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WO2018138783A1 - レーザーアニール装置、レーザーアニール方法及びマスク - Google Patents

レーザーアニール装置、レーザーアニール方法及びマスク Download PDF

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WO2018138783A1
WO2018138783A1 PCT/JP2017/002399 JP2017002399W WO2018138783A1 WO 2018138783 A1 WO2018138783 A1 WO 2018138783A1 JP 2017002399 W JP2017002399 W JP 2017002399W WO 2018138783 A1 WO2018138783 A1 WO 2018138783A1
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WO
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opening
openings
block
mask
scanning direction
Prior art date
Application number
PCT/JP2017/002399
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English (en)
French (fr)
Inventor
英俊 中川
Original Assignee
堺ディスプレイプロダクト株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 堺ディスプレイプロダクト株式会社 filed Critical 堺ディスプレイプロダクト株式会社
Priority to US16/476,725 priority Critical patent/US20200027722A1/en
Priority to CN201780088909.9A priority patent/CN110462787A/zh
Priority to PCT/JP2017/002399 priority patent/WO2018138783A1/ja
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    • H10D30/6745—Polycrystalline or microcrystalline silicon

Definitions

  • the present invention relates to a laser annealing apparatus, a laser annealing method, and a mask.
  • a TFT (Thin Film Transistor) type liquid crystal display is obtained by bonding a TFT substrate and a color filter substrate having R (red), G (green), and B (blue) colors with a necessary gap therebetween.
  • An image can be displayed by injecting liquid crystal between the substrate and the color filter substrate and controlling the light transmittance of the liquid crystal molecules for each pixel.
  • data lines and scanning lines are arranged in a grid pattern in the vertical and horizontal directions, and pixels are formed at locations where the data lines and the scanning lines intersect.
  • the pixel includes a TFT, a pixel electrode, a counter electrode, and a liquid crystal layer interposed between the pixel electrode and the counter electrode.
  • a drive circuit configured by TFTs and driving data lines and scanning lines is formed around a display region including a plurality of pixels.
  • amorphous silicon (amorphous, a-Si) TFTs using silicon semiconductors, low-temperature polysilicon TFTs in which the semiconductor layer is polysilicon (polycrystalline, p-Si), etc. are being developed. Yes.
  • the a-Si TFT has a high resistance and a small leakage current (leakage current).
  • the p-Si TFT has a significantly higher electron mobility than the a-Si TFT.
  • a polysilicon layer can be formed by annealing the amorphous silicon layer by irradiating it with laser light.
  • a laser annealing apparatus that forms laser light emitted from a laser light source into a parallel beam by a lens group, and irradiates the formed parallel beam onto a substrate through a mask having an opening and a microlens array.
  • a plurality of openings are arranged in a matrix in the scan direction and in a direction orthogonal to the scan direction, and the laser is moved each time the mask or substrate is moved in the scan direction by the pixel pitch.
  • the laser beam can be irradiated to the required portion (irradiation region) of the substrate by the number of times equal to the number of openings arranged in the scan direction in one cycle of scanning.
  • the mask or substrate is moved to the start position of the scan of the next cycle, and the scan of the next cycle is performed (see Patent Document 1).
  • FIG. 17 is a schematic diagram showing a configuration of a mask used in a conventional laser annealing apparatus and a relationship between a scanning cycle and a mask position.
  • the mask has a plurality of openings arranged in a matrix along a scan direction and a direction orthogonal to the scan direction. In the example of FIG. 17, ten openings are arranged along the scanning direction. Further, in the direction orthogonal to the scanning direction, a required number of opening rows composed of 10 openings are arranged side by side.
  • the left mask indicates, for example, the position of the mask in the first scan, and the right mask indicates the position of the mask in the second scan, which is the next cycle.
  • the position of the mask may be the scan start position of each cycle, or may be a position moved in the scan direction by an arbitrary distance from the scan start position.
  • the laser beam irradiation position shift and the irradiation timing shift are the same at each opening in the mask (for example, each opening arranged in a direction orthogonal to the scanning direction).
  • the laser beam irradiation position shift and the irradiation timing shift are the same at each opening in the mask (for example, each opening arranged in a direction orthogonal to the scanning direction).
  • the laser beam irradiation position shift and the irradiation timing shift in the first scan are different from the laser light irradiation position shift and the irradiation timing shift in the second scan.
  • the irradiation conditions (for example, the irradiation position and the irradiation timing) are uniform in the mask, but the number of openings aligned in the scanning direction (that is, between the adjacent masks in the first and second scans) , The number of times of irradiation) is affected by deviations in irradiation position and irradiation timing.
  • FIG. 18 is a schematic diagram showing a state of a display area corresponding to an irradiation area of laser light by a conventional laser annealing apparatus.
  • the left rectangle indicates a display area corresponding to the irradiation area in the first scan
  • the right rectangle indicates a display area corresponding to the irradiation area in the second scan.
  • the present invention has been made in view of such circumstances, and an object thereof is to provide a laser annealing apparatus, a laser annealing method, and a mask constituting the laser annealing apparatus that can reduce display unevenness at a mask joint boundary.
  • a laser annealing apparatus includes a mask in which a plurality of opening blocks including a plurality of openings arranged in a column direction parallel to a scanning direction are arranged in a row direction orthogonal to the scanning direction.
  • a laser annealing apparatus that is performed each time at least one of substrates is moved to a predetermined position in a direction orthogonal to the scanning direction, wherein at least one set of two adjacent opening blocks is one first opening of the set. The position of the opening of the block and the position of the opening of the other second opening block of the set are shifted in a direction parallel to the scanning direction.
  • a laser annealing method is a laser annealing method using a laser annealing apparatus according to an embodiment of the present invention, wherein at least one of the substrate and the mask is in a direction parallel to the scanning direction. Irradiating the substrate with laser light through the plurality of openings and moving the step to at least one of the mask and the substrate to a predetermined position in a direction perpendicular to the scanning direction. Do it each time.
  • a mask according to an embodiment of the present invention is a mask in which a plurality of opening blocks including a plurality of openings arranged in a column direction parallel to the scanning direction are arranged in a row direction perpendicular to the scanning direction, At least one set of two adjacent opening blocks has the position of the opening of one first opening block of the set and the position of the opening of the other second opening block of the set, It is shifted in the direction parallel to the scan direction.
  • display unevenness at the mask joint boundary can be reduced.
  • FIG. 1 is a schematic diagram showing an example of the configuration of the laser annealing apparatus 100 of the present embodiment.
  • the laser annealing apparatus 100 includes a laser light source 70 that emits laser light, an optical system 60 that includes a lens group for shaping the laser light emitted from the laser light source 70 into a parallel beam, an opening described below, and A mask (light-shielding plate) 30 having microlenses arranged in an array is provided.
  • the parallel beam formed by the optical system 60 is partially irradiated to a required portion of the substrate 10 through an opening provided in the mask 30 and a microlens.
  • the substrate 10 is transported at a constant speed by a drive mechanism (not shown).
  • the laser light source 70 irradiates laser light at time intervals at which the irradiation position of the substrate 10 reaches a position corresponding to the opening.
  • the laser annealing apparatus 100 may have a configuration in which the substrate 10 is fixed and the mask 30 is moved instead of the configuration in which the substrate 10 is moved. Below, the example which moves the board
  • FIG. 2 is a schematic plan view showing an example of the configuration of the mask 30 of the present embodiment.
  • the dimension of the mask 30 in the direction parallel to the scan direction (also referred to as the column direction) is W, and the dimension in the direction orthogonal to the scan direction (also referred to as the row direction) is L.
  • the mask 30 is provided with microlenses 21 in an array at equal intervals in a matrix in a direction parallel to the scan direction and in a direction perpendicular to the scan direction.
  • the dimension W in the column direction of the mask 30 can be about 5 mm, for example, and the dimension L in the row direction can be about 37 mm, but each dimension is not limited to these numerical values.
  • a predetermined number (20 in the example of FIG. 2) of microlenses 21 are arranged at equal intervals in a direction (column direction) parallel to the scanning direction.
  • One microlens 21 is provided with one opening 51.
  • the openings 51 are illustrated corresponding to all the microlenses 21. In the embodiment, the openings 51 are not arranged at positions corresponding to some of the microlenses 21.
  • FIG. 3 is a schematic diagram showing the positional relationship between the opening 51 and the microlens 21 of the present embodiment.
  • FIG. 3 shows the positional relationship between the opening 51 and the microlens 21 in a front view, and shows the position of the opening 51 in a plan view on the basis of the position of the microlens 21 corresponding to the opening 51.
  • the mask 30 has a plurality of openings 51 and microlenses (lenses) 21.
  • the microlens 21 is formed on the transparent substrate 20 corresponding to the opening 51, and the transparent substrate 20 and the mask 30 are integrated.
  • the opening 51 is arranged so that the center of the microlens 21 having a circular shape in plan view and the center of the rectangular opening 51 substantially coincide with each other.
  • the mask 30 and the incident surface of the microlens 21 are spaced apart by an appropriate length.
  • the maximum size (circular diameter in plan view) of the microlens 21 can be, for example, about 150 ⁇ m to 400 ⁇ m, but is not limited to these numerical values.
  • the plurality of formed microlenses 21 is also referred to as a microlens array.
  • the laser light that has passed through the opening 51 is condensed by the microlens 21, and the condensed laser light is A required portion on the substrate 10 is partially irradiated corresponding to each of the plurality of openings 51 (that is, the microlens 21).
  • FIG. 4A, 4B, 4C, and 4D are schematic views showing an example of scanning of the substrate 10 by the laser annealing apparatus 100 of the present embodiment.
  • FIG. 4A shows a state in which the mask 30 is set at a predetermined position (for example, the start position of the first scan), and shows a state before the movement of the substrate 10 in the scanning direction is started.
  • the laser annealing apparatus 100 moves the substrate 10 at a constant speed in the scanning direction from the state shown in FIG. 4A.
  • the laser light source 70 irradiates laser light at time intervals at which the irradiation position of the substrate 10 reaches a position corresponding to the opening 51.
  • the same portion (irradiation region) of the substrate 10 is irradiated with the laser beam a predetermined number of times.
  • FIG. 4B shows a state in which the substrate 10 is moved at a constant speed and moved to the final position in the scanning direction (by the distance Z). Thereby, the first scan is completed.
  • FIG. 4C shows a state in which the mask 30 is set at the start position of the second scan by moving the substrate 10.
  • the laser beam is irradiated a predetermined number of times on each required portion within the irradiation area S of the substrate 10.
  • FIG. 4D shows a state in which the substrate 10 is moved at a constant speed and moved to the final position in the scanning direction (by the distance Z). This completes the second scan.
  • the region where the first scan is performed and the region where the second scan is performed are connected with a boundary in a direction parallel to the scan direction in between.
  • the size of the substrate 10 and the size of the mask 30 are shown to be approximately the same, but the size of the substrate 10 is actually much larger than the size of the mask 30.
  • FIG. 5 is a schematic diagram showing an example of the configuration of the opening 51 of the mask 30 of the present embodiment.
  • the mask 30 is divided at the center in the direction orthogonal to the scanning direction, and from the center of the mask 30 to one end (for example, the right half) is illustrated.
  • Each of the openings 51 arranged in the right half of the mask 30 and each of the openings 51 arranged in the left half may be line symmetric with respect to a line segment parallel to the scanning direction at the center of the mask 30, or Point symmetry with the midpoint of the symmetry axis as the center of symmetry may be used.
  • a predetermined position of the mask 30 in the first scan for example, a position at which the scan is started or a position moved by a predetermined distance from the scan start position
  • the predetermined position is shown.
  • the mask 30 in the first scan shows the right half
  • the mask 30 in the second scan shows only the vicinity of the left end.
  • a line segment in the scan direction connecting the right end of the mask 30 in the first scan and the left end of the mask 30 in the second scan is a scan boundary (mask joint boundary).
  • a plurality of opening blocks 50 including a plurality of openings 51 arranged in a column direction parallel to the scanning direction are arranged in a row direction perpendicular to the scanning direction.
  • the opening block is a section on the mask 30 in which a plurality of openings 51 arranged in the column direction can be arranged.
  • the opening block 50 is a portion surrounded by a broken line and includes ten openings 51.
  • the dimension in the direction parallel to the scanning direction of the mask 30 is W
  • the dimension in the direction orthogonal to the scanning direction is L
  • the number of the opening blocks 50 is M
  • the dimension in the column direction of the opening blocks 50 is x.
  • W ⁇ x and L ⁇ M ⁇ y can be achieved.
  • 21 opening blocks 50 of rows M1, M2,..., M21 are arranged side by side from the center of the mask 30 toward one end.
  • the number of the opening blocks 50 is not limited to the example of FIG.
  • the opening block 50 includes the plurality of openings 51 is a state in which the openings 51 are arranged at equal intervals from one end of the opening block 50 in the column direction to the other end.
  • a state in which there is a portion that is not occupied by the openings 51 along the column direction (that is, a portion where the openings 51 do not exist) is also included.
  • the opening block 50 of the row M1 there are no openings 51 on both ends in the row direction.
  • the opening block 50 in the row M4 and the opening block 50 in the row M5 are two adjacent opening blocks, and the opening block 50 in the row M4.
  • the position of the opening 51 of the opening block 50 in the row M5 is shifted in the scanning direction with respect to the position of the opening 51.
  • the opening block 50 in the row M5 corresponds to the second opening block.
  • the positions of the ten openings 51 in the row direction of the opening blocks 50 in the row M4 are distances corresponding to the pitch of the openings 51. Only in the scanning direction (reference A1).
  • the position of the 10 openings 51 in the row direction of the opening blocks 50 in the row M13 is three times the pitch of the openings 51 with respect to the position of the 10 openings 51 in the row direction of the opening blocks 50 in the row M12. Is shifted in the scanning direction by a distance corresponding to (A3).
  • the opening block 50 in the row M12 is the first opening block
  • the opening block 50 in the row M13 corresponds to the second opening block.
  • the positions of the ten openings 51 in the column direction of the opening blocks 50 in the column M19 are five times the pitch of the openings 51 with respect to the positions of the ten openings 51 in the column direction of the opening blocks 50 in the column M18. Is shifted in the scanning direction by a distance corresponding to (reference A5).
  • the opening block 50 in the row M18 is the first opening block
  • the opening block 50 in the row M19 corresponds to the second opening block.
  • the opening block 50 of the row M8 and the opening block 50 of the row M9 are two adjacent opening blocks, and the opening block 50 of the row M8.
