KR20210052252A - Conductive Paste and Multilayer Type Electronic Component - Google Patents
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Abstract
낮은 베이킹 온도에서 치밀하면서 적층체와의 접합성이 높은 하부전극층을 얻을 수 있는 도전성 페이스트를 제공한다.
도전성 페이스트(1)는 Cu 및 Ni 중에서 선택되는 적어도 1종류의 원소를 포함하는 도전성 분말(2)과, 유리 분말(3)과, 유기 재료(4)를 포함한다. 유리 분말(3)은 연화점이 455℃ 이상 650℃ 이하인 붕규산계 유리 조성물을 포함하면서, 유리 분말(3)과 C 분말의 혼합물의 승온 가열 시에 발생하는 가스의 질량 분석에 의해 얻어지는 질량 스펙트럼은 470℃ 이상 680℃ 이하에 질량 수 44의 가스 발생 피크를 가진다. A conductive paste capable of obtaining a lower electrode layer having high adhesion to a laminate at a low baking temperature while being dense is provided.
The conductive paste 1 contains a conductive powder 2 containing at least one element selected from Cu and Ni, a glass powder 3 and an organic material 4. The glass powder (3) contains a borosilicate-based glass composition having a softening point of 455°C to 650°C, and the mass spectrum obtained by mass spectrometry of the gas generated when the mixture of the glass powder (3) and C powder is heated at elevated temperature is 470 It has a gas generation peak of 44 mass numbers at a temperature of not less than 680°C and not more than 680°C.
Description
본 개시는 유리 분말을 포함하는 도전성 페이스트, 및 그것을 사용하여 형성된 외부전극을 포함한 적층형 전자부품에 관한 것이다.The present disclosure relates to a multilayer electronic component including a conductive paste including glass powder, and an external electrode formed by using the same.
적층 세라믹 콘덴서 등의 적층형 전자부품의 외부전극은 일반적으로 적층체의 표면에 형성된 하부전극층과, 하부전극층 상에 부여된 도금층을 포함한다. 하부전극층은 Cu 및 Ni 등의 도전성 분말과, 유리 분말과, 유기 재료를 포함하는 도전성 페이스트의 베이킹에 의해 형성되는 소결체층인 경우가 많다. 여기서, 도금층의 두께는 극히 얇기 때문에, 외부전극의 두께는 하부전극층의 두께에 영향을 받는다. An external electrode of a multilayer electronic component such as a multilayer ceramic capacitor generally includes a lower electrode layer formed on the surface of the multilayer body and a plating layer applied on the lower electrode layer. The lower electrode layer is often a sintered body layer formed by baking a conductive paste containing a conductive powder such as Cu and Ni, a glass powder, and an organic material. Here, since the thickness of the plating layer is extremely thin, the thickness of the external electrode is affected by the thickness of the lower electrode layer.
예를 들면, 적층 세라믹 콘덴서의 소형 대용량화를 진행하기 위한 한 수단으로서, 외부전극의 두께를 가능한 한 얇게 하고, 정전 용량을 발현하는 적층체의 체적을 크게 하는 것을 들 수 있다. 그를 위해서는 하부전극층의 두께를 얇게 할 필요가 있다. 한편, 하부전극층을 얇게 하면, 외부로부터 수분이 침입하기 쉬워질 우려가 있다. 도전성 페이스트 중의 유리 분말은 도전성 분말의 소결성을 향상시키고, 외부로부터의 수분의 침입을 억제할 수 있는, 치밀한 하부전극층을 얻기 위해 첨가되어 있다. For example, as a means for increasing the size and capacity of the multilayer ceramic capacitor, the thickness of the external electrode is made as thin as possible, and the volume of the laminate that expresses the electrostatic capacitance is increased. To do this, it is necessary to make the thickness of the lower electrode layer thin. On the other hand, if the lower electrode layer is made thin, there is a fear that moisture can easily enter from the outside. The glass powder in the conductive paste is added in order to improve the sinterability of the conductive powder and to obtain a dense lower electrode layer capable of suppressing the intrusion of moisture from the outside.
유리 분말의 성분으로는 B산화물 및 Si산화물을 그물코 형성 산화물로 하고, Ba, Ca 및 Sr 등의 알칼리 토금속 원소 산화물을 수식 산화물로서 포함하는 붕규산계 유리 조성물이 사용되는 경우가 많다. 상기와 같은 붕규산계 유리 조성물이 사용된 유리 분말을 포함하는 도전성 페이스트의 일례로서 국제공개공보 WO2014/175013(특허문헌 1)에 기재된 도전성 페이스트를 들 수 있다. 특허문헌 1에 개시된 도전성 페이스트는 800℃부터 900℃에서 적층체에 베이킹된다.As a component of the glass powder, a borosilicate-based glass composition containing oxides of B oxide and Si as mesh-forming oxides and oxides of alkaline earth metal elements such as Ba, Ca, and Sr as modified oxides is often used. As an example of a conductive paste containing glass powder in which the borosilicate-based glass composition is used, the conductive paste described in International Publication No. WO2014/175013 (Patent Document 1) can be mentioned. The conductive paste disclosed in Patent Document 1 is baked in a laminate at 800°C to 900°C.
특허문헌 1에 개시된 도전성 페이스트는 상기와 같이 고온에서 베이킹된다. 그 때문에, 하부전극층이 베이킹 온도부터 실온까지 냉각되었을 때, 수축의 정도가 크다. 그 결과, 적층체에 큰 응력이 가해지고, 크랙이 발생할 우려가 있다. 즉, 크랙 발생을 억제하기 위해서는 도전성 페이스트의 베이킹 온도를 저하시키고, 하부전극층의 냉각 시에서의 수축의 정도를 작게 할 필요가 있다. 한편, 베이킹 온도를 저하시키면, 도전성 페이스트 중의 유기 재료가 충분히 연소 혹은 분해되지 않고 잔류하며, 하부전극층의 치밀화를 저해할 우려가 있다. 또한, 치밀화되긴 하지만 적층체와 하부전극층의 접합성이 저하될 우려가 있다. The conductive paste disclosed in Patent Document 1 is baked at a high temperature as described above. Therefore, when the lower electrode layer is cooled from the baking temperature to room temperature, the degree of shrinkage is large. As a result, a large stress is applied to the laminate, and there is a fear that cracks may occur. That is, in order to suppress the occurrence of cracks, it is necessary to lower the baking temperature of the conductive paste and to reduce the degree of shrinkage during cooling of the lower electrode layer. On the other hand, when the baking temperature is lowered, the organic material in the conductive paste remains without sufficiently burning or decomposing, and there is a concern that densification of the lower electrode layer may be inhibited. In addition, although it is densified, there is a concern that the bonding property between the laminate and the lower electrode layer is deteriorated.
본 개시의 목적은 낮은 베이킹 온도에서 치밀하면서 적층체와의 접합성이 높은 하부전극층을 얻을 수 있는 도전성 페이스트, 및 그것을 사용하여 형성된 하부전극층을 포함하는 외부전극을 포함한 적층형 전자부품을 제공하는 것이다. An object of the present disclosure is to provide a multilayer electronic component including a conductive paste capable of obtaining a lower electrode layer having high adhesion to a laminate at a low baking temperature and having high adhesion to a laminate, and an external electrode including a lower electrode layer formed by using the same.
