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KR101579509B1 - Substrate treating apparatus and method - Google Patents

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KR101579509B1
KR101579509B1 KR1020130168145A KR20130168145A KR101579509B1 KR 101579509 B1 KR101579509 B1 KR 101579509B1 KR 1020130168145 A KR1020130168145 A KR 1020130168145A KR 20130168145 A KR20130168145 A KR 20130168145A KR 101579509 B1 KR101579509 B1 KR 101579509B1
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민충기
조수현
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세메스 주식회사
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Abstract

본 발명은 기판을 처리하는 장치를 제공한다. 본 발명의 일 실시예에 따른 기판을 처리하는 장치에 있어서, 하우징, 상기 하우징 내에 배치되고 기판을 지지 및 회전시키는 지지 유닛, 상기 지지 유닛 상에 놓인 상기 기판 상으로 케미컬을 공급하는 노즐 유닛, 상기 지지 유닛 상에 놓인 상기 기판의 가장자리 영역으로 상기 케미컬을 제거하는 제거액을 공급하는 제거액 유닛, 상기 지지 유닛, 상기 노즐 유닛, 그리고 상기 제거액 유닛을 제어하는 제어기를 포함하되, 상기 제어기는, 상기 노즐 유닛으로 상기 케미컬을 공급할 때 상기 지지 유닛을 제 1 속도로 회전시켜 상기 기판 상에 상기 케미컬을 도포하고, 상기 케미컬 공급 후에 상기 지지 유닛을 제 2 속도로 회전시켜 상기 케미컬을 상기 기판 상에 확산 및 평탄화시킨 후, 상기 지지 유닛을 제 3 속도로 회전시키며 상기 기판 상에 도포된 상기 케미컬에서 솔벤트를 제거하고, 이와 동시에 상기 제거액을 공급하여 상기 기판의 상기 가장자리 영역에서 상기 케미컬을 제거하도록 제어할 수 있다. The present invention provides an apparatus for processing a substrate. The apparatus for processing a substrate according to an embodiment of the present invention includes a housing, a support unit disposed in the housing and supporting and rotating the substrate, a nozzle unit for supplying the chemical onto the substrate placed on the support unit, And a controller for controlling the removal unit, the removal unit for supplying the removal liquid for removing the chemical to the edge region of the substrate placed on the support unit, the controller for controlling the support unit, the nozzle unit and the removal liquid unit, Wherein the supporting unit is rotated at a first speed to supply the chemical onto the substrate when the chemical is supplied, and after the chemical is supplied, the supporting unit is rotated at a second speed to diffuse and planarize the chemical on the substrate , Rotating the support unit at a third speed and rotating the support unit Remove the solvent in mikeol, and can at the same time by supplying the remover can control so as to remove the chemicals from the edge region of the substrate.

Description

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법{SUBSTRATE TREATING APPARATUS AND METHOD}[0001] SUBSTRATE TREATING APPARATUS AND METHOD [0002]

본 발명은 기판을 처리하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing apparatus for processing a substrate and a substrate processing method.

반도체 제조 공정에서는 포토리소그라피 도포, 노광, 현상 공정이 수반된다. 종래 포토리소그라피 공정은 도포, 확산, 에지 비드 제거 단계가 순차적으로 제공된다. 먼저, 잔류 수분이 제거된 기판 상에 PR을 도포한 후, 기판을 고속회전시켜 PR이 코팅되도록 하는 스핀코팅(spin coating)방법을 통해, 기판 상에 PR을 균일한 두께로 코팅한다. PR은 유동성을 갖는 유체이므로 기판의 고속회전함에 따라 기판의 주변부로 밀리게 되면서, 균일한 두께로 코팅된다. 이 과정에서, 기판의 회전 운동에 의해 솔벤트 성분이 휘발된다. 이 후, 반송로봇에 의한 그립 등에 의해 기판 가장자리의 PR이 파티클로 작용될 수 있다. 따라서, 가장자리 영역의 PR을 제거한다. 이 과정에서, 기판의 고속 회전에 의해 솔벤트 성분이 휘발된 PR은 린스 공정 시 PR이 용해되지 못하고, 기판의 가장자리부가 부풀어 오르게 되어 에지 험프(edge hump)가 형성된다. 이러한 에지 험프(edge hump)는 노광 공정시 이물질로 작용한다.In the semiconductor manufacturing process, photolithography coating, exposure and development processes are involved. Conventional photolithography processes are sequentially provided with application, diffusion, and edge bead removal steps. First, PR is coated on a substrate on which residual moisture has been removed, and the PR is coated on the substrate to a uniform thickness through a spin coating method in which the substrate is rotated at a high speed to coat the PR. Since PR is a fluid having fluidity, it is coated with a uniform thickness while being pushed to the periphery of the substrate as the substrate rotates at high speed. In this process, the solvent component is volatilized by the rotational motion of the substrate. Thereafter, the PR on the edge of the substrate can be acted as a particle by the grip or the like by the carrier robot. Therefore, PR of the edge region is removed. In this process, PR in which the solvent component is volatilized due to high-speed rotation of the substrate can not dissolve in the rinsing process, and the edge portion of the substrate is swollen to form an edge hump. This edge hump acts as a foreign material in the exposure process.

본 발명은 에지 험프를 최소화할 수 있는 기판 처리 장치 및 방법을 제공하는 것을 일 목적으로 한다. It is an object of the present invention to provide a substrate processing apparatus and method capable of minimizing the edge hump.

본 발명이 해결하고자 하는 과제가 상술한 과제들로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 아니한 과제들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명의 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The problems to be solved by the present invention are not limited to the above-mentioned problems, and the problems not mentioned can be clearly understood by those skilled in the art from the description and the accompanying drawings will be.

본 발명은 기판 처리 장치를 제공한다. The present invention provides a substrate processing apparatus.

