TW487921B - Data-memory and its test method - Google Patents

Description

487921 A7 B7 五、發明說明（1 ) --------------裝--- (請先閱讀背面之注意事寫本頁) 本發明涉及一種資料記憶體，其具有較少之存取時間 且包括一個主資料記憶體及一個備用資料記憶體（用來 取代主資料記憶體之有缺陷之資料記憶單元）。 資料記憶體之大小及積體化程度由於需求較高（特別 是用戶特定之ASIC電路中者）而總是逐漸增大。由於 所需之較大之積體化程度以及所需之較大之記憶體大 小，則在複雜之製程中除了有功能之資料記憶單元外亦 會產生各別有缺陷之資料記憶單元。爲了發現此種有缺 陷之記憶胞，則在資料記憶體製成了後須對其進行一種 記憶體測試，各測試資料圖樣須施加至此記憶體，然後 檢測：所讀出之資料是否等於所期望之測試資料讀出圖 樣。 因此，有缺陷之資料記憶單元會使所製成之整個資料 記憶體功能減弱，在資料記憶體中須設置更多額外之備 用記憶區，其用來取代有缺陷之資料記憶單元。在組構 成列和行之資料記憶體中，須另外在資料記憶晶片上設 置一些取代記憶列和取代記憶行。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印制π 第1圖是先前技藝之資料記憶體之構造，其具有備用 之記憶區。 在資料記憶體進行記憶體測試之後，首先儲存該已讀 出之測試資料圖樣，且與所期望之測試輸出圖樣相比較 來決定資料記憶體之有缺陷之單元之位址。所決定之這 些缺陷位址程式化於備用邏輯中，使得在存取該資料記 憶體之有缺陷之資料記憶單元之位址時可存取該備用- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ^/921 A7 B7 五、發明說明（2) 資料記憶體內部之取代-資料記憶單元。爲了測試：備 用邏輯內部之位址改道是否已成功地結束，則須在隨後 之另一測試步驟中藉由測試資料圖樣之比較來檢測：記 憶體現在是否功能正常。 在存取資料記憶體時，首先在備用邏輯中進行位址之 比較且隨後只要已定址之資料記憶單元無缺陷即可存取 資料記憶體內部之已定址之資料記憶單元，或是，若已 定址之資料記憶單元被視爲有缺陷時，則可存取該備用 記憶體內部之取代-資料記憶單元。 先前技藝之第1圖所示配置之缺點是：備用記憶體積 體化於原來之資料記憶體中。在所設置之具有預定大小 之資料記憶體（例如，具有M e g a b y t e記憶空間之R A Μ 記憶體）中，資料記憶體在電路技術上必須適當地依據 備用記憶體空間之積體化來調整。 第1圖所示之記憶體另外具有重大之缺點：在存取資 料記憶單元時需要較長之時間。第1圖所示記憶體內部 之資料§5 、單兀之存取時間T Z u g 1· i f f是由位址比較時間T、 (其在備用邏輯內部中是需要的以用來進行位址比較） 及對資料記憶體之存取時間T z d所構成之和（s u m)。

Tzugriff = TzD + Tv 本發明之目的是提供一種具有備用記憶體之資料記憶 體，其具有儘可能短之存取時間。 本發明之上述目的是由申請專利範圍第1項之特徵中 之資料記憶體來達成。 -4- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ------------II (請先閱讀背面之注音心事項^^寫本頁)

