[go: up one dir, main page]

WO1999005565A1 - Affichage a cristaux liquides, procede de fabrication d'un tel affichage, et materiel electronique - Google Patents

Affichage a cristaux liquides, procede de fabrication d'un tel affichage, et materiel electronique Download PDF

Info

Publication number
WO1999005565A1
WO1999005565A1 PCT/JP1998/003244 JP9803244W WO9905565A1 WO 1999005565 A1 WO1999005565 A1 WO 1999005565A1 JP 9803244 W JP9803244 W JP 9803244W WO 9905565 A1 WO9905565 A1 WO 9905565A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
liquid crystal
crystal device
substrate
electrode
pixel electrode
Prior art date
Application number
PCT/JP1998/003244
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Kazuo Oike
Yoshio Yamaguchi
Naoki Makino
Original Assignee
Seiko Epson Corporation
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Seiko Epson Corporation filed Critical Seiko Epson Corporation
Priority to JP50210699A priority Critical patent/JP3538844B2/ja
Priority to US09/269,039 priority patent/US6618100B2/en
Publication of WO1999005565A1 publication Critical patent/WO1999005565A1/ja

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1343—Electrodes
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1343—Electrodes
    • G02F1/13439—Electrodes characterised by their electrical, optical, physical properties; materials therefor; method of making
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1345—Conductors connecting electrodes to cell terminals
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/133354—Arrangements for aligning or assembling substrates
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136209—Light shielding layers, e.g. black matrix, incorporated in the active matrix substrate, e.g. structurally associated with the switching element

