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KR20250075351A - Substrate supporting apparatus and substrate processing method using the same - Google Patents

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KR20250075351A
KR20250075351A KR1020230162721A KR20230162721A KR20250075351A KR 20250075351 A KR20250075351 A KR 20250075351A KR 1020230162721 A KR1020230162721 A KR 1020230162721A KR 20230162721 A KR20230162721 A KR 20230162721A KR 20250075351 A KR20250075351 A KR 20250075351A
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KR
South Korea
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substrate
plate body
plate
chucking
support device
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Application number
KR1020230162721A
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Korean (ko)
Inventor
오민재
김익수
Original Assignee
삼성전자주식회사
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Filing date
Publication date
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Abstract

냉각 플레이트; 및 상기 냉각 플레이트 상의 처킹 플레이트; 를 포함하되,
상기 처킹 플레이트는: 플레이트 바디; 상기 플레이트 바디 내에 배치되는 히터; 및 상기 플레이트 바디 내에 배치되고, 상기 히터 상에 배치되는 처킹 전극; 을 포함하되, 상기 플레이트 바디는: 상기 플레이트 바디의 상면으로부터 밑으로 함입 형성되는 직선 그루브; 및 상기 플레이트 바디의 상기 상면으로부터 밑으로 함입 형성되는 복수 개의 고정 그루브; 를 제공하되, 상기 직선 그루브는 수평 방향으로 연장되는 기판 지지 장치가 제공된다.A cooling plate; and a chucking plate on the cooling plate; comprising:
The chucking plate comprises: a plate body; a heater disposed within the plate body; and a chucking electrode disposed within the plate body and disposed on the heater; wherein the plate body provides: a straight groove formed downward from an upper surface of the plate body; and a plurality of fixing grooves formed downward from the upper surface of the plate body; wherein the straight grooves extend in a horizontal direction. A substrate supporting device is provided.

Description

기판 지지 장치 및 이를 이용한 기판 처리 방법{Substrate supporting apparatus and substrate processing method using the same}{Substrate supporting apparatus and substrate processing method using the same}

본 발명은 기판 지지 장치 및 이를 이용한 기판 처리 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 기판의 손상을 방지할 수 있는 기판 지지 장치 및 이를 이용한 기판 처리 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate support device and a substrate processing method using the same, and more specifically, to a substrate support device capable of preventing damage to a substrate and a substrate processing method using the same.

반도체 소자는 다양한 공정을 통해 제조될 수 있다. 예를 들어, 반도체 소자는 기판에 대한 포토 공정, 식각 공정, 증착 공정 및 도금 공정 등을 거쳐 만들어질 수 있다. 기판에 대한 공정을 위해, 기판을 지지하는 척이 사용될 수 있다. 기판을 지지하는 척은 기판을 고정할 수도 있고, 기판을 척으로부터 분리할 수 있다. 예를 들어, 기판을 지지하는 척의 표면을 가공하여 기판을 손상 없이 고정할 수 있다.Semiconductor devices can be manufactured through various processes. For example, semiconductor devices can be manufactured through photo processes, etching processes, deposition processes, and plating processes for a substrate. For processes for a substrate, a chuck that supports the substrate can be used. The chuck that supports the substrate can fix the substrate or separate the substrate from the chuck. For example, the surface of the chuck that supports the substrate can be processed to fix the substrate without damage.

본 발명이 해결하고자 하는 과제는 기판의 하면의 손상을 최소화할 수 있는 기판 지지 장치 및 이를 이용한 기판 처리 방법을 제공하는데 있다.The problem to be solved by the present invention is to provide a substrate support device capable of minimizing damage to the lower surface of a substrate and a substrate processing method using the same.

본 발명이 해결하고자 하는 과제는 기판의 분리를 용이하게 할 수 있는 기판 지지 장치 및 이를 이용한 기판 처리 방법을 제공하는데 있다.The problem to be solved by the present invention is to provide a substrate support device that can facilitate separation of a substrate and a substrate processing method using the same.

본 발명이 해결하고자 하는 과제는 이상에서 언급한 과제에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The problems to be solved by the present invention are not limited to the problems mentioned above, and other problems not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the description below.

