JPH11330481A - Thin film transistor and liquid crystal display - Google Patents
Thin film transistor and liquid crystal displayInfo
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Abstract
Description
【発明の属する技術分野】本発明は、レーザ照射にて非
晶質半導体膜を多結晶化した多結晶半導体膜を能動層と
する薄膜トランジスタ（Thin Film Transist or：以
下、「ＴＦＴ」と称する。）及びそのＴＦＴを備えた液
晶表示装置（Liquid Crystal Display：以下、「ＬＣ
Ｄ」と称する。）に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a thin film transistor (hereinafter, referred to as "TFT") in which an active layer is a polycrystalline semiconductor film obtained by polycrystallizing an amorphous semiconductor film by laser irradiation. And a liquid crystal display (hereinafter referred to as “LC”) having the TFT.
D ". ).
【従来の技術】近年、アクティブマトリクス型ＬＣＤの
駆動ドライバ素子あるいは画素駆動素子として多結晶シ
リコン膜を能動層として用いたＴＦＴの開発が進められ
ている。以下に従来のＴＦＴについて説明する。図５に
従来のＴＦＴの画素部平面図を示し、図６に図５中のＣ
−Ｃ線に沿った断面図を示す。図５に示すように、ＬＣ
Ｄの画素部のＴＦＴは、ゲート信号を供給するゲート信
号線Ｇと映像信号を供給するドレイン信号線Ｄとの交差
点付近に設けられており、そのソース５は表示電極１３
に接続されている。図６に従ってＴＦＴの構造について
説明する。石英ガラス、無アルカリガラス等からなる絶
縁性基板１上に、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）
などの高融点金属からなるゲート電極２、ゲート絶縁膜
３、及び多結晶シリコン膜からなる能動層４を順に形成
する。このとき、この多結晶シリコン膜は、ゲート絶縁
膜３上に堆積した非晶質シリコン膜にレーザ光を照射し
て多結晶化することによって形成する。同図の場合、レ
ーザ光（ＥＬＡ）は図面右から左方向に走査して照射し
ている。その能動層４には、ゲート電極２上のチャネル
７と、このチャネル７の両側に、チャネル７上のストッ
パ８をマスクにしてイオン注入されて形成されるソース
５及びドレイン６（図示せず）が設けられている。そし
て、ゲート絶縁膜３、能動層４及びストッパ８上の全面
に、ＳｉＯ2膜、ＳｉＮ膜及びＳｉＯ2膜の順に積層され
た層間膜９を形成し、そしてドレイン６に対応して設け
たコンタクトホールにＡｌ等の金属を充填してドレイン
電極１０を形成する。更に全面に例えば有機樹脂から成
り表面を平坦にする平坦化膜１１を形成する。そして、
その平坦化膜１１のソース５に対応した位置にコンタク
トホールを形成し、このコンタクトホールを介してドレ
イン５とコンタクトしたＩＴＯ（Indium Thin Oxide）
から成りソース電極１２を兼ねた表示電極１３を平坦化
膜１１上に形成する。2. Description of the Related Art In recent years, TFTs using a polycrystalline silicon film as an active layer as a drive driver element or a pixel drive element of an active matrix type LCD have been developed. Hereinafter, a conventional TFT will be described. FIG. 5 is a plan view of a pixel portion of a conventional TFT, and FIG.
FIG. 4 shows a cross-sectional view along line -C. As shown in FIG.
The TFT of the pixel portion D is provided near an intersection between a gate signal line G for supplying a gate signal and a drain signal line D for supplying a video signal.
It is connected to the. The structure of the TFT will be described with reference to FIG. Chromium (Cr), molybdenum (Mo) on insulating substrate 1 made of quartz glass, non-alkali glass, etc.
