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DE102007055063A1 - Beleuchtungseinrichtung einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage - Google Patents

Beleuchtungseinrichtung einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage Download PDF

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DE102007055063A1
DE102007055063A1 DE102007055063A DE102007055063A DE102007055063A1 DE 102007055063 A1 DE102007055063 A1 DE 102007055063A1 DE 102007055063 A DE102007055063 A DE 102007055063A DE 102007055063 A DE102007055063 A DE 102007055063A DE 102007055063 A1 DE102007055063 A1 DE 102007055063A1
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DE
Germany
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polarization
light
lighting device
projection exposure
illumination device
Prior art date
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Withdrawn
Application number
DE102007055063A
Other languages
English (en)
Inventor
Damian Fiolka
Vladan Blahnik
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Carl Zeiss SMT GmbH
Original Assignee
Carl Zeiss SMT GmbH
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Publication date
Application filed by Carl Zeiss SMT GmbH filed Critical Carl Zeiss SMT GmbH
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Priority to JP2010533578A priority patent/JP4981177B2/ja
Priority to PCT/EP2008/065462 priority patent/WO2009063002A1/en
Priority to CN2008801164675A priority patent/CN101861548B/zh
Priority to EP08849196.4A priority patent/EP2220536B1/de
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Abstract

Die Erfindung betrifft eine Beleuchtungseinrichtung einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage, wobei die Beleuchtungseinrichtung (200, 700) im Betrieb der Projektionsbelichtungsanlage eine Objektebene (OP) eines Projektionsobjektivs (40) der Projektionsbelichtungsanlage beleuchtet und wobei die Beleuchtungseinrichtung (200, 700) derart ausgebildet ist, dass im Betrieb der Beleuchtungseinrichtung erzeugte Lichtanteile (10, 20), welche sich erst in der Objektebene (OP) überlagern, zueinander orthogonale Polarisationszustände aufweisen.

Description

  • Die Erfindung betrifft eine Beleuchtungseinrichtung einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage.
  • Mikrolithographie wird zur Herstellung mikrostrukturierter Bauelemente, wie beispielsweise integrierter Schaltkreise oder LCD's, angewendet. Der Mikrolithographieprozess wird in einer sogenannten Projektionsbelichtungsanlage durchgeführt, welche eine Beleuchtungseinrichtung und ein Projektionsobjektiv aufweist. Das Bild einer mittels der Beleuchtungseinrichtung beleuchteten Maske (= Retikel) wird hierbei mittels des Projektionsobjektivs auf ein mit einer lichtempfindlichen Schicht (Photoresist) beschichtetes und in der Bildebene des Projektionsobjektivs angeordnetes Substrat (z. B. ein Siliziumwafer) projiziert, um die Maskenstruktur auf die lichtempfindliche Beschichtung des Substrats zu übertragen.
  • In der Projektionsbelichtungsanlage ist für manche Anwendungen die Erzeugung von möglichst unpolarisiertem Licht erwünscht. Hierzu ist es z. B. aus DE 198 29 612 A1 bekannt, das von der Laserquelle ausgehende linear polarisierte Licht mittels eines Hanle-Depolarisators und eines diesem nachgeordneten Lichtmischsystems zu depolarisieren.
  • Dabei tritt jedoch das Problem auf, dass das Licht in der Retikelebene der Beleuchtungseinrichtung noch eine Restpolarisation aufweisen kann. Ursächlich hierfür sind insbesondere Effekte der in der Beleuchtungseinrichtung auf den Linsen vorhandenen antireflektierenden Schichten (AR-Schichten) sowie der auf den Spiegeln vorhandenen hochreflektierenden Schichten (HR-Schichten).
  • Dabei hat es sich gezeigt, dass diese Effekte zu einer inhomogenen Verteilung der Restpolarisation führen können. Diese inhomogene Verteilung lässt sich damit erklären, dass eine durch die Linsen (insbesondere die Kegellinsen des in der Beleuchtungseinrichtung verwendeten Axikons) bzw. durch die auf diesen Linsen befindlichen AR-Schichten erzeugte radiale Restpolarisationsverteilung sich mit einer durch die auf den Spiegeln vorhandenen HR-Schichten erzeugten linearen Restpolarisation von konstanter Polarisationsvorzugsrichtung überlagert, wobei diese sich überlagernden Restpolarisationsverteilungen sich je nach Richtung (z. B. senkrecht oder parallel in Bezug auf die Scan-Richtung) gegenseitig verstärken oder abschwächen.
  • Es sind diverse Ansätze bekannt, um den Effekt unerwünschter Veränderungen des Polarisationszustandes im Lichtweg der Beleuchtungseinrichtung und/oder dem Projektionsobjektiv zu reduzieren. Aus US 2005/0094268 A1 und WO 03/077011 A1 ist es bekannt, ein optisches System in zwei Teilsysteme zu zerlegen und dazwischen einen als Lambda/2-Platte wirkenden Retarder anzuordnen, der zwei zueinander senkrechte Polarisationszustände zwischen den Teilsystemen vertauscht, so dass sich die Aufsummierung der Phasensprünge im zweiten Teilsystem gerade mit derjenigen im ersten Teilsystem aufhebt. Der Einsatz eines 90°-Polarisationsrotators etwa in einem Projektionsobjektiv zum gegenseitigen Ausgleich der Verzögerungen, die in einer bezüglich dieses 90°-Polarisationsrotators vorderen Gruppe und in einer bezüglich dieses 90°-Polarisationsrotators hinteren Gruppe erzeugt werden, ist auch aus US 2003/0086156 A1 bekannt.
  • Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, eine Beleuchtungseinrichtung einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage bereitzustellen, welche die Erzeugung von Licht ohne Polarisationsvorzugsrichtung in einer Bildebene der Projektionsbelichtungsanlage gemäß einem alternativen, einfach und wirksam zu realisierenden Ansatz ermöglicht.
  • Eine erfindungsgemäße Beleuchtungseinrichtung einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage, wobei die Beleuchtungseinrichtung im Betrieb der Projektionsbelichtungsanlage eine Objektebene eines Projektionsobjektivs der Projektionsbelichtungsanlage beleuchtet, ist derart ausgebildet, dass im Betrieb der Beleuchtungseinrichtung erzeugte Lichtanteile, welche sich erst in der Objektebene überlagern, zueinander orthogonale Polarisationszustände aufweisen.
  • Dabei sind im Sinne der vorliegenden Anmeldung unter „orthogonalen Polarisationszuständen" solche Polarisationszustände zu verstehen, bei denen das Skalarprodukt der die Polarisationszustände jeweils beschreibenden Jones-Vektoren Null beträgt. In diesem Sinne sind zueinander orthogonale Zustände nicht nur lineare Polarisationszustände mit zueinander senkrechter Polarisationsvorzugsrichtung, sondern auch zirkulare Polarisationszustände mit entgegengesetzter Händigkeit (d. h. linkszirkulare Polarisation und rechtszirkulare Polarisation). Des Weiteren sind im Sinne der vorliegenden Anmeldung unter linearen Polarisationsverteilungen auch Polarisationsverteilungen zu verstehen, bei welchen die einzelnen Lichtstrahlen linear polarisiert sind, wobei die Schwingungsebenen der elektrischen Feldstärkevektoren der einzelnen Lichtstrahlen (wie z. B. bei einer radialen oder tangentialen Polarisationsverteilung) auch in verschiedenen Richtungen orientiert sein können.
  • Der Erfindung liegt die Erkenntnis zugrunde, dass unpolarisiertes Licht auch durch die inkohärente Überlagerung von zueinander orthogonalen Polarisationszuständen erhalten werden kann. Anstelle des eingangs diskutierten, bekannten Ansatzes einer gegenseitigen polarisationsoptischen Kompensation aufeinander folgender Abschnitte der Beleuchtungseinrichtung (etwa im Wege einer zwischen solchen Abschnitten erfolgenden 90°-Drehung der Polarisationsvorzugsrichtung) kann somit gemäß der vorliegenden Erfindung gerade die Aufsummierung von Polarisationseffekten in der Beleuchtungseinrichtung zugelassen werden. Die sich aus den entsprechenden Restpolarisationseffekten ergebende Verteilung kann dann gezielt zur Erzeugung von zueinander orthogonalen Polarisationszuständen genutzt werden, aus welchen dann erst durch inkohärente Überlagerung das letztendlich gewünschte, effektiv unpolarisierte Licht erhalten wird. Die Entstehung von effektiv unpolarisiertem Licht infolge der Überlagerung orthogonaler Polarisationszustände kann hierbei abbildungstheoretisch dadurch erklärt werden, dass bei orthogonalen Eingangs-Polarisationszuständen der Mischterm in der die polarisierte Abbildung beschreibenden Abbildungsgleichung verschwindet, so dass diese Abbildungsgleichung in die Abbildungsgleichung für den Fall unpolarisierter Beleuchtung übergeht.
  • Wesentlich für das Prinzip der vorliegenden Erfindung ist dabei auch, dass kurz vor der Objektebene des Projektionsobjektives (d. h. insbesondere noch in einer Pupillenebene der Beleuchtungseinrichtung selbst) zwar unterschiedliche Bereiche mit zueinander orthogonaler Polarisation ausgebildet werden, jedoch noch keine Überlagerung dieser zueinander orthogonal polarisierten Lichtanteile stattgefunden hat. Mit anderen Worten ist vor der Retikelebene, und insbesondere in der Pupillenebene der Beleuchtungseinrichtung, zumindest noch ein polarisierter Anteil (beispielsweise ein Restpolarisationsgrad von wenigstens 1 Prozent, weiter insbesondere wenigstens 2 Prozent, weiter insbesondere wenigstens 5%) vorhanden. Des Weiteren kann gegebenenfalls sogar an jedem beleuchteten Ort in der Pupillenebene noch vollständig (oder nahezu vollständig, z. B. zu wenigstens 95%) polarisiertes Licht vorhanden sein. Erst die Überlagerung dieser Lichtanteile in der Retikelebene führt zu effektiv unpolarisiertem Licht.
  • Gemäß einer Ausführungsform der Erfindung durchlaufen die zueinander orthogonale Polarisationszustände aufweisenden Lichtanteile jeweils unterschiedliche Bereiche einer Pupillenebene der Beleuchtungseinrichtung.
  • Dadurch, dass erfindungsgemäß vor der Retikelebene bzw. in der Pupillenebene noch zueinander orthogonal polarisierte Bereiche vorliegen, welche erst in der Retikelebene zu unpolarisiertem Licht überlagert werden, unterscheidet sich das erfindungsgemäße Konzept insbesondere von demjenigen des einleitend erwähnten Hanle-Depolarisators, welcher bereits in der Pupillenebene der Beleuchtungseinrichtung unpolarisiertes Licht infolge der vor oder in dieser Pupillenebene erfolgenden Durchmischung von Lichtanteilen mit unterschiedlichem Polarisationszustand erzeugt.