상기 해결하고자 하는 과제를 달성하기 위하여 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 지지 장치는 냉각 플레이트; 및 상기 냉각 플레이트 상의 처킹 플레이트; 를 포함하되, 상기 처킹 플레이트는: 플레이트 바디; 상기 플레이트 바디 내에 배치되는 히터; 및 상기 플레이트 바디 내에 배치되고, 상기 히터 상에 배치되는 처킹 전극; 을 포함하되, 상기 플레이트 바디는: 상기 플레이트 바디의 상면으로부터 밑으로 함입 형성되는 직선 그루브; 및 상기 플레이트 바디의 상기 상면으로부터 밑으로 함입 형성되는 복수 개의 고정 그루브; 를 제공하되, 상기 직선 그루브는 수평 방향으로 연장될 수 있다.In order to achieve the above-mentioned problem, according to an embodiment of the present invention, a substrate support device comprises: a cooling plate; and a chucking plate on the cooling plate; wherein the chucking plate comprises: a plate body; a heater disposed within the plate body; and a chucking electrode disposed within the plate body and disposed on the heater; wherein the plate body provides: a straight groove formed downward from an upper surface of the plate body; and a plurality of fixing grooves formed downward from the upper surface of the plate body; wherein the straight grooves can extend in a horizontal direction.

상기 해결하고자 하는 과제를 달성하기 위하여 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 방법은 리프트 핀에 의해 기판이 처킹 플레이트 상에 배치되는 것; 상기 처킹 플레이트에 전압을 인가하여 기판을 고정시키는 것; 및 상기 기판에 대한 공정을 수행하는 것; 을 포함하되, 상기 처킹 플레이트: 플레이트 바디; 상기 플레이트 바디 내의 히터; 및 상기 플레이트 바디 내에 위치하되, 상기 히터 상에 배치되는 처킹 전극; 을 포함하고, 상기 플레이트 바디는, 상기 플레이트 바디의 상면에서 밑으로 함입 형성되는 고정 그루브를 제공하되, 상기 기판이 상기 처킹 플레이트 상에 배치되는 것은, 상기 기판의 하면이 상기 처킹 플레이트의 상기 상면에 접촉하는 것을 포함할 수 있다. In order to achieve the above-mentioned problem, according to an embodiment of the present invention, a substrate processing method comprises: placing a substrate on a chucking plate by a lift pin; applying a voltage to the chucking plate to fix the substrate; and performing a process for the substrate; wherein the chucking plate comprises: a plate body; a heater within the plate body; and a chucking electrode positioned within the plate body and disposed on the heater; wherein the plate body provides a fixing groove formed downwardly on an upper surface of the plate body, wherein placing the substrate on the chucking plate may include a lower surface of the substrate contacting the upper surface of the chucking plate.

기타 실시 예들의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.Specific details of other embodiments are included in the detailed description and drawings.

본 발명의 기판 지지 장치 및 이를 이용한 기판 처리 방법에 따르면, 기판의 하면이 손상되는 것을 방지할 수 있다.According to the substrate support device of the present invention and the substrate processing method using the same, the lower surface of the substrate can be prevented from being damaged.

본 발명의 효과는 이상에서 언급한 효과에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 효과들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The effects of the present invention are not limited to the effects mentioned above, and other effects not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the description below.

도 1은 본 발명의 실시 예들에 따른 기판 처리 장치를 나타낸 단면도이다.
도 2는 도 1의 X 영역을 확대하여 도시한 단면도이다.
도 3은 본 발명의 실시 예들에 따른 기판 지지 장치를 나타낸 평면도이다.
도 4는 도 3의 Y 영역을 확대하여 도시한 사시도이다.
도 5는 본 발명의 실시 예들에 따른 기판 지지 장치를 나타낸 평면도이다.
도 6은 본 발명의 실시 예들에 따른 기판 지지 장치를 나타낸 평면도이다.
도 7은 본 발명의 실시 예들에 따른 기판 처리 방법을 나타낸 순서도이다.
도 8 내지 도 10은 도 7의 순서도에 따른 기판 처리 방법을 순차적으로 나타낸 도면들이다.FIG. 1 is a cross-sectional view showing a substrate processing device according to embodiments of the present invention.
Figure 2 is a cross-sectional view showing an enlarged view of area X in Figure 1.
FIG. 3 is a plan view showing a substrate support device according to embodiments of the present invention.
Figure 4 is a perspective view showing an enlarged view of area Y of Figure 3.
FIG. 5 is a plan view showing a substrate support device according to embodiments of the present invention.
FIG. 6 is a plan view showing a substrate support device according to embodiments of the present invention.
Figure 7 is a flowchart showing a substrate processing method according to embodiments of the present invention.
Figures 8 to 10 are drawings sequentially showing a substrate processing method according to the flow chart of Figure 7.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시 예들에 대하여 설명한다. 명세서 전문에 걸쳐 동일한 참조 부호는 동일한 구성 요소를 지칭할 수 있다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the attached drawings. The same reference numerals may refer to the same components throughout the specification.

도 1은 본 발명의 실시 예들에 따른 기판 처리 장치를 나타낸 단면도이고, 도 2는 도 1의 X 영역을 확대하여 도시한 단면도이고, 도 3은 본 발명의 실시 예들에 따른 기판 지지 장치를 나타낸 평면도이며, 도 4는 도 3의 Y 영역을 확대하여 도시한 사시도이다.FIG. 1 is a cross-sectional view showing a substrate processing device according to embodiments of the present invention, FIG. 2 is a cross-sectional view showing an enlarged view of an area X in FIG. 1, FIG. 3 is a plan view showing a substrate support device according to embodiments of the present invention, and FIG. 4 is a perspective view showing an enlarged view of an area Y in FIG. 3.

