RU2395872C1 - Microstrip protective device - Google Patents
Microstrip protective device Download PDFInfo
- Publication number
- RU2395872C1 RU2395872C1 RU2009124163/09A RU2009124163A RU2395872C1 RU 2395872 C1 RU2395872 C1 RU 2395872C1 RU 2009124163/09 A RU2009124163/09 A RU 2009124163/09A RU 2009124163 A RU2009124163 A RU 2009124163A RU 2395872 C1 RU2395872 C1 RU 2395872C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- resonators
- strip
- film
- conductors
- htsc
- Prior art date
Links
Images
Landscapes
- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
Abstract
Description
Изобретение относится к технике сверхвысоких частот и предназначено для защиты радиоприемных устройств, в частности, приемников радиолокационных станций от воздействия электромагнитных колебаний большой мощности.The invention relates to techniques for microwave frequencies and is intended to protect radio receivers, in particular, radar receivers from exposure to electromagnetic waves of high power.
Известно микрополосковое защитное устройство [А.Б.Козырев. Эффект быстрого переключения сверхпроводниковых пленок и возможности его использования в СВЧ-микроэлектронике. Соровский образовательный журнал, т.8, №1, 2004, с.93-100], содержащее диэлектрическую подложку, на одну сторону которой нанесено заземляемое основание, а на вторую нанесены полосковые проводники, образующие микрополосковые резонаторы, связанные между собой электромагнитно. Резонансные элементы, так же как и заземляемое покрытие на обратной стороне подложки, выполнены из пленки материала, обладающего высокотемпературной сверхпроводимостью. Так как потери СВЧ-сигнала в таких пленках в сверхпроводящем состоянии очень малы, то коэффициент передачи в полосе пропускания устройства близок к единице. Под действием мощного электромагнитного импульса микрополосковые элементы переходят из сверхпроводящего состояния в нормальное, и амплитудно-частотная характеристика устройства изменяется, обеспечивая ослабление выходного сигнала по сравнению с входным.Known microstrip protective device [ABKozyrev. The effect of fast switching of superconducting films and the possibility of its use in microwave microelectronics. Sorovskiy Education Journal, vol. 8, No. 1, 2004, pp. 93-100], containing a dielectric substrate, on one side of which a grounded base is applied, and on the second side are strip conductors forming microstrip resonators, which are connected electromagnetically. Resonant elements, as well as a grounded coating on the back of the substrate, are made of a film of material with high-temperature superconductivity. Since the loss of the microwave signal in such films in the superconducting state is very small, the transmission coefficient in the passband of the device is close to unity. Under the influence of a powerful electromagnetic pulse, the microstrip elements pass from the superconducting state to the normal state, and the amplitude-frequency characteristic of the device changes, providing a weakening of the output signal compared to the input.
Недостатком данного защитного устройства является малая предельно допустимая мощность СВЧ-колебаний, с которой оно может работать без выхода из строя. Это связано с недостаточно большим значением поверхностного сопротивления пленки из материала, обладающего высокотемпературной сверхпроводимостью, в нормальном состоянии. Что приводит, как показывают расчеты, к практически полному поглощению микрополосковыми резонаторами и выделению в виде тепла энергии принимаемой электромагнитной волны, а это может стать причиной разрушения, в первую очередь, названных резонансных элементов устройства.The disadvantage of this protective device is the low maximum permissible power of microwave oscillations, with which it can work without failure. This is due to the insufficiently large value of the surface resistance of a film of a material having high-temperature superconductivity in the normal state. As a result of calculations, this leads to almost complete absorption by microstrip resonators and the release of the energy of the received electromagnetic wave in the form of heat, and this can cause the destruction, in the first place, of the named resonant elements of the device.
