KR20240015573A - Foreign matter determination method and lithography apparatus - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 이물 판정 방법 및 리소그래피 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a foreign matter determination method and lithography apparatus.
반도체 디바이스나 액정 표시 디바이스 등의 제조 공정에 있어서, 피검사면에 광을 조사하여 이물 검출을 행하는 방법이 있다. 검출된 이물은 검출 결과에 기초하여 판정되고, 제거를 요한다고 판단된 경우에는 제거 수단에 의해 제거된다. 또한, 일본 특허 공개 제2020-204579호에 개시되어 있는 바와 같이, 피검사면에 3개 이상의 다른 파장의 광을 조사하고 반사율에 기초하여 이물의 종류를 판정하는 방법이 있다.In the manufacturing process of semiconductor devices, liquid crystal display devices, etc., there is a method of detecting foreign matter by irradiating light to a surface to be inspected. The detected foreign matter is judged based on the detection result, and if it is judged to require removal, it is removed by the removal means. Additionally, as disclosed in Japanese Patent Publication No. 2020-204579, there is a method of irradiating light of three or more different wavelengths to the inspection surface and determining the type of foreign matter based on the reflectance.
여기서, 이물을 판정하는 대상인 피검사면을 포함하는 검사 대상이 행하는 처리에 대한 영향도는, 이물의 종류뿐만 아니라 이물의 크기도 관계한다. 따라서, 이물의 종류에 따른 판정 방법에 의해 이물의 크기를 고려하여, 이물의 영향도를 판정하는 것이 바람직하다.Here, the degree of influence on the processing performed on the inspection object including the inspected surface, which is the object of determining the foreign matter, is related not only to the type of the foreign matter but also to the size of the foreign matter. Therefore, it is desirable to determine the degree of influence of the foreign matter by considering the size of the foreign matter using a determination method according to the type of foreign matter.
본 발명은 이물의 영향도의 판정에 유리한 이물 판정 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.The purpose of the present invention is to provide a foreign matter determination method that is advantageous for determining the degree of influence of foreign matter.
상기 목적을 달성하기 위해서, 본 발명의 일 측면으로서의 이물 판정 방법은, 검사 대상의 피검사면 위의 이물에 의해 산란된 제1 파장 영역의 제1 광을 검출하는 제1 검출 공정과, 상기 이물에 의해 산란된 상기 제1 파장 영역과는 다른 제2 파장 영역의 제2 광을 검출하는 제2 검출 공정과, 상기 이물의 영향도를 판정하는 제1 판정 공정을 갖고, 상기 제1 판정 공정에 있어서, 상기 제1 검출 공정과 상기 제2 검출 공정에서 검출한 산란광의 강도와 산란 범위 중 적어도 한쪽에 기초한 제1 판정 방법을 이용하여 판정하고, 상기 제1 판정 방법은 상기 이물의 종류에 따른 판정 방법인 것을 특징으로 한다.In order to achieve the above object, a foreign matter determination method as one aspect of the present invention includes a first detection step of detecting first light in a first wavelength region scattered by a foreign matter on an inspection surface of an inspection object, and a second detection process for detecting second light in a second wavelength range different from the first wavelength range scattered by the first wavelength range, and a first determination process for determining the degree of influence of the foreign matter, in the first determination process. , the determination is made using a first determination method based on at least one of the intensity and scattering range of the scattered light detected in the first detection process and the second detection process, and the first determination method is a determination method according to the type of the foreign matter. It is characterized by being.
본 발명의 추가 특징들은 (첨부된 도면들을 참조하여) 예시적인 실시 형태의 다음의 설명으로부터 명확해질 것이다. Further features of the invention will become apparent from the following description of exemplary embodiments (with reference to the accompanying drawings).
도 1은 제1 실시 형태에 있어서의 이물 판정 장치의 구성을 나타내는 개략도이다.
도 2는 제1 실시 형태에 있어서의 이물 판정의 흐름도이다.
도 3은 제1 실시 형태에 있어서의 이물 판정의 흐름도이다.
도 4는 제1 실시 형태에 있어서의 제1 광에 의한 산란광의 강도를 나타내는 도면이다.
도 5는 제1 실시 형태에 있어서의 제2 광에 의한 산란광의 강도를 나타내는 도면이다.
도 6은 제1 실시 형태에 있어서의 제2 광에 의한 산란광의 강도에 대한 제1 광에 의한 산란광의 강도의 비율(강도비)을 나타내는 도면이다.
도 7은 제1 실시 형태에 있어서의 제1 광에 의한 산란광의 산란 범위를 나타내는 도면이다.
도 8은 제1 실시 형태에 있어서의 제2 광에 의한 산란광의 산란 범위를 나타내는 도면이다.
도 9는 제1 실시 형태에 있어서의 제2 광에 의한 산란광의 산란 범위를 기준으로 하여 제1 광에 의한 산란광의 산란 범위와의 차(산란 범위차)를 나타내는 도면이다.
도 10은 제1 실시 형태에 있어서의 산란성 이물용 판정 방법을 나타내는 흐름도이다.
도 11은 제1 실시 형태에 있어서의 비산란성 이물용 판정 방법을 나타내는 흐름도이다.
도 12는 제2 실시 형태에 있어서의 투영 노광 장치의 구성을 나타내는 개략도이다.
도 13은 제3 실시 형태에 있어서의 물품의 제조 방법의 흐름도이다.1 is a schematic diagram showing the configuration of a foreign matter determination device in the first embodiment.
Fig. 2 is a flowchart of foreign matter determination in the first embodiment.
Fig. 3 is a flowchart of foreign matter determination in the first embodiment.
Fig. 4 is a diagram showing the intensity of scattered light from the first light in the first embodiment.
Fig. 5 is a diagram showing the intensity of scattered light by the second light in the first embodiment.
FIG. 6 is a diagram showing the ratio (intensity ratio) of the intensity of scattered light by the first light to the intensity of the scattered light by the second light in the first embodiment.
Fig. 7 is a diagram showing the scattering range of scattered light by the first light in the first embodiment.
Fig. 8 is a diagram showing the scattering range of light scattered by the second light in the first embodiment.
FIG. 9 is a diagram showing the difference (scattering range difference) from the scattering range of the scattered light by the first light based on the scattering range of the scattered light by the second light in the first embodiment.
Fig. 10 is a flowchart showing the determination method for scattering foreign substances in the first embodiment.
Fig. 11 is a flowchart showing the determination method for non-scattering foreign substances in the first embodiment.
Fig. 12 is a schematic diagram showing the configuration of a projection exposure apparatus in the second embodiment.
Fig. 13 is a flowchart of a method for manufacturing an article according to the third embodiment.
이하에, 본 발명의 실시 형태를 첨부의 도면에 기초하여 설명한다. 또한, 이하의 실시 형태는 청구범위에 따른 발명을 한정하는 것은 아니다. 실시 형태에는 복수의 특징이 기재되어 있지만, 이들 복수의 특징의 전부가 발명에 필수적인 것이라고는 한정되지 않고, 또한 복수의 특징은 임의로 조합할 수 있어도 된다. 또한, 첨부 도면에 있어서는, 동일 혹은 마찬가지의 구성에 동일한 참조 번호를 부여하고, 중복된 설명은 생략한다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Below, embodiment of this invention is described based on the attached drawings. In addition, the following embodiments do not limit the invention according to the claims. Although a plurality of features are described in the embodiment, it is not limited that all of these features are essential to the invention, and the plurality of features may be arbitrarily combined. In addition, in the accompanying drawings, the same or similar components are assigned the same reference numerals, and duplicate descriptions are omitted.
또한, 본 명세서 및 첨부 도면에서는, 기본적으로, 투광부의 광축에 평행한 축을 Z축으로 하고, Z축에 대하여 수직인 수평면을 XY 평면으로 하는, 각 축이 서로 직교하는 XYZ 좌표계에 의해 방향이 도시되어 있다. 단, 각 도면에 기재된 XYZ 좌표계가 있는 경우에는 그 좌표계를 우선한다.In addition, in this specification and the accompanying drawings, the direction is basically shown by an It is done. However, if there is an XYZ coordinate system described in each drawing, that coordinate system takes priority.
이하, 각 실시 형태에 있어서, 구체적인 구성을 설명한다.Hereinafter, the specific configuration of each embodiment will be described.