A gate electrode 2, a gate insulating film 3, and an active layer 4 of a polycrystalline silicon film are sequentially formed. At this time, the polycrystalline silicon film is formed by irradiating the amorphous silicon film deposited on the gate insulating film 3 with a laser beam to be polycrystallized. In the case of the figure, the laser light (ELA) scans and irradiates from right to left in the figure. The active layer 4 has a channel 7 on the gate electrode 2 and a source 5 and a drain 6 (not shown) formed by ion implantation on both sides of the channel 7 using the stopper 8 on the channel 7 as a mask. Is provided. Then, on the entire surface of the gate insulating film 3, the active layer 4 and the stopper 8, an interlayer film 9 is formed in which a SiO 2 film, a SiN film and a SiO 2 film are laminated in this order, and a contact provided corresponding to the drain 6. The hole is filled with a metal such as Al to form the drain electrode 10. Further, a flattening film 11 made of, for example, an organic resin and flattening the surface is formed on the entire surface. And
A contact hole is formed in the flattening film 11 at a position corresponding to the source 5, and an ITO (Indium Thin Oxide) contacting the drain 5 through the contact hole.
A display electrode 13, which also serves as the source electrode 12, is formed on the flattening film 11.
【発明が解決しようとする課題】ところが、こうした従
来のＴＦＴの構造においては、能動層の非晶質シリコン
膜を多結晶化する際のレーザ光照射による熱によって多
結晶シリコン膜が図６中のゲート電極２の左右両端（ゲ
ート電極上方へのレーザ照射開始端ｃ及び終了端ｄ）と
重畳する箇所にて膜割れ１４を生じてしまう。即ち、レ
ーザ光を図６において右から左方向へ走査して非晶質シ
リコン膜に照射した場合、多結晶シリコン膜４のガラス
基板１と重畳した部分（領域ａ）と、ゲート電極２と重
畳した部分（領域ｂ）との境界（ｃ，ｄ）ではガラスと
金属との熱伝導率の違いにより熱によるストレスが生じ
るため、多結晶シリコン膜４に亀裂１４が生じてしまう
という欠点があった。また、そのＴＦＴを用いたＬＣＤ
にはＴＦＴの半導体膜割れによって点欠陥が発生すると
いう欠点があった。そこで本発明は、上記の従来の欠点
に鑑みて為されたものであり、ＴＦＴの多結晶半導体膜
が膜割れを生じないＴＦＴ、及び点欠陥を抑制したＬＣ
Ｄを提供することを目的とする。However, in such a conventional TFT structure, the polycrystalline silicon film shown in FIG. 6 is formed by the heat of laser light irradiation when the amorphous silicon film of the active layer is polycrystallized. The film crack 14 is generated at a position overlapping the left and right ends (the start end c and the end end d of the laser irradiation above the gate electrode) of the gate electrode 2. That is, when the amorphous silicon film is irradiated with laser light by scanning from right to left in FIG. 6, the portion (region a) of the polycrystalline silicon film 4 overlapping with the glass substrate 1 and the gate electrode 2 overlap with each other. At the boundary (c, d) with the portion (region b), a stress due to heat is generated due to a difference in thermal conductivity between glass and metal, so that there is a defect that a crack 14 is generated in the polycrystalline silicon film 4. . In addition, LCD using the TFT
Has a drawback that a point defect occurs due to cracking of the semiconductor film of the TFT. In view of the above, the present invention has been made in view of the above-mentioned conventional disadvantages, and a TFT in which a polycrystalline semiconductor film of a TFT does not cause film cracking, and an LC in which point defects are suppressed.
D is provided.
【課題を解決するための手段】本発明のＴＦＴは、絶縁
性基板上に、金属から成る島化パターン、該島化パター
ンを覆って設けた絶縁膜及び該絶縁膜上に形成した非晶
質シリコン膜を積層し、該非晶質シリコン膜に光照射し
て多結晶化した多結晶シリコン膜を能動層として備えて
おり、前記島化パターンは前記光照射の走査方向と並行
な方向に突起部を有しているものである。また、突起部
は能動層との非重畳領域であって、島化パターンのうち
光照射走査が開始される側に突起して設けられている。
更に、前記突起部が前記島化パターンのうち前記光照射
走査が終了する側に突起して設けられている。また、突
起部の形状は光照射走査が開始される側または終了する
側に頂点を有する三角形、若しくは矩形状である。更に
本発明は、上記薄膜トランジスタを備えた液晶表示装置
である。According to the TFT of the present invention, an insulated pattern made of metal, an insulating film provided over the insulated pattern, and an amorphous film formed on the insulating film are formed on an insulating substrate. A polycrystalline silicon film formed by stacking a silicon film and irradiating the amorphous silicon film with light to form a polycrystal as an active layer, wherein the islanding pattern has protrusions in a direction parallel to a scanning direction of the light irradiation. It has. The protrusion is a non-overlapping region with the active layer, and is provided so as to protrude from the islanding pattern on the side where light irradiation scanning is started.
