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KR20130080976A - Light emitting device package - Google Patents

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KR20130080976A
KR20130080976A KR1020120001892A KR20120001892A KR20130080976A KR 20130080976 A KR20130080976 A KR 20130080976A KR 1020120001892 A KR1020120001892 A KR 1020120001892A KR 20120001892 A KR20120001892 A KR 20120001892A KR 20130080976 A KR20130080976 A KR 20130080976A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
light emitting
emitting device
lead frame
device package
metal layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
KR1020120001892A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
진홍범
Original Assignee
엘지이노텍 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘지이노텍 주식회사 filed Critical 엘지이노텍 주식회사
Priority to KR1020120001892A priority Critical patent/KR20130080976A/en
Publication of KR20130080976A publication Critical patent/KR20130080976A/en
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    • H10H20/00Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
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  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

실시예에 따른 발광소자 패키지는 캐비티가 형성된 몸체, 상기 몸체에 의해 지지되고, 상기 캐비티 바닥면에 위치하며 서로 이격된 제1 리드프레임 및 제2 리드프레임 및 상기 캐비티에 실장 되어 상기 제1 리드프레임 상에 위치하는 발광소자를 포함하고, 상기 몸체의 적어도 일부분은 금속층으로 이루어지고, 상기 금속층은 상기 제1 리드프레임 및 제2 리드프레임과 이격되어 위치할 수 있다.The light emitting device package according to the embodiment is supported by the body, the body is formed with a cavity, the first lead frame and the second lead frame and spaced apart from each other mounted on the bottom surface of the cavity is mounted on the first lead frame The light emitting device may be disposed on and at least a portion of the body may be formed of a metal layer, and the metal layer may be spaced apart from the first lead frame and the second lead frame.

Description

발광소자 패키지{Light emitting device package}A light emitting device package

실시예는 발광소자 패키지에 관한 것이다.An embodiment relates to a light emitting device package.

발광 다이오드(Light Emitting Diode, LED)는 화합물 반도체의 특성을 이용해 전기 신호를 광의 형태로 변환시키는 소자로, 가정용 가전제품, 리모컨, 전광판, 표시기, 각종 자동화 기기 등에 사용되고 있으며, 점차 사용 영역이 넓어지고 있는 추세이다.Light Emitting Diode (LED) is a device that converts electrical signals into light by using the characteristics of compound semiconductors. It is widely used in household appliances, remote control, electric signboard, display, and various automation devices. There is a trend.

보통, 소형화된 LED는 PCB(Printed Circuit Board) 기판에 직접 장착하기 위해서 표면실장소자(Surface Mount Device)형으로 만들어지고 있고, 이에 따라 표시소자로 사용되고 있는 LED 램프도 표면실장소자 형으로 개발되고 있다. 이러한 표면실장소자는 기존의 단순한 점등 램프를 대체할 수 있으며, 이것은 다양한 칼라를 내는 점등표시기용, 문자표시기 및 영상표시기 등으로 사용된다.In general, miniaturized LEDs are made of a surface mounting device for mounting directly on a PCB (Printed Circuit Board) substrate, and an LED lamp used as a display device is also being developed as a surface mounting device type . Such a surface mount device can replace a conventional simple lighting lamp, which is used for a lighting indicator for various colors, a character indicator, an image indicator, and the like.

이와 같이 LED의 사용 영역이 넓어지면서, 생활에 사용되는 전등, 구조 신호용 전등 등에 요구되는 휘도 및 신뢰성이 높아지는 바, LED의 발광휘도 및 신뢰성을 증가시키는 것이 중요하다.As the use area of the LED is widened as described above, it is important to increase the luminance and reliability of the LED, as the luminance and reliability required for a lamp used in daily life, a lamp for a structural signal, etc. are enhanced.

이러한, 발광소자를 포함하는 발광소자 패키지에서는 발광소자로부터 발생한 열과 외부로부터 침투한 수분 및 산소에 의해 화학적 반응을 일으켜, 패키지 몸체가 열화를 일으키게 되는 문제점이 있다.In the light emitting device package including the light emitting device, a chemical reaction is caused by heat generated from the light emitting device and moisture and oxygen penetrated from the outside, causing the package body to deteriorate.

등록특허 10-1054769에서는 발광소자 패키지의 열화를 방지하기 위해 패키지 몸체의 표면 위에 형성되는 보호막을 개시하고 있다.Patent 10-1054769 discloses a protective film formed on the surface of the package body to prevent degradation of the light emitting device package.

실시예는 몸체의 적어도 일부분을 금속층으로 형성하여, 몸체가 열화되는 것을 방지하고자 한다.Embodiments attempt to form at least a portion of the body with a metal layer to prevent the body from deteriorating.

실시예에 따른 발광소자 패키지는 캐비티가 형성된 몸체, 상기 몸체에 의해 지지되고, 상기 캐비티 바닥면에 위치하며 서로 이격된 제1 리드프레임 및 제2 리드프레임 및 상기 캐비티에 실장 되어 상기 제1 리드프레임 상에 위치하는 발광소자를 포함하고, 상기 몸체의 적어도 일부분은 금속층으로 이루어지고, 상기 금속층은 상기 제1 리드프레임 및 제2 리드프레임과 이격되어 위치할 수 있다.The light emitting device package according to the embodiment is supported by the body, the body is formed with a cavity, the first lead frame and the second lead frame and spaced apart from each other mounted on the bottom surface of the cavity is mounted on the first lead frame The light emitting device may be disposed on and at least a portion of the body may be formed of a metal layer, and the metal layer may be spaced apart from the first lead frame and the second lead frame.

실시예에 따른 발광소자 패키지는 발광소자에서 방출된 열이 직접 전달되는 캐비티의 내측부분을 구성하는 몸체를 금속층으로 형성함으로써, 몸체가 열화되어 검게 타는 것을 방지할 수 있다.In the light emitting device package according to the embodiment, the body constituting the inner portion of the cavity through which heat emitted from the light emitting device is directly transmitted may be formed of a metal layer, thereby preventing the body from being burned out and burning black.

또한, 금속층은 발광소자에서 방출된 빛을 반사시켜 휘도를 증가시킬 수 있다.In addition, the metal layer may increase the luminance by reflecting the light emitted from the light emitting device.

따라서, 발광소자 패키지의 신뢰성을 향상시키는 효과를 가진다.Therefore, the light emitting device package has an effect of improving reliability.

