JP2002304961A - Both faced emission type fluorescent emission device - Google Patents
Both faced emission type fluorescent emission deviceInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、カソード基板を挟
んで対向した第１アノード基板及び第２アノード基板
に、蛍光体を被着したアノード電極をそれぞれ形成した
両面発光型蛍光発光装置に関する。特に、表示装置とし
て使用される両面発光型蛍光表示装置に好適である。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a two-sided fluorescent light emitting device in which a first anode substrate and a second anode substrate opposed to each other with a cathode substrate interposed therebetween are formed with anode electrodes each having a phosphor adhered thereto. In particular, it is suitable for a dual emission fluorescent display device used as a display device.
【０００２】[0002]
【従来の技術】以下、両面発光型蛍光表示装置を例にし
て説明を行う。従来、両面発光型蛍光表示装置として、
基板と蓋にそれぞれ蛍光体を塗布したアノード電極を形
成し、それぞれのアノード電極に別々のグリッドを配置
し、両グリッドの間にフィラメントを張架した３極管構
造のものが知られている（特公昭５６−１１９８８号参
照）。2. Description of the Related Art A dual emission type fluorescent display device will be described below as an example. Conventionally, as a dual emission fluorescent display device,
There is known a triode structure in which an anode electrode in which a phosphor is applied to a substrate and a lid is formed, a separate grid is arranged on each anode electrode, and a filament is stretched between both grids ( See Japanese Patent Publication No. 56-11988).
【０００３】図８は、従来の両面発光型蛍光表示装置の
断面図である。基板１０１と蓋１０２から外囲器が構成
されている。基板１０１には、蛍光体１０３を塗布した
棒状セグメント電極（アノード電極）１０４からなる第
１表示部を形成し、その第１表示部に金属製の立体構造
グリッド１０５を対向配置している。蓋１０２には、蛍
光体１０６を塗布した日の字状７セグメント電極（アノ
ード電極）１０７からなる第２表示部を形成し、その第
２表示部に金属製の立体構造グリッド１０８を対向配置
している。両グリッド１０５，１０８の間に、表面に電
子放出物質を被着した細長い線状の酸化物カソードフィ
ラメント（熱陰極）１０９を張架している。フィラメン
ト１０９は、基板１０１に固定された金属製の立体構造
を有するフィラメント支持部材１１０に取り付けてい
る。グリッド１０５，１０８は、フィラメント１０９か
ら両セグメント電極１０４，１０７への電子を制御す
る。これにより、各セグメント電極１０４，１０７に塗
布した蛍光体１０３，１０６からの発光を、蓋１０２を
通して外囲器の片側の面から観察している。FIG. 8 is a sectional view of a conventional double-sided fluorescent display device. An envelope is composed of the substrate 101 and the lid 102. On a substrate 101, a first display section including a bar-shaped segment electrode (anode electrode) 104 coated with a phosphor 103 is formed, and a metal three-dimensional structure grid 105 is opposed to the first display section. On the lid 102, a second display unit composed of a seven-segment electrode (anode electrode) 107 having the shape of a sun coated with the phosphor 106 is formed, and a three-dimensional metal grid 108 is arranged to face the second display unit. ing. An elongated linear oxide cathode filament (hot cathode) 109 having an electron-emitting substance on its surface is stretched between the grids 105 and 108. The filament 109 is attached to a filament support member 110 having a three-dimensional metal structure fixed to the substrate 101. The grids 105 and 108 control electrons from the filament 109 to both segment electrodes 104 and 107. Thus, light emission from the phosphors 103 and 106 applied to the segment electrodes 104 and 107 is observed through the lid 102 from one surface of the envelope.
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】前述した特公昭５６−
１１９８８号に記載された両面発光型蛍光表示装置に
は、次のような問題点があった。[Problems to be Solved by the Invention]
The dual emission fluorescent display device described in Japanese Patent No. 11988 has the following problems.
【０００５】 各表示部（セグメント電極）に対向さ
せて金属製の立体構造グリッドを配置しているため、部
品数が多くなり、構造が複雑で、かつ蛍光表示装置の薄
型化、軽量化が困難。 蛍光表示装置を組み立てる際、グリッドとアノード
電極との位置合わせが難しい等、製造工程が複雑。 金属製の立体構造グリッドによる無駄な消費電力
（無効電流）が多くなる。 フィラメント（熱陰極）は振動に弱く、表示装置の
大型化が困難。 フィラメント（熱陰極）は線状電子源であり、フィ
ラメント直下にある蛍光体の発光とフィラメントから離
れた位置にある蛍光体の発光に違いが生じるため、発光
部に輝度ムラが生じる。Since the metal three-dimensional structure grid is arranged to face each display unit (segment electrode), the number of parts is increased, the structure is complicated, and it is difficult to reduce the thickness and weight of the fluorescent display device. . When assembling a fluorescent display device, the manufacturing process is complicated, for example, it is difficult to align the grid with the anode electrode. Useless power consumption (reactive current) by the metal three-dimensional structure grid increases. The filament (hot cathode) is vulnerable to vibration, and it is difficult to increase the size of the display device. The filament (hot cathode) is a linear electron source, and there is a difference between the light emission of the phosphor immediately below the filament and the light emission of the phosphor at a position distant from the filament.
【０００６】本発明は、以上説明した問題点に鑑みて成
されたものであり、部品点数がより少なく、構造が簡単
であり、製造がより容易で、消費電力がより少なく、表
示装置の大型化が容易で、発光部の輝度ムラを低減した
両面発光型蛍光発光装置を提供することを目的としてい
る。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above-described problems, and has a reduced number of parts, a simplified structure, easier manufacture, reduced power consumption, and a large display device. It is an object of the present invention to provide a double-sided fluorescent light emitting device that can be easily manufactured and has reduced luminance unevenness of a light emitting unit.
【０００７】[0007]
【課題を解決するための手段】請求項１に記載された両
面発光型蛍光発光装置は、カソード基板と、前記カソー
ド基板の一方の面に対向して配置されると共に前記カソ
ード基板に対向した面に蛍光体を塗布した第１アノード
電極を有する第１アノード基板と、前記カソード基板の
他方の面に対向して配置されると共に前記カソード基板
に対向した面に蛍光体を塗布した第２アノード電極を有
する第２アノード基板を有する真空外囲器を備え、前記
カソード基板は、前記第１アノード電極及び前記第２ア
ノード電極に各々対向する電子源（面状カソード）を両
面に形成したことを特徴としている。According to a first aspect of the present invention, there is provided a dual-sided fluorescent light-emitting device, comprising: a cathode substrate; and a surface disposed opposite to one surface of the cathode substrate and facing the cathode substrate. A first anode substrate having a first anode electrode coated with a phosphor, and a second anode electrode disposed opposite to the other surface of the cathode substrate and coated with a phosphor on the surface facing the cathode substrate A vacuum envelope having a second anode substrate having the following structure. The cathode substrate has an electron source (a planar cathode) formed on both sides thereof opposed to the first anode electrode and the second anode electrode, respectively. And
【０００８】請求項２に記載された両面発光型蛍光発光
装置は、請求項１記載の両面発光型蛍光発光装置におい
て、前記電子源（面状カソード）は、前記カソード基板
上に形成されたカソード電極と、前記カソード電極上に
形成されたエミッタからなることを特徴としている。[0008] In a two-sided fluorescent light emitting device according to a second aspect, in the two-sided fluorescent light emitting device according to the first aspect, the electron source (a planar cathode) is a cathode formed on the cathode substrate. It is characterized by comprising an electrode and an emitter formed on the cathode electrode.
【０００９】請求項３に記載された両面発光型蛍光発光
装置は、請求項１記載の両面発光型蛍光発光装置におい
て、前記電子源（面状カソード）は、前記カソード基板
上に形成されたカソード電極と、前記カソード電極上に
絶縁層を介して形成されたゲート電極と、前記カソード
電極と前記ゲート電極とが重なる領域又は交差する領域
の所定領域の前記絶縁層と前記ゲート電極に開口部を形
成し、該開口部内の前記カソード電極上に形成されたエ
ミッタからなることを特徴としている。According to a third aspect of the present invention, in the double-sided fluorescent light emitting device according to the first aspect, the electron source (plane cathode) is a cathode formed on the cathode substrate. An electrode, a gate electrode formed on the cathode electrode via an insulating layer, an opening in the insulating layer and the gate electrode in a predetermined region of a region where the cathode electrode and the gate electrode overlap or intersect with each other. And an emitter formed on the cathode electrode in the opening.
【００１０】請求項４に記載された両面発光型蛍光発光
装置は、請求項２又は３記載の両面発光型蛍光発光装置
において、前記エミッタは、高融点金属又はＳｉ又は金
属化合物又はカーボン材料又はナノカーボン（カーボン
ナノチューブ，カーボンナノファイバー，グラファイト
ナノファイバー，ナノホーン）又はダイヤモンドライク
カーボン又はカーボン薄膜からなる電界電子放出電子源
又はそのアレイであることを特徴としている。[0010] According to a fourth aspect of the present invention, in the two-sided fluorescent light emitting device according to the second or third aspect, the emitter is made of a high melting point metal, Si, a metal compound, a carbon material, or a nano material. A field emission electron source comprising carbon (carbon nanotube, carbon nanofiber, graphite nanofiber, nanohorn), diamond-like carbon or carbon thin film, or an array thereof.
【００１１】請求項５に記載された両面発光型蛍光発光
装置は、請求項１記載の両面発光型蛍光発光装置におい
て、前記カソード基板は、少なくとも気密容器内の基板
の１部に貫通孔部を有することを特徴としている。According to a fifth aspect of the present invention, there is provided a double-sided fluorescent light emitting device according to the first aspect, wherein the cathode substrate has a through hole in at least a part of the substrate in the hermetic container. It is characterized by having.
