WO2018163983A1

WO2018163983A1 - 表示基板及び表示装置

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Publication number: WO2018163983A1
Application number: PCT/JP2018/007950
Authority: WO
Inventors: 昌紀前田; 義仁原
Original assignee: シャープ株式会社
Priority date: 2017-03-10
Filing date: 2018-03-02
Publication date: 2018-09-13
Also published as: US11150502B2; US20210141258A1

Abstract

アレイ基板１０ｂは、表示領域ＡＡと非表示領域ＮＡＡとに区分されるガラス基板１０ＧＳと、平坦化膜２０と、平坦化膜２０の上層側に配される第３金属膜２１と、第３金属膜２１の上層側に配されるとともに膜厚が平坦化膜２０よりも小さい下層側層間絶縁膜２２及び上層側層間絶縁膜２４と、下層側層間絶縁膜２２及び上層側層間絶縁膜２４よりも上層側に配される配向膜１０ｎと、第３金属膜２１からなり、表示領域ＡＡと非表示領域ＮＡＡとに跨る形で延在するタッチ配線１５と、非表示領域ＮＡＡに配されてタッチ配線１５を横切る形で延在し、下層側層間絶縁膜２２及び上層側層間絶縁膜２４を部分的に凹ませる形で設けられて配向膜１０ｎの成膜範囲を規制する成膜範囲規制凹状部３０と、を備える。

Description

表示基板及び表示装置

　本発明は、表示基板及び表示装置に関する。

　従来、タッチスクリーンパネルがインセル型でディスプレイパネルに内蔵されたタッチスクリーンパネル一体型表示装置の一例として下記特許文献１に記載されたものが知られている。特許文献１に記載されたタッチスクリーンパネル一体型表示装置は、複数のデータラインが第１方向に沿って形成され、複数のゲートラインが第２方向に沿って形成され、複数の電極群にグループ化される複数の電極が形成されたパネルと、駆動モードがタッチ駆動モードである場合に、複数の電極の全体又は一部にタッチ駆動信号を印加するタッチ集積回路と、駆動モードがディスプレイ駆動モードである場合に、複数のデータラインにデータ電圧を供給するデータ駆動部と、駆動モードがディスプレイ駆動モードである場合に、複数のゲートラインにスキャン信号を順次に供給するゲート駆動部と、を有し、駆動モードがタッチ駆動モードである場合に、タッチ駆動信号又はタッチ駆動信号に対応する信号を複数のゲートラインの全体又は一部に印加する。

特開２０１５－１２２０５７号公報

（発明が解決しようとする課題）
　上記した特許文献１に記載されたタッチスクリーンパネル一体型表示装置では、タッチ検出に係るタッチ駆動信号が供給される信号ラインは、画像表示に係るデータ電圧が供給されるデータラインの上層側に配される第１保護層のさらに上層側に配された金属膜からなる。その一方、このタッチスクリーンパネル一体型表示装置のように、液晶層を備える液晶表示装置は、一般的に液晶分子を配向させるための配向膜を有している。この配向膜は、成膜時には高い流動性を備えていることから、その成膜範囲を規制するための溝部を第１保護層などの絶縁膜に設ける場合がある。そのような溝部を上記した特許文献１に記載した第１保護層に設けるようにした場合には、その上層側に配された金属膜からなる信号ラインの平坦性が損なわれ、断線などが生じるおそれがある。

　本発明は上記のような事情に基づいて完成されたものであって、配線の平坦性を保ちつつ配向膜の成膜範囲を規制することを目的とする。

（課題を解決するための手段）
　本発明の表示基板は、画像を表示可能な表示領域と前記表示領域を取り囲む形で外周側に配される非表示領域とに区分される基板と、前記基板の前記表示領域と前記非表示領域とに跨る形で配される第１絶縁膜と、前記第１絶縁膜の上層側にて前記表示領域と前記非表示領域とに跨る形で配される金属膜と、前記金属膜の上層側にて前記表示領域と前記非表示領域とに跨る形で配されるとともに膜厚が前記第１絶縁膜よりも小さい第２絶縁膜と、前記第２絶縁膜よりも上層側にて少なくとも前記表示領域に配される配向膜と、前記金属膜からなり、前記表示領域と前記非表示領域とに跨る形で延在する配線と、前記非表示領域に配されて前記配線を横切る形で延在し、前記第２絶縁膜を部分的に凹ませる形で設けられて前記配向膜の成膜範囲を規制する成膜範囲規制凹状部と、を備える。

　配向膜の成膜に際しては、流動性を備える配向膜の材料を、基板の表示領域に供給するようにしており、その材料が基板に設けられた第２絶縁膜よりも上層側において広がるよう流動することで、少なくとも表示領域に配向膜が成膜されるようになっている。表示領域に供給された配向膜の材料が非表示領域に達すると、非表示領域に配された成膜範囲規制凹状部によってその成膜範囲が規制され、もって配向膜の材料が非表示領域において成膜範囲規制凹状部よりも外側にまで広がるのが避けられる。この成膜範囲規制凹状部は、配線を横切る形で延在しているので、成膜範囲規制凹状部の延在方向について配線の有無に拘わらず配向膜の成膜範囲を好適に規制することができる。

　ここで、基板の表示領域と非表示領域とに跨る形で延在する配線は、膜厚が第２絶縁膜よりも大きな第１絶縁膜の上層側に配された金属膜からなるので、配線の平坦性が担保されている。一方、成膜範囲規制凹状部は、金属膜の上層側に配された第２絶縁膜を部分的に凹ませる形で設けられているから、配線を横切る形で延在していても、配線の平坦性に影響を与えることが避けられている。以上のように配線の平坦性が担保されることで、仮に第１絶縁膜に配線を横切る形で成膜範囲規制凹状部を設けた場合に比べると、配線に凹凸が生じ難くなって配線に断線などが生じ難いものとなる。しかも、成膜範囲規制凹状部が設けられる第２絶縁膜は、第１絶縁膜よりも膜厚が小さいので、加工精度が高くなっており、それにより仕上がった成膜範囲規制凹状部の位置、形状、範囲などが適切なものとなり易い。また、成膜範囲規制凹状部は、膜厚が相対的に大きな第１絶縁膜に設けられることがないので、防湿性を確保する上で好適となっている。

　本発明の表示基板の実施態様として、次の構成が好ましい。
（１）前記第２絶縁膜は、相対的に下層側に配される下層側第２絶縁膜と、相対的に上層側に配される上層側第２絶縁膜と、からなり、前記成膜範囲規制凹状部は、少なくとも上層側第２絶縁膜を部分的に凹ませる形で設けられている。このようにすれば、下層側第２絶縁膜よりも配向膜に近い配置とされる上層側第２絶縁膜に成膜範囲規制凹状が設けられているから、仮に成膜範囲規制凹状部を下層側第２絶縁膜のみに設けるようにした場合に成膜範囲規制凹状部と配向膜との間に上層側第２絶縁膜が介在するのに比べると、成膜範囲規制凹状部による成膜範囲規制機能が配向膜に対してより直接的に作用するので、配向膜の成膜範囲をより好適に規制することができる。

（２）前記成膜範囲規制凹状部は、前記下層側第２絶縁膜を部分的に凹ませる形で設けられる下層側成膜範囲規制凹状部と、前記上層側第２絶縁膜を部分的に凹ませる形で設けられる上層側成膜範囲規制凹状部と、からなる。このようにすれば、仮に成膜範囲規制凹状部が上層側成膜範囲規制凹状部のみからなる場合に比べると、下層側第２絶縁膜に設けられた下層側成膜範囲規制凹状部の深さの分だけ、成膜範囲規制凹状部の深さが大きくなるので、配向膜の成膜範囲を規制する機能がより高いものとなる。

（３）前記下層側成膜範囲規制凹状部は、前記下層側第２絶縁膜を貫通する形で設けられており、前記第１絶縁膜のうち、前記配線とは非重畳となり且つ前記下層側成膜範囲規制凹状部と重畳する部分には、前記成膜範囲規制凹状部に並行する形で延在して前記配向膜の成膜範囲を規制する第２の成膜範囲規制凹状部が設けられている。下層側第２絶縁膜を貫通する下層側成膜範囲規制凹状部は、例えば下層側第２絶縁膜における形成予定箇所をエッチングすることで設けられる。第１絶縁膜のうち、配線とは非重畳となり且つ下層側成膜範囲規制凹状部と重畳する部分は、下層側第２絶縁膜をエッチングする際にオーバーエッチされ、それにより成膜範囲規制凹状部に並行する形で延在する第２の成膜範囲規制凹状部が設けられる。下層側成膜範囲規制凹状部及び上層側成膜範囲規制凹状部の各深さに第２の成膜範囲規制凹状部の深さが加えられることで、配向膜の成膜範囲を規制する機能がより高いものとなる。

（４）前記下層側成膜範囲規制凹状部及び前記上層側成膜範囲規制凹状部は、前記下層側第２絶縁膜及び前記上層側第２絶縁膜をそれぞれ貫通する形で設けられており、前記下層側第２絶縁膜と前記上層側第２絶縁膜との間に介在する形で配される第１透明電極膜と、前記上層側第２絶縁膜の上層側に配される第２透明電極膜と、前記第１透明電極膜からなり少なくとも一部が前記配線と重畳する形で配されて前記下層側成膜範囲規制凹状部を通して前記配線に接続される第１配線保護部と、前記第２透明電極膜からなり少なくとも一部が前記配線及び前記第１配線保護部と重畳する形で配されて前記上層側成膜範囲規制凹状部を通して前記第１配線保護部に接続される第２配線保護部と、を備える。このようにすれば、下層側成膜範囲規制凹状部及び上層側成膜範囲規制凹状部が下層側第２絶縁膜及び上層側第２絶縁膜をそれぞれ貫通する形で設けられることで、仮に下層側成膜範囲規制凹状部及び上層側成膜範囲規制凹状部が非貫通とされる場合に比べると、成膜範囲規制凹状部の深さをより大きなものとすることができ、もって配向膜の成膜範囲を規制する機能がより高いものとなる。このような構成においても、第１透明電極膜からなる第１配線保護部と第２透明電極膜からなる第２配線保護部とが配線と重畳する形で配され且つ下層側成膜範囲規制凹状部及び上層側成膜範囲規制凹状部を通して配線に接続されているので、配線の保護を図ることができるとともに配線の低抵抗化を図ることができる。