이하에서, D1을 제1 방향, 제1 방향(D1)에 교차되는 D2를 제2 방향, 제1 방향(D1) 및 제2 방향(D2)의 각각에 교차되는 D3를 제3 방향이라 칭할 수 있다.Hereinafter, D1 may be referred to as a first direction, D2 intersecting the first direction (D1) may be referred to as a second direction, and D3 intersecting each of the first direction (D1) and the second direction (D2) may be referred to as a third direction.

도 1 내지 도 4를 참고하면, 기판 처리 장치(A)가 제공될 수 있다. 기판 처리 장치(A)는 기판(W)에 대한 식각 공정 및/또는 증착 공정 등을 진행하는 장치일 수 있다. 기판(W)은 실리콘 웨이퍼를 포함할 수 있으나, 이에 한정하는 것은 아니다. 기판 처리 장치(A)는 플라즈마를 이용하여 기판(W)에 대한 식각 공정 및/또는 증착 공정을 진행할 수 있다. 그러나 이에 한정하는 것은 아니며, 기판 처리 장치(A)는 다른 종류의 공정을 진행하는 장치일 수 있다. 기판 처리 장치(A)는 공정 챔버(C), 기판 지지 장치(E), 가스 공급부(GS) 및 가스 유입부(IH)를 포함할 수 있다.Referring to FIGS. 1 to 4, a substrate processing device (A) may be provided. The substrate processing device (A) may be a device that performs an etching process and/or a deposition process on a substrate (W). The substrate (W) may include a silicon wafer, but is not limited thereto. The substrate processing device (A) may perform an etching process and/or a deposition process on the substrate (W) using plasma. However, the present invention is not limited thereto, and the substrate processing device (A) may be a device that performs another type of process. The substrate processing device (A) may include a process chamber (C), a substrate support device (E), a gas supply unit (GS), and a gas inlet unit (IH).

공정 챔버(C)는 공정 공간(PS)을 제공할 수 있다. 공정 공간(PS) 내에서 기판(W)에 대한 공정이 진행될 수 있다. 공정 공간(PS)은 가스 유입부(IH)를 통해 가스 공급부(GS)에 연결될 수 있다. The process chamber (C) can provide a process space (PS). A process for a substrate (W) can be performed within the process space (PS). The process space (PS) can be connected to a gas supply unit (GS) through a gas inlet unit (IH).

기판 지지 장치(E)는 공정 챔버(C) 내에 위치할 수 있다. 기판 지지 장치(E)는 기판(W)을 지지 및/또는 고정할 수 있다. 예를 들어, 기판 지지 장치(E)는 정전기력을 이용해 기판(W)을 일정 위치에 고정할 수 있다. 즉, 기판 지지 장치(E)는 정전 척(Electrostatic Chuck, ESC)일 수 있다. 그러나 이에 한정하는 것은 아니며, 기판 지지 장치(E)는 다른 종류의 척을 포함할 수도 있다. 기판 지지 장치(E)는 냉각 플레이트(1), 처킹 플레이트(3), 에지 링(ER) 및 포커스 링(FR) 등을 포함할 수 있다.The substrate support device (E) may be positioned within the process chamber (C). The substrate support device (E) may support and/or fix the substrate (W). For example, the substrate support device (E) may fix the substrate (W) to a predetermined position using electrostatic force. That is, the substrate support device (E) may be an electrostatic chuck (ESC). However, the present invention is not limited thereto, and the substrate support device (E) may include other types of chucks. The substrate support device (E) may include a cooling plate (1), a chucking plate (3), an edge ring (ER), and a focus ring (FR).

