KR20150131455A - Gate driving circuit - Google Patents
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Abstract
게이트 구동 회로는, 임의의 세 개의 연속된 스테이지들을 포함하는 복수의 스테이지들 중, 제1 스테이지의 타이밍 신호 입력 단자와 제3 스테이지의 타이밍 신호 출력 단자가 연결되며, 제2 스테이지의 캐리 단자와 제3 스테이지의 입력 단자가 연결된 게이트 구동 회로에 있어서, 제2 스테이지는 제1 스테이지로부터 캐리 신호를 수신하는 입력부, 캐리 신호의 레벨에 따라 제1 전압 레벨의 클럭신호를 제1 노드에 인가하며, 제2 노드의 전압을 제1 전압 레벨보다 상승시키는 부트스트래핑부, 제1 노드 와 제1 접지 단자에 연결되며, 제1 노드의 전압 레벨에 따라 출력 단자의 출력 신호를 제1 접지 전압으로 풀-다운시키는 제1 풀-다운부, 및 제1 노드와 연결되며, 캐리 단자 및 타이밍 신호 출력 단자의 출력 신호를 제1 혹은 제2 접지 전압으로 풀-다운시키는 제2 풀-다운부를 포함하되, 제2 풀-다운부는 타이밍 신호 출력 단자에 다이오드-커넥션으로 연결된 제1 트랜지스터 및 캐리 단자와 제1 접지 단자에 연결된 제2 트랜지스터를 포함하고, 제1 노드가 제2 전압 레벨 일 때, 제2 트랜지스터가 턴-오프 상태이면, 캐리 단자 및 타이밍 신호 출력 단자는 제2 접지 전압으로 풀-다운 되고, 제2 트랜지스터가 턴-온 상태이면, 타이밍 신호 출력 단자는 제1 접지 전압으로 풀-다운 되고, 제3 스테이지의 제2 노드로부터 캐리 단자에 인가되는 방전 전압을 제1 접지 단자로 인가하며, 제1 트랜지스터는 방전 전압이 출력 단자에 인가되지 않도록 한다. 따라서, 게이트 구동 회로는 출력 신호에서 리플(Ripple) 현상을 감소시킴으로써, 출력 신호의 효율을 향상시킬 수 있다. 또한 본 발명의 실시 예에 따르면, 이전 스테이지에서 출력된 캐리 신호가 다음 스테이지의 입력 단자에 효과적으로 전달될 수 있다.The gate driving circuit is connected to the timing signal input terminal of the first stage and the timing signal output terminal of the third stage among the plurality of stages including any three consecutive stages, The second stage includes an input for receiving a carry signal from the first stage, a clock signal of a first voltage level according to the level of the carry signal to the first node, A bootstrapping unit connected to the first node and the first ground terminal for raising the voltage of the second node above the first voltage level and for pulling down the output signal of the output terminal to the first ground voltage according to the voltage level of the first node, And a first pull-down section connected to the first node for pulling down the output signal of the carry terminal and the timing signal output terminal to the first or second ground voltage Down portion includes a first transistor coupled to the timing signal output terminal by a diode-connection, and a second transistor coupled to the carry terminal and the first ground terminal, wherein the first pull-down portion includes a second pull-down portion, When the second transistor is in the turn-off state, the carry terminal and the timing signal output terminal are pulled down to the second ground voltage, and when the second transistor is in the turn-on state, Down to a ground voltage, and applies a discharge voltage applied from the second node of the third stage to the carry terminal, to the first ground terminal, and the first transistor prevents the discharge voltage from being applied to the output terminal. Therefore, the gate drive circuit can improve the efficiency of the output signal by reducing the ripple phenomenon in the output signal. Further, according to the embodiment of the present invention, the carry signal outputted from the previous stage can be effectively transmitted to the input terminal of the next stage.
Description
본 발명은 표시 장치에 관한 것으로, 좀 더 구체적으로는 산화물 박막 트랜지스터를 사용한 게이트 구동 회로에 관한 것이다.The present invention relates to a display device, and more particularly to a gate drive circuit using an oxide thin film transistor.
표시 장치는 정보를 표시 패널을 통해 시각적으로 전달하는 장치이다. 표시 장치는 액정 디스플레이(Liquid Crystal Display, LCD), 발광다이오드(Light Emitting Diode, LED), 및 플라즈마 디스플레이(Plasma Display panel, PDP)등 다양한 종류가 있다.A display device is a device that visually transmits information through a display panel. There are various types of display devices such as a liquid crystal display (LCD), a light emitting diode (LED), and a plasma display panel (PDP).
표시 장치의 표시 패널을 구동하려면, 게이트 구동 회로가 필요하다. 표시 장치의 비용 절감 및 구조의 단순화를 위해 게이트 구동 회로는 박막 트랜지스터를 포함한다. 특히, 산화물 박막 트랜지스터는 기존의 실리콘 박막 트랜지스터보다 전류구동 능력이 우수하여 게이트 구동 회로에 사용하기 적합하다. 또한, 산화물 박막 트랜지스터는 제조 비용이 낮은 장점이 있다.In order to drive the display panel of the display device, a gate driving circuit is required. For cost reduction of the display device and simplification of the structure, the gate drive circuit includes a thin film transistor. In particular, the oxide thin film transistor is superior to the conventional silicon thin film transistor in current drive capability and is suitable for use in a gate drive circuit. In addition, the oxide thin film transistor has a low manufacturing cost.
하지만, 산화물 박막 트랜지스터는 전압 및 빛에 의한 공정 변화로 음의 값의 문턱 전압을 가질 수 있다. 따라서, 기존의 실리콘 박막 트랜지스터를 포함한 게이트 구동 회로에 산화물 박막 트랜지스터를 사용한다면, 산화물 박막 트랜지스터가 완전히 꺼지지 않기 때문에 정상적인 회로 동작이 불가능하다.However, oxide thin film transistors can have a negative threshold voltage due to process variations due to voltage and light. Therefore, if an oxide thin film transistor is used in a gate driving circuit including a conventional silicon thin film transistor, normal circuit operation is impossible because the oxide thin film transistor is not completely turned off.
따라서, 본 발명은 상기 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 본 발명은 출력 전압의 리플(Ripple)성분을 제거하며, 음의 값의 문턱 전압에서도 구동률을 향상시킨 산화물 박막 트랜지스터를 포함하는 게이트 구동 회로를 제공한다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in order to solve the above problems, and it is an object of the present invention to provide a gate drive circuit including an oxide thin film transistor which removes a ripple component of an output voltage and improves a drive ratio even at a negative threshold voltage. Circuit.
본 발명의 실시 예에 따른 게이트 구동 회로는, 임의의 세 개의 연속된 스테이지들을 포함하는 복수의 스테이지들 중, 제1 스테이지의 타이밍 신호 입력 단자와 제3 스테이지의 타이밍 신호 출력 단자가 연결되며, 제2 스테이지의 캐리 단자와 제3 스테이지의 입력 단자가 연결된 게이트 구동 회로에 있어서, 제2 스테이지는 제1 스테이지로부터 캐리 신호를 수신하는 입력부, 캐리 신호의 레벨에 따라 제1 전압 레벨의 클럭신호를 제1 노드에 인가하며, 제2 노드의 전압을 제1 전압 레벨보다 상승시키는 부트스트래핑부, 제1 노드 와 제1 접지 단자에 연결되며, 제1 노드의 전압 레벨에 따라 출력 단자의 출력 신호를 제1 접지 전압으로 풀-다운시키는 제1 풀-다운부, 및 제1 노드와 연결되며, 캐리 단자 및 타이밍 신호 출력 단자의 출력 신호를 제1 혹은 제2 접지 전압으로 풀-다운시키는 제2 풀-다운부를 포함하되, 제2 풀-다운부는 타이밍 신호 출력 단자에 다이오드-커넥션으로 연결된 제1 트랜지스터 및 캐리 단자와 제1 접지 단자에 연결된 제2 트랜지스터를 포함하고, 제1 노드가 제2 전압 레벨 일 때, 제2 트랜지스터가 턴-오프 상태이면, 캐리 단자 및 타이밍 신호 출력 단자는 제2 접지 전압으로 풀-다운 되고, 제2 트랜지스터가 턴-온 상태이면, 타이밍 신호 출력 단자는 제1 접지 전압으로 풀-다운 되고, 제3 스테이지의 제2 노드로부터 캐리 단자에 인가되는 방전 전압을 제1 접지 단자로 인가하며, 제1 트랜지스터는 방전 전압이 출력 단자에 인가되지 않도록 한다.The gate driving circuit according to the embodiment of the present invention is configured such that the timing signal input terminal of the first stage and the timing signal output terminal of the third stage are connected to each other among a plurality of stages including any three consecutive stages, A second stage having an input for receiving a carry signal from the first stage and a second stage for receiving a carry signal of a first voltage level according to the level of the carry signal, A bootstrapping unit for applying a voltage to the first node and for raising a voltage of the second node to a first voltage level; a bootstrapping unit connected to the first node and the first ground terminal for applying an output signal of the output terminal according to a voltage level of the first node; Down to a first ground voltage and a second pull-down section connected to the first node, wherein the output signal of the carry terminal and the timing signal output terminal is connected to the first or second ground Down portion includes a first transistor coupled to the timing signal output terminal by a diode-connection, and a second transistor coupled to the carry terminal and the first ground terminal, the second pull- When the first node is at the second voltage level, the carry terminal and the timing signal output terminal are pulled down to the second ground voltage when the second transistor is in the turn-off state, and when the second transistor is in the turn- The timing signal output terminal is pulled down to a first ground voltage and a discharge voltage applied to the carry terminal from the second node of the third stage is applied to the first ground terminal, .
