JP4935979B2 - 表示装置及びその駆動方法、並びに、表示駆動装置及びその駆動方法 - Google Patents

Description

本発明は、表示駆動装置及びその駆動方法、並びに、表示装置及びその駆動方法に関し、特に、表示データに応じた電流を供給することにより所定の輝度階調で発光する電流駆動型（又は、電流制御型）の発光素子を、複数配列してなる表示パネル（表示画素アレイ）を備えた表示駆動装置及びその駆動方法、並びに、表示装置及びその駆動方法に関する。

近年、液晶表示装置に続く次世代の表示デバイスとして、有機エレクトロルミネッセンス素子（有機ＥＬ素子）や無機エレクトロルミネッセンス素子（無機ＥＬ素子）、あるいは、発光ダイオード（ＬＥＤ）等のような電流駆動型の発光素子を、マトリクス状に配列した表示パネルを備えた発光素子型の表示装置（発光素子型ディスプレイ）の研究開発が盛んに行われている。

特に、アクティブマトリックス駆動方式を適用した発光素子型ディスプレイにおいては、周知の液晶表示装置に比較して、表示応答速度が速く、また、視野角依存性もなく、高輝度・高コントラスト化、表示画質の高精細化等が可能であるとともに、液晶表示装置のようにバックライトや導光板を必要としないので、一層の薄型軽量化が可能であるという極めて優位な特徴を有している。そのため、今後様々な電子機器への適用が期待されている。

例えば、特許文献１に記載された有機ＥＬディスプレイ装置は、電圧信号によって電流制御されたアクティブマトリクス駆動表示装置であって、画像データに応じた電圧信号がゲートに印加されて有機ＥＬ素子に電流を流す電流制御用薄膜トランジスタと、この電流制御用薄膜トランジスタのゲートに画像データに応じた電圧信号を供給するためのスイッチングを行うスイッチ用薄膜トランジスタとが、画素ごとに設けられている。

特開平８−３３０６００号公報

このような電圧信号によって階調を制御する有機ＥＬディスプレイ装置においては、電流制御用薄膜トランジスタ等の経時的なしきい値変動によって、有機ＥＬ素子に流れる電流の電流値が変動してしまうといった問題を生じていた。
そこで、本発明は、上述した問題点に鑑み、表示データに応じた適切な輝度階調で発光素子を発光動作させることができる表示駆動装置及びその駆動方法を提供し、以て、表示画質が良好かつ均質な表示装置及びその駆動方法を提供することを目的とする。

請求項１記載の発明は、表示装置において、
発光素子と、
前記発光素子に直列に接続された駆動トランジスタを備える画素駆動回路と、
前記画素駆動回路の前記駆動トランジスタにｘ階調の電流値の参照電流を流したときに、前記画素駆動回路に固有の特性の変動量に対応して変動する電位に近似させるように調整電圧の電位を調整する電圧調整部と、前記電圧調整部の前記調整電圧の電位と、前記画素駆動回路に前記ｘ階調の電流値の参照電流を流したときに前記画素駆動回路に固有の素子特性の変動量に対応して変動する電位と、を比較し、比較に基づいた信号を出力する電圧比較部と、前記電圧比較部からの信号にしたがってオフセット設定値を変更し、前記オフセット設定値に単位電圧を乗算したオフセット電圧を生成するオフセット電圧生成部と、を有する表示駆動装置と、
前記表示駆動装置と前記画素駆動回路とを接続するデータラインと、
を備え、
前記電圧調整部は、前記ｘ階調の原階調電圧に、前記オフセット電圧生成部で生成されたオフセット電圧を加算して前記調整電圧の電位を調整することを特徴とする。

請求項２に記載の発明は、請求項１記載の表示装置において、前記電圧比較部は、前記画素駆動回路に前記ｘ階調の電流値の参照電流を流す電流源を有することを特徴とする。
請求項３に記載の発明は、請求項２記載の表示装置において、前記電圧比較部は、前記電流源及び前記電圧調整部を選択的に前記データラインに接続する接続経路切換スイッチを有することを特徴とする。

請求項４に記載の発明は、請求項３記載の表示装置において、前記接続経路切換スイッチが前記電流源を前記データラインに接続することによって、前記画素駆動回路に前記ｘ階調の電流値の参照電流を流したときに前記画素駆動回路に固有の特性の変動量に対応して変動する電位を前記電圧比較部に出力することを特徴とする。

請求項５に記載の発明は、請求項１〜４の何れかに記載の表示装置において、前記電圧調整部での電位が、前記画素駆動回路に前記ｘ階調の電流値の参照電流を流したときに前記画素駆動回路に固有の素子特性の変動量に対応して変動する電位よりも高いと前記電圧比較部が判断したときに、前記オフセット電圧生成部は、オフセット電圧を変調することを特徴とする。

請求項６に記載の発明は、請求項１〜５の何れかに記載の表示装置において、前記オフセット電圧生成部は、前記電圧調整部での電位が、前記画素駆動回路に前記ｘ階調の電流値の参照電流を流したときに前記画素駆動回路に固有の素子特性の変動量に対応して変動する電位よりも高いときに前記電圧比較部が出力する信号の入力回数をカウントすることを特徴とする。

請求項７に記載の発明は、請求項６記載の表示装置において、前記オフセット電圧生成部は、前記電圧比較部が出力する前記信号の入力回数に基づいて変位するオフセット設定値にしたがってオフセット電圧を変調することを特徴とする。

請求項８に記載の発明は、請求項１〜７の何れかに記載の表示装置において、前記電圧調整部での電位が、前記画素駆動回路に前記ｘ階調の電流値の参照電流を流したときに前記画素駆動回路に固有の素子特性の変動量に対応して変動する電位以下のときに、前記電圧比較部が出力する信号にしたがって、前記オフセット電圧生成部は、前記電圧比較部が出力する前記信号の入力回数に基づいて変位するオフセット設定値を出力することを特徴とする。

請求項９に記載の発明は、請求項１〜８の何れかに記載の表示装置において、前記オフセット電圧生成部が出力するオフセット設定値を保存する記憶部を有することを特徴とする。
請求項１０に記載の発明は、請求項９記載の表示装置において、前記発光素子と前記画素駆動回路とを一組とした複数の表示画素を備え、前記記憶部は、前記複数の表示画素ごとにオフセット設定値を保存することを特徴とする。

請求項１１に記載の発明は、請求項１〜１０の何れかに記載の表示装置において、前記画素駆動回路は、前記駆動トランジスタと前記データラインとの間に接続された選択トランジスタと、前記駆動トランジスタをダイオード接続状態にするダイオード接続用トランジスタと、を備えることを特徴とする。

請求項１２に記載の発明は、表示装置の駆動方法において、
発光素子と、
前記発光素子に直列に接続された駆動トランジスタを備える画素駆動回路と、
電圧調整部と、前記電圧調整部の調整された調整電圧の電位と、前記画素駆動回路の前記駆動トランジスタにｘ階調の電流値の参照電流を流したときに前記画素駆動回路に固有の素子特性の変動量に対応して変動する電位と、を比較し、比較に基づいた信号を出力する電圧比較部と、を有する表示駆動装置と、
前記表示駆動装置と前記画素駆動回路とを接続するデータラインと、
を備え、
前記電圧比較部からの信号にしたがってオフセット設定値を変更し、前記オフセット設定値に単位電圧を乗算したオフセット電圧を生成し、
前記電圧調整部は、前記ｘ階調の原階調電圧に、前記オフセット電圧を加算して、前記画素駆動回路に固有の特性の変動量に対応して変動する電位に近似させるように前記調整電圧の電位を調整することを特徴とする。

請求項１３に記載の発明は、表示駆動装置において、
発光素子に直列に接続された駆動トランジスタを備える画素駆動回路の前記駆動トランジスタにｘ階調の電流値の参照電流を流したときに、前記画素駆動回路に固有の特性の変動量に対応して変動する電位に近似させるように調整電圧の電位を調整する電圧調整部と、
前記電圧調整部の前記調整電圧の電位と、前記画素駆動回路に前記ｘ階調の電流値の参照電流を流したときに前記画素駆動回路に固有の素子特性の変動量に対応して変動する電位と、を比較し、比較に基づいた信号を出力する電圧比較部と、
前記電圧比較部からの信号にしたがってオフセット設定値を変更し、前記オフセット設定値に単位電圧を乗算したオフセット電圧を生成するオフセット電圧生成部と、
を有し、
前記電圧調整部は、前記ｘ階調の原階調電圧に、前記オフセット電圧生成部で生成されたオフセット電圧を加算して前記調整電圧の電位を調整することを特徴とする。

請求項１４に記載の発明は、表示駆動装置の駆動方法において、
発光素子に直列に接続された駆動トランジスタを備える画素駆動回路の前記駆動トランジスタにｘ階調の電流値の参照電流を流したときに、前記画素駆動回路に固有の特性の変動量に対応して変動する電位に近似させるように調整電圧の電位を調整する電圧調整部と、
前記電圧調整部の前記調整電圧の電位と、前記画素駆動回路に前記ｘ階調の電流値の参照電流を流したときに前記画素駆動回路に固有の素子特性の変動量に対応して変動する電位と、を比較し、比較に基づいた信号を出力する電圧比較部と、
を有し、
前記電圧比較部からの信号にしたがってオフセット設定値を変更し、前記オフセット設定値に単位電圧を乗算したオフセット電圧を生成し、
前記電圧調整部が、前記ｘ階調の原階調電圧に、前記オフセット電圧を加算して前記調整電圧の電位を調整することを特徴とする。

本発明に係る表示駆動装置及びその駆動方法、並びに、表示装置及びその駆動方法によれば、表示データに応じた適切な輝度階調で発光素子を発光動作することができ、良好かつ均質な表示画質を実現することができる。

本発明に係る表示駆動装置及びその駆動方法、並びに、表示装置及びその駆動方法について、以下に実施の形態を示して詳しく説明する。
＜表示画素の要部構成＞
まず、本発明に係る表示装置に適用される表示画素の要部構成及びその制御動作について図面を参照して説明する。
図１は、本発明に係る表示装置に適用される表示画素の要部構成を示す等価回路図である。ここでは、表示画素に設けられる電流駆動型の発光素子として、便宜的に有機ＥＬ素子を適用した場合について説明する。

本発明に係る表示装置に適用される表示画素は、図１に示すように、画素回路部（後述する画素駆動回路ＤＣに相当する）ＤＣｘと、電流駆動型の発光素子である有機ＥＬ素子ＯＬＥＤと、を備えた回路構成を有している。画素回路部ＤＣｘは、例えば、ドレイン端子及びソース端子が電源電圧Ｖccが印加される電源端子ＴＭｖ及び接点Ｎ２に、ゲート端子が接点Ｎ１に、各々接続された駆動トランジスタ（第１のスイッチング素子）Ｔ１と、ドレイン端子及びソース端子が電源端子ＴＭｖ（駆動トランジスタＴ１のドレイン端子）及び接点Ｎ１に、ゲート端子が制御端子ＴＭｈに、各々接続された保持トランジスタ（第２のスイッチング素子）Ｔ２と、駆動トランジスタＴ１のゲート−ソース端子間（接点Ｎ１と接点Ｎ２との間）に接続されたキャパシタ（電圧保持素子）Ｃｘと、を有している。また、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤは、アノード端子に上記接点Ｎ２が接続され、カソード端子ＴＭｃに一定電圧Ｖssが印加されている。

ここで、後述する制御動作において説明するように、表示画素（画素回路部ＤＣｘ）の動作状態に応じて、電源端子ＴＭｖには、動作状態に応じて異なる電圧値を有する電源電圧Ｖccが印加され、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤのカソード端子ＴＭｃには電源電圧Ｖssが印加され、制御端子ＴＭｈには、保持制御信号Ｓhldが印加され、接点Ｎ２に接続されたデータ端子ＴＭｄには、表示データの階調値に対応するデータ電圧Ｖdataが印加される。

また、キャパシタＣｘは、駆動トランジスタＴ１のゲート−ソース端子間に形成される寄生容量であってもよいし、該寄生容量に加えて接点Ｎ１及び接点Ｎ２間にさらに容量素子を並列に接続したものであってもよい。また、駆動トランジスタＴ１及び保持トランジスタＴ２の素子構造や特性等については、特に限定するものではないが、ここでは、ｎチャネル型の薄膜トランジスタを適用した場合を示す。

＜表示画素の制御動作＞
次いで、上述したような回路構成を有する表示画素（画素回路部ＤＣｘ及び有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ）における制御動作（制御方法）について説明する。
図２は、本発明に係る表示装置に適用される表示画素の制御動作を示す信号波形図である。

図２に示すように、図１に示したような回路構成を有する表示画素（画素回路部ＤＣｘ）における動作状態は、表示データの階調値に応じた電圧成分をキャパシタＣｘに書き込む書込動作と、該書込動作において書き込まれた電圧成分をキャパシタＣｘに保持する保持動作と、該保持動作により保持された電圧成分に基づいて有機ＥＬ素子ＯＬＥＤに表示データの階調値に応じた階調電流を流して、表示データに応じた輝度階調で有機ＥＬ素子ＯＬＥＤを発光させる発光動作と、に大別することができる。以下、各動作状態について図２に示したタイミングチャートを参照しながら具体的に説明する。