본 발명의 일 실시예에 따른 기판을 처리하는 장치는, 하우징, 상기 하우징 내에 배치되고 기판을 지지 및 회전시키는 지지 유닛, 상기 지지 유닛 상에 놓인 상기 기판 상으로 케미컬을 공급하는 노즐 유닛, 상기 지지 유닛 상에 놓인 상기 기판의 가장자리 영역으로 상기 케미컬을 제거하는 제거액을 공급하는 제거액 유닛, 상기 지지 유닛, 상기 노즐 유닛, 그리고 상기 제거액 유닛을 제어하는 제어기를 포함하되, 상기 제어기는, 상기 노즐 유닛으로 상기 케미컬을 공급할 때 상기 지지 유닛을 제 1 속도로 회전시켜 상기 기판 상에 상기 케미컬을 도포하고, 상기 케미컬 공급 후에 상기 지지 유닛을 제 2 속도로 회전시켜 상기 케미컬을 상기 기판 상에 확산 및 평탄화시킨 후, 상기 지지 유닛을 제 3 속도로 회전시키며 상기 기판 상에 도포된 상기 케미컬에서 솔벤트를 제거하고, 이와 동시에 상기 제거액을 공급하여 상기 기판의 상기 가장자리 영역에서 상기 케미컬을 제거하도록 제어할 수 있다.An apparatus for processing a substrate according to an embodiment of the present invention includes a housing, a support unit disposed in the housing and supporting and rotating the substrate, a nozzle unit for supplying the chemical onto the substrate placed on the support unit, And a controller for controlling the removing unit, the removing unit for supplying the removing liquid for removing the chemical to the edge area of the substrate placed on the unit, the controller for controlling the supporting unit, the nozzle unit and the removing liquid unit, Applying the chemical onto the substrate by rotating the support unit at a first speed when supplying the chemical and rotating the support unit at a second speed after the chemical supply to diffuse and planarize the chemical on the substrate , Rotating the support unit at a third speed, and rotating the chemical Standing remove the solvent, and can at the same time by supplying the remover can control so as to remove the chemicals from the edge region of the substrate.

상기 제어기는, 상기 제 1 속도를 상기 제 2 속도보다 크고 상기 제 3 속도보다 작도록 제어할 수 있다. The controller may control the first speed to be greater than the second speed and smaller than the third speed.

상기 제어기는, 상기 지지 유닛을 상기 제 3 속도로 회전시킨 후에 제 4 속도로 회전시켜 상기 기판이 건조되도록 제어할 수 있다.The controller can control the substrate to be dried by rotating the support unit at the third speed and then rotating at the fourth speed.

상기 제어기는, 상기 제 4 속도가 상기 제 3 속도보다 작도록 제어할 수 있다.The controller may control the fourth speed to be smaller than the third speed.

상기 케미컬은 감광액일 수 있다.The chemical may be a sensitizing solution.

상기 케미컬은 하이브리드 박막 형성용 케미컬일 수 있다.The chemical may be a chemical for forming a hybrid thin film.

또한, 본 발명은 기판 처리 방법을 제공한다.The present invention also provides a substrate processing method.

본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 방법은, 기판을 제 1 속도로 회전시키고, 상기 기판에 케미컬을 공급하여 상기 기판 상에 상기 케미컬을 도포하는 케미컬 도포 단계와 상기 케미컬의 공급을 중단하고 상기 기판을 제 2 속도로 회전시켜 상기 케미컬을 상기 기판 상에서 확산 및 평탄화시키는 평탄화 단계와 상기 기판을 제 3 속도로 회전시켜 상기 기판 상에 도포된 상기 케미컬에서 솔벤트를 제거하고, 이와 동시에 상기 기판의 가장자리 영역에 제거액을 공급하여 상기 기판의 상기 가장자리 영역에서 상기 케미컬을 제거하는 솔벤트/비드 제거 단계를 포함할 수 있다.A method of processing a substrate according to an embodiment of the present invention includes a chemical application step of rotating a substrate at a first speed and applying a chemical to the substrate to apply the chemical onto the substrate, A planarizing step of rotating the substrate at a second speed to diffuse and planarize the chemical on the substrate and rotating the substrate at a third speed to remove solvent from the chemical applied on the substrate, And a solvent / bead removal step of removing the chemical in the edge region of the substrate by supplying a remover to the region.

상기 제 1 속도는 상기 제 2 속도보다 크고, 상기 제 3 속도보다 작을 수 있다.The first speed may be greater than the second speed and less than the third speed.

상기 기판 처리 방법은 상기 솔벤트/비드 제거 단계 후에, 상기 기판을 제 4 속도로 회전시켜 건조시키는 건조 단계를 더 포함할 수 있다. The substrate processing method may further include a drying step of rotating the substrate by rotating the substrate at the fourth speed after the solvent / bead removing step.

상기 제 4 속도는 상기 제 3 속도보다 작을 수 있다.The fourth speed may be less than the third speed.

상기 케미컬은 감광액일 수 있다.The chemical may be a sensitizing solution.

상기 케미컬은 하이브리드 박막 형성용 케미컬일 수 있다.The chemical may be a chemical for forming a hybrid thin film.

본 발명의 일 실시예에 의하면, 에지 험프를 최소화하는 기판 처리 장치 및 방법을 제공할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, a substrate processing apparatus and method for minimizing an edge hump can be provided.

본 발명의 효과가 상술한 효과들로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 아니한 효과들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확히 이해될 수 있을 것이다.The effects of the present invention are not limited to the above-mentioned effects, and the effects not mentioned can be clearly understood by those skilled in the art from the present specification and attached drawings.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치의 단면도이다.
도 2는 도 1의 지지 유닛을 보여주는 도면이다.
도 3 내지 도 7은 도 1의 기판 처리 장치를 이용하여 기판을 처리하는 과정을 순차적으로 보여주는 도면이다.
도 8은 도 7의 A 부분의 확대도이다.
도 9는 속도들의 값과 크기를 보여주는 그래프이다. 1 is a cross-sectional view of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
Figure 2 is a view showing the support unit of Figure 1;
FIGS. 3 to 7 are views sequentially illustrating a process of processing a substrate using the substrate processing apparatus of FIG. 1. FIG.
8 is an enlarged view of a portion A in Fig.
9 is a graph showing values and magnitudes of velocities.

