WO2018163337A1

WO2018163337A1 - 可撓性表示パネル、可撓性表示装置及び可撓性表示パネルの製造方法

Info

Publication number: WO2018163337A1
Application number: PCT/JP2017/009323
Authority: WO
Inventors: 哲憲田中; 庄治岡崎; 有希安田
Original assignee: シャープ株式会社
Priority date: 2017-03-08
Filing date: 2017-03-08
Publication date: 2018-09-13
Also published as: US10784319B2; US20190363142A1

Abstract

発光層（５Ｒ・５Ｇ・５Ｂ）を含む有機ＥＬ素子は、裏面フィルム１１の主面１１ａの第１領域Ｒ１上に形成されており、複数の端子部（２７ｂ）は、裏面フィルム１１の主面１１ａの第２領域Ｒ２上に形成されており、裏面フィルム１１の主面１１ａ上に最上層として、開口（２３）を有するカバーフィルム（２２）が設けられている。

Description

可撓性表示パネル、可撓性表示装置及び可撓性表示パネルの製造方法

　本発明は、可撓性表示パネル（フレキシブル表示パネル）、可撓性表示パネルを分断した可撓性表示装置及び可撓性表示パネルの製造方法に関する。

　近年、丸めたり、折り畳んで収納または持ち運びできるとともに、服のように着たりすることもできることから、フレキシブル液晶表示装置やフレキシブル有機エレクトロルミネッセンス表示装置（フレキシブル有機ＥＬ表示装置）などの可撓性表示パネル（フレキシブル表示パネル）を備えた可撓性表示装置（フレキシブル表示装置）が高い注目を浴びている。

　例えば、特許文献１には、可撓性基板としてプラスチックフィルムを使用したフレキシブル表示装置について記載されている。

　図１５の（ａ）は、特許文献１に記載されている、仮基板としてのガラス基板１２０上に形成した各層を、プラスチックフィルム１１０に転写する工程を説明する図であり、図１５の（ｂ）は、プラスチックフィルム１１０上に転写された各層上に、有機ＥＬ素子１０６を形成する層を形成するとともに、外部回路配線１５０を接続したフレキシブル有機ＥＬディスプレイ１０２の概略構成を示す図である。

　図１５の（ａ）に図示されているように、仮基板としてガラス基板１２０上には、ポリイミド樹脂などからなる剥離層１２２が形成されており、剥離層１２２上には、透明電極１２４がストライプ状に形成されている。そして、剥離層１２２及び透明電極１２４を覆うように、シリカ粒子含有樹脂層１２６が形成されており、シリカ粒子含有樹脂層１２６の上には、カラーフィルタ１２８と透明電極１２４のパターン間の領域に対応する位置に遮光層とが形成されている。それから、カラーフィルタ１２８と上記遮光層とを覆うように、接着層１３０を介してプラスチックフィルム１１０が配置されている。

　その後に、熱処理することにより、接着層１３０を硬化させて、接着層１３０によってプラスチックフィルム１１０を接着させている。続いて、ガラス基板１２０と剥離層１２２とを剥離することによって、プラスチックフィルム１１０上に、接着層１３０と、カラーフィルタ１２８と、シリカ粒子含有樹脂層１２６と、透明電極１２４とを転写している。

　図１５の（ｂ）に図示されているように、フレキシブル有機ＥＬディスプレイ１０２の表示領域Ａにおいては、プラスチックフィルム１１０と、接着層１３０と、カラーフィルタ１２８と、シリカ粒子含有樹脂層１２６と、透明電極（陰極）１２４とが積層された層上に、ホール輸送層１７２と、発光層１７４と、金属電極（陽極）１７６と、封止層１７８とを順に形成し、透明電極（陰極）１２４と、ホール輸送層１７２と、発光層１７４と、金属電極（陽極）１７６とから構成される有機ＥＬ素子１０６を形成している。

　一方、フレキシブル有機ＥＬディスプレイ１０２の外部接続領域Ｂにおいては、透明電極１２４に繋がって延在する外部接続電極１２５が配置されており、外部接続電極１２５上には配線補強層として機能する無電解めっき層１４０が形成されている。

　そして、配線層１５４とポリイミドテープ１５２とが積層された外部回路配線１５０の配線層１５４と、無電解めっき層１４０とは、バインダ１６２と導電性粒子１６４とを含むＡＣＦ１６０を介して熱圧着されて電気的に接続されている。

　以上のように、特許文献１には、外部回路配線１５０を接続したフレキシブル有機ＥＬディスプレイ１０２を実現できると記載されている。

日本国公開特許公報「特開２００８‐２４２２４９号」公報（２００８年１０月９日公開）

　しかしながら、特許文献１に記載されているフレキシブル有機ＥＬディスプレイ１０２の場合、図１５の（ｂ）に図示されているように、プラスチックフィルム１１０と、接着層１３０と、カラーフィルタ１２８と、シリカ粒子含有樹脂層１２６と、透明電極（陰極）１２４とが積層された層上に、ホール輸送層１７２と、発光層１７４と、金属電極（陽極）１７６と、封止層１７８とを順に形成する必要がある。

　プラスチックフィルム１１０は、耐熱性が乏しいため、ホール輸送層１７２と、発光層１７４と、金属電極（陽極）１７６と、封止層１７８とを形成する工程においては、プラスチックフィルム１１０の耐熱性を考慮し、比較的低温工程を用いて、ホール輸送層１７２と、発光層１７４と、金属電極（陽極）１７６と、封止層１７８とを形成しなければならない。

　このように、比較的低温工程を用いて形成された有機ＥＬ素子１０６の場合、満足できる程の発光特性や寿命が得られないという問題がある。

　そこで、このような問題点を改善するため、以下で説明するように、耐熱性の高いガラス基板上において、有機ＥＬ素子を形成した後に、このガラス基板を剥離し、可撓性基板（フレキシブル基板）に置き換える製造方法が考えられる。

　図１６は、耐熱性の高いガラス基板上において、有機ＥＬ素子を形成した後に、このガラス基板を剥離し、フレキシブル基板に置き換える製造方法を説明するための図である。

　図１６の（ａ）に図示されているように、先ず、耐熱性の高い透明ガラス基板１の主面１ａ上に、ポリイミド樹脂などからなるＰＩ層２を積層した。

　その後、図１６の（ｂ）に図示されているように、ＰＩ層２上に、アクティブ素子である薄膜トランジスタ素子（ＴＦＴ素子）と、薄膜トランジスタ素子（ＴＦＴ素子）を覆うように絶縁性平坦化膜４を形成し、絶縁性平坦化膜４上には、同一の導電性膜を用いてパターン形成した個々の画素に対応する第１電極（図示せず）及び端子部（図示せず）を形成した。そして、上記第１電極上に、発光層（５Ｒ・５Ｇ・５Ｂ）を含む各有機ＥＬ層を形成した後、上記各有機ＥＬ層を覆うように封止膜６を形成した。それから、絶縁性平坦化膜４と、端子部（図示せず）と、封止膜６とを含む全領域を覆うように接着層（図示せず）を介してカバーフィルム７を形成し、非フレキシブル有機ＥＬ表示パネル８を完成した。

　その後、図１６の（ｃ）に図示されているように、耐熱性の高い透明ガラス基板１側からレーザー光を照射することで、図１６の（ｄ）に図示されているように、ＰＩ層２と耐熱性の高い透明ガラス基板１との界面でアブレーションを起こし、耐熱性の高い透明ガラス基板１をＰＩ層２から剥離した。

　続いて、図１６の（ｅ）に図示されているように、裏面フィルム１１の主面１１ａ上の接着層１０を介して、フレキシブル基板として裏面フィルム１１をＰＩ層２に貼り付けて、端子部（図示せず）が露出されていないフレキシブル有機ＥＬ表示パネル１２を完成した。

　それから、図１６の（ｆ）に図示されているように、複数の端子部（図示せず）が形成された領域である端子部形成領域１３を露出させるため、接着層（図示せず）及びカバーフィルム７を部分的に除去する端子出し工程を行うとともに、レーザー分断し、端子部（図示せず）に外部回路配線（図示せず）を接続して、複数個のフレキシブル有機ＥＬ表示装置１４を得た。

　図１７は、図１６に図示した製造方法において用いられる、大型の耐熱性の高い透明ガラス基板１と大型のフレキシブル基板である大型の裏面フィルム１１とを示す図である。

　図１７の（ａ）は、図１６の（ｂ）に図示した非フレキシブル有機ＥＬ表示パネル８が、一つの大型の耐熱性の高い透明ガラス基板１に複数個形成された場合を図示しており、図１７の（ｂ）は、この大型の耐熱性の高い透明ガラス基板１を剥離し、大型のフレキシブル基板である大型の裏面フィルム１１に置き換えることで、図１６の（ｅ）に図示したフレキシブル有機ＥＬ表示パネル１２が、一つの大型の裏面フィルム１１に複数個形成された場合を図示している。

　図１７の（ｂ）に図示されている大型の裏面フィルム１１に対して、図１６の（ｆ）に図示されているように、端子出し工程を行うとともに、レーザー分断し、端子部（図示せず）に外部回路配線（図示せず）を接続することで、複数個のフレキシブル有機ＥＬ表示装置１４を得ることができる。

