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WO2013031111A1 - シリコンウェーハの研磨方法及び研磨剤 - Google Patents

シリコンウェーハの研磨方法及び研磨剤 Download PDF

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WO2013031111A1
WO2013031111A1 PCT/JP2012/005135 JP2012005135W WO2013031111A1 WO 2013031111 A1 WO2013031111 A1 WO 2013031111A1 JP 2012005135 W JP2012005135 W JP 2012005135W WO 2013031111 A1 WO2013031111 A1 WO 2013031111A1
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WO
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polishing
silicon wafer
abrasive
concentration
tank
Prior art date
Application number
PCT/JP2012/005135
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
茂 大葉
孝男 川俣
Original Assignee
信越半導体株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 信越半導体株式会社 filed Critical 信越半導体株式会社
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Priority to JP2013531045A priority patent/JP5598607B2/ja
Priority to SG2014009229A priority patent/SG2014009229A/en
Priority to CN201280039229.5A priority patent/CN103733314B/zh
Priority to DE112012003180.6T priority patent/DE112012003180T5/de
Priority to US14/236,858 priority patent/US20140162456A1/en
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    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02002—Preparing wafers
    • H01L21/02005—Preparing bulk and homogeneous wafers
    • H01L21/02008—Multistep processes
    • H01L21/0201—Specific process step
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    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
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    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
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    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
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    • B24B37/04—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
    • B24B37/07—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces characterised by the movement of the work or lapping tool
    • B24B37/08—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces characterised by the movement of the work or lapping tool for double side lapping
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
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    • C09G—POLISHING COMPOSITIONS; SKI WAXES
    • C09G1/00—Polishing compositions
    • C09G1/02—Polishing compositions containing abrasives or grinding agents

Definitions

  • the present invention relates to a polishing method in which a silicon wafer is slidably contacted with a polishing cloth while supplying an abrasive, and the abrasive.
  • a silicon wafer manufacturing method includes a slicing step of slicing a silicon ingot to obtain a thin disk-shaped wafer, and a chamfering process for chamfering the outer periphery of the wafer obtained by the slicing step to prevent cracking and chipping.
  • a process a lapping process for flattening the chamfered wafer, an etching process for removing processing distortion remaining on the chamfered and lapped wafer, and a polishing process for polishing the surface of the etched wafer. It has a cleaning step of cleaning the polished wafer and removing the abrasive and foreign matter adhering to the wafer.
  • the above shows only the main processes, and other processes such as a heat treatment process and a surface grinding process are added, and the order of the processes is changed. Moreover, the same process may be implemented in multiple times. Thereafter, an inspection or the like is performed, and the device is sent to a device manufacturing process. An insulating film or a metal wiring is formed on the surface of the silicon wafer, and a device such as a memory is manufactured.
  • the polishing step is a step of mirror-finishing the surface by sliding the silicon wafer against the polishing cloth while supplying an abrasive, and polishing the silicon wafer with high flatness and improving the polishing rate are desired. It is.
  • the abrasive used in this polishing step many abrasives mainly containing alumina or colloidal silica (SiO 2 ) are used.
  • a suspension (slurry) -like abrasive in which alumina or colloidal silica is diluted with water and further added with alkali is used.
  • a polishing agent used for polishing may be devised.
  • the silica-based abrasive having a particle size of about 10 to 150 nm is used.
  • the particle size of the silica contained in the abrasive is increased, the polishing ability is improved.
  • polishing damage or the like is likely to occur on the wafer surface as the particle size increases.
  • a pH adjusting agent is added to the abrasive to keep the pH constant (for example, see Patent Document 1).
  • sodium hydroxide, potassium hydroxide, sodium carbonate, potassium carbonate, sodium hydrogen carbonate, potassium hydrogen carbonate or the like is used as an additive.
  • polishing of a silicon wafer contains water, a silica, and an alkali, and raise
  • the polishing rate k has been considered as follows based on this formula. Usually, Si is solid and H 2 O is surplus. The polishing agent contains silica and is considered to be a polymer of SiO 3 2 ⁇ . If this is also excessive, the polishing rate k can be expressed as follows. k ⁇ C ⁇ [H 2 O] [OH ⁇ ] 2 / [SiO 3 2 ⁇ ] ⁇ k ⁇ C ′ ⁇ [OH ⁇ ] 2
  • the present invention has been made in view of the above-described problems.
  • An abrasive capable of keeping a high polishing rate constant between batches, and a target polishing allowance or finished thickness using the abrasive.
  • Another object of the present invention is to provide a silicon wafer polishing method that can be controlled with high accuracy.
  • a silicon wafer is slid in contact with the polishing cloth while being supplied to the polishing cloth affixed on the surface plate.
  • a method of polishing a silicon wafer in which the supplied abrasive is recovered and circulated in the tank so that the concentration of silicate ions contained in the abrasive in the tank is within a predetermined range.
  • a method for polishing a silicon wafer comprising the step of polishing the silicon wafer while adjusting the thickness.
  • the polishing rate can be kept high, and the polishing rate can be kept constant between batches.
  • the polishing time can be set accurately, the target polishing allowance or finished thickness can be controlled with high accuracy.
  • the concentration of the silicate ions which is reduced by being not recovered, is added to the polishing agent in the tank during polishing of the silicon wafer, and the silicate ions are generated by the reaction between the alkali and the silicon wafer. Accordingly, it is preferable to adjust the concentration to be within the predetermined range.
  • the concentration of silicate ions which decreases when a part of the abrasive is not collected in the tank, to a concentration within a predetermined range. Further, since silicate ions are generated by a reaction between an alkali and a silicon wafer, an increase in cost can be suppressed. Further, the polishing rate can be adjusted by adjusting the amount of a part of the abrasive not recovered in the tank and the amount of alkali added to the abrasive in the tank.
  • the concentration of silicate ions within the predetermined range to a range of 1.0 to 4.6 g / L. This ensures that a high polishing rate can be kept constant between batches.
  • the amount of alkali added to the polishing agent in the tank during polishing of the silicon wafer is adjusted to a constant amount per predetermined time. In this way, the addition of alkali does not temporarily lower the silicate ion concentration and the polishing rate becomes unstable, so that the silicate ion concentration falls within a predetermined range more simply and reliably.
  • the concentration can be adjusted.