본 명세서에 기재된 실시예는 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 본 발명의 사상을 명확히 설명하기 위한 것이므로, 본 발명이 본 명세서에 기재된 실시예에 의해 한정되는 것은 아니며, 본 발명의 범위는 본 발명의 사상을 벗어나지 아니하는 수정예 또는 변형예를 포함하는 것으로 해석되어야 한다. 또한, 본 명세서에서 사용되는 용어와 첨부된 도면은 본 발명을 용이하게 설명하기 위한 것이므로, 본 발명이 본 명세서에서 사용되는 용어와 첨부된 도면에 의해 한정되는 것은 아니다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지의 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략한다.It is to be understood that both the foregoing general description and the following detailed description are exemplary and explanatory and are intended to be illustrative of the present invention and not to limit the scope of the invention. Should be interpreted to include modifications or variations that do not depart from the spirit of the invention. In addition, the terms used in the present specification and the accompanying drawings are for explaining the present invention easily, and thus the present invention is not limited by the terms used in the present specification and the accompanying drawings. DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The present invention will now be described more fully with reference to the accompanying drawings, in which exemplary embodiments of the invention are shown.

본 실시예에서 기판(S)은 반도체 칩 제조에 사용되는 웨이퍼(W)를 예로 들어 설명한다. 그러나 이와 달리, 대체로 원판 형상으로 제공된 다양한 종류의 기판일 수 있다.In the present embodiment, the substrate S is described taking the wafer W used for manufacturing semiconductor chips as an example. Alternatively, however, it may be various types of substrates provided in a generally disc shape.

아래에서는 처리액을 이용하여 기판을 세정하는 기판 처리 장치의 일 예를 설명한다.An example of a substrate processing apparatus for cleaning a substrate using a process liquid will be described below.

도 1은 기판 처리 장치의 일 실시예에 관한 단면도이다. 기판 처리 장치(300)는 하우징(305), 지지 유닛(310), 용기(320), 승강 유닛(330), 노즐 유닛(340), 제거액 유닛(350), 그리고 제어기(360)를 포함한다.1 is a cross-sectional view of an embodiment of a substrate processing apparatus. The substrate processing apparatus 300 includes a housing 305, a support unit 310, a container 320, a lift unit 330, a nozzle unit 340, a removal liquid unit 350, and a controller 360.

하우징(305)은 공정이 처리되는 공간을 제공한다. The housing 305 provides the space in which the process is to be processed.

도 2는 지지 유닛(310)을 측면에서 바라본 도면이다. 지지 유닛(310)은 하우징(305) 내에 배치된다. 지지 유닛(310)은 기판(W)을 지지한다. 지지 유닛(310)는 지지 플레이트(311), 스핀들(spindle)(312) 그리고 회전 부재(313)를 갖는다. Fig. 2 is a side view of the support unit 310. Fig. The support unit 310 is disposed within the housing 305. The support unit 310 supports the substrate W. [ The support unit 310 has a support plate 311, a spindle 312, and a rotating member 313.

지지 플레이트(311)는 하우징(305) 내에 배치된다. 지지 플레이트(311)는 기판(W)을 지지한다. 지지 플레이트(311)는 기판(W)을 흡착시킬 수 있다. 기판(W)의 반경은 지지 플레이트(311)의 반경보다 클 수 있다. 따라서, 도 1과 같이, 기판(W)의 측부는 지지 플레이트(311)의 외부에 위치된다. 지지 플레이트(311)는 용기(320)의 안쪽 공간에 배치된다. The support plate 311 is disposed in the housing 305. The support plate 311 supports the substrate W. The support plate 311 can adsorb the substrate W. The radius of the substrate W may be larger than the radius of the support plate 311. [ 1, the side of the substrate W is located outside the support plate 311. [ The support plate 311 is disposed in an inner space of the container 320.

스핀들(312)은 지지 플레이트(311)의 하부 중앙에 결합된다. 스핀들(312)은 그 내부가 비어 있는 중공 축(hollow shaft) 형태이다. 스핀들(312)은 회전 부재(313)의 회전력을 지지 플레이트(311)에 전달한다. 상세하게 도시하지는 않았지만, 회전 부재(313)는 회전력을 발생하는 모터와 같은 구동부와, 구동부로부터 발생된 회전력을 스핀들로 전달하는 벨트, 체인과 같은 동력 전달부 등의 통상적인 구성으로 이루어질 수 있다.The spindle 312 is coupled to the lower center of the support plate 311. The spindle 312 is in the form of a hollow shaft with an empty interior. The spindle 312 transmits the rotating force of the rotating member 313 to the support plate 311. [ Although not shown in detail, the rotary member 313 may have a conventional configuration such as a driving unit such as a motor generating a rotational force, and a power transmitting unit such as a belt or a chain for transmitting rotational force generated from the driving unit to a spindle.

용기(320)는 지지 플레이트(311) 주변을 감싸고, 상부가 개방된 형상을 가진다. 용기(320)는 공정에 사용된 약액들을 분리하여 회수할 수 있는 구조를 가진다. 이는 처리액들의 재사용이 가능하게 한다. 용기(320)는 복수의 회수통들(3210, 3230)을 가진다. 각각의 회수통(3210, 3230)은 공정에 사용된 처리액들 중 서로 상이한 종류의 처리액을 회수한다. 본 실시 예에서 용기(320)는 2개의 회수통들(3210, 3230)을 가진다. 각각의 회수통들을 내부 회수통(3210), 그리고 외부 회수통(3230)이라 칭한다. 이와 달리, 회수통은 2개가 아닌 복수 개로 제공될 수 있다. 선택적으로, 회수통은 단일의 회수통으로 제공될 수 있다.The container 320 surrounds the support plate 311 and has an open top. The container 320 has a structure capable of separating and recovering the chemical liquid used in the process. This makes it possible to reuse the treatment liquids. The container 320 has a plurality of collection bins 3210 and 3230. Each of the recovery cylinders 3210 and 3230 recovers the different kinds of the treatment liquids used in the process. In this embodiment, the container 320 has two collection containers 3210 and 3230. Each of the recovery cylinders is referred to as an inner recovery cylinder 3210 and an outer recovery cylinder 3230. Alternatively, a plurality of recovery cylinders may be provided instead of two. Alternatively, the recovery can be provided in a single recovery can.