（５）前記成膜範囲規制凹状部は、前記上層側第２絶縁膜を部分的に凹ませる形で選択的に設けられる。このようにすれば、第１絶縁膜と下層側第２絶縁膜とに成膜範囲規制凹状部が設けられることが避けられているから、防湿性能に優れる。また、配線は、成膜範囲規制凹状部が設けられない下層側第２絶縁膜によって覆われるので、配線の保護を図る上でも好適とされる。

（６）前記下層側第２絶縁膜と前記上層側第２絶縁膜との間に介在する形で配される第１透明電極膜と、前記上層側第２絶縁膜の上層側に配される第２透明電極膜と、前記第１透明電極膜からなり少なくとも一部が前記成膜範囲規制凹状部と重畳する形で配される第１重畳部と、前記第２透明電極膜からなり少なくとも一部が前記成膜範囲規制凹状部と重畳する形で配される第２重畳部と、を備える。このようにすれば、上層側第２絶縁膜に設けられた成膜範囲規制凹状部には、第１透明電極膜からなる第１重畳部と、第２透明電極膜からなる第２重畳部と、がそれぞれ重畳する形で配されているから、当該表示基板における配向膜が成膜される表面には、第１重畳部及び第２重畳部の膜厚分だけ段差が生じることになる。これにより、配向膜の成膜に際しては、表示領域から非表示領域へ向けて広がる配向膜の材料は、成膜範囲規制凹状部に至る手前の段階で上記した段差を乗り越える必要が生じるから、配向膜の成膜範囲を規制する機能がより高いものとなる。

（７）前記下層側第２絶縁膜と前記上層側第２絶縁膜との間に介在する形で配される第１透明電極膜と、前記上層側第２絶縁膜の上層側に配される第２透明電極膜と、前記第１透明電極膜または前記第２透明電極膜からなり、位置入力を行う位置入力体との間で静電容量を形成し、前記位置入力体による入力位置を検出する位置検出電極と、を備えており、前記配線は、前記位置検出電極に接続される位置検出配線とされる。このようにすれば、位置検出電極は、位置入力を行う位置入力体との間で静電容量を形成し、位置検出配線によって供給される信号を利用して位置入力体による入力位置を検出することができる。配線である位置検出配線は、成膜範囲規制凹状部に起因して断線などが生じ難くなっているので、位置検出機能を発揮する確実性が高いものとされる。

　次に、上記課題を解決するために、本発明の表示装置は、上記記載の表示基板と、前記表示基板との間に内部空間を有する形で対向状に配される対向基板と、を備える。このような構成の表示装置によれば、配線が成膜範囲規制凹状部に起因して断線などし難くなっているから、機能不全に陥り難くなる。

　本発明の表示装置の実施態様として、次の構成が好ましい。
（１）前記表示基板と前記対向基板との間に介在し、前記内部空間を取り囲む形で前記非表示領域に配されて前記内部空間を封止するシール部を備えており、前記成膜範囲規制凹状部は、前記シール部と重畳するとともに前記シール部の外周端部よりも前記内部空間寄りとなる位置に配されている。このような構成の成膜範囲規制凹状部によって配向膜の成膜範囲が規制されることで、配向膜が少なくともシール部の外周端部には達することが避けられる。これにより、基板に対するシール部の固着強度が十分に保たれ、両基板が剥離などし難くなる。

（２）前記第１絶縁膜よりも下層側に配される下層側金属膜と、前記非表示領域において前記シール部に対して前記内部空間側とは反対側に配されて前記下層側金属膜からなり一部が前記配線と重畳する引き出し配線と、を備えており、前記第１絶縁膜のうち、前記配線と前記引き出し配線との重畳箇所には、コンタクトホールが開口形成されている。このようにすれば、配線は、下層側金属膜からなる引き出し配線に対して第１絶縁膜に開口形成されたコンタクトホールを通して接続されている。これにより、仮にコンタクトホールをシール部に対して内部空間側に配置した場合に比べると、内部空間側において下層側金属膜を別の配線などに用いることが可能となるので、高精細化や狭額縁化などを図る上で好適となる。これに伴い、第１絶縁膜の上層側に配される金属膜が配線を構成することになるものの、その金属膜よりも上層側に配される第２絶縁膜に成膜範囲規制凹状部を設けることで、成膜範囲規制凹状部に起因して配線の平坦性が損なわれるのを回避しつつ、配向膜の成膜範囲を好適に規制することができる。

（発明の効果）
　本発明によれば、配線の平坦性を保ちつつ配向膜の成膜範囲を規制することができる。

本発明の実施形態１に係る液晶パネルの概略的に示す断面図液晶表示装置に備わる液晶パネルのタッチ電極及びタッチ配線の平面配置を示す平面図液晶パネルを構成するアレイ基板の画素配列を示す平面図図３のＡ－Ａ線断面図アレイ基板におけるタッチ配線とタッチ引き出し配線との接続箇所を示す断面図アレイ基板のうち表示領域とドライバとの間に配される成膜範囲規制凹状部とタッチ配線とを示す平面図図６のＢ－Ｂ線断面図図６のＣ－Ｃ線断面図図６のＤ－Ｄ線断面図本発明の実施形態２に係るアレイ基板のうち表示領域とドライバとの間に配される成膜範囲規制凹状部とタッチ配線とを示す平面図図１０のＣ－Ｃ線断面図

　＜実施形態１＞
　本発明の実施形態１を図１から図９によって説明する。本実施形態では、表示機能に加えてタッチパネル機能（位置入力機能）を備えた液晶パネル（表示装置、位置入力機能付き表示装置）１０について例示する。なお、各図面の一部にはＸ軸、Ｙ軸及びＺ軸を示しており、各軸方向が各図面で示した方向となるように描かれている。また、上下方向については、図１，図４，図７から図９を基準とし、且つ同図上側を表側とするとともに同図下側を裏側とする。

　液晶パネル１０は、図示しないバックライト装置（照明装置）から照射される照明光を利用して画像を表示するものである。液晶パネル１０は、図１に示すように、ほぼ透明で優れた透光性を有するガラス製の一対の基板１０ａ，１０ｂと、両基板１０ａ，１０ｂにおいて互いに対向する板面の間に有される内部空間１０ＩＳに配されて電界印加に伴って光学特性が変化する物質である液晶分子を含む液晶層１０ｃと、内部空間１０ＩＳ（液晶層１０ｃ）を取り囲む形で一対の基板１０ａ，１０ｂ間に介在して内部空間１０ＩＳ及び液晶層１０ｃをシールするシール部１０ｄと、を少なくとも備える。液晶パネル１０を構成する一対の基板１０ａ，１０ｂのうち表側（正面側）がＣＦ基板（対向基板）１０ａとされ、裏側（背面側）がアレイ基板（表示基板、アクティブマトリクス基板）１０ｂとされる。ＣＦ基板１０ａ及びアレイ基板１０ｂは、いずれもガラス基板（基板）１０ＧＳの内面側に各種の膜が積層形成されてなるものとされる。シール部１０ｄは、例えば紫外線硬化性樹脂材料などの光硬化性樹脂材料からなり、ＣＦ基板１０ａの外周端部に沿って延在する略枠状をなしている（図２を参照）。なお、両基板１０ａ，１０ｂの外面側には、それぞれ図示しない偏光板が貼り付けられている。また、図２には、シール部１０ｄの形成範囲を二点鎖線により図示している。

　液晶パネル１０は、図２に示すように、シール部１０ｄによって取り囲まれた画面の中央側部分が、画像が表示される表示領域（図２において一点鎖線により囲った範囲）ＡＡとされるのに対し、画面における表示領域ＡＡを取り囲む額縁状の外周側部分が、画像が表示されない非表示領域ＮＡＡとされる。液晶パネル１０を構成するアレイ基板１０ｂは、ＣＦ基板１０ａよりも大型となっていてその一部がＣＦ基板１０ａに対して側方に突き出しており、その突き出し部分（非表示領域ＮＡＡ）には、表示機能やタッチパネル機能に係る各種信号を供給するための部品としてドライバ（駆動回路部）１１及びフレキシブル基板（信号伝送部）１２が実装されている。ドライバ１１は、内部に駆動回路を有するＬＳＩチップからなり、アレイ基板１０ｂの非表示領域ＮＡＡである上記突き出し部分（フレキシブル基板１２よりも表示領域ＡＡ寄りの位置）に対してＣＯＧ（Chip On Glass）実装されており、フレキシブル基板１２によって伝送される各種信号を処理するためのものである。フレキシブル基板１２は、絶縁性及び可撓性を有する合成樹脂材料（例えばポリイミド系樹脂等）からなる基材上に多数本の配線パターン（図示せず）を形成した構成とされ、その一端側がアレイ基板１０ｂの上記突き出し部分（表示領域ＡＡとの間にドライバ１１を挟んだ端位置）に、他端側が図示しないコントロール基板（信号供給源）に、それぞれ接続されている。コントロール基板から供給される各種信号は、フレキシブル基板１２を介して液晶パネル１０に伝送され、非表示領域ＮＡＡにおいてドライバ１１による処理を経て表示領域ＡＡへ向けて出力される。

　アレイ基板１０ｂの表示領域ＡＡにおける内面側（液晶層１０ｃ側、ＣＦ基板１０ａとの対向面側）には、図３に示すように、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ、スイッチング素子）１０ｆ及び画素電極１０ｇが多数個ずつＸ軸方向及びＹ軸方向に沿って並んでマトリクス状（行列状）に設けられるとともに、これらＴＦＴ１０ｆ及び画素電極１０ｇの周りには、略格子状をなすゲート配線（走査配線）１０ｉ及びソース配線（信号配線、データ配線）１０ｊが取り囲むようにして配設されている。ゲート配線１０ｉは、Ｘ軸方向に沿ってほぼ真っ直ぐに延在しているのに対し、ソース配線１０ｊは、概ねＹ軸方向に沿って延在しており、その一部にＸ軸方向及びＹ軸方向に対する斜め方向に沿って延在する斜め延在部１０ｊ１を有している。ゲート配線１０ｉとソース配線１０ｊとがそれぞれＴＦＴ１０ｆのゲート電極１０ｆ１とソース電極１０ｆ２とに接続され、画素電極１０ｇがＴＦＴ１０ｆのドレイン電極１０ｆ３に接続されている。そして、ＴＦＴ１０ｆは、ゲート配線１０ｉ及びソース配線１０ｊにそれぞれ供給される各種信号に基づいて駆動され、その駆動に伴って画素電極１０ｇへの電位の供給が制御されるようになっている。画素電極１０ｇは、平面形状が縦長の略平行四辺形とされており、その短辺方向（Ｘ軸方向）について隣り合う画素電極１０ｇとの間にソース配線１０ｊが、長辺方向（Ｙ軸方向）について隣り合う画素電極１０ｇとの間にゲート配線１０ｉが、それぞれ介在している。画素電極１０ｇは、その長辺がソース配線１０ｊの斜め延在部１０ｊ１に並行している。