본 발명의 실시 예에 따르면, 게이트 구동 회로는 출력 신호에서 리플(Ripple) 현상을 감소시킴으로써, 출력 신호의 효율을 향상시킬 수 있다. 또한 본 발명의 실시 예에 따르면, 이전 스테이지에서 출력된 캐리 신호가 다음 스테이지의 입력 단자에 효과적으로 전달될 수 있다. According to the embodiment of the present invention, the gate drive circuit can improve the efficiency of the output signal by reducing the ripple phenomenon in the output signal. Further, according to the embodiment of the present invention, the carry signal outputted from the previous stage can be effectively transmitted to the input terminal of the next stage.
도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 표시 장치를 보여주는 블록도이다.
도 2는 본 발명의 실시 예에 따른 도 1에 도시된 게이트 구동 회로를 보여주는 블록도이다.
도 3은 도 2에 도시된 각각의 스테이지를 보여주는 회로도이다.
도 4는 도 3에 도시된 회로도 입력 및 출력되는 클럭신호를 보여주는 신호도이다.
도 5a 및 도 5b는 본 발명의 출력 신호의 효율을 보여주기 위한 그래프이다.
도 6은 문턱 전압의 변화에 따른 출력 단자의 출력 신호에 대한 그래프이다.
도 7은 도 2에 도시된 각각의 스테이지의 블럭도이다.1 is a block diagram showing a display device according to an embodiment of the present invention.
2 is a block diagram showing the gate driving circuit shown in FIG. 1 according to an embodiment of the present invention.
Fig. 3 is a circuit diagram showing each stage shown in Fig. 2. Fig.
FIG. 4 is a signal diagram showing input and output clock signals of the circuit shown in FIG.
5A and 5B are graphs showing the efficiency of the output signal of the present invention.
6 is a graph of an output signal of an output terminal according to a change in a threshold voltage.
FIG. 7 is a block diagram of each stage shown in FIG. 2. FIG.
이하, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명의 기술적 사상을 용이하게 실시할 수 있을 정도로 상세히 설명하기 위하여, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면을 참조하여 설명하기로 한다. 동일한 구성 요소들은 동일한 참조번호를 이용하여 인용될 것이다. 유사한 구성 요소들은 유사한 참조번호들을 이용하여 인용될 것이다. 아래에서 설명될 본 발명에 따른 게이트 구동 회로와, 그것에 의해 수행되는 동작은 예를 들어 설명한 것에 불과하며, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 변화 및 변경이 가능하다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings, so that those skilled in the art can easily carry out the technical idea of the present invention. The same elements will be referred to using the same reference numerals. Similar components will be referred to using similar reference numerals. The gate drive circuit according to the present invention to be described below and the operation performed thereby are merely described by way of example, and various changes and modifications are possible without departing from the technical idea of the present invention.
도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 표시 장치를 보여주는 블록도이다. 도 1을 참조하면, 표시 장치(100)는 타이밍 제어부(110), 게이트 구동 회로(120), 데이터 구동부(130), 및 표시 패널(140)을 포함한다.1 is a block diagram showing a display device according to an embodiment of the present invention. Referring to FIG. 1, a
타이밍 제어부(110)는 게이트 구동 회로(120)의 복수의 게이트 제어 신호들의 출력을 제어하는 게이트 제어 신호(GCS)를 출력한다. 타이밍 제어부(110)는 외부로부터 입력 영상 신호들을 수신하고, 표시 패널(140)의 동작모드에 부합하게 변환된 영상 데이터들(IDATA)을 출력한다.The
게이트 구동 회로(120)은 타이밍 제어부(110)로부터 게이트 제어신호(GCS)를 수신한다. 게이트 구동 회로(120)은 게이트 제어신호(GCS)에 응답하여 복수의 게이트 신호들을 생성할 수 있다. 게이트 신호들은 복수의 라인들(GL1~GLn)을 통해 표시 패널(140)에 순차적으로 인가된다.The
데이터 구동부(130)는 타이밍 제어부(110)로부터 변환된 영상 데이터들(IDATA)을 수신한다. 데이터 구동부(130)는 변환된 영상 데이터들(IDATA)에 응답하여, 복수의 데이터 신호들을 생성한다. 데이터 신호들은 복수의 데이터 라인들(DL1 ~ DLm)을 통해 표시 패널(140)에 인가된다.The
표시 패널(140)은 복수의 게이트 라인들(GL1 ~ GLn)을 통해 게이트 구동 회로(120)과 전기적으로 연결된다. 또한, 표시 패널(140)은 복수의 데이터 라인들(DL1 ~ DLn)을 통해 데이터 구동부(120)와 전기적으로 연결된다. 표시 패널(140)은 복수의 게이트 라인들(GL1 ~ GLn) 및 복수의 데이터 라인들(DL1 ~ DLn)에 연결되고, 복수의 화소들을 포함한다. 표시 패널(140)은 데이터 구동부(130)를 통해 전달되는 데이터 전압 및 게이트 구동 회로(120)을 통해 전달되는 게이트 전압에 따라 동작한다.The
도 2는 본 발명의 실시 예에 따른 도 1에 도시된 게이트 구동 회로를 보여주는 블록도이다. 도 2를 참조하면, 게이트 구동 회로(120, 도 1 참조)은 시프트 레지스터(121)를 포함한다. 시프트 레지스터(121)는 종속적으로 연결된 제1 내지 제n+2 스테이지들(SRC1 ~ SRCn)을 포함한다. 제1 내지 제n 스테이지들(SRC1 ~ SRCn)은 구동 스테이지로 정의되고, 제n+1 및 제n+2 스테이지(SRCn+1, SRCn+2)는 더미 스테이지로 정의된다. 2 is a block diagram showing the gate driving circuit shown in FIG. 1 according to an embodiment of the present invention. Referring to FIG. 2, the gate driving circuit 120 (see FIG. 1) includes a
제1 내지 제n 스테이지들(SRC1 ~ SRCn)은 제1 내지 제3 클럭신호 단자(CK1, CK2, CK3), 입력 단자(IN), 타이밍 신호 출력 단자(JIN), 타이밍 신호 입력 단자(JIN), 캐리 단자(CR), 및 출력 단자(OUT)를 포함한다. 홀수 번째 스테이지들(SRC1 ~ SRCn-1) 및 짝수 번째 스테이지들(SRC2 ~ SRCn)의 제1 클럭신호 단자(CK1)에는 서로 반대 위상의 신호가 입력된다. 구체적으로, 홀수 번째 스테이지들(SRC1 ~ SRCn-1)의 제1 클럭신호 단자(CK1)에는 제1 클럭신호(CK)가 인가된다. 또한, 짝수 번째 스테이지들(SRC2 ~ SRCn)의 제1 클럭신호 단자(CK1)에는 제2 클럭신호(CKB)가 인가된다. The first through n-th stages SRC1 through SRCn include first through third clock signal terminals CK1 through CK3, an input terminal IN, a timing signal output terminal JIN, a timing signal input terminal JIN, A carry terminal CR, and an output terminal OUT. Signals having mutually opposite phases are input to the first clock signal terminal CK1 of the odd-numbered stages SRC1 to SRCn-1 and the even-numbered stages SRC2 to SRCn. Specifically, the first clock signal CK is applied to the first clock signal terminal CK1 of the odd-numbered stages SRC1 to SRCn-1. In addition, the second clock signal CKB is applied to the first clock signal terminal CK1 of the even-numbered stages SRC2 to SRCn.
