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KR20100027892A - 양자점 파장변환체, 양자점 파장변환체의 제조방법 및 양자점 파장변환체를 포함하는 발광장치 - Google Patents

양자점 파장변환체, 양자점 파장변환체의 제조방법 및 양자점 파장변환체를 포함하는 발광장치 Download PDF

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KR20100027892A
KR20100027892A KR1020080086984A KR20080086984A KR20100027892A KR 20100027892 A KR20100027892 A KR 20100027892A KR 1020080086984 A KR1020080086984 A KR 1020080086984A KR 20080086984 A KR20080086984 A KR 20080086984A KR 20100027892 A KR20100027892 A KR 20100027892A
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Abstract

발광파장대의 변화없이 광학적으로 안정하고 발광성능이 향상된 양자점을 포함하는 양자점 파장변환체가 제안된다. 본 발명의 양자점 파장변환체는, 양자점 및 상기 양자점을 분산시키는 분산매질을 포함하는 파장변환부; 및 파장변환부를 밀봉하는 밀봉부재;를 포함한다.
양자점, 파장변환, 밀봉부재

Description

양자점 파장변환체, 양자점 파장변환체의 제조방법 및 양자점 파장변환체를 포함하는 발광장치{Quantum dot-wavelength conversion device, preparing method of the same and light-emitting device comprising the same}
본 발명은 양자점 파장변환체, 양자점 파장변환체의 제조방법 및 양자점 파장변환체를 포함하는 발광장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 발광파장대의 변화없이 광학적으로 안정하고 발광성능이 향상된 양자점을 포함하는 양자점 파장변환체, 양자점 파장변환체의 제조방법 및 양자점 파장변환체를 이용하여 보다 간단하게 발광파장과 발광세기 조절이 가능한 발광장치를 제공하는데 있다.
양자점은 나노 크기의 반도체 물질로서 양자제한(quantum confinement) 효과를 나타내는 물질이다. 양자점은 통상의 형광체보다 강한 빛을 좁은 파장대에서 발생시킨다. 양자점의 발광은 전도대에서 가전자대로 들뜬 상태의 전자가 전이하면서 발생되는데 같은 물질의 경우에도 입자 크기에 따라 파장이 달리지는 특성을 나타낸다. 양자점의 크기가 작아질수록 짧은 파장의 빛을 발광하기 때문에 크기를 조절하여 원하는 파장 영역의 빛을 얻을 수 있다.
양자점은 여기파장(excitation wavelength)을 임의로 선택해도 발광하므로 여러 종류의 양자점이 존재할 때 하나의 파장으로 여기시켜도 여러가지 색의 빛을 한번에 관찰할 수 있다. 또한, 양자점은 전도대의 바닥진동상태에서 가전자대의 바닥진동상태로만 전이하므로 발광파장이 거의 단색광이다.
양자점은 약 10nm 이하의 직경을 갖는 반도체 물질의 나노결정이다. 양자점으로서 나노결정을 합성하는 방법으로는 MOCVD(metal organic chemical vapor deposition)나 MBE(molecular beamepitaxy)와 같은 기상 증착법으로 양자점을 제조하거나, 유기 용매에 전구체 물질을 넣어 결정을 성장시키는 화학적 습식 방법이 이용된다.
화학적 습식 방법은 결정이 성장될 때 유기 용매가 자연스럽게 양자점 결정 표면에 배위되어 분산제 역할을 하게 함으로써 결정의 성장을 조절하는 방법으로, MOCVD또는 MBE와 같은 기상 증착법보다 더 쉽고 저렴한 공정을 통하여 나노결정의 크기와 형태의 균일도를 조절할 수 있는 장점을 갖는다.
화학적 습식 공정으로 제조된 양자점은 원액 그대로 사용하지 않고 저장 또는 사용시의 편이를 위하여 양자점 주변에 소정의 리간드를 배위시킨다. 양자점의 리간드로 사용되는 물질로는 예를 들면, 트리옥틸포스핀 옥사이드(trioctylphosphine oxide, TOPO)가 있다. 이러한 양자점을 발광장치에 사용하는 경우에는 수지 등의 봉지물질에 첨가하기 전, 양자점은 리간드를 제거하기 위한 정제과정을 거쳐야 한다.