　しかしながら、上述した図１６及び図１７に図示する製造方法の場合、図１６の（ｆ）に図示されている端子出し工程を必要とするとともに、この端子出し工程においては、接着層及びカバーフィルム７を部分的に除去した除去膜が大量に生じ、この除去膜中には、接着層も含まれているため、この除去膜を完全に洗浄するには手間がかかるという問題がある。

　本発明は、上記の問題点に鑑みてなされたものであり、端子出し工程を別途必要とせずに、端子部に皺が生じるのを抑制した可撓性表示パネルと、可撓性表示パネルの製造方法とを提供できる。

　本発明の可撓性表示パネルは、上記の課題を解決するために、可撓性基板の主面に、複数の表示素子及び複数の端子が備えられた可撓性表示パネルであって、上記可撓性基板の主面は、連結された一つの領域である第１領域と、互いに分離されて形成された複数の領域である第２領域とに領域分けされており、上記複数の表示素子は、上記第１領域中の一部である表示領域上に形成されており、上記複数の端子は、上記第２領域上に形成されており、上記可撓性基板の主面上に最上層として設けられた可撓性フィルムは、開口を有し、上記開口は、上記第２領域上に配置されているとともに、上記開口の周辺が上記可撓性フィルムに囲まれた形状を有することを特徴としている。

　上記構成によれば、上記可撓性フィルムは、上記可撓性基板の主面の第２領域上に形成された膜を支えることができるので、端子出し工程を別途必要とせずに、第２領域上に形成された膜に皺が生じるのを抑制した可撓性表示パネルを実現できる。

　本発明の可撓性表示パネルの製造方法は、上記の課題を解決するために、可撓性基板の主面に、複数の表示素子及び複数の端子が備えられた可撓性表示パネルの製造方法であって、上記耐熱性基板の主面は、連結された一つの領域である第１領域と、互いに分離されて形成された複数の領域である第２領域とに領域分けされており、上記第１領域上及び上記第２領域上に積層膜を形成する第１工程と、上記第１領域中の一部である表示領域上の上記積層膜上には上記複数の表示素子を形成し、上記第２領域上の上記積層膜上には上記複数の端子を形成する第２工程と、開口を有する可撓性フィルムを上記耐熱性基板の主面上に最上層として設ける工程であって、上記開口の周辺が上記可撓性フィルムに囲まれた形状の開口を、上記第２領域上に配置する第３工程と、上記耐熱性基板を剥離する第４工程と、上記耐熱性基板を剥離した面に、上記可撓性基板の主面を貼り付ける第５工程と、を含むことを特徴としている。

　上記方法によれば、上記可撓性フィルムは、上記可撓性基板の主面の第２領域上に形成された膜を支えることができるので、端子出し工程を別途必要とせずに、第２領域上に形成された膜に皺が生じるのを抑制した可撓性表示パネルの製造方法を実現できる。

　本発明の一態様によれば、端子出し工程を別途必要とせずに、第２領域上に形成された膜に皺が生じるのを抑制した可撓性表示パネルと、可撓性表示パネルの製造方法とを提供できる。

端子出し工程を含まないフレキシブル有機ＥＬ表示装置の製造方法を説明するための図である。図１の（ｆ）に図示したフレキシブル有機ＥＬ表示装置の第１領域上の概略構成を示す図である。図１の（ｆ）に図示したフレキシブル有機ＥＬ表示装置の表示領域に備えられた画素回路の構成を示す図である。（ａ）は、図１の（ｅ）に図示したフレキシブル有機ＥＬ表示パネルの有機ＥＬ層の近方を示す側面図であり、（ｂ）は、図１の（ｅ）に図示したフレキシブル有機ＥＬ表示パネルを上方向から見た平面図である。図１の（ｅ）に図示したフレキシブル有機ＥＬ表示パネルの端子部の断面図である。カバーフィルムによって支えられていない、負の膜応力(圧縮応力）を有する積層膜を、耐熱性の高い透明ガラス基板から剥離した場合に、応力解放後、負の膜応力(圧縮応力）を有する積層膜が、伸びて皺が生じる理由を説明するための図である。図５に図示したフレキシブル有機ＥＬ表示パネルの端子部の変形例を示す図である。図７の（ｂ）に図示したフレキシブル有機ＥＬ表示パネルの端子部の平面図である。端子出し工程を含まないフレキシブル有機ＥＬ表示装置の製造方法を説明するための図である。正の膜応力(引張応力）を有する積層膜を、耐熱性の高い透明ガラス基板から剥離した場合に、応力解放後、正の膜応力(引張応力）を有する積層膜に、皺などが生じるのを抑制できる理由を説明するための図である。端子出し工程を含まないフレキシブル有機ＥＬ表示装置の製造方法を説明するための図である。正の膜応力(引張応力）を有する積層膜を、耐熱性の高い透明ガラス基板から剥離した場合に、応力解放後、正の膜応力(引張応力）を有する積層膜に、皺などが生じるのを抑制できる理由を説明するための図である。端子出し工程を含まないフレキシブル有機ＥＬ表示装置の製造方法を説明するための図である。負の膜応力(圧縮応力）を有する積層膜を、耐熱性の高い透明ガラス基板から剥離した場合に、応力解放後、負の膜応力(圧縮応力）を有する積層膜に、皺などが生じるのを抑制できる理由を説明するための図である。特許文献１に記載されている可撓性基板としてプラスチックフィルムを使用したフレキシブル表示装置の概略構成を示す図である。耐熱性の高いガラス基板上において、有機ＥＬ素子を形成した後に、このガラス基板を剥離し、フレキシブル基板に置き換える製造方法を説明するための図である。図１６に図示した製造方法において用いられる、大型の耐熱性の高い透明ガラス基板と大型のフレキシブル基板である大型の裏面フィルムとを示す図である。

　本発明の実施の形態について図１から図１４に基づいて説明すれば、次の通りである。以下、説明の便宜上、特定の実施形態にて説明した構成と同一の機能を有する構成については、同一の符号を付記し、その説明を省略する場合がある。

　〔実施形態１〕
　図１から図８に基づき、本発明の実施形態１について説明する。

　図１は、端子出し工程を含まないフレキシブル有機ＥＬ表示装置３２の製造方法を説明するための図である。

　図１の（ａ）に図示されているように、先ず、耐熱性の高い透明ガラス基板１の主面１ａの第１領域Ｒ１及び第２領域Ｒ２上に、ポリイミド樹脂などからなるＰＩ層２と、無機防湿膜３とを順に積層した。なお、第１領域Ｒ１は、後工程において、カバーフィルム２２が形成される領域であり、第２領域Ｒ２は、カバーフィルム２２の開口２３が形成される領域である。そして、主面とは、耐熱性の高い透明ガラス基板１において面積が大きい上面及び下面中の何れか一方の面である。

　本実施形態においては、耐熱性の高い透明ガラス基板１を用いたが、これに限定されることはなく、耐熱性が高く、後工程で用いられる光の波長領域の一部を通す基板であれば、特に限定されない。

　本実施形態においては、ＰＩ層２と、耐熱性の高い透明ガラス基板１との界面に直接レーザー光を照射（レーザーアブレーション）し、ＰＩ層２から耐熱性の高い透明ガラス基板１を剥離する手法を用いているため、別途、熱吸収層などは備えていないが、アモルファスシリコンやメタル(Ｍｏ、Ｔｉなど)からなる熱吸収層を別途備えていてもよい。別途、熱吸収層を備えた場合においては、レーザー光が照射されるのはＰＩ層２ではなく熱吸収層となる。

　なお、通常、ＰＩ層２の直上には水分・酸素などの侵入を防ぐために無機防湿膜３を設ける必要があるため、本実施形態においては、ＰＩ層２上に無機防湿膜３を設けている。また、無機防湿膜３としては、例えば、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）によって形成される、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、酸窒化シリコン膜、もしくはそれらの積層膜などを用いることができる。なお、詳しくは後述するが、このように防湿性能が高く無機防湿膜３として用いることができる膜は、通常、圧縮応力が大きくなる傾向があることが知られている。

　その後、図１の（ｂ）に図示されているように、耐熱性の高い透明ガラス基板１の主面１ａの第１領域Ｒ１及び第２領域Ｒ２上のＰＩ層２及び無機防湿膜３上に、図示していない薄膜トランジスタ素子（ＴＦＴ素子）と、ＴＦＴ素子を覆うように絶縁性平坦化膜４を形成した。具体的に、上記ＴＦＴ素子は第１領域Ｒ１の表示領域にのみ形成され、上記ＴＦＴ素子を覆う絶縁性平坦化膜４は、第１領域Ｒ１及び第２領域Ｒ２に形成した。

　本実施形態においては、端子部２７ｂを、図２に図示した、ＴＦＴ素子Ｔ１・Ｔ４の電極及び配線Ｈ７ａ・Ｈ７ｂ・Ｈ７ｃと、容量素子Ｃ１の上側電極Ｈ５と接続された配線Ｈ７ｄとを形成する層と同一層で形成したが、これに限定されることはなく、端子部２７ｂは、例えば、図２に図示したＴＦＴ素子Ｔ１のゲート電極Ｈ３ａと、ＴＦＴ素子Ｔ４のゲート電極Ｈ３ｂと、容量素子Ｃ１の下側電極Ｈ３ｃとを形成する導電性膜や容量素子Ｃ１の上側電極Ｈ５を形成する導電性膜で形成してもよく、さらには、図２に図示した、第１電極を形成する層である透明電極層Ｈ９ａ（例えば、ＩＴＯ層）、反射電極層Ｈ９ｂ（例えば、金属層）及び透明電極層Ｈ９ｃ（例えば、ＩＴＯ層）の１層以上の層を用いて形成してもよい。