I I I I ^ · I I I I I — II #- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 487921 A7 B7 五、發明說明（3) 本發明之資料記憶體具有：一種由許多資料記憶單元 所構成之主資料記憶體；備用-資料記憶體，其由多個 備用資料記憶單元所構成以取代主資料記憶體之有缺陷 之資料記憶單元；一種備用·控制邏輯，用來控制該備 用-資料記憶體之存取。主資料記憶體及備用-資料記憶 體經由資料線而互相並聯至資料匯流排，主資料記憶體 和備用控制邏輯經由位址線而並聯至位址匯流排以便對 資料記憶體中之資料記憶單元進行定址。 本發明之資料記憶體之優點是：其可支配一種備用記 憶體，而不必在電路技術上調整此主資料記憶體。 具有申請專利範圍第1項特徵之此種資料記憶體之其 它優點是其測試上之親切性，因爲在施加一種測試圖樣 以檢測此資料記憶體之功能時此備用-資料記憶體可立 刻一起被測試。 在此種資料記憶體之較佳實施形式中，此備用-控制 邏輯具有一種位址記憶體（其具有許多位址-記憶單 元），其可儲存主資料記憶體之有缺陷之資料-記憶單 元。 位址記憶單元在此種資料記憶體之實施形式中是一種 相關式（associative)記憶單元CAM，其與位址匯流排相 連接。這些相關式記憶單元用來釋放（release)此備用-資 料記憶體之相關之備用-資料記憶單元。 在另一實施形式中，位址-記憶單元是位址-記憶體暫 存器。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 裝--- (請先閱讀背面之注意事項寫本頁) ·. -_線. 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 ^/^21 A7 B7 五、發明說明（4) 位址-記憶體暫存器較佳是分別具有一種旗標（Flag)位 元，其可指出：此位址-記憶體暫存器之內容是否有 效。 備用-控制邏輯較佳是具有多個比較器，其分別與位 址-記憶體暫存器及位址匯流排相連接且可釋放該備用-資料記憶體之相關之備用-資料記憶單元，若存在於位 址匯流排中之位址是與位址-記憶體暫存器中儲存之位 址相一致時。 備用-控制邏輯可控制第一多工器以便由主資料記憶 體或備用-資料記憶體中讀出資料。 在另一較佳之實施形式中，主資料記憶體，備用-資 料記憶體及備用-控制邏輯並聯至一種控制匯流排以便 控制資料記憶體之讀出或寫入。 在本發明之較佳之實施形式中，位址記憶體是與一種 已程式化之不可拭除之位址-唯讀記憶體相連接以便持 續地儲存主資料記憶體之有缺陷之資料-記憶單元之位 址。 備用-控制邏輯控制第二多工器，其在輸入側是與備 用-記憶體之備用-資料記憶單元相連接且用來由一個備 用-資料記憶單元讀出資料。 備用-記憶體之備用-資料記憶單元是資料-暫存器。 在較佳之實施形式中，主資料記憶體是RAM資料記 憶體。 主資料記憶體之有缺陷之資料-記億單元之位址在位 -6- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項寫本頁) 裝