본 개시에 따른 도전성 페이스트는 Cu 및 Ni 중에서 선택되는 적어도 1종류의 원소를 포함하는 도전성 분말과, 유리 분말과, 유기 재료를 포함한다. 유리 분말은 연화점이 455℃ 이상 650℃ 이하인 붕규산계 유리 조성물을 포함한다. 그리고 유리 분말과 C 분말의 혼합물의 승온(昇溫) 가열 시에 발생하는 가스의 질량분석에 의해 얻어지는 질량 스펙트럼(mass spectrum)은 470℃ 이상 680℃ 이하에 질량 수 44의 가스 발생 피크를 가진다. The conductive paste according to the present disclosure contains a conductive powder containing at least one element selected from Cu and Ni, a glass powder, and an organic material. The glass powder contains a borosilicate-based glass composition having a softening point of 455°C or more and 650°C or less. In addition, a mass spectrum obtained by mass spectrometry of a gas generated when the mixture of glass powder and C powder is heated at elevated temperature has a gas generation peak of 44 masses at 470°C or more and 680°C or less.
본 개시에 따른 적층형 전자부품은 적층된 복수개의 유전체층과 복수개의 내부전극층을 포함하는 적층체와, 적층체의 외표면 상의 서로 다른 위치에 형성되면서 내부전극층에 전기적으로 접속되는 복수개의 외부전극을 포함한다. 그리고 외부전극은 본 개시에 따른 도전성 페이스트의 베이킹에 의해 형성된 하부전극층을 포함한다. A stacked electronic component according to the present disclosure includes a stacked body including a plurality of stacked dielectric layers and a plurality of internal electrode layers, and a plurality of external electrodes formed at different positions on the outer surface of the stacked body and electrically connected to the internal electrode layers. do. In addition, the external electrode includes a lower electrode layer formed by baking a conductive paste according to the present disclosure.
본 개시에 따른 도전성 페이스트는 낮은 베이킹 온도에서 치밀하면서 적층체와의 접합성이 높은 하부전극층을 얻을 수 있다. 또한, 본 개시에 따른 적층형 전자부품은 본 개시에 따른 도전성 페이스트의 베이킹에 의해 형성된 상기 하부전극층을 포함하는 외부전극을 포함할 수 있다. The conductive paste according to the present disclosure can obtain a lower electrode layer that is dense at a low baking temperature and has high adhesion to a laminate. In addition, the multilayer electronic component according to the present disclosure may include an external electrode including the lower electrode layer formed by baking a conductive paste according to the present disclosure.
도 1은 본 개시에 따른 도전성 페이스트의 실시형태인 도전성 페이스트(1)의 모식도이다.
도 2는 유리 분말(3)에 의한 유기 재료(4)의 연소 촉진에 대해 추정되어 있는 메커니즘을 설명하기 위한 모식도이다.
도 3은 Cu, Ni, Co 및 C의 산화물의 표준 생성 자유에너지와 온도의 관계를 나타내는 그래프(엘링감도(Ellingham diagram))이다.
도 4는 본 개시에 따른 적층형 전자부품의 실시형태인 적층 세라믹 콘덴서(100)의 단면도이다.
도 5는 적층 세라믹 콘덴서(100)의 제1 외부전극(14a)의 제1 하부전극(14a1)의 미세 구조를 설명하기 위한 단면도이다. 1 is a schematic diagram of a conductive paste 1 which is an embodiment of a conductive paste according to the present disclosure.
FIG. 2 is a schematic diagram for explaining an estimated mechanism for acceleration of combustion of the
3 is a graph (Ellingham diagram) showing the relationship between the standard free energy and temperature of the oxides of Cu, Ni, Co, and C.
4 is a cross-sectional view of a multilayer
5 is a cross-sectional view illustrating a microstructure of the first lower electrode 14a 1 of the first
본 개시의 특징으로 하는 바를, 도면을 참조하면서 설명한다. 한편, 이하에 나타내는 적층형 전자부품의 실시형태에서는 동일하거나 공통되는 부분에 대해 도면 중 동일한 부호를 붙이고, 그 설명은 반복하지 않는 경우가 있다. Features of the present disclosure will be described with reference to the drawings. On the other hand, in the embodiments of the multilayer electronic component shown below, the same or common portions are denoted by the same reference numerals in the drawings, and the description may not be repeated.
-도전성 페이스트의 실시형태- -Embodiment of conductive paste-
본 개시에 따른 도전성 페이스트의 실시형태를 나타내는 도전성 페이스트(1)에 대해 도 1 내지 도 3을 이용하여 설명한다. A conductive paste 1 showing an embodiment of a conductive paste according to the present disclosure will be described with reference to FIGS. 1 to 3.
<도전성 페이스트의 구성> <Configuration of conductive paste>
도 1은 도전성 페이스트(1)의 모식도이다. 도전성 페이스트(1)는 도전성 분말(2)과 유리 분말(3)과 유기 재료(4)를 포함한다. 1 is a schematic diagram of a conductive paste 1. The conductive paste 1 contains a
도전성 분말(2)은 Cu 및 Ni 중에서 선택되는 적어도 1종류의 원소를 포함한다. 즉, 도전성 분말(2)은 Cu 또는 Ni의 금속 단체(單體)뿐만 아니라, Cu합금 또는 Ni합금을 포함하고 있어도 된다. The
또한, 도전성 분말(2)의 적어도 일부의 표면은 Ag, Sn 및 Al 중에서 선택되는 적어도 1종류의 원소를 포함하는 금속층에 의해 피복되어 있어도 된다. 상기 금속 원소는 Cu 및 Ni보다 융점이 낮다. 그 때문에, 상기 구조를 가지는 도전성 분말(2)은 소결 온도를 저하시킬 수 있다. Further, at least a part of the surface of the
더욱이, 도전성 분말(2)의 적어도 일부의 표면은 유기물층에 의해 피복되어 있어도 된다. 이 경우, 예를 들면 유기물층의 존재에 의해 입체 장해 반발 또는 정전 반발 등의 효과가 얻어진다. 그 결과, 도전성 분말(2)이 미립이어도, 도전성 페이스트(1) 중에서의 도전성 분말(2)의 응집을 억제할 수 있다. Moreover, at least a part of the surface of the
그리고 도전성 분말(2)의 평균 입경은 1㎛ 이하인 것이 바람직하다. 도전성 분말(2)의 평균 입경은 도전성 분말(2)의 주사형 전자현미경(Scanning Electron Microscope: 이후, SEM으로 약칭하는 경우가 있음) 관찰상의 화상 해석으로부터 얻어진 등가원(等價圓) 환산 직경의 메디안 지름으로 했다. 등가원 환산 직경의 메디안 지름이란, 입경에 대한 적산%의 분포 곡선에서 적산%가 50%가 되는 입경(D50)이다. 이 경우, 도전성 분말(2)은 소결 온도를 저하시킬 수 있다. And it is preferable that the average particle diameter of the
유리 분말(3)은 본 개시에 따른 유리 분말이다. 이 유리 분말(3)의 특징에 대해서는 후술한다. 한편, 도 1에서는 도전성 분말(2) 및 유리 분말(3)은 모식적으로 구(球)형으로 묘사되어 있는데, 각각의 분말의 형상은 이것만은 아니다. 예를 들면, 도전성 분말(2)은 편평 형상의 도전성 분말을 포함하고 있어도 된다. 유리 분말(3)도 부정 형상의 유리 분말을 포함하고 있어도 된다. The
유기 재료(4)는 수지 및 유기 용제 등을 포함하는 바인더 성분, 그리고 분산제 및 레올로지 컨트롤제 등을 포함하는 첨가제를 포함한다. 이들 성분은 도전성 페이스트의 유기 재료로서 통상 사용되는 재료 중에서 적절히 선택할 수 있다. The
유리 분말(3)은 붕규산계 유리 조성물을 포함한다. 붕규산계 유리 조성물이란, B산화물 및 Si산화물을 그물코 형성 산화물로서 포함하고, 알칼리금속 원소 산화물 및 알칼리토금속 원소 산화물 등을 수식 산화물로서 포함하는 유리 조성물이다. 그리고 유리 분말(3)에 포함되는 붕규산계 유리 조성물의 연화점은 455℃ 이상 650℃ 이하이다.The
피측정물의 연화점 측정은 열중량·시차열 분석 장치(Thermogravimeter-Differential Thermal Analyzer: 이후, TG-DTA로 약칭되는 경우가 있음)에 의해 실시된다. 측정 조건은 후술된다. The measurement of the softening point of the object to be measured is performed by a thermogravimeter-differential thermal analyzer (hereinafter, sometimes abbreviated as TG-DTA). Measurement conditions will be described later.