  • the alkali added during polishing of the silicon wafer may be at least one of sodium carbonate, potassium carbonate, sodium hydrogen carbonate, potassium hydrogen carbonate, sodium hydroxide, and potassium hydroxide.
  • various alkalis can be applied to the method for polishing a silicon wafer of the present invention.
  • an abrasive that is supplied to the polishing cloth when the silicon wafer is polished by being brought into sliding contact with the polishing cloth affixed on the surface plate, and includes water, silica, alkali, and silica.
  • an abrasive comprising acid ions, wherein the concentration of the silicate ions is adjusted within a range of 1.0 to 4.6 g / L.
  • the polishing rate can be kept high, and the polishing rate can be kept constant between batches.
  • the polishing time can be set accurately, so that the polishing agent can be precisely controlled to the target polishing allowance or finished thickness.
  • the silicon wafer is polished while adjusting the concentration of silicate ions contained in the abrasive in the tank to be within a predetermined range. And the polishing rate can be kept constant between batches. As a result, since the polishing time can be set accurately, the target polishing allowance or finished thickness can be controlled with high accuracy. Further, since the polishing rate is difficult to change over a long period of time, the life of the abrasive can be set long.
  • the present invention is not limited to this.
  • the pH value of the polishing agent is controlled and, for example, polishing is performed while adjusting the pH value so as to keep it at about 10.5.
  • the polishing rate is improved as described above, but the polishing rate is not constant between batches, and variation occurs. It has also been found that the polishing rate is difficult to improve for a while immediately after a new dilution of the abrasive.
  • the present inventors have conducted intensive studies to solve such problems.
  • the concentration of silicate ions which has not been conventionally considered, becomes a factor for changing the polishing rate.
  • the polishing rate is difficult to improve for a while after a new dilution of the abrasive is prepared because the silicate ion concentration is not sufficiently high even if the pH is sufficiently high. It was.
  • the inventors have conceived that the high polishing rate can be kept stable and constant by adjusting the concentration of the silicate ions to be within a predetermined range, and the present invention has been completed.
  • polishing agent of this invention is an abrasive
  • the silicon wafer polishing method of the present invention comprises polishing the silicon wafer by sliding it against the polishing cloth while supplying the polishing agent of the present invention stored in the tank to the polishing cloth affixed on the surface plate. This is a method for polishing a silicon wafer in which the supplied abrasive is recovered and circulated in a tank.
  • the present invention can be applied to both double-side polishing in which both sides of a silicon wafer are simultaneously polished and single-side polishing in which one side is polished.
  • polishing agent of this invention contains water, a silica, an alkali, and a silicate ion.
  • it is a suspension-like abrasive containing silica particles in which colloidal silica having abrasive grains of about 10 to 150 nm is diluted with water, alkali is added.
  • the alkali to be added is at least one of, for example, sodium carbonate, potassium carbonate, sodium hydrogen carbonate, potassium hydrogen carbonate, sodium hydroxide, and potassium hydroxide. Further, it may contain a chelating agent for preventing metal impurity contamination.
  • the abrasive of the present invention is one in which the concentration of silicate ions is adjusted within the range of 1.0 to 4.6 g / L.
  • the silicate ions include silicate ions introduced from outside the system and silicate ions generated by the reaction between the silicon wafer and the alkali during polishing of the silicon wafer. That is, this is a state in which the concentration of silicate ions is adjusted within the above range during polishing of the silicon wafer.
  • the polishing rate can be kept high, and the polishing rate can be kept constant between batches. As a result, since the polishing time can be set accurately, the target polishing allowance or finished thickness can be controlled with high accuracy.
  • a method for polishing a silicon wafer according to the present invention will be described.
  • a double-side polishing apparatus of the type that simultaneously polishes both surfaces of a plurality of silicon wafers as shown in FIG. 1 is used, but the present invention is not limited to this. It can also be carried out using a single-sided double-side polishing apparatus that simultaneously polishes both sides of a single silicon wafer or a single-side polishing apparatus that polishes one side of a silicon wafer.
  • the double-side polishing apparatus 1 includes an upper surface plate 2 and a lower surface plate 3 provided opposite to each other in the vertical direction.
  • a polishing cloth 4 is affixed.
  • a sun gear 9 is provided at the center between the upper and lower surface plates 2 and 3, and an internal gear 10 is provided at the periphery.
  • the carrier 5 is provided with a holding hole 6 for holding the silicon wafer W, and a plurality of carriers 5 are sandwiched between the upper and lower surface plates 2 and 3.
  • the teeth of the sun gear 9 and the internal gear 10 are engaged with the outer peripheral teeth of the carrier 5, and the upper and lower surface plates 2 and 3 are respectively rotated at a predetermined rotational speed by the upper rotating shaft 7 and the lower rotating shaft 8.
  • each carrier 5 revolves around the sun gear 9 while rotating.
  • the silicon wafer W held in the holding hole 6 of the carrier 5 is brought into sliding contact with the upper and lower polishing cloths 4 and both surfaces thereof are polished simultaneously.
  • the abrasive 13 in the tank 12 is supplied from the nozzle 11 to the polishing pad 4.
  • the composition of the abrasive 13 supplied here is the above-described abrasive of the present invention.
  • the supplied polishing agent 13 is collected by flowing down to the surface plate receiver 14 except for a part that cannot be recovered due to, for example, a part scattered during polishing or exhausted as mist, and then recovered in the tank 12. , Used for subsequent polishing. In this way, the abrasive 13 circulates between the tank 12 and the double-side polishing apparatus 1.
  • the silicon wafer W is polished while adjusting the concentration of silicate ions contained in the abrasive 13 in the tank 12 to be within a predetermined range.
  • the present invention aims to stabilize the polishing rate by adjusting the concentration of silicate ions in the polishing agent, which has not been considered in the past.
  • the method of adjusting the concentration of silicate ions is not particularly limited, but can be performed, for example, as follows. In the case of decreasing the concentration, a part of the supplied abrasive is drained and a new abrasive containing no silicate ions or containing silicate ions at a concentration lower than the concentration to be adjusted is added. In the case of increasing the concentration, in addition to the method of directly adding silicate ions, a method of adding silicate ions and generating silicate ions by reaction with a silicon wafer during polishing as described later can be applied.
  • the polishing rate can be kept high, and the polishing rate can be kept constant between batches.
