WO1997048019A1

WO1997048019A1 - Procede de fabrication d'un photomasque, procede de fabrication d'un masque a dephasage, et procede de fabrication d'un composant a semi-conducteur

Info

Publication number: WO1997048019A1
Application number: PCT/JP1996/001574
Authority: WO
Inventors: Eiji Tsujimoto; Yasuo Sato; Toshio Suzuki
Original assignee: Hitachi, Ltd.
Priority date: 1996-06-11
Filing date: 1996-06-11
Publication date: 1997-12-18

Description

明細書フォ卜マスクの製造方法および位相シフ卜マスクの製造方法ならびに半導体装置の製造方法技術分野

本発明はマスクの製造技術に関し、特に、回路素子を半導体ウェハ上に形成するフォ卜マスクのマスクパターンのコンピュータ支援による自動レイァゥ卜に適用して有効な技術に関する。背景技術

今日、半導体装置は高集積化、高機能化の一途を迪つている。そして、集積度が高くなればなるほど、製品開発に要する人と時間は加速度的に增加する。その一方で、市場のニーズにいち早く対応するため、あるいは製品ライフサイクルの短命化のため、製品開発期間の短縮化というテーマが常に課されている。このような環境下において、半導体ウェハ上に電子回路を形成するフォトマスクのマスクパターンの設計については設計自動化（D A ： Des i gn Au toma t i on)を図ることによって前記した短縮化の要求に応えている。

しかし、論理設計から始まって最終的にマスクが作成されるまでには、たとえば 3週間以上といった長期にわたるのが一般的である。したがって、 D Aにより短縮化されたとはいえ、製品開発の一連のプロセスの中でマスク設計が占める時間的割合は比餃的大きなものである。このようなことから、設計デ一夕の一部に変更があった場合にすべてのレイァゥトパターンに対してマスクパターンを作り直すこととすれば、変更処理時間は前述した新規作成時と同程度の膨大なものになる。

そこで、設計変更に合わせてマスクパターンを効率よく修正するために様々な技術が提案されている。たとえば特開平 5— 3 2 3 5 6 5号公報には、マスク層毎に来歴管理を行つてレイァゥトデータの誤修正を防止する技術が記載されている。また、特開平 4 - 3 7 2 1 5 5号公報には、基準パターンと変更パターンとの相違点をりスト出力して変更ミスをチヱックし、エディ夕でパターン修正を行う技術が記載されている。特開平 4 - 2 3 8 5 7 9号公報には、変更されたプロックゃネッ卜を変更前データから削除し、削除により未配置となった箇所を再配置し、さらに追加されたブロックやネットを配置する技術が記載されている。特開平 4 _ 3 2 9 7 3号公報には、入力されたパターンデータから使用マスクおよび構成要素を決定してマスクパターンを作成する技術が記載されている。特開平 5 - 6 7 7 5 6号公報には、了ドレス情報ファイルを対話的に変更し、変更されたフアイルに従ってマスク R O M用マスクパターンを発生させる技術が記載されている。特開平 3 - 2 0 6 6 4 6号公報には、複数のマスクデータをデザィンルールの異なる集積回路を一つの集積回路に併合する技術が記載されている。特開昭 6 1 — 1 0 5 8 8 9号公報には、マスタと変更部分のマスクデータを統合して、配線のない領域に配線パターンを形成する技術が記載されている。そして、特開平 3— 2 6 9 7 6 7号公報には、設計変更に伴う改造部分を特定して電子回路の設計を行う技術が記載されている。

しかし、前記した技術では、いずれも変更作業をどのように行えば効率的かという作業内容に着目した考察はなされていない。したがって、実際の作業においてはかなりの範囲に亙って新規作成と同様の手順に沿ってパターンレイァゥ卜を行う必要が生じるものと想定され、大幅な時間短縮化は困難と思われる。

また、光の位相を選択的にシフ卜させながら半導体ウェハ上にパターンを転写する位相シフトマスクにあっては、シフトパターン欠陥の発生を防止するためにマスクパターン状態で露光予測演算を実行して設計パ夕一ンが再現されるかが検証される。そして、シフトパターン欠陥が発生するおそれがある埸合には、その箇所に必要な修正を加えられる。この修正作業も前記した変更作業と同様に迅速性が要求される。

