JPH0738240A - ハイブリッド集積回路装置の構造 - Google Patents
ハイブリッド集積回路装置の構造Info
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- JPH0738240A JPH0738240A JP5180128A JP18012893A JPH0738240A JP H0738240 A JPH0738240 A JP H0738240A JP 5180128 A JP5180128 A JP 5180128A JP 18012893 A JP18012893 A JP 18012893A JP H0738240 A JPH0738240 A JP H0738240A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
- H05K3/28—Applying non-metallic protective coatings
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Non-Metallic Protective Coatings For Printed Circuits (AREA)
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
- Printing Elements For Providing Electric Connections Between Printed Circuits (AREA)
- Structures For Mounting Electric Components On Printed Circuit Boards (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 絶縁合成樹脂基板２内に、複数個の電子部品
３，４を埋設して成るハイブリッド集積回路装置におい
て、その大型化及び重量の増大、並びに価格のアップを
招来することなく、各電子部品から外部に電磁波が放射
されること、及び各電子部品に外部からの電磁波が到来
することを防止すると共に、各電子部品の相互間におけ
る電磁波による影響をも防止する。 【構成】 絶縁合成樹脂基板２中に、フエライト等の磁
性体材料の粉末２ａを混合する。
３，４を埋設して成るハイブリッド集積回路装置におい
て、その大型化及び重量の増大、並びに価格のアップを
招来することなく、各電子部品から外部に電磁波が放射
されること、及び各電子部品に外部からの電磁波が到来
することを防止すると共に、各電子部品の相互間におけ
る電磁波による影響をも防止する。 【構成】 絶縁合成樹脂基板２中に、フエライト等の磁
性体材料の粉末２ａを混合する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、複数個の電子部品を、
電気的に接続して一体化したハイブリッド集積回路装置
の構造に関するものである。
電気的に接続して一体化したハイブリッド集積回路装置
の構造に関するものである。
【０００２】
【従来の技術と発明が解決しようとする課題】従来にお
けるハイブリッド集積回路装置は、従来から良く知られ
ているように、ガラスエポキシ樹脂又はセラミック製の
絶縁基板における表裏両面に、複数個の電子部品を半田
付けにて搭載し、この各電子部品の相互間を、前記絶縁
基板の表裏両面に予め形成した配線パターンにて電気的
に接続すると言う構成にしたものであった。
けるハイブリッド集積回路装置は、従来から良く知られ
ているように、ガラスエポキシ樹脂又はセラミック製の
絶縁基板における表裏両面に、複数個の電子部品を半田
付けにて搭載し、この各電子部品の相互間を、前記絶縁
基板の表裏両面に予め形成した配線パターンにて電気的
に接続すると言う構成にしたものであった。
【０００３】そして、前記ハイブリッド集積回路装置に
おいては、その絶縁基板に搭載される電子部品が、当該
電子部品から雑音の電磁波を外部に放射するものである
場合とか、外部から到来する電磁波に影響を受けて誤動
作するものである場合、従来は、ハイブリッド集積回路
装置の全体を、内部から放射される電磁波及び外部から
到来する電磁波を吸収するシールドカバーにて覆うよう
に構成しなければならないから、ハイブリッド集積回路
装置の大型化及び重量の増大を招来するばかりか、価格
の大幅なアップを招来すると言う問題があった。
おいては、その絶縁基板に搭載される電子部品が、当該
電子部品から雑音の電磁波を外部に放射するものである
場合とか、外部から到来する電磁波に影響を受けて誤動
作するものである場合、従来は、ハイブリッド集積回路
装置の全体を、内部から放射される電磁波及び外部から
到来する電磁波を吸収するシールドカバーにて覆うよう
に構成しなければならないから、ハイブリッド集積回路
装置の大型化及び重量の増大を招来するばかりか、価格
の大幅なアップを招来すると言う問題があった。
【０００４】しかも、ハイブリッド集積回路装置の全体
を、シールドカバーにて覆うと言う構造では、その絶縁
基板の搭載されている各電子部品の相互間における電磁
波による影響を防止することができないのであった。本
発明は、最近では、特開平２−６３１８６号公報に記載
