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WO2018163368A1 - 欠陥修正方法、欠陥修正装置、及び表示パネル - Google Patents

欠陥修正方法、欠陥修正装置、及び表示パネル Download PDF

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WO2018163368A1
WO2018163368A1 PCT/JP2017/009550 JP2017009550W WO2018163368A1 WO 2018163368 A1 WO2018163368 A1 WO 2018163368A1 JP 2017009550 W JP2017009550 W JP 2017009550W WO 2018163368 A1 WO2018163368 A1 WO 2018163368A1
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WO
WIPO (PCT)
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display panel
pixel
transistor
ion implantation
pixels
Prior art date
Application number
PCT/JP2017/009550
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
進次 松崎
Original Assignee
堺ディスプレイプロダクト株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 堺ディスプレイプロダクト株式会社 filed Critical 堺ディスプレイプロダクト株式会社
Priority to US16/490,042 priority Critical patent/US20200124928A1/en
Priority to PCT/JP2017/009550 priority patent/WO2018163368A1/ja
Priority to CN201780088159.5A priority patent/CN110402459A/zh
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Definitions

  • the present invention relates to a defect correcting method, a defect correcting apparatus, and a display panel for correcting a defect of a pixel such as a bright spot in a display panel by making it black.
  • a display panel such as an organic EL panel or a liquid crystal panel
  • defects such as a bright spot with an abnormally high pixel brightness may occur due to foreign matters.
  • a method of correcting a defect in the display panel by performing blackening that darkens the luminance of the pixel.
  • black spots are formed by a technique of laser-cutting the periphery of a light emitting region in a bright spot pixel.
  • Patent Document 1 discloses a method of manufacturing a liquid crystal display device for the purpose of making a bright spot defect in the liquid crystal display device invisible. According to the method of Patent Document 1, a portion corresponding to a bright spot defect in a glass substrate of a liquid crystal display device is doped with halogen ions and metal ions, and laser irradiation is performed on the doped portion. Thereby, a light shielding layer is formed on the glass substrate, and light from bright spot defects is shielded to achieve black spots.
  • An object of the present invention is to provide a defect correcting method, a defect correcting apparatus, and a display panel capable of accurately blacking out a pixel defect of a display panel.
  • the defect correction method is a method for blackening defective pixels in a display panel including a plurality of pixels including transistors.
  • the method includes a step of detecting a pixel to be corrected from a plurality of pixels on the display panel.
  • the method includes the step of implanting ions into a predetermined region corresponding to the transistor so that the transistor in the detected pixel is not turned on during the display operation of the display panel.
  • the defect correction apparatus darkens defective pixels in a display panel.
  • the defect correction apparatus includes an information acquisition unit and an ion implantation unit.
  • the information acquisition unit acquires position information indicating the position of the correction target pixel among the plurality of pixels on the display panel. Based on the acquired position information, the ion implantation unit implants ions into a predetermined region corresponding to the transistor so that the transistor in the pixel at the position indicated by the position information is not turned on during the display operation of the display panel.
  • the display panel displays an image.
  • the display panel includes a plurality of pixels each including a transistor.
  • the plurality of pixels include pixels in which the concentration of ions in the semiconductor layer between the source and drain of the transistor is equal to or higher than a predetermined value.
  • the predetermined value is a value by which the threshold voltage is shifted so that the gate voltage used during the display operation of the display panel does not reach the threshold voltage of the transistor.
  • the defect of the pixel of the display panel can be blackened with high accuracy by disabling the transistor in the pixel to be corrected by ion implantation. it can.
  • FIG. Block diagram showing the configuration of the ion implantation apparatus of the inspection system
  • FIG. 1A is a diagram illustrating a display panel 1 that is a target of the defect correction method of this embodiment.
  • This defect correction method can be applied to the active matrix display panel 1 when a defect such as a bright spot where the pixel 10 has an abnormally high luminance or a dark spot where the pixel 10 blinks occurs.
  • the display panel 1 includes a plurality of pixels 10 arranged in a matrix on the display surface, a gate line GL arranged corresponding to a matrix row of the pixels 10, and a column corresponding to the matrix of the pixels 10.
  • One pixel 10 corresponds to, for example, one of R, G, and B colors.
  • X direction the direction in which the gate line GL of the display panel 1 extends
  • Y direction the direction in which the source line SL extends
  • FIG. 1B shows an example of an equivalent circuit (hereinafter referred to as “pixel circuit”) 10a of the pixel 10 of the display panel 1 according to the present embodiment.
  • the pixel circuit 10a illustrated in FIG. 1 includes two TFTs (thin film transistors) 11 and 12, one capacitor 13, and an OLED (organic light emitting diode) 14.
  • the two TFTs 11 and 12 are a switching TFT 11 and a driving TFT 12 each composed of an N-type transistor.
  • the switching TFT 11 has a gate connected to the gate line GL, a source connected to the source line SL, and a drain connected to the gate of the driving TFT 12.
  • the switching TFT 11 functions as a switch for selecting the pixel 10. Based on the gate signal Vg input from the gate line GL, the switching TFT 11 is turned on when the gate voltage is equal to or higher than a predetermined threshold voltage, and turned off when the gate voltage is lower than the threshold voltage.
  • the driving TFT 12 drives the light emission of the OLED 14 based on the power supply voltage VDD.
  • the gate voltage of the driving TFT 12 is controlled based on the data signal Vd input from the source line SL when the switching TFT 11 is in the on state.
  • the driving TFT 12 is turned on when the gate voltage is equal to or higher than a predetermined threshold voltage, and turned off when the gate voltage is lower than the threshold voltage.
  • the driving TFT 12 causes a current corresponding to the gate voltage to flow through the OLED 14 in the ON state.
  • the capacitor 13 is charged and discharged based on the data signal Vd when the switching TFT 11 is in the on state, and holds the gate voltage of the driving TFT 12 when the switching TFT 11 is in the off state.
  • the OLED 14 is an example of a light emitting element including an organic material.
  • the OLED 14 emits light with a light amount corresponding to the current controlled by the driving TFT 12 when the driving TFT 12 is in the on state. Further, when the driving TFT 12 is in an off state, the OLED 14 does not emit light.
  • the driving TFT 12 in the correction target pixel 10 is disabled using local ion implantation.
  • the driving TFT 12 of the pixel 10 is not turned on, and the OLED 14 does not emit light.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view of the pixel structure in the thickness direction of the display panel 1.
  • the thickness direction of the display panel 1 is referred to as “Z direction”.
  • the + Z side may be referred to as “upper side” and the ⁇ Z side may be referred to as “lower side”.
  • the switching TFT 11 and the driving TFT 12 are provided by laminating various electrodes, a gate insulating film 16 and a semiconductor layer on a substrate 15, and are covered with a smoothing film 17.
