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WO2008033928A3 - Source plasma à onde de surface améliorée par faisceau électronique - Google Patents

Source plasma à onde de surface améliorée par faisceau électronique Download PDF

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WO2008033928A3
WO2008033928A3 PCT/US2007/078279 US2007078279W WO2008033928A3 WO 2008033928 A3 WO2008033928 A3 WO 2008033928A3 US 2007078279 W US2007078279 W US 2007078279W WO 2008033928 A3 WO2008033928 A3 WO 2008033928A3
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WO
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electron beam
surface wave
wave plasma
plasma source
plasma
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PCT/US2007/078279
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English (en)
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WO2008033928A2 (fr
Inventor
Lee Chen
Paul Moroz
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Lee Chen
Paul Moroz
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Publication date
Priority claimed from US11/518,884 external-priority patent/US7998307B2/en
Priority claimed from US11/518,885 external-priority patent/US7938081B2/en
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Abstract

La présente invention concerne un système de traitement plasma pour générer du plasma au moyen d'un faisceau électronique balistique utilisant une source plasma à onde de surface (SWP), telle qu'une antenne à fentes à ligne radiale (RLSA), au cours de la fabrication de dispositifs à semi-conducteur. L'antenne comprend une plaque de résonateur dotée d'une couche électriquement conductrice partiellement ouverte couplée à une surface de la plaque de résonateur. Par exemple, la couche électriquement conductrice est formée à une interface entre la plaque de résonateur et le plasma.
PCT/US2007/078279 2006-09-12 2007-09-12 Source plasma à onde de surface améliorée par faisceau électronique WO2008033928A2 (fr)

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US11/518,884 US7998307B2 (en) 2006-09-12 2006-09-12 Electron beam enhanced surface wave plasma source
US11/518,885 US7938081B2 (en) 2006-09-12 2006-09-12 Radial line slot antenna having a conductive layer
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US11/518,884 2006-09-12

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WO2008033928A2 WO2008033928A2 (fr) 2008-03-20
WO2008033928A3 true WO2008033928A3 (fr) 2008-07-17

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