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WO1998037257A1 - Bloc d'alimentation pour dispositif de pulverisation cathodique - Google Patents

Bloc d'alimentation pour dispositif de pulverisation cathodique Download PDF

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WO1998037257A1
WO1998037257A1 PCT/JP1998/000693 JP9800693W WO9837257A1 WO 1998037257 A1 WO1998037257 A1 WO 1998037257A1 JP 9800693 W JP9800693 W JP 9800693W WO 9837257 A1 WO9837257 A1 WO 9837257A1
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WO
WIPO (PCT)
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arc discharge
reverse
reverse voltage
sputtering
power supply
Prior art date
Application number
PCT/JP1998/000693
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Noboru Kuriyama
Yutaka Yatsu
Yoshio Kawamata
Takashi Fujii
Original Assignee
Shibaura Mechatronics Corporation
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shibaura Mechatronics Corporation filed Critical Shibaura Mechatronics Corporation
Priority to EP98904391A priority Critical patent/EP1013792B1/en
Priority to DE69841671T priority patent/DE69841671D1/de
Priority to US09/355,492 priority patent/US6416638B1/en
Priority to AT98904391T priority patent/ATE468420T1/de
Publication of WO1998037257A1 publication Critical patent/WO1998037257A1/ja

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Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34Sputtering
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/34Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
    • H01J37/3411Constructional aspects of the reactor
    • H01J37/3444Associated circuits
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/54Controlling or regulating the coating process
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/34Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/02Details
    • H01J2237/0203Protection arrangements
    • H01J2237/0206Extinguishing, preventing or controlling unwanted discharges

Definitions

  • the present invention relates to a power supply device for a sputtering device that forms a thin film on an electronic component, a semiconductor, an optical disc, or the like.
  • a sputtering apparatus using a sputter source in which a magnet is arranged on the back surface of the target.
  • an inert gas such as Ar is introduced as a discharge gas into a vacuum chamber, and a sputtering source is arranged in the vacuum chamber.
  • a sputtering source is arranged in the vacuum chamber.
  • a negative voltage is applied to the sputtering source, a magnetron discharge is generated, the discharge gas introduced into the vacuum chamber is ionized, and the ionized argon positive ion is accelerated.
  • sputter particles are deposited on a substrate to form a thin film made of a target material, and this is called "snottering".
  • the magnetron discharge may change to arc discharge.
  • arc discharge when magnetron discharge shifts to arc discharge, sputtering cannot be performed.
  • a reverse voltage pulse for maintaining the sputter source at a slightly positive potential is applied to suppress the occurrence of the arc discharge.
  • the time interval for applying the reverse voltage pulse was 30 / s or more.
  • the time interval for applying the reverse voltage pulse needs to be a certain time interval due to problems such as protection from destruction due to power loss of the switching element.
  • a reverse voltage pulse when a reverse voltage pulse is applied, a positive voltage is applied to the sputter source, and arc discharge may occur in the reverse direction, for example, from a substrate or the like.
  • arc discharge When a continuous arc discharge is generated by the reverse arc discharge, there is a problem that the substrate is damaged.
  • the present invention has been made in view of the above points, and its object is to prevent a continuous arc discharge from occurring by setting a time interval for applying a reverse voltage pulse to a time interval when an arc discharge is detected.
  • a power supply unit for a sputtering device capable of reliably preventing reverse arc discharge from being generated by this reverse voltage pulse. It is in.
  • an inert gas is introduced into a grounded vacuum chamber, and a negative voltage is applied to a sputter source disposed in the vacuum chamber to generate a snow.
  • DC power supply for applying DC voltage to the above sputtering source in the sputtering equipment
  • a reverse voltage generating means for applying a reverse voltage to the sputter source in order to stop the generation of an arc discharge generated during the sputtering, and a reverse voltage generated by the reverse voltage generating means.
  • Switch means for applying a voltage to the sputter source, arc discharge detection means for detecting the occurrence of arc discharge in the vacuum chamber, and when arc discharge is detected by the arc discharge detection means
  • the switch means is turned on for a set time, and a reverse voltage applying means for applying a reverse voltage generated from the reverse voltage generating means to the sputtering source; and an arc discharge detecting means.
  • the reverse voltage generated by the reverse voltage generation means is applied to the spatter source for a set time, and after the application is completed, the arc discharge detection is performed.
  • a power supply device for a sputtering device comprising:
  • the reverse voltage pulse is applied at intervals of 1 to 10 ⁇ s or less when arc discharge is detected, so that the probability of continuous arc discharge can be significantly reduced. .
  • FIG. 1 is a circuit diagram showing a power supply device for a sputtering device according to a first embodiment of the present invention
  • FIGS. 2A to 2F are timing charts for explaining the operation of the present invention, respectively.
  • FIG. 3 shows a sputtering apparatus according to a second embodiment of the present invention. Circuit diagram showing a power supply device for
  • FIG. 4 is a circuit diagram showing a power supply device for a sputtering device according to a third embodiment of the present invention.
  • FIG. 1 is a circuit diagram showing a power supply device for a sputtering device.
  • 11 is, for example, 800 V snow. It is a DC power supply for the cutting device.
  • DC power source 1 1 of the negative electrode of this is connected to a pulse preparative La one input terminal of Nsu 1 2 of the primary coil 1 2 1 ⁇ beauty secondary coil 1 2 2 as a reverse voltage generating means. ⁇ ratio between the primary coil 1 2 i and the secondary coil 1 2 2 1:. 1 1 Power et 1:. 1 is set to 3.
  • the other end of the primary coil 12 i is connected to an emitter of a transistor Q 1 as switch means.
  • the collector of the transistor Q 1 is connected to the positive terminal of the DC power supply 11.
  • a circuit in which a resistor r 1 and a diode D 1 are connected in series is connected in parallel between both ends of the primary coil 12 L.
  • Resistor 1 is for surge absorption
  • diode D 1 is for flywheel.
  • a large-capacity capacitor C 1 is connected in parallel between the one end of the primary coil and the collector of the transistor Q 1 (or between the two poles of the DC power supply 11). Therefore, a voltage equal to the DC power supply 11 is charged across the capacitor C 1.
  • Reference numeral 15 denotes a vacuum chamber in which a sputter source 14 is disposed. Then, in the vacuum chamber 15, the snow,. A substrate 16 is provided at a position facing the target of the data source 14. An inert gas such as, for example, argon gas is introduced into the vacuum chamber 15.
  • 21 is a DC power supply for the control circuit.
  • a circuit in which a diode D 2 connected in the opposite direction to the resistor r 2 is connected in series is connected in parallel between the two poles of the control circuit DC power supply 21. Further, a resistor r3 is connected between the negative electrode of the DC power supply 11 and a connection point between the resistor r2 and the diode D2.