<제1 실시 형태><First embodiment>
도 1은, 본 실시 형태에 있어서의 이물 판정 장치(100)의 구성을 나타내는 개략도이다. 이물 판정 장치(100)는, 예를 들어 조명 광학계가 조사한 광에 의해, 원판(마스크, 레티클)의 패턴을, 투영 광학계를 통해 기판에 노광하는 투영 노광 장치에 배치된다. 그리고, 원판, 원판을 보유 지지하는 보유 지지부, 기판 또는 기판을 보유 지지하는 기판 보유 지지부 등의 표면 위의 이물을 검출한다. 단, 이물 판정 장치(100)는 투영 노광 장치에 대한 배치에 한정되지는 않는다. 예를 들어, 이물 판정 장치(100)는 전자선이나 이온빔 등에 의해 기판에 묘화를 행하고, 패턴을 기판에 형성하는 묘화 장치에 배치되어도 된다. 또한, 이물 판정 장치(100)는 다른 리소그래피 장치, 예를 들어 기판의 위의 임프린트재를 형에 의해 성형하여 패턴을 기판 위에 형성하는 임프린트 장치에 배치되어도 된다. 또는, 이물 판정 장치(100)는 이온 주입 장치, 현상 장치, 에칭 장치, 성막 장치, 어닐 장치, 스퍼터링 장치, 증착 장치 등, 반도체 웨이퍼나 유리 플레이트 등의 기판을 처리하는 다른 장치에 배치되어도 된다. 또한, 이물 판정 장치(100)는 평탄한 판을 사용하여 기판 위의 조성물을 평탄화하는 평탄화 장치에 배치되어도 된다.Fig. 1 is a schematic diagram showing the configuration of the foreign
이물 판정 장치(100)는 피검사면을 향해 투광광(8)을 투광하는 투광부(1)와, 피검사면에서의 산란광(7)을 검출하는 검출부(2)와, 파장 필터(12)와, 기억부(15)와, 검출부(2)의 검출 결과에 기초하여 피검사면 위의 이물을 판정하는 판정부(16)와, 송신부(20)를 구비한다. 여기서, 예를 들어 투광부(1)가 투영 노광 장치에 배치되는 경우에는, 투광부(1)는 투영 노광 장치의 광원이어도 된다. 이 경우, 투광광(8)은 노광광이 된다. 검출부(2)는 산란광(7)을 검출하는 수광 센서(10)와, 수광 센서(10)에 산란광(7)을 결상시키는 렌즈(11)를 구비한다.The foreign
또한, 판정부(16)는 피검사면 위의 이물의 판정을 행할뿐만 아니라, 이물 판정 장치(100)의 제어부로서 제어를 함께 행해도 되고, 이물 판정 장치(100)가 배치되어 있는 투영 노광 장치 등의 기판 처리 장치 제어를 함께 행해도 된다. 기억부(15)는 검출부(2)가 검출한 검출 결과를 기억한다. 송신부(20)는 판정부(16)에 의해 판정된 정보를 표시 제어부(도시생략)에 송신한다. 표시 제어부는 송신된 정보에 기초하여 표시부(도시생략)의 표시를 제어한다. 예를 들어, 표시부에는 「제거를 필요로 하는 이물을 검출」 등의 문언이 표시되고, 유저는 검출된 이물의 영향도를 파악할 수 있다.In addition, the
파장 필터(12)는 피검사면과 검출부(2) 사이의 광로 위로의 삽입 발출의 전환이 가능하게 구성되어 있고, 피검사면으로부터 검출부(2)에 도달하는 산란광(7) 중 소정의 파장 영역의 광(자외광이나, 적외광 등)을 투과하고 그 이외를 흡수 또는 반사하는 필터이다. 여기에서는, 이 파장 필터(12)는 산란광(7)의 광로 중의 위치 A와 검출부(2)가 검출하는 산란광(7)의 광로 외의 위치 A'를 이동 가능한 필터이다.The
파장 필터(12)가 산란광(7)의 광로 외의 위치 A'로 이동했을 때, 검출부(2)에 검출되는 광은 파장 필터(12)를 통하고 있지 않기 때문에, 투광광(8)과 동일한 광(제1 광)이 된다. 한편, 파장 필터(12)가 산란광(7)의 광로 중의 위치 A로 이동했을 때, 검출부(2)에 검출되는 광은 파장 필터(12)를 통하고 있다. 따라서, 검출부(2)에 검출되는 광은 투광광(8)이 파장 필터(12)에 의해 소정의 파장 영역만큼 투과시킨 광(제2 광)이 된다. 단, 파장 필터(12)는 투광부(1)로부터 투광된 광을 소정의 파장 영역만 투과시킬 수 있으면 되며, 도 1에 도시한 배치 개소에 한정되지는 않는다. 예를 들어, 파장 필터(12)는 투광부(1)와 피검사면의 사이이며, 투광광(8)의 소정의 파장 영역만을 투과시킬 수 있는 위치에 배치되어도 된다.When the
투광부(1)로부터의 투광광(8)은 피검사면을 갖는 부재(3)의 검사 영역에 투광된다. 부재(3)는 예를 들어 표면 연마된 유리이다. 그리고, 투광광(8)이 투광된 검사 영역에 존재하는 피검사면 위의 이물에 의해 산란된 산란광(7)이 검출부(2)에 의해 검출되고, 기억부(15)는 검출부(2)의 검출 결과를 기억한다. 판정부(16)는 기억부(15)에 의해 기억된 검출부(2)에 의한 검출 결과에 기초하여 이물의 종류를 판정하고, 판정된 이물의 종류에 따른 판정 방법(제1 판정 방법)에 의해 이물의 크기를 고려하여, 이물의 영향도를 판정한다. 여기서, 본 실시 형태에 있어서의 이물의 종류란, 광을 산란하기 쉬운 산란성 이물과 광을 산란시키기 어려운 비산란성 이물을 말한다.The transmitted
또한, 부재(3)의 상면측의 전역을 검사하는 경우에는, 부재(3)를 XY 평면 내에서 이동시키면 된다.In addition, when inspecting the entire upper surface side of the
본 실시 형태에서는 검사 영역에 3종류의 이물(4 내지 6)이 있는 것으로 한다. 이물(4)은 고체의 산란성 이물, 이물(5)은 오일 등의 비산란성 이물, 이물(6)은 이물(4)보다 산란성이 낮은 고체의 산란성 이물이다. 여기서, 산란성의 이물이란, 요철 형상을 갖고, 광에 대한 산란성이 높은 이물이며, 예를 들어 고체이다. 한편, 비산란성의 이물이란, 평탄에 가까운 형상을 갖고, 광에 대한 산란성이 낮은 이물이며, 예를 들어 액체이다.In this embodiment, it is assumed that there are three types of foreign substances (4 to 6) in the inspection area. The foreign material 4 is a solid scattering foreign material, the
검출부(2)는 제1 광, 제2 광 각각이 피검사면 위의 이물에 의해 산란된 산란광(7)의 강도와 산란 범위를 검출한다. 이물로부터의 산란광(7)은 강도가 높기(광량이 크기) 때문에 산란광(7)의 강도의 피크를 검출한 위치가 이물의 위치라고 판정할 수 있다.The detection unit 2 detects the intensity and scattering range of the first light and the second light, respectively, of the
여기서, 이물의 크기의 판정에 대하여 설명한다. 이물(4)과 같은 산란성이 높은 이물의 경우, 산란광(7)의 강도는 이물의 크기에 따라서 변화하기 때문에, 산란광(7)의 강도에 기초하여 이물의 크기를 판정할 수 있다. 한편, 이물(5)과 같은 비산란성 이물의 경우, 산란광(7)의 강도는 이물의 크기에 대응하지 않기 때문에, 산란광(7)의 강도로부터 이물의 크기를 판정할 수 없다. 그 때문에, 비산란성 이물의 경우에는 산란광(7)의 산란 범위에 기초하여 이물의 크기를 판정한다. 산란 범위란 수광 센서(10)가 산란광(7)을 검출했을 때의 센서의 화소수이다. 이 산란 범위에 의해 이물의 크기를 판정할 수 있다. 산란성 이물이어도, 이물(6)과 같은 산란성이 낮은 경우에, 산란광(7)의 강도는 이물의 크기에 대응하지 않는 경우가 있다. 산란성이 낮은 이물이란, 구체적으로는, 예를 들어 얇고 평탄한 형상이나 이방성 형상의 이물이다. 그 때문에, 이물(6)과 같은 산란성이 낮은 산란성 이물이며, 산란광(7)의 강도가 낮아 산란광(7)의 강도에 기초하여 이물의 크기를 판정할 수 없는 경우에는 산란광(7)의 산란 범위에 기초하여 판정함으로써, 이물의 크기를 판정할 수 있다.Here, determination of the size of the foreign matter will be explained. In the case of a highly scattering foreign material such as the foreign material 4, the intensity of the
기억부(15)는 검출부(2)에서 검출한 산란광(7)의 피크를 검출한 위치(이물의 위치), 산란광(7)의 강도, 산란광(7)의 산란 범위를 기억한다. 판정부(16)는 기억부(15)가 기억한 정보(검출부(2)의 검출 결과)에 기초하여, 이물의 종류를 판정하고, 판정된 이물의 종류에 따른 판정 방법에 의해 이물의 크기를 고려하고, 이물의 영향도를 판정한다. 예를 들어, 이물 판정 장치(100)가 투영 노광 장치에 배치되어 있고, 기판에 전사하기 위한 패턴이 형성되어 있는 원판(마스크) 위의 이물을 검출하는 것으로 한다. 이 경우, 원판 위에 큰 이물이 있으면, 노광 처리의 결과에 악영향을 미친다. 또한, 이물의 종류에 따라서도 노광 처리에 미치는 영향도가 다르고, 고체와 같은 산란성 이물이 원판 위에 있는 경우에는, 이물이 노광광을 크게 차단하여, 노광 처리의 결과에 악영향을 미친다. 그러나, 오일과 같은 비산란성 이물이 원판 위에 있는 경우에는, 노광광을 차단하지만, 산란성 이물과 비교하면 노광광을 차단하는 양이 적기 때문에, 노광 처리의 결과에 미치는 영향은 비교적 작다. 이와 같이, 산란성의 큰 이물이 있는 경우에는 노광 처리의 결과에 큰 영향을 미치기 때문에 노광 처리를 중단하고, 이물 제거를 행하는 것이 바람직하지만, 비산란성이 작은 이물인 경우에는 노광 처리의 결과에 대한 영향이 비교적 작기 때문에, 노광 처리를 중단하지 않아도 된다. 즉, 이물의 종류와, 판정된 이물의 종류에 따른 판정 방법에 의해 이물의 크기를 고려하여, 이물의 영향도를 판정함으로써 이물 제거의 필요 여부를 판정하는 것이 가능해진다.The
본 실시 형태에서는 검출부(2)에서 검출한 이물을 영향도별로 X랭크, Y랭크, Z랭크의 3종류 중 어느 것으로 판정한다. X랭크는, 이물을 검출하지 않은 경우이다. Y랭크는, 큰 영향을 미칠 가능성이 낮다고 판정되는 이물이 검출된 경우이다. Z랭크는, 큰 영향을 미칠 가능성이 높다고 판정되는 이물이 검출된 경우이다.In this embodiment, the foreign matter detected by the detection unit 2 is determined to be one of three types: X rank, Y rank, and Z rank depending on the degree of influence. Rank X is the case where no foreign matter is detected. Rank Y is a case where a foreign substance judged to be unlikely to have a significant impact is detected. Z rank is a case where a foreign substance judged to be highly likely to have a significant impact is detected.