【００１２】請求項６に記載された両面発光型蛍光発光
装置は、請求項５記載の両面発光型蛍光発光装置におい
て、前記貫通孔部にゲッターを配設したことを特徴とし
ている。A double-sided fluorescent light emitting device according to a sixth aspect is characterized in that, in the double-sided fluorescent light emitting device according to the fifth aspect, a getter is provided in the through hole.
【００１３】[0013]
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づいて説明する。なお、本発明は図示の構成に限定
されるわけではなく、様々な設計変更が可能である。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. Note that the present invention is not limited to the illustrated configuration, and various design changes are possible.
【００１４】図１乃至図４を参照して、本発明の第１の
実施の形態を説明する。図１は、本発明の両面発光型蛍
光発光装置の全体構造を示す平面図である。図２は、図
１に示す両面発光型蛍光発光装置のＡ−Ａ方向の断面図
である。図３は、図１に示す両面発光型蛍光発光装置の
Ｂ−Ｂ方向の断面図である。尚、図１乃至図３では、カ
ソード基板１，第１アノード基板２，第２アノード基板
３，スペーサー部材４からなる外囲器のみを図示してい
る。A first embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. FIG. 1 is a plan view showing the overall structure of a dual emission fluorescent light emitting device of the present invention. FIG. 2 is a cross-sectional view of the double-sided fluorescent light emitting device shown in FIG. FIG. 3 is a sectional view of the double-sided fluorescent light emitting device shown in FIG. 1 to 3, only the envelope including the cathode substrate 1, the first anode substrate 2, the second anode substrate 3, and the spacer member 4 is shown.
【００１５】図１に示すように、両面発光型蛍光発光装
置は、内部が真空状態とされた薄型パネル状の外囲器を
有している。外囲器は、カソード基板１と、前記カソー
ド基板１の一方の面に微小な間隔をおいて対向配置され
た第１アノード基板２と、前記カソード基板１の他方の
面（第１アノード基板２と反対側の面）に微小な間隔を
おいて対向配置された第２アノード基板３と、３つの基
板１，２，３の外周部分をスペーサー部材４により封着
した構造となっている。As shown in FIG. 1, the double-sided fluorescent light emitting device has a thin panel-shaped envelope whose inside is in a vacuum state. The envelope includes a cathode substrate 1, a first anode substrate 2 opposed to one surface of the cathode substrate 1 at a small interval, and a second surface (first anode substrate 2) of the cathode substrate 1. The second anode substrate 3 is opposed to the second anode substrate 3 at a small interval on the opposite side (a surface opposite to the substrate), and the outer peripheral portions of the three substrates 1, 2, 3 are sealed by a spacer member 4.
【００１６】各基板１，２，３は、ガラス等の透光性及
び絶縁性を有する基板等からなる。透光性が不要な基板
については、セラミックス等の絶縁性を有する基板等で
も良い。また、スペーサー部材４は、例えば側面板と低
融点ガラス等の接着剤からなる封着剤（封着剤のみでも
良い）からなる。Each of the substrates 1, 2, 3 is made of a transparent or insulating substrate such as glass. As for the substrate which does not need to transmit light, an insulating substrate such as a ceramic may be used. The spacer member 4 is made of, for example, a sealing agent (only a sealing agent may be used) made of an adhesive such as a side plate and low-melting glass.
【００１７】図１乃至図３に示すように、３つの基板
１，２，３は、カソード基板１を基準として、各アノー
ド基板２，３をそれぞれ異なった方向に所定間隔ずらし
た状態で封着されている。これは、各基板上に形成され
たカソード電極やアノード電極に接続され、各電極を外
囲器の外部に引き出して給電端子とするカソード配線や
アノード配線を異なった方向に引き出し可能とし、配線
し易くするためである。また、カソード基板１の大きさ
は、アノード基板２，３の大きさよりも大きくなってい
る。As shown in FIGS. 1 to 3, the three substrates 1, 2, 3 are sealed in such a manner that the anode substrates 2, 3 are shifted by a predetermined distance in different directions with respect to the cathode substrate 1. Have been. This is because the electrodes are connected to the cathode electrode and anode electrode formed on each substrate, and each electrode is drawn out of the envelope so that the cathode wiring and anode wiring serving as power supply terminals can be drawn in different directions, and wiring is performed. This is to make it easier. The size of the cathode substrate 1 is larger than the sizes of the anode substrates 2 and 3.
【００１８】ここで、カソード基板１の両面に形成され
た不図示のカソード配線は、図２の紙面垂直方向（スペ
ーサー部材４で囲まれた領域からはみ出た基板部分）か
ら外部へ引き出されている。また、アノード基板２の内
面（カソード基板１に対向する面）に形成された不図示
のアノード配線は、図２の紙面右方向（スペーサー部材
４で囲まれた領域からはみ出た基板部分）から外部へ引
き出されている。同様に、アノード基板３の内面に形成
された不図示のアノード配線は、図２の紙面左方向（ス
ペーサー部材４で囲まれた領域からはみ出た基板部分）
から外部へ引き出されている。Here, the cathode wirings (not shown) formed on both surfaces of the cathode substrate 1 are drawn out from the direction perpendicular to the paper surface of FIG. 2 (the substrate portion protruding from the region surrounded by the spacer member 4). . Further, the anode wiring (not shown) formed on the inner surface of the anode substrate 2 (the surface facing the cathode substrate 1) extends from the right side of FIG. 2 (the substrate portion protruding from the region surrounded by the spacer member 4). Has been drawn to. Similarly, the anode wiring (not shown) formed on the inner surface of the anode substrate 3 is directed to the left side of the paper of FIG. 2 (the substrate portion protruding from the region surrounded by the spacer member 4).
From the outside.
【００１９】勿論、各基板１，２，３は、同じ大きさの
基板を使用しても良いし、その相対的な位置をずらさな
いで封着しても良い。また、各アノード基板２，３に形
成された各アノード配線を外囲器の外部へ引き出す方向
は、互いに異なる方向でも良いし、同一方向でも良い。
同様に、カソード基板１に形成された両面の各カソード
配線を外囲器の外部へ引き出す方向は、互いに異なる方
向でも良いし、同一方向でも良い。Of course, each of the substrates 1, 2, 3 may be a substrate of the same size, or may be sealed without shifting its relative position. The directions in which the anode wirings formed on the anode substrates 2 and 3 are drawn out of the envelope may be different from each other or may be the same.
Similarly, the directions in which the cathode wirings on both surfaces formed on the cathode substrate 1 are drawn out of the envelope may be different from each other or may be the same.
【００２０】以下、図４に基づいて、本発明の第１の実
施の形態の具体的な構成を、その作成手順に沿って説明
する。本発明の第１の実施の形態で使用する電子源は面
状カソードであり、２極管構造を有している。Hereinafter, a specific configuration of the first embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. The electron source used in the first embodiment of the present invention is a planar cathode and has a diode structure.
【００２１】図４は、図３０示す両面発光型蛍光発光装
置の部分拡大断面図である。図４に示すように、最初
に、絶縁性及び透光性を有するガラス基板からなるカソ
ード基板１の一方の表面１Ａ上に、ストライプ状のカソ
ード電極５を形成する。カソード電極５は、例えば膜厚
０．２μｍのＮｂ（ニオブ）膜等からなり、スパッタ法
やＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓ
ｉｔｉｏｎ）法などにより形成される。カソード電極５
は、不図示のカソード配線により外囲器の外側に引き出
されている。カソード配線の材質及び製法は、カソード
電極と同様である。FIG. 4 is a partially enlarged sectional view of the double-sided fluorescent light emitting device shown in FIG. As shown in FIG. 4, first, a striped cathode electrode 5 is formed on one surface 1A of a cathode substrate 1 made of a glass substrate having an insulating property and a light transmitting property. The cathode electrode 5 is made of, for example, a 0.2 μm-thick Nb (niobium) film or the like, and is formed by a sputtering method or a CVD (Chemical Vapor Depos).
It is formed by an ition method or the like. Cathode electrode 5
Are drawn out of the envelope by a cathode wiring (not shown). The material and manufacturing method of the cathode wiring are the same as those of the cathode electrode.
【００２２】次に、カソード電極５の上に、ストライプ
状又は（カソード電極５上の所望部分を露出させるよう
な開口部を有する）ベタ状の絶縁層６を積層形成する。
絶縁層６は、例えば膜厚０．５μｍのＳｉＯ２−Ｘ（１
＞Ｘ≧０）膜やＳｉＮ膜などからなり、スパッタ法やＣ
ＶＤ法などにより形成される。また、絶縁層６は、例え
ばガラスフリット材の塗布により形成することも可能で
ある。尚、絶縁層６は、必要に応じて設ければ良く、設
けなくとも良い。Next, a stripe-shaped or solid insulating layer 6 (having an opening for exposing a desired portion on the cathode electrode 5) is formed on the cathode electrode 5.
The insulating layer 6 is made of, for example, a SiO 2 -X (1
> X ≧ 0) film or SiN film, etc.
It is formed by a VD method or the like. Further, the insulating layer 6 can be formed by, for example, applying a glass frit material. Note that the insulating layer 6 may be provided as needed, and may not be provided.
【００２３】次に、カソード電極５の上に、ストライプ
状又はドット状のエミッタ７を形成する。エミッタ７
は、例えば多層カーボンナノチューブ又は単層カーボン
ナノチューブ，カーボンナノファイバー，グラファイト
ナノファイバー，ナノホーンなどのナノカーボンからな
る。エミッタ７は、例えばナノカーボンを有機溶剤に分
散して作成した印刷ペーストを使用して、印刷法により
形成される。尚、エミッタ７は、電着法又はスプレーに
より、カソード電極５の上に塗布することも可能であ
る。又、エミッタ７は、ダイヤモンドライクカーボンや
カーボン薄膜などを使用することも可能である。Next, a stripe-shaped or dot-shaped emitter 7 is formed on the cathode electrode 5. Emitter 7
Is composed of, for example, multi-walled carbon nanotubes or nano-carbons such as single-walled carbon nanotubes, carbon nanofibers, graphite nanofibers, and nanohorns. The emitter 7 is formed by a printing method using, for example, a printing paste prepared by dispersing nanocarbon in an organic solvent. The emitter 7 can be applied on the cathode electrode 5 by an electrodeposition method or spraying. In addition, the emitter 7 can use diamond-like carbon or carbon thin film.