（書込動作）
書込動作では、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤを発光させない消灯状態において、キャパシタＣｘに表示データの階調値に応じた電圧成分を書き込む動作を行なう。
図３は、書込動作時における表示画素の動作状態を示す概略説明図であり、図４（ａ）は書込動作時における表示画素の駆動トランジスタの動作特性を示す特性図であり、図４（ｂ）は有機ＥＬ素子の駆動電流と駆動電圧の関係を示す特性図である。図４（ａ）に示す実線ＳＰｗは、駆動トランジスタＴ１としてｎチャネル型の薄膜トランジスタを適用し、ダイオード接続した場合の、ドレイン−ソース間電圧Ｖdsとドレイン−ソース間電流Ｉdsの、初期状態における関係を示す特性線である。また、破線ＳＰw2は、駆動トランジスタＴ１の、駆動履歴に伴って特性変化が生じたときの特性線の一例を示す。詳しくは後述する。特性線ＳＰｗ上の点ＰＭｗは駆動トランジスタＴ１の動作点を示す。

特性線ＳＰｗはドレイン−ソース間電流Ｉdsに対するしきい値電圧Ｖthを有し、ドレイン−ソース間電圧Ｖdsがしきい値電圧Ｖthを超えると、ドレイン−ソース間電流Ｉdsはドレイン−ソース間電圧Ｖdsの増加に伴い非線形的に増加する。すなわち図中でＶeff_gsで示される値が実効的にドレイン−ソース間電流Ｉdsを形成する電圧成分であり、ドレイン−ソース間電圧Ｖdsは、（１）式に示すように、しきい値電圧Ｖthと電圧成分Ｖeff_gsの和となる。
Ｖds＝Ｖth＋Ｖeff_gs・・・（１）

図４（ｂ）に示す実線ＳＰｅは、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの、初期状態における駆動電圧Ｖoledと駆動電流Ｉoledの関係を示す特性線である。また、一点鎖線ＳＰe2は、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの、駆動履歴に伴って特性変化が生じたときの特性線の一例を示す。詳しくは後述する。特性線ＳＰｅは駆動電圧Ｖoledに対するしきい値電圧Ｖth_oledを有し、駆動電圧Ｖoledがしきい値電圧Ｖth_oledを超えると、駆動電流Ｉoledは駆動電圧Ｖoledの増加に伴い非線形的に増加する。

書込動作においては、まず、図２、図３（ａ）に示すように、保持トランジスタＴ２の制御端子ＴＭｈにオンレベル（ハイレベル）の保持制御信号Ｓhldを印加して保持トランジスタＴ２をオン動作させる。これにより、駆動トランジスタＴ１のゲート−ドレイン間を接続（短絡）して駆動トランジスタＴ１をダイオード接続状態に設定する。

続いて、電源端子ＴＭｖ端子に書き込み動作の為の第一電源電圧Ｖccwを印加し、データ端子ＴＭｄに表示データの階調値に対応したデータ電圧Ｖdataを印加する。このとき、駆動トランジスタＴ１のドレイン−ソース間にはドレイン−ソース間の電位差（Ｖccw−Ｖdata）に応じた電流Ｉdsが流れる。このデータ電圧Ｖdataは、ドレイン−ソース間に流れる電流Ｉdsが、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤが表示データの階調値に応じた輝度階調で発光するために必要な電流値となるための電圧値に設定される。

このとき、駆動トランジスタＴ１がダイオード接続されているため、図３（ｂ）に示す様に、駆動トランジスタＴ１のドレイン−ソース間電圧Ｖdsはゲート−ソース間電圧Ｖgsに等しく、（２）式に示すようになる。
Ｖds＝Ｖgs＝Ｖccw−Ｖdata・・・（２）
そして、このゲート−ソース間電圧ＶgsがキャパシタＣｘに書き込まれる（充電される）。

ここで、第一電源電圧Ｖccwの値に必要な条件について説明する。駆動トランジスタＴ１はｎチャネル型であるため、ドレイン−ソース間電流Ｉdsが流れるためには、駆動トランジスタＴ１のゲート電位はソース電位に対し正でなければならず、ゲート電位はドレイン電位に等しく、第一電源電圧Ｖccwであり、ソース電位はデータ電圧Ｖdataであるから、（３）式の関係が成立しなければならない。
Ｖdata＜Ｖccw・・・（３）

また、接点N2はデータ端子ＴＭｄに接続されていると共に有機ＥＬ素子ＯＬＥＤのアノード端子に接続されており、書込時には有機ＥＬ素子ＯＬＥＤを消灯状態とするために、接点N2の電位Ｖdataは、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤのカソード側端子TMｃの電圧Vssに有機ＥＬ素子ＯＬＥＤのしきい値電圧Ｖth_oledを加えた値以下でなければならないから、接点N2の電位Ｖdataは（４）式を満たさなければならない。
Ｖdata≦Ｖss＋Ｖth_oled・・・（４）
ここでＶssを接地電位０Ｖとすると、（５）式となる。
Ｖdata≦Ｖth_oled・・・（５）

次に、（２）式と（５）式より（６）式が得られ、
Ｖccw−Ｖgs≦Ｖth_oled・・・（６）
更に（１）式より、Ｖgs＝Ｖds＝Ｖth＋Ｖeff_gsであるから、（７）式が得られる。
Ｖccw≦Ｖth_oled＋Ｖth＋Ｖeff_gs・・・（７）
ここで、（７）式はＶeff_gs＝0でも成り立つことが必要であるから、Ｖeff_gs＝0とすると、（８）式が得られる。
Ｖdata＜Ｖccw≦Ｖth_oled＋Ｖth・・・（８）

すなわち、書込動作時において、第一電源電圧Ｖccwの値は、ダイオード接続の状態において、（８）式の関係を満たす値に設定されなければならない。次に、駆動履歴に伴う駆動トランジスタＴ１及び有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの特性変化の影響について説明する。駆動トランジスタＴ１のしきい値電圧Ｖthは駆動履歴に従って増大することが知られている。図４（ａ）に示す破線ＳＰw2は、駆動履歴により特性変化が生じたときの特性線の一例を示し、ΔＶthはしきい値電圧Ｖthの変化量を示す。図に示すように、駆動トランジスタＴ１の駆動履歴に従う特性変動は、初期の特性線をほぼ平行移動した形に変化する。このため、表示データの階調値に応じた階調電流（ドレイン−ソース間電流Ids）を得るために必要なデータ電圧Vdataの値は、しきい値電圧Ｖthの変化量ΔＶth分だけ増加させなければならない。

また、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤは駆動履歴に従い高抵抗化することが知られている。図４（ｂ）に示す１点鎖線ＳＰe2は、駆動履歴に伴って特性変化が生じたときの特性線の一例を示し、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの駆動履歴に従う高抵抗化による特性変動は、初期の特性線に対して、概ね、駆動電圧Ｖoledに対する駆動電流Ｉoledの増加率が減少する方向に変化する。すなわち、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤが表示データの階調値に応じた輝度階調で発光するために必要な駆動電流Ｉoledを流すため駆動電圧Ｖoledは、特性線ＳＰe2-特性線ＳＰｅ分だけ増加する。この増加分は、図４(b)中のΔＶoled maxに示す様に、駆動電流Ｉoledが最大値Ｉoled(max)となる最高階調時において最大となる。

（保持動作）
図５は、表示画素の保持動作時における動作状態を示す概略説明図であり、図６は、表示画素の保持動作時における駆動トランジスタの動作特性を示す特性図である。保持動作では、図２、図５（ａ）に示すように、制御端子ＴＭｈにオフレベル（ローレベル）の保持制御信号Ｓhldを印加して保持トランジスタＴ２をオフ動作させることにより、駆動トランジスタＴ１のゲート−ドレイン間を遮断（非接続状態に）してダイオード接続を解除する。これにより、図５（ｂ）に示すように、上記書込動作においてキャパシタＣｘに充電された駆動トランジスタＴ１のドレイン−ソース間の電圧Ｖds（＝ゲート−ソース間電圧Ｖgs）が保持される。

図６中に示す実線ＳＰｈは、駆動トランジスタＴ１のダイオード接続を解除し、ゲート−ソース間電圧Ｖgsを一定電圧としたときの特性線である。また、図６中に示す破線ＳＰｗは駆動トランジスタＴ１をダイオード接続したときの特性線である。保持時の動作点ＰＭｈはダイオード接続したときの特性線ＳＰｗとダイオード接続を解除したときの特性線ＳＰｈの交点となる。

図６中に示す一点鎖線ＳＰｏは特性線ＳＰｗ−Ｖthとして導かれたものであり、一点鎖線ＳＰｏと特性線ＳＰｈとの交点Ｐｏはピンチオフ電圧Ｖpoを示す。ここで、図６に示すように、特性線ＳＰｈにおいて、ドレイン−ソース間電圧Ｖdsが０Ｖからピンチオフ電圧Ｖpoまでの領域は不飽和領域となり、ドレイン−ソース間電圧Ｖdsがピンチオフ電圧Ｖpo以上の領域は飽和領域となる。

（発光動作）
図７は、表示画素の発光動作時における動作状態を示す概略説明図であり、図８は発光動作時における表示画素の駆動トランジスタの動作特性及び有機ＥＬ素子の負荷特性を示す特性図である。

図２、図７（ａ）に示すように、制御端子ＴＭｈにオフレベル（ローレベル）の保持制御信号Ｓhldを印加した状態（ダイオード接続状態を解除した状態）を維持し、電源端子ＴＭｖの端子電圧Ｖccを書込のための第一電源電圧Ｖccwから発光の為の第二電源電圧Ｖcceに切り替える。この結果、駆動トランジスタＴ１のドレイン−ソース間にはキャパシタＣｘに保持された電圧成分Ｖgsに応じた電流Ｉdsが流れ、この電流が有機ＥＬ素子ＯＬＥＤに供給され、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤは、供給された電流の値に応じた輝度で発光動作をする。

図８（ａ）に示す実線ＳＰｈは、ゲート−ソース間電圧Ｖgsを一定電圧としたときの駆動トランジスタのＴ１の特性線である。また、実線ＳＰｅは有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの負荷線を示し、電源端子ＴＭｖと有機ＥＬ素子ＯＬＥＤのカソード端子ＴＭｃ間の電位差、すなわちＶcce−Ｖssの値を基準として有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの駆動電圧Ｖoled−駆動電流Ｉoled特性が逆向きにプロットされたものである。

発光動作時の駆動トランジスタＴ１の動作点は、保持動作時のＰＭｈから駆動トランジスタのＴ１の特性線ＳＰｈと有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの負荷線ＳＰｅの交点であるＰＭｅに移動する。ここで、動作点ＰＭｅは、図８（ａ）に示すように、電源端子ＴＭｖと有機ＥＬ素子ＯＬＥＤのカソード端子ＴＭｃ間にＶcce−Ｖssの電圧が印加された状態で、この電圧が駆動トランジスタのＴ１のソース−ドレイン間と有機ＥＬ素子ＯＬＥＤのアノード・カソード間で分配されるポイントを表している。すなわち、動作点ＰＭｅにおいて、駆動トランジスタのＴ１のソース−ドレイン間に電圧Ｖdsが印加され、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤのアノード・カソード間には駆動電圧Ｖoledが印加される。

ここで、書込動作時の駆動トランジスタＴ１のドレイン−ソース間に流す電流Ｉds（期待値電流）と発光動作時に有機ＥＬ素子ＯＬＥＤに供給される駆動電流Ｉoledが変わらないようにするために、動作点ＰＭｅは特性線上の飽和領域内に維持されていなければならない。Ｖoledは最高階調時に最大Ｖoled(max)となる。よって前述したＰＭｅを飽和領域内に維持する為には、第二電源電圧Ｖcceの値は（９）式の条件を満たさなければならない。
Ｖcce−Ｖss≧Ｖpo＋Ｖoled(max)・・・（９）
ここでＶssを接地電位０Ｖとすると（１０）式となる。
Ｖcce≧Ｖpo＋Ｖoled(max)・・・（１０）

＜有機素子特性の変動と電圧−電流特性との関係＞
図４（ｂ）に示したように、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤは駆動履歴に従って高抵抗化し、駆動電圧Ｖoledに対する駆動電流Ｉoledの増加率が減少する方向に変化する。すなわち、図８（ａ）に示す有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの負荷線ＳＰｅの傾きが減少する方向に変化する。図８（ｂ）はこの有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの負荷線ＳＰｅの駆動履歴に従った変化を記入したものであり、負荷線はＳＰｅ→ＳＰe2→ＳＰe3の変化を生じる。結果としてそのため、駆動トランジスタＴ１の動作点は、駆動履歴に伴い駆動トランジスタのＴ１の特性線ＳＰｈ上をＰＭｅ→ＰＭe2→ＰＭe3方向に移動する。