즉, 유리 분말(3)에 포함되는 붕규산계 유리 조성물의 연화점은 종래의 붕규산계 유리 조성물의 연화점보다 낮다. 따라서, 유리 분말(3)을 포함하는 도전성 페이스트(1)의 베이킹에 의해 형성된 하부전극층은 베이킹 온도부터 실온까지 냉각되었을 때, 수축의 정도가 작다. 그 결과, 적층체에 가해지는 응력이 저감되고, 크랙 발생이 억제된다. 그러나 상기한 바와 같이, 베이킹 온도를 저하시키면, 도전성 페이스트 중의 유기 재료가 충분히 연소 혹은 분해되지 않고 잔류하며, 하부전극층의 치밀화를 저해할 우려가 있다. That is, the softening point of the borosilicate-based glass composition contained in the
따라서, 본 개시에 따른 도전성 페이스트(1)에서는 유리 분말(3)에 의해 도전성 페이스트(1) 중의 유기 재료(4)를 충분히 연소시키도록 하고 있다. 구체적으로는 유리 분말(3)과 C 분말의 혼합물의 승온 가열 시에 발생하는 가스의 질량분석에 의해 얻어지는 질량 스펙트럼은 470℃ 이상 680℃ 이하에 질량 수 44, 즉 CO2의 가스 발생 피크를 가진다는 특징을 가진다. 바꿔 말하면, 유리 분말(3)은 상기 온도 범위에서 연화 유동하여 유기 재료(4)의 잔사와 접촉함으로써, 유리 유동체의 구성 성분으로부터 O를 공급하고, 유기 재료(4)의 잔사의 연소를 촉진하고 있다. Therefore, in the conductive paste 1 according to the present disclosure, the
한편, 유리 조성물의 연화점이란, 유리 조성물의 점도 η(Pa·s)가 logη에서 6.65 이하가 되는 온도이며, 연화점에 가까운 온도라면, 연화점의 온도 이하이어도 유리 조성물은 연화 유동되어 있다. 따라서, 유리 분말(3)에 포함되는 붕규산계 유리 조성물의 연화점이 CO2의 가스 발생 피크 온도보다 높아지는 경우가 있어도 된다. On the other hand, the softening point of the glass composition is a temperature at which the viscosity η (Pa·s) of the glass composition is 6.65 or less in logη, and if it is a temperature close to the softening point, the glass composition is softened and fluidized even if it is below the temperature of the softening point. Therefore, the softening point of the borosilicate-based glass composition contained in the
상기에 대해 도 2를 이용하여 더 설명한다. 도 2는 유리 분말(3)에 의한 유기 재료(4)의 연소의 촉진에 대해, 추정되어 있는 메커니즘을 설명하기 위한 모식도이다. 도 2(A)는 연화점보다 조금 낮은 온도에서 유리 분말(3)과 유기 재료(4)의 잔사에 상당하는 C성분(5)이 혼합되어 있는 상태를 나타낸다. 단, 상기와 같이, 이 단계에서도 유리 분말(3)은 연화 유동을 개시하고 있기 때문에, C성분(5)이 연화 유동되어 가고 있는 유리 분말(3)에 의해 싸여 있는 상태로 되어 있어도 된다. The above will be further described with reference to FIG. 2. 2 is a schematic diagram for explaining an estimated mechanism for acceleration of combustion of the
도 2(B)는 연화점보다 조금 높은 온도에서 유리 분말(3)이 연화되어 유리 유동체(3f)가 되고, C성분(5)과 접촉되어 있는 상태를 나타낸다. 한편, 도 2(B)에서는 C성분(5)이 유리 유동체(3f)에 의해 둘러싸인 상태가 도시되어 있는데, C성분(5)과 유리 유동체(3f)가 부분적으로 접촉되어 있는 상태이어도 된다. 이 상태에서, 유리 유동체(3f)의 구성 성분으로부터 O가 공급된다. Fig. 2(B) shows a state in which the
도 2(C)는 도 2(B)에 도시된 상태에서의 온도, 및 그보다 더 높은 온도에서 O를 받은 C성분(5)이 연소되어 유리 유동체(3f) 내에 CO2를 포함하는 가스의 거품(5g)이 생성된 상태를 나타낸다. 단, 이 상태에서는 유리 유동체(3f)의 점도는 가스의 거품(5g)이 터질만큼 저하되어 있지 않고, 가스의 거품(5g)은 유리 유동체(3f) 내에 머물러 있다. 2(C) is a bubble of a gas containing CO 2 in the
도 2(D)는 도 2(B)에 도시된 상태에서의 온도보다도 더 높은 온도에서 유리 유동체(3f)의 점도가 더 낮아짐으로써, 가스의 거품(5g)이 터져서 유리 유동체(3f)로부터 CO2를 포함하는 가스가 빠진 상태를 나타낸다. 그 결과, 피측정물의 승온 가열 시에 발생하는 가스의 질량분석에서 CO2의 가스 발생 피크가 검출된다. 2(D) shows that the viscosity of the
한편, 상술한 바와 같이 상기 메커니즘은 합리적으로 추정된 것이기는 하지만, 그 밖의 요인이 관여되어 있을 가능성도 있다. 즉, 본 개시에서의 도전성 페이스트의 조건은 상기 메커니즘에 의해서만 설명되는 것을 필수로는 하고 있지 않은 것에 유의해야 한다.On the other hand, as described above, the mechanism is reasonably estimated, but there is a possibility that other factors may be involved. That is, it should be noted that the condition of the conductive paste in the present disclosure is not necessarily explained only by the above mechanism.