Further, the protrusion is provided so as to protrude on a side of the island pattern where the light irradiation scan is completed. The shape of the protrusion is a triangle or a rectangle having a vertex on the side where light irradiation scanning starts or ends. Further, the present invention is a liquid crystal display device provided with the above-mentioned thin film transistor.
【発明の実施の形態】以下に本発明のＴＦＴについて説
明する。図１に本発明のＴＦＴを備えたＬＣＤの平面図
を示す。なお、図１中のＡ−Ａ線に沿った本実施の形態
のＴＦＴの構造は前述の従来の構造を示した図４中のＣ
−Ｃ線に沿った断面図と同じである。本実施の形態のＴ
ＦＴ構造が従来のそれと異なる点はゲート電極に突起部
を設けた点にある。図１に示すように、ゲート電極２を
兼ねたゲート信号線Ｇとドレイン信号Ｄとの交差点付近
に、表示電極１３に接続されたＴＦＴが設けられてい
る。このＴＦＴは、ゲート信号線Ｇを兼ねたゲート電極
２と、このゲート電極２が多結晶シリコン膜からなる能
動層４と重畳した領域、即ちチャネル７（図中斜線部
分）と、ドレイン信号線Ｄに接続されたドレイン６及び
表示電極１３に接続されたソース５とからなっている。
ここで、ゲート電極２に設けた突起部について説明す
る。図１に示すように、ゲート電極に設けた突起部１５
は、ゲート信号線Ｇの一部であるゲート電極２は、鋸歯
のようにゲート信号線Ｇの一部を突起させた形状であ
る。ここで、能動層４をなす多結晶シリコン膜は、非晶
質シリコン膜にレーザ、例えばエキシマレーザを照射し
て多結晶化することによって得られるが、このエキシマ
レーザ照射は図１において、図面下から上方向に向かっ
て行われる。よって、ゲート電極２の突起部１５は、ゲ
ート電極のうちエキシマレーザ照射が開始される側、即
ち図１においてゲート電極の下側と、エキシマレーザ照
射が終了する側、即ち図１においてゲート電極の上側と
に突起させて設ける。このとき、ゲート電極の下側に突
起した突起部１５の先端は、斜線で示すチャネル７の図
中において下端部よりも少なくともレーザ光照射開始側
に突出しており、またゲート電極の上側に突起した突起
部１５の先端は、斜線で示すチャネル７の図中において
上端部よりも少なくともレーザ光照射終了側に突出して
いる。そうすることで、下端部よりも先にゲート電極の
突起部にレーザ光が照射され、また上端部よりも後まで
レーザ光が照射されるため、急激な照射温度の変化が回
避でき膜割れが防止できる。また突起部１５の形状は例
えばゲート電極の上側または下側に頂点を有する三角形
状とする。三角形状とすることにより、照射開始側にお
いては、照射されたレーザ光による熱はなだらかにゲー
ト電極に加わり、そして徐々に多結晶シリコン膜に伝わ
って加熱されることになる。逆に、照射終了側において
は、多結晶シリコン膜は徐々に冷却されることになる。
従って、このような突起部１５を設けることにより、ガ
ラス基板１上からゲート電極２上へそして再びガラス基
板１上へと順にレーザを走査して照射されても、ガラス
基板とゲート電極材料との境界への熱的ストレスを抑制
することができるので多結晶シリコン膜の膜割れの発生
することがなくなる。即ち、一方のレーザ照射開始側に
設けた突起部１５により、ガラス基板１上がレーザ照射
されているときに既にその突起部１５の一部にレーザが
照射されておりそれによってゲート電極２が徐々に加熱
され、そしてその上の能動層４が加熱されることにな
り、従来のように熱が急激に能動層４に与えられること
がなくなることから膜割れが防止でき、また、他方のエ
キシマレーザ照射終了側の突起部１５によっても、ゲー
ト電極２上方のレーザ照射が終了しガラス基板１上方に
レーザ照射が移動しても、ゲート電極２の突起部１５に
はまだレーザが照射されていることになるので、能動層
４に加わる熱が急激に減少することがなくなりガラス基
板とゲート電極との境界の熱ストレスが抑制されるため
能動層４の膜割れが防止できる。このように、ゲート電
極２に突起部１５を設けることにより、レーザ照射によ
る熱の急激な変化による境界の熱ストレスを抑制するこ
とができるので膜割れを防止できＴＦＴの故障を低減で
きる。従って、上述のＴＦＴをＬＣＤのスイッチング素
子として用いた場合、ＴＦＴの故障による点欠陥のない
ＬＣＤを得ることができる。図２に図１のＢ−Ｂ線に沿
ったＬＣＤの断面図を示す。図２に示すように、石英ガ
ラス、無アルカリガラス等からなる絶縁性基板１上に、
Ｃｒ、Ｍｏ等の高融点金属からなるゲート電極２を形成
する。このときゲート電極２の同図において左右方向に
突起部１５が設けられている。そしてその上にはＳｉＮ
膜及びＳｉＯ2膜から成るゲート絶縁膜３が形成され、
その全面にＳｉＯ2膜、ＳｉＮ膜及びＳｉＯ2膜の順に積
層された層間膜９を形成する。そして全面に例えば有機
樹脂からなる平坦化膜１１を形成する。この平坦化１１
のソース５（図示せず）に対応した位置にコンタクトホ
ールを形成し、ソース５にコンタクトしたＩＴＯ等の透
明導電材料から成りソース電極を兼ねた透明電極である