  • the position of the opening 51 of the opening block 50 in the row M9 is shifted in the direction opposite to the scanning direction by a distance corresponding to twice the pitch of the opening 51 (reference A2).
  • the opening block 50 in the row M8 is the first opening block
  • the opening block 50 in the row M9 corresponds to the second opening block.
  • the positions of the ten openings 51 in the column direction of the opening blocks 50 in the column M16 are four times the pitch of the openings 51 with respect to the positions of the ten openings 51 in the column direction of the opening blocks 50 in the column M15. Is shifted in the direction opposite to the scanning direction by a distance corresponding to (A4).
  • the opening block 50 in the row M15 is the first opening block
  • the opening block 50 in the row M16 corresponds to the second opening block.
  • the positions of the openings 51 may be shifted with respect to all two adjacent opening blocks 50 of the plurality of opening blocks 50 arranged in the row direction, or a part of the plurality of opening blocks 50 arranged in the row direction.
  • the position of the opening 51 may be shifted between two adjacent opening blocks 50.
  • two opening blocks 50 of the columns M4 and M5 among the opening blocks 50 of the columns M4 and M5, two opening blocks 50 of the columns M8 and M9, and two of the columns M12 and M13 are arranged.
  • the positions of the openings 51 are shifted in each of the two opening blocks 50, the two opening blocks 50 in the rows M15 and M16, and the two opening blocks 50 in the rows M18 and M19.
  • two opening blocks 50 in rows M4 and M5 two opening blocks 50 in rows M8 and M9, two opening blocks 50 in rows M12 and M13, and two opening blocks in rows M15 and M16 50, and the position of the opening of one opening block of at least one of the sets of the two opening blocks 50 in the rows M18 and M19, and the position of the opening of the other opening block of the set It only needs to be shifted in a direction parallel to the scanning direction.
  • the openings 51 whose positions are shifted in each of the first opening block and the second opening block may be all the openings 51 included in each opening block or a part of the openings 51.
  • all the openings 51 included in the first opening block or the second opening block are shifted in a direction parallel to the scanning direction.
  • the positions of the ten openings 51 of the opening blocks 50 of the rows M1 to M3 are parallel to the scanning direction with respect to the positions of the ten openings 51 of the opening blocks 50 of the row M4 as the first opening block. It is not displaced in the direction.
  • the opening blocks 50 in the rows M1 to M3 correspond to a fourth opening block.
  • the positions of the ten openings 51 of the opening blocks 50 in the rows M6 to M7 are the positions of the ten opening blocks 50 in the row M5 as the second opening block or the opening blocks 50 in the row M8 as the first opening block.
  • the position of the opening 51 is not displaced in a direction parallel to the scanning direction.
  • the opening blocks 50 in the rows M6 to M7 correspond to a fourth opening block.
  • the opening blocks 50 in the rows M10 to M11, the opening block 50 in the row M17, and the opening blocks 50 in the rows M20 to M21 correspond to the fourth opening block.
  • FIG. 6 is a schematic diagram showing the state of the display area corresponding to the laser light irradiation area by the laser annealing apparatus 100 of the present embodiment.
  • the left rectangle indicates a display area corresponding to the irradiation area in the first scan
  • the right rectangle indicates a display area corresponding to the irradiation area in the second scan.
  • the irradiation position along the direction orthogonal to the scan direction varies at each timing when the laser beam is irradiated, so that the semiconductor layer along the direction orthogonal to the scan direction varies. It is possible to intentionally generate display unevenness by causing a difference in characteristics. As a result, display unevenness at the boundary portion (mask joint boundary) between the first scan and the second scan can be made inconspicuous, and as a result, display unevenness at the mask joint boundary can be reduced. .
  • FIG. 7 is a schematic diagram showing a first example of the arrangement of the openings 51 of the mask 30 of the present embodiment.
  • the mask 30 is divided at the center in the direction perpendicular to the scanning direction, and the portion from the center of the mask 30 to one end (for example, the right half) is illustrated.
  • half of the mask 30 will be described.
  • 24 opening blocks 50 from columns M1 to M24 are arranged in a row direction perpendicular to the scanning direction.
  • Twenty microlenses (not shown) in rows N1 to N20 are arranged side by side along a direction parallel to the scanning direction of the mask 30.
  • Each opening 51 of each opening block 50 is arranged corresponding to the required 15 microlenses among the 20 microlenses from rows N1 to N20.
  • the positions of the 15 openings 51 of the opening blocks 50 in the row M5 are shifted in the scanning direction by a distance corresponding to the pitch of the openings 51 with respect to the positions of the 15 openings 51 in the opening blocks 50 in the row M4. ing.
  • the position of the opening 51 of the opening block 50 in the row M21 is the same.
  • the positions of the 15 openings 51 of the opening blocks 50 from the rows M1 to M3 are not shifted in the direction parallel to the scanning direction.
  • the positions of the 15 openings 51 of the opening group 50 in the rows M6 and M7 are not shifted in the direction parallel to the scanning direction.
  • the positions of the 15 openings 51 of the opening blocks 50 in the rows M10 and M11 are not shifted in the direction parallel to the scanning direction.
  • the positions of the 15 openings 51 of the opening blocks 50 in the rows M14 and M15 are not shifted in the direction parallel to the scanning direction.
  • the positions of the 15 openings 51 of the opening blocks 50 in the rows M18 and M19 are not shifted in the direction parallel to the scanning direction.
  • the positions of the 15 openings 51 of the opening blocks 50 in the rows M22, M23, and M24 are not shifted in the direction parallel to the scanning direction. From the columns M1 to M3, the opening blocks 50 of the columns M6, M7, M10, M11, M14, M15, M18, M19, M22, M23 and M24 correspond to the fourth opening block.
  • the arrangement of the openings 51 along the direction orthogonal to the scan direction can be shifted in stages, and the irradiation position can be varied at the timing when the laser beam is irradiated.
  • the display unevenness can be intentionally generated by causing a difference in characteristics of the semiconductor layer in the region on the substrate to be scanned by this scanning. Accordingly, display unevenness at the mask joint boundary can be made inconspicuous, and as a result, display unevenness at the mask joint boundary can be reduced.
  • a plurality of sets of the first opening blocks and the second opening blocks are arranged in the row direction (in the example of FIG. 7, columns M4 and M5, columns M8 and M9, columns M12 and M13, columns M16 and M17, columns M20 and 5 sets of M21).
  • the arrangement of the openings 51 along the direction orthogonal to the scanning direction can be shifted at a plurality of locations in the row direction.
  • FIG. 8 is a schematic diagram showing an example of how display unevenness is reduced in a display area including a mask joint boundary by the mask 30 of the present embodiment.
  • the horizontal axis indicates the position in the direction orthogonal to the scanning direction
  • the vertical axis indicates the evaluation value indicating the degree of display unevenness.
  • FIG. 8 shows a state in which the third scan of the scan S, (S + 1), and (S + 2) is performed.
  • the upper diagram shows the case where the mask 30 of the present embodiment is used. For example, the same tendency is observed in the first example illustrated in FIG. 7 and each of the examples described later in FIG. If the location of the display area is different, the evaluation value is not the same as the evaluation value shown in FIG. 8, but the same tendency is shown.
  • the lower diagram shows a case where a conventional mask (for example, the example of FIG. 17) as a comparative example is used.
  • the arrangement of the openings 51 along the direction orthogonal to the scan direction can be shifted stepwise. It is possible to cause variations in the irradiation position at the timing of light irradiation, and intentionally generate display unevenness by causing a difference in the characteristics of the semiconductor layer in the area on the substrate scanned by a single scan. Can be made. Accordingly, display unevenness at the mask joint boundary can be made inconspicuous, and as a result, display unevenness at the mask joint boundary can be reduced.
  • the openings 51 are arranged along the direction orthogonal to the scan direction.
  • An appropriate length can be made uniform along the direction, and the degree of variation in the irradiation position can be adjusted at the timing when the laser beam is irradiated.
  • FIG. 9 is a schematic diagram showing a second example of the arrangement of the openings 51 of the mask 30 of the present embodiment.
  • the positions of the 14 openings 51 of the opening blocks 50 in the row M7 correspond to the pitches of the openings 51 with respect to the positions of the 14 openings 51 of the opening blocks 50 in the row M6. Is shifted in the scanning direction by the distance to be Further, the position of the 14 openings 51 of the opening block 50 of the row M13 is a distance corresponding to twice the pitch of the openings 51 with respect to the position of the 14 openings 51 of the opening block 50 of the row M12. Only shifted in the scanning direction.
  • the position of the 14 openings 51 of the opening block 50 of the row M19 is a distance corresponding to three times the pitch of the openings 51 with respect to the position of the 14 openings 51 of the opening block 50 of the row M18. Only shifted in the scanning direction.
  • a predetermined distance (a direction parallel to the scanning direction of the position of the opening 50).
  • the dimension of the deviation can be increased. That is, the displacement of the positions of the openings 50 of the first opening block and the second opening block can be made larger toward the end than the center of the mask 30.
  • the influence of the deviation of the irradiation position and the deviation of the irradiation timing can be gradually increased toward the end of the mask 30, and the display unevenness at the mask joint boundary can be made inconspicuous.
  • FIG. 10 is a schematic diagram showing a third example of the arrangement of the openings 51 of the mask 30 of the present embodiment.
  • the positions of the 15 openings 51 of the opening block 50 in the row M5 correspond to the pitches of the openings 51 with respect to the positions of the 15 openings 51 in the opening block 50 in the row M4. Is shifted in the scanning direction by the distance to be Further, the position of the 15 openings 51 of the opening block 50 of the row M9 is a distance corresponding to twice the pitch of the openings 51 with respect to the position of the 15 openings 51 of the opening block 50 of the row M8. Is shifted in the opposite direction to the scanning direction.
  • the position of the 15 openings 51 of the opening block 50 of the row M13 is a distance corresponding to three times the pitch of the openings 51 with respect to the position of the 15 openings 51 of the opening block 50 of the row M12. Only shifted in the scanning direction. Further, the position of the 15 openings 51 of the opening block 50 of the row M17 is a distance corresponding to four times the pitch of the openings 51 with respect to the position of the 15 openings 51 of the opening block 50 of the row M16. Is shifted in the opposite direction to the scanning direction.
  • the position of the 15 openings 51 of the opening block 50 in the row M21 is a distance corresponding to five times the pitch of the openings 51 with respect to the position of the 15 openings 51 in the opening block 50 of the row M20. Only shifted in the scanning direction.
  • the first set in the example of FIG. 10, columns M4 and M5, columns M12 and M13, columns M20 and M21.
  • the Nth (1st to nth) opening of the second opening block of the first set with respect to the position of the Nth (1st to nth) opening 51 of the first opening block of the first set of The position of the portion 51 is shifted in the scanning direction by an integral multiple of the pitch of the openings 51.
  • the position of the Nth (first to nth) opening 51 of the first opening block of the second group in the example of FIG. 10, two groups of columns M8 and M9 and columns M16 and M17).
  • the position of the Nth (1st to nth) apertures 51 of the second aperture block of the second set is shifted in the direction opposite to the scan direction by an integral multiple of the pitch of the apertures 51.
  • the position of the opening 51 can be determined if the maximum value of the shifting distance of the opening 51 is the same.
  • the mask size (dimension W in the direction parallel to the scan direction) can be reduced as compared with the case of shifting only in the scan direction.
  • the distance by which the opening 51 is shifted can be increased (longer).
  • the maximum deviation of the openings 51 is a distance corresponding to three times the pitch of the openings 51, but in the example of FIG. 10, it corresponds to five times the pitch of the openings 51. Can be shifted by distance.
  • FIG. 11 is a schematic diagram showing a fourth example of the arrangement of the openings 51 of the mask 30 of the present embodiment.
  • the positions of the 15 openings 51 of the opening block 50 in the row M6 correspond to the positions of the 15 openings 51 in the opening block 50 in the row M5. Is shifted in the scanning direction by the distance to be Further, the positions of the 15 openings 51 of the opening blocks 50 in the row M7 are in the scanning direction by a distance corresponding to the pitch of the openings 51 with respect to the positions of the 15 openings 51 of the opening blocks 50 in the row M6. It is shifted in the opposite direction. The same applies to the opening blocks 50 in the rows after the row M7 except for the amount of displacement of the opening 51.
  • the positions of the second opening block (for example, the opening block 50 of the row M6) with respect to the positions of the 15 openings 51 of the first opening block (for example, the opening block 50 of the row M5).
  • the positions of the openings 51 are shifted in the scanning direction by an integral multiple of the pitch of the openings 51.
  • the third opening block (for example, the opening in the row M7) adjacent to the second opening block.
  • the positions of the 15 openings 51 of the block 50) are shifted in the direction opposite to the scanning direction by an integral multiple of the pitch of the openings 51.
  • the position of the opening 51 can be alternately shifted in the scanning direction and in the direction opposite to the scanning direction. Therefore, since the influence of the difference in the characteristics of the semiconductor layer for each column of the opening blocks 50 is visually averaged, the boundary position between the adjacent opening blocks is visually recognized.
  • FIG. 12 is a schematic diagram showing a fifth example of the arrangement of the openings 51 of the mask 30 of the present embodiment.
  • the positions of the fifteen openings 51 of the four opening blocks 50 in the rows M5 to M8 are the positions of the fifteen openings 51 in the opening block 50 in the row M4 or the opening blocks 50 in the row M9.
  • the positions of the fifteen openings 51 are not displaced in the scanning direction.
  • the positions of the fifteen openings 51 of the three opening blocks 50 in the rows M11 to M13 are the fifteen openings 51 in the opening block 50 in the row M10 or the fifteen openings in the opening block 50 in the row M14.
  • the position 51 is not displaced in the scanning direction.
  • the positions of the fifteen openings 51 of the two opening blocks 50 in the rows M16 to M17 are the positions of the fifteen openings 51 in the opening block 50 in the row M15 or the fifteen openings in the opening block 50 in the row M18.
  • the position 51 is not displaced in the scanning direction.
  • the positions of the fifteen openings 51 of the one opening block 50 in the row M20 are the positions of the fifteen openings 51 in the opening block 50 in the row M19 or the fifteen openings 51 in the opening block 50 in the row M21. It is not displaced in the scanning direction with respect to the position.
  • the opening blocks 50 in the rows M5 to M8, the rows M11 to M13, the rows M16 to M17, and the row M20 correspond to a fourth opening block.
  • the number of the fourth opening blocks arranged in the row direction can be reduced according to the shift from the center of the mask 30 to the end side.
  • the degree of uniform arrangement of the openings 51 along the direction orthogonal to the scanning direction is reduced. This corresponds to increasing the frequency of deviation in the scanning direction of the opening 51 along the direction orthogonal to the scanning direction.
  • the influence of the deviation of the irradiation position and the deviation of the irradiation timing can be gradually increased toward the end of the mask 30, and the display unevenness at the mask joint boundary can be made inconspicuous.
  • FIG. 13 is a schematic diagram showing a sixth example of the arrangement of the openings 51 of the mask 30 of the present embodiment.
  • the positions of the fifteen openings 51 of the opening blocks 50 in the rows M ⁇ b> 1 to M ⁇ b> 6 are shifted in the scanning direction as the rows move from the center to the end of the mask 30.
  • the positions of the fifteen openings 51 of the opening blocks 50 from the rows M6 to M9 are shifted in the direction opposite to the scanning direction as the rows move from the center to the end of the mask 30.
  • the positions of the fifteen openings 51 of the opening blocks 50 from the rows M9 to M12 are shifted in the scanning direction as the rows move from the center to the end of the mask 30.
  • the positions of the fifteen openings 51 of the opening blocks 50 from the rows M12 to M15 are shifted in the direction opposite to the scanning direction as the rows move from the center to the end of the mask 30.
  • the shift of the position of the opening 51 in the scanning direction and the direction opposite to the scanning direction is repeated.
  • the number of rows of the opening blocks 50 in which the openings 51 are continuously shifted in the scanning direction and the number of rows of the opening blocks 50 in which the openings 51 are continuously shifted in the direction opposite to the scanning direction are shown in the example of FIG. It is not limited and can be determined appropriately. Further, the number of the rows of the opening blocks 50 may be the same or different.
  • first sets of first and second aperture blocks in the example of FIG. 13, aperture blocks 50 in rows M1 to M6 and one or more second aperture blocks.
  • a set of first opening blocks and second opening blocks are repeatedly arranged in the row direction.
  • one or more second opening blocks and second opening blocks of the second set in which the position shift of each opening 51 is directed in the direction opposite to the scanning direction are repeated periodically.
  • all the openings 50 of the opening block 50 are configured to deviate in the direction parallel to the scanning direction by the same distance, but are not limited to this and are adjacent to each other. Only a part of the openings 51 of the opening block 50 may be shifted in the direction parallel to the scanning direction by the same distance or different distances.
  • an example of such a configuration will be described.
  • FIG. 14 is a schematic diagram showing a seventh example of the arrangement of the openings 51 of the mask 30 of the present embodiment.
  • the positions of the openings 51 (openings 51 in the rows N1 and N20) at both ends of each of the opening blocks 50 in the columns M1 to M24 are not shifted in the direction parallel to the scanning direction.
  • the positions of the openings 51 of the other rows excluding the rows N1 and N20 of the opening block 50 of the column M5 with respect to the positions of the openings 51 of the other rows excluding the rows N1 and N20 of the opening block 50 of the column M4 are: It is shifted in the scanning direction by a distance corresponding to the pitch of the openings 51.
  • the positions of the openings 51 of the other rows excluding the rows N1 and N20 of the opening block 50 of the column M9 with respect to the positions of the openings 51 of the other rows excluding the rows N1 and N20 of the opening block 50 of the column M8 are: It is shifted in the direction opposite to the scanning direction by a distance corresponding to twice the pitch of the openings 51.
  • the position of the opening 51 is shifted in a direction parallel to the scanning direction.
  • the position of the Nth opening 51 including the opening 51 from the endmost opening 51 (for example, the opening 51 in the row N1) in the column direction of the second opening block is in a direction parallel to the scanning direction. It's off.
  • each of the openings 51 in the other rows except for the rows N1 and N20 is an opening 51 (Nth opening 51) whose position is shifted.
  • the direction parallel to the scan direction includes not only the scan direction but also the reverse direction of the scan direction (a direction different from the scan direction by 180 °).
  • the arrangement of the openings 51 along the direction orthogonal to the scanning direction can be prevented from being uniform, and the irradiation position can be varied at the timing when the laser light is irradiated.
  • the display unevenness is intentionally generated by causing a difference in the characteristics of the semiconductor layer in the region on the substrate scanned by one scan, so that the display unevenness at the mask joint boundary can be made inconspicuous. As a result, display unevenness at the mask joint boundary can be reduced.
  • FIG. 15 is a schematic diagram showing an eighth example of the arrangement of the openings 51 of the mask 30 of the present embodiment.
  • the position of the opening 51 of the opening block 50 in the column M2 and the position of the opening 51 of the opening block 50 in the column M3 are the positions of the opening 51 (what number row).
  • the deviation in the direction parallel to the scanning direction differs depending on the case.
  • the positions of the openings 51 from the rows N1 to N5 of the opening block 50 of the column M2 and the positions of the openings 51 from the rows N1 to N5 of the opening block 50 of the column M3 are in a direction parallel to the scanning direction. It is not shifted.
  • the positions of the openings 51 from the rows N6 to N10 of the opening block 50 in the column M2 and the positions of the openings 51 from the rows N7 to N11 in the opening block 50 in the column M3 are scanned by the pitch of the openings 51. It is shifted in a direction parallel to the direction.
  • the positions of the openings 51 from the rows N11 to N13 of the opening block 50 in the column M2 and the positions of the openings 51 from the rows N13 to N15 in the opening block 50 in the column M3 are 2 pitches of the openings 51. It is shifted in the direction parallel to the scanning direction by a factor of two.
  • the positions of the openings 51 from the rows N14 to N15 of the opening block 50 in the column M2 and the positions of the openings 51 from the rows N17 to N18 in the opening block 50 in the column M3 are 3 pitches of the openings 51. It is shifted in the direction parallel to the scanning direction by a factor of two.
  • the arbitrary N-th opening 51 whose position of the opening 51 is shifted is the sixth to fifteenth in both the opening blocks 50 of the rows M ⁇ b> 2 and M ⁇ b> 3. Opening 51 is formed. Since the opening blocks 50 in other rows are the same, the description thereof is omitted.
  • the arrangement of the openings 51 along the direction orthogonal to the scanning direction can be made uniform, and the irradiation position varies at the timing when the laser light is irradiated.
  • the display unevenness is intentionally generated by causing a difference in the characteristics of the semiconductor layer in the region on the substrate scanned by a single scan, so that the display unevenness at the mask joint boundary is inconspicuous. As a result, display unevenness at the mask joint boundary can be reduced.
  • FIG. 16 is a flowchart showing an example of a laser annealing method using the laser annealing apparatus 100 of the present embodiment.
  • the laser annealing apparatus 100 is referred to as an apparatus 100 for the sake of simplicity.
  • the apparatus 100 sets the mask 30 at a predetermined position (S11), and moves the substrate 10 at a constant speed in the scanning direction (S12).
  • the laser light source 70 irradiates the laser beam at a time interval when the irradiation position of the substrate 10 reaches a position corresponding to the opening 51 of the mask 30 (S13).
  • the apparatus 100 determines whether or not the substrate 10 has been moved to the final position in the scanning direction (S14). If the substrate 10 has not been moved to the final position (NO in S14), the processing from step S12 is repeated. When the substrate 10 is moved to the final position in the scanning direction (YES in S14), the apparatus 100 determines whether or not the laser light irradiation of a predetermined area of the substrate 10 is completed (S15).
  • the apparatus 100 moves the mask 30 by a predetermined distance (a dimension L in the lateral direction of the mask 30) in a direction orthogonal to the scanning direction. (S16), the process after step S12 is repeated. In the process of step S16, the substrate 10 may be moved instead of the mask 30.
  • the apparatus 100 ends the process.
  • the configuration is such that the substrate 10 is moved (conveyed) in the scanning direction.
  • the present invention is not limited to this, and the substrate 10 is fixed and the mask 30 (including the optical system 60 is included). May be moved in the scanning direction.
  • the irradiation position can be varied at the timing when the laser beam is irradiated, and a difference in the characteristics of the semiconductor layer occurs in the region on the substrate scanned by one scan. Since the display unevenness is intentionally generated, the display unevenness at the mask joint boundary can be made inconspicuous, and as a result, the display unevenness at the mask joint boundary can be reduced.
  • the characteristics of the semiconductor layer vary between the mask center and the boundary between the masks.
  • Can be connected the area where the characteristic deviation within the allowable range is generated can be enlarged
  • the display unevenness surface misalignment unevenness
  • the mask joint boundary single location
  • the number of rows of opening blocks arranged in one mask and the number of openings included in one opening block are not limited to those shown in the figure, and can be changed as appropriate.
  • the shape of the opening 51 is a rectangular shape, but is not limited to a rectangular shape, and may be an elliptical shape, for example. Further, circular or rectangular cutouts may be provided at the four corners of the rectangular opening 51. Thereby, the irradiation amount of the laser light near the four corners of the opening 51 can be slightly increased, and the shape of the region irradiated with the laser light can be made rectangular.
  • This embodiment can be applied not only to a TFT using a silicon semiconductor but also to a TFT using an oxide semiconductor.
  • the laser annealing apparatus includes a mask in which a plurality of opening blocks including a plurality of openings arranged in a column direction parallel to the scanning direction are arranged in a row direction perpendicular to the scanning direction, A process of moving at least one of the mask and the substrate along a direction parallel to the scanning direction and irradiating a plurality of predetermined regions of the substrate with laser light through the plurality of openings is performed on the mask and the substrate.
  • the laser annealing method according to the present embodiment is a laser annealing method using the laser annealing apparatus according to the present embodiment, and moves at least one of the substrate and the mask along a direction parallel to the scanning direction. Irradiating the substrate with laser light through the plurality of openings, and the step is performed each time at least one of the mask and the substrate is moved to a predetermined position in a direction orthogonal to the scanning direction.
  • the mask according to the present embodiment is a mask in which a plurality of opening blocks including a plurality of openings arranged in a column direction parallel to the scanning direction are arranged side by side in a row direction orthogonal to the scanning direction, and are adjacent to each other. At least one set of two opening blocks has an opening position of one first opening block of the set and an opening position of the other second opening block of the set in the scanning direction. Is shifted in the direction parallel to
  • a plurality of opening blocks including a plurality of openings arranged in a column direction parallel to the scanning direction are arranged in a row direction orthogonal to the scanning direction.
  • the dimension in the direction parallel to the scanning direction of the mask is W
  • the dimension in the direction orthogonal to the scanning direction is L
  • the number of opening blocks is M
  • the dimension in the column direction of the opening blocks is x
  • the row direction For the sake of convenience, it is possible to set W ⁇ x and L ⁇ M ⁇ y.
  • the opening block includes a plurality of openings, not only in a state where the openings are occupied by openings arranged at equal intervals from one end of the opening block in the column direction to the other end, but also along the column direction. A state where a portion not occupied by the opening (that is, a portion where no opening exists) is also included.
  • At least one set of two adjacent opening blocks is scanned by the position of the opening of one first opening block of the set and the position of the opening of the other second opening block of the set. It is shifted in a direction parallel to the direction.
  • the two adjacent opening blocks may be all two adjacent opening blocks of the plurality of opening blocks arranged in the row direction, or two adjacent two opening blocks arranged in the row direction. It may be an opening block.
  • the openings of the first opening block and the second opening block may be all openings included in each opening block, or may be a part of the openings.
  • the arrangement of the opening along the direction orthogonal to the scanning direction is arranged. Can be made uniform (previously it was uniform).
  • the irradiation position can be varied at the timing of irradiation with the laser beam, and the difference in characteristics of the semiconductor layer is caused in the region on the substrate scanned by one scan, thereby causing display unevenness. Since it is intentionally generated, display unevenness at the mask joint boundary can be made inconspicuous, and as a result, display unevenness at the mask joint boundary can be reduced.
  • the laser annealing apparatus includes the second opening with respect to the position of the Nth opening from at least one end side of the plurality of openings arranged in the column direction of the first opening block.
  • the position of the Nth opening from the one end side is shifted in a direction parallel to the scan direction by a predetermined distance.
  • N is an integer from 1 to the total number of openings included in the opening block.
  • N is an integer from 1 to the total number of openings included in the opening block.
  • the opening on one end side in the column direction of the opening block can be an opening on one end side among the openings on both ends of the plurality of openings arranged in the column direction.
  • Arbitrary Nth may be all the openings of a plurality of openings arranged in the column direction, or may be a part of the openings.
  • the direction parallel to the scan direction includes not only the scan direction but also the reverse direction of the scan direction (a direction different from the scan direction by 180 °).
  • the arrangement of the openings along the direction orthogonal to the scanning direction can be prevented from being uniform, and the irradiation position can be varied at the timing when the laser light is irradiated. Since the display unevenness is intentionally generated by causing a difference in the characteristics of the semiconductor layer in the region on the substrate scanned by the multiple scans, the display unevenness at the mask joint boundary can be made inconspicuous, and as a result Display unevenness at the mask joint boundary can be reduced.
  • the position of the Nth opening of the second opening block is different from the position of the Nth opening of the first opening block in the scan direction.
  • the third opening block is different from the first opening group adjacent to the second opening block with respect to the position of the Nth opening of the second opening block.
  • the position of the Nth opening from the one end side is shifted in the direction opposite to the scan direction.
  • the position of the Nth opening of the second opening block is shifted in the scanning direction with respect to the position of the Nth opening of the first opening block.
  • the position of the Nth opening of the third opening block adjacent to the second opening block and different from the first opening group is scanned with respect to the position of the Nth opening of the second opening block.
  • the direction is shifted in the opposite direction.
  • the first opening block, the second opening block, and the third opening block are arranged in this order along the row direction.
  • the 1st to nth openings of the first opening block and the 1st to nth openings of the second opening block are shifted in the scanning direction.
  • the 1st to nth openings of the second opening block and the 1st to nth openings of the third opening block are shifted in the direction opposite to the scanning direction.
  • the position of the opening can be alternately shifted in the scanning direction and the scanning direction.
  • a plurality of sets of the first opening block and the second opening block are arranged in the row direction.
  • a plurality of sets of first opening blocks and second opening blocks are arranged in the row direction. Thereby, the arrangement of the openings along the direction orthogonal to the scanning direction can be shifted at a plurality of locations in the row direction.
  • the position of the Nth opening of the second opening block on the other side in the row direction in the first set is shifted in the scanning direction with respect to the position of the Nth opening of the block.
  • the position of the Nth opening of the opening block is shifted in the direction opposite to the scanning direction.
  • the position of the Nth (1st to nth) opening of the second opening block on the other side in the row direction in the first set is shifted in the scanning direction.
  • the second opening block on the other side in the row direction in the second set with respect to the position of the Nth (1st to nth) opening in the first opening block on the one side in the row direction in the second set The position of the Nth (1st to nth) opening is shifted in the direction opposite to the scanning direction.
  • the arrangement of the openings along the direction orthogonal to the scanning direction can be shifted at a plurality of locations in the row direction, and the mask size can be compared with the case where the positions of the openings are shifted only in the scanning direction. (Dimension W in the direction parallel to the scanning direction) can be reduced.
  • the laser annealing apparatus includes a plurality of the first opening block or the second opening block between two adjacent sets of the first opening block and the second opening block.
  • One or a plurality of fourth opening blocks including a plurality of openings whose positions are not shifted in the direction parallel to the scanning direction with respect to the positions of the openings are arranged in the row direction.
  • One or a plurality of fourth opening blocks including a plurality of openings whose positions are not shifted are arranged in the row direction. That is, the position of each opening of the fourth opening block is not shifted from the position of each opening of the first opening block or the second opening block.
  • the number of fourth opening blocks arranged in the row direction can be determined as appropriate.
  • the predetermined distance is long as the position of the first opening block and the second opening block in the row direction changes from the center to the end side of the mask.
  • the predetermined distance (the dimension of the shift in the direction parallel to the scanning direction of the opening position) is long . That is, the shift of the position of each opening of the first opening block and the second opening block is made larger toward the end than the center of the mask. Thereby, the influence of the shift of the irradiation position and the shift of the irradiation timing can be gradually increased toward the edge of the mask, and the display unevenness at the mask joint boundary can be made inconspicuous.
  • the number of the fourth opening blocks arranged in the row direction is small as it goes from the center of the mask to the end side.
  • the number of the fourth opening blocks arranged in the row direction is small according to the end from the center of the mask.
  • the degree of uniform arrangement of the openings along the direction orthogonal to the scanning direction is reduced. This corresponds to increasing the frequency of deviation in the scanning direction of the opening along the direction orthogonal to the scanning direction.
  • the laser annealing apparatus includes one or more of the first set of the first opening block and the second opening block, and one or more of the second set of the first opening blocks.
  • the opening block and the second opening block are repeatedly arranged in the row direction.
  • One or more first sets of first opening blocks and second opening blocks and one or more second sets of first opening blocks and second opening blocks are repeatedly arranged in the row direction. It is. That is, one or a plurality of first opening blocks and second opening blocks of the first set in which the displacement of the position of each opening is directed in the scanning direction from the center of the mask toward the end, and then, One or a plurality of second aperture blocks and second aperture blocks in the second set in which the displacement of the positions of the apertures is in the direction opposite to the scanning direction are periodically repeated. Thereby, the arrangement of the openings along the direction orthogonal to the scanning direction can be prevented from being uniform.
  • the predetermined distance is a distance that is an integral multiple of the pitch of the openings.
  • the predetermined distance is a distance that is an integral multiple of the pitch of the openings.
  • the position of the first opening (one-end-side opening) of the second opening block is the position of the first opening (one-end-side opening) of the first opening block. Is shifted in a direction parallel to the scan direction by a distance that is an integral multiple of the pitch of.
  • the position of the second opening of the second opening block is a distance that is an integral multiple of the pitch of the opening with respect to the position of the second opening of the first opening block (for example, the first openings (The same distance as the displacement of the position) is shifted in the direction parallel to the scanning direction.
  • the total number of openings included in the opening block is n, the positions of the third to nth openings are the same.
  • the arrangement of the openings along the direction orthogonal to the scan direction can be shifted in stages, and the irradiation position can be varied at the timing when the laser beam is irradiated.
  • Display unevenness can be intentionally generated by causing a difference in characteristics of the semiconductor layer in the region on the substrate scanned by scanning. Accordingly, display unevenness at the mask joint boundary can be made inconspicuous, and as a result, display unevenness at the mask joint boundary can be reduced.

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Abstract

マスク継ぎ境界での表示ムラを低減することができるレーザーアニール装置、レーザーアニール方法及びマスクを提供する。　レーザーアニール装置は、スキャン方向と平行な列方向に並ぶ複数の開口部を含む開口ブロックが、スキャン方向と直交する行方向に複数並んで配置されたマスクを備え、マスク及び基板の少なくとも一方をスキャン方向と平行な方向に沿って移動させ、複数の開口部を介してレーザー光を基板の複数の所定領域に照射する処理を、マスク及び基板の少なくとも一方をスキャン方向と直交する方向の所定位置へ移動させる都度行うレーザーアニール装置であって、隣り合う二つの開口ブロックからなる少なくとも一つの組は、該組の一方の第１の開口ブロックの開口部の位置と、該組の他方の第２の開口ブロックの開口部の位置とが、スキャン方向と平行な方向にずれている。

Description

レーザーアニール装置、レーザーアニール方法及びマスク
　本発明は、レーザーアニール装置、レーザーアニール方法及びマスクに関する。
　ＴＦＴ（Thin Film Transistor：薄膜トランジスタ）方式の液晶ディスプレイは、ＴＦＴ基板とＲ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の色を有するカラーフィルタ基板とを所要の隙間を設けて貼り合わせ、ＴＦＴ基板とカラーフィルタ基板との間に液晶を注入し、液晶分子による光の透過率を画素毎に制御することにより、映像を表示することができる。
　ＴＦＴ基板には、データ線及び走査線が縦横方向に格子状に配線され、データ線と走査線とが交差する箇所に画素を形成してある。画素は、ＴＦＴ、画素電極、対向電極、および画素電極と対向電極との間に介在する液晶層によって構成される。また、複数の画素で構成される表示領域の周囲には、ＴＦＴで構成されデータ線及び走査線を駆動する駆動回路を形成してある。
　ＴＦＴとしては、例えば、シリコン半導体を用いたアモルファスシリコン（非晶質、a-Si）ＴＦＴ、半導体層をポリシリコン（多結晶、ｐ－Si）とした低温ポリシリコンＴＦＴなどの開発が行われている。ａ－ＳｉＴＦＴは、抵抗が高く漏れ電流（リーク電流）が小さい。また、ｐ－ＳｉＴＦＴは、ａ－ＳｉＴＦＴに比べて電子の移動度が格段に大きい。
　アモルファスシリコン層にレーザー光を照射してアニール処理をすることによりポリシリコン層にすることができる。例えば、レーザー光源から出射されたレーザー光をレンズ群により平行ビームに成形し、成形した平行ビームを開口部が形成されたマスク及びマイクロレンズアレイを介して基板に照射するレーザーアニール装置がある。このようなレーザーアニール装置では、マスクにはスキャン方向及びスキャン方向と直交する方向に沿ってマトリクス状に複数の開口部が配置され、マスク又は基板を画素のピッチだけスキャン方向に移動させる都度、レーザー光を照射することにより、１サイクルのスキャンで基板の所要箇所（照射領域）にはスキャン方向に並ぶ開口部の数に等しい回数だけレーザー光を照射することができる。１サイクルのスキャンが終了すると、マスク又は基板を次のサイクルのスキャンの開始位置に移動させて次のサイクルのスキャンを行う（特許文献１参照）。
特許第５４７０５１９号公報
　図１７は従来のレーザーアニール装置に用いられるマスクの構成及びスキャンのサイクルとマスクの位置との関係を示す模式図である。図１７に示すように、マスクは、スキャン方向及びスキャン方向と直交する方向に沿ってマトリクス状に複数の開口部が配置されている。図１７の例では、スキャン方向に沿って１０個の開口部が並んでいる。また、スキャン方向と直交する方向には、１０個の開口部で構成される開口部列が所要の数だけ並んで配置されている。左側のマスクは、例えば、１回目のスキャンでのマスクの位置を示し、右側のマスクは、次のサイクルである、２回目のスキャンでのマスクの位置を示す。マスクの位置は、各サイクルのスキャンの開始位置でもよく、あるいはスキャンの開始位置から任意の距離だけスキャン方向に移動した位置であってもよい。
　１回目のスキャンにおいては、マスク内の各開口部（例えば、スキャン方向と直交する方向に並ぶ各開口部）でのレーザー光の照射位置のずれ及び照射タイミングのずれは同じである。同様に、２回目のスキャンにおいては、マスク内の各開口部（例えば、スキャン方向と直交する方向に並ぶ各開口部）でのレーザー光の照射位置のずれ及び照射タイミングのずれは同じである。しかし、１回目のスキャンでのレーザー光の照射位置のずれ及び照射タイミングのずれと、２回目のスキャンでのレーザー光の照射位置のずれ及び照射タイミングのずれとは異なる。すなわち、マスク内では照射条件（例えば、照射位置及び照射タイミングなど）は一律であるが、１回目のスキャンと２回目のスキャンとで隣接するマスク間では、スキャン方向に並ぶ開口部の数（すなわち、照射回数）の分だけ照射位置のずれ及び照射タイミングのずれの影響を受ける。
　図１８は従来のレーザーアニール装置によるレーザー光の照射領域に対応する表示領域の状態を示す模式図である。図１８において、左側の矩形は１回目のスキャンでの照射領域に対応する表示領域を示し、右側の矩形は２回目のスキャンでの照射領域に対応する表示領域を示す。図１８に示すように、１回目のスキャンと２回目のスキャンとの間で、照射位置のずれ及び照射タイミングのずれの影響が生じるため、半導体層の特性の差が生じ、スキャンの境界部（マスク継ぎ境界とも称する）に表示ムラが発生する。
　本発明は斯かる事情に鑑みてなされたものであり、マスク継ぎ境界での表示ムラを低減することができるレーザーアニール装置、レーザーアニール方法及び前記レーザーアニール装置を構成するマスクを提供することを目的とする。
　本発明の実施の形態に係るレーザーアニール装置は、スキャン方向と平行な列方向に並ぶ複数の開口部を含む開口ブロックが、前記スキャン方向と直交する行方向に複数並んで配置されたマスクを備え、該マスク及び基板の少なくとも一方を前記スキャン方向と平行な方向に沿って移動させ、前記複数の開口部を介してレーザー光を前記基板の複数の所定領域に照射する処理を、前記マスク及び前記基板の少なくとも一方を前記スキャン方向と直交する方向の所定位置へ移動させる都度行うレーザーアニール装置であって、隣り合う二つの開口ブロックからなる少なくとも一つの組は、該組の一方の第１の開口ブロックの開口部の位置と、該組の他方の第２の開口ブロックの開口部の位置とが、前記スキャン方向と平行な方向にずれている。
　本発明の実施の形態に係るレーザーアニール方法は、本発明の実施の形態に係るレーザーアニール装置を用いるレーザーアニール方法であって、前記基板及び前記マスクの少なくとも一方を前記スキャン方向と平行な方向に沿って移動させて前記複数の開口部を介してレーザー光を前記基板に照射するステップを含み、該ステップを前記マスク及び前記基板の少なくとも一方を前記スキャン方向と直交する方向の所定位置へ移動させる都度行う。
　本発明の実施の形態に係るマスクは、スキャン方向と平行な列方向に並ぶ複数の開口部を含む開口ブロックが、前記スキャン方向と直交する行方向に複数並んで配置されたマスクであって、隣り合う二つの開口ブロックからなる少なくとも一つの組は、該組の一方の第１の開口ブロックの開口部の位置と、該組の他方の第２の開口ブロックの開口部の位置とが、前記スキャン方向と平行な方向にずれている。
　本発明によれば、マスク継ぎ境界での表示ムラを低減することができる。
本実施の形態のレーザーアニール装置の構成の一例を示す模式図である。 本実施の形態のマスクの構成の一例を示す平面視の模式図である。 本実施の形態の開口部及びマイクロレンズの位置関係を示す模式図である。 本実施の形態のレーザーアニール装置による基板のスキャンの一例を示す模式図である。 本実施の形態のレーザーアニール装置による基板のスキャンの一例を示す模式図である。 本実施の形態のレーザーアニール装置による基板のスキャンの一例を示す模式図である。 本実施の形態のレーザーアニール装置による基板のスキャンの一例を示す模式図である。 本実施の形態のマスクの開口部の構成の一例を示す模式図である。 本実施の形態のレーザーアニール装置によるレーザー光の照射領域に対応する表示領域の状態を示す模式図である。 本実施の形態のマスクの開口部の配置の第１例を示す模式図である。 本実施の形態のマスクによるマスク継ぎ境界を含む表示領域の表示ムラ低減の様子の一例を示す模式図である。 本実施の形態のマスクの開口部の配置の第２例を示す模式図である。 本実施の形態のマスクの開口部の配置の第３例を示す模式図である。 本実施の形態のマスクの開口部の配置の第４例を示す模式図である。 本実施の形態のマスクの開口部の配置の第５例を示す模式図である。 本実施の形態のマスクの開口部の配置の第６例を示す模式図である。 本実施の形態のマスクの開口部の配置の第７例を示す模式図である。 本実施の形態のマスクの開口部の配置の第８例を示す模式図である。 本実施の形態のレーザーアニール装置を用いたレーザーアニール方法の一例を示すフローチャートである。 従来のレーザーアニール装置に用いられるマスクの構成及びスキャンのサイクルとマスクの位置との関係を示す模式図である。 従来のレーザーアニール装置によるレーザー光の照射領域に対応する表示領域の状態を示す模式図である。
　以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。図１は本実施の形態のレーザーアニール装置１００の構成の一例を示す模式図である。本実施の形態のレーザーアニール装置１００は、レーザー光を出射するレーザー光源７０、レーザー光源７０から出射されたレーザー光を平行ビームに成形するためのレンズ群を含む光学系６０、後述の開口部及びマイクロレンズがアレイ状に配置されたマスク（遮光板）３０などを備える。
　光学系６０で成形された平行ビームは、マスク３０に設けられた開口部及びマイクロレンズを介して基板１０の所要箇所に部分的に照射される。また、基板１０は不図示の駆動機構により一定の速度で搬送される。レーザー光源７０は、基板１０の照射位置が開口部に対応する位置に到達する時間間隔でレーザー光を照射する。なお、レーザーアニール装置１００は、基板１０を移動させる構成に代えて、基板１０を固定しておき、マスク３０を移動させる構成であってもよい。以下では、基板１０を移動させる例について説明する。
　図２は本実施の形態のマスク３０の構成の一例を示す平面視の模式図である。マスク３０のスキャン方向と平行な方向（列方向とも称する）の寸法をＷとし、スキャン方向と直交する方向（行方向とも称する）の寸法をＬとする。マスク３０には、スキャン方向と平行な方向及びスキャン方向と直交する方向に行列状に等間隔でアレイ状にマイクロレンズ２１が設けられている。
　マスク３０の列方向の寸法Ｗは、例えば、約５ｍｍとすることができ、行方向の寸法Ｌは、約３７ｍｍとすることができるが、各寸法はこれらの数値に限定されない。マイクロレンズ２１は、スキャン方向と平行な方向（列方向）に所定個数（図２の例では２０個）等間隔で並べてある。１個のマイクロレンズ２１には、１個の開口部５１が配置される。なお、図２の例では、マイクロレンズ２１と開口部５１との位置関係を示すため、全てのマイクロレンズ２１に対応させて開口部５１が配置されているよう図示しているが、本実施の形態では、一部のマイクロレンズ２１に対応する位置に開口部５１を配置していない構成としている。
　図３は本実施の形態の開口部５１及びマイクロレンズ２１の位置関係を示す模式図である。図３は正面視での開口部５１及びマイクロレンズ２１の位置関係を示すとともに、平面視で開口部５１の位置を当該開口部５１に対応するマイクロレンズ２１の位置を基準にして示す。図３に示すように、マスク３０は、複数の開口部５１及びマイクロレンズ（レンズ）２１を有する。なお、マイクロレンズ２１は、開口部５１に対応して透明基板２０上に形成されており、透明基板２０とマスク３０とは一体的になっている。また、平面視が円形のマイクロレンズ２１の中心と矩形状の開口部５１の中心とが略一致するように開口部５１を配置してある。また、マスク３０とマイクロレンズ２１の入射面とは、適長離隔して配置されている。マイクロレンズ２１の最大サイズ（平面視の円形の直径）は、例えば、１５０μｍ～４００μｍ程度とすることができるが、これらの数値に限定されない。複数形成されたマイクロレンズ２１をマイクロレンズアレイとも称する。
　前述の光学系６０で成形された平行ビームがマスク３０の開口部５１に照射されると、開口部５１を通過したレーザー光は、マイクロレンズ２１で集光され、集光されたレーザー光が、複数の開口部５１（すなわち、マイクロレンズ２１）それぞれに対応して基板１０上の所要箇所に部分的に照射される。
　図４Ａ、図４Ｂ、図４Ｃ及び図４Ｄは本実施の形態のレーザーアニール装置１００による基板１０のスキャンの一例を示す模式図である。図４Ａは、マスク３０が所定位置（例えば、１回目のスキャンの開始位置）にセットされた状態を示し、基板１０のスキャン方向の移動が開始される前の状態を示す。レーザーアニール装置１００は、図４Ａに示す状態から、基板１０をスキャン方向に一定の速度で移動させる。レーザー光源７０は、基板１０の照射位置が開口部５１に対応する位置に到達する時間間隔でレーザー光を照射する。スキャン方向と平行な方向に所定数の開口部５１が並んだマスクを用いた場合、基板１０の同じ個所（照射領域）には、所定数の回数だけレーザー光が照射されることになる。
　図４Ｂは、基板１０を一定の速度で移動させて、スキャン方向の最終位置まで（距離Ｚだけ）移動した状態を示す。これにより、１回目のスキャンが終了する。
　図４Ｃは、基板１０を移動させることにより、マスク３０が２回目のスキャンの開始位置にセットされた状態を示す。１回目のスキャンによって、基板１０の照射領域Ｓの範囲内の各所要箇所には、レーザー光が所定回数だけ照射された状態となっている。
　図４Ｄは、基板１０を一定の速度で移動させて、スキャン方向の最終位置まで（距離Ｚだけ）移動した状態を示す。これにより、２回目のスキャンが終了する。図４Ｄに示すように、１回目のスキャンが行われた領域と２回目のスキャンが行われた領域とは、スキャン方向と平行な方向の境界を間にして繋がっている。なお、図中、便宜上２回のスキャンだけを例示しているが、実際にはさらに多くの回数のスキャンが行われる。なお、図中、基板１０のサイズとマスク３０のサイズを同程度に図示しているが、実際には基板１０のサイズは、マスク３０のサイズよりも遥かに大きい。
　次に、本実施の形態のマスク３０の詳細について説明する。
　図５は本実施の形態のマスク３０の開口部５１の構成の一例を示す模式図である。以下の説明では、便宜上、マスク３０を、スキャン方向と直交する方向の中央で区切り、マスク３０の中央から一方の端まで（例えば、右半分）を図示する。マスク３０の右半分に配置された各開口部５１と、左半分に配置された各開口部５１とは、マスク３０中央のスキャン方向と平行な線分を対称軸として線対称でもよく、あるいは、対称軸の中点を対称の中心とした点対称でもよい。
　なお、図５では、１回目のスキャンでのマスク３０の所定位置（例えば、スキャン開始の位置でもよく、スキャン開始位置から所定距離だけ移動した位置でもよい）と、２回目のスキャンでのマスク３０の所定位置とを示す。１回目のスキャンでのマスク３０は右半分を示し、２回目のスキャンでのマスク３０は左側の端部付近のみを図示している。１回目のスキャンでのマスク３０の右端と２回目のスキャンでのマスク３０の左端を繋ぐスキャン方向の線分がスキャンの境界部（マスク継ぎ境界）である。
　マスク３０は、スキャン方向と平行な列方向に並ぶ複数の開口部５１を含む開口ブロック５０が、スキャン方向と直交する行方向に複数並んで配置されている。開口ブロックは、列方向に並ぶ複数の開口部５１が配置され得るマスク３０上の区画である。図５では、開口ブロック５０は、破線で囲まれた部分であり、１０個の開口部５１を含む。例えば、マスク３０のスキャンの方向と平行な方向の寸法をＷとし、スキャン方向と直交する方向の寸法をＬとし、開口ブロック５０の数をＭとし、開口ブロック５０の列方向の寸法をｘとし、開口ブロック５０の行方向の寸法をｙとすると、便宜上、Ｗ≒ｘとすることができ、Ｌ≒Ｍ×ｙとすることができる。
　図５の例では、マスク３０の中央から一方の端部に向かって列Ｍ１、Ｍ２、…、Ｍ２１の２１個の開口ブロック５０が並んで配置されている。なお、開口ブロック５０の数は図５の例に限定されない。
　本明細書において、開口ブロック５０が、複数の開口部５１を含むとは、開口ブロック５０の列方向の一方の端から他の端まで、等間隔で並んだ開口部５１で占められている状態だけでなく、列方向に沿って開口部５１で占められていない部分（すなわち、開口部５１が存在しない部分）が存在する状態も含まれる。例えば、列Ｍ１の開口ブロック５０では、列方向の両端側には開口部５１が存在しない。
　列Ｍ４の開口ブロック５０と、列Ｍ５の開口ブロック５０とに注目すると、列Ｍ４の開口ブロック５０と、列Ｍ５の開口ブロック５０とは隣り合う二つの開口ブロックであり、列Ｍ４の開口ブロック５０の開口部５１の位置に対して、列Ｍ５の開口ブロック５０の開口部５１の位置は、スキャン方向にずれている。列Ｍ４の開口ブロック５０を第１の開口ブロックとすると、列Ｍ５の開口ブロック５０は第２の開口ブロックに相当する。
　より具体的には、列Ｍ４の開口ブロック５０の列方向の１０個の開口部５１（最端の開口部５１から当該開口部５１を含む１０番目までの開口部５１）の位置に対して、列Ｍ５の開口ブロック５０の列方向の１０個の開口部５１（最端の開口部５１から当該開口部５１を含む１０番目の開口部５１）の位置は、開口部５１のピッチに対応する距離だけスキャン方向にずれている（符号Ａ１）。
　列Ｍ１２の開口ブロック５０の列方向の１０個の開口部５１の位置に対して、列Ｍ１３の開口ブロック５０の列方向の１０個の開口部５１の位置は、開口部５１のピッチの３倍に対応する距離だけスキャン方向にずれている（符号Ａ３）。列Ｍ１２の開口ブロック５０を第１の開口ブロックとすると、列Ｍ１３の開口ブロック５０は第２の開口ブロックに相当する。
　列Ｍ１８の開口ブロック５０の列方向の１０個の開口部５１の位置に対して、列Ｍ１９の開口ブロック５０の列方向の１０個の開口部５１の位置は、開口部５１のピッチの５倍に対応する距離だけスキャン方向にずれている（符号Ａ５）。列Ｍ１８の開口ブロック５０を第１の開口ブロックとすると、列Ｍ１９の開口ブロック５０は第２の開口ブロックに相当する。
　列Ｍ８の開口ブロック５０と、列Ｍ９の開口ブロック５０とに注目すると、列Ｍ８の開口ブロック５０と、列Ｍ９の開口ブロック５０とは隣り合う二つの開口ブロックであり、列Ｍ８の開口ブロック５０の開口部５１の位置に対して、列Ｍ９の開口ブロック５０の開口部５１の位置は、開口部５１のピッチの２倍に対応する距離だけスキャン方向と逆方向にずれている（符号Ａ２）。列Ｍ８の開口ブロック５０を第１の開口ブロックとすると、列Ｍ９の開口ブロック５０は第２の開口ブロックに相当する。
　列Ｍ１５の開口ブロック５０の列方向の１０個の開口部５１の位置に対して、列Ｍ１６の開口ブロック５０の列方向の１０個の開口部５１の位置は、開口部５１のピッチの４倍に対応する距離だけスキャン方向と逆方向にずれている（符号Ａ４）。列Ｍ１５の開口ブロック５０を第１の開口ブロックとすると、列Ｍ１６の開口ブロック５０は第２の開口ブロックに相当する。
　なお、行方向に並んだ複数の開口ブロック５０の全ての隣り合う二つの開口ブロック５０について開口部５１の位置がずれていてもよく、あるいは行方向に並んだ複数の開口ブロック５０の一部の隣り合う二つの開口ブロック５０について開口部５１の位置がずれていてもよい。図５の例では、行方向に並んだ列Ｍ１からＭ２１の開口ブロック５０のうち、列Ｍ４及びＭ５の二つの開口ブロック５０、列Ｍ８及びＭ９の二つの開口ブロック５０、列Ｍ１２及びＭ１３の二つの開口ブロック５０、列Ｍ１５及びＭ１６の二つの開口ブロック５０、及び列Ｍ１８及びＭ１９の二つの開口ブロック５０のそれぞれについて開口部５１の位置がずれている。なお、図示していないが、列Ｍ４及びＭ５の二つの開口ブロック５０、列Ｍ８及びＭ９の二つの開口ブロック５０、列Ｍ１２及びＭ１３の二つの開口ブロック５０、列Ｍ１５及びＭ１６の二つの開口ブロック５０、及び列Ｍ１８及びＭ１９の二つの開口ブロック５０のそれぞれの組のうち、少なくとも一つの組の一方の開口ブロックの開口部の位置と、当該組の他方の開口ブロックの開口部の位置とが、スキャン方向と平行な方向にずれていればよい。
　また、第１の開口ブロック及び第２の開口ブロックそれぞれにおいて位置がずれる開口部５１は、各開口ブロックに含まれる全ての開口部５１でもよく、一部の開口部５１でもよい。図５の例では、第１の開口ブロック又は第２の開口ブロックに含まれる全ての開口部５１がスキャン方向と平行な方向にずれている。
　列Ｍ１からＭ３の開口ブロック５０の１０個の開口部５１の位置は、第１の開口ブロックとしての列Ｍ４の開口ブロック５０の１０個の開口部５１の位置に対して、スキャン方向と平行な方向にずれていない。列Ｍ１からＭ３の開口ブロック５０は第４の開口ブロックに相当する。
　列Ｍ６からＭ７の開口ブロック５０の１０個の開口部５１の位置は、第２の開口ブロックとしての列Ｍ５の開口ブロック５０又は第１の開口ブロックとしての列Ｍ８の開口ブロック５０の１０個の開口部５１の位置に対して、スキャン方向と平行な方向にずれていない。列Ｍ６からＭ７の開口ブロック５０は第４の開口ブロックに相当する。列Ｍ１０からＭ１１の開口ブロック５０、列Ｍ１７の開口ブロック５０、列Ｍ２０からＭ２１の開口ブロック５０も同様に第４の開口ブロックに相当する。
　図５に示すように、第１の開口ブロックの開口部５１の位置と、第２の開口ブロックの開口部５１の位置とが、スキャン方向と平行な方向にずれているので、スキャン方向と直交する方向に沿った開口部５１の並びが一律とならないようにすることができる（図１７に示すような従来のマスクでは一律であった）。
　図６は本実施の形態のレーザーアニール装置１００によるレーザー光の照射領域に対応する表示領域の状態を示す模式図である。図６において、左側の矩形は１回目のスキャンでの照射領域に対応する表示領域を示し、右側の矩形は２回目のスキャンでの照射領域に対応する表示領域を示す。図６に示すように、１回目のスキャンにおいて、レーザー光が照射されるタイミング毎に、スキャン方向と直交する方向に沿った照射位置がばらつくので、スキャン方向と直交する方向に沿った半導体層の特性の差を生じさせて表示ムラを意図的に発生させることができる。これにより、１回目のスキャンと２回目のスキャンとの境界部（マスク継ぎ境界）での表示ムラを目立たなくすることができ、結果としてマスク継ぎ境界での表示ムラを低減することが可能となる。
　次に、本実施の形態のマスク３０の開口部５１の配置例について説明する。
　図７は本実施の形態のマスク３０の開口部５１の配置の第１例を示す模式図である。便宜上、マスク３０を、スキャン方向と直交する方向の中央で区切り、マスク３０の中央から一方の端まで（例えば、右半分）を図示する。以下では、マスク３０の半分について説明する。マスク３０には、列Ｍ１からＭ２４までの２４個の開口ブロック５０が、スキャン方向と直交する行方向に並んでいる。マスク３０のスキャン方向と平行な方向に沿って、行Ｎ１からＮ２０までの２０個の不図示のマイクロレンズが並んで配置されている。各開口ブロック５０の各開口部５１は、行Ｎ１からＮ２０までの２０個のマイクロレンズのうち、所要の１５個のマイクロレンズに対応させて配置されている。
　列Ｍ４の開口ブロック５０の１５個の開口部５１の位置に対して、列Ｍ５の開口ブロック５０の１５個の開口部５１の位置は、開口部５１のピッチに相当する距離だけスキャン方向にずれている。列Ｍ８の開口ブロック５０の開口部５１の位置に対する、列Ｍ９の開口ブロック５０の開口部５１の位置も同様であり、列Ｍ１２の開口ブロック５０の開口部５１の位置に対する、列Ｍ１３の開口ブロック５０の開口部５１の位置、列Ｍ１６の開口ブロック５０の開口部５１の位置に対する、列Ｍ１７の開口ブロック５０の開口部５１の位置、及び列Ｍ２０の開口ブロック５０の開口部５１の位置に対する、列Ｍ２１の開口ブロック５０の開口部５１の位置も同様である。
　また、列Ｍ１からＭ３までの開口ブロック５０の１５個の開口部５１の位置は、スキャン方向と平行な方向にずれていない。列Ｍ６及びＭ７の開口部群５０の１５個の開口部５１の位置は、スキャン方向と平行な方向にずれていない。列Ｍ１０及びＭ１１の開口ブロック５０の１５個の開口部５１の位置は、スキャン方向と平行な方向にずれていない。列Ｍ１４及びＭ１５の開口ブロック５０の１５個の開口部５１の位置は、スキャン方向と平行な方向にずれていない。列Ｍ１８及びＭ１９の開口ブロック５０の１５個の開口部５１の位置は、スキャン方向と平行な方向にずれていない。列Ｍ２２、Ｍ２３及びＭ２４の開口ブロック５０の１５個の開口部５１の位置は、スキャン方向と平行な方向にずれていない。列Ｍ１からＭ３まで、列Ｍ６、Ｍ７、Ｍ１０、Ｍ１１、Ｍ１４、Ｍ１５、Ｍ１８、Ｍ１９、Ｍ２２、Ｍ２３及びＭ２４の開口ブロック５０は第４の開口ブロックに相当する。
　上述の構成により、スキャン方向と直交する方向に沿った開口部５１の並びを段階的にずらすことができ、レーザー光が照射されるタイミングで、照射位置にばらつきを生じさせることができ、一回のスキャンによってスキャンされる基板上の領域内で半導体層の特性の差を生じさせて表示ムラを意図的に発生させることができる。これにより、マスク継ぎ境界での表示ムラを目立たなくすることができ、結果としてマスク継ぎ境界での表示ムラを低減することができる。
　また、第１の開口ブロック及び第２の開口ブロックの組を行方向に複数（図７の例では、列Ｍ４及びＭ５、列Ｍ８及びＭ９、列Ｍ１２及びＭ１３、列Ｍ１６及びＭ１７、列Ｍ２０及びＭ２１の５組）配置してある。これにより、スキャン方向と直交する方向に沿った開口部５１の並びを行方向の複数の箇所でずらすことができる。
　図８は本実施の形態のマスク３０によるマスク継ぎ境界を含む表示領域の表示ムラ低減の様子の一例を示す模式図である。図８において、横軸はスキャン方向と直交する方向の位置を示し、縦軸は表示ムラの程度を表す評価値を示す。図８では、スキャンＳ回目、（Ｓ＋１）回目、（Ｓ＋２）回目の３回のスキャンが行われた場合の様子を示す。上段の図は、本実施の形態のマスク３０を用いた場合を示し、例えば、図７で例示した第１例、及び図９以降で示す後述の各例でも同様の傾向となる。なお、表示領域の場所が異なれば、評価値は、図８に示す評価値と同一とはならないが、同様の傾向は示す。下段の図は比較例としての従来のマスク（例えば、図１７の例）を用いた場合を示す。
　比較例の場合には、各スキャンにおいて、一回のスキャンによってスキャンされる基板上の領域内において、評価値は平坦であるものの、マスク継ぎ境界において、評価値が大きく変化している。このため、マスク継ぎ境界での表示ムラが顕著になる。
　一方、本実施の形態の場合には、各スキャンにおいて、一回のスキャンによってスキャンされる基板上の領域内において、評価値はばらつく。このため、マスク継ぎ境界において、評価値が変化しても、一回のスキャンによってスキャンされる基板上の領域内での評価値のばらつきによって、マスク継ぎ境界における評価値の変化が視認しにくくなり、結果としてマスク継ぎ境界での表示ムラを低減（緩和）することができる。
　隣り合う開口ブロック５０の開口部５１の位置を所定距離だけスキャン方向と平行な方向にずらすことにより、スキャン方向と直交する方向に沿った開口部５１の並びを段階的にずらすことができ、レーザー光が照射されるタイミングで、照射位置にばらつきを生じさせることができ、一回のスキャンによってスキャンされる基板上の領域内で半導体層の特性の差を生じさせて表示ムラを意図的に発生させることができる。これにより、マスク継ぎ境界での表示ムラを目立たなくすることができ、結果としてマスク継ぎ境界での表示ムラを低減することができる。
　また、開口部５１の位置がスキャン方向と平行な方向にずれない第４の開口ブロックを行方向に１又は複数配置することにより、スキャン方向と直交する方向に沿った開口部５１の並びを行方向に沿って適長だけ一律とすることができ、レーザー光が照射されるタイミングで、照射位置にばらつきを生じさせる程度を調整することができる。
　図９は本実施の形態のマスク３０の開口部５１の配置の第２例を示す模式図である。図９に示すように、列Ｍ６の開口ブロック５０の１４個の開口部５１の位置に対して、列Ｍ７の開口ブロック５０の１４個の開口部５１の位置は、開口部５１のピッチに相当する距離だけスキャン方向にずれている。また、列Ｍ１２の開口ブロック５０の１４個の開口部５１の位置に対して、列Ｍ１３の開口ブロック５０の１４個の開口部５１の位置は、開口部５１のピッチの２倍に相当する距離だけスキャン方向にずれている。また、列Ｍ１８の開口ブロック５０の１４個の開口部５１の位置に対して、列Ｍ１９の開口ブロック５０の１４個の開口部５１の位置は、開口部５１のピッチの３倍に相当する距離だけスキャン方向にずれている。
　上述のように、第１の開口ブロック及び第２の開口ブロックの行方向の位置がマスク３０の中央から端側になるに応じて、所定距離（開口部５０の位置のスキャン方向と平行な方向のずれの寸法）を長くすることができる。すなわち、第１の開口ブロック及び第２の開口ブロックの各開口部５０の位置のずれをマスク３０の中央よりも端部に向かって大きくすることができる。
　これにより、照射位置のずれ及び照射タイミングのずれの影響をマスク３０の端部に向かうにつれて徐々に大きくすることができ、マスク継ぎ境界での表示ムラを目立たなくすることができる。
　図１０は本実施の形態のマスク３０の開口部５１の配置の第３例を示す模式図である。図１０に示すように、列Ｍ４の開口ブロック５０の１５個の開口部５１の位置に対して、列Ｍ５の開口ブロック５０の１５個の開口部５１の位置は、開口部５１のピッチに相当する距離だけスキャン方向にずれている。また、列Ｍ８の開口ブロック５０の１５個の開口部５１の位置に対して、列Ｍ９の開口ブロック５０の１５個の開口部５１の位置は、開口部５１のピッチの２倍に相当する距離だけスキャン方向と逆方向にずれている。また、列Ｍ１２の開口ブロック５０の１５個の開口部５１の位置に対して、列Ｍ１３の開口ブロック５０の１５個の開口部５１の位置は、開口部５１のピッチの３倍に相当する距離だけスキャン方向にずれている。また、列Ｍ１６の開口ブロック５０の１５個の開口部５１の位置に対して、列Ｍ１７の開口ブロック５０の１５個の開口部５１の位置は、開口部５１のピッチの４倍に相当する距離だけスキャン方向と逆方向にずれている。また、列Ｍ２０の開口ブロック５０の１５個の開口部５１の位置に対して、列Ｍ２１の開口ブロック５０の１５個の開口部５１の位置は、開口部５１のピッチの５倍に相当する距離だけスキャン方向にずれている。
　上述のように、第１の開口ブロック及び第２の開口ブロックの隣り合う二つの組のうち、第１の組（図１０の例では、列Ｍ４及びＭ５、列Ｍ１２及びＭ１３、列Ｍ２０及びＭ２１の３組）の第１の開口ブロックのＮ番目（１からｎ番目）の開口部５１の位置に対して、第１の組の第２の開口ブロックのＮ番目（１からｎ番目）の開口部５１の位置が、開口部５１のピッチの整数倍だけスキャン方向にずれている。
　また、第２の組（図１０の例では、列Ｍ８及びＭ９、列Ｍ１６及びＭ１７の２組）の第１の開口ブロックのＮ番目（１からｎ番目）の開口部５１の位置に対して、第２の組の第２の開口ブロックのＮ番目（１からｎ番目）の開口部５１の位置が、開口部５１のピッチの整数倍だけスキャン方向と逆方向にずれている。
　上述のように、スキャン方向だけでなく、スキャン方向と１８０°異なる方向にも開口部５１の位置をずらすことにより、開口部５１のずらす距離の最大値が同一とすれば、開口部５１の位置をスキャン方向だけにずらす場合に比べて、マスクのサイズ（スキャン方向と平行な方向の寸法Ｗ）を小さくすることができる。
　逆にマスクのサイズが同一という条件では、開口部５１をずらす距離を大きく（長く）することができる。例えば、図９の例では、開口部５１のずれの最大は、開口部５１のピッチの３倍に相当する距離であるが、図１０の例では、開口部５１のピッチの５倍に相当する距離だけずらすことができる。
　図１１は本実施の形態のマスク３０の開口部５１の配置の第４例を示す模式図である。図１１に示すように、列Ｍ５の開口ブロック５０の１５個の開口部５１の位置に対して、列Ｍ６の開口ブロック５０の１５個の開口部５１の位置は、開口部５１のピッチに相当する距離だけスキャン方向にずれている。また、列Ｍ６の開口ブロック５０の１５個の開口部５１の位置に対して、列Ｍ７の開口ブロック５０の１５個の開口部５１の位置は、開口部５１のピッチに相当する距離だけスキャン方向と逆方向にずれている。列Ｍ７以降の各列の開口ブロック５０についても開口部５１の位置のずれる量を除き同様である。
　上述のように、第１の開口ブロック（例えば、列Ｍ５の開口ブロック５０）の１５個の開口部５１の位置に対して、第２の開口ブロック（例えば、列Ｍ６の開口ブロック５０）の１５個の開口部５１の位置が、開口部５１のピッチの整数倍だけスキャン方向にずれている。そして、第２の開口ブロック（例えば、列Ｍ６の開口ブロック５０）の１５個の開口部５１の位置に対して、第２の開口ブロックと隣り合う第３の開口ブロック（例えば、列Ｍ７の開口ブロック５０）の１５個の開口部５１の位置が、開口部５１のピッチの整数倍だけスキャン方向と逆方向にずれている。
　すなわち、開口ブロック５０の列が変わる都度、開口部５１の位置をスキャン方向及びスキャン方向と逆方向に交互にずらすことができる。これにより、開口ブロック５０の列毎の半導体層の特性の差の影響が目視にて平均化されるので、隣り合う開口ブロックの境界位置が視認されになる。
　図１２は本実施の形態のマスク３０の開口部５１の配置の第５例を示す模式図である。図１２に示すように、列Ｍ５からＭ８の４個の開口ブロック５０の１５個の開口部５１の位置は、列Ｍ４の開口ブロック５０の１５個の開口部５１又は列Ｍ９の開口ブロック５０の１５個の開口部５１の位置に対して、スキャン方向にずれていない。また、列Ｍ１１からＭ１３の３個の開口ブロック５０の１５個の開口部５１の位置は、列Ｍ１０の開口ブロック５０の１５個の開口部５１又は列Ｍ１４の開口ブロック５０の１５個の開口部５１の位置に対して、スキャン方向にずれていない。また、列Ｍ１６からＭ１７の２個の開口ブロック５０の１５個の開口部５１の位置は、列Ｍ１５の開口ブロック５０の１５個の開口部５１又は列Ｍ１８の開口ブロック５０の１５個の開口部５１の位置に対して、スキャン方向にずれていない。また、列Ｍ２０の１個の開口ブロック５０の１５個の開口部５１の位置は、列Ｍ１９の開口ブロック５０の１５個の開口部５１又は列Ｍ２１の開口ブロック５０の１５個の開口部５１の位置に対して、スキャン方向にずれていない。列Ｍ５からＭ８、列Ｍ１１からＭ１３、列Ｍ１６からＭ１７、列Ｍ２０の開口ブロック５０は、第４の開口ブロックに相当する。
　上述のように、マスク３０の中央から端側になるに応じて、行方向に複数配置した第４の開口ブロックの数を小さくすることができる。行方向に配置した第４の開口ブロックの数を小さくすることにより、スキャン方向と直交する方向に沿った開口部５１の並びが一律となる程度を少なくする。このことは、スキャン方向と直交する方向に沿った開口部５１のスキャン方向のずれの頻度を大きくすることに相当する。これにより、照射位置のずれ及び照射タイミングのずれの影響をマスク３０の端部に向かうにつれて徐々に大きくすることができ、マスク継ぎ境界での表示ムラを目立たなくすることができる。
　図１３は本実施の形態のマスク３０の開口部５１の配置の第６例を示す模式図である。図１３に示すように、列Ｍ１からＭ６までの開口ブロック５０の１５個の開口部５１の位置は、列がマスク３０の中央から端へ向かうにつれて、スキャン方向にずれている。列Ｍ６からＭ９までの開口ブロック５０の１５個の開口部５１の位置は、列がマスク３０の中央から端へ向かうにつれて、スキャン方向と逆方向にずれている。また、列Ｍ９からＭ１２までの開口ブロック５０の１５個の開口部５１の位置は、列がマスク３０の中央から端へ向かうにつれて、スキャン方向にずれている。列Ｍ１２からＭ１５までの開口ブロック５０の１５個の開口部５１の位置は、列がマスク３０の中央から端へ向かうにつれて、スキャン方向と逆方向にずれている。以下、同様に開口部５１の位置の、スキャン方向及びスキャン方向と逆方向へのずれが繰り返される。
　なお、開口部５１がスキャン方向に連続してずれる開口ブロック５０の列の数、及び開口部５１がスキャン方向と逆方向に連続してずれる開口ブロック５０の列の数は、図１３の例に限定されるものではなく、適宜決定することができる。また両者の開口ブロック５０の列の数は同一でも、異なっていてもよい。
　上述のように、１又は複数の第１の組の第１の開口ブロック及び第２の開口ブロック（図１３の例では、列Ｍ１からＭ６の開口ブロック５０）と、１又は複数の第２の組の第１の開口ブロック及び第２の開口ブロック（図１３の例では、列Ｍ６からＭ９の開口ブロック５０）とを行方向に繰り返し配置してある。
　すなわち、マスク３０の中央から端部に向かって、各開口部５１の位置のずれがスキャン方向に向かう第１の組の第１の開口ブロック及び第２の開口ブロックを１又は複数配置し、次に、各開口部５１の位置のずれがスキャン方向と逆の方向に向かう第２の組の第１の開口ブロック及び第２の開口ブロックを１又は複数配置し、この配置を周期的に繰り返す。これにより、スキャン方向と直交する方向に沿った開口部５１の並びが一律とならないようにすることができる。
　上述の第１例から第６例では、開口ブロック５０のすべての開口部５０が、同じ距離だけスキャン方向と平行な方向にずれる構成であったが、これに限定されるものではなく、隣り合う開口ブロック５０の一部の開口部５１だけが同じ距離又は異なる距離だけスキャン方向と平行な方向にずれる構成であってもよい。以下、そのような構成の例について説明する。
　図１４は本実施の形態のマスク３０の開口部５１の配置の第７例を示す模式図である。図１４に示すように、列Ｍ１からＭ２４の開口ブロック５０それぞれの両方の端部の開口部５１（行Ｎ１、Ｎ２０の開口部５１）の位置は、スキャン方向と平行な方向にずれていない。列Ｍ４の開口ブロック５０の行Ｎ１及びＮ２０を除く他の行の開口部５１の位置に対して、列Ｍ５の開口ブロック５０の行Ｎ１及びＮ２０を除く他の行の開口部５１の位置は、開口部５１のピッチに相当する距離だけスキャン方向にずれている。列Ｍ８の開口ブロック５０の行Ｎ１及びＮ２０を除く他の行の開口部５１の位置に対して、列Ｍ９の開口ブロック５０の行Ｎ１及びＮ２０を除く他の行の開口部５１の位置は、開口部５１のピッチの２倍に相当する距離だけスキャン方向と逆方向にずれている。他の開口ブロック５０（列Ｍ１２及びＭ１３、列Ｍ１６及びＭ１７、列Ｍ２０及びＭ２１）についても開口部５１の位置のずれる量を除き同様である。
　すなわち、隣り合う二つの開口ブロック５０のうち第１の開口ブロック（例えば、列Ｍ４の開口ブロック５０）の開口部５１の位置と、第２の開口ブロック（例えば、列Ｍ５の開口ブロック５０）の開口部５１の位置とが、スキャン方向と平行な方向にずれている。
　より具体的には、第１の開口ブロックの列方向の最端の開口部５１（例えば、行Ｎ１の開口部５１）から当該開口部５１を含む任意のＮ番目の開口部５１の位置と、第２の開口ブロックの列方向の最端の開口部５１（例えば、行Ｎ１の開口部５１）から当該開口部５１を含むＮ番目の開口部５１の位置とが、スキャン方向と平行な方向にずれている。位置がずれる開口部５１（Ｎ番目の開口部５１）は、１つであっても複数あってもよく、列方向に並んだ複数の開口部５１の一部又は全部の開口部５１とすることができる。図１４の例では、行Ｎ１及びＮ２０を除く他の行の開口部５１のそれぞれが、位置がずれる開口部５１（Ｎ番目の開口部５１）である。スキャン方向と平行な方向とは、スキャン方向だけでなく、スキャン方向の逆方向（スキャン方向と１８０°異なる方向）も含む。
　上述の構成により、スキャン方向と直交する方向に沿った開口部５１の並びが一律とならないようにすることができ、レーザー光が照射されるタイミングで、照射位置にばらつきを生じさせることができ、一回のスキャンによってスキャンされる基板上の領域内で半導体層の特性の差を生じさせて表示ムラを意図的に発生させるので、マスク継ぎ境界での表示ムラを目立たなくすることができ、結果としてマスク継ぎ境界での表示ムラを低減することができる。
　図１５は本実施の形態のマスク３０の開口部５１の配置の第８例を示す模式図である。図１５に示すように、列Ｍ２の開口ブロック５０の開口部５１の位置と、列Ｍ３の開口ブロック５０の開口部５１の位置とは、開口部５１の位置（何番目の行であるか）に応じて、スキャン方向と平行な方向へのずれが異なる。例えば、列Ｍ２の開口ブロック５０の行Ｎ１からＮ５までの開口部５１の位置と、列Ｍ３の開口ブロック５０の行Ｎ１からＮ５までの開口部５１の位置とは、スキャン方向と平行な方向にずれていない。また、列Ｍ２の開口ブロック５０の行Ｎ６からＮ１０までの開口部５１の位置と、列Ｍ３の開口ブロック５０の行Ｎ７からＮ１１までの開口部５１の位置とは、開口部５１のピッチだけスキャン方向と平行な方向にずれている。また、列Ｍ２の開口ブロック５０の行Ｎ１１からＮ１３までの開口部５１の位置と、列Ｍ３の開口ブロック５０の行Ｎ１３からＮ１５までの開口部５１の位置とは、開口部５１のピッチの２倍だけスキャン方向と平行な方向にずれている。また、列Ｍ２の開口ブロック５０の行Ｎ１４からＮ１５までの開口部５１の位置と、列Ｍ３の開口ブロック５０の行Ｎ１７からＮ１８までの開口部５１の位置とは、開口部５１のピッチの３倍だけスキャン方向と平行な方向にずれている。
　図１５の例では、開口ブロック５０の開口部５１のうち、開口部５１の位置がずれる任意のＮ番目の開口部５１とは、列Ｍ２及びＭ３の開口ブロック５０とも、６番目から１５番目の開口部５１となる。なお、他の列の開口ブロック５０も同様であるので、説明は省略する。
　図１５の例に示すような構成により、スキャン方向と直交する方向に沿った開口部５１の並びが一律とならないようにすることができ、レーザー光が照射されるタイミングで、照射位置にばらつきを生じさせることができ、一回のスキャンによってスキャンされる基板上の領域内で半導体層の特性の差を生じさせて表示ムラを意図的に発生させるので、マスク継ぎ境界での表示ムラを目立たなくすることができ、結果としてマスク継ぎ境界での表示ムラを低減することができる。
　次に、本実施の形態のレーザーアニール装置１００を用いたレーザーアニール方法について説明する。図１６は本実施の形態のレーザーアニール装置１００を用いたレーザーアニール方法の一例を示すフローチャートである。以下、簡便のため、レーザーアニール装置１００を装置１００と称する。装置１００は、マスク３０を所定位置にセットし（Ｓ１１）、基板１０をスキャン方向に一定の速度で移動させる（Ｓ１２）。レーザー光源７０は、基板１０の照射位置がマスク３０の開口部５１に対応する位置に到達する時間間隔でレーザー光を照射する（Ｓ１３）。
　装置１００は、スキャン方向の最終位置まで基板１０を移動したか否かを判定し（Ｓ１４）、最終位置まで基板１０を移動していない場合（Ｓ１４でＮＯ）、ステップＳ１２以降の処理を繰り返す。スキャン方向の最終位置まで基板１０を移動した場合（Ｓ１４でＹＥＳ）、装置１００は、基板１０の所定エリアのレーザー光照射が完了したか否かを判定する（Ｓ１５）。
　基板１０の所定エリアのレーザー光照射が完了していない場合（Ｓ１５でＮＯ）、装置１００は、マスク３０をスキャン方向と直交する方向に所定距離（マスク３０の横方向の寸法Ｌ）だけ移動し（Ｓ１６）、ステップＳ１２以降の処理を繰り返す。なお、ステップＳ１６の処理において、マスク３０の代わりに基板１０を移動させてもよい。基板１０の所定エリアのレーザー光照射が完了した場合（Ｓ１５でＹＥＳ）、装置１００は、処理を終了する。
　なお、図１６の例では、基板１０をスキャン方向へ移動（搬送）させる構成であったが、これに限定されるものではなく、基板１０を固定しておき、マスク３０（光学系６０を含めてもよい）をスキャン方向に移動させるようにしてもよい。
　本実施の形態によれば、レーザー光が照射されるタイミングで、照射位置にばらつきを生じさせることができ、一回のスキャンによってスキャンされる基板上の領域内で半導体層の特性の差を生じさせて表示ムラを意図的に発生させるので、マスク継ぎ境界での表示ムラを目立たなくすることができ、結果としてマスク継ぎ境界での表示ムラを低減することができる。
　特に、開口部の位置のスキャン方向と平行な方向へのずれを、マスク中央から端部に向かって大きくすることにより、マスク中央部とマスク同士の境界部とで半導体層の特性をばらつかせながら繋ぐことができ（許容範囲内の特性ずれが生じる領域を拡大することができ）、マスク継ぎ境界（単一箇所）での表示ムラ（面ずれムラ）を低減（視認されにくく）することができる。
　本実施の形態において、一つのマスクに配置される開口ブロックの列数、一つの開口ブロックに含まれる開口部の数は、図示したものに限定されるものではなく、適宜変えることができる。
　上述の実施の形態では、開口部５１の形状は矩形状であったが、矩形状に限定されるものではなく、例えば、楕円状であってもよい。また、矩形状の開口部５１の四隅に円形状又は矩形状の切り欠きを設けてもよい。これにより、開口部５１の四隅近傍のレーザー光の照射量を若干増やすことができ、レーザー光が照射される領域の形状を矩形状にすることができる。
　本実施の形態は、シリコン半導体を用いたＴＦＴだけでなく、酸化物半導体を用いたＴＦＴにも適用することができる。
　本実施の形態に係るレーザーアニール装置は、スキャン方向と平行な列方向に並ぶ複数の開口部を含む開口ブロックが、前記スキャン方向と直交する行方向に複数並んで配置されたマスクを備え、該マスク及び基板の少なくとも一方を前記スキャン方向と平行な方向に沿って移動させ、前記複数の開口部を介してレーザー光を前記基板の複数の所定領域に照射する処理を、前記マスク及び前記基板の少なくとも一方を前記スキャン方向と直交する方向の所定位置へ移動させる都度行うレーザーアニール装置であって、隣り合う二つの開口ブロックからなる少なくとも一つの組は、該組の一方の第１の開口ブロックの開口部の位置と、該組の他方の第２の開口ブロックの開口部の位置とが、前記スキャン方向と平行な方向にずれている。
　本実施の形態に係るレーザーアニール方法は、本実施の形態に係るレーザーアニール装置を用いるレーザーアニール方法であって、前記基板及び前記マスクの少なくとも一方を前記スキャン方向と平行な方向に沿って移動させて前記複数の開口部を介してレーザー光を前記基板に照射するステップを含み、該ステップを前記マスク及び前記基板の少なくとも一方を前記スキャン方向と直交する方向の所定位置へ移動させる都度行う。
　本実施の形態に係るマスクは、スキャン方向と平行な列方向に並ぶ複数の開口部を含む開口ブロックが、前記スキャン方向と直交する行方向に複数並んで配置されたマスクであって、隣り合う二つの開口ブロックからなる少なくとも一つの組は、該組の一方の第１の開口ブロックの開口部の位置と、該組の他方の第２の開口ブロックの開口部の位置とが、前記スキャン方向と平行な方向にずれている。
　マスクは、スキャン方向と平行な列方向に並ぶ複数の開口部を含む開口ブロックが、スキャン方向と直交する行方向に複数並んで配置されている。例えば、マスクのスキャンの方向と平行な方向の寸法をＷとし、スキャン方向と直交する方向の寸法をＬとし、開口ブロックの数をＭとし、開口ブロックの列方向の寸法をｘとし、行方向の寸法をｙとすると、便宜上、Ｗ≒ｘとすることができ、また、Ｌ≒Ｍ×ｙとすることができる。開口ブロックが、複数の開口部を含むとは、開口ブロックの列方向の一方の端から他の端まで、等間隔で並んだ開口部で占められている状態だけでなく、列方向に沿って開口部で占められていない部分（すなわち、開口部が存在しない部分）が存在する状態も含まれる。
　隣り合う二つの開口ブロックからなる少なくとも一つの組は、当該組の一方の第１の開口ブロックの開口部の位置と、当該組の他方の第２の開口ブロックの開口部の位置とが、スキャン方向と平行な方向にずれている。隣り合う二つの開口ブロックは、行方向に並んだ複数の開口ブロックの全ての隣り合う二つの開口ブロックであってもよく、あるいは行方向に並んだ複数の開口ブロックの一部の隣り合う二つの開口ブロックであってもよい。また、第１の開口ブロック及び第２の開口ブロックそれぞれの開口部は、各開口ブロックに含まれる全ての開口部でもよく、一部の開口部でもよい。
　第１の開口ブロックの開口部の位置と、第２の開口ブロックの開口部の位置とが、スキャン方向と平行な方向にずれているので、スキャン方向と直交する方向に沿った開口部の並びが一律とならないようにすることができる（従来は一律であった）。これにより、レーザー光が照射されるタイミングで、照射位置にばらつきを生じさせることができ、一回のスキャンによってスキャンされる基板上の領域内で半導体層の特性の差を生じさせて表示ムラを意図的に発生させるので、マスク継ぎ境界での表示ムラを目立たなくすることができ、結果としてマスク継ぎ境界での表示ムラを低減することができる。
　本実施の形態に係るレーザーアニール装置は、前記第１の開口ブロックの前記列方向に並ぶ複数の開口部のうちの少なくとも一端側からＮ番目の開口部の位置に対して、前記第２の開口ブロックの前記列方向に並ぶ複数の開口部のうちの前記一端側からＮ番目の開口部の位置が、所定距離だけ前記スキャン方向と平行な方向にずれている。ここで、Ｎは１から前記開口ブロックが含む開口部の総数までの整数である。
　第１の開口ブロックの列方向に並ぶ複数の開口部のうちの少なくとも一端側からＮ番目の開口部の位置に対して、第２の開口ブロックの列方向に並ぶ複数の開口部のうち一端側からＮ番目の開口部の位置が、所定距離だけスキャン方向と平行な方向にずれている。Ｎは１から開口ブロックが含む開口部の総数までの整数である。開口ブロックの列方向の一端側の開口部とは、列方向に並んだ複数の開口部の両端側の開口部のうち一方の端側の開口部とすることができる。任意のＮ番目とは、列方向に並んだ複数の開口部の全ての開口部でもよく、一部の開口部でもよい。スキャン方向と平行な方向とは、スキャン方向だけでなく、スキャン方向の逆方向（スキャン方向と１８０°異なる方向）も含む。
　上述の構成により、スキャン方向と直交する方向に沿った開口部の並びが一律とならないようにすることができ、レーザー光が照射されるタイミングで、照射位置にばらつきを生じさせることができ、一回のスキャンによってスキャンされる基板上の領域内で半導体層の特性の差を生じさせて表示ムラを意図的に発生させるので、マスク継ぎ境界での表示ムラを目立たなくすることができ、結果としてマスク継ぎ境界での表示ムラを低減することができる。
　本実施の形態に係るレーザーアニール装置は、前記第１の開口ブロックの前記Ｎ番目の開口部の位置に対して、前記第２の開口ブロックの前記Ｎ番目の開口部の位置が、前記スキャン方向にずれており、前記第２の開口ブロックの前記Ｎ番目の開口部の位置に対して、前記第２の開口ブロックと隣り合い前記第１の開口部群とは異なる第３の開口ブロックの前記列方向に並ぶ複数の開口部のうちの前記一端側からＮ番目の開口部の位置が、前記スキャン方向と逆方向にずれている。
　第１の開口ブロックのＮ番目の開口部の位置に対して、第２の開口ブロックのＮ番目の開口部の位置が、スキャン方向にずれている。第２の開口ブロックのＮ番目の開口部の位置に対して、第２の開口ブロックと隣り合い第１の開口部群とは異なる第３の開口ブロックのＮ番目の開口部の位置が、スキャン方向と逆方向にずれている。
　すなわち、行方向に沿って、第１の開口ブロック、第２の開口ブロック及び第３の開口ブロックの順番で並んでいる。第１の開口ブロックの１からｎ番目の開口部と、第２の開口ブロックの１からｎ番目の開口部とは、スキャン方向にずれている。第２の開口ブロックの１からｎ番目の開口部と、第３の開口ブロックの１からｎ番目の開口部とは、スキャン方向と逆方向にずれている。スキャン方向だけでなく、スキャン方向と１８０°異なる方向にも開口部の位置をずらすことにより、スキャン方向だけに開口部の位置をずらす場合に比べて、マスクのサイズ（スキャン方向と平行な方向の寸法Ｗ）を小さくすることができる。
　また、開口ブロックの列が変わる都度、開口部の位置をスキャン方向及びスキャン方向と逆方向に交互にずらすことができる。これにより、開口ブロックの列毎の半導体層の特性の差の影響が目視にて平均化されるので、隣り合う開口ブロックの境界位置が視認されになる。
　本実施の形態に係るレーザーアニール装置は、前記第１の開口ブロック及び前記第２の開口ブロックの組を前記行方向に複数配置してある。
　第１の開口ブロック及び第２の開口ブロックの組を行方向に複数配置してある。これにより、スキャン方向と直交する方向に沿った開口部の並びを行方向の複数の箇所でずらすことができる。
　本実施の形態に係るレーザーアニール装置は、前記第１の開口ブロック及び前記第２の開口ブロックの隣り合う二つの組のうち、第１の組における前記行方向の一方側の前記第１の開口ブロックの前記Ｎ番目の開口部の位置に対して、前記第１の組における前記行方向の他方側の前記第２の開口ブロックの前記Ｎ番目の開口部の位置が、前記スキャン方向にずれており、第２の組における前記行方向の一方側の前記第１の開口ブロックの前記Ｎ番目の開口部の位置に対して、前記第２の組における前記行方向の他方側の前記第２の開口ブロックの前記Ｎ番目の開口部の位置が、前記スキャン方向と逆方向にずれている。
　第１の開口ブロック及び第２の開口ブロックの隣り合う二つの組のうち、第１の組における行方向の一方側の第１の開口ブロックのＮ番目（１からｎ番目）の開口部の位置に対して、第１の組における行方向の他方側の第２の開口ブロックのＮ番目（１からｎ番目）の開口部の位置が、スキャン方向にずれている。
　第２の組における行方向の一方側の第１の開口ブロックのＮ番目（１からｎ番目）の開口部の位置に対して、第２の組における行方向の他方側の第２の開口ブロックのＮ番目（１からｎ番目）の開口部の位置が、スキャン方向と逆方向にずれている。
　上述の構成により、スキャン方向と直交する方向に沿った開口部の並びを行方向の複数の箇所でずらすことができるとともに、スキャン方向だけに開口部の位置をずらす場合に比べて、マスクのサイズ（スキャン方向と平行な方向の寸法Ｗ）を小さくすることができる。
　本実施の形態に係るレーザーアニール装置は、前記第１の開口ブロック及び前記第２の開口ブロックの隣り合う二つの組の間に、前記第１の開口ブロック又は前記第２の開口ブロックの複数の開口部の位置に対して、前記スキャン方向と平行な方向に位置がずれていない複数の開口部を含む第４の開口ブロックを前記行方向に１又は複数配置してある。
　第１の開口ブロック及び第２の開口ブロックの隣り合う二つの組の間に、第１の開口ブロック又は第２の開口ブロックの複数の開口部の位置に対して、スキャン方向と平行な方向に位置がずれていない複数の開口部を含む第４の開口ブロックを行方向に１又は複数配置してある。すなわち、第４の開口ブロックの各開口部の位置は、第１の開口ブロック又は第２の開口ブロックの各開口部の位置とずれていない。行方向に配置する第４の開口ブロックの数は適宜決めることができる。第４の開口ブロックを行方向に１又は複数配置することにより、スキャン方向と直交する方向に沿った開口部の並びを行方向に沿って適長だけ一律とすることができ、レーザー光が照射されるタイミングで、照射位置にばらつきを生じさせる程度を調整することができる。
　本実施の形態に係るレーザーアニール装置は、前記第１の開口ブロック及び前記第２の開口ブロックの前記行方向の位置が前記マスクの中央から端側になるに応じて、前記所定距離は長い。
　第１の開口ブロック及び第２の開口ブロックの行方向の位置がマスクの中央から端側になるに応じて、所定距離（開口部の位置のスキャン方向と平行な方向のずれの寸法）は長い。すなわち、第１の開口ブロック及び第２の開口ブロックの各開口部の位置のずれをマスクの中央よりも端部に向かって大きくする。これにより、照射位置のずれ及び照射タイミングのずれの影響をマスクの端部に向かうにつれて徐々に大きくすることができ、マスク継ぎ境界での表示ムラを目立たなくすることができる。
　本実施の形態に係るレーザーアニール装置は、前記マスクの中央から端側になるに応じて、前記行方向に配置した前記第４の開口ブロックの数は小さい。
　マスクの中央から端側になるに応じて、行方向に配置した第４の開口ブロックの数は小さい。行方向に配置した第４の開口ブロックの数を小さくすることにより、スキャン方向と直交する方向に沿った開口部の並びが一律となる程度を少なくする。このことは、スキャン方向と直交する方向に沿った開口部のスキャン方向のずれの頻度を大きくすることに相当する。これにより、照射位置のずれ及び照射タイミングのずれの影響をマスクの端部に向かうにつれて徐々に大きくすることができ、マスク継ぎ境界での表示ムラを目立たなくすることができる。
　本実施の形態に係るレーザーアニール装置は、１又は複数の前記第１の組の前記第１の開口ブロック及び前記第２の開口ブロックと、１又は複数の前記第２の組の前記第１の開口ブロック及び前記第２の開口ブロックとを前記行方向に繰り返し配置してある。
　１又は複数の第１の組の第１の開口ブロック及び第２の開口ブロックと、１又は複数の第２の組の第１の開口ブロック及び第２の開口ブロックとを行方向に繰り返し配置してある。すなわち、マスクの中央から端部に向かって、各開口部の位置のずれがスキャン方向に向かう第１の組の第１の開口ブロック及び第２の開口ブロックを１又は複数配置し、次に、各開口部の位置のずれがスキャン方向と逆の方向に向かう第２の組の第１の開口ブロック及び第２の開口ブロックを１又は複数配置し、この配置を周期的に繰り返す。これにより、スキャン方向と直交する方向に沿った開口部の並びが一律とならないようにすることができる。
　本実施の形態に係るレーザーアニール装置において、前記所定距離は、前記開口部のピッチの整数倍の距離である。
　所定距離は、開口部のピッチの整数倍の距離である。
　例えば、第１の開口ブロックの１番目の開口部（一端側の開口部）の位置に対して、第２の開口ブロックの１番目の開口部（一端側の開口部）の位置が、開口部のピッチの整数倍の距離だけスキャン方向と平行な方向にずれている。第１の開口ブロックの２番目の開口部の位置に対して、第２の開口ブロックの２番目の開口部の位置が、開口部のピッチの整数倍の距離（例えば、１番目の開口部同士の位置のずれと同じ距離）だけスキャン方向と平行な方向にずれている。開口ブロックに含まれる開口部の総数をｎとすると、３番目からｎ番目の開口部の位置も同様である。
　上述の構成により、スキャン方向と直交する方向に沿った開口部の並びを段階的にずらすことができ、レーザー光が照射されるタイミングで、照射位置にばらつきを生じさせることができ、一回のスキャンによってスキャンされる基板上の領域内で半導体層の特性の差を生じさせて表示ムラを意図的に発生させることができる。これにより、マスク継ぎ境界での表示ムラを目立たなくすることができ、結果としてマスク継ぎ境界での表示ムラを低減することができる。
　また、上述の各実施例において記載されている構成は、お互いに組み合わせることが可能であり、組み合わせをすることにより、新しい技術的特徴を形成することができる。
　１０　基板
　２１　マイクロレンズ
　３０　マスク
　５０　開口ブロック
　５１　開口部

Claims (12)

  1. 　スキャン方向と平行な列方向に並ぶ複数の開口部を含む開口ブロックが、前記スキャン方向と直交する行方向に複数並んで配置されたマスクを備え、該マスク及び基板の少なくとも一方を前記スキャン方向と平行な方向に沿って移動させ、前記複数の開口部を介してレーザー光を前記基板の複数の所定領域に照射する処理を、前記マスク及び前記基板の少なくとも一方を前記スキャン方向と直交する方向の所定位置へ移動させる都度行うレーザーアニール装置であって、
    　隣り合う二つの開口ブロックからなる少なくとも一つの組は、該組の一方の第１の開口ブロックの開口部の位置と、該組の他方の第２の開口ブロックの開口部の位置とが、前記スキャン方向と平行な方向にずれているレーザーアニール装置。
  2. 　前記第１の開口ブロックの前記列方向に並ぶ複数の開口部のうちの少なくとも一端側からＮ番目の開口部の位置に対して、前記第２の開口ブロックの前記列方向に並ぶ複数の開口部のうちの前記一端側からＮ番目の開口部の位置が、所定距離だけ前記スキャン方向と平行な方向にずれている請求項１に記載のレーザーアニール装置。ここで、Ｎは１から前記開口ブロックが含む開口部の総数までの整数である。
  3. 　前記第１の開口ブロックの前記Ｎ番目の開口部の位置に対して、前記第２の開口ブロックの前記Ｎ番目の開口部の位置が、前記スキャン方向にずれており、
    　前記第２の開口ブロックの前記Ｎ番目の開口部の位置に対して、前記第２の開口ブロックと隣り合い前記第１の開口部群とは異なる第３の開口ブロックの前記列方向に並ぶ複数の開口部のうちの前記一端側からＮ番目の開口部の位置が、前記スキャン方向と逆方向にずれている請求項２に記載のレーザーアニール装置。
  4. 　前記第１の開口ブロック及び前記第２の開口ブロックの組を前記行方向に複数配置してある請求項２に記載のレーザーアニール装置。
  5. 　前記第１の開口ブロック及び前記第２の開口ブロックの隣り合う二つの組のうち、第１の組における前記行方向の一方側の前記第１の開口ブロックの前記Ｎ番目の開口部の位置に対して、前記第１の組における前記行方向の他方側の前記第２の開口ブロックの前記Ｎ番目の開口部の位置が、前記スキャン方向にずれており、
    　第２の組における前記行方向の一方側の前記第１の開口ブロックの前記Ｎ番目の開口部の位置に対して、前記第２の組における前記行方向の他方側の前記第２の開口ブロックの前記Ｎ番目の開口部の位置が、前記スキャン方向と逆方向にずれている請求項４に記載のレーザーアニール装置。
  6. 　前記第１の開口ブロック及び前記第２の開口ブロックの隣り合う二つの組の間に、前記第１の開口ブロック又は前記第２の開口ブロックの複数の開口部の位置に対して、前記スキャン方向と平行な方向に位置がずれていない複数の開口部を含む第４の開口ブロックを前記行方向に１又は複数配置してある請求項４又は請求項５に記載のレーザーアニール装置。
  7. 　前記第１の開口ブロック及び前記第２の開口ブロックの前記行方向の位置が前記マスクの中央から端側になるに応じて、前記所定距離は長い請求項４から請求項６のいずれか一項に記載のレーザーアニール装置。
  8. 　前記所定距離は、前記開口部のピッチの整数倍の距離である請求項２から請求項７のいずれか一項に記載のレーザーアニール装置。
  9. 　前記マスクの中央から端側になるに応じて、前記行方向に配置した前記第４の開口ブロックの数は小さい請求項６に記載のレーザーアニール装置。
  10. 　１又は複数の前記第１の組の前記第１の開口ブロック及び前記第２の開口ブロックと、１又は複数の前記第２の組の前記第１の開口ブロック及び前記第２の開口ブロックとを前記行方向に繰り返し配置してある請求項５に記載のレーザーアニール装置。
  11. 　請求項１から請求項１０のいずれか一項に記載のレーザーアニール装置を用いるレーザーアニール方法であって、
    　前記基板及び前記マスクの少なくとも一方を前記スキャン方向と平行な方向に沿って移動させて前記複数の開口部を介してレーザー光を前記基板に照射するステップを含み、
    　該ステップを前記マスク及び前記基板の少なくとも一方を前記スキャン方向と直交する方向の所定位置へ移動させる都度行うレーザーアニール方法。
  12. 　スキャン方向と平行な列方向に並ぶ複数の開口部を含む開口ブロックが、前記スキャン方向と直交する行方向に複数並んで配置されたマスクであって、
    　隣り合う二つの開口ブロックからなる少なくとも一つの組は、該組の一方の第１の開口ブロックの開口部の位置と、該組の他方の第２の開口ブロックの開口部の位置とが、前記スキャン方向と平行な方向にずれているマスク。
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