そこで、本発明の目的は、設計変更に伴うフォ卜マスクのマスクパターンを短時間のうちに作成することのできる技術を提供することにある。

本発明の他の目的は、位相シフトマスクの製造における描画デ一夕修正作業を短時間のうちに行うことのできる技術を提供することにある。

本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。発明の開示

本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、次の通りである。

すなわち、本発明によるフォトマスクの製造方法は次の工程（a ) 〜（ e ) を含むことを特徴とするものである。

( a ) 設計変更前後における設計データを相互に比絞する工程、

( b ) その比絞結果から変更後の設計データにおいて変更前の設計データと異なつている変更領域を求める工程、

( c ) 変更領域について変更内容に沿った新たな描画データを作成する工程、

( d ) 変更領域の描画データと設計変更前において既に作成されている変更領域以外の描画データとを合成する工程、

( e ) 合成された描画データに基づいて設計変更後のフォトマスクを製造するェ程。

このフォトマスクの製造方法において、前記（ C ) 工程は次の工程（ C 1 ) ~

( C 3 ) により構成することができる。

( C , ) 階層化設計された設計データのうちで変更領域を包含する最小ブロックの設計データである親データを求める工程、

( c 2 ) この親データの下位の階層の設計デ一夕である子データのうちで変更領域にかかる子データの図形座標を親データの座標系に変換する工程、

( c ₃ ) 親データおよび座標変換された子データについて変更内容に沿った新たな描画デ一夕を作成する工程。

また、本発明によるフォトマスクの製造方法は次の工程（ a ) 〜（ f ) を含むことを特徴とするものである。

( a ) 設計変更前後における設計データを相互に比較する工程、

( b ) その比較結果から変更後の設計データにおいて変更前の設計データと異なつている変更領域を求める工程、

( c ) 階層化設計された設計データのうちで変更領域を包含する最小プロックである親データおよびその下位の階暦の設計データである子データを抽出する工程、

― ( d ) 抽出された親データおよび子データについて変更内容に沿った新たな描画データを作成する工程、

( e ) 描画データと設計変更前において既に作成されて変更が加えられていない描画データとを合成する工程、

( f ) 合成された描画データに基づいて設計変更後のフォトマスクを製造するェ程。

本発明による位相シフ卜マスクの製造方法は次の工程（a ) 〜（ f ) を含むことを特徴とするものである。

( a ) 位相シフトマスクについての暫定的な描画データを作成する工程、

( b ) この描画デ一夕に基づいて露光予測演算を行う工程、

( c ) 露光予測演算結果から描画データにおいて修正が必要な領域を求める工程、 ( d ) 修正が必要な領域が存在した場合にはその領域について修正内容に沿つた新たな描画データを作成する一方、存在しない場合には（ f ) 工程に移行するェ程、

( e ) 描画データと修正が不要な描画データとを合成する工程、

( f ) 合成された描画データに基づいて位相シフトマスクを製造する工程。

この位相シフ卜マスクの製造方法において、（d ) 工程において新たな描画デ —夕を作成した後、修正された領域について限定的に露光予測演算を行いながら適切な前記描画データを作成することが望ましい。

本発明による半導体装置の製造方法は、フォトマスクに形成されたパターンを半導体ウェハ上に転写して所定の電子回路を形成するもので、次の工程（ a ) 〜 ( h ) を含むことを特徴とするものである。

( a ) フォ卜マスクの設計変更前後における設計データを相互に比絞する工程、 ( b ) その比較結果から変更後の設計データにおいて変更前の設計データと異なつている変更領域を求める工程、

( d ) 変更領域の描画データと設計変更前において既に作成されている変更領域以外の描画デ一夕とを合成する工程、 (e) 合成された描画データに基づいて設計変更後のフォトマスクを製造するェ程、

( f ) フォトレジス卜の塗布された半導体ウェハを露光装置のゥヱハステージに搭載してこれを露光位置に位置決めする工程、

(g) 製造された前記フォトマスクを露光光源から前記半導体ゥハに至る光路上に配置する工程、

(h) フォ卜マスクに露光光を照射してフォトマスクに形成されたパターンを半導体ゥ -ハ上に露光する工程。

この半導体装置の製造方法において、前記（c) 工程は次の工程（ _{C l} ) ~ ( c ₃ ) により構成することができる。

( c , ) 階屨化設計された設計データのうちで変更領域を包含する最小ブロックの設計データである親デ一夕を求める工程、

(c₂ ) この親データの下位の階層の設計データである子データのうちで変更領域にかかる子データの図形座標を親データの座標系に変換する工程、

(ca ) 親データおよび座標変換された子データについて変更内容に沿った新たな描画データを作成する工程。

本発明による半導体装置の製造方法は、フォ卜マスクに形成されたパターンを半導体ウェハ上に転写して所定の電子回路を形成するもので、次の工程（a ) 〜

( i ) を含むことを特徴とするものである。

(a) フォトマスクの設計変更前後における設計データを相互に比較する工程、

(b) その比較結果から変更後の設計データにおいて変更前の設計データと異なつている変更領域を求める工程、

( c ) 階層化設計された設計データのうちで変更領域を包含する最小プロックである親デ一夕およびその下位の階層の設計データである子データを抽出する工程、 (d) 抽出された親データおよび子データについて変更内容に沿った新たな描画データを作成する工程、

( e ) 作成された描画データと設計変更前において既に作成されて変更が加えられていない描画データとを合成する工程、

( f ) 合成された描画データに基づいて設計変更後のフォ卜マスクを製造するェ程、

( g ) フォトレジス卜の塗布された半導体ウェハを露光装置のゥヱハステージに搭載してこれを露光位置に位置決めする工程、

( h ) 製造されたフォトマスクを露光光源から半導体ウェハに至る光路上に配置する工程、

( i ) フォトマスクに露光光を照射してフォトマスクに形成されたパターンを半導体ウェハ上に露光する工程。

本発明による半導体装置の製造方法は、位相シフトマスクに形成されたパ夕一ンを半導体ゥハ上に転写して所定の電子回路を形成するもので、次の工程（_a ) ~ ( i ) を含むことを特徴とするものである。