  • connection point between the resistor r2 and the diode D2 is connected to the signal input terminal of the control CPU 22 (central processing unit) via the resistor r2a.
  • the CPU 22 has a built-in counter 22 c for timing processing.
  • a circuit in which a diode D 3 connected in the opposite direction to the resistor r 4 is connected in series is connected in parallel.
  • One point A on the line to which the other end of the secondary coil of the pulse transformer 12 is connected to one end of one line 13 i of the output cable 13 is connected to the resistor 5. Is connected to the connection point between the resistor r4 and the diode D3.
  • connection point between this resistor r 4 and the diode D 3 is a resistor Connected to the input of shunt trigger circuit 23 via r6.
  • the output of the shot trigger circuit 23 changes to the “0” level and the “1” level. This is because when arc discharge occurs in the vacuum chamber 15, the voltage at point A decreases.
  • the shutdown trigger circuit 23 constitutes a discharge detection means.
  • the output of the shunt trigger circuit 23 is input to the interrupt terminal INT of the CPU 22 and also to one input terminal of the AND circuit 24.
  • a gate control signal a is input from CPU 22 to the other input terminal of the AND circuit 24.
  • control signal b of the CPU 22 is input to one input terminal of the OR circuit 25, and the output of the AND circuit 24 is input to the other input terminal of the OR circuit 25.
  • the gate control signal a outputs a "1" level in a normal state
  • the control signal b outputs a "0" level in a normal state.
  • the output signal c of the OR circuit 25 outputs a "1" level when a reverse voltage pulse is output, and outputs a "0" level when no reverse voltage pulse is output.
  • the output signal c of the OR circuit 25 is input to the gate of the FETQ2 for switching.
  • the source of FETQ2 is connected to the negative electrode of DC power supply 21.
  • the source of the FETQ 2 is connected to one terminal of a primary coil 26 1 of a ruthance 26 via a diode D 4 and a resistor r 7.
  • the other end of this primary coil 26 i is connected to the drain of FETQ 2.
  • the positive terminal of the DC power supply 21 is connected to the source of the ETQ 2 via the resistor r8 and the capacitor C2.
  • connection point between the resistor r 8 and the capacitor C 2 is connected to the intermediate point of the primary coil 26 ⁇ .
  • a resistor r 9 is connected in series, and a capacitor C 3 is connected in parallel.
  • One end of the capacitor C3 is connected to the base of the transistor Q1, and the other end is connected to the emitter of the transistor Q1.
  • the positive electrode of the DC power supply 11 is grounded, and the other line 13 2 (ground side) of the output cable 13 is connected to the vessel of the vacuum vessel 15.
  • the vacuum chamber 15 is evacuated by a vacuum pump (not shown). Then, an Ar gas pulse is introduced into the vacuum chamber 15, and a magnetron discharge is generated by applying a negative voltage of the DC power supply 11 to the snow source 14. By this magnetron discharge, an argon plasma is formed in the discharge space, and the argon positive ions in the plasma are accelerated by a negative voltage difference, so that the source of the snow source 14 The collision with the surface of the target causes the aluminum atoms of the target to evaporate, and a part of the sputter-evaporated aluminum atoms remains on the substrate 16. Sputter deposition is performed to deposit and form a thin film of aluminum.
  • the magnetron discharge generated in the vacuum chamber 15 is generated. If it does not shift to arc discharge, sputtering deposition is continued.
  • the voltage at the point A decreases as shown in FIG. 2A.
  • the voltage at the point A is divided by the resistors r5 and r4 and is input to the Schmitt trigger circuit 23 via the resistor r6, so that the Schmitt trigger circuit 23 is For example, if the voltage at point A exceeds 300 V, it outputs the "0" level, and if it is less than 150 V, it outputs the "1" level to the interrupt terminal INT of the CPU 22 and the AND circuit. Also output to 2 4.
  • the same voltage as that of the DC power supply 11 charged in the capacitor C 1 is applied to the primary coil 12 i of the transformer 12. If the winding ratio between 1 2 i and the secondary coil 12 ⁇ is 1: 1.1, the secondary coil 1 2 2 of the transformer 12 has 1.1 ⁇ ( ⁇ Voltage of the DC power supply 11).
  • a positive voltage of 0.1 mm is applied to the snotter source 14. It will be. That is, the reverse voltage pulse p 1 and the force S are applied from time t 1.
  • the CPU 22 determines from the divided voltage of the resistors r 3 and r 2 that the voltage of the DC power supply 11 exceeds, for example, 300 V, and determines that the voltage exceeds 300 V. Then, the gate control signal a is output at the "1" level (FIG. 2E). On the other hand, when it is determined that the voltage is equal to or lower than 300 V, the gate control signal a is output at the “0” level.
  • CPU 22 detects the occurrence of arc discharge by monitoring the voltage at point A.
  • the voltage at point A indicates, for example, 300 V or more during normal discharge, and 150 V or less during arc discharge.
  • the Schmitt trigger circuit 23 compares the voltage at the point A with the resistors r4 and r5 and the internal operating voltage. If an arc discharge occurs, for example, the point A Outputs "1" level because the voltage becomes 150 V or less. When it exceeds 300 V, it outputs "0" level. Therefore, at the time o when the arc discharge occurs, the Schmitt trigger circuit 23 outputs the “1” level to the I INT of the CPU 22 as shown in FIG. 2B.
  • the CPU 22 resets the counter 22c in synchronization with the rising edge of the "1" signal from the Schmitt trigger circuit 23, and at the same time interrupts the CPU 22. Processing is performed.
  • the CPU 22 sets the signal b to "1" and then sets the gate control signal a to "0" (time t2). Since the gate of the AND circuit 24 is closed by setting the gate control signal a to “0”, the voltage at the point A and the gate drive of the FETQ 2 become irrelevant.
  • the signal b falls to "0" when the set time T has elapsed from the time t0 when the counter 22c starts the timekeeping process (time t3).
  • the signal b falls to "0" when the signal b falls to "0", the two input signals of the OR circuit 25 become “0", and the FETQ 2 is turned off.
  • the voltage on the primary side of the pulse transformer 12 reverses, the voltage on the secondary side also reverses, and the voltage at the point A becomes the sputter voltage (300 V or more). At this time, the voltage at point A oscillates for about 2 ⁇ s due to the straight capacity inductance of the circuit as shown in Fig. 2A.
  • the time from when signal b of CPU 22 falls to the "0" level to when gate control signal a rises to the "1" level is set by counter 22c.
  • the setting time to, for example, 5 ⁇ s, malfunction is prevented.
  • the gate control signal a is set to the “0” level (reverse voltage application control means), so the voltage at point A generated after the output of the OR circuit 25 falls Even if a signal h exceeding the threshold value Vth is generated by the vibration g, it is not erroneously determined that an arc discharge has occurred.
  • the circuit for the reset is the circuit of r 1 and D 1 in the pulse transformer 12.