Наиболее близким по совокупности существенных признаков является микрополосковое защитное устройство [Б.А.Беляев, Н.А.Дрокин, А.А.Лексиков, A.M.Сержантов, М.А.Конов, В.Н.Хахалкин, Ю.В.Шапотковский, Патент РФ №2340046, опубл. 27.11.2008 Бюл. №33 (прототип)], отличающееся от вышеописанного тем, что его заземляемое основание и полосковые проводники выполнены металлическими, а между полосковыми проводниками резонаторов на поверхности подложки или над этими проводниками без гальванического контакта с ними расположена пленка из материала, обладающего высокотемпературной сверхпроводимостью, при этом указанные резонаторы выполнены с возможностью взаимной компенсации электрической и магнитной связи между ними на центральной частоте рабочей полосы устройства при нормальном состоянии указанной пленки. В данном устройстве в закрытом состоянии значительно большая, по сравнению с первым аналогом, доля мощности электромагнитной волны отражается от входа, а не поглощается им, что повышает предельно допустимую мощность СВЧ-колебаний, с которой оно может работать без выхода из строя.The closest set of essential features is a microstrip protective device [B.A. Belyaev, N.A. Drokin, A.A. Lexikov, AMSerzhantov, M.A.Konov, V.N. Khakhalkin, Yu.V. Shapotkovsky, RF patent No. 2340046, publ. 11/27/2008 Bull. No. 33 (prototype)], characterized in that its grounded base and strip conductors are made of metal, and between the strip conductors of the resonators on the substrate surface or above these conductors without galvanic contact with them is a film of material having high-temperature superconductivity, these resonators are made with the possibility of mutual compensation of electrical and magnetic coupling between them at the center frequency of the working strip of the device with normal Toyan said film. In this device, in the closed state, a much larger fraction of the electromagnetic wave power is reflected from the input rather than absorbed by it, which increases the maximum allowable power of microwave oscillations with which it can operate without failure.
Недостатком данного защитного устройства является то, что для обеспечения в нем широких, более 1%, относительных полос рабочих частот необходимо применять сравнительно большое количество материала из высокотемпературного сверхпроводника (ВТСП), и, как следствие, для понижения порога срабатывания применять большие по величине смещающие токи. Оценки показывают, что, например, для пленки ВТСП YBaCuO сечением 1×0.001 мм2 критический ток превышает 10 А.The disadvantage of this protective device is that to ensure that it has wide, more than 1%, relative operating frequency bands, it is necessary to use a relatively large amount of material from a high-temperature superconductor (HTSC), and, as a result, to use a large bias current to lower the response threshold . Estimates show that, for example, for a YBaCuO HTSC film with a cross section of 1 × 0.001 mm 2, the critical current exceeds 10 A.
Техническим результатом при использовании изобретения является увеличение относительной ширины полосы рабочих частот устройства и снижение порога его срабатывания в закрытое состояние.The technical result when using the invention is to increase the relative bandwidth of the operating frequencies of the device and lower the threshold of its operation in the closed state.
Указанный технический результат достигается тем, что в заявляемом микрополосковом защитном устройстве, содержащем диэлектрическую подложку, на одну сторону которой нанесено заземляемое основание, а на вторую нанесены полосковые проводники, образующие микрополосковые резонаторы, связанные между собой электромагнитно, а между полосковыми проводниками резонаторов на поверхности подложки или над этими проводниками без гальванического контакта с ними расположена пленка из материала, обладающего высокотемпературной сверхпроводимостью, при этом указанные резонаторы выполнены с взаимной компенсацией электрической и магнитной связи между ними на центральной частоте рабочей полосы устройства при нормальном состоянии указанной пленки, новым является то, что пленка образует замкнутый полосковый проводник.The specified technical result is achieved by the fact that in the inventive microstrip protective device containing a dielectric substrate, on one side of which a grounded base is applied, and on the second are strip conductors forming microstrip resonators, electromagnetically coupled to each other, and between the strip conductors of the resonators on the substrate surface or above these conductors without galvanic contact with them is a film of a material having high-temperature superconductivity , Wherein said resonators are adapted to the mutual compensation of electrical and magnetic connection therebetween at the central operating frequency band device at a normal state of said film, new is that the film strip forms a closed conductor.