( a ) 位相シフ卜マスクについての暫定的な描画データを作成する工程、

( b ) その描画データに基づいて露光予測演算を行う工程、

( c ) 露光予測演算結果から描画データにおいて修正が必要な領域を求める工程、

( d ) 修正が必要な領域が存在した場合にはその領域について修正内容に沿った新たな描画データを作成する一方、存在しない場合には（ f ) 工程に移行するェ程、

( f ) 合成された描画データに基づいて位相シフトマスクを製造する工程、

( g ) フォトレジス卜の塗布された半導体ゥヱハを露光装置のゥヱハステージに搭載してこれを露光位置に位置決めする工程、

( h ) 製造された位相シフトマスクを露光光源から半導体ウェハに至る光路上に配置する工程、

( i ) 位相シフトマスクに露光光を照射して位相シフトマスクに形成されたパタ —ンを半導体ウェハ上に露光する工程。

この半導体装置の製造方法において、前記（d ) 工程において新たな描画デー夕を作成した後、修正された領域について限定的に露光予測演算を行いながら描画データを作成することが望ましい。

これにより、設計変更に伴うフォトマスクのマスクパターンを短時間のうちに作成することが可能になる。また、位相シフトマスクの製造において、描画デ一夕修正作業を短時間のうちに行うことができる。図面の簡単な説明

図 1 はフォ卜マスクの設計 ·開発の流れを示す工程図、図 2は本発明の一実施の形態であるフォトマスクの製造方法の概略を示すフローチヤ一ト、図 3および図 4 は図 2のフローチヤ一トに沿う説明図、図 5は図 2のフローチヤ一卜の一部を詳細に示すフローチヤ一ト、図 6は図 5のフローチヤ一トを実行する際における変更領域の出力図形を示す説明図、図 7は図 2のフローチヤ一トの他の一部を詳細に示すフローチヤ一ト、図 8はフォトマスクの設計変更内容を概念的に示す説明図、図 9は図 8のフォ卜マスクを構成する設計データの階層構造を示す説明図、図 1 0はレイァゥト設計において格納されている設計データのデータ構造を示す概念図、図 1 1は図 2のフローチャートのさらに他の一部を詳細に示すフロ —チャート、図 1 2は製造されたフォトマスクが用いられる露光装置を示す概略図、図 1 3は本発明の他の実施の形態であるフォ卜マスクの製造方法の概略を示すフローチヤ一ト、図 1 4 はフォトマスクの設計変更内容を概念的に示す説明図、図 1 5は図 1 4のフォトマスクを構成する設計データの階層構造を示す説明図、図 1 6は本発明のさらに他の実施の形態のフォ卜マスクである位相シフ卜マスクの製造方法の概略を示すフローチヤ一卜、図 1 7は図 1 6のフローチヤ一卜に従つて半導体ゥヱハ上に形成される転写パターンを示す説明図、図 1 8はマスクパターンを示す説明図、図 1 9は図 1 8のマスクパターンによって半導体ゥヱハ上に形成される転写パターンを示す説明図、図 2 0は図 1 7の転写パターンを形成するためのマスクパターンを示す説明図、図 2 1は図 1 6のフローチャートに従つて半導体ゥハ上に形成される他の転写パターンを示す説明図、図 2 2はマスクパターンを示す説明図、図 2 3は図 2 2のマスクパターンによって半導体ゥェハ上に形成される転写パターンを示す説明図、図 2 4は図 2 1 の転写パターンを形成するためのマスクパターンを示す説明図である。発明を実施するための最良の形態

以下、本発明の実施の形態を、図面に基づいて詳細に説明する。なお、実施の形態を説明するための全図において同一の機能を有する部材には同一の符号が付 _ されており、その繰り返しの説明は省略されている。

図 1 はフォ卜マスクの設計 ·開発の流れを示す工程図、図 2は本発明の一実施の形態であるフォ卜マスクの製造方法の概略を示すフローチヤ一ト、図 3および図 4は図 2のフローチャートに沿う説明図、図 5は図 2のフローチャートの一部を詳細に示すフローチヤ一ト、図 6は図 5のフローチヤ一卜を実行する際における変更領域の出力図形を示す説明図、図 7は図 2のフローチヤ一卜の他の一部を詳細に示すフローチヤ一卜、図 8はフォ卜マスクの設計変更内容を概念的に示す説明図、図 9は図 8のフォトマスクを構成する設計データの階層構造を示す説明図、図 1 0はレイァゥト設計において格納されている設計データのデ一夕構造を示す概念図、図 1 1 は図 2のフローチヤ一卜のさらに他の一部を詳細に示すフロ一チャート、図 1 2は製造されたフォトマスクが用いられる露光装置を示す概略図である。

