KR102137454B1 - 오버레이 오차 계측 장치, 및 컴퓨터 프로그램 - Google Patents
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Abstract
Description
도 2는 오버레이 오차 계측 장치의 개요를 나타내는 블록도.
도 3은 오버레이 오차 계측 조건을 설정하는 GUI 화면의 일례를 나타내는 도면.
도 4는 다층 구조를 갖는 반도체 디바이스의 일부와, 그 SEM 화상의 일례를 나타내는 도면.
도 5는 오버레이 오차 계측에 제공되는 기준 화상에, 경계 탐색의 기준으로 되는 템플릿부를 설정한 예를 나타내는 도면.
도 6은 오버레이 오차 계측에 제공되는 기준 화상과 피계측 화상의 일례를 나타내는 도면.
도 7은 경계 탐색에 의거하여, 패턴의 식별 처리를 행한 화상의 일례를 나타내는 도면.
도 8은 경계 탐색의 기점으로 되는 템플릿을 겹쳐 설정한 예를 나타내는 도면.
도 9는 템플릿 설정에 의거하여 패턴 식별된 화상의 일례를 나타내는 도면.
도 10은 주사 전자 현미경 시스템의 일례를 나타내는 도면.
도 11은 주사 전자 현미경의 일례를 나타내는 도면.
Claims (8)
- 화상 데이터에 포함되는 다른 레이어에 속하는 복수의 패턴 간의 오버레이 오차를 계측하는 시스템으로서,
검출기, 빔 소스, 및 빔 소스로부터 방출된 빔을 집속하는 렌즈를 포함하고, 상기 오버레이 오차 계측에 제공하는 화상을 취득하도록 구성된 이미징 도구와,
화상 내에서, 제1 레이어에 속하는 휘도가 다른 복수의 영역을 지정하도록 구성된 입력 장치와,
메모리에 기억된 프로그램 지시를 실행하도록 구성된 프로세서를 포함하는 컴퓨터 시스템을 구비하고,
상기 프로그램 지시는, 상기 프로세서에게,
상기 이미징 도구로부터 오버레이 오차 계측의 대상이 되는 화상을 수취시키고,
당해 수취된 화상에 대하여, 상기 입력 장치로부터 지정된 복수의 영역에 대한 경계 탐색을 실행시키고,
상기 복수의 영역에 대하여 탐색된 경계에 의해 정의되는 제1 패턴과, 상기 제1 레이어와는 다른 제2 레이어의 제2 패턴의 사이에서 오버레이 오차 측정을 행하게 하는, 시스템. - 제1항에 있어서,
기준 화상과 피계측 화상을 사용해서 오버레이 계측을 행하는 것을 특징으로 하는 시스템. - 제2항에 있어서,
상기 제1 패턴이 식별된 기준 화상과, 상기 제1 패턴이 식별된 피계측 화상과의 사이의 제1 위치 어긋남 정보와, 상기 제1 패턴 이외의 영역 혹은 제1 패턴 이외의 제2 패턴이 식별된 기준 화상과, 상기 제1 패턴 이외의 영역 혹은 제1 패턴 이외의 제2 패턴이 식별된 피계측 화상과의 사이의 제2 위치 어긋남 정보에 의거하여, 상기 오버레이 오차를 구하는 것을 특징으로 하는 시스템. - 제3항에 있어서,
상기 제1 위치 어긋남 정보와 상기 제2 위치 어긋남 정보의 차분 연산에 의거하여, 상기 오버레이 오차를 구하는 것을 특징으로 하는 시스템. - 제1항에 있어서,
상기 입력 장치에 의해 지정된 영역을 기점으로 해서, 경계 검색을 행하고, 당해 경계 검색에 의거하여 상기 제1 패턴을 식별하는 것을 특징으로 하는 시스템. - 제5항에 있어서,
미리 기준 화상과 함께 기억된 상기 경계 검색의 기점 정보에 의거하여, 피계측 화상에 대해, 상기 경계 검색을 실행하는 것을 특징으로 하는 시스템. - 제6항에 있어서,
상기 기준 화상과 상기 피계측 화상과의 사이에서 위치 맞춤을 행하고, 당해 위치 맞춤에 의거하여, 상기 피계측 화상에 상기 기점을 설정하는 것을 특징으로 하는 시스템. - 컴퓨터가, 화상 데이터에 포함되는 다른 레이어에 속하는 복수의 패턴 간의 오버레이 오차를 계측하도록 하기 위한 컴퓨터 프로그램 명령을 저장한 컴퓨터 판독가능 저장 매체로서,
상기 명령은,
검출기, 빔 소스 및 빔 소스로부터 방출된 빔을 집속하는 렌즈를 포함하고 상기 오버레이 오차 계측에 제공하는 화상을 취득하도록 구성된 이미징 도구로부터 오버레이 오차 계측의 대상이 되는 화상을 수취하고,
당해 수취된 화상에 대하여, 화상 내에서 제1 레이어에 속하는 휘도가 다른 복수의 영역을 지정하도록 구성된 입력 장치로부터 지정된 복수의 영역에 대한 경계 탐색을 행하고,
상기 복수의 영역에 대하여 탐색된 경계에 의해 정의되는 제1 패턴과, 상기 제1 레이어와는 다른 제2 레이어의 제2 패턴의 사이에서 오버레이 오차 측정을 행하는 것을 포함하는, 컴퓨터 판독가능 저장 매체.
