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KR20210052252A - Conductive Paste and Multilayer Type Electronic Component - Google Patents

Conductive Paste and Multilayer Type Electronic Component Download PDF

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KR20210052252A
KR20210052252A KR1020200134993A KR20200134993A KR20210052252A KR 20210052252 A KR20210052252 A KR 20210052252A KR 1020200134993 A KR1020200134993 A KR 1020200134993A KR 20200134993 A KR20200134993 A KR 20200134993A KR 20210052252 A KR20210052252 A KR 20210052252A
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conductive
lower electrode
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카즈야 타가
야스히로 니시사카
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가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼
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Abstract

낮은 베이킹 온도에서 치밀하면서 적층체와의 접합성이 높은 하부전극층을 얻을 수 있는 도전성 페이스트를 제공한다.
도전성 페이스트(1)는 Cu 및 Ni 중에서 선택되는 적어도 1종류의 원소를 포함하는 도전성 분말(2)과, 유리 분말(3)과, 유기 재료(4)를 포함한다. 유리 분말(3)은 연화점이 455℃ 이상 650℃ 이하인 붕규산계 유리 조성물을 포함하면서, 유리 분말(3)과 C 분말의 혼합물의 승온 가열 시에 발생하는 가스의 질량 분석에 의해 얻어지는 질량 스펙트럼은 470℃ 이상 680℃ 이하에 질량 수 44의 가스 발생 피크를 가진다.
A conductive paste capable of obtaining a lower electrode layer having high adhesion to a laminate at a low baking temperature while being dense is provided.
The conductive paste 1 contains a conductive powder 2 containing at least one element selected from Cu and Ni, a glass powder 3 and an organic material 4. The glass powder (3) contains a borosilicate-based glass composition having a softening point of 455°C to 650°C, and the mass spectrum obtained by mass spectrometry of the gas generated when the mixture of the glass powder (3) and C powder is heated at elevated temperature is 470 It has a gas generation peak of 44 mass numbers at a temperature of not less than 680°C and not more than 680°C.

Description

도전성 페이스트 및 적층형 전자부품{Conductive Paste and Multilayer Type Electronic Component} Conductive Paste and Multilayer Type Electronic Component

본 개시는 유리 분말을 포함하는 도전성 페이스트, 및 그것을 사용하여 형성된 외부전극을 포함한 적층형 전자부품에 관한 것이다.The present disclosure relates to a multilayer electronic component including a conductive paste including glass powder, and an external electrode formed by using the same.

적층 세라믹 콘덴서 등의 적층형 전자부품의 외부전극은 일반적으로 적층체의 표면에 형성된 하부전극층과, 하부전극층 상에 부여된 도금층을 포함한다. 하부전극층은 Cu 및 Ni 등의 도전성 분말과, 유리 분말과, 유기 재료를 포함하는 도전성 페이스트의 베이킹에 의해 형성되는 소결체층인 경우가 많다. 여기서, 도금층의 두께는 극히 얇기 때문에, 외부전극의 두께는 하부전극층의 두께에 영향을 받는다. An external electrode of a multilayer electronic component such as a multilayer ceramic capacitor generally includes a lower electrode layer formed on the surface of the multilayer body and a plating layer applied on the lower electrode layer. The lower electrode layer is often a sintered body layer formed by baking a conductive paste containing a conductive powder such as Cu and Ni, a glass powder, and an organic material. Here, since the thickness of the plating layer is extremely thin, the thickness of the external electrode is affected by the thickness of the lower electrode layer.

예를 들면, 적층 세라믹 콘덴서의 소형 대용량화를 진행하기 위한 한 수단으로서, 외부전극의 두께를 가능한 한 얇게 하고, 정전 용량을 발현하는 적층체의 체적을 크게 하는 것을 들 수 있다. 그를 위해서는 하부전극층의 두께를 얇게 할 필요가 있다. 한편, 하부전극층을 얇게 하면, 외부로부터 수분이 침입하기 쉬워질 우려가 있다. 도전성 페이스트 중의 유리 분말은 도전성 분말의 소결성을 향상시키고, 외부로부터의 수분의 침입을 억제할 수 있는, 치밀한 하부전극층을 얻기 위해 첨가되어 있다. For example, as a means for increasing the size and capacity of the multilayer ceramic capacitor, the thickness of the external electrode is made as thin as possible, and the volume of the laminate that expresses the electrostatic capacitance is increased. To do this, it is necessary to make the thickness of the lower electrode layer thin. On the other hand, if the lower electrode layer is made thin, there is a fear that moisture can easily enter from the outside. The glass powder in the conductive paste is added in order to improve the sinterability of the conductive powder and to obtain a dense lower electrode layer capable of suppressing the intrusion of moisture from the outside.

유리 분말의 성분으로는 B산화물 및 Si산화물을 그물코 형성 산화물로 하고, Ba, Ca 및 Sr 등의 알칼리 토금속 원소 산화물을 수식 산화물로서 포함하는 붕규산계 유리 조성물이 사용되는 경우가 많다. 상기와 같은 붕규산계 유리 조성물이 사용된 유리 분말을 포함하는 도전성 페이스트의 일례로서 국제공개공보 WO2014/175013(특허문헌 1)에 기재된 도전성 페이스트를 들 수 있다. 특허문헌 1에 개시된 도전성 페이스트는 800℃부터 900℃에서 적층체에 베이킹된다.As a component of the glass powder, a borosilicate-based glass composition containing oxides of B oxide and Si as mesh-forming oxides and oxides of alkaline earth metal elements such as Ba, Ca, and Sr as modified oxides is often used. As an example of a conductive paste containing glass powder in which the borosilicate-based glass composition is used, the conductive paste described in International Publication No. WO2014/175013 (Patent Document 1) can be mentioned. The conductive paste disclosed in Patent Document 1 is baked in a laminate at 800°C to 900°C.

국제공개공보 WO2014/175013International Publication WO2014/175013

특허문헌 1에 개시된 도전성 페이스트는 상기와 같이 고온에서 베이킹된다. 그 때문에, 하부전극층이 베이킹 온도부터 실온까지 냉각되었을 때, 수축의 정도가 크다. 그 결과, 적층체에 큰 응력이 가해지고, 크랙이 발생할 우려가 있다. 즉, 크랙 발생을 억제하기 위해서는 도전성 페이스트의 베이킹 온도를 저하시키고, 하부전극층의 냉각 시에서의 수축의 정도를 작게 할 필요가 있다. 한편, 베이킹 온도를 저하시키면, 도전성 페이스트 중의 유기 재료가 충분히 연소 혹은 분해되지 않고 잔류하며, 하부전극층의 치밀화를 저해할 우려가 있다. 또한, 치밀화되긴 하지만 적층체와 하부전극층의 접합성이 저하될 우려가 있다. The conductive paste disclosed in Patent Document 1 is baked at a high temperature as described above. Therefore, when the lower electrode layer is cooled from the baking temperature to room temperature, the degree of shrinkage is large. As a result, a large stress is applied to the laminate, and there is a fear that cracks may occur. That is, in order to suppress the occurrence of cracks, it is necessary to lower the baking temperature of the conductive paste and to reduce the degree of shrinkage during cooling of the lower electrode layer. On the other hand, when the baking temperature is lowered, the organic material in the conductive paste remains without sufficiently burning or decomposing, and there is a concern that densification of the lower electrode layer may be inhibited. In addition, although it is densified, there is a concern that the bonding property between the laminate and the lower electrode layer is deteriorated.

본 개시의 목적은 낮은 베이킹 온도에서 치밀하면서 적층체와의 접합성이 높은 하부전극층을 얻을 수 있는 도전성 페이스트, 및 그것을 사용하여 형성된 하부전극층을 포함하는 외부전극을 포함한 적층형 전자부품을 제공하는 것이다. An object of the present disclosure is to provide a multilayer electronic component including a conductive paste capable of obtaining a lower electrode layer having high adhesion to a laminate at a low baking temperature and having high adhesion to a laminate, and an external electrode including a lower electrode layer formed by using the same.