經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 487921 A7 B7 五、發明說明（5) 址記憶體之位址記憶單元中可由一種積體化於資料記憶 體中之記憶體-測試邏輯讀出，由一種測試自動機中或 由位址-唯讀記憶體中讀出且可寫入位址-記憶單元中。 以下將參考圖式來描述本發明之資料記憶體之較佳實 施形式以說明本發明之特徵。圖式簡單說明： 第1圖先前技藝之具有備用記憶體之資料記憶體。 第2圖本發明之資料記憶體之方塊圖，其具有備用-資料記憶體。 第3圖本發明之資料記憶體之第一實施形式。 第4圖本發明之資料記憶體之第二實施形式。 第5圖本發明之資料記憶體中測試和位址程式化時之 流程。 第2圖是本發明資料記憶體1之方塊圖。資料記憶體 1具有主資料記憶體2，備用-資料記憶體3，備用-控制 邏輯4及資料讀出-多工器5。主資料記憶體2是一種 RAM記憶體，特別是SRAM記憶體。資料記憶體1連接 至資料匯流排6，位址匯流排7及控制匯流排8。主資 料記憶體2經由資料線9而連接至資料匯流排6，經由 位址線1 0而連接至位址匯流排7且經由控制線1丨而連 接至控制匯流排8。備用-資料記憶體3經由資料線1 2 而與資料匯流排6相連接，經由位址線1 3而與位纟止匯 流排7相連接且經由控制線1 4而與控制匯流排8相連 接。備用-控制邏輯4經由位址線1 5而與位址匯流排7 相連接且經由控制線1 6而連接至控制匯流排8。 -7- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項寫本頁) · 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 487921 A7 B7 五、發明說明（6) 主資料記憶體2經由資料讀出線1 7而連接至資料-讀 出多工器5之第一輸入端，備用-資料記憶體3經由資料 讀出線1 8而連接至資料-讀出多工器5之第二輸入端。 資料-讀出多工器5在輸出側可經由資料線1 9而與資料 匯流排6或另一資料匯流排相連接。 備用-控制邏輯4經由控制線20而控制資料使寫入該 備用-資料記憶體3中且經由控制線21而控制此資料-讀 出多工器5使在資料讀出線1 7、1 8之間切換。 主資料記憶體2由許多資料記憶單元所構成。資料記 憶單元中可涉及各別之資料位元、資料字、資料行、資 料列、資料陣列或資料-巨觀（macro_)區。資料記憶單元 可由特定之各別位址來定址。 備用之資料記憶體3具有很多備用-資料記憶單元以 取代主資料記憶體2中有缺陷之資料記憶單元。備用-資料記憶單元之數目較主資料記憶體2中之資料記憶單 元之數目少很多。若在資料記憶體1之製程中在主資料 記憶體2中形成一些有缺陷之資料記憶單元，則備用-資料記憶體3內部之備用-資料記憶單元可接管其記憶 功能。若已確定對該主資料記憶體2之有缺陷之資料記 憶單元進行一種存取時，則備用之控制邏輯4即控制此 種對備用-資料記憶體3之存取過程。 主資料記憶體2和備用-資料記憶體3經由資料-寫入 線1 Q、1 2而並聯至資料匯流排6。主資料記憶體2和備 用-資料記憶體3經由資料-讀出多工器5和資料-讀出線 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝--------訂--------- 再填办 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7