  • Gemäß einer Ausführungsform der Erfindung sind die Bereiche, in welchen die Lichtanteile mit zueinander orthogonalem Polarisationszustand erzeugt werden, zueinander punktsymmetrisch in Bezug auf die Pupillenmitte, d. h. in Bezug auf eine zentrale Position des Lichtbündelquerschnitts in der Pupillenebene angeordnet.
  • Die erfindungsgemäße Erzeugung orthogonaler Polarisationszustände kann in einfacher Weise erfolgen, indem die sich aus den o. g. Restpolarisationseffekten ergebende Verteilung an einer geeigneten Position der Beleuchtungseinrichtung (z. B. erst kurz vor der Retikelebene) entsprechend zum Erhalt der gewünschten orthogonalen Polarisationszustände aufgeteilt wird. Ein Vorteil des erfindungsgemäßen Ansatzes besteht somit auch darin, dass der mit einer gegenseitigen polarisationsoptischen Kompensation aufeinanderfolgender Abschnitte der Beleuchtungseinrichtung einhergehende Aufwand (etwa bei der Auswahl bzw. der geeigneten Festlegung der sich kompensierenden Abschnitte) vermieden wird.
  • Gemäß einer bevorzugten Ausgestaltung kann hierzu eine polarisationsbeeinflussende optische Anordnung verwendet werden, welche für einen durch diese Anordnung hindurchtretenden, linear polarisierten Lichtanteil den Polarisationszustand über einen ersten Teilbereich des Lichtbündelquerschnitts unverändert lässt und über einen zweiten Teilbereich des Lichtbündelquerschnitts eine Drehung der Polarisationsvorzugsrichtung um 90° oder um ein ungeradzahliges Vielfaches hiervon bewirkt.
  • Die polarisationsbeeinflussende optische Anordnung kann z. B. wenigstens ein optisches Rotatorelement aufweisen, welches im Betrieb der Projektionsbelichtungsanlage nur einen Bruchteil des Lichtbündelquerschnitts abdeckt und für hindurchtretendes, linear polarisiertes Licht eine Drehung der Polarisationsvorzugsrichtung um 90° oder um ein ungeradzahliges Vielfaches hiervon bewirkt.
  • Gemäß einer weiteren bevorzugten Ausführungsform kann die polarisationsbeeinflussende optische Anordnung auch so ausgelegt sein, dass sie einen durch die Anordnung hindurchtretenden, linear polarisierten Lichtanteil über einen ersten Teilbereich des Lichtbündelquerschnitts in linkszirkular polarisiertes Licht umwandelt und über einen zweiten Teilbereich des Lichtbündelquerschnitts in rechtszirkular polarisiertes Licht umwandelt. Dies kann mittels einer Anordnung aus Lambda/4-Platten mit jeweils geeigneter Orientierung der optischen Kristallachse realisiert werden kann, wie weiter unten noch näher erläutert wird.
  • Gemäß einer weiteren bevorzugten Ausführungsform kann die polarisationsbeeinflussende optische Anordnung auch so ausgelegt sein, dass sie für einen durch die Anordnung hindurchtretenden, zirkular polarisierten Lichtanteil den Polarisationszustand über einen ersten Teilbereich des Lichtbündelquerschnitts unverändert lässt und über einen zweiten Teilbereich des Lichtbündelquerschnitts die Händigkeit des zirkular polarisierten Lichtes umkehrt. Dies kann mit einer Lambda/2-Platte erreicht werden, wie weiter unten noch näher erläutert wird.
  • Die zuletzt beschriebenen Ausgestaltungen mit Erzeugung von zirkular polarisiertem Licht haben den Vorteil, dass sich in diesen Fällen die erzeugten Lichtanteile mit zueinander orthogonalen Polarisationszustände, nämlich das linkszirkular polarisierte Licht einerseits und das rechtszirkular polarisierte Licht andererseits, bei der Transmission durch die Beleuchtungseinrichtung bzw. das Projektionsobjektiv gleich verhalten, da die unterschiedliche Händigkeit für die Transmission ohne Belang ist.
  • Im Falle der zuvor erläuterten Erzeugung von zueinander orthogonalen Polarisationszuständen in Form linearer Polarisationszustände mit zueinander senkrechter Polarisationsvorzugsrichtung verhält es sich dagegen in der Regel so, dass das Transmissionsverhalten für diese zueinander orthogonalen Polarisationszustände beim Durchlaufen der Optik der Projektionsbelichtungsanlage unterschiedlich ist. Dieser Unterschied im Transmissionsverhalten kann durch einen geeigneten Vorhalt bezüglich der energetischen Verteilung kompensiert werden. Eine solche Kompensation kann z. B. erreicht werden, indem Teilstrahlen mit höherer Intensität im Vergleich zu dem Teilstrahl minimaler Intensität in ihrer Intensität abgeschwächt werden (z. B. mittels eines Graufilters. Ein oder mehrere solcher Graufilter können insbesondere mit polarisationsoptischen Elementen wie der erfindungsgemäßen polarisationsbeeinflussenden Anordnung kombiniert werden und an gleicher Position im optischen System eingebaut werden.
