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JP2004146742A - Manufacturing method for wiring board - Google Patents

Manufacturing method for wiring board Download PDF

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JP2004146742A
JP2004146742A JP2002312660A JP2002312660A JP2004146742A JP 2004146742 A JP2004146742 A JP 2004146742A JP 2002312660 A JP2002312660 A JP 2002312660A JP 2002312660 A JP2002312660 A JP 2002312660A JP 2004146742 A JP2004146742 A JP 2004146742A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
plating
wiring pattern
forming
wiring
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2002312660A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Kazuki Kobayashi
小林 和貴
Toshinori Koyama
小山 利徳
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shinko Electric Industries Co Ltd
Original Assignee
Shinko Electric Industries Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shinko Electric Industries Co Ltd filed Critical Shinko Electric Industries Co Ltd
Priority to JP2002312660A priority Critical patent/JP2004146742A/en
Publication of JP2004146742A publication Critical patent/JP2004146742A/en
Pending legal-status Critical Current

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  • Manufacturing Of Printed Circuit Boards (AREA)
  • Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
  • Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
  • Printing Elements For Providing Electric Connections Between Printed Circuits (AREA)

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To easily manufacture a wiring board wherein a wiring pattern can be formed into a fine one highly precisely, and the wiring pattern is electrically connected without fail between layers of the pattern. <P>SOLUTION: The manufacturing method comprises: a process for forming a through-hole 26 in the wiring board by applying a laser processing from a side of the board where a seed layer 24 on the board is provided by making use of the board including a bonding layer 22 provided on one surface of a core insulating layer 20 and the seed layer 24 provided on the other surface of the core insulating layer 20; a process for sticking a metal foil 28 onto the surface of the board on which the bonding layer 22 is formed to form an opening hole 26a for closing one opening part of the through-hole 26, and a process for forming a via in the opening hole 26a and forming the wiring pattern connected electrically through the via on both surfaces of the board. <P>COPYRIGHT: (C)2004,JPO

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は配線基板の製造方法に関し、より詳細には基板の両面に形成された配線パターンを確実に電気的に接続することができ、微細な配線パターンを高精度に形成することができる配線基板の製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
半導体素子等の電子部品を搭載する配線基板には、基板の本体となる樹脂基板等の絶縁層の両面に配線パターンが形成され、ビアを介して絶縁層の両面の配線パターンが電気的に接続された二層の配線基板がある。図5、6は、絶縁層10の両面に配線パターンが形成された配線基板を製造する従来方法を示すもので、配線基板にビアを形成する工程を示している。図5は、絶縁層10の両面に銅箔12を被着した両面銅張り基板を使用し(図5(a))、レーザ加工により基板に貫通孔14を形成し(図5(b))、無電解銅めっきおよび電解銅めっきによりめっき金属16により貫通孔14を充填して(図5(c))ビアを形成した例である。
【0003】