五、發明說明（7 ) 1 9亦並聯至資料匯流排6。 主資料記憶體2和備用-控制邏輯4經由位址線1 0、 1 5而並聯至位址匯流排7以便對資料記憶體1中之資料 記憶單元進行定址。 在第3圖所示之實施例中，備用-資料記憶體3和備 用-控制邏輯4積體化於一個組件中，則與現有之主資 料記憶體2之電性連接即可簡化。 備用-控制邏輯4含有一種位址記憶體22 (其具有多 個位址-記憶單元22a至22g )，其中可儲存主資料記憶 體2中有缺陷之資料記憶體之位址。位址-記憶單元22a 至2 2 g是位址-記憶暫存器。每一個位址-記憶暫存器2 2 a 至22g較佳是具有一個旗標位元，其可指出：此位址-記 憶暫存器之內容是否有效。 備用-控制邏輯4另外含有一個位址-比較電路23，其 具有多個位址比較器23a至23g，其經由內部位址線24a 至24g而與位址-記憶暫存器22a至22g相連接且經由位 址線15而與位址匯流排7相連接。各比較器23a至23g 分別具有位址位元-比較電路以便對此種施加至位址線 1 5和內部位址線24上之位址-位元-位準進行比較。在 記憶體測試完成之後，主資料記憶體2中有缺陷之資料 記憶單元之位址寫入位址-暫存器22a至22g中。 若施加至位址線15上之位址是與位址-暫存器22a至 22g中所儲存之位址相同，則這是在位址比較電路中辨 認且經由控制線25a至25g來驅動該備用-資料記憶體3 -9- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） --------------裝--- (請先閱讀背面之注意事項寫本頁) · 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 487921 A7 B7 五、發明說明（Ο 之所屬之備用。資料記憶單元26a至26g且相對之備用、 資料記憶單元26a至26g經由備用-資料記憶體3之內部 之資料-讀出多工器27而連接至資料-讀出多工器5。備 用-資料記憶體3之備用-資料記憶單元26a至26g經由 內部資料線28a至28g而與備用-資料記憶體3之內部多 工器27相連接。 若施加至位址線1 5上之位址是與位址-記憶體暫存器 22a中所儲存之位址相一致，則這須藉由位址比較電路 23之比較器23a來辨認且備用-資料記憶體3之備用-資 料記憶單元26a經由控制線25a而被驅動。位址比較電 路23須經由控制線22來切換此多工器27，使內部之導 線2 8a接通至多工器27之輸出導線18。位址比較電路 23同時控制此多工器5，使多工器5將資料線1 8接通 至資料線1 9，則該備用-資料記憶單元26a中所含有之 資料經由資料線1 9而發送至資料匯流排6。 反之，位址匯流排7上若無位址來對主資料記憶體2 中有缺陷之資料記憶單元進行定址，則須經由位址線1〇 來對適當之資料記憶 '單元進行定址且其內容經由資料讀 出線1 7和1 9而發送至資料匯流排6。此處須接通該多 工器5，使資料線1 7可與資料線1 9直接相連接。 對此主資料記憶體2內部之資料記憶單元進行資料存 取時因此可很快地完成，這是因爲該備用-控制邏輯4 內部之位址比較在時間上是同時進行的。該備用-資料 記憶體3之存取時間較主資料記憶體2者小很多。當主 -10- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 2f先閱讀背面之注意事項寫本頁) 訂---------· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 487921 A7 B7 五、發明說明（9) 資料記憶體2支配許多資料記憶單元時，備用-資料記 憶體3只具有一些備用-資料記憶體暫存器26a至26g以 取代主資料記憶體2中之有缺陷之資料記憶單元。由位 址比較電路23所進行之位址比較所需之時間Tv是較短 的，使此種由位走比較時間Tv及備用-資料記憶體3之 存取時間h所形成之和（sum)較主資料記憶體2之存取 時間Tm還小。

T vf T ZR< T ZH 因此，在存取該主資料記憶體2之無缺陷之資料記憶 單元時本發明之資料記憶體1之存取時間成爲：

Tz= Tatf T mk 其中Tmk是多工器5之切換時間。 多工器5之切換時間很短，其較位址比較電路23之 位址比較時間小很多。

T MW< < T V 藉由本發明資料記憶體之構造與第1圖中所示先前技 藝之電路技術上之構造之間的比較可知，傳統式配置中 之記憶體存取時間Tz較本發明之資料記憶體1者大很 多。 在傳統之資料記憶體中，記憶體存取時間Tz是：

Tz^TvfTzH 其中Tv是位址比較時間，其需要該備用邏輯，以便 確定··有缺陷之位址是否在該位址匯流排A上；Tzh是 主資料記憶體之存取時間。 -11 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -------------裝--- (請先閱讀背面之注意事項寫本頁) -丨線. 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 叫7921 A7 -----B7____ 五、發明說明（10) 因此，本發明之資料記憶體1之最大之存取時間Tz 是：

