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WO2011116989A3 - Détecteur d'imagerie par rayonnement avec lecture de transfert de charge - Google Patents

Détecteur d'imagerie par rayonnement avec lecture de transfert de charge Download PDF

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Publication number
WO2011116989A3
WO2011116989A3 PCT/EP2011/001543 EP2011001543W WO2011116989A3 WO 2011116989 A3 WO2011116989 A3 WO 2011116989A3 EP 2011001543 W EP2011001543 W EP 2011001543W WO 2011116989 A3 WO2011116989 A3 WO 2011116989A3
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WO
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dielectric layer
imaging detector
radiation imaging
radiation
charge transfer
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PCT/EP2011/001543
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WO2011116989A2 (fr
Inventor
Jules Hendrix
Denny L. Lee
Original Assignee
Jules Hendrix
Lee Denny L
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Publication date
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  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Measurement Of Radiation (AREA)
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Abstract

L'invention concerne un détecteur d'imagerie par rayonnement comprenant: a) une première couche diélectrique (1); b) plusieurs électrodes de mise en forme de champ électrique (2) déposées sur la première couche diélectrique (1); c) une électrode d'accumulation de charge (3) déposée sur la première couche diélectrique (1); d) une seconde couche diélectrique (4) déposée sur les électrodes de mise en forme de champ électrique (2) et l'électrode d'accumulation de charge (3); e) des électrodes de lecture (5) déposées sur la seconde couche diélectrique (4); f) une couche de conversion de charge de rayonnement (6) déposée sur la seconde couche diélectrique (4) et sur les électrodes de lecture (5); et g) une électrode de polarisation supérieure (7). L'invention concerne également un procédé de détection de rayonnement comprenant les étapes consistant à a) utiliser le détecteur d'imagerie par rayonnement décrit ci-dessus, b) générer un signal d'image de lecture, et c) détecter ledit signal d'image de lecture.
PCT/EP2011/001543 2010-03-26 2011-03-28 Détecteur d'imagerie par rayonnement avec lecture de transfert de charge WO2011116989A2 (fr)

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WO2011116989A2 WO2011116989A2 (fr) 2011-09-29
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102121871B1 (ko) 2016-03-31 2020-06-11 주식회사 뷰웍스 판독 동안 비례 전하 이득을 갖는 방사선 촬상 검출기

Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1985004986A1 (fr) * 1984-04-25 1985-11-07 Josef Kemmer Element semiconducteur appauvri avec un minimum de potentiel pour des porteurs majoritaires
WO1992020105A2 (fr) * 1991-05-07 1992-11-12 Josef Kemmer Detecteur semiconducteur
WO1996003773A1 (fr) * 1994-07-27 1996-02-08 Litton Systems Canada Limited Panneau d'imagerie par rayonnement
EP0936660A1 (fr) * 1998-02-10 1999-08-18 Interuniversitair Microelektronica Centrum Vzw Dispositif de production d'image ou détecteur de particules ou de radiation et son procédé de fabrication
US6002134A (en) * 1995-10-13 1999-12-14 Digirad Corporation Cross-strip semiconductor detector with cord-wood construction
US6034373A (en) * 1997-12-11 2000-03-07 Imrad Imaging Systems Ltd. Semiconductor radiation detector with reduced surface effects
EP1041400A2 (fr) * 1999-03-30 2000-10-04 Fuji Photo Film Co., Ltd. Procédé et Dispositif pour enregistrer et reproduire une image radiographique avec un détecteur de rayonnement à l'état solide
US6455858B1 (en) * 2000-08-13 2002-09-24 Photon Imaging, Inc. Semiconductor radiation detector
US20030006388A1 (en) * 2001-07-04 2003-01-09 Fuji Photo Film Co., Ltd. Solid state radiation detector
WO2008054862A2 (fr) * 2006-04-21 2008-05-08 Ii-Vi Incorporated Détecteur de radiation avec structure à grille coplane
US20080224136A1 (en) * 2007-03-15 2008-09-18 Hsin-Heng Wang Image sensor and fabrication method thereof

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5262649A (en) 1989-09-06 1993-11-16 The Regents Of The University Of Michigan Thin-film, flat panel, pixelated detector array for real-time digital imaging and dosimetry of ionizing radiation
US5319206A (en) 1992-12-16 1994-06-07 E. I. Du Pont De Nemours And Company Method and apparatus for acquiring an X-ray image using a solid state device

Patent Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1985004986A1 (fr) * 1984-04-25 1985-11-07 Josef Kemmer Element semiconducteur appauvri avec un minimum de potentiel pour des porteurs majoritaires
WO1992020105A2 (fr) * 1991-05-07 1992-11-12 Josef Kemmer Detecteur semiconducteur
WO1996003773A1 (fr) * 1994-07-27 1996-02-08 Litton Systems Canada Limited Panneau d'imagerie par rayonnement
US6002134A (en) * 1995-10-13 1999-12-14 Digirad Corporation Cross-strip semiconductor detector with cord-wood construction
US6034373A (en) * 1997-12-11 2000-03-07 Imrad Imaging Systems Ltd. Semiconductor radiation detector with reduced surface effects
EP0936660A1 (fr) * 1998-02-10 1999-08-18 Interuniversitair Microelektronica Centrum Vzw Dispositif de production d'image ou détecteur de particules ou de radiation et son procédé de fabrication
EP1041400A2 (fr) * 1999-03-30 2000-10-04 Fuji Photo Film Co., Ltd. Procédé et Dispositif pour enregistrer et reproduire une image radiographique avec un détecteur de rayonnement à l'état solide
US6455858B1 (en) * 2000-08-13 2002-09-24 Photon Imaging, Inc. Semiconductor radiation detector
US20030006388A1 (en) * 2001-07-04 2003-01-09 Fuji Photo Film Co., Ltd. Solid state radiation detector
WO2008054862A2 (fr) * 2006-04-21 2008-05-08 Ii-Vi Incorporated Détecteur de radiation avec structure à grille coplane
US20080224136A1 (en) * 2007-03-15 2008-09-18 Hsin-Heng Wang Image sensor and fabrication method thereof

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