JPH02148838A - Formation of metallic wiring pattern - Google Patents
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、金属配線パターン形成方法に関する。[Detailed description of the invention] [Industrial application field] The present invention relates to a metal wiring pattern forming method.
特に本発明は、金属との密着性が悪いフォトレジストを
用いて配線パターンを形成する場合でも、良好なフォト
リソグラフィーを実施することができる金属配線パター
ン形成方法を提供するもので〔発明の概要〕
本発明の金属配線パターン形成方法は、金属配線上にシ
リコンまたはシリコン化合物よりなる薄膜を形成し、表
面を接着性向上剤により処理した後、フォトレジスト膜
を形成し、フォトリソグラフィーを行うことによって、
金属配線上に直接フォトレジスト膜を形成した場合の密
着性の悪さによる膜はがれ等を防止するようにしたもの
である。In particular, the present invention provides a metal wiring pattern forming method that allows good photolithography to be performed even when the wiring pattern is formed using a photoresist that has poor adhesion to metal. [Summary of the Invention] The metal wiring pattern forming method of the present invention involves forming a thin film made of silicon or a silicon compound on the metal wiring, treating the surface with an adhesion improver, forming a photoresist film, and performing photolithography.
This is intended to prevent film peeling and the like due to poor adhesion when a photoresist film is formed directly on metal wiring.
フォトレジスト膜を用いたフォトリソグラフィーによる
金属配線パターンの形成は、例えば半導体装置の製造プ
ロセス等において用いられている。Formation of metal wiring patterns by photolithography using a photoresist film is used, for example, in the manufacturing process of semiconductor devices.
半導体プロセスにおいて、配線材料である金属上にレジ
ストパターンを形成する場合、シリコン系材料等にレジ
ストを形成する場合に用いることができる密着性向上の
ための薬品（接着性向上剤。In a semiconductor process, a chemical for improving adhesion (adhesion improver) that can be used when forming a resist pattern on a metal that is a wiring material, or when forming a resist on a silicon-based material, etc.
これについては日経マグロヒル社ｒＭＯ５ＬｓＩ製造技
術」 （昭和６０年６月２０日）参照）は効果がなく、
レジストの持つ接着性にのみ依存している。例えば、ア
ルミニウムや、アルミニウム合金（Ａｊ！−３ｔ等）の
表面には、接着性向上剤は効果がないので、直接金属材
料表面上にフォトレジスト膜を形成して、パターニング
を行っている。Regarding this, Nikkei Maguro Hill Co., Ltd. rMO5LsI Manufacturing Technology'' (June 20, 1985)) is not effective.
It depends only on the adhesive properties of the resist. For example, since adhesion improvers have no effect on the surface of aluminum or aluminum alloys (Aj!-3t, etc.), a photoresist film is formed directly on the surface of the metal material and patterned.
ところが、近年の微細化・集積化の要請に基づき、レジ
ストもファインパターン用のものが使用されるようにな
っているが、かかるファインパターン用のレジストは、
レジストの接着性が悪いものである。このため、金属表
面の状態が変化した場合など、レジストのはがれが発生
することがある。また、レジストの堆積直後の状態でも
、はがれが発生する場合がある。However, with the recent demands for miniaturization and integration, resists for fine patterns are being used;
Resist adhesion is poor. For this reason, peeling of the resist may occur when the state of the metal surface changes. Moreover, peeling may occur even immediately after resist is deposited.
例えば、アルミニウム配線バクーンを形成するときに、
アルミニウムの表面状態が０２プラズマ処理等により変
化すると、レジストはがれが発生しやすい。このような
状態は、レジストパターンを０２プラズマなどで剥離し
、再パターニングする場合にみられる。For example, when forming an aluminum wiring backcoon,
When the surface condition of aluminum changes due to 02 plasma treatment or the like, resist peeling is likely to occur. Such a state occurs when a resist pattern is removed using 02 plasma or the like and then re-patterned.
金属、特にアルミニウムなどは、前記のように、シリコ
ン系の物質に用いることができる密着促進剤（ＨＭＤＳ
等。後述）は効果がないので、対策としては、アルミニ
ウムと密着性が高いレジストを用いることや、再バター
ニング時にはレジスト剥離方法を湿式手段等で行うこと
等しかなく、これでは積極的に密着性を向上させること
はできなかった。Metals, especially aluminum, are treated with adhesion promoters (HMDS) that can be used with silicon-based materials, as mentioned above.
etc. (described later) is not effective, so the only countermeasures are to use a resist that has high adhesion to aluminum, or to use a wet method to remove the resist during re-patterning, but this method does not actively improve adhesion. I couldn't improve it.