  • the circuit is D 4, r 7.
  • the resistor r7 it is not possible to set the resistor r7 to a value that is less than the gate withstand voltage of the transistor Q1 and set it shorter than the on-time of the transistor Q2.
  • the voltage and current handled by the transformer 12 are large, increasing the resistance r1 will exceed the withstand voltage of the transistor Q1. If only the withstand voltage of the transistor is used, a countermeasure is taken by connecting a plurality of transistors in series.However, the voltage applied to the sputter source 14 also increases instantaneously. ⁇ Three
  • the reset time was secured by the control circuit that applied the pressure. This reset time was a pause period of 30 ⁇ s or more.
  • the transformer 26 can be operated without magnetic saturation by optimizing the resistance r7, but it is thought that the transformer 12 cannot be used as it is. ,
  • the current in the forward direction is a diode, and the current in the reverse arc discharge is appropriately selected in resistance.
  • a low impedance is connected so that the current of the sputtering discharge flows, and the impedance is higher than this impedance and prevents the reverse arc current in parallel.
  • the impedance it is conceivable to insert a current limiting circuit with a bipolar transistor, IGBT, MOSFET, or the like.
  • the impedance of the reverse arc discharge was about 1 ⁇
  • the impedance, which did not cause arc discharge in the reverse direction was S 200 ⁇
  • the resistance was 100 ⁇ . The effect was great.
  • the resistance of 100 ⁇ is a resistance obtained in a second embodiment described later.
  • the same parts as those in the first embodiment are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof will be omitted.
  • the anodic line 13 is connected to the line 13.
  • the over-de connect the Daio de D 1 0 to mosquitoes Seo one de was connected to a DC power source 1 1 side, the resistance r 1 0 in earthenware pots by bypassing the die O over de D 1 0 connected in parallel
  • the circuit is the same as the circuit in Fig. 1.
  • the resistance r 10 is, for example, about 100 [ ⁇ ] as described above.
  • the sputtering source 14 When a reverse voltage pulse is applied such that a reverse arc discharge is generated from the vacuum chamber 15 toward the sputter source 14 so that the potential becomes a positive potential, a resistor r 10 is provided. I have.
  • the occurrence of reverse arc discharge is suppressed by the resistance r10.
  • the voltage of the source 14 is 0.1 E (80 V). With a resistance of 100 ⁇ at 80 V, only a current of 0.8 A flows, so that it is possible to suppress the occurrence of arc discharge by applying a reverse voltage pulse. . This is evident from the general load characteristics of arc discharge.
  • a resistor r11 and a diode D11 are connected in series between the anode of the diode D10 and the collector of the transistor Q1 in the circuit of FIG.
  • the rest is the same as the circuit in Fig. 3 except for the connected circuit.
  • the reverse voltage applied to the snow source 14 is reduced when the reverse voltage pulse is applied. As a result, the occurrence of reverse arc discharge can be suppressed.