  • the polishing time can be set accurately, the target polishing allowance or finished thickness can be controlled with high accuracy.
  • the polishing rate is difficult to change over a long period of time, the life of the abrasive can be set long.
  • the polishing rate can be predicted in advance when polishing silicon wafers having different resistivity.
  • the surface of the silicon wafer after polishing is in a state where the metal silicon is exposed, and if the surface is exposed to air with the abrasive attached, the surface of the silicon wafer and the alkali may react unevenly, which may cause surface roughness. Therefore, in order to remove alkali from the surface of the silicon wafer immediately after the polishing, pure water or a surfactant is generally flowed to the surface of the silicon wafer. In addition, after the polishing is finished and before the next polishing (next batch) is performed, the foreign matter adhering to the polishing cloth and by-products are usually rubbed with a brush or the like while flowing cleaning water. And agglomerates of abrasives are removed.
  • the cleaning water and surfactant used in this way are mixed with some unrecovered abrasive and remain in the section from the surface plate receiver to the pipe, but the cleaning water and surfactant remain in the tank abrasive.
  • the abrasive in this liquid mixture cannot be recovered and is drained.
  • Abrasive recovery and drainage switching are performed by providing a separator between the pipe and the tank.
  • the new abrasive is added so that the ratio of silica, water, etc. of the abrasive 13 in the tank does not change.
  • an alkali is added to the polishing agent in the tank during polishing of the silicon wafer to reduce the concentration of silicate ions, which decreases when a part of the polishing agent is not collected in the tank, and the reaction between the alkali and the silicon wafer causes the silica to react.
  • the concentration is adjusted to be within a predetermined range by generating acid ions.
  • the amount of abrasive discharged can be adjusted. Also, the amount of abrasive that cannot be recovered due to splattering or the like is almost constant in each batch. That is, since the amount of abrasive that cannot be collected in the tank is constant in each batch, the concentration of silicate ions can be easily adjusted by adjusting the amount of alkali added to the abrasive in the tank. Further, since silicate ions are generated by a reaction between an alkali and a silicon wafer, an increase in cost can be suppressed.
  • the silicate ion concentration is finely adjusted within a predetermined range.
  • the polishing rate can be adjusted.
  • the amount of alkali added to adjust the concentration of silicate ions within a predetermined range and the amount of abrasive to be drained can be determined by performing a simulation or the like. An example of simulation is shown below.
  • the polishing weight is 13.18 g (volume of the portion to be polished ⁇ Si density ⁇ number of sheets)
  • the amount of SiO 3 2- produced by the reaction is 28.23 g (molecular weight ⁇ polishing weight).
  • the replacement rate indicates the proportion of the abrasive recovered in the tank.
  • the residual rate indicates the proportion of silicate ions generated by the reaction of the silicon wafer with the alkali remaining in the polishing agent, and the remaining amount is the amount discharged outside the system contained in the polishing agent that cannot be recovered. . That is, the residual rate is determined based on the amount of draining abrasive and the amount of alkali added during polishing. Using this residual rate as a parameter, the concentration of silicate ions after any batch can be simulated.
  • the post-polishing concentration can be calculated by adding the increment obtained by the amount of generated SiO 3 2 ⁇ the residual ratio to the initial concentration.
  • Table 2 shows the results of the simulation performed under the conditions in Table 1. As shown in Table 2, it can be seen that the concentration of silicate ions is increased by repeating the polishing batch, and a substantially constant concentration is maintained from 20 batches onward. By simulating that the concentration result falls within a predetermined range, it is possible to determine the amount of abrasive drained and the amount of alkali added in each batch.
  • the concentration of silicate ions within the predetermined range is preferably adjusted within the range of 1.0 to 4.6 g / L. In this way, the polishing rate can be increased and can be reliably maintained between batches.
  • the amount of alkali added to the polishing agent in the tank during polishing of the silicon wafer is adjusted to a constant amount per predetermined time.
  • the fixed amount of alkali to be added per predetermined time is appropriately determined depending on the polishing apparatus to be used, the capacity of the tank, and the like. In this way, the concentration of silicate ions can be more reliably set to a concentration within a predetermined range without adding an alkali to temporarily lower the silicate ion concentration and causing the polishing rate to become unstable. Can be adjusted.
  • the alkali added during the polishing of the silicon wafer can be at least one of sodium carbonate, potassium carbonate, sodium hydrogen carbonate, potassium hydrogen carbonate, sodium hydroxide, and potassium hydroxide, and various alkalis can be applied. .
  • a dummy silicon wafer is polished while adding silicate ions or adding alkali.
  • the concentration of silicate ions is controlled within a predetermined range using the silicon wafer polishing method of the present invention. By repeatedly polishing the silicon wafer while adjusting inward, the polishing rate can be kept constant over a long period of time.
  • the concentration of silicate ions in the abrasive for example, the specific gravity of the abrasive, electrical conductivity, turbidity and the like can be mentioned. When these are constant, it can be considered that the concentration of silicate ions is also constant.
  • the concentration of silicate ions dissolved in the circulating abrasive depends on the polishing allowance when the tank capacity and the number of charged silicon wafers (the number of silicon wafers to be polished simultaneously) are constant. Increasing the concentration increases the silicate ion concentration. In polishing with a large machining allowance such as double-side polishing, it is preferable to set the upper limit to 4.6 g / L as shown in the figure. Further, in polishing with a very small polishing allowance such as finish polishing, an increase in the concentration of dissolved silicate ions cannot be expected so much. In this case, although it depends on the silicate ion concentration contained in the slurry stock solution, it is preferably contained in an amount of 1.0 g / L or more in order to expect a high polishing rate.
  • the concentration of silicate ions in the abrasive is adjusted to 4.6 g / L according to the silicon wafer polishing method of the present invention.
  • polishing of a silicon wafer having a diameter of 300 mm was repeated batchwise.
  • the number of polished sheets per batch was five.
  • the polishing time of the etched silicon wafer is set so that the thickness before polishing is about 793 ⁇ 2 ⁇ m to 777 ⁇ m, that is, the polishing allowance is about 16 ⁇ m, and the polishing pressure is 200 g / cm 2 . Polished.
  • the thickness of the polished silicon wafer was measured to examine the polishing allowance, and the polishing rate was calculated from the polishing allowance and the polishing time for evaluation.