Отличия от наиболее близкого аналога заключаются в том, что пленка выполнена не сплошной, а образует замкнутый полосковый проводник, например, в виде круглого или овального кольца, прямоугольной или иной формы рамки.Differences from the closest analogue are that the film is not continuous, but forms a closed strip conductor, for example, in the form of a round or oval ring, a rectangular or other shape of the frame.
Изобретение поясняется чертежами, на которых изображены:The invention is illustrated by drawings, which depict:
- фиг.1 и 2 - конструкция защитного устройства с вариантами размещения управляющего элемента (полоскового проводника в форме рамки из пленки ВТСП) соответственно между проводниками резонаторов непосредственно на подложке и над проводниками резонаторов;- figures 1 and 2 - the design of the protective device with options for placing a control element (a strip conductor in the form of a frame from a HTSC film), respectively, between the conductors of the resonators directly on the substrate and above the conductors of the resonators;
- фиг.3 - примеры топологии замкнутого полоскового проводника управляющего элемента устройства;- figure 3 - examples of the topology of the closed strip conductor of the control element of the device;
- фиг.4 - конфигурация высокочастотных токов и полей в режиме пропускания устройства;- figure 4 - configuration of high-frequency currents and fields in the transmission mode of the device;
- фиг.5 - частотные характеристики коэффициента передачи конкретной реализации устройства, демонстрирующие его работоспособность, для двух состояний ВТСП пленочного полоскового проводника управляющего элемента - сверхпроводящего и нормального;- figure 5 - frequency characteristics of the transmission coefficient of a particular implementation of the device, demonstrating its operability, for two states of the HTSC film strip conductor of the control element - superconducting and normal;
- фиг.6-9 - варианты топологии полосковых проводников резонаторов устройства и размещения управляющего элемента.- 6-9 - variants of the topology of the strip conductors of the resonators of the device and the placement of the control element.
Предлагаемое защитное устройство содержит диэлектрическую подложку 1 (фиг.1 и 2), на одну сторону которой нанесено заземляемое основание 2, а на вторую нанесены полосковые металлические проводники резонаторов 3. Выбор формы резонаторов в виде гантели обусловлен условием возможности реализации различия по знаку и равенства по модулю коэффициентов индуктивного и емкостного взаимодействия между резонаторами на резонансной частоте [Б.А.Беляев, Н.В.Лалетин, А.А.Лексиков. Коэффициенты связи нерегулярных микрополосковых резонаторов и частотно-селективные свойства двухзвенной секции на их основе. «Радиотехника и электроника», т.47, №1, 2002, с.14-23]. Физически это означает, что в такой структуре коэффициент связи резонаторов на резонансных частотах равен нулю, и на этих частотах практически вся мощность отражается от входа. Между резонаторами в области максимума высокочастотного магнитного поля расположен управляющий элемент, представляющий собой замкнутый полосковый проводник 4 из пленки высокотемпературного сверхпроводника (ВТСП). Управляющий элемент может быть выполнен либо непосредственно на подложке (фиг.1), либо на собственной подложке и располагаться над проводниками резонаторов на некоторой, исключающей с ними гальванический контакт высоте (фиг.2).The proposed protective device contains a dielectric substrate 1 (Figs. 1 and 2), on which one is grounded a
Замкнутый полосковый проводник управляющего элемента может быть выполнен в форме круглого или овального кольца, либо прямоугольной рамки, либо рамки какой-либо иной формы. На фиг.3 приведено несколько примеров топологии замкнутого полоскового проводника.The closed strip conductor of the control element can be made in the form of a round or oval ring, or a rectangular frame, or a frame of some other shape. Figure 3 shows several examples of the topology of a closed strip conductor.