されているように、複数個の電子部品を、絶縁合成樹脂
基板内に、当該各電子部品における接続用端子の一部が
前記絶縁合成樹脂基板における表裏両面のうち少なくと
も一方の表面に露出するように埋設し、前記絶縁合成樹
脂基板における一方の表面に、前記各電子部品の相互間
を電気的に接続する電気回路パターンを形成するように
したハイブリッド集積回路装置が提案されていることに
着目して、大型化及び重量の増大、並びに価格のアップ
を招来することなく、電磁波に対するシールド性を確保
できるようにすることを技術的課題とするものである。
を、シールドカバーにて覆うと言う構造では、その絶縁
基板の搭載されている各電子部品の相互間における電磁
波による影響を防止することができないのであった。本
発明は、最近では、特開平２−６３１８６号公報に記載
されているように、複数個の電子部品を、絶縁合成樹脂
基板内に、当該各電子部品における接続用端子の一部が
前記絶縁合成樹脂基板における表裏両面のうち少なくと
も一方の表面に露出するように埋設し、前記絶縁合成樹
脂基板における一方の表面に、前記各電子部品の相互間
を電気的に接続する電気回路パターンを形成するように
したハイブリッド集積回路装置が提案されていることに
着目して、大型化及び重量の増大、並びに価格のアップ
を招来することなく、電磁波に対するシールド性を確保
できるようにすることを技術的課題とするものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】この技術的課題を達成す
るため本発明は、絶縁合成樹脂基板内に、複数個の電子
部品を、当該各電子部品における接続用端子の一部が前
記絶縁合成樹脂基板における表裏両面のうち少なくとも
一方の表面に露出するように埋設する一方、前記絶縁合
成樹脂基板における一方の表面に、前記各電子部品の相
互間を電気的に接続する電気回路パターンを形成して成
るハイブリッド集積回路装置において、前記絶縁合成樹
脂基板中にフエライト等の磁性体材料の粉末を混合する
と言う構成にした。
るため本発明は、絶縁合成樹脂基板内に、複数個の電子
部品を、当該各電子部品における接続用端子の一部が前
記絶縁合成樹脂基板における表裏両面のうち少なくとも
一方の表面に露出するように埋設する一方、前記絶縁合
成樹脂基板における一方の表面に、前記各電子部品の相
互間を電気的に接続する電気回路パターンを形成して成
るハイブリッド集積回路装置において、前記絶縁合成樹
脂基板中にフエライト等の磁性体材料の粉末を混合する
と言う構成にした。
【０００６】
【作 用】このように構成することにより、絶縁合成
樹脂基板内に埋設した各電子部品から発生する電磁波、
及び、外部から各電子部品に向かう電磁波を、前記絶縁
合成樹脂基板中に混合したフエライト等の磁性体材料の
粉末にて吸収することができるから、各電子部品から外
部に電磁波が放射されること、及び各電子部品に外部か
らの電磁波が到来することを確実に防止できるのであ
る。
樹脂基板内に埋設した各電子部品から発生する電磁波、
及び、外部から各電子部品に向かう電磁波を、前記絶縁
合成樹脂基板中に混合したフエライト等の磁性体材料の
粉末にて吸収することができるから、各電子部品から外
部に電磁波が放射されること、及び各電子部品に外部か
らの電磁波が到来することを確実に防止できるのであ
る。
【０００７】しかも、複数個の電子部品を埋設する絶縁
合成樹脂基板中に、フエライト等の磁性体材料の粉末を
混合したことにより、各電子部品の相互間を、その各々
における電磁波に対して完全に隔離することができるの
である。
合成樹脂基板中に、フエライト等の磁性体材料の粉末を
混合したことにより、各電子部品の相互間を、その各々
における電磁波に対して完全に隔離することができるの
である。
【０００８】
【発明の効果】従って、本発明によると、絶縁合成樹脂
基板中にフエライト等の磁性体材料の粉末を混合するこ
とにより、ハイブリッド集積回路装置の大型化及び重量
の増大、並びに価格のアップを招来することなく、各電
子部品から外部に電磁波が放射されること、及び各電子
部品に外部からの電磁波が到来することを確実に防止で
きるのであり、しかも、各電子部品の相互間における電
磁波による影響をも確実に防止することができる効果を
有する。
基板中にフエライト等の磁性体材料の粉末を混合するこ
とにより、ハイブリッド集積回路装置の大型化及び重量
の増大、並びに価格のアップを招来することなく、各電
子部品から外部に電磁波が放射されること、及び各電子
部品に外部からの電磁波が到来することを確実に防止で
きるのであり、しかも、各電子部品の相互間における電
磁波による影響をも確実に防止することができる効果を
有する。
【０００９】
【実施例】以下、本発明の実施例を、図面について説明
する。図１〜図９は、第１の実施例によるハイブリッド
集積回路装置１を示す。この図において符号２は、エポ
キシ樹脂、ポリエステル樹脂、アクリル樹脂、ポリウレ
タン樹脂又はシリコン樹脂等の絶縁合成樹脂に、フエラ
イト等の磁性体材料の粉末２ａを、１０〜５０wt％だけ
混合して成る絶縁合成樹脂基板を示し、この絶縁合成樹
脂基板２内に、リード端子３ａを備えたＩＣ等の電子部
品３の複数個と、端子４ａを備えたチップ型抵抗器等の
電子部品４の複数個とを、これら電子部品３，４におけ