  • the gate control signal a is set to the “1” level 5 ⁇ s after the fall of the reverse voltage pulse, but within l to 10 / is. It may be. This time is optimally within 2 to 5 ⁇ s.
  • the pulse transformer 12 is used as the reverse voltage generating means.
  • an autotransformer may be used.
  • the interval between application of the reverse voltage pulse is set to a time interval of 1 to 10 ⁇ s or less when the arc discharge is detected.
  • the probability of occurrence can be extremely reduced.
  • the winding ratio of the transformer is 1: 1.:! 11: 1.3, so that a reverse voltage pulse 0.1 to 0.3 times the DC power supply can be output from the transformer.
  • the transformer for generating the reverse voltage pulse by designing the voltage-time product of the transformer for generating the reverse voltage pulse to be equal to or more than four pulses, the transformer for generating the reverse voltage pulse is designed. Since magnetic saturation can be eliminated, control loss can be prevented.

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Description

明 細 書
' スパッタ リ ング装置用電源装置
[技術分野]
本発明は電子部品, 半導体, 光ディ スク などへ薄膜を成膜 するス パッタ リ ング装置用電源装置に関する。
[背景技術]
ターゲッ トの裏面に磁石を配置したスパッタ源を用いたス パッタ リ ング装置によ り 半導体、 電子部品、 装飾部品等に薄 膜を形成する技術が普及されている。 このよ う なスパッ タ リ ング装置においては、 真空槽中に放電用ガス と して、 例えば A r のよ う な不活性ガスを導入しておき 、 この真空槽中にス パッタ源を配置し、 このスパッタ源に負の電圧を印加する こ と によってマグネ ト ロ ン放電を発生させ、 真空槽中に導入さ れた放電用ガスをイ オン化し、 こ のイオン化されたアルゴン 正イ オンが加速され、 ス ノ ッ タ源のタ 一ゲ ッ ト表面に衝突 し、 ターゲッ ト表面をスノ ッ タ蒸発させる。 こ のスパッ タ粒 子を基板上に沈着させてタ一ゲッ ト材料からなる薄膜を形成 する よ う にしたものであ り 、 これをスノ ッタ リ ングと言 う。
このス ノ ッ タ リ ングを行っている最中に、 マグネ ト ロ ン放 電がアーク放電に変化して しま う場合がある。 こ の よ う に、 マグネ ト ロ ン放電がアーク放電に移行して しま う と 、 スパ ッ タ リ ングを行う こ と はでき ない。
従って、 アーク放電の発生後ただちに、 上記スパッ タ源を 少 しだけ正の電位に保つよ う な逆電圧パルスを印加して、 ァ ーク放電の発生を抑えている。 従来においては、 この逆電圧パルスを印加する時間間隔は 3 0 / s 以上であった。
と ころで、 逆電圧パルスを印加する時間間隔は、 スィ ッチ ング素子の電力損失による破壊からの保護を行 う などの問題 から、 ある値の時間間隔が必要と されていた。
しかし、 前述したよ う に 3 0 μ s 以上の時間間隔で逆電圧 パルスを印加 した場合でも 、 すぐに連続してアーク放電が発 生して しま う こ と があ り 、 連続アーク放電の発生する確率が 高いとい う 問題があった。
また、 逆電圧パルスを印加 した場合に、 スパッタ源に正の 電圧が印加される こ と にな り 、 逆方向に例えば基板等からァ ーク放電が発生する場合も ある。 この逆方向のアーク放電に よる連続アーク放電が発生する と 、 基板にダメ ージを与える と レ、う 問題があった。
[発明の開示]
本発明は上記の点に鑑みてなされたもので、 その 目的は、 連続アーク放電の発生を防止するために、 逆電圧パルスを印 加する時間間隔を、 アーク放電の発生を検出 した場合には、 :! 〜 1 0 s 以内と し、 し力 も、 この逆電圧パルスによる逆 方向アーク放電の発生を確実に防止する こ とができ るスパ ッ タ リ ング装置用電源装置を提供する こ と にある。
本発明の一態様による と 、 接地した真空槽内に不活性ガス を導入し、 この真空槽内に配置したスパッ タ源に負の電圧を 印加して、 ス ノ、。ッタ リ ングを行 う スパッ タ リ ング装置におい て、 上記スパ ッ タ源に直流電圧を印加する ための直流電源 と 、 上記スパッタ リ ング中に発生するアーク放電の発生を停 止させるために、 上記スパ ッ タ源に逆電圧を印加するための 逆電圧発生手段と 、 上記逆電圧発生手段で発生された逆電圧 を上記スパッ タ源に印加する スィ ツチ手段と 、 上記真空槽内 のアーク放電の発生を検出するアーク放電検出手段と 、 この アーク放電検出手段によ り アーク放電の発生が検出された場 合には、 上記スィ ッ チ手段を設定時間オンさせて、 上記逆電 圧発生手段から発生された逆電圧を上記スパッタ源に印加す るための逆電圧印加手段と 、 上記アーク放電検出手段によ り 上記アーク放電の発生が検出 された場合には、 上記逆電圧発 生手段で発生された逆電圧を上記スパッ タ源に設定時間印加 し、 その印加が終了 した後、 上記アーク放電検出手段によ り アーク放電の発生が再度検出 された場合には、 1 〜 1 0 μ S 以内に上記逆電圧発生手段で発生された逆電圧を上記スパ ッ タ源に印加する逆電圧印加制御手段と を具備 したスパ ッ タ リ ング装置用電源装置が提供される。
従って、 逆電圧パルスを印加する間隔をアーク放電検出時 は、 1 〜 1 0 μ s 以下の時間間隔で行う よ う に したので、 連 続アーク放電の発生確率を極めて低下させる こ とができ る。
[図面の簡単な説明 ]
図 1 は本発明の第 1 の実施例に係わるスパッ タ リ ング装置 用電源装置を示す回路図、
図 2 Αから図 2 F までは本願発明の動作をそれぞれ説明す る ためのタイ ミ ングチヤ一 ト 、
図 3 は本発明の第 2 の実施例に係わるスパッ タ リ ング装置 用電源装置を示す回路図、
図 4 は本発明の第 3 の実施例に係わるスパッ タ リ ング装置 用電源装置を示す回路図。
[発明を実施するための最良の形態]
