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WO1996008749A3 - Verfahren zur herstellung eines dreidimensionalen bauteils oder einer bauteilgruppe - Google Patents

Verfahren zur herstellung eines dreidimensionalen bauteils oder einer bauteilgruppe Download PDF

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WO1996008749A3
WO1996008749A3 PCT/DE1995/001151 DE9501151W WO9608749A3 WO 1996008749 A3 WO1996008749 A3 WO 1996008749A3 DE 9501151 W DE9501151 W DE 9501151W WO 9608749 A3 WO9608749 A3 WO 9608749A3
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Martina Rothe
Andreas Maciossek
Bernd Loechel
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Fraunhofer Ges Zur Foerderng D
Martina Rothe
Andreas Maciossek
Bernd Loechel
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Abstract

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines dreidimensionalen Bauteils oder einer Bauteilgruppe, insbesondere auf Oberflächen von bereits prozessierten Halbleiter-Chips. Basis für bekannte dreidimensionale Aufbauten auf Chipoberflächen bildet die Strukturierung dicker Photolacke und die anschließende galvanische Abformung dieser Lackstrukturen. Die bekannten Verfahren setzen lediglich dicken Photolack und zwischenliegende Galvanikstartschichten für die Ausbildung der dreidimensionalen Aufbauten ein. Der Aufbau komplizierterer Strukturen ist aufgrund der geringen Stabilität der Photolacke nur mit erhöhtem Aufwand möglich. Das erfindungsgemäße Verfahren nutzt für die dreidimensionalen Aufbauten neben der galvanischen Abformung von beispielsweise UV-strukturierten Photolackschichten mit aufbauenden Metallschichten (16) auch die Abformung mit später wieder zu entfernenden metallischen Hilfsschichten (Opferschichten) (13). Diese in den Lackschichten liegenden metallischen Hilfsschichten werden bei Mehrlagenaufbauten gleichzeitig als Galvanikstartschichten für weitere aufzubauende Ebenen genutzt. Das hier beschriebene Verfahren stellt mit den dreidimensionalen Aufbauten beispielsweise Spulen und Transformatoren zur Integration auf Chipoberflächen bereit, die bislang in dieser Form nicht realisierbar waren.
PCT/DE1995/001151 1994-09-14 1995-08-23 Verfahren zur herstellung eines dreidimensionalen bauteils oder einer bauteilgruppe WO1996008749A2 (de)

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DEP4432725.0 1994-09-14

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Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19523915A1 (de) * 1995-06-30 1997-01-02 Bosch Gmbh Robert Mikroventil und Verfahren zur Herstellung eines Mikroventils
EP1178499B1 (de) * 1999-04-14 2004-11-24 Takashi Nishi Mikrosolenoidspule und verfahren zu ihrer herstellung
US6625372B1 (en) * 1999-11-15 2003-09-23 Axsun Technologies, Inc. Mounting and alignment structures for optical components
DE19955975A1 (de) * 1999-11-19 2001-05-23 Inst Mikrotechnik Mainz Gmbh Lithographisches Verfahren zur Herstellung von Mikrobauteilen
US6763575B2 (en) * 2001-06-11 2004-07-20 Oak-Mitsui Inc. Printed circuit boards having integrated inductor cores
US6852454B2 (en) 2002-06-18 2005-02-08 Freescale Semiconductor, Inc. Multi-tiered lithographic template and method of formation and use
DE10302771B4 (de) * 2003-01-24 2006-07-27 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. System und Verfahren zur Herstellung von Mikrobauteilen
US6977223B2 (en) * 2003-03-07 2005-12-20 Massachusetts Institute Of Technology Three dimensional microfabrication
DE102006058068B4 (de) 2006-12-07 2018-04-05 Infineon Technologies Ag Halbleiterbauelement mit Halbleiterchip und passivem Spulen-Bauelement sowie Verfahren zu dessen Herstellung
JP6302613B1 (ja) * 2017-03-01 2018-03-28 ナノコイル株式会社 ナノコイル型ｇｓｒセンサ素子の製造方法
WO2018217646A1 (en) 2017-05-22 2018-11-29 Howmedica Osteonics Corp. Device for in-situ fabrication process monitoring and feedback control of an electron beam additive manufacturing process
AU2019206103B2 (en) 2018-07-19 2025-06-26 Howmedica Osteonics Corp. System and process for in-process electron beam profile and location analyses

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5190637A (en) * 1992-04-24 1993-03-02 Wisconsin Alumni Research Foundation Formation of microstructures by multiple level deep X-ray lithography with sacrificial metal layers

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5258097A (en) * 1992-11-12 1993-11-02 Ford Motor Company Dry-release method for sacrificial layer microstructure fabrication

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5190637A (en) * 1992-04-24 1993-03-02 Wisconsin Alumni Research Foundation Formation of microstructures by multiple level deep X-ray lithography with sacrificial metal layers

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
JURISCH R: "IDENTIFIKATION: KONTAKTLOS VIA HOCHFREQUENZ", ELEKTRONIK, vol. 42, no. 9, 4 May 1993 (1993-05-04), pages 86 - 90, 92, XP000362956 *

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