【００２４】同様にして、絶縁性及び透光性を有するガ
ラス基板からなるカソード基板１の他方の表面１Ｂの上
に、カソード電極８（不図示のカソード配線を含む），
絶縁層９，エミッタ１０をそれぞれ形成する。各構成要
素の材質及び製法は、上記と同一である。Similarly, a cathode electrode 8 (including a cathode wiring (not shown)) and a cathode electrode 8 are formed on the other surface 1B of the cathode substrate 1 made of a glass substrate having an insulating property and a light transmitting property.
An insulating layer 9 and an emitter 10 are respectively formed. The material and manufacturing method of each component are the same as described above.
【００２５】尚、カソード基板１については、他の作成
方法でも作成可能である。例えば、カソード基板１の一
方の表面１Ａ上に、触媒金属からなるカソード電極５を
形成する。次に、カソード基板１の他方の表面１Ｂ上
に、触媒金属からなるカソード電極８を形成する。そし
て、ＣＶＤ法により、カソード電極５上にエミッタ７を
選択成長させて形成することも可能である。勿論、カソ
ード電極５，８上に、触媒金属層を別途形成して、その
触媒金属層上にエミッタ７を選択成長させることも可能
である。It should be noted that the cathode substrate 1 can be produced by other producing methods. For example, a cathode electrode 5 made of a catalytic metal is formed on one surface 1A of the cathode substrate 1. Next, a cathode electrode 8 made of a catalyst metal is formed on the other surface 1B of the cathode substrate 1. Then, the emitter 7 can be selectively grown on the cathode electrode 5 by the CVD method. Of course, it is also possible to separately form a catalyst metal layer on the cathode electrodes 5 and 8 and selectively grow the emitter 7 on the catalyst metal layer.
【００２６】次に、上記カソード基板１の作成とは別の
工程において、第１アノード電極１１を有する第１アノ
ード基板２及び第２アノード電極１３を有する第２アノ
ード基板３の作成が行われる。Next, in a step different from the preparation of the cathode substrate 1, a first anode substrate 2 having the first anode electrode 11 and a second anode substrate 3 having the second anode electrode 13 are formed.
【００２７】まず、第１アノード基板２の上に、ストラ
イプ状の第１アノード電極１１を形成する。第１アノー
ド電極１１は、例えば膜厚０．１μｍ乃至数μｍのＩＴ
Ｏ（インジウムと錫の酸化物）又はメッシュ状等の透光
部を有するＡｌ（アルミニウム）などからなり、スパッ
タ法やＥＢ蒸着法などにより形成される。第１アノード
電極１１は、不図示のアノード配線により外囲器の外部
へ引き出されている。アノード配線の材質及び製法は、
アノード電極と同様である。First, a first anode electrode 11 in the form of a stripe is formed on the first anode substrate 2. The first anode electrode 11 is formed of, for example, an IT having a thickness of 0.1 μm to several μm.
It is made of O (oxide of indium and tin) or Al (aluminum) having a light-transmitting portion such as a mesh, and is formed by a sputtering method, an EB evaporation method, or the like. The first anode electrode 11 is led out of the envelope by an anode wiring (not shown). The material and manufacturing method of the anode wiring
Same as the anode electrode.
【００２８】次に、第１アノード電極１１の上に、蛍光
体１２を被着形成する。蛍光体１２は、ＺｎＯ：Ｚｎ蛍
光体等からなり、印刷法により形成される。そして、第
１アノード電極１１，蛍光体１２がパターニングされた
第１アノード基板の大気焼成を行い、更にその後真空焼
成を行う。これにより、第１アノード電極１１を有する
第１アノード基板２の作成が完了する。Next, a phosphor 12 is formed on the first anode electrode 11. The phosphor 12 is made of a ZnO: Zn phosphor or the like, and is formed by a printing method. Then, the first anode substrate on which the first anode electrode 11 and the phosphor 12 are patterned is fired in the air, and then vacuum fired. Thus, the creation of the first anode substrate 2 having the first anode electrode 11 is completed.
【００２９】上記の第１アノード電極１１を有する第１
アノード基板２の作成と同様にして、第２アノード電極
１３を有する第２アノード基板３の作成が行われる。The first electrode having the first anode electrode 11
The second anode substrate 3 having the second anode electrode 13 is formed in the same manner as the formation of the anode substrate 2.
【００３０】以上のようにして、アドレス可能な面状の
カソードを有するカソード基板１と、第１アノード電極
１１を有する第１アノード基板２及び第２アノード電極
１３を有する第２アノード基板３が作成されると、対向
するカソード基板１と第１アノード基板２との間及びカ
ソード基板１と第２アノード基板３との間の外周部にス
ペーサー部材４を介して、各エミッタ７，１０（冷陰極
である電界放出カソード）と各アノード電極１１，１３
が所定の位置関係で対向するように位置合わせする。As described above, the cathode substrate 1 having the addressable planar cathode, the first anode substrate 2 having the first anode electrode 11, and the second anode substrate 3 having the second anode electrode 13 are formed. Then, each of the emitters 7 and 10 (cold cathode) is disposed between the opposing cathode substrate 1 and the first anode substrate 2 and the outer peripheral portion between the cathode substrate 1 and the second anode substrate 3 via the spacer member 4. And the respective anode electrodes 11 and 13
Are positioned so as to face each other in a predetermined positional relationship.
【００３１】この位置合わせされたカソード基板１と第
１アノード基板２及び第２アノード基板３を適当な治具
を用いて上下から押圧しながら、例えば二酸化炭素ガス
雰囲気中で、例えば４５０℃の所定温度に加熱焼成す
る。これにより、カソード基板１と第１アノード基板２
との間及びカソード基板１と第２アノード基板３との間
の外周部が互いに封着して外囲器が組み立てられる。While the cathode substrate 1, the first anode substrate 2 and the second anode substrate 3 thus aligned are pressed from above and below using an appropriate jig, for example, in a carbon dioxide gas atmosphere, for example, at a predetermined temperature of 450 ° C. Heat and bake to temperature. Thereby, the cathode substrate 1 and the first anode substrate 2
And the outer peripheral portions between the cathode substrate 1 and the second anode substrate 3 are sealed with each other to assemble the envelope.
【００３２】その後、外囲器の内部が所定の真空状態に
なるまで排気処理を行う。この排気処理は、第１アノー
ド基板２及び第２アノード基板３、又はカソード基板１
と第１アノード基板２の間のスペーサー部材４及びカソ
ード基板１と第２アノード基板３との間のスペーサー部
材４のそれぞれに設けた不図示の排気孔を通して行われ
る。この排気処理後、排気孔は、別部材である排気蓋等
により封止され、外囲器が気密に保たれる。Thereafter, exhaust processing is performed until the inside of the envelope becomes a predetermined vacuum state. This exhaust processing is performed by the first anode substrate 2 and the second anode substrate 3 or the cathode substrate 1
This is performed through an exhaust hole (not shown) provided in each of the spacer member 4 between the first anode substrate 2 and the spacer member 4 between the cathode substrate 1 and the second anode substrate 3. After the evacuation process, the evacuation hole is sealed by an evacuation lid or the like, which is another member, and the envelope is kept airtight.
【００３３】その後、エミッタ７，１０から電子を放出
させて蛍光体層１２，１４を試験的に所定時間発光駆動
するエージング処理を行う。これにより、図１乃至図４
に示す両面発光型蛍光発光装置が完成する。Thereafter, an aging process for emitting light from the emitters 7, 10 to drive the phosphor layers 12, 14 to emit light for a predetermined time on a trial basis is performed. As a result, FIGS.
Is completed.
【００３４】次に、本発明の第１の実施の形態の両面発
光型蛍光発光装置の画素選択構造（選択的な電子放出構
造）について、説明を行う。まず、カソード基板１の一
方の表面１Ａ上に形成されたカソード電極５は、所定方
向にストライプ状（線状）に形成された複数のカソード
電極群から構成されている。また、第１アノード基板２
上の第１アノード電極１１は、対向するカソード電極５
と交差する方向にストライプ状に形成された複数のアノ
ード電極群から構成されている。Next, the pixel selection structure (selective electron emission structure) of the dual emission fluorescent light emitting device according to the first embodiment of the present invention will be described. First, the cathode electrode 5 formed on one surface 1A of the cathode substrate 1 is composed of a plurality of cathode electrode groups formed in a stripe shape (linear shape) in a predetermined direction. Also, the first anode substrate 2
The upper first anode electrode 11 is opposed to the opposite cathode electrode 5.
And a plurality of anode electrode groups formed in a stripe shape in a direction intersecting with the anode electrode group.
【００３５】複数のカソード電極群と複数のアノード電
極群には、選択的に電圧を印加することが可能である。
そして、各群の所定のカソード電極及びアノード電極に
同時に電圧を印加すると、両電極間の電界により、両電
極の交差する領域にあるエミッタから選択的に電子を放
出させることができる。このカソード電極５と第１アノ
ード電極１１からなるマトリクス構造により、第１アノ
ード基板２上の画素領域（発光する蛍光体の領域）が選
択される。A voltage can be selectively applied to the plurality of cathode electrode groups and the plurality of anode electrode groups.
Then, when a voltage is simultaneously applied to a predetermined cathode electrode and anode electrode of each group, electrons can be selectively emitted from an emitter in a region where the two electrodes intersect by an electric field between the two electrodes. With this matrix structure including the cathode electrode 5 and the first anode electrode 11, a pixel region (a region of a phosphor that emits light) on the first anode substrate 2 is selected.