　なお、絶縁性平坦化膜４は感光性有機材料であり、絶縁性平坦化膜４には、露光・現像工程により、第１領域Ｒ１にはコンタクトホールが形成され、第２領域Ｒ２には端子部２７ｂを露出させる開口が形成されている。

　そして、第１領域Ｒ１の表示領域であって、絶縁性平坦化膜４上には、上記コンタクトホール介して、ＴＦＴ素子と電気的に接続された第１電極（図示せず）が形成されている。

　耐熱性の高い透明ガラス基板１の主面１ａの第２領域Ｒ２上には、カバーフィルム２２の開口２３が配置するようにし、カバーフィルム２２の開口２３によって、端子部２７ｂが露出するようになっている。一方、絶縁性平坦化膜４上であって、上記第１電極上には、発光層（５Ｒ・５Ｇ・５Ｂ）を含む各有機ＥＬ層が形成され、上記各有機ＥＬ層を覆うように封止膜６及びカバーフィルム２２が形成されている。

　本実施形態においては、開口２３を有するカバーフィルム２２を、接着層（図示せず）を介して、封止膜６と、絶縁性平坦化膜４上に形成することで、図１の（ｂ）に図示した非フレキシブル有機ＥＬ表示パネル２４を完成した。なお、本実施形態においては、カバーフィルム２２は、フレキシブルであり透明な樹脂フィルムを用いたが、これに限定されることはない。

　その後、図１の（ｃ）に図示されているように、耐熱性の高い透明ガラス基板１側からＰＩ層２と、耐熱性の高い透明ガラス基板１との界面に直接レーザー光を照射した後、図１の（ｄ）に図示されているように、ＰＩ層２から耐熱性の高い透明ガラス基板１を剥離した。

　本実施形態においては、３５５ｎｍ以下の波長のレーザー光を、耐熱性の高い透明ガラス基板１側からＰＩ層２と、耐熱性の高い透明ガラス基板１との界面に照射した。具体的に、本実施形態においては、ＰＩ層２に吸収される波長の光である、３５５ｎｍ以下の波長のレーザー光を用いており、例えば、３０８ｎｍの波長のエキシマレーザー光や３４３ｎｍの波長の固体レーザー光や３５５ｎｍの波長の固体レーザー光を用いることができる。なお、熱吸収層（図示せず）を備えた構成においては、熱吸収層に吸収される波長の光を用いることができる。

　続いて、図１の（ｅ）に図示されているように、接着層（図示せず）を介して、フレキシブル基板として裏面フィルム１１をＰＩ層２に貼り付けることで、端子部２７ｂが露出しているフレキシブル有機ＥＬ表示パネル３１を完成した。

　それから、図１の（ｆ）に図示されているように、図１の（ｅ）に図示したフレキシブル有機ＥＬ表示パネル３１における第１領域Ｒ１と第２領域Ｒ２との境界部分（図中右側の境界部分）をレーザー分断し、端子部２７ｂに外部回路配線（図示せず）を接続することで、複数個のフレキシブル有機ＥＬ表示装置３２を得た。

　図２は、図１の（ｆ）に図示したフレキシブル有機ＥＬ表示装置３２の第１領域Ｒ１上の概略構成を示す図である。

　図示されているように、裏面フィルム１１上には、ＰＩ層２と、無機防湿膜３とが備えられており、無機防湿膜３上には、ＴＦＴ素子Ｔ１（図３中の駆動トランジスタＴ１）と、ＴＦＴ素子Ｔ４（図３中の発光制御トランジスタＴ４）と、容量素子Ｃ１（図３中の容量素子Ｃ１）とが備えられている。

　無機防湿膜３上には、ＴＦＴ素子Ｔ１・Ｔ４を形成するための半導体層Ｈ１が備えられており、この半導体層Ｈ１を覆うように、無機膜からなるゲート絶縁膜Ｈ２が設けられている。

　そして、ゲート絶縁膜Ｈ２上には、ＴＦＴ素子Ｔ１のゲート電極Ｈ３ａと、ＴＦＴ素子Ｔ４のゲート電極Ｈ３ｂと、容量素子Ｃ１の下側電極Ｈ３ｃとを形成する導電性膜がパターン形成されており、ゲート電極Ｈ３ａと、ゲート電極Ｈ３ｂと、下側電極Ｈ３ｃとを覆うように、無機膜からなる第１絶縁膜Ｈ４が形成されている。

　第１絶縁膜Ｈ４上には、容量素子Ｃ１の下側電極Ｈ３ｃと対向するように、容量素子Ｃ１の上側電極Ｈ５を形成する導電性膜がパターン形成されており、上側電極Ｈ５と第１絶縁膜Ｈ４とを覆うように第２絶縁膜Ｈ６が形成されている。

　第２絶縁膜Ｈ６上には、ＴＦＴ素子Ｔ１・Ｔ４の電極及び配線Ｈ７ａ・Ｈ７ｂ・Ｈ７ｃと、容量素子Ｃ１の上側電極Ｈ５と接続された配線Ｈ７ｄとを形成する導電性膜がパターン形成されている。ＴＦＴ素子Ｔ１・Ｔ４の電極及び配線Ｈ７ａ・Ｈ７ｂ・Ｈ７ｃは、ゲート絶縁膜Ｈ２と、第１絶縁膜Ｈ４と、第２絶縁膜Ｈ６とに形成されたコンタクトホールを介して半導体層Ｈ１と接続されており、配線Ｈ７ｄは、第２絶縁膜Ｈ６に形成されたコンタクトホールを介して容量素子Ｃ１の上側電極Ｈ５と接続されている。

　ＴＦＴ素子Ｔ１・Ｔ４の電極及び配線Ｈ７ａ・Ｈ７ｂ・Ｈ７ｃと、配線Ｈ７ｄと、第２絶縁膜Ｈ６とを覆うように第３絶縁膜Ｈ８が形成されており、第３絶縁膜Ｈ８上には絶縁性平坦化膜４が形成されている。

　そして、絶縁性平坦化膜４上には、第１電極が形成されており、上記第１電極は、透明電極層Ｈ９ａ（例えば、ＩＴＯ層）と、反射電極層Ｈ９ｂ（例えば、金属層）と、透明電極層Ｈ９ｃ（例えば、ＩＴＯ層）との積層構造であってもよく、上記第１電極は、絶縁性平坦化膜４に形成されたコンタクトホールを介してＴＦＴ素子Ｔ４の電極及び配線Ｈ７ｃに接続されている。

　絶縁性平坦化膜４の一部と、上記第１電極の端部とを覆うように、エッジカバーＨ１０が形成されており、上記第１電極上には発光層５Ｒを含む各有機ＥＬ層が形成されており、エッジカバーＨ１０の一部と発光層５Ｒを含む各有機ＥＬ層とを覆うように透明電極層である第２電極Ｈ１１が形成されている。

　そして、第２電極Ｈ１１を覆うように、無機膜６ａ、封止有機膜６ｂ及び無機膜６ｃの３層からなる封止膜６と、カバーフィルム２２とが形成されている。

　以上のように、図１の（ｅ）に図示したフレキシブル有機ＥＬ表示パネル３１の第１領域Ｒ１上には、図２に図示するように、無機防湿膜３と絶縁性平坦化膜４との間に形成される、ＴＦＴ素子Ｔ１・Ｔ４を含む複数のＴＦＴ素子及び容量素子Ｃ１を形成するための複数の層が備えられているが、図１の（ｅ）に図示したフレキシブル有機ＥＬ表示パネル３１の第２領域Ｒ２上には、ＴＦＴ素子Ｔ１・Ｔ４を含む複数のＴＦＴ素子及び容量素子Ｃ１は形成されてなく、ＴＦＴ素子Ｔ１・Ｔ４の電極及び配線Ｈ７ａ・Ｈ７ｂ・Ｈ７ｃと、容量素子Ｃ１の上側電極Ｈ５と接続された配線Ｈ７ｄとを形成する層と同一層で形成された端子部２７ｂのみが備えられている。

　本実施形態においては、第２領域Ｒ２上に形成される積層膜が後述する理由から、正の膜応力(引張応力）を有する積層膜であるか、膜応力が略ゼロに近い積層膜であることが好ましいことから、第２領域Ｒ２上には、ＴＦＴ素子Ｔ１・Ｔ４を含む複数のＴＦＴ素子及び容量素子Ｃ１を形成するための複数の層は備えられていない場合を一例に挙げて説明するが、これに限定されることはなく、ＴＦＴ素子Ｔ１・Ｔ４を含む複数のＴＦＴ素子及び容量素子Ｃ１を形成するための複数の層中におけるゲート絶縁膜Ｈ２、第１絶縁膜Ｈ４、第２絶縁膜Ｈ６及び第３絶縁膜Ｈ８の１層以上は、第２領域Ｒ２上に備えられていてもよい。