特に上記の問題は、ポジレジストを用いる場合について
、顕著である。In particular, the above problem is remarkable when using a positive resist.
本発明は、上記問題点を解決して、金属と密着性の悪い
レジストを用いる場合でも、レジストの密着性を良好に
して、レジストはがれ等の発生を防止した金属配線パタ
ーン形成方法を提供せんとするものである。The present invention solves the above-mentioned problems and provides a metal wiring pattern forming method that improves the adhesion of the resist and prevents the occurrence of resist peeling even when using a resist with poor adhesion to the metal. It is something to do.
本発明の金属配線パターン形成方法は、金属配線上にシ
リコンまたはシリコン化合物よりなる薄膜を形成し、表
面を接着性向上剤により処理した後、フォトレジスト膜
を形成し、フォトリソグラフィーにより金属配線パター
ンを形成する構成とすることによって、上記の目的を達
成したものである。The metal wiring pattern forming method of the present invention involves forming a thin film made of silicon or a silicon compound on the metal wiring, treating the surface with an adhesion improver, forming a photoresist film, and forming the metal wiring pattern by photolithography. The above object has been achieved by forming the structure.
本発明の構成について、後記詳述する本発明の一実施例
を示す第１図の例示を用いて説明すると、次のとおりで
ある。The configuration of the present invention will be explained as follows using the illustration of FIG. 1 showing one embodiment of the present invention, which will be described in detail later.
本発明は、第１図に例示の如く、第１図（ａ）に示すよ
うな金属配線１上に第１図（ｂ）に示すようにシリコン
またはシリコン化合物よりなる薄膜２を形成し、表面を
接着性向上剤により処理（第１図（ｃ）参照）した後、
第１図（ｄ）の如くフォトレジスト膜４を形成し、爾後
第１図（ｅ）〜（ｇ）に例示するようなフォトリソグラ
フィーにより、第１図（ｈ）に示す如き金属配線パター
ン１１を形成するものである。As illustrated in FIG. 1, the present invention forms a thin film 2 made of silicon or a silicon compound as shown in FIG. 1(b) on a metal wiring 1 shown in FIG. 1(a), and After being treated with an adhesion improver (see Figure 1(c)),
A photoresist film 4 is formed as shown in FIG. 1(d), and then a metal wiring pattern 11 as shown in FIG. 1(h) is formed by photolithography as shown in FIGS. 1(e) to (g). It is something that forms.
本発明においては、金属配線１上に直接フォトレジスト
膜４を形成するのでなく、金属配線１上に形成したシリ
コンまたはシリコン化合物よりなる薄膜２を接着性向上
剤により処理してレジストの密着性を高め、その上にフ
ォトレジスト膜４を形成するようにしたので、該フォト
レジスト膜４は充分な密着性を有し、はがれなどの発生
は防止される。In the present invention, instead of forming the photoresist film 4 directly on the metal wiring 1, the thin film 2 made of silicon or silicon compound formed on the metal wiring 1 is treated with an adhesion improver to improve the adhesion of the resist. Since the photoresist film 4 is formed on the photoresist film 4, the photoresist film 4 has sufficient adhesion and peeling is prevented.
本発明は、金属配線１の表面上には接着性向上剤は効果
がないが、金属配線ｌ上に接着性向上剤を効果的に用い
ることができるシリコンまたはシリコン化合′ｊｊｙＪ
Ｆｔｌ膜２を形成して、この上にフォトレジスト膜４を
形成することにより、密着性を高め得るようにしたもの
ということができる。The present invention provides silicon or silicon compound 'jjyJ' which allows the adhesion improver to be effectively used on the metal wiring l, although the adhesion improver has no effect on the surface of the metal wiring 1.
By forming the Ftl film 2 and forming the photoresist film 4 thereon, it can be said that the adhesion can be improved.
以下本発明の実施例を、図面を参照して説明する。なお
当然のことではあるが、本発明は以下に示す実施例によ
り限定されるものではない。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. It should be noted that, as a matter of course, the present invention is not limited to the examples shown below.
第１図（ａ）〜（ｈ）を参照して、本発明の第１の実施
例について説明する。A first embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 1(a) to (h).