以下図面を参照して本発明の第 1 の実施例について説明す る。 図 1 はスパッタ リ ング装置用電源装置を示す回路図であ る。 図において、 1 1 は例えば、 8 0 0 Vのス ノ、。ッタ リ ング 装置用直流電源である。 こ の直流電源 1 1 の負極は、 逆電圧 発生手段と してのパルス ト ラ ンス 1 2の一次コイル 1 2 1 及 び二次コイル 1 2 2 の一方の入力端子に接続される。 この一 次コイル 1 2 i と二次コイル 1 2 2 との卷線比は 1 : 1 . 1 力 ら 1 : 1 . 3 に設定されている。
この一次コイル 1 2 i の他端はスィ ッチ手段と しての ト ラ ンジスタ Q 1 のエ ミ ッタに接続されている。 この トラ ンジス タ Q 1 の コ レク タは直流電源 1 1 の正極に接続されている。
さ らに、 一次コイ ル 1 2 L の両端間には、 抵抗 r 1 と ダイ ォー ド D 1 が直列接続された回路が並列に接続されている。 抵抗 1 はサージ吸収用、 ダイオー ド D 1 はフライ ホイ ール 用である。
さ らに、 一次コイル の一端と ト ラ ンジスタ Q 1 のコ レク タ との問 (あるいは直流電源 1 1 の両極間) には、 大容 量のコ ンデンサ C 1 が並列に接続されている。 従って、 この コ ンデンサ C 1 の両端には直流電源 1 1 に等しい電圧が充電 されている。
また、 二次コイル 1 2 2 の他端は出力ケーブル 1 3 内の一 方のライ ン 1 3 i を介 してス ノ、。 ッ タ源 1 4 に接続されて レヽ る。 '
また、 1 5 はスパッタ源 1 4 が配置されている真空槽であ る。 そ して、 こ の真空槽 1 5 中において、 ス ノ、。ッタ源 1 4 の ターゲッ ト と対向する位置に、 基板 1 6 が設置されている。 こ の真空槽 1 5 内には例えばアルゴンガスのよ う な不活性ガ スが導入されている。
と ころで、 2 1 は制御回路用直流電源である。 この制御回 路用直流電源 2 1 の両極間には、 抵抗 r 2 と逆方向に接続さ れたダイォ— ド D 2 が直列接続された回路が並列に接続され ている。 さ らに、 上記直流電源 1 1 の負極と抵抗 r 2 と ダイ オー ド D 2 と の接続点との間には、 抵抗 r 3 が接続されてい る。
また、 抵抗 r 2 と ダイ オー ド D 2 との接続点は抵抗 r 2 aを 介して制御用 C P U 2 2 (中央処理装置) の信号入力端子に 接続されている。 こ の C P U 2 2 には、 計時処理用のカ ウ ン タ 2 2 c が内蔵されてレ、る。
さ らに、 上記直流電源 2 1 の両極間には、 抵抗 r 4 と逆方 向に接続されたダイ ォ— ド D 3 が直列接続された回路が並列 に接続されている。
また、 パルス ト ラ ンス 1 2 の二次コイ ルの他端と 出力ケ一 ブル 1 3 の一方のラ イ ン 1 3 i の一端が接続されたラ イ ン上 の一点 Aは、 抵抗 5 を介 して抵抗 r 4 と ダイ オー ド D 3 と の接続点に接続されている。
さ らに、 この抵抗 r 4 と ダイォ一 ド D 3 との接続点は抵抗 r 6 を介して シユ ミ ッ ト ト リ ガ回路 2 3 の入力に接続 され る。 シュ ッ ト ト リ ガ回路 2 3 は、 点 Aの電圧が下がる と 、 その出力が " 0 " レベル力 ^ら " 1 " レベルに変化する。 これ は真空槽 1 5 内でアーク放電が発生する と 、 A点の電圧が下 がるためである。 こ のシユ ミ ッ ト ト リ ガ回路 2 3 によ り ァー ク放電検出手段が構成される。
このシユ ミ ッ ト ト リ ガ回路 2 3 の出力は、 C P U 2 2 の割 込み端子 INT に入力 される と共に、 アン ド回路 2 4 の一方の 入力端子に入力 される。 こ のアン ド回路 2 4 の他方の入力端 子には C P U 2 2 からゲ一 ト制御信号 a が入力 される。
さ らに、 C P U 2 2の制御信号 b は、 オア回路 2 5 の一方 の入力端子に入力される と共に、 ア ン ド回路 2 4 の出力がォ ァ回路 2 5 の他方の入力端子に入力 される。 このゲ— ト制御 信号 a は通常状態では " 1 " レベルが出力 され、 制御信号 b は通^状態では " 0 " レベルを出力する。
このオア回路 2 5 の出力信号 c は逆電圧パルスを出力する と き には、 " 1 " レベルを、 逆電圧パルスを出力 しなレ、と き には、 " 0 " レベルを出力する。
オア回路 2 5 の出力信号 c は、 スイ ッ チング用 F E T Q 2 のゲー トに入力 される。 この F E T Q 2 の ソー スは直流電源 2 1 の負極に接続されている。
さ らに、 F E T Q 2 のソー スはダイ ォ一 ド D 4及び抵抗 r 7 を介 して ルス ト ラ ンス 2 6 の一次コ イ ル 2 6 1 の一方の 端子に接続されている。 こ の一次コ イ ル 2 6 i の他端は F E T Q 2 の ド レイ ンに接続されている。 また、 直流電源 2 1 の正極は抵抗 r 8 及びコ ンデンサ C 2 を介 して E T Q 2 のソー ス に接続されてレ、る。
この抵抗 r 8 と コ ンデンサ C 2 と の接続点は一次コ イ ル 2 6 { の中間点に接続されている。
また、 ト ラ ンス 2 6 の二次コイ ル 2 6 2 の両端間には、 抵 抗 r 9 が直列にコ ンデンサ C 3 が並列に接続されている。
そ して、 この コ ンデンサ C 3 の一端は上記 ト ラ ンジス タ Q 1 のベースに接続され、 他端は ト ラ ンジスタ Q 1 のエ ミ ッ タ に接続されている。
また、 直流電源 1 1 の正極は接地される と と もに、 出力ケ 一ブル 1 3 の他方のライ ン 1 3 2 (接地側) は真空槽 1 5 の 槽体に接続されている。
次に、 上記のよ う に構成された第 1 の実施例の動作につい て説明する。 まず、 真空槽 1 5 を図示しない真空ポンプで真 空にする。 そ して、 この真空槽 1 5 内に A r ガスパルスを導 入して、 ス ノ、 "ッ タ源 1 4 に、 直流電源 1 1 の負の電圧を印加 させてマグネ ト ロ ン放電を発生させる。 このマグネ ト ロ ン放 電によ り 、 放電空間にアルゴンプラズマが形成される。 この プラズマ中のアルゴン正ィ オンが負の電圧差で加速され、 ス ノ、。ッ タ源 1 4 のタ一ゲッ トの表面に衝突する。 この衝突によ り 、 ターゲッ トのアルミ ニ ウム原子は蒸発する。 そ して、 ス パッタ蒸発したアル ミ ニ ウ ム原子の一部が基板 1 6 上に沈着 し、 アルミ ニ ウ ムの薄膜を形成する スパ ッ タ 蒸着が行われ る。
そ して、 真空槽 1 5 内で発生しているマグネ ト ロ ン放電が アーク放電に移行しなければ、 継続してスパ ッ タ蒸着が行わ れる。
と ころで、 真空槽 1 5 で発生しているマグネ ト ロ ン放電が アーク放電に移行する と 、 図 2 Aに示すよ う に A点の電圧が 下がる。 A点の電圧は、 抵抗 r 5 , r 4 で分圧され抵抗 r 6 を介してシュ ミ ッ ト ト リ ガ回路 2 3 に入力されているため、 シュ ミ ッ ト ト リ ガ回路 2 3 は例えば A点の電圧が 3 0 0 Vを 超える と " 0 " レベルを、 1 5 0 V以下の場合には " 1 " レ ベルを C P U 2 2の割込み端子 INT に出力する と共に、 ア ン ド回路 2 4 にも出力する。