Definitions

  • Liquid crystal device manufacturing method of liquid crystal device and electronic equipment
  • the present invention relates to a liquid crystal device that displays a visible image such as characters and numerals by modulating light by controlling the orientation of liquid crystal.
  • the present invention relates to an electronic device including the liquid crystal device.
  • the present invention relates to a manufacturing method for manufacturing such a liquid crystal device. Background art
  • liquid crystal devices have been used for visible image display sections of car navigation systems, portable electronic terminals, and other various electronic devices.
  • this liquid crystal device a plurality of pairs of a pixel electrode and a non-linear element are formed on a device substrate, a counter electrode and, if necessary, a color filter are formed on a counter substrate, and the device substrate and the counter substrate are connected to each other.
  • a liquid crystal is sealed in a cell gap formed between both substrates by bonding.
  • a liquid crystal device using a MIM (Metal Insulator Metal) element as a non-linear element, which is a typical example of a thin film diode (TFD) element
  • MIM Metal Insulator Metal
  • TFD thin film diode
  • the pattern structure around the element has been configured, for example, as shown in FIG. That is, a wiring line 82 and a first electrode 83 are formed on a glass substrate 81, an anodic oxide film 84 is formed thereon, and a second electrode 83 is formed on the anodic oxide film 84.
  • a wiring line 82 and a first electrode 83 are formed on a glass substrate 81
  • an anodic oxide film 84 is formed thereon
  • a second electrode 83 is formed on the anodic oxide film 84.
  • the MIM element 87 as a non-linear element is formed by the laminated structure of the first electrode 83, the anodic oxide film 84 and the second electrode 86.
  • the pixel electrode 88 is formed so as to overlap the tip of the second electrode 86 of the MIM element 87.
  • the pixel electrode 88 is generally formed by a photolithography process. Specifically, first, an ITO (Indium Tin Oxide) film having a uniform thickness is formed on the glass substrate 81 by sputtering or the like, and then the unnecessary pattern is removed by removing unnecessary ITO by an etching process. A pixel electrode 88 having a shape is formed.
  • the problem here is that when the IT0 film is formed on the glass substrate 81 by sputtering or the like, as shown in FIG. 7, the 1st film 8 of the portion overlapping the second electrode 86 of the MIM element 8 ′ does not completely adhere to the second electrode 86, and a gap G is formed between them.
  • liquid crystal devices include an active matrix type liquid crystal device in which a non-linear element is attached to each pixel and a simple matrix type liquid crystal device in which such a non-linear element is not used.
  • an active matrix type liquid crystal device an element substrate on which a non-linear element and a transparent pixel electrode are formed and an opposing substrate on which an opposing electrode is formed are bonded to each other, and a liquid crystal is formed in a cell gap formed between the two substrates. Is enclosed.
  • the element substrate and the counter substrate are not formed one by one, but are formed plurally in a large-area substrate base material.
  • Liquid crystal panels are manufactured simultaneously.
  • an alignment mark is formed in an appropriate position on the substrate base material, and both substrate base materials are aligned so that the alignment marks match.
  • an image pickup device such as a CCD camera is used to check the inside of the liquid crystal panel. Inspect whether the bonding state is proper by photographing one pixel part and displaying it on a screen such as a CRT monitor, or observing one pixel part with a microscope are doing.
  • the outer peripheral line of the transparent pixel electrode on the element substrate side is compared with a predetermined reference mark on the counter substrate side, for example, the peripheral line of the opening of the black matrix, and they are properly positioned. It was determined whether or not the bonding state of the element substrate and the counter substrate were good or not. If the product was good, it was shipped as a product, and if it was defective, it was discarded.
  • the transparent pixel electrode formed on the element substrate side is almost colorless and transparent, an accurate inspection can be performed in a short time in a conventional liquid crystal device which is visually inspected based on the transparent pixel electrode. It was very difficult.
  • the present invention has been made in view of the above-described problems, and has an object to increase productivity of a liquid crystal device by providing an appropriate member on a peripheral portion of a pixel electrode. .
  • a first object of the present invention is to provide an appropriate member at a peripheral portion of a pixel electrode to cause a contact failure between the nonlinear element and the pixel electrode due to an etching process. This is to prevent point defects from occurring in the visible image display area of the liquid crystal device.
  • a second object of the present invention is to provide an appropriate member at a peripheral portion of a pixel electrode.
  • it is an object of the present invention to accurately and visually inspect the displacement between the element substrate and the counter substrate in a short time. Disclosure of the invention
  • a liquid crystal device is a liquid crystal device comprising: a plurality of pixel electrodes; and a non-linear element including an element-side electrode connected to the pixel electrodes.
  • the element-side electrode has a pattern shape along the edge of the pixel electrode.
  • the element-side electrode in the portion where the pixel electrode overlaps has a pattern shape along the edge of the pixel electrode. Therefore, when the ITO film is etched to form the pixel electrode, It is possible to prevent the etchant from entering between the electrode and the ITO film, and thus to prevent disconnection between the two.
  • the element-side electrode is provided in an annular frame shape along the entire edge of the pixel electrode. In this way, the flow of the etching solution can be suppressed as much as possible, so that the occurrence of disconnection can be more reliably prevented.
  • the outer dimensions of the element-side electrode be larger than the outer dimensions of the pixel electrode. This makes it possible to more reliably prevent infiltration of the etching solution.
  • an electronic apparatus includes an electronic device including the liquid crystal device having the above configuration and a control unit that controls the operation of the liquid crystal device.
  • Equipment Such electronic devices include, for example, force navigation systems, portable terminal devices, and other various electronic devices.
  • the liquid crystal device comprises an element substrate having a non-linear element and a transparent pixel electrode formed on a substrate, and a liquid crystal device facing the element substrate.
  • a liquid crystal device comprising: It is characterized by having a mark which overlaps at least a part of the outer peripheral edge of the pole in a plane and has higher light shielding property than the transparent pixel electrode.
  • the mark overlaps at least a part of the outer peripheral edge with respect to the transparent pixel electrode, the mark provided on the element substrate and the reference mark on the opposite substrate are visually compared. This makes it possible to determine whether the positional relationship between the element substrate and the counter substrate is appropriate.
  • the mark is formed as a mark having higher light-shielding properties than the transparent pixel electrode, it is easy to recognize visually, and thus accurate judgment can be made in a short time.
  • the marks are provided at least at two places at diagonal corners of the transparent pixel electrode, and that the marks are substantially perpendicular to each other along two sides adjacent to the corners. It is desirable to have two branches extending in the direction. If the mark is provided at two points on the diagonal corners of the transparent pixel electrode, a predetermined area on the opposite substrate side facing the transparent pixel electrode, for example, the opening of the black matrix, is positioned with respect to the transparent pixel electrode. If it shifts up, down, left or right, the shift can be determined.
  • the displacement of the opening or the like with respect to the transparent pixel electrode can be determined in any of the upper, lower, left, and right directions. Can be easily and accurately recognized.
  • the mark can be provided in a frame shape along the entire outer peripheral edge of the transparent pixel electrode.
  • the displacement can be determined over the entire outer periphery of the transparent pixel electrode, so that an even simpler and more accurate inspection can be performed.
  • some liquid crystal devices have a structure in which a non-linear element is formed on a base layer after forming a base layer on a substrate.
  • This underlayer is formed of, for example, tantalum oxide (T a OX), and has functions such as improving the adhesion of the nonlinear element.
  • T a OX tantalum oxide
  • this underlayer also exists below the transparent pixel electrode, the transparency of the pixel area will be impaired. Is often removed. In such a case, the peripheral edge of the removed portion of the underlayer can be used as a position confirmation mark.
  • the nonlinear element can be a two-terminal nonlinear element.
  • This two-terminal nonlinear element is an element generally composed of a first electrode, an insulating film laminated on the first electrode, and a second electrode laminated on the insulating film. .
  • a mark can be formed with the same material as the first electrode or the second electrode of the two-terminal nonlinear element. This makes it possible to form the mark by patterning at the same time as patterning the first electrode or the second electrode, so that the operation process does not become complicated.
  • the nonlinear element can be a thin film transistor element.
  • a mark can be formed of a material having a higher light-shielding property than at least a pixel electrode in a film forming the element. In this way, the marks can be formed by patterning at the same time as patterning the film, so that the working process does not become complicated.
  • the positional deviation is inspected while comparing the mark provided on the element substrate with the reference mark on the counter substrate.
  • various types of marks may be used as reference marks on the counter substrate side.
  • the periphery of the opening of the black matrix can be compared with the mark.
  • the opposing substrate has a color fill, it is possible to compare the periphery of each color dot constituting the color fill with the mark.
  • the method for manufacturing a liquid crystal device comprises the steps of: forming an element substrate having a non-linear element and a transparent pixel electrode formed on the substrate; In a method for manufacturing a liquid crystal device having a step of bonding to each other, (a) Forming a mark on the element substrate that overlaps at least a part of the outer peripheral edge of the transparent pixel electrode in a planar manner and has a higher light shielding property than the transparent pixel electrode; and (b) that the element substrate and the opposite substrate It is characterized in that whether or not they are pasted in a positional relationship is confirmed based on the mark.
  • the mark since the mark overlaps at least part of the outer peripheral edge with respect to the transparent pixel electrode, the mark provided on the element substrate side and the reference mark on the counter substrate side are visually recognized. By comparing, it is possible to determine whether or not the positional relationship between the element substrate and the counter substrate is appropriate.
  • the mark since the mark is formed as a mark having higher light-shielding properties than the transparent pixel electrode, it is easy to recognize visually, and thus accurate judgment can be made in a short time.
  • the reference mark on the opposite substrate side for comparison with the mark on the element substrate side should be the periphery of the opening of the black matrix or the periphery of the color dots of the color fill. Can be.
  • a black matrix that defines an opening corresponding to a pixel is formed on the counter substrate, and the mark is positioned relative to a periphery of the opening of the black matrix. By comparing with, the positional relationship between the element substrate and the counter substrate can be confirmed.
  • a color filter including a plurality of color dots is formed on the counter substrate, and the mark is positioned with respect to a periphery of the color dot of the color filter.
  • FIG. 1 is a plan view showing a main part of one embodiment of a liquid crystal device according to the present invention, in particular, a periphery of a pixel electrode and a MIM element.
  • FIG. 2 is a side sectional view taken along line XX of FIG.
  • FIG. 3 is a partially cutaway plan view of an embodiment of the liquid crystal device according to the present invention.
  • FIG. 4 is a plan view showing a main part of another embodiment of the liquid crystal device according to the present invention. is there.
  • FIG. 5 is a diagram showing an appearance and an electric control system of an embodiment of the electronic device according to the present invention.
  • FIG. 6 is a plan view showing a main part of an example of a conventional liquid crystal device.
  • FIG. 7 is a diagram schematically showing a process in the course of forming the conventional element structure shown in FIG. 6, and is a cross-sectional view taken along line VV of FIG.
  • FIG. 8 is a plan view showing a main part of one embodiment of the liquid crystal device according to the present invention, in particular, one pixel electrode formed in an element substrate and a peripheral portion thereof.
  • FIG. 9 is a cross-sectional view showing a cross-sectional structure taken along the line YY of FIG.