  • the OLED 14 is provided together with the bank 18 on the smoothing film 17 on the upper side of the substrate 15.
  • the switching TFT 11 includes three electrodes of a gate 11a, a source 11b and a drain 11c, and a semiconductor layer 11d provided between the source 11b and the drain 11c.
  • the semiconductor layer 11 d is, for example, an N + layer, and is doped with a donor having a predetermined concentration shared between the pixels 10.
  • the semiconductor layer 11d and the gate 11a face each other via the gate insulating film 16, and a channel of the switching TFT 11 is formed at the interface between the semiconductor layer 11d and the gate insulating film 16.
  • the driving TFT 12 includes three electrodes, a gate 12a, a source 12b, and a drain 12c, and a semiconductor layer 12d provided between the source 12b and the drain 12c.
  • the semiconductor layer 12d of the driving TFT 12 is configured similarly to the semiconductor layer 11d of the switching TFT 11, for example. Similar to the switching TFT 11, the channel of the driving TFT 12 is formed at the interface between the semiconductor layer 12 d and the gate insulating film 16.
  • the drain 12 c of the driving TFT 12 is connected to the electrode 14 a of the OLED 14.
  • the OLED 14 includes an electrode 14a, an organic layer 14b, and a cathode 14c.
  • the electrode 14 a constitutes the anode of the OLED 14.
  • the organic layer 14b is made of a light emitting organic material.
  • the cathode 14c faces the electrode 14a through the organic layer 14b.
  • cations of trivalent atoms such as boron are implanted into the semiconductor layer 12d of the driving TFT 12.
  • the threshold voltage of an N-type transistor such as the driving TFT 12 increases as the dose of the ions in the semiconductor layer 12d between the source 12b and the drain 12c increases.
  • the threshold voltage of the normal driving TFT 12 that is not ion-implanted is set within a predetermined range that can be set as the gate voltage of the driving TFT 12 during the display operation of the display panel 1.
  • ion implantation is performed at a dose such that the threshold voltage of the drive TFT 12 becomes a predetermined value that exceeds the maximum value of the gate voltage that can be set during the display operation of the display panel 1.
  • the drive TFT 12 ion-implanted during the display operation of the display panel 1 is always turned off, and the pixel 10 to be corrected can be blackened with high accuracy.
  • ion implantation is performed from the + Z side of the display panel 1.
  • the energy of ion implantation can be reduced as compared with the case where ion implantation is performed so as to penetrate through the substrate 15 from the ⁇ Z side.
  • various elements such as the driving TFT 12 of each pixel 10 are regularly arranged in a predetermined layout.
  • the predetermined layout is set depending on R, G, B of the pixel 10, the model of the display panel 1, and the like.
  • layout information indicating the layout of the pixel structure of the display panel 1
  • an ion implantation region is specified with high accuracy in the defect correction method.
  • FIG. 3 is a block diagram showing a configuration of the inspection system 2 in the present embodiment.
  • the inspection system 2 inspects each display panel 1 when, for example, a plurality of display panels 1 are manufactured and shipped.
  • the inspection system 2 can be used for various inspection processes in the manufacturing process of the display panel 1.
  • the inspection system 2 includes an inspection device 21, an information processing device 22, and an ion implantation device 23 as shown in FIG.
  • the inspection device 21 is, for example, an AOI (Automated Optical Inspection) device.
  • the inspection device 21 includes a camera that generates a captured image, a CPU that executes a predetermined image analysis algorithm, and the like, and performs automatic optical inspection on each display panel 1.
  • the inspection device 21 images the display panel 1 to be inspected, and performs image analysis for inspecting various defects such as bright spots and dark spots on the captured image of the display panel 1. For example, when there is a bright spot pixel 10 on the display panel 1, the inspection device 21 detects the pixel 10 in the image analysis of the captured image of the display panel 1 based on, for example, a luminance difference in the captured image.
  • the inspection device 21 generates inspection data indicating the inspection result of the display panel 1 by image analysis, and transmits the generated inspection data to the information processing device 22.
  • the inspection data includes, for example, information indicating the detected defective pixel 10 as a correction target when a defective pixel 10 such as a bright spot or a dark spot is detected.
  • the inspection data may include identification information of the display panel 1 that has been inspected.
  • the information processing device 22 performs information processing using a software tool or the like for managing the inspection result of the display panel 1 based on the inspection data from the inspection device 21.
  • the information processing device 22 is, for example, a PC (personal computer) or a server device.
  • the information processing apparatus 22 includes a memory that stores various data such as inspection data of the display panel 1 and a program such as a software tool, and a CPU that reads information stored in the memory to realize a predetermined information processing function.
  • the information processing device 22 is communicatively connected to the inspection device 21, the ion implantation device 23, and the like via an interface circuit that complies with a predetermined communication standard.
  • the information processing apparatus 22 When the inspection data from the inspection apparatus 21 includes information indicating the pixel 10 detected as the correction target, the information processing apparatus 22 generates position information indicating the position of the pixel 10.
  • the position information includes, for example, the X coordinate and the Y coordinate of the center position of the pixel 10 on the display panel 1.
  • the information processing device 22 transmits the generated position information to the ion implantation device 23.
  • the ion implantation apparatus 23 performs ion implantation locally based on the position information from the information processing apparatus 22 and corrects defects due to black spots.
  • the ion implantation apparatus 23 is an example of a defect correction apparatus in the present embodiment. The configuration and operation of the ion implantation apparatus 23 will be described with reference to FIG.
  • FIG. 4 is a block diagram showing a configuration of the ion implantation apparatus 23 in the inspection system 2.
  • the ion implantation apparatus 23 includes an ion implantation unit 31, a mask 32, a stage 33, a stage driving unit 34, and a control unit 35.
  • the ion implantation unit 31 includes an ion source that generates predetermined ions (for example, boron), an acceleration tube that accelerates the generated ions, and a beam emitting unit that emits an ion beam of the accelerated ions.
  • the ion implantation part 31 and the mask 32 are fixed to a common housing or the like, for example, and are integrally configured as a head 30.
  • the mask 32 is disposed so as to face the beam emitting part of the ion implantation part 31 in the head 30.
  • the mask 32 is larger than the display surface of the display panel 1, for example, and has a predetermined size hole (hereinafter referred to as "mask hole") 32a.
  • the size of the mask hole 32a corresponds to the size of the semiconductor layer 12d (FIG. 2) of the drive TFT 12 in the pixel 10 on the display surface (XY plane) of the display panel 1, for example.
  • the size of the mask hole 32a may be appropriately set within a range equal to or smaller than the size of one pixel 10 on the display surface.
  • the stage 33 is disposed to face the mask 32.
  • the display panel 1 is placed on the stage 33 such that the main surface (display surface) faces the mask 32.
  • the stage drive unit 34 is composed of various actuators that can be driven in two axial directions.