この実施例は、本発明を、半導体装置の製造における、
シリコン基板等の半導体基板１０上に形成した金属配線
１のバターニングに適用したものである。This example demonstrates how the present invention can be used in the manufacture of semiconductor devices.
This is applied to patterning of metal wiring 1 formed on a semiconductor substrate 10 such as a silicon substrate.
本実施例においては、金属配線１の材料としては、アル
ミニウム（あるいは、Ａｊ！−３ｔ合金、例えばＳｉが
１ｗｔ％含有のもの）を用いた。アルミニウム系の材料
は、微細パターン形成用のフォトレジスト（特にポジレ
ジスト）は、必ずしも密着性が良くなく、かつ接着性向
上剤は効果がないので、本発明を有効に適用できる。In this embodiment, aluminum (or Aj!-3t alloy, such as one containing 1 wt % Si) was used as the material for the metal wiring 1. The present invention can be effectively applied to aluminum-based materials because photoresists (especially positive resists) for forming fine patterns do not necessarily have good adhesion, and adhesion improvers are ineffective.
本実施例においては、まず、第１図（ａ）に示すように
、半導体基板１０上に、アルミニウム（またはＡ１−３
ｔ）層を形成して、金属配線１を形成した。この形成は
、例えばスパッタリングを用いることができる。In this embodiment, first, as shown in FIG. 1(a), aluminum (or A1-3
t) A layer was formed to form metal wiring 1. This formation can be performed using sputtering, for example.
次に、第１図（ｂ）に示すように、上記金属配線１上に
、シリコンまたはシリコン化合物よりなる薄膜２を形成
する。本例では、シリコン化合物であるＳｉｎ、を用い
、これをスパッタ法、あるいはＣＶＤ等の堆積法などで
膜形成して、薄膜２とした。ＳｉＯ□より成るこの薄膜
は、膜厚が１００人か、それ以下でよい。極めて薄い膜
で、本発明の効果を発揮できる。Next, as shown in FIG. 1(b), a thin film 2 made of silicon or a silicon compound is formed on the metal wiring 1. In this example, the thin film 2 was formed using a silicon compound, Sin, by a sputtering method or a deposition method such as CVD. This thin film of SiO□ may be 100 mm thick or less. Even an extremely thin film can exhibit the effects of the present invention.
次に、第１図（Ｃ）に矢印３で模式的に略示した如く、
接着性向上剤で、上記薄膜２の表面を処理する。Next, as schematically indicated by arrow 3 in FIG. 1(C),
The surface of the thin film 2 is treated with an adhesion improver.
シリコン系の物質に対するレジストの接着性向上剤とし
ては、有効なものが各種提案されている。Various effective agents for improving adhesion of resists to silicon-based substances have been proposed.
本実施例では、レジストの密着促進剤として知られてい
るＨＭＤＳ （ヘキサメチルジシラザン）を採用し、こ
れにより薄膜２上を処理した。In this example, HMDS (hexamethyldisilazane), which is known as a resist adhesion promoter, was used to treat the thin film 2.
ＨＭＤＳは、５ｉ０２表面に存在するシラノール基を親
水性から疎水性に変える作用を呈し、これによりレジス
トとの密着性を向上させると言われている。本発明にお
いては、このようにシリコン系物質とレジストとの密着
性を向上させ得る接着性向上剤であれば、適宜用いるこ
とができる。HMDS is said to have the effect of changing the silanol groups present on the surface of 5i02 from hydrophilic to hydrophobic, thereby improving adhesion to the resist. In the present invention, any adhesion improver that can improve the adhesion between the silicon-based substance and the resist can be used as appropriate.
次に第１図（ｄ）のように、フォトレジストをコーティ
ングして、フォトレジスト膜４を形成した。本例ではポ
ジレジストを用い、特に微細パターン形成用のポジレジ
ストを用いた。このようなレジストは金属との密着性が
悪いので、本発明の効果が顕著である。但し、これに限
られるものではない。Next, as shown in FIG. 1(d), photoresist was coated to form a photoresist film 4. In this example, a positive resist was used, particularly a positive resist for forming fine patterns. Since such a resist has poor adhesion to metal, the effects of the present invention are significant. However, it is not limited to this.
前記したように薄膜２はＨＭＤＳにより処理されている
ので、該薄膜２はレジストとの接着性が良好になってい
る。従って、第１図（ｄ）のように形成されたフォトレ
ジスト膜４は、爾後各種の処理があっても、そのはがれ
は防止される。Since the thin film 2 has been treated with HMDS as described above, the thin film 2 has good adhesion to the resist. Therefore, the photoresist film 4 formed as shown in FIG. 1(d) is prevented from peeling off even after various treatments are performed thereafter.