このとき、動作点が特性線上の飽和領域内にある間（ＰＭｅ→ＰＭe2）は、駆動電流Ｉoledは書込動作時の期待値電流の値を維持するが、不飽和領域に入ってしまうと（ＰＭe3）駆動電流Ｉoledは書込動作時の期待値電流より減少してしまい、表示不良が発生してしまう。図８（ｂ）においてピンチオフ点Ｐｏは不飽和領域と飽和領域の境界にあり、すなわち発光時の動作点ＰＭｅとＰｏ間の電位差は、有機ＥＬの高抵抗化に対し発光時のＯＬＥＤ駆動電流を維持するための補償マージンとなる。言い換えると、各Ｉoledレベルにおいてピンチオフ点の軌跡ＳＰｏと有機ＥＬ素子の負荷線ＳＰｅに挟まれた、駆動トランジスタの特性線ＳＰｈ上電位差が補償マージンとなる。図８（ｂ）示す様に、この補償マージンは駆動電流Ｉoledの値の増大に伴って減少し、電源端子ＴＭｖと有機ＥＬ素子ＯＬＥＤのカソード端子ＴＭｃ間に印加された電圧Ｖcce−Ｖssの増加に伴い増大する。

＜ＴＦＴ素子特性の変動と電圧−電流特性との関係＞
ところで、上述した表示画素（画素回路部）に適用されるトランジスタを用いた電圧階調制御においては、予め初期に設定されたトランジスタのドレイン−ソース間電圧Ｖds−ドレイン−ソース間電流Ｉds特性によりデータ電圧Ｖdataを設定しているが、図４（ａ）に示すように、駆動履歴に応じてしきい値電圧：Ｖthが増大し、発光素子（有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ）に供給される発光駆動電流の電流値が表示データ（データ電圧）に対応しなくなり、適切な輝度階調で発光動作することができなくなる。特に、トランジスタとしてアモルファスシリコントランジスタを適用した場合、素子特性の変動が顕著に生じることが知られている。

ここでは、表１に示すような設計値を有するアモルファスシリコントランジスタにおいて、２５６階調の表示動作を行う場合における、ドレイン−ソース間電圧Ｖdsとドレイン−ソース間電流Ｉdsの初期特性（電圧−電流特性）の一例を示す。

ｎチャネル型アモルファスシリコントランジスタにおける電圧−電流特性、すなわち図４（ａ）に示すドレイン−ソース間電圧Ｖdsとドレイン−ソース間電流Ｉdsとの関係には、駆動履歴や経時変化に伴うゲート絶縁膜へのキャリヤトラップによるゲート電界の相殺に起因したＶthの増大（初期状態：ＳＰｗから高電圧側：ＳＰw2へのシフト）が生じる。これによりアモルファスシリコントランジスタに印加したドレイン−ソース間電圧Ｖdsに対してドレイン−ソース間電流Ｉdsは減少し、発光素子の輝度階調が低下する。

この変動はしきい値電圧Ｖthのみに生じる為、シフト後のＶ−Ｉ特性線ＳＰw2は、初期状態におけるＶ−Ｉ特性線ＳＰｗのドレイン−ソース間電圧Ｖdsに対して、しきい値電圧Ｖthの変化量ΔＶth（図中では、約２Ｖ）に対応する一定の電圧（後述するオフセット電圧Ｖofstに相当する）を一義的加算した場合（すなわち、Ｖ−Ｉ特性線ＳＰｗをΔＶthだけ平行移動させた場合）の電圧−電流特性に略一致することができる。

これは、換言すると、表示画素（画素回路部ＤＣｘ）への表示データの書込動作に際し、当該表示画素に設けられた駆動トランジスタＴ１の素子特性（しきい値電圧）の変化量ΔＶに対応する一定の電圧（オフセット電圧Ｖofst）を加算して補正したデータ電圧（後述する補正階調電圧Ｖpixに相当する）を、駆動トランジスタＴ１のソース端子（接点Ｎ２）に印加することにより、当該駆動トランジスタＴ１のしきい値電圧Ｖthの変動に起因する電圧−電流特性のシフトを補償して、表示データに応じた電流値を有する駆動電流Ｉemを有機ＥＬ素子ＯＬＥＤに流すことができ、所望の輝度階調で発光動作させることができることを意味する。
なお、保持制御信号Ｓhldをオンレベルからオフレベルに切り換える保持動作と、電源電圧Ｖccを電圧Ｖccwから電圧Ｖcceに切り換える発光動作とを、同期して行ってもよい。

以下、上述したような画素回路部の要部構成を含む複数の表示画素が２次元配列された表示パネルを備えた表示装置の全体構成を示して具体的に説明する。
＜表示装置＞
図９は、本発明に係る表示装置の一実施形態を示す概略構成図である。図１０は、本実施形態に係る表示装置に適用可能なデータドライバ及び表示画素（画素駆動回路及び発光素子）の一例を示す要部構成図である。なお、図１０においては、上述した画素回路部ＤＣｘ（図１参照）に対応する回路構成の符号を併記して示す。また、図１０においては、説明の都合上、データドライバの各構成間で送出される各種の信号やデータ、および、印加される電流や電圧のすべてについて便宜的に矢印で示すが、後述するように、これらの信号やデータ、電流や電圧が同時に送出又は印加されるとは限らない。

図９、図１０に示すように、本実施形態に係る表示装置１００は、例えば、行方向（図面左右方向）に配設された複数の選択ラインＬｓと列方向（図面上下方向）に配設された複数のデータラインＬdとの各交点近傍に、上述した画素回路部ＤＣｘの要部構成（図１参照）を含む複数の表示画素ＰＩＸがｎ行×ｍ列（ｎ、ｍは、任意の正の整数）からなるマトリクス状に配列された表示パネル１１０と、各選択ラインＬｓに所定のタイミングで選択信号Ｓselを印加する選択ドライバ（選択駆動部）１２０と、選択ラインＬｓに並行して行方向に配設された複数の電源電圧ラインＬｖに所定のタイミングで所定の電圧レベルの電源電圧Ｖccを印加する電源ドライバ（電源駆動部）１３０と、各データラインＬｄに所定のタイミングで階調信号（補正階調電圧Ｖpix）を供給するデータドライバ（表示駆動装置、データ駆動部）１４０と、後述する表示信号生成回路１６０から供給されるタイミング信号に基づいて、少なくとも選択ドライバ１２０、電源ドライバ１３０及びデータドライバ１４０の動作状態を制御する選択制御信号及び電源制御信号、データ制御信号を生成して出力するシステムコントローラ１５０と、例えば表示装置１００の外部から供給される映像信号に基づいて、デジタル信号からなる表示データ（輝度階調データ）を生成してデータドライバ１４０に供給するとともに、該表示データに基づいて表示パネル１１０に所定の画像情報を表示するためのタイミング信号（システムクロック等）を抽出、又は、生成して上記システムコントローラ１５０に供給する表示信号生成回路１６０と、を備えて構成されている。

以下、上記各構成について説明する。
（表示パネル）
本実施形態に係る表示装置１００においては、表示パネル１１０の基板上にマトリクス状に配列される複数の表示画素ＰＩＸが、例えば図９に示すように、表示パネル１１０の上方領域と下方領域とにグループ分けされ、各グループに含まれる表示画素ＰＩＸが、各々、分岐した個別の電源電圧ラインＬｖに接続されている。すなわち、表示パネル１１０の上方領域の１〜ｎ／２行目の表示画素ＰＩＸに対して共通に印加される電源電圧Ｖccと、下方領域の１＋ｎ／２〜ｎ行目の表示画素ＰＩＸに対して共通に印加される電源電圧Ｖccは、電源ドライバ１３０により異なるタイミングで異なる電源電圧ラインＬｖを介して独立して出力される。なお、選択ドライバ１２０及びデータドライバ１４０は表示パネル１１０内に配置されていてもよく、場合によっては、選択ドライバ１２０、電源ドライバ１３０及びデータドライバ１４０が表示パネル１１０内に配置されていてもよい。

（表示画素）
本実施形態に適用される表示画素ＰＩＸは、選択ドライバ１２０に接続された選択ラインＬｓとデータドライバ１４０に接続されたデータラインＬｄとの交点近傍に配置され、例えば図１０に示すように、電流駆動型の発光素子である有機ＥＬ素子ＯＬＥＤと、上述した画素回路部ＤＣｘの要部構成（図１参照）を含み、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤを発光駆動するため発光駆動電流を生成する画素駆動回路ＤＣと、を備えている。

画素駆動回路ＤＣは、例えば、ゲート端子が選択ラインＬｓに、ドレイン端子が電源電圧ラインＬｖに、ソース端子が接点Ｎ１１に各々接続されたトランジスタＴｒ１１（ダイオード接続用トランジスタ）と、ゲート端子が選択ラインＬsに、ソース端子がデータラインＬｄに、ドレイン端子が接点Ｎ１２に各々接続されたトランジスタＴｒ１２（選択トランジスタ）と、ゲート端子が接点Ｎ１１に、ドレイン端子が電源電圧ラインＬｖに、ソース端子が接点Ｎ１２に各々接続されたトランジスタＴｒ１３（駆動トランジスタ）と、接点Ｎ１１及び接点Ｎ１２間（トランジスタＴｒ１３のゲート−ソース端子間）に接続されたキャパシタ（電圧保持素子）Ｃｓと、を備えている。

ここで、トランジスタＴｒ１３は上述した画素回路部ＤＣｘの要部構成（図１）に示した駆動トランジスタＴ１に対応し、また、トランジスタＴｒ１１は保持トランジスタＴ２に対応し、キャパシタＣｓはキャパシタＣｘに対応し、接点Ｎ１１及びＮ１２は各々接点Ｎ１及び接点Ｎ２に対応する。また、選択ドライバ１２０から選択ラインＬｓに印加される選択信号Ｓselは、上述した保持制御信号Ｓhldに対応し、データドライバ１４０からデータラインＬｄに印加される階調信号（補正階調電圧Ｖpix）は、上述したデータ電圧Ｖdataに対応する。

また、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤは、アノード端子が上記画素駆動回路ＤＣの接点Ｎ１２に接続され、カソード端子ＴＭｃには一定の低電圧である基準電圧Ｖssが印加されている。ここで後述する表示装置の駆動制御動作において、表示データに応じた階調信号（補正階調電圧Ｖpix）が画素駆動回路ＤＣに供給される書込動作期間においては、データドライバ１４０から印加される補正階調電圧Ｖpix、基準電圧Ｖss、発光動作期間に電源電圧ラインＬｖに印加される高電位の電源電圧Ｖcc（＝Ｖcce）は、上述した（３）〜（１０）の関係を満たしており、故に書込時に有機ＥＬ素子ＯＬＥＤが点灯することはない。
また、キャパシタＣｓは、トランジスタＴｒ１３のゲート−ソース間に形成される寄生容量であってもよいし、該寄生容量に加えて接点Ｎ１１及び接点Ｎ１２間にトランジスタＴｒ１３以外の容量素子を接続したものであってもよく、これら両方であってもよい。

なお、トランジスタＴｒ１１〜Ｔｒ１３については、特に限定するものではないが、例えば全てｎチャネル型の電界効果型トランジスタにより構成することにより、ｎチャネル型のアモルファスシリコン薄膜トランジスタを適用することができる。この場合、すでに確立されたアモルファスシリコン製造技術を用いて、素子特性（電子移動度等）の安定したアモルファスシリコン薄膜トランジスタからなる画素駆動回路ＤＣを比較的簡易な製造プロセスで製造することができる。以下の説明においては、トランジスタＴｒ１１〜Ｔｒ１３として全てｎチャネル型の薄膜トランジスタを適用した場合について説明する。

また、表示画素ＰＩＸ（画素駆動回路ＤＣ）の回路構成については、図１０に示したものに限定されるものではなく、少なくとも図１に示したような駆動トランジスタＴ１、保持トランジスタＴ２及びキャパシタＣｘに対応する素子を備え、駆動トランジスタＴ１の電流路が電流駆動型の発光素子（有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ）に直列に接続されたものであれば、他の回路構成を有するものであってもよい。また、画素駆動回路ＤＣにより発光駆動される発光素子についても、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤに限定されるものではなく、発光ダイオード等の他の電流駆動型の発光素子であってもよい。

（選択ドライバ）
選択ドライバ１２０は、システムコントローラ１５０から供給される選択制御信号に基づいて、各選択ラインＬｓに選択レベル（図１２又は図１３に示した表示画素ＰＩＸにおいては、ハイレベル）の選択信号Ｓselを印加することにより、各行ごとの表示画素ＰＩＸを選択状態に設定する。具体的には、各行の表示画素ＰＩＸについて、後述する補正データ取得動作期間及び書込動作期間中、ハイレベルの選択信号Ｓselを当該行の選択ラインＬｓに印加する動作を、各行ごとに所定のタイミングで順次実行することにより、各行ごとの表示画素ＰＩＸを順次選択状態に設定する。