  • the stage drive unit 34 drives the position of the stage 33 along the X direction and Y direction of the placed display panel 1 under the control of the control unit 35.
  • the control unit 35 includes, for example, a CPU that realizes a predetermined function in cooperation with software, and controls the overall operation of the ion implantation apparatus 23.
  • the control unit 35 includes an interface circuit that conforms to a predetermined communication standard, and receives position information from the information processing apparatus 22.
  • the control unit 35 is an example of an information acquisition unit in the ion implantation apparatus 23.
  • the control unit 35 includes an internal memory 35a such as a flash memory.
  • the internal memory 35a stores, for example, a predetermined program, position information from the information processing device 22, layout information of the display panel 1, and the like.
  • the layout information of the display panel 1 indicates, for example, the arrangement of R, G, B of the pixel 10 on the display surface of the display panel 1 and the arrangement of various elements in each pixel 10 of R, G, B.
  • the control unit 35 reads out data and programs stored in the internal memory 35a and performs various arithmetic processes, and various functions such as an information acquisition function from the information processing apparatus 22 and an ion implantation control by the ion implantation apparatus 23. Is realized.
  • the control unit 35 may be a hardware circuit such as a dedicated electronic circuit or a reconfigurable electronic circuit designed to realize a predetermined function.
  • the control unit 35 may be configured by various semiconductor integrated circuits such as a CPU, MPU, microcomputer, DSP, FPGA, and ASIC.
  • the operation of the ion implantation apparatus 23 configured as described above will be described below. In the following, it is assumed that the display panel 1 from which the pixel 10 to be corrected is detected by the inspection apparatus 21 is placed on the stage 33 of the ion implantation apparatus 23.
  • control unit 35 of the ion implantation apparatus 23 acquires position information from the information processing apparatus 22 and specifies a position to be subjected to ion implantation on the display panel 1.
  • control unit 35 specifies whether the correction target pixel 10 is an R, G, or B pixel based on the layout information stored in the internal memory 35a and the pixel position indicated by the position information. . Further, the control unit 35 refers to the layout information, and adds and / or subtracts the X coordinate and the Y coordinate of the semiconductor layer 12d (FIG. 2) of the drive TFT 12 in the specified pixel to the position indicated by the position information, A position to be subjected to ion implantation is calculated.
  • control unit 35 controls the stage driving unit 34 to drive the stage 33, the position specified on the display panel 1 on the stage 33, and the position of the mask hole 32 a of the mask 32 fixed to the head 30. Align so that.
  • control unit 35 controls the ion implantation unit 31 to execute ion implantation into the display panel 1 on the stage 33.
  • An ion beam is emitted toward the mask 32 from the beam emission part of the ion implantation part 31.
  • the mask 32 blocks the ion beam incident on the portion other than the mask hole 32a. Thereby, an ion beam is irradiated to the area
  • the ion implanter 31 accelerates ions generated in the ion source to a predetermined energy and emits an ion beam.
  • the predetermined energy is set such that ions reach the semiconductor layer 12d from the + Z side of the display panel 1 (see FIG. 2).
  • Ion implantation by the ion implantation apparatus 23 is performed until the dose amount of ions implanted into the semiconductor layer 12d (that is, the concentration of the ions) reaches a predetermined value.
  • the predetermined value is a value that shifts the threshold voltage so that the gate voltage of the driving TFT 12 that can be set during the display operation of the display panel 1 does not reach the threshold voltage of the driving TFT 12 (for example, 1 ⁇ 10 12 ions). / cm 2 or more).
  • the ion implantation apparatus 23 performs ion implantation on the semiconductor layer 12d of the driving TFT 12 of the correction target pixel 10 detected by the inspection apparatus 21, based on the position information acquired from the information processing apparatus 22.
  • the pixel 10 can be blackened with high accuracy.
  • the position to be subjected to ion implantation may be specified for each model.
  • the ion implantation apparatus 23 stores layout information for each model of the display panel 1 in the internal memory 35a in advance, and when performing ion implantation, identification information indicating the model of the display panel 1 is stored in the information processing apparatus 22 or the like. The layout information of the model indicated by the identification information is used.
  • the region where ion implantation is performed on the display panel 1 may be appropriately set within a range including the semiconductor layer 12d (FIG. 2) of the driving TFT 12 of the pixel 10 to be corrected.
  • the entire correction target pixel 10 may be set in a region where ion implantation is performed.
  • the defect correction method is a method for blackening the defective pixel 10 in the display panel 1 including a plurality of pixels (10) including the TFTs 11 and 12.
  • the method includes a step of detecting a pixel 10 to be corrected from among a plurality of pixels 10 in the display panel 1.
  • the method includes a step of implanting ions into a predetermined region corresponding to the drive TFT 12 so that the drive TFT 12 in the detected pixel 10 is not turned on during the display operation of the display panel 1.
  • the defect of the pixel 10 of the display panel 1 can be blackened with high accuracy by disabling the driving TFT 12 in the correction target pixel 10 during the display operation of the display panel 1 by ion implantation. .
  • the step of implanting ions is performed until the threshold voltage is shifted so that the gate voltage of the driving TFT 12 used during the display operation of the display panel 1 does not reach the threshold voltage of the driving TFT 12. Ions are implanted. As a result, the driving TFT 12 is maintained in the off state during the display operation of the display panel 1, and the accuracy of blackening can be improved.
  • the predetermined region into which ions are implanted includes the semiconductor layer 12d between the source 12b and the drain 12c of the driving TFT 12.
  • the threshold voltage of the driving TFT 12 can be set with high accuracy by changing the dose amount of the region where the channel of the driving TFT 12 is formed.
  • the step of detecting the correction target pixel 10 detects the bright spot pixel 10 or the dark spot pixel 10. According to this method, the defect of the pixel 10 such as a bright spot and a dark spot in the display panel 1 can be blackened.
  • the display panel 1 is an organic EL panel.
  • ions are implanted so that the driving TFT 12 that drives the light emission of the pixels 10 in the organic EL panel is not turned on during the display operation of the display panel 1.
  • the black spot can be accurately formed without causing the OLED 14 to emit light by ion implantation.
  • boron ions are implanted into the driving TFT 12 of the N-type transistor.
  • the ions implanted into the N-type transistor are not limited to boron ions, but may be other trivalent atom cations.
  • the ion implantation apparatus 23 is an example of a defect correction apparatus that darkens the defective pixel 10 in the display panel 1.
  • the ion implantation apparatus 23 includes a control unit 35 and an ion implantation unit 31.
  • the control unit 35 functions as an information acquisition unit that acquires position information indicating the position of the correction target pixel 10 among the plurality of pixels 10 in the display panel 1. Based on the acquired position information, the ion implantation unit 31 applies ions to a predetermined region corresponding to the drive TFT 12 so that the drive TFT 12 in the pixel 10 at the position indicated by the position information does not turn on during the display operation of the display panel 1. inject.