　アレイ基板１０ｂの表示領域ＡＡにおける内面側には、図３及び図４に示すように、全ての画素電極１０ｇと重畳する形で共通電極１０ｈが画素電極１０ｇよりも上層側（液晶層１０ｃに近い側）に形成されている。共通電極１０ｈは、常にほぼ一定の基準電位が供給されるものであり、表示領域ＡＡのほぼ全域にわたって延在しており、各画素電極１０ｇと重畳する部分には、縦長形状の画素重畳開口部（画素重畳スリット、配向制御スリット）１０ｈ１が複数（図２では２本）ずつ開口形成されている。画素重畳開口部１０ｈ１は、ソース配線１０ｊの斜め延在部１０ｊ１（画素電極１０ｇの長辺）に沿って延在している。互いに重畳する画素電極１０ｇと共通電極１０ｈとの間に画素電極１０ｇが充電されるのに伴って電位差が生じると、画素重畳開口部１０ｈ１の開口縁と画素電極１０ｇとの間には、アレイ基板１０ｂの板面に沿う成分に加えて、アレイ基板１０ｂの板面に対する法線方向の成分を含むフリンジ電界（斜め電界）が生じるので、そのフリンジ電界を利用して液晶層１０ｃに含まれる液晶分子の配向状態を制御することができる。つまり、本実施形態に係る液晶パネル１０は、動作モードがＦＦＳ（Fringe Field Switching）モードとされている。

　ＣＦ基板１０ａの内面側における表示領域ＡＡには、図４に示すように、赤色（Ｒ），緑色（Ｇ），青色（Ｂ）を呈する３色のカラーフィルタ１０ｋが設けられている。カラーフィルタ１０ｋは、互いに異なる色を呈するものがゲート配線１０ｉ（Ｘ軸方向）に沿って繰り返し多数並ぶとともに、それらがソース配線１０ｊ（概ねＹ軸方向）に沿って延在することで、全体としてストライプ状に配列されている。これらのカラーフィルタ１０ｋは、アレイ基板１０ｂ側の各画素電極１０ｇと平面に視て重畳する配置とされている。Ｘ軸方向について隣り合って互いに異なる色を呈するカラーフィルタ１０ｋは、その境界（色境界）がソース配線１０ｊ及び次述する遮光部１０ｌと重畳する配置とされる。この液晶パネル１０においては、Ｘ軸方向に沿って並ぶＲ，Ｇ，Ｂのカラーフィルタ１０ｋと、各カラーフィルタ１０ｋと対向する３つの画素電極１０ｇと、が３色の画素部ＰＸをそれぞれ構成している。そして、この液晶パネル１０においては、Ｘ軸方向に沿って隣り合うＲ，Ｇ，Ｂの３色の画素部ＰＸによって所定の階調のカラー表示を可能な表示画素が構成されている。画素部ＰＸにおけるＸ軸方向についての配列ピッチは、例えば数十μｍ程度とされる。

　ＣＦ基板１０ａの内面側における表示領域ＡＡには、図３及び図４に示すように、光を遮る遮光部（画素間遮光部、ブラックマトリクス）１０ｌが形成されている。遮光部１０ｌは、隣り合う画素部ＰＸ（画素電極１０ｇ）の間を仕切るよう平面形状が略格子状をなしており、平面に視てアレイ基板１０ｂ側の画素電極１０ｇの大部分と重畳する位置に画素開口部１０ｌ１を有している。画素開口部１０ｌ１は、ＣＦ基板１０ａの板面内においてＸ軸方向及びＹ軸方向に沿って多数個ずつマトリクス状に並んで配されている。画素開口部１０ｌ１は、平面形状が画素電極１０ｇの外形に倣って略平行四辺形とされており、その短辺寸法が画素電極１０ｇの短辺寸法よりも大きいのに対し、長辺寸法が画素電極１０ｇの長辺寸法よりも僅かに小さい。画素開口部１０ｌ１は、光を透過することが可能とされており、それにより画素部ＰＸでの表示が可能となっている。遮光部１０ｌは、隣り合う画素部ＰＸの間を光が行き交うのを防いで各画素部ＰＸの階調の独立性を担保するのに機能しており、特にソース配線１０ｊに沿って延在する部分は、異なる色を呈する画素部ＰＸ間の混色を防いでいる。遮光部１０ｌは、アレイ基板１０ｂ側のゲート配線１０ｉ及びソース配線１０ｊと平面に視て重畳する配置とされる。

　そして、両基板１０ａ，１０ｂのうち液晶層１０ｃに接する最内面には、図４に示すように、液晶層１０ｃに含まれる液晶分子を配向させるための配向膜１０ｍ，１０ｎがそれぞれ形成されている。両配向膜１０ｍ，１０ｎは、それぞれ例えばポリイミドからなるものとされており、少なくとも各基板１０ａ，１０ｂにおける表示領域ＡＡのほぼ全域にわたってベタ状に形成されている。両配向膜１０ｍ，１０ｎは、特定の波長領域の光（例えば紫外線など）が照射されることで、その光の照射方向に沿って液晶分子を配向させることが可能な光配向膜とされる。また、ＣＦ基板１０ａにおいては、配向膜１０ｍとカラーフィルタ１０ｋとの間に平坦化膜が介在する形で形成されていてもよい。

　本実施形態に係る液晶パネル１０は、画像を表示する表示機能と、表示される画像に基づいて使用者が入力する位置（入力位置）を検出するタッチパネル機能（位置入力機能）と、を併有しており、このうちのタッチパネル機能を発揮するためのタッチパネルパターンを一体化（インセル化）している。このタッチパネルパターンは、いわゆる投影型静電容量方式とされており、その検出方式が自己容量方式とされる。タッチパネルパターンは、図２に示すように、一対の基板１０ａ，１０ｂのうちのアレイ基板１０ｂ側に設けられており、アレイ基板１０ｂの板面内にマトリクス状に並んで配される複数のタッチ電極（位置検出電極）１４から構成されている。タッチ電極１４は、アレイ基板１０ｂの表示領域ＡＡに配されている。従って、液晶パネル１０における表示領域ＡＡは、入力位置を検出可能なタッチ領域（位置入力領域）とほぼ一致しており、非表示領域ＮＡＡが入力位置を検出不能な非タッチ領域（非位置入力領域）とほぼ一致していることになる。そして、使用者が視認する液晶パネル１０の表示領域ＡＡの画像に基づいて位置入力をしようとして液晶パネル１０の表面（表示面）に導電体である図示しない指（位置入力体）を近づけると、その指とタッチ電極１４との間で静電容量が形成されることになる。これにより、指の近くにあるタッチ電極１４にて検出される静電容量には指が近づくのに伴って変化が生じ、指から遠くにあるタッチ電極１４とは異なるものとなるので、それに基づいて入力位置を検出することが可能となる。

　そして、このタッチ電極１４は、図２に示すように、アレイ基板１０ｂに設けられた共通電極１０ｈにより構成されている。共通電極１０ｈは、略格子状に仕切られることで平面に視て碁盤目状に分割されて相互が電気的に独立した複数のタッチ電極１４からなる。共通電極１０ｈを仕切ってなるタッチ電極１４は、表示領域ＡＡにおいてＸ軸方向及びＹ軸方向に沿って複数ずつがマトリクス状に並んで配されている。タッチ電極１４は、平面に視て方形状をなしており、一辺の寸法が数ｍｍ（例えば約２～５ｍｍ）程度とされている。従って、タッチ電極１４は、平面に視た大きさが画素部ＰＸ（画素電極１０ｇ）よりも遙かに大きくなっており、Ｘ軸方向及びＹ軸方向について複数（例えば数十または数百程度）ずつの画素部ＰＸに跨る範囲に配置されている。複数のタッチ電極１４には、アレイ基板１０ｂに設けられた複数のタッチ配線（位置検出配線）１５が選択的に接続されている。タッチ配線１５は、アレイ基板１０ｂにおいてソース配線１０ｊに並行する形で概ねＹ軸方向に沿って延在しており、Ｙ軸方向に沿って並ぶ複数のタッチ電極１４のうちの特定のタッチ電極１４に対して選択的に接続されている。さらにタッチ配線１５は、図示しない検出回路と接続されている。検出回路は、ドライバ１１に備えられていても構わないが、フレキシブル基板１２を介して液晶パネル１０の外部に備えられていても構わない。タッチ配線１５は、表示機能に係る基準電位信号と、タッチ機能に係るタッチ信号（位置検出信号）と、を異なるタイミングでもってタッチ電極１４に供給する。このうちの基準電位信号は、同じタイミングで全てのタッチ配線１５に伝送されることで、全てのタッチ電極１４が基準電位となって共通電極１０ｈとして機能する。なお、図２は、タッチ電極１４の配列を模式的に表したものであり、タッチ電極１４の具体的な設置数や配置については図示以外にも適宜に変更可能である。

　ここで、アレイ基板１０ｂの内面側に積層形成された各種の膜について説明する。アレイ基板１０ｂを構成するガラス基板１０ＧＳには、図４に示すように、下層側（ガラス基板１０ＧＳ側）から順に第１金属膜（下層側金属膜、ゲート金属膜）１６、ゲート絶縁膜１７、半導体膜１８、第２金属膜（下層側金属膜、ソース金属膜）１９、平坦化膜（第１絶縁膜、有機絶縁膜）２０、第３金属膜（金属膜）２１、下層側層間絶縁膜（第２絶縁膜、下層側第２絶縁膜）２２、第１透明電極膜２３、上層側層間絶縁膜（第２絶縁膜、上層側第２絶縁膜）２４、第２透明電極膜（透明電極膜）２５が積層形成されている。