양자점을 정제하면, 발광성 감소, 표면 리간드 제거로 인한 용액 내 침전 또는 표면산화현상으로 인한 발광파장대 변경과 같은 부작용이 발생하게 된다. 이러한 문제점을 해결하기 위하여, 양자점을 유기물로 캡핑(capping)하거나, 양자점을 양자점의 밴드갭보다 큰 물질로 표면을 감싸는 방법이 개발되었다.
그러나, 양자점 자체를 유기물로 캡핑하거나 다른 밴드갭이 더 큰 물질로 감싸는 방법은 공정면에서나 비용면에서 그 효용성에 문제가 제기되었다. 따라서, 더욱 안정적이고 발광성능도 향상된 양자점을 이용할 수 있는 방법의 개발이 요청되었다.
본 발명은 상술한 문제점을 해결하기 위한 것으로, 본 발명의 목적은 발광파장대의 변화없이 광학적으로 안정하고 발광성능이 향상된 양자점을 포함하는 양자점 파장변환체 및 그의 제조방법을 제공하는데 있다.
본 발명의 다른 측면은 양자점 파장변환체를 이용하여 보다 간단하게 발광파장과 발광세기 조절이 가능한 발광장치를 제공하는데 있다.
이상과 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 측면에 따른 양자점 파장변환체는 여기광을 파장변환하여 파장변환광을 발생시키는 양자점 및 양자점을 분산시키는 분산매질을 포함하는 파장변환부; 및 파장변환부를 밀봉하는 밀봉부재;를 포함한다.
양자점은 Si계 나노결정, II-VI족계 화합물 반도체 나노결정, III-V족계 화합물 반도체 나노결정, IV-VI족계 화합물 반도체 나노결정 및 이들의 혼합물 중 어느 하나의 나노결정을 포함할 수 있다. 이 중, II-VI족계 화합물 반도체 나노결정은 CdS, CdSe, CdTe, ZnS, ZnSe, ZnTe, HgS, HgSe, HgTe, CdSeS, CdSeTe, CdSTe, ZnSeS, ZnSeTe, ZnSTe, HgSeS, HgSeTe, HgSTe, CdZnS, CdZnSe, CdZnTe, CdHgS, CdHgSe, CdHgTe, HgZnS, HgZnSe, HggZnTe, CdZnSeS, CdZnSeTe, CdZnSTe, CdHgSeS, CdHgSeTe, CdHgSTe, HgZnSeS, HgZnSeTe 및 HgZnSTe로 구성된 군으로부터 선택될 수 있고, III-V족계 화합물 반도체 나노결정은 GaN, GaP, GaAs, AlN, AlP, AlAs, InN, InP, InAs, GaNP, GaNAs, GaPAs, AlNP, AlNAs, AlPAs, InNP, InNAs, InPAs, GaAlNP, GaAlNAs, GaAlPAs, GaInNP, GaInNAs, GaInPAs, InAlNP, InAlNAs, 및 InAlPAs로 구성된 군으로부터 선택될 수 있으며, IV-VI족계 화합물 반도체 나노결정은 SbTe일 수 있다.
본 발명에서 분산매질은 액체상태이고, 예를 들면, 분산매질은 에폭시 수지 또는 실리콘(silicone)일 수 있다. 파장변환부를 밀봉하는 밀봉부재는 예를 들면, 실리콘(silicone)일 수 있다.
본 발명의 다른 측면에 따르면, 분산매질에 여기광을 파장변환하여 파장변환광을 발생시키는 양자점을 분산시켜 파장변환부를 준비하는 단계; 및 파장변환부를 밀봉부재로 밀봉하는 단계;를 포함하는 양자점 파장변환체 제조방법이 제공된다. 여기서, 밀봉하는 단계는, 제1 밀봉시트 및 제2 밀봉시트를 준비하여 적층하는 단계; 제1 및 제2 밀봉시트 사이에 파장변환부를 주입하는 단계; 및 제1 및 제2 밀봉시트의 파장변환부 주위를 가열하여 열점착시키는 단계;를 포함할 수 있다.