예를 들어, 이물 판정 장치(100)가 투영 노광 장치인 경우에, 노광 시에 해상 불량을 발생시키는 이물이 큰 영향을 미칠 가능성이 높은 이물이며, Z랭크라고 판정된다. 한편, 노광 시에 해상 불량을 발생시키기 어려운 이물은 큰 영향을 미칠 가능성이 낮은 이물이며, Y랭크라고 판정된다.For example, when the foreign
Z랭크의 이물이 검출된 경우에는, 노광 처리를 중단하고 이물 제거를 행하는 것이 바람직하다. 단, 본 실시 형태에서는 이물을 3개의 랭크로 판정하지만, 본 실시 형태의 예로 한정되지 않고, 유저가 자유롭게 설정해도 된다.When a Z-rank foreign matter is detected, it is desirable to stop the exposure process and remove the foreign matter. However, in this embodiment, foreign matter is judged into three ranks, but this is not limited to the example of this embodiment, and the user may freely set them.
예를 들어, 산란광(7)의 강도에만 기초하여 이물의 영향도를 판정하면, 전술한 바와 같이 비산란성 이물이나 산란성이 낮은 이물인 경우, 산란광(7)의 강도는 이물의 크기에 따라서 변화하지 않기 때문에 이물의 영향도를 오판정할 가능성이 있다.For example, if the degree of influence of a foreign object is determined based only on the intensity of the
이에, 본 실시 형태에서는, 파장 영역이 다른 2종류의 광에 의한 산란광(7)의 강도와 산란 범위 중 적어도 한쪽에 기초하여 피검사면 위의 이물의 종류를 판정하고, 판정된 이물의 종류에 따른 판정 방법에 의해 이물의 영향도를 판정한다.Accordingly, in the present embodiment, the type of foreign matter on the surface to be inspected is determined based on at least one of the intensity and scattering range of the
본 실시 형태에서는 제1 광을 가시광의 파장 영역과 자외광의 파장 영역이 포함되는 제1 파장 영역의 광, 제2 광을 가시광의 파장 영역은 포함하지 않고 자외광의 파장 영역을 포함하는 제2 파장 영역의 광으로서 설명한다. 예를 들어, 노광 장치의 광원으로서 사용되는 수은 램프의 광은, 가시광의 파장 영역과 자외광의 파장 영역이 포함되는 제1 광(제1 파장 영역)이다. 피검사면과 검출부(2) 사이의 광로 중에 파장 필터(12)를 배치함으로써, 파장 필터(12)에 의해 제1 광으로부터 제2 광(제2 파장 영역)으로 변화시키고, 검출부(2)는 제2 광에 의한 산란광(7)을 검출한다.In this embodiment, the first light is light in a first wavelength region that includes the wavelength region of visible light and the wavelength region of ultraviolet light, and the second light is light in the wavelength region of ultraviolet light but does not include the wavelength region of visible light. It is explained as light in the wavelength range. For example, the light of a mercury lamp used as a light source of an exposure apparatus is first light (first wavelength range) that includes the wavelength range of visible light and the wavelength range of ultraviolet light. By disposing the
도 2와 도 3은, 본 실시 형태에 있어서의 이물 판정의 흐름도이다. 우선, 파장 필터(12)를 통하지 않은 제1 광에 의한 산란광(7)을 검출하였는지 여부를 판정한다(S101). 파장 필터(12)를 통하지 않은 제1 광에 의한 산란광(7)을 검출하지 않은 경우에는 검출부(2)가 검출하는 산란광(7)의 광로 외의 위치에 파장 필터(12)를 배치한다(S102). 스텝 S101에서, 파장 필터(12)를 통하지 않은 제1 광에 의한 산란광(7)을 검출한 경우에는, 파장 필터(12)를 통한 제2 광에 의한 산란광(7)을 검출하였는지 여부를 판정한다(S103). 파장 필터(12)를 통한 제2 광에 의한 산란광(7)을 검출하지 않은 경우에는 검출부(2)가 검출하는 산란광(7)의 광로 중의 위치에 파장 필터(12)를 배치한다(S104). 그리고, 투광부(1)가 피검사면을 향해 투광광(8)을 투광하고(S105), 검출부(2)가 산란광(7)을 검출하고(S106), 스텝 S106의 검출부(2)의 검출 결과에 기초하여 피검사면 위에 이물이 있는지 여부를 판정한다(S107). 또한, 스텝 S106은 제1 광에 의한 산란광(7)을 검출할 때는 제1 검출 공정, 제2 광에 의한 산란광(7)을 검출할 때는 제2 검출 공정이 된다. 여기서, 스텝 S106에서 검출부(2)가 검출하는 산란광(7)은 피검사면 위의 이물이 존재하지 않는 개소로부터의 산란광과 이물에 의해 산란한 산란광을 모두 검출한다.2 and 3 are flowcharts of foreign matter determination in this embodiment. First, it is determined whether the
그러나, 이물이 존재하지 않는 개소로부터의 산란광보다도 이물에 의해 산란한 산란광의 쪽이 광의 강도가 높기 때문에, 검출부(2)는 이물을 검출할 수 있다. 피검사면 위에 이물이 있는 경우에는 피검사면 위에서 검출한 하나 또는 복수의 이물의 정보를 기억하고(S108), 스텝 S101로 되돌아간다. 스텝 S108에서 기억하는 정보는, 검출부(2)에서 검출한, 산란광(7)의 피크를 검출한 위치(이물의 위치), 산란광(7)의 강도, 산란광(7)의 산란 범위이다. 스텝 S107에서 피검사면 위에 이물이 없는 경우에는, 스텝 S101로 되돌아간다.However, since the intensity of the scattered light scattered by the foreign matter is higher than that of the scattered light from a location where the foreign matter does not exist, the detection unit 2 can detect the foreign matter. If there is a foreign substance on the inspection surface, information on one or more foreign substances detected on the inspection surface is stored (S108), and the process returns to step S101. The information stored in step S108 is the position at which the peak of the