【００３６】同様にして、カソード基板１の他方の表面
１Ｂ上に形成されたカソード電極８は、所定方向にスト
ライプ状に形成された複数のカソード電極群から構成さ
れている。また、第２アノード基板３上の第２アノード
電極１３は、対向するカソード電極８と交差する方向に
ストライプ状に形成した複数のアノード電極群から構成
されている。Similarly, the cathode electrode 8 formed on the other surface 1B of the cathode substrate 1 is composed of a plurality of cathode electrode groups formed in stripes in a predetermined direction. The second anode electrode 13 on the second anode substrate 3 is composed of a plurality of anode electrode groups formed in a stripe shape in a direction intersecting the cathode electrode 8 facing the second anode electrode 13.
【００３７】複数のカソード電極群と複数のアノード電
極群には、選択的に電圧を印加することが可能である。
そして、各群の所定のカソード電極及びアノード電極に
同時に電圧を印加すると、両電極間の電界により、両電
極の交差する領域にあるエミッタから選択的に電子を放
出させることができる。このカソード電極８と第２アノ
ード電極１３からなるマトリクス構造により、第２アノ
ード基板３上の画素領域が選択される。A voltage can be selectively applied to the plurality of cathode electrode groups and the plurality of anode electrode groups.
Then, when a voltage is simultaneously applied to a predetermined cathode electrode and anode electrode of each group, electrons can be selectively emitted from an emitter in a region where the two electrodes intersect by an electric field between the two electrodes. A pixel region on the second anode substrate 3 is selected by the matrix structure including the cathode electrode 8 and the second anode electrode 13.
【００３８】尚、カソード基板１の一方の表面１Ａ上に
形成されたカソード電極５は、他方の表面１Ｂ上に形成
されたカソード電極８と同じ方向にストライプ状に形成
されていても良いし、異なる方向にストライプ状に形成
されていても良い。The cathode electrode 5 formed on one surface 1A of the cathode substrate 1 may be formed in a stripe shape in the same direction as the cathode electrode 8 formed on the other surface 1B. The stripes may be formed in different directions.
【００３９】また、本発明の第１の実施の形態の両面発
光型蛍光発光装置の発光（表示）観察面について説明を
行う。この発光観察面は、片面の場合と両面の場合の２
つのパターンがある。Next, the light emission (display) observation surface of the dual emission fluorescent light emitting device according to the first embodiment of the present invention will be described. This luminescence observation surface has two surfaces, one surface and two surfaces.
There are two patterns.
【００４０】まず、初めに両面から観察する２つのケー
スについて説明する。 （１）カソード基板１が非透光性であり、第１アノード
基板２及び第２アノード基板３が透光性を有する場合に
ついては、第１アノード基板２の外側（第１アノード電
極１１を形成した面の反対側）から第１アノード電極１
１の上に被着形成された蛍光体１２表面からの発光を、
蛍光体１２と第１アノード電極１１と第１アノード基板
２を通して観察する。First, two cases of observation from both sides will be described. (1) When the cathode substrate 1 is non-translucent and the first anode substrate 2 and the second anode substrate 3 have translucency, the outside of the first anode substrate 2 (where the first anode electrode 11 is formed) Anode electrode 1 from the side opposite to the
The light emission from the surface of the phosphor 12 adhered and formed on
Observation is performed through the phosphor 12, the first anode electrode 11, and the first anode substrate 2.
【００４１】また、第２アノード基板３の外側（第２ア
ノード電極１３を形成した面の反対側）から第２アノー
ド電極１３の上に被着形成された蛍光体１４表面からの
発光を、蛍光体１４と第２アノード電極１３と第２アノ
ード観基板３を通して観察する。Light emitted from the surface of the phosphor 14 formed on the second anode electrode 13 from the outside of the second anode substrate 3 (the side opposite to the surface on which the second anode electrode 13 is formed) is Observation is performed through the body 14, the second anode electrode 13, and the second anode viewing substrate 3.
【００４２】ここで、カソード基板１が非透光性を有す
る場合とは、カソード基板１自体が非透光性を有する
か、又はカソード基板１上の構成要素である各カソード
電極５，８及びエミッタ７，１０（絶縁層を形成した場
合には絶縁層６，９）が非透光性を有する場合である。
例えば、カソード基板１にセラミック基板等を使用した
場合が該当する。又は、カソード電極等を非透光性材料
により形成した場合が該当する。Here, the case where the cathode substrate 1 has a non-light-transmitting property means that the cathode substrate 1 itself has a non-light-transmitting property, or that the cathode electrodes 5, 8 and This is the case where the emitters 7 and 10 (the insulating layers 6 and 9 when the insulating layer is formed) have a non-light-transmitting property.
For example, a case where a ceramic substrate or the like is used as the cathode substrate 1 corresponds to this case. Alternatively, the case where the cathode electrode or the like is formed of a non-light-transmitting material corresponds to the case.
【００４３】また、第１アノード基板２及び第２アノー
ド基板３が透光性を有する場合とは、各アノード基板
２，３自体が透光性を有すると共に、各アノード基板
２，３上の各構成要素であるアノード電極１１，１３及
び蛍光体１２，１４が透光性を有する場合である。The case where the first anode substrate 2 and the second anode substrate 3 have a light-transmitting property means that each of the anode substrates 2 and 3 itself has a light-transmitting property and that each of the anode substrates 2 and 3 has a light-transmitting property. This is a case where the anode electrodes 11 and 13 and the phosphors 12 and 14 which are constituent elements have translucency.
【００４４】例えば、各アノード基板２，３にガラス基
板等を使用した場合が該当する。また、アノード電極１
１，１３を透光性材料により形成するか、アノード電極
１１，１３を非透光性材料によりメッシュ状等の光が透
過するようにパターン形成するか、若しくはアノード電
極１１，１３を光が透過するように薄い膜で形成した場
合が該当する。それから、蛍光体１２，１４を、カソー
ド電極５，８側の各表面における発光が直接又は間接的
に透過し易いように、蛍光体粒子層が２〜３層程度で形
成した場合などが該当する。For example, a case where a glass substrate or the like is used for each of the anode substrates 2 and 3 corresponds to this case. In addition, the anode electrode 1
The anode electrodes 11 and 13 are formed of a non-light-transmitting material so as to transmit light in a mesh shape or the like, or the anode electrodes 11 and 13 are formed of a light-transmitting material. This is the case when a thin film is formed. Then, a case where the phosphors 12 and 14 are formed with about two to three phosphor particle layers so that light emission on each surface on the side of the cathode electrodes 5 and 8 is easily transmitted directly or indirectly is applicable. .
【００４５】（２）カソード基板１，第１アノード基板
２，第２アノード基板３のすべてが透光性を有する場合
については、各アノード基板２，３の両側からそれぞ
れ、各アノード電極１１，１３の上に被着形成された蛍
光体１２，１４からの発光を重ねて観察することができ
る。例えば、日の字パターンの表示（数字表示）を行う
場合、対向する基板上の対応する同じ位置にそれぞれ日
の字パターンを、同じ大きさ又は異なる大きさで形成す
ると共に、蛍光体１２，１４の発光色を変えれば（例え
ば緑色と赤色を呈するものにする）、カラーシフト表示
（緑色の表示，赤色の表示，緑色と赤色の混合色による
表示）が可能となる。(2) In the case where the cathode substrate 1, the first anode substrate 2 and the second anode substrate 3 all have translucency, the anode electrodes 11 and 13 are provided from both sides of the anode substrates 2 and 3, respectively. The light emitted from the phosphors 12 and 14 formed on the substrate can be observed in an overlapping manner. For example, when displaying a day character pattern (numerical display), a day character pattern of the same size or different size is formed at the same corresponding position on the opposing substrate, and the phosphors 12 and 14 are formed. By changing the light emission color (for example, displaying green and red), a color shift display (display of green, display of red, display of a mixed color of green and red) becomes possible.
【００４６】また、例えば、ドットマトリクスパターン
の表示（グラフィック表示）を行う場合、第１アノード
電極１１の上に被着形成されたドット状の蛍光体１２の
ドットピッチ（各蛍光体ドットの上下左右の各方向の配
置間隔）を、３００ｄｐｉとする。同様に、第２アノー
ド電極１３の上に被着形成されたドット状の蛍光体１４
のドットピッチを、３００ｄｐｉとする。そして、各蛍
光体１２，１４のピッチを対向する基板上で各々ずらし
て配置する（例えば、第１アノード基板の外側から発光
を観察した場合、蛍光体１２と蛍光体１２の間から蛍光
体１４が見えるように配置する）と、６００ｄｐｉの高
精細表示が可能となる。For example, when displaying a dot matrix pattern (graphic display), the dot pitch of the dot-like phosphor 12 formed on the first anode electrode 11 (up, down, left and right of each phosphor dot) Are arranged at 300 dpi in each direction. Similarly, a dot-like phosphor 14 formed on the second anode electrode 13 is formed.
Is 300 dpi. Then, the pitches of the phosphors 12 and 14 are shifted from each other on the opposing substrate (for example, when light emission is observed from outside the first anode substrate, the phosphors 14 are disposed between the phosphors 12 and 12). Is arranged so as to be visible), a high definition display of 600 dpi is possible.
【００４７】ここで、カソード基板１が透光性を有する
場合とは、カソード基板１自体が透光性を有すると共
に、カソード基板１上の各構成要素であるカソード電極
５，８及びエミッタ７，１０（絶縁層を形成した場合に
は絶縁層６，９）が透光性を有する場合である。Here, the case where the cathode substrate 1 has a light-transmitting property means that the cathode substrate 1 itself has a light-transmitting property and the cathode electrodes 5 and 8 and the emitters 7 and 10 (the insulating layers 6 and 9 when the insulating layer is formed) has a light transmitting property.