피측정물의 승온 가열 시에 발생하는 가스의 질량분석은 열중량·질량분석 장치(Thermogravimetry-Mass Spectrometer: 이후, TG-MS로 약칭하는 경우가 있음)에 의해 실시된다. 측정 조건은 후술된다. The mass spectrometry of the gas generated during heating of the object to be measured is performed by a thermogravimetry-mass spectrometer (hereinafter, sometimes abbreviated as TG-MS). Measurement conditions will be described later.
본 개시에 따른 도전성 페이스트(1)는 상기 특징을 가지는 유리 분말(3)을 포함하고 있기 때문에, 낮은 베이킹 온도이어도 도전성 페이스트(1) 중의 유기 재료(4)를 충분히 연소시킬 수 있다. 그 결과, 도전성 분말(2)끼리의 네킹이 유기 재료(4)에 유래하는 잔류 유기 성분에 의해 저해되지 않고, 도전성 분말(2)의 소결이 촉진된다. 그 때문에, 하부전극층의 치밀화가 촉진되고, 적층체와 하부전극층의 접합성 저하가 억제된다. Since the conductive paste 1 according to the present disclosure contains the
유리 분말(3)에 포함되는 붕규산계 유리 조성물은 산소를 제외한 구성 원소 중 수식 산화물이 되는 적어도 1종류의 제1 원소(M1)를 36㏖% 이상 68㏖% 이하 포함하는 것이 바람직하다. 여기서, 본 개시에서의 수식 산화물이란, 유리 조성물 중의 그물코 형성 산화물(Si산화물 및 B산화물) 이외의 산화물을 가리키는 개념이다. 즉, 본 개시에서의 수식 산화물에는 유리 조성물 중에서 이른바 중간 산화물이라고 불리는 Al산화물 등도 포함된다. 이 경우, 붕규산계 유리 조성물의 연화점을 455℃ 이상 650℃ 이하로 용이하게 조정할 수 있다. It is preferable that the borosilicate-based glass composition contained in the
또한, 제1 원소(M1)는 Li, Na 및 K 중에서 선택되는 적어도 1종류의 원소를 포함하는 것이 바람직하다. 이 경우, 붕규산계 유리 조성물의 연화점의 조정을 더 용이하게 실시할 수 있다. In addition, it is preferable that the first element (M1) contains at least one element selected from Li, Na and K. In this case, it is possible to more easily adjust the softening point of the borosilicate-based glass composition.
유리 분말(3)에 포함되는 붕규산계 유리 조성물은 제1 원소(M1) 중 연화점 이상에서의 산화물의 표준 생성 자유에너지(ΔGM°)가 CO2의 표준 생성 자유에너지(ΔGC°)보다 큰 산소 공급 산화물이 되는 적어도 1종류의 제2 원소(M2)를 1.5㏖% 이상 6.5㏖% 이하 포함하는 것이 바람직하다. 한편, 이 비율은 산소를 제외한 구성 원소에 대한 것이다. Borosilicate based glass composition contained in the
즉, 상술한 유리 분말(3)이 연화되어 유리 유동체(3f)가 되고, C성분(5)과 접촉되어 있는 상태(도 2(B) 참조)에서 유리 유동체(3f) 내의 제2 원소(M2)로부터 O가 공급된다. 이 경우, 유리 분말(3)과 C 분말의 혼합물의 TG-MS에 의한 질량 스펙트럼에서 470℃ 이상 680℃ 이하에 CO2의 가스 발생 피크를 용이하게 발생시킬 수 있다.That is, the second element (M2) in the
상기에 대해 도 3을 이용하여 더 설명한다. 도 3은 Cu, Ni, Co 및 C의 산화물의 표준 생성 자유에너지와 온도의 관계를 나타내는 그래프, 이른바 엘링감도이다. 산화물의 표준 생성 자유에너지(ΔG°)와 온도의 관계를 나타내는 선보다 하측의 영역에서는 원소 단체가 안정적이고, 상측의 영역에서는 산화물이 안정적이다. The above will be further described with reference to FIG. 3. 3 is a graph showing the relationship between the standard free energy and temperature of oxides of Cu, Ni, Co, and C, a so-called Elling sensitivity. The element alone is stable in the region below the line indicating the relationship between the standard free energy (ΔG°) and temperature of the oxide, and the oxide is stable in the upper region.
즉, 엘링감도는 다양한 원소의 산화물의 안정성을 평형산소분압과 관련시켜 나타내는 것이다. 엘링감도로부터, 소정의 원소의 산화물을 환원하기 위해서는 어떠한 환원제를 어느 정도의 온도에서 작용시키면 되는지, 그리고 소정의 산소 분압하에서 금속이 산화되는지 여부에 대해 알 수 있다. That is, the Elling sensitivity is expressed by relating the stability of oxides of various elements to the equilibrium oxygen partial pressure. From the Elling sensitivity, it is possible to know which reducing agent should be applied at what temperature to reduce the oxide of a predetermined element, and whether or not the metal is oxidized under a predetermined partial pressure of oxygen.
도 3에 도시되어 있는 C의 산화에 관계되는 선(실선)과, Cu의 산화에 관한 선(파선)을 보면, 유리 분말(3)의 연화점 이상, 즉 455℃ 이상이고 C의 산화에 관계되는 선이 Cu의 산화에 관계되는 선보다 하측의 영역에 위치하고 있다. 따라서, Cu의 산화에 관계되는 선과 C의 산화에 관계되는 선 사이의 영역에서는, Cu는 Cu 단체가 안정적이고, C는 CO2가 안정적이 된다. 즉, 제1 원소(M1) 중에 제2 원소(M2)로서 Cu가 포함되어 있는 경우, 붕규산계 유리 조성물의 Cu산화물은 상기 영역 내의 온도 및 산소 분압하에서 환원되고, C를 연소시키는데에 필요한 산소를 공급할 수 있다. Looking at the line (solid line) related to the oxidation of C and the line (broken line) related to the oxidation of Cu shown in Fig. 3, the softening point of the
도 3에는 Co의 산화에 관한 선(일점쇄선) 및 Ni의 산화에 관한 선(2점쇄선)도 함께 도시되어 있다. 이들도 상기와 마찬가지로, 유리 분말(3)의 연화점 이상이고 C의 산화에 관계되는 선이 Co의 산화에 관계되는 선 및 Ni의 산화에 관계되는 선보다 하측의 영역에 위치하고 있다. 따라서, 붕규산계 유리 조성물의 수식 산화물로 되어 있는 제1 원소(M1) 중에 제2 원소(M2)로서 Co 및 Ni가 포함되어 있는 경우도, 동일한 작용을 발휘할 수 있다. In Fig. 3, a line related to the oxidation of Co (dashed-dotted line) and a line related to the oxidation of Ni (double-dotted chain line) are also shown. In the same manner as described above, the line related to the oxidation of C and above the softening point of the
즉, 제1 원소(M1) 중에 제2 원소(M2)가 포함되어 있는 경우, 도전성 페이스트(1)의 베이킹 온도가 낮아도, 도전성 페이스트(1) 중의 유기 재료(4)를 효과적으로 연소시킬 수 있다. 바꿔 말하면, 상기의 경우, 유리 분말(3)과 C 분말의 혼합물의 TG-MS에 의한 질량 스펙트럼에서 470℃ 이상 680℃ 이하로 CO2의 가스 발생 피크를 용이하게 발생시킬 수 있다. That is, when the second element M2 is contained in the first element M1, even if the baking temperature of the conductive paste 1 is low, the
예를 들면, 도전성 분말(2)의 적어도 일부의 표면이 유기물층에 의해 피복되어 있는 경우, 베이킹 전 도전성 페이스트(1)는 도전성 분말(2)이 유기물층에 의해 피복되어 있지 않은 경우에 비해, 보다 많은 유기 재료를 포함하는 것이 된다. 즉, 도전성 페이스트 중의 유기 재료가 충분히 연소 혹은 분해되지 않고 잔류하며, 하부전극층의 치밀화를 저해하기 쉬워진다. For example, when at least a part of the surface of the
그러나 상기와 같이 제1 원소(M1) 중에 제2 원소(M2)가 포함되어 있는 경우, 도전성 페이스트(1)의 베이킹 온도가 낮아도, 도전성 페이스트(1) 중의 유기 재료(4)를 효과적으로 연소시킬 수 있다. 이 효과는 도전성 페이스트(1)의 베이킹 중에 CO2가 빠지기 어려운 도전성 분말(2)의 평균 입경이 1㎛ 이하인 경우 등에 특히 현저해진다. However, as described above, when the second element M2 is contained in the first element M1, the
제2 원소(M2)는 상기에서 나타내진 Cu, Co 및 Ni에 한정되지 않는다. 한편, 제2 원소(M2)가 Cu, Co 및 Ni 중에서 선택되는 적어도 1종류의 원소인 경우, 붕규산계 유리 조성물의 연화점의 조정을 더 용이하게 실시할 수 있다. The second element M2 is not limited to Cu, Co, and Ni shown above. On the other hand, when the second element (M2) is at least one element selected from Cu, Co, and Ni, it is possible to more easily adjust the softening point of the borosilicate-based glass composition.