るリード端子３ａ及び端子４ａが、前記絶縁合成樹脂基
板２における上面に露出するように埋設すると共に、前
記絶縁合成樹脂基板２の上面に、前記各電子部品３，４
の相互間を電気的に接続するための電気回路パターン５
を形成する。
する。図１〜図９は、第１の実施例によるハイブリッド
集積回路装置１を示す。この図において符号２は、エポ
キシ樹脂、ポリエステル樹脂、アクリル樹脂、ポリウレ
タン樹脂又はシリコン樹脂等の絶縁合成樹脂に、フエラ
イト等の磁性体材料の粉末２ａを、１０〜５０wt％だけ
混合して成る絶縁合成樹脂基板を示し、この絶縁合成樹
脂基板２内に、リード端子３ａを備えたＩＣ等の電子部
品３の複数個と、端子４ａを備えたチップ型抵抗器等の
電子部品４の複数個とを、これら電子部品３，４におけ
るリード端子３ａ及び端子４ａが、前記絶縁合成樹脂基
板２における上面に露出するように埋設すると共に、前
記絶縁合成樹脂基板２の上面に、前記各電子部品３，４
の相互間を電気的に接続するための電気回路パターン５
を形成する。
【００１０】更に、符号６は、基端部６ａを図３に示す
ようにループ等の適宜形状に曲げ加工して成る金属板製
のリード端子を示し、この複数本のリード端子６におけ
る基端部６ａを、前記絶縁合成樹脂基板２内に、当該基
端部６ａにおける一部が、絶縁合成樹脂基板２における
上面に露出するように埋設する一方、前記絶縁合成樹脂
基板２の上面における電気配線パターン５に、前記リー
ド端子６の基端部６ａにおける露出部まで延びる延長部
７を形成する。
ようにループ等の適宜形状に曲げ加工して成る金属板製
のリード端子を示し、この複数本のリード端子６におけ
る基端部６ａを、前記絶縁合成樹脂基板２内に、当該基
端部６ａにおける一部が、絶縁合成樹脂基板２における
上面に露出するように埋設する一方、前記絶縁合成樹脂
基板２の上面における電気配線パターン５に、前記リー
ド端子６の基端部６ａにおける露出部まで延びる延長部
７を形成する。
【００１１】なお、符号８は、前記電気配線パターン５
及び延長部７の全体を覆う絶縁性のカバーコートを示
し、このカバーコート８中にも、前記と同様に、フエラ
イト等の磁性体材料の粉末を、１０〜５０wt％だけ混合
する。このように、絶縁合成樹脂基板２中に、フエライ
ト等の磁性体材料の粉末２ａを１０〜５０wt％だけ混合
したことにより、前記絶縁合成樹脂基板２内に埋設した
各電子部品３，４から発生する電磁波、及び、外部から
各電子部品３，４に向かう電磁波を、前記絶縁合成樹脂
基板２中に混合したフエライト等の磁性体材料の粉末２
ａにて吸収することができるから、各電子部品３，４か
ら外部に電磁波が放射されること、及び各電子部品３，
４に外部からの電磁波が到来することを確実に防止でき
るのである。
及び延長部７の全体を覆う絶縁性のカバーコートを示
し、このカバーコート８中にも、前記と同様に、フエラ
イト等の磁性体材料の粉末を、１０〜５０wt％だけ混合
する。このように、絶縁合成樹脂基板２中に、フエライ
ト等の磁性体材料の粉末２ａを１０〜５０wt％だけ混合
したことにより、前記絶縁合成樹脂基板２内に埋設した
各電子部品３，４から発生する電磁波、及び、外部から
各電子部品３，４に向かう電磁波を、前記絶縁合成樹脂
基板２中に混合したフエライト等の磁性体材料の粉末２
ａにて吸収することができるから、各電子部品３，４か
ら外部に電磁波が放射されること、及び各電子部品３，
４に外部からの電磁波が到来することを確実に防止でき
るのである。
【００１２】しかも、複数個の電子部品３，４を埋設す
る絶縁合成樹脂基板２中に、フエライト等の磁性体材料
の粉末２ａを混合したことにより、各電子部品３，４の
相互間を、その各々における電磁波に対して完全に隔離
することができるのである。なお、この第１実施例によ
るハイブリッド集積回路装置１は、以下に述べるような
方法で製造される。
る絶縁合成樹脂基板２中に、フエライト等の磁性体材料
の粉末２ａを混合したことにより、各電子部品３，４の
相互間を、その各々における電磁波に対して完全に隔離
することができるのである。なお、この第１実施例によ
るハイブリッド集積回路装置１は、以下に述べるような
方法で製造される。
【００１３】すなわち、先づ、図４に示すように、上面
開放型に形成した成形用箱体Ａを使用し、この成形用箱
体Ａにおける内底面に、接着剤層Ｂを塗布したのち、こ
の接着剤層Ｂの上面に、前記各種の電子部品３，４を、
そのリード端子３ａ及び端子４ａの一部が前記接着剤層
Ｂに接触するようにして所定の位置に搭載すると共に、
複数本のリード端子６を、その基端部６ａが前記前記接
着剤層Ｂに接触するようにして所定の位置に搭載する。
開放型に形成した成形用箱体Ａを使用し、この成形用箱
体Ａにおける内底面に、接着剤層Ｂを塗布したのち、こ
の接着剤層Ｂの上面に、前記各種の電子部品３，４を、
そのリード端子３ａ及び端子４ａの一部が前記接着剤層
Ｂに接触するようにして所定の位置に搭載すると共に、
複数本のリード端子６を、その基端部６ａが前記前記接
着剤層Ｂに接触するようにして所定の位置に搭載する。
【００１４】次いで、前記成形用箱体Ａ内に、予め、フ
エライト等の磁性体材料の粉末２ａを混合した絶縁合成
樹脂を液体の状態で注入して硬化したのち、前記成形用