なお、選択ドライバ１２０は、例えば、後述するシステムコントローラ１５０から供給される選択制御信号に基づいて、各行の選択ラインＬｓに対応するシフト信号を順次出力するシフトレジスタと、該シフト信号を所定の信号レベル（選択レベル）に変換して、各行の選択ラインＬｓに選択信号Ｓselとして順次出力する出力回路部（出力バッファ）と、を備えたものを適用することができる。選択ドライバ１２０の駆動周波数がアモルファスシリコントランジスタでの動作が可能な範囲であれば、画素駆動回路ＤＣ内のトランジスタＴｒ１１〜Ｔｒ１３とともに選択ドライバ１２０に含まれるトランジスタの一部又は全部を製造してもよい。

（電源ドライバ）
電源ドライバ１３０は、システムコントローラ１５０から供給される電源制御信号に基づいて、各電源電圧ラインＬｖに、少なくとも、後述する補正データ取得動作期間及び書込動作期間においては、低電位の電源電圧Ｖcc（＝Ｖccw：第１の電源電圧）を印加し、発光動作期間中においては、低電位の電源電圧Ｖccwより高電位の電源電圧Ｖcc（＝Ｖcce：第２の電源電圧）を印加する。

ここで、本実施形態においては、図９に示すように、表示画素ＰＩＸが例えば表示パネル１１０の上方領域と下方領域とにグループ分けされ、グループごとに分岐した個別の電源電圧ラインＬｖが配設されているので、上記各動作期間においては、同一領域に配列された（同一のグループに含まれる）表示画素ＰＩＸに対して、当該領域に分岐して配設された電源電圧ラインＬｖを介して同一の電圧レベルを有する電源電圧Ｖccが印加される。

なお、電源ドライバ１３０は、例えば、システムコントローラ１５０から供給される電源制御信号に基づいて、各領域（グループ）の電源電圧ラインＬｖに対応するタイミング信号を生成するタイミングジェネレータ（例えばシフト信号を順次出力するシフトレジスタ等）と、タイミング信号を所定の電圧レベル（電圧値Ｖccw、Ｖcce）に変換して、各領域の電源電圧ラインＬｖに電源電圧Ｖccとして出力する出力回路部と、を備えたものを適用することができる。

（データドライバ）
データドライバ１４０は、表示パネル１１０に配列された各表示画素ＰＩＸ（画素駆動回路ＤＣ）に設けられた発光駆動用のトランジスタＴｒ１３（駆動トランジスタＴ１に相当する）の素子特性（しきい値電圧）の変動量に対応する特定値（オフセット設定値Ｖofst）を検出して、表示画素ＰＩＸごとに補正データとして記憶するとともに、後述する表示信号生成回路１６０から供給される表示画素ＰＩＸごとの表示データ（輝度階調値）に応じた信号電圧（原階調電圧Ｖorg）を上記補正データに基づいて補正して補正階調電圧Ｖpixを生成し、データラインＬｄを介して各表示画素ＰＩＸに供給する。

ここで、データドライバ１４０は、例えば図１０に示すように、シフトレジスタ・データレジスタ部（階調データ転送部、特定値転送部、補正データ転送部）１４１と、階調電圧生成部（階調電圧生成部）１４２と、オフセット電圧生成部（特定値検出部、変数設定部、特定値抽出部、補償電圧生成部）１４３と、電圧調整部（階調電圧補正部、調整電圧生成部）１４４と、電圧比較部（特定値検出部、電圧比較部）１４５と、フレームメモリ（記憶部）１４６と、を備えている。ここで階調電圧生成部１４２、オフセット電圧生成部１４３、電圧調整部１４４及び電圧比較部１４５は、各列のデータラインＬｄごとに設けられ、本実施形態に係る表示装置１００においては、ｍ組設けられている。なお、本実施形態においては、図１０に示すように、フレームメモリ１４６をデータドライバ１４０に内蔵する場合について説明するが、これに限定されず、データドライバ１４０の外部に独立して設けるものであってもよい。

シフトレジスタ・データレジスタ部１４１は、例えば、システムコントローラ１５０から供給されるデータ制御信号に基づいて、シフト信号を順次出力するシフトレジスタと、該シフト信号に基づいて、表示信号生成回路１６０から供給される表示データを列ごとに設けられた階調電圧生成部１４２に転送し、そして、補正データ取得動作時に、列ごとに設けられたオフセット電圧生成部１４３から出力される補正データを取り込みフレームメモリ１４６に出力し、さらに、書込動作時や補正データ取得動作時に、フレームメモリ１４６から出力される補正データを取り込んでオフセット電圧生成部１４３に転送するデータレジスタと、を備えている。

シフトレジスタ・データレジスタ部１４１は、具体的には、後述する表示信号生成回路１６０からシリアルデータとして順次供給される、表示パネル１１０の１行分の表示画素ＰＩＸに対応した表示データ（輝度階調値）を順次取り込み、列ごとに設けられた階調電圧生成部１４２に転送する動作、及び、電圧比較部１４５における比較判定結果に基づいて、各列ごとに設けられたオフセット電圧生成部１４３から出力される、各表示画素ＰＩＸ（画素駆動回路ＤＣ）のトランジスタＴｒ１３及びトランジスタＴｒ１２の素子特性（しきい値電圧）の変動量に対応する補正データを取り込み、フレームメモリ１４６に順次転送する動作、さらに、フレームメモリ１４６から特定の１行分の表示画素ＰＩＸの上記補正データを順次取り込み、各列ごとに設けられたオフセット電圧生成部１４３に転送する動作のいずれかを選択的に実行する。これらの各動作については、詳しく後述する。

階調電圧生成部１４２は、上記シフトレジスタ・データレジスタ部１４１を介して取り込まれた各表示画素ＰＩＸの表示データに基づいて、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤを所定の輝度階調で発光動作、又は、無発光動作（黒表示動作）させるための電圧値を有する原階調電圧Ｖorgを生成して出力する。

ここで、表示データに応じた電圧値を有する原階調電圧Ｖorgを生成する構成としては、例えば、図示を省略した電源供給部から供給される階調基準電圧（表示データに含まれる輝度階調値の階調数に応じた基準電圧）に基づいて、上記表示データのデジタル信号電圧を、アナログ信号電圧に変換するデジタル−アナログ変換器（Ｄ／Ａコンバータ）と、所定のタイミングで当該アナログ信号電圧を上記原階調電圧Ｖorgとして出力する出力回路と、を備えたものを適用することができる。

また、階調電圧生成部１４２は、シフトレジスタ・データレジスタ部１４１から出力される表示データに基づいて出力される原階調電圧Ｖorgの代わりに、シフトレジスタ・データレジスタ部１４１からの入力なしに、トランジスタＴｒ１３がＶ−Ｉ特性線ＳＰｗの状態において、トランジスタＴｒ１３に後述するｘ階調の参照電流Ｉref_xが流れるときの電源電圧ラインＬｖとデータラインＬｄと間の理論電圧である原階調電圧Ｖorgを自動的に電圧調整部１４４に出力するようにしてもよい。

オフセット電圧生成部１４３は、フレームメモリ１４６から取り出された補正データに基づいて、各表示画素ＰＩＸ（画素駆動回路ＤＣ）のトランジスタＴｒ１３のしきい値電圧の変化量（図４（ａ）に示したΔＶthに相当する）に応じたオフセット電圧（補償電圧）Ｖofstを生成して出力する。ここで、生成されるオフセット電圧（補償電圧）Ｖofstは、データドライバ１４０が引き込み電流駆動であるので、つまり、電源電圧ラインＬｖから、トランジスタＴｒ１３のドレイン−ソース間、トランジスタＴｒ１２のドレイン−ソース間、データラインＬｄを介して電流が流れるので、具体的には、書込動作においては、下記式（１）を満たす値となる。
Ｖofst＝Ｖunit×Ｍinc・・・（１１）
ここで、単位電圧Ｖunitは、予め設定された電圧最小単位で且つ負の電位であり、オフセット設定値Ｍincは、フレームメモリ１４６から読み出されたデジタル補正データである。

このようにオフセット電圧Ｖofstは、補正階調電圧Ｖpixによって正常な階調における電流値に近似された補正階調電流がトランジスタＴｒ１３のドレイン−ソース間に流れるように各表示画素ＰＩＸ（画素駆動回路ＤＣ）のトランジスタＴｒ１３のしきい値電圧の変化量及びトランジスタＴｒ１２のしきい値電圧の変化量を補正した電圧となっている。

一方、上記書込動作に先立って実行される補正データ取得動作においては、オフセット設定値（変数）Ｍincが適合する値になるまで、上記単位電圧Ｖunitに、乗算するオフセット設定値（変数）Ｍincの値を適宜変えることにより最適化を図る。具体的には、初期のオフセット設定値Ｍincの値にしたがったオフセット電圧Ｖofstを生成し、電圧比較部１４５から出力される比較判定結果に基づいて、当該オフセット設定値Ｍincを上記補正データとしてシフトレジスタ・データレジスタ部１４１に出力する。

このようなオフセット設定値（変数）Ｍincは、例えば、オフセット電圧生成部１４３の内部に、所定のクロック周波数で動作し、クロック周波数ＣＫのタイミングに取り込まれた所定の電圧値の信号が入力されるとカウンタ値を１つ上げるカウンタを備え、上記比較判定結果に基づいて、当該カウンタのカウント値を順次変調して（例えば増やしていって）設定するものであってもよいし、上記比較判定結果に基づいて、システムコントローラ１５０等から適宜変調処理された設定値を供給するものであってもよい。

また、単位電圧Ｖunitは、任意の一定電圧に設定することができるが、この単位電圧Ｖunitの電圧の絶対値を小さく設定するほど、オフセット電圧Ｖofst相互の電圧差を小さくすることができるので、書込動作において各表示画素ＰＩＸ（画素駆動回路ＤＣ）のトランジスタＴｒ１３のしきい値電圧の変化量により近似したオフセット電圧Ｖofstを生成することができ、階調信号をより細かくかつ適切に補正することができる。

なお、この単位電圧Ｖunitに設定される電圧値としては、例えば、トランジスタの電圧−電流特性（例えば図４（ａ）に示した動作特性図）において、隣接する階調におけるドレイン−ソース間電圧Ｖds相互の電圧差を適用することができる。このような単位電圧Ｖunitは、例えばオフセット電圧生成部１４３内やデータドライバ１４０内に設けられたメモリに記憶されているものであってもよいし、例えばシステムコントローラ１５０等から供給されて、データドライバ１４０内に設けられたレジスタに一時保存されるものであってもよい。

単位電圧Ｖunitは、トランジスタＴｒ１３における第ｋ階調（ｋは整数であって、大きいほど高輝度階調。）でのドレイン−ソース間電圧Ｖds_k（正の電圧値）から第（ｋ＋１）階調でのドレイン−ソース間電圧Ｖds_k+1（＞Ｖds_k）を差し引いた電位差のうち、最も小さい電位差に設定することが好ましい。トランジスタＴｒ１３のような薄膜トランジスタでは、特にアモルファスシリコンＴＦＴでは、流れる電流の電流密度に対しほぼ線形に発光輝度が増大する有機ＥＬ素子ＯＬＥＤと組み合わせると、一般的に、階調が高くなるほど、つまりドレイン−ソース間電圧Ｖdsが高いほど、言い換えればドレイン−ソース間電流Ｉdsが大きいほど隣接する階調間での電位差が小さくなる傾向がある。つまり、２５６階調の電圧階調制御を行う場合（第０階調を無発光とする）、最高輝度階調（例えば第２５５階調）での電圧Ｖdsと第２５４階調での電圧Ｖdsとの間の電位差が隣接する階調間の電位差の中で最も小さい部類に属する。このため、単位電圧Ｖunitは、最高輝度階調（もしくはその近傍の階調）より一つ下の輝度階調のドレイン−ソース間電圧Ｖdsから、当該最高輝度階調（もしくはその近傍の階調）のドレイン−ソース間電圧Ｖdsを減算した値であることが好ましい。

電圧調整部１４４は、階調電圧生成部１４２から出力される原階調電圧Ｖorgと、オフセット電圧生成部１４３から出力されるオフセット電圧Ｖofstとを加算して、電圧比較部１４５を介して表示パネル１１０の列方向に配設されたデータラインＬｄに出力する。具体的には、補正データ取得動作においては、階調電圧生成部１４２から出力される所定の階調（ｘ階調）に対応した原階調電圧Ｖorg_xに、上記適宜変調することにより最適化されるオフセット設定値に基づいて生成されるオフセット電圧Ｖofstをアナログ的に加算して、その総和となる電圧成分を調整電圧Ｖadjとして電圧比較部１４５に出力する。

また、書込動作においては、補正階調電圧Ｖpixは、下記式（２）を満たす値となる。
Ｖpix＝Ｖorg＋Ｖofst・・・（１２）
つまり、階調電圧生成部１４２から出力される表示データに応じた原階調電圧Ｖorgに、フレームメモリ１４６から取り出された補正データに基づいてオフセット電圧生成部１４３により生成されるオフセット電圧Ｖofstをアナログ的（階調電圧生成部１４２がＤ／Ａコンバータを備えている場合）或いはデジタル的に加算して、その総和となる電圧成分を補正階調電圧Ｖpixとして書込動作時にデータラインＬｄに出力する。