  • Gemäß einer bevorzugten Ausführungsform ist die polarisationsbeeinflussende optische Anordnung in einem REMA-Objektiv, welches im Betrieb der Projektionsbelichtungsanlage eine Zwischenfeldebene in die Objektebene abbildet, und vorzugsweise in einer Pupillenebene dieses REMA-Objektivs angeordnet. An einer solchen Position ist die erfindungsgemäß ausgenutzte Restpolarisation besonders ausgeprägt vorhanden, so dass auch die Erzeugung der zueinander orthogonalen Polarisationszustände besonders effizient möglich ist.
  • Die Erfindung betrifft ferner ein Verfahren zum Betreiben einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage, welche eine Beleuchtungseinrichtung und ein Projektionsobjektiv aufweist, wobei die Beleuchtungseinrichtung eine Objektebene des Projektionsobjektivs beleuchtet, und wobei in der Beleuchtungseinrichtung Lichtanteile mit zueinander orthogonalem Polarisationszustand derart erzeugt werden, dass sich diese Lichtanteile erst in der Objektebene überlagern.
  • Die Erfindung betrifft ferner auch eine mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage sowie ein Verfahren zur mikrolithographischen Herstellung mikrostrukturierter Bauelemente und ein mikrostrukturiertes Bauelement.
  • Weitere Ausgestaltungen der Erfindung sind der Beschreibung sowie den Unteransprüchen zu entnehmen.
  • Die Erfindung wird nachstehend anhand von in den beigefügten Abbildungen dargestellten Ausführungsbeispielen näher erläutert.
  • Es zeigen:
  • 1 eine schematische Darstellung zur Erläuterung des bei der vorliegenden Erfindung angewandten Grundprinzips, um in einer Bildebene einer Projektionsbelichtungsanlage Licht ohne Polarisationsvorzugsrichtung zu erzeugen;
  • 2 eine vereinfachte, schematische Darstellung zur Erläuterung der Realisierung der vorliegenden Erfindung in einer Beleuchtungseinrichtung einer Projektionsbelichtungsanlage;
  • 36 schematische Darstellungen zur Erläuterung des Einflusses einer gemäß der Erfindung in einer Beleuchtungseinrichtung eingesetzten polarisationsbeeinflussenden optischen Anordnung auf die Polarisationsverteilung; und
  • 7 eine vereinfachte, schematische Darstellung einer Beleuchtungseinrichtung gemäß einer weiteren Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
  • Im Folgenden wird unter Bezugnahme auf 1 zunächst das der Erfindung zugrunde liegende Prinzip erläutert, welches zur Erzeugung von Licht ohne Polarisationsvorzugsrichtung in einer Bildebene einer Projektionsbelichtungsanlage angewandt wird.
  • Dabei zeigt 1 in stark vereinfachter, schematischer Darstellung ein abzubildende Strukturen aufweisendes Retikel (bzw. eine Maske) 30, welches in der Objektebene OP eines (lediglich durch zwei Linsen L1 und L2 symbolisierten) Projektionsobjektivs 40 angeordnet ist. In der Bildebene IP des Projektionsobjektivs 40 ist ein mit einer lichtempfindlichen Schicht versehenes Substrat (bzw. ein Wafer) 50 angeordnet.
  • Ebenfalls in 1 dargestellt sind zwei Lichtstrahlen 10 und 20, welche aus einer (in 1 nicht dargestellten) Beleuchtungseinrichtung austretend in der Objektebene OP des Projektionsobjektivs 40 zusammentreffen, wobei die Lichtstrahlen 10, 20 an der auf dem Retikel 30 vorgesehenen Struktur gebeugt werden. Dabei wird davon ausgegangen, dass die Struktur 30 (zumindest u. a.) ein Muster aus in Scan-Richtung verlaufenden Linien umfasst, wobei diese Scan-Richtung in dem in 1 eingezeichneten Koordinatensystem parallel zur (senkrecht zur Papierebene orientierten) y-Achse verläuft, so dass die besagte Beugung an diesen Linien der Struktur senkrecht zur Scan-Richtung (bzw. zur y-Achse) stattfindet.
  • Von dieser Beugung sind in 1 für jeden der Lichtstrahlen 10, 20 drei Beugungsordnungen 1113 bzw. 2123 angedeutet, von denen jeweils eine Beugungsordnung (nämlich die Beugungsordnung 11 bzw. 21) nicht durch das Projektionsobjektiv 40 hindurchgeht, wohingegen die übrigen beiden Beugungsordnungen 12 und 13 bzw. 22 und 23 durch das Projektionsobjektiv 40 verlaufen, wobei sie auf dem in der Bildebene IP angeordneten Wafer 50 wieder zusammentreffen.
  • Wesentlich für das der vorliegenden Erfindung zugrunde liegende Prinzip ist nun, dass auf dem in der Bildebene IP des Projektionsobjektivs 40 angeordneten Wafer 50 effektiv unpolarisiertes Licht (d. h. Licht ohne Polarisationsvorzugsrichtung) erzeugt wird, ohne das hierzu die beiden aus der Beleuchtungseinrichtung austretenden Lichtstrahlen 10 und 20 selbst unpolarisiert sind. Vielmehr wird gemäß der Erfindung durch geeignete Ausbildung der Beleuchtungseinrichtung erreicht, dass die Lichtstrahlen 10 und 20 zueinander orthogonale Polarisationszustände aufweisen. Bei diesen orthogonalen Polarisationszuständen kann es sich, wie im Weiteren noch näher erläutert wird, sowohl um lineare Polarisationszustände mit zueinander senkrechter Polarisationsvorzugsrichtung als auch um zirkulare Polarisationszustände mit zueinander entgegengesetzter Händigkeit (d. h. linkszirkular polarisiertes Licht und rechtszirkular polarisiertes Licht) handeln.