  • FIG. 10 is a partially cutaway plan view showing an embodiment of the liquid crystal device according to the present invention.
  • FIG. 11 is a plan view showing an element substrate base material manufactured in an intermediate step of a series of steps constituting a manufacturing method for manufacturing a liquid crystal device according to the present invention.
  • FIG. 12 is a plan view showing a counter-substrate base material manufactured in an intermediate step in a series of steps constituting a manufacturing method for manufacturing a liquid crystal device according to the present invention.
  • FIG. 13 is a plan view showing a main part of another embodiment of the liquid crystal device according to the present invention, in particular, one pixel electrode formed in an element substrate and a peripheral portion thereof.
  • FIG. 14 is a plan view showing a main part of still another embodiment of the liquid crystal device according to the present invention, in particular, one pixel electrode formed in the element substrate and its peripheral portion.
  • FIG. 15 is a cross-sectional view showing a cross-sectional structure along the line ZZ of FIG.
  • FIG. 16 is a plan view showing a main part of still another embodiment of the liquid crystal device according to the present invention.
  • FIG. 17 is a plan view showing a main part of FIG. 16 and showing a portion near the TFT element. You.
  • FIG. 18 is a sectional view showing a sectional structure of the TFT element shown in FIG.
  • FIG. 19 is a plan view showing a state of the element substrate preform shown in FIG. 16 in the process of being manufactured.o Best mode for carrying out the invention
  • FIG. 3 is a plan view partially cut away of an embodiment of the liquid crystal device according to claim 1 of the present invention.
  • This liquid crystal device 1 has a pair of substrates, that is, an element substrate 3a and a counter substrate 3b, which are adhered to each other by a seal material 2 formed into a rectangular ring by printing or the like.
  • the element substrate 3a has a translucent substrate 5a formed of, for example, glass, and a plurality of line wirings 4 and a plurality of transparent pixel electrodes 6 are formed on the surface of the translucent substrate 5a.
  • Each of these line wirings 4 is formed in a straight line shape, and adjacent ones are arranged in parallel with each other.
  • the pixel electrodes 6 are arranged in a row between the line wirings 4, and are arranged in a matrix as a whole.
  • Each line wiring 4 is conductively connected to an output terminal of a liquid crystal driving IC 7a mounted on an overhang of the translucent substrate 5a.
  • the opposing substrate 3b facing the element substrate 3a has a translucent substrate 5b made of, for example, glass, and a plurality of transparent opposing electrodes 8 are formed on the surface of the translucent substrate 5b. You. These counter electrodes 8 are formed in a straight line, and adjacent electrodes are arranged in parallel with each other. These counter electrodes 8 are conductively connected to the output terminals of the liquid crystal driving ICs 7b mounted on the overhangs of the translucent substrate 5b.
  • a MIM element 11 as a non-linear element is formed between the line wiring 4 and the pixel electrode 6.
  • This MIM element 11 extends from line wiring 4 A first electrode 12, an anodized film 13 formed on the first electrode 12 by anodizing, and a second electrode 14 formed on the anodized film 13.
  • the tip 14 a of the second electrode 14 is formed in an annular frame shape along the entire edge of the pixel electrode 6, and as shown in FIG. Are formed on top of each other.
  • the outer dimension S of the frame-shaped tip 14 a of the second electrode 14 is set equal to the outer dimension of the pixel electrode 6.
  • the pixel electrode 6 is formed by forming a second electrode 14 of the MIM element 11 into a predetermined shape on a light-transmitting substrate 5a constituting the element substrate 3a, and then using a known photolithography process. Specifically, an ITO film having a uniform thickness is formed to a uniform thickness over the entire area of the translucent substrate 5a by a sputtering process, and an unnecessary ITO film is formed by an etching process. By the removal, the second electrode 14 is formed in a rectangular shape that matches the frame shape of the tip portion 14 a of the second electrode 14.
  • the etching solution may enter the outer periphery of the frame-shaped tip 14 a of the second electrode 14, but the inside of the tip 14 a is closed by the frame shape. It does not penetrate the area. Therefore, the etchant does not enter between the electrode tip 14a and the pixel electrode 6, and therefore, no disconnection occurs between them. As a result, a normal liquid crystal device having no point defects can be manufactured.
  • FIG. 5 shows an embodiment of the electronic apparatus according to claim 4 of the present invention.
  • This embodiment is an embodiment in which the liquid crystal device according to the present invention is used as a display unit of a car navigation system as an electronic device.
  • the car navigation system here is an electronic device that uses GPS (Global Positioning System) to display the position of a vehicle on a map.
  • the car navigation system of this embodiment includes, for example, a display unit 70 including a liquid crystal device 1 shown in FIG. 3, a 0-3 control unit 66, an input device 67, and a power supply unit 6.
  • the input device 67 has a GPS antenna 69 and an infrared remote controller 71.
  • the control unit 66 is a CPU (central processing unit) 72 that controls the overall control of displaying images, and performs various operations such as analysis of vehicle position and operations for displaying map images.
  • a main memory 73 that stores a control program for performing the operation
  • a file memory unit 74 that stores a map data file and an image display circuit that sends a drive signal for displaying an image to the liquid crystal display unit 70
  • the power supply unit 68 supplies power to each unit of the liquid crystal display unit 70 and the GPS control unit 66.
  • the tip portion 14 a of the second electrode 14 of the MIM element 11 extends over the entire edge of the pixel electrode 6.
  • a shape in which one side B is open is provided. Can also.
  • the possibility of the etching liquid flowing around the second electrode 14a can be reduced as compared with the prior art shown in FIG. 6, so that the pixel electrode 6 and the second electrode 14 can be suppressed. Can be reduced.
  • the embodiment of FIG. 3 when comparing the shape of the electrode tip having an open portion B as shown in FIG. 4 with the ring-shaped electrode tip having no open portion as shown in FIG. 1, the embodiment of FIG. However, it is possible to more reliably prevent the etchant from flowing around, and eventually disconnection from occurring.
  • the liquid crystal device shown in FIG. 3 is an active matrix type liquid crystal device using a MIM element and a COG (Chip On Glass) type liquid crystal device. It is needless to say that the present invention can be applied to an active matrix type liquid crystal device or the like using the above non-linear element.
  • the present invention is considered to be applied to a car navigation system, but the present invention is applied to a portable electronic terminal device, a video camera, an electronic organizer, and the like. Needless to say, the present invention can be applied to various other electronic devices.
  • FIG. 10 is a plan view, partially broken away, of an embodiment of the liquid crystal device according to the present invention.
  • the liquid crystal device 21 has a pair of substrates, that is, an element substrate 3a and a counter substrate 3b, which are adhered to each other by a sealing material 2 formed in a rectangular ring shape by printing or the like.
  • the element substrate 3a has a translucent substrate 5a made of, for example, glass, and a plurality of wirings 4 and a plurality of transparent pixel electrodes 6 are formed on the surface of the translucent substrate 5a.
  • Each of the wirings 4 is formed in a linear shape, and adjacent wirings are arranged in parallel with each other.
  • the pixel electrodes 6 are arranged in a row between the wirings 4, and are arranged in a matrix as a whole.
  • a MIM element 11 as a two-terminal non-linear element is formed between each pixel electrode 6 and the corresponding wiring 4.
  • Each wiring 4 is connected to an output terminal of a liquid crystal drive IC 7a mounted on an overhang of the translucent substrate 5a.
  • the opposing substrate 3b opposing the element substrate 3a has a light-transmitting substrate 5b formed of, for example, glass, and a color filter 9 is formed on the surface of the light-transmitting substrate 5b.
  • the counter electrode 8 is formed on the surface of the filter 9. Each counter electrode 8 is formed in a straight line, and adjacent electrodes are arranged in parallel with each other. . These counter electrodes 8 are conductively connected to the output terminals of the liquid crystal driving IC 7b mounted on the overhang of the translucent substrate 5b.
  • FIG. 9 shows the cross-sectional structure along the breaking line Y--Y in FIG.
  • the wiring 4 is formed by laminating each of a first layer 4a, a second layer 4b, and a third layer 4c.
  • the MIM element 11 is formed by laminating each layer of the first electrode 12, the insulating layer 13 and the second electrode 14.
  • the first layer 4a of the wiring 4 and the first electrode 12 of the MIM element 11 are both formed of a conductive metal, for example, Ta (tantalum) to a thickness of about 200 OA. Further, the second layer 4b of the wiring 4 and the insulating layer 13 of the MIM element 11 are both formed to a thickness of about 50 OA by, for example, an anodic oxide film. Further, the third layer 4c of the wiring 4 and the second electrode 14 of the 1 ⁇ ! 11 ⁇ element 11 are both formed of a conductive metal, for example, Cr (chromium).
  • the pixel electrode 6 is formed of, for example, transparent ITO (Indium Tin Oxide), and is disposed so as to be conductively connected to the tip of the second electrode 14 of the element 11.
  • the color filter 9 formed between the light-transmitting substrate 5b of the counter substrate 3b and the counter electrode 8 has a plurality of colors such as R (red), G (green), B (blue), and the like.
  • Each color dot portion 9c corresponds to an opening K surrounded by the black matrix 9b.
  • the tip of the second electrode 14 of the MIM element 11 is Two branch portions 15a and 15a extending along the direction are formed. Further, two branch portions 15 b and 15 b extending along the two sides of the pixel electrode 6 are also formed at the corners of the pixel electrode 6 which is diagonal to the second electrode 14. ing.
  • Each of the branch portions 15a and 15b is formed of the same material as the second electrode 14, that is, Cr in this embodiment. Cr is a material having a higher light-shielding property than ITO, which is a material of the pixel electrode 6, and the branch portions 15a and 15b formed by using this are used to form the opening K of the black matrix and the pixel electrode 6 Acts as a position confirmation mark used when inspecting the positional deviation between.
  • the counter electrode 8 is scanned and selected line by line by the liquid crystal driving IC 7b in FIG. 10, and at the same time, the liquid crystal driving IC
  • the liquid crystal driving IC By applying a predetermined voltage to the MIM element of the desired pixel according to 7a, the orientation of the liquid crystal contained in the corresponding pixel is controlled and a desired visible image is displayed in the display area V of the liquid crystal device 21.
  • the black matrix 9b which blocks the area excluding the opening K, prevents extraneous light from leaking to the outside and realizes a display with high contrast.
  • the opening K and the pixel electrode 6 must face each other with an appropriate positional relationship.
  • the positional relationship between the opening K and the pixel electrode 6 is inspected using a pair of position confirmation marks 15 & and 15 b provided at diagonal corners of the pixel electrode 6.
  • each branch mark 15a and 15b for position confirmation is as follows.
  • a translucent substrate base material 5a 'made of, for example, glass and having a large area is prepared, and a plurality of pixels of the liquid crystal panel are provided on the surface of the substrate base material 5a'.
  • the electrode 6, the MIM element 11 and the wiring 4 are formed.
  • a case is considered where four liquid crystal panel regions R are formed on the element substrate base material 5a ', that is, four liquid crystal panel regions R are formed.
  • the position confirmation marks 15a and 15b shown in FIG. 8 are formed at the same time when the second electrode 14 (see FIG. 9) of the MIM element 11 is formed by patterning. It does not require a special process.
  • An alignment film is further formed on the element substrate base material 5 a ′ on which the elements 11 and the like are formed, and the alignment film is subjected to an alignment process such as a rubbing process.
  • the sealing material 2 is formed around the pixel electrode 6 in the panel region R by printing or the like. In this manner, an element substrate base material 3a 'including four element substrates of the liquid crystal panel is manufactured.
  • Reference numeral 2a indicates a liquid crystal injection port for injecting liquid crystal.
  • the element substrate preform 3a in FIG. 11 and the opposing substrate preform 3b ′ in FIG. 12 are bonded to each other so that the liquid crystal panel regions R in each of the preforms overlap exactly.
  • a large-area empty panel is manufactured.
  • alignment marks are formed at appropriate places on the element substrate base material 3a 'and the opposing substrate base material 3b, and bonding is performed with reference to those marks.
  • a cut line a so-called scribe line
  • a liquid crystal injection port is formed for either the element substrate base material 3a 'or the counter substrate base material 3b'.
  • 2a is cut off based on the scribe line to expose each liquid crystal inlet 2a to the outside, liquid crystal is injected into each liquid crystal panel region R through the liquid crystal inlet 2a, and after the injection is completed.