-적층형 전자부품의 실시형태- -Embodiment of a laminated electronic component-
본 개시에 따른 적층형 전자부품의 실시형태를 나타내는 적층 세라믹 콘덴서(100)에 대해 도 4 및 도 5를 이용하여 설명한다. A multilayer
도 4는 적층 세라믹 콘덴서(100)의 단면도이다. 적층 세라믹 콘덴서(100)는 적층체(10)를 포함하고 있다. 적층체(10)는 적층된 복수개의 유전체층(11)과 복수개의 내부전극층(12)을 포함한다. 복수개의 유전체층(11)은 외층부와 내층부를 가진다. 외층부는 적층체(10)의 제1 주면(主面)과 제1 주면에 가장 가까운 내부전극층(12) 사이, 및 제2 주면과 제2 주면에 가장 가까운 내부전극층(12) 사이에 배치되어 있다. 내층부는 그들 2개의 바깥층부에 끼인 영역에 배치되어 있다. 4 is a cross-sectional view of the multilayer
복수개의 내부전극층(12)은 제1 내부전극층(12a)과 제2 내부전극층(12b)을 가진다. 적층체(10)는 적층방향으로 마주 보는 제1 주면 및 제2 주면과, 적층방향에 직교하는 폭방향으로 마주 보는 제1 측면 및 제2 측면과, 적층방향 및 폭방향에 직교하는 길이방향으로 마주 보는 제1 단면(端面)(13a) 및 제2 단면(13b)을 가진다. The plurality of internal electrode layers 12 have a first
유전체층(11)은 예를 들면 BaTiO3계 페로브스카이트형 화합물을 포함하는 복수개의 결정립을 가진다. 상기 유전체 재료로는 예를 들면 BaTiO3계 페로브스카이트형 화합물의 결정 격자 중의 Ba2+의 일부가 희토류 원소의 이온인 Re3+에 의해 치환된 것을 들 수 있다. 또한, BaTiO3계 페로브스카이트형 화합물로는 BaTiO3, 그리고 BaTiO3의 Ba2+ 및 Ti4+ 중 적어도 한쪽이 Ca2+ 및 Zr4+ 등의 다른 이온에 의해 치환된 것 등을 들 수 있다. The
제1 내부전극층(12a)은 유전체층(11)을 개재하여 제2 내부전극층(12b)과 서로 대향하고 있는 대향 전극부와, 대향 전극부로부터 적층체(10)의 제1 단면(13a)까지의 인출 전극부를 포함하고 있다. 제2 내부전극층(12b)은 유전체층(11)을 개재하여 제1 내부전극층(12a)과 서로 대향하고 있는 대향 전극부와, 대향 전극부로부터 적층체(10)의 제2 단면(13b)까지의 인출 전극부를 포함하고 있다. The first
제1 내부전극층(12a)과 제2 내부전극층(12b)이 유전체층(11)을 개재하여 서로 대향함으로써 하나의 콘덴서가 형성된다. 적층 세라믹 콘덴서(100)는 복수개의 콘덴서가 후술할 제1 외부전극(14a) 및 제2 외부전극(14b)을 통해 병렬 접속된 것이라고 할 수 있다. The first
내부전극층(12)을 구성하는 도전성 재료로는 Ni, Cu, Ag 및 Pd 등에서 선택되는 적어도 1종의 금속 또는 상기 금속을 포함하는 합금을 사용할 수 있다. 내부전극층(12)은 후술하는 바와 같이 공재(共材)(도시하지 않음)라고 불리는 유전체 입자를 추가로 포함하고 있어도 된다. 공재는 내부전극층(12)의 형성에 사용되는 내부전극층용 페이스트에 첨가되어 있는 것이며, 적층체(10)의 소성 시에 유전체층(11) 측에 배출되는데, 그 일부가 내부전극층(12)에 잔류하는 경우가 있다. 공재는 적층체(10)의 소성 시에 내부전극층(12)의 소결 수축 특성을 유전체층(11)의 소결 수축 특성에 가깝게 하기 위해 첨가되는 것이다. As a conductive material constituting the
적층 세라믹 콘덴서(100)는 제1 외부전극(14a)과 제2 외부전극(14b)을 추가로 포함하고 있다. 제1 외부전극(14a)은 제1 내부전극층(12a)과 전기적으로 접속되도록 적층체(10)의 제1 단면(13a)에 형성되고, 제1 단면(13a)으로부터 제1 주면 및 제2 주면 그리고 제1 측면 및 제2 측면으로 연장되어 있다. 제2 외부전극(14b)은 제2 내부전극층(12b)과 전기적으로 접속되도록 적층체(10)의 제2 단면(13b)에 형성되고, 제2 단면(13b)으로부터 제1 주면 및 제2 주면 그리고 제1 측면 및 제2 측면으로 연장되어 있다. The multilayer
제1 외부전극(14a)은 제1 하부전극층(14a1)과 제1 하부전극층(14a1) 상에 배치된 제1 도금층(14a2)을 가진다. 제1 하부전극층(14a1)은 본 개시에 따른 도전성 페이스트(1)의 베이킹에 의해 형성된 소결체층(후술)을 가진다. 마찬가지로, 제2 외부전극(14b)은 제2 하부전극층(14b1)과 제2 하부전극층(14b1) 상에 배치된 제2 도금층(14b2)을 가진다. 제2 하부전극층(14b1)도 본 개시에 따른 도전성 페이스트(1)의 베이킹에 의해 형성된 소결체층(후술)을 가진다. The first
도 5는 제1 하부전극층(14a1)의 미세 구조를 설명하기 위한 단면도이다. 제2 하부전극층(14b1)은 제1 하부전극층(14a1)과 동일한 구조를 가지고 있기 때문에, 이후의 설명을 생략한다. 제1 하부전극층(14a1)이 가지는 소결체층은 도전체 영역(15a1)과 유리 영역(16a1)을 포함한다. 도전체 영역(15a1)은 도전성 페이스트(1)가 포함하는 도전성 분말(2)이 소결된 금속 소결체를 포함하고 있다. 유리 영역(16a1)은 유리 분말(3)에 유래하는 유리 성분을 포함하고 있다. 한편, 소결체층은 다른 성분으로 복수층 형성되어 있어도 된다. 5 is a cross-sectional view illustrating a microstructure of the first
제1 하부전극층(14a1) 상에 배치된 제1 도금층(14a2)을 구성하는 금속으로는 Ni, Cu, Ag, Au 및 Sn 등에서 선택되는 적어도 1종 또는 상기 금속을 포함하는 합금을 사용할 수 있다. 상기 도금층은 다른 성분으로 복수층 형성되어 있어도 된다. 바람직하게는 Ni도금층 및 Sn도금층의 2층이다. As the metal constituting the
Ni도금층은 하부전극층 상에 배치되고, 적층형 전자부품을 실장할 때에, 하부전극층이 솔더에 의해 침식되는 것을 방지할 수 있다. Sn도금층은 Ni도금층 상에 배치된다. Sn도금층은 Sn을 포함하는 솔더와의 젖음성이 좋기 때문에, 적층형 전자부품을 실장할 때에 실장성을 향상시킬 수 있다. 한편, 이 도금층은 필수는 아니다. The Ni plating layer is disposed on the lower electrode layer, and when mounting the multilayer electronic component, it is possible to prevent the lower electrode layer from being eroded by solder. The Sn plating layer is disposed on the Ni plating layer. Since the Sn-plated layer has good wettability with a solder containing Sn, it is possible to improve the mountability when mounting a multilayer electronic component. On the other hand, this plating layer is not essential.