  • polishing agent of this invention was produced as follows. About 70% by weight of colloidal silica having a primary particle size of 35 nm and about 0.075% by weight of KOH as an alkali were placed in a 70 L tank and stirred to obtain a base abrasive. Thereafter, the dummy silicon wafer was polished while supplying the base polishing agent, and 5% KOH was added during polishing to adjust the concentration of silicate ions in the polishing agent to 4.6 g / L. .
  • the polishing of the silicon wafer was repeated using the polishing agent of the present invention thus prepared, and the polishing rate of each batch was evaluated.
  • the concentration of silicate ions in the polishing agent is such that 9 L of the polishing agent supplied after polishing is drained and replenished with that amount of new polishing agent.
  • the abrasive was adjusted to 4.6 g / L by adding 5% KOH to 3 ml per 2 minutes.
  • polishing was measured by the molybdenum yellow method.
  • the result is shown in FIG.
  • the polishing rate in the figure is shown as a relative value when the polishing rate is 1 when a dummy wafer is polished to produce an abrasive.
  • the polishing rate is kept high while maintaining the same high polishing rate as compared with the result of the comparative example shown in FIG. 3. It was found that it was constant between each batch. It was also found that the target polishing allowance was stably achieved.
  • the silicon wafer polishing method and the polishing agent of the present invention enable a high polishing rate to be kept constant between batches. As a result, the target polishing allowance or the finished thickness can be controlled with high accuracy.
  • the silicon wafer was polished under the same conditions as in the Examples, except for using the conventional polishing method in which the polishing agent was kept at a constant pH without considering the silicate ion concentration, and evaluated in the same manner as in the Examples. .
  • the result is shown in FIG.
  • the polishing rate in the figure is shown as a relative value to the polishing rate of the example. As shown in FIG. 3, it was found that the dispersion of the polishing rate was larger than that of the example, although the pH of the abrasive was constant. Due to the variation in the polishing rate, the polishing allowance also varies.
  • the present invention is not limited to the above embodiment.
  • the above-described embodiment is an exemplification, and the present invention has any configuration that has substantially the same configuration as the technical idea described in the claims of the present invention and that exhibits the same effects. Are included in the technical scope.

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Abstract

本発明は、タンク（１２）内に貯蔵された研磨剤を定盤（２，３）上に貼り付けられた研磨布（４）に供給しながらシリコンウェーハ（Ｗ）を前記研磨布に摺接させて研磨し、前記供給した研磨剤を前記タンク内に回収して循環させるシリコンウェーハの研磨方法であって、前記タンク内の研磨剤中に含まれるケイ酸イオンの濃度を所定の範囲内の濃度となるように調整しながら前記シリコンウェーハを研磨する工程を有することを特徴とするシリコンウェーハの研磨方法である。これにより、高い研磨速度を各バッチ間で一定に保つことができる研磨剤、及びその研磨剤を用いて、目標とする研磨取代又は仕上がり厚さに高精度に制御できるシリコンウェーハの研磨方法が提供される。