  • the defect of the pixel 10 of the display panel 1 is accurately blackened by disabling the driving TFT 12 in the correction target pixel 10 during the display operation of the display panel 1 by ion implantation. be able to.
  • the display panel 1 displays an image.
  • the display panel 1 includes a plurality of pixels 10 each including TFTs 11 and 12.
  • the plurality of pixels 10 include pixels 10 in which the concentration of ions in the semiconductor layer 12 d between the source 12 b and the drain 12 c of the driving TFT 12 is equal to or higher than a predetermined value.
  • the predetermined value is a value by which the threshold voltage is shifted so that the gate voltage of the driving TFT 12 used during the display operation of the display panel 1 does not reach the threshold voltage of the driving TFT 12.
  • the driving TFT 12 of the specific pixel 10 becomes inoperable, and the pixel 10 of the display panel 1 can be blackened with high accuracy.
  • Embodiment 1 In Embodiment 1 described above, ions are implanted into the semiconductor layer 12d from the + Z side of the display panel 1. However, ions may be implanted from the ⁇ Z side of the display panel 1 (see FIG. 2). When ion implantation is performed from the ⁇ Z side, the ion energy is set in the ion implantation apparatus 23 so that, for example, ions penetrate the substrate 15 of the display panel 1 and reach the semiconductor layer 12d.
  • the alignment is performed by driving the stage 33 in the ion implantation apparatus 23.
  • the present invention is not limited to this.
  • the head 30 of the ion implantation apparatus 23 may be driven.
  • the mask 32 may be moved independently of the ion implantation part 31, and in this case, the ion implantation part 31 and the mask 32 may not be configured integrally with the head 30.
  • the driving TFT 12 in the correction target pixel 10 is disabled by ion implantation, but the present invention is not limited to this.
  • ion implantation may be performed so as to disable the switching TFT 11 in addition to or instead of the driving TFT 12.
  • the example in which the two TFTs 11 and 12 of the switching TFT 11 and the driving TFT 12 are included in the pixel 10 has been described.
  • the pixel to be corrected includes a plurality of transistors, at least one of them is included. Ions may be implanted to disable the transistor.
  • ion implantation for forming a black spot is performed on an N-type transistor
  • ion implantation may be performed on a P-type transistor.
  • anions of pentavalent atoms such as phosphorus and arsenic may be implanted.
  • ions are implanted until the threshold voltage is shifted so that the gate voltage used during the display operation of the display panel 1 does not reach the threshold voltage of the transistor.
  • the dose amount of ion implantation is a predetermined value (for example, 1 ⁇ 10 13 ions / cm) where the threshold voltage of the target transistor is lower than the minimum value of the gate voltage of the transistor that can be set during the display operation of the display panel 1. 2 or more).
  • the threshold voltage of the transistor is shifted by ion implantation.
  • the transistor may be disabled by ion implantation based on other principles.