　図３は、図１の（ｆ）に図示したフレキシブル有機ＥＬ表示装置３２の表示領域に備えられた画素回路１５の構成を示す図である。

　図示されているように、フレキシブル有機ＥＬ表示装置３２の表示領域（図４に図示した表示領域ＤＲ）には、複数のデータ線Ｓ（ｍ）及びこれらに直交する複数の走査信号線Ｇ（n）が配設されている。また、この表示領域には、複数の走査信号線と１対１で対応するように、複数の発光制御線ＥＭ（n）が配設されている。さらに、この表示領域には複数のデータ線Ｓ（ｍ）と複数の走査信号線Ｇ（n）との交差点に対応するように、画素回路１５が設けられている。このように画素回路１５が設けられることによって、複数の画素マトリクスが表示領域に形成されている。

　この表示領域には、各画素回路１５に共通の図示しない電源線が配設されている。より詳細には、有機ＥＬ素子を駆動するためのハイレベル電源電圧ＥＬＶＤＤを供給する電源線、有機ＥＬ素子を駆動するためのローレベル電源電圧ＥＬＶＳＳを供給する電源線、及び初期化電圧Ｖｉｎｉを供給する電源線が配設されている。ハイレベル電源電圧ＥＬＶＤＤ、ローレベル電源電圧ＥＬＶＳＳ及び初期化電圧Ｖｉｎｉは、図示しない電源回路から供給される。

　なお、図３に図示した画素回路１５の構成は一例であって、他の公知の構成を採用することもできる。図３に図示した画素回路１５は、１個の有機ＥＬ素子ＯＬＥＤと６個のＴＦＴ素子Ｔ１～Ｔ６（駆動トランジスタＴ１、書き込み制御トランジスタＴ２、電源供給制御トランジスタＴ３、発光制御トランジスタＴ４、閾値電圧補償トランジスタＴ５、初期化トランジスタＴ６）と１個の容量素子Ｃ１とを含んでいる。

　図４の（ａ）は、図１の（ｅ）に図示したフレキシブル有機ＥＬ表示パネル３１の有機ＥＬ層の近方を示す側面図であり、図４の（ｂ）は、図１の（ｅ）に図示したフレキシブル有機ＥＬ表示パネル３１を上方向から見た平面図である。

　図１の（ｄ）及び図１の（ｅ）に図示されているように、裏面フィルム１１は、耐熱性の高い透明ガラス基板１を剥離した位置にそのまま貼り付けられるので、図４の（ｂ）に図示されているように、カバーフィルム２２は、裏面フィルム１１の主面１１ａの第２領域Ｒ２の周辺を覆うように、裏面フィルム１１の主面１１ａの第１領域Ｒ１上に形成されており、裏面フィルム１１の主面１１ａの第２領域Ｒ２上に形成された端子部２７ｂを含む膜は、カバーフィルム２２よって支えられている。すなわち、カバーフィルム２２の開口２３が第２領域Ｒ２上に配置されていればよい。

　図４の（ｂ）に図示されているように、フレキシブル有機ＥＬ表示パネル３１における表示領域ＤＲ（図中点線）は、フレキシブル有機ＥＬ表示パネル３１の第１領域Ｒ１の一部の領域であり、このフレキシブル有機ＥＬ表示パネル３１における表示領域ＤＲには、図２に図示した裏面フィルム１１とカバーフィルム２２との間の複数の層が形成されている。そして、フレキシブル有機ＥＬ表示パネル３１の第１領域Ｒ１中の表示領域ＤＲ以外の領域には、ＰＩ層２と、無機防湿膜３とカバーフィルム２２とが備えられており、必要に応じて、絶縁性平坦化膜４や図２におけるゲート絶縁膜Ｈ２、第１絶縁膜Ｈ４、第２絶縁膜Ｈ６及び第３絶縁膜Ｈ８中の１層以上を備えていてもよい。それから、フレキシブル有機ＥＬ表示パネル３１の第２領域Ｒ２には、ＰＩ層２と、無機防湿膜３と、端子部２７ｂと、端子部２７ｂを露出するように形成された絶縁性平坦化膜４とが備えられている。

　図４の（ｂ）に図示されているように、フレキシブル有機ＥＬ表示パネル３１の第１領域Ｒ１は連結された一つの領域であり、フレキシブル有機ＥＬ表示パネル３１の第２領域Ｒ２は互いに分離されて形成された複数の領域である。

　なお、本実施形態においては、発光層（５Ｒ・５Ｇ・５Ｂ）を覆う封止膜６は、無機膜６ａ、封止有機膜６ｂ及び無機膜６ｃの３層からなるが、これに限定されることはない。

　なお、図４の（ａ）に図示したフレキシブル有機ＥＬ表示パネル３１の第１領域Ｒ１においては、無機防湿膜３と絶縁性平坦化膜４との間に形成される、ＴＦＴ素子Ｔ１・Ｔ４を含む複数のＴＦＴ素子及び容量素子Ｃ１を形成するための複数の層と、エッジカバーＨ１０と、第２電極Ｈ１１との図示を省略した。

　図５は、図１の（ｅ）に図示したフレキシブル有機ＥＬ表示パネル３１の端子部２７ｂの断面図である。

　図示されているように、複数の端子部２７ｂが一列で並ぶ方向の端子部２７ｂと端子部２７ｂとの間には、端子部２７ｂを露出するように絶縁性平坦化膜４が形成されており、フレキシブル有機ＥＬ表示パネル３１の第１領域Ｒ１中の表示領域ＤＲ以外の領域には、無機防湿膜３上に、図２に図示した第３絶縁膜Ｈ８と同一層である無機膜４ａと、絶縁性平坦化膜４と、カバーフィルム２２とが備えられている。

　したがって、裏面フィルム１１の主面１１ａの第２領域Ｒ２上に形成された端子部２７ｂ及び絶縁性平坦化膜４は、カバーフィルム２２よって支えられている。

　なお、絶縁性平坦化膜４は、第２領域Ｒ２においては、端子部２７ｂと端子部２７ｂとの間の絶縁を確保するために用いられる。

　また、端子部２７ｂは、図３に図示した複数のデータ線Ｓ（ｍ）及び複数の走査信号線Ｇ（n）に電気的に接続された配線であり、絶縁性平坦化膜４によって覆われていない部分である。

　そして、図示していないが、端子部２７ｂで導電性粒子を含むＡＣＦを用いて外部のドライバと接続している。

　もし、図１の（ｂ）に図示した非フレキシブル有機ＥＬ表示パネル２４において、耐熱性の高い透明ガラス基板１の主面１ａの第２領域Ｒ２上に形成された端子部２７ｂ及び絶縁性平坦化膜４が、カバーフィルム２２よって支えられていない場合には、以下のような問題が生じ得る。

　図６は、耐熱性の高い透明ガラス基板１の主面１ａの第２領域Ｒ２上に形成された、カバーフィルム２２によって支えられていない、負の膜応力(圧縮応力）を有する積層膜である、ＰＩ層２と、無機防湿膜３と、端子部２７ｂと、絶縁性平坦化膜４との積層膜を、耐熱性の高い透明ガラス基板１から剥離した場合に、応力解放後、負の膜応力(圧縮応力）を有する積層膜が、伸びて皺が生じる理由を説明するための図である。

　図示されているように、耐熱性の高い透明ガラス基板１の主面１ａの第２領域Ｒ２上に形成されたＰＩ層２と、無機防湿膜３と、端子部２７ｂと、絶縁性平坦化膜４との積層膜や、図示してないが、耐熱性の高い透明ガラス基板１の主面１ａの第２領域Ｒ２上に形成されたＰＩ層２と、無機防湿膜３と、端子部２７ｂとの積層膜が、負の膜応力(圧縮応力）を有する積層膜である場合であって、かつ、カバーフィルム２２よって支えられていない場合には、これらの積層膜を耐熱性の高い透明ガラス基板１から剥離した後に、その圧縮応力が解放されることで積層膜が伸び、皺などが生じることとなる。

　なお、上記膜応力とは、耐熱性の高い透明ガラス基板１に形成された膜が、耐熱性の高い透明ガラス基板１から受けている力で、正の膜応力は引張応力を、負の膜応力は圧縮応力を表す。

　耐熱性の高い透明ガラス基板１に形成された膜が正の膜応力を有する、すなわち、耐熱性の高い透明ガラス基板１に形成された膜が耐熱性の高い透明ガラス基板１から引張応力を受けている状態とは、耐熱性の高い透明ガラス基板１上において、縮もうとしている膜が、耐熱性の高い透明ガラス基板１によって伸ばされている状態を言い、逆に、耐熱性の高い透明ガラス基板１に形成された膜が負の膜応力を有する、すなわち、耐熱性の高い透明ガラス基板１に形成された膜が、耐熱性の高い透明ガラス基板１から圧縮応力を受けている状態とは、耐熱性の高い透明ガラス基板１上において、伸びようとしている膜が、耐熱性の高い透明ガラス基板１によって縮められている状態を言う。

　本実施形態においては、図６に図示されているように、耐熱性の高い透明ガラス基板１の主面１ａの第２領域Ｒ２上に形成されたＰＩ層２と、無機防湿膜３と、端子部２７ｂと、絶縁性平坦化膜４との積層膜や、図示してないが、耐熱性の高い透明ガラス基板１の主面１ａの第２領域Ｒ２上に形成されたＰＩ層２と、無機防湿膜３と、端子部２７ｂとの積層膜が、負の膜応力(圧縮応力）を有する積層膜であっても、図１の（ｂ）及び図１の（ｃ）に図示されているように、カバーフィルム２２は、耐熱性の高い透明ガラス基板１の主面１ａ上に、第２領域Ｒ２の周辺を覆うように形成されているので、耐熱性の高い透明ガラス基板１の主面１ａ上の第２領域Ｒ２に形成された端子部２７ｂや絶縁性平坦化膜４を含む膜は、カバーフィルム２２よって支えられている。