アン ド回路 2 4 の他方の入力端子に入力されているゲー ト 制御信号 a は通常状態では " 1 " レベルが入力 されているた め、 ア ン ド回路 2 4 の出力は " 1 " レベルに立ち上がる。 こ の信号はオア回路 2 5 を介 して F E T Q 2のゲ一 トに入力さ れる。 このため、 F E T Q 2 がオンする。
そ して、 ノヽ。ル ス ト ラ ン ス 2 6 の一次コィノレ 2 6 丄 にノヽ。ノレス 電圧が印加され、 その二次コ イ ル 2 62 から出力されるパル ス電圧は ト ラ ンジス タ Q 1 のゲ一 トに印加される。
ト ラ ンス 1 2 の一次コイル 1 2 i には、 コンデンサ C 1 に 充電されている直流電源 1 1 と同 じ電圧が印加されてお り 、 仮 り に ト ラ ンス 1 2 の一次コ イ ル 1 2 i と二次コイ ル 1 2 Π と の巻線比を 1 : 1 . 1 に した場合、 ト ラ ンス 1 2の二次コ ィ ル 1 22 には、 1 . 1 Ε ( Εは直流電源 1 1 の電圧) の電 圧が発生する。
従って、 ス ノ ッタ源 1 4 には 0 . 1 Εの正の電圧が印加さ れる こ と になる。 つま り 、 時刻 t 1 から逆電圧パルス p 1 力 S 印加される。
この逆電圧パルス p 1 の印力 0によ り 、 ス ノ、。ッ タ源 1 4 が正 の電圧に保たれるため、 アーク放電は消える。
C P U 2 2 は、 直流電源 1 1 の電圧が例えば 3 0 0 Vを越 えてレ、る こ と を抵抗 r 3 , r 2 の分圧電圧から判定し、 3 0 0 Vを越えている と判定する と 、 ゲー ト制御信号 a を " 1 " レベルで出力する (図 2 E ) 。 一方、 3 0 0 V以下である と 判定した場合には、 ゲー ト制御信号 a を " 0 " レベルで出力 する。
また、 C P U 2 2 は A点の電圧をモニタする こ と によ り 、 アーク放電の発生を検出 している。 この A点の電圧は、 例え ば正常放電時は 3 0 0 V以上を示し、 アーク放電時には 1 5 0 V以下と なる。
シュ ミ ッ ト ト リ ガ回路 2 3 は、 A点の電圧を抵抗 r 4 , r 5 で分圧した電圧と 内部動作電圧と を比較し、 アーク放電が 発生していれば、 例えば A点の電圧が 1 5 0 V以下と なるた め、 " 1 " レベルを出力する。 また、 3 0 0 V を超え る と " 0 " レベルを出力する。 従って、 アーク放電が発生する時 刻 o で、 図 2 B に示すよ う にシュ ミ ツ ト ト リ ガ回路 2 3 は " 1 " レベルを C P U 2 2 の I N Tに出力する。
シュ ミ ッ ト ト リ ガ回路 2 3 の出力力 S " 1 " レベル と なる と 、 ゲー ト制御信号 a が " 1 " レベルであるので、 ア ン ド回 路 2 4 の論理が成立する。 このため、 制御信号 b の出カ レべ ルにかかわらず、 オア回路 2 5 の出力信号 c は " 1 " レベル と なる (図 2 D ) 。
このオア回路 2 5 の出力信号。 の " 1 " レベルは F E T Q 2 のゲー トに入力 されてレ、るため、 F E T Q 2 がオンする。 この F E T Q 2 がオンする と 、 パルス ト ラ ンス 2 6 が励磁 される。 この結果、 ノ、。ルス ト ラ ンス 2 6 の二次コイル 2 6 n か らパルス電圧が ト ラ ンジス タ Q 1 のベー ス に出力され、 ト ラ ンジスタ Q 1 がオンする。 これによ り 、 ノ ルス ト ラ ンス 1 2 から逆電圧パルス p 1 が出力される (逆電圧印加手段) 。 こ こ で、 パルス ト ラ ンス 2 6 も 1 2 も決められた電圧 · 時 間積 ( E T積) しか信号を伝達できないので、 電圧 · 時間積 に達する前に F E T Q 2 のゲ一 ト駆動を止めて リ セ ッ ト動作 に移行する必要がある。 すなわち、 A点の電圧は、 シュ ミ ツ ト ト リ ガ回路 2 3 の判定レベル以下であるので、 C P U 2 2 を用いてパルス動作に してやる必要があるからである。
まず、 C P U 2 2 はシュ ミ ッ ト ト リ ガ回路 2 3 力 ら の " 1 " 信号の立ち上が り に同期 して、 カ ウ ンタ 2 2 c を リ セ ッ トする と 同時に割 り 込み処理が行われる。
この割 り 込み処理では、 C P U 2 2 は信号 b を " 1 " にし てから、 ゲー ト制御信号 a を " 0 " にする (時刻 t 2 ) 。 こ のゲー ト制御信号 a を " 0 " に したこ と によ り 、 アン ド回路 2 4 のゲー ト は閉 じるので、 A点の電圧と F E T Q 2 のゲー ト駆動は無関係と なる。
そ して、 カ ウ ンタ 2 2 c が計時処理を開始した時刻 t 0 か ら設定時間 T経過したら信号 b を " 0 " に立ち下げる (時刻 t 3 ) 。 このよ う に信号 b 力; " 0 " に立ち下がる と 、 オア回路 2 5 の 2つの入力信号はいずれも " 0 " と なるため、 F E T Q 2 はオフする。
この よ う に F E T Q 2 がオフする と 、 ノ、。ルス ト ラ ンス 2 6 の一次コイル 2 6 i を流れていた電流は、 フライ ホイ ールダ ィ オー ド D 4 , 抵抗 r 7 , コイル 2 6 } を通ってコ ンデンサ C 2 に逆流し、 二次コイル 2 6 n には逆電圧が発生する。 こ の結果、 ト ラ ンジス タ Q 1 のゲー ト電圧は逆転し、 ト ラ ンジ スタ Q 1 はオフする。
ト ラ ンジス タ Q 1 がオフする と 、 パルス ト ラ ンス 1 2 の一 次コイル 1 2 i に流れていた電流はフライ ホイ ールダイ ォー ド D 1 と抵抗 r 1 と一次コイル 1 2 i を循環する。
そ して、 パルス ト ラ ンス 1 2 の一次側の電圧が逆転するた め、 二次側の電圧も逆転し、 A点の電圧はスパッタ電圧 ( 3 0 0 V以上) と なる。 この時、 回路のス ト レ一 トキャパシテ ィゃイ ンダク タ ンスによ り 図 2 Aに示すよ う に 2 μ s 程度 A 点の電圧が振動する。
図 2 F に示すよ う に C P U 2 2 の信号 b を " 0 " レベルに 立ち下げてから、 ゲー ト制御信号 a を " 1 " レベルに立ち上 げるまで時間をカ ウンタ 2 2 c の設定によ り 例えば 5 μ s の 設定時間にする こ と によ り 、 誤動作を防止する。
そして、 カ ウンタ 2 2 c によ り設定時間が計時される と、 ゲー ト制御信号 a を図 2 Ε に示すよ う に " 1 " レベルに立ち 上げる よ う に してレ、る。
このよ う に、 オア回路 2 5 の出力が立ち下がる時刻 t 3 か 2
ら 5 μ s の間はゲー ト制御信号 a を " 0 " レベルとする よ う に した (逆電圧印加制御手段) ので、 オア回路 2 5 の出力が 立ち下がってから発生する A点の電圧の振動 g によ り 閾値 V t hを越える信号 hが発生してもアーク放電が発生したと誤判 定する こ と はな く なる。