스텝 S103에서 파장 필터(12)를 통한 산란광(7)을 검출한 경우에는, 파장 필터(12)를 통했을 때와 통하지 않았을 때 모두 이물을 검출하지 않았는지 여부를 판정한다(S109). 모두 이물을 검출하지 않은 경우에는, 피검사면 위의 검사 영역에 있어서 이물은 없다고 하여 종료한다. 스텝 S109에서 파장 필터(12)를 통했을 때와 통하지 않았을 때 모두 이물을 검출한 경우에는, 파장 필터(12)를 통한 산란광(7)을 검출했을 때와 파장 필터(12)를 통하지 않은 산란광(7)을 검출했을 때의 이물의 정보를 대응시킨다(S110). 그리고, 제거를 요하는 큰 영향을 미칠 가능성이 높다(Z랭크)고 판정된 이물이 있는지 여부를 판정한다(S111). 또한, 스텝 S111은 판정부(16)의 판정 결과에 기초하여 이물의 제거의 필요 여부를 판정하는 제2 판정 공정이다. 제거를 요하는 큰 영향을 미칠 가능성이 높다(Z랭크)고 판정된 이물이 없으면, 기억한 이물의 정보 중에서 영향도별 랭크의 판정을 하지 않은 정보가 있는지 여부를 판정한다(S112). 기억한 이물의 정보 중에서 영향도별 랭크의 판정을 하지 않은 정보가 없는 경우에는, 종료한다. 기억한 이물의 정보 중에서 판정하지 않은 정보가 있는 경우에는, 기억한 이물의 정보 중에서 판정하지 않은 정보를 하나 선택하고(S113), 선택한 이물은 산란성 이물인지 여부를 판정한다(S114). 산란성 이물인 경우에는 산란성 이물용 판정 방법에 의해 이물을 검사 대상이 행하는 처리에 대한 영향도별 랭크로 판정하고 기억한다(S115). 산란성 이물이 아닌 경우에는 비산란성 이물용 판정 방법에 의해 이물을 검사 대상이 행하는 처리에 대한 영향도별 랭크로 판정하고 기억한다(S116). 또한, 스텝 S115, S116은 이물의 영향도를 판정하는 제1 판정 공정이다.When the
송신부(20)는 판정부(16)가 판정한 이물의 검사 대상이 행하는 처리에 대한 영향도에 관한 정보를 표시 제어부에 송신하고, 표시 제어부는 송신부(20)로부터 수신한 이물의 검사 대상이 행하는 처리에 대한 영향도에 관한 정보에 기초하여 표시부의 표시를 제어한다(S117). 그리고, 스텝 S111로 되돌아간다. 스텝 S111에서 제거를 요하는 큰 영향을 미칠 가능성이 높다고 판정된 이물이 있다고 판정된 경우에는, 이물 제거를 실시하고(S118), 종료한다.The transmitting
여기서, 스텝 S114에 있어서의 이물의 종류의 판정에 대하여 설명한다. 도 4는 본 실시 형태에 있어서의 제1 광에 의한 산란광(7)의 강도를 나타내는 도면이다. 파장 필터(12)를 통하지 않은 제1 광에 의한 산란광(7)을 검출부(2)가 검출했을 때의 산란광(7)의 강도는, 이물(4)은 a, 이물(5)은 b, 이물(6)은 c이다. 이물(4)은 고체의 산란성이 높은 산란성 이물이기 때문에 제1 광에 의한 산란광(7)의 강도는 높다. 이물(5)은 오일 등의 비산란성 이물이기 때문에 제1 광에 의한 산란광(7)의 강도는 낮다. 이물(6)은 고체의 산란성이 낮은 산란성 이물이기 때문에, 이물(4)과 비교해서 산란광(7)의 강도가 작다.Here, determination of the type of foreign matter in step S114 will be explained. FIG. 4 is a diagram showing the intensity of
도 5는 본 실시 형태에 있어서의 제2 광에 의한 산란광(7)의 강도를 나타내는 도면이다. 파장 필터(12)를 통한 제2 광에 의한 산란광(7)을 검출부(2)가 검출했을 때의 산란광(7)의 강도는, 이물(4)은 d, 이물(5)은 e, 이물(6)은 f이다. 이물(4)은 고체의 산란성이 높은 산란성 이물이기 때문에 광의 종류(제1 광, 제2 광)에 관계없이 산란광(7)의 강도는 높다. 이물(5)은 오일 등의 비산란성 이물이기 때문에 자외광인 제2 광에 의한 산란광(7)의 강도는, 가시광과 자외광의 혼합광인 제1 광에 의한 산란광(7)의 강도와 비교해서 매우 낮아진다. 이물(6)은 고체의 산란성 이물이기 때문에 광의 종류(제1 광, 제2 광)에 관계없이 산란광(7)의 강도는 얻어지지만, 산란성이 낮기 때문에, 제1 광의 시와 마찬가지로, 이물(4)과 비교해서 산란광(7)의 강도가 낮다.FIG. 5 is a diagram showing the intensity of
도 6은 본 실시 형태에 있어서의 제2 광에 의한 산란광(7)의 강도에 대한 제1 광에 의한 산란광(7)의 강도의 비율(강도비)을 나타내는 도면이다. 제2 광에 의한 산란광(7)의 강도에 대한 제1 광에 의한 산란광(7)의 강도의 비율은 각각, 이물(4)은 A=a/d, 이물(5)은 B=b/e, 이물(6)은 C=c/f이다. 산란성 이물인 이물(4)과 이물(6)은 파장 필터(12)를 통했을 때와 통하지 않았을 때 산란광(7)의 강도가 크게 다르지 않기 때문에, 산란광(7)의 강도비(A, C)가 작다. 한편, 비산란성 이물인 이물(5)은 파장 필터(12)를 통하지 않았을 때의 강도가 높고, 파장 필터(12)를 통했을 때의 강도는 낮으며, 파장 필터(12)의 유무로 검출부(2)가 검출하는 산란광(7)의 강도가 크게 달라진다. 그 때문에, 이물(5)은 산란광(7)의 강도비(B)가 크다. 이와 같이, 파장 필터(12)를 통했을 때와 통하지 않았을 때의 산란광(7)의 강도비에 의해 산란성 이물인지, 비산란성 이물인지를 판정할 수 있다.FIG. 6 is a diagram showing the ratio (intensity ratio) of the intensity of the
유저는 미리 산란성 이물인지, 비산란성 이물인지를 판정하기 위한 강도 임계값 P(종류 판정 임계값)를 설정한다. 강도 임계값 P는 유저가 미리 실험적으로 이물의 검출을 행한 결과에 기초하여 설정되어도 되고, 설계값 등으로부터 추정할 수 있는 경우에는 설계값 등에 기초하여 설정되어도 된다.The user sets in advance an intensity threshold P (type determination threshold) for determining whether the foreign material is a scattering foreign material or a non-scattering foreign material. The intensity threshold P may be set based on the results of foreign matter detection performed experimentally in advance by the user, or, if it can be estimated from a design value or the like, may be set based on a design value or the like.