箱体Ａから型抜きすることにより、図５に示すように、
フエライト等の磁性体材料の粉末２ａを混合した絶縁合
成樹脂基板２を、当該絶縁合成樹脂基板２内に各種の電
子部品３，４及びリード端子６の基端部６ａを埋設した
状態で成形する。
エライト等の磁性体材料の粉末２ａを混合した絶縁合成
樹脂を液体の状態で注入して硬化したのち、前記成形用
箱体Ａから型抜きすることにより、図５に示すように、
フエライト等の磁性体材料の粉末２ａを混合した絶縁合
成樹脂基板２を、当該絶縁合成樹脂基板２内に各種の電
子部品３，４及びリード端子６の基端部６ａを埋設した
状態で成形する。
【００１５】そして、前記絶縁合成樹脂基板２の上面
に、前記接着剤層Ｂを除く処理を施し、図６に示すよう
に、金属層Ｃを、スパッタリング等にて形成したのち、
この金属層Ｃを、フォトエッチング処理することによっ
て、図７に示すように、前記電気回路パターン５を形成
するか、導電性ペーストをスクリーン印刷することによ
って前記電気回路パターン５を形成する。なお、この電
気回路パターン５の形成と同時に、当該電気回路パター
ン５の延長部７を形成する。
に、前記接着剤層Ｂを除く処理を施し、図６に示すよう
に、金属層Ｃを、スパッタリング等にて形成したのち、
この金属層Ｃを、フォトエッチング処理することによっ
て、図７に示すように、前記電気回路パターン５を形成
するか、導電性ペーストをスクリーン印刷することによ
って前記電気回路パターン５を形成する。なお、この電
気回路パターン５の形成と同時に、当該電気回路パター
ン５の延長部７を形成する。
【００１６】次いで、前記絶縁合成樹脂基板２の上面
に、予め、フエライト等の磁性体材料の粉末を混合した
カバーコート８を液体の状態で塗布することによって、
図１及び図２に示すようなハイブリッド集積回路装置１
にするのである。次に、図８〜図１４は、第２の実施例
によるハイブリッド集積回路装置１１を示す。この図に
おいて符号１２は、エポキシ樹脂、ポリエステル樹脂、
アクリル樹脂、ポリウレタン樹脂又はシリコン樹脂等の
絶縁合成樹脂に、フエライト等の磁性体材料の粉末１２
ａを、１０〜５０wt％だけ混合して成る絶縁合成樹脂基
板を示し、この絶縁合成樹脂基板１２内に、リード端子
１３ａを備えたＩＣ等の電子部品１３の複数個と、端子
１４ａを備えたチップ型抵抗器等の電子部品１４の複数
個とを、これら電子部品１３，１４におけるリード端子
１３ａ及び端子１４ａが、前記絶縁合成樹脂基板１２に
おける上面及び下面の両方に分けて別々に露出するよう
に埋設すると共に、前記絶縁合成樹脂基板１２内に、左
右両端面に接続用端子を備えた抵抗器等の両端子型電子
部品１９ａ，１９ｂの一個又は複数個を、当該両端子型
電子部品１９ａ，１９ｂにおける両端子のうち一方の端
子が前記絶縁合成樹脂基板１２における上面に他方の端
子が前記絶縁合成樹脂基板１２における下面に各々露出
するように埋設する。
に、予め、フエライト等の磁性体材料の粉末を混合した
カバーコート８を液体の状態で塗布することによって、
図１及び図２に示すようなハイブリッド集積回路装置１
にするのである。次に、図８〜図１４は、第２の実施例
によるハイブリッド集積回路装置１１を示す。この図に
おいて符号１２は、エポキシ樹脂、ポリエステル樹脂、
アクリル樹脂、ポリウレタン樹脂又はシリコン樹脂等の
絶縁合成樹脂に、フエライト等の磁性体材料の粉末１２
ａを、１０〜５０wt％だけ混合して成る絶縁合成樹脂基
板を示し、この絶縁合成樹脂基板１２内に、リード端子
１３ａを備えたＩＣ等の電子部品１３の複数個と、端子
１４ａを備えたチップ型抵抗器等の電子部品１４の複数
個とを、これら電子部品１３，１４におけるリード端子
１３ａ及び端子１４ａが、前記絶縁合成樹脂基板１２に
おける上面及び下面の両方に分けて別々に露出するよう
に埋設すると共に、前記絶縁合成樹脂基板１２内に、左
右両端面に接続用端子を備えた抵抗器等の両端子型電子
部品１９ａ，１９ｂの一個又は複数個を、当該両端子型
電子部品１９ａ，１９ｂにおける両端子のうち一方の端
子が前記絶縁合成樹脂基板１２における上面に他方の端
子が前記絶縁合成樹脂基板１２における下面に各々露出
するように埋設する。
【００１７】一方、前記絶縁合成樹脂基板１２における
上面及び下面の両方に、前記各電子部品１３，１４の相
互間と、これらと前記両端子型電子部品１９ａ，１９ｂ
の相互間とを電気的に接続するための電気回路パターン
１５ａ，１５ｂを形成する。更に、符号１６は、基端部
１６ａを図９に示すように眼鏡状等の適宜形状に曲げ加
工して成る金属板製のリード端子を示し、この複数本の
リード端子１６における基端部１６ａを、前記絶縁合成
樹脂基板１２内に、当該基端部１６ａにおける一部が、
絶縁合成樹脂基板１２における上面及び下面の両方に露
出するように埋設する一方、前記絶縁合成樹脂基板１２
の上下両面における電気配線パターン１５ａ，１５ｂに
は、前記リード端子１６の基端部１６ａにおける露出部
まで延びる延長部１７ａ，１７ｂを設けると言う構成に
する。
上面及び下面の両方に、前記各電子部品１３，１４の相
互間と、これらと前記両端子型電子部品１９ａ，１９ｂ
の相互間とを電気的に接続するための電気回路パターン
１５ａ，１５ｂを形成する。更に、符号１６は、基端部
１６ａを図９に示すように眼鏡状等の適宜形状に曲げ加