내부 회수통(321)은 지지 플레이트(311)를 감싸는 환형의 링 형상으로 제공된다. 외부 회수통(323)은 내부 회수통(321)을 감싸는 환형의 링 형상으로 제공된다. 각각의 회수통(321, 323)은 용기(320) 내에서 용기 내 공간(32)과 통하는 유입구(321a, 323a)를 가진다. 각각의 유입구(321a, 323a)는 지지 플레이트(311)의 둘레에 링 형상으로 제공된다. 기판(w)으로 분사되어 공정에 사용된 약액들은 기판(w)의 회전으로 인한 원심력에 의해 유입구(321a, 323a)를 통해 회수통(321, 323)으로 유입된다. 내부 회수통(321), 그리고 외부 회수통(323)의 유입구(321a, 323a)들은 서로 간에 높이가 상이하도록 제공된다.The inner recovery cylinder 321 is provided in an annular ring shape surrounding the support plate 311. The external recovery cylinder 323 is provided in the form of an annular ring surrounding the internal recovery cylinder 321. Each of the recovery bottles 321 and 323 has inlets 321a and 323a communicating with the in-container space 32 in the container 320. [ Each of the inlets 321a and 323a is provided in the form of a ring around the support plate 311. The chemical liquids injected into the substrate w and used in the process are introduced into the recovery tubes 321 and 323 through the inlets 321a and 323a by the centrifugal force due to the rotation of the substrate w. The inner recovery cylinder 321 and the inflow ports 321a and 323a of the outer recovery cylinder 323 are provided so as to be different in height from each other.

내부 회수통(321), 그리고 외부 회수통(323) 각각에는 처리액을 배출하는 배출관(321b, 323b)과 흄을 포함하는 기체를 배기하는 배기관(329)이 결합된다. Exhaust pipes 321b and 323b for discharging the process liquid and an exhaust pipe 329 for exhausting the gas containing fumes are respectively connected to the internal recovery cylinder 321 and the external recovery cylinder 323.

승강 유닛(330)은 용기(320)를 상하 방향으로 직선 이동시킨다. 용기(320)가 상하로 이동됨에 따라, 지지 플레이트(311)에 대한 용기(320)의 상대 높이가 변경된다. 승강 유닛(330)은 브라켓(331), 이동 축(332), 그리고 구동기(333)를 가진다. 브라켓(331)은 용기(320)의 외벽에 고정설치되고, 브라켓(331)에는 구동기(333)에 의해 상하방향으로 이동되는 이동 축(332)이 고정결합된다. 기판(w)이 지지 플레이트(311)에 놓이거나, 지지 플레이트(311)로부터 들어올릴 때 지지 플레이트(311)가 용기(320)의 상부로 돌출되도록 용기(320)는 하강한다. 또한, 공정이 진행시에는 기판(W)에 공급된 처리액의 종류에 따라 처리액이 기설정된 회수통(321, 323)으로 유입될 수 있도록 용기(320)의 높이가 조절한다. 상술한 바와 반대로, 승강 유닛(330)은 지지 플레이트(311)를 상하 방향으로 이동시킬 수 있다. The elevating unit 330 linearly moves the container 320 up and down. As the container 320 is moved up and down, the relative height of the container 320 to the support plate 311 is changed. The elevating unit 330 has a bracket 331, a moving shaft 332, and a driving unit 333. The bracket 331 is fixed to the outer wall of the container 320 and a moving shaft 332 is vertically movably coupled to the bracket 331 by a driver 333. The container 320 is lowered so that the support plate 311 protrudes to the upper portion of the container 320 when the substrate w is placed on the support plate 311 or lifted from the support plate 311. [ In addition, the height of the container 320 is adjusted so that the process liquid may flow into the predetermined recovery containers 321 and 323 depending on the type of the process liquid supplied to the substrate W. The elevating unit 330 can move the supporting plate 311 in the up and down direction.

노즐 유닛(340)은 지지 유닛(310)의 일측에 제공된다. 노즐 유닛(340)은 지지 유닛(310)에 놓인 기판(W) 상으로 케미컬을 공급한다. 노즐 유닛(340)은 노즐(341), 노즐 암(342), 노즐 지지축(343), 그리고 노즐 구동기(344)를 포함한다. 노즐(341)은 기판(W)의 중앙면 상부에 위치한다. 노즐(341)은 케미컬을 분사한다. 일 예로, 케미컬은 포토 레지스트일 수 있다. 이와 달리, 케미컬은 하이브리드 박막을 형성하기 위한 케미컬일 수 있다. 일 예로, 케미컬은 hybrid SOH일 수 있다. 또한, 케미컬은 carbon SOH일 수 있다. 이와 달리, 케미컬은 Si-OH일 수 있다. 또한, 다른 예로, 케미컬은 하이드로겐-싸이오퍼옥사이드(H-SOH, hydrogen thioperoxie)일 수 있다. 노즐(341)은 노즐 암(342)에 연결된다. 노즐 암(342)은 노즐 지지축(343)과 수직하게 결합된다. 노즐 지지축(343)의 하부에는 노즐 구동기(344)가 결합된다. 노즐 구동기(344)는 노즐(341)을 이동시킬 수 있다. The nozzle unit 340 is provided on one side of the support unit 310. The nozzle unit 340 supplies the chemical onto the substrate W placed on the support unit 310. The nozzle unit 340 includes a nozzle 341, a nozzle arm 342, a nozzle support shaft 343, and a nozzle driver 344. The nozzle 341 is located above the center surface of the substrate W. The nozzle 341 injects the chemical. As an example, the chemical may be a photoresist. Alternatively, the chemical may be a chemical for forming a hybrid thin film. As an example, the chemical may be a hybrid SOH. Also, the chemical may be carbon SOH. Alternatively, the chemical may be Si-OH. Also, as another example, the chemical may be hydrogen-thiooperoxide (H-SOH). The nozzle 341 is connected to the nozzle arm 342. The nozzle arm 342 is vertically coupled to the nozzle support shaft 343. A nozzle driver 344 is coupled to the lower portion of the nozzle support shaft 343. The nozzle driver 344 can move the nozzle 341. [