  • the transistor may be disabled by short-circuiting or partially damaging the gate and source of the transistor by ion implantation.
  • the display panel 1 is described as an organic EL panel.
  • the present invention is not limited to the organic EL panel, and can be applied to various active matrix display panels such as a liquid crystal panel. .
  • a TFT included in the pixel of the liquid crystal panel may be disabled by ion implantation.

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Abstract

トランジスタ（１１，１２）を含む画素（１０）を複数備えた表示パネル（１）における欠陥の画素を黒点化する欠陥修正方法を提供する。本方法は、表示パネルにおける複数の画素の中から、修正対象の画素を検出するステップを含む。本方法は、検出された画素におけるトランジスタ（１２）が表示パネルの表示動作時にオンしなくなるように、当該トランジスタに対応する所定領域にイオンを注入するステップを含む。

Description

欠陥修正方法、欠陥修正装置、及び表示パネル
　本発明は、表示パネルにおける輝点などの画素の欠陥を黒点化して修正する欠陥修正方法、欠陥修正装置、及び表示パネルに関する。
　有機ＥＬパネル、液晶パネル等の表示パネルにおいては、異物の混入等により、画素の輝度が異常に高い輝点などの欠陥が発生する場合がある。このような場合に、当該画素の輝度を暗くする黒点化を行うことで、表示パネルの欠陥を修正する手法が知られている。例えば、有機ＥＬパネルでは、輝点の画素における発光領域の周囲をレーザカットするという手法で黒点化が為されている。
　また、特許文献１は、液晶表示装置における輝点欠陥を視認不能にすることを目的とする液晶表示装置の製造方法を開示している。特許文献１の方法によると、液晶表示装置のガラス基板において輝点欠陥に対応する部分に、ハロゲンイオン及び金属イオンをドープし、ドープした部分にレーザ照射を行っている。これにより、ガラス基板に遮光層を形成し、輝点欠陥からの光を遮光して黒点化を図っている。
国際公開第２００９／０１３９２１号
　本発明の目的は、表示パネルの画素の欠陥を精度良く黒点化することができる欠陥修正方法、欠陥修正装置、及び表示パネルを提供することである。
　本発明の一態様に係る欠陥修正方法は、トランジスタを含む画素を複数備えた表示パネルにおける欠陥の画素を黒点化する方法である。本方法は、表示パネルにおける複数の画素の中から、修正対象の画素を検出するステップを含む。本方法は、検出された画素におけるトランジスタが表示パネルの表示動作時にオンしなくなるように、当該トランジスタに対応する所定領域にイオンを注入するステップを含む。
　本発明の一態様に係る欠陥修正装置は、表示パネルにおける欠陥の画素を黒点化する。欠陥修正装置は、情報取得部と、イオン注入部とを備える。情報取得部は、表示パネルにおける複数の画素の中の修正対象の画素の位置を示す位置情報を取得する。イオン注入部は、取得された位置情報に基づいて、位置情報が示す位置の画素におけるトランジスタが表示パネルの表示動作時にオンしなくなるように、当該トランジスタに対応する所定領域にイオンを注入する。
　本発明の一態様に係る表示パネルは、画像を表示する。表示パネルは、トランジスタをそれぞれ備えた複数の画素を備える。複数の画素は、トランジスタのソースとドレイン間の半導体層におけるイオンの濃度が所定値以上である画素を含む。所定値は、表示パネルの表示動作時に用いられるゲート電圧が当該トランジスタのしきい値電圧に到達しないようにしきい値電圧がシフトされる値である。
　本発明に係る欠陥修正方法、欠陥修正装置、及び表示パネルによると、イオン注入によって、修正対象の画素におけるトランジスタを動作不能にすることで、表示パネルの画素の欠陥を精度良く黒点化することができる。
本発明の実施形態１に係る表示パネルを説明するための図 欠陥修正方法を説明するための表示パネルの画素構造の断面図 実施形態１における検査システムの構成を示すブロック図 検査システムのイオン注入装置の構成を示すブロック図
　以下、添付の図面を参照して本発明に係る実施の形態を説明する。なお、以下の各実施形態において、同様の構成要素については同一の符号を付している。
（実施形態１）
　本発明に係る表示パネルの欠陥修正方法の実施形態１を、図１～４を参照して説明する。
１．欠陥修正方法について
　図１（ａ）は、本実施形態の欠陥修正方法の対象となる表示パネル１を例示する図である。本欠陥修正方法は、アクティブマトリクス型の表示パネル１において、画素１０が異常に高い輝度を有する輝点や、画素１０が点滅する滅点などの欠陥が発生した場合に適用可能である。
　表示パネル１は、表示面上でマトリクス状に配置された複数の画素１０と、画素１０のマトリクスの行に対応して配置されるゲート線ＧＬと、画素１０のマトリクスの列に対応して配置されるソース線ＳＬとを備える。１つの画素１０は、例えばＲ，Ｇ，Ｂの内の１色に対応する。以下、表示パネル１のゲート線ＧＬが延在する方向を「Ｘ方向」とし、ソース線ＳＬが延在する方向を「Ｙ方向」とする。
　本実施形態では、表示パネル１が有機ＥＬパネルである場合について説明する。図１（ｂ）に、本実施形態に係る表示パネル１の画素１０の等価回路（以下、「画素回路」という）１０ａの一例を示す。
　図１に例示する画素回路１０ａは、二つのＴＦＴ（薄膜トランジスタ）１１，１２と、一つのキャパシタ１３と、ＯＬＥＤ（有機発光ダイオード）１４とを備える。本例では、二つのＴＦＴ１１，１２は、それぞれＮ型トランジスタで構成されるスイッチングＴＦＴ１１及び駆動ＴＦＴ１２である。スイッチングＴＦＴ１１のゲートはゲート線ＧＬに接続され、ソースはソース線ＳＬに接続され、ドレインは駆動ＴＦＴ１２のゲートに接続される。
　スイッチングＴＦＴ１１は、画素１０を選択するスイッチとして機能する。スイッチングＴＦＴ１１は、ゲート線ＧＬから入力されるゲート信号Ｖｇに基づいて、ゲート電圧が所定のしきい値電圧以上であるときにオンし、しきい値電圧未満であるときにオフする。
　駆動ＴＦＴ１２は、電源電圧ＶＤＤに基づいてＯＬＥＤ１４の発光を駆動する。駆動ＴＦＴ１２のゲート電圧は、スイッチングＴＦＴ１１がオン状態のときに、ソース線ＳＬから入力されるデータ信号Ｖｄに基づき制御される。駆動ＴＦＴ１２は、ゲート電圧が所定のしきい値電圧以上であるときにオンし、しきい値電圧未満であるときにオフする。駆動ＴＦＴ１２は、オン状態においてゲート電圧に応じた電流をＯＬＥＤ１４に流す。
　キャパシタ１３は、スイッチングＴＦＴ１１がオン状態のときにデータ信号Ｖｄに基づき充放電し、スイッチングＴＦＴ１１がオフ状態のときに、駆動ＴＦＴ１２のゲート電圧を保持する。