工して成る金属板製のリード端子を示し、この複数本の
リード端子１６における基端部１６ａを、前記絶縁合成
樹脂基板１２内に、当該基端部１６ａにおける一部が、
絶縁合成樹脂基板１２における上面及び下面の両方に露
出するように埋設する一方、前記絶縁合成樹脂基板１２
の上下両面における電気配線パターン１５ａ，１５ｂに
は、前記リード端子１６の基端部１６ａにおける露出部
まで延びる延長部１７ａ，１７ｂを設けると言う構成に
する。
【００１８】なお、符号１８ａ，１８ｂは、前記両電気
配線パターン１５ａ，１５ｂ及びその延長部１７ａ，１
７ｂの全体を覆う絶縁性のカバーコートで、このカバー
コート１８ａ，１８ｂ中にも、前記と同様に、フエライ
ト等の磁性体材料の粉末を、１０〜５０wt％だけ混合す
る。このように構成することにより、一つの絶縁合成樹
脂基板１２内に、当該絶縁合成樹脂基板１２の表裏両面
における電気配線パターン１５ａ，１５ｂに電気的に接
続される複数個の電子部品１３，１４，１９ａ，１９ｂ
を埋設することができるから、高密度化を図ることがで
きるのであり、この場合においても、前記絶縁合成樹脂
基板１２中に、フエライト等の磁性体材料の粉末１２ａ
が混合されていることにより、各電子部品１３，１４，
１９ａ，１９ｂから外部に電磁波が放射されること、及
び各電子部品１３，１４，１９ａ，１９ｂに外部からの
電磁波が到来することを確実に防止できると共に、各電
子部品１３，１４，１９ａ，１９ｂの相互間を、その各
々における電磁波に対して完全に隔離することができる
のである。
配線パターン１５ａ，１５ｂ及びその延長部１７ａ，１
７ｂの全体を覆う絶縁性のカバーコートで、このカバー
コート１８ａ，１８ｂ中にも、前記と同様に、フエライ
ト等の磁性体材料の粉末を、１０〜５０wt％だけ混合す
る。このように構成することにより、一つの絶縁合成樹
脂基板１２内に、当該絶縁合成樹脂基板１２の表裏両面
における電気配線パターン１５ａ，１５ｂに電気的に接
続される複数個の電子部品１３，１４，１９ａ，１９ｂ
を埋設することができるから、高密度化を図ることがで
きるのであり、この場合においても、前記絶縁合成樹脂
基板１２中に、フエライト等の磁性体材料の粉末１２ａ
が混合されていることにより、各電子部品１３，１４，
１９ａ，１９ｂから外部に電磁波が放射されること、及
び各電子部品１３，１４，１９ａ，１９ｂに外部からの
電磁波が到来することを確実に防止できると共に、各電
子部品１３，１４，１９ａ，１９ｂの相互間を、その各
々における電磁波に対して完全に隔離することができる
のである。
【００１９】この第２の実施例によるハイブリッド集積
回路装置１１は、以下に述べるような方法によって製造
することが好ましい。すなわち、先づ、図１０に示すよ
うに、上面開放型に形成した成形用上箱体Ａ１と成形用
下箱体Ａ２とを使用し、この成形用上箱体Ａ１における
内底面に、接着剤層Ｂ１を塗布したのち、この接着剤層
Ｂ１に、前記複数個の電子部品１４を、当該各電子部品
１４における端子１４ａの一部が前記接着剤層Ｂ１に接
触するようにして所定の位置に搭載する一方、前記成形
用下箱体Ａ２における内底面に、接着剤層Ｂ２を塗布し
たのち、この接着剤層Ｂ２に、前記複数個の電子部品１
３及び両端子型電子部品１９ａ，１９ｂを、当該各電子
部品１３，１９ａ，１９ｂにおけるリード端子１３ａ又
は端子の一部が前記接着剤層Ｂ２に接触するようにして
所定の位置に搭載すると共に、複数本のリード端子１６
を、当該各リード端子１６における基端部１６ａが前記
接着剤層Ｂ２に接触するようにして所定の位置に搭載す
る。
回路装置１１は、以下に述べるような方法によって製造
することが好ましい。すなわち、先づ、図１０に示すよ
うに、上面開放型に形成した成形用上箱体Ａ１と成形用
下箱体Ａ２とを使用し、この成形用上箱体Ａ１における
内底面に、接着剤層Ｂ１を塗布したのち、この接着剤層
Ｂ１に、前記複数個の電子部品１４を、当該各電子部品
１４における端子１４ａの一部が前記接着剤層Ｂ１に接
触するようにして所定の位置に搭載する一方、前記成形
用下箱体Ａ２における内底面に、接着剤層Ｂ２を塗布し
たのち、この接着剤層Ｂ２に、前記複数個の電子部品１
３及び両端子型電子部品１９ａ，１９ｂを、当該各電子
部品１３，１９ａ，１９ｂにおけるリード端子１３ａ又
は端子の一部が前記接着剤層Ｂ２に接触するようにして
所定の位置に搭載すると共に、複数本のリード端子１６
を、当該各リード端子１６における基端部１６ａが前記
接着剤層Ｂ２に接触するようにして所定の位置に搭載す
る。
【００２０】次いで、前記両箱体Ａ１，Ａ２を、図１１
に示すように型合わせする。すると、前記各両端子型電
子部品１９ａ，１９ｂにおける他方の端子が、成形用上
箱体Ａ１における接着剤層Ｂ１に密着するから、この状
態で、前記両箱体Ａ１，Ａ２の内部に、予め、フエライ
ト等の磁性体材料の粉末１２ａを混合した絶縁合成樹脂
を液体の状態で、注入口Ａ３より注入して硬化したの
ち、前記両箱体Ａ１，Ａ２から型抜きすることにより、
図１２に示すように、絶縁合成樹脂基板１２を、当該絶
縁合成樹脂基板１２内に各種の電子部品１３，１４，１
９ａ，１９ｂ及びリード端子１６の基端部１６ａを埋設
した状態で成形する。
に示すように型合わせする。すると、前記各両端子型電