半導体ウェハ W (図 1 2 ) の上に転写される回路パターンや配線パターンといつた所定のパターンが形成されたフォトマスク M (図 8、図 1 2 ) の設計 · 開発は、コンピュータ支援による設計自動化のもと、図 1に示すように、上流から下流に向かって、システム ·機能設計工程 S , 、論理 · テスト設計工程 S ₂ 、回路

• デバイス設計工程 S ₃ 、レイァゥト設計工程 S ₄ 、ァートワーク処理工程 S ₅ により構成されている。そして、各工程 s , 〜s ₅ に対応して例示されているソフトウヱァゃデータベースなどに基づきヮ一クステーション W Sを操作することにより処理が実行されて行き、ァ一卜ワーク処理工程 S ₅ で作成された描画デ一夕をマスクパターン描画装置（以下、単に Γ描画装置」という。） Aにかけてフォトマスク Mが製造されるようになっている。

ここで、各工程 ~ S ₅ にて実行される処理内容の概略を説明すると次のようなものである。

先ず、システム ·機能設計工程 S , では、システム仕様に基づいて半導体装置の機能仕様が作成され、動作の詳細が設計される。ここでは、機能記述言語や状態遷移図を用いながら半導体装匱の動作が定められて行き、たとえば論理ブロックの機能レジスタのビット数や個数といったアーキテクチャが確定される。論理 ' テスト設計工程 S ₂ では、システム ·機能設計工程 S , により記述され

― た機能設計データに基づいて論理ゲート（N A N D、 O R、インバー夕など）単位のレベルにまで具体化される。つまり、構造記述言語や論理図を使用して、論理回路構造に主眼をおいた設計が行われる。さらに、シミュレーション · チエツクにより論理誤りが訂正される。

回路 · デバイス設計工程 S ₃ では、前述の構造記述言語や回路図を用いて半導体装置の製造条件に基づいた卜ランジス夕などの形状や電気的性能などが設計される。さらに、これらをべ一スにして基本回路や回路セルの設計、さらには全体回路の設計がされる。

レイアウト設計工程 S ₄ では、論理 ' テスト設計工程 S ₂ により得られた接続情報と回路 · デバイス設計工程 S ₃ により準備された論理セルライブラリを用いて論理ゲー卜の配置、配線が行われてフォトマスク Mのパターンの概略である設計データが決定される。なお、後述するように、この設計データは一般的には階層化設計されており、設計の複雑化を緩和して設計効率の向上が図られている。アートワーク処理工程 S ₅ では、レイアウト設計工程 S ₄ での設計データに対し、描画装置で処理可能な加工を施して描画データとするものである。そして、前述のように、この描画データを描画装置 Aにかけると所定のパターンが形成されたフォ卜マスク Mが得られる。

ここで、以上のようなプロセスを経て描画データが作成された後に設計変更が発生した場合、あるいは、さらに進んでフォトマスク Mが製造された後に設計変更が発生した場合、本実施の形態では図 2に示すようなフローチヤ一卜に従ってフォ卜マスク Mが製造される。すなわち、レイァゥトパターンの設計変更前後の設計データを比較する（ 1 0 0 ) 。次に、その比較結果から変更後の設計データにおける変更前の設計データの影響範囲、つまり設計変更後の設計データにおける変更領域を求め（ 2 0 0 ) 、この変更領域について変更後の設計データを基にして新たな描画データを作成する（ 3 0 0 ) 。そして、この変更領域の描画デー夕と変更領域以外の描画データ（この描画データは設計変更前に既に作成した描画データの一部である）とを合成、すなわちマージし（ 4 0 0 ) 、フォトマスク Mを作成する（ 5 0 0 ) 。このフローに対応した図を図 3および図 4に示す。図 3 (a) は設計変更前の設計データ D。、図 3 (b) は設計変更後の設計データ D_N である。ここでは、設計変更により図 3 (a) に示すパターン P。が図 3 (b) に示すように図面下方に移動してパターン P_N となったケースが示されている。したがって、この 2 つの設計データ Do , D_N を相互に比較することにより変更領域 Rが求められることになる（図 3 (c) ) 。そして、図 4 (b) に示すように、変更領域 Rについて新たな描画データ S_N を作成し、この描画データ S_N と図 4 (a) に示す変更領域 R以外の描画データ So (変更前の描画データから図形演算により変更領域 Rを除いた描画データ）とを合成するとパターン全体の描画データ S_A が得られる（図 4 ( c ) ) 。そして、図 4 ( c ) に示す描画データ S_A でフォ卜マスク Mを作成する。

なお、以下に記載する実施の形態を含め、フォトマスク M作成後は、これを用いて露光が行われる。詳細は後述するが、露光はフォトマスク Mに形成されたパターンを半導体ウェハ Wの上に転写して所定の霍子回路を形成するもので、レジストの塗布された半導体ゥヱハ Wおよびフォ卜マスク Mをそれぞれ所定位置にセットしてパターン感光するものである。