도 1(a)는 실시예에 따른 발광소자 패키지의 평면을 나타내는 평면도이고, 도 1(b)는 도 1(a)의 발광소자 패키지의 단면을 나타내는 단면도이다.
도 2는 도 1의 발광소자 패키지의 정면을 나타내는 정면도이다.
도 3(a)는 실시예에 따른 발광소자 패키지의 평면을 나타내는 평면도이고, 도 3(b)는 도 3(a)의 발광소자 패키지의 단면을 나타내는 단면도이다.
도 4a는 실시예에 따른 발광소자패키지를 포함하는 조명장치를 도시한 사시도이며, 도 4b는 도 4a의 조명장치의 D-D' 단면을 도시한 단면도이다.
도 5은 실시예에 따른 발광소자패키지를 포함하는 백라이트 유닛을 도시한 분해 사시도이다.
도 6은 실시예에 따른 발광소자패키지를 포함하는 백라이트 유닛을 도시한 분해 사시도이다.
1 (a) is a plan view showing a plane of the light emitting device package according to the embodiment, Figure 1 (b) is a cross-sectional view showing a cross section of the light emitting device package of FIG.
FIG. 2 is a front view illustrating a front surface of the light emitting device package of FIG. 1.
3A is a plan view showing a plane of the light emitting device package according to the embodiment, and FIG. 3B is a cross-sectional view showing a cross section of the light emitting device package of FIG.
4A is a perspective view illustrating a lighting device including a light emitting device package according to an embodiment, and FIG. 4B is a cross-sectional view illustrating a DD ′ section of the lighting device of FIG. 4A.
5 is an exploded perspective view illustrating a backlight unit including a light emitting device package according to an embodiment.
6 is an exploded perspective view illustrating a backlight unit including a light emitting device package according to an embodiment.

본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하고, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.Advantages and features of the present invention and methods for achieving them will be apparent with reference to the embodiments described below in detail with the accompanying drawings. The present invention may, however, be embodied in many different forms and should not be construed as limited to the embodiments set forth herein. Rather, these embodiments are provided so that this disclosure will be thorough and complete, and will fully convey the scope of the invention to those skilled in the art. To fully disclose the scope of the invention to those skilled in the art, and the invention is only defined by the scope of the claims. Like reference numerals refer to like elements throughout.

공간적으로 상대적인 용어인 "아래(below)", "아래(beneath)", "하부(lower)", "위(above)", "상부(upper)" 등은 도면에 도시되어 있는 바와 같이 하나의 소자 또는 구성 요소들과 다른 소자 또는 구성 요소들과의 상관관계를 용이하게 기술하기 위해 사용될 수 있다. 공간적으로 상대적인 용어는 도면에 도시되어 있는 방향에 더하여 사용시 또는 동작 시 소자의 서로 다른 방향을 포함하는 용어로 이해되어야 한다. 예를 들면, 도면에 도시되어 있는 소자를 뒤집을 경우, 다른 소자의 "아래(below)"또는 "아래(beneath)"로 기술된 소자는 다른 소자의 "위(above)"에 놓여질 수 있다. 따라서, 예시적인 용어인 "아래"는 아래와 위의 방향을 모두 포함할 수 있다. 소자는 다른 방향으로도 배향될 수 있고, 이에 따라 공간적으로 상대적인 용어들은 배향에 따라 해석될 수 있다.The terms spatially relative, "below", "beneath", "lower", "above", "upper" May be used to readily describe a device or a relationship of components to other devices or components. Spatially relative terms should be understood to include, in addition to the orientation shown in the drawings, terms that include different orientations of the device during use or operation. For example, when flipping a device shown in the figure, a device described as "below" or "beneath" of another device may be placed "above" of another device. Thus, the exemplary term "below" can include both downward and upward directions. The device can also be oriented in other directions, so that spatially relative terms can be interpreted according to orientation.

본 명세서에서 사용된 용어는 실시예들을 설명하기 위한 것이며 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함한다. 명세서에서 사용되는 "포함한다(comprises)" 및/또는 "포함하는(comprising)"은 언급된 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자는 하나 이상의 다른 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다.The terminology used herein is for the purpose of describing particular embodiments only and is not intended to be limiting of the invention. In the present specification, the singular form includes plural forms unless otherwise specified in the specification. It is noted that the terms "comprises" and / or "comprising" used in the specification are intended to be inclusive in a manner similar to the components, steps, operations, and / Or additions.

다른 정의가 없다면, 본 명세서에서 사용되는 모든 용어(기술 및 과학적 용어를 포함)는 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 공통적으로 이해될 수 있는 의미로 사용될 수 있을 것이다. 또 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 용어들은 명백하게 특별히 정의되어 있지 않은 한 이상적으로 또는 과도하게 해석되지 않는다.Unless otherwise defined, all terms (including technical and scientific terms) used in the present specification may be used in a sense that can be commonly understood by those skilled in the art. Also, commonly used predefined terms are not ideally or excessively interpreted unless explicitly defined otherwise.

도면에서 각층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장되거나 생략되거나 또는 개략적으로 도시되었다. 또한 각 구성요소의 크기와 면적은 실제크기나 면적을 전적으로 반영하는 것은 아니다. The thickness and size of each layer in the drawings are exaggerated, omitted, or schematically shown for convenience and clarity of explanation. Also, the size and area of each component do not entirely reflect actual size or area.

또한, 실시예에서 발광소자의 구조를 설명하는 과정에서 언급하는 각도와 방향은 도면에 기재된 것을 기준으로 한다. 명세서에서 발광소자를 이루는 구조에 대한 설명에서, 각도에 대한 기준점과 위치관계를 명확히 언급하지 않은 경우, 관련 도면을 참조하도록 한다.Further, the angle and direction mentioned in the description of the structure of the light emitting device in the embodiment are based on those shown in the drawings. In the description of the structure of the light emitting device in the specification, reference points and positional relationship with respect to angles are not explicitly referred to, refer to the related drawings.

도 1은 실시예에 따른 발광소자 패키지의 단면을 나타내는 단면도이다.1 is a cross-sectional view showing a cross section of a light emitting device package according to an embodiment.

도 1을 참조하면, 발광소자 패키지(100)는 캐비티(C)가 형성되고, 일부분이 금속층(112)으로 이루어진 몸체(130), 리드프레임(160), 캐비티(C)에 실장되어 리드프레임(160) 상에 배치되는 발광소자(140), 캐비티(C)에 충진되는 수지물(150)을 포함할 수 있다. Referring to FIG. 1, the light emitting device package 100 includes a cavity C, and a part of the light emitting device package 100 is mounted on a body 130 formed of a metal layer 112, a lead frame 160, and a cavity C so that a lead frame ( The light emitting device 140 disposed on the 160 and the resin material 150 filled in the cavity C may be included.

몸체(130)는 하우징 역할을 수행하는데, 중앙부에 캐비티(C)가 형성되어 상기 캐비티(C)내부에 발광소자(140)가 실장될 수 있다.The body 130 serves as a housing, and a cavity C is formed at a central portion thereof, so that the light emitting device 140 may be mounted inside the cavity C.

또한, 몸체(130)는 리드프레임(160)을 감싸 지지하며, 캐비티(C)의 측면을 둘러싸는 벽부(120) 및 캐비티(C)의 바닥면을 이루는 바닥부(116)를 포함할 수 있다.In addition, the body 130 may surround the lead frame 160 and include a wall portion 120 surrounding the side surface of the cavity C and a bottom portion 116 forming the bottom surface of the cavity C. .