냉각 플레이트(1)는 냉각공(1h)을 제공할 수 있다. 냉각공(1h)은 냉각 유체가 지나는 통로일 수 있다. 냉각공(1h)은 냉각 유체 공급 장치(미도시)에 연결될 수 있다. 냉각 유체 공급 장치에서 공급된 냉각 유체는, 냉각공(1h)을 통과하여 냉각 플레이트(1)로부터 열을 흡수할 수 있다. 냉각 플레이트(1)는 처킹 플레이트(3) 등을 지지할 수 있다. 냉각 플레이트(1)는 전극 연결부(5)를 더 제공할 수 있다. 전극 연결부(5)는 상하로 연장될 수 있다. 예를 들어, 전극 연결부(5)는 제1 방향으로 냉각 플레이트(1)를 관통할 수 있다. 전극 연결부(5)는 처킹 플레이트(3)의 처킹 전극(35)에 연결될 수 있다. 전극 연결부(5)는 전압 인가 장치에 연결될 수 있다. 전압 인가 장치로부터 인가된 전압은, 전극 연결부(5)를 통해 처킹 전극(35)으로 공급될 수 있다. The cooling plate (1) can provide a cooling hole (1h). The cooling hole (1h) can be a passage through which a cooling fluid passes. The cooling hole (1h) can be connected to a cooling fluid supply device (not shown). The cooling fluid supplied from the cooling fluid supply device can absorb heat from the cooling plate (1) by passing through the cooling hole (1h). The cooling plate (1) can support a chucking plate (3), etc. The cooling plate (1) can further provide an electrode connection portion (5). The electrode connection portion (5) can extend vertically. For example, the electrode connection portion (5) can penetrate the cooling plate (1) in a first direction. The electrode connection portion (5) can be connected to a chucking electrode (35) of the chucking plate (3). The electrode connection portion (5) can be connected to a voltage applying device. A voltage applied from the voltage applying device can be supplied to the chucking electrode (35) through the electrode connection portion (5).

처킹 플레이트(3)는 냉각 플레이트(1) 상에 위치할 수 있다. 처킹 플레이트(3)의 하면은 냉각 플레이트(1)의 상면과 닿을 수 있다. 처킹 플레이트(3)의 상면의 에지는 원형일 수 있다. 처킹 플레이트(3)는 플레이트 바디(31), 히터(33) 및 처킹 전극(35) 등을 포함할 수 있다.The chucking plate (3) may be positioned on the cooling plate (1). The lower surface of the chucking plate (3) may be in contact with the upper surface of the cooling plate (1). The edge of the upper surface of the chucking plate (3) may be circular. The chucking plate (3) may include a plate body (31), a heater (33), and a chucking electrode (35).

플레이트 바디(31)는 제1 방향(D1)으로 연장되는 중심축을 가질 수 있다. 플레이트 바디(31)의 하면은 냉각 플레이트(1)의 상면과 맞닿을 수 있다. 플레이트 바디(31)는 세라믹을 포함할 수 있다. 플레이트 바디(31)의 상면(31u)의 면적은, 직선 그루브(39, 도 3 참고)의 면적과 고정 그루브(37, 도 3 참고)의 면적의 합보다 클 수 있다. 플레이트 바디(31)의 상면(31u) 상에 기판(W)이 배치될 수 있다. 플레이트 바디(31)는 고정 그루브(37) 및 직선 그루브(39)를 제공할 수 있다.The plate body (31) may have a central axis extending in the first direction (D1). The lower surface of the plate body (31) may be in contact with the upper surface of the cooling plate (1). The plate body (31) may include ceramic. The area of the upper surface (31u) of the plate body (31) may be larger than the sum of the area of the straight groove (39, see FIG. 3) and the area of the fixed groove (37, see FIG. 3). A substrate (W) may be placed on the upper surface (31u) of the plate body (31). The plate body (31) may provide the fixed groove (37) and the straight groove (39).

고정 그루브(37)는 플레이트 바디(31)의 상면(31u)으로부터 밑으로 함입 형성될 수 있다. 고정 그루브(37)는 복수 개가 제공될 수 있다. 복수 개의 고정 그루브(37)는 일정 간격으로 이격 배치될 수 있으나, 이에 한정하는 것은 아니다. 그러나 편의 상 고정 그루브(37)는 단수로 기술하도록 한다. 고정 그루브(37)에 대한 상세한 내용은 후술하도록 한다.The fixed groove (37) can be formed by recessing downward from the upper surface (31u) of the plate body (31). A plurality of fixed grooves (37) can be provided. A plurality of fixed grooves (37) can be spaced apart at regular intervals, but are not limited thereto. However, for convenience, the fixed groove (37) will be described singly. Details on the fixed groove (37) will be described later.

직선 그루브(39)는 플레이트 바디(31)의 상면(31u)으로부터 밑으로 함입 형성될 수 있다. 직선 그루브(39)의 폭은 고정 그루브(37)의 폭보다 좁을 수 있다. 직선 그루브(39)는 복수 개가 제공될 수 있다. 복수 개의 직선 그루브(39)는 수평 방향으로 연장될 수 있다. 편의상 직선 그루브(39)는 단수로 기술하도록 한다. 직선 그루브(39)에 대한 상세한 내용은 후술하도록 한다. The straight groove (39) may be formed by recessing downward from the upper surface (31u) of the plate body (31). The width of the straight groove (39) may be narrower than the width of the fixed groove (37). A plurality of straight grooves (39) may be provided. The plurality of straight grooves (39) may extend in a horizontal direction. For convenience, the straight groove (39) will be described singularly. The details of the straight groove (39) will be described later.