また、図6は、絶縁層10の片面に銅箔12を被着した片面銅張り基板を使用し(図6(a))、絶縁層10を設けた面側からレーザ加工を施して底面に銅箔12が露出するビア穴18を形成し(図6(b))、無電解銅めっきおよび電解銅めっきを施して、ビア穴18がめっき金属16によって充填されるように、比較的厚くめっきを施して(図6(c))ビアを形成した例である。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、最近の配線基板は半導体素子の高密度化とともに、ますます配線パターンが微細化、高密度化する傾向にあり、これにともなってビアはその径寸法が100μm程度あるいはこれ以下といったようにきわめて小径になってきている。このため、図5(c)に示すように、基板に貫通孔14を形成し、めっきによって貫通孔14を充填することが難しくなり、貫通孔14の内部にめっき金属の未充填部19が生じたりして、絶縁層10の両面に形成される配線パターンの電気的接続の信頼性が課題になっている。
【0005】
また、図6に示すように片面銅張り基板を使用して配線基板を形成する場合は、ビア穴18をめっき金属16によって充填するようにするため、比較的厚くめっきを施す必要があり、したがってエッチングによって配線パターンを形成する導体層の厚さが厚くなり、配線パターンを微細なパターンに形成することが制約されるという問題がある。また、基板の片面側からレーザ加工を施して、銅箔12がビア穴18の底面に露出させるようにするためには、ある程度厚い銅箔12を使用する必要があり、したがって銅箔をエッチングして配線パターンを形成する際にも配線パターンを微細なパターンに形成することが制約される。
【0006】
このように、両面銅張り基板あるいは片面銅張り基板を使用して配線基板を形成する従来方法では、配線パターンを形成する導体層の厚さが最低でも15〜20μm程度となる。したがって、導体層の厚さおよび配線パターンの形成精度により、配線パターンのパターン幅および配線間隔は30μm程度以上にならざるを得ず、これ以上に微細な配線パターンを形成することが困難である。
なお、より微細に配線パターンを形成するため、導体層を研磨等することにより、導体層の厚さを薄くして、エッチングにより微細に配線パターンを形成することは可能であるが、この場合は、研磨加工といった通常の製造プロセスとは別の処理が必要となり製造コストがかかるという問題がある。
【0007】
そこで、本発明はこれらの課題を解決すべくなされたものであり、その目的とするところは、層間での配線パターンの電気的接続が確実になされ、製造工程を複雑にすることなく高密度に配線パターンが形成された配線基板を製造することができる配線基板の製造方法を提供するにある。
【0008】
【課題を解決するための手段】
本発明は、上記目的を達成するため次の構成を備える。
すなわち、コア絶縁層の一方の面に接着層が設けられ、コア絶縁層の他方の面にシード層が設けられた基板を使用して、基板の前記シード層が設けられた側からレーザ加工を施して基板に貫通孔を形成する工程と、基板の前記接着層が形成された面に金属箔を貼り合わせ、前記貫通孔の一方の開口部を閉止した開口穴を形成する工程と、前記開口穴内にビアを形成し、該ビアを介して電気的に接続された配線パターンを基板の両面に形成する配線パターンの形成工程とを備えることを特徴とする。配線パターンの形成工程としては、セミアディティブ法、サブトラクト法等が利用できる。また、電解めっきを施してビアを形成した際に、開口穴をめっき金属によって充填してビアとしてもよいし、開口穴を充填しない状態でビアとしてもよい。
【0009】
また、前記配線パターンの形成工程として、前記開口穴の内面、前記シード層の表面および前記金属箔の表面にめっきシード層を形成する工程と、基板の両面を感光性の樹脂皮膜により被覆し、該樹脂皮膜を露光および現像して、配線パターンを形成する部位を露出させたレジストパターンを形成する工程と、前記めっきシード層をめっき給電層とする電解めっきを施して、基板表面の露出部分にめっき金属を盛り上げて形成する工程と、前記レジストパターンを除去した後、前記めっき金属、前記シード層、前記金属箔をエッチングし、前記めっき金属が被着した部位を除く前記シード層および金属箔をエッチングして、基板の両面に配線パターンを形成するエッチング工程とを備えることを特徴とする。
【0010】
また、前記配線パターンの形成工程として、前記金属箔をめっき給電層とする電解めっきを施して、開口穴にめっき金属を充填する工程と、基板の両面を感光性の樹脂皮膜により被覆し、該樹脂皮膜を露光および現像して、配線パターンとなる部位を被覆したレジストパターンを形成する工程と、該レジストパターンをマスクとして、前記シード層および金属箔をエッチングして配線パターンを形成した後、前記レジストパターンを除去して、基板の両面に配線パターンを形成するエッチング工程とを備えることを特徴とする。
【0011】
また、前記配線基板の両面に配線パターンを形成した後、ビルドアップ法等により、基板上に配線パターンを多層に形成することによって、3層以上の多層の配線基板を得ることができる。
また、前記シード層が銅層によって形成され、前記金属箔として銅箔を使用し、電解めっきとして電解銅めっきを施す方法が好適である。
【0012】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の好適な実施の形態について添付図面にしたがって詳細に説明する。
図1、2は本発明に係る配線基板の製造方法によって配線基板を形成する製造工程を示す説明図である。
本発明に係る配線基板の製造方法においては、コア絶縁層の一方の面に接着層が設けられ、コア絶縁層の他方の面にシード層が設けられた基板を使用して配線基板を形成する。コア絶縁層はポリイミドフィルム等の電気的絶縁性を有する絶縁材料(厚さ5μm〜50μm程度)によって形成され、接着層は厚さ2μm〜20μm程度の熱可塑性樹脂等の接着性を備えた層として形成される。シード層は無電解銅めっき、スパッタリングあるいはイオンプレーティング等によって0.1〜2μm程度のきわめて薄い銅層として形成したものである。
【0013】
図1(a)は、本実施形態において配線基板を形成する基板の構成を示す。ポリイミドからなるコア絶縁層20の一方の面に接着層22が形成され、コア絶縁層20の他方の面にシード層24が設けられている。実施形態のコア絶縁層20の厚さは30μm程度であるが、コア絶縁層20は製品に応じて適宜の厚さのものを使用することができる。
図1(b)は、基板にレーザ加工を施して、基板に貫通孔26を形成した状態を示す。レーザ加工では、基板のシード層24を形成した面側からレーザ光を照射して貫通孔26を形成する。貫通孔26の孔径は20μm〜30μm程度である。レーザ加工によって貫通孔26を形成する際には、貫通孔26の内側面が、シード層24を形成した側が拡径するテーパ面になるようにしてもよい。
【0014】