도 6의 경우에는, 판정부(16)는 이물(4)과 이물(6)의 산란광(7)의 강도비(A, C)가 강도 임계값 P 이하인 점에서 이물(4)과 이물(6)은 산란성 이물이라고 판정한다. 또한, 이물(5)의 산란광(7)의 강도비(B)가 강도 임계값 P보다 크다는 점에서 이물(5)은 비산란성 이물이라고 판정한다. 또한, 본 실시 형태에서는 산란광(7)의 강도비가 강도 임계값 P 이하일 때는 산란성, 강도 임계값 P보다 클 때는 비산란성이라고 판정하였지만, 강도 임계값 P보다 작을 때는 산란성, 강도 임계값 P 이상일 때는 비산란성으로 해도 된다. 여기서, 파장 필터(12)를 통한 제2 광(자외광)에 의한 산란광(7)의 강도를 검출할 수 없고, 값이 0이 된 경우에 산란광(7)의 강도비는 무한대가 된다. 이와 같은 경우에는, 후술하는 산란광(7)의 산란 범위에 기초하여 산란성 이물인지, 비산란성 이물인지를 판정하는 방법을 채용한다.In the case of FIG. 6, the
스텝 S114에 있어서의 이물의 종류의 판정에 대하여, 산란광(7)의 강도비에 기초하여 판정하는 방법에 대하여 설명하였지만, 이물의 종류는 산란광(7)의 산란 범위에 기초하여 판정해도 된다. 도 7은 본 실시 형태에 있어서의 제1 광에 의한 산란광(7)의 산란 범위를 나타내는 도면이다. 파장 필터(12)를 통하지 않은 제1 광에 의한 산란광(7)을 검출부(2)가 검출했을 때의 산란광(7)의 산란 범위는, 이물(4)은 g, 이물(5)은 h, 이물(6)은 i이다. 제1 광에 의한 산란광(7)의 산란 범위는 이물의 크기에 따라서 변화하기 때문에, 이 제1 광에 의한 산란광(7)의 산란 범위의 검출 결과에 기초하여 이물의 크기를 판정할 수 있다.Regarding the determination of the type of foreign matter in step S114, a method of determining based on the intensity ratio of the
도 8은 본 실시 형태에 있어서의 제2 광에 의한 산란광(7)의 산란 범위를 나타내는 도면이다. 파장 필터(12)를 통한 제2 광에 의한 산란광(7)을 검출부(2)가 검출했을 때의 산란광(7)의 산란 범위는, 이물(4)은 j, 이물(5)은 k, 이물(6)은 l이다. 이물(4)은 산란성 이물이기 때문에 광의 종류(제1 광, 제2 광)에 의해 산란광(7)의 산란 범위는 변화하지 않는다. 이물(5)은 오일 등의 비산란성 이물이기 때문에 자외광인 제2 광에 의한 산란광(7)의 산란 범위는, 가시광과 자외광의 혼합광인 제1 광에 의한 산란광(7)의 산란 범위와 비교해서 작아진다. 이물(6)은 산란성 이물이기 때문에 광의 종류(제1 광, 제2 광)에 따라 산란광(7)의 산란 범위는 변화하지 않는다.Fig. 8 is a diagram showing the scattering range of the
도 9는 본 실시 형태에 있어서의 제2 광에 의한 산란광(7)의 산란 범위를 기준으로 하여 제1 광에 의한 산란광(7)의 산란 범위와의 차(산란 범위차)를 나타내는 도면이다. 제2 광에 의한 산란광(7)의 산란 범위를 기준으로 하여 제1 광에 의한 산란광(7)의 산란 범위와의 차는 각각, 이물(4)은 D=g-j, 이물(5)은 E=h-k, 이물(6)은 F=i-l이다. 산란성 이물인 이물(4)과 이물(6)은 파장 필터(12)를 통했을 때와 통하지 않았을 때 산란광(7)의 산란 범위가 크게 다르지 않기 때문에, 산란광(7)의 산란 범위차(D, F)가 작다. 한편, 비산란성 이물인 이물(5)은 파장 필터(12)를 통하지 않았을 때의 산란 범위가 크고, 파장 필터(12)를 통했을 때의 산란 범위는 작으며, 파장 필터(12)의 유무로 검출부(2)가 검출하는 산란광(7)의 산란 범위가 크게 달라진다. 그 때문에, 이물(5)은 산란광(7)의 산란 범위차(E)가 크다. 따라서, 파장 필터(12)를 통했을 때와 통하지 않았을 때의 산란광(7)의 산란 범위차에 의해, 산란성 이물인지, 비산란성 이물인지를 판정할 수 있다.FIG. 9 is a diagram showing the difference (scattering range difference) from the scattering range of the
유저는 미리 산란성 이물인지, 비산란성 이물인지를 판정하기 위한 산란 범위 임계값 T(종류 판정 임계값)를 설정한다. 산란 범위 임계값 T는 유저가 미리 실험적으로 이물의 검출을 행한 결과에 기초하여 설정되어도 되고, 설계값 등으로부터 추정할 수 있는 경우에는 설계값 등에 기초하여 설정되어도 된다.The user sets a scattering range threshold T (type determination threshold) in advance to determine whether the foreign material is a scattering foreign material or a non-scattering foreign material. The scattering range threshold T may be set based on the results of foreign matter detection performed experimentally in advance by the user, or, if it can be estimated from a design value or the like, may be set based on a design value or the like.
도 9의 경우에는, 판정부(16)는 이물(4)과 이물(6)의 산란광(7)의 산란 범위차(D, F)가 산란 범위 임계값 T 이하인 점에서 이물(4)과 이물(6)은 산란성 이물이라고 판정한다. 또한, 이물(5)의 산란광(7)의 산란 범위차(E)가 산란 범위 임계값 T보다 크다는 점에서 이물(5)은 비산란성 이물이라고 판정한다. 또한, 본 실시 형태에서는 산란광(7)의 산란 범위차가 산란 범위 임계값 T 이하일 때는 산란성, 산란 범위 임계값 T보다 클 때는 비산란성이라고 판정하였지만, 산란 범위 임계값 T보다 작을 때는 산란성, 산란 범위 임계값 T 이상일 때는 비산란성으로 해도 된다.In the case of FIG. 9, the
본 실시 형태에서는 이물의 종류를 판정할 때에 산란광(7)의 강도비, 산란 범위차를 사용하는 예를 설명하였다. 그러나, 산란광(7)의 강도비, 산란 범위차를 사용하지 않아도 되며, 예를 들어 산란광(7)의 강도 차와 산란 범위비 중 적어도 한쪽을 사용하여 이물의 종류를 판정해도 된다.In this embodiment, an example of using the intensity ratio and scattering range difference of the
여기서, 스텝 S115에 있어서의 판정부(16)가 산란성 이물용 판정 방법에 의해 산란성 이물을 영향도별 랭크로 판정하는 방법에 대하여 설명한다. 도 10은 본 실시 형태에 있어서의 산란성 이물용 판정 방법을 나타내는 흐름도이다. 우선, 판정 대상으로서 산란광(7)의 강도를 선택할지 여부를 판정한다(S210). 판정 대상으로서 산란광(7)의 강도를 선택하는 경우에는, 파장 필터(12)를 통하지 않은 제1 광에 의한 산란광(7)의 강도는 산란성용 강도 임계값 Q 이상인지 여부를 판정한다(S220). 산란광(7)의 강도가 산란성용 강도 임계값 Q 이상이면, Z랭크라고 판정하고(S240), 종료한다. 산란광(7)의 강도가 산란성용 강도 임계값 Q 미만이면 판정 대상으로서 산란광(7)의 산란 범위를 선택하고 산란광(7)의 산란 범위는 산란성용 산란 범위 임계값 R 이상인지 여부를 판정한다(S230). 산란광(7)의 산란 범위가 산란성용 산란 범위 임계값 R 이상이면 Z랭크라고 판정하고(S240), 종료한다. 산란광(7)의 산란 범위가 산란성용 산란 범위 임계값 R 미만이면 Y랭크라고 판정하고(S250), 종료한다.Here, a method in which the
여기서, 산란광(7)의 강도가 산란성용 강도 임계값 Q 미만일 때에 산란 범위에 의해 이물의 영향도를 판정하는 이유를 설명한다. 산란광(7)의 강도가 산란성용 강도 임계값 Q 미만이라는 것은 산란광(7)의 강도는 낮다는 것이며, 이물에 의해 산란된 산란광(7)과 피검사면 위에서의 산란광(7)을 구별할 수 있다. 이 경우에, 산란광(7)의 강도로부터 크기를 도출하면 도출된 이물의 크기와 실제 이물의 크기 사이에서 오차가 발생한다. 그 때문에, 산란광(7)의 강도가 산란성용 강도 임계값 Q 미만인 경우에는, 산란광(7)의 산란 범위에 기초하여 이물의 영향도를 판정한다.Here, the reason why the degree of influence of foreign matter is determined based on the scattering range when the intensity of the
다음으로, 스텝 S116에 있어서의 판정부(16)가 비산란성 이물용 판정 방법에 의해 비산란성 이물을 영향도별 랭크로 판정하는 방법에 대하여 설명한다. 도 11은 본 실시 형태에 있어서의 비산란성 이물용 판정 방법을 나타내는 흐름도이다. 우선, 판정 대상으로서 산란광(7)의 산란 범위를 선택하고(S310), 산란광(7)의 산란 범위는 비산란성용 산란 범위 임계값 S 이상인지 여부를 판정한다(S320). 산란 범위는 비산란성용 산란 범위 임계값 S 이상이면 Z랭크라고 판정하고(S330), 종료한다. 산란 범위는 비산란성용 산란 범위 임계값 S 미만이면 Y랭크라고 판정하고(S340), 종료한다.Next, a description will be given of how the
전술한 바와 같이, 비산란성 이물은 이물의 크기에 따라 산란광(7)의 강도가 변화하지 않기 때문에, 산란광(7)의 강도에 기초하여 이물의 크기를 구할 수 없다. 그 때문에, 스텝 S116에 있어서 비산란성 이물을 영향도별로 판정하는 경우에는, 산란광(7)의 산란 범위에 기초하여 판정한다.As described above, since the intensity of the
여기서, 유저는 미리 이물의 종류별로 임계값을 마련한다. 즉 산란성 이물을 판정하는 임계값인 제1 임계값으로서의 산란성용 강도 임계값 Q와 산란성용 산란 범위 임계값 R, 비산란성 이물을 판정하는 임계값인 제2 임계값으로서의 비산란성용 산란 범위 임계값 S를 설정한다.Here, the user prepares a threshold value for each type of foreign matter in advance. That is, the scattering intensity threshold Q and the scattering range threshold R as the first threshold that are the thresholds for determining the scattering foreign matter, and the non-scattering scattering range threshold as the second threshold that is the threshold for determining the non-scattering foreign matter. Set S.
