제 조성물 용액의 도포 방법으로서는, 예를 들면, 롤 도공, 스크린 도공, 그라비어 도공 등을 들 수 있다. 또한, 도포막의 건조 조건은 특별히 한정되지 않고, 예를 들면, 건조 온도 70∼160℃, 건조 시간 1∼5분간으로 행할 수 있다.As the base separator, a plastic film or paper surface-coated with a release agent such as polyethylene terephthalate (PET), polyethylene, polypropylene, a fluorine-based release agent, or a long-chain alkyl acrylate-based release agent can be used. Examples of the application method of the adhesive composition solution include roll coating, screen coating, gravure coating and the like. The drying condition of the coating film is not particularly limited and can be, for example, a drying temperature of 70 to 160 DEG C and a drying time of 1 to 5 minutes.

접착 시트(11)의 제조 방법으로서는, 예를 들면, 상기 각 성분을 믹서로 혼합하고, 얻어진 혼합물을 프레스 성형하여 접착 시트(11)를 제조하는 방법 등도 적합하다. 믹서로서는 플라네터리 믹서 등을 들 수 있다.As a production method of the adhesive sheet 11, a method of manufacturing the adhesive sheet 11 by, for example, mixing the above components with a mixer and press-molding the resulting mixture is also suitable. As the mixer, a planetary mixer and the like can be mentioned.

접착 시트(11)의 두께는, 바람직하게는 15μm 이하이다. 두께가 작을수록 내부 열저항이 작기 때문이다. 접착 시트(11)의 두께의 하한은, 예를 들면 5μm 등이다. 5μm 미만이면, 접착 시트(11)가 반도체 웨이퍼 등과 접하는 면적이 불안정해지는 경우가 있다.The thickness of the adhesive sheet 11 is preferably 15 占 퐉 or less. The smaller the thickness, the smaller the internal thermal resistance. The lower limit of the thickness of the adhesive sheet 11 is, for example, 5 占 퐉 or the like. If it is less than 5 m, the area of the adhesive sheet 11 in contact with the semiconductor wafer or the like may become unstable.

접착 시트(11)는, 바람직하게는 반도체 장치를 제조하기 위해서 사용된다. 접착 시트(11)는, 보다 바람직하게는 다이 본딩 용도로 사용된다. 구체적으로는, 접착 시트(11)는, 리드 프레임과 반도체 칩을 접착하기 위한 필름(이하, 「다이 어태치 필름」이라고 한다)으로서 사용된다.The adhesive sheet 11 is preferably used for manufacturing a semiconductor device. The adhesive sheet 11 is more preferably used for die bonding. Specifically, the adhesive sheet 11 is used as a film for adhering the lead frame to the semiconductor chip (hereinafter referred to as "die attach film").

(세퍼레이터(13))(Separator 13)

세퍼레이터(13)로서는, 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET) 필름 등을 들 수 있다. 세퍼레이터(13)는, 바람직하게는 이형 처리가 실시된 것이다. 세퍼레이터(13)의 두께는 적절히 설정할 수 있다.As the separator 13, a polyethylene terephthalate (PET) film and the like can be given. The separator 13 is preferably subjected to a releasing treatment. The thickness of the separator 13 can be appropriately set.

(다이싱 테이프 일체형 접착 시트(71))(Dicing tape integral type adhesive sheet 71)

다이싱 테이프 일체형 접착 시트(71)는, 다이싱 테이프(12) 및 다이싱 테이프(12) 상에 배치된 접착 시트(11)를 포함한다. 다이싱 테이프(12)는, 기재(121) 및 기재(121) 상에 배치된 점착제층(122)을 포함한다. 점착제층(122)은, 접착 시트(11)와 접하는 접촉부(122A)를 포함한다. 점착제층(122)은, 접촉부(122A)의 주변에 배치된 주변부(122B)를 추가로 포함한다. 접촉부(122A)는 방사선에 의해 경화되어 있다. 한편, 주변부(122B)는 방사선에 의해 경화되는 성질을 갖는다. 방사선으로서는 자외선이 바람직하다.The dicing tape-integrated adhesive sheet 71 includes a dicing tape 12 and an adhesive sheet 11 disposed on the dicing tape 12. The dicing tape- The dicing tape 12 includes a base material 121 and a pressure-sensitive adhesive layer 122 disposed on the base material 121. The pressure-sensitive adhesive layer 122 includes a contact portion 122A in contact with the adhesive sheet 11. [ The pressure-sensitive adhesive layer 122 further includes a peripheral portion 122B disposed around the contact portion 122A. The contact portion 122A is cured by radiation. On the other hand, the peripheral portion 122B has a property of being hardened by radiation. As the radiation, ultraviolet rays are preferable.

기재(121)는 방사선 투과성을 갖고 있는 것이 바람직하다. 기재(121)는 자외선 투과성을 갖고 있는 것이 보다 바람직하다. 기재(121)로서는, 예를 들면, 종이 등의 종이계 기재; 천, 부직포, 펠트, 네트 등의 섬유계 기재; 금속 박, 금속 판 등의 금속계 기재; 플라스틱의 필름이나 시트 등의 플라스틱계 기재; 고무 시트 등의 고무계 기재; 발포 시트 등의 발포체나, 이들의 적층체[특히, 플라스틱계 기재와 다른 기재의 적층체나, 플라스틱 필름(또는 시트)끼리의 적층체 등] 등의 적절한 박엽체(薄葉體)를 이용할 수 있다. 기재(121)로서는, 플라스틱의 필름이나 시트 등의 플라스틱계 기재를 적합하게 이용할 수 있다. 이와 같은 플라스틱재에 있어서의 소재로서는, 예를 들면, 폴리에틸렌(PE), 폴리프로필렌(PP), 에틸렌-프로필렌 공중합체 등의 올레핀계 수지; 에틸렌-아세트산 바이닐 공중합체(EVA), 아이오노머 수지, 에틸렌-(메트)아크릴산 공중합체, 에틸렌-(메트)아크릴산 에스터(랜덤, 교대) 공중합체 등의 에틸렌을 모노머 성분으로 하는 공중합체; 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET), 폴리에틸렌 나프탈레이트(PEN), 폴리뷰틸렌 테레프탈레이트(PBT) 등의 폴리에스터; 아크릴계 수지; 폴리염화바이닐(PVC); 폴리유레테인; 폴리카보네이트; 폴리페닐렌 설파이드(PPS); 폴리아마이드(나일론), 전(全)방향족 폴리아마이드(아라미드) 등의 아마이드계 수지; 폴리에터에터케톤(PEEK); 폴리이미드; 폴리에터이미드; 폴리염화바이닐리덴; ABS(아크릴로나이트릴-뷰타다이엔-스타이렌 공중합체); 셀룰로스계 수지; 실리콘 수지; 불소 수지 등을 들 수 있다.The substrate 121 preferably has radiation transmittance. It is more preferable that the base material 121 has ultraviolet transmittance. As the substrate 121, for example, a paper-based substrate such as paper; Fiber-based materials such as cloth, nonwoven fabric, felt, and net; Metal base materials such as metal foil and metal plate; Plastic-based substrates such as plastic films and sheets; Rubber base materials such as rubber sheets; Foams such as foamed sheets, and laminated bodies thereof (especially, laminated bodies of plastic base materials and other substrates or laminated bodies of plastic films (or sheets)) may be used. As the substrate 121, a plastic substrate such as a plastic film or sheet can be suitably used. Examples of such a plastic material include olefin resins such as polyethylene (PE), polypropylene (PP) and ethylene-propylene copolymer; A copolymer comprising ethylene as a monomer component such as an ethylene-vinyl acetate copolymer (EVA), an ionomer resin, an ethylene- (meth) acrylic acid copolymer, and an ethylene- (meth) acrylic acid ester (random, alternating) copolymer; Polyesters such as polyethylene terephthalate (PET), polyethylene naphthalate (PEN), and polybutylene terephthalate (PBT); Acrylic resin; Polyvinyl chloride (PVC); Polyurethane; Polycarbonate; Polyphenylene sulfide (PPS); Amide resins such as polyamide (nylon) and all aromatic polyamide (aramid); Polyetheretherketone (PEEK); Polyimide; Polyetherimide; Polyvinylidene chloride; ABS (acrylonitrile-butadiene-styrene copolymer); Cellulose based resin; Silicone resin; Fluorine resin and the like.

기재(121)는, 무연신으로 이용해도 되고, 필요에 따라 1축 또는 2축의 연신 처리를 실시한 것을 이용해도 된다. 연신 처리 등에 의해 열수축성을 기재(121)에 부여하는 것에 의해, 기재(121)를 열수축시키는 것에 의해 점착제층(122)과 접착 시트(11)의 접착 면적을 저하시켜, 반도체 소자의 회수의 용이화를 도모할 수 있다.The base material 121 may be used in a non-drawn state, or a single-axis or biaxial stretching process may be used if necessary. Shrinkage of the base material 121 by applying heat shrinkability to the base material 121 by stretching treatment or the like reduces the area of adhesion between the pressure-sensitive adhesive layer 122 and the adhesive sheet 11, We can plan anger.

기재(121)의 표면은, 인접하는 층과의 밀착성, 유지성 등을 높이기 위해서, 관용의 표면 처리, 예를 들면, 크로뮴산 처리, 오존 노출, 화염 노출, 고압 전격(電擊) 노출, 이온화 방사선 처리 등의 화학적 또는 물리적 처리, 하도제(下塗劑)에 의한 코팅 처리를 실시할 수 있다.The surface of the substrate 121 may be subjected to conventional surface treatment such as chromium acid treatment, ozone exposure, flame exposure, high-voltage exposure, ionizing radiation treatment Or the like, or a coating process by a subbing agent.