  • Dabei macht sich die Erfindung den Effekt zunutze, dass die durch das Projektionsobjektiv 40 verlaufenden beiden Beugungsordnungen 12, 13 des ersten Lichtstrahls 10 einerseits und die durch das Projektionsobjektiv 40 verlaufenden beiden Beugungsordnungen 22, 23 des zweiten Lichtstrahls 20 andererseits auch auf dem in der Bildebene IP angeordneten Wafer 50 bei der Erzeugung des Bil des der abzubildenden Struktur mit zueinander orthogonalen Polarisationszuständen zusammentreffen und sich dabei effektiv zu unpolarisiertem Licht überlagern.
  • 2 zeigt in schematischer Darstellung eine Beleuchtungseinrichtung 200 einer Mikrolithographie-Projektionsbelichtungsanlage. Die Beleuchtungseinrichtung 200 dient zum Beleuchten eines in der Objektebene OP eines (in 2 nicht dargestellten) Projektionsobjektivs angeordneten Retikels (Maske) 201, wie zuvor anhand von 1 beschrieben wurde.
  • Auf die Beleuchtungseinrichtung 200 trifft Licht von einer Lichtquelleneinheit 202, welche beispielsweise einen ArF-Laser für eine Arbeitswellenlänge von 193 nm oder einen F2-Laser für eine Arbeitswellenlänge von 157 nm mit einer ein paralleles Lichtbündel erzeugenden Strahlformungsoptik umfassen kann. Dieses parallele Lichtbündel trifft im Ausführungsbeispiel zunächst auf ein diffraktives optisches Element (DOE) 203, welches in Verbindung mit einem in Lichtausbreitungsrichtung nachgeordneten Zoom-Axikon 204 in der nach einem Umlenkspiegel 205 angeordneten Pupillenebene je nach Zoom-Stellung und Position der Axikon-Elemente unterschiedliche Beleuchtungskonfigurationen erzeugt. Im Strahlengang hinter dem DOE 203 befindet sich ein Depolarisator 206 (z. B. ein Hanle-Depolarisator), um das linear polarisierte Licht der Lichtquelle 202 in Verbindung mit einem nachgeordneten Lichtmischsystem 207 in unpolarisiertes Licht umzuwandeln. Das Lichtmischsystem 207 ist im Ausführungsbeispiel in Form einer für sich bekannten Anordnung aus mikrooptischen Elementen ausgebildet. Alternativ kann jedoch auch in bekannter Weise ein Wabenkondensor oder Stabintegrator als Lichtmischsystem verwendet werden. Eine nach einer auf das Lichtmischsystem 207 folgenden Abbildungsoptik 208 angeordnete Zwischenfeldebene wird durch ein (lediglich schematisch angedeutetes) REMA-Objektiv 209 auf das die abzubildende Struktur tragende Retikel 201 abgebildet. Das Struktur tragende Retikel 201 wird mit einem (in 2 nicht dargestellten) Projektionsobjektiv auf ein lichtempfindliches Substrat analog zu 1 abgebildet.
  • In der mit „P" bezeichneten Pupillenebene innerhalb des REMA-Objektivs 209 befindet sich eine polarisationsbeeinflussende optische Anordnung 210, zu deren Realisierung unterschiedliche Ausführungsbeispiele anhand der nachfolgenden 3 bis 6 erläutert werden.
  • Gemeinsames Merkmal der Ausführungsbeispiele einer polarisationsbeeinflussenden optischen Anordnung gemäß 3 bis 5 ist es, dass diese Anordnung aus dem auf sie treffenden Licht, welches eine lineare Restpolarisation aufweist, Lichtanteile mit zueinander orthogonalem Polarisationszustand erzeugt, wobei diese Lichtanteile symmetrisch zu einer zentralen Position des Lichtbündelquerschnitts in der Pupillenebene P angeordnet sind.
  • Dabei resultiert die besagte lineare Restpolarisation des auf die polarisationsbeeinflussende optische Anordnung treffenden Lichtes insbesondere aus einer sich aus Überlagerung der Effekte von in der Beleuchtungseinrichtung vorhandenen AR-Schichten und HR-Schichten ergebenden inhomogenen Restpolarisationsverteilung. Diese Restpolarisationsverteilung ist wie eingangs erläutert darauf zurückzuführen, dass eine durch die auf den Linsen (insbesondere auf den Kegellinsen des Zoom-Axikons 204) befindlichen AR-Schichten erzeugte radiale Restpolarisationsverteilung sich mit einer durch HR-Schichten erzeugten linearen Restpolarisation von konstanter Polarisationsvorzugsrichtung überlagert, wobei sich diese einander überlagernden Restpolarisationsverteilungen gegenseitig je nach Richtung (senkrecht oder parallel in Bezug auf die Scan-Richtung) verstärken oder abschwächen.
  • Im Weiteren wird unter Bezugnahme auf 3a und 3b eine polarisationsbeeinflussende optische Anordnung 300 gemäß einer ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung erläutert.