산란성용 강도 임계값 Q와 산란성용 산란 범위 임계값 R과 비산란성용 산란 범위 임계값 S는 유저가 미리 실험적으로 이물의 검출을 행한 결과에 기초하여 설정되어도 되고, 설계값 등으로부터 추정할 수 있는 경우에는 설계값 등에 기초하여 설정되어도 된다.The intensity threshold Q for scattering, the scattering range threshold R for scattering, and the scattering range threshold S for non-scattering may be set based on the results of foreign matter detection performed experimentally in advance by the user, or may be estimated from design values, etc. In this case, it may be set based on design values, etc.
판정한 결과, 검출된 이물이 Y랭크이면 큰 영향을 미칠 가능성이 낮기 때문에, 예를 들어 이물 판정 장치(100)가 투영 노광 장치인 경우에는 노광을 계속한다. 검출한 이물이 Z랭크이면 큰 영향을 미칠 가능성이 높기 때문에, 피검사면 위의 이물 제거를 실시한다. 또한, 검출부(2)는 산란광(7)과 함께 주변으로부터의 미광도 검출하지만, 이 미광의 강도의 변화에 맞춰서, 산란성용 강도 임계값 Q를 조정하는 것이 바람직하다.As a result of the determination, if the detected foreign matter is Y rank, it is unlikely to have a significant influence. Therefore, for example, when the foreign
본 실시 형태에 따르면, 이물의 종류에 따른 판정 방법을 이용하여 이물의 영향도를 판정하기 때문에, 이물의 영향도를 적절하게 판정할 수 있다.According to this embodiment, since the degree of influence of the foreign object is determined using a determination method according to the type of the foreign object, the degree of influence of the foreign object can be appropriately determined.
<제2 실시 형태><Second Embodiment>
도 12는 본 실시 형태에 있어서의 투영 노광 장치(200)의 구성을 나타내는 개략도이다. 본 실시 형태에 있어서의 투영 노광 장치(200)는 광원(110)으로부터의 노광광(80)에 의해 마스크(30)(원판)의 패턴을, 투영 광학계(14)를 통해 기판 스테이지(32)에 보유 지지된 기판(31)에 전사한다. 여기서, 기판(31)은 예를 들어 실리콘 웨이퍼 또는 유리 플레이트이다.Fig. 12 is a schematic diagram showing the configuration of the
마스크(30)는 마스크 스테이지(17)(원판 스테이지)에 적재되어 있다. 여기서, 마스크(30)는 무거운 부재이기 때문에 자중에 의해 -Z축 방향으로 휘는 경우가 있다. 그 때문에, 마스크(30)의 상측에 휨 보정 부재(18)(광학 부재)와, 휨 보정 부재(18)와 마스크(30)의 사이에 기밀실(19)을 마련한다. 이 기밀실(19)의 압력을 조정함으로써, 마스크(30)는 -Z축 방향으로 휨을 저감한다.The
본 실시 형태에 있어서의 투영 노광 장치(200)는 제1 실시 형태와 마찬가지의 구성의 이물 판정 장치를 갖고, 이물의 검출 및 판정은 제1 실시 형태와 마찬가지의 방법으로 행한다. 또한, 제1 실시 형태의 투광부(1)와 투광광(8)은 본 실시 형태에서는 광원(110)과 노광광(80)이다. 이와 같은 구성으로 함으로써, 이물의 검출에 광원(110)으로부터의 노광광(80)을 사용할 수 있어, 새롭게 이물을 검출하기 위한 투광부를 구비할 필요가 없다.The
또한, 검출부(2)는 휨 보정 부재(18)의 근방에 배치되는 것이 바람직하다. 검출부(2)를 휨 보정 부재(18)의 근방에 배치함으로써, 마스크 스테이지(17)의 구동에 의한 마스크(30)의 이동에 의해, 새롭게 다른 구동부를 마련하지 않아도 피검면의 전체면을 검사할 수 있다.Additionally, the detection unit 2 is preferably disposed near the
광원(110)으로부터 나온 노광광(80)의 일부는 휨 보정 부재(18)의 광원(110) 측의 면으로 산란하고, 검출부(2)는 산란광(7)에 의해 휨 보정 부재(18) 위의 이물을 검출한다. 한편, 휨 보정 부재(18)의 광원(110) 측의 면에서 산란하지 않은 노광광(80)은 마스크(30)의 패턴을, 투영 광학계(14)를 통해 기판(31)에 전사한다.A portion of the
본 실시 형태에서는 광원(110)으로부터의 노광광(80)에 의해 휨 보정 부재(18)의 광원(110) 측의 면의 이물 판정을 행한다. 휨 보정 부재(18) 위에 이물이 존재하면, 노광 처리의 패턴 전사에 영향을 미치기 때문에, 이물 판정을 행하고, 필요하면 휨 보정 부재(18) 위의 이물의 제거를 행한다. 또한, 마스크 스테이지(17)를 이동시킴으로써, 휨 보정 부재(18)의 전체면의 이물을 검출할 수 있고, 예를 들어 노광 중에 마스크 스테이지(17)를 이동시킬 때에 휨 보정 부재(18)의 이물 판정을 함께 행해도 된다. 또한, 본 실시 형태에서는 마스크(30)의 상측에 배치되어 있는 휨 보정 부재(18) 위의 이물의 판정예를 기재하였지만, 이물 판정을 행하는 대상은 휨 보정 부재(18)로 한정되지는 않는다. 예를 들어, 마스크(30)와 광원(110)의 사이에 배치된 다른 광학 부재 위에 대하여 이물의 판정을 행해도 된다. 또는, 마스크(30)의 광원(110) 측의 면의 이물 판정을 행해도 된다.In this embodiment, foreign matter is determined on the surface of the
또한, 예를 들어 노광 처리 중에 있어서 마스크 스테이지(17)가 왕복 이동을 행할 때에 이물의 검출 및 판정을 행해도 된다. 이 경우, 마스크 스테이지(17)가 소정 위치로 이동할 때(왕로 시)에 파장 필터(12)를 검출부(2)가 검출하는 산란광(7)의 광로 외의 위치 A'에 배치한다. 마스크 스테이지(17)가 소정 위치로부터 원래의 위치로 이동할 때(귀로 시)에 파장 필터(12)를 검출부(2)가 검출하는 산란광(7)의 광로 중의 위치 A에 배치한다. 이와 같이 노광 처리 중에 파장 필터(12)를 이동시킴으로써, 노광 처리 중에 있어서의 마스크 스테이지(17)의 왕복 이동 시에 이물의 검출 및 판정을 행할 수 있다.Additionally, foreign matter detection and determination may be performed, for example, when the
또는, 제1 샷 영역을 노광할 때에 파장 필터(12)를 검출부(2)가 검출하는 산란광(7)의 광로 외의 위치 A'에, 제1 샷 영역과는 다른 제2 샷 영역을 노광할 때에 파장 필터(12)를 검출부(2)가 검출하는 산란광(7)의 광로 중의 위치 A에 배치해도 된다.Alternatively, when exposing a second shot area different from the first shot area, the
즉, 검출부(2)는 제1 샷 영역을 노광할 때에 제1 광에 의한 산란광(7)을 검출하고, 제1 샷 영역과는 다른 제2 샷 영역을 노광할 때에 제2 광에 의한 산란광(7)을 검출한다. 이와 같이 파장 필터(12)를 이동시킴으로써, 2개의 샷 영역에 대한 노광 처리와 병행해서 이물의 판정을 행할 수 있다.That is, the detection unit 2 detects the
노광 시 이외에 이물 판정을 행하는 예로서는, 예를 들어 마스크(30)를 교환한 직후에 행하는 것이 바람직하다. 마스크(30)의 교환 시에 먼지 등을 포함하는 외기가 유입되어 휨 보정 부재(18) 위에 이물이 부착되는 경우가 있기 때문에, 마스크(30)의 교환 후에는 노광 처리 전에 이물 검사를 행하는 것이 바람직하다. 또한, 마스크 스테이지(17)를 이동시키면서 위치 정렬을 행하는 캘리브레이션을 실시할 때에 이물 판정을 행함으로써 생산성을 저하시키지 않고 이물 판정을 행할 수 있다.As an example of performing foreign matter determination other than during exposure, it is preferable to perform it immediately after replacing the
본 실시 형태에 따르면, 투영 노광 장치(200)의 마스크(30) 또는 휨 보정 부재(18) 위의 이물의 검출 및 판정을 행할 수 있어, 이물에 의한 노광 처리의 영향을 저감시킬 수 있다. 또한, 본 실시 형태에서는 이물 판정에 사용하는 투광부에 광원(110)을 사용할 수 있기 때문에, 이물 판정을 위해서 새롭게 투광부를 구비하지 않아도 된다. 그리고, 캘리브레이션시나 노광 처리 시에 이물 판정을 행함으로써, 이물 판정을 위해서 생산을 정지시키는 시간을 저감시킬 수 있다. 또한, 본 실시 형태에서는 마스크(30) 또는 휨 보정 부재(18) 위의 이물의 검출 및 판정을 행하는 예를 나타내었지만, 기판(31) 또는 기판 스테이지(32)에 대하여 이물의 검출 및 판정을 행해도 된다.According to this embodiment, foreign matter on the
<제3 실시 형태><Third embodiment>
본 실시 형태는, 제1, 제2 실시 형태에 기재된 이물 제거 장치를 사용하여 물품을 제조하는 것을 특징으로 한다.This embodiment is characterized in that an article is manufactured using the foreign matter removal device described in the first and second embodiments.