기재(121)는, 동종 또는 이종의 것을 적절히 선택하여 사용할 수 있고, 필요에 따라 수종을 블렌딩한 것을 이용할 수 있다. 또한, 기재(121)에는, 대전 방지능을 부여하기 위해, 기재(121) 상에 금속, 합금, 이들의 산화물 등으로 이루어지는 두께가 30∼500Å 정도인 도전성 물질의 증착층을 설치할 수 있다. 기재(121)는 단층 또는 2종 이상의 복층이어도 된다.As the base material 121, homogeneous or heterogeneous materials can be appropriately selected and used, and if necessary, a blend of some species can be used. The substrate 121 may be provided with a vapor deposition layer of a conductive material having a thickness of about 30 to 500 angstroms formed of a metal, an alloy, an oxide thereof, or the like on the substrate 121 in order to impart antistatic performance. The substrate 121 may be a single layer or two or more layers.

기재(121)의 두께(적층체의 경우는 총 두께)는, 특별히 제한되지 않고 강도나 유연성, 사용 목적 등에 따라 적절히 선택할 수 있으며, 예를 들면, 일반적으로는 1000μm 이하(예를 들면, 1μm∼1000μm), 바람직하게는 10μm∼500μm, 더 바람직하게는 20μm∼300μm, 특히 30μm∼200μm 정도이지만, 이들에 한정되지 않는다.The thickness of the substrate 121 (the total thickness in the case of the laminate) is not particularly limited and may be appropriately selected depending on the strength, flexibility, and purpose of use. For example, the thickness is generally 1000 μm or less (for example, 1000 m), preferably 10 m to 500 m, more preferably 20 m to 300 m, and particularly 30 m to 200 m, but is not limited thereto.

한편, 기재(121)에는, 각종 첨가제(착색제, 충전재, 가소제, 노화 방지제, 산화 방지제, 계면 활성제, 난연제 등)가 포함되어 있어도 된다.On the other hand, the base material 121 may contain various additives (coloring agent, filler, plasticizer, anti-aging agent, antioxidant, surfactant, flame retardant, etc.).

점착제층(122)은 점착제에 의해 형성되어 있으며, 점착성을 갖고 있다. 이와 같은 점착제로서는, 특별히 제한되지 않고, 공지의 점착제 중에서 적절히 선택할 수 있다. 구체적으로는, 점착제로서는, 예를 들면, 아크릴계 점착제, 고무계 점착제, 바이닐 알킬 에터계 점착제, 실리콘계 점착제, 폴리에스터계 점착제, 폴리아마이드계 점착제, 유레테인계 점착제, 불소계 점착제, 스타이렌-다이엔 블록 공중합체계 점착제, 이들 점착제에 융점이 약 200℃ 이하인 열용융성 수지를 배합한 크리프 특성 개량형 점착제 등의 공지의 점착제(예를 들면, 일본 특허공개 소56-61468호 공보, 일본 특허공개 소61-174857호 공보, 일본 특허공개 소63-17981호 공보, 일본 특허공개 소56-13040호 공보 등 참조) 중에서, 이러한 특성을 갖는 점착제를 적절히 선택하여 이용할 수 있다. 또한, 점착제로서는, 방사선 경화형 점착제(또는 에너지선 경화형 점착제)나, 열팽창성 점착제를 이용할 수도 있다. 점착제는 단독으로 또는 2종 이상 조합하여 사용할 수 있다.The pressure-sensitive adhesive layer 122 is formed of a pressure-sensitive adhesive and has adhesiveness. Such a pressure-sensitive adhesive is not particularly limited and may be appropriately selected from known pressure-sensitive adhesives. Specific examples of the pressure sensitive adhesive include pressure sensitive adhesives such as acrylic pressure sensitive adhesives, rubber pressure sensitive adhesives, vinyl alkyl ether pressure sensitive adhesives, silicone pressure sensitive adhesives, polyester pressure sensitive adhesives, polyamide pressure sensitive adhesives, urethane pressure sensitive adhesives, fluorinated pressure sensitive adhesives, A pressure-sensitive adhesive of a copolymer system, and a known pressure-sensitive adhesive such as a creep property improving adhesive compounded with a hot-melt resin having a melting point of about 200 ° C or lower (see, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 56-61468, 174857, JP-A-63-17981, JP-A-56-13040, etc.), a pressure-sensitive adhesive having such properties can be suitably selected and used. As the pressure-sensitive adhesive, a radiation-curable pressure-sensitive adhesive (or energy ray curable pressure-sensitive adhesive) or a heat-expandable pressure-sensitive adhesive may be used. The pressure-sensitive adhesives can be used alone or in combination of two or more.

점착제로서는, 아크릴계 점착제, 고무계 점착제를 적합하게 이용할 수 있고, 특히 아크릴계 점착제가 적합하다. 아크릴계 점착제로서는, (메트)아크릴산 알킬 에스터의 1종 또는 2종 이상을 단량체 성분으로서 이용한 아크릴계 중합체(단독중합체 또는 공중합체)를 베이스 폴리머로 하는 아크릴계 점착제를 들 수 있다.As the pressure-sensitive adhesive, an acrylic pressure-sensitive adhesive and a rubber pressure-sensitive adhesive can be suitably used, and an acrylic pressure-sensitive adhesive is particularly suitable. As the acrylic pressure-sensitive adhesive, acrylic pressure-sensitive adhesives using an acrylic polymer (homopolymer or copolymer) using one or two or more of (meth) acrylic acid alkyl esters as a monomer component as the base polymer.

아크릴계 점착제에 있어서의 (메트)아크릴산 알킬 에스터로서는, 예를 들면, (메트)아크릴산 메틸, (메트)아크릴산 에틸, (메트)아크릴산 프로필, (메트)아크릴산 아이소프로필, (메트)아크릴산 뷰틸, (메트)아크릴산 아이소뷰틸, (메트)아크릴산 s-뷰틸, (메트)아크릴산 t-뷰틸, (메트)아크릴산 펜틸, (메트)아크릴산 헥실, (메트)아크릴산 헵틸, (메트)아크릴산 옥틸, (메트)아크릴산 2-에틸헥실, (메트)아크릴산 아이소옥틸, (메트)아크릴산 노닐, (메트)아크릴산 아이소노닐, (메트)아크릴산 데실, (메트)아크릴산 아이소데실, (메트)아크릴산 운데실, (메트)아크릴산 도데실, (메트)아크릴산 트라이데실, (메트)아크릴산 테트라데실, (메트)아크릴산 펜타데실, (메트)아크릴산 헥사데실, (메트)아크릴산 헵타데실, (메트)아크릴산 옥타데실, (메트)아크릴산 노나데실, (메트)아크릴산 에이코실 등의 (메트)아크릴산 알킬 에스터 등을 들 수 있다. (메트)아크릴산 알킬 에스터로서는, 알킬기의 탄소수가 4∼18인 (메트)아크릴산 알킬 에스터가 적합하다. 한편, (메트)아크릴산 알킬 에스터의 알킬기는, 직쇄상 또는 분기쇄상의 어느 것이어도 된다.Examples of the (meth) acrylic acid alkyl ester in the acrylic pressure-sensitive adhesive include methyl (meth) acrylate, ethyl (meth) acrylate, propyl (meth) acrylate, isopropyl (meth) acrylate, (Meth) acrylate, isobutyl acrylate, isobutyl acrylate, s-butyl (meth) acrylate, t-butyl (meth) acrylate, pentyl (meth) acrylate, hexyl (Meth) acrylate, isohexyl (meth) acrylate, isooctyl (meth) acrylate, nonyl (meth) acrylate, isononyl (meth) acrylate, decyl (Meth) acrylate, pentadecyl (meth) acrylate, hexadecyl (meth) acrylate, heptadecyl (meth) acrylate, octadecyl (meth) acrylate, Desil , And (meth) acrylic acid alkyl esters such as eicosyl (meth) acrylate. As the (meth) acrylic acid alkyl ester, a (meth) acrylic acid alkyl ester having 4 to 18 carbon atoms in the alkyl group is preferable. On the other hand, the alkyl group of the alkyl (meth) acrylate may be either linear or branched.