Description

シリコンウェーハの研磨方法及び研磨剤
　本発明は、研磨剤を供給しながらシリコンウェーハを研磨布に摺接させて研磨する研磨方法及び、その研磨剤に関する。
　一般にシリコンウェーハの製造方法は、シリコンインゴットをスライスして薄円板状のウェーハを得るスライス工程と、該スライス工程によって得られたウェーハの割れ、欠けを防止するためにその外周部を面取りする面取り工程と、面取りされたウェーハを平坦化するラッピング工程と、面取り及びラッピングされたウェーハに残留する加工歪みを除去するエッチング工程と、エッチングされたウェーハの表面を鏡面化する研磨（ポリッシング）工程と、研磨されたウェーハを洗浄して、これに付着した研磨剤や異物を除去する洗浄工程を有している。
　以上は、主な工程のみを示したもので、他に熱処理工程や平面研削工程等が加わったり、工程の順番が入れ換えられたりする。また、同一の工程を複数回実施することもある。その後、検査等を行い、デバイス製造工程に送られ、シリコンウェーハの表面上に絶縁膜や金属配線を形成し、メモリー等のデバイスが製造される。
　上記研磨工程は、研磨剤を供給しながらシリコンウェーハを研磨布に摺接させることによって表面を鏡面化する工程であり、シリコンウェーハを高平坦度に鏡面研磨すること、及び研磨速度の向上が望まれる。この研磨工程で用いられる研磨剤として、主にアルミナやコロイダルシリカ（ＳｉＯ２）を含有した研磨剤が多く使用されている。特に、アルミナやコロイダルシリカを水で希釈し、更にアルカリが添加された懸濁液（スラリー）状の研磨剤が使用されている。
　ここで、研磨速度を向上する方法として、研磨に使用する研磨剤を工夫することがある。例えば、上記シリカ系の研磨剤は、粒径が１０～１５０ｎｍ程度のものが用いられている。研磨剤に含まれるシリカの粒度を大きくすればするほど研磨能力は向上する。しかし、粒径が大きくなるほどウェーハ表面に研磨ダメージ等が生じやすい。
　また、研磨速度の向上のための他の方法として、研磨剤にｐＨ調整剤を入れ、ｐＨを一定に保つ方法がある（例えば、特許文献１参照）。ここで、添加剤としては水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸水素ナトリウム、炭酸水素カリウム等が使用される。
特開２０００－２６３４４１号公報
　一般に、このｐＨ調整剤を研磨剤中に添加する際、ｐＨを１０．５以上に保持すると研磨速度が向上する一方、このような高いｐＨ状態を保つと、デバイス作製時に有害なニッケル、銅などの金属不純物がシリコンウェーハへ導入されやすくなることが知られている。従って、従来では、研磨剤のｐＨを１０．５程度に保持するようにして研磨剤を使用している。
　ここで、シリコンウェーハの研磨において用いられるシリカ系の研磨剤は、水、シリカ、アルカリを含み、研磨中に以下の式で示す反応を起こす。
　　Ｓｉ＋２ＯＨ―＋Ｈ２Ｏ→ＳｉＯ３ ２－＋２Ｈ２↑
　この式を基に従来では研磨速度ｋを以下のように考えていた。通常、Ｓｉは固体であり、Ｈ２Ｏは余剰である。研磨剤はシリカを含み、ＳｉＯ３ ２－のポリマーと考えられ、これも余剰とすると、研磨速度ｋを以下のように示すことができる。
　　ｋ∝Ｃ×［Ｈ２Ｏ］［ＯＨ―］２／［ＳｉＯ３ ２－］→ｋ∝Ｃ’×［ＯＨ―］２
　このように、副生成物であるケイ酸イオンＳｉＯ３ ２－の濃度よりも水酸化物イオンの濃度が高い場合のみを考え、［ＯＨ―］の制御に重点を置いている。すなわち、研磨剤のｐＨを測定し、測定したｐＨが所定値（例えば１０．５）を下回った際に、ＮａＯＨ、ＫＯＨ、Ｎａ２ＣＯ３、Ｋ２ＣＯ３などのｐＨ調整剤を加える調整をしている。
　しかし、このような従来のｐＨを所定値に保つ方法で調整した研磨剤を用いてシリコンウェーハを研磨すると、研磨速度を向上できるものの、研磨バッチ間で研磨速度のばらつきが発生してしまい、毎バッチ同じ研磨時間で研磨しても目標厚さに対し１～数μｍ程度の誤差が発生するという問題を生じる。
　より高精度な研磨取代や仕上がり厚さを制御するには、毎バッチ研磨速度がほぼ一定になるように研磨剤の状態を調整し、研磨時間を正確に設定する必要があり、上記したように研磨速度が一定にならないと、正確な研磨時間の設定ができない。
　近年、研磨後のシリコンウェーハに対してより高平坦度が要求されるのに伴い、取代の許容範囲が０．１μｍ程度以下となってきており、従来の方法ではこの要件を満たすことができない。また、従来の方法では、研磨バッチ処理の進行とともに、研磨速度が大きく低下し、使用できるバッチ処理数が短いという問題もある。
　本発明は前述のような問題に鑑みてなされたもので、高い研磨速度を各バッチ間で一定に保つことができる研磨剤、及びその研磨剤を用いて、目標とする研磨取代又は仕上がり厚さに高精度に制御できるシリコンウェーハの研磨方法を提供することを目的とする。
　上記目的を達成するために、本発明によれば、タンク内に貯蔵された研磨剤を定盤上に貼り付けられた研磨布に供給しながらシリコンウェーハを前記研磨布に摺接させて研磨し、前記供給した研磨剤を前記タンク内に回収して循環させるシリコンウェーハの研磨方法であって、前記タンク内の研磨剤中に含まれるケイ酸イオンの濃度を所定の範囲内の濃度となるように調整しながら前記シリコンウェーハを研磨する工程を有することを特徴とするシリコンウェーハの研磨方法が提供される。
　このような研磨方法であれば、研磨速度を高く保つことができ、かつ、研磨速度を各バッチ間で一定に保つことができる。その結果、研磨時間を正確に設定できるので、目標とする研磨取代又は仕上がり厚さに高精度に制御できる。
　このとき、前記供給した研磨剤のうち前記タンク内に回収できない一部の前記研磨剤と同量の新研磨剤を前記タンク内に加える工程を有し、前記研磨剤の一部が前記タンク内に回収されないことによって減少する前記ケイ酸イオンの濃度を、前記シリコンウェーハの研磨中に前記タンク内の研磨剤にアルカリを加え、該アルカリと前記シリコンウェーハとの反応で前記ケイ酸イオンを生成することによって前記所定の範囲内の濃度となるように調整することが好ましい。
　このようにすれば、研磨剤の一部がタンク内に回収されないことによって減少するケイ酸イオンの濃度を容易に所定の範囲内の濃度となるように調整できる。また、ケイ酸イオンをアルカリとシリコンウェーハとの反応で生成させるので、コストの増加を抑制できる。また、タンク内に回収されない一部の研磨剤の量と、タンク内の研磨剤に加えるアルカリの量を調整することによって、研磨速度を調整できる。
　またこのとき、前記所定の範囲内のケイ酸イオンの濃度を、１．０～４．６ｇ／Ｌの範囲内に調整することが好ましい。