본 개시에 따른 도전성 페이스트는 Cu 및 Ni 중에서 선택되는 적어도 1종류의 원소를 포함하는 도전성 분말과, 유리 분말과, 유기 재료를 포함한다. 유리 분말은 연화점이 455℃ 이상 650℃ 이하인 붕규산계 유리 조성물을 포함한다. 그리고 유리 분말과 C 분말의 혼합물의 승온(昇溫) 가열 시에 발생하는 가스의 질량분석에 의해 얻어지는 질량 스펙트럼(mass spectrum)은 470℃ 이상 680℃ 이하에 질량 수 44의 가스 발생 피크를 가진다. The conductive paste according to the present disclosure contains a conductive powder containing at least one element selected from Cu and Ni, a glass powder, and an organic material. The glass powder contains a borosilicate-based glass composition having a softening point of 455°C or more and 650°C or less. In addition, a mass spectrum obtained by mass spectrometry of a gas generated when the mixture of glass powder and C powder is heated at elevated temperature has a gas generation peak of 44 masses at 470°C or more and 680°C or less.

본 개시에 따른 적층형 전자부품은 적층된 복수개의 유전체층과 복수개의 내부전극층을 포함하는 적층체와, 적층체의 외표면 상의 서로 다른 위치에 형성되면서 내부전극층에 전기적으로 접속되는 복수개의 외부전극을 포함한다. 그리고 외부전극은 본 개시에 따른 도전성 페이스트의 베이킹에 의해 형성된 하부전극층을 포함한다. A stacked electronic component according to the present disclosure includes a stacked body including a plurality of stacked dielectric layers and a plurality of internal electrode layers, and a plurality of external electrodes formed at different positions on the outer surface of the stacked body and electrically connected to the internal electrode layers. do. In addition, the external electrode includes a lower electrode layer formed by baking a conductive paste according to the present disclosure.

본 개시에 따른 도전성 페이스트는 낮은 베이킹 온도에서 치밀하면서 적층체와의 접합성이 높은 하부전극층을 얻을 수 있다. 또한, 본 개시에 따른 적층형 전자부품은 본 개시에 따른 도전성 페이스트의 베이킹에 의해 형성된 상기 하부전극층을 포함하는 외부전극을 포함할 수 있다. The conductive paste according to the present disclosure can obtain a lower electrode layer that is dense at a low baking temperature and has high adhesion to a laminate. In addition, the multilayer electronic component according to the present disclosure may include an external electrode including the lower electrode layer formed by baking a conductive paste according to the present disclosure.

도 1은 본 개시에 따른 도전성 페이스트의 실시형태인 도전성 페이스트(1)의 모식도이다.
도 2는 유리 분말(3)에 의한 유기 재료(4)의 연소 촉진에 대해 추정되어 있는 메커니즘을 설명하기 위한 모식도이다.
도 3은 Cu, Ni, Co 및 C의 산화물의 표준 생성 자유에너지와 온도의 관계를 나타내는 그래프(엘링감도(Ellingham diagram))이다.
도 4는 본 개시에 따른 적층형 전자부품의 실시형태인 적층 세라믹 콘덴서(100)의 단면도이다.
도 5는 적층 세라믹 콘덴서(100)의 제1 외부전극(14a)의 제1 하부전극(14a1)의 미세 구조를 설명하기 위한 단면도이다.
1 is a schematic diagram of a conductive paste 1 which is an embodiment of a conductive paste according to the present disclosure.
FIG. 2 is a schematic diagram for explaining an estimated mechanism for acceleration of combustion of the organic material 4 by the glass powder 3.
3 is a graph (Ellingham diagram) showing the relationship between the standard free energy and temperature of the oxides of Cu, Ni, Co, and C.
4 is a cross-sectional view of a multilayer ceramic capacitor 100 as an embodiment of a multilayer electronic component according to the present disclosure.
5 is a cross-sectional view illustrating a microstructure of the first lower electrode 14a 1 of the first external electrode 14a of the multilayer ceramic capacitor 100.

본 개시의 특징으로 하는 바를, 도면을 참조하면서 설명한다. 한편, 이하에 나타내는 적층형 전자부품의 실시형태에서는 동일하거나 공통되는 부분에 대해 도면 중 동일한 부호를 붙이고, 그 설명은 반복하지 않는 경우가 있다. Features of the present disclosure will be described with reference to the drawings. On the other hand, in the embodiments of the multilayer electronic component shown below, the same or common portions are denoted by the same reference numerals in the drawings, and the description may not be repeated.

-도전성 페이스트의 실시형태- -Embodiment of conductive paste-

본 개시에 따른 도전성 페이스트의 실시형태를 나타내는 도전성 페이스트(1)에 대해 도 1 내지 도 3을 이용하여 설명한다. A conductive paste 1 showing an embodiment of a conductive paste according to the present disclosure will be described with reference to FIGS. 1 to 3.

<도전성 페이스트의 구성> <Configuration of conductive paste>

도 1은 도전성 페이스트(1)의 모식도이다. 도전성 페이스트(1)는 도전성 분말(2)과 유리 분말(3)과 유기 재료(4)를 포함한다. 1 is a schematic diagram of a conductive paste 1. The conductive paste 1 contains a conductive powder 2 and a glass powder 3 and an organic material 4.

도전성 분말(2)은 Cu 및 Ni 중에서 선택되는 적어도 1종류의 원소를 포함한다. 즉, 도전성 분말(2)은 Cu 또는 Ni의 금속 단체(單體)뿐만 아니라, Cu합금 또는 Ni합금을 포함하고 있어도 된다. The conductive powder 2 contains at least one element selected from Cu and Ni. That is, the conductive powder 2 may contain not only Cu or Ni metal alone, but also Cu alloy or Ni alloy.

또한, 도전성 분말(2)의 적어도 일부의 표면은 Ag, Sn 및 Al 중에서 선택되는 적어도 1종류의 원소를 포함하는 금속층에 의해 피복되어 있어도 된다. 상기 금속 원소는 Cu 및 Ni보다 융점이 낮다. 그 때문에, 상기 구조를 가지는 도전성 분말(2)은 소결 온도를 저하시킬 수 있다. Further, at least a part of the surface of the conductive powder 2 may be covered with a metal layer containing at least one element selected from Ag, Sn and Al. The metal element has a lower melting point than that of Cu and Ni. Therefore, the conductive powder 2 having the above structure can lower the sintering temperature.

더욱이, 도전성 분말(2)의 적어도 일부의 표면은 유기물층에 의해 피복되어 있어도 된다. 이 경우, 예를 들면 유기물층의 존재에 의해 입체 장해 반발 또는 정전 반발 등의 효과가 얻어진다. 그 결과, 도전성 분말(2)이 미립이어도, 도전성 페이스트(1) 중에서의 도전성 분말(2)의 응집을 억제할 수 있다. Moreover, at least a part of the surface of the conductive powder 2 may be covered with an organic material layer. In this case, effects such as steric hindrance repulsion or electrostatic repulsion are obtained, for example, by the presence of the organic material layer. As a result, even if the conductive powder 2 is fine particles, aggregation of the conductive powder 2 in the conductive paste 1 can be suppressed.

그리고 도전성 분말(2)의 평균 입경은 1㎛ 이하인 것이 바람직하다. 도전성 분말(2)의 평균 입경은 도전성 분말(2)의 주사형 전자현미경(Scanning Electron Microscope: 이후, SEM으로 약칭하는 경우가 있음) 관찰상의 화상 해석으로부터 얻어진 등가원(等價圓) 환산 직경의 메디안 지름으로 했다. 등가원 환산 직경의 메디안 지름이란, 입경에 대한 적산%의 분포 곡선에서 적산%가 50%가 되는 입경(D50)이다. 이 경우, 도전성 분말(2)은 소결 온도를 저하시킬 수 있다. And it is preferable that the average particle diameter of the electroconductive powder 2 is 1 micrometer or less. The average particle diameter of the conductive powder 2 is the equivalent circle diameter obtained from the image analysis on the observation of the scanning electron microscope (Scanning Electron Microscope: hereinafter, sometimes abbreviated as SEM) of the conductive powder 2 I made it the median diameter. The median diameter of the equivalent circle diameter is a particle diameter (D 50 ) at which the integrated% becomes 50% in the distribution curve of the integrated% with respect to the particle diameter. In this case, the conductive powder 2 can lower the sintering temperature.