한편, 아크릴계 중합체는, 응집력, 내열성, 가교성 등의 개질을 목적으로 하여, 필요에 따라, (메트)아크릴산 알킬 에스터와 공중합 가능한 다른 단량체 성분(공중합성 단량체 성분)에 대응하는 단위를 포함하고 있어도 된다. 이와 같은 공중합성 단량체 성분으로서는, 예를 들면, (메트)아크릴산(아크릴산, 메타크릴산), 카복시에틸 아크릴레이트, 카복시펜틸 아크릴레이트, 이타콘산, 말레산, 퓨마르산, 크로톤산 등의 카복실기 함유 모노머; 무수 말레산, 무수 이타콘산 등의 산 무수물기 함유 모노머; (메트)아크릴산 하이드록시에틸, (메트)아크릴산 하이드록시프로필, (메트)아크릴산 하이드록시뷰틸, (메트)아크릴산 하이드록시헥실, (메트)아크릴산 하이드록시옥틸, (메트)아크릴산 하이드록시데실, (메트)아크릴산 하이드록시라우릴, (4-하이드록시메틸사이클로헥실)메틸메타크릴레이트 등의 하이드록실기 함유 모노머; 스타이렌설폰산, 알릴설폰산, 2-(메트)아크릴아마이드-2-메틸프로페인설폰산, (메트)아크릴아마이드프로페인설폰산, 설포프로필 (메트)아크릴레이트, (메트)아크릴로일옥시나프탈렌설폰산 등의 설폰산기 함유 모노머; 2-하이드록시에틸아크릴로일포스페이트 등의 인산기 함유 모노머; (메트)아크릴아마이드, N,N-다이메틸 (메트)아크릴아마이드, N-뷰틸 (메트)아크릴아마이드, N-메틸올 (메트)아크릴아마이드, N-메틸올프로페인 (메트)아크릴아마이드 등의 (N-치환)아마이드계 모노머; (메트)아크릴산 아미노에틸, (메트)아크릴산 N,N-다이메틸아미노에틸, (메트)아크릴산 t-뷰틸아미노에틸 등의 (메트)아크릴산 아미노알킬계 모노머; (메트)아크릴산 메톡시에틸, (메트)아크릴산 에톡시에틸 등의 (메트)아크릴산 알콕시알킬계 모노머; 아크릴로나이트릴, 메타크릴로나이트릴 등의 사이아노아크릴레이트 모노머; (메트)아크릴산 글리시딜 등의 에폭시기 함유 아크릴계 모노머; 스타이렌, α-메틸스타이렌 등의 스타이렌계 모노머; 아세트산 바이닐, 프로피온산 바이닐 등의 바이닐 에스터계 모노머; 아이소프렌, 뷰타다이엔, 아이소뷰틸렌 등의 올레핀계 모노머; 바이닐 에터 등의 바이닐 에터계 모노머; N-바이닐 피롤리돈, 메틸 바이닐 피롤리돈, 바이닐 피리딘, 바이닐 피페리돈, 바이닐 피리미딘, 바이닐 피페라진, 바이닐 피라진, 바이닐 피롤, 바이닐 이미다졸, 바이닐 옥사졸, 바이닐 모폴린, N-바이닐 카복실산 아마이드류, N-바이닐 카프로락탐 등의 질소 함유 모노머; N-사이클로헥실 말레이미드, N-아이소프로필 말레이미드, N-라우릴 말레이미드, N-페닐 말레이미드 등의 말레이미드계 모노머; N-메틸 이타콘이미드, N-에틸 이타콘이미드, N-뷰틸 이타콘이미드, N-옥틸 이타콘이미드, N-2-에틸헥실 이타콘이미드, N-사이클로헥실 이타콘이미드, N-라우릴 이타콘이미드 등의 이타콘이미드계 모노머; N-(메트)아크릴로일옥시메틸렌 석신이미드, N-(메트)아크릴로일-6-옥시헥사메틸렌 석신이미드, N-(메트)아크릴로일-8-옥시옥타메틸렌 석신이미드 등의 석신이미드계 모노머; (메트)아크릴산 폴리에틸렌글리콜, (메트)아크릴산 폴리프로필렌글리콜, (메트)아크릴산 메톡시에틸렌글리콜, (메트)아크릴산 메톡시폴리프로필렌글리콜 등의 글리콜계 아크릴에스터 모노머; (메트)아크릴산 테트라하이드로퍼퓨릴, 불소 (메트)아크릴레이트, 실리콘 (메트)아크릴레이트 등의 헤테로환, 할로젠 원자, 규소 원자 등을 갖는 아크릴산 에스터계 모노머; 헥세인다이올 다이(메트)아크릴레이트, (폴리)에틸렌글리콜 다이(메트)아크릴레이트, (폴리)프로필렌글리콜 다이(메트)아크릴레이트, 네오펜틸글리콜 다이(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨 다이(메트)아크릴레이트, 트라이메틸올프로페인 트라이(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨 트라이(메트)아크릴레이트, 다이펜타에리트리톨 헥사(메트)아크릴레이트, 에폭시 아크릴레이트, 폴리에스터 아크릴레이트, 유레테인 아크릴레이트, 다이바이닐 벤젠, 뷰틸 다이(메트)아크릴레이트, 헥실 다이(메트)아크릴레이트 등의 다작용 모노머 등을 들 수 있다. 이들 공중합성 단량체 성분은 1종 또는 2종 이상 사용할 수 있다.On the other hand, the acrylic polymer may contain units corresponding to other monomer components (copolymerizable monomer components) capable of copolymerizing with the (meth) acrylic acid alkyl ester, if necessary, for the purpose of modifying the cohesive force, heat resistance and crosslinkability do. Examples of such a copolymerizable monomer component include a carboxyl group-containing compound such as (meth) acrylic acid (acrylic acid, methacrylic acid), carboxyethyl acrylate, carboxypentyl acrylate, itaconic acid, maleic acid, fumaric acid, Monomers; Monomers containing acid anhydride groups such as maleic anhydride and itaconic anhydride; (Meth) acrylate such as hydroxyethyl (meth) acrylate, hydroxypropyl (meth) acrylate, hydroxybutyl (meth) acrylate, hydroxyhexyl (meth) acrylate, hydroxyoctyl ) Hydroxyl group-containing monomers such as hydroxylauryl acrylate and (4-hydroxymethylcyclohexyl) methyl methacrylate; (Meth) acrylamide sulfonic acid, sulfopropyl (meth) acrylate, (meth) acryloyloxynaphthalene, (meth) acrylamide, Sulfonic acid group-containing monomers such as sulfonic acid; Phosphoric acid group-containing monomers such as 2-hydroxyethyl acryloyl phosphate; (Meth) acrylamide, N, N-dimethyl (meth) acrylamide, N-butyl (meth) acrylamide, N-methylol (N-substituted) amide-based monomers; (Meth) acrylic acid aminoalkyl monomers such as aminoethyl (meth) acrylate, N, N-dimethylaminoethyl (meth) acrylate and t-butylaminoethyl (meth) acrylate; (Meth) acrylic acid alkoxyalkyl monomers such as methoxyethyl (meth) acrylate and ethoxyethyl (meth) acrylate; Cyanoacrylate monomers such as acrylonitrile and methacrylonitrile; An epoxy group-containing acrylic monomer such as glycidyl (meth) acrylate; Styrene-based monomers such as styrene and? -Methylstyrene; Vinyl ester monomers such as vinyl acetate and vinyl propionate; Olefin monomers such as isoprene, butadiene and isobutylene; Vinyl ether-based monomers such as vinyl ether; There may be mentioned, for example, N-vinylpyrrolidone, methylvinylpyrrolidone, vinylpyridine, vinylpiperidone, vinylpyrimidine, vinylpiperazine, vinylpyrazine, vinylpyrrole, vinylimidazole, vinyloxazole, Nitrogen-containing monomers such as amides and N-vinylcaprolactam; Maleimide-based monomers such as N-cyclohexylmaleimide, N-isopropylmaleimide, N-laurylmaleimide and N-phenylmaleimide; N-methylbutanedioic acid, N-methylbutanedioic acid, N-methylbutanedioic acid, N-methylbutanedioic acid, Itaconimide-based monomers such as N-methylmaleimide, N-lauryl itaconimide and the like; (Meth) acryloyloxymethylenesuccinimide, N- (meth) acryloyl-6-oxyhexamethylenesuccinimide, N- (meth) acryloyl-8- Of the succinimide-based monomer; Glycol acrylate monomers such as (meth) acrylic acid polyethylene glycol, (meth) acrylic acid polypropylene glycol, (meth) acrylic acid methoxyethylene glycol and (meth) acrylic acid methoxypolypropylene glycol; Acrylic acid ester monomers having a heterocycle such as (meth) acrylate tetrahydrofuryl, fluorine (meth) acrylate or silicone (meth) acrylate, a halogen atom, a silicon atom or the like; Propylene glycol di (meth) acrylate, neopentyl glycol di (meth) acrylate, pentaerythritol di (meth) acrylate, (poly) ethylene glycol di (Meth) acrylate, dipentaerythritol hexa (meth) acrylate, epoxy acrylate, polyester acrylate, urethane (meth) acrylate, trimethylolpropane tri Polyfunctional monomers such as acrylate, divinylbenzene, butyldi (meth) acrylate and hexyldi (meth) acrylate. These copolymerizable monomer components may be used alone or in combination of two or more.

점착제로서 방사선 경화형 점착제(또는 에너지선 경화형 점착제)를 이용하는 경우, 방사선 경화형 점착제(조성물)로서는, 예를 들면, 라디칼 반응성 탄소-탄소 이중 결합을 폴리머 측쇄 또는 주쇄 중 또는 주쇄 말단에 갖는 폴리머를 베이스 폴리머로서 이용한 내재형의 방사선 경화형 점착제나, 점착제 중에 자외선 경화성의 모노머 성분이나 올리고머 성분이 배합된 방사선 경화형 점착제 등을 들 수 있다. 또한, 점착제로서 열팽창성 점착제를 이용하는 경우, 열팽창성 점착제로서는, 예를 들면, 점착제와 발포제(특히 열팽창성 미소구)를 포함하는 열팽창성 점착제 등을 들 수 있다.When a radiation-curing pressure-sensitive adhesive (or an energy radiation curable pressure-sensitive adhesive) is used as the pressure-sensitive adhesive, examples of the radiation-curable pressure-sensitive adhesive (composition) include a polymer having a radical reactive carbon- carbon double bond at the polymer side chain, And radiation curable pressure sensitive adhesives in which a monomer component or an oligomer component having ultraviolet curing property is blended in the pressure sensitive adhesive. When a heat-expandable pressure-sensitive adhesive is used as the pressure-sensitive adhesive, examples of the heat-expandable pressure-sensitive adhesive include thermo-expansive pressure-sensitive adhesives including a pressure-sensitive adhesive and a foaming agent (in particular, heat-expandable microspheres).

점착제층(122)은, 각종 첨가제(예를 들면, 점착 부여 수지, 착색제, 증점제, 증량제, 충전재, 가소제, 노화 방지제, 산화 방지제, 계면 활성제, 가교제 등)를 포함할 수 있다.The pressure-sensitive adhesive layer 122 may contain various additives such as a tackifier resin, a colorant, a thickener, an extender, a filler, a plasticizer, an antioxidant, an antioxidant, a surfactant, a crosslinking agent and the like.