몸체(130) 전체는 보통 TiO2를 포함하는 PPA(Polyphthalamide)로 형성되는데, 발광소자(140)에서 발생된 열에 의하여 외부로부터 침투된 수분과 PPA에 포함된 TiO2가 만나 서로 반응하면, O2 -이온과 OH-이온을 생성하게 되고, 생성된 O2 -이온과 PPA가 반응하여 PPA를 열화시킨다.Body 130, when the total is usually are formed as PPA (Polyphthalamide) containing TiO 2, by the heat generated in the light emitting device 140 to meet the TiO 2 contained in the water and PPA penetration from the outside react with each other, O 2 - deteriorates the ions and by the PPA reaction PPA-ions and OH - ions are generated, the generated O 2.

따라서, 이를 방지하기 위하여, 발광소자(140)에서 발생하는 열에 의해 직접적인 영향을 받는 벽부(120)는 금속층(112)을 포함하여 형성될 수 있다. Therefore, in order to prevent this, the wall portion 120 directly affected by the heat generated from the light emitting device 140 may include the metal layer 112.

금속층(112)은 제1 리드프레임(161) 및 제2 리드프레임(162)과 이격되어 위치하며, 제1 리드프레임(161) 및 제2 리드프레임(162)으로 인가되는 전원이 금속층(112)에 연결되지 않도록 한다.The metal layer 112 is spaced apart from the first lead frame 161 and the second lead frame 162, and the power applied to the first lead frame 161 and the second lead frame 162 is the metal layer 112. Do not connect to.

금속층(112)은 캐비티(C)를 둘러싸도록 형성될 수 있으며, 금속층(112)은 티타늄(Ti), 구리(Cu), 니켈(Ni), 금(Au), 크롬(Cr), 탄탈늄(Ta), 백금(Pt), 주석(Sn), 은(Ag), 인(P), 알루미늄(Al), 인듐(In), 팔라듐(Pd), 코발트(Co), 실리콘(Si), 게르마늄(Ge), 하프늄(Hf), 루테늄(Ru) 및 철(Fe) 중 적어도 어느 하나를 포함하여 형성될 수 있으며, 단층 또는 다층으로 형성될 수 있다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니다.The metal layer 112 may be formed to surround the cavity C, and the metal layer 112 may include titanium (Ti), copper (Cu), nickel (Ni), gold (Au), chromium (Cr), and tantalum ( Ta, platinum (Pt), tin (Sn), silver (Ag), phosphorus (P), aluminum (Al), indium (In), palladium (Pd), cobalt (Co), silicon (Si), germanium ( At least one of Ge), hafnium (Hf), ruthenium (Ru), and iron (Fe) may be formed, and may be formed in a single layer or multiple layers. However, the present invention is not limited thereto.

또한, 금속층(112)은 제1 리드프레임(161) 및 제2 리드프레임(162) 중 적어도 어느 하나와 동일한 재질로 형성될 수 있으며, 상기와 같이, 제1 리드프레임(161) 및 제2 리드프레임(162) 중 적어도 어느 하나와 동일한 재질로 형성하는 경우, 몸체(130)를 제조하는 공정이 간소화될 수 있다.In addition, the metal layer 112 may be formed of the same material as at least one of the first lead frame 161 and the second lead frame 162, as described above, the first lead frame 161 and the second lead. In the case of forming the same material as at least one of the frames 162, the process of manufacturing the body 130 can be simplified.

금속층(112)은 반사율 및 열전도율 중 적어도 어느 하나가 우수한 재질로 형성될 수 있다. The metal layer 112 may be formed of a material having at least one of reflectance and thermal conductivity.

금속층(112)이 반사율이 우수한 재질로 형성되는 경우, 발광소자(140)에서 방출되는 빛이 금속층(112)에 의해 반사되어 발광소자 패키지(100)의 상부로 향하는 빛의 양이 증가할 수 있어, 발광소자 패키지(100)의 휘도가 증가할 수 있다.When the metal layer 112 is formed of a material having excellent reflectivity, the light emitted from the light emitting device 140 may be reflected by the metal layer 112 to increase the amount of light directed toward the upper portion of the light emitting device package 100. The luminance of the light emitting device package 100 may increase.

또한, 금속층(112)이 열전도율이 우수한 재질로 형성되는 경우, 발광소자(140)에서 방출되는 열로 인한 발광소자 패키지(100) 손상을 줄일 수 있다.In addition, when the metal layer 112 is formed of a material having excellent thermal conductivity, damage to the light emitting device package 100 due to heat emitted from the light emitting device 140 may be reduced.

또한, 금속층(112)과 후술하는 몰드층(114)이 접하는 부분에 표면거칠기(roughness)를 가지도록 하여, 금속층(112)과 몰드층(114)의 결합력을 강화시킬 수 있다.In addition, the cohesive force of the metal layer 112 and the mold layer 114 may be enhanced by having a surface roughness at a portion where the metal layer 112 and the mold layer 114 to be described later are in contact.

벽부(120)는 금속층(112)과 제1 리드프레임(161) 및 제2 리드프레임(162)이 전기적으로 절연되도록 몰드층(114)을 포함할 수 있다. 몰드층(114)은 금속층(112)과 제1 리드프레임(161) 및 제2 리드프레임(162) 사이에 위치할 수 있다.The wall part 120 may include a mold layer 114 to electrically insulate the metal layer 112, the first lead frame 161, and the second lead frame 162. The mold layer 114 may be positioned between the metal layer 112, the first leadframe 161, and the second leadframe 162.

벽부(120)의 몰드층(114) 및 바닥부(116)는 폴리프탈아미드(PPA:Polyphthalamide)와 같은 수지 재질, 실리콘(Si), 알루미늄(Al), 알루미늄 나이트라이드(AlN), 액정폴리머(PSG, photo sensitive glass), 폴리아미드9T(PA9T), 신지오택틱폴리스티렌(SPS), 금속 재질, 사파이어(Al2O3), 베릴륨 옥사이드(BeO), 인쇄회로기판(PCB, Printed Circuit Board) 중 적어도 하나로 형성될 수 있다. 몰드층(114) 및 바닥부(116)는 사출 성형, 에칭 공정 등에 의해 형성될 수 있으나 이에 대해 한정하지는 않는다.The mold layer 114 and the bottom portion 116 of the wall portion 120 are made of a resin material such as polyphthalamide (PPA), silicon (Si), aluminum (Al), aluminum nitride (AlN), and liquid crystal polymer ( PSG, photo sensitive glass, polyamide 9T (PA9T), neogeotactic polystyrene (SPS), metal, sapphire (Al 2 O 3 ), beryllium oxide (BeO), printed circuit board (PCB) It may be formed of at least one. The mold layer 114 and the bottom portion 116 may be formed by injection molding, an etching process, but are not limited thereto.