子部品１９ａ，１９ｂにおける他方の端子が、成形用上
箱体Ａ１における接着剤層Ｂ１に密着するから、この状
態で、前記両箱体Ａ１，Ａ２の内部に、予め、フエライ
ト等の磁性体材料の粉末１２ａを混合した絶縁合成樹脂
を液体の状態で、注入口Ａ３より注入して硬化したの
ち、前記両箱体Ａ１，Ａ２から型抜きすることにより、
図１２に示すように、絶縁合成樹脂基板１２を、当該絶
縁合成樹脂基板１２内に各種の電子部品１３，１４，１
９ａ，１９ｂ及びリード端子１６の基端部１６ａを埋設
した状態で成形する。
【００２１】そして、前記絶縁合成樹脂基板１２におけ
る上下両面の各々に、前記接着剤を除去する処理を施
し、図１３に示すように、金属層Ｃ１，Ｃ２を、スパッ
タリング等にて形成したのち、この両金属層Ｃ１，Ｃ２
をフォトエッチング処理することによって、図１４に示
すように、前記両電気回路パターン１５ａ，１５ｂを形
成するか、導電性ペーストをスクリーン印刷することに
よって前記両電気回路パターン１５ａ，１５ｂを形成す
る。なお、この電気回路パターン１５ａ，１５ｂの形成
と同時に、当該電気回路パターン１５ａ，１５ｂの延長
部１７ａ，１７ｂを形成する。
る上下両面の各々に、前記接着剤を除去する処理を施
し、図１３に示すように、金属層Ｃ１，Ｃ２を、スパッ
タリング等にて形成したのち、この両金属層Ｃ１，Ｃ２
をフォトエッチング処理することによって、図１４に示
すように、前記両電気回路パターン１５ａ，１５ｂを形
成するか、導電性ペーストをスクリーン印刷することに
よって前記両電気回路パターン１５ａ，１５ｂを形成す
る。なお、この電気回路パターン１５ａ，１５ｂの形成
と同時に、当該電気回路パターン１５ａ，１５ｂの延長
部１７ａ，１７ｂを形成する。
【００２２】次いで、前記絶縁合成樹脂基板１２の上下
両面に、予め、フエライト等の磁性体材料の粉末を混合
したカバーコート１８ａ，１８ｂを塗布することによっ
て、図８に示すようなハイブリッド集積回路装置１１に
するのである。更にまた、図１５〜図１８は、第３の実
施例によるハイブリッド集積回路装置２１を示す。
両面に、予め、フエライト等の磁性体材料の粉末を混合
したカバーコート１８ａ，１８ｂを塗布することによっ
て、図８に示すようなハイブリッド集積回路装置１１に
するのである。更にまた、図１５〜図１８は、第３の実
施例によるハイブリッド集積回路装置２１を示す。
【００２３】この第３の実施例は、前記第２の実施例に
よるハイブリッド集積回路装置１１における両電気回路
パターン１５ａ，１５ｂに対して、更に別の複数個の電
子部品１３′，１４′を搭載したものである。すなわ
ち、前記のようにフエライト等の磁性体材料の粉末１２
ａを混合した絶縁合成樹脂基板１２の上下両面における
両電気回路パターン１５ａ，１５ｂの表面に、絶縁層２
０ａ，２０ｂを形成し、この絶縁層２０ａ，２０ｂの表
面に、前記両電気回路パターン１５ａ，１５ｂに電気的
に繋がる第２電気回路パターン１５ａ′，１５ｂ′を形
成して、この両第２電気回路パターン１５ａ′，１５
ｂ′に対して、別の複数個の電子部品１３′，１４′を
搭載したのち、これら各電子部品１３′，１４′を、前
記絶縁合成樹脂基板１２と同様に、予め、フエライト等
の磁性体材料の粉末１２ａ′，１２ａ″を混合した第２
絶縁合成樹脂基板１２′，１２″内に埋設したものであ
る。
よるハイブリッド集積回路装置１１における両電気回路
パターン１５ａ，１５ｂに対して、更に別の複数個の電
子部品１３′，１４′を搭載したものである。すなわ
ち、前記のようにフエライト等の磁性体材料の粉末１２
ａを混合した絶縁合成樹脂基板１２の上下両面における
両電気回路パターン１５ａ，１５ｂの表面に、絶縁層２
０ａ，２０ｂを形成し、この絶縁層２０ａ，２０ｂの表
面に、前記両電気回路パターン１５ａ，１５ｂに電気的
に繋がる第２電気回路パターン１５ａ′，１５ｂ′を形
成して、この両第２電気回路パターン１５ａ′，１５
ｂ′に対して、別の複数個の電子部品１３′，１４′を
搭載したのち、これら各電子部品１３′，１４′を、前
記絶縁合成樹脂基板１２と同様に、予め、フエライト等
の磁性体材料の粉末１２ａ′，１２ａ″を混合した第２
絶縁合成樹脂基板１２′，１２″内に埋設したものであ
る。
【００２４】この構成によると、電子部品の搭載を四層
構造にすることができるから、ハイブリッド集積回路装
置２１を、当該ハイブリッド集積回路装置２１における
各電子部品１３，１４，１９ａ，１９ｂ，１３′，１
４′から外部に電磁波が放射されること、及び各電子部
品１３，１４，１９ａ，１９ｂ，１３′，１４′に外部
からの電磁波が到来することを確実に防止できると共
に、各電子部品１３，１４，１９ａ，１９ｂ，１３′，
１４′の相互間を、その各々における電磁波に対して完
全に隔離した状態のもとで、更に高密度化することがで
きる。
構造にすることができるから、ハイブリッド集積回路装
置２１を、当該ハイブリッド集積回路装置２１における
各電子部品１３，１４，１９ａ，１９ｂ，１３′，１
４′から外部に電磁波が放射されること、及び各電子部
品１３，１４，１９ａ，１９ｂ，１３′，１４′に外部
からの電磁波が到来することを確実に防止できると共
に、各電子部品１３，１４，１９ａ，１９ｂ，１３′，
１４′の相互間を、その各々における電磁波に対して完