제1 내지 제n 스테이지들(SRC1 ~ SRCn)의 제2 및 제3 클럭신호 단자(CK2, CK3)에는 서로 반대 위상의 클럭신호가 인가된다. 구체적으로, 홀수 번째 스테이지들(SRC1 ~ SRCn-1)의 제2 클럭신호 단자(CK2)에는 제3 클럭신호(CKL)가 인가되고, 제3 클럭신호 단자(CK3)에는 반대 위상인 제4 클럭신호(CKLB)가 인가된다. 반대로, 짝수 번째 스테이지들(SRC2 ~ SRCn)의 제2 클럭신호 단자(CK2)에는 제4 클럭신호(CKLB)가 인가되고, 제3 클럭신호 단자(CK3)에는 제3 클럭신호(CKL)가 인가된다. Clock signals having opposite phases are applied to the second and third clock signal terminals CK2 and CK3 of the first to n-th stages SRC1 to SRCn. Specifically, the third clock signal CKL is applied to the second clock signal terminal CK2 of the odd-numbered stages SRC1 to SRCn-1 and the fourth clock signal CK2, which is opposite in phase to the third clock signal terminal CK3, The signal CKLB is applied. Conversely, the fourth clock signal CKLB is applied to the second clock signal terminal CK2 of the even-numbered stages SRC2 to SRCn and the third clock signal CKL is applied to the third clock signal terminal CK3 do.
제2 내지 제n 스테이지(SRC2 ~ SRCn)의 입력 단자(IN)에는 각각 이전 스테이지의 캐리 단자(CR)에서 출력된 캐리 신호가 인가된다. 캐리 단자(CR)에서 출력된 캐리 신호는 다음 스테이지를 구동하는 역할을 한다. 제1 스테이지(SRC1)의 입력 단자(IN)에는 캐리 신호대신 수직 개시 신호(STV)가 인가된다. 따라서, 제1 스테이지(SRC1)는 수직 개시 신호(STV)에 의해 구동된다.Carry signals output from the carry terminals CR of the previous stage are applied to the input terminals IN of the second to n-th stages SRC2 to SRCn, respectively. The carry signal output from the carry terminal CR serves to drive the next stage. The vertical start signal STV is applied to the input terminal IN of the first stage SRC1 instead of the carry signal. Thus, the first stage SRC1 is driven by the vertical start signal STV.
홀수 번째 스테이지들(SRC1 ~ SRCn-1)의 각각의 타이밍 신호 입력 단자(JIN)에는 다음 홀수 번째 스테이지의 타이밍 신호 출력 단자(JOUT)에서 출력한 타이밍 신호가 인가된다. 구체적으로, 제1 스테이지(SRC1)의 타이밍 신호 입력 단자(JIN)에는 제3 스테이지(SRC3)의 타이밍 신호 출력 단자(JOUT)에서 출력한 타이밍 신호가 인가된다.The timing signal output from the timing signal output terminal JOUT of the next odd-numbered stage is applied to each timing signal input terminal JIN of the odd-numbered stages SRC1 to SRCn-1. Specifically, the timing signal output from the timing signal output terminal JOUT of the third stage SRC3 is applied to the timing signal input terminal JIN of the first stage SRC1.
짝수 번째 스테이지들(SRC2 ~ SRCn)의 각각의 타이밍 신호 입력 단자(JIN)에는 다음 짝수 번째 스테이지의 타이밍 신호 출력 단자(JOUT)에서 출력한 타이밍 신호가 인가된다. 구체적으로, 제2 스테이지(SRC2)의 타이밍 신호 입력 단자(JIN)에는 제4 스테이지(SRC4)의 타이밍 신호 출력 단자(JOUT)에서 출력한 타이밍 신호가 인가된다.The timing signal output from the timing signal output terminal JOUT of the next even-numbered stage is applied to each timing signal input terminal JIN of the even-numbered stages SRC2 to SRCn. Specifically, the timing signal output from the timing signal output terminal JOUT of the fourth stage SRC4 is applied to the timing signal input terminal JIN of the second stage SRC2.
제1 및 제2 스테이지(SRC1, SRC2)의 타이밍 신호 출력 단자(JOUT)는 타이밍 신호를 출력한다. 하지만, 타이밍 신호를 인가해줄 이전 스테이지가 존재하지 않기 때문에, 출력 신호를 따로 표시하지는 않았다.The timing signal output terminal JOUT of the first and second stages SRC1 and SRC2 outputs a timing signal. However, since there is no previous stage for applying the timing signal, the output signal is not displayed separately.
제1 내지 제n 스테이지들(SRC1 ~ SRCn)은 제1 내지 제n 게이트 라인들(GL1 ~ GLn)을 통해 표시 패널(140, 도 1 참조)에 전기적으로 연결된다. 제1 내지 제n 스테이지들(SRC1 ~ SRCn)의 출력 단자(OUT)는 제1 내지 제n 게이트 라인들(GL1 ~ GLn)을 통해 제1 내지 제n 게이트 신호(G1 ~ Gn)를 순차적으로 출력한다. The first to nth stages SRC1 to SRCn are electrically connected to the display panel 140 (see FIG. 1) through the first to nth gate lines GL1 to GLn. The output terminal OUT of the first to nth stages SRC1 to SRCn sequentially outputs the first to nth gate signals G1 to Gn through the first to nth gate lines GL1 to GLn, do.
제n+1 및 제n+2 스테이지(SRCn+1, SRCn+2)는 더미 스테이지로, 표시 패널에 게이트 신호를 인가하지 않는다. 제n+1 및 제n+2 스테이지(SRCn+1, SRCn+2)는 제n-1 및 제n 스테이지(SRCn-1, SRCn)의 각각의 타이밍 신호 입력 단자(JIN)에 타이밍 신호를 인가해주기 위해서 존재한다. 제n+1 및 제n+2 스테이지(SRCn+1, SRCn+2)는 타이밍 신호를 출력한다. 하지만, 타이밍 신호 입력 단자(JIN)를 통해 타이밍 신호가 인가되지는 않는다. The n + 1 and n + 2 stages SRCn + 1 and SRCn + 2 are dummy stages and do not apply a gate signal to the display panel. The n + 1 and n + 2 stages SRCn + 1 and SRCn + 2 apply timing signals to the respective timing signal input terminals JIN of the n-1 and n-th stages SRCn-1 and SRCn To be. The n + 1 and n + 2 stages SRCn + 1 and SRCn + 2 output timing signals. However, the timing signal is not applied through the timing signal input terminal JIN.
도 3은 도 2의 스테이지를 구성하는 회로도이다. 도 2 및 도 3을 참조하면, 제1 내지 제n 스테이지들(SRC1 ~ SRCn)은 제1 내지 제10 박막 트랜지스터들(M1 ~ M10), 및 제1 내지 제3 커패시터들(C1~C3)을 포함한다. 제1 내지 제10 박막 트랜지스터들(M1 ~ M10)은 산화물 박막 트랜지스터 일수도 있다. 하지만, 제1 내지 제10 박막 트랜지스터들(M1 ~ M10)은 산화물 박막 트랜지스터에 국한되지 않는다. 본 발명은 제1 내지 제10 박막 트랜지스터들(M1 ~ M10)이 산화물 박막 트랜지스터라는 가정하에 실험했다.3 is a circuit diagram constituting the stage of Fig. 2 and 3, the first to n-th stages SRC1 to SRCn include first to tenth TFTs M1 to M10 and first to third capacitors C1 to C3, . The first to tenth thin film transistors M1 to M10 may be oxide thin film transistors. However, the first to tenth thin film transistors M1 to M10 are not limited to the oxide thin film transistor. The present invention is based on the assumption that the first to tenth thin film transistors M1 to M10 are oxide thin film transistors.
제1 박막 트랜지스터(M1)의 게이트 단자는 제3 클럭신호 단자(CK3)와 연결된다. 제1 박막 트랜지스터(M1)의 게이트 단자는 제3 클럭신호 단자(CK3)로부터 제3 및 제4 클럭신호(CKL, CKLB)를 인가받는다. 제3 및 제4 클럭신호(CKL, CKLB)는 제1 커패시터(C1)에도 인가된다. 제1 커패시터(C1)는 제3 및 제4 클럭신호(CKL, CKLB)에 의해, 제6 박막 트랜지스터(M6)가 턴-온 또는 턴-오프 되지 않도록 한다.The gate terminal of the first thin film transistor M1 is connected to the third clock signal terminal CK3. The gate terminal of the first thin film transistor M1 receives the third and fourth clock signals CKL and CKLB from the third clock signal terminal CK3. The third and fourth clock signals CKL and CKLB are also applied to the first capacitor C1. The first capacitor C1 prevents the sixth thin film transistor M6 from being turned on or off by the third and fourth clock signals CKL and CKLB.