  • the liquid crystal injection port 2a is sealed, and a large-sized panel containing liquid crystal is manufactured.
  • each individual liquid crystal panel is cut out one by one, and one liquid crystal panel as shown in Fig. 10 is cut out. The panel is completed.
  • the positional deviation between the opening K of the black matrix and the pixel electrode 6 is determined by using the position confirmation marks 15a and 15b. Inspection process can be performed accurately in a short time, but the inspection process can be performed for each liquid crystal device 1 (see Fig. 10) that is finally obtained. It can be executed in a panel state, or can be executed in a large-area panel state after the liquid crystal is sealed and before the scrubbing process is performed. When the large panel is empty or the panel is large If a defective product is preliminarily selected by performing a position confirmation inspection, the subsequent processing of the defective product can be omitted, thereby improving work efficiency.
  • FIG. 13 shows a main part of another embodiment of the liquid crystal device according to claim 5, in particular, one of a plurality of pixel electrodes formed on the surface of the element substrate and a peripheral portion thereof.
  • constituent elements constituting the element substrate 23a shown here those denoted by the same reference numerals as those in FIG. 8 indicate the same constituent elements, and the description thereof will be omitted.
  • the element substrate 23 a shown here is different from the element substrate 3 a shown in FIG. 8 in that in the case of the element substrate 3 a, a pair of position confirmation marks 1 are provided at diagonal corners of the pixel electrode 6.
  • the position confirmation mark 35 is formed in a frame shape over the entire outer peripheral edge of the pixel electrode 6. The position confirmation mark 35 can also be formed at the same time when the second electrode 14 of the MIM element 11 is formed.
  • the position confirmation mark 35 is provided in the entire peripheral portion of the pixel electrode 6, the positional deviation between the opening K of the black matrix and the pixel electrode 6 is determined by using the position confirmation mark 35.
  • the confirmation can be performed at any part of the mark 35, and as a result, a more accurate determination can be performed.
  • FIGS. 14 and 15 show the essential parts of a liquid crystal device according to still another embodiment of the present invention.
  • FIG. 14 shows one of the plurality of pixel electrodes formed on the surface of the element substrate and its peripheral portion
  • FIG. 15 is a cross-sectional view taken along the line XX of FIG. Shows the structure.
  • the embodiment shown here is an embodiment in which the present invention is applied to a liquid crystal device having a so-called back-to-back MIM element.
  • This back-to-back MIM device is, as shown in Fig. 14, The switching characteristics of the MIM element are stabilized by electrically connecting the pair of MIM elements 11A and 11B in series in the opposite direction.
  • These MIM elements 11A and 11B each have a laminated structure composed of a first electrode 12, an insulating layer 13 and a second electrode 14 as shown in FIG. I have.
  • an underlayer of uniform thickness is formed on the surface of the light-transmitting substrate 5a on the element substrate 33a side by using tantalum oxide (T a OX). Often forms 22. Also, if such an underlayer 22 remains between the pixel electrode 6 and the translucent substrate 5a, the light transmittance of the pixel electrode 6 decreases, and the display area of the liquid crystal device becomes dark. Problem occurs.
  • the underlying layer 22 existing in a predetermined region for forming the pixel electrode 6 is removed, and then the pixel electrode 6 is formed. It is effective to execute the step of forming
  • the region indicated by the symbol J in FIG. 15 indicates the outer edge of the removed region, that is, the peripheral line of the underlayer 22 when the underlayer 22 is removed at a predetermined region in such a manner. .
  • the portion corresponding to the pixel electrode 6 of the underlayer 22 formed on the light-transmitting substrate 5a in order to improve the adhesion between the 1 ⁇ 1 ⁇ elements 11A and 11B is described.
  • the removal area is set to match the size of the opening K of the black matrix.
  • the peripheral line J of the underlayer 22 appearing when the underlayer 22 is removed is used for position confirmation used for confirming the displacement between the element substrate 33a and the counter substrate 33b. Mark.
  • the peripheral line J of the removal area of the underlayer 22 is always located at a certain position relative to the pixel electrode 6. Since it is formed with a relationship, by comparing this peripheral line J with the opening K of the black matrix, it is accurately confirmed whether or not there is a displacement between the counter substrate 33 b and the element substrate 33 a. it can. Moreover, since the material of the base layer 22, Ta OX, has a higher light-shielding property than the ITO that forms the pixel electrode 6, the periphery of the opening K of the black matrix is compared with the periphery of the pixel electrode 6. Therefore, the visibility is significantly improved, and the inspection for the displacement can be accurately performed in a short time.
  • the shape of the position confirmation mark is not necessarily limited to a mark having two branches as shown in FIG. 8, and may be a mark having no branch.
  • the material of the position confirmation mark is not limited to the same material as the second electrode of the MIM element.
  • a material not related to the first electrode of the MIM element or the MIM element can be used.
  • the position confirmation mark can be formed simultaneously in a predetermined process for forming the MIM element.
  • the second electrode of the MIM element using, for example, the same ITO as the pixel electrode, the second electrode and the pixel electrode can be integrally formed.
  • the step of forming the second electrode Can be omitted.
  • the mark for position confirmation may be formed of the same material as the first electrode.
  • the reference mark on the counter substrate side which is to be compared with the position confirmation mark formed on the element substrate side, is not limited to the opening of the black matrix.
  • the peripheral lines of the R, G, and B color dots in the middle can also be compared.
  • the nonlinear element is not limited to the MIM element.
  • a four-element large-area element substrate base material and a counter substrate base material are used.
  • a large-sized element substrate capable of manufacturing a plurality of liquid crystal panels less than four or more than four. It goes without saying that a substrate base material can be used.
  • the liquid crystal device illustrated in FIG. 10 is a so-called COG (Chip On Glass) type liquid crystal device having a structure in which a liquid crystal driving IC is directly mounted on a translucent substrate.
  • COG Chip On Glass
  • the present invention can also be applied to a liquid crystal device having the above structure, for example, a TAB (Tape Automated Bonding) type liquid crystal device.
  • FIG. 16 shows still another embodiment of the liquid crystal device according to claims 1 and 5, and in particular, the individual pixel portions are enlarged with respect to a large-area element substrate base material 43a '. It is shown in a plan view. In the figure, one pixel is mainly composed of one pixel electrode 6.
  • a base layer 22 is formed on the entire surface of the element substrate base material 43a, with a uniform thickness, and a plurality of linear gate electrode lines 52 are formed on the base layer 43 in parallel with each other.
  • a current path 57 is formed for each of the gate electrode lines 52.
  • the energization pattern 57 is an energization pattern for supplying a current to each gate electrode line 52.
  • the gate electrode line 52 and the pixel electrode 6 are connected to each other via a TFT element 55 as an active element.
  • the TFT element 55 has the following layers on an underlayer 22: a gate electrode 52a, an anodic oxide film 53 as a gate insulating film, and another gate.
  • Nitride film 59 as insulating film
  • a-Si (amorphous silicon) as channel intrinsic semiconductor film 61
  • N + a-Si as contact semiconductor film (doped amorphous silicon) It is formed by sequentially laminating each layer of the film 62 and the channel portion protecting nitride film 63.
  • a plurality of linear source electrode lines 64 are formed on the surface of the element substrate base material 43 a ′ in parallel with each other in a positional relationship orthogonal to the gate electrode lines 52. These source electrode lines 64 are formed so as to be stacked on one side (one side on the left side in FIG. 17) of the N + a-Si film 62 as shown in FIGS. 17 and 18. . Further, the pixel electrode 6 is formed so as to be laminated on the other side of the N + a—Si film 62 (that is, on the right side in FIG. 17).
  • the TFT element 55 having the above structure is formed, for example, as follows. That is, in Figure 19, is first prepared an element substrate base material 43 a 'formed of glass or the like, to form the T a 2 0 5, etc. a uniform thickness by sputtering or the like on an underlying layer Form 22.
  • a plurality of linear gate electrode lines 52 are formed by performing Ta patterning on the underlayer 22 using a well-known patterning technique, for example, a photolithography method.
  • a conductive pattern 57 is formed to connect the gate electrode 52a for the TFT element projecting from the TFT and the gate electrode line 52 of each liquid crystal device.
  • the element substrate base material 43a ' is immersed in a chemical conversion solution, that is, an anodic oxidation solution, and an anodic oxidation process is performed by applying a predetermined voltage to the energization pattern 57, whereby the gate electrode 52a and other An anodic oxide film 53 is formed on the pattern.
  • Si 3 N 4 is patterned by, for example, a CVD method to form a gate protective film 59. Then, a-Si is deposited uniformly in thickness, N + a-Si is further deposited thereon, and N + a-Si is further deposited by photo-etching or the like. Then, a contact portion semiconductor film 62 is formed, and a-Si is further patterned to form a channel portion intrinsic semiconductor film 61.
  • Si 3 N 4 is patterned using a well-known patterning technique to The protective film 63 is formed, and ITO (Indium Tin Oxide) is patterned into a predetermined dot shape so that a part thereof overlaps the N + a-Si film 62.
  • the pixel electrodes 6 are formed in a matrix.
  • the source electrode line 64 is formed by patterning A 1 (aluminum) so that a part thereof overlaps the N + a-Si film 62 and is arranged in parallel with each other.
  • an alignment film is formed to a uniform thickness on the substrate surface, the alignment film is subjected to a uniaxial alignment process, for example, a rubbing process, and an annular seal material is formed by screen printing or the like to form an element substrate.
  • Predetermined processing for the base material is completed.
  • a large-area panel structure is formed by overlapping the opposing substrate preform prepared separately from the element substrate preform on the element substrate preform, and the liquid crystal device portions in the panel structure are provided with liquid crystal. And cut the panel structure to create a plurality of liquid crystal panels for one liquid crystal device, and then attach a polarizing plate, liquid crystal driving IC, etc. to those liquid crystal panels to obtain the desired liquid crystal device Are manufactured.
  • the N + a-Si film 62 as an element-side electrode is formed by photoetching or the like, the shape of the N + a-Si film 62 is as shown in FIG.
  • the pixel electrode 6 has a pattern shape along the edge of one side 6a. Further, since the N + a—Si film 62 has a higher light-shielding property than the pixel electrode 6, it can function as a mark with a high light-shielding property to visually stand out the edge of the pixel electrode 6. it can.
  • the N + a-Si film 62a is also formed on the diagonal corner of the pixel electrode 6 where the TFT element 55 is provided.
  • the N + a-Si film 62a mainly functions as a mark having a high light-shielding property for visually enhancing the edge of the pixel electrode 6.
  • the N + a-Si film 62 is formed so as to have a pattern along the edge of one side 6a of the pixel electrode 6, so that the ITO film is etched.
  • the pixel electrode 6 it is possible to prevent the etchant from entering between the ⁇ + a—Si film 62 and the IT ⁇ film, thereby preventing disconnection therebetween.
  • the element substrate base material 43 a When the opposing substrate base material (see Fig. 12) is attached to the substrate, a mark provided on the element substrate base material side, for example, the periphery of the black mask, and the above N + a—Si film 62 and 6 By visually comparing 2a with each other, it is possible to easily and accurately determine whether or not the positional relationship between the element substrate preform and the opposing substrate preform is appropriate.
  • an amorphous silicon type TFT element has been described as an example of a nonlinear element.However, the present invention is not limited to this, and the present invention can be applied to a polysilicon type TFT element.
  • a film having a higher light-shielding property than the pixel electrode may be formed so as to planarly overlap at least the diagonal corners of the pixel electrode.
  • the liquid crystal device according to the present invention is suitably used as a display unit of a mobile phone, a display of a portable computer, and the like. Further, the method for manufacturing a liquid crystal device according to the present invention is used as a technique capable of minimizing the occurrence of defective products when manufacturing a liquid crystal device. Further, the electronic device according to the present invention is widely supplied to the market as a consumer or business device such as a mobile phone and a computer.