다시 도 1을 참조하면, 몸체(130)에는 발광소자(140)가 외부로 노출되도록 상부쪽이 개방된 캐비티(C)가 형성될 수 있으며, 캐비티(C)는 벽부(120)의 내측면을 경사지게 하여 형성할 수 있다. 이러한 경사면의 각도에 따라 발광소자(140)에서 방출되는 광의 반사각이 달라질 수 있으며, 이에 따라 외부로 방출되는 광의 지향각을 조절할 수 있다. Referring back to FIG. 1, the body 130 may be formed with a cavity C having an upper side open to expose the light emitting device 140 to the outside, and the cavity C may form an inner surface of the wall part 120. It can be formed to be inclined. The angle of reflection of light emitted from the light emitting device 140 may vary according to the angle of the inclined surface, and thus the directivity angle of the light emitted to the outside may be adjusted.

광의 지향각이 줄어들수록 발광소자(140)에서 외부로 방출되는 광의 집중성은 증가하고, 반대로 광의 지향각이 클수록 발광소자(140)에서 외부로 방출되는 광의 집중성은 감소한다.As the directivity of the light decreases, the concentration of light emitted from the light emitting device 140 to the outside increases. On the contrary, as the directivity of the light increases, the concentration of light emitted to the outside from the light emitting device 140 decreases.

한편, 몸체(130)에 형성되는 캐비티(C)를 위에서 바라본 형상은 원형, 사각형, 다각형, 타원형 등의 형상일 수 있으며, 특히 모서리가 곡선인 형상일 수도 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.On the other hand, the shape viewed from above the cavity (C) formed in the body 130 may be a shape of a circle, a square, a polygon, an oval, and the like, in particular may be a curved shape of the corner, but is not limited thereto.

리드프레임(160)은 금속 재질, 예를 들어, 티타늄(Ti), 구리(Cu), 니켈(Ni), 금(Au), 크롬(Cr), 탄탈늄(Ta), 백금(Pt), 주석(Sn), 은(Ag), 인(P), 알루미늄(Al), 인듐(In), 팔라듐(Pd), 코발트(Co), 실리콘(Si), 게르마늄(Ge), 하프늄(Hf), 루테늄(Ru), 철(Fe) 중에서 하나 이상의 물질 또는 합금을 포함할 수 있다. 또한, 리드프레임(160)은 단층 또는 다층 구조를 가지도록 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.Lead frame 160 is a metal material, for example, titanium (Ti), copper (Cu), nickel (Ni), gold (Au), chromium (Cr), tantalum (Ta), platinum (Pt), tin (Sn), silver (Ag), phosphorus (P), aluminum (Al), indium (In), palladium (Pd), cobalt (Co), silicon (Si), germanium (Ge), hafnium (Hf), ruthenium (Ru) and iron (Fe) may include one or more materials or alloys. In addition, the lead frame 160 may be formed to have a single layer or a multi-layer structure, but is not limited thereto.

특히, 리드프레임(160)의 표면은 발광소자(140)에서 발생한 빛을 반사시키기 위하여 반사층으로 형성될 수 있으며, 일 예로 반사율이 우수한 은(Ag) 도금층으로 형성될 수 있다.In particular, the surface of the lead frame 160 may be formed of a reflective layer in order to reflect the light generated from the light emitting device 140, for example, may be formed of a silver (Ag) plating layer having excellent reflectance.

또한, 리드프레임(160)은 서로 다른 전원을 인가하도록 제1 리드프레임(161) 및 제2 리드프레임(162)으로 구성될 수 있다. 여기서, 제1 리드프레임(161) 및 제2 리드프레임(162)은 소정 간격으로 서로 이격되어 형성되며 몸체(130)에 의해 일부가 감싸질 수 있다.In addition, the lead frame 160 may be configured of the first lead frame 161 and the second lead frame 162 to apply different power. Here, the first lead frame 161 and the second lead frame 162 may be formed spaced apart from each other at a predetermined interval and may be partially wrapped by the body 130.

발광소자(140)는 제1 리드프레임(161) 및 제2 리드프레임(162) 중 어느 하나의 상부면에 실장되어 외부에서 인가되는 전원에 의해 소정파장의 빛을 출사하는 반도체소자의 일종이며, GaN(질화 갈륨), AlN(질화 알루미늄), InN(질화 인듐), GaAs(갈륨 비소) 등의 3족 및 5족 화합물을 기반으로 하여 구현될 수 있다. 일 예로 발광소자(140)는 발광 다이오드일 수 있다. The light emitting device 140 is a type of semiconductor device that is mounted on an upper surface of any one of the first lead frame 161 and the second lead frame 162 and emits light having a predetermined wavelength by a power applied from the outside. It can be implemented based on Group 3 and 5 compounds such as GaN (gallium nitride), AlN (aluminum nitride), InN (indium nitride), GaAs (gallium arsenide). For example, the light emitting device 140 may be a light emitting diode.

발광 다이오드는 예를 들어, 적색, 녹색, 청색, 백색 등의 빛을 방출하는 유색 발광 다이오드 또는 자외선을 방출하는 UV(Ultra Violet) 발광 다이오드일 수 있으나, 이에 대해 한정하지는 않는다. 실시예에서는 단일의 발광다이오드가 중심부에 구비되는 것으로 도시하여 설명하고 있으나, 이에 한정하지 않고 복수개의 발광다이오드를 구비하는 것 또한 가능하다.The light emitting diode may be, for example, a colored light emitting diode that emits light such as red, green, blue, or white, or a UV (Ultra Violet) light emitting diode that emits ultraviolet light. In the embodiment, a single light emitting diode is illustrated as being provided at the central portion, but the present invention is not limited thereto, and it is also possible to include a plurality of light emitting diodes.

또한, 발광 다이오드는 그 전기 단자들이 모두 상부 면에 형성된 수평형타입(Horizontal type)이거나, 또는 상, 하부 면에 형성된 수직형 타입(Vertical type) 모두에 적용 가능하다.In addition, the light emitting diode is applicable to both a horizontal type in which all the electric terminals are formed on the upper surface or a vertical type formed in the upper and lower surfaces.

수지물(150)은 캐비티(C)에 충진되어 발광소자(140) 및 와이어를 밀봉시켜 줄 수 있다. 이 때, 수지물(150)는 실리콘 또는 에폭시와 같은 투광성 수지 재료로 형성될 수 있으며, 상기 재료를 캐비티(C) 내에 충진한 후, 이를 자외선 또는 열 경화하는 방식으로 형성될 수 있다.The resin 150 may be filled in the cavity C to seal the light emitting device 140 and the wire. In this case, the resin material 150 may be formed of a light-transmissive resin material such as silicon or epoxy, and may be formed by filling the material in the cavity C and then UV or heat curing the material.