　ＯＬＥＤ１４は、有機材料を含む発光素子の一例である。ＯＬＥＤ１４は、駆動ＴＦＴ１２がオン状態のとき、駆動ＴＦＴ１２によって制御される電流に応じた光量において発光する。また、駆動ＴＦＴ１２がオフ状態のとき、ＯＬＥＤ１４は発光しない。
　本実施形態では、以上のような表示パネル１において輝点等の画素１０を修正対象として検出すると、局所的なイオン注入を用いて、修正対象の画素１０中の駆動ＴＦＴ１２を動作不能にする。これにより、表示パネル１０が各種の画像を表示する表示動作を行う際に、当該画素１０の駆動ＴＦＴ１２がオンせず、ＯＬＥＤ１４が発光しなくなる。以下、図２を参照して、イオン注入を用いた欠陥修正方法について説明する。
　図２は、表示パネル１の厚み方向における画素構造の断面図である。以下、表示パネル１の厚み方向を「Ｚ方向」とする。また、＋Ｚ側を「上側」といい、－Ｚ側を「下側」という場合がある。
　図２に示すように、スイッチングＴＦＴ１１及び駆動ＴＦＴ１２は、基板１５上に各種電極、ゲート絶縁膜１６及び半導体層を積層して設けられ、平滑化フィルム１７に覆われている。ＯＬＥＤ１４は、基板１５の上側において平滑化フィルム１７上にバンク１８と共に設けられる。
　スイッチングＴＦＴ１１は、ゲート１１ａ、ソース１１ｂ及びドレイン１１ｃの３つの電極と、ソース１１ｂとドレイン１１ｃ間に設けられる半導体層１１ｄとを含む。半導体層１１ｄは、例えばＮ＋層であり、画素１０間で共有の所定濃度のドナーがドープされている。半導体層１１ｄとゲート１１ａとはゲート絶縁膜１６を介して対向し、半導体層１１ｄとゲート絶縁膜１６間の界面に、スイッチングＴＦＴ１１のチャネルが形成される。
　駆動ＴＦＴ１２は、ゲート１２ａ、ソース１２ｂ及びドレイン１２ｃの３つの電極と、ソース１２ｂとドレイン１２ｃ間に設けられる半導体層１２ｄとを含む。駆動ＴＦＴ１２の半導体層１２ｄは、例えばスイッチングＴＦＴ１１の半導体層１１ｄと同様に構成される。スイッチングＴＦＴ１１と同様に、駆動ＴＦＴ１２のチャネルは、半導体層１２ｄとゲート絶縁膜１６間の界面に形成される。駆動ＴＦＴ１２のドレイン１２ｃは、ＯＬＥＤ１４の電極１４ａに接続される。
　ＯＬＥＤ１４は、電極１４ａと、有機層１４ｂと、カソード１４ｃとを含む。電極１４ａは、ＯＬＥＤ１４のアノードを構成する。有機層１４ｂは、発光性を有する有機材料で構成される。カソード１４ｃは、有機層１４ｂを介して電極１４ａに対向する。
　以上のような画素１０の構造において、本実施形態に係る欠陥修正方法では、駆動ＴＦＴ１２の半導体層１２ｄに、ボロン等の三価原子の陽イオンを注入する。駆動ＴＦＴ１２のようなＮ型トランジスタのしきい値電圧は、ソース１２ｂとドレイン１２ｃ間の半導体層１２ｄにおける上記イオンのドーズ量が増大するほど大きくなる。
　ここで、上記のイオン注入をされていない通常の駆動ＴＦＴ１２のしきい値電圧は、表示パネル１の表示動作時に駆動ＴＦＴ１２のゲート電圧として設定され得る所定範囲の範囲内に設定される。本実施形態に係る欠陥修正方法では、駆動ＴＦＴ１２のしきい値電圧が、表示パネル１の表示動作時に設定可能なゲート電圧の最大値を上回る所定値になるようなドーズ量においてイオン注入を行う。これにより、表示パネル１の表示動作時にイオン注入された駆動ＴＦＴ１２が常にオフ状態になり、修正対象の画素１０を精度良く黒点化することができる。
　また、本実施形態では、図２に示すように、表示パネル１の＋Ｚ側からイオン注入を行う。これにより、－Ｚ側から基板１５を貫通するようにイオン注入を行う場合よりも、イオン注入のエネルギーを低減できる。
　また、表示パネル１の表示面（ＸＹ平面）上では、各画素１０の駆動ＴＦＴ１２等の各種素子が所定のレイアウトにおいて規則的に配置される。所定のレイアウトは、画素１０のＲ，Ｇ，Ｂや表示パネル１の機種等に依存して設定される。本実施形態では、表示パネル１の画素構造のレイアウトを示すレイアウト情報を用いることで、欠陥修正方法においてイオン注入する領域を精度良く特定する。
　以上のような欠陥修正方法を実施するための表示パネル１の検査システムについて、以下説明する。
２．検査システムについて
　本実施形態に係る表示パネル１の検査システムについて、図３，４を参照して説明する。
　図３は、本実施形態における検査システム２の構成を示すブロック図である。検査システム２は、例えば複数の表示パネル１の製造出荷時等に各表示パネル１を検査する。検査システム２は、表示パネル１の製造工程における種々の検査工程に利用可能である。
　検査システム２は、図３に示すように検査装置２１と、情報処理装置２２と、イオン注入装置２３とを備える。
　検査装置２１は、例えばＡＯＩ（Automated Optical Inspection）装置である。検査装置２１は、撮像画像を生成するカメラ、及び所定の画像解析アルゴリズムを実行するＣＰＵ等を備え、各表示パネル１に対する自動光学検査を行う。
　検査装置２１は、自動光学検査において、検査対象の表示パネル１を撮像し、表示パネル１の撮像画像に対して、輝点、滅点などの各種欠陥を検査するための画像解析を行う。例えば、表示パネル１に輝点の画素１０がある場合、検査装置２１は表示パネル１の撮像画像の画像解析において、例えば撮像画像中の輝度差に基づいて当該画素１０を検出する。
　検査装置２１は、画像解析による表示パネル１の検査結果を示す検査データを生成して、生成した検査データを情報処理装置２２に送信する。検査データは、例えば輝点、滅点等の不良画素１０が検出された場合、検出された不良画素１０を修正対象として示す情報を含む。検査データは、検査対象となった表示パネル１の識別情報などを含んでもよい。
　情報処理装置２２は、検査装置２１からの検査データに基づいて、表示パネル１の検査結果を管理するためのソフトウェアツール等を用いた情報処理を行う。情報処理装置２２は、例えばＰＣ（パーソナルコンピュータ）或いはサーバ装置である。
　情報処理装置２２は、表示パネル１の検査データ等の各種データ及びソフトウェアツール等のプログラムを記憶するメモリ、並びにメモリに格納された情報を読み出して所定の情報処理機能を実現するＣＰＵ等を備える。情報処理装置２２は、所定の通信規格に従うインタフェース回路を介して、検査装置２１及びイオン注入装置２３等に通信接続する。
　情報処理装置２２は、検査装置２１からの検査データに、修正対象として検出された画素１０を示す情報が含まれる場合、当該画素１０の位置を示す位置情報を生成する。位置情報は、例えば表示パネル１における当該画素１０の中心位置のＸ座標及びＹ座標を含む。情報処理装置２２は、生成した位置情報をイオン注入装置２３に送信する。
　イオン注入装置２３は、情報処理装置２２からの位置情報に基づき局所的にイオン注入を行って、黒点化による欠陥の修正を行う。イオン注入装置２３は、本実施形態における欠陥修正装置の一例である。イオン注入装置２３の構成及び動作について、図４を用いて説明する。
　図４は、検査システム２におけるイオン注入装置２３の構成を示すブロック図である。イオン注入装置２３は、図４に示すように、イオン注入部３１と、マスク３２と、ステージ３３と、ステージ駆動部３４と、制御部３５とを備える。
　イオン注入部３１は、所定のイオン（例えばボロン）を発生させるイオン源、発生したイオンを加速する加速管、及び加速したイオンのイオンビームを出射するビーム出射部などを備える。イオン注入部３１とマスク３２とは、例えば共通の筐体等に固定され、ヘッド３０として一体構成される。