　第１金属膜１６、第２金属膜１９及び第３金属膜２１は、それぞれ銅、チタン、アルミニウムなどの中から選択される１種類の金属材料からなる単層膜または異なる種類の金属材料からなる積層膜や合金とされることで導電性及び遮光性を有しており、それぞれ表示領域ＡＡと非表示領域ＮＡＡとに跨る形で配される。このうち、第１金属膜１６は、ゲート配線１０ｉやＴＦＴ１０ｆのゲート電極１０ｆ１などを構成する。第２金属膜１９は、ソース配線１０ｊやＴＦＴ１０ｆのソース電極１０ｆ２及びドレイン電極１０ｆ３や後述するタッチ引き出し配線２８などを構成する。第３金属膜２１は、タッチ配線１５などを構成する。ゲート絶縁膜１７、下層側層間絶縁膜２２及び上層側層間絶縁膜２４は、それぞれ窒化ケイ素（ＳｉＮ_ｘ）、酸化ケイ素（ＳｉＯ_２）等の無機材料からなり、上層側の各金属膜１９，２１や各透明電極膜２３，２５と下層側の各金属膜１６，１９，２１や第１透明電極膜２３とを絶縁状態に保つ。無機材料からなる各絶縁膜１７，２２，２４は、それぞれ表示領域ＡＡと非表示領域ＮＡＡとに跨る形で配される。無機材料からなる各絶縁膜１７，２２，２４は、次述する平坦化膜２０よりも膜厚が小さなものとされており、例えば０．２μｍ～０．３μｍ程度とされるのが好ましいが必ずしもその限りではない。より詳細には、下層側層間絶縁膜２２の膜厚は、上層側層間絶縁膜２４の膜厚よりも小さくて例えば０．２μｍ程度とされるのに対し、上層側層間絶縁膜２４の膜厚は、下層側層間絶縁膜２２の膜厚よりも大きくて例えば０．３μｍ程度とされるのが好ましいが必ずしもその限りではない。平坦化膜２０は、アクリル樹脂（例えばＰＭＭＡ等）等の有機材料からなり、自身よりも下層側に生じた段差を平坦化するのに機能する。平坦化膜２０は、上記した無機材料からなる各絶縁膜１７，２２，２４よりも大きな膜厚を有しており、例えば１．５μｍ～３μｍ程度とされるのが好ましいが必ずしもその限りではない。半導体膜１８は、材料として例えば酸化物半導体を用いた薄膜からなり、ＴＦＴ１０ｆにおいてソース電極１０ｆ２とドレイン電極１０ｆ３とに接続されるチャネル部（半導体部）１０ｆ４などを構成する。半導体膜１８を構成する酸化物半導体は、アモルファス酸化物半導体であってもよいが、結晶質部分を有する結晶質酸化物半導体（多結晶酸化物半導体、微結晶酸化物半導体、ｃ軸が層面に概ね垂直に配向した結晶質酸化物半導体など）であってもよく、また単層構造であっても積層構造であってもよい。半導体膜１８を構成する酸化物半導体としては、例えばＩｎ－Ｇａ－Ｚｎ－Ｏ系半導体（例えば酸化インジウムガリウム亜鉛）が挙げられる。第１透明電極膜２３及び第２透明電極膜２５は、透明電極材料（例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等）からなり、それぞれ表示領域ＡＡと非表示領域ＮＡＡとに跨る形で配される。このうち、第１透明電極膜２３が画素電極１０ｇなどを、第２透明電極膜２５が共通電極１０ｈ（タッチ電極１４）などを、それぞれ構成する。

　ＴＦＴ１０ｆ及び画素電極１０ｇの構成について詳しく説明する。ＴＦＴ１０ｆは、図３及び図４に示すように、第１金属膜１６からなるゲート配線１０ｉから分岐してなるゲート電極１０ｆ１を有する。ゲート電極１０ｆ１は、ゲート配線１０ｉのうち、ソース配線１０ｊと交差する部分を、Ｙ軸方向に沿って接続対象となる画素電極１０ｇ側に向けて突出させてなり、平面に視て略方形状をなす。ＴＦＴ１０ｆは、第２金属膜１９からなるソース配線１０ｊのうち、ゲート電極１０ｆ１と重畳する部分からなるソース電極１０ｆ２を有する。ソース電極１０ｆ２は、ソース配線１０ｊのうちＹ軸方向に沿ってほぼ真っ直ぐに延在する部分からなる。ＴＦＴ１０ｆは、ソース電極１０ｆ２との間に間隔を空けた位置に配されて第２金属膜１９からなるドレイン電極１０ｆ３を有する。ドレイン電極１０ｆ３は、平面に視て略Ｌ字型をなしており、その一端側がソース電極１０ｆ２と対向状をなしてチャネル部１０ｆ４に接続されるのに対し、他端側が画素電極１０ｇに接続される。

　第１透明電極膜２３からなる画素電極１０ｇは、図３及び図４に示すように、遮光部１０ｌの画素開口部１０ｌ１と重畳する略平行四辺形状の画素電極本体１０ｇ１と、画素電極本体１０ｇ１からＹ軸方向に沿ってＴＦＴ１０ｆ側に突出するコンタクト部１０ｇ２と、からなり、このうちのコンタクト部１０ｇ２がドレイン電極１０ｆ３に接続されている。第１透明電極膜２３からなるコンタクト部１０ｇ２と第２金属膜１９からなるドレイン電極１０ｆ３とは、一部同士が互いに重畳しており、その重畳箇所同士は、間に介在する平坦化膜２０及び下層側層間絶縁膜２２に開口形成された画素用コンタクトホール２６を通して相互に接続されている。ＴＦＴ１０ｆは、ゲート絶縁膜１７を介してゲート電極１０ｆ１と重畳するとともに、ソース電極１０ｆ２及びドレイン電極１０ｆ３に接続されて半導体膜１８からなるチャネル部１０ｆ４を有する。チャネル部１０ｆ４は、ゲート電極１０ｆ１を横切る形でＸ軸方向に沿って延在し、その一端側がソース電極１０ｆ２に、他端側がドレイン電極１０ｆ３に、それぞれ接続されている。そして、ＴＦＴ１０ｆは、ゲート配線１０ｉからゲート電極１０ｆ１に供給される走査信号に基づいて駆動されると、ソース配線１０ｊに供給された画像信号に係る電位を、ソース電極１０ｆ２からチャネル部１０ｆ４を介してドレイン電極１０ｆ３へと供給し、それにより画素電極１０ｇを充電する。特に、このＴＦＴ１０ｆは、チャネル部１０ｆ４を構成する半導体膜１８がアモルファスシリコン薄膜などに比べて電子移動度の高い酸化物半導体からなる「酸化物半導体ＴＦＴ（ＩＧＺＯ－ＴＦＴ）」とされているので、小型化が図られていて高精細化及び高開口率化に有利であり、またオフ特性が高くてリーク電流が低減されることで低消費電力化にも有利である。半導体膜１８を構成する酸化物半導体は、アモルファスシリコン薄膜などに比べると、電子移動度が例えば２０倍～５０倍程度と高くなっており、またリーク電流が例えば１００分の１程度と極めて少なくなっている。

　続いて、タッチ配線１５について詳しく説明する。第３金属膜２１からなるタッチ配線１５は、内部空間１０ＩＳ及び表示領域ＡＡ（シール部１０ｄの内側）においては、図３及び図４に示すように、接続対象となる第２透明電極膜２５からなるタッチ電極１４に対し、下層側層間絶縁膜２２及び上層側層間絶縁膜２４に開口形成されたタッチ電極用コンタクトホール２７を通して接続されている。タッチ配線１５は、Ｘ軸方向についてＴＦＴ１０ｆ（ドレイン電極１０ｆ３）と隣り合う箇所が部分的に拡幅されており、その拡幅部１５ａがタッチ電極１４に対する接続パッドとして機能し得る。この拡幅部１５ａは、Ｙ軸方向に沿って並ぶ多数のＴＦＴ１０ｆを横切る形で延在するタッチ配線１５のうち、各ＴＦＴ１０ｆと隣り合う箇所のそれぞれに形成されているが、その一部（単数または複数）に対してのみタッチ電極用コンタクトホール２７が選択的に重畳配置される。このように拡幅部１５ａが各ＴＦＴ１０ｆ毎（各画素電極１０ｇ毎）に形成されることで、タッチ配線１５と、各ＴＦＴ１０ｆや各画素電極１０ｇと、の間に生じ得る寄生容量を均等化することができる。タッチ配線１５は、全てのタッチ電極１４を横切る形で概ねＹ軸方向に沿って延在しているものの、タッチ電極用コンタクトホール２７の平面配置によって特定のタッチ電極１４に対してのみ選択的に接続されている。また、タッチ配線１５は、ソース配線１０ｊと平面に視て重畳する位置に配されている。

　その一方、タッチ配線１５は、内部空間１０ＩＳ外（シール部１０ｄの外側）の非表示領域ＮＡＡにおいては、図２に示すように、略扇状に引き回されており、それらの引き出し先端部がタッチ引き出し配線２８に接続されている。タッチ引き出し配線２８は、タッチ配線１５に並行する形で略扇状に引き回されており、その一端側がタッチ配線１５に、他端側がドライバ１１に、それぞれ接続される。タッチ引き出し配線２８は、図５に示すように、第２金属膜１９からなり、その一端側と、第３金属膜２１からなるタッチ配線１５の引き出し先端部と、が互いに重畳していて、その重畳箇所同士は、間に介在する平坦化膜２０に開口形成されたコンタクトホール２９を通して相互に接続されている。タッチ引き出し配線２８の他端側には、ドライバ１１に対して接続される端子部が設けられている。なお、ソース配線１０ｊに関してもタッチ配線１５と同様に、図示しないソース引き出し配線を介してドライバ１１に接続されており、そのソース引き出し配線は例えば第１金属膜１６からなる。

　さて、アレイ基板１０ｂの非表示領域ＮＡＡには、図６から図８に示すように、タッチ配線１５を構成する第３金属膜２１よりも上層側に配される下層側層間絶縁膜２２及び上層側層間絶縁膜２４をそれぞれ部分的に凹ませる形で配向膜１０ｎの成膜範囲を規制するための成膜範囲規制凹状部３０が設けられている。成膜範囲規制凹状部３０は、平面形状が方形とされる表示領域ＡＡにおける４つの各辺部に並行する形でそれぞれ設けられており、全体としては表示領域ＡＡ及びシール部１０ｄの外形に倣う枠状をなしている（図２を参照）。４辺の成膜範囲規制凹状部３０のうち、平面に視て表示領域ＡＡとドライバ１１との間に介在する成膜範囲規制凹状部３０は、表示領域ＡＡ及びシール部１０ｄの短辺方向（Ｘ軸方向、配線の延在方向と交差（直交）する方向）に沿って直線状に延在しており、途中でタッチ配線１５を横切るものとされる。以下では、表示領域ＡＡとドライバ１１との間に介在する成膜範囲規制凹状部３０に関して詳しく説明する。なお、図６に示す上側が表示領域ＡＡ側であり、図６に示す下側がドライバ１１側である。また、図６，図８及び図９では、ソース配線１０ｊの図示を省略している。