ここで、図 2にて示された変更領域 R (図 3 (c) ) を求める工程、変更領域 Rの描画データ S_N (図 4 (b) ) を作成する工程ならびにこの描画データ S_N と描画デ一夕 S。（図 4 (a) ) とをマージする工程のそれぞれの詳細について以下に順を追って説明する。

最初に変更領域 Rを求める工程について説明する。ここでは、当該工程のフロ —チャートである図 5、およびこの工程を実行するにおいて得られる変更領域 R の出力図形を示す図 6を用いて説明する。

図 5に示すように、先ず、変更前の設計データと変更後の設計データとの図形演算で E OR (Exclusive OR—排他的論理和）領域を求める（ 2 0 1 ) 。これにより、図 6に示すように、変更前後の設計データにおいて異なるパターン Ρο , PN (図示する場合には変更前のパターン PO と変更後のパターン P_N ) のみが抽出される。

次に、抽出された E OR領域のすべての出力図形の座標値のうちの最小値（X _mi„ ， Y_min ) と最大値（X_m,, . Y_m.x ) とを求める（ 2 0 2 ) 。

そして、求めた最小値を描画装置の描画最小単位（たとえば 0.025 m) の倍数の座標値に切り捨てる（ 2 0 3 ) 。具体的には、たとえば X座標の最小値が 1. 53 mならば 1.525 /mにする。 Y座標の最小値についても同様の処理を行う。これにより、描画装置にて精度よく取り扱うことが可能な修正最小値

i , Υπ,, η-.d i ) が求められる。

続いて、最大値を描画装置の描画最小単位の倍数の座標値に切り上げる（2 0 4 ) 。これは、修正最小値を求める場合と同様にして行われ、たとえば X座標の最大値が 2.56 mならば 2.575 mにする。ここでも、 Y座棟の最小値についても同様に行う。これにより、修正最大値（Xmu- i , Υα,. ,-.d i ) が求められる。なお、修正最大値（X_m,，H , Ym.,-.d i ) の方を先に求めるようにしてもよい。

このようにして求められた修正最小値（X_{m i n}-,«H ，

n-.d i ) と修正最大値（Xm, - ,<n . Y_m.x-.. j ) とを対向する角の座標にして矩形を作れば（2 0 5) 、図 6の破線にて示すような変更領域 Rが得られる。なお、本実施の形態では、高精度処理を実行するために座標値の切り上げ、切り捨てにより修正値を求めているが、求められた座標値をそのまま用いることもできる。この場合には、

E 0 R領域がそのまま変更領域 Rになる。

次に、変更領域 Rの描画データを作成する工程について図 7〜図 1 0を用いて説明する。

図 8にて概念的に示すように、半導体チップの全体領域（あるいは一部の機能領域）に相当するフォトマスク Mの全体をプロック Tで表した場合、このブロック T内に配置されたブロック A, B, Cの各領域は図示する破線で囲まれた範囲を図形存在範囲として有し、それぞれパターン P_A , PB , Pc を図形データとして有している。そして、各ブロック A, B, C内にはそれぞれブロック D, E、ブロック F, G、ブロック H, I が破線で囲まれた範囲を図形存在範囲として含まれており、それぞれパターン P _D , PE , P F , PG , PH , P , を図形データとして有している。各図形データはそれが所属するブロックの座標系（つまり、たとえばパターン P_A はブロック Aの座標系、パターン P_D はブロック Dの座標系）で表現されている。そして、ここではブロック Cの図形データであるパターン P _c が二点鎖線で示すパターン P _{C N}に、ブロック Hの図形データであるパターン P _H が二点鎖線で示すパターン P _HNにそれぞれ変更される。網掛け部分が変更領域 Rである。

図 8の配列関係を表したのが図 9である。この図にて示されるように、図 8はブロック Tを頂点として階層化設計された設計データであり、たとえばプロック Tはブロック A , B , Cの親データ、ブロック Aはブロック D , Eの親データとなっている。

このような構成を前提にして、本工程では、先ず図 7のフローチヤ一トにて示すように、前述のようにして求められた変更領域 Rを包含する最小ブロックの設計データを求め、これを親データとする（ 3 0 1 ) 。ここでは、変更領域 Rはブロック Cに包含されているのでこれが親データとなる。

次に、親データの下位の階層の設計データ、つまり子データが変更領域 Rにかかっているかを検証する（ 3 0 2 ) 。図 8に示すように、プロック Cの下位の階層の設計データである 2つのブロック H , Iのうち、ブロック Hは変更領域尺にかかっている力 <、ブロック I はかかっていない。したがって、ここでは子データのうち変更領域 Rにかかっているプロック Hの図形座標を親データであるプロック Cの座標系に変換する（ 3 0 3 ) 。これにより、ブロック Hの図形データのブロック Cにおける相対的な位置関係が確定される。一方、変更領域 Rにかかっていないブロック I についてはこのような処理は行われない。