점착제층(122)은, 예를 들면, 점착제(감압 접착제)와 필요에 따라 용매나 그 밖의 첨가제 등을 혼합하여, 시트상의 층으로 형성하는 관용의 방법을 이용하여 형성할 수 있다. 구체적으로는, 예를 들면, 점착제 및 필요에 따라 용매나 그 밖의 첨가제를 포함하는 혼합물을, 기재(121) 상에 도포하는 방법, 적당한 세퍼레이터(박리지 등) 상에 혼합물을 도포하여 점착제층(122)을 형성하고, 이를 기재(121) 상에 전사(이착(移着))하는 방법 등에 의해, 점착제층(122)을 형성할 수 있다.The pressure-sensitive adhesive layer 122 can be formed, for example, by a publicly known method of forming a sheet-like layer by mixing a pressure-sensitive adhesive (pressure-sensitive adhesive) and a solvent or other additives as necessary. Specifically, for example, a method of applying a mixture containing a pressure-sensitive adhesive and, if necessary, a solvent or other additives to the substrate 121, a method of applying a mixture onto a suitable separator (release paper or the like) The pressure sensitive adhesive layer 122 can be formed by forming the pressure sensitive adhesive layer 122 on the substrate 121 and transferring (transferring) the same onto the substrate 121.

점착제층(122)의 두께는, 바람직하게는 1μm 이상, 보다 바람직하게는 2μm 이상, 더 바람직하게는 5μm 이상이다. 점착제층(122)의 두께는, 바람직하게는 100μm 이하, 보다 바람직하게는 50μm 이하, 더 바람직하게는 30μm 이하이다. 한편, 점착제층(122)은 단층, 복층의 어느 것이어도 된다.The thickness of the pressure-sensitive adhesive layer 122 is preferably 1 占 퐉 or more, more preferably 2 占 퐉 or more, and further preferably 5 占 퐉 or more. The thickness of the pressure-sensitive adhesive layer 122 is preferably 100 占 퐉 or less, more preferably 50 占 퐉 or less, and further preferably 30 占 퐉 or less. On the other hand, the pressure-sensitive adhesive layer 122 may be a single layer or a multi-layer.

(반도체 장치의 제조 방법)(Manufacturing Method of Semiconductor Device)

도 5에 나타내는 바와 같이, 다이싱 테이프 일체형 접착 시트(71)에 반도체 웨이퍼(4)를 압착한다. 반도체 웨이퍼(4)로서는, 실리콘 웨이퍼, 실리콘 카바이드 웨이퍼, 화합물 반도체 웨이퍼 등을 들 수 있다. 화합물 반도체 웨이퍼로서는, 질화갈륨 웨이퍼 등을 들 수 있다.As shown in Fig. 5, the semiconductor wafer 4 is bonded to the dicing tape-integrated adhesive sheet 71. Examples of the semiconductor wafer 4 include silicon wafers, silicon carbide wafers, and compound semiconductor wafers. As the compound semiconductor wafer, a gallium nitride wafer can be given.

압착 방법으로서는, 예를 들면, 압착 롤 등의 압압(押壓) 수단에 의해 압압하는 방법 등을 들 수 있다.Examples of the pressing method include a method of pressing by a pressing means such as a pressing roll.

압착 온도(첩부 온도)는, 35℃ 이상이 바람직하고, 37℃ 이상이 보다 바람직하다. 압착 온도의 상한은 낮은 편이 바람직하고, 바람직하게는 50℃ 이하, 보다 바람직하게는 45℃ 이하이다. 저온에서 압착하는 것에 의해, 반도체 웨이퍼(4)에 대한 열영향을 방지하는 것이 가능하여, 반도체 웨이퍼(4)의 휨을 억제할 수 있다. 또한, 압력은, 1×105Pa∼1×107Pa인 것이 바람직하고, 2×105Pa∼8×106Pa인 것이 보다 바람직하다.The bonding temperature (adhesive temperature) is preferably 35 DEG C or higher, more preferably 37 DEG C or higher. The upper limit of the compression temperature is preferably as low as possible, preferably not higher than 50 占 폚, more preferably not higher than 45 占 폚. By pressing at a low temperature, it is possible to prevent the semiconductor wafer 4 from being affected by heat, and the warpage of the semiconductor wafer 4 can be suppressed. The pressure is preferably in the range of 1 × 10 5 Pa to 1 × 10 7 Pa and more preferably in the range of 2 × 10 5 Pa to 8 × 10 6 Pa.

도 6에 나타내는 바와 같이, 반도체 웨이퍼(4)를 다이싱하는 것에 의해, 다이 본드용 칩(5)을 형성한다. 다이 본드용 칩(5)은, 반도체 칩(41) 및 반도체 칩(41) 상에 배치된 접착 필름(111)을 포함한다. 반도체 칩(41)은 전극 패드를 포함한다. 전극 패드의 재료로서는, 알루미늄 등을 들 수 있다. 본 공정에서는, 다이싱 테이프 일체형 접착 시트(71)까지 절입을 행하는 풀 컷으로 불리는 절단 방식 등을 채용할 수 있다. 다이싱 장치로서는 특별히 한정되지 않고, 종래 공지의 것을 이용할 수 있다. 또한, 반도체 웨이퍼(4)는, 다이싱 테이프 일체형 접착 시트(71)에 의해 접착 고정되어 있으므로, 칩 파편이나 칩 날림을 억제할 수 있음과 더불어, 반도체 웨이퍼(4)의 파손도 억제할 수 있다.As shown in Fig. 6, the semiconductor wafer 4 is diced to form the die bonding chip 5. The die bonding chip 5 includes a semiconductor chip 41 and an adhesive film 111 disposed on the semiconductor chip 41. The semiconductor chip 41 includes an electrode pad. As the material of the electrode pad, aluminum and the like can be mentioned. In the present step, a cutting method called a full cut in which the dicing tape integral type adhesive sheet 71 is cut is adopted. The dicing device is not particularly limited and conventionally known dicing devices can be used. Further, since the semiconductor wafer 4 is bonded and fixed by the dicing tape-integrated adhesive sheet 71, it is possible to suppress chip fragments and chip fringes, and also to suppress breakage of the semiconductor wafer 4 .

다이 본드용 칩(5)을 픽업한다. 픽업의 방법으로서는 특별히 한정되지 않고, 종래 공지의 여러 가지의 방법을 채용할 수 있다. 예를 들면, 개개의 반도체 칩(41)을 다이싱 테이프 일체형 접착 시트(71)측으로부터 니들에 의해 밀어 올리고, 이어서 다이 본드용 칩(5)을 픽업 장치에 의해 픽업하는 방법 등을 들 수 있다.The die bonding chip 5 is picked up. The pick-up method is not particularly limited, and various conventionally known methods can be employed. For example, there is a method in which individual semiconductor chips 41 are pushed up by the needles from the side of the dicing tape-integrated adhesive sheet 71, and then the die bonding chips 5 are picked up by a pickup device .

도 7에 나타내는 바와 같이, 다이 본드용 칩(5)을 리드 프레임(6)에 압착하는 것에 의해 반도체 칩 부착 피착체(2)를 얻는다. 구체적으로는, 다이 본드용 칩(5)을 리드 프레임(6)의 다이 패드(61)에 압착한다. 반도체 칩 부착 피착체(2)는, 리드 프레임(6), 리드 프레임(6) 상에 배치된 접착 필름(111) 및 접착 필름(111) 상에 배치된 반도체 칩(41)을 포함한다. 리드 프레임(6)은 다이 패드(61)를 포함한다. 리드 프레임(6)은 이너 리드(62)를 추가로 포함한다.As shown in Fig. 7, the die bonding chip 5 is pressed onto the lead frame 6 to obtain an adherend 2 having a semiconductor chip. More specifically, the die bonding chip 5 is pressed onto the die pad 61 of the lead frame 6. The adherend 2 for attaching a semiconductor chip includes a lead frame 6, an adhesive film 111 disposed on the lead frame 6, and a semiconductor chip 41 disposed on the adhesive film 111. The lead frame 6 includes a die pad 61. The lead frame 6 further includes an inner lead 62.

다이 본드용 칩(5)을 리드 프레임(6)에 압착하는 온도(이하, 「다이 어태치 온도」라고 한다)는, 바람직하게는 80℃ 이상, 보다 바람직하게는 90℃ 이상이다. 또한, 다이 어태치 온도는, 바람직하게는 150℃ 이하, 보다 바람직하게는 130℃ 이하이다.The temperature at which the die bonding chip 5 is pressed onto the lead frame 6 (hereinafter referred to as " die attach temperature ") is preferably 80 ° C or higher, more preferably 90 ° C or higher. The die attach temperature is preferably 150 占 폚 or lower, and more preferably 130 占 폚 or lower.

반도체 칩 부착 피착체(2)를 가압 하에서 가열하는 것에 의해 접착 필름(111)을 경화시킨다. 이에 의해, 반도체 칩(41)을 리드 프레임(6)에 고착시킨다. 가압 하에서 접착 필름(111)을 경화시키는 것에 의해, 접착 필름(111)과 리드 프레임(6) 사이에 존재하는 보이드를 소멸시키는 것이 가능하여, 접착 필름(111)이 리드 프레임(6)과 접촉하는 면적을 확보할 수 있다.The adherend 2 to which the semiconductor chip is adhered is heated under pressure to cure the adhesive film 111. [ Thus, the semiconductor chip 41 is fixed to the lead frame 6. The voids existing between the adhesive film 111 and the lead frame 6 can be annihilated by curing the adhesive film 111 under pressure so that the adhesive film 111 is in contact with the lead frame 6 The area can be secured.