짝수 번째 스테이지들(SRC2 ~ SRCn)의 제3 클럭신호 단자(CK3)에는 제3 클럭신호(CKL)가 인가된다. 홀수 번째 스테이지들(SRC1 ~ SRn-1)의 제3 클럭신호 단자(CK3)에는 제4 클럭신호(CKLB)가 인가된다. 제3 및 제4 클럭신호(CKL, CKLB)는 서로 반대의 위상을 갖는다. 제1 박막 트랜지스터(M1)의 드레인 단자는 입력 단자(IN)와 연결되며, 소스 단자는 제2 박막 트랜지스터(M2)의 게이트 단자와 연결된다. And the third clock signal CKL is applied to the third clock signal terminal CK3 of the even-numbered stages SRC2 to SRCn. And the fourth clock signal CKLB is applied to the third clock signal terminal CK3 of the odd-numbered stages SRC1 to SRn-1. The third and fourth clock signals CKL and CKLB have phases opposite to each other. The drain terminal of the first thin film transistor M1 is connected to the input terminal IN and the source terminal thereof is connected to the gate terminal of the second thin film transistor M2.
입력 단자(IN)에는 이전 스테이지의 캐리 단자(CR)에서 출력된 캐리 신호 및 수직 개시 신호(STV)가 인가된다. 제1 박막 트랜지스터(M1)는 게이트 단자에 입력되는 제3 및 제4 클럭신호(CKL, CKLB)에 따라, 캐리 신호 및 수직 개시 신호(STV)는 제2 박막 트랜지스터(M2)의 게이트 단자에 인가된다. The carry signal and the vertical start signal STV output from the carry terminal CR of the previous stage are applied to the input terminal IN. The first thin film transistor M1 is controlled such that the carry signal and the vertical start signal STV are applied to the gate terminal of the second thin film transistor M2 according to the third and fourth clock signals CKL and CKLB input to the gate terminal do.
제1 노드(n1)에 연결된 제2 커패시터(C2)는 캐리 신호 및 수직 개시 신호(STV)에 의해 충전될 수 있다. 제2 커패시터(C2)는 제1 및 제2 노드(n1, n2) 사이에 배치될 수 있다. 제2 커패시터(C2)는 부트스트래핑을 구현하는데 사용된다.The second capacitor C2 connected to the first node n1 may be charged by the carry signal and the vertical start signal STV. A second capacitor C2 may be disposed between the first and second nodes n1 and n2. The second capacitor C2 is used to implement bootstrapping.
제2 박막 트랜지스터(M2)의 게이트 단자에는 제1 박막 트랜지스터(M1)로부터 출력된 캐리 신호 및 수직 개시 신호(STV)가 인가된다. 제2 박막 트랜지스터(M2)의 드레인 단자는 제1 클럭신호 단자(CK1)와 연결되며, 소스 단자는 제1 노드(n1)와 연결된다. 제1 클럭신호 단자(CK1)에는 제1 및 제2 클럭신호(CK, CKB)가 인가된다. 홀수 번째 스테이지들(SRC1 ~ SRn-1)의 제1 클럭신호 단자(CK1)에는 제1 클럭신호(CK)가 입력된다. 짝수 번째 스테이지들(SRC2 ~ SRCn)의 제1 클럭신호 단자(CK1)에는 제2 클럭신호(CKB)가 인가된다. 제1 및 제2 클럭신호(CK, CKB)는 서로 반대의 위상을 갖는다. The carry signal and the vertical start signal STV output from the first thin film transistor M1 are applied to the gate terminal of the second thin film transistor M2. The drain terminal of the second thin film transistor M2 is connected to the first clock signal terminal CK1, and the source terminal thereof is connected to the first node n1. The first and second clock signals CK and CKB are applied to the first clock signal terminal CK1. The first clock signal CK is input to the first clock signal terminal CK1 of the odd-numbered stages SRC1 to SRn-1. The second clock signal CKB is applied to the first clock signal terminal CK1 of the even-numbered stages SRC2 to SRCn. The first and second clock signals CK and CKB have phases opposite to each other.
제2 박막 트랜지스터(M2)는 게이트 단자에 입력되는 입력 전압에 따라, 제1 및 제2 클럭신호(CK, CKB)를 제1 노드(n)에 인가한다. 제1 노드(n1)에는 제2 커패시터(C2), 제3, 제6, 및 제7 박막 트랜지스터(M3, M6, M7)의 드레인 단자, 및 출력 단자(OUT)들이 연결된다. The second thin film transistor M2 applies the first and second clock signals CK and CKB to the first node n according to the input voltage inputted to the gate terminal. The drain terminal and the output terminal OUT of the second capacitor C2, the third, sixth and seventh thin film transistors M3, M6 and M7 are connected to the first node n1.
제3 박막 트랜지스터(M3)의 드레인 단자는 제1 노드(n1)와 연결되며, 소스 단자는 제1 접지 단자로 연결된다. 제1 접지 단자는 제1 접지 전압(VSS, 예를 들어 0V)을 갖는다. 제3 박막 트랜지스터(M3)의 게이트 단자는 제3 클럭신호 단자(CK3)와 연결된다. 제3 클럭신호 단자(CK3)는 제3 및 제4 클럭신호(CKL, CKLB)를 출력한다. 제3 박막 트랜지스터(M3)는 제3 및 제4 클럭신호(CKL, CKLB)에 따라, 제2 노드(n2)로부터 수신한 제1 및 제2 클럭신호(CK, CKB)를 접지 단자에 인가한다. The drain terminal of the third thin film transistor M3 is connected to the first node n1, and the source terminal is connected to the first ground terminal. The first ground terminal has a first ground voltage (VSS, e.g., 0V). And the gate terminal of the third thin film transistor M3 is connected to the third clock signal terminal CK3. The third clock signal terminal CK3 outputs the third and fourth clock signals CKL and CKLB. The third thin film transistor M3 applies the first and second clock signals CK and CKB received from the second node n2 to the ground terminal in accordance with the third and fourth clock signals CKL and CKLB .
제4 박막 트랜지스터(M4)의 게이트 단자는 제2 클럭신호 단자(CK2)와 연결된다. 제4 박막 트랜지스터(M4)의 드레인 단자는 전원 단자에 연결되며, 소스 단자는 제3 노드(n3)에 연결된다. 제2 클럭신호 단자(CK2)는 제3 및 제4 클럭신호(CKL, CKLB)를 출력한다. 홀수 번째 스테이지들(SRC1 ~ SRn-1)의 제2 클럭신호 단자(CK2)에는 제3 클럭신호(CKL)가 인가된다. 짝수 번째 스테이지들(SRC2 ~ SRCn)의 제2 클럭신호 단자(CK2)에는 제4 클럭신호(CKLB)가 인가된다. And the gate terminal of the fourth thin film transistor M4 is connected to the second clock signal terminal CK2. The drain terminal of the fourth thin film transistor M4 is connected to the power source terminal, and the source terminal is connected to the third node n3. The second clock signal terminal CK2 outputs the third and fourth clock signals CKL and CKLB. And the third clock signal CKL is applied to the second clock signal terminal CK2 of the odd-numbered stages SRC1 to SRn-1. And the fourth clock signal CKLB is applied to the second clock signal terminal CK2 of the even-numbered stages SRC2 to SRCn.
제4 박막 트랜지스터(M4)는 제3 및 제4 클럭신호(CKL, CKLB)에 따라, 전원 단자에서 출력된 전원 전압(VDD)을 제3 노드(n3)에 인가한다. 제3 노드(n3)에는 제5 박막 트랜지스터(M5)의 드레인 단자, 제3 커패시터(C3) 및 제6 박막 트랜지스터(M6)의 게이트 단자들이 연결된다.The fourth thin film transistor M4 applies the power supply voltage VDD output from the power supply terminal to the third node n3 in accordance with the third and fourth clock signals CKL and CKLB. The drain terminal of the fifth thin film transistor M5, the third capacitor C3 and the gate terminals of the sixth thin film transistor M6 are connected to the third node n3.
제5 박막 트랜지스터(M5)의 게이트 단자는 제2 노드(n2)에 연결된다. 제 5 박막 트랜지스터(M5)의 드레인 단자는 제3 노드(n3)에 연결되며, 소스 단자는 제1 접지 단자로 연결된다. The gate terminal of the fifth thin film transistor M5 is connected to the second node n2. The drain terminal of the fifth thin film transistor M5 is connected to the third node n3, and the source terminal is connected to the first ground terminal.
제6 박막 트랜지스터(M6)의 게이트 단자는 제3 노드(n3)에 연결된다. 제6 박막 트랜지스터(M6)의 드레인 단자는 제1 노드(n1)에 연결되며, 소스 단자는 제1 접지 단자로 연결된다. 제6 박막 트랜지스터(M6)는 게이트 단자에 입력되는 전원 전압(VDD)에 따라, 출력 단자(OUT)의 출력 신호의 전압을 제1 접지 전압(VSS, 예를 들어 0V)으로 풀-다운 시킨다.And the gate terminal of the sixth thin film transistor M6 is connected to the third node n3. The drain terminal of the sixth thin film transistor M6 is connected to the first node n1, and the source terminal is connected to the first ground terminal. The sixth thin film transistor M6 pulls down the voltage of the output signal of the output terminal OUT to the first ground voltage VSS (for example, 0 V) in accordance with the power source voltage VDD input to the gate terminal.