電圧比較部１４５は、内部にコンパレータ１４７、定電流源１４８、及び接続経路切換スイッチ１４９を備えている。接続経路切換スイッチ１４９は、データラインＬｄを、定電流源１４８及び電圧調整部１４４のいずれか一方に選択的に接続する切り換えスイッチであり、コンパレータ１４７は、一方の入力端が定電流源１４８に接続され、他方の入力端が電圧調整部１４４の出力端に接続されている。

電圧比較部１４５では、まず、電源電圧ラインＬｖを所定の電圧（特に電源電圧Ｖccwであることが好ましい。）を印加した状態で、予め設定された所定階調ｘ（例えば最高輝度階調）における所定の電流値となる参照電流Ｉref_x（例えば有機ＥＬ素子ＯＬＥＤを最高輝度階調で発光するために要する電流値）を、上記定電流源１４８を用いて強制的にデータラインＬｄからデータドライバ１４０へ引き込むように流す。このとき、所定階調ｘにおけるデータラインＬｄ（又は定電流源１４８）での測定電位（参照電圧）Ｖref_ｘをコンパレータ１４７の一方の入力端に出力する。ついで、電源電圧ラインＬｖを当該所定の電圧（電源電圧Ｖccw）の状態のままにして、電圧調整部１４４から出力された調整電圧Ｖadjがコンパレータ１４７の他方の入力端に入力される。

コンパレータ１４７では、電圧調整部１４４でから出力された電位となる測定電位Ｖref_ｘと電圧調整部１４４により生成された電位となる調整電圧Ｖadjとを比較する。ここで比較の結果、調整電圧Ｖadjが測定電位Ｖref_ｘより高かったら、つまり、調整電圧ＶadjをデータラインＬｄに流した場合の電源電圧ラインＬｖとデータラインＬｄとの電位差（Ｖccw−Ｖadj）がｘ階調の参照電流Ｉref_xを強制的に流したときの電源電圧ラインＬｖとデータラインＬｄとの電位差（Ｖccw−Ｖref_ｘ）より小さかったら、コンパレータ１４７がオフセット電圧生成部１４３のカウンタのカウンタ値を１つ上げる正電圧信号Ｖｐをオフセット電圧生成部１４３のカウンタに出力する。

また、コンパレータ１４７での比較の結果、調整電圧Ｖadjが測定電位Ｖref_ｘより低かったら、つまり、調整電圧ＶadjをデータラインＬｄに流した場合の電源電圧ラインＬｖとデータラインＬｄとの電位差（Ｖccw−Ｖadj）がｘ階調の参照電流Ｉref_xを強制的に流したときの電源電圧ラインＬｖとデータラインＬｄとの電位差（Ｖccw−Ｖref_ｘ）が大きくなったら、オフセット電圧生成部１４３のカウンタのカウンタ値を上げない負電圧信号Ｖｎをオフセット電圧生成部１４３のカウンタに出力する。

なお、書込動作時においては、接続経路切換スイッチ１４９が、データラインＬｄを定電流源１４８から切り離して、電圧調整部１４４とデータラインＬｄとを接続する。そして、上記電圧加算部１４４により生成された補正階調電圧ＶpixがデータラインＬｄを介して表示画素ＰＩＸに印加されるが、参照電流の引き込みや参照電圧との比較処理は行われない。

フレームメモリ１４６は、表示パネル１１０に配列された各表示画素ＰＩＸへの表示データ（補正階調電圧Ｖpix）の書込動作に先立って実行される補正データ取得動作において、各列に設けられたオフセット電圧生成部１４３に設定された、１行分の表示画素ＰＩＸごとのオフセット設定値Ｍincを、補正データとしてシフトレジスタ・データレジスタ部１４１を介して順次取り込み、表示パネル１画面（１フレーム）分の各表示画素ＰＩＸごとに個別の領域に記憶し、また、書込動作時において、１行分の表示画素ＰＩＸごとの補正データを、シフトレジスタ・データレジスタ部１４１を介して順次オフセット電圧生成部１４３に出力する。

（システムコントローラ）
システムコントローラ１５０は、選択ドライバ１２０、電源ドライバ１３０及びデータドライバ１４０の各々に対して、動作状態を制御する選択制御信号、電源制御信号及びデータ制御信号を生成して出力することにより、各ドライバを所定のタイミングで動作させて、所定の電圧レベルを有する選択信号Ｓsel、電源電圧Ｖcc、調整電圧Ｖadj及び補正階調電圧Ｖpixを生成して出力させ、各表示画素ＰＩＸ（画素駆動回路ＤＣ）に対する一連の駆動制御動作（補正データ取得動作、書込動作、保持動作及び発光動作）を実行させて、映像信号に基づく所定の画像情報を表示パネル１１０に表示させる制御を行う。

（表示信号生成回路）
表示信号生成回路１６０は、例えば表示装置１００の外部から供給される映像信号から輝度階調信号成分を抽出し、表示パネル１１０の１行分ごとに、該輝度階調信号成分をデジタル信号からなる表示データ（輝度階調データ）としてデータドライバ１４０に供給する。ここで、上記映像信号が、テレビ放送信号（コンポジット映像信号）のように、画像情報の表示タイミングを規定するタイミング信号成分を含む場合には、表示信号生成回路１６０は、上記輝度階調信号成分を抽出する機能のほかに、タイミング信号成分を抽出してシステムコントローラ１５０に供給する機能を有するものであってもよい。この場合においては、上記システムコントローラ１５０は、表示信号生成回路１６０から供給されるタイミング信号に基づいて、選択ドライバ１２０や電源ドライバ１３０、データドライバ１４０に対して個別に供給する各制御信号を生成する。

＜表示装置の駆動方法＞
次に、本実施形態に係る表示装置における駆動方法について説明する。
本実施形態に係る表示装置１００の駆動制御動作は、大別して、表示パネル１１０に配列された各表示画素ＰＩＸ（画素駆動回路ＤＣ）の発光駆動用のトランジスタＴｒ１３（駆動トランジスタ）の素子特性（しきい値電圧）の変動に対応するオフセット電圧Ｖofst（厳密には、調整電圧Ｖadj）を検出して、当該オフセット電圧Ｖofstを生成するためのオフセット設定値（特定値）を、表示画素ＰＩＸごとに補正データとしてフレームメモリ１４６に記憶する補正データ取得動作と、表示データに応じた原階調電圧Ｖorgを、各表示画素ＰＩＸごとに取得した補正データに基づいて補正して、補正階調電圧Ｖpixとして各表示画素ＰＩＸに書き込んで電圧成分として保持させ、当該電圧成分に基づいてトランジスタＴｒ１３の素子特性の変動の影響を補償した表示データに応じた電流値を有する発光駆動電流Ｉemを有機ＥＬ素子ＯＬＥＤに供給して所定の輝度階調で発光させる表示駆動動作と、を有している。これらの補正データ取得動作及び表示駆動動作は、システムコントローラ１５０から供給される各種制御信号に基づいて実行される。

以下、各動作について具体的に説明する。
（補正データ取得動作）
図１１は、本実施形態に係る表示装置における補正データ取得動作の一例を示すフローチャートであり、図１２は、本実施形態に係る表示装置における補正データ取得動作（参照電流引込動作）を示す概念図であり、図１３は、本実施形態に係る表示装置における補正データ取得動作での、ｘ階調の測定電位Ｖref_xを測定する動作、及び、設定されたオフセット電圧Ｖofstのオフセット設定値Ｍincを補正データとしてフレームメモリ１４６に転送する動作を示す概念図である。

本実施形態に係る補正データ取得動作（オフセット電圧検出動作；第１のステップ）は、図１１に示すように、まず、フレームメモリ１４６からシフトレジスタ・データレジスタ部１４１を介してオフセット電圧生成部１４３にｉ行目（１≦ｉ≦ｎとなる正の整数）の表示画素ＰＩＸ分のオフセット設定値Ｍinc（初期時ではＭinc＝０）を読み込ませた後（ステップＳ１１１）、上述した画素回路部ＤＣｘの書込動作と同様に、ｉ行目（１≦ｉ≦ｎとなる正の整数）の表示画素ＰＩＸに接続された電源電圧ラインＬｖ（本実施形態においては、ｉ行目が含まれるグループの全表示画素ＰＩＸに共通に接続された電源電圧ラインＬｖ）に対して、電源ドライバ１３０から書込動作レベルである低電位の電源電圧（第１の電源電圧）Ｖcc（＝Ｖccw≦基準電圧Ｖss）を印加した状態で、選択ドライバ１２０からｉ行目の選択ラインＬｓに選択レベル（ハイレベル）の選択信号Ｓselを印加して、ｉ行目の表示画素ＰＩＸを選択状態に設定する（ステップＳ１１２）。

これにより、ｉ行目の表示画素ＰＩＸの画素駆動回路ＤＣに設けられたトランジスタＴｒ１１がオン動作して、トランジスタＴｒ１３（駆動トランジスタ）がダイオード接続状態に設定され、上記電源電圧Ｖcc（＝Ｖccw）がトランジスタＴｒ１３のドレイン端子及びゲート端子（接点Ｎ１１；キャパシタＣｓの一端側）に印加されるとともに、トランジスタＴr１２もオン状態となってトランジスタＴｒ１３のソース端子（接点Ｎ１２；キャパシタＣｓの他端側）が各列のデータラインＬｄに電気的に接続され、後述する参照電流Ｉref_xが流れる。

次いで、図１２に示すように、各電圧比較部１４５において、接続経路切換スイッチ１４９がデータラインＬｄを定電流源１４８に接続するよう設定して、所定階調（例えばｘ階調）の表示データを表示画素ＰＩＸに書き込む際の電圧が目的とするＥＬ駆動電流（期待値電流）と一致する（又は同等となる）ように設定された参照電流Ｉref_xを、データラインＬｄ側からデータドライバ１４０方向へ引き込むように強制的に流す（ステップＳ１１３）。

したがって、このときのトランジスタＴｒ１３のドレイン−ソース間電流Ｉds_xの電流値は、トランジスタＴｒ１２及びトランジスタＴｒ１３が、ともに図４（ａ）に示すように、初期状態におけるＶ−Ｉ特性線ＳＰｗであろうと、或いはしきい値電圧Ｖthシフト後のＶ−Ｉ特性線ＳＰw2であろうと関係なく、参照電流Ｉref_xの電流値に一致する。また、このとき、参照電流Ｉref_xは目標とする電流値に高速で定常化することが好ましく、最高輝度階調もしくはその近傍の階調のより大きな電流値であることが望ましい。

そして、この状態で、データラインＬｄ（或いは定電流源１４８）での測定電位（参照電圧）Ｖref_xをコンパレータ１４７の一方の入力端に出力する。（ステップＳ１１４）。なお、オフセット電圧生成部１４３へのオフセット設定値Ｍincの読み込みステップＳ１１１は、ステップＳ１１２〜ステップＳ１１４のいずれかの後であってもよい。ここで、測定される測定電位Ｖref_xは、ドレイン−ソース間に参照電流Ｉref_xがそれぞれ流れるトランジスタＴｒ１２及びトランジスタＴｒ１３の高抵抗化にしたがって異なってくる。

特に測定電位Ｖref_xは、ダイオード接続されたトランジスタＴｒ１３のゲート−ソース間（又はドレイン−ソース間）電圧Ｖgsでの図４（ａ）に示すしきい値電圧ＶthがシフトしたＶ−Ｉ特性線ＳＰw2の進行の程度と、トランジスタＴｒ１２のゲート−ソース間電圧Ｖgsでのしきい値電圧ＶthがシフトしたＶ−Ｉ特性線ＳＰw2の進行の程度と、に影響される。換言すれば、トランジスタＴｒ１３及びトランジスタＴｒ１２でのしきい値電圧Ｖthシフトが進行すれば（ΔＶが大きくなれば）、測定電位Ｖref_xはより低くなる。測定された測定電位Ｖref_xは、例えば電圧比較部１４５内に設けられたレジスタ等に一時保存されてもよい。

次いで、オフセット電圧生成部１４３に入力されたオフセット設定値Ｍincに基づいて、上記式（１）の通り、オフセット電圧Ｖofstを設定する（ステップＳ１１５）。ここで、オフセット電圧生成部１４３において生成されるオフセット電圧Ｖofstは、単位電圧Ｖunitにオフセット設定値Ｍincを乗算することにより算出されるので（Ｖofst＝Ｖunit×Ｍinc）、初期時において、しきい値シフトがない場合、フレームメモリ１４６から出力されるオフセット設定値Ｍinc＝０なので、オフセット電圧Ｖofstの初期値は０Ｖとなる。

電圧調整部１４４は、オフセット電圧生成部１４３から出力されるオフセット電圧Ｖofstと、表示データにもとづいて調電圧生成部１４２から出力される上記所定の階調（ｘ階調）に対応した原階調電圧Ｖorg_xとを下式（１３）のように加算して調整電圧Ｖadj（ｐ）を生成する（ステップＳ１１６）。
Ｖadj（ｐ）＝Ｖofst（ｐ）＋Ｖorg_x・・・（１３）
ここで、Ｖadj（ｐ）及びＶofst（ｐ）のｐは補正データ取得動作におけるオフセット設定の回数であり、且つ自然数であり、後述するオフセット設定値の変更にしたがって順次、数が増えていく。したがって、Ｖofst（ｐ）はｐが大きくなるにしたがい絶対値が大きくなる負の値となる変数であり、Ｖadj（ｐ）は、Ｖofst（ｐ）の値にしたがって、つまりｐが大きくなるにしたがい絶対値が大きくなる負の値となる変数である。