수지물(150)의 표면은 오목 렌즈 형상, 볼록 렌즈 형상, 플랫한 형상 등으로 형성될 수 있으며, 수지물(150)의 형태에 따라 발광소자(140)에서 방출된 광의 지향각이 변화될 수 있다.The surface of the resin material 150 may be formed in a concave lens shape, a convex lens shape, a flat shape, and the like, and a direction angle of light emitted from the light emitting device 140 may vary according to the shape of the resin material 150. have.

또한, 수지물(150) 위에는 다른 렌즈 형상의 수지물이 형성되거나 부착될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.In addition, another lens-shaped resin material may be formed or attached on the resin material 150, but is not limited thereto.

수지물(150)에는 형광체를 포함할 수 있다. 여기서, 형광체는 발광소자(140)에서 방출되는 광의 파장에 따라 종류가 선택되어 발광소자 패키지(100)가 백색광을 구현하도록 할 수 있다. The resin 150 may include a phosphor. Here, the phosphor may be selected according to the wavelength of the light emitted from the light emitting device 140 to allow the light emitting device package 100 to realize white light.

즉, 형광체는 발광소자(140)에서 방출되는 제1 빛을 가지는 광에 의해 여기 되어 제2 빛을 생성할 수 있는바, 예를 들어, 발광소자(140)가 청색 발광 다이오드이고 형광체가 황색 형광체인 경우, 황색 형광체는 청색 빛에 의해 여기 되어 황색 빛을 방출할 수 있으며, 청색 발광 다이오드에서 발생한 청색 빛 및 청색 빛에 의해 여기 되어 발생한 황색 빛이 혼색됨에 따라 발광소자 패키지(100)는 백색 빛을 제공할 수 있다. That is, the phosphor may be excited by the light having the first light emitted from the light emitting device 140 to generate the second light. For example, the light emitting device 140 is a blue light emitting diode and the phosphor is a yellow phosphor. In this case, the yellow phosphor may be excited by blue light to emit yellow light, and the light emitting device package 100 may be white light as blue light generated by the blue light emitting diode and yellow light generated by being excited by blue light are mixed. Can be provided.

이와 유사하게, 발광소자(140)가 녹색 발광 다이오드인 경우는 magenta 형광체 또는 청색과 적색의 형광체를 혼용하는 경우, 발광소자(140)가 적색 발광 다이오드인 경우는 Cyan형광체 또는 청색과 녹색 형광체를 혼용하는 경우를 예로 들 수 있다.Similarly, when the light emitting element 140 is a green light emitting diode, a magenta phosphor or a mixture of blue and red phosphors is mixed. When the light emitting element 140 is a red light emitting diode, a cyan phosphor or a blue and green phosphor is used. For example,

이러한 형광체는 YAG계, TAG계, 황화물계, 실리케이트계, 알루미네이트계, 질화물계, 카바이드계, 니트리도실리케이트계, 붕산염계, 불화물계, 인산염계 등의 공지된 형광체일 수 있다.Such a fluorescent material may be a known fluorescent material such as a YAG, TAG, sulfide, silicate, aluminate, nitride, carbide, nitridosilicate, borate, fluoride or phosphate.

도 2는 도 1의 발광소자 패키지의 정면을 나타내는 정면도이다.FIG. 2 is a front view illustrating a front surface of the light emitting device package of FIG. 1.

도 2에서는 도 1에서 설명한 동일한 구성에 대해서는 설명을 생략하며, 몰드층(114)에 대해 상세히 설명한다. In FIG. 2, the description of the same configuration described in FIG. 1 will be omitted, and the mold layer 114 will be described in detail.

도 2를 참조하면, 몰드층(114)의 두께(d1)는 리드프레임(160)의 두께(d2)보다 두껍게 형성될 수 있다. Referring to FIG. 2, the thickness d1 of the mold layer 114 may be formed thicker than the thickness d2 of the lead frame 160.

몰드층(114)이 상기와 같이 형성되면, 금속층(112)과 제1 리드프레임(161) 및 제2 리드프레임(162)이 접촉되는 것을 방지할 수 있어, 전기적으로 절연되도록 할 수 있다. When the mold layer 114 is formed as described above, the metal layer 112, the first lead frame 161, and the second lead frame 162 may be prevented from contacting each other, and thus may be electrically insulated.

몰드층(114)의 두께(d1)는 0.2mm 내지 0.4mm일 수 있다.The thickness d1 of the mold layer 114 may be 0.2 mm to 0.4 mm.

몰드층(114)의 두께(d1)가 0.2mm보다 작으면, 제1 리드프레임(161) 및 제2 리드프레임(162)의 두께(d2)보다 얇아질 수 있으며, 금속층(112)과 제1 리드프레임(161) 및 제2 리드프레임(162)이 전기적으로 연결될 수 있다. 또한, 몰드층(114)의 두께(d1)가 0.4mm보다 크면, 벽부(120)의 내측면을 차지하는 면적이 커지며, 따라서, 발광소자(140)에서 발생한 열이 직접 접촉하는 부분이 커지게 되어 몸체(130)가 열화되는 것을 효과적으로 방지할 수 없다.When the thickness d1 of the mold layer 114 is smaller than 0.2 mm, the mold layer 114 may be thinner than the thickness d2 of the first lead frame 161 and the second lead frame 162, and the metal layer 112 and the first layer may be thinner. The lead frame 161 and the second lead frame 162 may be electrically connected. In addition, when the thickness d1 of the mold layer 114 is larger than 0.4 mm, the area occupying the inner surface of the wall portion 120 becomes large, and thus, the portion where heat generated in the light emitting element 140 directly contacts becomes large. It is not possible to effectively prevent the body 130 from deteriorating.

도 3(a)는 실시예에 따른 발광소자 패키지의 평면을 나타내는 평면도이고, 도 3(b)는 도 3(a)의 발광소자 패키지의 단면을 나타내는 단면도이다.3A is a plan view showing a plane of the light emitting device package according to the embodiment, and FIG. 3B is a cross-sectional view showing a cross section of the light emitting device package of FIG.

이하에서는, 도 1(a) 및 도 1(b)에서 도시하고 설명한 동일한 구성에 대해서는 그 설명을 생략하고, 차이점에 대해서만 설명한다.In the following, the same configuration shown and described in Figs. 1 (a) and 1 (b) will be omitted, and only the differences will be described.

도 3(a) 및 도 3(b)를 참조하면, 금속층(212)은 도 1(a) 및 도 1(b)와 달리, 발광소자(240)에서 발생한 열이 직접 접촉하는 벽부(220)의 내측면에만 형성될 수 있으며, 몸체(230)의 외측면 및 상면 일부는 몰드층(214)으로 형성될 수 있다.3 (a) and 3 (b), the metal layer 212 is different from FIGS. 1 (a) and 1 (b) and has a wall portion 220 in which heat generated in the light emitting device 240 is in direct contact. It may be formed only on the inner side of the, and the outer side and the upper portion of the body 230 may be formed of a mold layer 214.