제7 박막 트랜지스터(M7)의 게이트 단자는 제2 클럭신호 단자(CK2)에 연결된다. 제7 박막 트랜지스터(M7)의 드레인 단자는 제1 노드(n1)에 연결되며, 소스 단자는 제4 노드(n4)와 연결된다. 제7 박막 트랜지스터(M7)는 게이트 단자에 인가되는 제3 및 제4 클럭신호(CKL, CKLB)에 따라, 드레인 단자에 인가된 제1 및 제2 클럭신호(CK, CKB)를 제4 노드(n4)에 인가한다. 제4 노드(n4)에는 타이밍 신호 출력 단자(JOUT), 제8 박막 트랜지스터(M8)의 드레인 단자 및 게이트 단자가 연결된다.And the gate terminal of the seventh thin film transistor M7 is connected to the second clock signal terminal CK2. The drain terminal of the seventh thin film transistor M7 is connected to the first node n1 and the source terminal is connected to the fourth node n4. The seventh thin film transistor M7 supplies the first and second clock signals CK and CKB applied to the drain terminal to the fourth node (CK and CKB) according to the third and fourth clock signals CKL and CKLB applied to the gate terminal n4. A timing signal output terminal JOUT and a drain terminal and a gate terminal of the eighth thin film transistor M8 are connected to the fourth node n4.
제8 박막 트랜지스터(M8)의 게이트 단자 및 드레인 단자는 제4 노드(n4)와 연결되며, 소스 단자는 제5 노드(n5)에 연결된다. 제8 박막 트랜지스터(M8)는 다이오드-커넥션으로 연결된다. 따라서, 출력 단자(OUT) 측의 신호의 전압이 캐리 단자(CR)의 신호의 전압보다 높으면, 제1 및 제2 클럭신호(CK, CKB)가 제8 박막 트랜지스터(M8)를 턴-온 한다. 동시에, 제1 및 제2 클럭신호(CK, CKB)는 제8 박막 트랜지스터(M8)의 드레인 단자를 통해 제5 노드(n5)에 인가된다. 제5 노드(n5)에는 캐리 단자(CR), 제9 박막 트랜지스터(M9)의 드레인 단자 및 제10 박막 트랜지스터(M10)의 드레인 단자가 연결된다.The gate terminal and the drain terminal of the eighth thin film transistor M8 are connected to the fourth node n4 and the source terminal is connected to the fifth node n5. The eighth thin film transistor M8 is connected by a diode-connection. Therefore, when the voltage of the signal on the output terminal OUT side is higher than the voltage of the signal on the carry terminal CR, the first and second clock signals CK and CKB turn on the eighth thin film transistor M8 . At the same time, the first and second clock signals CK and CKB are applied to the fifth node n5 through the drain terminal of the eighth thin film transistor M8. The fifth node n5 is connected to a carry terminal CR, a drain terminal of the ninth thin film transistor M9, and a drain terminal of the tenth thin film transistor M10.
제9 박막 트랜지스터(M9)의 게이트 단자는 제3 클럭신호 단자(CK3)와 연결된다. 제9 박막 트랜지스터(M9)의 드레인 단자는 제5 노드(n5)에 연결되며, 소스 단자는 제2 접지 단자로 연결된다. 제2 접지 단자는 제2 접지 전압(VSSL, 예를 들어 -5V)을 갖는다. 제9 박막 트랜지스터(M9)는 게이트 단자에 제3 및 제4 클럭신호(CKL, CKLB)가 인가된다. 이에 따라, 캐리 단자(CR)의 캐리 신호의 전압은 제2 접지 전압(VSSL, 예를 들어 -5V)으로 풀-다운된다. 제2 접지 전압(VSSL, 예를 들어 -5V)은 제1 접지 전압(VSS, 예를 들어 0V)보다 항상 낮다.And the gate terminal of the ninth thin film transistor M9 is connected to the third clock signal terminal CK3. The drain terminal of the ninth thin film transistor M9 is connected to the fifth node n5, and the source terminal is connected to the second ground terminal. The second ground terminal has a second ground voltage (VSSL, e.g., -5V). The ninth thin film transistor M9 is supplied with the third and fourth clock signals CKL and CKLB at its gate terminal. Thus, the carry signal of the carry terminal CR is pulled down to the second ground voltage (VSSL, for example, -5 V). The second ground voltage (VSSL, e.g., -5V) is always lower than the first ground voltage (VSS, e.g., 0V).
제10 박막 트랜지스터(M10)의 게이트 단자는 타이밍 신호 입력 단자(JIN)와 연결된다. 제10 박막 트랜지스터(M10)의 드레인 단자는 제5 노드(n5)와 연결되며, 소스 단자는 제1 접지 단자로 연결된다. 제10 박막 트랜지스터(M10)는 게이트 단자에 타이밍 신호가 입력됨에 따라, 캐리 단자(CR)의 캐리 신호의 전압은 제1 접지 전압(VSS, 예를 들어 0V)으로 풀-다운 된다.The gate terminal of the tenth thin film transistor M10 is connected to the timing signal input terminal JIN. The drain terminal of the tenth thin film transistor M10 is connected to the fifth node n5, and the source terminal is connected to the first ground terminal. As the timing signal is input to the gate terminal of the tenth thin film transistor M10, the carry signal of the carry terminal CR is pulled down to the first ground voltage VSS (for example, 0 V).
도 4는 도 3에 도시된 회로도 입력 또는 출력되는 클럭신호를 보여주는 신호도이다. 도 4는 도2의 시프트 레지스터에서 홀수 번째 스테이지들(SRC1 ~ SRCn-1)에 입력 또는 출력되는 클럭신호에 대한 신호도이다. 제1 내지 제4 클럭신호들(CK, CKB, CKL, CKLB)은 하이(High) 상태에 따른 제1 전압 레벨(L1) 및 로우(Low) 상태에 따른 제2 전압 레벨(L2)을 갖는다. 4 is a signal diagram showing a clock signal input or output in the circuit diagram shown in FIG. 4 is a signal diagram for a clock signal input to or outputted from odd-numbered stages SRC1 to SRCn-1 in the shift register of FIG. The first to fourth clock signals CK, CKB, CKL and CKLB have a first voltage level L1 according to a high state and a second voltage level L2 according to a low state.
IN은 입력 단자(IN)에 인가되는 캐리 신호를 의미하며, CR은 캐리 단자(CR)를 통해 출력되는 캐리 신호를 의미한다. n1은 제1 노드(n1)에서의 전압 레벨을 의미한다. JOUT은 타이밍 신호 출력 단자(JOUT)의 출력 신호를 의미하며, JIN은 타이밍 신호 입력 단자(JIN)의 입력 신호를 의미한다. 마지막으로 G는 출력 단자(OUT)의 출력 신호를 의미한다. IN denotes a carry signal applied to an input terminal IN, and CR denotes a carry signal outputted through a carry terminal CR. n1 denotes a voltage level at the first node n1. JOUT denotes the output signal of the timing signal output terminal (JOUT), and JIN denotes the input signal of the timing signal input terminal (JIN). Finally, G denotes the output signal of the output terminal OUT.
도 3 및 도 4를 참조하면, 제1 시간(t1)에서, 제3 클럭신호 단자(CK3)에는 제1 전압 레벨(L1)의 제4 클럭신호(CKLB)가 입력된다. 제1 전압 레벨(L1)의 제4 클럭신호(CKLB)는 제1, 제3 및 제9 트랜지스터들(M1, M3, M9)의 게이트 단자에 인가되어 턴-온 시킨다. 또한 제1 커패시터(C1)를 충전시킨다. 3 and 4, at the first time t1, the fourth clock signal CKLB of the first voltage level L1 is input to the third clock signal terminal CK3. The fourth clock signal CKLB of the first voltage level L1 is applied to the gate terminals of the first, third, and ninth transistors M1, M3, and M9 to turn on. And charges the first capacitor C1.
입력 단자(IN)에는 제1 전압 레벨(L1)의 캐리 신호가 입력된다. 또는, 제1 스테이지(SRC1)의 입력 단자(IN)에는 제1 전압 레벨(L1)의 수직 계시 신호(STV)가 입력된다. 제1 전압 레벨(L1)의 캐리 신호 또는 수직 계시 신호(STV)는 턴-온 된 제1 박막 트랜지스터(M1)를 통해 제2 박막 트랜지스터(M2)의 게이트 단자를 턴-온 시킨다. 또한, 제1 전압 레벨(L1)의 캐리 신호 또는 수직 계시 신호(STV)는 제2 노드(n2)에 인가된다.The carry signal of the first voltage level L1 is input to the input terminal IN. Alternatively, the vertical timing signal STV of the first voltage level L1 is input to the input terminal IN of the first stage SRC1. The carry signal of the first voltage level L1 or the vertical timing signal STV turns on the gate terminal of the second thin film transistor M2 through the turned-on first thin film transistor M1. Further, the carry signal or the vertical timing signal STV of the first voltage level L1 is applied to the second node n2.
