[go: up one dir, main page]

WO2003025995A1 - Dispositif semi-conducteur et amplificateur haute frequence comportant ce dispositif - Google Patents

Dispositif semi-conducteur et amplificateur haute frequence comportant ce dispositif Download PDF

Info

Publication number
WO2003025995A1
WO2003025995A1 PCT/JP2002/009011 JP0209011W WO03025995A1 WO 2003025995 A1 WO2003025995 A1 WO 2003025995A1 JP 0209011 W JP0209011 W JP 0209011W WO 03025995 A1 WO03025995 A1 WO 03025995A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
electrode
lead wiring
collector
emitter
base
Prior art date
Application number
PCT/JP2002/009011
Other languages
English (en)
Japanese (ja)
Inventor
Masatomo Hasegawa
Original Assignee
Sharp Kabushiki Kaisha
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sharp Kabushiki Kaisha filed Critical Sharp Kabushiki Kaisha
Publication of WO2003025995A1 publication Critical patent/WO2003025995A1/fr

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D10/00—Bipolar junction transistors [BJT]
    • H10D10/80—Heterojunction BJTs
    • H10D10/821—Vertical heterojunction BJTs

Landscapes

  • Bipolar Transistors (AREA)
  • Amplifiers (AREA)
  • Bipolar Integrated Circuits (AREA)

Abstract

La présente invention se rapporte à un dispositif semi-conducteur de fabrication simplifiée, qui accroît le gain à haute fréquence et ne requiert pas d'accroissement de la surface de puce, ainsi qu'à un amplificateur haute fréquence comportant ce dispositif. Un transistor bipolaire à hétérojonction HBT (100) possède une électrode collectrice (7), une électrode émettrice (5) et une électrode de base (6) disposée entre l'électrode collectrice (7) et l'électrode émettrice (5). L'électrode émettrice (5) est connectée à un câblage conducteur émetteur (8) et l'électrode collectrice (7) est connectée à un câblage conducteur collecteur (9) faisant office de câblage d'électrode de sortie. Le câblage conducteur collecteur (9) est disposé de manière à chevaucher le câblage conducteur émetteur (8) et l'électrode de base (6). Toute la région de recouvrement de l'électrode de base (6) par le câblage conducteur collecteur (9) comporte le câblage conducteur émetteur (8) disposé entre l'électrode de base (6) et le câblage conducteur collecteur (9) de manière à recouvrir l'électrode de base (6) et une structure mesa de base (3).
PCT/JP2002/009011 2001-09-11 2002-09-05 Dispositif semi-conducteur et amplificateur haute frequence comportant ce dispositif WO2003025995A1 (fr)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001-274931 2001-09-11
JP2001274931A JP4077617B2 (ja) 2001-09-11 2001-09-11 半導体装置およびそれを備えた高周波増幅器

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2003025995A1 true WO2003025995A1 (fr) 2003-03-27

Family

ID=19099887

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2002/009011 WO2003025995A1 (fr) 2001-09-11 2002-09-05 Dispositif semi-conducteur et amplificateur haute frequence comportant ce dispositif

Country Status (2)

Country Link
JP (1) JP4077617B2 (fr)
WO (1) WO2003025995A1 (fr)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005101402A (ja) * 2003-09-26 2005-04-14 Renesas Technology Corp 半導体装置およびその製造方法
US8159048B2 (en) * 2004-01-30 2012-04-17 Triquint Semiconductor, Inc. Bipolar junction transistor geometry
JP2009088194A (ja) * 2007-09-28 2009-04-23 Renesas Technology Corp 半導体装置および半導体集積回路装置
KR102549926B1 (ko) 2015-05-04 2023-06-29 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치, 반도체 장치의 제작 방법, 및 전자기기
JP2021052150A (ja) 2019-09-26 2021-04-01 株式会社村田製作所 パワーアンプ単位セル及びパワーアンプモジュール