히터(33)는 플레이트 바디(31) 내에 위치할 수 있다. 히터(33)에 히팅 파워가 인가되면, 히터(33)는 줄열을 방출할 수 있다. 이에 따라 플레이트 바디(31)의 온도가 올라갈 수 있다. 플레이트 바디(31)의 온도가 상승하면, 플레이트 바디(31) 상의 기판(W)이 가열될 수 있다. 히터(33)는 금속성 물질을 포함할 수 있으나, 이에 한정하는 것은 아니다.The heater (33) may be located within the plate body (31). When heating power is applied to the heater (33), the heater (33) may emit heat. Accordingly, the temperature of the plate body (31) may increase. When the temperature of the plate body (31) increases, the substrate (W) on the plate body (31) may be heated. The heater (33) may include a metallic material, but is not limited thereto.

처킹 전극(35)은 플레이트 바디(31) 내에 위치할 수 있다. 예를 들어, 처킹 전극(35)은 히터(33)보다 위에 위치할 수 있다. 처킹 전극(35)에 전압이 인가되면, 플레이트 바디(31) 상의 기판(W)이 일정 위치에 고정될 수 있다. 이를 위해 처킹 전극(35)은 알루미늄 등을 포함할 수 있으나, 이에 한정하는 것은 아니다.The chucking electrode (35) may be positioned within the plate body (31). For example, the chucking electrode (35) may be positioned above the heater (33). When voltage is applied to the chucking electrode (35), the substrate (W) on the plate body (31) may be fixed to a certain position. For this purpose, the chucking electrode (35) may include aluminum or the like, but is not limited thereto.

에지 링(ER)은 냉각 플레이트(1) 및 처킹 플레이트(3)를 감쌀 수 있다. 포커스 링(FR)은 에지 링(ER) 상에 위치할 수 있다. 포커스 링(FR)은 실리콘(Si) 및/또는 실리콘 카바이드(SiC) 등을 포함할 수 있으나, 이에 한정하는 것은 아니다. An edge ring (ER) can surround the cooling plate (1) and the chucking plate (3). A focus ring (FR) can be positioned on the edge ring (ER). The focus ring (FR) can include, but is not limited to, silicon (Si) and/or silicon carbide (SiC).

도 5는 본 발명의 실시 예들에 따른 기판 지지 장치의 평면도이다.FIG. 5 is a plan view of a substrate support device according to embodiments of the present invention.

이하에서, 도 1 내지 도 4를 참고하여 설명한 것과 실질적으로 동일 또는 유사한 내용은 편의상 설명을 생략할 수 있다.Hereinafter, description of contents substantially identical or similar to those described with reference to FIGS. 1 to 4 may be omitted for convenience.

도 5를 참고하면, 직선 그루브(39)는 격자 구조를 형성할 수 있다. 보다 구체적으로, 제2 방향(D2)으로 연장되는 제2 축으로 배치된 직선 그루브(39) 및 제3 방향(D3)으로 연장되는 제3 축으로 배치된 직선 그루브(39)가 교차될 수 있다. 직선 그루브(39)는 디처킹 가스 공급 장치와 연결될 수 있다. 보다 구체적으로, 직선 그루브(39)에 연결되어, 디처킹 가스를 공급하는 디처킹 가스 공급 장치를 더 포함할 수 있다. Referring to FIG. 5, the straight groove (39) can form a lattice structure. More specifically, the straight groove (39) arranged along a second axis extending in the second direction (D2) and the straight groove (39) arranged along a third axis extending in the third direction (D3) can intersect. The straight groove (39) can be connected to a dechucking gas supply device. More specifically, the straight groove (39) can further include a dechucking gas supply device that is connected to the straight groove (39) and supplies a dechucking gas.

도 6은 본 발명의 실시 예들에 따른 기판 지지 장치의 평면도이다.FIG. 6 is a plan view of a substrate support device according to embodiments of the present invention.

이하에서, 도 1 내지 도 5를 참고하여 설명한 것과 실질적으로 동일 또는 유사한 내용은 편의상 설명을 생략할 수 있다.Hereinafter, description of contents substantially identical or similar to those described with reference to FIGS. 1 to 5 may be omitted for convenience.

도 6을 참고하면, 플레이트 바디(31)는 원주 방향으로 연장되는 곡선 그루브를 더 제공할 수 있다. 보다 구체적으로, 수평 방향으로 연장되는 직선 그루브(39)와 원주 방향으로 연장되는 곡선 그루브(38)는 서로 교차될 수 있다. 즉, 직선 그루브(39)와 곡선 그루브(38)는 서로 만나 연결될 수 있다.Referring to Fig. 6, the plate body (31) may further provide a curved groove extending in the circumferential direction. More specifically, a straight groove (39) extending in the horizontal direction and a curved groove (38) extending in the circumferential direction may intersect each other. That is, the straight groove (39) and the curved groove (38) may meet and be connected to each other.