제2 노드(n2)에는 제2 커패시터(C2) 및 제5 박막 트랜지스터(M5)의 게이트 단자가 연결된다. 따라서, 제1 전압 레벨(L1)의 캐리 신호 또는 수직 계시 신호(STV)는 제2 커패시터(C2)를 충전시키며, 제5 박막 트랜지스터(M5)를 턴-온 시킨다. 제3 박막 트랜지스터(M3)의 턴-온으로 인해, 출력 단자(OUT)의 전압을 제1 접지 전압(VSS, 예를 들어 0V)으로 유지할 수 있다.And the gate terminal of the second capacitor C2 and the fifth thin film transistor M5 are connected to the second node n2. Therefore, the carry signal or the vertical timing signal STV of the first voltage level L1 charges the second capacitor C2 and turns on the fifth thin film transistor M5. Due to the turn-on of the third thin film transistor M3, the voltage of the output terminal OUT can be maintained at the first ground voltage VSS (for example, 0 V).
제2 시간(t2)에서, 제1 클럭신호 단자(CK1)에는 제1 전압 레벨(L1)의 제1 클럭신호(CK)가 인가된다. 제2 커패시터(C2)에 저장된 에너지로 인해 생성된 활성화된 신호가 제2 노드(n2)에 인가된다. 활성화된 신호는 제2 및 제5 박막 트랜지스터(M2, M5)의 게이트 단자에 인가된다. 따라서 제2 및 제5 박막 트랜지스터(M2, M5)는 턴-온 된다.At the second time t2, the first clock signal CK of the first voltage level L1 is applied to the first clock signal terminal CK1. And the activated signal generated by the energy stored in the second capacitor C2 is applied to the second node n2. The activated signal is applied to the gate terminals of the second and fifth thin film transistors M2 and M5. Therefore, the second and fifth thin film transistors M2 and M5 are turned on.
제1 전압 레벨(L1)의 제1 클럭신호(CK)는 제2 박막 트랜지스터(M2)를 통해 제1 노드(n1)에 인가된다. 제1 노드(n1)에는 제2 커패시터(C2), 제3 박막 트랜지스터(M3)의 드레인 단자 및 출력 단자(OUT)가 연결된다. The first clock signal CK of the first voltage level L1 is applied to the first node n1 through the second thin film transistor M2. The second capacitor C2, the drain terminal and the output terminal OUT of the third thin film transistor M3 are connected to the first node n1.
제2 커패시터(C2)는 제1 노드(n1)를 통해 인가되는 제1 전압 레벨(L1)의 제1 클럭신호(CK)에 의해 충전된다. 따라서, 제2 박막 트랜지스터(M2)의 턴-온 상태를 계속 유지시킬 수 있다. 제2 커패시터(C2)는 부트스트래핑을 구현한다. 부트스트래핑이란, 제2 커패시터(C2)에 충전된 에너지에 제1 전압 레벨(L1)의 제1 클럭신호(CK)가 더해지는 것을 의미한다. 따라서, 제2 노드(n2)의 전압 레벨이 제1 전압 레벨(L1)의 두 배까지 상승 될 수 있다. 부트스트래핑에 의해, 출력 단자(OUT)에 제1 전압 레벨(L1)의 제1 클럭신호(CK)가 손실 없이 인가된다. 출력 단자(OUT)는 제1 전압 레벨(L1)의 출력 신호(G)를 출력한다.The second capacitor C2 is charged by the first clock signal CK of the first voltage level L1 applied through the first node n1. Therefore, the turn-on state of the second thin film transistor M2 can be maintained. The second capacitor C2 implements bootstrapping. Bootstrapping means that the first clock signal CK of the first voltage level L1 is added to the energy charged in the second capacitor C2. Therefore, the voltage level of the second node n2 can be raised to twice the first voltage level L1. By bootstrapping, the first clock signal CK of the first voltage level L1 is applied to the output terminal OUT without loss. And the output terminal OUT outputs the output signal G of the first voltage level L1.
제2 클럭신호 단자(CK2)에는 제1 전압 레벨(L1)의 제3 클럭신호(CKL)가 인가된다. 따라서, 제2 클럭신호 단자(CK2)와 게이트 단자가 연결된 제4 및 제7 박막 트랜지스터(M4, M7)는 턴-온 된다. 제1 전압 레벨(L1)의 제1 클럭신호(CK)는 제7 박막 트랜지스터(M7)를 통해 제4 노드(n4)에 인가된다. 제4 노드(n4)에는 타이밍 신호 출력단자(JOUT), 제8 박막 트랜지스터(M8)의 게이트 단자 및 드레인 단자가 연결된다. And the third clock signal CKL of the first voltage level L1 is applied to the second clock signal terminal CK2. Therefore, the fourth and seventh thin film transistors M4 and M7 to which the second clock signal terminal CK2 and the gate terminal are connected are turned on. The first clock signal CK of the first voltage level L1 is applied to the fourth node n4 through the seventh thin film transistor M7. A timing signal output terminal JOUT and a gate terminal and a drain terminal of the eighth thin film transistor M8 are connected to the fourth node n4.
타이밍 신호 출력단자(JOUT)를 통해 출력된 활성화된 제1 클럭신호(CK)는 이전 홀수 번째 스테이지의 타이밍 신호 입력 단자(JIN)에 인가된다. 제8 박막 트랜지스터(M8)는 다이오드-커넥션으로 연결되다. 따라서, 제8 박막 트랜지스터(M8)는 제1 전압 레벨(L1)의 제1 클럭신호(CK)에 의해 게이트 단자가 턴-온 된다. 동시에, 제8 박막 트랜지스터(M8)는 제5 노드(n5)에 제1 전압 레벨(L1)의 제1 클럭신호(CK)를 인가한다. 제5 노드(n5)에는 캐리 단자(CR), 제9 박막 트랜지스터(M9)의 드레인 단자 및 제10 박막 트랜지스터(M10)의 드레인 단자가 연결된다. The activated first clock signal CK output through the timing signal output terminal JOUT is applied to the timing signal input terminal JIN of the previous odd-numbered stage. The eighth thin film transistor M8 is connected by a diode-connection. Therefore, the gate terminal of the eighth thin film transistor M8 is turned on by the first clock signal CK of the first voltage level L1. At the same time, the eighth thin film transistor M8 applies the first clock signal CK of the first voltage level L1 to the fifth node n5. The fifth node n5 is connected to a carry terminal CR, a drain terminal of the ninth thin film transistor M9, and a drain terminal of the tenth thin film transistor M10.
타이밍 신호 입력 단자(JIN) 및 제3 클럭신호 단자(CK3)에 제2 전압 레벨(L2)의 신호가 인가된다. 따라서, 제10 및 제9 박막 트랜지스터(M9, M10)는 턴-오프 된다. 제1 전압 레벨(L1)의 제1 클럭신호(CK1)는 제어 단자(CR)를 통해 다음 스테이지로 출력된다.The signal of the second voltage level L2 is applied to the timing signal input terminal JIN and the third clock signal terminal CK3. Therefore, the tenth and ninth thin film transistors M9 and M10 are turned off. The first clock signal CK1 of the first voltage level L1 is output to the next stage via the control terminal CR.
전원 전압(VDD)은 제4 박막 트랜지스터(M4)를 통해 제3 노드(n3)에 인가된다. 제3 노드(n3)에는 제5 박막 트랜지스터(M5)의 드레인 단자 및 제6 박막 트랜지스터(M6)의 게이트 단자가 연결된다. 따라서, 전원 전압(VDD)는 제5 박막 트랜지스터(M5)를 통해 제1 접지 단자에 인가된다. 또한, 전원 전압(VDD)에 의해 제6 박막 트랜지스터(M6)는 턴-온 된다. 따라서, 제1 전압 레벨(L1)의 제1 클럭신호(CK)는 제6 박막 트랜지스터(M6)을 통해 제1 접지 단자에 인가된다. The power supply voltage VDD is applied to the third node n3 through the fourth thin film transistor M4. The drain terminal of the fifth thin film transistor M5 and the gate terminal of the sixth thin film transistor M6 are connected to the third node n3. Therefore, the power supply voltage VDD is applied to the first ground terminal through the fifth thin film transistor M5. In addition, the sixth thin film transistor M6 is turned on by the power supply voltage VDD. Therefore, the first clock signal CK of the first voltage level L1 is applied to the first ground terminal through the sixth thin film transistor M6.