つま り 、 こ の振動 g によ り シュ ミ ツ ト ト リ ガ回路 2 3 の出 力力; " 1 " レベルに変化した場合でも、 ゲー ト制御信号 a を " 0 " レベルに してレ、る ため、 F E T Q 2 をオン させる こ と はない。
こ の回路を動作させる場合の問題点は、 ト ラ ンスを用いて いるため決め られた電圧 · 時間積しか ト ラ ンス と して動作さ せられない点である。 その電圧 · 時間積に達する前に逆電圧 を ト ラ ンス に印加し鉄心の磁化状態を リ セ ッ ト してやらなけ れば次のパルス電圧を印加出来ない点である。
その リ セ ッ 卜 のための回路がパルス ト ラ ンス 1 2 では、 r 1 , D 1 の回路であ り 、 ノ、。ルス ト ラ ンス 2 6 では D 4 , r 7 の回路である。 印加する逆電圧が高いほどリ セ ッ ト時間は早 く なるので、 ノ、。ルス ト ラ ンス 2 6 では ト ラ ンジス タ Q 1 のゲ 一 ト耐電圧以下と なる大き な値に抵抗 r 7 を選んで ト ラ ンジ ス タ Q 2 のオン時間よ り短く 設定する こ と は可能であるが、 ト ラ ンス 1 2 では取り扱つている電圧 · 電流が大きいので抵 抗 r 1 を大き く する と ト ラ ンジス タ Q 1 の耐電圧を越えて し ま う 。 ト ラ ンジス タ の耐電圧だけであれば ト ラ ンジス タ を複 数個直列接続して対策 しているが、 スパッタ源 1 4 にかかる 電圧も瞬時に大き く なるので、 従来はアーク放電遮断の ^電 3
圧を印加する制御回路でリ セ ッ ト時間を確保していた。 この リ セ ッ ト時間が 3 0 μ s 以上の休止期間であった。
実際に従来の回路を使用 してスパッタする と 、 通常はァー ク放電を十分抑制しているが、 時々抑制 しきれない場合があ る こ と が判明 した。 それは、
1 . アーク放電が発生してから逆電圧パルスまでの時間が 長いとア ー ク放電が成長して しま っていて逆電圧パルスが終 わってもすぐにアーク放電になって しま う ため、 連続アーク 放電になる。
2 . そこで、 逆電圧パルス終了後、 次のパルスを出すまで の休止時間を短く していく と 1 5 μ s 位から効果が表れてき て 5 μ s 以下にする と逆方向アーク放電が発生しない限り逆 電圧パルス終了後すぐにはアーク放電にな らないこ と が判つ た。
3 . この場合、 ト ラ ンス 2 6 は抵抗 r 7 を最適化する こ と によ り磁気飽和 させないで動作可能であるが、 ト ラ ンス 1 2 はそのままではだめである と考え られていたが、
4 . リセ ッ ト時間が取れないのは連続アーク放電の場合だ けであるので、 逆方向アーク放電防止回路を入れて 2 パルス 以上の連続アーク放電の発生を無く すこ と と 、 ト ラ ンス 1 2 の電圧 · 時間積を 4ノ、。ルス分以上に設計する こ と によ り ト ラ ンス 1 2 を磁気飽和させないで使える こ と が判明 した。
電気回路的に考える と、 従来の様に ト ラ ンスの電圧 . 時間 積を リ セ ッ トするための休止時間を確保するのが正論である が、 アーク放電防止回路の場合、 休止時間をどのタイ ミ ング 4
でアーク放電が発生するかで逆電圧パルスの効果が変わって しまい、 ナーク放電を大き く してからでは逆電圧パルスが効 かなく なるので、 休止時間を短く して行った方が連続アーク 放電の発生が押さえ られ、 結果と して リ セ ッ ト時間が確保さ れたわけである。
また、 連続アーク放電と なる場合は 2通 り あ り 、 アーク放 電が発達して しまって逆電圧パルスの効果が無く なって しま つた場合と 、 逆電圧パルスを印加 した時逆方向電圧で発生す るアーク放電でこの逆方向のアーク放電が起こった場合逆電 圧パルス終了後、 ほとんどの場合順方向のアーク放電と なつ て しま う。 つま り 、 休止期間を短く していった場合の連続ァ ーク放電の要因は逆方向のアーク放電であるので、 逆方向の アーク放電を防止する こ と によ り連続アーク放電を防止する こ とが可能である。
逆方向アーク放電を防止する方法は、
1 . 逆電圧を下げる。
a ) ト ラ ンスの巻き数比を変化させる
b ) ス ノ ッ タ源に並列に電流を流す。 抵抗値やツ ユナ一 ダイ オー ドで電圧を制限する
2 . 逆電圧印加時に流れる電流を制限する
c ) 順方向の電流はダイ オー ドで、 逆方向アーク放電の 電流は抵抗値を適当に選ぶ。
具体的には、 順方向はスパッタ リ ング放電の電流を流すよ う に低いィ ン ピ一ダンスを接続し、 このィ ンピ一ダンス よ り 高く 、 かつ並列に逆方向アーク電流を防止するイ ンピーダン 5
スを接続する。
d ) そ して、 イ ンピーダンス と してバイ ポーラ ト ラ ンジ スタ、 I G B T 、 M O S F E T等で電流制限回路を入れる などが考え られる。 今回は、 逆方向アー ク放電のイ ンピー ダンスが 1 Ω程度、 逆方向時のアーク放電に成らないィ ンピ —ダンス力 S 2 0 0 Ωであったこ と力 ら 1 0 0 Ωの抵抗と した 所効果が絶大であった。 なお、 この 1 0 0 Ωの抵抗について は後述する第 2 の実施例ででてく る抵抗である。
次に、 本発明の第 2の実施例について図 3 を参照して説明 する。 この第 2 の実施例において、 第 1 の実施例と同一部分 には同一番号を付し、 その詳細な説明については省略する。 この第 2 の実施例においては、 図 1 の第 1 の実施例の A点と 出力ケーブル 1 3 の一方のライ ン 1 3 t の端部との間に、 ラ イ ン 1 3 ェ 側にアノ ー ドを、 直流電源 1 1 側にカ ソ一 ドを接 続したダイォー ド D 1 0 を接続し、 このダイ ォー ド D 1 0 を バイ パスする よ う に抵抗 r 1 0 を並列接続する よ う に したの みで、 他は図 1 の回路と同様である。 また、 抵抗 r 1 0 は、 前述したよ う に例えば 1 0 0 [ Ω ] 程度である。
このよ う にダイオー ド D 1 0 と抵抗 r 1 0 の並列回路を接 続しておく こ と によ り 、 真空槽 1 5 内でマグネ ト ロ ン放電が 発生して、 スパッタ リ ングが行われている場合には、 マグネ ト ロ ン放電によ る電流はダイ オー ド D 1 0 の順方向 (つま り 、 アノ ー ドから力 ソー ドに向けて) に流れるので、 抵抗 r 1 0 の影響は起こ らない。
し力 し、 第 1 の実施例で説明 したよ う に、 スパッタ源 1 4 を正の電位とする よ う に、 逆電圧パルスを印加する と 、 真空 槽 1 5 からスパッタ源 1 4 に向けて逆方向アーク放電が発生 する場合を想定して、 抵抗 r 1 0 を設けている。
この抵抗 r 1 0 によ り 逆方向アーク放電の発生を抑制 して いる。 直流電源 1 1 の電圧を例えば 8 0 0 V と した場合に、 逆電圧パルス が印力 Π される と き のス ノ、。 ッ タ源 1 4 の電圧は 0 . 1 E ( 8 0 V ) と なる。 この 8 0 Vで 1 0 0 Ω の抵抗と する と 、 0 . 8 Aの電流しか流れないので、 逆電圧パルスを 印加する こ と によるアーク放電が発生する こ と を抑制する こ とができ る。 このこ と は、 アーク放電の一般的な負荷特性か ら も明 らかである。