　表示領域ＡＡとドライバ１１との間に介在する成膜範囲規制凹状部３０は、図６及び図７に示すように、Ｙ軸方向について間隔を空けて３本が互いに並行する形で配されている。Ｙ軸方向について並ぶ３本の成膜範囲規制凹状部３０は、全てがシール部１０ｄと平面に視て重畳する形で配されているが、このうち、最も表示領域ＡＡから遠い配置、つまり最外位置の成膜範囲規制凹状部３０は、シール部１０ｄにおける幅方向についての略中央位置付近に配されている。従って、Ｙ軸方向について並ぶ３本の成膜範囲規制凹状部３０は、全てがシール部１０ｄの外周端部よりも表示領域ＡＡ側に配置されている、と言える。そして、成膜範囲規制凹状部３０は、下層側層間絶縁膜２２及び上層側層間絶縁膜２４をそれぞれ膜厚方向に貫通（開口）する形で設けられていて孔状をなしている。

　ところで、アレイ基板１０ｂにおいて配向膜１０ｎを成膜する際には、流動性を備える配向膜１０ｎの材料を、ガラス基板１０ＧＳの表示領域ＡＡに供給するようにしており、その材料がアレイ基板１０ｂの最内面（ガラス基板１０ＧＳに設けられた上層側層間絶縁膜２４よりも上層側）において広がるよう流動することで、少なくとも表示領域ＡＡのほぼ全域に配向膜１０ｎが成膜されるようになっている。具体的には、配向膜１０ｎの材料は、例えばインクジェット装置を用いてアレイ基板１０ｂに塗布されており、塗布に際しては、インクジェット装置に備えられるノズルから配向膜１０ｎの材料である液滴を間欠的に第２透明電極膜２５上に吐出し、表示領域ＡＡに着弾させている。表示領域ＡＡに着弾した配向膜１０ｎの材料の液滴は、上層側層間絶縁膜２４及び第２透明電極膜２５の表面において着弾位置から濡れ広がる形で流動し、少なくともその一部が表示領域ＡＡから非表示領域ＮＡＡにまで広がる。配向膜１０ｎの材料は、図７及び図８に示すように、非表示領域ＮＡＡにおけるシール部１０ｄの形成予定位置に達すると、そこに設けられた成膜範囲規制凹状部３０内に流れ込むことで、その成膜範囲が規制される。成膜範囲規制凹状部３０は、３本が間隔を空けて並んで配されているので、仮に配向膜１０ｎの材料が最も表示領域ＡＡに近い配置の成膜範囲規制凹状部３０を乗り越えたとしても、まだ２本の成膜範囲規制凹状部３０が残されているので、少なくとも表示領域ＡＡから最も遠い配置（最外位置）の成膜範囲規制凹状部３０を乗り越える事態が生じ難いものとされる。これにより、配向膜１０ｎの材料が非表示領域ＮＡＡにおいて各成膜範囲規制凹状部３０よりも外側にまで広がるのが避けられるので、シール部１０ｄのうち最外位置の成膜範囲規制凹状部３０よりも外側の部分（外周端部を含む）と配向膜１０ｎとが重畳配置されることが避けられる。従って、配向膜１０ｎによってアレイ基板１０ｂに対するシール部１０ｄの接着強度（固着強度）が低下させられる事態が生じ難くなり、もって両基板１０ａ，１０ｂが剥離するといった事態を回避することができる。そして、この成膜範囲規制凹状部３０は、タッチ配線１５を横切る形で延在しており、タッチ配線１５と重畳する部分とタッチ配線１５とは非重畳となる部分とが連なる構成とされているので、成膜範囲規制凹状部３０の延在方向（Ｘ軸方向）についてタッチ配線１５の有無に拘わらず配向膜１０ｎの成膜範囲を好適に規制することができる。なお、図７及び図８では、配向膜１０ｎを二点鎖線により図示しており、中間位置の成膜範囲規制凹状部３０により配向膜１０ｎの成膜範囲が規制された状態が例示しているが、必ずしもその限りではない。

　ここで、ガラス基板１０ＧＳの表示領域ＡＡと非表示領域ＮＡＡとに跨る形で延在するタッチ配線１５は、図８に示すように、膜厚が下層側層間絶縁膜２２及び上層側層間絶縁膜２４のいずれよりも大きな平坦化膜２０の上層側に配された第３金属膜２１からなるので、タッチ配線１５の平坦性が担保されている。一方、成膜範囲規制凹状部３０は、第３金属膜２１の上層側に配された下層側層間絶縁膜２２及び上層側層間絶縁膜２４をそれぞれＹ軸方向について部分的に凹ませる形で設けられているから、タッチ配線１５を横切る形でＸ軸方向に沿って延在してタッチ配線１５と重畳する部分を有していても、タッチ配線１５の平坦性に影響を与えることが避けられている。以上のようにタッチ配線１５の平坦性が担保されることで、仮に平坦化膜２０にタッチ配線１５を横切る形で成膜範囲規制凹状部を設けた場合に比べると、タッチ配線１５に凹凸が生じ難くなってタッチ配線１５に断線などが生じ難いものとなり、もって位置検出機能を発揮する確実性が高いものとされる。しかも、成膜範囲規制凹状部３０が設けられる下層側層間絶縁膜２２及び上層側層間絶縁膜２４は、平坦化膜２０よりも膜厚が小さいので、加工精度が高くなっており、それにより仕上がった成膜範囲規制凹状部３０の平面に視た形成位置（平面配置）、形状（平面形状及び断面形状）、平面に視た形成範囲などが設計通りの適切なものとなり易い。また、成膜範囲規制凹状部３０は、膜厚が相対的に大きな平坦化膜２０に設けられることがないので、防湿性を確保する（水分の透過を防止する）上で好適となっている。さらには、成膜範囲規制凹状部３０（後述する下層側成膜範囲規制凹状部３０ａ及び上層側成膜範囲規制凹状部３０ｂ）は、下層側層間絶縁膜２２及び上層側層間絶縁膜２４をそれぞれ貫通する形で設けられているから、仮に成膜範囲規制凹状部が下層側層間絶縁膜２２及び上層側層間絶縁膜２４を非貫通とされる場合に比べると、成膜範囲規制凹状部３０の深さを最大限に大きなものとすることができ、もって配向膜１０ｎの成膜範囲を規制する機能がより高いものとなる。

　成膜範囲規制凹状部３０は、図７及び図８に示すように、下層側層間絶縁膜２２よりも配向膜１０ｎに近い配置とされる上層側層間絶縁膜２４をＹ軸方向について部分的に凹ませる形で設けられているから、仮に成膜範囲規制凹状部を下層側層間絶縁膜２２のみに設けるようにした場合に成膜範囲規制凹状部と配向膜１０ｎとの間に上層側層間絶縁膜２４が介在するのに比べると、成膜範囲規制凹状部３０による成膜範囲規制機能が配向膜１０ｎに対してより直接的に作用するので、配向膜１０ｎの成膜範囲をより好適に規制することができる。その上で、成膜範囲規制凹状部３０は、下層側層間絶縁膜２２及び上層側層間絶縁膜２４のそれぞれに設けられており、下層側層間絶縁膜２２をＹ軸方向について部分的に凹ませる形で設けられる下層側成膜範囲規制凹状部３０ａと、上層側層間絶縁膜２４をＹ軸方向について部分的に凹ませる形で設けられる上層側成膜範囲規制凹状部３０ｂと、からなる。下層側成膜範囲規制凹状部３０ａと上層側成膜範囲規制凹状部３０ｂとは、互いに連通している。従って、仮に成膜範囲規制凹状部が上層側成膜範囲規制凹状部のみからなる場合に比べると、下層側層間絶縁膜２２に設けられた下層側成膜範囲規制凹状部３０ａの深さの分だけ、成膜範囲規制凹状部３０の深さが大きくなり、もって配向膜１０ｎの成膜範囲を規制する機能がより高いものとなる。

　タッチ配線１５には、図８及び図９に示すように、下層側層間絶縁膜２２を貫通する形で設けられる下層側成膜範囲規制凹状部３０ａを通して第１透明電極膜２３からなる第１配線保護部３１が接続されている。第１配線保護部３１は、タッチ配線１５のうち、３本の成膜範囲規制凹状部３０を縦断する部分に対してその全幅にわたって平面に視て重畳する形で設けられており、３本の下層側成膜範囲規制凹状部３０ａ毎にタッチ配線１５に対して接続されている。第１配線保護部３１には、上層側層間絶縁膜２４を貫通する形で設けられる上層側成膜範囲規制凹状部３０ｂを通して第２透明電極膜２５からなる第２配線保護部３２が接続されている。第２配線保護部３２は、第１配線保護部３１（タッチ配線１５のうち、３本の成膜範囲規制凹状部３０を縦断する部分）に対してその全幅にわたって平面に視て重畳する形で設けられており、３本の上層側成膜範囲規制凹状部３０ｂ毎に第１配線保護部３１に対して接続されている。このように、タッチ配線１５に対して第１配線保護部３１及び第２配線保護部３２が下層側成膜範囲規制凹状部３０ａ及び上層側成膜範囲規制凹状部３０ｂを通して接続されているので、タッチ配線１５の保護を図ることができるとともにタッチ配線１５の低抵抗化を図ることができる。