Устройство имеет два режима работы. В первом из них, режиме пропускания, когда управляющий элемент находится в сверхпроводящем состоянии и его поверхностное сопротивление мало, высокочастотные магнитные поля входного резонатора наводят в рамке высокочастотные токи, которые, в свою очередь генерируют высокочастотные магнитные поля, индуцирующие высокочастотные токи в выходном резонаторе (см. фиг.4, где белыми стрелками изображены токи в резонаторах, черными - токи в рамке управляющего элемента, штрихованными линиями - силовые линии высокочастотного магнитного поля). Благодаря этому нарушается компенсация магнитного (индуктивного) и электрического (емкостного) взаимодействий между резонаторами, и коэффициент связи между ними становится отличным от нуля на величину, определяемую конкретными параметрами рамки. В результате устройство в этом режиме работает как полосно-пропускающий фильтр с малыми вносимыми потерями, ширина полосы пропускания которого определяется взаимодействием, обеспечиваемым управляющим элементом, т.е. конкретными геометрическими параметрами рамки. Во втором режиме, запертом, когда ВТСП пленка управляющего элемента находится в нормальном состоянии, ее поверхностное сопротивление велико, причем настолько, что компенсация коэффициентов индуктивного и емкостного взаимодействий им практически не нарушается, и полный коэффициент связи между резонаторами близок к нулю. Очевидно, что в этом случае практически вся мощность отражается от входа устройства.The device has two operating modes. In the first of them, the transmission mode, when the control element is in a superconducting state and its surface resistance is small, the high-frequency magnetic fields of the input resonator induce high-frequency currents in the frame, which, in turn, generate high-frequency magnetic fields that induce high-frequency currents in the output resonator (see Fig. 4, where the white arrows show the currents in the resonators, the black ones show the currents in the frame of the control element, and the dashed lines show the lines of force of the high-frequency magnetic field). Due to this, the compensation of the magnetic (inductive) and electrical (capacitive) interactions between the resonators is violated, and the coupling coefficient between them becomes nonzero by an amount determined by the specific parameters of the frame. As a result, the device in this mode operates as a bandpass filter with low insertion loss, the bandwidth of which is determined by the interaction provided by the control element, i.e. specific geometric parameters of the frame. In the second mode, locked, when the HTSC film of the control element is in a normal state, its surface resistance is large, and so much so that it almost does not violate the coefficients of inductive and capacitive interactions, and the total coupling coefficient between the resonators is close to zero. Obviously, in this case, almost all the power is reflected from the input of the device.
Устройство работает следующим образом. При температурах ниже фазового перехода ВТСП пленки в сверхпроводящее состояние и невысоких уровнях мощности сигнала на входе устройства плотность тока, индуцируемого в рамке управляющего элемента, не превышает критического значения, и поверхностное сопротивление материала рамки мало. В этом случае управляющий элемент обеспечивает необходимый коэффициент связи между резонаторами, благодаря чему устройство работает в режиме полосно-пропускающего фильтра с малыми вносимыми потерями. При увеличении мощности на входе устройства до пороговой плотность тока, индуцируемого в рамке, превышает критическое для ВТСП значение, поверхностное сопротивление пленочного проводника возрастает скачком на несколько порядков вследствие перехода его в нормальное состояние. В этом случае коэффициент связи, обеспечиваемый управляющим элементом, близок к нулю, и коэффициент передачи устройства в полосе рабочих частот также очень мал, причем в основном благодаря тому, что практически вся СВЧ мощность отражается от входа.The device operates as follows. At temperatures below the phase transition of the HTSC film to the superconducting state and low signal power levels at the input of the device, the current density induced in the frame of the control element does not exceed a critical value, and the surface resistance of the frame material is small. In this case, the control element provides the necessary coupling coefficient between the resonators, so that the device operates in the bandpass filter mode with low insertion loss. With an increase in the power at the input of the device to the threshold current density induced in the frame, it exceeds the critical value for HTSC, the surface resistance of the film conductor jumps by several orders of magnitude due to its transition to the normal state. In this case, the coupling coefficient provided by the control element is close to zero, and the transmission coefficient of the device in the operating frequency band is also very small, mainly due to the fact that almost all microwave power is reflected from the input.