この後、通常のフォトリソグラフィー技術を適用した。After this, normal photolithography techniques were applied.
即ち、第１図（ｅ）に示すように、所定のマスクパター
ンが形成されたマスク５を用いてフォトレジスト膜４を
露光しく露光光は矢印５１にて略示した）、次いで現像
を行って、第１図（ｆ）のようなフォトレジストパター
ン４１を有する構造を得る。That is, as shown in FIG. 1(e), the photoresist film 4 is exposed to light using a mask 5 on which a predetermined mask pattern is formed (the exposure light is schematically indicated by an arrow 51), and then development is performed. , a structure having a photoresist pattern 41 as shown in FIG. 1(f) is obtained.
次に、このフォトレジストパターン４１をマスクにして
、薄膜２をエツチングする。本例においてエツチングは
、ＳｉＯ□パターン形成に用い得る技術は任意に採用で
きるが、ここではＲＩＥを用いて、ＳｉＯ□エツチング
を行った。これにより第１図（ｇ）のように、薄膜パタ
ーン２１を有する構造とする。Next, the thin film 2 is etched using the photoresist pattern 41 as a mask. In this example, for etching, any technique that can be used for forming a SiO□ pattern can be adopted, but here RIE was used to perform SiO□ etching. This results in a structure having a thin film pattern 21 as shown in FIG. 1(g).
次に、この３１ｇパターン２１をマスクに、金属配線１
のエツチングを行う。このエツチング技術も任意である
が、ここではＲＩＥを用いて、金属配線１であるアルミ
ニウムをエツチングした。残余のレジストを除去すると
、第１図（ｈ）に示すような、金属配線パターン（ここ
ではＡ６パターン）を有する構造が得られる。Next, using this 31g pattern 21 as a mask, the metal wiring 1
Perform etching. Although this etching technique is also arbitrary, RIE was used here to etch the aluminum that is the metal wiring 1. When the remaining resist is removed, a structure having a metal wiring pattern (here, an A6 pattern) as shown in FIG. 1(h) is obtained.
本実施例においては、薄膜パターン２１はＳｉＯ□から
成るが、Ｓｉｎ、は絶縁膜であり、通常更に上層に形成
されるパッシベーション膜と同様であるため、除去して
も、残しておいてもよい。In this embodiment, the thin film pattern 21 is made of SiO□, but since Si is an insulating film and is similar to a passivation film that is usually formed in an upper layer, it may be removed or left. .
本実施例によれば、金属配線１をなすアルミニウム上に
薄膜２を形成して、これをＨＭＤＳ等で処理してレジス
トとの接着性を向上させるようにしたので、容易かつ安
全、確実に、金属配線（アルミニウム）上のレジストの
はがれを防止できる。According to this embodiment, the thin film 2 is formed on the aluminum constituting the metal wiring 1 and treated with HMDS or the like to improve the adhesion with the resist. Peeling of resist on metal wiring (aluminum) can be prevented.
次に第２図を参照して、本発明の第２の実施例を説明す
る。本例は、第１図の例と異なり、シリコンまたはシリ
コン系化合物よりなる薄膜２の材質として、シリコンを
用いたものである。Next, a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. In this example, unlike the example shown in FIG. 1, silicon is used as the material for the thin film 2 made of silicon or a silicon-based compound.
本実施例では、まず前記第１図の実施例と同様にして、
基板１０上にアルミニウム（またはＡｆｆＳｉ）の金属
配線１を形成した。これにより第２図（ａ）の構造を得
る。In this embodiment, first, in the same way as the embodiment shown in FIG. 1,
An aluminum (or AffSi) metal wiring 1 was formed on a substrate 10. As a result, the structure shown in FIG. 2(a) is obtained.