도 7은 본 발명의 실시 예들에 따른 기판 처리 방법을 나타낸 순서도이다.Figure 7 is a flowchart showing a substrate processing method according to embodiments of the present invention.

도 7을 참고하면, 기판 처리 방법(S)이 제공될 수 있다. 기판 처리 방법(S)은 도 1 내지 도 5를 참고하여 설명한 기판 처리 장치(A)를 이용해 기판(W)을 처리하는 방법일 수 있다. 기판 처리 방법(S)은 리프트 핀(L)에 의해 기판(W)이 처킹 플레이트(3)에 배치되는 것(S1), 처킹 플레이트(3)에 전압을 인가하여 기판(W)을 고정시키는 것(S2) 및 기판(W)에 대한 공정을 수행하는 것(S3)을 포함할 수 있다.Referring to FIG. 7, a substrate processing method (S) may be provided. The substrate processing method (S) may be a method of processing a substrate (W) using the substrate processing device (A) described with reference to FIGS. 1 to 5. The substrate processing method (S) may include placing a substrate (W) on a chucking plate (3) by a lift pin (L) (S1), applying voltage to the chucking plate (3) to fix the substrate (W) (S2), and performing a process on the substrate (W) (S3).

이하에서, 도 8 및 도 10을 참고하여 도 7의 기판 처리 방법을 설명하도록 한다.Hereinafter, the substrate processing method of Fig. 7 will be described with reference to Figs. 8 and 10.

도 8 내지 도 10은 도 7의 순서도에 따른 기판 처리 방법을 순차적으로 나타낸 도면들이다.Figures 8 to 10 are drawings sequentially showing a substrate processing method according to the flow chart of Figure 7.

도 8 및 도 9을 참고하면, 리프트 핀(L)에 의해 기판(W)이 처킹 플레이트(3)에 배치되는 것(S1)은, 리프트 핀 구동부에 의해 상승한 리프트 핀(L) 상에 기판(W)을 배치하는 것을 포함할 수 있다. 기판(W)은 실리콘 웨이퍼를 등을 의미할 수 있으나, 이에 한정하는 것은 아니다. 기판(W)은 로봇 암 등에 의해 리프트 핀(L) 상에 배치될 수 있다. 리프트 핀(L)에 의해 기판(W)이 처킹 플레이트(3)에 배치되는 것은 기판(W)이 배치된 리프트 핀(L)이 하강하는 것을 포함할 수 있다. 보다 구체적으로, 리프트 핀 구동부에 의해 리프트 핀(L)이 하강할 수 있다. 이에 의해, 기판(W)은 처킹 플레이트(3) 상면 상에 안착될 수 있다. 기판(W)이 처킹 플레이트(3) 상에 배치되는 것은, 기판(W)의 하면이 처킹 플레이트(3)의 상면에 접촉하는 것을 포함할 수 있다.Referring to FIGS. 8 and 9, placing the substrate (W) on the chucking plate (3) by the lift pin (L) (S1) may include placing the substrate (W) on the lift pin (L) raised by the lift pin driver. The substrate (W) may refer to, but is not limited to, a silicon wafer, etc. The substrate (W) may be placed on the lift pin (L) by a robot arm, etc. Placing the substrate (W) on the chucking plate (3) by the lift pin (L) may include lowering the lift pin (L) on which the substrate (W) is placed. More specifically, the lift pin (L) may be lowered by the lift pin driver. Thereby, the substrate (W) may be seated on the upper surface of the chucking plate (3). Placing the substrate (W) on the chucking plate (3) may include contacting the upper surface of the chucking plate (3) with the lower surface of the substrate (W).

처킹 플레이트(3)에 전압을 인가하여 기판(W)을 고정시키는 것(S2)은, 전극 연결부(5)에 전압을 인가하는 것을 포함할 수 있다. 전극 연결부(5)가 인가된 전압을 처킹 전극(35)에 전달할 수 있다. 보다 구체적으로, 처킹 전극(35)에 전압이 인가되면, +전극판에 정전하(+) 또는 -전극판에 음전하(-)가 띌 수 있다. 이에 따라 대전된 두개의 전극판 사이에 전하에 의한 정전기력이 생길 수 있다. 따라서 기판(W)은 정전기력에 의해 처킹 플레이트(3) 상에 고정될 수 있다.Applying voltage to the chucking plate (3) to fix the substrate (W) (S2) may include applying voltage to the electrode connection portion (5). The electrode connection portion (5) may transmit the applied voltage to the chucking electrode (35). More specifically, when voltage is applied to the chucking electrode (35), an electrostatic charge (+) may be generated on the + electrode plate or a negative charge (-) may be generated on the - electrode plate. Accordingly, an electrostatic force due to the charge may be generated between the two charged electrode plates. Accordingly, the substrate (W) may be fixed on the chucking plate (3) by the electrostatic force.