제거액 유닛(350)은 지지 유닛(310)의 일측에 제공된다. 제거액 유닛(350)은 제거액 노즐(351), 제거액 노즐 암(352), 제거액 노즐 지지축(353), 그리고 제거액 노즐 구동기(354)를 포함한다. 제거액 유닛(350)은 지지 유닛(310)에 놓인 기판(W)의 가장자리 영역으로 제거액을 공급한다. 제거액 노즐(351)은 기판(W)의 가장자리 영역의 상부에 위치한다. 제거액 노즐(351)은 제거액을 분사한다. 제거액은 케미컬을 제거한다. 일 예로, 제거액은 시너(thinner)일 수 있다. 이와 달리, 케미컬은 하이브리드 박막을 형성하기 위한 케미컬을 제거하는 제거액일 수 있다. 제거액 노즐(351)의 토출구는 기판(W)에 수직한 면에 대해 각도 조절이 가능하게 제공될 수 있다. 또한, 제거액의 유량에 따라 제거액 노즐(351)의 토출구는 기판(W)으로부터의 거리가 조절될 수 있다. 제거액 노즐(351)은 제거액 노즐 암(352)에 연결된다. 제거액 노즐 암(352)은 제거액 노즐 지지축(353)과 수직하게 결합된다. 제거액 노즐 지지축(353)의 하부에는 제거액 노즐 구동기(354)가 결합된다. 제거액 노즐 구동기(354)는 제거액 노즐(351)을 이동시킬 수 있다. 선택적으로, 제거액 유닛(350)은 기판(W)의 가장자리 영역에 복수 개 제공될 수 있다. 일 예로, 도 2와 같이, 제거액 유닛(350)은 기판(W)의 양 가장자리 영역에 제공될 수 있다. The removal liquid unit 350 is provided at one side of the support unit 310. The remover liquid unit 350 includes a remover liquid nozzle 351, a remover liquid nozzle arm 352, a remover liquid nozzle support shaft 353, and a remover liquid nozzle driver 354. The removal liquid unit 350 supplies the removal liquid to the edge region of the substrate W placed on the support unit 310. The removal liquid nozzle 351 is located above the edge region of the substrate W. The removing liquid nozzle 351 ejects the removing liquid. The remover removes the chemical. In one example, the removal liquid may be a thinner. Alternatively, the chemical may be a remover to remove the chemical to form the hybrid thin film. The discharge port of the removing liquid nozzle 351 may be provided so as to be adjustable in angle with respect to a plane perpendicular to the substrate W. [ Further, the distance of the discharge port of the remover liquid nozzle 351 from the substrate W can be adjusted depending on the flow rate of the remover liquid. The removing liquid nozzle 351 is connected to the removing liquid nozzle arm 352. The eliminator nozzle arm 352 is vertically coupled to the eliminator nozzle support shaft 353. A remover nozzle driver 354 is coupled to the lower portion of the remover nozzle support shaft 353. The eliminator nozzle driver 354 can move the eliminator nozzle 351. Alternatively, a plurality of the removal liquid units 350 may be provided in the edge region of the substrate W. [ For example, as shown in FIG. 2, a removal liquid unit 350 may be provided at both edge regions of the substrate W.

제어기(360)는 지지 유닛(310), 노즐 유닛(340), 그리고 제거액 유닛(350)을 제어한다. 제어기(360)는 지지 유닛(310)의 회전 속도에 따라, 노즐 유닛(340) 및 제거액 유닛(350)의 도포 여부를 제어한다.The controller 360 controls the support unit 310, the nozzle unit 340, and the remover solution unit 350. The controller 360 controls whether or not the nozzle unit 340 and the remover solution unit 350 are applied according to the rotation speed of the support unit 310. [

