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WO2009111669A3 - Techniques de dopage sans masque pour cellules solaires - Google Patents

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WO2009111669A3
WO2009111669A3 PCT/US2009/036239 US2009036239W WO2009111669A3 WO 2009111669 A3 WO2009111669 A3 WO 2009111669A3 US 2009036239 W US2009036239 W US 2009036239W WO 2009111669 A3 WO2009111669 A3 WO 2009111669A3
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WO
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create
contact regions
solar cells
maskless
ion implantation
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PCT/US2009/036239
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WO2009111669A2 (fr
Inventor
Atul Gupta
Nicholas P.T. Bateman
Paul J. Murphy
Anthony Renau
Charles Carlson
Original Assignee
Varian Semiconductor Equipment Associates
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Publication date
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    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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    • H10F71/00—Manufacture or treatment of devices covered by this subclass
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Abstract

La présente invention concerne un procédé amélioré et à moindre coût permettant de produire des cellules solaires à l’aide de la technologie de l’émetteur sélectif. Les régions de contact sont créées sur le substrat sans utilisation de la lithographie ou d’un masque. Le procédé utilise la technologie de l’implantation ionique, et des conditions de précision relativement faible des régions de contact pour réduire les étapes de procédé nécessaires pour produire une cellule solaire. Dans certains modes de réalisation, le courant du faisceau d’ions est sélectivement modifié pour créer les régions de contact fortement dopées. Dans d’autres modes de réalisation, le faisceau d’ions est concentré, soit par l’utilisation d’une ouverture, soit par le biais de réglages des composants de la ligne de faisceau pour créer le profil de dopage nécessaire. Dans d’autres modes de réalisation encore, le taux de balayage de la tranche est modifié pour créer le motif d’implantation ionique souhaité.
PCT/US2009/036239 2008-03-05 2009-03-05 Techniques de dopage sans masque pour cellules solaires WO2009111669A2 (fr)

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US61/033,873 2008-03-05
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US61/074,278 2008-06-20
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