　平坦化膜２０のうち、タッチ配線１５とは非重畳となり且つ下層側成膜範囲規制凹状部３０ａと重畳する部分には、図７及び図９に示すように、成膜範囲規制凹状部３０に並行する形で延在して配向膜１０ｎの成膜範囲を規制する第２の成膜範囲規制凹状部３３が設けられている。第２の成膜範囲規制凹状部３３は、Ｙ軸方向について間隔を空けて３本が互いに並行する形で配されており、それぞれが平面に視て３本の成膜範囲規制凹状部３０の大部分（タッチ配線１５と重畳する部分を除いた部分）と重畳する配置とされる。ここで、下層側層間絶縁膜２２を貫通する下層側成膜範囲規制凹状部３０ａは、製造に際しては、例えば下層側層間絶縁膜２２における形成予定箇所をエッチングすることで設けられる。詳しくは、下層側層間絶縁膜２２をベタ状に成膜した後に、下層側層間絶縁膜２２の表面にフォトレジストを塗布し、そのフォトレジストを露光・現像することで、下層側層間絶縁膜２２のうち下層側成膜範囲規制凹状部３０ａの形成予定箇所を露出させる。その後、ドライエッチングまたはウェットエッチングを行うことで、下層側成膜範囲規制凹状部３０ａのうちのフォトレジストから露出した部分（上記形成予定箇所）をエッチングすることで、下層側成膜範囲規制凹状部３０ａが形成される。このとき、下層側成膜範囲規制凹状部３０ａは、下層側層間絶縁膜２２を貫通する形態であることから、下層側層間絶縁膜２２がオーバーエッチされてその下層側の平坦化膜２０まで部分的にエッチングされる。このオーバーエッチを利用することで、平坦化膜２０のうち、タッチ配線１５とは非重畳となり且つ下層側成膜範囲規制凹状部３０ａと重畳する部分に、成膜範囲規制凹状部３０に並行する形で延在する第２の成膜範囲規制凹状部３３を設けることができる。このような構成によれば、タッチ配線１５とは非重畳となる領域において、下層側成膜範囲規制凹状部３０ａ及び上層側成膜範囲規制凹状部３０ｂの各深さに第２の成膜範囲規制凹状部３３の深さが加えられることで、配向膜１０ｎの成膜範囲を規制する機能がより高いものとなる。

　既述した通り、第３金属膜２１からなるタッチ配線１５は、図２及び図５に示すように、それよりも下層側に配された第２金属膜１９からなるタッチ引き出し配線２８に対して平坦化膜２０のうちのシール部１０ｄの外側（内部空間１０ＩＳ側とは反対側）となる位置に開口形成されたコンタクトホール２９を通して接続されている。これにより、仮にコンタクトホールをシール部１０ｄに対して内部空間１０ＩＳ側に配置した場合に比べると、内部空間１０ＩＳ側において第２金属膜１９を別の配線（例えばソース配線１０ｊ）などに用いることができるので、高精細化や狭額縁化などを図る上で好適となる。これに伴い、本実施形態では、平坦化膜２０の上層側に配される第３金属膜２１がタッチ配線１５を構成することになっているものの、その第３金属膜２１よりも上層側に配される下層側層間絶縁膜２２及び上層側層間絶縁膜２４に成膜範囲規制凹状部３０を設けることで、成膜範囲規制凹状部３０に起因してタッチ配線１５の平坦性が損なわれるのを回避しつつ、配向膜１０ｎの成膜範囲を好適に規制することができる。

　以上説明したように本実施形態のアレイ基板（表示基板）１０ｂは、画像を表示可能な表示領域ＡＡと表示領域ＡＡを取り囲む形で外周側に配される非表示領域ＮＡＡとに区分されるガラス基板（基板）１０ＧＳと、ガラス基板１０ＧＳの表示領域ＡＡと非表示領域ＮＡＡとに跨る形で配される平坦化膜（第１絶縁膜）２０と、平坦化膜２０の上層側にて表示領域ＡＡと非表示領域ＮＡＡとに跨る形で配される第３金属膜（金属膜）２１と、第３金属膜２１の上層側にて表示領域ＡＡと非表示領域ＮＡＡとに跨る形で配されるとともに膜厚が平坦化膜２０よりも小さい第２絶縁膜である下層側層間絶縁膜２２及び上層側層間絶縁膜２４と、第２絶縁膜である下層側層間絶縁膜２２及び上層側層間絶縁膜２４よりも上層側にて少なくとも表示領域ＡＡに配される配向膜１０ｎと、第３金属膜２１からなり、表示領域ＡＡと非表示領域ＮＡＡとに跨る形で延在するタッチ配線（配線）１５と、非表示領域ＮＡＡに配されてタッチ配線１５を横切る形で延在し、第２絶縁膜である下層側層間絶縁膜２２及び上層側層間絶縁膜２４を部分的に凹ませる形で設けられて配向膜１０ｎの成膜範囲を規制する成膜範囲規制凹状部３０と、を備える。

　配向膜１０ｎの成膜に際しては、流動性を備える配向膜１０ｎの材料を、ガラス基板１０ＧＳの表示領域ＡＡに供給するようにしており、その材料がガラス基板１０ＧＳに設けられた第２絶縁膜である下層側層間絶縁膜２２及び上層側層間絶縁膜２４よりも上層側において広がるよう流動することで、少なくとも表示領域ＡＡに配向膜１０ｎが成膜されるようになっている。表示領域ＡＡに供給された配向膜１０ｎの材料が非表示領域ＮＡＡに達すると、非表示領域ＮＡＡに配された成膜範囲規制凹状部３０によってその成膜範囲が規制され、もって配向膜１０ｎの材料が非表示領域ＮＡＡにおいて成膜範囲規制凹状部３０よりも外側にまで広がるのが避けられる。この成膜範囲規制凹状部３０は、タッチ配線１５を横切る形で延在しているので、成膜範囲規制凹状部３０の延在方向についてタッチ配線１５の有無に拘わらず配向膜１０ｎの成膜範囲を好適に規制することができる。

　ここで、ガラス基板１０ＧＳの表示領域ＡＡと非表示領域ＮＡＡとに跨る形で延在するタッチ配線１５は、膜厚が第２絶縁膜である下層側層間絶縁膜２２及び上層側層間絶縁膜２４よりも大きな平坦化膜２０の上層側に配された第３金属膜２１からなるので、タッチ配線１５の平坦性が担保されている。一方、成膜範囲規制凹状部３０は、第３金属膜２１の上層側に配された第２絶縁膜である下層側層間絶縁膜２２及び上層側層間絶縁膜２４を部分的に凹ませる形で設けられているから、タッチ配線１５を横切る形で延在していても、タッチ配線１５の平坦性に影響を与えることが避けられている。以上のようにタッチ配線１５の平坦性が担保されることで、仮に平坦化膜２０にタッチ配線１５を横切る形で成膜範囲規制凹状部３０を設けた場合に比べると、タッチ配線１５に凹凸が生じ難くなってタッチ配線１５に断線などが生じ難いものとなる。しかも、成膜範囲規制凹状部３０が設けられる第２絶縁膜である下層側層間絶縁膜２２及び上層側層間絶縁膜２４は、平坦化膜２０よりも膜厚が小さいので、加工精度が高くなっており、それにより仕上がった成膜範囲規制凹状部３０の位置、形状、範囲などが適切なものとなり易い。また、成膜範囲規制凹状部３０は、膜厚が相対的に大きな平坦化膜２０に設けられることがないので、防湿性を確保する上で好適となっている。

　また、第２絶縁膜は、相対的に下層側に配される下層側層間絶縁膜（下層側第２絶縁膜）２２と、相対的に上層側に配される上層側層間絶縁膜（上層側第２絶縁膜）２４と、からなり、成膜範囲規制凹状部３０は、少なくとも上層側層間絶縁膜２４を部分的に凹ませる形で設けられている。このようにすれば、下層側層間絶縁膜２２よりも配向膜１０ｎに近い配置とされる上層側層間絶縁膜２４に成膜範囲規制凹状が設けられているから、仮に成膜範囲規制凹状部を下層側層間絶縁膜２２のみに設けるようにした場合に成膜範囲規制凹状部と配向膜１０ｎとの間に上層側層間絶縁膜２４が介在するのに比べると、成膜範囲規制凹状部３０による成膜範囲規制機能が配向膜１０ｎに対してより直接的に作用するので、配向膜１０ｎの成膜範囲をより好適に規制することができる。

　また、成膜範囲規制凹状部３０は、下層側層間絶縁膜２２を部分的に凹ませる形で設けられる下層側成膜範囲規制凹状部３０ａと、上層側層間絶縁膜２４を部分的に凹ませる形で設けられる上層側成膜範囲規制凹状部３０ｂと、からなる。このようにすれば、仮に成膜範囲規制凹状部が上層側成膜範囲規制凹状部のみからなる場合に比べると、下層側層間絶縁膜２２に設けられた下層側成膜範囲規制凹状部３０ａの深さの分だけ、成膜範囲規制凹状部３０の深さが大きくなるので、配向膜１０ｎの成膜範囲を規制する機能がより高いものとなる。

　また、下層側成膜範囲規制凹状部３０ａは、下層側層間絶縁膜２２を貫通する形で設けられており、平坦化膜２０のうち、タッチ配線１５とは非重畳となり且つ下層側成膜範囲規制凹状部３０ａと重畳する部分には、成膜範囲規制凹状部３０に並行する形で延在して配向膜１０ｎの成膜範囲を規制する第２の成膜範囲規制凹状部３３が設けられている。下層側層間絶縁膜２２を貫通する下層側成膜範囲規制凹状部３０ａは、例えば下層側層間絶縁膜２２における形成予定箇所をエッチングすることで設けられる。平坦化膜２０のうち、タッチ配線１５とは非重畳となり且つ下層側成膜範囲規制凹状部３０ａと重畳する部分は、下層側層間絶縁膜２２をエッチングする際にオーバーエッチされ、それにより成膜範囲規制凹状部３０に並行する形で延在する第２の成膜範囲規制凹状部３３が設けられる。下層側成膜範囲規制凹状部３０ａ及び上層側成膜範囲規制凹状部３０ｂの各深さに第２の成膜範囲規制凹状部３３の深さが加えられることで、配向膜１０ｎの成膜範囲を規制する機能がより高いものとなる。