На фиг.5 приведены амплитудно-частотные характеристики макета устройства для двух режимов работы: полосно-пропускающего фильтра (сплошная линия) и запертого (точки). Из фиг.5 следует, что относительная ширина полосы рабочих частот устройства равна почти 20% при вносимых потерях менее 1 дБ, а подавление в запертом состоянии не менее 30 дБ. При этом потери на отражение в режиме пропускания и запертом режиме составили менее -14 дБ и более -0.5 дБ соответственно, что свидетельствует о том, что почти 90% мощности отражается от входа устройства в запертом режиме. Следует отметить, что относительная ширина полосы рабочих частот в предлагаемом устройстве как минимум в четыре раза больше, чем в устройстве-прототипе.Figure 5 shows the amplitude-frequency characteristics of the device layout for two modes of operation: a band-pass filter (solid line) and locked (points). From figure 5 it follows that the relative bandwidth of the operating frequencies of the device is almost 20% for insertion loss of less than 1 dB, and the suppression in the locked state is not less than 30 dB. In this case, the reflection losses in the transmission mode and the locked mode were less than -14 dB and more than -0.5 dB, respectively, which indicates that almost 90% of the power is reflected from the input of the device in the locked mode. It should be noted that the relative bandwidth of the operating frequencies in the proposed device is at least four times greater than in the prototype device.
Конструктивные параметры макета устройства были следующими. Подложка из поликора (ε=9.8) толщиной 0.5 мм. Ширина низкоомных участков нерегулярных проводников резонаторов 2.0 мм, высокоомных 0.6 мм. Длины этих участков одинаковые, при полной длине резонаторов 15.6 мм. Величина зазора между низкоомными участками 0.36 мм. Управляющий элемент представлял собой рамку с внешними размерами 5.2×2.5 мм2 и шириной образующей 0.1 мм, сформированную химическим травлением ВТСП пленки YbaCuO толщиной 1 мкм, осажденной на сапфировую подложку. Зазор между проводниками резонаторов и управляющим элементом примерно 0.05 мм. Макет устройства был изготовлен в корпусе-экране с внутренними размерами 20×8×6 мм3. Ширина пленочного сверхпроводника управляющего элемента в данном случае более чем на порядок меньше, чем в устройстве-прототипе, поэтому очевидно, что критическая плотность тока наводится в нем меньшими по напряженности полями, а следовательно, и порог срабатывания в этом случае меньше. Кроме того, для понижения порога срабатывания в данном случае требуются и меньшие по силе смещающие токи.The design parameters of the device layout were as follows. Polycor substrate (ε = 9.8) 0.5 mm thick. The width of the low-resistance sections of the irregular conductors of the resonators is 2.0 mm, and the high-resistance sections are 0.6 mm. The lengths of these sections are the same, with a full cavity length of 15.6 mm. The gap between the low-resistance sections is 0.36 mm. The control element was a frame with external dimensions of 5.2 × 2.5 mm 2 and a generatrix width of 0.1 mm, formed by chemical etching of a 1-μm thick YbaCuO HTSC film deposited on a sapphire substrate. The gap between the conductors of the resonators and the control element is approximately 0.05 mm. The device layout was made in a screen-case with internal dimensions of 20 × 8 × 6 mm 3 . The width of the film superconductor of the control element in this case is more than an order of magnitude smaller than in the prototype device, so it is obvious that the critical current density is induced in it by lower fields and, therefore, the response threshold in this case is less. In addition, to lower the threshold, in this case, smaller bias currents are required.