본 개시에 따른 적층 세라믹 콘덴서(100)는 도전성 페이스트(1)의 베이킹에 의해 형성된, 치밀화가 촉진되고 적층체와의 접합성의 저하가 억제된 하부전극층을 포함하는 외부전극을 포함할 수 있다. The multilayer
-실험예- -Experimental example-
본 개시에 따른 도전성 페이스트는 이하의 실험예에 기초하여 보다 구체적으로 설명된다. 이들 실험예는 본 개시에 따른 도전성 페이스트의 조건, 또는 보다 바람직한 조건을 규정하는 근거를 주기 위한 것이기도 한다. 실험예에서는 시료 번호 1부터 시료 번호 20의 유리 분말이 제작되고, TG-DTA에 의한 연화점 평가, 및 TG-MS에 의한 유리 분말과 C 분말의 혼합물에서의 CO2 가스의 발생 거동 평가가 실시되었다. The conductive paste according to the present disclosure will be described in more detail based on the following experimental examples. These experimental examples are also intended to give a basis for defining the conditions or more preferable conditions of the conductive paste according to the present disclosure. In the experimental example, glass powders of Sample Nos. 1 to 20 were prepared, and evaluation of the softening point by TG-DTA, and evaluation of the generation behavior of CO 2 gas in a mixture of the glass powder and C powder by TG-MS were performed. .
또한, 시료 번호 1부터 시료 번호 20의 유리 분말과 평균 입경 0.5㎛의 Cu 분말과 유기 재료를 사용하여 도전성 페이스트가 제작되고, 그들을 사용하여 외부전극의 하부전극층이 형성된, 도 4에 나타내는 바와 같은 적층 세라믹 콘덴서가 제작되었다. 한편, 적층 세라믹 콘덴서의 적층체에서의 유전체층은 BaTiO3계 페로브스카이트형 화합물을 포함하는 유전체 재료에 의해 형성되어 있고, 내부전극층은 Ni에 의해 형성되어 있다. 이들 적층 세라믹 콘덴서를 이용하여 외부전극의 하부전극층과 적층체의 접합성 평가 및 하부전극층의 치밀성 평가가 실시되었다. In addition, a conductive paste was prepared using glass powder of Sample No. 1 to Sample No. 20, Cu powder having an average particle diameter of 0.5 μm, and an organic material, and a lower electrode layer of the external electrode was formed using them, as shown in FIG. 4. A ceramic capacitor was built. On the other hand, the dielectric layer in the laminate of the multilayer ceramic capacitor is formed of a dielectric material containing a BaTiO 3 type perovskite compound, and the internal electrode layer is formed of Ni. Using these multilayer ceramic capacitors, evaluation of the bonding property between the lower electrode layer of the external electrode and the laminate and the density evaluation of the lower electrode layer were performed.
TG-DTA에 의한 시료 번호 1부터 시료 번호 20의 유리 분말의 연화점 평가는 표 1에 나타내진 조건에 의해 실시되었다. Evaluation of the softening point of the glass powders of Sample No. 1 to Sample No. 20 by TG-DTA was performed under the conditions shown in Table 1.
TG-MS에 의한 시료 번호 1부터 시료 번호 20의 유리 분말과 C 분말의 혼합물에서의 CO2 가스의 발생 거동 평가는 표 2에 나타내진 조건에 의해 실시되었다. The evaluation of the generation behavior of CO 2 gas in the mixture of the glass powder and C powder of Sample No. 1 to Sample No. 20 by TG-MS was performed under the conditions shown in Table 2.
시료 번호 1부터 시료 번호 20의 유리 분말을 포함하는 도전성 페이스트의 베이킹에 의해 외부전극의 하부전극층이 형성된 적층 세라믹 콘덴서에서의 하부전극층과 적층체의 접합성 평가는 표 3에 나타내진 조건에 의해 실시되었다. Evaluation of the bonding property between the lower electrode layer and the laminate in the multilayer ceramic capacitor in which the lower electrode layer of the external electrode was formed by baking the conductive paste containing the glass powder of Sample Nos. 1 to 20 was conducted under the conditions shown in Table 3. .
시료 번호 1부터 시료 번호 20의 유리 분말을 포함하는 도전성 페이스트의 베이킹에 의해 외부전극의 하부전극층이 형성된 적층 세라믹 콘덴서에서의 하부전극층의 치밀성 평가는 표 4에 나타내진 조건에 의해 실시되었다. Evaluation of the density of the lower electrode layer in the multilayer ceramic capacitor in which the lower electrode layer of the external electrode was formed by baking the conductive paste containing the glass powder of Sample Nos. 1 to 20 was performed under the conditions shown in Table 4.