유리 분말(3)은 본 개시에 따른 유리 분말이다. 이 유리 분말(3)의 특징에 대해서는 후술한다. 한편, 도 1에서는 도전성 분말(2) 및 유리 분말(3)은 모식적으로 구(球)형으로 묘사되어 있는데, 각각의 분말의 형상은 이것만은 아니다. 예를 들면, 도전성 분말(2)은 편평 형상의 도전성 분말을 포함하고 있어도 된다. 유리 분말(3)도 부정 형상의 유리 분말을 포함하고 있어도 된다. The glass powder 3 is a glass powder according to the present disclosure. The characteristics of this glass powder 3 will be described later. On the other hand, in Fig. 1, the conductive powder 2 and the glass powder 3 are schematically depicted in a spherical shape, but the shape of each powder is not the only one. For example, the conductive powder 2 may contain a flat conductive powder. The glass powder 3 may also contain the glass powder of an irregular shape.

유기 재료(4)는 수지 및 유기 용제 등을 포함하는 바인더 성분, 그리고 분산제 및 레올로지 컨트롤제 등을 포함하는 첨가제를 포함한다. 이들 성분은 도전성 페이스트의 유기 재료로서 통상 사용되는 재료 중에서 적절히 선택할 수 있다. The organic material 4 contains a binder component including a resin and an organic solvent, and an additive including a dispersant and a rheology control agent. These components can be appropriately selected from materials commonly used as the organic material of the conductive paste.

유리 분말(3)은 붕규산계 유리 조성물을 포함한다. 붕규산계 유리 조성물이란, B산화물 및 Si산화물을 그물코 형성 산화물로서 포함하고, 알칼리금속 원소 산화물 및 알칼리토금속 원소 산화물 등을 수식 산화물로서 포함하는 유리 조성물이다. 그리고 유리 분말(3)에 포함되는 붕규산계 유리 조성물의 연화점은 455℃ 이상 650℃ 이하이다.The glass powder 3 contains a borosilicate-based glass composition. The borosilicate-based glass composition is a glass composition containing a B oxide and a Si oxide as a mesh-forming oxide, and containing an alkali metal element oxide, an alkaline earth metal element oxide, and the like as a modified oxide. And the softening point of the borosilicate-based glass composition contained in the glass powder 3 is 455°C or more and 650°C or less.

피측정물의 연화점 측정은 열중량·시차열 분석 장치(Thermogravimeter-Differential Thermal Analyzer: 이후, TG-DTA로 약칭되는 경우가 있음)에 의해 실시된다. 측정 조건은 후술된다. The measurement of the softening point of the object to be measured is performed by a thermogravimeter-differential thermal analyzer (hereinafter, sometimes abbreviated as TG-DTA). Measurement conditions will be described later.

즉, 유리 분말(3)에 포함되는 붕규산계 유리 조성물의 연화점은 종래의 붕규산계 유리 조성물의 연화점보다 낮다. 따라서, 유리 분말(3)을 포함하는 도전성 페이스트(1)의 베이킹에 의해 형성된 하부전극층은 베이킹 온도부터 실온까지 냉각되었을 때, 수축의 정도가 작다. 그 결과, 적층체에 가해지는 응력이 저감되고, 크랙 발생이 억제된다. 그러나 상기한 바와 같이, 베이킹 온도를 저하시키면, 도전성 페이스트 중의 유기 재료가 충분히 연소 혹은 분해되지 않고 잔류하며, 하부전극층의 치밀화를 저해할 우려가 있다. That is, the softening point of the borosilicate-based glass composition contained in the glass powder 3 is lower than that of the conventional borosilicate-based glass composition. Therefore, when the lower electrode layer formed by baking of the conductive paste 1 containing the glass powder 3 is cooled from the baking temperature to room temperature, the degree of shrinkage is small. As a result, the stress applied to the laminate is reduced, and the occurrence of cracks is suppressed. However, as described above, when the baking temperature is lowered, the organic material in the conductive paste remains without being sufficiently burned or decomposed, and there is a concern that densification of the lower electrode layer may be inhibited.

따라서, 본 개시에 따른 도전성 페이스트(1)에서는 유리 분말(3)에 의해 도전성 페이스트(1) 중의 유기 재료(4)를 충분히 연소시키도록 하고 있다. 구체적으로는 유리 분말(3)과 C 분말의 혼합물의 승온 가열 시에 발생하는 가스의 질량분석에 의해 얻어지는 질량 스펙트럼은 470℃ 이상 680℃ 이하에 질량 수 44, 즉 CO2의 가스 발생 피크를 가진다는 특징을 가진다. 바꿔 말하면, 유리 분말(3)은 상기 온도 범위에서 연화 유동하여 유기 재료(4)의 잔사와 접촉함으로써, 유리 유동체의 구성 성분으로부터 O를 공급하고, 유기 재료(4)의 잔사의 연소를 촉진하고 있다. Therefore, in the conductive paste 1 according to the present disclosure, the organic material 4 in the conductive paste 1 is sufficiently burned by the glass powder 3. Specifically, the mass spectrum obtained by mass spectrometry of the gas generated when the mixture of the glass powder 3 and the C powder is heated at elevated temperature has a mass number of 44, that is, CO 2 gas generation peak at 470°C or more and 680°C or less. Has a characteristic. In other words, the glass powder 3 softens and flows in the above temperature range to contact the residue of the organic material 4, thereby supplying O from the constituents of the glass fluid, accelerating the combustion of the residue of the organic material 4, and have.

한편, 유리 조성물의 연화점이란, 유리 조성물의 점도 η(Pa·s)가 logη에서 6.65 이하가 되는 온도이며, 연화점에 가까운 온도라면, 연화점의 온도 이하이어도 유리 조성물은 연화 유동되어 있다. 따라서, 유리 분말(3)에 포함되는 붕규산계 유리 조성물의 연화점이 CO2의 가스 발생 피크 온도보다 높아지는 경우가 있어도 된다. On the other hand, the softening point of the glass composition is a temperature at which the viscosity η (Pa·s) of the glass composition is 6.65 or less in logη, and if it is a temperature close to the softening point, the glass composition is softened and fluidized even if it is below the temperature of the softening point. Therefore, the softening point of the borosilicate-based glass composition contained in the glass powder 3 may be higher than the peak temperature of CO 2 gas generation.

상기에 대해 도 2를 이용하여 더 설명한다. 도 2는 유리 분말(3)에 의한 유기 재료(4)의 연소의 촉진에 대해, 추정되어 있는 메커니즘을 설명하기 위한 모식도이다. 도 2(A)는 연화점보다 조금 낮은 온도에서 유리 분말(3)과 유기 재료(4)의 잔사에 상당하는 C성분(5)이 혼합되어 있는 상태를 나타낸다. 단, 상기와 같이, 이 단계에서도 유리 분말(3)은 연화 유동을 개시하고 있기 때문에, C성분(5)이 연화 유동되어 가고 있는 유리 분말(3)에 의해 싸여 있는 상태로 되어 있어도 된다. The above will be further described with reference to FIG. 2. 2 is a schematic diagram for explaining an estimated mechanism for acceleration of combustion of the organic material 4 by the glass powder 3. Fig. 2(A) shows a state in which the glass powder 3 and the C component 5 corresponding to the residue of the organic material 4 are mixed at a temperature slightly lower than the softening point. However, as described above, since the glass powder 3 starts softening flow even at this stage, the C component 5 may be in a state surrounded by the glass powder 3 that is softening and flowing.

도 2(B)는 연화점보다 조금 높은 온도에서 유리 분말(3)이 연화되어 유리 유동체(3f)가 되고, C성분(5)과 접촉되어 있는 상태를 나타낸다. 한편, 도 2(B)에서는 C성분(5)이 유리 유동체(3f)에 의해 둘러싸인 상태가 도시되어 있는데, C성분(5)과 유리 유동체(3f)가 부분적으로 접촉되어 있는 상태이어도 된다. 이 상태에서, 유리 유동체(3f)의 구성 성분으로부터 O가 공급된다. Fig. 2(B) shows a state in which the glass powder 3 is softened at a temperature slightly higher than the softening point to become a glass fluid 3f, and is in contact with the C component 5. On the other hand, in Fig. 2(B), a state in which the C component 5 is surrounded by the glass fluid 3f is shown, but the C component 5 and the glass fluid 3f may be partially in contact. In this state, O is supplied from the constituent components of the glass fluid 3f.