　マスク３２は、ヘッド３０においてイオン注入部３１のビーム出射部に対向するように配置される。マスク３２は、例えば表示パネル１の表示面よりも大きく、所定のサイズの孔（以下、「マスク孔」という）３２ａを有する。マスク孔３２ａのサイズは、例えば表示パネル１の表示面（ＸＹ平面）上での画素１０中の駆動ＴＦＴ１２の半導体層１２ｄ（図２）のサイズに対応する。マスク孔３２ａのサイズは、表示面上での一つの画素１０のサイズ以下の範囲内で適宜、設定されてもよい。
　ステージ３３は、マスク３２に対向して配置される。本実施形態では、ステージ３３には、表示パネル１がその主面（表示面）がマスク３２に対向するように載置される。
　ステージ駆動部３４は、二軸方向に駆動可能な各種アクチュエータで構成される。ステージ駆動部３４は、制御部３５の制御により、載置された表示パネル１のＸ方向及びＹ方向に沿ってステージ３３の位置を駆動する。
　制御部３５は、例えばソフトウェアと協働して所定の機能を実現するＣＰＵ等を含み、イオン注入装置２３の全体動作を制御する。また、制御部３５は、所定の通信規格に従うインタフェース回路を含み、情報処理装置２２から位置情報を受信する。制御部３５は、イオン注入装置２３における情報取得部の一例である。
　また、制御部３５は、フラッシュメモリ等の内部メモリ３５ａを含む。内部メモリ３５ａは、例えば所定のプログラムや、情報処理装置２２からの位置情報、表示パネル１のレイアウト情報等を格納する。表示パネル１のレイアウト情報は、例えば表示パネル１の表示面上の画素１０のＲ，Ｇ，Ｂの配置、及びＲ，Ｇ，Ｂの各画素１０における各種素子の配置を示す。
　制御部３５は、内部メモリ３５ａに格納されたデータやプログラムを読み出して種々の演算処理を行い、情報処理装置２２からの情報取得機能、及びイオン注入装置２３によるイオン注入の制御等の各種の機能を実現する。なお、制御部３５は、所定の機能を実現するように設計された専用の電子回路や再構成可能な電子回路などのハードウェア回路であってもよい。制御部３５は、ＣＰＵ、ＭＰＵ、マイコン、ＤＳＰ、ＦＰＧＡ、ＡＳＩＣ等の種々の半導体集積回路で構成されてもよい。
　以上のように構成されるイオン注入装置２３の動作について、以下説明する。以下では、検査装置２１によって修正対象の画素１０が検出された表示パネル１が、イオン注入装置２３のステージ３３に載置されていることとする。
　まず、イオン注入装置２３の制御部３５は、情報処理装置２２から位置情報を取得し、表示パネル１上でイオン注入の対象とする位置を特定する。
　例えば、制御部３５は、内部メモリ３５ａに格納されたレイアウト情報と、位置情報が示す画素の位置とに基づき、修正対象の画素１０がＲ，Ｇ，Ｂのいずれの画素であるかを特定する。さらに、制御部３５はレイアウト情報を参照して、特定した画素中の駆動ＴＦＴ１２の半導体層１２ｄ（図２）のＸ座標及びＹ座標を、位置情報が示す位置に加算及び／又は減算して、イオン注入の対象とする位置を算出する。
　次に、制御部３５は、ステージ駆動部３４を制御してステージ３３を駆動し、ステージ３３上の表示パネル１において特定した位置と、ヘッド３０に固定されたマスク３２のマスク孔３２ａの位置とが合致するように位置合わせを行う。
　次に、制御部３５は、イオン注入部３１を制御して、ステージ３３上の表示パネル１に対するイオンの注入を実行する。イオン注入部３１のビーム出射部からは、イオンビームがマスク３２に向けて出射される。マスク３２は、マスク孔３２ａ以外に入射するイオンビームを遮断する。これにより、マスク孔３２ａに対向する表示パネル１上の領域にイオンビームが照射され、イオンが注入される。
　イオン注入部３１は、イオン源で発生したイオンを所定のエネルギーまで加速して、イオンビームを出射する。所定のエネルギーは、本実施形態ではイオンが表示パネル１の＋Ｚ側から半導体層１２ｄに到達するように設定される（図２参照）。
　イオン注入装置２３によるイオン注入は、半導体層１２ｄに注入されるイオンのドーズ量（即ち同イオンの濃度）が、所定値に到達するまで行われる。所定値は、表示パネル１の表示動作時に設定され得る駆動ＴＦＴ１２のゲート電圧が駆動ＴＦＴ１２のしきい値電圧に到達しないように当該しきい値電圧をシフトするような値（例えば1×1012 ions/cm2以上）に設定される。
　以上の動作によると、情報処理装置２２から取得される位置情報に基づいて、イオン注入装置２３は、検査装置２１が検出した修正対象の画素１０の駆動ＴＦＴ１２の半導体層１２ｄにイオン注入を行い、精度良く当該画素１０を黒点化することができる。
　以上の動作において、例えば複数機種の表示パネル１を検査システム２で取り扱う場合、機種毎にイオン注入の対象とする位置を特定してもよい。例えば、予めイオン注入装置２３は、内部メモリ３５ａに表示パネル１の機種毎のレイアウト情報を格納しておき、イオン注入を行う際には表示パネル１の機種を示す識別情報を情報処理装置２２等から取得して、識別情報が示す機種のレイアウト情報を使用する。
　また、以上の動作において、表示パネル１上でイオン注入を行う領域は、修正対象の画素１０の駆動ＴＦＴ１２の半導体層１２ｄ（図２）を含む範囲内で適宜、設定されてもよい。例えば、修正対象の画素１０の全体がイオン注入を行う領域に設定されてもよい。
３．まとめ
　以上のように、本実施形態に係る欠陥修正方法は、ＴＦＴ１１，１２を含む画素（１０）を複数備えた表示パネル１における欠陥の画素１０を黒点化する方法である。本方法は、表示パネル１における複数の画素１０の中から、修正対象の画素１０を検出するステップを含む。本方法は、検出された画素１０における駆動ＴＦＴ１２が表示パネル１の表示動作時にオンしなくなるように、駆動ＴＦＴ１２に対応する所定領域にイオンを注入するステップを含む。
　以上の方法によると、イオン注入によって、修正対象の画素１０における駆動ＴＦＴ１２を表示パネル１の表示動作時に動作不能にすることで、表示パネル１の画素１０の欠陥を精度良く黒点化することができる。
　本実施形態において、イオンを注入するステップは、表示パネル１の表示動作時に用いられる駆動ＴＦＴ１２のゲート電圧が駆動ＴＦＴ１２のしきい値電圧に到達しないように、当該しきい値電圧をシフトするまで、イオンを注入する。これにより、表示パネル１の表示動作時に駆動ＴＦＴ１２がオフ状態で維持され、黒点化の精度を良くすることができる。
　また、本実施形態において、イオンを注入する所定領域は、駆動ＴＦＴ１２のソース１２ｂとドレイン１２ｃ間の半導体層１２ｄを含む。これにより、駆動ＴＦＴ１２のチャネルが形成される領域のドーズ量を変化させて、駆動ＴＦＴ１２のしきい値電圧を精度良く設定することができる。
　また、本実施形態において、修正対象の画素１０を検出するステップは、輝点の画素１０、又は滅点の画素１０を検出する。本方法によると、表示パネル１における輝点、滅点といった画素１０の欠陥を黒点化することができる。
　また、本実施形態において、表示パネル１は、有機ＥＬパネルである。イオンを注入するステップは、有機ＥＬパネルにおいて画素１０の発光を駆動する駆動ＴＦＴ１２が表示パネル１の表示動作時にオンしなくなるように、イオンを注入する。これにより、イオン注入によってＯＬＥＤ１４を発光させないようにして、精度良く黒点化を行える。
　また、本実施形態において、イオンを注入するステップは、Ｎ型トランジスタの駆動ＴＦＴ１２に対して、ボロンのイオンを注入する。Ｎ型トランジスタに注入するイオンはボロンのイオンに限らず、他の三価原子の陽イオン等であってもよい。