본 발명의 또다른 측면에 따르면, 발광원; 및 발광원의 발광방향 상부에 형 성되며, 여기광을 파장변환하여 파장변환광을 발생시키는 양자점 및 양자점을 분산시키는 분산매질을 포함하는 파장변환부 및 파장변환부를 밀봉하는 밀봉부재를 포함하는 양자점 파장변환체;를 포함하는 발광장치가 제공된다. 발광원은 발광 다이오드 및 레이저 다이오드 중 어느 하나일 수 있다.
양자점 파장변환체는 복수개로 구비될 수 있는데, 복수의 양자점 파장변환체 중 적어도 2이상의 층은 서로 다른 파장변환 양자점을 포함하는 것이 바람직하다. 따라서, 발광원은 청색광을 발광하고, 복수의 양자점 파장변환체 중 어느 하나의 제1양자점 파장변환체는 적색광을 방출하며, 복수의 파장변환부 중 제1양자점 파장변환체와 다른 제2양자점 파장변환체는 녹색광을 방출하여 발광장치가 백색을 발광할 수 있다.
발광장치는 발광원이 실장될 바닥면 및 반사부가 형성된 측면을 포함하는 홈부; 및 홈부를 지지하고, 발광원과 전기적으로 연결된 전극부가 형성된 지지부;를 더 포함할 수 있다. 홈부는 봉지물질로 봉지될 수 있는데, 봉지물질은 에폭시, 실리콘, 아크릴계 고분자, 유리, 카보네이트계 고분자 및 이들의 혼합물 중 적어도 어느 하나일 수 있다.
본 발명에 따른 양자점 파장변환체는 양자점이 정제되지 않고 원액상태로 밀 봉되므로 별도의 정제과정이 불필요하여, 리간드 정제 시의 표면 산화로 인한 발광파장대의 변화를 억제할 수 있다.
양자점 파장변환체 제조방법에 따라 양자점 파장변환체를 형성하면, 양자점의 크기나 종류에 무관하게 양자점을 포함하는 팩 형태의 파장변환체를 형성할 수 있으므로 간단한 공정으로 제조하여 여러 다양한 분야에 편리하게 사용할 수 있는 효과가 있다. 또한, 사용하는 양자점의 농도 조절을 통해서 복합체내의 양자점의 농도를 결정하여 고농도의 양자점 복합체를 형성할 수 있다.
아울러, 양자점 파장변환체를 발광원으로부터 발광된 빛의 파장변환체로서 사용하여 백색 발광장치 제작이 용이하다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시형태를 설명한다. 그러나 본 발명의 실시형태는 여러가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 이하 설명하는 실시형태로 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 실시형태는 당업계에서 통상의 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 또한, 본 명세서에 첨부된 도면의 구성요소들은 설명의 편의를 위하여 확대 또는 축소되어 도시되어 있을 수 있음이 고려되어야 한다.
도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 양자점 파장변환체를 도시하는 도면이다. 본 발명의 일실시예에 따른 양자점 파장변환체(100)는 여기광을 파장변환하여 파장변환광을 발생시키는 양자점(111) 및 양자점을 분산시키는 분산매질(112)을 포함하는 파장변환부(110); 및 파장변환부(110)를 밀봉하는 밀봉부재(120);를 포함한다.
양자점 파장변환체(100)는 외부로부터 입사된 광(이하, 입사광이라 한다)이 양자점(111)에 도달하면, 양자점(111)에서 파장변환된 광(이하, 파장변환광이라 한다)을 발광한다. 따라서, 양자점 파장변환체(100)는 양자점에 의하여 광의 파장을 변환시키는 기능을 하는 장치이다. 이하, 입사광 중 양자점(111)의 발광파장보다 짧은 파장을 갖는 광을 여기광이라 한다.
양자점(111)은 전술한 바와 같이 나노크기의 발광체로서, 반도체 나노결정일 수 있다. 양자점으로는, Si계 나노결정, II-VI족계 화합물 반도체 나노결정, III-V족계 화합물 반도체 나노결정, IV-VI족계 화합물 반도체 나노결정을 예로 들 수 있는데, 본 발명에서 양자점으로는 이들 각각을 단독으로 사용하거나 이들의 혼합물을 사용할 수 있다.