全に隔離した状態のもとで、更に高密度化することがで
きる。
【００２５】そして、この第３の実施例によるハイブリ
ッド集積回路装置２１の製造に際しては、図１４まで
は、前記第２の実施例と同様であり、前記絶縁合成樹脂
基板１２の上下両面における両電気回路パターン１５
ａ，１５ｂの表面に、図１６に示すように、絶縁層２０
ａ，２０ｂを介して第２電気回路パターン１５ａ′，１
５ｂ′を形成し、次いで、この両第２電気回路パターン
１５ａ′，１５ｂ′の各々に、図１７に示すように、電
子部品１３′，１４′を、導電性接着剤等にて搭載した
のち、これらの全体を、図１８に示すように、成形用上
箱体Ａ１′と成形用下箱体Ａ２′とで挟み付ける。
ッド集積回路装置２１の製造に際しては、図１４まで
は、前記第２の実施例と同様であり、前記絶縁合成樹脂
基板１２の上下両面における両電気回路パターン１５
ａ，１５ｂの表面に、図１６に示すように、絶縁層２０
ａ，２０ｂを介して第２電気回路パターン１５ａ′，１
５ｂ′を形成し、次いで、この両第２電気回路パターン
１５ａ′，１５ｂ′の各々に、図１７に示すように、電
子部品１３′，１４′を、導電性接着剤等にて搭載した
のち、これらの全体を、図１８に示すように、成形用上
箱体Ａ１′と成形用下箱体Ａ２′とで挟み付ける。
【００２６】次いで、両箱体Ａ１′，Ａ２′内に、予
め、フエライト等の磁性体材料の粉末１２ａ′，１２
ａ″を混合した絶縁合成樹脂を液体の状態で、その各々
における注入口Ａ３′，Ａ３″より注入したのち硬化す
ることによって、第２絶縁合成樹脂基板１２′，１２″
を成形すると言う方法を採ることができる。
め、フエライト等の磁性体材料の粉末１２ａ′，１２
ａ″を混合した絶縁合成樹脂を液体の状態で、その各々
における注入口Ａ３′，Ａ３″より注入したのち硬化す
ることによって、第２絶縁合成樹脂基板１２′，１２″
を成形すると言う方法を採ることができる。
【図１】本発明の第１実施例によるハイブリッド集積回
路装置の縦断正面図である。
路装置の縦断正面図である。
【図２】本発明の第１実施例によるハイブリッド集積回
路装置の斜視図である。
路装置の斜視図である。
【図３】前記第１実施例に使用するリード端子の斜視図
である。
である。
【図４】前記第１実施例によるハイブリッド集積回路装
置を製造する場合における第１の状態を示す図である。
置を製造する場合における第１の状態を示す図である。
【図５】前記第１実施例によるハイブリッド集積回路装
置を製造する場合における第２の状態を示す図である。
置を製造する場合における第２の状態を示す図である。
【図６】前記第１実施例によるハイブリッド集積回路装
置を製造する場合における第３の状態を示す図である。
置を製造する場合における第３の状態を示す図である。
【図７】前記第１実施例によるハイブリッド集積回路装
置を製造する場合における第４の状態を示す図である。
置を製造する場合における第４の状態を示す図である。
【図８】本発明の第２実施例によるハイブリッド集積回
路装置の縦断正面図である。
路装置の縦断正面図である。
【図９】前記第２実施例に使用するリード端子の斜視図
である。
である。
【図１０】前記第２実施例によるハイブリッド集積回路
装置を製造する場合における第１の状態を示す図であ
る。
装置を製造する場合における第１の状態を示す図であ
る。
【図１１】前記第２実施例によるハイブリッド集積回路
装置を製造する場合における第２の状態を示す図であ
る。
装置を製造する場合における第２の状態を示す図であ
る。
【図１２】前記第２実施例によるハイブリッド集積回路
装置を製造する場合における第３の状態を示す図であ
る。
装置を製造する場合における第３の状態を示す図であ
る。
【図１３】前記第２実施例によるハイブリッド集積回路
装置を製造する場合における第４の状態を示す図であ
る。
装置を製造する場合における第４の状態を示す図であ
る。
【図１４】前記第２実施例によるハイブリッド集積回路
装置を製造する場合における第５の状態を示す図であ
る。
装置を製造する場合における第５の状態を示す図であ
る。
【図１５】本発明の第３実施例によるハイブリッド集積
回路装置の縦断正面図である。
回路装置の縦断正面図である。
【図１６】前記第３実施例によるハイブリッド集積回路
装置を製造する場合における第１の状態を示す図であ
る。
装置を製造する場合における第１の状態を示す図であ
る。
【図１７】前記第３実施例によるハイブリッド集積回路
装置を製造する場合における第２の状態を示す図であ
る。
装置を製造する場合における第２の状態を示す図であ
る。
【図１８】前記第３実施例によるハイブリッド集積回路
装置を製造する場合における第３の状態を示す図であ
る。
装置を製造する場合における第３の状態を示す図であ
る。
１，１１，２１ ハイブリッド集積回
路装置 ２，１２，１２′，１２″ 絶縁合成樹脂基板 ３，４，１３，１４，１９ａ，１９ｂ 電子部品 ５，１５ａ，１５ｂ 電気回路パターン ６，１６ リード端子 ６ａ，１６ａ リード端子の基端部 ２ａ，１２ａ，１２ａ′，１２ａ″ 磁性体の粉末
路装置 ２，１２，１２′，１２″ 絶縁合成樹脂基板 ３，４，１３，１４，１９ａ，１９ｂ 電子部品 ５，１５ａ，１５ｂ 電気回路パターン ６，１６ リード端子 ６ａ，１６ａ リード端子の基端部 ２ａ，１２ａ，１２ａ′，１２ａ″ 磁性体の粉末