제3 시간(t3)0에서, 제3 클럭신호 단자(CK3)에는 제1 전압 레벨(L1)의 제4 클럭신호(CKLB)가 인가된다. 따라서, 제1, 제3 및 제8 박막 트랜지스터(M1, M3, M8)가 턴-온 된다. 입력 단자(IN)는 이전 스테이지의 제어 단자(CR)와 연결된다. 따라서, 제2 커패시터(C2)에 남아있는 에너지에 의해 출력되는 활성화된 신호는 이전 스테이지를 통해 방전된다. 이전 스테이지의 제8 박막 트랜지스터(M8)는 턴-오프 되며, 제10 박막 트랜지스터(M1O)는 턴-온 된다. At the
제2 커패시터(C2)에서 생성된 활성화된 신호는 이전 스테이지의 제10 박막 트랜지스터(M10)를 통해 제1 접지 단자에 인가된다. 이전 스테이지의 제8 박막 트랜지스터(M8)는 다이오드-커넥션으로 연결되어 있다. 따라서, 제2 커패시터(C2)에서 생성된 활성화된 신호는 이전 스테이지의 출력 단자(OUT)로는 인가될 수 없다. 제8 박막 트랜지스터(M8)의 다이오드-커넥션 연결로 인해, 출력 단자(OUT)의 리플 신호를 감소시킬 수 있다.The activated signal generated in the second capacitor C2 is applied to the first ground terminal through the tenth thin film transistor M10 of the previous stage. The eighth thin film transistor M8 of the previous stage is connected by a diode-connection. Therefore, the activated signal generated in the second capacitor C2 can not be applied to the output terminal OUT of the previous stage. Due to the diode-connection connection of the eighth thin film transistor M8, the ripple signal at the output terminal OUT can be reduced.
제3 박막 트랜지스터(M3)의 턴-온으로 인해, 출력 단자(OUT)의 전압을 제1 접지 전압(VSS, 예를 들어 0V)으로 풀-다운할 수 있다. 또한, 제8 박막 트랜지스터(M8)의 턴-온으로 인해, 캐리 단자(CR)의 전압은 제2 접지 전압(VSSL, 예를 들어 -5V)으로 풀-다운할 수 있다.Due to the turn-on of the third thin film transistor M3, the voltage of the output terminal OUT can be pulled-down to the first ground voltage VSS, for example, 0V. Further, due to the turn-on of the eighth thin film transistor M8, the voltage of the carry terminal CR can be pulled-down to the second ground voltage VSSL, for example, -5V.
제4 시간(t4)에서, 제3 클럭신호 단자(CK3)에는 제2 전압 레벨(L2)의 제4 클럭신호(CKLB)가 인가된다. 입력 단자(IN)에는 제2 전압 레벨(L2)의 캐리 신호 및 수직 개시 신호(STV)가 인가된다. 따라서, 제2, 제3 제5 및 제9 박막 트랜지스터들(M2, M3, M5, M9)는 턴-오프 된다. 제2 박막 트랜지스터(M2)의 드레인 단자에는 제1 전압 레벨(L1)의 제1 클럭신호(CK)가 인가된다. 하지만, 제2 박막 트랜지스터(M2)는 턴-오프 상태이므로, 제1 전압 레벨(L1)의 제1 클럭신호(CK)는 제1 노드(n1)로 인가될 수 없다.At the fourth time t4, the fourth clock signal CKLB of the second voltage level L2 is applied to the third clock signal terminal CK3. The carry signal of the second voltage level L2 and the vertical start signal STV are applied to the input terminal IN. Therefore, the second, third, fifth and ninth thin film transistors M2, M3, M5 and M9 are turned off. The first clock signal CK of the first voltage level L1 is applied to the drain terminal of the second thin film transistor M2. However, since the second thin film transistor M2 is in the turn-off state, the first clock signal CK of the first voltage level L1 can not be applied to the first node n1.
제2 클럭신호 단자(CK2)에는 제1 전압 레벨(L1) 제3 클럭신호(CKL)이 인가된다. 제2 클럭신호 단자(CK2)는 제4 및 제7 박막 트랜지스터(M4, M7)의 게이트 단자와 연결된다. 따라서, 제4 및 제7 박막 트랜지스터(M4, M7)는 턴-온 된다. And the first voltage level L1 and the third clock signal CKL are applied to the second clock signal terminal CK2. The second clock signal terminal CK2 is connected to the gate terminals of the fourth and seventh thin film transistors M4 and M7. Therefore, the fourth and seventh thin film transistors M4 and M7 are turned on.
제4 박막 트랜지스터(M4)가 턴-온 되면, 전원 전압(VDD)는 제3 노드(n3)에 인가된다. 제3 노드(n3)에는 제5 박막 트랜지스터(M5)의 드레인 단자 및 제6 박막 트랜지스터(M6)의 게이트 단자가 연결된다. 제5 박막 트랜지스터(M5)는 턴-오프 되어 있으므로, 전원 전압(VDD)은 제3 노드(n3)를 통해 제 6 박막 트랜지스터(M6)의 게이트 단자에 인가된다. 따라서, 제6 박막 트랜지스터(M6)는 턴-온 된다. 출력 단자(OUT)는 제6 박막 트랜지스터(M6)를 통해 제1 접지 단자로 연결된다. 따라서, 출력 단자(OUT)는 제1 접지 전압(VSS, 예를 들어 0V)으로 풀-다운된다. When the fourth thin film transistor M4 is turned on, the power source voltage VDD is applied to the third node n3. The drain terminal of the fifth thin film transistor M5 and the gate terminal of the sixth thin film transistor M6 are connected to the third node n3. Since the fifth thin film transistor M5 is turned off, the power source voltage VDD is applied to the gate terminal of the sixth thin film transistor M6 through the third node n3. Thus, the sixth thin film transistor M6 is turned on. And the output terminal OUT is connected to the first ground terminal through the sixth thin film transistor M6. Thus, the output terminal OUT is pulled-down to the first ground voltage VSS (for example, 0 V).
제10 박막 트랜지스터(M10)의 게이트 단자에 연결된 타이밍 신호 입력단자(JIN)에는 활성화된 타이밍 신호가 인가된다. 따라서, 제10 박막 트랜지스터(M10)는 턴-온 된다. 캐리 단자(CR)는 제10 박막 트랜지스터(M10)를 통해 제1 접지 단자와 연결되므로, 캐리 단자(CR)는 다음 스테이지의 입력 단자(IN)에 제1 접지 전압(VSS, 예를 들어 0V)을 인가한다. An activated timing signal is applied to the timing signal input terminal JIN connected to the gate terminal of the tenth thin film transistor M10. Thus, the tenth thin film transistor M10 is turned on. The carry terminal CR is connected to the first ground terminal through the tenth thin film transistor M10 so that the carry terminal CR is connected to the input terminal IN of the next stage with the first ground voltage VSS, .
이와 같이, 제8 박막 트랜지스터(M8)의 다이오드-커넥션 연결을 통해, 출력 단자(OUT)의 리플 신호를 감소시킬 수 있다. 또한, 제2 커패시터(C2)의 부트스트래핑 구현을 통해, 제1 전압 레벨(L1)의 제1 클럭신호(CK1)는 손실 없이 출력 단자(OUT)에 인가된다. Thus, the ripple signal at the output terminal OUT can be reduced through the diode-connection connection of the eighth thin-film transistor M8. Also, through the bootstrapping implementation of the second capacitor C2, the first clock signal CK1 of the first voltage level L1 is applied to the output terminal OUT without loss.
도 5a 및 도 5b는 본 발명의 출력 신호의 효율을 보여주기 위한 그래프이다. 도 5a는 기존 게이트 구동 회로의 스테이지들의 출력 신호를 보여주는 그래프이다. 도 5a는 제3, 제6 및 제9 스테이지들에서 출력한 제3, 제6 및 제9 출력 신호(G3, G6, G9)에 대한 그래프이다. 도 5a 및 도 5b의 가로축은 단위 시간(s)을 의미하며, 세로축은 단위 시간당 출력된 출력 신호의 크기(V)를 의미한다. 도 5a를 참조하면, 제3, 제6 및 제9 출력 신호들(G3, G6, G9)에는 리플 성분이 존재하는 것을 확인할 수 있다. 5A and 5B are graphs showing the efficiency of the output signal of the present invention. 5A is a graph showing output signals of stages of a conventional gate driving circuit. 5A is a graph of the third, sixth and ninth output signals G3, G6 and G9 output in the third, sixth and ninth stages. 5A and 5B indicate the unit time (s), and the vertical axis indicates the magnitude (V) of the output signal output per unit time. Referring to FIG. 5A, it can be confirmed that ripple components exist in the third, sixth, and ninth output signals G3, G6, and G9.