　このようにすれば、確実に、高い研磨速度を各バッチ間で一定に保つことができる。
　またこのとき、前記シリコンウェーハの研磨中に前記タンク内の研磨剤に加えるアルカリの量を所定時間当たり一定量となるように調整することが好ましい。
　このようにすれば、アルカリを加えることによって一時的にケイ酸イオンの濃度が低下して研磨速度が不安定になることもなく、より簡潔かつ確実にケイ酸イオンの濃度を所定の範囲内の濃度となるように調整できる。
　またこのとき、前記シリコンウェーハの研磨中に加えるアルカリを、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸水素ナトリウム、炭酸水素カリウム、水酸化ナトリウム、水酸化カリウムのうち少なくとも１つとすることができる。
　このように、本発明のシリコンウェーハの研磨方法では、様々なアルカリを適用できる。
　また、本発明によれば、シリコンウェーハを定盤上に貼り付けられた研磨布に摺接させて研磨する際に前記研磨布に供給する研磨剤であって、水、シリカ、アルカリ、及びケイ酸イオンを含み、前記ケイ酸イオンの濃度が１．０～４．６ｇ／Ｌの範囲内に調整されたものであることを特徴とする研磨剤が提供される。
　このような研磨剤を用いて研磨することによって、研磨速度を高く保つことができ、かつ、研磨速度を各バッチ間で一定に保つことができる。その結果、研磨時間を正確に設定できるので、目標とする研磨取代又は仕上がり厚さに高精度に制御できる研磨剤となる。
　本発明では、シリコンウェーハの研磨方法において、タンク内の研磨剤中に含まれるケイ酸イオンの濃度を所定の範囲内の濃度となるように調整しながらシリコンウェーハを研磨するので、研磨速度を高く保つことができ、かつ、研磨速度を各バッチ間で一定に保つことができる。その結果、研磨時間を正確に設定できるので、目標とする研磨取代又は仕上がり厚さに高精度に制御できる。また、研磨速度が長期に亘って変動しにくいので、研磨剤のライフを長く設定できる。
本発明のシリコンウェーハの研磨方法を実施するために用いることができる両面研磨装置の一例を示した概略図である。（Ａ）側面断面図。（Ｂ）上方から見た内部構造図。 実施例の結果を示す図である。 比較例の結果を示す図である。
　以下、本発明について実施の形態を説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。
　シリコンウェーハの研磨において、従来、研磨速度を向上するために研磨剤のｐＨの値を管理し、例えば１０．５程度に保つように調整しながら研磨を行っている。しかし、このようにしてシリコンウェーハを研磨した場合、上記したように研磨速度は向上されるものの、研磨速度が各バッチ間で一定とならず、ばらつきが発生してしまう。また、特に研磨剤を新規に希釈調製した直後からしばらくの間は、研磨速度が向上しにくいことも分かってきた。
　そこで、本発明者等はこのような問題を解決すべく鋭意検討を重ねた。その結果、従来では考慮されていないケイ酸イオンの濃度が研磨速度を変化させる要因となることに想到した。特に研磨剤を新規に希釈調製した直後からしばらくの間、研磨速度が向上しにくいのは、例えｐＨを十分高い状態としても、ケイ酸イオン濃度が十分に高くなっていないためであることを見出した。そして、このケイ酸イオンの濃度を所定範囲内の濃度となるように調整することによって、高研磨速度を安定して一定に保つことができることに想到し、本発明を完成させた。
　本発明の研磨剤は、シリコンウェーハを定盤上に貼り付けられた研磨布に摺接させて研磨する際に研磨布に供給する研磨剤である。
　また、本発明のシリコンウェーハの研磨方法は、タンク内に貯蔵された本発明の研磨剤を定盤上に貼り付けられた研磨布に供給しながらシリコンウェーハを研磨布に摺接させて研磨し、供給した研磨剤をタンク内に回収して循環させるシリコンウェーハの研磨方法である。
　ここで、本発明は、シリコンウェーハの両面を同時に研磨する両面研磨、及び片面を研磨する片面研磨のどちらにも適応されることができる。
　以下、本発明の研磨剤について説明する。
　本発明の研磨剤は、水、シリカ、アルカリ、及びケイ酸イオンを含むものである。例えば、砥粒が１０～１５０ｎｍ程度のコロイダルシリカを水で希釈し、アルカリを添加し、ケイ酸イオンを含む懸濁液状の研磨剤である。ここで、添加するアルカリは、例えば、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸水素ナトリウム、炭酸水素カリウム、水酸化ナトリウム、水酸化カリウムのうち少なくとも１つである。また、金属不純物汚染を防ぐためのキレート剤を含むものであっても良い。
　さらに、本発明の研磨剤は、ケイ酸イオンの濃度が１．０～４．６ｇ／Ｌの範囲内に調整されたものである。ここで、ケイ酸イオンとしては、系外から導入したケイ酸イオンとシリコンウェーハの研磨中にシリコンウェーハとアルカリとの反応によって生成されるケイ酸イオンを含む。すなわち、シリコンウェーハの研磨中にケイ酸イオンの濃度が上記範囲内に調整された状態のものである。
　このような研磨剤をシリコンウェーハの研磨に用いれば、研磨速度を高く保つことができ、かつ、研磨速度を各バッチ間で一定に保つことができる。その結果、研磨時間を正確に設定できるので、目標とする研磨取代又は仕上がり厚さに高精度に制御できる。
　次に本発明のシリコンウェーハの研磨方法について説明する。ここでは、図１に示すような、複数のシリコンウェーハの両面を同時に研磨するタイプの両面研磨装置を用いて実施する場合を例として説明するが、本発明はこれに限定されず、例えば、１枚のシリコンウェーハの両面を同時に研磨する枚様式の両面研磨装置や、シリコンウェーハの片面を研磨する片面研磨装置を用いて実施することもできる。
　図１（Ａ）（Ｂ）に示すように、両面研磨装置１は上下に相対向して設けられた上定盤２と下定盤３を備えており、上下定盤２、３には、それぞれ研磨布４が貼付されている。そして上下定盤２、３の間の中心部にはサンギヤ９が、周縁部にはインターナルギヤ１０が設けられている。キャリア５にはシリコンウェーハＷを保持するための保持孔６が設けられ、複数のキャリア５が上下定盤２、３の間に挟まれるようになっている。
　また、サンギヤ９及びインターナルギヤ１０の各歯部にはキャリア５の外周歯が噛合しており、上下定盤２、３が上回転軸７、及び下回転軸８により所定の回転速度でそれぞれ回転されるのに伴い、それぞれのキャリア５は自転しつつサンギヤ９の周りを公転する。キャリア５の保持孔６に保持されたシリコンウェーハＷは、上下の研磨布４と摺接されて両面が同時に研磨される。この際、タンク１２内の研磨剤１３をノズル１１から研磨布４に供給する。
　ここで供給する研磨剤１３の組成は上記した本発明の研磨剤とされる。供給した研磨剤１３は、例えば、研磨中に一部が飛び散ったり、ミストとして排気されるなどにより回収できない分を除いて、定盤受け１４に流れ落ちて集められた後、タンク１２内に回収され、以降の研磨に用いられる。このように、研磨剤１３はタンク１２と両面研磨装置１の間を循環する。