【００４８】例えば、カソード基板１にガラス基板等を
使用した場合が該当する。また、カソード電極等を透光
性材料により形成するか、カソード電極等を非透光性材
料によりメッシュ状等の光が透過するようにパターン形
成するか、若しくは、カソード電極等を光が透過するよ
うに薄い膜で形成した場合が該当する。また、第１アノ
ード基板２及び第２アノード基板３が透光性を有する場
合については、（１）の場合と同様である。For example, a case where a glass substrate or the like is used as the cathode substrate 1 corresponds to this case. In addition, the cathode electrode or the like is formed of a light-transmitting material, the cathode electrode or the like is formed of a non-light-transmitting material in a pattern so as to transmit light such as a mesh, or the light is transmitted through the cathode electrode or the like This is the case when the thin film is formed as described above. Further, the case where the first anode substrate 2 and the second anode substrate 3 have translucency is the same as the case (1).
【００４９】次に、片面から観察する２つのケースにつ
いて説明する。 （３）第２アノード基板３が非透光性であり、カソード
基板１及び第１アノード基板２が透光性を有する場合に
ついては、第１アノード基板の外側から、各アノード電
極１１，１３の上に被着形成された蛍光体１２，１４か
らの発光を重ねて観察する。この場合、上記（２）の場
合と同様に、カラーシフト表示又は高精細表示が可能と
なる。Next, two cases of observation from one side will be described. (3) In the case where the second anode substrate 3 is non-light-transmitting and the cathode substrate 1 and the first anode substrate 2 have light-transmitting properties, the respective anode electrodes 11 and 13 are arranged from outside the first anode substrate. Light emission from the phosphors 12 and 14 deposited on the upper surface is superimposed and observed. In this case, as in the case of the above (2), color shift display or high definition display becomes possible.
【００５０】ここで、カソード基板１が透光性を有する
場合については、（１）と同様である。また、第１アノ
ード基板２が透光性を有する場合についても、（１）と
同様である。第２アノード基板３が非透光性を有する場
合とは、第２アノード基板３自体が非透光性を有する
か、又は第２アノード基板３上の構成要素であるアノー
ド電極１３が非透光性を有するか、又は蛍光体１４が非
透光性を有する場合である。Here, the case where the cathode substrate 1 has translucency is the same as (1). The same applies to the case where the first anode substrate 2 has a light-transmitting property. The case where the second anode substrate 3 has a non-light-transmitting property means that the second anode substrate 3 itself has a non-light-transmitting property, or the anode electrode 13 which is a component on the second anode substrate 3 has a non-light-transmitting property. This is the case where the fluorescent substance 14 has a non-light-transmitting property.
【００５１】例えば、第２アノード基板３にセラミック
基板等を使用した場合が該当する。又は、アノード電極
等を非透光性材料により形成するか、若しくは蛍光体１
４を、その表面における発光が直接又は間接的に透過し
難いように、蛍光体粒子層を厚く形成した場合などが該
当する。For example, a case where a ceramic substrate or the like is used as the second anode substrate 3 corresponds to this case. Alternatively, the anode electrode or the like is formed of a non-translucent material, or the phosphor 1
4 corresponds to a case where the phosphor particle layer is formed thick so that light emission on the surface is difficult to transmit directly or indirectly.
【００５２】（４）第１アノード基板２が非透光性であ
り、カソード基板１及び第２アノード基板３が透光性を
有する場合については、上記（３）の場合と同様であ
る。(4) The case where the first anode substrate 2 is non-light-transmitting and the cathode substrate 1 and the second anode substrate 3 have light-transmitting properties is the same as the case of the above (3).
【００５３】次に、図５乃至図７を参照して、本発明の
第２の実施の形態を説明する。尚、両面発光型蛍光発光
装置の全体構造を示す平面図については、図１と同じで
ある。図５は、図１に示す両面発光型蛍光発光装置のＡ
−Ａ方向の断面図である。図６は、図１に示す両面発光
型蛍光発光装置のＢ−Ｂ方向の断面図である。尚、図５
及び図６は、カソード基板１，第１アノード基板２，第
２アノード基板３，スペーサー部材４から構成される外
囲器と、カソード基板１に設けられた空隔部１９と、ゲ
ッター２０のみを図示している。Next, a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. The plan view showing the entire structure of the double-sided fluorescent light emitting device is the same as FIG. FIG. 5 shows A of the dual emission fluorescent light emitting device shown in FIG.
It is sectional drawing of the -A direction. FIG. 6 is a sectional view of the dual emission fluorescent light emitting device shown in FIG. FIG.
FIG. 6 shows only an envelope composed of a cathode substrate 1, a first anode substrate 2, a second anode substrate 3, and a spacer member 4, a space 19 provided in the cathode substrate 1, and only a getter 20. It is illustrated.
【００５４】図５及び図６に示すように、両面発光型蛍
光発光装置の基本的な構成等については、本発明の第１
の実施の形態の図２及び図３と同様である。このため、
第１の実施の形態と同一の構成要素には、同一番号を付
して説明を行う。ここで、第１の実施例と大きく異なる
点は、カソード基板に空隔部を形成している点と、カソ
ード基板の構造が異なる点である。As shown in FIGS. 5 and 6, the basic structure of the double-sided fluorescent light emitting device is the same as that of the first embodiment of the present invention.
This is the same as FIGS. 2 and 3 of the embodiment. For this reason,
The same components as those in the first embodiment will be described with the same reference numerals. Here, the point largely different from the first embodiment is that a space is formed in the cathode substrate and that the structure of the cathode substrate is different.
【００５５】図７は、図６に示す両面発光型蛍光発光装
置の部分拡大断面図である。図７に基づいて、本発明の
第２の実施の形態の具体的な構成を、その作成手順に沿
って説明する。本発明の第２の実施の形態で使用する面
状のカソード（冷陰極である電界放出カソード）は、３
極管構造を有している。FIG. 7 is a partially enlarged sectional view of the double-sided fluorescent light emitting device shown in FIG. A specific configuration of the second embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. The planar cathode (field emission cathode which is a cold cathode) used in the second embodiment of the present invention is
It has an electrode structure.
【００５６】図７に示すように、最初に絶縁性を有する
ガラス基板からなるカソード基板１の一方の表面１Ａの
上に、ストライプ状のカソード電極５を形成する。カソ
ード電極５は、例えば膜厚０．２μｍのＮｂ膜からな
り、スパッタ法又はＣＶＤ法により形成される。カソー
ド電極５は、不図示のカソード配線により外囲器の外側
に引き出されている。カソード配線の材質及び製法は、
カソード電極と同様である。As shown in FIG. 7, a stripe-shaped cathode electrode 5 is first formed on one surface 1A of a cathode substrate 1 made of an insulating glass substrate. The cathode electrode 5 is made of, for example, an Nb film having a thickness of 0.2 μm, and is formed by a sputtering method or a CVD method. The cathode electrode 5 is drawn out of the envelope by a cathode wiring (not shown). The material and manufacturing method of the cathode wiring
Same as the cathode electrode.
【００５７】次に、カソード電極５の上に、ストライプ
状又は（カソード電極５上の所望部分のみに）ドット状
の触媒金属層１５を積層形成する。触媒金属層１５は、
数１００ｎｍ（例えば１５０ｎｍ）の膜厚のＦｅ
（鉄），Ｎｉ（ニッケル），Ｃｏ（コバルト）Ｚｎ（亜
鉛）等の金属膜からなり、スパッタ法や電子線蒸着法に
より形成される。そして、レジスト→光露光→現像→エ
ッチング→レジスト除去の工程を経て、カソード電極５
と触媒金属層１５を所定の形状にパターニングする。
尚、カソード電極５自体を、触媒金属層とすることも可
能である。Next, a stripe-shaped or dot-shaped (only at a desired portion on the cathode electrode 5) catalytic metal layer 15 is formed on the cathode electrode 5 by lamination. The catalyst metal layer 15
Fe having a thickness of several 100 nm (for example, 150 nm)
It is made of a metal film such as (iron), Ni (nickel), Co (cobalt) and Zn (zinc), and is formed by a sputtering method or an electron beam evaporation method. Then, through the steps of resist → light exposure → development → etching → resist removal, the cathode electrode 5
Then, the catalyst metal layer 15 is patterned into a predetermined shape.
Note that the cathode electrode 5 itself may be a catalyst metal layer.
【００５８】次に、触媒金属層１５の上に絶縁層６を積
層形成する。絶縁層６は、例えば膜厚０．５μｍのＳｉ
Ｏ２−Ｘ（１＞Ｘ≧０）膜やＳｉＮ膜などからなり、ス
パッタ法やＣＶＤ法などにより形成される。Next, an insulating layer 6 is formed on the catalyst metal layer 15. The insulating layer 6 is made of, for example, Si having a thickness of 0.5 μm.
It is composed of an O2 -X (1> X≥0) film, a SiN film or the like, and is formed by a sputtering method, a CVD method, or the like.
【００５９】次に、絶縁層６の上にゲート電極１６を積
層形成する。ゲート電極１６は、後工程で形成されるカ
ーボン薄膜（エミッタ７）よりも高く位置して空間的か
つ電気的に絶縁された状態で絶縁層６の上に形成され
る。ゲート電極１６は、例えば膜厚０．４μｍのＴｉ膜
からなり、スパッタ法又はＣＶＤ法により形成される。Next, a gate electrode 16 is formed on the insulating layer 6. The gate electrode 16 is formed on the insulating layer 6 at a position higher than the carbon thin film (emitter 7) formed in a later step and in a spatially and electrically insulated state. The gate electrode 16 is made of, for example, a 0.4 μm-thick Ti film and is formed by a sputtering method or a CVD method.