　すなわち、第２領域Ｒ２に形成された端子部２７ｂや絶縁性平坦化膜４を含む膜の伸びる大きさが規定されているので、皺などが生じるのを抑制できる効果を得ることができる。

　本実施形態においては、耐熱性の高い透明ガラス基板１の主面１ａの第２領域Ｒ２上に形成される積層膜が、負の膜応力(圧縮応力）を有する積層膜である場合を一例に挙げて説明したが、皺などが生じるのをより抑制するという観点からは、耐熱性の高い透明ガラス基板１の主面１ａの第２領域Ｒ２上に形成される積層膜は、正の膜応力(引張応力）を有する積層膜であるか、膜応力が略ゼロに近い積層膜であることが好ましい。

　正の膜応力(引張応力）を有する積層膜である場合には、応力解放後においても周囲のカバーフィルム２２によって、積層膜が引っ張られた状態が維持されるため、皺などが生じるのをより抑制できる。

　耐熱性の高い透明ガラス基板１の主面１ａの第２領域Ｒ２上に形成される積層膜の膜応力は、積層膜を直接測定して得ることもでき、各層の膜応力から積層膜の膜応力を概算してもよい。なお、膜応力は、通常、ＭＰａ単位（単位膜厚あたりに働く力）で表される。

　なお、各層の膜応力から積層膜の膜応力を概算する場合には、各層の膜厚を考慮する必要があり、膜厚が厚いほど、全体に与える影響は大きくなる。例えば、ＳｉＮｘ膜とＳｉＯ_２膜との積層膜の膜応力を概算する場合、ＳｉＮｘ膜の膜厚が２００ｎｍで、その膜応力が－５００ＭＰａであり、ＳｉＯ_２膜の膜厚が１００ｎｍで、その膜応力が－２００ＭＰａとすると、（－５００ＭＰａ）×２００ｎｍ／（２００ｎｍ＋１００ｎｍ）＋（－２００ＭＰａ）×１００ｎｍ／（２００ｎｍ＋１００ｎｍ）＝－４００ＭＰａから、ＳｉＮｘ膜とＳｉＯ_２膜との積層膜の膜応力は－４００ＭＰａと概算できる。

　なお、図６に図示するＰＩ層２と、無機防湿膜３と、端子部２７ｂと、絶縁性平坦化膜４とからなる積層膜が負の膜応力を有する理由は、ＰＩ層２は、０に近い膜応力を有し、無機防湿膜３は、ＣＶＤによって形成された窒化シリコン膜であるため、比較的大きい負の膜応力を有し、端子部２７ｂは金属膜であるため負の膜応力を有し、絶縁性平坦化膜４は、塗布型の感光性有機材料であるため、正の膜応力を有するが、無機防湿膜３と絶縁性平坦化膜４との膜厚を調整して、ＰＩ層２と、無機防湿膜３と、端子部２７ｂと、絶縁性平坦化膜４とからなる積層膜が負の膜応力を有するようにした。

　本実施形態においては、負の膜応力を有する積層膜がカバーフィルム２２よって支えられていることの効果を確認するため、無機防湿膜３と絶縁性平坦化膜４との膜厚を調整して、ＰＩ層２と、無機防湿膜３と、端子部２７ｂと、絶縁性平坦化膜４とからなる積層膜が負の膜応力を有するようにしたが、上述したように、第２領域Ｒ２上に形成される積層膜は、正の膜応力(引張応力）を有する積層膜であるか、膜応力が略ゼロに近い積層膜であることが好ましい。

　図７の（ａ）は、耐熱性の高い透明ガラス基板１の主面１ａの第２領域Ｒ２に対応する裏面フィルム１１の主面１１ａの第２領域Ｒ２上において、負の膜応力を有する膜の一部を形成していないフレキシブル有機ＥＬ表示パネル３１ａの端子部の側面図である。

　図示されているように、ＣＶＤによって形成された窒化シリコン膜である負の膜応力を有する無機防湿膜３ａを耐熱性の高い透明ガラス基板１の主面１ａの第２領域Ｒ２上に形成せず、フレキシブル有機ＥＬ表示パネル３１ａにおいては、裏面フィルム１１の主面１１ａの第２領域Ｒ２上に負の膜応力を有する無機防湿膜３ａが形成されていない。

　このように、第２領域Ｒ２上において負の膜応力を有する層を省くことで、第２領域Ｒ２上に形成される積層膜を、正の膜応力(引張応力）を有する積層膜または、膜応力が略ゼロに近い積層膜とすることができるので、耐熱性の高い透明ガラス基板１から剥離した後に、第２領域Ｒ２上に形成された積層膜が伸び、皺などが生じるのを抑制できる。

　図７の（ｂ）に図示されているように、フレキシブル有機ＥＬ表示パネル３１ｂにおいては、裏面フィルム１１の主面１１ａの第２領域Ｒ２上に必要最小限の負の膜応力を有する無機膜４ｃを形成した場合である。すなわち、無機膜４ｃは、端子部２７ｂ’を形成する層で覆われている。このような場合においても、第２領域Ｒ２上に形成された積層膜はカバーフィルム２２よって支えられているので、耐熱性の高い透明ガラス基板１から剥離した後に、その圧縮応力が解放されることで積層膜が伸び、皺などが生じるのを抑制できる。

　フレキシブル有機ＥＬ表示パネル３１ｂにおいては、端子部２７ｂ’の箇所のみに無機膜４ｃが形成されているので、端子部２７ｂ’の金属層がかさ上げされるため、ＡＣＦでの導通がとれやすくなるといったメリットもある。

　なお、無機膜４ａと無機膜４ｃとは、同一層であっても、異なる層であってもよく、無機膜４ｃは、端子部２７ｂ’を形成する層及び絶縁性平坦化膜４より下層であればよい。

　図８は、図７の（ｂ）に図示したフレキシブル有機ＥＬ表示パネル３１ｂの端子部２７ｂ’を示す図である。

　図示されているように、絶縁性平坦化膜４は、絶縁性平坦化膜４の開口４’が、下層である無機膜４ｃと、上層である端子部２７ｂ’とは、平面視において重なるように形成されており、下層である無機膜４ｃと、上層である端子部２７ｂ’とも、平面視において重なるように形成されているので、端子部２７ｂ’の金属層がかさ上げされている。なお、引き回し配線２７ｃは、絶縁性平坦化膜４の下層として形成されている。

　〔実施形態２〕
　次に、図９及び図１０に基づき、本発明の実施形態２について説明する。本実施形態においては、無機防湿膜と有機膜との積層膜である防湿膜３ｂとして、ＣＶＤによって形成された窒化シリコン膜と塗布型材料である有機膜との積層膜を用いている点において、実施形態１とは異なり、その他については実施形態１において説明したとおりである。説明の便宜上、実施形態１の図面に示した部材と同じ機能を有する部材については、同じ符号を付し、その説明を省略する。

　図９は、端子出し工程を含まないフレキシブル有機ＥＬ表示装置４３の製造方法を説明するための図である。

　図９の（ａ）に図示されているように、先ず、耐熱性の高い透明ガラス基板１の主面１ａの第１領域及び第２領域Ｒ２上に、ポリイミド樹脂などからなるＰＩ層２と、無機防湿膜と有機膜との積層膜である防湿膜３ｂとを順に積層した。

　無機防湿膜と有機膜との積層膜である防湿膜３ｂは、負の膜応力を有するＣＶＤによって形成された窒化シリコン膜と、正の膜応力を有する塗布型材料である有機膜との積層膜であり、負の膜応力を有するＣＶＤによって形成された窒化シリコン膜のみからなる実施形態１における無機防湿膜３・３ａとは異なり、正の膜応力を有する積層膜である。なお、無機防湿膜と有機膜との積層膜である防湿膜３ｂの膜応力の調整は、実施形態１で説明したように、負の膜応力を有するＣＶＤによって形成された窒化シリコン膜の膜厚と、正の膜応力を有する塗布型材料である有機膜の膜厚とを、適宜変えることで実現できる。

　その後、図９の（ｂ）に図示されているように、耐熱性の高い透明ガラス基板１の主面１ａの第１領域Ｒ１及び第２領域Ｒ２上のＰＩ層２及び無機防湿膜と有機膜との積層膜である防湿膜３ｂ上に、図示していない薄膜トランジスタ素子（ＴＦＴ素子）と、ＴＦＴ素子を覆うように絶縁性平坦化膜４を形成した。

　なお、図９の（ｃ）、図９の（ｄ）、図９の（ｅ）及び図９の（ｆ）に図示した各工程は、上述した実施形態１における図１の（ｃ）、図１の（ｄ）、図１の（ｅ）及び図１の（ｆ）に図示した各工程と同様であるため、ここではその説明を省略する。

　図１０は、正の膜応力(引張応力）を有する積層膜を、耐熱性の高い透明ガラス基板１から剥離した場合に、応力解放後、正の膜応力(引張応力）を有する積層膜に、皺などが生じるのを抑制できる理由を説明するための図である。