  • 3a zeigt zunächst schematisch ein Beispiel einer sich in der Pupillenebene P des REMA-Objektivs 209 einstellenden Polarisationsverteilung P1, wobei lediglich beispielhaft ein sogenanntes Dipol-X-Beleuchtungssetting zugrunde gelegt wird, bei welchem Licht in der Pupillenebene P auf die Pole eines sich in x-Richtung (d. h. senkrecht zur in y-Richtung verlaufenden Scan-Richtung) erstreckenden Dipols begrenzt wird. Wie durch die Doppelpfeile in 3a angedeutet, welche jeweils die Schwingungsrichtung des elektrischen Feldstärkevektors symbolisieren, ergibt sich aufgrund der vorstehend erläuterten Restpolarisationseffekte in den Bereichen dieser Pole eine zumindest näherungsweise radiale Restpolarisationsverteilung.
  • 3b zeigt nun für dieses Beispiel die Wirkung einer erfindungsgemäßen polarisationsbeeinflussenden optischen Anordnung 300 gemäß einer ersten Ausführungsform. Die Anordnung 300 besteht in dem Ausführungsbeispiel aus einem optischen Rotatorelement, welches für hindurchtretendes, linear polarisiertes Licht eine Drehung der Polarisationsvorzugsrichtung um 90° oder um ein ungeradzahliges Vielfaches hiervon bewirkt. Bei Verwendung von synthetischem, optisch aktivem kristallen Quarz mit einem spezifischen Drehvermögen α von etwa 323.1° pro mm bei einer Wellenlänge von 193 nm und einer Temperatur von 21.6°C entspricht diese Bedingung einer Dicke dieses polarisationsbeeinflussenden optischen Elementes von 278.5 μm + N·557 μm (N = 0, 1, 2, ...) oder einem ungeradzahligen Vielfachen hiervon. Die Anordnung 300 bzw. das polarisationsbeeinflussende optische Element deckt hierbei nur einen Bruchteil des Lichtbündelquerschnitts, und zwar im Wesentlichen den Bereich von einem der beiden Pole des genannten Dipol-X-Beleuchtungssettings, ab.
  • Die in 3b eingezeichneten Doppelpfeile bezeichnen die sich infolge des Einflusses der Anordnung 300 ergebende Polarisationsverteilung. Wie aus 3b ersichtlich, entsteht durch Wirkung der Anordnung 300 in dem in 3b rechten Pol aus der ursprünglich radialen Polarisationsverteilung eine tangentiale Polarisationsverteilung, bei der die Schwingungsrichtung des elektrischen Feldstärkevektors um 90° gedreht wurde und nunmehr senkrecht zu dem auf die (in z-Richtung verlaufende) optische Achse gerichteten Radius orientiert ist.
  • In dem in 4a, b gezeigten Ausführungsbeispiel umfasst eine polarisationsbeeinflussende optische Anordnung 400 zur Umwandlung der Polarisationsverteilung P3 von 4a (welche der Polarisationsverteilung P1 von 3 entspricht) neben einem optischen Rotatorelement 420, welche die Hälfte des Lichtbündelquerschnitts abdeckt und analog zu dem polarisationsbeeinflussenden Element von 3b ausgebildet ist, eine die Polarisationsverteilung nicht beeinflussende Ausgleichsplatte 410 aus nicht doppelbrechendem, d. h. weder linear noch zirkular doppelbrechendem Material, z. B. optisch amorphem Quarzglas. Diese Ausgleichsplatte 410 dient zum Ausgleich der optischen Wege und der optischen Transmission in den beiden Bereichen P4,a und P4,b.
  • Bei der weiteren, in 5 schematisch dargestellten Ausführungsform umfasst eine polarisationsbeeinflussende optische Anordnung 500 zur Umwandlung der in 5a gezeigten Polarisationsverteilung P5 (welche wiederum den Polarisationsverteilungen P1 und P3 von 3a bzw. 4a entspricht) zwei Lambda/4-Platten 510 und 520, wobei die optische Kristallachse in der ersten Lambda/4-Platte 510 unter einem Winkel von +45° zur x-Achse orientiert ist und wobei die optische Kristallachse in der zweiten Lambda/4-Platte 520 unter einem Winkel von –45° zur x-Achse orientiert ist. Die Lambda/4-Platten 510 und 520 können aus einem beliebigen geeigneten doppelbrechendem Material, beispielsweise für eine Arbeitswellenlänge von 193 nm aus Magnesiumfluorid (MgF2) oder kristallinem Quarz (SiO2) hergestellt sein.
  • Wie in 5b angedeutet ist, besteht die Wirkung der Anordnung 500 darin, dass die lineare Polarisationsverteilung P5 in dem Bereich P6,a in linkszirkular polarisiertes Licht umgewandelt wird, wohingegen die lineare Eingangspolarisationsverteilung P5 in dem Bereich P6,b in rechtszirkular polarisiertes Licht umgewandelt wird. Wie bei den zuvor beschriebenen Ausführungsbeispielen erzeugt also auch die polarisationsbeeinflussende optische Anordnung 500 aus dem auf sie treffenden Licht, welches eine lineare Restpolarisation aufweist, Lichtanteile mit zueinander orthogonalem Polarisationszustand, wobei diese Lichtanteile symmetrisch zu einer zentralen Position des Lichtbündelquerschnitts angeordnet sind.