【００６０】次に、触媒金属層１５をエッチストップ層
として利用し、触媒金属層１５の表面が露出するよう
に、絶縁層６及びゲート電極１６に例えば丸，角，スト
ライプ形状のエミッタ穴をエッチング加工する。エミッ
タ穴は、フォトリソ法とエッチングの時間制御により所
望の大きさに形成される。具体的に、エミッタ穴は、蛍
光体１２の１画素に対して複数個設けられ、１μｍ乃至
数１００μｍ（好ましくは１μｍ乃至数１０μｍ）の外
形で形成される。その後、ゲート電極１６を、所定形状
にパターニングする。Next, using the catalyst metal layer 15 as an etch stop layer, for example, a round, square or stripe-shaped emitter hole is etched in the insulating layer 6 and the gate electrode 16 so that the surface of the catalyst metal layer 15 is exposed. Process. The emitter hole is formed in a desired size by a photolithography method and time control of etching. Specifically, a plurality of emitter holes are provided for one pixel of the phosphor 12 and have an outer shape of 1 μm to several 100 μm (preferably 1 μm to several tens μm). After that, the gate electrode 16 is patterned into a predetermined shape.
【００６１】同様にして、カソード基板１の他方の表面
１Ｂの上に、カソード電極８，絶縁層９，触媒金属層１
７，ゲート電極１８をそれぞれ形成する。Similarly, on the other surface 1B of the cathode substrate 1, the cathode electrode 8, the insulating layer 9, and the catalytic metal layer 1
7. A gate electrode 18 is formed.
【００６２】次に、カソード基板１の両面のエミッタ穴
内に露出した触媒金属層１５，１７の上に、エミッタ
７，１０となるカーボン薄膜をＣＶＤ法により、同時に
選択成長させる。このカーボン薄膜は、電子放出面がカ
ソード基板１の各表面１Ａ，１Ｂと直交する鉛直方向に
整列した状態で触媒金属層１５，１７の上に気相成長し
て形成される。エミッタ７，１０となるカーボン薄膜
は、例えばカーボンナノチューブ，カーボンナノファイ
バー，グラファイトナノファイバー，ナノホーン，ダイ
ヤモンドライクカーボンなどを含む膜からなる。Next, on the catalyst metal layers 15 and 17 exposed in the emitter holes on both surfaces of the cathode substrate 1, carbon thin films serving as the emitters 7 and 10 are simultaneously selectively grown by the CVD method. This carbon thin film is formed by vapor-phase growth on the catalyst metal layers 15 and 17 in a state where the electron emission surface is aligned in a vertical direction perpendicular to the surfaces 1A and 1B of the cathode substrate 1. The carbon thin film serving as the emitters 7 and 10 is formed of a film containing, for example, carbon nanotubes, carbon nanofibers, graphite nanofibers, nanohorns, and diamond-like carbon.
【００６３】エミッタ７，１０となるカーボン薄膜を形
成するにあたっては、例えば触媒熱ＣＶＤ（ヒーター板
使用），プラズマＣＶＤ，熱フィラメントＣＶＤ等の手
法が採用される。原料ガスには例えば二酸化炭素，一酸
化炭素などと水素ガスの組み合わせやアセチレン，メタ
ン等の炭化水素系ガスが使用される。その際、カソード
基板１を所定の温度に加熱する場合もある。これによ
り、カソード基板１には、カーボン薄膜からなるエミッ
タ７，１０を有するカソード（冷陰極である電界放出型
カソード）が形成される。そして、カソード電極５，８
とゲート電極１６，１８との間の電界により、カーボン
薄膜から電子を放出させることができる。In forming the carbon thin film to be the emitters 7 and 10, for example, a technique such as catalytic thermal CVD (using a heater plate), plasma CVD, or hot filament CVD is employed. As the raw material gas, for example, a combination of carbon dioxide, carbon monoxide or the like and hydrogen gas, or a hydrocarbon gas such as acetylene or methane is used. At that time, the cathode substrate 1 may be heated to a predetermined temperature. As a result, a cathode (field emission cathode which is a cold cathode) having the emitters 7 and 10 made of a carbon thin film is formed on the cathode substrate 1. And cathode electrodes 5, 8
Electrons can be emitted from the carbon thin film by the electric field between the gate electrode 16 and 18.
【００６４】次に、上記カソード基板１の作成とは別の
工程において、第１アノード電極１１を有する第１アノ
ード基板２及び第２アノード電極１３を有する第２アノ
ード基板３の作成が行われる。第１アノード基板２及び
第２アノード基板３の作成については、本発明の第１の
実施の形態と同様である。Next, in a step different from the preparation of the cathode substrate 1, a first anode substrate 2 having the first anode electrode 11 and a second anode substrate 3 having the second anode electrode 13 are formed. The production of the first anode substrate 2 and the second anode substrate 3 is the same as in the first embodiment of the present invention.
【００６５】以上のようにして、アドレス可能な面状の
カソードを有するカソード基板１と、第１アノード電極
１１を有する第１アノード基板２及び第２アノード電極
１３を有する第２アノード基板３が作成されると、対向
するカソード基板１と第１アノード基板２との間及びカ
ソード基板１と第２アノード基板３との間の外周部にス
ペーサー部材４を介して、エミッタ７，１０と各アノー
ド電極１１，１３が所定の位置関係で対向するように位
置合わせする。As described above, the cathode substrate 1 having the addressable planar cathode, the first anode substrate 2 having the first anode electrode 11, and the second anode substrate 3 having the second anode electrode 13 are formed. Then, the emitters 7 and 10 and each anode electrode are disposed on the outer peripheral portion between the opposed cathode substrate 1 and the first anode substrate 2 and between the cathode substrate 1 and the second anode substrate 3 via the spacer member 4. Positioning is performed so that 11 and 13 face each other in a predetermined positional relationship.
【００６６】この位置合わせされたカソード基板１と第
１アノード基板２及び第２アノード基板３を適当な治具
を用いて上下から押圧しながら、例えば二酸化炭素ガス
雰囲気中で、例えば４５０℃の所定温度で加熱焼成す
る。これにより、カソード基板１と第１アノード基板２
との間及びカソード基板１と第２アノード基板３との間
の外周部が互いに封着して外囲器が組み立てられる。While the cathode substrate 1, the first anode substrate 2 and the second anode substrate 3 thus aligned are pressed from above and below using appropriate jigs, for example, at a predetermined temperature of 450 ° C. in a carbon dioxide gas atmosphere. Heat and bake at the temperature. Thereby, the cathode substrate 1 and the first anode substrate 2
And the outer peripheral portions between the cathode substrate 1 and the second anode substrate 3 are sealed with each other to assemble the envelope.
【００６７】その後、外囲器の内部が所定の真空状態に
なるまで排気処理を行う。ここで、カソード基板１は、
空隔部１９を有している。そして、外囲器内は、この空
隔部１９を通して連通している。このため、この排気処
理は、第１アノード基板２又は第２アノード基板３の一
方に設けた不図示の排気孔１つのみ、又はカソード基板
１と第１アノード基板２の間のスペーサー部材４又はカ
ソード基板１と第２アノード基板３との間のスペーサー
部材４に設けた不図示の排気孔１つのみを通して行うこ
とが可能となる。Thereafter, an evacuation process is performed until the inside of the envelope becomes a predetermined vacuum state. Here, the cathode substrate 1
It has a space 19. The inside of the envelope communicates with the space 19. For this reason, this exhaust processing is performed by using only one exhaust hole (not shown) provided in one of the first anode substrate 2 and the second anode substrate 3 or the spacer member 4 between the cathode substrate 1 and the first anode substrate 2 or This can be performed through only one exhaust hole (not shown) provided in the spacer member 4 between the cathode substrate 1 and the second anode substrate 3.
【００６８】更に、この空隔部１９にゲッター２０を配
置すれば、ゲッター２０を配置する場所（空間）を他に
設ける必要性がなくなる。これは、特に薄型の蛍光発光
装置に好適である。ゲッター１９は、蒸発型ゲッター又
は非蒸発型ゲッターが使用可能である。また、ゲッター
１９は、リング状のゲッターや棒状のゲッターなどが使
用可能である。Further, if the getter 20 is disposed in the space 19, there is no need to provide another place (space) for disposing the getter 20. This is particularly suitable for thin fluorescent light emitting devices. As the getter 19, an evaporable getter or a non-evaporable getter can be used. Further, as the getter 19, a ring-shaped getter, a rod-shaped getter, or the like can be used.
【００６９】この排気処理後、排気孔は、別部材である
排気蓋等により封止され、外囲器が気密に保たれる。そ
の後、本発明の第１の実施の形態と同様にして、エージ
ング処理を行う。これにより、図５乃至図７に示す両面
発光型蛍光発光装置が完成する。After the evacuation process, the evacuation hole is sealed with an evacuation lid or the like, which is a separate member, so that the envelope is kept airtight. Thereafter, an aging process is performed in the same manner as in the first embodiment of the present invention. Thereby, the double-sided fluorescent light emitting device shown in FIGS. 5 to 7 is completed.
【００７０】次に、本発明の第２の実施の形態の両面発
光型蛍光発光装置の画素選択構造（選択的な電子放出構
造）について、説明を行う。まず、カソード基板１の一
方の表面１Ａ上に形成されたカソード電極５は、所定方
向にストライプ状（線状）に形成された複数のカソード
電極群から構成されている。また、カソード基板１上の
ゲート電極１６は、カソード基板１上のカソード電極５
と交差する方向にストライプ状に形成された複数のゲー
ト電極群から構成されている。カソード電極５及びゲー
ト電極１６と対向する第１アノード基板２上の第１アノ
ード電極１１は、ベタ状（パターン化されていない状
態）に形成されている。また、第１アノード電極１１上
の蛍光体１２は、ベタ状又は所定パターン状に形成され
ている。Next, a pixel selection structure (selective electron emission structure) of the dual emission type fluorescent light emitting device according to the second embodiment of the present invention will be described. First, the cathode electrode 5 formed on one surface 1A of the cathode substrate 1 is composed of a plurality of cathode electrode groups formed in a stripe shape (linear shape) in a predetermined direction. The gate electrode 16 on the cathode substrate 1 is connected to the cathode electrode 5 on the cathode substrate 1.