以上の処理を行うのは次のような理由による。すなわち、描画データの図形はすべて半導体チップの座標系で表現されており、変更領域 Rもこの座標系で表現される。一方、設計データは上述のように階層化設計されている。したがって、子データの図形存在範囲が変更領域 Rにかかるもののみを親データの座標系に変換してこれらを変更してやればよいことになる。また、図形存在範囲が変更領域 Rにかからなければその子データは座標変換対象ではなくなる。これにより、必要な設計データのみを抽出加工することができ、変更処理を高速に行うことが可能になる。

ここで、変更処理を行うための設計データのデータ構造を図 1 0に示す。図示するように、このデータ構造はプロック一 I 、子プロックリスト、親プロックリスト、配置情報および図形データから構成されている。この構造を図 9の階層構造におけるプロック Aを例にとって説明する。

ブロック一覽には、対象となるブロックのブロック名（ブロック A ) 、そのブロックの子プロックリス卜の先頭ァドレス（プロック D ) 、親プロックリストの先頭ァドレス（プロック T ) 、図形存在範囲（プロック Aの座標の最小値（X _{m i}

„ , Y _{m i}„ ) と最大値（X_m, , , Y m. x ) ) 、当該ブロックが有する図形データの先頭ァドレスが格納されている。

子プロックリス卜先頭ァドレスを受けた子プロックリス卜には、プロック一覧アドレス（プロック Aに対するプロック D ) 、次の子ブロックリス卜のアドレス (ブロック E ) が格納されている。そして、ブロック一覧アドレスから所望の子プロックのブ口ックー覽を検索すると、今度はそのプロックを中心にした各種のデータが展開されるようになっている。

親ブロックリスト先頭ァドレスを受けた親プロックリストには、プロック一 K (プロック Aに対するブロック T ) 、次の親プロックリストのァドレス（ここでブロック Aの親ブロックはブロック Tのみであるので、なし）、親ブロックへの配置情報アドレス（ブロック Tにおけるブロック Aの配置情報）が格納されている。そして、子ブロックリストの場合と同様に、ブロック一!！アドレスから所望の親プロックのプロックー覧を検索すると、そのブロックを中心にした各種のデ —夕が展開される。

配置情報には親プロックにおける子プロックの配置座標（プロック Tにおけるブロック Aの配置座標）が格納されており、図形座標を親ブロックの座標系に変換する場合にはこのデータが用いられる。

そして、図形データ先頭アドレスを受けた図形データには、その図形データの層名、次の図形データアドレス、当該図形データが有する頂点数、そして具体的な図形頂点が格納されている。

このようなデータ構造を設計データについて与えておくことによって、ある設計データより下位の階層の設計データを処理する必要があるか否かについて即座に判定し、座標変換することが可能になる。必要な子データの座標変換が終了したならば、設計変更後の親データ（ここではブロック C) および座標変換された子データ（ここではブロック H) の図形を基にして変更内容に沿った新たな描画データを作成する（ 3 0 4 ) 。なお、座標変換された子データがない埸合には、親データについてのみ新たな描画デ一夕が作成される。作成された描画データ S。が図 4 (b) に相当する。

最後に、マージする工程について図 1 1に基づいて説明する。描画データ作成後に設計変更があつたのであるから設計変更前の描画デ一タは既に存在していることになる。そこで、その変更前の描画データと前述のようにして求められた変更領域とを図形演算して変更領域以外の領域、つまり S U B領域を求める（ 4 0 1 ) 。この S U B領域は図 4 (a ) に相当するもので設計変更範囲外の領域である。そして、変更領域の描画データ S。（図 4 (b ) ) と S U B領域の描画デ一夕 S_N (図 4 ( a ) ) とを図形演算して OR領域を求める（ 4 0 2 ) 。これにより、図 4 ( c ) に示すような全体の描画データ S_A が得られる。その後は、この描画データ S_A を描画装置にかけて処理すればフォ卜マスクが製造される。以上のような方法により作成されたフォトマスク Mは、たとえば図 1 2に示すような露光装置にセッ卜されて露光が行われる。なお、以下に説明される実施の形態におけるフォトマスク（含、位相シフトマスク） Mも、たとえば本実施の形態と同様の露光装置により同様の手順で半導体ウェハ Wの上にパターン像が転写される。

図示する露光装置 1 0は、半導体ウェハ Wの上をたとえば 15~20龍ロの面積毎にステップアンドリピー卜によりマスクパターンを形成して行く縮小投影露光装置である。但し、フォ卜マスク Mはこのような光露光装置の他に、反射屈折式の縮小光学系を採用したステップアンドスキヤン方式の光露光装置、軟 X線を用いた X線露光装置、遠紫外線の K r Fエキシマ波長（波長； l =248nm ) などのェキシマレ一ザを用いた露光装置あるいはイオンビーム露光装置など種々の形態の露光装置に適用することができる。