Τ 2= T Mid- T ZH 若 TvfTzR<TzH 其中Tmk是多工器5之切換時間，Τπ是對該主資料 記憶體2之存取時間。 此種時間上之優點以下述方式達成：在對主資料記憶 體2中之資料記憶單元之存取時間Τ中同時在備用-控 制邏輯4內部進行位址比較且在對主資料記憶體2之存 取過程結束之後只依據該比較結果藉由多工器5而在備 用-資料記憶體3和主資料記憶體2之間切換。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 由第3圖可知：主資料記憶體2，備用-資料記憶體3 以及備用-控制邏輯4同時經由控制線1 1、1 4、1 6而連 接至控制匯流排8以控制此種對資料記憶體1之讀出-或 寫入過程。寫入該備用-資料記憶體3中之此種寫入過 程以二個步驟來進行。在時脈之上升邊緣時，輸入資料 及輸入位址儲存在中間記憶體中。比較器2 3 a至2 3 g使 輸入位址可與位址-記憶體暫存器22a至22g之內容相比 較。若所儲存之位址之一等於該輸入位址，則所暫時儲 存之輸入資料在下一個時脈邊緣中寫至相對應之資料記 憶體暫存器26a至26g中。 位址記憶體22在第3圖中所示之實施形式中經由位 址讀入線29a至29g而與位址·唯讀記憶體30相連接以 便持續地儲存主資料記憶體2之有缺陷之資料記憶單元 之位址。 -12- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公髮1 " ^/921 A7 ^__B7_____ 五、發明說明（11) 在資料記憶體1測試之後被認爲有缺陷之位址固定地 程式化於位址-唯讀記憶體30中。位址-唯讀記憶體30 較佳是一種永久性記憶體。位址-唯讀記憶體30由保險 絲（熔絲）所構成，這些熔絲在該測試過程之後依據有. 缺陷之位址而被燒斷。 位址記憶體22含有許多位址-記憶體暫存器22a至 22g，其分別具有一種旗標位元以指出：位址暫存器22a 至22g之內容是否有效。若在測試之後已辨認：主資料 記憶體2不包含〃有缺陷之資料記憶單元〃，則備用-控制邏輯4被去驅動，其方式是全部之旗標位元保持重 置（reset) ° 第4圖是備用-控制邏輯4之另一實施形式，其中位 址記憶體22之位址-記憶單元22a至22g是一種與位址 匯流排7相連接之相關式（associative)記憶單元以便釋放 此備用-資料記憶體3之相關之備用-資料記憶單元26a 至 26g。 第5圖是本發明資料記憶體之程式化之流程圖，其是 利用各有缺陷之資料記憶單元之位址來進行。 在步驟S0中起始一種記憶體測試。步驟S 1中進行各 陣列及位址記憶體暫存器之起始。步驟S2中施加一種 位址至位址匯流排7且測試資料施加至資料匯流排6。 步驟S3中計算：此種在資料匯流排6中輸出之資料値 是否等於所期望之資料輸出値。若情況如此，則在步驟 S4中決定：此測試是否結束。若主資料記憶體2之測試 -13- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） --------------裝--- (請先閱讀背面之注意事項寫本頁) · -丨線. 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 487921 A7 B7 五、發明說明（u) 流程仍未結束，則在步驟S 5中產生下一個位址且在步 驟S2中重新施加至位址匯流排7。由步驟S2、S3、 S4、S5所構成之回路（loop)對此主資料記憶體2之全部 位址都須進行。 若步驟S 3中已確定：所發出之資料値不等於所期望 之測試資料値，則可確認：主資料記憶體2中相對應之 資料記憶單元是有缺陷的。在步驟S6中檢測：該備用-控制邏輯4中是否仍存在空的位址-記憶體暫存器或相 關式記憶體22a至22g。若備用-控制邏輯4之位址記憶 體22中已塡入這些有缺陷之資料記憶單元之位址且因 此使備用-控制邏輯4中無其它之位址-記憶單元可供使 用，則此種有缺陷之資料記憶體1不可修復，這是因爲 此時產生太多之製程上之缺陷且第5圖所示之流程會在 步驟S7中發出一種指示信號，其顯示：資料記憶體1 之修復不可進行。 若步驟S6中已確定：該備用-控制邏輯4中仍存在空 著的位址-記憶單元22a至22g，則在步驟S8中此種被 認爲有缺陷之位址須寫入位址記憶體22之位址記憶單 元中且需要時設定一種已存在之旗標位元。 步驟S8中使即將施加之測試資料重置（reset)且重新 開始此種測試。 主資料記憶體2中有缺陷之資料記憶單元之位址寫入 該備用-控制邏輯4中之位址記憶體22之位址-記憶單元 2 2a至22g。被視爲有缺陷之位址可來自一種積體化於 -14- ^紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ' (請先閱讀背面之注意事項寫本頁) 裝