이하, 도 3 내지 도 9를 이용하여 기판을 처리하는 과정을 설명한다. 도 3 내지 도 7은 도 1의 기판 처리 장치가 기판을 처리하는 과정을 순차적으로 보여주는 도면이다. 도 8은 도 7의 A의 확대도이다. 도 9는 속도값들의 크기를 비교하는 그래프이다. 처음에, 케미컬 도포 단계가 이루어진다. 제어기(360)는 지지 유닛(310)을 제 1 속도(V1)로 회전시키고, 지지 유닛(310) 상의 기판(W)에 케미컬을 공급한다. 이 때, 기판(W)에 케미컬이 도포된다. 이후에, 평탄화 단계가 진행된다. 제어기(360)는 노즐 유닛(340)의 케미컬 공급을 중단하고, 기판(W)을 제 2 속도(V2)로 회전시킨다. 이 때, 기판(W) 상에서 케미컬이 확산되어 평탄화된다. 평탄화 단계가 완료되면, 솔벤트/비드 제거 단계가 진행된다. 솔벤트/비드 제거 단계에서는, 제어기(360)가 기판(W)을 제 3 속도(V3)로 회전시킨다. 이와 동시에, 제어기(360)는 제거액 유닛(350)을 기판(W)의 가장자리 영역에 제거액을 공급하도록 제어한다. 이에 따라, 기판(W) 상에 도포된 케미컬에서 솔벤트가 제거되고, 기판(W)의 가장자리 영역에서 케미컬이 제거된다. 솔벤트 제거와 비드 제거가 동시에 이루어짐으로써, 케미컬의 용해도를 높일 수 있다. 따라서, 솔벤트/비드 제거 단계가 완료되면, 도 8과 같이, 에지 험프(edge hump)의 생성을 최소화할 수 있다. 일반적으로 솔벤트 제거 단계와 비드 제거 단계가 순차적으로 이루어질 경우, 에지 험프(edge hump)의 높이(h)는 약 0.8um 내지 약 1.5um 사이의 높이로 생성된다. 반면에, 이와 같이, 솔벤트 제거와 비드 제거가 동시에 이루어질 경우, 에지 험프(edge hump)의 높이(h)는 약 0.2um 내지 약 0.6um의 높이로 생성된다. 솔벤트/비드 제거 단계 후에, 건조 단계가 진행될 수 있다. 제어기(360)는 기판(W)을 제 4 속도(V4)로 회전시켜, 기판(W)이 건조될 수 있다. 제 3 속도(V3), 제 4 속도(V4), 제 1 속도(V1), 그리고 제 2 속도(V2)는 순차적으로 작게 제공된다. 일 예로, 제 3 속도(V3)는 약 2000~2200rpm, 제 4 속도(V4)는 약 1900~2100rpm, 제 1 속도(V1)는 약 1400~1600rpm, 그리고 제 2 속도(V2)는 약 50~150rpm일 수 있다. 도 9를 참조하면, 제 3 속도(V3)는 약 2100rpm, 제 4 속도(V4)는 약 2000rpm, 제 1 속도(V1)는 약 1500rpm, 그리고 제 2 속도(V2)는 약 100rpm일 수 있다. 에지 험프(edge hump)의 양이 최소화됨으로써, 케미컬이 포토 레지스트인 경우, 에지 험프(edge hump)가 노광 공정 시에 주는 영향을 최소화할 수 있다. 또한, 케미컬이 박막 형성용 케미컬인 경우, 화학적 기계적 연마(Chemical Mechanical Polishing)와 같은 물리적 방법 뿐 아니라, 화학적 방법으로 평탄화 과정이 가능하다. Hereinafter, the process of processing the substrate will be described with reference to FIGS. 3 to 9. FIG. FIGS. 3 to 7 are views sequentially illustrating a process of processing substrates by the substrate processing apparatus of FIG. 1. FIG. 8 is an enlarged view of FIG. 7A. 9 is a graph comparing magnitudes of velocity values. Initially, a chemical application step is performed. The controller 360 rotates the support unit 310 at the first speed V 1 and supplies the chemical to the substrate W on the support unit 310. At this time, the substrate W is coated with a chemical. Thereafter, the planarization step proceeds. The controller 360 stops the chemical supply of the nozzle unit 340 and rotates the substrate W at the second speed V 2 . At this time, the chemical is diffused and flattened on the substrate W. When the leveling step is complete, the solvent / bead removal step proceeds. In the solvent / bead removal step, the controller 360 rotates the substrate W at the third speed V 3 . At the same time, the controller 360 controls the removal liquid unit 350 to supply the removal liquid to the edge region of the substrate W. As a result, the solvent is removed from the chemical applied on the substrate W, and the chemical is removed from the edge region of the substrate W. Solvent removal and bead removal at the same time can increase the solubility of the chemical. Thus, once the solvent / bead removal step is completed, the generation of an edge hump can be minimized, as shown in FIG. Generally, when the solvent removal step and the bead removal step are performed sequentially, the height h of the edge hump is generated to a height between about 0.8 um and about 1.5 um. On the other hand, if solvent removal and bead removal are performed simultaneously, then the height h of the edge hump is produced to a height of about 0.2 um to about 0.6 um. After the solvent / bead removal step, the drying step may proceed. Controller 360 to rotate the substrate (W) to a fourth speed (V 4), can be a dried substrate (W). The third speed V 3 , the fourth speed V 4 , the first speed V 1 , and the second speed V 2 are successively smaller. For example, the third speed (V 3) is about 2000 ~ 2200rpm, the fourth speed (V 4) is about 1900 ~ 2100rpm, the first speed (V 1) is approximately 1400 ~ 1600rpm, and the second speed (V 2) May be about 50 to 150 rpm. Referring to FIG. 9, the third speed V 3 is about 2100 rpm, the fourth speed V 4 is about 2000 rpm, the first speed V 1 is about 1500 rpm, and the second speed V 2 is about 100 rpm Lt; / RTI > By minimizing the amount of edge hump, it is possible to minimize the effect of the edge hump on the exposure process when the chemical is photoresist. In addition, when the chemical is a chemical for forming a thin film, it is possible to perform a planarization process by a chemical method as well as a physical method such as chemical mechanical polishing.

이상에서는 노즐(340)이 도포 공정을 수행하는 노즐인 것으로 설명하였으나, 이와 달리 다른 공정을 수행하는 모듈일 수 있다. 또한, 노즐(340)이 지지 플레이트(311)의 중앙면 상부에 제공되는 것으로 것으로 설명하였으나, 선택적으로, 노즐(340)은 지지 플레이트(311)에 대해 다른 위치에 제공될 수 있다. 또한, 노즐(340)이 복수 개 제공되는 경우, 각각의 노즐(340)의 토출구의 크기 또는 분사량이 상이하게 제공될 수 있다. 또한, 이와 달리, 노즐 유닛(340)과 제거액 유닛(350)은 하나의 몸체에 제공될 수 있다. In the above description, the nozzle 340 is a nozzle for performing a coating process, but the nozzle 340 may be a module for performing another process. The nozzle 340 may be provided at a different position with respect to the support plate 311, although it is described that the nozzle 340 is provided above the center surface of the support plate 311. Further, when a plurality of nozzles 340 are provided, the size or the injection amount of the ejection openings of the respective nozzles 340 may be provided differently. Alternatively, the nozzle unit 340 and the remover liquid unit 350 may be provided in one body.