도 2(C)는 도 2(B)에 도시된 상태에서의 온도, 및 그보다 더 높은 온도에서 O를 받은 C성분(5)이 연소되어 유리 유동체(3f) 내에 CO2를 포함하는 가스의 거품(5g)이 생성된 상태를 나타낸다. 단, 이 상태에서는 유리 유동체(3f)의 점도는 가스의 거품(5g)이 터질만큼 저하되어 있지 않고, 가스의 거품(5g)은 유리 유동체(3f) 내에 머물러 있다. 2(C) is a bubble of a gas containing CO 2 in the glass fluid 3f by burning the C component 5 that received O at the temperature in the state shown in FIG. 2(B) and at a higher temperature. (5g) shows the produced state. However, in this state, the viscosity of the glass fluid 3f is not lowered so that the gas bubbles 5g burst, and the gas bubbles 5g remain in the glass fluid 3f.

도 2(D)는 도 2(B)에 도시된 상태에서의 온도보다도 더 높은 온도에서 유리 유동체(3f)의 점도가 더 낮아짐으로써, 가스의 거품(5g)이 터져서 유리 유동체(3f)로부터 CO2를 포함하는 가스가 빠진 상태를 나타낸다. 그 결과, 피측정물의 승온 가열 시에 발생하는 가스의 질량분석에서 CO2의 가스 발생 피크가 검출된다. 2(D) shows that the viscosity of the glass fluid 3f is lowered at a temperature higher than the temperature in the state shown in FIG. 2(B), so that a bubble of gas (5g) bursts to cause CO from the glass fluid 3f. It shows the state in which the gas containing 2 came out. As a result, the gas generation peak of CO 2 is detected in the mass spectrometry of the gas generated when the object to be measured is heated at elevated temperature.

한편, 상술한 바와 같이 상기 메커니즘은 합리적으로 추정된 것이기는 하지만, 그 밖의 요인이 관여되어 있을 가능성도 있다. 즉, 본 개시에서의 도전성 페이스트의 조건은 상기 메커니즘에 의해서만 설명되는 것을 필수로는 하고 있지 않은 것에 유의해야 한다.On the other hand, as described above, the mechanism is reasonably estimated, but there is a possibility that other factors may be involved. That is, it should be noted that the condition of the conductive paste in the present disclosure is not necessarily explained only by the above mechanism.

피측정물의 승온 가열 시에 발생하는 가스의 질량분석은 열중량·질량분석 장치(Thermogravimetry-Mass Spectrometer: 이후, TG-MS로 약칭하는 경우가 있음)에 의해 실시된다. 측정 조건은 후술된다. The mass spectrometry of the gas generated during heating of the object to be measured is performed by a thermogravimetry-mass spectrometer (hereinafter, sometimes abbreviated as TG-MS). Measurement conditions will be described later.

본 개시에 따른 도전성 페이스트(1)는 상기 특징을 가지는 유리 분말(3)을 포함하고 있기 때문에, 낮은 베이킹 온도이어도 도전성 페이스트(1) 중의 유기 재료(4)를 충분히 연소시킬 수 있다. 그 결과, 도전성 분말(2)끼리의 네킹이 유기 재료(4)에 유래하는 잔류 유기 성분에 의해 저해되지 않고, 도전성 분말(2)의 소결이 촉진된다. 그 때문에, 하부전극층의 치밀화가 촉진되고, 적층체와 하부전극층의 접합성 저하가 억제된다. Since the conductive paste 1 according to the present disclosure contains the glass powder 3 having the above characteristics, the organic material 4 in the conductive paste 1 can be sufficiently burned even at a low baking temperature. As a result, the necking between the conductive powders 2 is not inhibited by residual organic components derived from the organic material 4, and sintering of the conductive powder 2 is promoted. Therefore, densification of the lower electrode layer is promoted, and a decrease in the bonding property between the laminate and the lower electrode layer is suppressed.

유리 분말(3)에 포함되는 붕규산계 유리 조성물은 산소를 제외한 구성 원소 중 수식 산화물이 되는 적어도 1종류의 제1 원소(M1)를 36㏖% 이상 68㏖% 이하 포함하는 것이 바람직하다. 여기서, 본 개시에서의 수식 산화물이란, 유리 조성물 중의 그물코 형성 산화물(Si산화물 및 B산화물) 이외의 산화물을 가리키는 개념이다. 즉, 본 개시에서의 수식 산화물에는 유리 조성물 중에서 이른바 중간 산화물이라고 불리는 Al산화물 등도 포함된다. 이 경우, 붕규산계 유리 조성물의 연화점을 455℃ 이상 650℃ 이하로 용이하게 조정할 수 있다. It is preferable that the borosilicate-based glass composition contained in the glass powder 3 contains 36 mol% or more and 68 mol% or less of at least one type of first element (M1) serving as a modified oxide among the constituent elements excluding oxygen. Here, the modified oxide in the present disclosure is a concept indicating oxides other than the mesh-forming oxide (Si oxide and B oxide) in the glass composition. That is, the modified oxide in the present disclosure also includes an Al oxide called an intermediate oxide in the glass composition. In this case, the softening point of the borosilicate-based glass composition can be easily adjusted to 455°C or more and 650°C or less.

또한, 제1 원소(M1)는 Li, Na 및 K 중에서 선택되는 적어도 1종류의 원소를 포함하는 것이 바람직하다. 이 경우, 붕규산계 유리 조성물의 연화점의 조정을 더 용이하게 실시할 수 있다. In addition, it is preferable that the first element (M1) contains at least one element selected from Li, Na and K. In this case, it is possible to more easily adjust the softening point of the borosilicate-based glass composition.

유리 분말(3)에 포함되는 붕규산계 유리 조성물은 제1 원소(M1) 중 연화점 이상에서의 산화물의 표준 생성 자유에너지(ΔGM°)가 CO2의 표준 생성 자유에너지(ΔGC°)보다 큰 산소 공급 산화물이 되는 적어도 1종류의 제2 원소(M2)를 1.5㏖% 이상 6.5㏖% 이하 포함하는 것이 바람직하다. 한편, 이 비율은 산소를 제외한 구성 원소에 대한 것이다. Borosilicate based glass composition contained in the glass powder 3 has a first element (M1) standard generated free energy of an oxide of at least the softening point (ΔG M °) is greater than the standard production of CO 2 free energy (ΔG C °) of It is preferable to contain 1.5 mol% or more and 6.5 mol% or less of at least 1 type of 2nd element (M2) which becomes an oxygen supply oxide. On the other hand, this ratio is for the constituent elements excluding oxygen.

즉, 상술한 유리 분말(3)이 연화되어 유리 유동체(3f)가 되고, C성분(5)과 접촉되어 있는 상태(도 2(B) 참조)에서 유리 유동체(3f) 내의 제2 원소(M2)로부터 O가 공급된다. 이 경우, 유리 분말(3)과 C 분말의 혼합물의 TG-MS에 의한 질량 스펙트럼에서 470℃ 이상 680℃ 이하에 CO2의 가스 발생 피크를 용이하게 발생시킬 수 있다.That is, the second element (M2) in the glass fluid 3f in a state in which the above-described glass powder 3 is softened to become a glass fluid 3f, and is in contact with the C component 5 (see Fig. 2(B)). ), O is supplied. In this case, in the mass spectrum of the mixture of the glass powder 3 and the C powder by TG-MS, the peak of CO 2 gas generation can be easily generated at 470°C or more and 680°C or less.

상기에 대해 도 3을 이용하여 더 설명한다. 도 3은 Cu, Ni, Co 및 C의 산화물의 표준 생성 자유에너지와 온도의 관계를 나타내는 그래프, 이른바 엘링감도이다. 산화물의 표준 생성 자유에너지(ΔG°)와 온도의 관계를 나타내는 선보다 하측의 영역에서는 원소 단체가 안정적이고, 상측의 영역에서는 산화물이 안정적이다. The above will be further described with reference to FIG. 3. 3 is a graph showing the relationship between the standard free energy and temperature of oxides of Cu, Ni, Co, and C, a so-called Elling sensitivity. The element alone is stable in the region below the line indicating the relationship between the standard free energy (ΔG°) and temperature of the oxide, and the oxide is stable in the upper region.

즉, 엘링감도는 다양한 원소의 산화물의 안정성을 평형산소분압과 관련시켜 나타내는 것이다. 엘링감도로부터, 소정의 원소의 산화물을 환원하기 위해서는 어떠한 환원제를 어느 정도의 온도에서 작용시키면 되는지, 그리고 소정의 산소 분압하에서 금속이 산화되는지 여부에 대해 알 수 있다. That is, the Elling sensitivity is expressed by relating the stability of oxides of various elements to the equilibrium oxygen partial pressure. From the Elling sensitivity, it is possible to know which reducing agent should be applied at what temperature to reduce the oxide of a predetermined element, and whether or not the metal is oxidized under a predetermined partial pressure of oxygen.