　本発明のシリコンウェーハの研磨方法では、このタンク１２内の研磨剤１３中に含まれるケイ酸イオンの濃度を所定の範囲内の濃度となるように調整しながらシリコンウェーハＷを研磨する。このように、本発明は、従来考慮されていなかった研磨剤中のケイ酸イオンの濃度を調整することによって、研磨速度の安定化を図るものである。
　ここで、ケイ酸イオンの濃度の調整方法は特に限定されないが、例えば以下のようにして行うことができる。濃度を減少させる場合には、供給した研磨剤の一部を排液し、ケイ酸イオンが含まれない、又はその調整する濃度より低い濃度のケイ酸イオンが含まれた新研磨剤を加える。濃度を増加させる場合には、ケイ酸イオンを直接加える方法の他に、後述するような、アルカリを加えて研磨中にシリコンウェーハとの反応によってケイ酸イオンを生成させる方法も適用できる。
　このような研磨方法であれば、研磨速度を高く保つことができ、かつ、研磨速度を各バッチ間で一定に保つことができる。その結果、研磨時間を正確に設定できるので、目標とする研磨取代又は仕上がり厚さに高精度に制御できる。また、研磨速度が長期に亘って変動しにくいので、研磨剤のライフを長く設定できる。また、シリコンウェーハの抵抗率に応じて係数を設けることによって、異なる抵抗率のシリコンウェーハを研磨するときに研磨速度を予め予測できる。
　研磨後のシリコンウェーハの表面は金属シリコンが露出した状態となり、研磨剤が付着したままで表面を空気にさらすと、金属シリコンとアルカリが不均一に反応するため面荒れを起こすことがある。そこで、研磨を終了した直後にシリコンウェーハの表面からアルカリを除去するため、純水又は界面活性剤をシリコンウェーハの表面に流すことが一般的に行われている。また、研磨を終了した後、次の研磨（次のバッチ）が行われる前には、通常、洗浄水を流しながら研磨布をブラシなどでこすることによって、研磨布に付着した異物、副生成物、及び研磨剤の凝集物などが除去される。
　このようにして使用された洗浄水や界面活性剤が一部の未回収の研磨剤と混ざり、定盤受けから配管までの区間に残るが、洗浄水や界面活性剤がタンク内の研磨剤に混ざるのを防ぐために、この混合液中の研磨剤は回収できず、排液される。研磨材の回収と排液の切り替えは、配管とタンクとの間にセパレータを設けることによって行われる。
　供給した研磨剤のうち、このように排液される研磨剤と、上記したような研磨中に飛び散る研磨剤などのような、タンク内に回収できない一部の研磨剤による減少分を補うため、それと同量の新研磨剤をタンク内に加える。
　ここで、新研磨剤はタンク内の研磨剤１３のシリカ、水などの比率が変わらないように加えられる。
　そして、研磨剤の一部がタンク内に回収されないことによって減少するケイ酸イオンの濃度を、シリコンウェーハの研磨中にタンク内の研磨剤にアルカリを加え、該アルカリとシリコンウェーハとの反応でケイ酸イオンを生成することによって所定の範囲内の濃度となるように調整する。
　このとき、研磨開始からの経過時間によってセパレータを切り替えることで、排液される研磨剤の量を調整することができる。また、飛び散りなどによって回収できない研磨剤の量も各バッチでほぼ一定となる。すなわち、タンク内に回収できない研磨剤の量は各バッチで一定となるので、タンク内の研磨剤に加えるアルカリの量を調整することによって容易にケイ酸イオンの濃度を調整できる。また、ケイ酸イオンをアルカリとシリコンウェーハとの反応で生成させるので、コストの増加を抑制できる。
　また、タンク内に回収されない一部の研磨剤の量と、タンク内の研磨剤に加えるアルカリの量とのバランスを調整することによってケイ酸イオンの濃度を所定の範囲内で微調整し、延いては研磨速度を調整することもできる。
　ここで、ケイ酸イオンの濃度を所定の範囲内に調整するために加えるアルカリ量及び排液する研磨剤量を、シミュレーションを行うなどして決定することができる。
　以下にシミュレーションの一例を示す。
　シミュレーションの条件として、表１に示すように、直径３００ｍｍのシリコンウェーハを５枚同時に研磨する場合において、取代を１６μｍとすると、研磨重量は１３．１８ｇ（研磨する部分の体積×Ｓｉ密度×枚数）、反応によって生成するＳｉＯ３ ２－の量は２８．２３ｇ（分子量×研磨重量）となる。また、置換率はタンク内に回収される研磨剤の割合を示す。残留率はシリコンウェーハがアルカリと反応して生成するケイ酸イオンが研磨剤中に残存する割合を示し、残留しない分は回収できない研磨剤中に含まれている系外に排出される分である。すなわち、残留率は研磨剤を排液する量と研磨中に加えるアルカリ量に基づいて決定される。この残留率をパラメータとして任意のバッチ後のケイ酸イオンの濃度をシミュレーションできる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
　具体的には、生成ＳｉＯ３ ２－量×残留率によって得られる増加分を初期濃度に加えていくことにより、研磨後の濃度を算出することができる。
　表１の条件でシミュレーションを行った結果を表２に示す。表２に示すように、研磨バッチを繰り返すことによってケイ酸イオンの濃度が増加し、２０バッチ以降からはほぼ一定の濃度が保たれていることが分かる。この濃度の結果が所定の範囲内に入るようにシミュレーションすることによって、各バッチで排液する研磨剤の量及び加えるアルカリの量を決定することができる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000002
　また、所定の範囲内のケイ酸イオンの濃度は、１．０～４．６ｇ／Ｌの範囲内に調整されることが好ましい。
　このようにすれば、研磨速度を高く、かつ、各バッチ間で一定に確実に保つことができる。
　またこのとき、シリコンウェーハの研磨中にタンク内の研磨剤に加えるアルカリの量を所定時間当たり一定量となるように調整することが好ましい。ここで、加えるアルカリの所定時間当たり一定量は、使用する研磨装置やタンクの容量などによって適宜決定される。
　このようにすれば、アルカリを加えることによって一時的にケイ酸イオンの濃度が低下して研磨速度が不安定になることもなく、より確実にケイ酸イオンの濃度を所定の範囲内の濃度となるように調整することができる。
　或いは、特に研磨サイクルが十分に短く、必要なアルカリ量が少ない場合には、研磨中、又は研磨前後に必要な量のアルカリをまとめてタンク内に加えることもできる。
　ここで、シリコンウェーハの研磨中に加えるアルカリは、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸水素ナトリウム、炭酸水素カリウム、水酸化ナトリウム、水酸化カリウムのうち少なくとも１つとすることができ、様々なアルカリを適用できる。