가압 하에서 가열하는 방법으로서는, 예를 들면, 불활성 가스가 충전된 챔버 내에 배치된 반도체 칩 부착 피착체(2)를 가열하는 방법 등을 들 수 있다. 가압 분위기의 압력은, 바람직하게는 0.5kg/cm2(4.9×10-2MPa) 이상, 보다 바람직하게는 1kg/cm2(9.8×10-2MPa) 이상, 더 바람직하게는 5kg/cm2(4.9×10-1MPa) 이상이다. 0.5kg/cm2 이상이면, 접착 필름(111)과 리드 프레임(6) 사이에 존재하는 보이드를 용이하게 소멸시킬 수 있다. 가압 분위기의 압력은, 바람직하게는 20kg/cm2(1.96MPa) 이하, 보다 바람직하게는 18kg/cm2(1.77MPa) 이하, 더 바람직하게는 15kg/cm2(1.47MPa) 이하이다. 20kg/cm2 이하이면, 과도한 가압에 의한 접착 필름(111)의 밀려나옴을 억제할 수 있다.As a method of heating under pressure, for example, there can be mentioned a method of heating an adherend 2 having a semiconductor chip disposed in a chamber filled with an inert gas. The pressure of the pressurized atmosphere is preferably not less than 0.5 kg / cm 2 (4.9 × 10 -2 MPa), more preferably not less than 1 kg / cm 2 (9.8 × 10 -2 MPa), more preferably not less than 5 kg / cm 2 (4.9 x 10 < -1 > MPa) or more. If it is 0.5 kg / cm 2 or more, the voids existing between the adhesive film 111 and the lead frame 6 can be easily extinguished. The pressure of the pressurized atmosphere is preferably 20 kg / cm 2 (1.96 MPa) or less, more preferably 18 kg / cm 2 (1.77 MPa) or less, and further preferably 15 kg / cm 2 (1.47 MPa) or less. When the pressure is 20 kg / cm 2 or less, it is possible to suppress the pushing out of the adhesive film 111 due to excessive pressure.

가열 온도는, 바람직하게는 80℃ 이상, 보다 바람직하게는 120℃ 이상, 더 바람직하게는 150℃ 이상, 특히 바람직하게는 170℃ 이상이다. 80℃ 이상이면, 접착 필름(111)을 적당한 경도로 하는 것이 가능하여, 가압 큐어에 의해 보이드를 효과적으로 소실시킬 수 있다. 가열 온도는, 바람직하게는 260℃ 이하, 보다 바람직하게는 200℃ 이하, 보다 바람직하게는 180℃ 이하이다. 260℃ 이하이면, 접착 필름(111)의 분해를 방지할 수 있다.The heating temperature is preferably 80 占 폚 or higher, more preferably 120 占 폚 or higher, even more preferably 150 占 폚 or higher, particularly preferably 170 占 폚 or higher. If it is 80 DEG C or higher, the adhesive film 111 can be made to have an appropriate hardness, and voids can be effectively lost by pressure cure. The heating temperature is preferably 260 占 폚 or lower, more preferably 200 占 폚 or lower, and more preferably 180 占 폚 or lower. If it is 260 占 폚 or less, the decomposition of the adhesive film 111 can be prevented.

가열 시간은, 바람직하게는 0.1시간 이상, 보다 바람직하게는 0.2시간 이상이다. 가열 시간은, 바람직하게는 24시간 이하, 보다 바람직하게는 3시간 이하, 더 바람직하게는 1시간 이하, 특히 바람직하게는 30분 이하이다.The heating time is preferably 0.1 hour or more, and more preferably 0.2 hour or more. The heating time is preferably 24 hours or less, more preferably 3 hours or less, still more preferably 1 hour or less, particularly preferably 30 minutes or less.

도 8에 나타내는 바와 같이, 반도체 칩(41)의 전극 패드와 리드 프레임(6)의 이너 리드(62)를 본딩 와이어(7)로 전기적으로 접속하는 와이어 본딩 공정을 행한다. 본딩 와이어(7)의 재료로서는, 구리 등을 들 수 있다.A wire bonding process is performed to electrically connect the electrode pads of the semiconductor chip 41 and the inner leads 62 of the lead frame 6 with the bonding wires 7 as shown in Fig. As the material of the bonding wire 7, copper and the like can be mentioned.

와이어 본딩 공정은, 본딩 와이어(7)의 일단과 반도체 칩(41)의 전극 패드를 접합하는 스텝, 본딩 와이어(7)의 타단과 리드 프레임(6)의 이너 리드(62)를 접합하는 스텝 등을 포함한다.The wire bonding step includes a step of bonding one end of the bonding wire 7 and an electrode pad of the semiconductor chip 41, a step of bonding the other end of the bonding wire 7 and the inner lead 62 of the lead frame 6 .

와이어 본딩 공정을 행한 후, 봉지 수지(8)에 의해 반도체 칩(41)을 봉지하는 봉지 공정을 행한다. 본 공정은, 리드 프레임(6)에 탑재된 반도체 칩(41)이나 본딩 와이어(7)를 보호하기 위해 행해진다. 본 공정은, 봉지용의 수지를 금형으로 성형하는 것에 의해 행한다. 봉지 수지(8)로서는, 예를 들면 에폭시계의 수지를 사용한다. 수지 봉지 시의 가열 온도는, 바람직하게는 165℃ 이상, 보다 바람직하게는 170℃ 이상이며, 가열 온도는, 바람직하게는 185℃ 이하, 보다 바람직하게는 180℃ 이하이다.After the wire bonding step is performed, a sealing step for sealing the semiconductor chip 41 with the sealing resin 8 is performed. This step is performed to protect the semiconductor chip 41 and the bonding wire 7 mounted on the lead frame 6. [ This step is carried out by molding a resin for encapsulation into a metal mold. As the sealing resin 8, for example, an epoxy resin is used. The heating temperature at the time of resin sealing is preferably 165 DEG C or higher, more preferably 170 DEG C or higher, and the heating temperature is preferably 185 DEG C or lower, more preferably 180 DEG C or lower.

필요에 따라, 봉지 후에 추가로 가열을 해도 된다(후경화 공정). 이에 의해, 봉지 공정에서 경화 부족의 봉지 수지(8)를 완전히 경화시킬 수 있다. 가열 온도는 적절히 설정할 수 있다.If necessary, it may be further heated after sealing (post-curing step). This makes it possible to completely harden the sealing resin 8 which is insufficiently cured in the sealing step. The heating temperature can be appropriately set.

이상의 방법에 의해 얻어진 반도체 장치는, 리드 프레임(6), 리드 프레임(6) 상에 배치된 접착층 및 접착층 상에 배치된 반도체 칩(41)을 포함한다. 접착층은, 접착 필름(111)이 경화되는 것에 의해 형성된다. 반도체 장치는, 반도체 칩(41)을 덮는 봉지 수지(8)를 추가로 포함한다.The semiconductor device obtained by the above method includes a lead frame 6, an adhesive layer disposed on the lead frame 6, and a semiconductor chip 41 disposed on the adhesive layer. The adhesive layer is formed by curing the adhesive film (111). The semiconductor device further includes a sealing resin (8) covering the semiconductor chip (41).

반도체 장치의 접착층의 계면 열저항은, 바람직하게는 0.15K/W 이하이다. 계면 열저항의 하한은, 예를 들면 0.01K/W, 0.05K/W 등이다.The interface thermal resistance of the adhesive layer of the semiconductor device is preferably 0.15 K / W or less. The lower limit of the interface thermal resistance is, for example, 0.01 K / W and 0.05 K / W.

반도체 장치의 접착층의 총 열저항은, 바람직하게는 0.55K/W 이하이다. 총 열저항의 하한은, 예를 들면 0.05K/W, 0.1K/W, 0.2K/W 등이다.The total thermal resistance of the adhesive layer of the semiconductor device is preferably 0.55 K / W or less. The lower limit of total heat resistance is, for example, 0.05 K / W, 0.1 K / W, 0.2 K / W and the like.

반도체 장치의 구체예로서 예를 들면 Quad Flat Non-leaded Package(이하, 「QFN 패키지」라고 한다)를 들 수 있다. QFN 패키지는, 반도체 칩(41)으로부터 발생하는 열을 리드 프레임(6)으로 전하여 외부로 놓아줄 수 있다. 따라서, 방열성이 높다.As a specific example of the semiconductor device, there can be mentioned, for example, a Quad Flat Non-leaded Package (hereinafter referred to as " QFN package "). The QFN package can transfer the heat generated from the semiconductor chip 41 to the lead frame 6 and place it outside. Therefore, heat dissipation is high.

반도체 장치는, 고주파 디바이스, 디지털 텔레비전, 모바일 디바이스, 메모리, 차재용 전자 기기, 파워 디바이스 등에 이용할 수 있다.The semiconductor device can be used for a high-frequency device, a digital television, a mobile device, a memory, a vehicle-use electronic device, a power device, and the like.

이상과 같이, 반도체 장치의 제조 방법은, 접착 시트(11)에 반도체 웨이퍼(4)를 압착하는 공정과, 접착 시트(11)에 반도체 웨이퍼(4)를 압착하는 공정 후에, 다이 분할을 이루는 것에 의해 다이 본드용 칩(5)을 형성하는 공정과, 다이 본드용 칩(5)을 리드 프레임(6)에 압착하는 공정을 포함한다. 반도체 장치의 제조 방법은, 다이 본드용 칩(5)을 리드 프레임(6)에 압착하는 공정 후에, 본딩 와이어(7)의 일단과 반도체 칩(41)의 전극 패드를 접합하는 스텝, 본딩 와이어(7)의 타단과 리드 프레임(6)의 이너 리드(62)를 접합하는 스텝을 포함하는 공정을 추가로 포함한다. 반도체 장치의 제조 방법은, 봉지 수지(8)로 반도체 칩(41)을 봉지하는 공정을 추가로 포함한다.As described above, the manufacturing method of the semiconductor device includes a step of compressing the semiconductor wafer 4 to the adhesive sheet 11, a step of compressing the semiconductor wafer 4 to the adhesive sheet 11, , And a step of pressing the die bonding chip (5) onto the lead frame (6). A method of manufacturing a semiconductor device includes a step of bonding one end of a bonding wire (7) to an electrode pad of a semiconductor chip (41) after bonding the die bonding chip (5) to the lead frame (6) 7) and the inner lead (62) of the lead frame (6). The manufacturing method of the semiconductor device further includes a step of sealing the semiconductor chip (41) with the sealing resin (8).