表示電極１３を形成する。その上に液晶２１を配向する
配向膜１６を形成する。また他方の絶縁基板であって基
板１に対向した対向基板１７上に全面に形成したＩＴＯ
膜からなる対向電極１８及び配向膜１９を形成する。そ
して基板１及び対向基板１７の周辺をシール剤２０にて
接着し、それによってできた両基板間の間隙に液晶２１
を注入してＬＣＤが完成する。このように、上述のＴＦ
ＴをＬＣＤのスイッチング素子として用いることによ
り、多結晶シリコン膜の膜割れによるＴＦＴ故障に起因
する表示画素の欠陥を防止することができるので、良好
な表示が得られる。なお、本実施の形態におけるゲート
電極２は本発明の特許請求の範囲に記載の「島化パター
ン」の一実施形態である。 ＜第２の実施の形態＞以下に本発明の第２実施形態につ
いて説明する。図３に本発明の第２実施形態のＴＦＴを
用いたＬＣＤ画素部の平面図を示す。図３に示すよう
に、ゲート電極２はゲート信号線Ｇからドレイン信号線
Ｄと並行な方向に突起部１５を有した形状である。な
お、同図において、非晶質シリコン膜を多結晶化するた
めのエキシマレーザ照射は図面上から下方向へ向かって
走査して行われる。ここで、図３に示すようにゲート電
極２にはレーザ照射終了側に頂点を有する三角形状の突
起部１５が設けられている。即ち、レーザ照射の終了側
にレーザ照射の走査方向と並行に突起部を設ける。この
場合、レーザ照射開始側はゲート信号線Ｇ自体が突起部
１５と同じ機能を果たすので突起部１５を新たに設ける
必要はない。このように突起部１５をゲート電極２に設
けることにより、ガラス基板１上からゲート電極２上を
経て再びガラス基板１上にかけてレーザ照射してもレー
ザ照射による熱が急激に多結晶シリコン膜４に加わるあ
るいは減少することがないので、多結晶シリコン膜４の
ゲート電極２周辺において膜割れが生じることがない。
従って、上述のＴＦＴをＬＣＤのスイッチング素子とし
て用いた場合にもＴＦＴの破損による点欠陥の発生もな
くなる。なお、ＴＦＴを備えたＬＣＤの構造は第２の実
施の形態と同様である。 ＜第３の実施の形態＞図４に第３実施形態のＴＦＴを用
いたＬＣＤの断面図を示す。第３実施形態のＴＦＴは、
石英ガラス、無アルカリガラス等からなる絶縁性基板１
上に、Ｃｒ、Ｍｏ等の高融点金属からなる遮光膜２２及
びこの遮光膜２３を覆ったＳｉＮ膜及びＳｉＯ2膜等か
らなる遮光膜絶縁膜２３を順に形成する。遮光膜２２は
後にその上方に形成する能動層４のチャネルに光が当た
らない位置に形成されている。また遮光膜２２は平面的
にチャネルと重畳するのみならず表示電極１３の周囲に
ブラックマトリックスとしての遮光膜を配置しても良
い。なお、本実施の形態における遮光膜２２は本発明の
特許請求の範囲に記載の「島化パターン」の一実施の形
態である。続いて、遮光膜絶縁膜２３上に非晶質シリコ
ン膜を島化して能動層４を形成する。そして、この非晶
質シリコン膜へのエキシマレーザ照射により多結晶化し
て多結晶シリコン膜とする。この能動層４にはソース
（図示せず）及びドレイン５が形成されている。この能
動層４上にゲート絶縁膜３及びゲート電極２を形成す
る。更にその上に層間絶縁膜９及び平坦化膜１１を堆積
する。そして、この層間絶縁膜９及び有機樹脂からなる
平坦化膜１１のソース５に対応した位置にコンタクトホ
ールを形成し、ソース５にコンタクトしたＩＴＯ等の透
明導電材料から成りソース電極１４を兼ねた透明電極で
ある表示電極１３を形成する。なお、このＴＦＴの構造
以外は第１の実施の形態で示したＬＣＤの構造と同様で
ある。このとき遮光膜２２の形状は第１及び第２の実施
の形態で示したようにレーザ照射開始側に頂点を有する
三角形状の突起部を備えた形状である。このように、非
晶質シリコン膜にレーザを走査して照射する際に、ガラ
ス基板１上及び金属から成る遮光膜２２上にレーザが照
射されても、熱が急激に能動層に加わることがないので
遮光膜２２の周縁に位置する能動層の膜割れが発生する
ことがない。従って、能動層に膜割れによるＴＦＴの故
障がないので、本発明のＴＦＴを液晶表示装置に用いた
場合にも点欠陥となることがない。また、本発明の島化
パターンに設けた突起部の形状は三角形状に限定される
ものではなく、矩形状であっても三角形状の場合と同様
の効果が得られる。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The TFT of the present invention will be described below. FIG. 1 shows a plan view of an LCD provided with the TFT of the present invention. The structure of the TFT of the present embodiment along the line AA in FIG. 1 is the same as that of the TFT shown in FIG.
This is the same as the cross-sectional view taken along line -C. T of the present embodiment