　尚、研磨剤を新規に作成した場合には、ケイ酸イオンの濃度を所定の範囲内に調整するために、ケイ酸イオンを加える、又は、アルカリを加えながらダミーのシリコンウェーハを研磨するなどしてケイ酸イオンを増やす調整が必要であるが（例えば、上記シミュレーションにおける０～１５バッチの間）、その調整後、本発明のシリコンウェーハの研磨方法を用いてケイ酸イオンの濃度を所定の範囲内に調整しながらシリコンウェーハを繰り返し研磨することにより、長期に亘り安定して研磨速度を一定に保つことができる。
　研磨剤中のケイ酸イオンの濃度の簡便な評価方法として、例えば、研磨剤の比重、電気導電率、濁度などが挙げられる。これらが一定のとき、ケイ酸イオンの濃度も一定であると考えることができる。
　尚、循環される研磨剤に溶解するケイ酸イオンの濃度は、タンクの容量とシリコンウェーハの仕込み枚数（同時に研磨するシリコンウェーハの枚数）が一定の場合、研磨取代に依存するので必要な取代が増えればケイ酸イオンの濃度が高くなる。両面研磨のような取代が多い研磨では、図のように４．６ｇ／Ｌを上限とすることが好ましい。
　また、仕上研磨のような研磨取代が極僅かな研磨では、溶解するケイ酸イオン濃度の増加があまり期待できない。この場合、スラリー原液に含まれるケイ酸イオン濃度に依存することになるが、高い研磨レートを期待するためには、１．０ｇ／Ｌ以上含まれることが好ましい。
　以下、本発明の実施例及び比較例を示して本発明をより具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
（実施例）
　図１に示すような５枚のシリコンウェーハを同時に研磨可能な両面研磨装置を用い、本発明のシリコンウェーハの研磨方法に従って、研磨剤中のケイ酸イオンの濃度を４．６ｇ／Ｌに調整しながら、直径３００ｍｍのシリコンウェーハの研磨をバッチ式に繰り返した。ここで、１バッチ当たりの研磨枚数を５枚とした。また、エッチング済みのシリコンウェーハを、研磨前の厚さが７９３±２μｍ程度から７７７μｍとなるように、すなわち、研磨取代が１６μｍ程度となるように研磨時間を設定し、研磨圧２００ｇ／ｃｍ２で研磨した。研磨後のシリコンウェーハの厚さを測定して研磨代を調べ、この研磨代と研磨時間とから研磨速度を算出して評価した。
　まず、本発明の研磨剤を以下のようにして作製した。
　７０Ｌの容量のタンク内に一次粒子径が３５ｎｍのコロイダルシリカを約０．６重量％、アルカリとしてＫＯＨを約０．０７５重量％入れて攪拌し、ベース研磨剤とした。その後、このベース研磨剤を供給しながらダミーのシリコンウェーハを研磨し、研磨中に５％ＫＯＨを加えることによって、研磨剤中のケイ酸イオンの濃度が４．６ｇ／Ｌになるように調整した。
　このようにして作製した本発明の研磨剤を用いてシリコンウェーハの研磨を繰り返し、各バッチの研磨速度を評価した。ここで、研磨剤中のケイ酸イオンの濃度は、研磨後に供給した研磨剤のうち、９Ｌの研磨剤を排液し、その分の新研磨剤を補充し、研磨中には、タンク内の研磨剤に５％ＫＯＨを２分当たり３ｍｌとなるように加えることによって、４．６ｇ／Ｌになるように調整した。
　そして、研磨後のケイ酸イオンの濃度を、モリブデン黄色法によって測定した。
　その結果を図２に示す。図中の研磨速度は、研磨剤を作製するためにダミーウェーハを研磨した際の研磨速度を１としたときの相対値で示されている。図２に示すように、ケイ酸イオンの濃度を４．６ｇ／Ｌに調整しながら研磨することによって、図３に示す比較例の結果と比べ、同等の高い研磨速度を保ちつつ、研磨速度が各バッチ間で一定になっていることが分かった。また、目的の研磨取代も安定して達成できていることが分かった。
　このように、本発明のシリコンウェーハの研磨方法及び研磨剤は、高い研磨速度を各バッチ間で一定に保つことを可能にすることが確認できた。これにより、目標とする研磨取代又は仕上がり厚さに高精度に制御できる。
（比較例）
　ケイ酸イオンの濃度を考慮せず、研磨剤のｐＨを一定に保ちながら研磨する従来の研磨方法を用いた以外、実施例と同様な条件でシリコンウェーハを研磨し、実施例と同様に評価した。
　その結果を図３に示す。図中の研磨速度は、実施例の研磨速度に対する相対値で示されている。図３に示すように、研磨剤のｐＨが一定になっているにも関わらず、研磨速度のばらつきが実施例と比べ大きくなっていることが分かった。この研磨速度のばらつきによって、研磨取代にもばらつきが発生してしまった。
　なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。

Claims (6)

  1. 　タンク内に貯蔵された研磨剤を定盤上に貼り付けられた研磨布に供給しながらシリコンウェーハを前記研磨布に摺接させて研磨し、前記供給した研磨剤を前記タンク内に回収して循環させるシリコンウェーハの研磨方法であって、
    　前記タンク内の研磨剤中に含まれるケイ酸イオンの濃度を所定の範囲内の濃度となるように調整しながら前記シリコンウェーハを研磨する工程を有することを特徴とするシリコンウェーハの研磨方法。
  2. 　前記供給した研磨剤のうち前記タンク内に回収できない一部の前記研磨剤と同量の新研磨剤を前記タンク内に加える工程を有し、前記研磨剤の一部が前記タンク内に回収されないことによって減少する前記ケイ酸イオンの濃度を、前記シリコンウェーハの研磨中に前記タンク内の研磨剤にアルカリを加え、該アルカリと前記シリコンウェーハとの反応で前記ケイ酸イオンを生成することによって前記所定の範囲内の濃度となるように調整することを特徴とする請求項１に記載のシリコンウェーハの研磨方法。
  3. 　前記所定の範囲内のケイ酸イオンの濃度を、１．０～４．６ｇ／Ｌの範囲内に調整することを特徴とする請求項１又は請求項２に記載のシリコンウェーハの研磨方法。
  4. 　前記シリコンウェーハの研磨中に前記タンク内の研磨剤に加えるアルカリの量を所定時間当たり一定量となるように調整することを特徴とする請求項２又は請求項３に記載のシリコンウェーハの研磨方法。
  5. 　前記シリコンウェーハの研磨中に加えるアルカリを、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸水素ナトリウム、炭酸水素カリウム、水酸化ナトリウム、水酸化カリウムのうち少なくとも１つとすることを特徴とする請求項２乃至請求項４のいずれか１項に記載のシリコンウェーハの研磨方法。
  6. 　シリコンウェーハを定盤上に貼り付けられた研磨布に摺接させて研磨する際に前記研磨布に供給する研磨剤であって、
    　水、シリカ、アルカリ、及びケイ酸イオンを含み、前記ケイ酸イオンの濃度が１．０～４．６ｇ／Ｌの範囲内に調整されたものであることを特徴とする研磨剤。
     
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