상술한 본 발명에 따른 기판처리방법에 있어서, 각 실시예를 구성하는 단계는 필수적인 것은 아니며, 따라서 각 실시예는 상술한 단계를 선택적으로 포함할 수 있다. 나아가, 각 실시예들은 서로 개별적으로 또는 조합되어 이용될 수 있으며, 각 실시예를 구성하는 단계들도 다른 실시예를 구성하는 단계들과 개별적으로 또는 조합되어 이용될 수 있다.In the substrate processing method according to the present invention described above, the steps constituting the respective embodiments are not essential, and therefore, each embodiment can selectively include the above-described steps. Furthermore, the embodiments may be used individually or in combination, and the steps constituting each embodiment may be used separately or in combination with the steps constituting the other embodiments.

또한, 본 발명에 따른 기판처리방법은, 이를 수행하는 코드 또는 프로그램의 형태로 컴퓨터 판독 가능 기록매체에 저장될 수 있다.Further, the substrate processing method according to the present invention can be stored in a computer-readable recording medium in the form of a code or a program for performing the processing.

이상에서 설명한 본 발명은, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 있어 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 수정, 치환 및 변형이 가능하므로 상술한 실시예 및 첨부된 도면에 의해 한정되는 것이 아니다. 또한, 본 명세서에서 설명된 실시예들은 한정되게 적용될 수 있는 것이 아니라, 다양한 변형이 이루어질 수 있도록 각 실시예들의 전부 또는 일부가 선택적으로 조합되어 구성될 수도 있다.It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the spirit or scope of the invention. The present invention is not limited to the drawings. In addition, the embodiments described herein are not limited to be applied, and all or some of the embodiments may be selectively combined so that various modifications can be made.

300 : 기판 처리 장치 305: 하우징
310 : 지지 유닛 311 : 지지 플레이트
320 : 용기 340 : 노즐 유닛
341 : 노즐 350 : 제거액 유닛
351 : 제거액 노즐 360 : 제어기300: substrate processing apparatus 305: housing
310: support unit 311: support plate
320: container 340: nozzle unit
341: nozzle 350:
351: removing liquid nozzle 360:

Claims (12)