シード層24は薄く形成されているから、レーザ加工によって基板に容易に貫通孔26を形成することができる。レーザ加工によって貫通孔26を形成する際に、基板の下面に銅箔が被着されていないことは貫通孔26が容易に形成できるという利点がある。図6に示すように、ビア穴の底面が銅箔によって閉止されている際には、レーザ加工時にビア穴内に汚れが溜まるため、汚れを除去するデスミア処理を行うことが必要になる。本実施形態では、基板を貫通させて貫通孔26を形成するから、貫通孔26の内面に汚れが付着せず、したがって、デスミア処理等の貫通孔26の内面に付着する汚れを除去する操作が不要になる。
【0015】
図1(c)は本実施形態において特徴的な工程で、コア絶縁層20の接着層22を設けた面に金属箔として薄い銅箔28をラミネートした状態を示す。図のように、銅箔28は基板の接着層22を設けた面の全面にわたってロールによる熱圧着等によってラミネートする。これによって、貫通孔26は一方の開口部(底面)が銅箔28によって閉止された開口穴26aとなる。なお、接着層22に接着する銅箔28は配線パターンを形成する方法に応じて適当な厚さのもの(1μm〜20μm程度)を使用する。本実施形態ではセミアディティブ法によって配線パターンを形成するから、なるべく薄い銅箔28を使用する。
接着層22に銅箔28をラミネートする際に、接着層22および銅箔28の表面にあらかじめプラズマ処理あるいは紫外線照射(172〜254nm)を行い、これらの表面を活性化しておくと接着力が向上し、より確実にラミネートすることができる。
【0016】
図1(d)は、コア絶縁層20に銅箔28を貼り合わせた基板に無電解銅めっきを施して、めっきシード層30を形成した状態を示す。無電解銅めっきにより、基板に形成されている開口穴26aの内側面、シード層24の表面、銅箔28の表面にめっきシード層30が形成される。
図1(e)は、基板の両面を感光性の樹脂皮膜(感光性レジスト)により被覆し、露光および現像して、基板に形成する配線パターンとなる部位を露出させたレジストパターン32を形成した状態を示す。
【0017】
次に、図2(a)は、めっきシード層30をめっき給電層として基板に電解銅めっきを施し、めっきシード層30が露出する部位に銅めっき34を盛り上げて形成した状態を示す。開口穴26aの部分については、銅めっき34によって開口穴26aが充填されるようにめっきする。
図2(b)は、電解銅めっきを施した後、レジストパターン32を除去した状態である。これによってレジストパターン32が被着していた部位が外部に露出する。
【0018】
図2(c)は、基板の両面に被着している銅(図2(b)の状態)を化学的にエッチングし、基板の表面で銅めっき34が形成されている部位以外の、めっきシード層30、シード層24、銅箔28を溶解して除去し、基板の両面に配線パターン34aを形成した状態を示す。銅めっき34はめっきシード層30、シード層24、銅箔28の厚さにくらべてはるかに厚く形成されているから、とくにレジストパターン等を形成することなく、銅のエッチング液を用いたエッチングによって、銅めっき34が形成されている部位以外の、めっきシード層30、シード層24、銅箔28を溶解して除去することができる。
こうして、基板の両面に所定の配線パターン34aが形成され、ビア34bを介して基板の両面の配線パターン34aが電気的に接続された配線基板40が得られる。
【0019】
本実施形態の配線基板の製造方法では、基板に貫通孔26を形成した後、コア絶縁層20の一方の面に設けた接着層22を利用して貫通孔26の一方の開口部を閉止し、その状態からビアを形成するから、貫通孔26の両端が開放している状態でビアを形成する従来方法にくらべて、はるかに容易に、かつ確実に信頼性の高いビアを形成することができる。また、開口穴26aの底面は、接着層22を介して銅箔28を貼り合わせて形成するから、開口穴26aの底面に汚れが付着していたりすることがなく、開口穴26aに銅めっき34を充填してビア34bを形成した際に、銅箔28とビア34bとの密着性が良好になり、ビア部分での電気的接続を確実にすることができるという利点もある。
【0020】
また、上記実施形態では、図1(d)に示す工程から図2(c)に示す工程までが配線パターンの形成工程に相当し、本実施形態はいわゆるセミアディティブ法によって配線パターン34aを形成したものである。シード層24はきわめて薄く形成され、銅箔28もきわめて薄いものが使用できるから、配線パターンを形成する導体層の厚さを15μm以下に形成することは容易であり、配線パターンをきわめて微細に形成することができる。本実施形態の方法によれば配線パターンのパターン幅および配線の間隔を10μm程度とした高密度配線が可能である。
【0021】
図3は、本発明に係る配線基板の製造方法の他の実施形態を示す説明図である。図3(a)、(b)、(c)は、上述した配線基板の製造工程における図1(a)、(b)、(c)と同じ工程である。すなわち、図3(a)は、コア絶縁層20の一方の面に接着層22が形成され他方の面にシード層24が形成された基板を示す。図3(b)は基板にレーザ加工を施して貫通孔26を形成した状態である。図3(c)は、接着層22を利用して基板の一方の面に薄い銅箔28を貼り合わせ、貫通孔26の一方の開口部を閉止して開口穴26aとした状態である。なお、本実施形態においても、銅箔28をラミネートする際に、接着層22および銅箔28にあらかじめプラズマ処理あるいは紫外線照射を行うことによって銅箔28を確実にラミネートすることができる。
【0022】
本実施形態の配線基板の製造方法では、図3(c)に示すように銅箔28を基板の一方の面に貼り合わせた後、銅箔28をめっき給電層とする電解銅めっきを施して、開口穴26aを銅めっき34によって充填することを特徴とする。貫通孔26の一方の開口部を閉止した構成とすることにより、電解銅めっきのめっき条件を調節して、開口穴26aを銅めっき34によって充填するようにめっきすることが容易に可能になる。
【0023】
図3(e)、(f)は、いわゆるサブトラクト法によって配線パターンを形成する工程を示す。
図3(e)は、基板の両面を感光性の樹脂被膜(感光性レジスト)によって被覆し、露光および現像して、配線パターンとして残す部位のみを被覆したレジストパターン32を形成した状態である。図3(f)は、レジストパターン32をマスクとして基板の表面に露出しているシード層24と銅箔28をエッチングして、配線パターン36を形成し、レジストパターン32を除去した状態である。
【0024】
こうして、基板の両面に所定のパターンで配線パターン36が形成され、開口穴26aに充填された銅めっき34によって基板の両面の配線パターン36が電気的に接続された二層の配線基板40が得られる。