이상과 같이 하여 실시된 연화점 평가 결과, CO2 가스의 발생 거동 평가 결과, 하부전극층과 적층체의 접합성 평가 결과 및 하부전극층의 치밀성 평가 결과는 표 5에 정리되어 나타내져 있다. Table 5 shows the softening point evaluation results, the CO 2 gas generation behavior evaluation results, the bonding evaluation results of the lower electrode layer and the laminate, and the density evaluation results of the lower electrode layer.
표 5에서 시료 번호에 *를 붙인 것은 본 개시에 따른 도전성 페이스트를 규정하는 조건으로부터 벗어난 시료이다. In Table 5, a sample number marked with * is a sample that deviates from the conditions defining the conductive paste according to the present disclosure.
상술한 바와 같이, 예를 들면 시료 번호 2의 붕규산계 유리 조성물에서는 B산화물 및 Si산화물이 그물코 형성 산화물이며, Ba, Ca, Al, Mn, Cu 및 Ti의 각 산화물이 수식 산화물로 간주된다. 즉, 제1 원소(M1)의 비율은 O를 제외한 상기 붕규산계 유리 조성물의 구성 원소 중 Ba, Ca, Al, Mn, Cu 및 Ti의 각 원소의 총계 비율이 몰%로 나타내진 것이다. 표 5에 나타내지는 바와 같이, 본 개시에 따른 도전성 페이스트를 규정하는 조건을 충족하는 각 시료에서는 하부전극층과 적층체의 접합성 및 하부전극층의 치밀성이 양호한 것이 확인되었다. As described above, in the borosilicate-based glass composition of Sample No. 2, for example, B oxide and Si oxide are mesh-forming oxides, and each oxide of Ba, Ca, Al, Mn, Cu, and Ti is regarded as a modified oxide. That is, the ratio of the first element (M1) is that the total ratio of each element of Ba, Ca, Al, Mn, Cu, and Ti among the constituent elements of the borosilicate-based glass composition excluding O is expressed in mol%. As shown in Table 5, it was confirmed that the bonding property of the lower electrode layer and the laminate and the density of the lower electrode layer were good in each sample that satisfies the conditions for defining the conductive paste according to the present disclosure.
본 명세서에 개시된 실시형태는 예시적인 것이며, 본 개시에 따른 발명은 상기 실시형태에 한정되는 것은 아니다. 즉, 본 개시에 따른 발명의 범위는 특허청구범위에 의해 나타내지고, 특허청구범위와 균등한 의미 및 범위 내에서의 모든 변경이 포함되는 것이 의도된다. 또한, 상기 범위 내에서 다양한 응용, 변형을 가할 수 있다. Embodiments disclosed in this specification are exemplary, and the invention according to the present disclosure is not limited to the above embodiments. That is, the scope of the invention according to the present disclosure is indicated by the claims, and it is intended that the meanings equivalent to the claims and all changes within the scope are included. In addition, various applications and modifications can be applied within the above range.
예를 들면, 적층체를 구성하는 유전체층 및 내부전극층의 층 수, 유전체층 및 내부전극층의 재질 등에 관해, 본 발명의 범위 내에서 다양한 응용, 변형을 가할 수 있다. 또한, 적층형 전자부품으로서 적층 세라믹 콘덴서를 예시했는데, 본 개시에 따른 발명은 그에 한정되지 않고, 다층 기판의 내부에 형성된 콘덴서 요소 등에도 적용할 수 있다.For example, various applications and modifications can be made within the scope of the present invention regarding the number of layers of the dielectric layer and the internal electrode layer constituting the laminate, the material of the dielectric layer and the internal electrode layer, and the like. In addition, a multilayer ceramic capacitor was exemplified as a multilayer electronic component, but the invention according to the present disclosure is not limited thereto, and may be applied to a capacitor element formed inside a multilayer substrate.
더욱이, 외부전극의 수 및 위치는 본 명세서에 개시된 실시형태에 한정되지 않는다. 즉, 외부전극은 적층체의 외표면 상의 서로 다른 위치에 복수개 형성되면서, 내부전극층에 전기적으로 접속되는 것이면 된다. Moreover, the number and position of external electrodes are not limited to the embodiments disclosed herein. That is, a plurality of external electrodes may be formed at different positions on the outer surface of the laminate and electrically connected to the internal electrode layer.
1: 도전성 페이스트
2: 도전성 분말
3: 유리 분말
3f: 유리 유동체
4: 유기 재료
5: C성분
5g: 가스의 거품
100: 적층 세라믹 콘덴서
10: 적층체
11: 유전체층
12: 내부전극층
13a: 제1 단면
13b: 제2 단면
14a: 제1 외부전극
14a1: 제1 하부전극층
14a2: 제1 도금층
14b: 제2 외부전극
14b1: 제2 하부전극층
14b2: 제2 도금층
15a1: 도전성 영역
16a1: 유리 영역
M1: 제1 원소
M2: 제2 원소
ΔG°: 산화물의 표준 생성 자유에너지
ΔGM°: 제2 원소의 산화물의 표준 생성 자유에너지
ΔGC°: CO2의 표준 생성 자유에너지 1: conductive paste
2: conductive powder
3: glass powder
3f: glass fluid
4: organic ingredients
5: C component
5g: bubbles of gas
100: multilayer ceramic capacitor
10: laminate
11: dielectric layer
12: internal electrode layer
13a: first cross section
13b: second cross section
14a: first external electrode
14a 1 : first lower electrode layer
14a 2 : 1st plating layer
14b: second external electrode
14b 1 : second lower electrode layer
14b 2 : second plating layer
15a 1 : conductive region
16a 1 : glass area
M1: first element
M2: second element
ΔG°: the standard free energy produced by the oxide
ΔG M °: the standard free energy produced by the oxide of the second element
ΔG C °: Standard free energy generated in CO 2
Claims (9)
상기 유리 분말은 연화점이 455℃ 이상 650℃ 이하인 붕규산계 유리 조성물을 포함하면서, 상기 유리 분말과 C 분말의 혼합물의 승온(昇溫) 가열 시에 발생하는 가스의 질량 분석에 의해 얻어지는 질량 스펙트럼(mass spectrum)은 470℃ 이상 680℃ 이하에 질량 수 44의 가스 발생 피크를 가지는, 도전성 페이스트. A conductive powder containing at least one element selected from Cu and Ni, a glass powder, and an organic material,
The glass powder includes a borosilicate-based glass composition having a softening point of 455° C. or more and 650° C. or less, and a mass spectrum obtained by mass spectrometry of a gas generated when the mixture of the glass powder and C powder is heated at elevated temperature. ) Is a conductive paste having a gas generation peak having a mass number of 44 at 470°C or more and 680°C or less.
상기 붕규산계 유리 조성물은 산소를 제외한 구성 원소 중 수식 산화물이 되는 적어도 1종류의 제1 원소를 36㏖% 이상 68㏖% 이하 포함하는, 도전성 페이스트. The method of claim 1,
The conductive paste, wherein the borosilicate-based glass composition contains 36 mol% or more and 68 mol% or less of at least one type of first element that becomes a modified oxide among constituent elements excluding oxygen.
상기 제1 원소는 Li, Na 및 K 중에서 선택되는 적어도 1종류의 원소를 포함하는, 도전성 페이스트. The method of claim 2,
The first element is a conductive paste containing at least one element selected from Li, Na and K.