상기와 같이 형성되면, 발광소자 패키지(200)가 외부의 전도성있는 물질과 접촉하였을 때 발광소자 패키지(200)가 전기적으로 절연될 수 있어 안전성을 확보할 수 있다.When the light emitting device package 200 is formed as described above, the light emitting device package 200 may be electrically insulated when the light emitting device package 200 comes into contact with an external conductive material, thereby ensuring safety.

또한, 몰드층(214)이 금속층(212)을 감싸면서 형성됨으로써, 금속층(212)과 몰드층(214)의 결합력을 강화시킬 수 있으며, 구조적 안정성을 확보할 수 있다.In addition, since the mold layer 214 is formed while surrounding the metal layer 212, the bonding force between the metal layer 212 and the mold layer 214 may be strengthened, and structural stability may be ensured.

도 4a 및 도 4b를 참조하면, 조명장치(300)는 몸체(310), 몸체(310)와 체결되는 커버(330) 및 몸체(310)의 양단에 위치하는 마감캡(350)을 포함할 수 있다.4A and 4B, the lighting device 300 may include a body 310, a cover 330 fastened to the body 310, and a closing cap 350 positioned at both ends of the body 310. have.

몸체(310)의 하부면에는 발광소자모듈(340)이 체결되며, 몸체(310)는 발광소자패키지(344)에서 발생된 열이 몸체(310)의 상부면을 통해 외부로 방출할 수 있도록 전도성 및 열발산 효과가 우수한 금속재질로 형성될 수 있다.The lower surface of the body 310 is fastened to the light emitting device module 340, the body 310 is conductive so that the heat generated in the light emitting device package 344 can be discharged to the outside through the upper surface of the body 310 And it may be formed of a metal material having an excellent heat dissipation effect.

발광소자패키지는(344)는 PCB(342) 상에 다색, 다열로 실장되어 어레이를 이룰 수 있으며, 동일한 간격으로 실장되거나 또는 필요에 따라 다양한 이격 거리를 가지고 실장될 수 있어 밝기 등을 조절할 수 있다. 이러한 PCB (342)로는 MCPCB(Metal Core PCB) 또는 FR4 재질의 PCB 등을 사용할 수 있다. The light emitting device package 344 may be mounted on the PCB 342 in a multi-colored, multi-row array to form an array. The light emitting device package 344 may be mounted at the same interval or may be mounted with various separation distances as necessary to adjust brightness. . The PCB 342 may be a metal core PCB (MCPCB) or a PCB made of FR4.

한편, 발광소자패키지(344)는 다수의 홀이 형성되고, 전도성 물질로 이루어진 필름을 포함할 수 있다.Meanwhile, the light emitting device package 344 may include a plurality of holes and a film made of a conductive material.

금속 등의 전도성 물질로 형성된 필름은 광의 간섭현상을 많이 일으키기 때문에, 광파의 상호 작용에 의해 광파의 강도가 강해질 수 있어 광을 효과적으로 추출 및 확산시킬 수 있으며, 필름에 형성된 다수의 홀은 광원부에서 발생한 광의 간섭과 회절을 통해 효과적으로 광을 추출할 수 있도록 할 수 있다. 따라서, 조명장치(300)의 효율이 향상될 수 있다. 이때, 필름에 형성되는 다수의 홀의 크기는 광원부에서 발생하는 광의 파장보다 작은 것이 바람직하다. Since a film formed of a conductive material such as a metal generates a large amount of optical interference, the intensity of a light wave can be enhanced by the interaction of light waves, so that light can be extracted and diffused effectively. It is possible to effectively extract light through interference and diffraction of light. Therefore, the efficiency of the lighting device 300 can be improved. At this time, it is preferable that the size of the plurality of holes formed in the film is smaller than the wavelength of light generated in the light source portion.

커버(330)는 몸체(310)의 하부면을 감싸도록 원형의 형태로 형성될 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.The cover 330 may be formed in a circular shape to surround the lower surface of the body 310, but is not limited thereto.

커버(330)는 내부의 발광소자모듈(340)을 외부의 이물질 등으로부터 보호한다. 또한, 커버(330)는 발광소자패키지(344)에서 발생한 광의 눈부심을 방지하고, 외부로 광을 균일하게 방출할 수 있도록 확산입자를 포함할 수 있으며, 또한 커버(330)의 내면 및 외면 중 적어도 어느 한 면에는 프리즘 패턴 등이 형성될 수 있다. 또한 커버(330)의 내면 및 외면 중 적어도 어느 한 면에는 형광체가 도포될 수도 있다. The cover 330 protects the light emitting device module 340 from the outside and the like. In addition, the cover 330 may include diffusing particles to prevent glare of the light generated from the light emitting device package 344, and to uniformly emit light to the outside, and at least of the inner and outer surfaces of the cover 330 A prism pattern or the like may be formed on either side. In addition, a phosphor may be applied to at least one of an inner surface and an outer surface of the cover 330.

한편, 발광소자패키지(344)에서 발생한 광은 커버(330)를 통해 외부로 방출되므로 커버(330)는 광투과율이 우수하여야하며, 발광소자패키지(344)에서 발생한 열에 견딜 수 있도록 충분한 내열성을 구비하고 있어야 하는바, 커버(330)는 폴리에틸렌 테레프탈레이트(Polyethylen Terephthalate; PET), 폴리카보네이트(Polycarbonate; PC) 또는 폴리메틸 메타크릴레이트(Polymethyl Methacrylate; PMMA) 등을 포함하는 재질로 형성되는 것이 바람직하다.On the other hand, since the light generated from the light emitting device package 344 is emitted to the outside through the cover 330, the cover 330 should have excellent light transmittance, and has sufficient heat resistance to withstand the heat generated by the light emitting device package 344. The cover 330 is preferably formed of a material including polyethylene terephthalate (PET), polycarbonate (PC), polymethyl methacrylate (PMMA), or the like. .

마감캡(350)은 몸체(310)의 양단에 위치하며 전원장치(미도시)를 밀폐하는 용도로 사용될 수 있다. 또한 마감캡(350)에는 전원핀(352)이 형성되어 있어, 실시예에 따른 조명장치(300)는 기존의 형광등을 제거한 단자에 별도의 장치 없이 곧바로 사용할 수 있게 된다.Closing cap 350 is located at both ends of the body 310 may be used for sealing the power supply (not shown). In addition, the closing cap 350 is formed with a power pin 352, the lighting device 300 according to the embodiment can be used immediately without a separate device to the terminal from which the existing fluorescent lamps are removed.

도 5는 실시예에 따른 발광소자패키지를 포함하는 백라이트 유닛을 도시한 분해 사시도이다.5 is an exploded perspective view illustrating a backlight unit including a light emitting device package according to an embodiment.