露光光源 1 1から半導体ウェハ Wへと至る光路上には、ミラ一 1 2、シャツ夕 1 3、アパーチャ 1 4、ショートカットフィルタ 1 5、ミラ一 1 6、マスクブラインド 1 7、コンデンサレンズ 1 8および縮小投影レンズ 1 9がそれぞれ順次配置されている。また、コンデンサレンズ 1 8と縮小投影レンズ 1 9との間に設けられたマスク移動台 2 0に前記したフォトマスク Mがセットされており、マスク移動台 2 0を操作することによって水平方向に移動できるようになっている。露光光源 1 1 は、たとえば単色光の紫外線である i線（波長ス =365nm)の露光光 Lを放射する高圧水銀ランプであり、半導体ウェハ Wの表面にはこの露光光 L に感光するフォトレジス卜がスピン塗布されている。半導体ゥヱハ Wはゥヱハステ一ジ 2 1の上に載置されており、 Z軸移動台 2 2、 X軸移動台 2 3および Y軸移動台 2 4によって上下方向および水平方向に移動され、また、ステップ駆動されるようになっている。本装置における光学系は、たとえば、 NA (Numerical Aperture：開口度） =0.5 、 P (プロセスパラメータ） =0.5 、 σ (コヒーレンスファクタ） =0.5 に設定され、 R (解像力） = Ρ ( λΖΝΑ) =365nm 、 DO F (Depth Of Focus：焦点深度） = λ / (NA²) = 1.46wmである。

プレベークされた半導体ゥヱハ Wに所定のパターンを転写するフォトマスク M は、たとえば実寸の 5倍の寸法の集積回路パターンの原画が形成されたレチクルであり、したがって、パターン像は半導体ゥヱハ Wの上に 1 / 5に縮小投影されて露光される。

フォトマスク Mのパターンを半導体ゥヱハ Wに転写するには、当該半導体ゥヱハ Wをゥヱハステージ 2 1に搭載し、 X, Υ, Z軸移動台 2 2， 2 3, 2 4を駆動してこれを露光位置に位置決めする。また、フォトマスク Mをマスク移動台 2 0にセットしてこれを露光光源 1 1から半導体ウェハ Wに至る光路上に配置し、水平方向に移動して同じく位置決めする。このようにセッティングした後、露光光源 1 1から露光光 Lを照射すると、該露光光 Lはフォトマスク Mに入射し、縮小投影レンズ 1 9でスポッ卜光ビームとなってゥヱハステージ 2 1の上の半導体ウェハ Wのレジスト面に入射する。これにより、半導体ゥヱハ Wにパターン像が転写される。

なお、露光後は、現像液によってレジストパターンを形成する現像、レジス卜に残留した現像液ゃリンス液を蒸発除去してレジストの硬化ゃゥ Xハとの密着性強化を行うボストベーク、そして、不要となったレジス卜を灰化除去あるいは酸化除去するレジスト除去、の各プロセスを経て最終的にマスクパターンの転写された半導体ウェハ wが得られる。

このように、本実施の形態によれば、フォ卜マスク Mに設計変更があった場合、設計データの段階において変更領域 Rを求め、この変更領域 Rについて新たな描画デ一夕 S _N を作成した後にこれを変更領域以外の描画データ S O とマージして変更後のフォトマスク Mを製造することとしているので、設計変更に伴うフォ卜マスク Mのマスクパターンを短時間のうちに作成することが可能になる。

図 1 3は本発明の他の実施の形態であるフォ卜マスクの製造方法の概略を示すフローチヤ一卜、図 1 4はフォトマスクの設計変更内容を概念的に示す説明図、図 1 5は図 1 4のフォトマスクを構成する設計データの階層構造を示す説明図である。

本実施の形態においては、設計変更前後における設計データを比絞し（ 6 0 0 ) 、変更後の設計データにおける変更領域を求める（ 7 0 0 ) までのプロセスは既に述べた実施の形態と同様であるが、その次のステップとして、変更領域を包含する最小プロックの設計データである親プロックおよびその下位の階層の設計データである子ブロックを抽出するようになっている（ 8 0 0 ) 。

すなわち、図 8 と同一内容で例示される図 1 4のフォ卜マスク Mにおいて、各ブロックは図 1 5に示すように図 9 と同じ階層構造を有している。そして、網掛け部分が変更領域 Rである。この構成において、変更領域 Rを包含する最小プロックであるブロック Cが親データとなり、このブロック Cとその下位の階層の設計データである 2つのブロック H . I が抽出されるものである。したがって、図 1 4における斜線部分および図 5における網掛け部分に示すように、変更対象ブロックは C , H , I となる（本実施の形態は、この点において、子データのうち変更領域 Rにかかっていないプロック I は変更対象から除外される前述の実施の形態と異なっている）。

抽出後、親データ（図示する場合には、ブロック C ) および子データ（同じく、ブロック H , I ) について変更内容に沿った新たな描画データを作成する（ 9 0 0 ) 。そして、前記した要領にて、作成された描画データと変更されていない描画デ一夕とをマージし（ 1 0 0 0 ) 、フォトマスク Mを作成する（ 1 1 0 0 ) 。このように、変更領域 Rにかかる親データおよびこの親データの全ての子データを抽出し、これらについて新たに描画データを作成するようにしても、設計変