이 중, II-VI족계 화합물 반도체 나노결정은 예를 들면, CdS, CdSe, CdTe, ZnS, ZnSe, ZnTe, HgS, HgSe, HgTe, CdSeS, CdSeTe, CdSTe, ZnSeS, ZnSeTe, ZnSTe, HgSeS, HgSeTe, HgSTe, CdZnS, CdZnSe, CdZnTe, CdHgS, CdHgSe, CdHgTe, HgZnS, HgZnSe, HggZnTe, CdZnSeS, CdZnSeTe, CdZnSTe, CdHgSeS, CdHgSeTe, CdHgSTe, HgZnSeS, HgZnSeTe 또는 HgZnSTe가 있는데, 반드시 이에 한정되는 것은 아니다.
또한, III-V족계 화합물 반도체 나노결정은 예를 들면, GaN, GaP, GaAs, AlN, AlP, AlAs, InN, InP, InAs, GaNP, GaNAs, GaPAs, AlNP, AlNAs, AlPAs, InNP, InNAs, InPAs, GaAlNP, GaAlNAs, GaAlPAs, GaInNP, GaInNAs, GaInPAs, InAlNP, InAlNAs, 또는 InAlPAs가 있는데, 반드시 이에 한정되는 것은 아니다.
아울러, IV-VI족계 화합물 반도체 나노결정은 예를 들면, SbTe일 수 있는데, 반드시 이에 한정되는 것은 아니다.
본 발명에서 분산매질(112)에는 양자점(111)이 분산되어 있다. 분산매질(112)은 액체상태일 수 있다. 분산매질(112)이 액체상태인 경우, 양자점(111)과 혼합되어 밀봉부재(120)에 의해 밀봉되면, 예를 들어 플라스틱 팩에 액체가 담긴 상태와 유사하게 되어 그 형상에 제약을 받지 않아 사용이나 관리가 용이하다. 분산매질(112)은 예를 들면, 에폭시 수지 또는 실리콘(silicone)일 수 있다. 양자점 파장변환체(100)는 여기광을 받아 파장변환광을 발광해야 하므로 분산매질(112)은 여기광 등에 의하여 변색되거나 변질되지 않는 재질인 것이 바람직하다.
파장변환부를 밀봉하는 밀봉부재(120)는 양자점이 분산된 파장변환부(110)에 의하여 부식되지 않는 종류의 고분자 팩을 이용할 수 있다. 또는 밀봉부재(120)는 실리콘(silicone)을 사용할 수 있다. 고분자 수지는 가열하여 점착이 가능하므로 이를 이용하면 시트 상태의 고분자 수지를 밀봉재로로 하여 열점착방법으로 파장변환부(110)가 내부에 위치하는 팩을 형성할 수 있다. 양자점 파장변환체(100) 제조방법에 대하여는 이하 도 2를 참조하여 더 설명하기로 한다.
양자점(111)은 합성 후 정제과정없이 원액상태로 분산매질(112)에 분산되어 밀봉부재(120)에 의해 밀봉된다. 따라서, 양자점(111)은 정제과정에서의 발광성 감소나 발광파장대 변경과 같은 문제점 없이 높은 수준의 발광성능을 나타낸다.
도 2a 내지 도 2c는 본 발명의 일 실시예에 따른 양자점 파장변환체 제조방법의 설명에 제공되는 도면이다.
본 발명의 다른 측면에 따르면, 분산매질(212)에 양자점(211)을 분산시켜 파장변환부(210)를 준비하는 단계; 및 파장변환부(210)를 밀봉부재(221, 222)로 밀봉하는 단계;를 포함하는 양자점 파장변환체 제조방법이 제공된다.
파장변환부(210)를 밀봉부재로 밀봉하는 것은 다양한 방법이 있을 수 있다. 본 발명의 일실시예에 따르면, 준비된 파장변환부(210)를 밀봉하는 단계는, 먼저, 제1 밀봉시트(221) 및 제2 밀봉시트(222)를 준비하여 적층한다(도 2a참조). 이 때, 제1 밀봉시트(221) 및 제2 밀봉시트(222)는 적층되어 있을 뿐, 접착되어있는 상태 가 아닌 것이 바람직하다.