　図１０に図示したＰＩ層２と、無機防湿膜と有機膜との積層膜である防湿膜３ｂと、端子部２７ｂと、絶縁性平坦化膜４とからなる正の膜応力(引張応力）を有する積層膜においては、無機防湿膜と有機膜との積層膜である防湿膜３ｂによって、全体の膜応力が正となるように調整されている。

　正の膜応力(引張応力）を有する積層膜を、耐熱性の高い透明ガラス基板１から剥離した場合に、応力解放後においても周囲のカバーフィルム２２によって、積層膜が引っ張られた状態が維持されるため、皺などが生じるのをより抑制できる。

　〔実施形態３〕
　次に、図１１及び図１２に基づき、本発明の実施形態３について説明する。本実施形態においては、上述した実施形態１及び２において用いた絶縁性平坦化膜４の代わりに、塗布型材料であるとともに、有機無機ハイブリット絶縁性材料で絶縁性平坦化膜５１を形成している点において、実施形態１及び２とは異なり、その他については実施形態１及び２において説明したとおりである。説明の便宜上、実施形態１及び２の図面に示した部材と同じ機能を有する部材については、同じ符号を付し、その説明を省略する。

　図１１は、端子出し工程を含まないフレキシブル有機ＥＬ表示装置５４の製造方法を説明するための図である。

　図１１の（ａ）に図示されているように、先ず、耐熱性の高い透明ガラス基板１の主面１ａの第１領域及び第２領域Ｒ２上に、ポリイミド樹脂などからなるＰＩ層２と、無機防湿膜３とを順に積層した。

　その後、図１１の（ｂ）に図示されているように、耐熱性の高い透明ガラス基板１の主面１ａの第１領域Ｒ１及び第２領域Ｒ２上のＰＩ層２及び無機防湿膜３上に、図示していない薄膜トランジスタ素子（ＴＦＴ素子）と、ＴＦＴ素子を覆うように絶縁性平坦化膜５１を形成した。具体的に、上記ＴＦＴ素子は第１領域Ｒ１の表示領域にのみ形成され、上記ＴＦＴ素子を覆う絶縁性平坦化膜５１は、第１領域Ｒ１及び第２領域Ｒ２に形成した。

　絶縁性平坦化膜５１は、感光性材料であるとともに、塗布型材料である有機無機ハイブリット絶縁性材料で形成した絶縁性平坦化膜である。絶縁性平坦化膜５１には、露光・現像工程により、第１領域Ｒ１にはコンタクトホールが形成され、第２領域Ｒ２には端子部２７ｂを露出させる開口が形成されている。

　感光性材料であるとともに、塗布型材料である有機無機ハイブリット絶縁性材料としては、例えば、感光性アクリル基をポリシロキサンにハイブリッド化した、末端シラノールアクリル化ポリ（フェニルメチルシロキサン）などを含む絶縁膜塗布液を用いることができる。

　本実施形態においては、ドライエッチング工程を省けるメリットを考慮し、絶縁性平坦化膜５１として感光性材料を用いているが、ドライエッチングによって、コンタクトホール及び端子部２７ｂを露出させる開口を形成できるのであれば、感光性材料に限定されることはない。

　なお、図１１の（ｃ）、図１１の（ｄ）、図１１の（ｅ）及び図１１の（ｆ）に図示した各工程は、上述した実施形態１における図１の（ｃ）、図１の（ｄ）、図１の（ｅ）及び図１の（ｆ）に図示した各工程と同様であるため、ここではその説明を省略する。

　図１２は、正の膜応力(引張応力）を有する積層膜を、耐熱性の高い透明ガラス基板１から剥離した場合に、応力解放後、正の膜応力(引張応力）を有する積層膜に、皺などが生じるのを抑制できる理由を説明するための図である。

　図１２に図示したＰＩ層２と、無機防湿膜３と、端子部２７ｂと、絶縁性平坦化膜５１とからなる正の膜応力(引張応力）を有する積層膜においては、各々の層の膜厚が全体の膜応力が正となるように調整されている。

　なお、絶縁性平坦化膜５１においては、有機基である感光性アクリル基の導入比を調整することで、膜応力の値を調整し、本実施形態においては、絶縁性平坦化膜５１は、正の膜応力(引張応力）を有する膜とした。

　〔実施形態４〕
　次に、図１３及び図１４に基づき、本発明の実施形態４について説明する。本実施形態においては、ポリイミド樹脂などからなるＰＩ層２ａへのレーザー光の照射量を増加させ、ＰＩ層２ａを変質させて収縮させている点において、実施形態１から３とは異なり、その他については実施形態１から３において説明したとおりである。説明の便宜上、実施形態１から４の図面に示した部材と同じ機能を有する部材については、同じ符号を付し、その説明を省略する。

　図１３は、端子出し工程を含まないフレキシブル有機ＥＬ表示装置７２の製造方法を説明するための図である。

　図１３の（ａ）に図示されているように、先ず、耐熱性の高い透明ガラス基板１の主面１ａの第１領域Ｒ１及び第２領域Ｒ２上に、ポリイミド樹脂などからなるＰＩ層２と、無機防湿膜３とを順に積層した。

　その後、図１３の（ｂ）に図示されている非フレキシブル有機ＥＬ表示パネル２４については、既に上述しているので、ここでの説明は省略する。

　その後、図１３の（ｃ）に図示されているように、耐熱性の高い透明ガラス基板１側からＰＩ層２・２ａと、耐熱性の高い透明ガラス基板１との界面に直接レーザー光を照射した後、図１３の（ｄ）に図示されているように、ＰＩ層２・２ａから耐熱性の高い透明ガラス基板１を剥離した。

　図１３の（ｃ）に図示するレーザー光の照射においては、耐熱性の高い透明ガラス基板１の主面１ａの第１領域Ｒ１上のＰＩ層２へのレーザー光の照射量より、耐熱性の高い透明ガラス基板１の主面１ａの第２領域Ｒ２上のＰＩ層２ａへのレーザー光の照射量が大きくなるようにした。

　ＰＩ層２ａへのレーザー光の照射量は、１５０ｍＪ／ｃｍ^２以上２５０ｍＪ／ｃｍ^２以下とすることが好ましい。ＰＩ層２ａへのレーザー光の照射量が２５０ｍＪ／ｃｍ^２より大きいと、ＰＩ層２ａが焦げるなどダメージが大きく、ＰＩ層２ａへのレーザー光の照射量が１５０ｍＪ／ｃｍ^２より小さいと、ＰＩ層２ａを変質させて収縮させる効果が小さい。

　本実施形態においては、ＰＩ層２へのレーザー光の照射量を１００ｍＪ／ｃｍ^２とし、ＰＩ層２ａへのレーザー光の照射量を２００ｍＪ／ｃｍ^２としたが、ＰＩ層２及びＰＩ層２ａから耐熱性の高い透明ガラス基板１を剥離できるとともに、ＰＩ層２ａを変質させて収縮できる範囲内であれば、そのレーザー光の照射量は特に限定されない。

　また、本実施形態においては、ＰＩ層２ａへは強いレーザー光を照射し、ＰＩ層２へは弱いレーザー光を照射することで、略同時間のレーザー光の照射処理で、それぞれのレーザー光の照射量を満たすようにしているが、これに限定されることはない。

　本実施形態においては、３５５ｎｍ以下の波長のレーザー光を、耐熱性の高い透明ガラス基板１側からＰＩ層２・２ａと、耐熱性の高い透明ガラス基板１との界面に照射した。具体的に、本実施形態においては、ＰＩ層２・２ａに吸収される波長の光である、３５５ｎｍ以下の波長のレーザー光を用いており、例えば、３０８ｎｍの波長のエキシマレーザー光や３４３ｎｍの波長の固体レーザー光や３５５ｎｍの波長の固体レーザー光を用いることができる。なお、熱吸収層（図示せず）を備えた構成においては、熱吸収層に吸収される波長の光を用いることができる。

　続いて、図１３の（ｅ）に図示されているように、接着層（図示せず）を介して、フレキシブル基板として裏面フィルム１１をＰＩ層２・２ａに貼り付けることで、端子部２７ｂが露出しているフレキシブル有機ＥＬ表示パネル７１を完成した。

　それから、図１３の（ｆ）に図示されているように、図１３の（ｅ）に図示したフレキシブル有機ＥＬ表示パネル７１における第１領域Ｒ１と第２領域Ｒ２との境界部分（図中右側の境界部分）をレーザー分断し、端子部２７ｂに外部回路配線（図示せず）を接続することで、複数個のフレキシブル有機ＥＬ表示装置７２を得た。

　図１４は、負の膜応力(圧縮応力）を有する積層膜を、耐熱性の高い透明ガラス基板１から剥離した場合に、応力解放後、負の膜応力(圧縮応力）を有する積層膜に、皺などが生じるのを抑制できる理由を説明するための図である。