本実施形態の配線基板の製造方法では、図3(d)〜(f)が配線パターン形成工程に相当し、本実施形態ではサブトラクティブ法によって配線パターン36を形成している。サブトラクト法による場合は、配線パターンを形成する際にエッチングする導体層の厚さが薄いほど、高精度に微細な配線パターンを形成することができる。本実施形態では、シード層24の厚さを3μm程度、銅箔28の厚さを10μm程度とすることができるから、配線パターンのパターン幅および配線間隔を10μm程度とすることができ、きわめて高密度に配線パターンを形成することが可能になる。
なお、開口穴26aに銅めっき34を充填した図3(d)の工程の後、前述した図1、2に示すセミアディティブ法によって配線パターンを形成することも可能である。
【0025】
上述した実施形態では絶縁層の両面の配線パターンがビアを介して電気的に接続された二層の配線基板を形成したが、上述した方法によって得られた配線基板をコア基板として、さらに配線パターンを積層して形成することによって多層配線基板を得ることができる。図4は、上記配線基板40をコア基板として多層配線基板を形成した状態を示す。42がコア基板の表面にラミネートしたビルドアップ樹脂、44がビルドアップ樹脂42の表面に形成された配線パターン、44aがコア基板の配線パターン34aと電気的に接続するビアである。配線パターン44が形成された面はソルダーレジスト46によって被覆され、配線パターン44のランド44bとなる部位が露出している。
【0026】
【発明の効果】
本発明に係る配線基板の製造方法によれば、上述したように、基板に貫通孔を形成した後、基板の一方の面に金属箔を貼り合わせ、貫通孔の一方の開口部を閉止してから、ビアを形成し、基板の両面に配線パターンを形成するから、基板の両面に形成される配線パターンを確実に電気的に接続することができ、信頼性の高い配線基板として形成することができる。また、厚さの薄いシード層および金属箔を使用することで、微細な配線パターンを高精度に形成することが可能になる。また、基板にレーザ加工によって貫通孔を形成するといった、配線基板を製造する際に一般的になされている製造工程によって製造できることから、配線基板の製造が容易にできる等の著効を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図1】配線基板の製造工程を示す説明図である。
【図2】配線基板の製造工程を示す説明図である。
【図3】配線基板の他の製造工程を示す説明図である。
【図4】図2の配線基板を用いて多層配線基板を形成した状態を示す断面図である。
【図5】配線基板の従来の製造方法を示す説明図である。
【図6】配線基板の従来の製造方法を示す説明図である。
【符号の説明】
10 絶縁層
12 銅箔
16 めっき金属
19 未充填部
20 コア絶縁層
22 接着層
24 シード層
26 貫通孔
26a 開口穴
28 銅箔
30 めっきシード層
32 レジストパターン
34 銅めっき
34a 配線パターン
34b   ビア
36 配線パターン
40 配線基板
42 ビルドアップ樹脂
44 配線パターン
44a ビア
44b ランド
46 ソルダーレジスト
[0001]
TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION
The present invention relates to a method for manufacturing a wiring board, and more particularly, to a wiring board that can reliably and electrically connect wiring patterns formed on both surfaces of a substrate and that can form a fine wiring pattern with high accuracy. And a method for producing the same.
[0002]
[Prior art]
On a wiring board on which electronic components such as semiconductor elements are mounted, wiring patterns are formed on both sides of an insulating layer such as a resin substrate serving as a main body of the board, and the wiring patterns on both sides of the insulating layer are electrically connected via vias. There is a two-layered wiring board. FIGS. 5 and 6 show a conventional method of manufacturing a wiring board in which wiring patterns are formed on both surfaces of the insulating layer 10, and show a step of forming vias in the wiring board. 5 uses a double-sided copper-clad substrate in which copper foil 12 is adhered to both surfaces of an insulating layer 10 (FIG. 5A), and a through hole 14 is formed in the substrate by laser processing (FIG. 5B). In this example, a via is formed by filling a through hole 14 with a plating metal 16 by electroless copper plating and electrolytic copper plating (FIG. 5C).
[0003]
6 uses a single-sided copper-clad substrate in which a copper foil 12 is adhered to one side of an insulating layer 10 (FIG. 6A). A via hole 18 from which the copper foil 12 is exposed is formed (FIG. 6 (b)), and electroless copper plating and electrolytic copper plating are applied, so that the via hole 18 is relatively thickly plated so as to be filled with the plating metal 16. (FIG. 6C) to form a via.