그 다음, 적층된 제1 밀봉시트(221) 및 제2 밀봉시트(222) 사이에, 파장변환부(210)를 주입한다(도 2b참조). 제1 밀봉시트(221) 및 제2 밀봉시트(222)는 접착되어 있지 않기 때문에 파장변환부(110)를 주입한 후에, 파장변환부(210)가 위치하는 영역의 주위영역(230)을 가열하여 열점착시킨다(도 2c참조). 따라서, 제1 밀봉시트(221) 및 제2 밀봉시트(222) 사이에 파장변환부(110)가 위치하고, 파장변환부(110)는 밀봉되어 양자점 파장변환체(100)가 제조된다.
본 발명의 다른 측면에 따르면, 발광원 및 양자점 파장변환체를 포함하는 발광장치가 제공된다. 도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 양자점 파장변환체를 포함하는 발광장치를 도시하는 도면이다.
본 발명에 따르면, 발광원(340); 및 발광원(340)의 발광방향 상부에 형성되며, 양자점(361) 및 양자점(361)을 분산시키는 분산매질(362)을 포함하는 파장변환부 및 파장변환부를 밀봉하는 밀봉부재(363)를 포함하는 양자점 파장변환체(360);를 포함하는 발광장치(300)가 제공된다.
도 3을 참조하면, 본 발명에 따른 발광 장치(300)에서 발광원(340)은 발광원(340)이 실장될 바닥면 및 반사부(320)가 형성된 측면을 포함하는 홈부 및 홈부 를 지지하고, 발광원(340)과 전기적으로 연결된 전극부(330)가 형성된 지지부(310);를 더 포함할 수 있다. 전극부(330)은 극성이 서로 다른 2개로 형성되어 전기적으로 분리된다.
발광원(340)은 발광 다이오드 및 레이저 다이오드 중 어느 하나일 수 있다. 발광원(340)은 양자점 파장변환체(360)의 양자점(361)의 발광파장보다 짧은 파장을 갖는 광을 발광하는 것이 바람직하다. 발광원(340)으로는 예를 들어, 청색 LED를 사용할 수 있는데, 청색 LED로는 420 내지 480nm의 청색광을 발하는 갈륨질화물계 LED를 사용할 수 있다.
지지부(110)에는 단자 전극(130)이 형성되어 와이어를 통해서 발광원(340)와 접속하게 된다. 발광원(340) 상에는 발광원(340)를 봉지하는 봉지물질이 채워져 형성된 제1봉지부(351)가 구비된다. 또한, 양자점 파장변환체(360)가 제1봉지부(351)상에 위치하면, 이를 보호 및 고정하기 위하여 제2봉지부(352)를 더 형성할 수 있다. 봉지물질은 에폭시, 실리콘, 아크릴계 고분자, 유리, 카보네이트계 고분자 및 이들의 혼합물 중 적어도 어느 하나일 수 있다.
양자점 파장변환체(360)는 발광장치(300)로부터 얻고자 하는 빛의 파장에 따라 적절한 양자점을 포함할 수 있다. 본 도면에서, 양자점 파장변환체(360)는 제1봉지부(351)상에 놓여있는 형태로 도시되어 있으나, 제1봉지부(351) 없이 발광 원(340)의 표면을 덮는 형태로 구현될 수도 있고, 발광원(340)으ㄹ로부터 발광된 빛이 입사되어 파장변환될 수 있다면 어떠한 형태로든 위치할 수 있다.
이 때, 발광원(340)이 청색광을 발광하고, 양자점 파장변환체(360)의 양자점(361)이 황색광을 발광하면 발광장치(300)는 백색광을 발광할 수 있다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 양자점 파장변환체를 포함하는 발광장치를 도시하는 도면이다. 본 실시예에서는 발광장치(400)가 2개의 양자점 파장변환체인 제1양자점 파장변환체(460) 및 제2양자점 파장변환체(470)를 구비한다. 도 4에 도시된 발광장치(400)에서, 양자점 파장변환체가 2개로 구현된 것을 제외하고는 도 4에서 설명한 지지부(410), 전극부(430), 반사부(420), 발광원(440), 및 봉지물질의 기능은 동일하므로 동일한 설명은 생략하기로 한다.