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5333587A (en) * 1976-09-10 1978-03-29 Hitachi Ltd Insulated gate type field effect transistor
JPH0684913A (ja) * 1992-08-31 1994-03-25 Nec Corp 半導体集積回路
US5373185A (en) * 1992-09-18 1994-12-13 Sharp Kabushiki Kaisha Multilayer vertical transistor having an overlay electrode connected to the top layer of the transistor and to the transistor substrate
JPH10144801A (ja) * 1996-11-14 1998-05-29 Toshiba Corp 半導体装置
JP2000100832A (ja) * 1998-09-21 2000-04-07 Murata Mfg Co Ltd 半導体装置
JP2000114271A (ja) * 1998-10-05 2000-04-21 Sharp Corp 半導体装置の配線構造とその形成方法
JP2000357692A (ja) * 1999-06-15 2000-12-26 Toshiba Corp 半導体装置及びその製造方法

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5333587A (en) * 1976-09-10 1978-03-29 Hitachi Ltd Insulated gate type field effect transistor
JPH0684913A (ja) * 1992-08-31 1994-03-25 Nec Corp 半導体集積回路
US5373185A (en) * 1992-09-18 1994-12-13 Sharp Kabushiki Kaisha Multilayer vertical transistor having an overlay electrode connected to the top layer of the transistor and to the transistor substrate
JPH10144801A (ja) * 1996-11-14 1998-05-29 Toshiba Corp 半導体装置
JP2000100832A (ja) * 1998-09-21 2000-04-07 Murata Mfg Co Ltd 半導体装置
JP2000114271A (ja) * 1998-10-05 2000-04-21 Sharp Corp 半導体装置の配線構造とその形成方法
JP2000357692A (ja) * 1999-06-15 2000-12-26 Toshiba Corp 半導体装置及びその製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP4077617B2 (ja) 2008-04-16
JP2003086600A (ja) 2003-03-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP1077494A3 (fr) Transistor bipolaire à hétérojonction et procédé pour sa fabrication
USD472528S1 (en) Semiconductor chip package
USD466873S1 (en) Semiconductor chip package
EP1081761A4 (fr) Dispositif a semi-conducteurs
EP1343109A3 (fr) Système pour fournir une encapsulation de semiconducteur basse et à cavité ouverte
EP1353384A3 (fr) Transistor bipolaire à hétérojonction, procédé pour sa fabrication et module amplificateur
EP1089335A4 (fr) Dispositif semi-conducteur
US20030062608A1 (en) Semiconductor device
EP1684356A3 (fr) Transistor bipolaire à jonction
EP2091076A3 (fr) Implantations de carbone pour améliorer la production de transistors bipolaires en SiGe
DE60308682D1 (de) Tragbarer silizium chip
WO2003025995A1 (fr) Dispositif semi-conducteur et amplificateur haute frequence comportant ce dispositif
EP0905769A3 (fr) Dispositif de circuit intégré à semi-conducteur avec des transistors bipolaires et son procédé de fabrication
WO2003021683A1 (fr) Dispositif semiconducteur et procede de fabrication
WO2005020287A3 (fr) Dispositif a semi-conducteur et procede associe
EP1220322A3 (fr) Dispositif semiconducteur à tension de claquage élevée
EP1391938A3 (fr) Transistor bipolaire à hétérojonction ayant une structure base-émetteur graduelle améliorée
USD484858S1 (en) Portion of a matrix for surface mount package leadframe
USD483336S1 (en) Portion of a matrix for surface mount package leadframe
EP1406306A3 (fr) Dispositif semi-conducteur comprenant un transistor bipolaire à jonction et procédé de production correspondant
USD492266S1 (en) Portion of a matrix for surface mount package leadframe
EP1394861A3 (fr) Transistor bipolaire du type à double polysilicium et procédé de fabrication correspondant
WO2003050881A3 (fr) Dispositif super collecteur auto-aligne pour monotransitors et heterotransitors bipolaires a jonctions, et procede de fabrication dudit dispositif
USD485244S1 (en) Portion of a matrix for surface mount package leadframe
USD484103S1 (en) Portion of a matrix for surface mount package leadframe

Legal Events

Date Code Title Description
AK Designated states

Kind code of ref document: A1

AL Designated countries for regional patents

Kind code of ref document: A1

Designated state(s): AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FR GB GR IE IT LU MC NL PT SE SK TR

DFPE Request for preliminary examination filed prior to expiration of 19th month from priority date (pct application filed before 20040101)
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application
122 Ep: pct application non-entry in european phase