도 3에 도시되어 있는 C의 산화에 관계되는 선(실선)과, Cu의 산화에 관한 선(파선)을 보면, 유리 분말(3)의 연화점 이상, 즉 455℃ 이상이고 C의 산화에 관계되는 선이 Cu의 산화에 관계되는 선보다 하측의 영역에 위치하고 있다. 따라서, Cu의 산화에 관계되는 선과 C의 산화에 관계되는 선 사이의 영역에서는, Cu는 Cu 단체가 안정적이고, C는 CO2가 안정적이 된다. 즉, 제1 원소(M1) 중에 제2 원소(M2)로서 Cu가 포함되어 있는 경우, 붕규산계 유리 조성물의 Cu산화물은 상기 영역 내의 온도 및 산소 분압하에서 환원되고, C를 연소시키는데에 필요한 산소를 공급할 수 있다. Looking at the line (solid line) related to the oxidation of C and the line (broken line) related to the oxidation of Cu shown in Fig. 3, the softening point of the glass powder 3 or higher, that is, 455°C or higher, and related to the oxidation of C The line is located in a region below the line related to the oxidation of Cu. Therefore, in the region between the line related to the oxidation of Cu and the line related to the oxidation of C, Cu is stable in Cu alone, and C is stable in CO 2. That is, when Cu is included as the second element (M2) in the first element (M1), the Cu oxide of the borosilicate-based glass composition is reduced under the temperature and oxygen partial pressure in the region, and oxygen required to burn C is removed. Can supply.

도 3에는 Co의 산화에 관한 선(일점쇄선) 및 Ni의 산화에 관한 선(2점쇄선)도 함께 도시되어 있다. 이들도 상기와 마찬가지로, 유리 분말(3)의 연화점 이상이고 C의 산화에 관계되는 선이 Co의 산화에 관계되는 선 및 Ni의 산화에 관계되는 선보다 하측의 영역에 위치하고 있다. 따라서, 붕규산계 유리 조성물의 수식 산화물로 되어 있는 제1 원소(M1) 중에 제2 원소(M2)로서 Co 및 Ni가 포함되어 있는 경우도, 동일한 작용을 발휘할 수 있다. In Fig. 3, a line related to the oxidation of Co (dashed-dotted line) and a line related to the oxidation of Ni (double-dotted chain line) are also shown. In the same manner as described above, the line related to the oxidation of C and above the softening point of the glass powder 3 is located in a region below the line related to the oxidation of Co and the line related to the oxidation of Ni. Therefore, even when Co and Ni are contained as the second element (M2) in the first element (M1) as the modified oxide of the borosilicate-based glass composition, the same action can be exhibited.

즉, 제1 원소(M1) 중에 제2 원소(M2)가 포함되어 있는 경우, 도전성 페이스트(1)의 베이킹 온도가 낮아도, 도전성 페이스트(1) 중의 유기 재료(4)를 효과적으로 연소시킬 수 있다. 바꿔 말하면, 상기의 경우, 유리 분말(3)과 C 분말의 혼합물의 TG-MS에 의한 질량 스펙트럼에서 470℃ 이상 680℃ 이하로 CO2의 가스 발생 피크를 용이하게 발생시킬 수 있다. That is, when the second element M2 is contained in the first element M1, even if the baking temperature of the conductive paste 1 is low, the organic material 4 in the conductive paste 1 can be effectively burned. In other words, in the above case, in the mass spectrum by TG-MS of the mixture of the glass powder 3 and the C powder, the gas generation peak of CO 2 can be easily generated at 470° C. or more and 680° C. or less.

예를 들면, 도전성 분말(2)의 적어도 일부의 표면이 유기물층에 의해 피복되어 있는 경우, 베이킹 전 도전성 페이스트(1)는 도전성 분말(2)이 유기물층에 의해 피복되어 있지 않은 경우에 비해, 보다 많은 유기 재료를 포함하는 것이 된다. 즉, 도전성 페이스트 중의 유기 재료가 충분히 연소 혹은 분해되지 않고 잔류하며, 하부전극층의 치밀화를 저해하기 쉬워진다. For example, when at least a part of the surface of the conductive powder 2 is covered with an organic material layer, the conductive paste 1 before baking is more than when the conductive powder 2 is not covered with an organic material layer. It becomes something containing an organic material. That is, the organic material in the conductive paste remains without being sufficiently burned or decomposed, and it is easy to inhibit the densification of the lower electrode layer.

그러나 상기와 같이 제1 원소(M1) 중에 제2 원소(M2)가 포함되어 있는 경우, 도전성 페이스트(1)의 베이킹 온도가 낮아도, 도전성 페이스트(1) 중의 유기 재료(4)를 효과적으로 연소시킬 수 있다. 이 효과는 도전성 페이스트(1)의 베이킹 중에 CO2가 빠지기 어려운 도전성 분말(2)의 평균 입경이 1㎛ 이하인 경우 등에 특히 현저해진다. However, as described above, when the second element M2 is contained in the first element M1, the organic material 4 in the conductive paste 1 can be effectively burned even when the baking temperature of the conductive paste 1 is low. have. This effect becomes particularly remarkable when the average particle diameter of the conductive powder 2 from which CO 2 is difficult to escape during baking of the conductive paste 1 is 1 µm or less.

제2 원소(M2)는 상기에서 나타내진 Cu, Co 및 Ni에 한정되지 않는다. 한편, 제2 원소(M2)가 Cu, Co 및 Ni 중에서 선택되는 적어도 1종류의 원소인 경우, 붕규산계 유리 조성물의 연화점의 조정을 더 용이하게 실시할 수 있다. The second element M2 is not limited to Cu, Co, and Ni shown above. On the other hand, when the second element (M2) is at least one element selected from Cu, Co, and Ni, it is possible to more easily adjust the softening point of the borosilicate-based glass composition.

-적층형 전자부품의 실시형태- -Embodiment of a laminated electronic component-

본 개시에 따른 적층형 전자부품의 실시형태를 나타내는 적층 세라믹 콘덴서(100)에 대해 도 4 및 도 5를 이용하여 설명한다. A multilayer ceramic capacitor 100 showing an embodiment of a multilayer electronic component according to the present disclosure will be described with reference to FIGS. 4 and 5.

도 4는 적층 세라믹 콘덴서(100)의 단면도이다. 적층 세라믹 콘덴서(100)는 적층체(10)를 포함하고 있다. 적층체(10)는 적층된 복수개의 유전체층(11)과 복수개의 내부전극층(12)을 포함한다. 복수개의 유전체층(11)은 외층부와 내층부를 가진다. 외층부는 적층체(10)의 제1 주면(主面)과 제1 주면에 가장 가까운 내부전극층(12) 사이, 및 제2 주면과 제2 주면에 가장 가까운 내부전극층(12) 사이에 배치되어 있다. 내층부는 그들 2개의 바깥층부에 끼인 영역에 배치되어 있다. 4 is a cross-sectional view of the multilayer ceramic capacitor 100. The multilayer ceramic capacitor 100 includes a multilayer body 10. The stacked body 10 includes a plurality of dielectric layers 11 and a plurality of internal electrode layers 12 stacked. The plurality of dielectric layers 11 have an outer layer portion and an inner layer portion. The outer layer portion is disposed between the first main surface of the laminate 10 and the inner electrode layer 12 closest to the first main surface, and between the second main surface and the inner electrode layer 12 closest to the second main surface. . The inner layer is arranged in a region sandwiched between the two outer layers.

복수개의 내부전극층(12)은 제1 내부전극층(12a)과 제2 내부전극층(12b)을 가진다. 적층체(10)는 적층방향으로 마주 보는 제1 주면 및 제2 주면과, 적층방향에 직교하는 폭방향으로 마주 보는 제1 측면 및 제2 측면과, 적층방향 및 폭방향에 직교하는 길이방향으로 마주 보는 제1 단면(端面)(13a) 및 제2 단면(13b)을 가진다. The plurality of internal electrode layers 12 have a first internal electrode layer 12a and a second internal electrode layer 12b. The stacked body 10 includes a first main surface and a second main surface facing in the stacking direction, a first side and a second side facing in a width direction orthogonal to the stacking direction, and a longitudinal direction orthogonal to the stacking direction and the width direction. It has a first cross-section 13a and a second cross-section 13b facing each other.