본 발명의 일실시예의 발광장치(400)에서 양자점 파장변환체는 복수개로 구비될 수 있다. 복수개의 양자점 파장변환체 중 도 4에서 발광원(440)에 더 근접한 것을 제1양자점 파장변환체(460)라 하고, 다른 하나를 제2양자점 파장변환체(470)로 한다. 발광원(440)을 실장하면, 이를 제1봉지부(451)로 봉지하고, 그 위에 제1양자점 파장변환체(460)를 위치시키고, 이를 제2봉지부(452)로 봉지하고, 그 위에 제2양자점 파장변환체(470)을 위치시키고, 이를 제3봉지부(453)로 봉지한다. 2개 이상의 양자점 파장변환체를 포함하는 발광장치는 백색 또는 다양한 발광을 얻기가 보다 용이하다.
복수의 양자점 파장변환체들 중 적어도 2이상의 층은 서로 다른 파장변환 양자점을 포함하는 것이 바람직하다. 따라서, 제1양자점 파장변환체(460)와 제2양자점 파장변환체(470)는 서로 다른 파장변환이 가능한 제1양자점(461) 및 제2양자점(462)를 포함할 수 있다. 예를 들어, 발광원(440)은 청색광을 발광하고, 제1양자점 파장변환체(460)는 적색광을 방출하며, 제2양자점 파장변환체(470)는 녹색광을 방출하면 발광장치가 최종적으로 백색을 발광할 수 있다. 이와 달리, 발광원(440), 제1양자점 파장변환체(460), 및 제2양자점 파장변환체(470)는 각각 청색, 적색 및 녹색 중 어느 하나의 색상을 발광하여 최종적으로 백색을 발광하도록 할 수 있다. 또한, 제1양자점 파장변환체(460) 및 제2양자점 파장변환체(470)는 각각 서로 다른 발광파장대를 갖는 복수의 양자점을 포함할 수 있다.
또는, 도 4에서는 양자점 파장변환체를 2개 구비한 발광장치가 도시되었으나, 예를 들어, 양자점 파장변환체를 3개 포함할 수 있다. 따라서, 본 실시예와 다른 예에서, 발광원은 자외선을 발광하고, 3개의 양자점 파장변환체가 각각 청색, 녹색 및 적색을 발광하는 경우에도 발광장치가 최종적으로 백색을 발광할 수 있다. 아울러, 백색발광장치를 구성하기 위하여 양자점 파장변환체에 어느 한 색상의 파장변환 양자점을 사용하는 대신, 봉지부에 형광체를 추가하여 양자점 파장변환체와함께 사용할 수 있다.
도 3 및 도 4에서는 발광장치가 각각 패키지 형태로 도시되어 있으나, 반드시 이러한 형태에 한정되는 것은 아니고, 예를 들면, 램프형 발광장치일 수 있다.
본 발명은 상술한 실시형태 및 첨부된 도면에 따라 한정되는 것이 아니고, 첨부된 청구범위에 따라 한정하고자 하며, 청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 형태의 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것은 당 기술분야의 통상의 지식을 가진 자에게 자명할 것이다.
도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 양자점 파장변환체를 도시하는 도면이다.
도 2a 내지 도 2c는 본 발명의 일 실시예에 따른 양자점 파장변환체 제조방법의 설명에 제공되는 도면이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 양자점 파장변환체를 포함하는 발광장치를 도시하는 도면이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 양자점 파장변환체를 포함하는 발광장치를 도시하는 도면이다.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
100 양자점 파장변환체 110 파장변환부
111 양자점 112 분산매질
120 밀봉부재

Claims (18)

  1. 여기광을 파장변환하여 파장변환광을 발생시키는 양자점 및 상기 양자점을 분산시키는 분산매질을 포함하는 파장변환부; 및
    상기 파장변환부를 밀봉하는 밀봉부재;를 포함하는 양자점 파장변환체.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 양자점은 Si계 나노결정, II-VI족계 화합물 반도체 나노결정, III-V족계 화합물 반도체 나노결정, IV-VI족계 화합물 반도체 나노결정 및 이들의 혼합물 중 어느 하나의 나노결정을 포함하는 것을 특징으로 하는 양자점 파장변환체.