[0004]
[Problems to be solved by the invention]
By the way, recent wiring boards tend to have finer and higher-density wiring patterns as the density of semiconductor elements increases, and accordingly, vias have extremely large diameters of about 100 μm or less. It is getting smaller. For this reason, as shown in FIG. 5C, it is difficult to form the through-hole 14 in the substrate and fill the through-hole 14 by plating, and an unfilled portion 19 of the plated metal is formed inside the through-hole 14. As a result, the reliability of the electrical connection of the wiring patterns formed on both surfaces of the insulating layer 10 has become an issue.
[0005]
When a wiring board is formed using a single-sided copper-clad board as shown in FIG. 6, it is necessary to apply a relatively thick plating in order to fill the via hole 18 with the plating metal 16, and therefore, There is a problem that the thickness of the conductor layer forming the wiring pattern is increased by etching, and the formation of the wiring pattern in a fine pattern is restricted. In order to perform laser processing from one side of the substrate so that the copper foil 12 is exposed at the bottom of the via hole 18, it is necessary to use a copper foil 12 having a certain thickness. Also, when forming a wiring pattern by using this method, it is restricted to form the wiring pattern into a fine pattern.
[0006]
As described above, in the conventional method of forming a wiring board using a double-sided copper-clad board or a single-sided copper-clad board, the thickness of a conductor layer forming a wiring pattern is at least about 15 to 20 μm. Therefore, depending on the thickness of the conductor layer and the precision of forming the wiring pattern, the pattern width and the wiring interval of the wiring pattern must be about 30 μm or more, and it is difficult to form a finer wiring pattern than this.
In order to form a finer wiring pattern, it is possible to reduce the thickness of the conductive layer by polishing the conductive layer or the like and form a fine wiring pattern by etching. In addition, there is a problem that a process different from a normal manufacturing process such as a polishing process is required, and the manufacturing cost is increased.
[0007]
Therefore, the present invention has been made in order to solve these problems, and an object of the present invention is to ensure that electrical connection of wiring patterns between layers is ensured, and to achieve high density without complicating a manufacturing process. It is an object of the present invention to provide a method of manufacturing a wiring board that can manufacture a wiring board on which a wiring pattern is formed.
[0008]
[Means for Solving the Problems]
The present invention has the following configuration to achieve the above object.
That is, using a substrate having an adhesive layer provided on one surface of a core insulating layer and a seed layer provided on the other surface of the core insulating layer, laser processing is performed from the side of the substrate on which the seed layer is provided. Forming a through hole in the substrate by applying a metal foil to a surface of the substrate on which the adhesive layer is formed, and forming an opening hole in which one opening of the through hole is closed; Forming a via in the hole and forming a wiring pattern electrically connected through the via on both surfaces of the substrate. As a wiring pattern forming step, a semi-additive method, a subtractive method, or the like can be used. Further, when a via is formed by electrolytic plating, the opening may be filled with a plating metal to form a via, or the via may be formed without filling the opening.
[0009]
Further, as a step of forming the wiring pattern, a step of forming a plating seed layer on the inner surface of the opening hole, the surface of the seed layer and the surface of the metal foil, and coating both surfaces of the substrate with a photosensitive resin film, Exposing and developing the resin film to form a resist pattern exposing a portion where a wiring pattern is to be formed, and performing electrolytic plating using the plating seed layer as a plating power supply layer to expose portions of the substrate surface A step of forming a plating metal by swelling and, after removing the resist pattern, etching the plating metal, the seed layer, and the metal foil, and removing the seed layer and the metal foil except for a portion where the plating metal is applied. Etching to form a wiring pattern on both surfaces of the substrate by etching.
[0010]
Further, as a step of forming the wiring pattern, a step of performing electrolytic plating using the metal foil as a plating power supply layer, filling a plating metal in an opening hole, and covering both surfaces of the substrate with a photosensitive resin film, Exposing and developing the resin film to form a resist pattern covering a portion to be a wiring pattern, and using the resist pattern as a mask, etching the seed layer and metal foil to form a wiring pattern; An etching step of forming a wiring pattern on both surfaces of the substrate by removing the resist pattern.
[0011]
Further, after forming a wiring pattern on both sides of the wiring substrate, a wiring pattern is formed in multiple layers on the substrate by a build-up method or the like, whereby a multilayer wiring substrate having three or more layers can be obtained.
Further, it is preferable that the seed layer is formed of a copper layer, a copper foil is used as the metal foil, and electrolytic copper plating is performed as electrolytic plating.
[0012]
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
1 and 2 are explanatory views showing a manufacturing process for forming a wiring board by the method for manufacturing a wiring board according to the present invention.
In the method for manufacturing a wiring board according to the present invention, a wiring board is formed using a substrate in which an adhesive layer is provided on one surface of a core insulating layer and a seed layer is provided on the other surface of the core insulating layer. . The core insulating layer is made of an electrically insulating material (about 5 μm to 50 μm in thickness) such as a polyimide film, and the adhesive layer is an adhesive layer such as a thermoplastic resin having a thickness of about 2 μm to 20 μm. It is formed. The seed layer is formed as an extremely thin copper layer of about 0.1 to 2 μm by electroless copper plating, sputtering or ion plating.