Кроме резонаторов в форме гантели можно использовать в устройстве резонаторы в форме шпильки, на основе которых можно так же реализовывать двухзвенные структуры с компенсацией индуктивного и емкостного взаимодействий между резонаторами [Б.А.Беляев, A.M.Сержантов. Исследование коэффициентов связи шпильковых резонаторов. «Радиотехника и электроника», т.49, №1, 2004, с.24-31] и, следовательно, разрабатывать микрополосковые устройства на вышеописанном принципе. На фиг.6-9 приведены примеры реализации устройств защиты на основе резонаторов в форме шпильки с теми же обозначениями, что и на фиг.1 и 2. На фиг.6 и 8 управляющий элемент - пленочный ВТСП полосковый проводник - выполнен непосредственно на подложке устройства, а фиг.7 и 9 - на собственной подложке и расположен над проводниками резонаторов на расстоянии от них, исключающем гальванический контакт с ними.In addition to resonators in the form of a dumbbell, it is possible to use stud-shaped resonators in the device, on the basis of which two-link structures can also be realized with compensation for inductive and capacitive interactions between resonators [B.A. Belyaev, A.M. Sergeants. Investigation of the coupling coefficients of hairpin resonators. "Radio engineering and electronics", t. 49, No. 1, 2004, p.24-31] and, therefore, to develop microstrip devices on the above principle. Figure 6-9 shows examples of the implementation of protection devices based on resonators in the form of a pin with the same designations as in Figures 1 and 2. In Figures 6 and 8, the control element, a film HTSC strip conductor, is made directly on the substrate of the device , and Figs. 7 and 9 - on its own substrate and is located above the conductors of the resonators at a distance from them, excluding galvanic contact with them.
Благодаря использованию управляющего элемента не в виде сплошной ВТСП пленки, в виде рамки из этого же материала достигается значительно большая величина связи между резонаторами устройства в режиме пропускания, что позволяет реализовывать более широкие рабочие полосы устройства. Кроме того, при прочих равных условиях, в таком управляющем элементе при работе устройства наводится больший по плотности высокочастотный ток, что снижает его порог срабатывания.Due to the use of the control element not in the form of a continuous HTSC film, in the form of a frame of the same material, a significantly larger value of the coupling between the resonators of the device in transmission mode is achieved, which allows for wider working bands of the device. In addition, ceteris paribus, in such a control element when the device is operating, a higher-density high-frequency current is induced, which reduces its threshold.
Claims (1)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2009124163/09A RU2395872C1 (en) | 2009-06-24 | 2009-06-24 | Microstrip protective device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2009124163/09A RU2395872C1 (en) | 2009-06-24 | 2009-06-24 | Microstrip protective device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2395872C1 true RU2395872C1 (en) | 2010-07-27 |
Family
ID=42698194
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2009124163/09A RU2395872C1 (en) | 2009-06-24 | 2009-06-24 | Microstrip protective device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2395872C1 (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2440645C1 (en) * | 2010-11-01 | 2012-01-20 | Учреждение Российской академии наук Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения РАН | Microstrip protective device |
| RU2456719C1 (en) * | 2011-06-07 | 2012-07-20 | Открытое акционерное общество "Федеральный научно-производственный центр "Нижегородский научно-исследовательский институт радиотехники" | Selective protection device on reciprocal rods |
| RU2475900C1 (en) * | 2011-12-28 | 2013-02-20 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Сибирский государственный аэрокосмический университет имени академика М.Ф. Решетнева" (СибГАУ) | Microstrip pass-band filter |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5258626A (en) * | 1992-06-22 | 1993-11-02 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force | Superconducting optically reconfigurable electrical device |
| EP0612118A1 (en) * | 1993-02-16 | 1994-08-24 | Daimler-Benz Aerospace Aktiengesellschaft | Method for preventing electrical crosstalk and device for performing this method |
| RU2126194C1 (en) * | 1993-03-17 | 1999-02-10 | Государственное научно-производственное предприятие Исток | Microwave stripline resonator |