電圧比較部１４５では、調整された調整電圧Ｖadj（ｐ）の電位が、ステップＳ１１４で測定された測定電位Ｖref_xの電位より高いかどうかをコンパレータ１４７によって比較する（ステップＳ１１７）。
ここで、調整電圧Ｖadj（ｐ）が測定電位Ｖref_xより高い場合、調整電圧Ｖadj（ｐ）をこのまま補正階調電圧Ｖpixとして書込動作時にデータラインＬｄに印加すると、トランジスタＴｒ１２及びトランジスタＴｒ１３のＶ−Ｉ特性線ＳＰw2によるしきい値シフトの影響によって、本来の表示したい階調での電流を、トランジスタＴｒ１３のドレイン−ソース間に流すことができず、本来表示したい階調よりも低い階調での電流をトランジスタＴｒ１３のドレイン−ソース間に流す可能性がある。

このため、調整電圧Ｖadj（ｐ）が測定電位Ｖref_xより高い場合、コンパレータ１４７は、オフセット電圧生成部１４３のカウンタのカウンタ値を１つ上げる正電圧信号Ｖｐをオフセット電圧生成部１４３のカウンタに出力する。
オフセット電圧生成部１４３のカウンタがカウントを１つ上げるとオフセット電圧生成部１４３は、オフセット設定値Ｍincの値に１を加算し（ステップＳ１１８）、加算されたオフセット設定値Ｍincに基づいて再びステップＳ１１５を繰り返してＶofst（ｐ＋１）を生成する。したがって、Ｖofst（ｐ＋１）は下記式（１４）を満たす負の値となる。
Ｖofst（ｐ＋１）＝Ｖofst（ｐ）＋Ｖunit・・・（１４）

その後、ステップＳ１１６以降のステップに続き、ステップＳ１１７で調整電圧Ｖadj（ｐ）が測定電位Ｖref_xより低くなるまで繰り返される。
ステップＳ１１７において、調整電圧Ｖadj（ｐ）が測定電位Ｖref_xより低い場合、オフセット電圧生成部１４３のカウンタのカウンタ値を上げない負電圧信号Ｖｎをオフセット電圧生成部１４３のカウンタに出力する。所定の周波数で正電圧信号Ｖｐ又は負電圧信号Ｖｎを取り込んでいるカウンタに負電圧信号Ｖｎが取り込まれると、オフセット電圧生成部１４３は、調整電圧Ｖadj（ｐ）がトランジスタＴｒ１２及びトランジスタＴｒ１３のＶ−Ｉ特性線ＳＰw2によるしきい値シフト電位分を補正したとみなし、そのときの調整電圧Ｖadj（ｐ）をデータラインＬｄに印加する補正階調電圧Ｖpixとするように、そのときの階調オフセット設定値Ｍincを補正データとしてシフトレジスタ・データレジスタ部１４１に出力する。シフトレジスタ・データレジスタ部１４１では、各列の補正データとなる階調オフセット設定値Ｍincをフレームメモリ１４６に転送し、補正データの取得が完了する（ステップＳ１１９）。
なお、フレームメモリ１４６は、補正データ取得動作及び書込動作のいずれの際にも、蓄積されている階調オフセット設定値Ｍincをオフセット電圧生成部１４３に出力する。

上述したｉ行目の表示画素ＰＩＸに対して補正データを取得後、上述する一連の処理動作を、次の行（ｉ＋１行目）の表示画素ＰＩＸに対しても実行するために、行を指定するための変数“ｉ”をインクリメントする処理（ｉ＝ｉ＋１）を実行する（ステップＳ１２０）。
ここで、インクリメント処理された変数“ｉ”が表示パネル１１０に設定された総行数ｎよりも小さい（ｉ＜ｎ）か否かを比較判定する（ステップＳ１２１）。

ステップＳ１２１における行を指定するための変数の比較において、変数“ｉ”が行数ｎよりも小さいと判定された場合（ｉ＜ｎ）には、上述したステップＳ１１２からＳ１２１までの処理が再度実行され、ステップＳ１２１において、変数“ｉ”が行数ｎと一致（ｉ＝ｎ）すると判定されるまで同様の処理が繰り返し実行される。

ステップＳ１２１において、変数“ｉ”が行数ｎと一致（ｉ＝ｎ）すると判定された場合には、各行の表示画素ＰＩＸに対する補正データ取得動作が表示パネル１１０の全行について実行され、各表示画素ＰＩＸの補正データがフレームメモリ１４６の所定の記憶領域に個別に格納されたものとして、上述した一連の補正データ取得動作を終了する。

なお、この補正データ取得動作の期間においては、各端子の電位は上述した（３）〜（１０）の関係を満たしており、故に有機ＥＬ素子ＯＬＥＤには電流が流れず発光動作しない。
このように、補正データ取得動作の場合、図１２に示すように、定電流源１４８をデータラインＬｄに接続し、測定電位Ｖref_ｘを測定し、図１３に示すように、初期状態におけるＶ−Ｉ特性線ＳＰｗにしたがったｘ階調でのトランジスタＴｒ１３のドレイン−ソース間電流Ｉds_xを期待値としたときに、書込動作時にこの期待値に近似したトランジスタＴｒ１３のドレイン−ソース間電流Ｉdsを流すためのオフセット電圧Ｖofstを設定し、このオフセット電圧Ｖofstでの階調オフセット設定値Ｍincを補正データとしてフレームメモリ１４６に保存する。

つまり、オフセット電圧生成部１４３からの階調オフセット設定値Ｍincにしたがった負電位のオフセット電圧Ｖofst（ｐ）と、階調電圧生成部１４２からのｘ階調の負電位の原階調電圧Ｖorg_とを、電圧調整部１４４が式（１３）のように加算してなされる調整電圧Ｖadj（ｐ）を生成し、調整電圧Ｖadj（ｐ）が書込動作時にトランジスタＴｒ１３の期待値のドレイン−ソース間電流Ｉds_xに近似するよう補正されると、この調整電圧Ｖadj（ｐ）の電位を、データラインＬｄに印加する補正階調電圧Ｖpixとして扱えるように、この調整電圧Ｖadj（ｐ）の階調オフセット設定値Ｍincをフレームメモリ１４６に保存する。

なお、上述では、原階調電圧Ｖorg_xを、表示信号生成回路１６０から供給される各表示画素ＰＩＸごとの表示データに基づいて階調電圧生成部１４２が生成したが、調整用の原階調電圧Ｖorg_xを固定値として、表示信号生成回路１６０から表示データを供給されること無しに階調電圧生成部１４２が出力するように設定してもよい。このときの調整用の原階調電圧Ｖorg_xは前述したように、参照電流Ｉref_xが、発光動作期間に有機ＥＬ素子ＯＬＥＤが最高輝度階調（もしくはその近傍の階調）で発光するような電流となるような電位であることが好ましい。

また、上記実施形態では、表示装置１００ではトランジスタＴｒ１３のドレイン−ソース間電流Ｉdsが、表示トランジスタＴｒ１３からデータドライバ１４０に流れる電流引き込み型の表示装置であるため、単位電圧Ｖunitが負の値となったが、データドライバから、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤに直列に接続されるトランジスタに向けて当該トランジスタのドレイン−ソース間電流Ｉdsが流れる電流押し込み型の表示装置であれば、単位電圧Ｖunitを正の値と設定してもよい。

（表示駆動動作）
次いで、本実施形態に係る表示装置における表示駆動動作について説明する。
図１４は、本実施形態に係る表示装置における表示駆動動作の一例を示すタイミングチャートである。ここでは、説明の都合上、表示パネル１１０にマトリクス状に配列された表示画素ＰＩＸのうち、ｉ行ｊ列、及び、（ｉ＋１）行ｊ列（ｉは１≦ｉ≦ｎとなる正の整数、ｊは１≦ｊ≦ｍとなる正の整数）の表示画素ＰＩＸを、表示データに応じた輝度階調で発光動作させる場合のタイミングチャートを示す。また、図１５は、本実施形態に係る表示装置における書込動作の一例を示すフローチャートであり、図１６は、本実施形態に係る表示装置における書込動作を示す概念図であり、図１７は、本実施形態に係る表示装置における保持動作を示す概念図であり、図１８は、本実施形態に係る表示装置における発光動作を示す概念図である。

本実施形態に係る表示装置１００の表示駆動動作は、上述した画素回路部ＤＣｘの制御方法（図２参照）と同様に、例えば図１４に示すように、所定の表示駆動期間（１処理サイクル期間）Ｔcyc内に、少なくとも、表示信号生成回路１６０から供給される各表示画素ＰＩＸごとの表示データに応じた原階調電圧Ｖorgに、フレームメモリ１４６に保存された上記補正データをオフセット設定値Ｍincとして設定して生成されるオフセット電圧Ｖofstを加算して補正階調電圧Ｖpixを生成し、各データラインＬｄを介して各表示画素ＰＩＸに供給する書込動作（書込動作期間Ｔwrt）と、該書込動作により表示画素ＰＩＸの画素駆動回路ＤＣに設けられたトランジスタＴｒ１３のゲート−ソース間に書き込み設定された補正階調電圧Ｖpixに応じた電圧成分をキャパシタＣｓに充電して保持する保持動作（保持動作期間Ｔhld）と、該保持動作によりキャパシタＣｓに保持された電圧成分に基づいて、表示データに応じた電流値を有する発光駆動電流Ｉemを有機ＥＬ素子ＯＬＥＤに流して、所定の輝度階調で発光させる発光動作（発光動作期間Ｔem）と、を実行するように設定されている（Ｔcyc≧Ｔwrt＋Ｔhld＋Ｔem）。

ここで、本実施形態に係る表示駆動期間Ｔcycに適用される１処理サイクル期間は、例えば、表示画素ＰＩＸが１フレームの画像のうちの１画素分の画像情報を表示するのに要する期間に設定される。すなわち、複数の表示画素ＰＩＸを行方向及び列方向にマトリクスに配列した表示パネル１１０において、１フレームの画像を表示する場合、上記１処理サイクル期間Ｔcycは、１行分の表示画素ＰＩＸが１フレームの画像のうちの１行分の画像を表示するのに要する期間に設定される。

（書込動作）
書込動作（書込動作期間Ｔwrt）においては、図１４に示すように、まず、ｉ行目の表示画素ＰＩＸに接続された電源電圧ラインＬｖに対して、上述した画素回路部ＤＣｘの書込動作と同様に、書込動作レベル（負の電圧）の電源電圧Ｖcc（＝Ｖccw≦Ｖss）を印加した状態で、ｉ行目の選択ラインＬｓに選択レベル（ハイレベル）の選択信号Ｓselを印加して、ｉ行目の表示画素ＰＩＸを選択状態に設定する。これにより、画素駆動回路ＤＣに設けられたトランジスタＴｒ１１（保持トランジスタ）及びトランジスタＴr１２がオン動作して、トランジスタＴｒ１３（駆動トランジスタ）がダイオード接続状態に設定されて、電源電圧ＶccがトランジスタＴｒ１３のドレイン端子及びゲート端子に印加されるとともに、同ソース端子がデータラインＬｄに接続される。

このタイミングに同期して、データラインＬｄに表示データに応じた補正階調電圧Ｖpixが印加される。ここで、補正階調信号Ｖpixは、例えば図１５に示すような一連の処理動作（階調電圧補正動作）に基づいて生成される。
すなわち、図１５に示すように、まず、表示信号生成回路１６０から供給された表示データから、書込動作の対象となっている表示画素ＰＩＸの輝度階調値を取得し（ステップＳ２１１）、当該輝度階調値が“０”か否かを判定する（ステップＳ２１２）。ステップＳ２１２における階調値判定動作において、輝度階調値が”０”の場合には、階調電圧生成部１４２から無発光動作（又は黒表示動作）を行うための所定の階調電圧（黒階調電圧）Ｖzeroを出力し、電圧調整部１４４においてオフセット電圧Ｖofstを加算することなく（つまり、トランジスタＴｒ１２、トランジスタＴｒ１３のしきい値電圧の変動に対する補償処理を行うことなく）、そのままデータラインＬｄに印加する（ステップＳ２１３）。ここで、無発光動作のための階調電圧Ｖzeroは、ダイオード接続されたトランジスタＴｒ１３のゲート−ソース間に印加される電圧Ｖgs（≒Ｖccw−Ｖzero）が当該トランジスタＴｒ１３のしきい値電圧Ｖthよりも低くなる関係（Ｖgs＜Ｖth）を有する電圧値（−Ｖzero＜Ｖth−Ｖccw）に設定されている。ここで、トランジスタＴｒ１２、トランジスタＴｒ１３のしきい値シフトを抑制するため、Ｖzero＝Ｖccwであることが好ましい。