상기 붕규산계 유리 조성물은 상기 제1 원소 중 연화점 이상에서의 산화물의 표준 생성 자유에너지가 CO2의 표준 생성 자유에너지보다 큰 산소 공급 산화물이 되는 적어도 1종류의 제2 원소를 1.5㏖% 이상 6.5㏖% 이하 포함하는, 도전성 페이스트. The method according to claim 2 or 3,
The borosilicate-based glass composition contains 1.5 mol% or more of 6.5 mol% or more of at least one second element that becomes an oxygen-supplying oxide whose standard free energy of oxides above the softening point of the first element is greater than the standard free energy of CO 2 A conductive paste containing% or less.
상기 제2 원소는 Cu, Co 및 Ni 중에서 선택되는 적어도 1종류의 원소를 포함하는, 도전성 페이스트. The method of claim 4,
The second element is a conductive paste containing at least one element selected from Cu, Co, and Ni.
상기 도전성 분말의 적어도 일부의 표면이 Ag, Sn 및 Al 중에서 선택되는 적어도 1종류의 원소를 포함하는 금속층에 의해 피복되는, 도전성 페이스트. The method according to any one of claims 1 to 3,
A conductive paste in which at least a part of the surface of the conductive powder is coated with a metal layer containing at least one element selected from Ag, Sn and Al.
상기 도전성 분말의 적어도 일부의 표면이 유기물층에 의해 피복되는, 도전성 페이스트. The method according to any one of claims 1 to 3,
A conductive paste in which at least a part of the surface of the conductive powder is covered with an organic material layer.
상기 도전성 분말의 평균 입경이 1㎛ 이하인, 도전성 페이스트. The method according to any one of claims 1 to 3,
The conductive paste, wherein the average particle diameter of the conductive powder is 1 µm or less.
상기 외부전극은 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 기재된 도전성 페이스트의 베이킹에 의해 형성된 하부전극층을 포함하는, 적층형 전자부품. A laminate comprising a plurality of stacked dielectric layers and a plurality of internal electrode layers, and a plurality of external electrodes formed at different positions on an outer surface of the laminate and electrically connected to the internal electrode layer,
The multilayer electronic component, wherein the external electrode includes a lower electrode layer formed by baking the conductive paste according to any one of claims 1 to 3.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020230081595A KR102677064B1 (en) | 2019-10-29 | 2023-06-26 | Conductive Paste and Multilayer Type Electronic Component |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JPJP-P-2019-195917 | 2019-10-29 | ||
| JP2019195917A JP7092103B2 (en) | 2019-10-29 | 2019-10-29 | Conductive paste and laminated electronic components |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020230081595A Division KR102677064B1 (en) | 2019-10-29 | 2023-06-26 | Conductive Paste and Multilayer Type Electronic Component |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20210052252A true KR20210052252A (en) | 2021-05-10 |
| KR102562429B1 KR102562429B1 (en) | 2023-08-02 |
Family
ID=75645448
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020200134993A Active KR102562429B1 (en) | 2019-10-29 | 2020-10-19 | Conductive Paste and Multilayer Type Electronic Component |
| KR1020230081595A Active KR102677064B1 (en) | 2019-10-29 | 2023-06-26 | Conductive Paste and Multilayer Type Electronic Component |
Family Applications After (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020230081595A Active KR102677064B1 (en) | 2019-10-29 | 2023-06-26 | Conductive Paste and Multilayer Type Electronic Component |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP7092103B2 (en) |
| KR (2) | KR102562429B1 (en) |
| CN (2) | CN112750622A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US12400790B2 (en) | 2022-11-16 | 2025-08-26 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Multilayer electronic component |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2025197203A1 (en) * | 2024-03-18 | 2025-09-25 | 株式会社村田製作所 | Multilayer ceramic capacitor |
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| WO2014175013A1 (en) | 2013-04-25 | 2014-10-30 | 株式会社村田製作所 | Conductive paste and multilayer ceramic electronic component |
| US20170218512A1 (en) * | 2016-02-02 | 2017-08-03 | National Cheng Kung University | Method of Fabricating High-Conductivity Thick-film Copper Paste Coated with Nano-Silver for Being Sintered in the Air |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPS60221358A (en) * | 1984-04-13 | 1985-11-06 | 日本碍子株式会社 | Ceramic composition for electric insulator |
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-
2019
- 2019-10-29 JP JP2019195917A patent/JP7092103B2/en active Active
-
2020
- 2020-10-13 CN CN202011093614.0A patent/CN112750622A/en active Pending
- 2020-10-13 CN CN202311621020.6A patent/CN117524730A/en active Pending
- 2020-10-19 KR KR1020200134993A patent/KR102562429B1/en active Active
-
2023
- 2023-06-26 KR KR1020230081595A patent/KR102677064B1/en active Active
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR102562429B1 (en) | 2023-08-02 |
| KR102677064B1 (en) | 2024-06-21 |
| CN112750622A (en) | 2021-05-04 |
| JP2021072159A (en) | 2021-05-06 |
| CN117524730A (en) | 2024-02-06 |
| KR20230098534A (en) | 2023-07-04 |
| JP7092103B2 (en) | 2022-06-28 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PA0109 | Patent application |
St.27 status event code: A-0-1-A10-A12-nap-PA0109 |
|
| PA0201 | Request for examination |
St.27 status event code: A-1-2-D10-D11-exm-PA0201 |
|
| PG1501 | Laying open of application |
St.27 status event code: A-1-1-Q10-Q12-nap-PG1501 |
|
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| PE0902 | Notice of grounds for rejection |
St.27 status event code: A-1-2-D10-D21-exm-PE0902 |
|
| E601 | Decision to refuse application | ||
| PE0601 | Decision on rejection of patent |
St.27 status event code: N-2-6-B10-B15-exm-PE0601 |
|
| X091 | Application refused [patent] | ||
| A107 | Divisional application of patent | ||
| AMND | Amendment | ||
| E13-X000 | Pre-grant limitation requested |
St.27 status event code: A-2-3-E10-E13-lim-X000 |
|
| P11-X000 | Amendment of application requested |
St.27 status event code: A-2-2-P10-P11-nap-X000 |
|
| P13-X000 | Application amended |
St.27 status event code: A-2-2-P10-P13-nap-X000 |
|
| PA0107 | Divisional application |
St.27 status event code: A-0-1-A10-A18-div-PA0107 St.27 status event code: A-0-1-A10-A16-div-PA0107 |
|
| PX0901 | Re-examination |
St.27 status event code: A-2-3-E10-E12-rex-PX0901 |
|
| PX0701 | Decision of registration after re-examination |
St.27 status event code: A-3-4-F10-F13-rex-PX0701 |
|
| X701 | Decision to grant (after re-examination) | ||
| PR0701 | Registration of establishment |
St.27 status event code: A-2-4-F10-F11-exm-PR0701 |
|
| PR1002 | Payment of registration fee |
St.27 status event code: A-2-2-U10-U11-oth-PR1002 Fee payment year number: 1 |
|
| PG1601 | Publication of registration |
St.27 status event code: A-4-4-Q10-Q13-nap-PG1601 |