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０５Ｋ 1/11 Ｄ 7511−4Ｅ 1/18 Ｓ 7128−4Ｅ
Claims (1)
- 【請求項１】絶縁合成樹脂基板内に、複数個の電子部品
を、当該各電子部品における接続用端子の一部が前記絶
縁合成樹脂基板における表裏両面のうち少なくとも一方
の表面に露出するように埋設する一方、前記絶縁合成樹
脂基板における一方の表面に、前記各電子部品の相互間
を電気的に接続する電気回路パターンを形成して成るハ
イブリッド集積回路装置において、前記絶縁合成樹脂基
板中にフエライト等の磁性体材料の粉末を混合したこと
を特徴とするハイブリッド集積回路装置の構造。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5180128A JPH0738240A (ja) | 1993-07-21 | 1993-07-21 | ハイブリッド集積回路装置の構造 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5180128A JPH0738240A (ja) | 1993-07-21 | 1993-07-21 | ハイブリッド集積回路装置の構造 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0738240A true JPH0738240A (ja) | 1995-02-07 |
Family
ID=16077912
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5180128A Pending JPH0738240A (ja) | 1993-07-21 | 1993-07-21 | ハイブリッド集積回路装置の構造 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0738240A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6137691A (en) * | 1997-10-10 | 2000-10-24 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Three dimensional composite circuit board |
| US6747361B2 (en) | 2000-07-26 | 2004-06-08 | Nec Electronics Corporation | Semiconductor device and packaging method thereof |
| JP2007084024A (ja) * | 2005-09-26 | 2007-04-05 | Tokai Rika Co Ltd | 電子部品組込体 |
| WO2017026195A1 (ja) * | 2015-08-11 | 2017-02-16 | 株式会社村田製作所 | キャパシタ内蔵基板の製造方法 |
| WO2018180235A1 (ja) * | 2017-03-29 | 2018-10-04 | 日本電産株式会社 | 半導体パッケージ装置、およびその製造方法 |
| WO2019098029A1 (ja) * | 2017-11-15 | 2019-05-23 | オムロン株式会社 | 電子装置およびその製造方法 |
-
1993
- 1993-07-21 JP JP5180128A patent/JPH0738240A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6137691A (en) * | 1997-10-10 | 2000-10-24 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Three dimensional composite circuit board |
| US6747361B2 (en) | 2000-07-26 | 2004-06-08 | Nec Electronics Corporation | Semiconductor device and packaging method thereof |
| JP2007084024A (ja) * | 2005-09-26 | 2007-04-05 | Tokai Rika Co Ltd | 電子部品組込体 |
| WO2017026195A1 (ja) * | 2015-08-11 | 2017-02-16 | 株式会社村田製作所 | キャパシタ内蔵基板の製造方法 |
| WO2018180235A1 (ja) * | 2017-03-29 | 2018-10-04 | 日本電産株式会社 | 半導体パッケージ装置、およびその製造方法 |
| WO2019098029A1 (ja) * | 2017-11-15 | 2019-05-23 | オムロン株式会社 | 電子装置およびその製造方法 |
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