  • Bei der weiteren, in 6 schematisch dargestellten Ausführungsform umfasst eine polarisationsbeeinflussende optische Anordnung 600 zur Umwandlung der in 6a gezeigten Polarisationsverteilung P7 (welche nun im Unterschied zu 3 bis 5 eine homogene zirkulare Polarisationsverteilung ist, im gezeigten Beispiel linkszirkular polarisiertes Licht) eine Lambda/2-Platte 600, die aus einem beliebigen geeigneten doppelbrechendem Material, beispielsweise für eine Arbeitswellenlänge von 193 nm aus Magnesiumfluorid (MgF2) oder kristallinem Quarz (SiO2) hergestellt sein kann. Die Anordnung 600 bzw. die Lambda/2-Platte deckt hierbei analog zu der Ausführung von 3 nur einen Bruchteil des Lichtbündelquerschnitts, und zwar wiederum im Wesentlichen den Bereich von einem der beiden Pole des genannten Dipol-X-Beleuchtungssettings, ab. Da die Lambda/2-Platte die Händigkeit des durch sie hindurch tretenden zirkular polarisierten Lichtes umkehrt, erzeugt sie im Bereich des rechten Pols der Dipol-X-Verteilung rechtszirkular polarisiertes Licht. Im Falle der gleichfalls möglichen Verwendung von auf die Anordnung 600 treffendem rechtszirkular polarisiertem Licht erzeugt die Lambda/2-Platte analog im dem von ihr abgedeckten Bereich des Lichtbündelquerschnitts linkszirkular polarisiertes Licht.
  • Im Ergebnis erzeugt also die polarisationsbeeinflussende optische Anordnung 600 aus dem auf sie treffenden Licht, welches eine zirkulare Polarisationsverteilung aufweist, wiederum die erfindungsgemäß benötigten Lichtanteile mit zueinander orthogonalem Polarisationszustand, wobei diese Lichtanteile wieder symmetrisch zu einer zentralen Position des Lichtbündelquerschnitts angeordnet sind.
  • Selbstverständlich können in den vorstehend unter Bezugnahme auf 3 bis 6 erläuterten Ausführungsformen die jeweiligen polarisationsbeeinflussenden optischen Elemente auch aus zwei oder mehreren Teilplatten zusammengesetzt sein, was im Hinblick auf die begrenzte Verfügbarkeit des jeweils verwendeten kristallinen Materials vorteilhaft sein kann. Des Weiteren können selbstverständlich auch bei sämtlichen Ausführungsformen Ausgleichsplatten analog zu der Ausführungsform von 4 vorgesehen sein.
  • In 7 ist wiederum vereinfacht der Aufbau einer Beleuchtungseinrichtung 700 gemäß einer weiteren Ausführungsform der vorliegenden Erfindung dargestellt. Dabei wurden im Vergleich zu 2 entsprechende bzw. im Wesentlichen funktionsgleiche Elemente mit entsprechenden, um 500 erhöhten Bezugsziffern bezeichnet.
  • Die Beleuchtungseinrichtung 700 gemäß 7 unterscheidet sich von derjenigen gemäß 2 durch ein zusätzliches optisches Rotatorelement 711, welches in der nach dem Zoom-Axikon 704 befindlichen Pupillenebene angeordnet ist und über den gesamten Lichtbündelquerschnitt für hindurchtretendes, linear polarisiertes Licht eine Drehung der Polarisationsvorzugsrichtung um 90° bewirkt. Bei Verwendung von synthetischem, optisch aktivem kristallinen Quarz entspricht diese Bedingung somit wiederum einer Dicke von etwa 278,5 μm + N·557 μm (N = 0, 1, 2, ...). Mittels dieses optischen 90°-Rotators kann in grundsätzlich bekannter Weise eine effektive Vertauschung der zueinander senkrechten Polarisationszustände zwischen den vor bzw. nach diesem Rotatorelement 711 angeordneten Teilsystemen und damit eine zumindest teilweise Aufhebung der in den Teilsystemen angesammelten Phasensprüngen erreicht werden.
  • Dieses Kompensationsprinzip wird gemäß dem Ausführungsbeispiel von 7 mit der für die vorliegende Erfindung charakteristischen Erzeugung orthogonaler Polarisationszustände aus einer in der Pupillenebene des REMA-Objektivs 709 verbleibenden Restpolarisation kombiniert.
  • Wenn die Erfindung auch anhand spezieller Ausführungsformen beschrieben wurde, erschließen sich für den Fachmann zahlreiche Variationen und alternative Ausführungsformen, z. B. durch Kombination und/oder Austausch von Merkmalen einzelner Ausführungsformen. Dementsprechend versteht es sich für den Fachmann, dass derartige Variationen und alternative Ausführungsformen von der vorliegenden Erfindung mit umfasst sind, und die Reichweite der Erfindung nur im Sinne der beigefügten Patentansprüche und deren Äquivalente beschränkt ist.
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
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Claims (18)

  1. Beleuchtungseinrichtung einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage, • wobei die Beleuchtungseinrichtung (200, 700) im Betrieb der Projektionsbelichtungsanlage eine Objektebene (OP) eines Projektionsobjektivs (40) der Projektionsbelichtungsanlage beleuchtet; und • wobei die Beleuchtungseinrichtung (200, 700) derart ausgebildet ist, dass im Betrieb der Beleuchtungseinrichtung erzeugte Lichtanteile (10, 20), welche sich erst in der Objektebene (OP) überlagern, zueinander orthogonale Polarisationszustände aufweisen.
  2. Beleuchtungseinrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass diese zueinander orthogonale Polarisationszustände aufweisenden Lichtanteile jeweils unterschiedliche Bereiche einer Pupillenebene (P) der Beleuchtungseinrichtung (200, 700) durchlaufen.