  3. 제 2항에 있어서,
    상기 II-VI족계 화합물 반도체 나노결정은 CdS, CdSe, CdTe, ZnS, ZnSe, ZnTe, HgS, HgSe, HgTe, CdSeS, CdSeTe, CdSTe, ZnSeS, ZnSeTe, ZnSTe, HgSeS, HgSeTe, HgSTe, CdZnS, CdZnSe, CdZnTe, CdHgS, CdHgSe, CdHgTe, HgZnS, HgZnSe, HggZnTe, CdZnSeS, CdZnSeTe, CdZnSTe, CdHgSeS, CdHgSeTe, CdHgSTe, HgZnSeS, HgZnSeTe 및 HgZnSTe로 구성된 군으로부터 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 양자점 파장변환체.
  4. 제 2항에 있어서,
    상기 III-V족계 화합물 반도체 나노결정은 GaN, GaP, GaAs, AlN, AlP, AlAs, InN, InP, InAs, GaNP, GaNAs, GaPAs, AlNP, AlNAs, AlPAs, InNP, InNAs, InPAs, GaAlNP, GaAlNAs, GaAlPAs, GaInNP, GaInNAs, GaInPAs, InAlNP, InAlNAs, 및 InAlPAs로 구성된 군으로부터 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 양자점 파장변환체.
  5. 제 2항에 있어서,
    상기 IV-VI족계 화합물 반도체 나노결정은 SbTe인 것을 특징으로 하는 양자점 파장변환체.
  6. 제 1항에 있어서,
    상기 분산매질은 액체상태인 것을 특징으로 하는 양자점 파장변환체.
  7. 제 1항에 있어서,
    상기 분산매질은 에폭시 수지 또는 실리콘(silicone)인 것을 특징으로 하는 양자점 파장변환체.
  8. 제 1항에 있어서,
    상기 밀봉부재는 실리콘(silicone)을 포함하는 것을 특징으로 하는 양자점 파장변환체.
  9. 분산매질에 여기광을 파장변환하여 파장변환광을 발생시키는 양자점을 분산시켜 파장변환부를 준비하는 단계; 및
    상기 파장변환부를 밀봉부재로 밀봉하는 단계;를 포함하는 양자점 파장변환체 제조방법.
  10. 제 9항에 있어서,
    상기 밀봉하는 단계는, 제1 밀봉시트 및 제2 밀봉시트를 준비하여 적층하는 단계;
    상기 공간에 상기 파장변환부를 주입하는 단계; 및
    상기 제1 및 제2 밀봉시트의 파장변환부 주위를 가열하여 열점착시키는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 양자점 파장변환체 제조방법.
  11. 발광원; 및
    상기 발광원의 발광방향 상부에 형성되며, 여기광을 파장변환하여 파장변환광을 발생시키는 양자점 및 상기 양자점을 분산시키는 분산매질을 포함하는 파장변환부 및 상기 파장변환부를 밀봉하는 밀봉부재를 포함하는 양자점 파장변환체;를 포함하는 발광장치.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 발광원은 발광 다이오드 및 레이저 다이오드 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 발광장치.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 양자점 파장변환체는 복수개인 것을 특징으로 하는 발광장치.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 복수의 양자점 파장변환체 중 적어도 2이상의 층은 상기 발광원으로부터 발광된 광을 서로 다른 파장으로 변환할 수 있는 양자점들을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광장치.
  15. 제13항에 있어서,
    상기 발광원은 청색광을 발광하고,
    상기 복수의 파장변환부 중 어느 하나의 제1 양자점 파장변환체는 적색광을 방출하며,
    상기 복수의 파장변환부 중 상기 제1 양자점 파장변환체와 다른 제2 양자점 파장변환체는 녹색광을 방출하는 것을 특징으로 하는 발광장치.
  16. 제9항에 있어서,
    상기 발광원이 실장될 바닥면 및 반사부가 형성된 측면을 포함하는 홈부; 및
    상기 홈부를 지지하고, 상기 발광원과 전기적으로 연결된 전극부가 형성된 지지부;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광장치.
  17. 제16항에 있어서,
    상기 홈부는 봉지물질로 봉지된 것을 특징으로 하는 발광장치.
  18. 제 17항에 있어서,
    상기 봉지물질은 에폭시, 실리콘, 아크릴계 고분자, 유리, 카보네이트계 고분자 및 이들의 혼합물 중 적어도 어느 하나인 것을 특징으로 하는 발광장치.
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