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Description

明細書
液晶装置、 液晶装置の製造方法及び電子機器 技術分野
本発明は、 液晶の配向を制御することで光を変調することによって文字、 数字 等といった可視像を表示するようにした液晶装置に関する。 また、 本発明は、 そ の液晶装置を用いて構成される電子機器に関する。 さらにまた、 本発明は、 その ような液晶装置を製造するための製造方法に関する。 背景技術
( 1 ) 近年、 カーナビゲ一シヨンシステム、 携帯電子端末、 その他各種の電 子機器の可視像表示部に液晶装置が用いられている。 この液晶装置において、 素 子基板上に画素電極及び非線形素子の対を複数個形成し、 対向基板に対向電極及 び必要に応じてカラーフィル夕を形成し、 それらの素子基板と対向基板とを貼り 合わせ、 そして、 両基板の間に形成されるセルギャップ内に液晶を封入すること によって構成されたものが知られている。
今、 T F D (Thin Film Diode) 素子の代表例である M I M ( Metal Insulator Metal) 素子を非線形素子として用いる方式の液晶装置を考えると、 その液晶装 置の素子基板上に形成される画素電極及び非線形素子の周辺のパターン構造は、 従来、 例えば第 6図に示すように構成されていた。 すなわち、 ガラス基板 8 1上 に配線ライン 8 2及び第 1電極 8 3を形成し、 それらの上に陽極酸化膜 8 4を形 成し、 そしてその陽極酸化膜 8 4の上に第 2電極 8 6を形成する。 これらの第 1 電極 8 3、 陽極酸化膜 8 4及び第 2電極 8 6の積層構造によつて非線形素子とし ての M I M素子 8 7が形成される。 画素電極 8 8は、 M I M素子 8 7の第 2電極 8 6の先端に重なるようにして形成される。 ところで画素電極 8 8は、 一般に、 フォトリソグラフィ処理によって形成され る。 具体的には、 まず、 スパッタリング等によって一様な厚さの I T O ( Indium Tin Oxide) 膜をガラス基板 8 1上に形成し、 その後、 エッチング処理によって不 要な I T Oを除去することによって希望のパターン形状の画素電極 8 8を形成す る。 ここで問題になるのは、 スパッタリング等によってガラス基板 8 1上に I T 0膜を形成するとき、 第 7図に示すように、 M I M素子の第 2電極 8 6に重なる 部分の1丁0膜8 8 ' が第 2電極 8 6に完全に密着しないで、 両者の間に間隙 G が形成されるということである。
このような間隙 Gが生じると、 その後に I T O膜 8 8， をパターニングするた めにエッチング処理を行ったとき、 その間隙 Gの中にエッチング液が浸入し、 そ の結果、 第 2電極 8 6と画素電極 8 8との間に断線が発生するおそれがある。 こ のような断線が発生すると、 液晶装置の可視像表示領域内に点欠陥が発生するお それがある。 なお、 画素電極として用いられる透明導電膜としては、 I T O以外 に S η θ χや Z η θ χ等も考えられる。 このような膜材料に関しても I T Oと同 様に、 第 2電極 8 6に対する密着が不十分となるおそれがあり、 それ故、 これら の材料に関してもエッチング処理に起因して断線が発生するおそれがある。
( 2 ) ところで一般に、 液晶装置には、 個々の画素に非線形素子を付設する 形式のアクティブマトリクス方式の液晶装置と、 そのような非線形素子を用いな い形式の単純マトリクス方式の液晶装置とがある。 アクティブマトリクス方式の 液晶装置では、 非線形素子及び透明画素電極が形成された素子基板と、 対向電極 が形成された対向基板とを互いに貼り合わせ、 さらに、 両基板の間に形成される セルギヤップ内に液晶を封入する。
素子基板及び対向基板はそれそれ 1個ずつ作製されるのではなくて、 面積の大 きな基板母材内にそれそれ複数個ずつ形成されるのが一般的であり、 そうして作 製された素子基板母材及び対向基板母材を互いに貼り合わせることにより、 複数 個の液晶パネルが同時に作製される。 素子基板母材と対向基板母材とを貼り合わ せる際には、 それらの基板母材の適所にァライメントマ一クを形成しておいて、 それらのァライメントマークが一致するように両方の基板母材を貼り合わせる。 また、 従来の液晶装置の製造方法では、 素子基板母材と対向基板母材とが適正 な位置関係をもって貼り合わされたかどうかを確認するため、 C C Dカメラ等と いった撮像装置を用いて液晶パネル内の 1個の画素部分を撮影してそれを C R T モニタ等の画面に映し出したり、 あるいは、 顕微鏡によって 1個の画素部分を観 察したりすることにより、 貼り合わせ状態が位置的に適正かどうかを検査してい る。
ところで、 従来の検査方法では、 例えば、 素子基板側の透明画素電極の外周縁 線と対向基板側の所定の参照マーク、 例えばブラックマトリクスの開口部周縁線 とを見比べて、 それらが適正な位置関係にあるかどうかを判定し、 これをもって 素子基板と対向基板との貼り合わせ状態の良否を判定していた。 そして、 良品で あれば製品として出荷し、 不良品であれば廃棄していた。 しかしながら、 素子基 板側に形成される透明画素電極は、 ほとんど無色で透明であるので、 これを基準 として視覚によって検査を行うようにした従来の液晶装置においては、 短時間に 正確な検査を行うことが非常に難しかった。
( 3 ) 本発明は、 上記の各問題点に鑑みて成されたものであって、 画素電極 の周縁部に適宜の部材を設けることにより、 液晶装置の生産性を高めることを目 的とする。
より具体的にいえば、 本発明の第 1の目的は、 画素電極の周縁部に適宜の部材 を設けることにより、 非線形素子と画素電極との間にエッチング処理に起因して 接触不良が発生することを防止して、 液晶装置の可視像表示領域内に点欠陥が発 生するのを防止することである。
次に本発明の第 2の目的は、 画素電極の周縁部に適宜の部材を設けることによ り、 素子基板と対向基板との位置ずれ量を短時間で正確に視覚によって検査でき るようにすることである。 発明の開示
( 1 ) 上記第 1の目的を達成するため、 本発明に係る液晶装置は、 複数の画 素電極と、 それらの画素電極に導通する素子側電極を含む非線形素子とを有する 液晶装置において、 上記素子側電極は上記画素電極の縁部に沿ったパターン形状 を有することを特徴とする。
この液晶装置によれば、 画素電極が重なる部分の素子側電極がその画素電極の 縁部に沿ったパターン形状を有するので、 I T O膜をエッチング処理して画素電 極を区画形成するとき、 素子側電極と I T O膜との間にエッチング液が浸入する ことを防止でき、 従って、 両者の間に断線が発生することを防止できる。
( 2 ) 上記の構成において、 素子側電極は画素電極の縁部の全域に沿って環 状の枠形状に設けられることが望ましい。 こうすれば、 エッチング液のまわり込 みを極力抑えることができるので、 断線の発生をより一層確実に防止できる。
( 3 ) また、 素子側電極の外形寸法は画素電極の外形寸法よりも大きくする ことが望ましい。 こうすれば、 エッチング液の浸入をより一層確実に防止できる
( 4 ) 次に、 上記第 1の目的を達成するため、 本発明に係る電子機器は、 上記 の構成の液晶装置と、 その液晶装置の動作を制御する制御部とを含んで構成され た電子機器である。 このような電子機器としては、 例えば、 力一ナビゲーシヨン システム、 携帯端末機器、 その他各種の電子機器が考えられる。
( 5 ) 次に、 上記第 2の目的を達成するため、 本発明に係る液晶装置は、 基 板上に非線形素子及び透明画素電極を形成して成る素子基板と、 その素子基板に 対向して配置されている対向基板とを有する液晶装置において、 上記透明画素電 極の外周縁の少なくとも一部に平面的に重なると共にその透明画素電極よりも遮 光性の高いマークを有することを特徴とする。
この液晶装置によれば、 マークが透明画素電極に対して外周縁の少なくとも一 部に平面的に重なるので、 素子基板側に設けたマークと、 対向基板側の参照マ一 クとを視覚によって見比べることにより、 素子基板と対向基板との間の位置関係 が適正であるか否かを判定できる。 また特に、 マークは透明画素電極よりも遮光 性の高いマークとして形成されるので、 視覚によって認識し易く、 従って、 短時 間に正確な判定を行うことができる。
( 6 ) 上記構成の液晶装置において、 マークは、 少なくとも透明画素電極の 対角隅部の 2力所に設けることが望ましく、 さらに、 その隅部に隣接する 2辺方 向に沿って互いに略直角方向へ延びる 2つの分岐部を有することが望ましい。 マ —クを透明画素電極の対角隅部の 2力所に設ければ、 その透明画素電極に対向す る対向基板側の所定領域、 例えばブラックマトリクスの開口部がその透明画素電 極に対して上下左右のどちら側へずれる場合でも、 そのずれを判定できる。
また、 透明画素電極の 1つの隅部に隣接する 2辺方向に沿って延びる 2つの分 岐部をマークに含ませれば、 透明画素電極に対する開口部等の位置ずれを上下左 右方向のいずれの方向に関しても簡単且つ正確に認識できる。
( 7 ) また、 上記マークは、 透明画素電極の外周縁の全域に沿って枠状に設 けることもできる。 こうすれば、 透明画素電極の外周全域にわたって位置ずれを 判定できるので、 より一層簡単で正確な検査ができる。
( 8 ) ところで、 液晶装置によっては、 基板の上に下地層を成膜した後に、 その下地層の上に非線形素子を形成する構造のものがある。 この下地層は、 例え ばタンタル酸化物 （T a OX ) によって形成されて、 非線形素子の密着性を向上 させる等といった機能を奏する。 しかしながらこの下地層が透明画素電極の下側 にも存在すると、 画素領域の透明性が損なわれることになるので、 透明画素電極 に相当する領域の下地層は除去されることが多い。 このような場合には、 除去さ れた部分の下地層の周縁を位置確認用マークとして用いることができる。
( 9 ) 本発明の液晶装置において非線形素子は、 二端子型非線形素子とする ことができる。 この二端子型非線形素子は、 一般に、 第 1電極と、 その第 1電極 の上に積層される絶縁膜と、 その絶縁膜の上に積層される第 2電極とによって構 成される素子である。 この二端子型非線形素子を用いる場合には、 その二端子型 非線形素子の第 1電極又は第 2電極と同じ材料によってマークを形成することが できる。 こうすれば、 第 1電極又は第 2電極をパターニングする際に同時にマー クをパ夕一二ングによって形成できるので作業工程が複雑になることもない。
( 1 0 ) 本発明の液晶装置において非線形素子は、 薄膜トランジスタ素子と することができる。 この薄膜トランジスタ素子を用いる場合には、 素子を構成す る膜のうち少なくとも画素電極よりも遮光性の高い材料によってマークを形成す ることができる。 こうすれば、 その膜をパターニングする際に同時にマークをパ ターニングによつて形成できるので作業工程が複雑になることもない。
( 1 1 ) 本発明の液晶装置では、 素子基板側に設けたマークと対向基板側の 参照マークとを見比べながら位置ずれの検査を行うことになる。 この場合、 対向 基板側の参照マークとしてどのようなマークを使用するかについては種々のもの が考えられる。 例えば、 画素に相当する開口部を区画形成するためのブラックマ トリクスが対向基板に形成される場合には、 そのブラックマ卜リクスの開口部周 縁とマークとを見比べることができる。 また、 対向基板がカラーフィル夕を有す る場合には、 そのカラ一フィル夕を構成する各色ドットの周縁とマークとを見比 ベることができる。
( 1 2 ) 次に、 本発明に係る液晶装置の製造方法は、 基板上に非線形素子及 び透明画素電極を形成して成る素子基板と、 素子基板に対向して配置される対向 基板とを互いに貼り合わせる工程を有する液晶装置の製造方法において、 （a ) 上記透明画素電極の外周縁の少なくとも一部に平面的に重なると共にその透明画 素電極よりも遮光性の高いマークを上記素子基板に形成し、 （b ) 素子基板と対 向基板とが適正な位置関係で貼り合わされたかどうかを、 そのマークを基準とし て確認することを特徴とする。
この製造方法によれば、 マークが透明画素電極に対して外周縁の少なくとも一 部に平面的に重なるので、 素子基板側に設けたマークと、 対向基板側の参照マー クとを視覚によつて見比べることにより、 素子基板と対向基板との間の位置関係 が適正であるか否かを判定できる。 また特に、 マークは透明画素電極よりも遮光 性の高いマークとして形成されるので、 視覚によって認識し易く、 従って、 短時 間に正確な判定を行うことができる。 この製造方法においても、 素子基板側のマ ークと見比べるための対向基板側の参照マ一クとして、 ブラックマトリクスの開 口部周縁や、 カラ一フィル夕の各色ドッ卜の周縁等とすることができる。
( 1 3 ) 上記液晶装置の製造方法において、 画素に相当する開口部を区画形 成するブラックマトリクスを上記対向基板上に形成し、 そして上記マークをその ブラックマトリクスの開口部周縁に対して位置的に比較することにより、 素子基 板と対向基板との間の位置関係を確認できる。
( 1 4 ) 上記液晶装置の製造方法において、 複数色の色ドッ トを含むカラー フィル夕を上記対向基板上に形成し、 そして上記マークをそのカラーフィル夕の 色ドッ卜の周縁に対して位置的に比較することにより、 素子基板と対向基板との 間の位置関係を確認できる。 図面の簡単な説明
第 1図は、 本発明に係る液晶装置の一実施例の要部、 特に画素電極及び M I M 素子の周辺を示す平面図である。
第 2図は、 第 1図の X— X線に従った側面断面図である。 第 3図は、 本発明に係る液晶装置の一実施例を一部破断して示す平面図である 第 4図は、 本発明に係る液晶装置の他の実施例の要部を示す平面図である。 第 5図は、 本発明に係る電子機器の一実施例の外観及び電気制御系を示す図で ある。
第 6図は、 従来の液晶装置の一例の要部を示す平面図である。
第 7図は、 第 6図に示す従来の素子構造を形成する際の途中過程を模式的に示 す図であって、 第 6図の V— V線に従った断面図である。
第 8図は、 本発明に係る液晶装置の一実施例の要部、 特に素子基板内に形成さ れる 1つの画素電極及びその周辺部分を示す平面図である。
第 9図は、 第 8図の Y— Y線に従った断面構造を示す断面図である。
第 1 0図は、 本発明に係る液晶装置の一実施例を一部破断して示す平面図であ る。
第 1 1図は、 本発明に係る液晶装置を製造するための製造方法を構成する一連 の工程のうちの途中工程において作製される素子基板母材を示す平面図である。 第 1 2図は、 本発明に係る液晶装置を製造するための製造方法を構成する一連 の工程のうちの途中工程において作製される対向基板母材を示す平面図である。 第 1 3図は、 本発明に係る液晶装置の他の一実施例の要部、 特に素子基板内に 形成される 1つの画素電極及びその周辺部分を示す平面図である。
第 1 4図は、 本発明に係る液晶装置のさらに他の一実施例の要部、 特に素子基 板内に形成される 1つの画素電極及びその周辺部分を示す平面図である。
第 1 5図は、 第 1 4図の Z— Z線に従った断面構造を示す断面図である。
第 1 6図は、 本発明に係る液晶装置のさらに他の実施形態の要部を示す平面図 である。
第 1 7図は、 第 1 6図の要部であって T F T素子の近傍部分を示す平面図であ る。