次に、 本発明の第 3 の実施例について、 図 4 を参照 して説 明する。 この第 3 の実施例では、 図 3 の回路のダイオー ド D 1 0 のアノ ー ドと ト ランジスタ Q 1 のコ レク タ との間に、 抵 抗 r 1 1 と ダイ オー ド D 1 1 を直列接続した回路を接続した のみで、 他は図 3 の回路と 同様である。
上記のよ う に、 抵抗 r 1 1 と ダイオー ド D 1 1 を設ける こ と によ り 、 逆電圧パルスを印カ卩したと きにス ノ、 "ッタ源 1 4 に かかる逆電圧を下げる こ とができ るため、 逆方向アーク放電 が発生する こ と を抑制する こ とができ る。
なお、 上記第 1 乃至第 3 の実施例の説明では、 逆電圧パル スが立ち下がってから 5 μ s でゲー ト制御信号 a を " 1 " レ ベルと したが、 l 〜 1 0 /i s 以内であっても良い。 また、 こ の時間は、 最適には 2 〜 5 μ s 以内である。
なお、 上記実施例で用いられている回路を用いて化成スパ ッ タする と 、 アーク放電がほぼ一定周期で発生し、 それを完 全に遮断するのでアーク放電対策上は問題はないが、 ターゲ ッ トの消耗やプロセス条件によ り アーク放電発生周期が変化 するので、 スパッタ電力が変化して しまいプロ セスの再現性 の面では不都合である。
この場合、 アーク放電の発生周期よ り短い周期でアーク放 電の検出に関わ らず逆電圧パルスを印加する と 、 スパッ タ時 間に対する遮断時間が一定の割合とな り 、 プロ セスが安定す る。
上記した実施例においては、 逆電圧発生手段と してパルス ト ランス 1 2 を用レ、る よ う したが、 オー ト ト ラ ンスを用いる よ う に しても良い。
(発明の効果)
請求の範囲 1 に記載の発明によれば、 逆電圧パルスを印加 する間隔をアーク放電検出時は、 1 〜 1 0 μ s 以下の時間間 隔で行 う よ う に したので、 連続アーク放電の発生確率を極め て低下させる こ とができ る。
請求の範囲 2及び 3 に記載の発明によれば、 逆電圧パルス を印加 したと き に、 逆方向アーク放電が発生した際にアーク 放電電流を抑制する よ う に順方向イ ンピーダンス よ り 大き く かつ並列に逆方向ィ ンピーダンスを設けたので、 逆方向のァ —ク放電が発生するのを抑制する こ とができ るため、 連続ァ ーク放電の発生確率を極めて低下させる こ とができる。
請求の範囲 4 に記載の発明によれば、 逆電圧パルスを印加 したと きに、 真空槽 (スパッ タ源) 側を流れる電流と ダイォ ー ド D 1 1 側を流れる電流を抵抗値 r 1 1 によ り調整でき る ので基板 Tーク放電による基板ダメ 一ジを防止する こ と がで き る。
請求の範囲 5 及び 6 に記載の発明によれば、 ト ラ ンスの巻 線比を 1 : 1 . :! 〜 1 : 1 . 3 とする よ う に したので、 直流 電源の 0 . 1 〜 0 . 3倍の逆電圧パルスを ト ラ ンスから出力 させる こ とができ る。
請求の範囲 7 に記載の発明によれば、 逆電圧パルスを発生 させる ト ラ ンスの電圧 · 時間積を 4 パルス分以上に設計する こ と によ り 、 逆電圧パルスを発生させる ト ラ ンスの磁気飽和 を無く すこ と ができ るので、 制御不能を防止する こ と ができ る。

Claims

請 求 の 範 囲
1 . 接地した真空槽内に不活性ガスを導入し、 この真空槽 内に配置したスパッ タ源に負の電圧を印加して、 スパッ タ リ ングを行う スパッタ リ ング装置において、
上記スパッ タ源に直流電圧を印加するための直流電源と 、 上記スパッ タ リ ング中に発生するアーク放電の発生を停止 させるために、 上記スパッ タ源に逆電圧を印加するための逆 電圧発生手段と 、
上記逆電圧発生手段で発生された逆電圧を上記スパッ タ源 に印加する スィ ツチ手段と 、
上記真空槽内のアーク放電の発生を検出するアーク放電検 出手段と、
このアーク放電検出手段によ り アーク放電の発生が検出さ れた場合には、 上記スィ ッチ手段を設定時間オンさせて、 上 記逆 ¾圧発生手段から発生された逆電圧を上記スパッ タ源に 印加するための逆電圧印加手段と 、
上記アーク放電検出手段によ り 上記アーク放電の発生が検 出された場合には、 上記逆電圧発生手段で発生された逆電圧 を上記スパッ タ源に設定時間印加 し、 その印加が終了 した 後、 上記アーク放電検出手段によ り アーク放電の発生が再度 検出 された場合には、 1 〜 1 0 μ S以内に上記逆電圧発生手 段で発生された逆電圧を上記スパッタ源に印加する逆電圧印 加制御手段と を具備 したこ と を特徴とするスパッタ リ ング装 置用電源装置。
2 . 上記逆電圧発生手段と 上記スパッタ源と の間に、 スパ ッ タ リ ング放電の電流を流す方向に接続された順方向イ ンピ —ダンス 、
この順方向イ ンピーダンス よ り 大き く 、 かつ並列に接続さ れた逆方向のアーク放電の発生を防止する逆方向イ ンピーダ ンスからなる逆方向アーク放電防止回路を設けたこ と を特徴 とする請求の範囲 1 に記載のスパ ッ タ リ ン グ装置用電源装 置。
3 . 上記逆方向アーク放電防止回路において、 順方向イ ン ピ一ダンスがダイォー ドで、 逆方向イ ン ピーダンスが抵抗か らなる こ と を特徴とする請求の範囲 2 に記載のスパッ タ リ ン グ装置用電源装置。
4 . 上記逆方向アーク放電防止回路のス パッタ源側と 上記 直流電源の正極側との間に、 ダイオー ドのアノ ー ド側から上 記直流電源の正極側に向けて電流を流すよ う に接続された第
2 のダイ ォー ドと、 この第 2 のダイォ一 ドに抵抗を直列に接 続したこ と を特徴とする請求の範囲 2 に記載のスパッ タ リ ン グ装置用電源装置。
5 . 上記逆電圧発生手段は、 一次側に上記直流電源が接続 され、 二次側が上記ス パッ タ源に接続されるパルス ト ラ ンス であ り 、 このパルス ト ラ ンスの一次側と二次側の卷線比は、
1 : 1 . 1 〜 1 : 1 · 3 である こ と を特徴とする請求の範囲 1 乃至請求の範囲 4 の う ちいずれか一記載のスパッタ リ ング 装置用電源装置。
6 . 上記逆電圧発生手段は、 一次側に上記直流電源が接続 され、 二次側が上記ス パッ タ源に接続されるオー ト ト ラ ンス 2
であ り 、 このオー ト ト ランスの一次側と二次側の卷線比は、 1 : 1 . 1 〜 : 1 : 1 . 3 である こ と を特徴とする請求の範囲 1 乃至請求の範囲 4 の う ちいずれか一記載のスパッタ リ ング 装置用電源装置。
7 . 上記逆方向アーク放電防止回路によ り 、 上記真空槽内 に 2 パルス以上の連続アーク放電の発生を無く すと と もに、 上記逆電圧発生手段である ト ラ ンスの電圧 · 時間積を 4 パル ス分以上とする こ と によって、 上記 トラ ンスを磁気飽和させ ないよ う にしたこ と を特徴とする請求の範囲 2 乃至請求の範 囲 6 の う ちいずれか一記載のスパ ッ タ リ ング装置用電源装 置。
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