도 5a와 비교하여 도 5b를 참조하면, 본 발명의 게이트 구동 회로(120, 도 2 참조)의 제3, 제6 및 제9 스테이지들(SRC3, SRC6, SRC9)의 출력 신호들에는 리플 성분이 거의 존재하지 않는 것을 확인할 수 있다. 본 발명을 설명하기 위해, 제3, 제6 및 제9 스테이지들(SRC3, SRC6, SRC9)의 제3, 제6 및 제9 출력 신호들(G3, G6, G9)을 예시로 들었다. 본 발명은 제3, 제6 및 제9 출력 신호들(G3, G6, G9) 외의 다른 출력 신호들에서도 리플 성분이 거의 존재하지 않을 것이다. Referring to FIG. 5B in comparison with FIG. 5A, the output signals of the third, sixth and ninth stages SRC3, SRC6 and SRC9 of the gate drive circuit 120 (see FIG. 2) It can be confirmed that there is almost no existence. To illustrate the present invention, the third, sixth and ninth output signals G3, G6 and G9 of the third, sixth and ninth stages SRC3, SRC6 and SRC9 are exemplified. The present invention will have almost no ripple component even in output signals other than the third, sixth and ninth output signals G3, G6 and G9.
스테이지(200, 도 3 참조)의 제8 박막 트랜지스터(M8, 도 3 참조)의 다이오드-커넥션 및 제10 박막 트랜지스터(M10, 도 3 참조)로 인해, 방전 전압이 출력 단자(OUT)에 인가되지 않는다. 따라서, 리플 신호를 감소시킬 수 있다. The discharge voltage is not applied to the output terminal OUT due to the diode-connection of the eighth thin film transistor M8 (see Fig. 3) and the tenth thin film transistor M10 (see Fig. 3) of the
도 6은 문턱 전압(VT)의 변화에 따른 출력 단자의 출력 신호에 대한 그래프이다. 도 6의 가로축은 단위 시간(s)을 의미하며, 세로축은 단위 시간당 출력된 출력 전압(Voltage)을 의미한다. 도 6을 참조하면, 제1 문턱 전압(VT1)에서 제8 문턱 전압(VT8)으로 변화에 관계없이 출력 단자(OUT)에서는 안정된 출력 신호가 출력되는 것을 확인할 수 있다. 6 is a graph of the output signal of the output terminal according to the change of the threshold voltage VT. In FIG. 6, the horizontal axis represents unit time (s), and the vertical axis represents output voltage output per unit time. Referring to FIG. 6, it can be seen that a stable output signal is output at the output terminal OUT regardless of the change from the first threshold voltage VT1 to the eighth threshold voltage VT8.
도 7은 도 2에 도시된 각각의 스테이지의 블럭도이다. 도 7의 스테이지(300)는 도 3의 스테이지(200)와 동일하다. 도 7을 참조하면, 스테이지(300)는 입력부(310), 부트스트래핑부(320), 제1 풀-다운부(330), 및 제2 풀-다운부(340)를 포함한다.FIG. 7 is a block diagram of each stage shown in FIG. 2. FIG. The
입력부(310)는 제1 박막 트랜지스터(M1)을 포함하며 입력 단자(IN)로부터 수신되는 캐리 신호 및 수직 개시 신호(STV)를 수신할 수 있다. 제1 및 제2 클럭신호(CK, CKB)를 출력 단자(OUT)에 인가할 수 있다. The
부트스트래핑부(320)는 제2 박막 트랜지스터(M2) 및 제2 커패시터(C2)를 포함할 수 있다. 제2 박막 트랜지스터(M2)는 제1 박막 트랜지스터(M1)에 의해 스위칭된 캐리 신호 및 수직 개시 신호(STV)에 의해 구동된다. 제2 커패시터(C2)의 부스트트래핑 구현에 의해 제1 노드(n1)의 전압이 더 상승할 수 있다. The
제1 풀-다운부(330)는 제3 내지 제6 박막 트랜지스터들(M3 ~ M6), 및 제3 커패시터(C3)를 포함한다. 제1 풀-다운부(330)는 출력 단자(OUT)로 출력되는 신호가 제 1 접지 전압(VSS, 예를 들어 0V)이어야 할 때, 출력 단자(OUT)의 신호 레벨을 제 1 접지 전압(VSS, 예를 들어 0V)으로 풀-다운되도록 한다.The first pull-down
제2 풀-다운부(340)은 제7 내지 제10 박막 트랜지스터들(M7 ~ M10)을 포함한다. 제2 풀-다운부(340)는 캐리 단자(CR) 및 타이밍 신호 출력 단자(JOUT)의 출력을 제 1 접지 전압(VSS, 예를 들어 0V) 및 제2 접지 전압(VSSL, 예를 들어 -5V)으로 풀-다운되도록 할 수 있다. The second pull-down
이상에서와 같이 도면과 명세서에서 실시 예가 개시되었다. 여기서 특정한 용어들이 사용되었으나, 이는 단지 본 발명을 설명하기 위한 목적에서 사용된 것이지 의미 한정이나 특허 청구범위에 기재된 본 발명의 범위를 제한하기 위하여 사용된 것은 아니다. 그러므로 본 기술분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시 예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허 청구범위의 기술적 사상에 의해 정해져야 할 것이다.
The embodiments have been disclosed in the drawings and specification as described above. Although specific terms have been employed herein, they are used for purposes of illustration only and are not intended to limit the scope of the invention as defined in the claims or the claims. Therefore, those skilled in the art will appreciate that various modifications and equivalent embodiments are possible without departing from the scope of the present invention. Accordingly, the true scope of the present invention should be determined by the technical idea of the appended claims.
Claims (1)
상기 제2 스테이지는:
상기 제1 스테이지로부터 캐리 신호를 수신하는 입력부;
상기 캐리 신호의 레벨에 따라 제1 전압 레벨의 클럭신호를 제1 노드에 인가하며, 제2 노드의 전압을 상기 제1 전압 레벨보다 상승시키는 부트스트래핑부;
상기 제1 노드 와 제1 접지 단자에 연결되며, 상기 제1 노드의 전압 레벨에 따라 출력 단자의 출력 신호를 제1 접지 전압으로 풀-다운시키는 제1 풀-다운부; 및
상기 제1 노드와 연결되며, 상기 캐리 단자 및 타이밍 신호 출력 단자의 출력 신호를 제1 혹은 제2 접지 전압으로 풀-다운시키는 제2 풀-다운부를 포함하되,
상기 제2 풀-다운부는 상기 타이밍 신호 출력 단자에 다이오드-커넥션으로 연결된 제1 트랜지스터 및 상기 캐리 단자와 상기 제1 접지 단자에 연결된 제2 트랜지스터를 포함하고,
상기 제1 노드가 제2 전압 레벨 일 때, 상기 제2 트랜지스터가 턴-오프 상태이면, 상기 캐리 단자 및 상기 타이밍 신호 출력 단자는 상기 제2 접지 전압으로 풀-다운 되고,
상기 제2 트랜지스터가 턴-온 상태이면, 상기 타이밍 신호 출력 단자는 상기 제1 접지 전압으로 풀-다운 되고, 상기 제3 스테이지의 제2 노드로부터 상기 캐리 단자에 인가되는 방전 전압을 상기 제1 접지 단자로 인가하며, 상기 제1 트랜지스터는 상기 방전 전압이 상기 출력 단자에 인가되지 않도록 하는 게이트 구동 회로.
The timing signal input terminal of the first stage and the timing signal output terminal of the third stage are connected to each other among a plurality of stages including any three consecutive stages and the carry terminal of the second stage and the input terminal In the gate driving circuit,
The second stage comprising:
An input for receiving a carry signal from the first stage;
A bootstrapping unit applying a clock signal of a first voltage level to the first node according to the level of the carry signal and raising a voltage of the second node to a level higher than the first voltage level;
A first pull-down section coupled to the first node and a first ground terminal for pulling-down the output signal of the output terminal to a first ground voltage according to the voltage level of the first node; And
And a second pull-down portion connected to the first node for pulling-down the output signal of the carry terminal and the timing signal output terminal to a first or second ground voltage,
Down portion includes a first transistor connected in a diode-connection to the timing signal output terminal, and a second transistor coupled to the carry terminal and the first ground terminal,
When the first node is at a second voltage level, the carry terminal and the timing signal output terminal are pulled down to the second ground voltage when the second transistor is in a turn-off state,
Wherein the timing signal output terminal is pulled down to the first ground voltage when the second transistor is in a turn-on state, and a discharge voltage applied to the carry terminal from a second node of the third stage is applied to the first ground And the first transistor prevents the discharge voltage from being applied to the output terminal.
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- 2014-05-14 KR KR1020140057900A patent/KR20150131455A/en not_active Withdrawn
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