| RU2179356C2 (en) * | 1996-05-15 | 2002-02-10 | Роберт Бош Гмбх | Switchable planar high-frequency resonator (alternatives) and filter |
| RU2187866C1 (en) * | 2000-12-18 | 2002-08-20 | Казанский государственный технический университет им. А.Н.Туполева | Microstrip load |
| RU70412U1 (en) * | 2007-09-28 | 2008-01-20 | Открытое акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Радий" | MICROSTREAM PROTECTIVE DEVICE |
| RU2340046C1 (en) * | 2007-09-28 | 2008-11-27 | Открытое акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Радий" | Microstrip protector |
-
2009
- 2009-06-24 RU RU2009124163/09A patent/RU2395872C1/en not_active IP Right Cessation
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5258626A (en) * | 1992-06-22 | 1993-11-02 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force | Superconducting optically reconfigurable electrical device |
| EP0612118A1 (en) * | 1993-02-16 | 1994-08-24 | Daimler-Benz Aerospace Aktiengesellschaft | Method for preventing electrical crosstalk and device for performing this method |
| RU2126194C1 (en) * | 1993-03-17 | 1999-02-10 | Государственное научно-производственное предприятие Исток | Microwave stripline resonator |
| RU2179356C2 (en) * | 1996-05-15 | 2002-02-10 | Роберт Бош Гмбх | Switchable planar high-frequency resonator (alternatives) and filter |
| RU2187866C1 (en) * | 2000-12-18 | 2002-08-20 | Казанский государственный технический университет им. А.Н.Туполева | Microstrip load |
| RU70412U1 (en) * | 2007-09-28 | 2008-01-20 | Открытое акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Радий" | MICROSTREAM PROTECTIVE DEVICE |
| RU2340046C1 (en) * | 2007-09-28 | 2008-11-27 | Открытое акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Радий" | Microstrip protector |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2440645C1 (en) * | 2010-11-01 | 2012-01-20 | Учреждение Российской академии наук Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения РАН | Microstrip protective device |
| RU2456719C1 (en) * | 2011-06-07 | 2012-07-20 | Открытое акционерное общество "Федеральный научно-производственный центр "Нижегородский научно-исследовательский институт радиотехники" | Selective protection device on reciprocal rods |
| RU2475900C1 (en) * | 2011-12-28 | 2013-02-20 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Сибирский государственный аэрокосмический университет имени академика М.Ф. Решетнева" (СибГАУ) | Microstrip pass-band filter |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Gil et al. | Tunable metamaterial transmission lines based on varactor-loaded split-ring resonators | |
| CA2295773A1 (en) | High temperature superconducting structures and methods for high q, reduced intermodulation structures | |
| Wu et al. | A new type of periodically loaded half-mode substrate integrated waveguide and its applications | |
| Subramanyam et al. | A K-band-frequency agile microstrip bandpass filter using a thin-film HTS/ferroelectric/dielectric multilayer configuration | |
| Gorur et al. | Uniplanar compact wideband bandstop filter | |
| Bonache et al. | Ultra wide band pass filters (UWBPF) based on complementary split rings resonators | |
| EP1265310B1 (en) | Superconducting microstrip filter | |
| Shojaei-Asanjan et al. | Tunable RF MEMS-based frequency-dependent power limiter | |
| Matthaei et al. | Concerning the use of high-temperature superconductivity in planar microwave filters | |
| RU2395872C1 (en) | Microstrip protective device | |
| JP4426931B2 (en) | Coplanar filter and method for forming the same | |
| JPH04247701A (en) | Superconductive variable phase shifter | |
| US8143972B2 (en) | Resonator and filter | |
| CN1551497B (en) | band pass filter | |
| JP2009055576A (en) | Filter circuit having multiple sets of attenuation poles | |
| Xiao et al. | Novel compact split ring stepped-impedance resonator (SIR) bandpass filters with transmission zeros | |
| RU2340046C1 (en) | Microstrip protector | |
| JP4707682B2 (en) | Superconducting device | |
| Kurra et al. | Bandwidth reconfigurable bandstop filter using planar EBG structure | |
| RU2440645C1 (en) | Microstrip protective device | |
| JP4167187B2 (en) | filter | |
| RU70412U1 (en) | MICROSTREAM PROTECTIVE DEVICE | |
| Kuroda et al. | Design and Fabrication of Compact HTS Duplexers Using a CQ Structure With a High $ Q_ {u} $ Resonator | |
| Shojaei-Asanjan et al. | A novel low-temperature superconductor power limiter | |
| RU2815624C1 (en) | Microwave power limiter with two operating bands |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20150625 |