　負の膜応力(圧縮応力）を有する積層膜の場合、ガラス基板剥離時の応力解放によって積層膜が伸びて皺が生じる。一方、図１４に図示したＰＩ層２ａと、無機防湿膜３と、端子部２７ｂと、絶縁性平坦化膜４とからなる負の膜応力(圧縮応力）を有する積層膜の場合は、上述したように、ＰＩ層２ａに対して、レーザーの照射量を増加させ、耐熱性の高い透明ガラス基板１を剥離する前に、ＰＩ層２ａを変質させて、上記伸びることが予想される量以上に収縮させている。したがって、図１４に図示したＰＩ層２ａと、無機防湿膜３と、端子部２７ｂと、絶縁性平坦化膜４とからなる負の膜応力(圧縮応力）を有する積層膜を、耐熱性の高い透明ガラス基板１から剥離した場合に、応力解放後、負の膜応力(圧縮応力）を有する積層膜に、皺などが生じるのを抑制できる。

　さらに、図１４に図示したＰＩ層２ａと、無機防湿膜３と、端子部２７ｂと、絶縁性平坦化膜４とからなる負の膜応力(圧縮応力）を有する積層膜を、耐熱性の高い透明ガラス基板１から剥離した場合に、応力解放後においても周囲のカバーフィルム２２によって、積層膜が引っ張られた状態が維持されるため、皺などが生じるのをより抑制できる。

　なお、本実施形態は、上述した実施形態１から３の何れかと組み合わせて用いることができるのは言うまでもない。

　〔まとめ〕
　本発明の態様１に係る可撓性表示パネルは、上記の課題を解決するために、可撓性基板の主面に、複数の表示素子及び複数の端子が備えられた可撓性表示パネルであって、上記可撓性基板の主面は、連結された一つの領域である第１領域と、互いに分離されて形成された複数の領域である第２領域とに領域分けされており、上記複数の表示素子は、上記第１領域中の一部である表示領域上に形成されており、上記複数の端子は、上記第２領域上に形成されており、上記可撓性基板の主面上に最上層として設けられた可撓性フィルムは、開口を有し、上記開口は、上記第２領域上に配置されているとともに、上記開口の周辺が上記可撓性フィルムに囲まれた形状を有することを特徴としている。

　本発明の態様２に係る可撓性表示パネルは、上記態様１において、上記表示素子に電気的に接続されたアクティブ素子は、上記表示領域と平面視において重なるように形成されており、上記アクティブ素子中に含まれる無機絶縁膜または上記アクティブ素子を覆うように形成された無機絶縁性平坦化膜は、上記第２領域とは平面視において重ならないように形成されていることが好ましい。

　上記構成によれば、第２領域上に形成された膜に皺が生じるのを抑制した可撓性表示パネルを実現できる。

　本発明の態様３に係る可撓性表示パネルは、上記態様１または２において、無機防湿膜を備えており、上記無機防湿膜は、上記第２領域とは平面視において重ならないように形成されていることが好ましい。

　本発明の態様４に係る可撓性表示パネルは、上記態様１において、無機防湿膜を備えており、上記表示素子に電気的に接続されたアクティブ素子は、上記表示領域と平面視において重なるように形成されており、上記アクティブ素子中に含まれる複数の無機層中の一つの層、上記アクティブ素子を覆うように形成された無機絶縁性平坦化膜または、上記無機防湿膜は、上記第２領域上においては、互いに分離されて形成されているとともに、上記端子を形成する金属膜で覆われていることが好ましい。

　上記構成によれば、端子を形成する層がかさ上げされるため、ＡＣＦでの導通がとれやすくなる。

　本発明の態様５に係る可撓性表示パネルは、上記態様４において、上記第２領域上には、開口を有する絶縁性平坦化膜が形成されており、上記絶縁性平坦化膜は、有機絶縁性平坦化膜または、有機無機ハイブリット絶縁性平坦化膜であり、上記絶縁性平坦化膜の開口は、上記アクティブ素子中に含まれる複数の無機層中の一つの層、上記アクティブ素子を覆うように形成された無機絶縁性平坦化膜または、上記無機防湿膜と、上記端子を形成する層とは、平面視において、重なることが好ましい。

　本発明の態様６に係る可撓性表示パネルは、上記態様５において、上記絶縁性平坦化膜は、上記表示領域にも形成されており、上記表示領域においては、上記絶縁性平坦化膜の開口を介して、上記アクティブ素子が上記表示素子に電気的に接続されている構成であってもよい。

　上記構成によれば、上記絶縁性平坦化膜が、上記表示領域及び上記第２領域上に同一層として形成された可撓性表示パネルを実現できる。

　本発明の態様７に係る可撓性表示パネルは、上記態様５または６において、上記絶縁性平坦化膜は、感光性材料であることが好ましい。

　上記構成によれば、上記絶縁性平坦化膜に露光・現像工程によって、開口を形成できる。

　本発明の態様８に係る可撓性表示パネルは、上記態様１または２において、少なくとも、上記第２領域上には、無機防湿膜と有機膜との積層膜である防湿膜が備えられていることが好ましい。

　本発明の態様９に係る可撓性表示パネルは、上記態様１から８の何れかにおいて、上記第１領域上と、上記第２領域上における上記可撓性基板と上記複数の端子を形成する膜との間とには、共通層としてポリイミド樹脂を含むポリイミド膜が形成されており、上記第２領域上のポリイミド膜は、上記第１領域上のポリイミド膜より収縮された膜であることが好ましい。

　上記構成によれば、上記第２領域上のポリイミド膜は、上記第１領域上のポリイミド膜より収縮された膜であるので、第２領域上に形成された膜に皺が生じるのを抑制した可撓性表示パネルを実現できる。

　本発明の態様１０に係る可撓性表示パネルは、上記態様１から９の何れかにおいて、上記表示素子は、有機エレクトロルミネッセンス表示素子であってもよい。

　上記構成によれば、表示素子として、有機エレクトロルミネッセンス表示素子を備えた可撓性表示パネルを実現できる。

　本発明の態様１１に係る可撓性表示装置は、上記態様１から１０の何れかに記載の可撓性表示パネルを分断した可撓性表示装置である。

　上記構成によれば、第２領域上に形成された膜に皺が生じるのを抑制した可撓性表示装置を実現できる。

　本発明の態様１２に係る可撓性表示パネルの製造方法は、上記の課題を解決するために、可撓性基板の主面に、複数の表示素子及び複数の端子が備えられた可撓性表示パネルの製造方法であって、上記耐熱性基板の主面は、連結された一つの領域である第１領域と、互いに分離されて形成された複数の領域である第２領域とに領域分けされており、上記第１領域上及び上記第２領域上に積層膜を形成する第１工程と、上記第１領域中の一部である表示領域上の上記積層膜上には上記複数の表示素子を形成し、上記第２領域上の上記積層膜上には上記複数の端子を形成する第２工程と、開口を有する可撓性フィルムを上記耐熱性基板の主面上に最上層として設ける工程であって、上記開口の周辺が上記可撓性フィルムに囲まれた形状の開口を、上記第２領域上に配置する第３工程と、上記耐熱性基板を剥離する第４工程と、上記耐熱性基板を剥離した面に、上記可撓性基板の主面を貼り付ける第５工程と、を含むことを特徴としている。

　本発明の態様１３に係る可撓性表示パネルの製造方法は、上記態様１２において、上記第１工程において、少なくとも上記第２領域上には、正の膜応力を有する積層膜を形成することが好ましい。

　上記方法によれば、端子出し工程を別途必要としないとともに、上記第２領域に形成される膜に皺が生じるのを抑制できる可撓性表示パネルの製造方法を実現できる。

　本発明の態様１４に係る可撓性表示パネルの製造方法は、上記態様１２または１３において、上記第１工程において、上記第１領域上及び上記第２領域上に形成される積層膜中には、ポリイミド樹脂を含むポリイミド膜が含まれており、上記耐熱性基板は、レーザー光の波長領域の少なくとも一部を透過する基板であり、上記第４工程においては、上記耐熱性基板を介して、上記ポリイミド膜に上記レーザー光を照射し、上記耐熱性基板を含む上記ポリイミド膜より下部を剥離することが好ましい。

　上記方法によれば、レーザー光を照射して、上記耐熱性基板を含むポリイミド膜より下部を剥離する工程を含む可撓性表示パネルの製造方法を実現できる。

　本発明の態様１５に係る可撓性表示パネルの製造方法は、上記態様１４において、上記第４工程においては、上記第１領域上のポリイミド膜に対するレーザー光の照射量より上記第２領域上のポリイミド膜に対するレーザー光の照射量が大きいことが好ましい。

　上記方法によれば、上記第１領域上のポリイミド膜に対するレーザー光の照射量より上記第２領域上のポリイミド膜に対するレーザー光の照射量が大きくすることで、上記第２領域に形成される膜に皺が生じるのを抑制できる可撓性表示パネルの製造方法を実現できる。

　本発明の態様１６に係る可撓性表示パネルの製造方法は、上記態様１５において、上記第２領域上のポリイミド膜に対するレーザー光の照射量は、１５０ｍＪ／ｃｍ^２以上２５０ｍＪ／ｃｍ^２以下であることが好ましい。

　上記方法によれば、上記第２領域に形成される膜に皺が生じるのを抑制できる可撓性表示パネルの製造方法を実現できる。

　本発明の態様１７に係る可撓性表示パネルの製造方法は、上記態様１４から１６の何れかにおいて、上記レーザー光は、エキシマレーザー光または固体レーザー光であってもよい。

　上記方法によれば、エキシマレーザー光または固体レーザー光を用いて、上記第２領域に形成される膜に皺が生じるのを抑制できる可撓性表示パネルの製造方法を実現できる。

　〔付記事項〕
　本発明は上述した各実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。さらに、各実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を組み合わせることにより、新しい技術的特徴を形成することができる。

