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WO2009067991A3 - Halbleiteranordnung sowie verfahren zur herstellung einer halbleiteranordnung - Google Patents

Halbleiteranordnung sowie verfahren zur herstellung einer halbleiteranordnung Download PDF

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WO2009067991A3
WO2009067991A3 PCT/DE2008/001912 DE2008001912W WO2009067991A3 WO 2009067991 A3 WO2009067991 A3 WO 2009067991A3 DE 2008001912 W DE2008001912 W DE 2008001912W WO 2009067991 A3 WO2009067991 A3 WO 2009067991A3
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Siegfried Herrmann
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Osram Opto Semiconductors Gmbh
Siegfried Herrmann
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Abstract

Eine Halbleiteranordnung mit einem Träger weist mindestens zwei flächig ausgestaltete pn-Übergänge auf, die am Träger in mindestens einer Ebene angebracht sind, so dass sich abwechselnd jeweils p- und n- Seiten verschiedener pn-Übergänge näher an der Trägeroberseite des Trägers befinden. Des weiteren werden planare elektrische Leitungsanordnungen teilweise oberhalb und teilweise unterhalb der Ebene der pn-Übergänge angebracht. Durch eine geeignete Anordnung und Ausgestaltung von pn-Übergängen und elektrischen Leitungsanordnungen entsteht zumindest eine funktionsfähige elektrische Reihenschaltung der pn-Übergänge. Diese Anordnung ermöglicht es, eine großflächige und homogene, leuchtstarke Beleuchtungseinrichtung unkompliziert und flexibel gestaltbar aufzubauen und oftmals nötige komplexe flächige Lichtleiter zu vereinfachen oder einzusparen. Neben der Halbleiteranordnung selbst wird ein Verfahren zur Herstellung einer derartigen Anordnung beschrieben, das mit den Schritten Herstellen von pn-Übergängen, Herstellen von elektrischen Leitungsanordnungen und Anordnen der pn-Übergänge ein effizientes und kostengünstiges Produzieren der Halbleiteranordnung erlaubt.
PCT/DE2008/001912 2007-11-29 2008-11-19 Halbleiteranordnung sowie verfahren zur herstellung einer halbleiteranordnung WO2009067991A2 (de)

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