도 1 및 도 10을 참고하면, 기판(W)에 대한 공정을 수행하는 것(S3)은, 기판(W) 상에 공정 가스(PG)를 공급하는 것을 포함할 수 있다. 보다 구체적으로, 기판(W)에 대한 공정을 수행하는 것(S3)은, 가스 공급부(GS)로부터 공정 공간(PS)에 공정 가스(PG)가 공급되는 것을 포함할 수 있다. 공정 가스(PG)에 의해 기판 지지 장치(E) 상에 배치된 기판(W)에 대한 공정이 진행될 수 있다. 예를 들어, 공정 가스(PG)에 의해 기판(W)에 대한 식각 공정 및/또는 증착 공정이 진행될 수 있다. Referring to FIG. 1 and FIG. 10, performing a process on a substrate (W) (S3) may include supplying a process gas (PG) onto the substrate (W). More specifically, performing a process on the substrate (W) (S3) may include supplying a process gas (PG) from a gas supply unit (GS) to a process space (PS). A process on a substrate (W) disposed on a substrate support device (E) may be performed by the process gas (PG). For example, an etching process and/or a deposition process on the substrate (W) may be performed by the process gas (PG).

기판(W)에 대한 공정을 수행하는 것 이후, 플레이트 바디(31)에 제공되는 직선 그루브(39)에 가스가 제공되면서, 기판(W)이 디처킹 될 수 있다.After performing the process on the substrate (W), the substrate (W) can be dechuked while gas is supplied to the straight groove (39) provided on the plate body (31).

본 발명의 예시적인 실시 예들에 따른 기판 지지 장치 및 이를 이용한 기판 처리 방법에 의하면, 처킹 과정에서 발생하는 기판의 손상을 방지할 수 있다. 예를 들어, 기판 지지 장치의 표면을 음각으로 디자인할 수 있다. 기판의 하면은 플레이트 바디의 상면 상에 직접 접촉할 수 있다. 플레이트 바디의 상면의 면적은, 복수 개의 고정 그루브의 면적의 합보다 클 수 있다. 따라서, 기판의 하면의 일부가 고정 그루브에 삽입되지 아니할 수 있다. 이에 따라 기판의 하면의 손상을 최소화할 수 있다. According to the substrate support device and the substrate processing method using the same according to exemplary embodiments of the present invention, damage to the substrate occurring during the chucking process can be prevented. For example, the surface of the substrate support device can be designed engraved. The lower surface of the substrate can directly contact the upper surface of the plate body. The area of the upper surface of the plate body can be larger than the sum of the areas of a plurality of fixed grooves. Therefore, a part of the lower surface of the substrate may not be inserted into the fixed groove. Accordingly, damage to the lower surface of the substrate can be minimized.

본 발명의 예시적인 실시 예들에 따른 기판 지지 장치 및 이를 이용한 기판 처리 방법에 의하면, 디처킹을 용이하게 할 수 있다. 즉, 공정 진행 후 과정에서 디처킹을 진행하기 위해, 기판 처리 장치 표면에 그루브를 형성하여 가스를 공급한 후 디처킹을 진행할 수 있다. According to the substrate support device and the substrate processing method using the same according to exemplary embodiments of the present invention, dechucking can be facilitated. That is, in order to perform dechucking during a process after the process has been performed, a groove can be formed on the surface of the substrate processing device, gas can be supplied, and then dechucking can be performed.

이상, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시 예를 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시 예에는 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.Above, while the embodiments of the present invention have been described with reference to the attached drawings, those skilled in the art to which the present invention pertains will understand that the present invention can be implemented in other specific forms without changing the technical idea or essential features thereof. Therefore, it should be understood that the embodiments described above are exemplary in all respects and not restrictive.

1: 냉각 플레이트
1h: 냉각공
3: 처킹 플레이트
31: 플레이트 바디
31u: 플레이트 바디의 상면
33: 히터
35: 처킹 전극
37: 고정 그루브
39: 직선 그루브
5: 전극 연결부
E: 기판 지지 장치1: Cooling plate
1h: Cooling hole
3: Chucking plate
31: Plate body
31u: Top surface of plate body
33: Heater
35: Chucking electrode
37: Fixed groove
39: Straight groove
5: Electrode connection
E: Substrate support device

Claims (10)