접착 시트(11)에 반도체 웨이퍼(4)를 압착하는 공정은, 다이싱 테이프 일체형 접착 시트(71)의 접착 시트(11)에 반도체 웨이퍼(4)를 압착하는 공정일 수 있다.The step of pressing the semiconductor wafer 4 on the adhesive sheet 11 may be a step of pressing the semiconductor wafer 4 onto the adhesive sheet 11 of the dicing tape-integrated adhesive sheet 71.

(변형예 1)(Modified Example 1)

점착제층(122)의 접촉부(122A)는 방사선에 의해 경화되는 성질을 갖는다. 점착제층(122)의 주변부(122B)나 방사선에 의해 경화되는 성질을 갖는다. 반도체 장치의 제조 방법에 있어서, 다이 본드용 칩(5)을 형성하고, 점착제층(122)에 자외선을 조사하여, 다이 본드용 칩(5)을 픽업한다. 이에 의해, 점착제층(122)의 다이 본드용 칩(5)에 대한 점착력이 저하되므로, 다이 본드용 칩(5)을 용이하게 픽업할 수 있다.The contact portion 122A of the pressure-sensitive adhesive layer 122 has a property of being cured by radiation. Cured by the peripheral portion 122B of the pressure-sensitive adhesive layer 122 or by radiation. In the method of manufacturing a semiconductor device, a die bonding chip (5) is formed and ultraviolet rays are applied to the pressure sensitive adhesive layer (122) to pick up the die bonding chip (5). As a result, the adhesive force of the pressure-sensitive adhesive layer 122 to the die bonding chip 5 is lowered, so that the die bonding chip 5 can be easily picked up.

(변형예 2)(Modified example 2)

점착제층(122)의 접촉부(122A)는 방사선에 의해 경화되어 있다. 점착제층(122)의 주변부(122B)도 방사선에 의해 경화되어 있다.The contact portion 122A of the pressure-sensitive adhesive layer 122 is cured by radiation. The peripheral portion 122B of the pressure-sensitive adhesive layer 122 is also cured by radiation.

(변형예 3)(Modification 3)

접착 시트(11)는, 제1층 및 제1층 상에 배치된 제2층을 포함하는 복층 형상을 이룬다.The adhesive sheet 11 has a multilayered shape including a first layer and a second layer disposed on the first layer.

(변형예 4)(Variation 4)

도 9에 나타내는 바와 같이, 다이싱 테이프(12)에 있어서의 점착면의 전체가 접착 시트(11)와 접한다. 점착제층(122)은, 방사선에 의해 경화되는 성질을 갖는 것이 바람직하다. 반도체 장치의 제조 방법에 있어서, 다이 본드용 칩(5)을 형성하고, 점착제층(122)에 자외선을 조사하여, 다이 본드용 칩(5)을 픽업한다. 이에 의해, 점착제층(122)의 다이 본드용 칩(5)에 대한 점착력이 저하되므로, 다이 본드용 칩(5)을 용이하게 픽업할 수 있다.9, the entire adhesive surface of the dicing tape 12 is in contact with the adhesive sheet 11. As shown in Fig. The pressure-sensitive adhesive layer 122 preferably has a property of being cured by radiation. In the method of manufacturing a semiconductor device, a die bonding chip (5) is formed and ultraviolet rays are applied to the pressure sensitive adhesive layer (122) to pick up the die bonding chip (5). As a result, the adhesive force of the pressure-sensitive adhesive layer 122 to the die bonding chip 5 is lowered, so that the die bonding chip 5 can be easily picked up.

(변형예 5)(Modified Example 5)

다이 본드용 칩(5)을 형성하는 공정이, 다이싱 테이프 일체형 접착 시트(71) 상에 배치된 반도체 웨이퍼(4)에 레이저광을 조사하는 것에 의해, 반도체 웨이퍼(4)의 내부에 취약층을 형성하는 스텝을 포함한다. 다이 본드용 칩(5)을 형성하는 공정은, 취약층을 형성하는 스텝 후에 익스팬드를 이루는 스텝을 추가로 포함한다. 익스팬드에 의해 접착 시트(11) 및 반도체 웨이퍼(4)를 동시에 분할한다.The step of forming the die bonding chip 5 is carried out by irradiating the semiconductor wafer 4 placed on the dicing tape integral type adhesive sheet 71 with the laser beam so that the weak layer . The step of forming the die bonding chip 5 further includes a step of expanding after the step of forming the weak layer. The adhesive sheet 11 and the semiconductor wafer 4 are simultaneously split by expand.

(그 외의 변형예)(Other Modifications)

변형예 1∼변형예 5 등은 임의로 조합할 수 있다.Modifications 1 to 5 and the like can be arbitrarily combined.

[실시형태 2][Embodiment 2]

(필름(9))(Film (9))

도 10에 나타내는 바와 같이, 필름(9)은, 세퍼레이터(14), 세퍼레이터(14) 상에 배치된 접착 시트(11) 및 접착 시트(11) 상에 배치된 세퍼레이터(15)를 포함한다. 접착 시트(11)는, 세퍼레이터(14)와 접하는 제1면, 및 제1면에 대향한 제2면으로 양면을 정의할 수 있다. 제2면은 세퍼레이터(15)와 접한다.10, the film 9 includes a separator 14, an adhesive sheet 11 disposed on the separator 14, and a separator 15 disposed on the adhesive sheet 11. As shown in Fig. The adhesive sheet 11 can define both surfaces with a first surface in contact with the separator 14 and a second surface opposed to the first surface. And the second surface is in contact with the separator 15.

세퍼레이터(14)로서는, 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET) 필름 등을 들 수 있다. 세퍼레이터(14)는, 바람직하게는 이형 처리가 실시된 것이다. 세퍼레이터(14)의 두께는 적절히 설정할 수 있다.As the separator 14, a polyethylene terephthalate (PET) film and the like can be given. The separator 14 is preferably subjected to a releasing treatment. The thickness of the separator 14 can be set appropriately.

세퍼레이터(15)로서는, 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET) 필름 등을 들 수 있다. 세퍼레이터(15)는, 바람직하게는 이형 처리가 실시된 것이다. 세퍼레이터(15)의 두께는 적절히 설정할 수 있다.As the separator 15, a polyethylene terephthalate (PET) film and the like can be mentioned. The separator 15 is preferably subjected to mold release treatment. The thickness of the separator 15 can be set appropriately.

(반도체 장치의 제조 방법)(Manufacturing Method of Semiconductor Device)

반도체 장치의 제조 방법은, 접착 시트(11)에 반도체 웨이퍼(4)를 압착하는 공정과, 접착 시트(11)에 반도체 웨이퍼(4)를 압착하는 공정 후에, 다이 분할을 이루는 것에 의해 다이 본드용 칩(5)을 형성하는 공정과, 다이 본드용 칩(5)을 리드 프레임(6)에 압착하는 공정을 포함한다.A method of manufacturing a semiconductor device includes a step of compressing a semiconductor wafer 4 to an adhesive sheet 11 and a step of compressing a semiconductor wafer 4 to an adhesive sheet 11, The step of forming the chip 5 and the step of bonding the die bonding chip 5 to the lead frame 6. [

반도체 장치의 제조 방법은, 세퍼레이터(14)를 박리하는 스텝과, 세퍼레이터(14)를 박리하는 스텝 후에 접착 시트(11)와 다이싱 테이프(12)를 첩합하는 스텝을 포함하는 공정을 추가로 포함한다. 접착 시트(11)에 반도체 웨이퍼(4)를 압착하는 공정은, 세퍼레이터(15)를 박리하는 스텝, 세퍼레이터(15)를 박리하는 스텝 후에 접착 시트(11)에 반도체 웨이퍼(4)를 압착하는 스텝을 포함한다.The manufacturing method of the semiconductor device further includes a step of peeling the separator 14 and a step of bonding the adhesive sheet 11 and the dicing tape 12 after the step of peeling the separator 14 do. The step of pressing the semiconductor wafer 4 on the adhesive sheet 11 includes a step of peeling the separator 15 and a step of pressing the semiconductor wafer 4 onto the adhesive sheet 11 after the step of peeling the separator 15 .

반도체 장치의 제조 방법은, 다이 본드용 칩(5)을 리드 프레임(6)에 압착하는 공정 후에, 본딩 와이어(7)의 일단과 반도체 칩(41)의 전극 패드를 접합하는 스텝, 본딩 와이어(7)의 타단과 리드 프레임(6)의 이너 리드(62)를 접합하는 스텝을 포함하는 공정을 추가로 포함한다. 반도체 장치의 제조 방법은, 봉지 수지(8)로 반도체 칩(41)을 봉지하는 공정을 추가로 포함한다.A method of manufacturing a semiconductor device includes a step of bonding one end of a bonding wire (7) to an electrode pad of a semiconductor chip (41) after bonding the die bonding chip (5) to the lead frame (6) 7) and the inner lead (62) of the lead frame (6). The manufacturing method of the semiconductor device further includes a step of sealing the semiconductor chip (41) with the sealing resin (8).

(변형예 1)(Modified Example 1)

접착 시트(11)는, 제1층 및 제1층 상에 배치된 제2층을 포함하는 복층 형상을 이룬다.The adhesive sheet 11 has a multilayered shape including a first layer and a second layer disposed on the first layer.

실시예Example

이하, 본 발명에 관해 실시예를 이용하여 상세히 설명하지만, 본 발명은 그 요지를 초과하지 않는 한, 이하의 실시예로 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to Examples. However, the present invention is not limited to the following Examples unless it exceeds the gist of the present invention.

실시예에서 사용한 성분에 대해 설명한다.The components used in the examples will be described.