The FT structure is different from the conventional FT structure in that a projection is provided on the gate electrode. As shown in FIG. 1, a TFT connected to the display electrode 13 is provided near the intersection of the gate signal line G also serving as the gate electrode 2 and the drain signal D. The TFT includes a gate electrode 2 also serving as a gate signal line G, a region where the gate electrode 2 overlaps an active layer 4 made of a polycrystalline silicon film, that is, a channel 7 (shaded portion in the figure), and a drain signal line D. And the source 5 connected to the display electrode 13.
Here, the protrusion provided on the gate electrode 2 will be described. As shown in FIG. 1, the protrusion 15 provided on the gate electrode
The gate electrode 2 which is a part of the gate signal line G has a shape in which a part of the gate signal line G is projected like a sawtooth. Here, the polycrystalline silicon film that forms the active layer 4 is obtained by irradiating an amorphous silicon film with a laser, for example, an excimer laser to perform polycrystallization, and the excimer laser irradiation is performed in FIG. From above. Therefore, the projection 15 of the gate electrode 2 is formed on the side of the gate electrode where the excimer laser irradiation is started, that is, the lower side of the gate electrode in FIG. 1 and the side where the excimer laser irradiation is finished, that is, in FIG. It is provided so as to project upward. At this time, the tip of the protruding portion 15 protruding below the gate electrode protrudes at least to the laser beam irradiation start side from the lower end in the drawing of the channel 7 shown by oblique lines, and protrudes above the gate electrode. The tip of the protrusion 15 protrudes at least toward the laser beam irradiation end side from the upper end of the hatched channel 7 in the drawing. By doing so, the projection of the gate electrode is irradiated with laser light before the lower end and the laser light is irradiated after the upper end, so that a rapid change in irradiation temperature can be avoided and film cracks can be prevented. Can be prevented. The shape of the protrusion 15 is, for example, a triangular shape having an apex above or below the gate electrode. Due to the triangular shape, on the irradiation start side, heat from the irradiated laser light is gently applied to the gate electrode and gradually transmitted to the polycrystalline silicon film to be heated. Conversely, on the irradiation end side, the polycrystalline silicon film is gradually cooled.