도 5는 에지-라이트 방식으로, 액정 표시 장치(400)는 액정표시패널(410)과 액정표시패널(410)로 빛을 제공하기 위한 백라이트 유닛(470)을 포함할 수 있다.5 is an edge-light method, and the liquid crystal display device 400 may include a liquid crystal display panel 410 and a backlight unit 470 for providing light to the liquid crystal display panel 410.

액정표시패널(410)은 백라이트 유닛(470)으로부터 제공되는 광을 이용하여 화상을 표시할 수 있다. 액정표시패널(410)은 액정을 사이에 두고 서로 대향하는 컬러 필터 기판(412) 및 박막 트랜지스터 기판(414)을 포함할 수 있다.The liquid crystal display panel 410 may display an image using light provided from the backlight unit 470. The liquid crystal display panel 410 may include a color filter substrate 412 and a thin film transistor substrate 414 facing each other with the liquid crystal interposed therebetween.

컬러 필터 기판(412)은 액정표시패널(410)을 통해 디스플레이되는 화상의 색을 구현할 수 있다.The color filter substrate 412 may implement a color of an image displayed through the liquid crystal display panel 410.

박막 트랜지스터 기판(414)은 구동 필름(417)을 통해 다수의 회로부품이 실장되는 인쇄회로기판(418)과 전기적으로 접속되어 있다. 박막 트랜지스터 기판(414)은 인쇄회로기판(418)으로부터 제공되는 구동 신호에 응답하여 인쇄회로기판(418)으로부터 제공되는 구동 전압을 액정에 인가할 수 있다.The thin film transistor substrate 414 is electrically connected to the printed circuit board 418 on which a plurality of circuit components are mounted through the driving film 417. The thin film transistor substrate 414 may apply a driving voltage provided from the printed circuit board 418 to the liquid crystal in response to a driving signal provided from the printed circuit board 418.

박막 트랜지스터 기판(414)은 유리나 플라스틱 등과 같은 투명한 재질의 다른 기판상에 박막으로 형성된 박막 트랜지스터 및 화소 전극을 포함할 수 있다. The thin film transistor substrate 414 may include a thin film transistor and a pixel electrode formed of a thin film on another substrate of a transparent material such as glass or plastic.

백라이트 유닛(470)은 빛을 출력하는 발광소자모듈(420), 발광소자모듈(420)로부터 제공되는 빛을 면광원 형태로 변경시켜 액정표시패널(410)로 제공하는 도광판(430), 도광판(430)으로부터 제공된 빛의 휘도 분포를 균일하게 하고 수직 입사성을 향상시키는 다수의 필름(450, 460, 464) 및 도광판(430)의 후방으로 방출되는 빛을 도광판(430)으로 반사시키는 반사 시트(440)로 구성된다.The backlight unit 470 may convert the light provided from the light emitting device module 420, the light emitting device module 420 into a surface light source, and provide the light guide plate 430 to the liquid crystal display panel 410. Reflective sheet for reflecting the light emitted from the rear of the light guide plate 430 and the plurality of films 450, 460, 464 to uniform the luminance distribution of the light provided from the 430 and improve the vertical incidence ( 440).

발광소자모듈(420)은 복수의 발광소자패키지(424)와 복수의 발광소자패키지(424)가 실장되어 어레이를 이룰 수 있도록 PCB기판(422)을 포함할 수 있다.The light emitting device module 420 may include a PCB substrate 422 such that a plurality of light emitting device packages 424 and a plurality of light emitting device packages 424 may be mounted to form an array.

특히, 발광소자패키지(424)는 다수의 홀이 형성된 필름을 발광면에 포함함으로써, 렌즈를 생략할 수 있어 슬림한 발광소자패키지를 구현할 수 있고, 동시에 광추출 효율을 향상시킬 수 있다. 따라서, 보다 박형화한 백라이트유닛(470)의 구현이 가능해진다.In particular, the light emitting device package 424 includes a film in which a plurality of holes are formed on the light emitting surface, so that the lens may be omitted, thereby implementing a slim light emitting device package and simultaneously improving light extraction efficiency. Therefore, the thinner backlight unit 470 can be implemented.

한편, 백라이트유닛(470)은 도광판(430)으로부터 입사되는 빛을 액정 표시 패널(410) 방향으로 확산시키는 확산필름(460)과, 확산된 빛을 집광하여 수직 입사성을 향상시키는 프리즘필름(450)으로 구성될 수 있으며, 프리즘필름(450)를 보호하기 위한 보호필름(464)을 포함할 수 있다.On the other hand, the backlight unit 470 is a diffusion film 460 for diffusing light incident from the light guide plate 430 toward the liquid crystal display panel 410, and a prism film 450 for condensing the diffused light to improve vertical incidence. It may be configured as), and may include a protective film 464 for protecting the prism film 450.

도 6은 실시예에 따른 발광소자패키지를 포함하는 백라이트 유닛을 도시한 분해 사시도이다.6 is an exploded perspective view illustrating a backlight unit including a light emitting device package according to an embodiment.

다만, 도 5에서 도시하고 설명한 부분에 대해서는 반복하여 상세히 설명하지 않는다.However, the parts shown and described in Fig. 5 are not repeatedly described in detail.

도 6은 직하 방식으로, 액정 표시 장치(500)는 액정표시패널(510)과 액정표시패널(510)로 빛을 제공하기 위한 백라이트 유닛(570)을 포함할 수 있다.6 illustrates a direct method, the liquid crystal display 500 may include a liquid crystal display panel 510 and a backlight unit 570 for providing light to the liquid crystal display panel 510.

액정표시패널(510)은 도 7에서 설명한 바와 동일하므로, 상세한 설명은 생략한다.Since the liquid crystal display panel 510 is the same as that described with reference to FIG. 7, a detailed description thereof will be omitted.

백라이트 유닛(570)은 복수의 발광소자모듈(523), 반사시트(524), 발광소자모듈(523)과 반사시트(524)가 수납되는 하부 섀시(530), 발광소자모듈(523)의 상부에 배치되는 확산판(540) 및 다수의 광학필름(560)을 포함할 수 있다.The backlight unit 570 includes a plurality of light emitting device modules 523, a reflective sheet 524, a lower chassis 530 in which the light emitting device modules 523 and the reflective sheet 524 are accommodated, and an upper portion of the light emitting device module 523. It may include a diffusion plate 540 and a plurality of optical film 560 disposed in the.

발광소자모듈(523) 복수의 발광소자패키지(522)가 실장되어 어레이를 이룰 수 있도록 PCB기판(521)을 포함할 수 있다.Light emitting device module 523 A plurality of light emitting device packages 522 may be mounted to include a PCB substrate 521 to form an array.