아크릴 고무 1: 나가세켐텍스사제의 테이산 레진 SG-600 TEA(하이드록실기를 갖는 아크릴산 에스터 공중합체, Mw: 120만, 유리 전이 온도: -36℃)Acrylic rubber 1: TAYASA RESIN SG-600 TEA (acrylic acid ester copolymer having hydroxyl group, Mw: 1.2 million, glass transition temperature: -36 DEG C) manufactured by Nagase Chemtex Co.,

아크릴 고무 2: 나가세켐텍스사제의 테이산 레진 SG-70L(하이드록실기 및 카복시기(COOH기)를 갖는 아크릴산 에스터 공중합체, Mw: 80만, 유리 전이 온도: -13℃)Acrylic rubber 2: TAYASA RESIN SG-70L (acrylic acid ester copolymer having hydroxyl group and carboxyl group (COOH group), Mw: 800,000, glass transition temperature: -13 DEG C)

페놀 수지: 메이와화성사제의 MEH-7851H(고형 페놀 수지, Mw: 1580, 수산기 당량 218g/eq.)Phenol resin: MEH-7851H (solid phenol resin, Mw: 1580, equivalent to hydroxyl group equivalent: 218 g / eq.) Manufactured by Meiwa Chemical Co.,

에폭시 수지 1: 미쓰비시화학사제의 jER828(액상 에폭시 수지, 에폭시 당량 185g/eq.)Epoxy resin 1: jER828 (liquid epoxy resin, epoxy equivalent 185 g / eq.) Manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation

에폭시 수지 2: 닛폰화약사제의 EOCN-1020(고형 에폭시 수지, 에폭시 당량 198g/eq.)Epoxy resin 2: EOCN-1020 (solid epoxy resin, epoxy equivalent: 198 g / eq.) Manufactured by Nippon Yakusho Co., Ltd.

알루미나 필러: 신에쓰화학공업사제의 KBM-503(3-메타크릴옥시프로필트라이메톡시실레인)으로 아드머텍스사제의 AO-802(평균 입경 0.7μm, 진구도 0.95의 구상 알루미나 필러)를 전처리하는 것에 의해 얻어진 표면 처리 필러Alumina filler: AO-802 (average particle diameter 0.7 μm, spherical alumina filler having a sphericity of 0.95) manufactured by Admatechs was pre-treated with KBM-503 (3-methacryloxypropyl trimethoxysilane) manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., The surface-treated filler

실리카 필러: 아드머텍스사제의 SO-25R(평균 입경 0. 6μm의 구상 실리카 필러)Silica filler: SO-25R (spherical silica filler having an average particle diameter of 0.6 m) manufactured by Admertex Co.,

촉매: 홋코우화학사제의 TPP-K(테트라페닐포스포늄 테트라페닐보레이트)Catalyst: TPP-K (tetraphenylphosphonium tetraphenylborate) manufactured by Hokko Chemical Industry Co.,

실레인 커플링제: 신에쓰화학공업사제의 KBE-846(비스(트라이에톡시실릴프로필)테트라설파이드)Silane coupling agent: KBE-846 (bis (triethoxysilylpropyl) tetrasulfide) manufactured by Shin-Etsu Chemical Co.,

[알루미나 필러의 제작][Production of alumina filler]

AO-802를 KBM-503으로 처리하는 것에 의해, 알루미나 필러를 얻었다. 표면 처리는 건식법으로 행하고, 하기 식으로 표시되는 양의 실레인 커플링제로 처리했다.AO-802 was treated with KBM-503 to obtain an alumina filler. The surface treatment was conducted by a dry method and treated with an amount of a silane coupling agent represented by the following formula.

실레인 커플링제 처리량 = (필러의 중량(g)×필러의 비표면적(m2/g))/실레인 커플링제의 최소 피복 면적(m2/g)Silane coupling agent throughput = (weight of filler (g) × specific surface area of filler (m 2 / g)) / minimum coverage of silane coupling agent (m 2 / g)

실레인 커플링제의 최소 피복 면적(m2/g) = 6.02×1023×13×10-20/실레인 커플링제의 분자량(M 2 / g) of the silane coupling agent = 6.02 × 10 23 × 13 × 10 -20 / molecular weight of the silane coupling agent

[접착 시트의 제작][Production of adhesive sheet]

표 1에 기재된 배합비에 따라, 각 성분 및 메틸 에틸 케톤(MEK)을 배합하고, 교반하는 것에 의해, 바니시를 얻었다. 두께 38μm의 세퍼레이터(실리콘 이형 처리한 PET 필름) 상에 바니시를 도포하고, 130℃의 오븐에서 2분간 건조하여, 접착 시트를 얻었다. 접착 시트의 두께를 표 1에 나타낸다.Each component and methyl ethyl ketone (MEK) were blended according to the compounding ratios shown in Table 1 and stirred to obtain a varnish. A varnish was applied onto a separator (PET film having a silicone release treatment) having a thickness of 38 mu m and dried in an oven at 130 DEG C for 2 minutes to obtain an adhesive sheet. Table 1 shows the thickness of the adhesive sheet.

[평가][evaluation]

얻어진 접착 시트에 대해, 이하의 평가를 행했다. 결과를 표 1에 나타낸다.The obtained adhesive sheet was subjected to the following evaluations. The results are shown in Table 1.

(열전도율)(Thermal conductivity)

접착 시트로부터 두께 10μm∼40μm의 샘플을 잘라냈다. 질소 분위기 하, 120℃에서 1시간 가열하고, 질소 분위기 하, 175℃에서 1시간 가열하는 것에 의해, 샘플을 경화시켰다. 경화 후의 샘플로부터 20mm각의 시험편을 잘라냈다. 시험편의 열확산율, 비열, 비중을 측정하여, 하기 식으로부터 시험편의 열전도율을 구했다.A sample having a thickness of 10 mu m to 40 mu m was cut out from the adhesive sheet. The sample was heated in a nitrogen atmosphere at 120 DEG C for 1 hour and then heated at 175 DEG C for 1 hour in a nitrogen atmosphere. A specimen of 20 mm square was cut out from the cured sample. Specific heat and specific gravity of the test piece were measured, and the thermal conductivity of the test piece was obtained from the following formula.

(열전도율) = (열확산율)×(비열)×(비중)(Thermal conductivity) = (thermal diffusivity) x (specific heat) x (specific gravity)

(주)아이페이즈제의 아이페이즈 모바일을 이용하여 열확산율을 측정했다. 에스아이아이나노테크놀로지(주)제의 DSC6220을 이용하여, 승온 속도 10℃/min, 온도 20℃∼300℃의 조건에서 DSC 측정하고, JIS 핸드북(비열 용량 측정 방법 K-7123 1987)에 기재된 방법으로 비열을 구했다. 아르키메데스법에 의해 비중을 측정했다.The thermal diffusivity was measured using an i-Phase mobile (manufactured by Ei-Phase Co., Ltd.). DSC measurement was carried out at a temperature raising rate of 10 캜 / min and a temperature of 20 캜 to 300 캜 using a DSC6220 manufactured by Esa Eye Nano Technology Co., Ltd., and the measurement was carried out according to the method described in JIS Handbook (Specific Heat Capacity Measurement Method K-7123 1987) . The specific gravity was measured by the Archimedes method.

(130℃의 용융 점도)(Melt viscosity at 130 캜)

레오미터(HAAKE사제의 RS-1)를 이용하여, 패럴렐 플레이트법에 의해 접착 시트의 용융 점도를 측정했다. 구체적으로는, 접착 시트로부터 0.1g의 시료를 채취하고, 시료를 130℃의 플레이트에 투입하여, 측정을 개시했다. 플레이트 사이의 갭은 0.1mm였다. 측정 개시부터 60초 후의 평균값이 용융 점도이다.The melt viscosity of the adhesive sheet was measured by a parallel plate method using a rheometer (RS-1 manufactured by HAAKE). Specifically, 0.1 g of the sample was taken from the adhesive sheet, and the sample was put into a plate at 130 캜 to start the measurement. The gap between the plates was 0.1 mm. The average value after 60 seconds from the start of measurement is the melt viscosity.

(열저항)(Thermal resistance)

접착 시트로부터 세로 「20mm」×가로 「20mm」×두께 「표 1에 나타내는 두께」의 시험용 시트를 잘라냈다. 개편화(個片化)한 시마전자주식회사제의 실리콘 히터 칩(5mm×5mm, 80Ω, 100μm)을 100℃, 10mm/sec, 0.1MPa의 조건에서 시험용 시트에 붙였다. 커터로 히터 칩의 외주를 따라 시험용 시트를 잘라, 시험용 시트 부착된 히터 칩을 얻었다. 신카와주식회사제의 다이 본드 장치(SPA-300)를 이용하여, 120℃, 0.1MPa, 1sec의 조건에서, 시험용 시트 부착된 히터 칩을 TO-220 규격의 리드 프레임에 압착했다. 리드 프레임은, 전면이 은으로 도금된 것이었다. 압착 후에, 질소 중, 120℃에서 1시간 가열하고, 175℃에서 1시간 가열하는 것에 의해, 시험용 시트를 경화시켰다. 와이어 본더를 이용하여, 175℃에서, 금 와이어로 히터 칩과 리드 프레임을 접속했다. 접속 후, 봉지 수지로 히터 칩을 봉지했다. 패키지를 개편화하여, 제 1 TO-220 패키지를 얻었다.20 mm " x 20 mm " x thickness " thickness shown in Table 1 " was cut out from the adhesive sheet. Silicon heater chips (5 mm × 5 mm, 80 Ω, and 100 μm) manufactured by Shima Electronics Co., Ltd. were attached to test sheets under conditions of 100 ° C., 10 mm / sec, and 0.1 MPa. The test sheet was cut along the outer periphery of the heater chip with a cutter to obtain a heater chip with a test sheet. Using a die bonding apparatus (SPA-300) manufactured by Shin Kagaku Co., Ltd., a heater chip with a test sheet was pressed on a lead frame of TO-220 standard under the conditions of 120 DEG C, 0.1 MPa, and 1 sec. The lead frame was plated with silver on the front surface. After compression, the test sheet was cured by heating in nitrogen at 120 占 폚 for 1 hour and heating at 175 占 폚 for 1 hour. Using a wire bonder, the heater chip and the lead frame were connected with a gold wire at 175 ° C. After the connection, the heater chip was sealed with a sealing resin. The package was reorganized to obtain the first TO-220 package.