And a plurality of gate electrode groups formed in a stripe shape in a direction intersecting with the gate electrode group. The first anode electrode 11 on the first anode substrate 2 opposed to the cathode electrode 5 and the gate electrode 16 is formed in a solid shape (non-patterned state). The phosphor 12 on the first anode electrode 11 is formed in a solid shape or a predetermined pattern.
【００７１】複数のカソード電極群と複数のゲート電極
群には、選択的に電圧を印加することが可能である。そ
して、各群の所定のカソード電極及びゲート電極に同時
に電圧を印加すると、両電極間の電界により、両電極の
交差する領域にあるエミッタから選択的に電子を放出さ
せることができる。このカソード電極５とゲート電極１
６からなるマトリクス構造により、第１アノード基板２
上の画素領域が選択される。尚、第１アノード電極１１
は、カソード電極５又はゲート電極１６と同じ方向にス
トライプ状に形成されていても良い。A voltage can be selectively applied to the plurality of cathode electrode groups and the plurality of gate electrode groups. When a voltage is simultaneously applied to a predetermined cathode electrode and a gate electrode of each group, electrons can be selectively emitted from an emitter in a region where both electrodes intersect due to an electric field between the two electrodes. The cathode electrode 5 and the gate electrode 1
6, the first anode substrate 2
The upper pixel area is selected. The first anode electrode 11
May be formed in a stripe shape in the same direction as the cathode electrode 5 or the gate electrode 16.
【００７２】また、カソード電極５とゲート電極１６を
同じ方向にストライプ状に形成された複数のカソード電
極群とゲート電極群から構成し、第１アノード基板２上
の第１アノード電極１１を、カソード電極５及びゲート
電極１６と交差する方向にストライプ状に形成されたア
ノード電極群から構成して、マトリクス構造としても良
い。このカソード電極５及びゲート電極１６と第１アノ
ード電極１１からなるマトリクス構造によっても、第１
アノード基板２上の画素領域が選択可能とされる。The cathode electrode 5 and the gate electrode 16 are composed of a plurality of cathode electrode groups and gate electrode groups formed in stripes in the same direction, and the first anode electrode 11 on the first anode substrate 2 is A matrix structure may be formed by forming an anode electrode group formed in a stripe shape in a direction intersecting with the electrode 5 and the gate electrode 16. The matrix structure including the cathode electrode 5 and the gate electrode 16 and the first anode electrode 11 also provides the first structure.
A pixel region on the anode substrate 2 can be selected.
【００７３】同様にして、カソード基板１の他方の表面
１Ｂ上に形成されたカソード電極８は、所定方向にスト
ライプ状（線状）に形成されたカソード電極群から構成
されている。また、カソード基板１上のゲート電極１８
は、カソード基板１上のカソード電極８と交差する方向
にストライプ状に形成されたゲート電極群から構成され
ている。カソード電極８及びゲート電極１８と対向する
第２アノード基板３上の第２アノード電極１３は、ベタ
状に形成されている。また、第２アノード電極１３上の
蛍光体１４は、ベタ状又は所定パターン状に形成されて
いる。Similarly, the cathode electrode 8 formed on the other surface 1B of the cathode substrate 1 is composed of a cathode electrode group formed in a stripe shape (linear shape) in a predetermined direction. Also, the gate electrode 18 on the cathode substrate 1
Is composed of a gate electrode group formed in a stripe shape in a direction intersecting with the cathode electrode 8 on the cathode substrate 1. The second anode electrode 13 on the second anode substrate 3 facing the cathode electrode 8 and the gate electrode 18 is formed in a solid shape. The phosphor 14 on the second anode electrode 13 is formed in a solid shape or a predetermined pattern.
【００７４】複数のカソード電極群と複数のゲート電極
群には、選択的に電圧を印加することが可能である。そ
して、各群の所定のカソード電極及びゲート電極に同時
に電圧を印加すると、両電極間の電界により、両電極の
交差する領域にあるエミッタから選択的に電子を放出さ
せることができる。このカソード電極８とゲート電極１
８からなるマトリクス構造により、第２アノード基板３
上の画素領域が選択可能とされる。尚、第２アノード電
極１３は、カソード電極８又はゲート電極１８と同じ方
向にストライプ状に形成されていても良い。A voltage can be selectively applied to the plurality of cathode electrode groups and the plurality of gate electrode groups. When a voltage is simultaneously applied to a predetermined cathode electrode and a gate electrode of each group, electrons can be selectively emitted from an emitter in a region where both electrodes intersect due to an electric field between the two electrodes. The cathode electrode 8 and the gate electrode 1
8, the second anode substrate 3
The upper pixel area can be selected. Note that the second anode electrode 13 may be formed in a stripe shape in the same direction as the cathode electrode 8 or the gate electrode 18.
【００７５】また、カソード電極８とゲート電極１８を
同じ方向にストライプ状に形成されたカソード電極群及
びゲート電極群から構成し、第２アノード基板３上の第
２アノード電極１３を、カソード電極８及びゲート電極
１８と交差する方向にストライプ状に形成されたアノー
ド電極群から構成して、マトリクス構造としても良い。
このカソード電極８及びゲート電極１８と第２アノード
電極１３からなるマトリクス構造によっても、第２アノ
ード基板３上の画素領域が選択可能とされる。尚、カソ
ード基板１の一方の表面１Ａ上に形成されたカソード電
極５は、他方の表面１Ｂ上に形成されたカソード電極８
と同じ方向にストライプ状に形成されていても良いし、
異なる方向にストライプ状に形成されていても良い。The cathode electrode 8 and the gate electrode 18 are composed of a cathode electrode group and a gate electrode group formed in a stripe shape in the same direction, and the second anode electrode 13 on the second anode substrate 3 is connected to the cathode electrode 8. A matrix structure may be made up of a group of anode electrodes formed in a stripe shape in a direction intersecting with the gate electrode 18.
The pixel region on the second anode substrate 3 can also be selected by the matrix structure including the cathode electrode 8, the gate electrode 18, and the second anode electrode 13. The cathode electrode 5 formed on one surface 1A of the cathode substrate 1 is connected to the cathode electrode 8 formed on the other surface 1B.
It may be formed in a stripe shape in the same direction as
The stripes may be formed in different directions.
【００７６】また、ゲート電極については、各カソード
電極に対応して１つ配置した構造を例示したが、更に絶
縁層等を介して２つ以上設けることも可能である。ゲー
ト電極を２つ以上形成した場合、カソード電極とゲート
電極をマトリクス構造にするには、カソード電極と少な
くともゲート電極の１つがマトリクス状になっていれば
良い。Further, the structure in which one gate electrode is arranged corresponding to each cathode electrode is illustrated, but two or more gate electrodes can be further provided via an insulating layer or the like. In the case where two or more gate electrodes are formed, in order to form the cathode electrode and the gate electrode in a matrix structure, the cathode electrode and at least one of the gate electrodes may be in a matrix.
【００７７】また、本発明の第２の実施の形態の両面発
光型蛍光発光装置の発光（表示）観察面については、絶
縁層６，９及びゲート電極１６，１８が増えたことを除
いて、本発明の第１の実施の形態の両面発光型蛍光発光
装置と同様である。Further, the light emission (display) observation surface of the dual emission fluorescent light emitting device according to the second embodiment of the present invention, except that the insulating layers 6 and 9 and the gate electrodes 16 and 18 are increased. This is the same as the dual emission fluorescent light emitting device according to the first embodiment of the present invention.
【００７８】尚、上記の各実施の形態では、面状カソー
ドとして、カーボンナノチューブ，カーボンナノファイ
バー，グラファイトナノファイバー，ナノホーン、ダイ
ヤモンドライクカーボン、カーボン薄膜などを含む膜か
らなる冷陰極を示した。これ以外にも、スピント型，蒸
着エミッタ，Ｓｉ（シリコン）エッチングコーンエミッ
タ，ＭＩＭ（金属−絶縁層−金属）型，ＰＮ接合型，表
面伝導型，エッジエミッタ等の平面型などの冷陰極電子
源又はそのアレイを使用することも可能である。また、
それらの材料として、高融点金属，金属化合物，カーボ
ン材料などを使用することが可能である。更に、面状カ
ソードの形成方法としても、種々の製造方法を用いるこ
とが可能である。In each of the above embodiments, a cold cathode made of a film containing a carbon nanotube, a carbon nanofiber, a graphite nanofiber, a nanohorn, a diamond-like carbon, a carbon thin film, or the like is shown as the planar cathode. In addition, cold cathode electron sources such as Spindt type, vapor deposition emitter, Si (silicon) etching cone emitter, MIM (metal-insulating layer-metal) type, PN junction type, surface conduction type, and flat type such as edge emitter Alternatively, an array thereof can be used. Also,
As such materials, it is possible to use high melting point metals, metal compounds, carbon materials and the like. Furthermore, various manufacturing methods can be used as a method for forming the planar cathode.
【００７９】[0079]
【発明の効果】本発明の両面発光型蛍光発光装置によれ
ば、次のような効果が得られる。請求項１に記載の両面
発光型蛍光発光装置によれば、部品点数がより少なく、
構造が簡単で、製造がより容易で、消費電力がより少な
く、表示装置の大型化が容易で、発光部の輝度ムラを低
減した両面発光型蛍光発光装置を提供できる。According to the dual emission fluorescent light emitting device of the present invention, the following effects can be obtained. According to the dual emission fluorescent light emitting device according to claim 1, the number of components is smaller,
A double-sided fluorescent light-emitting device having a simple structure, easier manufacture, lower power consumption, easier size of a display device, and reduced luminance unevenness of a light-emitting portion can be provided.