　本発明は、可撓性表示パネル、可撓性表示装置及び可撓性表示パネルの製造方法に利用することができる。

　１　　　　　耐熱性の高い透明ガラス基板（耐熱性基板）
　１ａ　　　　耐熱性の高い透明ガラス基板の主面（耐熱性基板の主面）
　２　　　　　ＰＩ層（ポリイミド膜）
　２ａ　　　　ＰＩ層（ポリイミド膜）
　３　　　　無機防湿膜
　３ａ　　　無機防湿膜
　３ｂ　　　無機防湿膜と有機膜との積層膜（防湿膜）
　４　　　　　絶縁性平坦化膜（有機絶縁性平坦化膜）
　４ａ　　　　無機膜（複数の無機層中の一つの層、無機絶縁性平坦化膜）
　４’　　　　開口
　５Ｒ　　　　発光層
　５Ｇ　　　　発光層
　５Ｂ　　　　発光層
　６　　　　　封止膜
　１１　　　　裏面フィルム（可撓性基板）
　１１ａ　　　裏面フィルムの主面（可撓性基板の主面）
　２２　　　　カバーフィルム（可撓性フィルム）
　２３　　　　開口（可撓性フィルムの開口）
　２４　　　　非フレキシブル有機ＥＬ表示パネル
　２７ｂ　　　端子部（端子）
　２７ｂ’　　端子部（端子）
　３１　　　　フレキシブル有機ＥＬ表示パネル（可撓性表示パネル）
　３１ａ　　　フレキシブル有機ＥＬ表示パネル（可撓性表示パネル）
　３１ｂ　　　フレキシブル有機ＥＬ表示パネル（可撓性表示パネル）
　３１ｃ　　　フレキシブル有機ＥＬ表示パネル（可撓性表示パネル）
　３２　　　　フレキシブル有機ＥＬ表示装置（可撓性表示装置）
　４１　　　　非フレキシブル有機ＥＬ表示パネル
　４２　　　　フレキシブル有機ＥＬ表示パネル（可撓性表示パネル）
　４３　　　　フレキシブル有機ＥＬ表示装置（可撓性表示装置）
　５１　　　　絶縁性平坦化膜（有機無機ハイブリット絶縁性平坦化膜）
　５２　　　　非フレキシブル有機ＥＬ表示パネル
　５３　　　　フレキシブル有機ＥＬ表示パネル（可撓性表示パネル）
　５４　　　　フレキシブル有機ＥＬ表示装置（可撓性表示装置）
　７０　　　　非フレキシブル有機ＥＬ表示パネル
　７１　　　　フレキシブル有機ＥＬ表示パネル（可撓性表示パネル）
　７２　　　　フレキシブル有機ＥＬ表示装置（可撓性表示装置）
　Ｒ１　　　　第１領域
　Ｒ２　　　　第２領域
　Ｔ１～Ｔ６　ＴＦＴ素子（アクティブ素子）
　Ｈ２　　　　ゲート絶縁膜（アクティブ素子中に含まれる無機絶縁膜）
　Ｈ４　　　　第１絶縁膜（アクティブ素子中に含まれる無機絶縁膜）
　Ｈ６　　　　第２絶縁膜（アクティブ素子中に含まれる無機絶縁膜）
　Ｈ８　　　　第３絶縁膜（無機絶縁性平坦化膜）
　ＤＲ　　　　表示領域

Claims

　可撓性基板の主面に、複数の表示素子及び複数の端子が備えられた可撓性表示パネルであって、
　上記可撓性基板の主面は、連結された一つの領域である第１領域と、互いに分離されて形成された複数の領域である第２領域とに領域分けされており、
　上記複数の表示素子は、上記第１領域中の一部である表示領域上に形成されており、
　上記複数の端子は、上記第２領域上に形成されており、
　上記可撓性基板の主面上に最上層として設けられた可撓性フィルムは、開口を有し、
　上記開口は、上記第２領域上に配置されているとともに、上記開口の周辺が上記可撓性フィルムに囲まれた形状を有することを特徴とする可撓性表示パネル。
　上記表示素子に電気的に接続されたアクティブ素子は、上記表示領域と平面視において重なるように形成されており、
　上記アクティブ素子中に含まれる無機絶縁膜または上記アクティブ素子を覆うように形成された無機絶縁性平坦化膜は、上記第２領域とは平面視において重ならないように形成されていることを特徴とする請求項１に記載の可撓性表示パネル。
　無機防湿膜を備えており、
　上記無機防湿膜は、上記第２領域とは平面視において重ならないように形成されていることを特徴とする請求項１または２に記載の可撓性表示パネル。
　無機防湿膜を備えており、
　上記表示素子に電気的に接続されたアクティブ素子は、上記表示領域と平面視において重なるように形成されており、
　上記アクティブ素子中に含まれる複数の無機層中の一つの層、上記アクティブ素子を覆うように形成された無機絶縁性平坦化膜または、上記無機防湿膜は、上記第２領域上においては、互いに分離されて形成されているとともに、上記端子を形成する金属膜で覆われていることを特徴とする請求項１に記載の可撓性表示パネル。
　上記第２領域上には、開口を有する絶縁性平坦化膜が形成されており、
　上記絶縁性平坦化膜は、有機絶縁性平坦化膜または、有機無機ハイブリット絶縁性平坦化膜であり、
　上記絶縁性平坦化膜の開口は、上記アクティブ素子中に含まれる複数の無機層中の一つの層、上記アクティブ素子を覆うように形成された無機絶縁性平坦化膜または、上記無機防湿膜と、上記端子を形成する層とは、平面視において、重なることを特徴とする請求項４に記載の可撓性表示パネル。
　上記絶縁性平坦化膜は、上記表示領域にも形成されており、
　上記表示領域においては、上記絶縁性平坦化膜の開口を介して、上記アクティブ素子が上記表示素子に電気的に接続されていることを特徴とする請求項５に記載の可撓性表示パネル。
　上記絶縁性平坦化膜は、感光性材料であることを特徴とする請求項５または６に記載の可撓性表示パネル。
　少なくとも、上記第２領域上には、無機防湿膜と有機膜との積層膜である防湿膜が備えられていることを特徴とする請求項１または２に記載の可撓性表示パネル。
　上記第１領域上と、上記第２領域上における上記可撓性基板と上記複数の端子を形成する膜との間とには、共通層としてポリイミド樹脂を含むポリイミド膜が形成されており、
　上記第２領域上のポリイミド膜は、上記第１領域上のポリイミド膜より収縮された膜であることを特徴とする請求項１から８の何れか１項に記載の可撓性表示パネル。
　上記表示素子は、有機エレクトロルミネッセンス表示素子であることを特徴とする請求項１から９の何れか１項に記載の可撓性表示パネル。
　上記請求項１から１０の何れか１項に記載の可撓性表示パネルを分断した可撓性表示装置。
　可撓性基板の主面に、複数の表示素子及び複数の端子が備えられた可撓性表示パネルの製造方法であって、
　上記耐熱性基板の主面は、連結された一つの領域である第１領域と、互いに分離されて形成された複数の領域である第２領域とに領域分けされており、
　上記第１領域上及び上記第２領域上に積層膜を形成する第１工程と、
　上記第１領域中の一部である表示領域上の上記積層膜上には上記複数の表示素子を形成し、上記第２領域上の上記積層膜上には上記複数の端子を形成する第２工程と、
　開口を有する可撓性フィルムを上記耐熱性基板の主面上に最上層として設ける工程であって、上記開口の周辺が上記可撓性フィルムに囲まれた形状の開口を、上記第２領域上に配置する第３工程と、
　上記耐熱性基板を剥離する第４工程と、
　上記耐熱性基板を剥離した面に、上記可撓性基板の主面を貼り付ける第５工程と、を含むことを特徴とする可撓性表示パネルの製造方法。
　上記第１工程において、少なくとも上記第２領域上には、正の膜応力を有する積層膜を形成することを特徴とする請求項１２に記載の可撓性表示パネルの製造方法。
　上記第１工程において、上記第１領域上及び上記第２領域上に形成される積層膜中には、ポリイミド樹脂を含むポリイミド膜が含まれており、
　上記耐熱性基板は、レーザー光の波長領域の少なくとも一部を透過する基板であり、
　上記第４工程においては、上記耐熱性基板を介して、上記ポリイミド膜に上記レーザー光を照射し、上記耐熱性基板を含む上記ポリイミド膜より下部を剥離することを特徴とする請求項１２または１３に記載の可撓性表示パネルの製造方法。
　上記第４工程においては、上記第１領域上のポリイミド膜に対するレーザー光の照射量より上記第２領域上のポリイミド膜に対するレーザー光の照射量が大きいことを特徴とする請求項１４に記載の可撓性表示パネルの製造方法。
　上記第２領域上のポリイミド膜に対するレーザー光の照射量は、１５０ｍＪ／ｃｍ^２以上２５０ｍＪ／ｃｍ^２以下であることを特徴とする請求項１５に記載の可撓性表示パネルの製造方法。
　上記レーザー光は、エキシマレーザー光または固体レーザー光であることを特徴とする請求項１４から１６の何れか１項に記載の可撓性表示パネルの製造方法。