　また、本実施形態において、イオン注入装置２３は、表示パネル１における欠陥の画素１０を黒点化する欠陥修正装置の一例である。イオン注入装置２３は、制御部３５と、イオン注入部３１とを備える。制御部３５は、表示パネル１における複数の画素１０の中の修正対象の画素１０の位置を示す位置情報を取得する情報取得部として機能する。イオン注入部３１は、取得された位置情報に基づいて、位置情報が示す位置の画素１０における駆動ＴＦＴ１２が表示パネル１の表示動作時にオンしなくなるように、駆動ＴＦＴ１２に対応する所定領域にイオンを注入する。
　以上のイオン注入装置２３によると、イオン注入によって、修正対象の画素１０における駆動ＴＦＴ１２を表示パネル１の表示動作時に動作不能にすることで、表示パネル１の画素１０の欠陥を精度良く黒点化することができる。
　また、本実施形態において、表示パネル１は、画像を表示する。表示パネル１は、ＴＦＴ１１，１２をそれぞれ備えた複数の画素１０を備える。表示パネル１に欠陥修正方法が適用された場合、複数の画素１０は、駆動ＴＦＴ１２のソース１２ｂとドレイン１２ｃ間の半導体層１２ｄにおけるイオンの濃度が所定値以上である画素１０を含む。所定値は、表示パネル１の表示動作時に用いられる駆動ＴＦＴ１２のゲート電圧が駆動ＴＦＴ１２のしきい値電圧に到達しないように、当該しきい値電圧がシフトされる値である。
　以上の表示パネル１によると、表示パネル１の表示動作時に、特定の画素１０の駆動ＴＦＴ１２が動作不能になり、表示パネル１の画素１０を精度良く黒点化することができる。
（他の実施形態）
　上記の実施形態１では、表示パネル１の＋Ｚ側から半導体層１２ｄにイオンを注入したが、表示パネル１の－Ｚ側からイオン注入を行ってもよい（図２参照）。－Ｚ側からイオン注入を行う場合、例えばイオンが表示パネル１の基板１５を貫通して半導体層１２ｄに到達するように、イオン注入装置２３においてイオンのエネルギーが設定される。
　また、上記の各実施形態では、イオン注入装置２３において、ステージ３３を駆動して位置合わせを行ったが、これに限らず、例えばイオン注入装置２３のヘッド３０を駆動するようにしてもよい。また、イオン注入部３１とは独立にマスク３２を動かすようにしてもよく、この場合には特にイオン注入部３１とマスク３２とをヘッド３０で一体構成しないようにしてもよい。
　また、上記の各実施形態では、イオン注入によって修正対象の画素１０における駆動ＴＦＴ１２を動作不能にしたが、本発明はこれに限定されない。例えば、駆動ＴＦＴ１２に加えて又はこれに代えて、スイッチングＴＦＴ１１を動作不能にするようにイオン注入が行われてもよい。
　また、上記の各実施形態では、スイッチングＴＦＴ１１と駆動ＴＦＴ１２との二つのＴＦＴ１１，１２が画素１０に含まれる例を説明したが、修正対象の画素が複数のトランジスタを含む場合、少なくともいずれか一つのトランジスタを動作不能にするようにイオンが注入されてもよい。
　また、上記の各実施形態では、黒点化のためのイオン注入がＮ型トランジスタに行われる例を説明したが、Ｐ型トランジスタにイオン注入が行われてもよい。イオン注入の対象のトランジスタがＰ型トランジスタである場合、リンやヒ素等の五価原子の陰イオンが注入されてもよい。この場合も、表示パネル１の表示動作時に用いられるゲート電圧がトランジスタのしきい値電圧に到達しないようにしきい値電圧がシフトされるまで、イオンが注入される。すなわち、イオン注入のドーズ量は、対象のトランジスタのしきい値電圧が、表示パネル１の表示動作時に設定され得る当該トランジスタのゲート電圧の最小値を下回る所定値（例えば1×1013 ions/cm2以上）になるように設定される。
　また、上記の各実施形態では、イオン注入によってトランジスタのしきい値電圧をシフトしたが、特にこれに限らず、他の原理でイオン注入によってトランジスタを動作不能にしてもよい。例えば、イオン注入によってトランジスタのゲートとソース間等を短絡したり一部を破損したりすることで当該トランジスタを動作不能にしてもよい。
　また、上記の各実施形態では、表示パネル１が有機ＥＬパネルの例について説明したが、本発明は有機ＥＬパネルに限らず、例えば液晶パネルなど、種々のアクティブマトリクス型表示パネルに適用可能である。例えば、液晶パネルにおける欠陥の画素を修正する場合、液晶パネルの画素に含まれるＴＦＴをイオン注入によって動作不能にしてもよい。
　以上のように、本発明の具体的な実施形態及び変形例について説明したが、本発明は上記形態に限定されるものではなく、本発明の範囲内で種々の変更を行って実施することができる。例えば、上記の個々の実施形態の内容を適宜組み合わせたものを本発明の一実施形態としてもよい。

Claims (10)

  1. 　トランジスタを含む画素を複数備えた表示パネルにおける欠陥の画素を黒点化する欠陥修正方法であって、
    　前記表示パネルにおける複数の画素の中から、修正対象の画素を検出するステップと、
    　検出された画素におけるトランジスタが前記表示パネルの表示動作時にオンしなくなるように、当該トランジスタに対応する所定領域にイオンを注入するステップと
    を含む欠陥修正方法。
  2. 　前記イオンを注入するステップは、前記表示パネルの表示動作時に用いられるゲート電圧が前記トランジスタのしきい値電圧に到達しないように前記しきい値電圧をシフトするまで、前記イオンを注入する
    請求項１に記載の欠陥修正方法。
  3. 　前記所定領域は、前記トランジスタのソースとドレイン間の半導体層を含む
    請求項１又は２に記載の欠陥修正方法。
  4. 　前記修正対象の画素を検出するステップは、輝点の画素、又は滅点の画素を検出する
    請求項１～３のいずれか１項に記載の欠陥修正方法。
  5. 　前記表示パネルは、有機ＥＬパネルである
    請求項１～４のいずれか１項に記載の欠陥修正方法。
  6. 　前記イオンを注入するステップは、前記有機ＥＬパネルにおいて画素の発光を駆動するトランジスタが前記表示パネルの表示動作時にオンしなくなるように、前記イオンを注入する
    請求項５に記載の欠陥修正方法。
  7. 　前記表示パネルは、液晶パネルである
    請求項１～４のいずれか１項に記載の欠陥修正方法。
  8. 　前記イオンを注入するステップは、ボロン、リン、及びヒ素のうちのいずれかのイオンを注入する
    請求項１～７のいずれか１項に記載の欠陥修正方法。
  9. 　トランジスタを含む画素を複数備えた表示パネルにおける欠陥の画素を黒点化する欠陥修正装置であって、
    　前記表示パネルにおける複数の画素の中の修正対象の画素の位置を示す位置情報を取得する情報取得部と、
    　取得された位置情報に基づいて、前記位置情報が示す位置の画素におけるトランジスタが前記表示パネルの表示動作時にオンしなくなるように、当該トランジスタに対応する所定領域にイオンを注入するイオン注入部と
    を備える欠陥修正装置。
  10. 　画像を表示する表示パネルであって、
    　トランジスタをそれぞれ備えた複数の画素を備え、
    　前記複数の画素は、トランジスタのソースとドレイン間の半導体層におけるイオンの濃度が所定値以上である画素を含み、
    　前記所定値は、前記表示パネルの表示動作時に用いられるゲート電圧が当該トランジスタのしきい値電圧に到達しないように前記しきい値電圧がシフトされる値である
    表示パネル。
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