[0013]
FIG. 1A shows a configuration of a substrate on which a wiring substrate is formed in the present embodiment. An adhesive layer 22 is formed on one surface of a core insulating layer 20 made of polyimide, and a seed layer 24 is provided on the other surface of the core insulating layer 20. The thickness of the core insulating layer 20 of the embodiment is about 30 μm, but the core insulating layer 20 may have an appropriate thickness according to a product.
FIG. 1B shows a state in which laser processing is performed on the substrate to form a through hole 26 in the substrate. In the laser processing, a through hole 26 is formed by irradiating a laser beam from the side of the substrate on which the seed layer 24 is formed. The hole diameter of the through hole 26 is approximately 20 μm to 30 μm. When the through hole 26 is formed by laser processing, the inner surface of the through hole 26 may be a tapered surface whose diameter is increased on the side where the seed layer 24 is formed.
[0014]
Since the seed layer 24 is formed thin, the through holes 26 can be easily formed in the substrate by laser processing. When the through hole 26 is formed by laser processing, the absence of the copper foil on the lower surface of the substrate has an advantage that the through hole 26 can be easily formed. As shown in FIG. 6, when the bottom surface of the via hole is closed with a copper foil, dirt accumulates in the via hole during laser processing, so it is necessary to perform a desmear process for removing dirt. In the present embodiment, since the through-hole 26 is formed by penetrating the substrate, no dirt adheres to the inner surface of the through-hole 26. Therefore, an operation of removing dirt adhering to the inner surface of the through-hole 26 by a desmear process or the like is performed. It becomes unnecessary.
[0015]
FIG. 1C shows a state in which a thin copper foil 28 as a metal foil is laminated on a surface of the core insulating layer 20 on which the adhesive layer 22 is provided, which is a characteristic process of the present embodiment. As shown in the figure, the copper foil 28 is laminated over the entire surface of the substrate on which the adhesive layer 22 is provided by thermocompression bonding using a roll. As a result, the through hole 26 becomes an opening hole 26 a having one opening (bottom surface) closed by the copper foil 28. The copper foil 28 to be adhered to the adhesive layer 22 has an appropriate thickness (about 1 μm to 20 μm) according to a method of forming a wiring pattern. In this embodiment, since the wiring pattern is formed by the semi-additive method, a thin copper foil 28 is used as much as possible.
When laminating the copper foil 28 on the adhesive layer 22, the surfaces of the adhesive layer 22 and the copper foil 28 are preliminarily subjected to plasma treatment or ultraviolet irradiation (172 to 254 nm) to activate these surfaces to improve the adhesive strength. Thus, lamination can be performed more reliably.
[0016]
FIG. 1D shows a state where a plating seed layer 30 is formed by applying electroless copper plating to a substrate in which a copper foil 28 is bonded to a core insulating layer 20. By electroless copper plating, a plating seed layer 30 is formed on the inner surface of the opening 26 a formed in the substrate, the surface of the seed layer 24, and the surface of the copper foil 28.
FIG. 1 (e) shows a resist pattern 32 in which both sides of the substrate are covered with a photosensitive resin film (photosensitive resist), exposed and developed to expose a portion serving as a wiring pattern formed on the substrate. Indicates the status.
[0017]
Next, FIG. 2A shows a state in which the substrate is subjected to electrolytic copper plating using the plating seed layer 30 as a plating power supply layer, and the copper plating 34 is raised at a portion where the plating seed layer 30 is exposed. The opening 26a is plated with copper plating 34 so as to fill the opening 26a.
FIG. 2B shows a state in which the resist pattern 32 has been removed after the electrolytic copper plating. As a result, the portion where the resist pattern 32 has been applied is exposed to the outside.
[0018]
FIG. 2 (c) shows a chemically etched copper (the state shown in FIG. 2 (b)) deposited on both surfaces of the substrate, and plating on the surface of the substrate other than the portion where the copper plating 34 is formed. This shows a state in which the seed layer 30, the seed layer 24, and the copper foil 28 are dissolved and removed, and wiring patterns 34a are formed on both surfaces of the substrate. Since the copper plating 34 is formed much thicker than the thickness of the plating seed layer 30, the seed layer 24, and the copper foil 28, the copper plating 34 is formed by etching using a copper etching solution without forming a resist pattern or the like. The plating seed layer 30, the seed layer 24, and the copper foil 28 other than the portion where the copper plating 34 is formed can be dissolved and removed.
Thus, a predetermined wiring pattern 34a is formed on both surfaces of the substrate, and the wiring substrate 40 in which the wiring patterns 34a on both surfaces of the substrate are electrically connected via the vias 34b is obtained.
[0019]
In the method of manufacturing the wiring board according to the present embodiment, after forming the through hole 26 in the substrate, one opening of the through hole 26 is closed using the adhesive layer 22 provided on one surface of the core insulating layer 20. Since the via is formed from that state, it is much easier and more reliable to form a highly reliable via than the conventional method of forming a via with both ends of the through hole 26 open. it can. Further, since the bottom surface of the opening 26a is formed by bonding the copper foil 28 through the adhesive layer 22, dirt does not adhere to the bottom of the opening 26a. When the vias 34b are formed by filling the via holes, the adhesiveness between the copper foil 28 and the vias 34b is improved, and there is also an advantage that electrical connection at the via portions can be ensured.