　また、下層側成膜範囲規制凹状部３０ａ及び上層側成膜範囲規制凹状部３０ｂは、下層側層間絶縁膜２２及び上層側層間絶縁膜２４をそれぞれ貫通する形で設けられており、下層側層間絶縁膜２２と上層側層間絶縁膜２４との間に介在する形で配される第１透明電極膜２３と、上層側層間絶縁膜２４の上層側に配される第２透明電極膜２５と、第１透明電極膜２３からなり少なくとも一部がタッチ配線１５と重畳する形で配されて下層側成膜範囲規制凹状部３０ａを通してタッチ配線１５に接続される第１配線保護部３１と、第２透明電極膜２５からなり少なくとも一部がタッチ配線１５及び第１配線保護部３１と重畳する形で配されて上層側成膜範囲規制凹状部３０ｂを通して第１配線保護部３１に接続される第２配線保護部３２と、を備える。このようにすれば、下層側成膜範囲規制凹状部３０ａ及び上層側成膜範囲規制凹状部３０ｂが下層側層間絶縁膜２２及び上層側層間絶縁膜２４をそれぞれ貫通する形で設けられることで、仮に下層側成膜範囲規制凹状部及び上層側成膜範囲規制凹状部が非貫通とされる場合に比べると、成膜範囲規制凹状部３０の深さをより大きなものとすることができ、もって配向膜１０ｎの成膜範囲を規制する機能がより高いものとなる。このような構成においても、第１透明電極膜２３からなる第１配線保護部３１と第２透明電極膜２５からなる第２配線保護部３２とがタッチ配線１５と重畳する形で配され且つ下層側成膜範囲規制凹状部３０ａ及び上層側成膜範囲規制凹状部３０ｂを通してタッチ配線１５に接続されているので、タッチ配線１５の保護を図ることができるとともにタッチ配線１５の低抵抗化を図ることができる。

　また、下層側層間絶縁膜２２と上層側層間絶縁膜２４との間に介在する形で配される第１透明電極膜２３と、上層側層間絶縁膜２４の上層側に配される第２透明電極膜２５と、第１透明電極膜２３または第２透明電極膜２５からなり、位置入力を行う位置入力体である指との間で静電容量を形成し、位置入力体である指による入力位置を検出するタッチ電極（位置検出電極）１４と、を備えており、タッチ配線１５は、タッチ電極１４に接続されるタッチ配線（位置検出配線）１５とされる。このようにすれば、タッチ電極１４は、位置入力を行う位置入力体である指との間で静電容量を形成し、タッチ配線１５によって供給される信号を利用して位置入力体である指による入力位置を検出することができる。タッチ配線１５であるタッチ配線１５は、成膜範囲規制凹状部３０に起因して断線などが生じ難くなっているので、位置検出機能を発揮する確実性が高いものとされる。

　また、本実施形態の液晶パネル（表示装置）１０は、上記記載のアレイ基板１０ｂと、アレイ基板１０ｂとの間に内部空間１０ＩＳを有する形で対向状に配されるＣＦ基板（対向基板）１０ａと、を備える。このような構成の液晶パネル１０によれば、タッチ配線１５が成膜範囲規制凹状部３０に起因して断線などし難くなっているから、機能不全に陥り難くなる。

　また、アレイ基板１０ｂとＣＦ基板１０ａとの間に介在し、内部空間１０ＩＳを取り囲む形で非表示領域ＮＡＡに配されて内部空間１０ＩＳを封止するシール部１０ｄを備えており、成膜範囲規制凹状部３０は、シール部１０ｄと重畳するとともにシール部１０ｄの外周端部よりも内部空間１０ＩＳ寄りとなる位置に配されている。このような構成の成膜範囲規制凹状部３０によって配向膜１０ｎの成膜範囲が規制されることで、配向膜１０ｎが少なくともシール部１０ｄの外周端部には達することが避けられる。これにより、ガラス基板１０ＧＳに対するシール部１０ｄの固着強度が十分に保たれ、両基板が剥離などし難くなる。

　また、平坦化膜２０よりも下層側に配される第２金属膜（下層側金属膜）１９と、非表示領域ＮＡＡにおいてシール部１０ｄに対して内部空間１０ＩＳ側とは反対側に配されて第２金属膜１９からなり一部がタッチ配線１５と重畳するタッチ引き出し配線（引き出し配線）２８と、を備えており、平坦化膜２０のうち、タッチ配線１５とタッチ引き出し配線２８との重畳箇所には、コンタクトホール２９が開口形成されている。このようにすれば、タッチ配線１５は、第２金属膜１９からなるタッチ引き出し配線２８に対して平坦化膜２０に開口形成されたコンタクトホール２９を通して接続されている。これにより、仮にコンタクトホールをシール部１０ｄに対して内部空間１０ＩＳ側に配置した場合に比べると、内部空間１０ＩＳ側において第２金属膜１９を別の配線などに用いることが可能となるので、高精細化や狭額縁化などを図る上で好適となる。これに伴い、平坦化膜２０の上層側に配される第３金属膜２１がタッチ配線１５を構成することになるものの、その第３金属膜２１よりも上層側に配される第２絶縁膜である下層側層間絶縁膜２２及び上層側層間絶縁膜２４に成膜範囲規制凹状部３０を設けることで、成膜範囲規制凹状部３０に起因してタッチ配線１５の平坦性が損なわれるのを回避しつつ、配向膜１０ｎの成膜範囲を好適に規制することができる。

　＜実施形態２＞
　本発明の実施形態２を図１０または図１１によって説明する。この実施形態２では、成膜範囲規制凹状部１３０を変更したものを示す。なお、上記した実施形態１と同様の構造、作用及び効果について重複する説明は省略する。

　本実施形態に係る成膜範囲規制凹状部１３０は、図１０及び図１１に示すように、下層側層間絶縁膜１２２には設けられることがなく、上層側層間絶縁膜１２４のみに選択的に設けられている。このような構成によれば、平坦化膜１２０と下層側層間絶縁膜１２２とに成膜範囲規制凹状部１３０が設けられることが避けられるから、防湿性能に優れる。また、第３金属膜１２１からなるタッチ配線１１５は、成膜範囲規制凹状部１３０が設けられずに非開口とされる下層側層間絶縁膜１２２によって上層側から覆われるので、タッチ配線１１５の保護を図る上で好適とされる。しかも、Ｙ軸方向について並ぶ３本の成膜範囲規制凹状部１３０には、第１透明電極膜１２３からなる第１重畳部３４と、第２透明電極膜１２５からなる第２重畳部３５と、がそれぞれ重畳する形で配されている。第１重畳部３４及び第２重畳部３５は、下層側層間絶縁膜１２２のうち、３本の成膜範囲規制凹状部１３０に加えてＹ軸方向について隣り合う成膜範囲規制凹状部１３０の間となる部分や最も表示領域ＡＡに近い成膜範囲規制凹状部１３０に対して表示領域ＡＡ側となる部分に対しても平面に視て重畳するような形成範囲を有しており、互いの形成範囲がほぼ一致している。このような構成によれば、アレイ基板１１０ｂにおける配向膜１１０ｎが成膜される表面（第２透明電極膜１２５及び上層側層間絶縁膜１２４の表面）には、第１重畳部３４及び第２重畳部３５の膜厚分だけ段差が２箇所に生じることになる。これにより、配向膜１１０ｎの成膜に際しては、表示領域ＡＡから非表示領域ＮＡＡへ向けて広がる配向膜１１０ｎの材料は、成膜範囲規制凹状部１３０に至る手前の段階で上記した２箇所の段差を乗り越える必要が生じるから、配向膜１１０ｎの成膜範囲を規制する機能がより高いものとなる。

　以上説明したように本実施形態によれば、成膜範囲規制凹状部１３０は、上層側層間絶縁膜１２４を部分的に凹ませる形で選択的に設けられる。このようにすれば、平坦化膜１２０と下層側層間絶縁膜１２２とに成膜範囲規制凹状部１３０が設けられることが避けられているから、防湿性能に優れる。また、タッチ配線１１５は、成膜範囲規制凹状部１３０が設けられない下層側層間絶縁膜１２２によって覆われるので、タッチ配線１１５の保護を図る上でも好適とされる。

　また、下層側層間絶縁膜１２２と上層側層間絶縁膜１２４との間に介在する形で配される第１透明電極膜１２３と、上層側層間絶縁膜１２４の上層側に配される第２透明電極膜１２５と、第１透明電極膜１２３からなり少なくとも一部が成膜範囲規制凹状部１３０と重畳する形で配される第１重畳部３４と、第２透明電極膜１２５からなり少なくとも一部が成膜範囲規制凹状部１３０と重畳する形で配される第２重畳部３５と、を備える。このようにすれば、上層側層間絶縁膜１２４に設けられた成膜範囲規制凹状部１３０には、第１透明電極膜１２３からなる第１重畳部３４と、第２透明電極膜１２５からなる第２重畳部３５と、がそれぞれ重畳する形で配されているから、当該アレイ基板１１０ｂにおける配向膜１１０ｎが成膜される表面には、第１重畳部３４及び第２重畳部３５の膜厚分だけ段差が生じることになる。これにより、配向膜１１０ｎの成膜に際しては、表示領域ＡＡから非表示領域ＮＡＡへ向けて広がる配向膜１１０ｎの材料は、成膜範囲規制凹状部１３０に至る手前の段階で上記した段差を乗り越える必要が生じるから、配向膜１１０ｎの成膜範囲を規制する機能がより高いものとなる。