ステップＳ２１２において、輝度階調値が”０”ではない場合には、階調電圧生成部１４２から当該輝度階調値に応じた電圧値を有する原階調電圧Ｖorgを生成して出力する（第２のステップ）とともに、上述した補正データ取得動作により取得され、フレームメモリ１４６に各表示画素ＰＩＸごとに対応して格納された補正データを、シフトレジスタ・データレジスタ部１４１を介して順次読み出し（ステップＳ２１４）、各列のデータラインＬｄごとに設けられたオフセット電圧生成部１４３に出力し、当該補正データをオフセット設定値Ｍincとして単位電圧Ｖunitに乗算して、各表示画素ＰＩＸ（画素駆動回路ＤＣ）のトランジスタＴｒ１３のしきい値電圧の変化量に応じたオフセット電圧Ｖofst（＝Ｖunit×Ｍinc）を生成する（ステップＳ２１５；第３のステップ）。

そして、図１６に示すように、電圧調整部１４４において上記階調電圧生成部１４２から出力される負電位の原階調電圧Ｖorgと、オフセット電圧生成部１４３から出力される負電位のオフセット電圧Ｖofstとを式（１２）を満たすように加算して負電位の補正階調電圧Ｖpixを生成した後（ステップＳ２１６）、データラインＬｄに印加する（ステップＳ２１７）。ここで、電圧調整部１４４において生成される補正階調電圧Ｖpixは、電源ドライバ１３０から電源電圧ラインＬｖに印加される書込動作レベル（低電位）の電源電圧Ｖcc（＝Ｖccw）を基準として相対的に負電位の電圧振幅を有するように設定されている。補正階調電圧Ｖpixは階調が高くなるにしたがってより低くなる。

これにより、トランジスタＴｒ１３のソース端子（接点Ｎ１２）に、当該トランジスタＴｒ１３のしきい値電圧Ｖthの変動に応じたオフセット電圧Ｖofstを加算して補正した補正階調電圧Ｖpixが印加されるので、トランジスタＴｒ１３のゲート−ソース間（キャパシタＣｓの両端）に、補正された電圧Ｖgsが書き込み設定される（第４のステップ）。このような書込動作においては、トランジスタＴｒ１３のゲート端子及びソース端子に対して、表示データに応じた電流を流して電圧成分を設定するのではなく、直接所望の電圧を印加しているので、各端子や接点の電位を瞬時に所望の状態に設定することができる。

なお、この書込動作期間Ｔwrtにおいては、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤのアノード端子側の接点Ｎ１２に印加される補正階調電圧Ｖpixの電圧値が、カソード端子ＴＭｃに印加される基準電圧Ｖssよりも低くなるように設定されている（つまり、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤが逆バイアス状態に設定されている）ので、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤには電流が流れず発光動作しない。

（保持動作）
次いで、上述したような書込動作期間Ｔwrtの終了後の保持動作（保持動作期間Ｔhld）においては、図１４に示すように、ｉ行目の選択ラインＬｓに非選択レベル（ローレベル）の選択信号Ｓselが印加されることにより、図１７に示すように、トランジスタＴｒ１１及びＴｒ１２がオフ動作して、トランジスタＴｒ１３のダイオード接続状態が解除されるとともに、トランジスタＴｒ１３のソース端子（接点Ｎ１２）への補正階調電圧Ｖpixの印加が遮断されて、トランジスタＴｒ１３のゲート−ソース間に印加されていた電圧成分（Ｖgs＝Ｖpix−Ｖccw）がキャパシタＣｓに充電されて保持される。

なお、このタイミングにおいては、選択ドライバ１２０から（ｉ＋１）行目の選択ラインＬｓに選択レベル（ハイレベル）の選択信号Ｓselが印加されることにより、（ｉ＋１）行目の表示画素ＰＩＸにおいて、上記と同様に、表示データに応じた補正階調電圧Ｖpixを書き込む書込動作が実行される。このように、ｉ行目の表示画素ＰＩＸの保持動作期間Ｔhldにおいては、他の行の表示画素ＰＩＸに対して表示データに応じた電圧成分（補正階調電圧Ｖpix）が順次書き込まれるまで保持動作が継続される。

（発光動作）
次いで、書込動作期間Ｔwrt及び保持動作期間Ｔhld終了後の発光動作（発光動作期間Ｔem；第５のステップ）においては、図１４に示すように、各行の選択ラインＬｓに非選択レベル（ローレベル）の選択信号Ｓselを印加した状態で、各行の表示画素ＰＩＸに接続された電源電圧ラインＬｖに発光動作レベルである高電位（正の電圧）の電源電圧（第２の電源電圧）Ｖcc（＝Ｖcce＞０Ｖ）を印加する。

ここで、電源電圧ラインＬｖに印加される高電位の電源電圧Ｖcc（＝Ｖcce）は、図７、図８に示した場合と同様に、トランジスタＴｒ１３の飽和電圧（ピンチオフ電圧Ｖpo）と有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの駆動電圧（Ｖoled）との和よりも大きくなるように設定されているので、トランジスタＴｒ１３が飽和領域で動作する。また、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤのアノード側（接点Ｎ１２）には上記書込動作によりトランジスタＴｒ１３のゲート−ソース間に書込設定された電圧成分（｜Ｖpix−Ｖccw｜）に応じた正の電圧が印加され、一方、カソード端子ＴＭｃには基準電圧Ｖss（例えば接地電位）が印加されることにより、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤは順バイアス状態に設定されるので、図１８に示すように、電源電圧ラインＬｖからトランジスタＴｒ１３を介して有機ＥＬ素子ＯＬＥＤに、表示データ（厳密には、補正された階調電圧である補正階調電圧Ｖpix）に応じた電流値を有する発光駆動電流Ｉem（トランジスタＴｒ１３のドレイン−ソース間電流Ｉds）が流れ、所定の輝度階調で発光動作する。

この発光動作は、電源ドライバ１３０から書込動作レベル（負の電圧）の電源電圧Ｖcc（＝Ｖccw）が印加されて、次の表示駆動期間（１処理サイクル期間）Ｔcycが開始されるタイミングまで継続して実行される。
このような一連の表示駆動動作によれば、図１４に示すように、表示パネル１１０に配列されている各行の表示画素ＰＩＸに対して、書込動作レベルの電源電圧Ｖcc（＝Ｖccw）を印加した状態で、各行ごとに補正階調電圧Ｖpixを書き込み、所定の電圧成分（｜Ｖpix−Ｖccw｜）を保持する動作を順次行い、当該書込動作及び保持動作が終了した行の表示画素ＰＩＸに対して、発光動作レベルの電源電圧Ｖcc（＝Ｖcce）を印加することにより、当該行の表示画素ＰＩＸを発光動作させることができる。

ここで、本実施形態に係る表示装置１００においては、図９に示したように、表示パネル１１０に配列された表示画素ＰＩＸを、表示パネル１１０の上方領域と下方領域からなる２組にグループ分けして、各グループごとに分岐した個別の電源電圧ラインＬｖを介して独立した電源電圧Ｖccを印加しているので、各グループに含まれる複数行の表示画素ＰＩＸを一斉に発光動作させることができる。以下に、この場合の具体的な駆動制御動作について説明する。なお、図１７、図１８に示す保持動作及び発光動作では、接続経路切換スイッチ１４９は、データラインＬｄを、電圧調整部１４４に接続しているが、データラインＬｄを、図１０に示すように、定電流源１４８及び電圧調整部１４４のいずれにも接続しないようにスイッチしてもよい。

次いで、本実施形態に係る表示装置において、図９に示した表示パネルを適用した場合の駆動制御動作について具体的に説明する。
図１９は、本実施形態に係る表示装置の駆動方法の具体例を模式的に示した動作タイミング図である。なお、図１９においては、説明の都合上、便宜的に表示パネルに１２行（ｎ＝１２；第１行〜第１２行）の表示画素が配列され、１〜６行目（上述した上方領域に対応する）及び７〜１２行目（上述した下方領域に対応する）の表示画素を各々一組として２組にグループ分けされている場合の動作タイミング図を示す。

図９に示した表示パネル１１０を備えた表示装置１００における駆動制御動作は、図１９に示すように、表示パネル１１０に配列された全ての表示画素ＰＩＸついて、上述した補正データ取得動作を各行ごとに所定のタイミングで順次実行し、表示パネル１１０の全行についての補正データ取得動作の終了後（すなわち、補正データ取得動作期間Ｔadjの終了後）、１フレーム期間Ｔfr内に、表示パネル１１０の各行ごとの表示画素ＰＩＸ（画素駆動回路ＤＣ）に対して、表示データに応じた原階調電圧Ｖorgに、各表示画素ＰＩＸの駆動トランジスタ（トランジスタＴｒ１３）の素子特性の変動に対応したオフセット電圧Ｖofstを加算した補正階調電圧Ｖpixを書き込み、所定の電圧成分（｜Ｖpix−Ｖccw｜）を保持する動作を各行について順次繰り返しつつ、予めグループ分けした１〜６行目又は７〜１２行目の表示画素ＰＩＸ（有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ）に対して上記書込動作が終了したタイミングで、当該グループに含まれる全表示画素ＰＩＸを表示データ（補正階調電圧Ｖpix）に応じた輝度階調で一斉に発光動作させる表示駆動動作（図１４に示した表示駆動期間Ｔcyc）を繰り返し実行することにより、表示パネル１１０一画面分の画像情報が表示される。

具体的には、表示パネル１１０に配列された前記表示画素ＰＩＸに対して、１〜６行目及び７〜１２行目の表示画素ＰＩＸからなるグループにおいて、各グループごとに表示画素ＰＩＸに共通に接続された電源電圧ラインＬｖを介して低電位の電源電圧Ｖcc（＝Ｖccw）を印加した状態で、１行目の表示画素ＰＩＸから順に、上記補正データ取得動作（補正データ取得動作期間Ｔadj）が実行され、表示パネル１１０に配列された全表示画素ＰＩＸについて、画素駆動回路ＤＣに設けられたトランジスタＴｒ１３（駆動トランジスタ）のしきい値電圧の変動に対応した補正データが、各表示画素ＰＩＸごとにフレームメモリ１４６の所定の領域に個別に格納（記憶）される。

次いで、上記補正データ取得動作期間Ｔadjの終了後、１〜６行目の表示画素ＰＩＸからなるグループにおいて、当該グループの表示画素ＰＩＸに共通に接続された電源電圧ラインＬｖを介して低電位の電源電圧Ｖcc（＝Ｖccw）を印加した状態で、１行目の表示画素ＰＩＸから順に、上記書込動作（書込動作期間Ｔwrt）及び保持動作（保持動作期間Ｔhld）を実行し、６行目の表示画素ＰＩＸについて書込動作が終了したタイミングで、当該グループの電源電圧ラインＬｖを介して高電位の電源電圧Ｖcc（＝Ｖcce）を印加するように切り換えることにより、各表示画素ＰＩＸに書き込まれた表示データ（補正階調電圧Ｖpix）に基づく輝度階調で、当該グループの６行分の表示画素ＰＩＸを一斉に発光動作させる。この発光動作は、１行目の表示画素ＰＩＸに対して、次の書込動作が開始されるタイミングまで継続される（１〜６行目の発光動作期間Ｔem）。

また、上記１〜６行目の表示画素ＰＩＸについて書込動作が終了したタイミングで、７〜１２行目の表示画素ＰＩＸからなるグループにおいて、当該グループの表示画素ＰＩＸに共通に接続された電源電圧ラインＬｖを介して低電位の電源電圧Ｖcc（＝Ｖccw）を印加し、７行目の表示画素ＰＩＸから順に、上記書込動作（書込動作期間Ｔwrt）及び保持動作（保持動作期間Ｔhld）を実行し、１２行目の表示画素ＰＩＸについて書込動作が終了したタイミングで、当該グループの電源電圧ラインＬｖを介して高電位の電源電圧Ｖcc（＝Ｖcce）を印加するように切り換えることにより、各表示画素ＰＩＸに書き込まれた表示データ（補正階調電圧Ｖpix）に基づく輝度階調で、当該グループの６行分の表示画素ＰＩＸを一斉に発光動作させる（７〜１２行目の発光動作期間Ｔem）。この７〜１２行目の表示画素ＰＩＸに対して書込動作及び保持動作が実行されている期間においては、上述したように、１〜６行目の表示画素ＰＩＸに対して電源電圧ラインＬｖを介して高電位の電源電圧Ｖcc（＝Ｖcce）が印加されて、一斉に発光する動作が継続されている。

このように、表示パネル１１０に配列された全表示画素ＰＩＸについて補正データ取得動作を実行した後、各行の表示画素ＰｉＸごとに所定のタイミングで書込動作及び保持動作を順次実行し、予め設定された各グループについて、当該グループに含まれる全ての行の表示画素ＰＩＸへの書込動作が終了した時点で、当該グループの全ての表示画素ＰＩＸを一斉に発光動作させるように駆動制御される。