11---訂---------線I 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 487921 A7 ____B7___ 五、發明說明（13) 資料記憶體1中之記憶體測試邏輯BIST，一種測試自動 機TA或來自位址-唯讀記憶體30。藉由備用-資料記憶 體3及主資料記憶體2相對於資料匯流排6所形成之並 聯配置以及備用-控制邏輯4及主資料記憶體2相對於位 址匯流排7之並聯配置，則對資料記憶體1之存時間可 大大地縮短。 備用-控制邏輯4和備用-資料記憶體3可以電子組件 以積體方式構成。現有之主資料記憶體2可以簡易之方 式藉由多工器5而與積體組件相接通以設置一種備用之 記憶空間。 在其它較佳之實施形式中，多工器5，備用-控制邏輯 4和備用-資料記憶體3以及位址-唯讀記憶體30積體化 於電子電路中。此種積體組件爲了擴展現有之主資料記 憶體2必須只連接至資料匯流排6，位址匯流排7，控 制匯流排8且經由導線1 7而連接至主資料記憶體2。 符號說明 1…資料記憶體 2…主資料記憶體 備用-資料記憶體 4…備用·控制邏輯 多工器 資料匯流排 位址匯流排 8…控制匯流排 -15- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 請 先 閱 讀 背 面 之 注 意 事 項

經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 487921 A7 B7 五、發明說明（Η) 9…資料讀入線 1 0…位址線 1 1…控制線 12…資料讀入線 14…控制線 1 5…位址線 16…控制線 17…資料讀出線 18…資料讀出線 19…資料線 20···控制線 21…控制線 22…位址記憶單元 2 3…位址比較電路 24…導線 25…導線 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 26…備用-資料記憶單元 27…多工器 28…資料讀出線 29…導線 30…位址-唯讀記憶體 -16- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐）

Claims (1)

1. 487921 5. 1 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 1. (90年5月修正) 種資料記憶體，包括 一個由許多資料記憶單元所構成之主資料記億體 經濟部智慧財產局員工消費合作社印i衣 ⑵， 一個備用-資料記憶體（3)，其由許多備用-資料記億 單兀所構成以取代主資料記憶體（2)之有缺陷之資料 記憶單元， 一種備用-控制邏輯（4)，用來控制此種對備用-資料 記憶體（3)之存取， 其特徵爲：主資料記憶體（2)和備用-資料記憶體（3) 經由資料線（9,12)而並聯至資料匯流排（6);主資料記 憶體（2)和備用-控制邏輯（4)經由位址線（10,15)而並聯 至位址匯流排（7)以便對資料記憶體（1)中之各資料記 憶單元進行定址。 2. 如申請專利範圍第1項之資料記憶體，其中該備用-控制邏輯（4)具有一種位址記憶體（22)，其具有多個位 址-記憶單元（22a-22g)，其可儲存主資料記憶體（2)之有 缺陷之資料記憶單元之位址。 3. 如申請專利範圍第1或第2項之資料記憶體，其中這 些位址記憶單元（22a-22g)是與位址匯流排（7)相連接之 相關式記憶單元CAM。 4. 如申請專利範圍第1或第2項之資料記憶體，其中這 些位址記憶單元（22a-22g)是位址記憶暫存器。 5. 如申請專利範圍第4項之資料記憶體’其中每一個位 址記憶暫存器具有一個旗標位元’其可顯示：此位址 -17- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（2]0 X 297公爱） --------IT--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 90·487921 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 記憶暫存器之內容是否有效。 6. 如申請專利範圍第1或第2項之資料記憶體，其中該 備用-控制邏輯（4)具有多個比較器，其分別與位址記憶 暫存器及位址匯流排（7)相連接且釋放（release)該備用-資料記憶體（3)之所屬之備用-資料記憶單元 (26a-26g)，若此種施加至位址匯流排（7)之位址是與位 址記憶暫存器中所儲存之位址相一致時。 7. 如申請專利範圍第1或第2項之資料記憶體，其中該 備用-控制邏輯（4)控制第一多工器（5)以便由主資料記 憶體（2)或備用-資料記憶體（3)中讀出資料。 8. 如申請專利範圍第6項之資料記億體，其中該備用-控制邏輯（4)控制第一多工器（5)以便由主資料記憶體 (2)或備用-資料記憶體（3)中讀出資料。 9. 如申請專利範圍第1或第2項之資料記憶體，其中主 資料記憶體（2)，備用-資料記憶體（3)和備用-控制邏輯 (4)並聯至控制匯流排（8)以便控制此種對資料記憶體 (1)之讀出-或寫入過程。 10. 如申請專利範圍第2項之資料記憶體，其中位址記 憶體（22)是與可程式化之永久性位址-唯讀記憶體（30) 相連接以便持續地儲存主資料記憶體（2)之有缺陷之 資料記憶單元之位址。 1 1.如申請專利範圍第1或第2項之資料記憶體，其中 ‘ 該備用-控制邏輯（4)控制第二多工器（7)，其在輸入側 是與備用記憶體（3)之備用-資料記憶單元（26a-26g)相 -18- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注咅3事項再填寫本頁)