냉각 플레이트; 및
상기 냉각 플레이트 상의 처킹 플레이트; 를 포함하되,
상기 처킹 플레이트는:
플레이트 바디;
상기 플레이트 바디 내에 배치되는 히터; 및
상기 플레이트 바디 내에 배치되고, 상기 히터 상에 배치되는 처킹 전극; 을 포함하되, 상기 플레이트 바디는:
상기 플레이트 바디의 상면으로부터 밑으로 함입 형성되는 직선 그루브; 및
상기 플레이트 바디의 상기 상면으로부터 밑으로 함입 형성되는 복수 개의 고정 그루브; 를 제공하되,
상기 직선 그루브는 수평 방향으로 연장되는 기판 지지 장치.
Cooling plate; and
A chucking plate on the cooling plate; Including,
The above chucking plate:
plate body;
a heater disposed within the above plate body; and
A chucking electrode disposed within the plate body and disposed on the heater; wherein the plate body comprises:
A straight groove formed downward from the upper surface of the plate body; and
Provides a plurality of fixed grooves formed downward from the upper surface of the plate body;
The above straight groove is a substrate support device extending in a horizontal direction.
 제 1 항에 있어서,
상기 직선 그루브는 복수 개가 제공되되,
상기 복수 개의 직선 그루브는 격자 구조를 형성하는 기판 지지 장치.
In paragraph 1,
The above straight grooves are provided in multiple numbers,
The above plurality of straight grooves are a substrate support device forming a lattice structure.
 제 1 항에 있어서,
상기 플레이트 바디는, 원주 방향으로 연장되는 곡선 그루브를 더 제공하는 기판 지지 장치.
In paragraph 1,
The above plate body is a substrate support device further providing a curved groove extending in the circumferential direction.
 제 1 항에 있어서,
상기 복수 개의 고정 그루브는 일정 간격으로 이격 배치되는 기판 지지 장치.
In paragraph 1,
A substrate support device in which the above plurality of fixed grooves are spaced apart at regular intervals.
 제 1 항에 있어서,
상기 직선 그루브에 연결되어, 디처킹 가스를 공급하는 디처킹 가스 공급 장치를 더 포함하는 기판 지지 장치.
In paragraph 1,
A substrate support device further comprising a dechucking gas supply device connected to the above straight groove and supplying a dechucking gas.
 제 1 항에 있어서,
상기 복수 개의 고정 그루브는 평면적 관점에서 원형의 형상을 갖는 기판 지지 장치.
In paragraph 1,
A substrate support device in which the above plurality of fixed grooves have a circular shape in a planar view.
 제 1 항에 있어서,
상기 플레이트 바디의 상기 상면의 면적은, 상기 직선 그루브의 면적과 상기 복수 개의 고정 그루브의 면적의 합보다 큰 기판 지지 장치.
In paragraph 1,
A substrate support device wherein the area of the upper surface of the plate body is greater than the sum of the area of the straight groove and the area of the plurality of fixed grooves.
 제 1 항에 있어서,
상기 처킹 플레이트의 상기 상면의 에지는 원형인 기판 지지 장치.
In paragraph 1,
A substrate support device wherein the edge of the upper surface of the chucking plate is circular.
 리프트 핀에 의해 기판이 처킹 플레이트 상에 배치되는 것;
상기 처킹 플레이트에 전압을 인가하여 기판을 고정시키는 것; 및
상기 기판에 대한 공정을 수행하는 것; 을 포함하되,
상기 처킹 플레이트:
플레이트 바디;
상기 플레이트 바디 내의 히터; 및
상기 플레이트 바디 내에 위치하되, 상기 히터 상에 배치되는 처킹 전극; 을 포함하고,
상기 플레이트 바디는, 상기 플레이트 바디의 상면에서 밑으로 함입 형성되는 고정 그루브를 제공하되,
상기 기판이 상기 처킹 플레이트 상에 배치되는 것은, 상기 기판의 하면이 상기 처킹 플레이트의 상기 상면에 접촉하는 것을 포함하는 기판 처리 방법.
The substrate is placed on the chucking plate by the lift pins;
Applying voltage to the chucking plate to secure the substrate; and
Performing a process on the above substrate; Including,
Above chucking plate:
plate body;
a heater within the above plate body; and
A chucking electrode positioned within the plate body and disposed on the heater;
The above plate body provides a fixed groove formed downwardly on the upper surface of the plate body,
A substrate processing method wherein the substrate is placed on the chucking plate, wherein a lower surface of the substrate contacts the upper surface of the chucking plate.
 제 9 항에 있어서,
상기 플레이트 바디는, 상기 플레이트 바디의 상기 상면으로부터 밑으로 함입 형성되는 직선 그루브를 더 제공하되,
상기 기판에 대한 상기 공정을 수행하는 것 이후, 상기 직선 그루브에 가스가 제공되면서, 상기 기판이 디처킹 되는 것을 포함하는 기판 처리 방법.
In Article 9,
The above plate body further provides a straight groove formed downward from the upper surface of the plate body,
A substrate processing method comprising: performing the above process on the substrate; and then dechucking the substrate while providing gas to the straight groove.
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