Therefore, by providing such a protruding portion 15, even if the laser beam is sequentially scanned from the glass substrate 1 onto the gate electrode 2 and again onto the glass substrate 1, the glass substrate and the gate electrode material can be irradiated with the laser. Since thermal stress on the boundary can be suppressed, the occurrence of film cracks in the polycrystalline silicon film does not occur. That is, when the laser irradiation is performed on the glass substrate 1 by the projection 15 provided on the one laser irradiation start side, a part of the projection 15 is already irradiated with the laser, whereby the gate electrode 2 is gradually irradiated. And the active layer 4 thereon is heated, so that heat is not suddenly applied to the active layer 4 as in the prior art, so that film cracking can be prevented, and the other excimer laser Even when the laser irradiation above the gate electrode 2 ends and the laser irradiation moves above the glass substrate 1 by the projection 15 on the irradiation end side, the laser is still applied to the projection 15 of the gate electrode 2. Therefore, the heat applied to the active layer 4 does not suddenly decrease, and the thermal stress at the boundary between the glass substrate and the gate electrode is suppressed, so that the film cracking of the active layer 4 can be prevented. By providing the projections 15 on the gate electrode 2 as described above, thermal stress at the boundary due to rapid change in heat due to laser irradiation can be suppressed, so that film breakage can be prevented and TFT failure can be reduced. Therefore, when the above-mentioned TFT is used as a switching element of the LCD, it is possible to obtain an LCD free of point defects due to a failure of the TFT. FIG. 2 is a sectional view of the LCD taken along the line BB of FIG. As shown in FIG. 2, on an insulating substrate 1 made of quartz glass, non-alkali glass, or the like,
A gate electrode 2 made of a high melting point metal such as Cr or Mo is formed. At this time, a projection 15 is provided in the left-right direction of the gate electrode 2 in FIG. And on top of that is SiN
A gate insulating film 3 composed of a film and a SiO 2 film is formed;
An interlayer film 9 is formed on the entire surface in the order of a SiO 2 film, a SiN film and a SiO 2 film. Then, a flattening film 11 made of, for example, an organic resin is formed on the entire surface. This flattening 11
A contact hole is formed at a position corresponding to the source 5 (not shown), and a display electrode 13 which is made of a transparent conductive material such as ITO and which is in contact with the source 5 and is a transparent electrode also serving as a source electrode is formed. An alignment film 16 for aligning the liquid crystal 21 is formed thereon. In addition, an ITO formed on the entire surface of the other insulating substrate facing the substrate 1 facing the substrate 1
A counter electrode 18 and an alignment film 19 made of a film are formed. Then, the periphery of the substrate 1 and the counter substrate 17 is adhered with a sealant 20, and a liquid crystal 21 is formed in a gap formed between the two substrates.
To complete the LCD. Thus, the above-mentioned TF
By using T as a switching element of an LCD, it is possible to prevent a defect of a display pixel due to a TFT failure due to a film breakage of a polycrystalline silicon film, so that good display is obtained. The gate electrode 2 in the present embodiment is one embodiment of the “island pattern” described in the claims of the present invention. <Second Embodiment> Hereinafter, a second embodiment of the present invention will be described. FIG. 3 is a plan view of an LCD pixel portion using the TFT according to the second embodiment of the present invention. As shown in FIG. 3, the gate electrode 2 has a shape having a protrusion 15 in a direction parallel to the drain signal line D from the gate signal line G. In the figure, the excimer laser irradiation for polycrystallizing the amorphous silicon film is performed by scanning downward from the top of the drawing. Here, as shown in FIG. 3, the gate electrode 2 is provided with a triangular projection 15 having an apex on the laser irradiation end side. That is, a projection is provided on the end side of the laser irradiation in parallel with the scanning direction of the laser irradiation. In this case, on the laser irradiation start side, since the gate signal line G itself has the same function as the projection 15, it is not necessary to newly provide the projection 15. By providing the projections 15 on the gate electrode 2 as described above, even when laser irradiation is performed from the glass substrate 1 on the gate electrode 2 to the glass substrate 1 again, the heat due to the laser irradiation is rapidly applied to the polycrystalline silicon film 4. Since there is no increase or decrease, no film crack occurs around the gate electrode 2 of the polycrystalline silicon film 4.