【００８０】請求項２に記載の両面発光型蛍光発光装置
によれば、カソードから選択的に電子を引き出すことが
可能となり、より消費電力が少ない両面発光型蛍光発光
装置を提供できる。According to the double-sided fluorescent light emitting device of the second aspect, it is possible to selectively extract electrons from the cathode, and it is possible to provide a double-sided fluorescent light emitting device with lower power consumption.
【００８１】請求項３に記載の両面発光型蛍光発光装置
によれば、少なくとも１つ以上のゲート電極を設けたこ
とにより、より低電圧でカソードから選択的に電子を引
き出すことが可能（例えばアノード電極の電圧をより低
くすることができる）となり、更に消費電力が少ない両
面発光型蛍光発光装置を提供できる。According to the double-sided fluorescent light emitting device of the third aspect, by providing at least one or more gate electrodes, electrons can be selectively extracted from the cathode at a lower voltage (for example, the anode). The voltage of the electrodes can be further reduced), and a dual emission fluorescent light emitting device with lower power consumption can be provided.
【００８２】請求項４に記載の両面発光型蛍光発光装置
によれば、カソード（エミッタ）が、冷陰極であるた
め、熱陰極に比べて消費電力が少ない等の利点がある。
また、カソード（エミッタ）をカソード基板の両面に形
成できるため、製造が容易である。特に、フレキシビリ
ティーを有する印刷法、又はカソードを同時形成可能な
ＣＶＤ法により作成すれば、更に製造が容易となる。更
に、大型ディスプレイの作成も容易である。According to the dual emission fluorescent light emitting device of the fourth aspect, since the cathode (emitter) is a cold cathode, there are advantages such as lower power consumption than a hot cathode.
Further, since the cathode (emitter) can be formed on both surfaces of the cathode substrate, manufacture is easy. In particular, if the printing is performed by a flexible printing method or a CVD method capable of forming a cathode at the same time, the manufacturing is further facilitated. Further, it is easy to create a large display.
【００８３】請求項５に記載の両面発光型蛍光発光装置
によれば、外囲器の内部を一度に（同時に）真空排気で
きるため、製造が容易である。According to the double-sided fluorescent light emitting device of the fifth aspect, since the inside of the envelope can be evacuated at one time (simultaneously), the manufacture is easy.
【００８４】請求項６に記載の両面発光型蛍光発光装置
によれば、ゲッターを配置する空間を別途設ける必要が
なくなる。装置全体をより薄型にできる。According to the double-sided fluorescent light emitting device of the sixth aspect, it is not necessary to separately provide a space for disposing the getter. The entire device can be made thinner.
【図１】本発明の両面発光型蛍光発光装置の全体構造を
示す平面図である。FIG. 1 is a plan view showing the entire structure of a dual emission fluorescent light emitting device of the present invention.
【図２】本発明の第１の実施の形態の両面発光型蛍光発
光装置の断面図である。FIG. 2 is a cross-sectional view of the dual emission fluorescent light emitting device according to the first embodiment of the present invention.
【図３】本発明の第１の実施の形態の両面発光型蛍光発
光装置の断面図である。FIG. 3 is a cross-sectional view of the dual emission fluorescent light emitting device according to the first embodiment of the present invention.
【図４】図３の両面発光型蛍光発光装置の部分拡大断面
図である。FIG. 4 is a partially enlarged cross-sectional view of the dual emission fluorescent light emitting device of FIG. 3;
【図５】本発明の第２の実施の形態の両面発光型蛍光発
光装置の断面図である。FIG. 5 is a cross-sectional view of a dual emission fluorescent light emitting device according to a second embodiment of the present invention.
【図６】本発明の第２の実施の形態の両面発光型蛍光発
光装置の断面図である。FIG. 6 is a cross-sectional view of a dual emission fluorescent light emitting device according to a second embodiment of the present invention.
【図７】図６の両面発光型蛍光発光装置の部分拡大断面
図である。7 is a partially enlarged cross-sectional view of the dual emission fluorescent light emitting device of FIG.
【図８】従来の両面発光型蛍光表示装置の断面図であ
る。FIG. 8 is a cross-sectional view of a conventional dual emission fluorescent display device.
１…カソード基板、 １Ａ，１Ｂ…カソード基板の表面、 ２…第１アノード基板、 ３…第２アノード基板、 ４…側面部材、 ５，８…カソード電極、 ６，９…絶縁層、 ７，１０…エミッタ層、 １１…第１アノード電極、 １２，１４…蛍光体、 １３…第２アノード電極、 １５，１７…触媒金属層、 １６，１８…ゲート電極、 １９…空隔部、 ２０…ゲッター、 １０１…基板、 １０２…蓋、 １０３，１０６…蛍光体、 １０４…棒状セグメント電極、 １０５，１０８…グリッド、 １０７…日の字状セグメント電極、 １０９…フィラメント、 １１０…フィラメント支持部材。 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Cathode substrate, 1A, 1B ... Surface of a cathode substrate, 2 ... First anode substrate, 3 ... Second anode substrate, 4 ... Side member, 5, 8 ... Cathode electrode, 6, 9 ... Insulating layer, 7, 10 ... Emitter layer, 11 ... First anode electrode, 12,14 ... Phosphor, 13 ... Second anode electrode, 15,17 ... Catalyst metal layer, 16,18 ... Gate electrode, 19 ... Space, 20 ... Getter, DESCRIPTION OF SYMBOLS 101 ... board | substrate, 102 ... lid | cover, 103,106 ... fluorescent substance, 104 ... rod-shaped segment electrode, 105, 108 ... grid, 107 ... Japanese-shaped segment electrode, 109 ... filament, 110 ... filament support member.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｊ 29/94 Ｈ０１Ｊ 29/94 31/15 31/15 Ｄ // Ｈ０１Ｊ 63/06 63/06 Ｆターム(参考） 5C031 DD17 5C032 AA01 BB01 JJ07 JJ08 JJ11 5C036 EE16 EF06 EF09 EG02 EG12 EG24 EG36 EH04 FF01 FF03 5C039 MM09 5C094 AA03 AA14 AA43 BA03 BA32 CA19 EA04 EA07 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI Theme coat ゛ (Reference) H01J 29/94 H01J 29/94 31/15 31/15 D // H01J 63/06 63/06 F-term ( Reference) 5C031 DD17 5C032 AA01 BB01 JJ07 JJ08 JJ11 5C036 EE16 EF06 EF09 EG02 EG12 EG24 EG36 EH04 FF01 FF03 5C039 MM09 5C094 AA03 AA14 AA43 BA03 BA32 CA19 EA04 EA07
Claims (6)
方の面に対向して配置されると共に前記カソード基板に
対向した面に蛍光体を塗布した第１アノード電極を有す
る第１アノード基板と、前記カソード基板の他方の面に
対向して配置されると共に前記カソード基板に対向した
面に蛍光体を塗布した第２アノード電極を有する第２ア
ノード基板を有する真空外囲器を備え、 前記カソード基板は、前記第１アノード電極及び前記第
２アノード電極に各々対向する電子源を両面に形成した
ことを特徴とする両面発光型蛍光発光装置。A first anode substrate having a cathode substrate, a first anode electrode disposed opposite to one surface of the cathode substrate and having a phosphor applied to a surface opposite to the cathode substrate; A vacuum envelope having a second anode substrate having a second anode electrode disposed opposite to the other surface of the cathode substrate and having a phosphor coated on a surface facing the cathode substrate, the cathode substrate comprising: An electron source opposed to the first anode electrode and the second anode electrode, respectively, is formed on both sides;
成されたカソード電極と、前記カソード電極上に形成さ
れたエミッタからなることを特徴とする請求項１記載の
両面発光型蛍光発光装置。2. The double-sided fluorescent light emitting device according to claim 1, wherein said electron source comprises a cathode electrode formed on said cathode substrate and an emitter formed on said cathode electrode.
成されたカソード電極と、前記カソード電極上に絶縁層
を介して形成されたゲート電極と、前記カソード電極と
前記ゲート電極とが重なる領域又は交差する領域の所定
領域の前記絶縁層と前記ゲート電極に開口部を形成し、
該開口部内の前記カソード電極上に形成されたエミッタ
からなることを特徴とする請求項１記載の両面発光型蛍
光発光装置。3. The electron source includes a cathode electrode formed on the cathode substrate, a gate electrode formed on the cathode electrode via an insulating layer, and a region where the cathode electrode and the gate electrode overlap. Or forming an opening in the insulating layer and the gate electrode in a predetermined region of the crossing region,
2. The dual emission type fluorescent light emitting device according to claim 1, comprising an emitter formed on said cathode electrode in said opening.
は金属化合物又はカーボン材料又はナノカーボン（カー
ボンナノチューブ，カーボンナノファイバー，グラファ
イトナノファイバー，ナノホーン）又はダイヤモンドラ
イクカーボン又はカーボン薄膜からなる電界電子放出電
子源又はそのアレイであることを特徴とする請求項２又
は３記載の両面発光型蛍光発光装置。4. The field emission electron comprising a high melting point metal or Si or a metal compound or a carbon material or nanocarbon (carbon nanotube, carbon nanofiber, graphite nanofiber, nanohorn) or diamond-like carbon or carbon thin film. 4. The double-sided fluorescent light emitting device according to claim 2, which is a light source or an array thereof.
器内の基板の１部に貫通孔部を有することを特徴とする
請求項１記載の両面発光型蛍光発光装置。5. The double-sided fluorescent light emitting device according to claim 1, wherein the cathode substrate has a through hole at least in a part of the substrate in the airtight container.
を特徴とする請求項５記載の両面発光型蛍光発光装置。6. The double-sided fluorescent light emitting device according to claim 5, wherein a getter is provided in the through hole.
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