시험용 시트의 두께가 「표 1에 나타내는 두께」의 2배인 것 이외에는, 제 1 TO-220 패키지의 제작 방법과 동일한 방법으로, 제 2 TO-220 패키지를 제작했다.A second TO-220 package was produced in the same manner as in the first TO-220 package production method except that the thickness of the test sheet was twice the thickness shown in Table 1. [

시험용 시트의 두께가 「표 1에 나타내는 두께」의 3배인 것 이외에는, 제 1 TO-220 패키지의 제작 방법과 동일한 방법으로, 제 3 TO-220 패키지를 제작했다.A third TO-220 package was produced in the same manner as in the first TO-220 package production method except that the thickness of the test sheet was three times the thickness shown in Table 1.

제 1 TO-220 패키지, 제 2 TO-220 패키지 및 제 3 TO-220 패키지에 대해, 과도 열분석 장치(멘터그래픽스사제의 T3ster)를 이용하여, 200mA의 전류로 이들을 가열한 후, 10mA, 가열 시간 5초, 측정 시간 5초로, 저항값의 경시적인 변화를 측정했다. 얻어진 전압 데이터를 온도 의존 계수를 이용하여 온도 데이터로 변환했다. 온도 데이터를 구조 함수로 변환하여, 「총 열저항」을 산출했다. X축이 시험용 시트의 두께를 나타내고 Y축이 총 열저항을 나타내는 좌표 평면에 결과를 나타내고, 근사선을 그려, 계면 열저항을 산출했다. 계면 열저항은, 시험용 시트의 두께가 0인 경우의 열저항이다. 표 1에 나타내는 값은, 5회 측정의 평균값이다.For the first TO-220 package, the second TO-220 package and the third TO-220 package, they were heated using a transient thermal analyzer (T3ster manufactured by Mentor Graphics) with a current of 200 mA, A time of 5 seconds, and a measuring time of 5 seconds. The obtained voltage data was converted into temperature data using a temperature dependency coefficient. The temperature data was converted into a structural function, and " total heat resistance " was calculated. The X axis represents the thickness of the test sheet and the Y axis represents the result on the coordinate plane showing the total heat resistance, and an approximate line is drawn to calculate the interface thermal resistance. The interfacial thermal resistance is the thermal resistance when the thickness of the test sheet is zero. The values shown in Table 1 are average values of five measurements.

Figure pat00001
Figure pat00001

1: 필름
11: 접착 시트
12: 다이싱 테이프
13: 세퍼레이터
71: 다이싱 테이프 일체형 접착 시트
121: 기재
122: 점착제층
122A: 접촉부
122B: 주변부
4: 반도체 웨이퍼
5: 다이 본드용 칩
41: 반도체 칩
111: 접착 필름
6: 리드 프레임
61: 다이 패드
62: 이너 리드
7: 본딩 와이어
8: 봉지 수지
9: 필름
14: 세퍼레이터
15: 세퍼레이터
901: 장치
902: 구조체
905: 필름 일체형 칩
906: 리드 프레임
907: 본딩 와이어
991: 접착 필름
992: 접착층
941: 실리콘 칩1: film
11: Adhesive sheet
12: Dicing tape
13: Separator
71: Dicing tape integral type adhesive sheet
121: substrate
122: pressure-sensitive adhesive layer
122A:
122B: peripheral portion
4: Semiconductor wafer
5: Die bonding chip
41: semiconductor chip
111: Adhesive film
6: Lead frame
61: die pad
62: inner lead
7: Bonding wire
8: sealing resin
9: Film
14: Separator
15: Separator
901: Device
902: Structure
905: Film integrated chip
906: Lead frame
907: Bonding wire
991: Adhesive film
992: Adhesive layer
941: Silicon chip

Claims (13)

접착 시트로부터 접착 필름을 잘라내는 단계와, 리드 프레임, 상기 리드 프레임 상에 배치된 상기 접착 필름 및 상기 접착 필름 상에 배치된 실리콘 칩을 갖는 구조체를 가열하는 단계를 갖는 방법에 의해, 상기 리드 프레임, 상기 리드 프레임 상에 배치된 접착층 및 상기 접착층 상에 배치된 실리콘 칩을 갖는 장치를 형성했을 때,
상기 접착층 및 상기 리드 프레임의 계면 열저항이 0.15K/W 이하이며,
상기 계면 열저항 및 상기 접착층의 내부 열저항의 합계인 총 열저항이 0.55K/W 이하인 접착 시트.Cutting the adhesive film from the adhesive sheet, and heating the structure having the lead frame, the adhesive film disposed on the lead frame, and the silicon chip disposed on the adhesive film, , An adhesive layer disposed on the lead frame, and a silicon chip disposed on the adhesive layer,
The interface thermal resistance of the adhesive layer and the lead frame is 0.15 K / W or less,
Wherein the total thermal resistance as a sum of the interfacial thermal resistance and the inner thermal resistance of the adhesive layer is 0.55 K / W or less. 제 1 항에 있어서,
수지 성분을 포함하고,
상기 수지 성분이, 유리 전이 온도 0℃ 이하, 중량 평균 분자량 85만∼140만의 아크릴 고무를 포함하며,
상기 아크릴 고무는 카복시기 및 글리시딜기를 갖지 않고,
상기 수지 성분 100중량% 중의 상기 아크릴 고무의 함유량은 5중량%∼30중량%인 접착 시트.The method according to claim 1,
A resin component,
Wherein the resin component comprises an acrylic rubber having a glass transition temperature of 0 DEG C or less and a weight average molecular weight of 850,000 to 1,400,000,
The acrylic rubber does not have a carboxy group and a glycidyl group,
Wherein the content of the acrylic rubber in 100 wt% of the resin component is 5 wt% to 30 wt%. 제 1 항에 있어서,
필러를 포함하고,
상기 필러가 알루미나 필러를 포함하며,
상기 알루미나 필러는, 에폭시기, 다이아민기 및 싸이올기를 갖지 않는 실레인 커플링제로 전처리된 표면 처리 필러인 접착 시트.The method according to claim 1,
Including a filler,
Wherein the filler comprises an alumina filler,
Wherein the alumina filler is a surface treated filler pretreated with a silane coupling agent having no epoxy group, diamine group or thiol group. 제 1 항에 있어서,
평균 입경 0.5μm∼1μm의 구상 필러를 포함하고,
상기 구상 필러의 함유량은 75중량% 이상인 접착 시트.The method according to claim 1,
And a spherical filler having an average particle diameter of 0.5 m to 1 m,
And the content of the spherical filler is 75 wt% or more. 제 4 항에 있어서,
상기 구상 필러의 진구도는 0.85 이상인 접착 시트.5. The method of claim 4,
And the sphericity of the spherical filler is 0.85 or more. 제 1 항에 있어서,
실온에서 액상인 제 1 에폭시 수지를 포함하고,
상기 제 1 에폭시 수지의 에폭시 당량은 175g/eq. 이상인 접착 시트.The method according to claim 1,
A first epoxy resin which is liquid at room temperature,
The epoxy equivalent of the first epoxy resin was 175 g / eq. Or more. 제 6 항에 있어서,
실온에서 고형인 제 2 에폭시 수지를 포함하고,
상기 제 2 에폭시 수지의 에폭시 당량은 200g/eq. 이하인 접착 시트.The method according to claim 6,
A second epoxy resin which is solid at room temperature,
The epoxy equivalent of the second epoxy resin is 200 g / eq. Or less. 제 1 항에 있어서,
두께는 15μm 이하인 접착 시트.The method according to claim 1,
The thickness of the adhesive sheet is 15 μm or less. 제 1 항에 있어서,
싸이올, 다이싸이오펜 및 테트라싸이오펜으로 이루어지는 군으로부터 선택된 적어도 1종의 골격을 갖는 실레인 커플링제를 포함하는 접착 시트.The method according to claim 1,
A silane coupling agent having at least one skeleton selected from the group consisting of thiol, dithiophene and tetrathiophene. 기재 및 상기 기재 상에 배치된 점착제층을 포함하는 다이싱 테이프와,
상기 점착제층 상에 배치된 제 1 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 기재된 접착 시트를 포함하는 다이싱 테이프 일체형 접착 시트.A dicing tape comprising a substrate and a pressure-sensitive adhesive layer disposed on the substrate,
The adhesive sheet integrally comprising an adhesive sheet according to any one of claims 1 to 9, which is disposed on the pressure-sensitive adhesive layer. 세퍼레이터와,
상기 세퍼레이터 상에 배치된 제 10 항에 기재된 다이싱 테이프 일체형 접착 시트를 포함하는 필름.A separator,
A film comprising the dicing tape-integrated adhesive sheet according to claim 10 arranged on the separator. 제 1 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 기재된 접착 시트에 반도체 웨이퍼를 압착하는 공정과,
상기 접착 시트에 상기 반도체 웨이퍼를 압착하는 공정 후에, 다이 분할을 이루는 것에 의해 반도체 칩 및 상기 반도체 칩 상에 배치된 접착 필름을 포함하는 다이 본드용 칩을 형성하는 공정과,
상기 다이 본드용 칩을 리드 프레임에 압착하는 공정을 포함하는 반도체 장치의 제조 방법.A method for manufacturing a semiconductor device, comprising the steps of: pressing a semiconductor wafer onto the adhesive sheet according to any one of claims 1 to 9;
Forming a die bonding chip including a semiconductor chip and an adhesive film disposed on the semiconductor chip by performing die division after the step of pressing the semiconductor wafer onto the adhesive sheet;
And pressing the die-bonding chip onto the lead frame. 제 12 항에 기재된 제조 방법에 의해 얻어진 반도체 장치.A semiconductor device obtained by the manufacturing method according to claim 12.
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