유전체층(11)은 예를 들면 BaTiO3계 페로브스카이트형 화합물을 포함하는 복수개의 결정립을 가진다. 상기 유전체 재료로는 예를 들면 BaTiO3계 페로브스카이트형 화합물의 결정 격자 중의 Ba2+의 일부가 희토류 원소의 이온인 Re3+에 의해 치환된 것을 들 수 있다. 또한, BaTiO3계 페로브스카이트형 화합물로는 BaTiO3, 그리고 BaTiO3의 Ba2+ 및 Ti4+ 중 적어도 한쪽이 Ca2+ 및 Zr4+ 등의 다른 이온에 의해 치환된 것 등을 들 수 있다. The dielectric layer 11 has a plurality of crystal grains including, for example, a BaTiO 3 -based perovskite compound. Examples of the dielectric material include those in which a part of Ba 2+ in the crystal lattice of a BaTiO 3 based perovskite compound is replaced by Re 3+ , which is an ion of a rare earth element. In addition, BaTiO 3 -based perovskite compounds include BaTiO 3 and BaTiO 3 in which at least one of Ba 2+ and Ti 4+ is substituted with other ions such as Ca 2+ and Zr 4+. have.

제1 내부전극층(12a)은 유전체층(11)을 개재하여 제2 내부전극층(12b)과 서로 대향하고 있는 대향 전극부와, 대향 전극부로부터 적층체(10)의 제1 단면(13a)까지의 인출 전극부를 포함하고 있다. 제2 내부전극층(12b)은 유전체층(11)을 개재하여 제1 내부전극층(12a)과 서로 대향하고 있는 대향 전극부와, 대향 전극부로부터 적층체(10)의 제2 단면(13b)까지의 인출 전극부를 포함하고 있다. The first internal electrode layer 12a includes a second internal electrode layer 12b and a counter electrode portion facing each other through the dielectric layer 11, and from the counter electrode portion to the first end surface 13a of the stacked body 10. It includes a lead electrode part. The second internal electrode layer 12b includes the first internal electrode layer 12a and the counter electrode portion facing each other through the dielectric layer 11, and from the counter electrode portion to the second end surface 13b of the stacked body 10. It includes a lead electrode part.

제1 내부전극층(12a)과 제2 내부전극층(12b)이 유전체층(11)을 개재하여 서로 대향함으로써 하나의 콘덴서가 형성된다. 적층 세라믹 콘덴서(100)는 복수개의 콘덴서가 후술할 제1 외부전극(14a) 및 제2 외부전극(14b)을 통해 병렬 접속된 것이라고 할 수 있다. The first internal electrode layer 12a and the second internal electrode layer 12b face each other through the dielectric layer 11 to form one capacitor. In the multilayer ceramic capacitor 100, a plurality of capacitors may be connected in parallel through a first external electrode 14a and a second external electrode 14b to be described later.

내부전극층(12)을 구성하는 도전성 재료로는 Ni, Cu, Ag 및 Pd 등에서 선택되는 적어도 1종의 금속 또는 상기 금속을 포함하는 합금을 사용할 수 있다. 내부전극층(12)은 후술하는 바와 같이 공재(共材)(도시하지 않음)라고 불리는 유전체 입자를 추가로 포함하고 있어도 된다. 공재는 내부전극층(12)의 형성에 사용되는 내부전극층용 페이스트에 첨가되어 있는 것이며, 적층체(10)의 소성 시에 유전체층(11) 측에 배출되는데, 그 일부가 내부전극층(12)에 잔류하는 경우가 있다. 공재는 적층체(10)의 소성 시에 내부전극층(12)의 소결 수축 특성을 유전체층(11)의 소결 수축 특성에 가깝게 하기 위해 첨가되는 것이다. As a conductive material constituting the internal electrode layer 12, at least one metal selected from Ni, Cu, Ag, and Pd, or an alloy containing the metal may be used. The internal electrode layer 12 may further contain dielectric particles called common materials (not shown), as described later. The common material is added to the internal electrode layer paste used to form the internal electrode layer 12, and is discharged to the dielectric layer 11 side when the laminate 10 is fired, and a part of the material remains in the internal electrode layer 12. There are cases. The common material is added to make the sintering shrinkage property of the internal electrode layer 12 close to the sintering shrinkage property of the dielectric layer 11 during firing of the laminate 10.

적층 세라믹 콘덴서(100)는 제1 외부전극(14a)과 제2 외부전극(14b)을 추가로 포함하고 있다. 제1 외부전극(14a)은 제1 내부전극층(12a)과 전기적으로 접속되도록 적층체(10)의 제1 단면(13a)에 형성되고, 제1 단면(13a)으로부터 제1 주면 및 제2 주면 그리고 제1 측면 및 제2 측면으로 연장되어 있다. 제2 외부전극(14b)은 제2 내부전극층(12b)과 전기적으로 접속되도록 적층체(10)의 제2 단면(13b)에 형성되고, 제2 단면(13b)으로부터 제1 주면 및 제2 주면 그리고 제1 측면 및 제2 측면으로 연장되어 있다. The multilayer ceramic capacitor 100 further includes a first external electrode 14a and a second external electrode 14b. The first external electrode 14a is formed on the first end surface 13a of the stack 10 so as to be electrically connected to the first internal electrode layer 12a, and the first main surface and the second main surface from the first end surface 13a. And it extends to the first side and the second side. The second external electrode 14b is formed on the second end surface 13b of the stack 10 so as to be electrically connected to the second internal electrode layer 12b, and the first main surface and the second main surface from the second end surface 13b. And it extends to the first side and the second side.

제1 외부전극(14a)은 제1 하부전극층(14a1)과 제1 하부전극층(14a1) 상에 배치된 제1 도금층(14a2)을 가진다. 제1 하부전극층(14a1)은 본 개시에 따른 도전성 페이스트(1)의 베이킹에 의해 형성된 소결체층(후술)을 가진다. 마찬가지로, 제2 외부전극(14b)은 제2 하부전극층(14b1)과 제2 하부전극층(14b1) 상에 배치된 제2 도금층(14b2)을 가진다. 제2 하부전극층(14b1)도 본 개시에 따른 도전성 페이스트(1)의 베이킹에 의해 형성된 소결체층(후술)을 가진다. The first external electrode 14a has a first lower electrode layer 14a 1 and a first plating layer 14a 2 disposed on the first lower electrode layer 14a 1 . The first lower electrode layer 14a 1 has a sintered body layer (described later) formed by baking the conductive paste 1 according to the present disclosure. Similarly, the second external electrode 14b has a second lower electrode layer 14b 1 and a second plating layer 14b 2 disposed on the second lower electrode layer 14b 1 . The second lower electrode layer 14b 1 also has a sintered body layer (described later) formed by baking the conductive paste 1 according to the present disclosure.

도 5는 제1 하부전극층(14a1)의 미세 구조를 설명하기 위한 단면도이다. 제2 하부전극층(14b1)은 제1 하부전극층(14a1)과 동일한 구조를 가지고 있기 때문에, 이후의 설명을 생략한다. 제1 하부전극층(14a1)이 가지는 소결체층은 도전체 영역(15a1)과 유리 영역(16a1)을 포함한다. 도전체 영역(15a1)은 도전성 페이스트(1)가 포함하는 도전성 분말(2)이 소결된 금속 소결체를 포함하고 있다. 유리 영역(16a1)은 유리 분말(3)에 유래하는 유리 성분을 포함하고 있다. 한편, 소결체층은 다른 성분으로 복수층 형성되어 있어도 된다. 5 is a cross-sectional view illustrating a microstructure of the first lower electrode layer 14a 1. Since the second lower electrode layer 14b 1 has the same structure as the first lower electrode layer 14a 1 , the following description will be omitted. The sintered body layer of the first lower electrode layer 14a 1 includes a conductor region 15a 1 and a glass region 16a 1 . The conductor region 15a 1 includes a metal sintered body in which the conductive powder 2 included in the conductive paste 1 is sintered. The glass region 16a 1 contains a glass component derived from the glass powder 3. On the other hand, the sintered compact layer may be formed in multiple layers with different components.