기판을 처리하는 장치에 있어서,
하우징;
상기 하우징 내에 배치되고 기판을 지지 및 회전시키는 지지 유닛;
상기 지지 유닛 상에 놓인 상기 기판 상으로 케미컬을 공급하는 노즐 유닛;
상기 지지 유닛 상에 놓인 상기 기판의 가장자리 영역으로 상기 케미컬을 제거하는 제거액을 공급하는 제거액 유닛;
상기 지지 유닛, 상기 노즐 유닛, 그리고 상기 제거액 유닛을 제어하는 제어기를 포함하되,
상기 제어기는,
상기 노즐 유닛으로 상기 케미컬을 공급할 때 상기 지지 유닛을 제 1 속도로 회전시켜 상기 기판 상에 상기 케미컬을 도포하고, 상기 케미컬 공급 후에 상기 지지 유닛을 제 2 속도로 회전시켜 상기 케미컬을 상기 기판 상에 확산 및 평탄화시킨 후, 상기 지지 유닛을 제 3 속도로 회전시키며 상기 기판 상에 도포된 상기 케미컬에서 솔벤트를 제거하고, 이와 동시에 상기 제거액을 공급하여 상기 기판의 상기 가장자리 영역에서 상기 케미컬을 제거하도록 제어하되,
상기 제어기는 상기 지지 유닛을 상기 제3 속도로 회전시킨 후에 제4 속도로 회전시켜 상기 기판이 건조되도록 제어하는 기판 처리 장치.An apparatus for processing a substrate,
housing;
A support unit disposed in the housing and supporting and rotating the substrate;
A nozzle unit for supplying a chemical onto the substrate placed on the support unit;
A removing liquid unit for supplying a removing liquid for removing the chemical to an edge region of the substrate placed on the supporting unit;
And a controller for controlling the support unit, the nozzle unit, and the remover solution unit,
The controller comprising:
Wherein the support unit is rotated at a first speed to apply the chemical on the substrate when the chemical is supplied to the nozzle unit, and after the chemical supply, the support unit is rotated at a second speed to rotate the chemical on the substrate The substrate is rotated at a third speed and solvent is removed from the applied chemical on the substrate while at the same time the removal liquid is supplied to remove the chemical from the edge region of the substrate after diffusion and planarization, However,
Wherein the controller rotates the support unit at the third speed and then rotates at the fourth speed to control the substrate to be dried. 기판을 처리하는 장치에 있어서,
하우징;
상기 하우징 내에 배치되고 기판을 지지 및 회전시키는 지지 유닛;
상기 지지 유닛 상에 놓인 상기 기판 상으로 케미컬을 공급하는 노즐 유닛;
상기 지지 유닛 상에 놓인 상기 기판의 가장자리 영역으로 상기 케미컬을 제거하는 제거액을 공급하는 제거액 유닛;
상기 지지 유닛, 상기 노즐 유닛, 그리고 상기 제거액 유닛을 제어하는 제어기를 포함하되,
상기 제어기는,
상기 노즐 유닛으로 상기 케미컬을 공급할 때 상기 지지 유닛을 제 1 속도로 회전시켜 상기 기판 상에 상기 케미컬을 도포하고, 상기 케미컬 공급 후에 상기 지지 유닛을 제 2 속도로 회전시켜 상기 케미컬을 상기 기판 상에 확산 및 평탄화시킨 후, 상기 지지 유닛을 제 3 속도로 회전시키며 상기 기판 상에 도포된 상기 케미컬에서 솔벤트를 제거하고, 이와 동시에 상기 제거액을 공급하여 상기 기판의 상기 가장자리 영역에서 상기 케미컬을 제거하도록 제어하되,
상기 제어기는 상기 제1 속도를 상기 제2 속도보다 크고 상기 제2 속도보다 작도록 제어하는 기판 처리 장치.An apparatus for processing a substrate,
housing;
A support unit disposed in the housing and supporting and rotating the substrate;
A nozzle unit for supplying a chemical onto the substrate placed on the support unit;
A removing liquid unit for supplying a removing liquid for removing the chemical to an edge region of the substrate placed on the supporting unit;
And a controller for controlling the support unit, the nozzle unit, and the remover solution unit,
The controller comprising:
Wherein the support unit is rotated at a first speed to apply the chemical on the substrate when the chemical is supplied to the nozzle unit, and after the chemical supply, the support unit is rotated at a second speed to rotate the chemical on the substrate The substrate is rotated at a third speed and solvent is removed from the applied chemical on the substrate while at the same time the removal liquid is supplied to remove the chemical from the edge region of the substrate after diffusion and planarization, However,
Wherein the controller controls the first speed to be larger than the second speed and smaller than the second speed. 제2항에 있어서,
상기 제어기는, 상기 지지 유닛을 상기 제 3 속도로 회전시킨 후에 제 4 속도로 회전시켜 상기 기판이 건조되도록 제어하는 기판 처리 장치.3. The method of claim 2,
Wherein the controller controls the substrate to be dried by rotating the support unit at the fourth speed after rotating the support unit at the third speed. 제 3 항에 있어서,
상기 제어기는, 상기 제 4 속도가 상기 제 3 속도보다 작도록 제어하는 기판 처리 장치.The method of claim 3,
Wherein the controller controls the fourth speed to be smaller than the third speed. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 케미컬은 감광액인 기판 처리 장치.5. The method according to any one of claims 1 to 4,
Wherein the chemical is a photosensitive liquid. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 케미컬은 하이브리드 박막 형성용 케미컬인 기판 처리 장치.5. The method according to any one of claims 1 to 4,
Wherein the chemical is a chemical for forming a hybrid thin film. 기판을 처리하는 방법에 있어서,
기판을 제 1 속도로 회전시키고, 상기 기판에 케미컬을 공급하여 상기 기판 상에 상기 케미컬을 도포하는 케미컬 도포 단계와;
상기 케미컬의 공급을 중단하고 상기 기판을 제 2 속도로 회전시켜 상기 케미컬을 상기 기판 상에서 확산 및 평탄화시키는 평탄화 단계와;
상기 기판을 제 3 속도로 회전시켜 상기 기판 상에 도포된 상기 케미컬에서 솔벤트를 제거하고, 이와 동시에 상기 기판의 가장자리 영역에 제거액을 공급하여 상기 기판의 상기 가장자리 영역에서 상기 케미컬을 제거하는 솔벤트/비드 제거 단계와;
상기 기판을 제4 속도로 회전시켜 건조시키는 건조 단계를 포함하는 기판 처리 방법.A method of processing a substrate,
A chemical application step of rotating the substrate at a first speed and applying the chemical to the substrate to apply the chemical onto the substrate;
A planarizing step of stopping the supply of the chemical and rotating the substrate at a second speed to spread and planarize the chemical on the substrate;
Wherein the substrate is rotated at a third speed to remove solvent from the chemical applied on the substrate while at the same time supplying a remover to an edge region of the substrate to remove the chemical from the edge region of the substrate, Removing step;
And rotating the substrate at a fourth speed to dry the substrate. 기판을 처리하는 방법에 있어서,
기판을 제 1 속도로 회전시키고, 상기 기판에 케미컬을 공급하여 상기 기판 상에 상기 케미컬을 도포하는 케미컬 도포 단계와;
상기 케미컬의 공급을 중단하고 상기 기판을 제 2 속도로 회전시켜 상기 케미컬을 상기 기판 상에서 확산 및 평탄화시키는 평탄화 단계와;
상기 기판을 제 3 속도로 회전시켜 상기 기판 상에 도포된 상기 케미컬에서 솔벤트를 제거하고, 이와 동시에 상기 기판의 가장자리 영역에 제거액을 공급하여 상기 기판의 상기 가장자리 영역에서 상기 케미컬을 제거하는 솔벤트/비드 제거 단계를 포함하되,
상기 제1 속도는 상기 제2 속도보다 크고, 상기 제3 속도보다 작은 기판 처리 방법.A method of processing a substrate,
A chemical application step of rotating the substrate at a first speed and applying the chemical to the substrate to apply the chemical onto the substrate;
A planarizing step of stopping the supply of the chemical and rotating the substrate at a second speed to spread and planarize the chemical on the substrate;
Wherein the substrate is rotated at a third speed to remove solvent from the chemical applied on the substrate while at the same time supplying a remover to an edge region of the substrate to remove the chemical from the edge region of the substrate, Removing step,
Wherein the first speed is greater than the second speed and less than the third speed. 제 8 항에 있어서,
상기 기판 처리 방법은 상기 솔벤트/비드 제거 단계 후에,
상기 기판을 제 4 속도로 회전시켜 건조시키는 건조 단계를 더 포함하는 기판 처리 방법.9. The method of claim 8,
The substrate processing method, after the solvent / bead removal step,
And drying the substrate by rotating the substrate at a fourth speed. 제 9 항에 있어서,
상기 제 4 속도는 상기 제 3 속도보다 작은 기판 처리 방법.10. The method of claim 9,
Wherein the fourth speed is less than the third speed. 제7항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 케미컬은 감광액인 기판 처리 방법.11. The method according to any one of claims 7 to 10,
Wherein the chemical is a photosensitive liquid. 제7항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 케미컬은 하이브리드 박막 형성용 케미컬인 기판 처리 방법.

11. The method according to any one of claims 7 to 10,
Wherein the chemical is a chemical for forming a hybrid thin film.

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