第 1 8図は、 第 1 7図に示す T F T素子の断面構造を示す断面図である。
第 1 9図は、 第 1 6図に示す素子基板母材の製造途中の状態を示す平面図であ る o 発明を実施するための最良の形態
(第 1実施例）
第 3図は、 本発明の請求項 1に係る液晶装置の一実施例を一部破断して平面的 に示している。 この液晶装置 1は、 印刷等によって長方形の環状に形成されたシ ール材 2によって互いに貼り付けられた一対の基板、 すなわち素子基板 3 a及び 対向基板 3 bを有する。
素子基板 3 aは、 例えばガラスによって形成された透光性基板 5 aを有し、 そ の透光性基板 5 aの表面に複数のライン配線 4及び複数の透明画素電極 6が形成 される。 これらのライン配線 4はいずれも直線状に形成され、 そして隣り合う個 々のものが互いに平行に配列されている。 また、 各画素電極 6は、 それらのライ ン配線 4の間に列状に配列されていて、 全体としてはマトリクス状に配列されて いる。 各ライン配線 4は、 透光性基板 5 aの張出し部に装着した液晶駆動用 I C 7 aの出力端子に導電接続される。
素子基板 3 aに対向する対向基板 3 bは、 例えばガラスによって形成された透 光性基板 5 bを有し、 その透光性基板 5 bの表面に複数の透明な対向電極 8が形 成される。 これらの対向電極 8は、 それそれが直線状に形成され、 隣り合うもの が互いに平行に配列されている。 これらの対向電極 8は、 透光性基板 5 bの張出 し部に装着した液晶駆動用 I C 7 bの出力端子に導電接続される。
ライン配線 4と画素電極 6との間には、 第 1図に示すように、 非線形素子とし ての M I M素子 1 1が形成される。 この M I M素子 1 1は、 ライン配線 4から張 り出す第 1電極 1 2と、 陽極酸化処理によってその第 1電極 1 2上に形成された 陽極酸化膜 1 3と、 そしてその陽極酸化膜 1 3の上に形成された第 2電極 1 4と によって構成される。
第 2電極 1 4の先端 1 4 aは、 画素電極 6の縁部の全域に沿った環状の枠形状 に形成され、 第 2図に示すようにその電極先端 1 4 aの上に画素電極 6が重ねて 形成される。 本実施例では、 第 2電極 1 4の枠状先端 1 4 aの外形寸法 Sは、 画 素電極 6の外形寸法と等しく設定される。
画素電極 6は、 素子基板 3 aを構成する透光性基板 5 a上に M I M素子 1 1の 第 2電極 1 4を所定形状に形成した後、 周知のフォトリソグラフィ処理を用いて 形成されるものであり、 具体的には、 均一な膜厚の I T O膜をスパッタリング処 理によって透光性基板 5 a上の全域に一様な厚さで成膜し、 さらにエッチング処 理によって不要な I T O膜を除去することによって第 2電極 1 4の先端部 1 4 a の枠形状に合致する長方形状に形成される。
I T O膜をエッチング処理するとき、 エッチング液は第 2電極 1 4の枠状先端 1 4 aの周りの外側に浸入するかもしれないが、 その枠形状によって塞がれてい る先端 1 4 aの内部領域へは浸入することはない。 従って、 エッチング液が電極 先端 1 4 aと画素電極 6との間に浸入することがなくなり、 よって、 それらの間 に断線が生じることがなくなる。 そしてその結果、 点欠陥を持たない正常な液晶 装置を製造できる。
(第 2実施例）
第 5図は、 本発明の請求項 4に係る電子機器の一実施例を示している。 この実 施例は、 本発明に係る液晶装置を電子機器としてのカーナビゲ一シヨンシステム の表示部として使用した場合の実施例である。 ここにいうカーナビゲ一シヨンシ ステムというのは、 G P S ( Global Positioning System：全地球航法システム ) を用いて車両の地図上の位置を表示する電子機器である。 本実施例のカーナビゲ一シヨンシステムは、 例えば第 3図に示す液晶装置 1を 含んで構成された表示部 7 0と、 0 ? 3制御部6 6と、 入力装置 6 7と、 そして 電源部 6 8とを有する。 入力装置 6 7は、 G P Sアンテナ 6 9及び赤外線リモー トコントローラ 7 1を有する。
0 3制御部6 6は、 映像を表示するための制御の全般を司る C P U (中央処 理装置） 7 2と、 車両位置の解析や地図の映像を表示するための演算等といった 各種の演算を行うための制御プログラムを格納したメインメモリ 7 3と、 地図デ —夕ファイルを格納したファイルメモリ部 7 4と、 そして液晶表示部 7 0へ映像 表示のための駆動信号を送る映像表示回路 7 6とを有する。 また、 電源部 6 8は 、 液晶表示部 7 0及び G P S制御部 6 6の各部へ電力を供給する。
(改変例）
以上、 請求項 1及び請求項 4に係る本発明を好ましい実施例を挙げて説明した が、 本発明はそれらの実施例に限定されるものではなく、 請求の範囲に記載した 発明の範囲内で種々に改変できる。 '
例えば、 請求項 1記載の液晶装置に関して考えれば、 第 1図に示した実施例で は、 画素電極 6の縁部の全域にわたって M I M素子 1 1の第 2電極 1 4の先端部 分 1 4 aを配設したが、 これに代えて、 第 4図に示すように、 第 2電極 1 4の先 端部 1 4 aを環状に形成するのではなくて、 一辺 B側が開放する形状とすること もできる。
この変形例の場合でも、 第 6図に示した従来技術と比べれば、 第 2電極 1 4 a に対するエツチング液の回り込みの可能性を低く抑えることができるので、 画素 電極 6と第 2電極 1 4との間に発生する断線の確率を低減できる。 但し、 第 4図 のような開放部 Bを有する電極先端形状と、 第 1図のような開放部を持たない環 状の電極先端とを比べた場合には、 第 1図の実施例の方がより一層確実にエッチ ング液の回り込み、 ひいては断線の発生を防止できる。 また、 第 3図に示した液晶装置は、 M I M素子を用いたアクティブマトリクス 方式で且つ C O G ( Chip On Glass) 方式の液晶装置であるが、 C O G方式以外 の実装方式の液晶装置や、 M I M素子以外の非線形素子を用いたアクティブマト リクス方式の液晶装置等に本発明を適用できることはもちろんである。
また、 請求項 4記載の電子機器に関して考えれば、 第 5図に示した実施例では カーナビゲ一シヨンシステムに本発明を適用することを考えたが、 携帯電子端末 機器、 ビデオカメラ、 電子手帳等といったその他の各種の電子機器に対して本発 明を適用できることはもちろんである。
(第 3実施例）
第 1 0図は、 請求項 5記載の本発明に係る液晶装置の一実施例を一部破断して 平面的に示している。 この液晶装置 2 1は、 印刷等によって長方形の環状に形成 されたシール材 2によって互いに貼り付けられた一対の基板、 すなわち素子基板 3 a及び対向基板 3 bを有する。
素子基板 3 aは、 例えばガラスによって形成された透光性基板 5 aを有し、 そ の透光性基板 5 aの表面に複数の配線 4及び複数の透明画素電極 6が形成される 。 各配線 4は、 いずれも直線状に形成されていて、 隣り合うものが互いに平行に 配列されている。 また、 各画素電極 6はそれらの配線 4の間に列状に配列されて いて、 全体としてはマトリクス状に配列されている。 各画素電極 6とそれらに対 応する配線 4との間には二端子型非線形素子としての M I M素子 1 1が形成され る。 各配線 4は、 透光性基板 5 aの張出し部に装着した液晶駆動用 I C 7 aの出 力端子に接続される。
素子基板 3 aに対向する対向基板 3 bは、 例えばガラスによって形成された透 光性基板 5 bを有し、 その透光性基板 5 bの表面にカラーフィル夕 9が形成され 、 さらにそのカラーフィル夕 9の表面に対向電極 8が形成される。 各対向電極 8 は、 それそれが直線状に形成され、 隣り合うものが互いに平行に配列されている 。 これらの対向電極 8は、 透光性基板 5 bの張出し部に装着した液晶駆動用 I C 7 bの出力端子に導電接続される。
今、 素子基板 3 aに形成された複数の画素電極 6のうちの 1つの周辺を拡大し て観察すると、 第 8図に示す通りである。 また、 第 8図の破断線 Y— Yに沿って その断面構造を示すと第 9図に示す通りである。 これらの図において、 配線 4は 、 第 1層 4 a、 第 2層 4 b及び第 3層 4 cの各層を積層することによって形成さ れる。 また、 M I M素子1 1は、 第 1電極 1 2、 絶縁層 1 3及び第 2電極 1 4の 各層を積層することによって形成される。
配線 4の第 1層 4 a及び M I M素子 1 1の第 1電極 1 2はいずれも導電性の金 属、 例えば T a (タンタル） によって厚さ 2 0 0 O A程度に形成される。 また、 配線 4の第 2層 4 b及び M I M素子 1 1の絶縁層 1 3はいずれも、 例えば陽極酸 化膜によって厚さ 5 0 O A程度に形成される。 さらに、 配線 4の第 3層 4 c及び 1^! 1 1^素子1 1の第 2電極 1 4はいずれも導電性の金属、 例えば C r (クロム） によって形成される。 画素電極 6は、 例えば透明な I T O ( Indium Tin Oxide) によって形成されていて、 ^ 1 ^[素子 1 1の第 2電極 1 4の先端に重なって導電 接続するように配置されている。
第 9図において、 対向基板 3 bの透光性基板 5 bと対向電極 8との間に形成さ れるカラーフィルタ 9は、 R (赤）、 G (緑） 、 B (青） 等といった複数色の色ド ット部分 9 c及びそれらの色ドッ ト部分 9 cの間に形成されたブラックマトリク ス 9 bを含む。 各色ドット部分 9 cは、 ブラックマトリクス 9 bによって囲まれ る開口部 Kに一致している。 素子基板 3 aと対向基板 3 bとが適正な位置関係に 貼り合わされているとすれば、 ブラックマトリクスの開口部 Kは、 第 8図に示す ように、 その全ての領域が画素電極 6の外縁線から間隔 5だけ内側に入った領域 に位置するように設定される。
本実施例では、 M I M素子1 1の第 2電極 1 4の先端に、 画素電極 6の 2辺方 向に沿って延びる 2つの分岐部 1 5 a， 1 5 aが形成されている。 また、 第 2電 極 1 4に対して対角を成す画素電極 6の隅部にも、 画素電極 6の 2辺方向に沿つ て延びる 2つの分岐部 1 5 b , 1 5 bが形成されている。 これらの分岐部 1 5 a 及び 1 5 bは、 いずれも、 第 2電極 1 4と同じ材質、 本実施例では C rによって 形成される。 C rは画素電極 6の材質である I T Oに比べて遮光性の高い材料で あり、 これを用いて形成された分岐部 1 5 a及び 1 5 bは、 ブラックマトリクス の開口部 Kと画素電極 6との間の位置ずれを検査する際に用いられる位置確認用 マークとして作用する。
本実施例の液晶装置は以上のように構成されているので、 第 1 0図において液 晶駆動用 I C 7 bによって対向電極 8をライン毎に走査して選択し、 同時に、 液 晶駆動用 I C 7 aによって希望する画素の M I M素子に所定電圧を印加すること により、 対応する画素に含まれる液晶の配向を制御して液晶装置 2 1の表示領域 V内に希望の可視像を表示する。 その際、 第 9図において、 開口部 Kを除いた領 域を遮光しているブラックマトリクス 9 bは、 余分な光が外部へ漏れ出ることを 防止して、 コントラストの高い表示を実現する。
ブラックマトリクス 9 bが所定の遮光性を奏するためには、 開口部 Kと画素電 極 6とが適正な位置関係をもって対向していなければならない。 本実施例では、 画素電極 6の対角隅部に設けた一対の位置確認用マーク 1 5 &及び1 5 bを用い て、 開口部 Kと画素電極 6との間の位置関係を検査する。
具体的には、 例えば、 （ 1 ) ブラックマトリクスの開口部 Kの周縁線 Lと位置 確認用マークとしての分岐部 1 5 a及び 1 5 bとを見比べて、 4力所の分岐部 1 5 a及び 1 5 bの全てがブラックマトリクス 9 bに隠れていて、 それらが開口部 Kの中に現れていない場合は良品と判定する。 また、 （2 ) 4力所の分岐部 1 5 a及び 1 5 bのいずれかの一部が開口部 Kの中に現れてはいるが、 その位置確認 用のマーク 1 5 a又は 1 5 bの全部が開口部 Kの中に現れていない場合には良品 と判定する。 そして、 （3) 4力所の分岐部 15 a及び 15 bのうちのいずれか 1つの全部が開口部 Kの中に現れている場合には、 開口部 Kと画素電極 6との間 の位置ずれが許容限界を超えていて不良品であると判定する。
なお、 説明をわかり易くする目的で位置確認用の分岐マーク 15 a及び 15 b の寸法の一例を挙げれば、 第 9図において、 開口部 Kと画素電極 6との間の適正 ギャップを 5= 10 /mとするとき、 各分岐マーク 15 a及び 15 bの幅 aを a = 5 mとし、 各分岐マーク 15 a及び 15 bから開口部周縁線 Lまでの間隔 b を b= 5 zmと設定することができる。 また、 各分岐マーク 15 a及び 15 bの 長さ cは c= 15〃m程度とすることができる。
以上の説明は、 完成した 1個の液晶装置についての説明であるが、 以下に、 そ のような液晶装置を作製するための製造方法について説明する。
まず、 第 1 1図に示すように、 例えばガラス製で面積の大きな透光性基板母材 5 a' を用意して、 その基板母材 5 a' の表面に液晶パネルの複数個分の画素電 極 6、 MIM素子 1 1及び配線 4を形成する。 本実施例では、 1個分の液晶パネ ル領域 Rが素子基板母材 5 a' 上に 4個形成される場合、 すなわち 4個取りの場 合を考える。 第 8図に示した位置確認用マーク 15 a及び 15 bは、 M I M素子 1 1の第 2電極 14 (第 9図参照） をパ夕一ニングによって形成するときに、 そ れと同時に形成されるものであり、 特別な工程を必要としない。
1 1 素子1 1等が形成された素子基板母材 5 a' の上には、 さらに配向膜が 形成され、 その配向膜に対してラビング処理等といった配向処理が行われ、 さら に、 各液晶パネル領域 R内の画素電極 6のまわりにシール材 2が印刷等によって 形成される。 こうして、 液晶パネルの 4個分の素子基板を備えた素子基板母材 3 a' が作製される。 なお、 符号 2 aは、 液晶を注入するための液晶注入口を示し ている。
他方、 素子基板母材 3 a' 用の透光性基板母材 5 a' とは別に、 第 12図に示 すようなガラス製で面積の広い透光性基板母材 5 b ' を用意して、 その表面に 4 個分の液晶パネル領域 Rを設定し、 各液晶パネル領域 R内にカラ一フィル夕 9及 び対向電極 8を形成し、 これにより、 面積の大きな対向基板母材 3 b ' を形成す る。
次いで、 第 1 1図の素子基板母材 3 a， と第 1 2図の対向基板母材 3 b ' とを 、 各母材内の液晶パネル領域 Rが正確に重なり合うように互いに貼り合わせ、 こ れにより、 大面積の空パネルを作製する。 通常は、 素子基板母材 3 a ' 及び対向 基板母材 3 b， のそれそれの適所にァライメントマークを形成しておいて、 それ らのマークを基準として貼り合わせを行う。