도 13은 본 실시 형태에 있어서의 물품의 제조 방법의 흐름도이다. 제1, 2 실시 형태에 기재된 이물 판정 장치를 사용하여, 리소그래피 장치의 피검사면 위의 이물에 의해 산란된 제1 파장 영역의 제1 광을 검출하는 제1 검출 공정(S410)을 행한다. 그리고, 이물에 의해 산란된 제1 파장 영역과는 다른 제2 파장 영역의 제2 광을 검출하는 제2 검출 공정(S420)을 행한다. 그 후, 제1 검출 공정과 상기 제2 검출 공정에서 검출한 산란광의 강도와 산란 범위 중 적어도 한쪽에 기초하여, 이물의 종류에 따른 판정 방법(제1 판정 방법)을 이용하여 리소그래피 장치가 행하는 노광 처리에 대한 이물의 영향도를 판정하는 판정 공정(S430)을 행한다. 그리고, 리소그래피 장치에 의해 기판에 패턴을 형성하는 형성 공정(S440)을 행하고, 형성 공정에서 패턴이 형성된 기판으로부터 물품을 제조하는 제조 공정(S450)을 행한다.Fig. 13 is a flowchart of the method for manufacturing an article according to this embodiment. Using the foreign matter determination device described in the first and second embodiments, a first detection process (S410) of detecting the first light in the first wavelength region scattered by the foreign matter on the inspection target surface of the lithography apparatus is performed. Then, a second detection process (S420) is performed to detect second light in a second wavelength range different from the first wavelength range scattered by the foreign matter. Thereafter, exposure is performed by the lithography apparatus using a determination method (first determination method) according to the type of foreign matter based on at least one of the intensity and scattering range of the scattered light detected in the first detection process and the second detection process. A determination process (S430) is performed to determine the degree of influence of the foreign matter on the processing. Then, a forming process (S440) of forming a pattern on a substrate using a lithography apparatus is performed, and a manufacturing process (S450) of manufacturing an article from the substrate on which the pattern was formed in the forming process is performed.
이 제조 방법으로 제조하는 물품은, 예를 들어 반도체 IC 소자, 액정 표시 소자, 컬러 필터, MEMS 등이다.Products manufactured by this manufacturing method include, for example, semiconductor IC elements, liquid crystal display elements, color filters, MEMS, etc.
형성 공정은, 예를 들어 패턴 재료 위에 감광 재료가 도포된 기판(실리콘 웨이퍼, 유리 플레이트 등)을 리소그래피 장치(노광 장치)에 의해 노광함으로써, 기판에 패턴을 형성한다.The formation process forms a pattern on a substrate, for example, by exposing a substrate (silicon wafer, glass plate, etc.) on which a photosensitive material is applied over a pattern material by a lithographic apparatus (exposure apparatus).
제조 공정은, 예를 들어 패턴이 형성된 기판(감광 재료)의 현상, 현상된 기판에 대한 에칭 및 레지스트 박리, 다이싱, 본딩, 패키징의 실시가 포함된다. 본 제조 방법에 의하면, 종래보다도 고품위의 물품을 제조할 수 있다.The manufacturing process includes, for example, development of a patterned substrate (photosensitive material), etching and resist stripping of the developed substrate, dicing, bonding, and packaging. According to this manufacturing method, higher quality products can be manufactured than before.
본 발명에 따르면, 이물의 영향도의 판정에 유리한 이물 판정 방법을 제공할 수 있다.According to the present invention, it is possible to provide a foreign matter determination method that is advantageous for determining the degree of influence of a foreign matter.
본 발명은 예시적인 실시 형태를 참조하여 설명하였지만, 본 발명이 개시된 예시적인 실시 형태로 한정되는 것이 아님을 이해하여야 한다. 다음의 청구 범위의 범주는 그러한 모든 수정 사항과 동등한 구조 및 기능을 포함하도록 가장 광범위한 해석에 따라야 한다.Although the invention has been described with reference to exemplary embodiments, it should be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments. The scope of the following claims is to be accorded the broadest interpretation so as to encompass equivalent structure and function with all such modifications.
본 출원은, 2022년 7월 27일에 제출된 일본 특허 출원 제2022-119421호의 이익을 주장하는 것이며, 이는 전반적으로 참조로서 여기에 원용된다.This application claims the benefit of Japanese Patent Application No. 2022-119421 filed on July 27, 2022, which is hereby incorporated by reference in its entirety.
Claims (20)
상기 이물에 의해 산란된 상기 제1 파장 영역과는 다른 제2 파장 영역의 제2 광을 검출하는 제2 검출 공정과,
상기 이물의 영향도를 판정하는 제1 판정 공정을 갖고,
상기 제1 판정 공정에 있어서, 상기 제1 검출 공정과 상기 제2 검출 공정에서 검출한 산란광의 강도와 산란 범위 중 적어도 한쪽에 기초한 제1 판정 방법을 이용하여 판정하고,
상기 제1 판정 방법은 상기 이물의 종류에 따른 판정 방법인 것을 특징으로 하는 이물 판정 방법.A first detection process for detecting first light in a first wavelength region scattered by a foreign matter on the inspection surface of the inspection object;
a second detection process for detecting second light in a second wavelength range different from the first wavelength range scattered by the foreign matter;
A first determination process for determining the degree of influence of the foreign matter,
In the first determination process, a determination is made using a first determination method based on at least one of the intensity and scattering range of the scattered light detected in the first detection process and the second detection process,
The first determination method is a foreign matter determination method, characterized in that the first determination method is a determination method according to the type of the foreign matter.
상기 이물의 종류에 따른 판정 방법은, 상기 이물의 종류에 따라 판정 대상으로서 상기 산란광의 강도 또는 산란 범위 중 어느 것을 선택하고, 상기 이물의 종류별로 마련된 임계값에 기초하여 판정을 행하는 방법인 것을 특징으로 하는 이물 판정 방법.According to paragraph 1,
The determination method according to the type of foreign matter is characterized in that either the intensity or the scattering range of the scattered light is selected as a determination target according to the type of the foreign matter, and the determination is made based on a threshold value provided for each type of the foreign matter. Foreign matter determination method.
상기 제1 판정 공정에 있어서, 상기 이물이 산란성 이물이라고 판정된 경우에, 상기 산란성 이물의 영향도를 판정하기 위한 제1 임계값과 상기 산란광의 강도 또는 산란 범위를 비교해서 상기 산란성 이물의 영향도를 판정하고, 상기 이물이 비산란성 이물이라고 판정된 경우에, 상기 비산란성 이물의 영향도를 판정하기 위한 상기 제1 임계값과는 다른 제2 임계값과 상기 산란광의 산란 범위를 비교해서 상기 비산란성 이물의 영향도를 판정하는 것을 특징으로 하는 이물 판정 방법.According to paragraph 1,
In the first determination process, when it is determined that the foreign material is a scattering foreign material, the intensity or scattering range of the scattered light is compared with a first threshold for determining the degree of influence of the scattering foreign material to determine the degree of influence of the scattering foreign material. , and when it is determined that the foreign matter is a non-scattering foreign matter, the scattering range of the scattered light is compared with a second threshold value different from the first threshold value for determining the degree of influence of the non-scattering foreign matter, and the ratio A foreign matter determination method characterized by determining the degree of influence of scattering foreign matter.
상기 제1 판정 공정의 판정 결과에 기초하여 상기 이물의 제거의 필요 여부를 판정하는 제2 판정 공정을 갖는 것을 특징으로 하는 이물 판정 방법.According to paragraph 1,
A foreign substance determination method comprising a second determination process for determining whether removal of the foreign substance is necessary based on the determination result of the first determination process.