  3. Beleuchtungseinrichtung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass diese Bereiche zueinander punktsymmetrisch in Bezug auf eine zentrale Position des Lichtbündelquerschnitts in der Pupillenebene (P) angeordnet sind.
  4. Beleuchtungseinrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass diese Lichtanteile (10, 20) bei Beugung an einer in der Objektebene (OP) befindlichen Struktur im Betrieb der Projektionsbelichtungsanlage sich in einer Bildebene (IP) des Projektionsobjektivs zu effektiv unpolarisiertem Licht überlagern.
  5. Beleuchtungseinrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, dass die zueinander orthogonalen Polarisationszustände lineare Polarisationszustände mit zueinander senkrechter Polarisationsvorzugsrichtung sind.
  6. Beleuchtungseinrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, dass die zueinander orthogonalen Polarisationszustände zirkulare Polarisationszustände mit zueinander entgegengesetzter Händigkeit sind.
  7. Beleuchtungseinrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass diese eine polarisationsbeeinflussende optische Anordnung (210, 300, 400, 500, 600) aufweist, welche die Lichtanteile mit zueinander orthogonalem Polarisationszustand erzeugt.
  8. Beleuchtungseinrichtung nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, dass die polarisationsbeeinflussende optische Anordnung (210, 300, 400) für einen durch die Anordnung hindurchtretenden, linear polarisierten Lichtanteil den Polarisationszustand über einen ersten Teilbereich des Lichtbündelquerschnitts unverändert lässt und über einen zweiten Teilbereich des Lichtbündelquerschnitts eine Drehung der Polarisationsvorzugsrichtung um 90° oder um ein ungeradzahliges Vielfaches hiervon bewirkt.
  9. Beleuchtungseinrichtung nach Anspruch 7 oder 8, dadurch gekennzeichnet, dass die polarisationsbeeinflussende optische Anordnung (210, 300, 400) wenigstens ein optisches Rotatorelement aufweist, welches im Betrieb der Projektionsbelichtungsanlage nur einen Bruchteil des Lichtbündelquerschnitts abdeckt und für hindurchtretendes, linear polarisiertes Licht eine Drehung der Polarisationsvorzugsrichtung um 90° oder um ein ungeradzahliges Vielfaches hiervon bewirkt.
  10. Beleuchtungseinrichtung nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, dass die polarisationsbeeinflussende optische Anordnung (210, 500) einen durch die Anordnung hindurchtretenden, linear polarisierten Lichtanteil über einen ersten Teilbereich des Lichtbündelquerschnitts in linkszirkular polarisiertes Licht umwandelt und über einen zweiten Teilbereich des Lichtbündelquerschnitts in rechtszirkular polarisiertes Licht umwandelt.
  11. Beleuchtungseinrichtung nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, dass die polarisationsbeeinflussende optische Anordnung (600) für einen durch die Anordnung hindurchtretenden, zirkular polarisierten Lichtanteil den Polarisationszustand über einen ersten Teilbereich des Lichtbündelquerschnitts unverändert lässt und über einen zweiten Teilbereich des Lichtbündelquerschnitts die Händigkeit des zirkular polarisierten Lichtes umkehrt.
  12. Beleuchtungseinrichtung nach einem der Ansprüche 7 bis 11, dadurch gekennzeichnet, dass die polarisationsbeeinflussende optische Anordnung in einem REMA-Objektiv (209, 609), welches im Betrieb der Projektionsbelichtungsanlage eine Zwischenfeldebene in die Objektebene abbildet, und vorzugsweise in einer Pupillenebene dieses REMA-Objektivs (209, 609), angeordnet ist.
  13. Mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage mit einer Beleuchtungseinrichtung und einem Projektionsobjektiv, wobei die Beleuchtungseinrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche ausgelegt ist.
  14. Verfahren zum Betreiben einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage, welche eine Beleuchtungseinrichtung und ein Projektionsobjektiv aufweist, wobei die Beleuchtungseinrichtung eine Objektebene (OP) des Projektionsobjektivs (40) beleuchtet, und wobei in der Beleuchtungseinrichtung Lichtanteile (10, 20) mit zueinander orthogonalem Polarisationszustand derart erzeugt werden, dass sich diese Lichtanteile erst in der Objektebene (OP) überlagern.
  15. Verfahren nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, dass diese Lichtanteile sich bei Beugung an einer in der Objektebene befindlichen Struktur in einer Bildebene des Projektionsobjektivs zu effektiv unpolarisiertem Licht überlagern.
  16. Verfahren nach Anspruch 14 oder 15, dadurch gekennzeichnet, dass diese Lichtanteile (10, 20) mit zueinander orthogonalem Polarisationszustand jeweils unterschiedliche Bereiche einer Pupillenebene (P) der Beleuchtungseinrichtung durchlaufen.
  17. Verfahren zur mikrolithographischen Herstellung mikrostrukturierter Bauelemente mit folgenden Schritten: • Bereitstellen eines Substrats, auf das zumindest teilweise eine Schicht aus einem lichtempfindlichen Material aufgebracht ist; • Bereitstellen einer Maske, die abzubildende Strukturen aufweist; • Bereitstellen einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage nach Anspruch 13; und • Projizieren wenigstens eines Teils der Maske auf einen Bereich der Schicht mit Hilfe der Projektionsbelichtungsanlage.
  18. Mikrostrukturiertes Bauelement, das nach einem Verfahren gemäß Anspruch 17 hergestellt ist.
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