次いで本実施例では、シリコンまたはシリコン化合物よ
りなる薄膜２として、シリコン膜を形成した。これによ
り第２図（ｂ）の構造とした。シリコン膜の形成は、ス
パッタ法や、ＣＶＤ等の堆積法によることができる。本
例において、シリコンよりなる薄膜２は、５０〜１５０
人程度の厚さとする。密着性向上という点だけでは、薄
（てかまわないが、本例では特に１２０人の膜厚として
、反射防止効果をももたせるようにした。アルミニウム
は高反射性であるので、レジスト露光の際ハレーション
により現像後のレジスト形状が悪化することがあるが、
本例のように薄膜２に反射防止効果をもたせると、かか
る問題をも解決できる。Next, in this example, a silicon film was formed as the thin film 2 made of silicon or a silicon compound. This resulted in the structure shown in FIG. 2(b). The silicon film can be formed by a sputtering method or a deposition method such as CVD. In this example, the thin film 2 made of silicon has a density of 50 to 150
The thickness should be about that of a human being. In terms of improving adhesion, it doesn't matter if it is thin, but in this example, the film thickness was set to 120 mm to also have an anti-reflection effect.Aluminum is highly reflective, so it does not cause halation during resist exposure. The shape of the resist after development may deteriorate due to
If the thin film 2 has an antireflection effect as in this example, this problem can also be solved.
次に第２図（ｃ）に示すように、矢印３で模式的に略示
する如（、ＨＭＤＳにより処理する。Next, as shown in FIG. 2(c), processing is performed by HMDS as schematically indicated by arrow 3.
次いで、第１図の例と同様にフォトレジストを形成し、
露光・現像して、第２図（ｄ）の如きレジストパターン
４１を得る。爾後は第１図の例と同様である。Next, a photoresist is formed in the same manner as in the example of FIG.
By exposing and developing, a resist pattern 41 as shown in FIG. 2(d) is obtained. The process thereafter is the same as the example shown in FIG.
本実施例も、第１図の実施例と同様の効果を有する。This embodiment also has the same effects as the embodiment shown in FIG.
上述の如く、本発明の金属配線パターン形成方法によれ
ば、金属と密着性の悪いレジストを用いる場合でも、レ
ジストの密着性を良好にして、レジストはがれ等の発生
を防止することができる。As described above, according to the metal wiring pattern forming method of the present invention, even when using a resist that has poor adhesion to metal, it is possible to improve the adhesion of the resist and prevent occurrence of resist peeling, etc.
第１図（ａ）〜（ｈ）は、本発明の第１の実施例を工程
順に断面図で示すものである。第２図（ａ）〜（ｄ）は
、本発明の第２の実施例を工程順に断面図で示すもので
ある。
１・・・金属配線（Ａｌ、Ａｌ−３ｉ）、２・・・シリ
コンまたはシリコン化合物よりなる薄膜（Ｓｉ。
ＳｉＯ□）、３・・・接着性向上剤による処理、４・・
・フォトレジスト膜。FIGS. 1(a) to 1(h) are cross-sectional views showing a first embodiment of the present invention in the order of steps. FIGS. 2(a) to 2(d) are sectional views showing a second embodiment of the present invention in the order of steps. 1... Metal wiring (Al, Al-3i), 2... Thin film made of silicon or silicon compound (Si. SiO□), 3... Treatment with adhesion improver, 4...
・Photoresist film.
Claims (1)
る薄膜を形成し、表面を接着性向上剤により処理した後
、 フォトレジスト膜を形成し、フォトリソグラフィーによ
り金属配線パターンを形成する金属配線パターン形成法
。[Claims] 1. After forming a thin film made of silicon or a silicon compound on the metal wiring and treating the surface with an adhesion improver, forming a photoresist film and forming a metal wiring pattern by photolithography. Metal wiring pattern formation method.
Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP30253488A JPH02148838A (en) | 1988-11-30 | 1988-11-30 | Formation of metallic wiring pattern |
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| JP (1) | JPH02148838A (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005228997A (en) * | 2004-02-13 | 2005-08-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Solid-state imaging device and manufacturing method thereof |
| US7304821B2 (en) * | 2002-04-02 | 2007-12-04 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Magnetic head coil structure and method for manufacturing the same |
| US8310142B2 (en) | 2003-08-01 | 2012-11-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device including a dual emission panel |
-
1988
- 1988-11-30 JP JP30253488A patent/JPH02148838A/en active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7304821B2 (en) * | 2002-04-02 | 2007-12-04 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Magnetic head coil structure and method for manufacturing the same |
| US8310142B2 (en) | 2003-08-01 | 2012-11-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device including a dual emission panel |
| US8796911B2 (en) | 2003-08-01 | 2014-08-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device including a dual emission panel |
| JP2005228997A (en) * | 2004-02-13 | 2005-08-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Solid-state imaging device and manufacturing method thereof |
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