특히, 발광소자패키지(522)는 전도성 물질로 형성되고, 다수의 홀을 포함하는 필름을 발광면에 구비함으로써, 렌즈를 생략할 수 있게되어 슬림한 발광소자패키지를 구현할 수 있고, 동시에 광추출 효율을 향상시킬 수 있다. 따라서, 보다 박형화한 백라이트유닛(570)의 구현이 가능해진다. In particular, the light emitting device package 522 is formed of a conductive material, and by providing a film including a plurality of holes on the light emitting surface, it is possible to omit the lens to implement a slim light emitting device package, at the same time light extraction efficiency Can improve. Therefore, it becomes possible to realize the backlight unit 570 which is thinner.

반사 시트(524)는 발광소자패키지(522)에서 발생한 빛을 액정표시패널(510)이 위치한 방향으로 반사시켜 빛의 이용 효율을 향상시킨다.The reflective sheet 524 reflects the light generated from the light emitting device package 522 in the direction in which the liquid crystal display panel 510 is located to improve light utilization efficiency.

한편, 발광소자모듈(523)에서 발생한 빛은 확산판(540)에 입사하며, 확산판(540)의 상부에는 광학 필름(560)이 배치된다. 광학 필름(560)은 확산 필름(566), 프리즘필름(550) 및 보호필름(564)를 포함하여 구성된다.Meanwhile, the light generated by the light emitting device module 523 is incident on the diffusion plate 540, and the optical film 560 is disposed on the diffusion plate 540. The optical film 560 includes a diffusion film 566, a prism film 550, and a protective film 564.

이상에서는 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 도시하고 설명하였지만, 본 발명은 상술한 특정의 실시예에 한정되지 아니하며, 특허청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 변형실시가 가능한 것은 물론이고, 이러한 변형실시들은 본 발명의 기술적 사상이나 전망으로부터 개별적으로 이해되어서는 안될 것이다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments, but, on the contrary, It should be understood that various modifications may be made by those skilled in the art without departing from the spirit and scope of the present invention.

100, 200: 발광소자 패키지 112, 212: 금속층
114, 214: 몰드층 116, 216: 바닥부
120, 220: 벽부 130, 230: 몸체
140, 240: 발광소자 150, 250: 수지물
100 and 200: light emitting device packages 112 and 212: metal layer
114, 214: mold layers 116, 216: bottom portion
120, 220: wall portions 130, 230: body
140 and 240: light emitting elements 150 and 250: resin

Claims (12)

캐비티가 형성된 몸체;
상기 몸체에 의해 지지되고, 상기 캐비티 바닥면에 위치하며 서로 이격된 제1 리드프레임 및 제2 리드프레임; 및
상기 캐비티에 실장 되어 상기 제1 리드프레임 상에 위치하는 발광소자를 포함하고,
상기 몸체의 적어도 일부분은 금속층으로 이루어지고, 상기 금속층은 상기 제1 리드프레임 및 제2 리드프레임과 이격되어 위치하는 발광소자 패키지.
A body formed with a cavity;
A first lead frame and a second lead frame supported by the body and positioned on the bottom surface of the cavity and spaced apart from each other; And
A light emitting device mounted on the cavity and positioned on the first lead frame;
At least a portion of the body is made of a metal layer, the metal layer is a light emitting device package spaced apart from the first lead frame and the second lead frame.
제1항에 있어서,
상기 몸체는,
상기 캐비티의 측면을 둘러싸는 벽부; 및
상기 캐비티의 바닥면을 이루는 바닥부를 포함하고,
상기 벽부는 상기 금속층 및 몰드층을 포함하고,
상기 몰드층은 상기 금속층과 상기 제1 리드프레임 및 제2 리드프레임 사이에 형성되어 상기 금속층과 상기 제1 리드프레임 및 제2 리드프레임이 전기적으로 절연되도록 하는 발광소자 패키지.
The method of claim 1,
The body,
A wall portion surrounding a side of the cavity; And
A bottom portion forming a bottom surface of the cavity,
The wall portion includes the metal layer and the mold layer,
The mold layer is formed between the metal layer and the first lead frame and the second lead frame so that the metal layer and the first lead frame and the second lead frame is electrically insulated.
제2항에 있어서,
상기 몰드층의 두께는 상기 제1 리드프레임 및 제2 리드프레임의 두께보다 두꺼운 발광소자 패키지.
The method of claim 2,
The thickness of the mold layer is a light emitting device package thicker than the thickness of the first lead frame and the second lead frame.
제2항에 있어서,
상기 몰드층의 두께는 0.2mm 내지 0.4mm인 발광소자 패키지.
The method of claim 2,
The mold layer has a thickness of 0.2mm to 0.4mm light emitting device package.
제2항에 있어서,
상기 금속층은,
상기 벽부의 내측면에 위치하는 발광소자 패키지.
The method of claim 2,
The metal layer may include,
The light emitting device package is located on the inner side of the wall portion.
제5항에 있어서,
상기 금속층은
상기 캐비티의 내측면을 둘러싸는 발광소자 패키지.
The method of claim 5,
The metal layer
A light emitting device package surrounding an inner surface of the cavity.
제1항에 있어서,
상기 금속층은 반사율 및 열전도율 중 적어도 하나가 우수한 재질을 포함하는 발광소자 패키지.
The method of claim 1,
The metal layer is a light emitting device package comprising a material excellent in at least one of reflectance and thermal conductivity.
제1항에 있어서,
상기 금속층은 티타늄(Ti), 구리(Cu), 니켈(Ni), 금(Au), 크롬(Cr), 탄탈늄(Ta), 백금(Pt), 주석(Sn), 은(Ag), 인(P), 알루미늄(Al), 인듐(In), 팔라듐(Pd), 코발트(Co), 실리콘(Si), 게르마늄(Ge), 하프늄(Hf), 루테늄(Ru) 및 철(Fe) 중 적어도 어느 하나를 포함하는 발광소자 패키지.
The method of claim 1,
The metal layer is titanium (Ti), copper (Cu), nickel (Ni), gold (Au), chromium (Cr), tantalum (Ta), platinum (Pt), tin (Sn), silver (Ag), phosphorus At least one of (P), aluminum (Al), indium (In), palladium (Pd), cobalt (Co), silicon (Si), germanium (Ge), hafnium (Hf), ruthenium (Ru), and iron (Fe) Light emitting device package comprising any one.
제1항에 있어서,
상기 금속층은 상기 제1 리드프레임 및 제2 리드프레임과 동일한 재질인 발광소자 패키지.
The method of claim 1,
The metal layer is a light emitting device package of the same material as the first lead frame and the second lead frame.
제1항에 있어서,
상기 캐비티에 충진되는 수지물을 더 포함하는 발광소자 패키지.
The method of claim 1,
The light emitting device package further comprises a resin filled in the cavity.
제1항 내지 제10항 중 어느 한 항의 발광소자패키지를 포함하는 조명장치.A lighting device comprising the light emitting device package of any one of claims 1 to 10. 제1항 내지 제10항 중 어느 한 항의 발광소자패키지를 포함하는 백라이트 장치.A backlight device comprising the light emitting device package of claim 1.
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