そして、 個々の液晶パネル領域 Rのまわりの所定位置に切込み線、 いわゆるス クライブ線を形成し、 素子基板母材 3 a ' 又は対向基板母材 3 b ' のいずれか一 方について、 液晶注入口 2 aの部分をスクライブ線に基づいて破断して各液晶注 入口 2 aを外部へ露出させ、 その液晶注入口 2 aを通して各液晶パネル領域 R内 へ液晶を注入し、 さらに、 注入の完了後に液晶注入口 2 aを封止し、 もって、 液 晶入りの大面積パネルを作製する。 そしてその後、 各液晶パネル領域 Rのまわり に形成したスクライブ線に基づいて大面積パネルを切断することにより、 個々の 液晶パネルを 1個ずつ切り出して、 第 1 0図に示すような 1個の液晶パネルが完 成する。
第 8図を用いて説明したように、 本発明の液晶装置に関しては、 ブラックマト リクスの開口部 Kと画素電極 6との間の位置ずれを位置確認用マーク 1 5 a及び 1 5 bを用いて短時間で正確に検査できるのであるが、 その検査工程は、 最終的 に得られる 1個 1個の液晶装置 1 (第 1 0図参照） に対して実行することもでき 、 大面積の空パネル状態のときに実行することもでき、 あるいは、 液晶が封入さ れた後であってスクラィブ処理が行われる前の大面積パネル状態のときに実行す ることもできる。 大面積空パネル状態のとき又は大面積液晶入りパネル状態のと きに位置確認検査を行って不良品を予め選別しておけば、 不良品に対してそれ以 降の処理を省略することにより、 作業効率を向上することができる。
(第 4実施例）
第 1 3図は、 請求項 5記載の液晶装置の他の実施例の要部、 特に素子基板の表 面に形成される複数の画素電極のうちの 1個及びその周辺部分を示している。 こ こに示す素子基板 2 3 aを構成する各構成要素のうち第 8図の場合と同一符号で 示すものは同一の構成要素を示すものであり、 それらについての説明は省略する ものとする。
ここに示した素子基板 2 3 aが第 8図に示した素子基板 3 aと異なる点は、 素 子基板 3 aの場合には画素電極 6の対角隅部に一対の位置確認用マーク 1 5 a及 び 1 5 bを形成したのに対して、 本実施例では画素電極 6の外周縁の全域にわた つて位置確認用マーク 3 5を枠状に形成したことである。 この位置確認用マーク 3 5も M I M素子 1 1の第 2電極 1 4を形成する際に同時に形成できる。
本実施例では、 位置確認用マーク 3 5を画素電極 6の周辺部全域に設けたので 、 ブラックマトリクスの開口部 Kと画素電極 6との間の位置ずれを位置確認用マ —ク 3 5を用いて確認する際に、 マーク 3 5のあらゆる個所でその確認を行うこ とができることになり、 その結果、 より一層正確な判定を行うことができる。 (第 5実施例）
第 1 4図及び第 1 5図は、 請求項 5記載の液晶装置のさらに他の実施例の要部 を示している。 特に、 第 1 4図は素子基板の表面に形成される複数の画素電極の うちの 1個及びその周辺部分を示し、 第 1 5図は第 1 4図の Z— Z線に従った断 面構造を示している。
ここに示した実施例は、 いわゆるバック · ッ一 .バック （Back- to- Back) 構造 の M I M素子を有する液晶装置に本発明を適用した場合の実施例を示している。 このバック · ツー ·バック構造の M I M素子というのは、 第 1 4図に示すように 、 一対の M I M素子 1 1 A及び 1 1 Bを電気的に逆向きに直列接続することによ つて、 M I M素子のスイッチング特性を安定化するものである。 これらの M I M 素子 1 1 A及び 1 1 Bは、 第 1 5図に示すように、 それそれが第 1電極 1 2、 絶 縁層 1 3及び第 2電極 1 4から成る積層構造を有している。
この種のバック ·ッ一 .バック構造の M I M素子を用いた液晶装置では、 M l M素子 1 1 A及び 1 1 Bの密着性を向上させるために、 1^ 1 1^素子1 1 A及び 1 1 Bの第 1電極 1 2を形成するのに先立って、 素子基板 3 3 a側の透光性基板 5 aの表面にタンタル酸化物 （T a OX ) によって一様な厚さの下地層 2 2を形成 することが多い。 また、 そのような下地層 2 2が画素電極 6と透光性基板 5 aと の間にも残存すると、 その画素電極 6の部分の光透過率が低下して液晶装置の表 示領域が暗くなるという問題が発生する。
この問題を解消するためには、 素子基板 3 3 aを製造するための一連の工程に おいて、 M I M素子 1 1 A及び 1 1 Bの第 2電極 1 4を形成した後であって、 そ の第 2電極 1 4の先端に画素電極 6を重ねて形成する前に、 その画素電極 6を形 成するための所定領域に存在する下地層 2 2を除去し、 その後に画素電極 6を形 成するという工程を実行することが効果的である。 第 1 5図に符号 Jで示す領域 は、 そのように下地層 2 2を所定領域の所で除去した場合の、 その除去領域の外 縁線、 すなわち下地層 2 2の周縁線を示している。
本実施例では、 1^ 1 ^素子1 1 A及び 1 1 Bの密着性を向上させるために透光 性基板 5 a上に形成した下地層 2 2のうち、 画素電極 6に対応する部分を除去す る際に、 その除去領域をブラックマトリクスの開口部 Kの大きさと一致するよう に設定する。 そして、 下地層 2 2を除去することによって現れる下地層 2 2の周 縁線 Jを、 素子基板 3 3 aと対向基板 3 3 bとの間の位置ずれを確認する際に用 いる位置確認用マークとする。
下地層 2 2の除去領域の周縁線 Jは常に画素電極 6に対してある一定の位置関 係をもって形成されるので、 この周縁線 Jとブラックマトリクスの開口部 Kとを 見比べれば、 対向基板 3 3 bと素子基板 3 3 aとの間に位置ずれがあるか否かを 正確に確認できる。 しかも、 下地層 2 2の材質である T a OX は画素電極 6を形 成する I T Oに比べて遮光性が高いので、 ブラックマトリクスの開口部 Kの周縁 を画素電極 6の周縁と見比べる場合に比べて見易さが格段に向上し、 よって、 位 置ずれの検査を短時間に正確に行うことができる。
(改変例）
以上、 請求項 5記載の液晶装置に関して好ましいいくつかの実施例を挙げてそ の説明をしたが、 本発明はそれらの実施例に限定されるものではなく、 請求の範 囲に記載した発明の範囲内で種々に改変できる。
例えば、 位置確認用マークの形状は、 必ずしも、 第 8図に示すような 2つの分 岐部を備えたマークに限られず、 分岐部を持たないマークとすることもできる。 また、 位置確認用マークの材質は M I M素子の第 2電極と同じ材質に限られず、 例えば、 M I M素子の第 1電極ゃ、 M I M素子とは関係のない材質とすることも できる。 但し、 M I M素子と同じ材質を用いることにすれば、 M I M素子を形成 するための所定の工程において位置確認用マークを同時に形成することができる ので有利である。
また、 M I M素子の第 2電極を、 例えば画素電極と同一の I T Oによって形成 することにより、 その第 2電極と画素電極とを一体に形成することもでき、 こう すれば、 第 2電極の形成工程を省略することができる。 この場合は位置確認用の マークを、 第 1電極と同じ材質で形成しておけばよい。
また、 素子基板側に形成される位置確認用マークと比較されることになる対向 基板側の参照マークは、 ブラックマトリクスの開口部に限られず、 例えば、 対向 基板に形成されるカラ一フィル夕の中の R , G , Bの各色ドットの周縁線を比較 の対象とすることもできる。 また、 非線形素子は M I M素子に限定されない。 また、 上記の説明では 4個取 りの大面積の素子基板母材及び対向基板母材を用いたが、 4個より少ない複数個 、 あるいは 4個よりも多い複数個の液晶パネルを製造できる大きさの基板母材を 用いることができるのはもちろんである。
さらに、 第 1 0図に例示した液晶装置は、 透光性基板の上に液晶駆動用 I Cを 直接に搭載する構造の、 いわゆる C O G (Chip OnGlass) 方式の液晶装置である が、 これ以外の任意の構造の液晶装置、 例えば T A B (Tape Automated Bonding ) 方式の液晶装置等にも本発明を適用できる。
(第 6実施例）
第 1 6図は、 請求項 1及び請求項 5記載の液晶装置のさらに他の実施例を示し ており、 特に、 大面積の素子基板母材 4 3 a ' に関して個々の画素部分を拡大し て平面的に示している。 同図において、 主に 1個の画素電極 6によって 1個の画 素が構成される。 素子基板母材 4 3 a， の表面には下地層 2 2が全面に一様な厚 さで形成され、 その上に直線状のゲート電極線 5 2が複数個互いに平行に形成さ れ、 さらにそれらのゲート電極線 5 2の個々に通電パ夕一ン 5 7が形成される。 この通電パターン 5 7は、 各ゲート電極線 5 2に電流を供給するための通電パ夕 ーンである。
ゲート電極線 5 2と画素電極 6とは、 第 1 7図に示すように、 アクティブ素子 としてのT F T素子5 5を介して互いに接続されている。 この T F T素子 5 5は 、 第 1 8図に示すように、 下地層 2 2の上に次の各層、 すなわち、 ゲート電極 5 2 a、 ゲート絶縁膜としての陽極酸化膜 5 3、 もう 1つのゲート絶縁膜としての 窒化膜 5 9、 チャネル部真性半導体膜としての a— S i (アモルファス 'シリコ ン） 奠 6 1、 コンタクト部半導体膜としての N + a— S i (ドープド 'ァモルファ ス 'シリコン） 膜 6 2、 そしてチャネル部保護用窒化膜 6 3の各層を順次に積層 することによって形成されている。 第 16図において、 素子基板母材 43 a' の表面にはゲート電極線 52に直交 する位置関係で直線状のソース電極線 64が複数個互いに平行に形成される。 こ れらのソース電極線 64は、 第 17図及び第 18図に示すように、 N+a— S i膜 62の片側 （第 17図の左片側） の上に積層するように形成される。 また、 N+a — S i膜 62のもう一方の片側 （すなわち、 第 17図の右片側） の上に積層する ように画素電極 6が形成される。
上記構造の T FT素子 55は、 例えば次のようにして形成される。 すなわち、 第 19図において、 まず、 ガラス等によって形成された素子基板母材 43 a' を 用意し、 その上にスパッタリング等によって T a 205等を一様な厚さに形成して 下地層 22を形成する。
次に、 周知のパ夕一ニング技術、 例えばフォトリソグラフィ法を用いて下地層 22の上に Taをパ夕一ニングすることによって複数の直線状のゲート電極線 5 2、 それらのゲート電極線 52から張り出す T FT素子用のゲート電極 52 a及 び各液晶装置部分のゲート電極線 52をつなぐ通電パターン 57を形成する。 その後、 素子基板母材 43 a' を化成液、 すなわち陽極酸化処理溶液に浸潰し 、 さらに通電パターン 57に所定電圧を印加することにより陽極酸化処理を実行 し、 これにより、 ゲート電極 52 aその他のパターン上に陽極酸化膜 53を形成 する。
次に、 第 18図において、 上記のようにして形成した個々の陽極酸化膜 53の 上に、 例えば CVD法によって S i3N4をパ夕一ニングしてゲート保護膜 59を 形成する。 そしてさらに、 a— S iを厚さ一様に堆積し、 さらにその上に N + a— S iを厚さ一様に堆積し、 さらにフォトエッチング等により N + a— S iをパ夕一 ニングしてコンタクト部半導体膜 62を形成し、 さらに a— S iをパ夕一ニング してチャネル部真性半導体膜 61を形成する。
その後、 S i 3N4を周知のパターニング技術を用いてパターニングしてチヤネ ル部保護膜 6 3を形成し、 さらに、 I T O ( Indium Tin Oxide) をその一部が N + a— S i膜 6 2に重なるように且つ所定のドット形状にパ夕一ニングすることに よって画素電極 6をマトリクス状に形成する。 さらに、 A 1 (アルミニウム） を その一部が N+ a— S i膜 6 2に重なるように且つ互いに平行に配列するようにパ 夕一ニングすることによってソース電極線 6 4を形成する。
その後、 基板表面に配向膜を一様な厚さに形成し、 その配向膜に対して一軸配 向処理例えばラビング処理を施し、 さらにスクリーン印刷等によって環状のシー ル材を形成することにより素子基板母材に対する所定の処理が完了する。 その後 、 この素子基板母材とは別個に用意した対向側基板母材をこの素子基板母材に重 ねて大面積のパネル構造体を形成し、 そのパネル構造体内の個々の液晶装置部分 に液晶を封入し、 そのパネル構造体を切断して液晶装置 1個分の液晶パネルを複 数個作成し、 そしてそれらの液晶パネルに偏光板、 液晶駆動用 I C等を装着する ことにより、 求める液晶装置が複数個製造される。
本実施例では、 素子側電極としての N+ a— S i膜 6 2をフォトエッチング等に よって形成する際、 その N + a— S i膜 6 2の形状を第 1 6図に示すように、 画素 電極 6の一辺 6 aの縁部に沿ったパターン形状とする。 また、 この N + a— S i膜 6 2は、 画素電極 6よりも遮光性が高いので、 画素電極 6の縁部を視覚的に際立 たせるための遮光性の高いマークとして機能させることができる。 本実施例では 、 画素電極 6のうち T F T素子 5 5が設けられた隅部の対角側の隅部にも N+ a - S i膜 6 2 aが形成される。 この N+ a— S i膜 6 2 aは、 主に、 画素電極 6の縁 部を視覚的に際立たせるための遮光性の高いマークとして機能する。 以上のよ うに、 本実施例によれば、 N+ a— S i膜 6 2を画素電極 6の一辺 6 aの縁部に沿 つたパターン形状を有するように形成したので、 I T O膜をエッチング処理して 画素電極 6を形成するとき、 Ν+ a— S i膜 6 2と I T〇膜との間にエッチング液 が浸入して両者の間に断線が発生することを防止できる。 また、 画素電極 6に比べて遮光性の高い N + a— S i膜 6 2及び 6 2 aを画素電 極 6の対角隅部に対応して形成したので、 素子基板母材 4 3 a ' に対向基板母材 (第 1 2図参照） を貼り合わせる際、 素子基板母材側に設けたマーク、 例えばブ ラックマスクの周縁部と、 上記の N + a— S i膜 6 2及び 6 2 aとを視覚によって 見比べることにより、 素子基板母材と対向基板母材との間の位置関係が適正であ るか否かを容易且つ正確に判定できる。
本実施例においては、 非線形素子としてアモルファスシリコン型 T F T素子を 例にあげて説明したが、 これに限るものではなく、 ポリシリコン型 T F T素子に も適用できるものであり、 T F T素子を構成している膜のうち、 画素電極に比べ て遮光性の高い膜を、 少なくとも画素電極の対角隅部に平面的に重なるように形 成すればよい。 産業上の利用可能性
本発明に係る液晶装置は、 携帯電話機の表示部、 携帯型のコンピュータのディ スプレイ等として好適に用いられる。 また、 本発明に係る液晶装置の製造方法は 、 液晶装置を製造する際に不良品の発生を極力抑えることができる技術として利 用される。 また、 本発明に係る電子機器は、 例えば携帯電話機、 コンピュータ等 といった民生用及び業務用の機器として広く市場に供給される。