したがって、このような表示装置の駆動方法（表示駆動動作）によれば、１フレーム期間Ｔfrのうち、同一グループ内の各行の表示画素に書込動作を実行する期間中、当該グループ内の全ての表示画素（発光素子）の発光動作が行われず、無発光状態（黒表示状態）に設定することができる。ここで、図１９に示した動作タイミング図においては、表示パネル１１０を構成する１２行の表示画素ＰＩＸを、２組にグループ分けして、各グループごとに異なるタイミングで一斉に発光動作を実行するように制御されるので、１フレーム期間Ｔfrにおける上記無発光動作による黒表示期間の比率（黒挿入率）を５０％に設定することができる。ここで、人間の視覚において、動画像をボケやにじみがなく鮮明に視認するためには、一般に、概ね３０％以上の黒挿入率を有していることが目安になるので、本駆動方法によれば、比較的良好な表示画質を有する表示装置を実現することができる。

なお、本実施形態（図９）においては、表示パネル１１０に配列された複数の表示画素ＰＩＸを、連続する行ごとに２組にグループ分けした場合について示したが、本発明はこれに限定されるものではなく、３組や４組等、任意の組数にグループ分けするものであってもよく、また、偶数行と奇数行のように連続しない行同士でグループ分けするものであってもよい。これによれば、グループ分けされた組数に応じて発光時間及び黒表示期間（黒表示状態）を任意に設定することができ、表示画質の改善を図ることができる。

また、表示パネル１１０に配列された複数の表示画素ＰＩＸを、上記のようにグループ分けすることなく、各行ごとに個別に電源電圧ラインを配設（接続）して、異なるタイミングで電源電圧Ｖccを独立して印加することにより、表示画素ＰＩＸを各行ごとに発光動作させるものであってもよいし、表示パネル１１０に配列された一画面分の全ての表示画素ＰＩＸに対して、一斉に共通の電源電圧Ｖccを印加することにより、表示パネル１１０一画面分の全ての表示画素を一斉に発光動作させるものであってもよい。

以上説明したように、本実施形態に係る表示装置及びその駆動方法によれば、表示データの書込動作期間に駆動トランジスタ（トランジスタＴｒ１３）のゲート−ソース間に、表示データ及び駆動トランジスタの素子特性（しきい値電圧）の変動に応じた電圧値を指定した補正階調電圧Ｖpixを直接印加することにより、所定の電圧成分をキャパシタ（キャパシタＣｓ）に保持させ、当該電圧成分に基づいて、発光素子（有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ）に流す発光駆動電流Ｉemを制御し、所望の輝度階調で発光動作させる電圧指定型（又は、電圧印加型）の階調制御方法を適用することができる。

したがって、表示データに応じた電流を供給して書込動作を行う（表示データに応じた電圧成分を保持させる）電流指定型の階調制御方法に比較して、表示パネルを大型化や高精細化した場合や、低階調表示を行う場合であっても、表示データに応じた階調信号（補正階調電圧）を各表示画素に迅速かつ確実に書き込むことができるので、表示データの書込不足の発生を抑制して表示データに応じた適切な輝度階調で発光動作することができ、良好な表示画質を実現することができる。

さらに、表示画素（画素駆動回路）への表示データの書込動作、保持動作及び発光動作からなる表示駆動動作に先立って、各表示画素に設けられた駆動トランジスタのしきい値電圧の変動に対応する補正データを取得し、書込動作の際に、当該補正データに基づいて各表示画素ごとに補正された階調信号（補正階調電圧）を生成して印加することができるので、上記しきい値電圧の変動の影響（駆動トランジスタの電圧−電流特性のシフト）を補償して、表示データに応じた適切な輝度階調で各表示画素（発光素子）を発光動作させることができ、表示画素ごとの発光特性のバラツキを抑制して表示画質を改善することができる。

本発明に係る表示装置に適用される表示画素の要部構成を示す等価回路図である。 本発明に係る表示装置に適用される表示画素の制御動作を示す信号波形図である。 表示画素の書込動作時における動作状態を示す概略説明図である。 表示画素の書込動作時における駆動トランジスタの動作特性を示す図及びＯＬＥＤの動作特性を示す図である。 表示画素の保持動作時における動作状態を示す概略説明図である。 表示画素の保持動作時における駆動トランジスタの動作特性を示す図である。 表示画素の発光動作時における動作状態を示す概略説明図である。 表示画素の発光動作時における駆動トランジスタの動作特性及び有機ＥＬ素子の負荷特性を示す図（ａ）及び有機ＥＬ素子が高抵抗化した際の動作点の変化を示す図（ｂ）である。 本発明に係る表示装置の一実施形態を示す概略構成図である。 本実施形態に係る表示装置に適用可能なデータドライバ及び表示画素（画素駆動回路及び発光素子）の一例を示す要部構成図である。 本実施形態に係る表示装置における補正データ取得動作の一例を示すフローチャートである。 本実施形態に係る表示装置における補正データ取得動作（参照電流引込動作）を示す概念図である。 本実施形態に係る表示装置における補正データ取得動作（調整電圧印加動作）での、測定電位Ｖref_xを測定する動作及び、設定された補正データをフレームメモリ１４６に転送する動作を示す概念図である。 本実施形態に係る表示装置における表示駆動動作の一例を示すタイミングチャートである。 本実施形態に係る表示装置における書込動作の一例を示すフローチャートである。 本実施形態に係る表示装置における書込動作を示す概念図である。 本実施形態に係る表示装置における保持動作を示す概念図である。 本実施形態に係る表示装置における発光動作を示す概念図である。 本実施形態に係る表示装置の駆動方法の具体例を模式的に示した動作タイミング図である。

符号の説明

ＤＣｘ 画素回路部
ＯＬＥＤ 有機ＥＬ素子
Ｔ１ 駆動トランジスタ
Ｔ２ 保持トランジスタ
Ｃｘ、Ｃｓ キャパシタ
Ｌｓ 選択ライン
Ｌｖ 電源電圧ライン
Ｌｄ データライン
ＰＩＸ 表示画素
ＤＣ 画素駆動回路
１００ 表示装置
１１０ 表示パネル
１２０ 選択ドライバ
１３０ 電源ドライバ
１４０ データドライバ
１４１ シフトレジスタ・データレジスタ部
１４２ 階調電圧生成部
１４３ オフセット電圧生成部
１４４ 電圧調整部
１４５ 電圧比較部
１４６ フレームメモリ
１５０ システムコントローラ

Claims (14)

1. 発光素子と、
   前記発光素子に直列に接続された駆動トランジスタを備える画素駆動回路と、
   前記画素駆動回路の前記駆動トランジスタにｘ階調の電流値の参照電流を流したときに、前記画素駆動回路に固有の特性の変動量に対応して変動する電位に近似させるように調整電圧の電位を調整する電圧調整部と、前記電圧調整部の前記調整電圧の電位と、前記画素駆動回路に前記ｘ階調の電流値の参照電流を流したときに前記画素駆動回路に固有の素子特性の変動量に対応して変動する電位と、を比較し、比較に基づいた信号を出力する電圧比較部と、前記電圧比較部からの信号にしたがってオフセット設定値を変更し、前記オフセット設定値に単位電圧を乗算したオフセット電圧を生成するオフセット電圧生成部と、を有する表示駆動装置と、
   前記表示駆動装置と前記画素駆動回路とを接続するデータラインと、
   を備え、
   前記電圧調整部は、前記ｘ階調の原階調電圧に、前記オフセット電圧生成部で生成されたオフセット電圧を加算して前記調整電圧の電位を調整することを特徴とする表示装置。
2. 請求項１記載の表示装置において、前記電圧比較部は、前記画素駆動回路に前記ｘ階調の電流値の参照電流を流す電流源を有することを特徴とする表示装置。
3. 請求項２記載の表示装置において、前記電圧比較部は、前記電流源及び前記電圧調整部を選択的に前記データラインに接続する接続経路切換スイッチを有することを特徴とする表示装置。
4. 請求項３記載の表示装置において、前記接続経路切換スイッチが前記電流源を前記データラインに接続することによって、前記画素駆動回路に前記ｘ階調の電流値の参照電流を流したときに前記画素駆動回路に固有の特性の変動量に対応して変動する電位を前記電圧比較部に出力することを特徴とする表示装置。
5. 請求項１〜４の何れかに記載の表示装置において、前記電圧調整部での電位が、前記画素駆動回路に前記ｘ階調の電流値の参照電流を流したときに前記画素駆動回路に固有の素子特性の変動量に対応して変動する電位よりも高いと前記電圧比較部が判断したときに、前記オフセット電圧生成部は、オフセット電圧を変調することを特徴とする表示装置。
6. 請求項１〜５の何れかに記載の表示装置において、前記オフセット電圧生成部は、前記電圧調整部での電位が、前記画素駆動回路に前記ｘ階調の電流値の参照電流を流したときに前記画素駆動回路に固有の素子特性の変動量に対応して変動する電位よりも高いときに前記電圧比較部が出力する信号の入力回数をカウントすることを特徴とする表示装置。
7. 請求項６記載の表示装置において、前記オフセット電圧生成部は、前記電圧比較部が出力する前記信号の入力回数に基づいて変位するオフセット設定値にしたがってオフセット電圧を変調することを特徴とする表示装置。
8. 請求項１〜７の何れかに記載の表示装置において、前記電圧調整部での電位が、前記画素駆動回路に前記ｘ階調の電流値の参照電流を流したときに前記画素駆動回路に固有の素子特性の変動量に対応して変動する電位以下のときに、前記電圧比較部が出力する信号にしたがって、前記オフセット電圧生成部は、前記電圧比較部が出力する前記信号の入力回数に基づいて変位するオフセット設定値を出力することを特徴とする表示装置。
9. 請求項１〜８の何れかに記載の表示装置において、前記オフセット電圧生成部が出力するオフセット設定値を保存する記憶部を有することを特徴とする表示装置。
10. 請求項９記載の表示装置において、前記発光素子と前記画素駆動回路とを一組とした複数の表示画素を備え、前記記憶部は、前記複数の表示画素ごとにオフセット設定値を保存することを特徴とする表示装置。
11. 請求項１〜１０の何れかに記載の表示装置において、前記画素駆動回路は、前記駆動トランジスタと前記データラインとの間に接続された選択トランジスタと、前記駆動トランジスタをダイオード接続状態にするダイオード接続用トランジスタと、を備えることを特徴とする表示装置。
12. 発光素子と、
    前記発光素子に直列に接続された駆動トランジスタを備える画素駆動回路と、
    電圧調整部と、前記電圧調整部の調整された調整電圧の電位と、前記画素駆動回路の前記駆動トランジスタにｘ階調の電流値の参照電流を流したときに前記画素駆動回路に固有の素子特性の変動量に対応して変動する電位と、を比較し、比較に基づいた信号を出力する電圧比較部と、を有する表示駆動装置と、
    前記表示駆動装置と前記画素駆動回路とを接続するデータラインと、
    を備え、
    前記電圧比較部からの信号にしたがってオフセット設定値を変更し、前記オフセット設定値に単位電圧を乗算したオフセット電圧を生成し、
    前記電圧調整部は、前記ｘ階調の原階調電圧に、前記オフセット電圧を加算して、前記画素駆動回路に固有の特性の変動量に対応して変動する電位に近似させるように前記調整電圧の電位を調整することを特徴とする表示装置の駆動方法。
13. 発光素子に直列に接続された駆動トランジスタを備える画素駆動回路の前記駆動トランジスタにｘ階調の電流値の参照電流を流したときに、前記画素駆動回路に固有の特性の変動量に対応して変動する電位に近似させるように調整電圧の電位を調整する電圧調整部と、
    前記電圧調整部の前記調整電圧の電位と、前記画素駆動回路に前記ｘ階調の電流値の参照電流を流したときに前記画素駆動回路に固有の素子特性の変動量に対応して変動する電位と、を比較し、比較に基づいた信号を出力する電圧比較部と、
    前記電圧比較部からの信号にしたがってオフセット設定値を変更し、前記オフセット設定値に単位電圧を乗算したオフセット電圧を生成するオフセット電圧生成部と、
    を有し、
    前記電圧調整部は、前記ｘ階調の原階調電圧に、前記オフセット電圧生成部で生成されたオフセット電圧を加算して前記調整電圧の電位を調整することを特徴とする表示駆動装置。
14. 発光素子に直列に接続された駆動トランジスタを備える画素駆動回路の前記駆動トランジスタにｘ階調の電流値の参照電流を流したときに、前記画素駆動回路に固有の特性の変動量に対応して変動する電位に近似させるように調整電圧の電位を調整する電圧調整部と、
    前記電圧調整部の前記調整電圧の電位と、前記画素駆動回路に前記ｘ階調の電流値の参照電流を流したときに前記画素駆動回路に固有の素子特性の変動量に対応して変動する電位と、を比較し、比較に基づいた信号を出力する電圧比較部と、
    を有し、
    前記電圧比較部からの信号にしたがってオフセット設定値を変更し、前記オフセット設定値に単位電圧を乗算したオフセット電圧を生成し、
    前記電圧調整部が、前記ｘ階調の原階調電圧に、前記オフセット電圧を加算して前記調整電圧の電位を調整することを特徴とする表示駆動装置の駆動方法。
    

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