제1 하부전극층(14a1) 상에 배치된 제1 도금층(14a2)을 구성하는 금속으로는 Ni, Cu, Ag, Au 및 Sn 등에서 선택되는 적어도 1종 또는 상기 금속을 포함하는 합금을 사용할 수 있다. 상기 도금층은 다른 성분으로 복수층 형성되어 있어도 된다. 바람직하게는 Ni도금층 및 Sn도금층의 2층이다. As the metal constituting the first plating layer 14a 2 disposed on the first lower electrode layer 14a 1 , at least one selected from Ni, Cu, Ag, Au, and Sn, or an alloy containing the metal may be used. have. The plating layer may be formed of a plurality of layers of different components. Preferably, they are two layers of a Ni plated layer and a Sn plated layer.

Ni도금층은 하부전극층 상에 배치되고, 적층형 전자부품을 실장할 때에, 하부전극층이 솔더에 의해 침식되는 것을 방지할 수 있다. Sn도금층은 Ni도금층 상에 배치된다. Sn도금층은 Sn을 포함하는 솔더와의 젖음성이 좋기 때문에, 적층형 전자부품을 실장할 때에 실장성을 향상시킬 수 있다. 한편, 이 도금층은 필수는 아니다. The Ni plating layer is disposed on the lower electrode layer, and when mounting the multilayer electronic component, it is possible to prevent the lower electrode layer from being eroded by solder. The Sn plating layer is disposed on the Ni plating layer. Since the Sn-plated layer has good wettability with a solder containing Sn, it is possible to improve the mountability when mounting a multilayer electronic component. On the other hand, this plating layer is not essential.

본 개시에 따른 적층 세라믹 콘덴서(100)는 도전성 페이스트(1)의 베이킹에 의해 형성된, 치밀화가 촉진되고 적층체와의 접합성의 저하가 억제된 하부전극층을 포함하는 외부전극을 포함할 수 있다. The multilayer ceramic capacitor 100 according to the present disclosure may include an external electrode including a lower electrode layer formed by baking of the conductive paste 1, in which densification is promoted and deterioration of adhesion to the laminate is suppressed.

-실험예- -Experimental example-

본 개시에 따른 도전성 페이스트는 이하의 실험예에 기초하여 보다 구체적으로 설명된다. 이들 실험예는 본 개시에 따른 도전성 페이스트의 조건, 또는 보다 바람직한 조건을 규정하는 근거를 주기 위한 것이기도 한다. 실험예에서는 시료 번호 1부터 시료 번호 20의 유리 분말이 제작되고, TG-DTA에 의한 연화점 평가, 및 TG-MS에 의한 유리 분말과 C 분말의 혼합물에서의 CO2 가스의 발생 거동 평가가 실시되었다. The conductive paste according to the present disclosure will be described in more detail based on the following experimental examples. These experimental examples are also intended to give a basis for defining the conditions or more preferable conditions of the conductive paste according to the present disclosure. In the experimental example, glass powders of Sample Nos. 1 to 20 were prepared, and evaluation of the softening point by TG-DTA, and evaluation of the generation behavior of CO 2 gas in a mixture of the glass powder and C powder by TG-MS were performed. .

또한, 시료 번호 1부터 시료 번호 20의 유리 분말과 평균 입경 0.5㎛의 Cu 분말과 유기 재료를 사용하여 도전성 페이스트가 제작되고, 그들을 사용하여 외부전극의 하부전극층이 형성된, 도 4에 나타내는 바와 같은 적층 세라믹 콘덴서가 제작되었다. 한편, 적층 세라믹 콘덴서의 적층체에서의 유전체층은 BaTiO3계 페로브스카이트형 화합물을 포함하는 유전체 재료에 의해 형성되어 있고, 내부전극층은 Ni에 의해 형성되어 있다. 이들 적층 세라믹 콘덴서를 이용하여 외부전극의 하부전극층과 적층체의 접합성 평가 및 하부전극층의 치밀성 평가가 실시되었다. In addition, a conductive paste was prepared using glass powder of Sample No. 1 to Sample No. 20, Cu powder having an average particle diameter of 0.5 μm, and an organic material, and a lower electrode layer of the external electrode was formed using them, as shown in FIG. 4. A ceramic capacitor was built. On the other hand, the dielectric layer in the laminate of the multilayer ceramic capacitor is formed of a dielectric material containing a BaTiO 3 type perovskite compound, and the internal electrode layer is formed of Ni. Using these multilayer ceramic capacitors, evaluation of the bonding property between the lower electrode layer of the external electrode and the laminate and the density evaluation of the lower electrode layer were performed.

TG-DTA에 의한 시료 번호 1부터 시료 번호 20의 유리 분말의 연화점 평가는 표 1에 나타내진 조건에 의해 실시되었다. Evaluation of the softening point of the glass powders of Sample No. 1 to Sample No. 20 by TG-DTA was performed under the conditions shown in Table 1.

Figure pat00001
Figure pat00001

TG-MS에 의한 시료 번호 1부터 시료 번호 20의 유리 분말과 C 분말의 혼합물에서의 CO2 가스의 발생 거동 평가는 표 2에 나타내진 조건에 의해 실시되었다. The evaluation of the generation behavior of CO 2 gas in the mixture of the glass powder and C powder of Sample No. 1 to Sample No. 20 by TG-MS was performed under the conditions shown in Table 2.

Figure pat00002
Figure pat00002

시료 번호 1부터 시료 번호 20의 유리 분말을 포함하는 도전성 페이스트의 베이킹에 의해 외부전극의 하부전극층이 형성된 적층 세라믹 콘덴서에서의 하부전극층과 적층체의 접합성 평가는 표 3에 나타내진 조건에 의해 실시되었다. Evaluation of the bonding property between the lower electrode layer and the laminate in the multilayer ceramic capacitor in which the lower electrode layer of the external electrode was formed by baking the conductive paste containing the glass powder of Sample Nos. 1 to 20 was conducted under the conditions shown in Table 3. .

Figure pat00003
Figure pat00003

시료 번호 1부터 시료 번호 20의 유리 분말을 포함하는 도전성 페이스트의 베이킹에 의해 외부전극의 하부전극층이 형성된 적층 세라믹 콘덴서에서의 하부전극층의 치밀성 평가는 표 4에 나타내진 조건에 의해 실시되었다. Evaluation of the density of the lower electrode layer in the multilayer ceramic capacitor in which the lower electrode layer of the external electrode was formed by baking the conductive paste containing the glass powder of Sample Nos. 1 to 20 was performed under the conditions shown in Table 4.

Figure pat00004
Figure pat00004

이상과 같이 하여 실시된 연화점 평가 결과, CO2 가스의 발생 거동 평가 결과, 하부전극층과 적층체의 접합성 평가 결과 및 하부전극층의 치밀성 평가 결과는 표 5에 정리되어 나타내져 있다. Table 5 shows the softening point evaluation results, the CO 2 gas generation behavior evaluation results, the bonding evaluation results of the lower electrode layer and the laminate, and the density evaluation results of the lower electrode layer.

Figure pat00005
Figure pat00005

표 5에서 시료 번호에 *를 붙인 것은 본 개시에 따른 도전성 페이스트를 규정하는 조건으로부터 벗어난 시료이다. In Table 5, a sample number marked with * is a sample that deviates from the conditions defining the conductive paste according to the present disclosure.

상술한 바와 같이, 예를 들면 시료 번호 2의 붕규산계 유리 조성물에서는 B산화물 및 Si산화물이 그물코 형성 산화물이며, Ba, Ca, Al, Mn, Cu 및 Ti의 각 산화물이 수식 산화물로 간주된다. 즉, 제1 원소(M1)의 비율은 O를 제외한 상기 붕규산계 유리 조성물의 구성 원소 중 Ba, Ca, Al, Mn, Cu 및 Ti의 각 원소의 총계 비율이 몰%로 나타내진 것이다. 표 5에 나타내지는 바와 같이, 본 개시에 따른 도전성 페이스트를 규정하는 조건을 충족하는 각 시료에서는 하부전극층과 적층체의 접합성 및 하부전극층의 치밀성이 양호한 것이 확인되었다. As described above, in the borosilicate-based glass composition of Sample No. 2, for example, B oxide and Si oxide are mesh-forming oxides, and each oxide of Ba, Ca, Al, Mn, Cu, and Ti is regarded as a modified oxide. That is, the ratio of the first element (M1) is that the total ratio of each element of Ba, Ca, Al, Mn, Cu, and Ti among the constituent elements of the borosilicate-based glass composition excluding O is expressed in mol%. As shown in Table 5, it was confirmed that the bonding property of the lower electrode layer and the laminate and the density of the lower electrode layer were good in each sample that satisfies the conditions for defining the conductive paste according to the present disclosure.