Claims

請求の範囲
1 . 複数の画素電極と、 それらの画素電極に導通する素子側電極を含む非線形 素子とを有する液晶装置において、
上記素子側電極は上記画素電極の縁部に沿ったパターン形状を有することを特 徴とする液晶装置。
2 . 請求項 1において、 素子側電極は画素電極の縁部の全域に沿って環状の枠 形状に設けられることを特徴とする液晶装置。
3 . 請求項 1又は請求項 2において、 素子側電極の外形寸法は画素電極の外形 寸法よりも大きいことを特徴とする液晶装置。
4 . 請求項 1記載の液晶装置と、 その液晶装置の動作を制御する制御部とを有 することを特徴とする電子機器。
5 . 基板上に非線形素子及び画素電極を形成して成る素子基板と、 その素子基 板に対向して配置される対向基板とを有する液晶装置において、
上記画素電極の外周縁の少なくとも一部に平面的に重なると共にその画素電極 よりも遮光性の高いマークを有することを特徴とする液晶装置。
6 . 請求項 5において、 上記マークは、 少なくとも上記画素電極の対角隅部の 2力所に設けられ、 さらに、 その隅部に隣接する 2辺方向に沿って延びる 2つの 分岐部を有することを特徴とする液晶装置。
7 . 請求項 5において、 上記マークは、 上記画素電極の外周縁の全域に沿って 枠状に設けられることを特徴とする液晶装置。
8 . 請求項 5において、 上記素子基板は上記基板と上記非線形素子との間に下 地層を有し、
その下地層は上記画素電極に相当する画素領域部分が上記基板から除去され、 そして
その下地層の画素領域部分の周縁が上記マークとして用いられることを特徴と する液晶装置。
9 . 請求項 5から請求項 8のうちの少なくともいずれか 1つにおいて、
上記非線形素子は、 第 1電極と、 その第 1電極の上に積層される酸化膜と、 そ の酸化膜の上に積層される第 2電極とを有する二端子型非線形素子であり、 上記マークは、 その二端子型非線形素子の第 1電極又は第 2電極と同じ材料に よって形成される
ことを特徴とする液晶装置。
1 0 . 請求項 5から請求項 8のうちの少なくともいずれか 1つにおいて、 上記非線形素子は、 薄膜トランジスタ素子であり、
上記マ一クは、 その薄膜トランジス夕素子を構成する膜のうち前記画素電極よ りも遮光性の高い材料によって形成される
ことを特徴とする液晶装置。
1 1 . 請求項 5から請求項 1 0のうちの少なくともいずれか 1つにおいて、 上記対向基板は、 画素に相当する開口部を区画形成するブラックマトリクスを 有し、 上記マークは、 そのブラックマトリクスの開口部周縁に対する位置確認のため に用いられる
ことを特徴とする液晶装置。
1 2 . 基板上に非線形素子及び画素電極を形成して成る素子基板と、 上記素子 基板に対向して配置される対向基板とを互いに貼り合わせる工程を有する液晶装 置の製造方法において、
上記画素電極の外周縁の少なくとも一部に平面的に重なると共にその画素電極 よりも遮光性の高いマークを上記素子基板に形成し、
素子基板と対向基板とが適正な位置関係で貼り合わされたかどうかを、 そのマ —クを基準として確認する
ことを特徴とする液晶装置の製造方法。
1 3 . 請求項 1 1において、
上記対向基板は、 画素に相当する開口部を区画形成するブラックマトリクスを 有し、 そして
上記マークは、 そのブラックマトリクスの開口部周縁に対して位置的に比較さ れる
ことを特徴とする液晶装置の製造方法。
1 4 . 請求項 1 1において、
上記対向基板は、 複数色の色ドットを含むカラーフィル夕を有し、 そして 上記マークは、 そのカラーフィル夕の色ドットの周縁に対して位置的に比較さ れる
ことを特徴とする液晶装置の製造方法。
PCT/JP1998/003244 1997-07-23 1998-07-17 Affichage a cristaux liquides, procede de fabrication d'un tel affichage, et materiel electronique WO1999005565A1 (fr)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP50210699A JP3538844B2 (ja) 1997-07-23 1998-07-17 液晶装置、液晶装置の製造方法及び電子機器
US09/269,039 US6618100B2 (en) 1997-07-23 1998-07-17 Liquid crystal device, liquid crystal device manufacturing method and electronic apparatus

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP9/197395 1997-07-23
JP19739597 1997-07-23
JP9/303205 1997-11-05
JP30320597 1997-11-05

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO1999005565A1 true WO1999005565A1 (fr) 1999-02-04

Family

ID=26510341

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP1998/003244 WO1999005565A1 (fr) 1997-07-23 1998-07-17 Affichage a cristaux liquides, procede de fabrication d'un tel affichage, et materiel electronique

Country Status (6)

Country Link
US (1) US6618100B2 (ja)
JP (1) JP3538844B2 (ja)
KR (1) KR100514672B1 (ja)
CN (2) CN1177251C (ja)
TW (1) TW509812B (ja)
WO (1) WO1999005565A1 (ja)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100679521B1 (ko) * 2000-02-18 2007-02-07 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시장치 제조방법
TW543145B (en) * 2001-10-11 2003-07-21 Samsung Electronics Co Ltd A thin film transistor array panel and a method of the same
KR100864487B1 (ko) * 2001-12-19 2008-10-20 삼성전자주식회사 비쥬얼 인스펙션 수단을 구비한 박막 트랜지스터 기판 및비쥬얼 인스펙션 방법
US6967118B2 (en) * 2004-03-09 2005-11-22 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Process for creating Metal-Insulator-Metal devices
KR101140241B1 (ko) * 2005-06-27 2012-04-26 엘지디스플레이 주식회사 얼라인 마크를 포함한 액정표시소자
TWI414842B (zh) * 2005-11-15 2013-11-11 Semiconductor Energy Lab 顯示裝置

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS57184976U (ja) * 1981-05-20 1982-11-24
JPH03101714A (ja) * 1988-06-24 1991-04-26 Matsushita Electron Corp 画像表示装置

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2504273A1 (fr) 1981-04-21 1982-10-22 Europ Composants Electron Commutateur de mesure electrique d'impedances reactives et pont de mesure utilisant un tel commutateur
JP2799875B2 (ja) * 1989-05-20 1998-09-21 株式会社リコー 液晶表示装置
DE69202893T2 (de) * 1991-03-20 1995-11-02 Toshiba Kawasaki Kk Flüssigkristall-Anzeigevorrichtung.
DE69230138T2 (de) * 1991-11-29 2000-04-27 Seiko Epson Corp., Tokio/Tokyo Flüssigkristall-anzeigevorrichtung und verfahren zu ihrer herstellung
DE69326203T2 (de) * 1992-07-03 2000-05-18 Citizen Watch Co., Ltd. Flüssigkristall-Anzeigevorrichtung mit nichtlinearen Widerstandselementen
JP2940354B2 (ja) 1992-09-18 1999-08-25 株式会社日立製作所 液晶表示装置
WO1996002867A1 (fr) * 1994-07-14 1996-02-01 Citizen Watch Co., Ltd. Affichage a cristaux liquides et son procede de fabrication
US6128050A (en) * 1994-11-08 2000-10-03 Citizen Watch Co., Ltd. Liquid crystal display device with separated anode oxide electrode
JPH08306926A (ja) * 1995-05-07 1996-11-22 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 液晶電気光学装置
JPH0926603A (ja) * 1995-05-08 1997-01-28 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 表示装置
KR100218293B1 (ko) * 1995-12-08 1999-09-01 구본준 박막트랜지스터 액정표시소자 및 그의 제조방법
US6211928B1 (en) * 1996-03-26 2001-04-03 Lg Electronics Inc. Liquid crystal display and method for manufacturing the same
JP3708637B2 (ja) * 1996-07-15 2005-10-19 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS57184976U (ja) * 1981-05-20 1982-11-24
JPH03101714A (ja) * 1988-06-24 1991-04-26 Matsushita Electron Corp 画像表示装置

Also Published As

Publication number Publication date
JP3538844B2 (ja) 2004-06-14
TW509812B (en) 2002-11-11
KR100514672B1 (ko) 2005-09-13
CN1177251C (zh) 2004-11-24
KR20000068606A (ko) 2000-11-25
CN1234879A (zh) 1999-11-10
US6618100B2 (en) 2003-09-09
CN1538228A (zh) 2004-10-20
US20020080296A1 (en) 2002-06-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6128051A (en) Method for forming and apparatus including a liquid crystal display having shorting bar connector
US8373840B2 (en) Liquid crystal display device
US7629613B2 (en) Display device and method of manufacturing the same
US6577367B2 (en) Array substrate for a liquid crystal display device and method for fabricating the same
KR100335462B1 (ko) 액정표시패널
US6268898B1 (en) Liquid crystal display device and method of manufacturing the same
CN100437312C (zh) 液晶显示器件
KR100315208B1 (ko) 액정표시소자 및 그 제조방법
US20010030728A1 (en) Liquid crystal display and inspection method thereof
EP1435539A1 (en) Liquid crystal display unit
JP3538844B2 (ja) 液晶装置、液晶装置の製造方法及び電子機器
US7009676B1 (en) Structure of a pad in a liquid crystal display device and a method for manufacturing thereof
JP3899806B2 (ja) 電気光学装置の製造方法、電気光学装置および電子機器
JPH11183936A (ja) 液晶表示装置
KR20040021465A (ko) 액정 표시 장치 및 그 제조 방법
JP3780529B2 (ja) 液晶表示装置及びその製造方法
CN101013233A (zh) 液晶装置及电子设备
KR100970246B1 (ko) 박막트랜지스터기판 및 이를 포함한 액정패널의 제조방법
JP5026883B2 (ja) 電気光学装置、及び電子機器
KR100724744B1 (ko) 액정 표시소자 및 그의 제조방법
JPH11265003A (ja) 液晶表示装置及び電子機器
KR20070072162A (ko) 액정표시소자 제조방법
KR20070071776A (ko) 액정표시장치의 검사용 기판
JP2007108554A (ja) 電気光学装置、電気光学装置の製造方法、及び電子機器
JPH11231351A (ja) 液晶装置及びそれを用いた電子機器

Legal Events

Date Code Title Description
WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 98801039.9

Country of ref document: CN

AK Designated states

Kind code of ref document: A1

Designated state(s): CN JP KR US

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 09269039

Country of ref document: US

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 1019997002428

Country of ref document: KR

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 1999 269039

Country of ref document: US

Date of ref document: 19990412

Kind code of ref document: A

WWP Wipo information: published in national office

Ref document number: 1019997002428

Country of ref document: KR

WWG Wipo information: grant in national office

Ref document number: 1019997002428

Country of ref document: KR