　＜他の実施形態＞
　本発明は上記記述及び図面によって説明した実施形態に限定されるものではなく、例えば次のような実施形態も本発明の技術的範囲に含まれる。
　（１）上記した各実施形態では、成膜範囲規制凹状部が横断する対象となる「配線」の一例としてタッチ電極に接続されるタッチ配線を示したが、それ以外の配線を成膜範囲規制凹状部の横断対象とすることも可能である。例えば、タッチパネルパターンの一部として共通電極を利用しない構成の液晶パネルにおいて、共通電極を非分割構造とし、共通電極に表示用の基準電位を供給するための配線を第３金属膜により構成するとともに成膜範囲規制凹状部の横断対象としてもよい。その場合、液晶パネルにタッチパネル機能を併有させないようにしてもよい。
　（２）上記した各実施形態では、表示領域とドライバとの間に介在する成膜範囲規制凹状部は、Ｘ軸方向に沿って途中で途切れることなく直線的に延在する構成を示したが、成膜範囲規制凹状部がＸ軸方向に沿って直線的に延在するものの途中で途切れる分割構造、とされていても構わない。また、成膜範囲規制凹状部は、必ずしもＸ軸方向に沿って直線的に延在していなくてもよく、平面形状が例えば波形やジグザグ状に蛇行していても構わない。
　（３）上記した各実施形態では、タッチ引き出し配線が第２金属膜からなる場合を示したが、タッチ引き出し配線が第１金属膜からなる構成を採ることも可能である。
　（４）上記した各実施形態では、画素電極が第１透明電極膜からなり、共通電極が第２透明電極膜からなる場合を示したが、積層関係を逆転させて、画素電極が第２透明電極膜からなり、共通電極が第１透明電極膜からなる構成を採ることも可能である。
　（５）上記した実施形態１では、下層側層間絶縁膜及び上層側層間絶縁膜に成膜範囲規制凹状部を設けた構成において、平坦化膜に第２の成膜範囲規制凹状部が設けられた構成を示したが、第２の成膜範囲規制凹状部を省略することも可能である。
　（６）上記した実施形態１では、下層側成膜範囲規制凹状部と上層側成膜範囲規制凹状部との幅寸法が同一とされた場合を示したが、下層側成膜範囲規制凹状部と上層側成膜範囲規制凹状部との幅寸法を異ならせることも可能である。
　（７）上記した実施形態１では、下層側層間絶縁膜及び上層側層間絶縁膜に成膜範囲規制凹状部を設けた構成において、第１配線保護部及び第２配線保護部を設けるようにした場合を示したが、第１配線保護部及び第２配線保護部のいずれか一方または両方を省略することも可能である。
　（８）上記した実施形態２では、上層側層間絶縁膜のみに選択的に成膜範囲規制凹状を設けるようにした場合を示したが、下層側層間絶縁膜のみに成膜範囲規制凹状を選択的に設けることも可能である。
　（９）上記した実施形態２では、第１透明電極膜からなる第１重畳部と、第２透明電極膜からなる第２重畳部と、を設けるようにした場合を示したが、第１重畳部及び第２重畳部のうちのいずれか一方または両方を省略することも可能である。
　（１０）上記した各実施形態では、成膜範囲規制凹状部のＹ軸方向についての並び数が３つとされた場合を示したが、同並び数は、１つ、２つまたは４つ以上に変更することも可能である。
　（１１）上記した各実施形態では、平坦化膜が有機材料からなる単層膜とされた場合を示したが、平坦化膜が有機材料と無機材料との積層膜とされても構わない。
　（１２）上記した各実施形態では、配向膜がインクジェット装置により塗布される場合を例示したが、それ以外にも例えば配向膜が印刷装置を用いて塗布されても構わない。いずれにしても配向膜の材料は、塗布時には高い流動性を有しているので、成膜範囲を規制することが求められる傾向にある。
　（１３）上記した各実施形態では、共通電極の画素重畳開口部が２本とされる場合を例示したが、画素重畳開口部の設置本数は１本または３本以上に適宜に変更可能である。また、画素重畳開口部の具体的な平面形状についても図示以外に適宜に変更可能である。また、画素重畳開口部は、共通電極ではなく、画素電極に設けられていても構わない。
　（１４）上記した各実施形態以外にも、表示領域における画素部に係る具体的な構成やタッチ電極に対するタッチ配線の接続構造などは、適宜に変更可能である。
　（１５）上記した各実施形態では、遮光部がＣＦ基板側に設けられた場合を示したが、遮光部がアレイ基板側に設けられていても構わない。
　（１６）上記した各実施形態以外にも、ＴＦＴのチャネル部を構成する半導体膜の材料は、アモルファスシリコンやポリシリコンなどであっても構わない。半導体膜の材料をポリシリコンとする場合は、ＴＦＴをボトムゲート型とするのが好ましい。
　（１７）上記した各実施形態では、タッチパネルパターンが自己容量方式とされる場合を示したが、タッチパネルパターンが相互容量方式であっても構わない。
　（１８）上記した各実施形態では、透過型の液晶パネルを例示したが、反射型の液晶パネルや半透過型の液晶パネルであっても本発明は適用可能である。
　（１９）上記した実施形態では、液晶表示装置（液晶パネルやバックライト装置）の平面形状が縦長の長方形とされる場合を示したが、液晶表示装置の平面形状が横長の長方形、正方形、円形、半円形、長円形、楕円形、台形などであっても構わない。
　（２０）上記した各実施形態では、一対の基板間に液晶層が挟持された構成とされた液晶パネルについて例示したが、一対の基板間に液晶材料以外の機能性有機分子を挟持した表示パネルについても本発明は適用可能である。

　１０…液晶パネル（表示装置）、１０ａ…ＣＦ基板（対向基板）、１０ｂ，１１０ｂ…アレイ基板（表示基板）、１０ｄ…シール部、１０ｎ，１１０ｎ…配向膜、１０ＧＳ…ガラス基板（基板）、１０ＩＳ…内部空間、１４…タッチ電極（位置検出電極）、１５，１１５…タッチ配線（配線、位置検出配線）、１６…第１金属膜（下層側金属膜）、１９…第２金属膜（下層側金属膜）、２０，１２０…平坦化膜（第１絶縁膜）、２１，１２１…第３金属膜（金属膜）、２２，１２２…下層側層間絶縁膜（第２絶縁膜、下層側第２絶縁膜）、２３，１２３…第１透明電極膜、２４，１２４…上層側層間絶縁膜（第２絶縁膜、上層側第２絶縁膜）、２５，１２５…第２透明電極膜、２８…タッチ引き出し配線（引き出し配線）、２９…コンタクトホール、３０，１３０…成膜範囲規制凹状部、３０ａ…第１成膜範囲規制凹状部、３０ｂ…第２成膜範囲規制凹状部、３１…第１配線保護部、３２…第２配線保護部、３３…第２の成膜範囲規制凹状部、３４…第１重畳部、３５…第２重畳部、ＡＡ…表示領域、ＮＡＡ…非表示領域

Claims

　画像を表示可能な表示領域と前記表示領域を取り囲む形で外周側に配される非表示領域とに区分される基板と、
　前記基板の前記表示領域と前記非表示領域とに跨る形で配される第１絶縁膜と、
　前記第１絶縁膜の上層側にて前記表示領域と前記非表示領域とに跨る形で配される金属膜と、
　前記金属膜の上層側にて前記表示領域と前記非表示領域とに跨る形で配されるとともに膜厚が前記第１絶縁膜よりも小さい第２絶縁膜と、
　前記第２絶縁膜よりも上層側にて少なくとも前記表示領域に配される配向膜と、
　前記金属膜からなり、前記表示領域と前記非表示領域とに跨る形で延在する配線と、
　前記非表示領域に配されて前記配線を横切る形で延在し、前記第２絶縁膜を部分的に凹ませる形で設けられて前記配向膜の成膜範囲を規制する成膜範囲規制凹状部と、を備える表示基板。
　前記第２絶縁膜は、相対的に下層側に配される下層側第２絶縁膜と、相対的に上層側に配される上層側第２絶縁膜と、からなり、
　前記成膜範囲規制凹状部は、少なくとも上層側第２絶縁膜を部分的に凹ませる形で設けられている請求項１記載の表示基板。
　前記成膜範囲規制凹状部は、前記下層側第２絶縁膜を部分的に凹ませる形で設けられる下層側成膜範囲規制凹状部と、前記上層側第２絶縁膜を部分的に凹ませる形で設けられる上層側成膜範囲規制凹状部と、からなる請求項２記載の表示基板。
　前記下層側成膜範囲規制凹状部は、前記下層側第２絶縁膜を貫通する形で設けられており、
　前記第１絶縁膜のうち、前記配線とは非重畳となり且つ前記下層側成膜範囲規制凹状部と重畳する部分には、前記成膜範囲規制凹状部に並行する形で延在して前記配向膜の成膜範囲を規制する第２の成膜範囲規制凹状部が設けられている請求項３記載の表示基板。
　前記下層側成膜範囲規制凹状部及び前記上層側成膜範囲規制凹状部は、前記下層側第２絶縁膜及び前記上層側第２絶縁膜をそれぞれ貫通する形で設けられており、
　前記下層側第２絶縁膜と前記上層側第２絶縁膜との間に介在する形で配される第１透明電極膜と、
　前記上層側第２絶縁膜の上層側に配される第２透明電極膜と、
　前記第１透明電極膜からなり少なくとも一部が前記配線と重畳する形で配されて前記下層側成膜範囲規制凹状部を通して前記配線に接続される第１配線保護部と、
　前記第２透明電極膜からなり少なくとも一部が前記配線及び前記第１配線保護部と重畳する形で配されて前記上層側成膜範囲規制凹状部を通して前記第１配線保護部に接続される第２配線保護部と、を備える請求項３または請求項４記載の表示基板。
　前記成膜範囲規制凹状部は、前記上層側第２絶縁膜を部分的に凹ませる形で選択的に設けられる請求項２記載の表示基板。
　前記下層側第２絶縁膜と前記上層側第２絶縁膜との間に介在する形で配される第１透明電極膜と、
　前記上層側第２絶縁膜の上層側に配される第２透明電極膜と、
　前記第１透明電極膜からなり少なくとも一部が前記成膜範囲規制凹状部と重畳する形で配される第１重畳部と、
　前記第２透明電極膜からなり少なくとも一部が前記成膜範囲規制凹状部と重畳する形で配される第２重畳部と、を備える請求項６記載の表示基板。
　前記下層側第２絶縁膜と前記上層側第２絶縁膜との間に介在する形で配される第１透明電極膜と、
　前記上層側第２絶縁膜の上層側に配される第２透明電極膜と、
　前記第１透明電極膜または前記第２透明電極膜からなり、位置入力を行う位置入力体との間で静電容量を形成し、前記位置入力体による入力位置を検出する位置検出電極と、を備えており、
　前記配線は、前記位置検出電極に接続される位置検出配線とされる請求項２から請求項７のいずれか１項に記載の表示基板。
　請求項１から請求項８のいずれか１項に記載の表示基板と、前記表示基板との間に内部空間を有する形で対向状に配される対向基板と、を備える表示装置。
　前記表示基板と前記対向基板との間に介在し、前記内部空間を取り囲む形で前記非表示領域に配されて前記内部空間を封止するシール部を備えており、
　前記成膜範囲規制凹状部は、前記シール部と重畳するとともに前記シール部の外周端部よりも前記内部空間寄りとなる位置に配されている請求項９記載の表示装置。
　前記第１絶縁膜よりも下層側に配される下層側金属膜と、
　前記非表示領域において前記シール部に対して前記内部空間側とは反対側に配されて前記下層側金属膜からなり一部が前記配線と重畳する引き出し配線と、を備えており、
　前記第１絶縁膜のうち、前記配線と前記引き出し配線との重畳箇所には、コンタクトホールが開口形成されている請求項１０記載の表示装置。