[0020]
Further, in the above embodiment, the steps from the step shown in FIG. 1D to the step shown in FIG. 2C correspond to the wiring pattern forming step. In this embodiment, the wiring pattern 34a is formed by a so-called semi-additive method. Things. Since the seed layer 24 is formed to be extremely thin and the copper foil 28 can be formed to be extremely thin, it is easy to form the conductor layer for forming the wiring pattern to a thickness of 15 μm or less, and the wiring pattern is formed very finely. can do. According to the method of the present embodiment, high-density wiring with a wiring width of about 10 μm and a wiring width of about 10 μm is possible.
[0021]
FIG. 3 is an explanatory view showing another embodiment of the method for manufacturing a wiring board according to the present invention. FIGS. 3A, 3B, and 3C show the same steps as those of FIGS. 1A, 1B, and 1C in the above-described wiring board manufacturing process. That is, FIG. 3A shows a substrate in which the adhesive layer 22 is formed on one surface of the core insulating layer 20 and the seed layer 24 is formed on the other surface. FIG. 3B shows a state in which laser processing has been performed on the substrate to form through holes 26. FIG. 3C shows a state in which a thin copper foil 28 is attached to one surface of the substrate using the adhesive layer 22 and one opening of the through hole 26 is closed to form an opening 26 a. Also in the present embodiment, when laminating the copper foil 28, the adhesive layer 22 and the copper foil 28 may be subjected to plasma treatment or ultraviolet irradiation in advance so that the copper foil 28 can be reliably laminated.
[0022]
In the method for manufacturing a wiring board according to the present embodiment, as shown in FIG. 3C, after copper foil 28 is bonded to one surface of the board, electrolytic copper plating is performed using the copper foil 28 as a plating power supply layer. The opening holes 26a are filled with copper plating 34. By adopting a configuration in which one opening of the through hole 26 is closed, it is possible to easily adjust the plating conditions of the electrolytic copper plating so that the opening 26 a is filled with the copper plating 34.
[0023]
FIGS. 3E and 3F show steps of forming a wiring pattern by a so-called subtract method.
FIG. 3E shows a state in which both surfaces of the substrate are covered with a photosensitive resin film (photosensitive resist), exposed and developed to form a resist pattern 32 covering only a part to be left as a wiring pattern. FIG. 3F shows a state in which the wiring pattern 36 is formed by etching the seed layer 24 and the copper foil 28 exposed on the surface of the substrate using the resist pattern 32 as a mask, and the resist pattern 32 is removed.
[0024]
In this way, a wiring pattern 36 is formed in a predetermined pattern on both surfaces of the substrate, and a two-layer wiring substrate 40 is obtained in which the wiring patterns 36 on both surfaces of the substrate are electrically connected by the copper plating 34 filling the opening holes 26a. Can be
In the method of manufacturing a wiring board according to the present embodiment, FIGS. 3D to 3F correspond to a wiring pattern forming step. In the present embodiment, the wiring pattern 36 is formed by a subtractive method. In the case of the subtractive method, a finer wiring pattern can be formed with higher precision as the thickness of the conductor layer etched when forming the wiring pattern is smaller. In the present embodiment, the thickness of the seed layer 24 can be about 3 μm and the thickness of the copper foil 28 can be about 10 μm. Therefore, the pattern width and the wiring interval of the wiring pattern can be about 10 μm, which is extremely high. It becomes possible to form a wiring pattern at a high density.
After the step of FIG. 3D in which the opening 26a is filled with the copper plating 34, a wiring pattern can be formed by the semi-additive method shown in FIGS.
[0025]
In the above-described embodiment, a two-layer wiring board in which the wiring patterns on both surfaces of the insulating layer are electrically connected via vias is formed. Are laminated to form a multilayer wiring board. FIG. 4 shows a state in which a multilayer wiring board is formed using the wiring board 40 as a core board. 42 is a build-up resin laminated on the surface of the core substrate, 44 is a wiring pattern formed on the surface of the build-up resin 42, and 44a is a via electrically connected to the wiring pattern 34a of the core substrate. The surface on which the wiring pattern 44 is formed is covered with a solder resist 46, and a portion of the wiring pattern 44 to be a land 44b is exposed.
[0026]
【The invention's effect】
According to the method for manufacturing a wiring board according to the present invention, as described above, after forming a through hole in the substrate, a metal foil is attached to one surface of the substrate, and one opening of the through hole is closed. Since vias are formed and wiring patterns are formed on both sides of the substrate, the wiring patterns formed on both sides of the substrate can be reliably electrically connected and formed as a highly reliable wiring substrate. it can. In addition, by using a thin seed layer and a thin metal foil, a fine wiring pattern can be formed with high precision. In addition, since the wiring board can be manufactured by a manufacturing process generally performed when manufacturing a wiring board, such as forming a through hole by laser processing in the board, the wiring board can be easily manufactured.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is an explanatory view showing a manufacturing process of a wiring board.