상기 제2 검출 공정 시에, 상기 제1 파장 영역을 상기 제2 파장 영역으로 변화시키는 파장 필터를 광로 중에 배치하는 것을 특징으로 하는 이물 판정 방법.According to paragraph 1,
A foreign matter determination method, characterized in that, in the second detection process, a wavelength filter that changes the first wavelength region to the second wavelength region is disposed in the optical path.
상기 제1 판정 공정에서의 상기 이물의 종류의 판정은, 산란성 이물과 비산란성 이물 중 어느 것으로 판정하는 것을 특징으로 하는 이물 판정 방법.According to paragraph 1,
A foreign matter determination method, wherein the type of the foreign matter in the first determination step is determined as either a scattering foreign matter or a non-scattering foreign matter.
상기 제1 판정 공정은, 상기 제2 광에 의한 상기 산란광의 강도 또는 산란 범위에 대한 상기 제1 광에 의한 상기 산란광의 강도 또는 산란 범위와의 차 또는 비율을 구하고, 구한 상기 차 또는 비율과 상기 이물의 종류를 판정하기 위한 종류 판정 임계값을 비교해서 상기 이물의 종류를 판정하는 것을 특징으로 하는 이물 판정 방법.According to paragraph 1,
The first judgment step is to obtain a difference or ratio between the intensity or scattering range of the scattered light by the first light with respect to the intensity or scattering range of the scattered light by the second light, and the obtained difference or ratio and the A foreign matter determination method characterized in that the type of foreign matter is determined by comparing a type determination threshold for determining the type of the foreign matter.
상기 제1 판정 공정에 의해 판정된 상기 이물의 영향도에 관한 정보를 송신하는 송신 공정을 갖는 것을 특징으로 하는 이물 판정 방법.According to paragraph 1,
A foreign matter determination method comprising a transmission step for transmitting information regarding the degree of influence of the foreign matter determined by the first judgment step.
상기 이물의 영향도를 판정하는 판정부를 갖고,
상기 판정부는, 상기 검출부가 검출한 산란광의 강도와 산란 범위 중 적어도 한쪽에 기초한, 상기 이물의 종류에 따른 판정 방법을 이용하여 판정하는 것을 특징으로 하는 이물 판정 장치.a detection unit that detects first light in a first wavelength range scattered by foreign matter on the inspection surface of the inspection target and second light in a second wavelength range different from the first wavelength range;
It has a determination unit that determines the degree of influence of the foreign matter,
A foreign matter determination device, wherein the determination unit makes a determination using a determination method according to the type of the foreign matter based on at least one of the intensity and scattering range of the scattered light detected by the detection unit.
상기 제1 파장 영역을 상기 제2 파장 영역으로 변화시키는 파장 필터를 갖고,
상기 제2 광을 검출할 때에, 상기 파장 필터를 광로 중에 배치하는 것을 특징으로 하는 이물 판정 장치.According to clause 9,
It has a wavelength filter that changes the first wavelength region into the second wavelength region,
A foreign matter determination device wherein the wavelength filter is disposed in an optical path when detecting the second light.
상기 판정부가 판정한 상기 이물의 영향도에 관한 정보를 송신하는 송신부를 갖는 것을 특징으로 하는 이물 판정 장치.According to clause 9,
A foreign matter determination device comprising a transmitting unit that transmits information regarding the degree of influence of the foreign matter determined by the determination unit.
상기 송신부로부터 정보를 수신하는 표시 제어부는 상기 송신부로부터 수신한 상기 이물의 영향도에 관한 정보에 기초하여 표시부의 표시를 제어하는 것을 특징으로 하는 이물 판정 장치.According to clause 11,
A foreign matter determination device, wherein the display control unit that receives information from the transmitter controls the display of the display unit based on the information regarding the degree of influence of the foreign matter received from the transmitter.
상기 패턴이 마련된 원판 또는 상기 원판과 광을 발하는 투광부와의 사이에 있는 광학 부재 위의 이물에 의해 산란된 제1 파장 영역의 제1 광 및 상기 제1 파장 영역과는 다른 제2 파장 영역의 제2 광을 검출하는 검출부와,
상기 리소그래피 장치가 행하는 노광 처리에 대한 상기 이물의 영향도를 판정하는 판정부를
갖고,
상기 판정부는, 상기 검출부가 검출한 산란광의 강도와 산란 범위 중 적어도 한쪽에 기초한, 상기 이물의 종류에 따른 판정 방법을 이용하여 판정하는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.It is a lithographic device that forms a pattern on a substrate,
First light in a first wavelength range scattered by foreign matter on the original plate on which the pattern is provided or an optical member between the original plate and the light transmitting portion that emits light, and a second wavelength area different from the first wavelength area a detection unit that detects the second light,
A determination unit that determines the degree of influence of the foreign matter on the exposure process performed by the lithography apparatus.
Have,
The lithography apparatus is characterized in that the determination unit makes a determination using a determination method according to the type of the foreign matter based on at least one of the intensity and scattering range of the scattered light detected by the detection unit.
상기 광학 부재는 상기 원판의 휨을 보정하기 위한 부재인 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.According to clause 13,
A lithography apparatus, wherein the optical member is a member for correcting warping of the original plate.
상기 검출부는 상기 광학 부재의 근방에 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.According to clause 13,
A lithographic apparatus, wherein the detection unit is disposed near the optical member.
상기 투광부는 상기 기판에 상기 패턴을 형성하기 위한 노광광을 발하는 광원인 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.According to clause 13,
The lithographic apparatus, wherein the light transmitting unit is a light source that emits exposure light for forming the pattern on the substrate.
상기 제1 광에 의한 상기 산란광의 검출은 상기 원판이 소정 위치로 이동하는 왕로 시에 실시되고, 상기 제2 광에 의한 상기 산란광의 검출은 상기 원판이 소정 위치로부터 원래의 위치로 이동하는 귀로 시에 실시되는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.According to clause 13,
Detection of the scattered light by the first light is performed during a return trip when the disk moves to a predetermined position, and detection of the scattered light by the second light is performed during a return trip when the disk moves from a predetermined position to an original position. A lithographic apparatus, characterized in that carried out in.
상기 검출부에 의한 상기 산란광의 검출은, 상기 원판을 보유 지지하는 원판 스테이지의 캘리브레이션을 행할 때 또는 상기 기판에 상기 패턴을 형성하기 위한 노광을 행할 때에 실시하는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.According to clause 13,
A lithography apparatus, characterized in that the detection of the scattered light by the detection unit is performed when calibrating an original stage holding the original plate or when performing exposure for forming the pattern on the substrate.
상기 검출부는, 제1 샷 영역을 노광할 때에 상기 제1 광에 의한 상기 산란광을 검출하고, 상기 제1 샷 영역과는 다른 제2 샷 영역을 노광할 때에 상기 제2 광에 의한 상기 산란광을 검출하는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.According to clause 13,
The detection unit detects the scattered light by the first light when exposing a first shot area, and detects the scattered light by the second light when exposing a second shot area different from the first shot area. A lithographic device characterized in that.
상기 이물에 의해 산란된 상기 제1 파장 영역과는 다른 제2 파장 영역의 제2 광을 검출하는 제2 검출 공정과,
상기 리소그래피 장치가 행하는 노광 처리에 대한 상기 이물의 영향도를 판정하는 제1 판정 공정과,
상기 제1 판정 공정 후에, 상기 리소그래피 장치에 의해 기판에 패턴을 형성하는 형성 공정과,
상기 형성 공정에서 상기 패턴이 형성된 상기 기판으로부터 물품을 제조하는 제조 공정을
갖고,
상기 제1 판정 공정에 있어서, 상기 제1 검출 공정과 상기 제2 검출 공정에서 검출한 산란광의 강도와 산란 범위 중 적어도 한쪽에 기초한 제1 판정 방법을 이용하여 판정하고,
상기 제1 판정 방법은 상기 이물의 종류에 따른 판정 방법인 것을 특징으로 하는 물품의 제조 방법.A first detection process of detecting first light in a first wavelength region scattered by a foreign matter on the inspection surface of the lithography apparatus,
a second detection process for detecting second light in a second wavelength range different from the first wavelength range scattered by the foreign matter;
a first determination process of determining the degree of influence of the foreign matter on exposure processing performed by the lithography apparatus;
After the first determination process, a forming process of forming a pattern on the substrate by the lithographic apparatus;
A manufacturing process of manufacturing an article from the substrate on which the pattern is formed in the forming process
Have,
In the first determination process, a determination is made using a first determination method based on at least one of the intensity and scattering range of the scattered light detected in the first detection process and the second detection process,
A method of manufacturing an article, characterized in that the first determination method is a determination method according to the type of the foreign matter.
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