   487921 緣 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 連接。 1 2·如申請專利範圍第6項之資料記憶體，其中該備用· 控制邏輯（4)控制第二多工器（7)，其在輸入側是與備用 記憶體（3)之備用-資料記憶單元（26a-26g)相連接。 1 3.如申請專利範圍第7項之資料記憶體，其中該備用· 控制邏輯（4)控制第二多工器（7)，其在輸入側是與備用 記憶體（3)之備用-資料元（26a-26g)相連接。 14. 如申請專利範圍第項之資料記億體’其中該 備用資料記憶體（3)之^^資料記憶單元（26a-26g)是 暫存器。 丨聿冷 15. 如申請專利範圍第1或第2項之資料記憶體’其中 主資料記憶體（2)是RAM記憶體。 1 6.如申請專利範圍第1或第2項之資料記憶體，其中 主資料記憶體（2)是SRAM記憶體。 17.如申請專利範圍第1或第2項之資料記憶體，其中 主資料記憶體（2)之有缺陷之資料記憶單元之位址由 一種積體化於資料記憶體（1)中之記憶體-測試邏輯，一 種連接至資料記憶體（1)之測試自動機或由位址-唯讀 記憶體（30)中讀出且寫入位址記憶單元（22a-22g)中。 1 8. —種資料記憶體之測試方法，此資料記憶體之主資 料記憶體（2)具有許多資料記憶體，本方法之特徵爲對 全部之資料記憶單元進行以下各步驟： • U)藉由施加該資料記憶單元之位址至一種與主資 料記憶體（2)相連接之位址匯流排（7)來對資料記憶單 _ -19- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公‘羞） (請先閱讀背面之注咅？事項再填寫本頁)

   487921 篆 5· 16 Α8 Β8 C8 _____D8 六、申請專利範圍 元進行定址（S2); (b) 施加各輸入測試資料至一種與主資料記憶體（2) 相連接之資料匯流排（6)以便測試該已定址之資料記 憶單元； (c) 由已定址之資料記憶單元中讀出該輸出測試資 料（S3); (d) 使這些輸出測試資料與所期望之額定-輸出測試 資料相比較（S3); (e) 若這些輸出測試資料與所期望之額定-輸出測試 資料不一致，則所施加之位址被寫入位址記憶體（22) 之位址記憶單元中（S8)且重新開始此種測試方法，所 寫入之位址保持在儲存狀態中。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

   經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 >2 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐）