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CA2085982C - Structures et procedes pour la fabrication de cathodes a effet de champ - Google Patents

Structures et procedes pour la fabrication de cathodes a effet de champ

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CA2085982C
CA2085982C CA002085982A CA2085982A CA2085982C CA 2085982 C CA2085982 C CA 2085982C CA 002085982 A CA002085982 A CA 002085982A CA 2085982 A CA2085982 A CA 2085982A CA 2085982 C CA2085982 C CA 2085982C
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    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J9/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture, installation, removal, maintenance of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
    • H01J9/02—Manufacture of electrodes or electrode systems
    • H01J9/022—Manufacture of electrodes or electrode systems of cold cathodes

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Cold Cathode And The Manufacture (AREA)

Abstract

L'invention concerne globalement de nouvelles structures pour une cathode à émission de champ et des procédés de fabrication de cette dernière. La cathode d'émission de champ est effectuée avec n'importe quel matériau capable d'émettre des électrons sous l'influence d'un potentiel électrique. Un procédé de fabrication d'une version de l'invention, comprend les étapes suivantes: la formation d'un trou (15) dans un substrat (5), le dépôt d'un premier matériau (20) dans ledit trou pour obtenir une configuration cuspidée (21), le dépôt d'un matériau (30) émetteur d'électrons pour remplir au moins partiellement ladite configuration cuspidée, et l'élimination du premier matériau pour mettre à nu une partie (31) du matériau émetteur d'électrons. La cathode à émission de champ possède plusieurs structures spécifiques tridimensionnelles. La structure de base comprend une couche de matériau ayant des pointes cathodiques. Pour fabriquer une structure plus complexe, la pointe de la cathode est, de préférence, alignée avec précision à l'intérieur d'une structure d'électrode d'extraction et de commande, de préférence dans un environnement sous vide. Les structures de cette invention peuvent être fabriquées pour être connectées à d'autres cathodes à émission de champ similaires ou à d'autres dispositifs électroniques.
CA002085982A 1990-07-18 1990-10-17 Structures et procedes pour la fabrication de cathodes a effet de champ Expired - Fee Related CA2085982C (fr)

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Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB9210419D0 (en) * 1992-05-15 1992-07-01 Marconi Gec Ltd Cathode structures
US5795208A (en) * 1994-10-11 1998-08-18 Yamaha Corporation Manufacture of electron emitter by replica technique
US5599749A (en) * 1994-10-21 1997-02-04 Yamaha Corporation Manufacture of micro electron emitter
KR100343205B1 (ko) * 2000-04-26 2002-07-10 김순택 카본나노튜브를 이용한 삼극 전계 방출 어레이 및 그 제작방법
US6986693B2 (en) 2003-03-26 2006-01-17 Lucent Technologies Inc. Group III-nitride layers with patterned surfaces
US7952109B2 (en) 2006-07-10 2011-05-31 Alcatel-Lucent Usa Inc. Light-emitting crystal structures
US7266257B1 (en) 2006-07-12 2007-09-04 Lucent Technologies Inc. Reducing crosstalk in free-space optical communications
CN104064434A (zh) * 2013-03-22 2014-09-24 海洋王照明科技股份有限公司 一种场发射平面光源及其制备方法
EP3748667B1 (fr) * 2019-06-05 2025-10-08 Siemens Healthineers AG Émetteur en silicium à effet de champ

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3753022A (en) * 1971-04-26 1973-08-14 Us Army Miniature, directed, electron-beam source
DE2951287C2 (de) * 1979-12-20 1987-01-02 Gesellschaft für Schwerionenforschung mbH, 6100 Darmstadt Verfahren zur Herstellung von mit einer Vielzahl von feinsten Spitzen versehenen Oberflächen
US4307507A (en) * 1980-09-10 1981-12-29 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Method of manufacturing a field-emission cathode structure
US4721885A (en) * 1987-02-11 1988-01-26 Sri International Very high speed integrated microelectronic tubes
US5012153A (en) * 1989-12-22 1991-04-30 Atkinson Gary M Split collector vacuum field effect transistor
US5100355A (en) * 1991-06-28 1992-03-31 Bell Communications Research, Inc. Microminiature tapered all-metal structures

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DK0539365T3 (da) 1997-10-27
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MY106537A (en) 1995-06-30
WO1992002031A1 (fr) 1992-02-06
AU639342B2 (en) 1993-07-22
ES2100178T3 (es) 1997-06-16
DE69030589D1 (de) 1997-05-28
AU7849491A (en) 1992-01-23

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