본 명세서에 개시된 실시형태는 예시적인 것이며, 본 개시에 따른 발명은 상기 실시형태에 한정되는 것은 아니다. 즉, 본 개시에 따른 발명의 범위는 특허청구범위에 의해 나타내지고, 특허청구범위와 균등한 의미 및 범위 내에서의 모든 변경이 포함되는 것이 의도된다. 또한, 상기 범위 내에서 다양한 응용, 변형을 가할 수 있다. Embodiments disclosed in this specification are exemplary, and the invention according to the present disclosure is not limited to the above embodiments. That is, the scope of the invention according to the present disclosure is indicated by the claims, and it is intended that the meanings equivalent to the claims and all changes within the scope are included. In addition, various applications and modifications can be applied within the above range.

예를 들면, 적층체를 구성하는 유전체층 및 내부전극층의 층 수, 유전체층 및 내부전극층의 재질 등에 관해, 본 발명의 범위 내에서 다양한 응용, 변형을 가할 수 있다. 또한, 적층형 전자부품으로서 적층 세라믹 콘덴서를 예시했는데, 본 개시에 따른 발명은 그에 한정되지 않고, 다층 기판의 내부에 형성된 콘덴서 요소 등에도 적용할 수 있다.For example, various applications and modifications can be made within the scope of the present invention regarding the number of layers of the dielectric layer and the internal electrode layer constituting the laminate, the material of the dielectric layer and the internal electrode layer, and the like. In addition, a multilayer ceramic capacitor was exemplified as a multilayer electronic component, but the invention according to the present disclosure is not limited thereto, and may be applied to a capacitor element formed inside a multilayer substrate.

더욱이, 외부전극의 수 및 위치는 본 명세서에 개시된 실시형태에 한정되지 않는다. 즉, 외부전극은 적층체의 외표면 상의 서로 다른 위치에 복수개 형성되면서, 내부전극층에 전기적으로 접속되는 것이면 된다. Moreover, the number and position of external electrodes are not limited to the embodiments disclosed herein. That is, a plurality of external electrodes may be formed at different positions on the outer surface of the laminate and electrically connected to the internal electrode layer.

1: 도전성 페이스트
2: 도전성 분말
3: 유리 분말
3f: 유리 유동체
4: 유기 재료
5: C성분
5g: 가스의 거품
100: 적층 세라믹 콘덴서
10: 적층체
11: 유전체층
12: 내부전극층
13a: 제1 단면
13b: 제2 단면
14a: 제1 외부전극
14a1: 제1 하부전극층
14a2: 제1 도금층
14b: 제2 외부전극
14b1: 제2 하부전극층
14b2: 제2 도금층
15a1: 도전성 영역
16a1: 유리 영역
M1: 제1 원소
M2: 제2 원소
ΔG°: 산화물의 표준 생성 자유에너지
ΔGM°: 제2 원소의 산화물의 표준 생성 자유에너지
ΔGC°: CO2의 표준 생성 자유에너지
1: conductive paste
2: conductive powder
3: glass powder
3f: glass fluid
4: organic ingredients
5: C component
5g: bubbles of gas
100: multilayer ceramic capacitor
10: laminate
11: dielectric layer
12: internal electrode layer
13a: first cross section
13b: second cross section
14a: first external electrode
14a 1 : first lower electrode layer
14a 2 : 1st plating layer
14b: second external electrode
14b 1 : second lower electrode layer
14b 2 : second plating layer
15a 1 : conductive region
16a 1 : glass area
M1: first element
M2: second element
ΔG°: the standard free energy produced by the oxide
ΔG M °: the standard free energy produced by the oxide of the second element
ΔG C °: Standard free energy generated in CO 2

Claims (9)

Cu 및 Ni 중에서 선택되는 적어도 1종류의 원소를 포함하는 도전성 분말과, 유리 분말과, 유기 재료를 포함하고,
상기 유리 분말은 연화점이 455℃ 이상 650℃ 이하인 붕규산계 유리 조성물을 포함하면서, 상기 유리 분말과 C 분말의 혼합물의 승온(昇溫) 가열 시에 발생하는 가스의 질량 분석에 의해 얻어지는 질량 스펙트럼(mass spectrum)은 470℃ 이상 680℃ 이하에 질량 수 44의 가스 발생 피크를 가지는, 도전성 페이스트.
A conductive powder containing at least one element selected from Cu and Ni, a glass powder, and an organic material,
The glass powder includes a borosilicate-based glass composition having a softening point of 455° C. or more and 650° C. or less, and a mass spectrum obtained by mass spectrometry of a gas generated when the mixture of the glass powder and C powder is heated at elevated temperature. ) Is a conductive paste having a gas generation peak having a mass number of 44 at 470°C or more and 680°C or less.
제1항에 있어서,
상기 붕규산계 유리 조성물은 산소를 제외한 구성 원소 중 수식 산화물이 되는 적어도 1종류의 제1 원소를 36㏖% 이상 68㏖% 이하 포함하는, 도전성 페이스트.
The method of claim 1,
The conductive paste, wherein the borosilicate-based glass composition contains 36 mol% or more and 68 mol% or less of at least one type of first element that becomes a modified oxide among constituent elements excluding oxygen.
제2항에 있어서,
상기 제1 원소는 Li, Na 및 K 중에서 선택되는 적어도 1종류의 원소를 포함하는, 도전성 페이스트.
The method of claim 2,
The first element is a conductive paste containing at least one element selected from Li, Na and K.
제2항 또는 제3항에 있어서,
상기 붕규산계 유리 조성물은 상기 제1 원소 중 연화점 이상에서의 산화물의 표준 생성 자유에너지가 CO2의 표준 생성 자유에너지보다 큰 산소 공급 산화물이 되는 적어도 1종류의 제2 원소를 1.5㏖% 이상 6.5㏖% 이하 포함하는, 도전성 페이스트.
The method according to claim 2 or 3,
The borosilicate-based glass composition contains 1.5 mol% or more of 6.5 mol% or more of at least one second element that becomes an oxygen-supplying oxide whose standard free energy of oxides above the softening point of the first element is greater than the standard free energy of CO 2 A conductive paste containing% or less.
제4항에 있어서,
상기 제2 원소는 Cu, Co 및 Ni 중에서 선택되는 적어도 1종류의 원소를 포함하는, 도전성 페이스트.
The method of claim 4,
The second element is a conductive paste containing at least one element selected from Cu, Co, and Ni.
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 도전성 분말의 적어도 일부의 표면이 Ag, Sn 및 Al 중에서 선택되는 적어도 1종류의 원소를 포함하는 금속층에 의해 피복되는, 도전성 페이스트.
The method according to any one of claims 1 to 3,
A conductive paste in which at least a part of the surface of the conductive powder is coated with a metal layer containing at least one element selected from Ag, Sn and Al.
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 도전성 분말의 적어도 일부의 표면이 유기물층에 의해 피복되는, 도전성 페이스트.
The method according to any one of claims 1 to 3,
A conductive paste in which at least a part of the surface of the conductive powder is covered with an organic material layer.
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 도전성 분말의 평균 입경이 1㎛ 이하인, 도전성 페이스트.
The method according to any one of claims 1 to 3,
The conductive paste, wherein the average particle diameter of the conductive powder is 1 µm or less.
적층된 복수개의 유전체층과 복수개의 내부전극층을 포함하는 적층체와, 상기 적층체의 외표면 상의 서로 다른 위치에 형성되면서 상기 내부전극층에 전기적으로 접속되는 복수개의 외부전극을 포함하고,
상기 외부전극은 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 기재된 도전성 페이스트의 베이킹에 의해 형성된 하부전극층을 포함하는, 적층형 전자부품.
A laminate comprising a plurality of stacked dielectric layers and a plurality of internal electrode layers, and a plurality of external electrodes formed at different positions on an outer surface of the laminate and electrically connected to the internal electrode layer,
The multilayer electronic component, wherein the external electrode includes a lower electrode layer formed by baking the conductive paste according to any one of claims 1 to 3.
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