Accordingly, even when the above-described TFT is used as a switching element of an LCD, no point defect due to breakage of the TFT is generated. The structure of the LCD having the TFT is the same as that of the second embodiment. <Third Embodiment> FIG. 4 is a sectional view of an LCD using a TFT according to a third embodiment. The TFT according to the third embodiment includes:
Insulating substrate 1 made of quartz glass, non-alkali glass, etc.
A light-shielding film 22 made of a refractory metal such as Cr and Mo, and a light-shielding film insulating film 23 made of a SiN film and a SiO 2 film covering the light-shielding film 23 are formed in this order. The light-shielding film 22 is formed at a position where light does not hit the channel of the active layer 4 formed later thereon. The light-shielding film 22 may not only overlap the channel in a plane, but may be provided with a light-shielding film as a black matrix around the display electrode 13. The light-shielding film 22 in the present embodiment is an embodiment of the “island pattern” described in the claims of the present invention. Subsequently, the active layer 4 is formed by turning the amorphous silicon film into an island on the light-shielding film insulating film 23. Then, the amorphous silicon film is polycrystallized by excimer laser irradiation to form a polycrystalline silicon film. A source (not shown) and a drain 5 are formed in the active layer 4. A gate insulating film 3 and a gate electrode 2 are formed on the active layer 4. Further, an interlayer insulating film 9 and a planarizing film 11 are deposited thereon. Then, a contact hole is formed at a position corresponding to the source 5 of the interlayer insulating film 9 and the planarization film 11 made of an organic resin, and a transparent conductive material made of a transparent conductive material such as ITO which is in contact with the source 5 and also serving as the source electrode 14. The display electrode 13 which is an electrode is formed. The structure other than this TFT is the same as the structure of the LCD shown in the first embodiment. At this time, the shape of the light shielding film 22 is a shape having a triangular protrusion having a vertex on the laser irradiation start side as shown in the first and second embodiments. As described above, when the amorphous silicon film is irradiated with the laser by scanning, even if the laser is irradiated on the glass substrate 1 and the light shielding film 22 made of metal, heat may be rapidly applied to the active layer. Therefore, the active layer located on the periphery of the light shielding film 22 does not crack. Therefore, the TFT of the present invention does not cause a point defect even when the TFT of the present invention is used for a liquid crystal display device, since the TFT of the present invention does not fail due to a film crack in the active layer. Further, the shape of the protrusion provided in the islanding pattern of the present invention is not limited to a triangular shape, and the same effect as in the case of a triangular shape can be obtained even if it is rectangular.
【発明の効果】本発明のＴＦＴによれば、熱導電率の異
なる材料に重畳して設けられた半導体薄膜にレーザ照射
した際にその膜割れが生じないＴＦＴ、及び点欠陥を防
止したＬＣＤを提供できる。According to the TFT of the present invention, a TFT which does not crack when a semiconductor thin film provided on a material having different thermal conductivity is irradiated with a laser and an LCD which prevents point defects are provided. Can be provided.
【図１】本発明の第１実施形態を示すＴＦＴの平面図で
ある。FIG. 1 is a plan view of a TFT according to a first embodiment of the present invention.
【図２】本発明の第１実施形態を示すＬＣＤの断面図で
ある。FIG. 2 is a cross-sectional view of the LCD showing the first embodiment of the present invention.
【図３】本発明の第２実施形態を示すＴＦＴの平面図で
ある。FIG. 3 is a plan view of a TFT according to a second embodiment of the present invention.
【図４】本発明の第３実施形態を示すＬＣＤの断面図で
ある。FIG. 4 is a sectional view of an LCD showing a third embodiment of the present invention.
【図５】従来のＴＦＴの平面図である。FIG. 5 is a plan view of a conventional TFT.
【図６】従来のＴＦＴの断面図である。FIG. 6 is a cross-sectional view of a conventional TFT.