FIG. 2 is an explanatory diagram showing a manufacturing process of the wiring board.
FIG. 3 is an explanatory view showing another manufacturing process of the wiring board;
FIG. 4 is a cross-sectional view illustrating a state in which a multilayer wiring board is formed using the wiring board of FIG. 2;
FIG. 5 is an explanatory view showing a conventional method for manufacturing a wiring board.
FIG. 6 is an explanatory view showing a conventional method for manufacturing a wiring board.
[Explanation of symbols]
10 Insulating layer 12 Copper foil 16 Plating metal 19 Unfilled part 20 Core insulating layer 22 Adhesive layer 24 Seed layer 26 Through hole 26a Opening hole 28 Copper foil 30 Plating seed layer 32 Resist pattern 34 Copper plating 34a Wiring pattern 34b Via 36 Wiring pattern 40 wiring board 42 build-up resin 44 wiring pattern 44a via 44b land 46 solder resist

Claims (5)

コア絶縁層の一方の面に接着層が設けられ、コア絶縁層の他方の面にシード層が設けられた基板を使用して、基板の前記シード層が設けられた側からレーザ加工を施して基板に貫通孔を形成する工程と、
基板の前記接着層が形成された面に金属箔を貼り合わせ、前記貫通孔の一方の開口部を閉止した開口穴を形成する工程と、
前記開口穴内にビアを形成し、該ビアを介して電気的に接続された配線パターンを基板の両面に形成する配線パターンの形成工程と
を備えることを特徴とする配線基板の製造方法。
An adhesive layer is provided on one surface of the core insulating layer, and a substrate provided with a seed layer on the other surface of the core insulating layer is subjected to laser processing from the side of the substrate on which the seed layer is provided. Forming a through hole in the substrate;
A step of bonding a metal foil to the surface of the substrate on which the adhesive layer is formed, and forming an opening that closes one opening of the through hole,
Forming a via in the opening hole, and forming a wiring pattern electrically connected through the via on both sides of the substrate.
配線パターンの形成工程として、
前記開口穴の内面および前記シード層の表面にめっきシード層を形成する工程と、
基板の両面を感光性の樹脂皮膜により被覆し、該樹脂皮膜を露光および現像して、配線パターンを形成する部位を露出させたレジストパターンを形成する工程と、
前記めっきシード層をめっき給電層とする電解めっきを施して、基板表面の露出部分にめっき金属を析出する工程と、
前記レジストパターンを除去した後、前記シード層、前記金属箔をエッチングし、前記めっき金属が被着した部位を除く前記シード層および金属箔を除去して、基板の両面に配線パターンを形成するエッチング工程とを備えることを特徴とする請求項1記載の配線基板の製造方法。
As a wiring pattern forming process,
Forming a plating seed layer on the inner surface of the opening and the surface of the seed layer;
A step of coating both sides of the substrate with a photosensitive resin film, exposing and developing the resin film, and forming a resist pattern exposing a portion where a wiring pattern is to be formed,
Performing an electrolytic plating using the plating seed layer as a plating power supply layer, and depositing a plating metal on an exposed portion of the substrate surface;
After the resist pattern is removed, the seed layer and the metal foil are etched to remove the seed layer and the metal foil except for a portion where the plating metal is applied, thereby forming a wiring pattern on both surfaces of the substrate. 2. The method according to claim 1, further comprising the steps of:
配線パターンの形成工程として、
前記金属箔をめっき給電層とする電解めっきを施して、開口穴にめっき金属を充填する工程と、
基板の両面を感光性の樹脂皮膜により被覆し、該樹脂皮膜を露光および現像して、配線パターンとなる部位を被覆したレジストパターンを形成する工程と、
該レジストパターンをマスクとして、前記シード層および金属箔をエッチングして配線パターンを形成した後、前記レジストパターンを除去して、基板の両面に配線パターンを形成するエッチング工程と
を備えることを特徴とする請求項1記載の配線基板の製造方法。
As a wiring pattern forming process,
Performing an electrolytic plating using the metal foil as a plating power supply layer, and filling the opening hole with a plating metal;
A step of coating both surfaces of the substrate with a photosensitive resin film, exposing and developing the resin film to form a resist pattern covering a portion to be a wiring pattern,
Using the resist pattern as a mask, etching the seed layer and the metal foil to form a wiring pattern, and then removing the resist pattern to form a wiring pattern on both surfaces of the substrate. The method for manufacturing a wiring board according to claim 1.
配線基板の両面に配線パターンを形成した後、ビルドアップ法等により、基板上に配線パターンを多層に形成することを特徴とする請求項1、2または3記載の配線基板の製造方法。4. The method for manufacturing a wiring board according to claim 1, wherein after forming the wiring pattern on both sides of the wiring board, the wiring pattern is formed in multiple layers on the board by a build-up method or the like. 前記シード層が銅層によって形成され、前記金属箔として銅箔を使用し、電解めっきとして電解銅めっきを施すことを特徴とする請求項1、2、3または4記載の配線基板の製造方法。5. The method according to claim 1, wherein the seed layer is formed of a copper layer, a copper foil is used as the metal foil, and electrolytic copper plating is performed as electrolytic plating.
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