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PCT/JP2016/052560 WO2017130365A1 (ja) | 2016-01-29 | 2016-01-29 | オーバーレイ誤差計測装置、及びコンピュータープログラム |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20180095635A KR20180095635A (ko) | 2018-08-27 |
| KR102137454B1 true KR102137454B1 (ko) | 2020-07-24 |
Family
ID=59397886
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020187020329A Active KR102137454B1 (ko) | 2016-01-29 | 2016-01-29 | 오버레이 오차 계측 장치, 및 컴퓨터 프로그램 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US10712152B2 (ko) |
| KR (1) | KR102137454B1 (ko) |
| WO (1) | WO2017130365A1 (ko) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111094891B (zh) * | 2017-10-13 | 2022-10-25 | 株式会社日立高新技术 | 图案测量装置及图案测量方法 |
| JP7167323B2 (ja) * | 2019-05-08 | 2022-11-08 | 株式会社日立ハイテク | パターン計測装置および計測方法 |
| JP2020187876A (ja) | 2019-05-13 | 2020-11-19 | 株式会社日立ハイテク | 荷電粒子線装置 |
| JP7254940B2 (ja) | 2019-08-23 | 2023-04-10 | 株式会社日立ハイテク | オーバーレイ計測システム及びオーバーレイ計測装置 |
| JP7341241B2 (ja) | 2019-08-30 | 2023-09-08 | 株式会社日立ハイテク | 計測システム、所定の構造を含む半導体の画像計測を行う際に用いる学習モデルを生成する方法、およびコンピュータに、所定の構造を含む半導体の画像計測を行う際に用いる学習モデルを生成する処理を実行させるためのプログラムを格納する記憶媒体 |
| JP7565887B2 (ja) | 2021-07-29 | 2024-10-11 | 株式会社日立ハイテク | 荷電粒子線装置の撮像画像に係る条件決定方法、装置およびプログラム |
| CN113835309B (zh) * | 2021-09-24 | 2023-07-21 | 长江先进存储产业创新中心有限责任公司 | 用于双重成像工艺的套刻精度的检测结构及其检测方法 |
| WO2024261978A1 (ja) * | 2023-06-22 | 2024-12-26 | 株式会社日立ハイテク | 計測システム、計算機、および計測方法 |
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| JP2015099054A (ja) | 2013-11-18 | 2015-05-28 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | オーバーレイ計測方法および計測装置 |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPS512784A (en) | 1974-06-28 | 1976-01-10 | Kuraray Co | Paarukannosugureta takoshitsushiitobutsu oyobi sonoseizoho |
| US5412210A (en) | 1990-10-12 | 1995-05-02 | Hitachi, Ltd. | Scanning electron microscope and method for production of semiconductor device by using the same |
| JPH05290786A (ja) | 1992-04-10 | 1993-11-05 | Hitachi Ltd | 走査試料像表示方法および装置ならびにそれに供される試料 |
| JP2006234588A (ja) * | 2005-02-25 | 2006-09-07 | Hitachi High-Technologies Corp | パターン測定方法、及びパターン測定装置 |
| JP5581286B2 (ja) * | 2011-09-09 | 2014-08-27 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 欠陥検査方法および欠陥検査装置 |
| NL2009508A (en) * | 2011-10-24 | 2013-04-25 | Asml Netherlands Bv | Metrology method and apparatus, and device manufacturing method. |
| JP5640027B2 (ja) * | 2012-02-17 | 2014-12-10 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | オーバーレイ計測方法、計測装置、走査型電子顕微鏡およびgui |
| JP5743955B2 (ja) * | 2012-05-28 | 2015-07-01 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | パターン検査装置およびパターン検査方法 |
| KR101748515B1 (ko) * | 2013-05-09 | 2017-06-16 | 가부시키가이샤 히다치 하이테크놀로지즈 | 중첩 계측 장치, 중첩 계측 방법 및 중첩 계측 시스템 |
-
2016
- 2016-01-29 US US16/070,969 patent/US10712152B2/en active Active
- 2016-01-29 WO PCT/JP2016/052560 patent/WO2017130365A1/ja active Application Filing
- 2016-01-29 KR KR1020187020329A patent/KR102137454B1/ko active Active
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JP2015099054A (ja) | 2013-11-18 | 2015-05-28 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | オーバーレイ計測方法および計測装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2017130365A1 (ja) | 2017-08-03 |
| KR20180095635A (ko) | 2018-08-27 |
| US10712152B2 (en) | 2020-07-14 |
| US20190017817A1 (en) | 2019-01-17 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| PA0105 | International application |
Patent event date: 20180716 Patent event code: PA01051R01D Comment text: International Patent Application |
|
| PA0201 | Request for examination | ||
| PG1501 | Laying open of application | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| PE0902 | Notice of grounds for rejection |
Comment text: Notification of reason for refusal Patent event date: 20200129 Patent event code: PE09021S01D |
|
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| PE0701 | Decision of registration |
Patent event code: PE07011S01D Comment text: Decision to Grant Registration Patent event date: 20200422 |
|
| GRNT | Written decision to grant | ||
| PR0701 | Registration of establishment |
Comment text: Registration of Establishment Patent event date: 20200720 Patent event code: PR07011E01D |
|
| PR1002 | Payment of registration fee |
Payment date: 20200721 End annual number: 3 Start annual number: 1 |
|
| PG1601 | Publication of registration | ||
| PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20230620 Start annual number: 4 End annual number: 4 |
|
| PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20240620 Start annual number: 5 End annual number: 5 |
|
| PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20250618 Start annual number: 6 End annual number: 6 |