１ 絶縁性基板 ２ ゲート電極 ３ ゲート絶縁膜 ４ 能動層 ５ ソース ６ ドレイン ７ チャネル ９ 層間膜 １１ 平坦化膜 １３ 表示電極 １７ 対向基板 １８ 対向電極 ２１ 液晶 ２２ 遮光膜 ２３ 遮光膜絶縁膜 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Insulating substrate 2 Gate electrode 3 Gate insulating film 4 Active layer 5 Source 6 Drain 7 Channel 9 Interlayer film 11 Flattening film 13 Display electrode 17 Counter substrate 18 Counter electrode 21 Liquid crystal 22 Light shielding film 23 Light shielding film insulating film
Claims (5)
ーン、及び該島化パターンと少なくとも一部が絶縁膜を
介して重畳している非晶質半導体膜を積層し、該非晶質
半導体膜に光照射して多結晶化した多結晶半導体膜を能
動層として備えており、前記島化パターンは前記光照射
の走査方向と並行な方向に突起部を有していることを特
徴とする薄膜トランジスタ。An amorphous semiconductor is formed by laminating an island pattern made of metal and an amorphous semiconductor film at least partially overlapping with the island pattern via an insulating film on an insulating substrate. The film is provided with a polycrystalline semiconductor film which is polycrystallized by irradiating light as an active layer, and the islanding pattern has a projection in a direction parallel to a scanning direction of the light irradiation. Thin film transistor.
であって、前記島化パターンのうち前記光照射走査が開
始される側に突起して設けられたことを特徴とする請求
項１に記載の薄膜トランジスタ。2. The device according to claim 1, wherein the protrusion is a non-overlapping region with the active layer, and is provided on the side of the island pattern where the light irradiation scan is started. 2. The thin film transistor according to 1.
であって、前記島化パターンのうち前記光照射走査が終
了する側に突起して設けられたことを特徴とする請求項
１または２に記載の薄膜トランジスタ。3. The device according to claim 1, wherein the protrusion is a non-overlapping region with the active layer, and is provided so as to protrude on a side of the island pattern where the light irradiation scan is completed. Or the thin film transistor according to 2.
島化パターンのうち前記光照射が開始される側若しくは
終了する側に頂点を有する三角形状であることを特徴と
する請求項１乃至３のうちいずれか１項に記載の薄膜ト
ランジスタ。4. The projection according to claim 1, wherein the projection has a rectangular shape or a triangular shape having a vertex on a side where the light irradiation starts or ends in the islanding pattern. 4. The thin film transistor according to any one of 3.
載の前記薄膜トランジスタを備えたことを特徴とする液
晶表示装置。5. A liquid crystal display device comprising the thin film transistor according to claim 1. Description:
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13693998A JPH11330481A (en) | 1998-05-19 | 1998-05-19 | Thin film transistor and liquid crystal display |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13693998A JPH11330481A (en) | 1998-05-19 | 1998-05-19 | Thin film transistor and liquid crystal display |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11330481A true JPH11330481A (en) | 1999-11-30 |
Family
ID=15187080
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13693998A Pending JPH11330481A (en) | 1998-05-19 | 1998-05-19 | Thin film transistor and liquid crystal display |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11330481A (en) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100816205B1 (en) | 2005-12-14 | 2008-03-21 | 우 옵트로닉스 코포레이션 | LCD and method of manufacturing the same |
| JP2016126353A (en) * | 2015-01-08 | 2016-07-11 | 群創光電股▲ふん▼有限公司Ｉｎｎｏｌｕｘ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ | Display panel |
| CN105824160A (en) * | 2015-01-08 | 2016-08-03 | 群创光电股份有限公司 | Display panel |
| JP2021513106A (en) * | 2018-09-30 | 2021-05-20 | 云谷（固安）科技有限公司 | Display panel, display and display terminal |
-
1998
- 1998-05-19 JP JP13693998A patent/JPH11330481A/en active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP2021513106A (en) * | 2018-09-30 | 2021-05-20 | 云谷（固安）科技有限公司 | Display panel, display and display terminal |
| US11263964B2 (en) | 2018-09-30 | 2022-03-01 | Yungu (Gu'an) Technology Co., Ltd. | Display panel, display screen, and display terminal |
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