_ 更に伴うフォ卜マスク Mのマスクパターンを短時間のうちに作成することができる。

図 1 6は本発明のさらに他の実施の形態である位相シフトマスク（フォトマスク）の製造方法の概略を示すフローチヤ一卜である。また、図 1 7〜図 2 0は補助パターン付き位相シフトマスクについての説明図であり、図 1 7は図 1 6のフローチヤ一卜に従って半導体ウェハ上に形成される転写パターンを示す説明図、図 1 8はマスクパターンを示す説明図、図 1 9は図 1 8のマスクパターンによつて半導体ゥハ上に形成される転写パターンを示す説明図、図 2 0は図 1 7の転写パターンを形成するためのマスクパターンを示す説明図である。そして、図 2 1〜図 2 4はレベンソン（L e v e n s o n ) 型位相シフ卜マスクについての説明図であり、図 2 1 は図 1 6のフローチヤ一卜に従って半導体ゥヱハ上に形成される転写パターンを示す説明図、図 2 2はマスクパターンを示す説明図、図 2 3 は図 2 2のマスクパターンによって半導体ゥヱハ上に形成される転写パターンを示す説明図、図 2 4は図 2 1 の転写パターンを形成するためのマスクパターンを示す説明図である。

以下においては、本実施の形態を図 1 6のフローチャートおよび図 1 7〜図 2 0の補助パターン付き位相シフ卜マスクに基づいて説明し、次に図 2 1〜図 2 4 のレベンソン型位相シフ卜マスクについて説明する。なお、たとえばコンタクトホールの形成などに適用される補助パターン付き位相シフトマスクとは、ゥヱハ上には転写されない大きさの補助開口部を設け、また、位相シフタを開口部または補助開口部に設け、位相シフタの設けられた箇所を透過する光の位相を反転させるものである。これにより、透過光の光強度分布の裾の広がりが抑制されて急峻な光強度分布が得られて良好な解像度のもとでパターン形成が行われる。また, たとえば配線層の形成などに適用されるレベンソン型位相シフトマスクとは、マスク上の開口部の隣り合う一方に位相を反転させる位相シフタを設けたものである。隣り合う透過光は位相が反転するために互いに打ち消し合うような作用が働いて転写領域境界部の光強度が 0 となり、やはり良好な解像度のもとでパターン形成が行われる。但し、本発明は、自己整合型位相シフトマスクや透過型位相シフ卜マスクなど他の位相シフトマスクにも適用される。

本実施の形態は選択的に光の位相をシフ卜させながら半導体ゥヱハ上にパターンを転写する位相シフトマスクの製造方法であり、図 1 6に示すように、先ず、位相シフトマスクについての暫定的な描画データを作成する（ 1 2 0 0 ) 。

つまり、図 1 7に示す 2つの四角形の転写パターン 3 0を半導体ウェハ上に形成する場合、補助パターン付き位相シフトマスクでは、図 1 8 ( a ) に示すような形成されるべきパターンである転写領域 3 1の周辺部の 4箇所において、たとえば P M M A (ポリメチルメタクリレート）や S i 0 ₂ 膜からなる解像限界以下の位相シフタが形成される補助開口 3 2が自動生成される（図 1 8 ( b ) ) 。このようなマスクパターンを合成することにより図 1 8 ( c ) に示す暫定的な描画データ Sを作成する。

ここで、位相シフトマスクにはシフ卜パターン欠陥と呼ばれる位相構造物特有の欠陥が存在する。したがって、シフトパターン欠陥の発生を未然に防止するため、図 1 8 ( c ) に示す描画データ Sについて、たとえばダイ比絞方式により物理的マスクパターン状態で露光予測演算を実行し（ 1 3 0 0 ) 、その演算結果と設計パターンとを照合する。そして、露光予測演算結果から描画データ Sにおいてシフ卜パターン欠陥が発生する領域、すなわち修正が必要な領域つまり修正領域 Rを求める（ 1 4 0 0 ) 。

図 1 8 ( c ) の描画データ Sによる予測結果、つまり半導体ウェハ上に形成されるパターンを図 1 9に示す。図 1 8 ( c ) の描画データ Sでは、図示するように、 2つの転写パターンの間に不要なパターンが形成されてしまう。したがって、当該描画データ Sでは転写領域 3 1の間の補助開口 3 2が修正領域 Rとなる。修正領域 Rが求められたならば、該領域 Rについてのみ修正内容に沿った新たな描画データ Sを作成する（ 1 5 0 0 ) 。つまり、補助開口 3 2の自動生成モ一ドを制限してデータ修正を行い、修正領域 Rを図 2 0 ( b ) に示すように一体的な補助開口 3 2 とする。そして、修正が不要な部分とマージして全体を図 1 9 ( b ) に示す補助開口 3 2とし（ 1 6 0 0 ) 、これを図 2 0 ( a ) に示す転写領域 (この部分は図 1 8 ( a ) と同じである） 3 1のマスクパターンと合成して図 2 0 ( c ) に示す描画データ Sとする。そして、新たな描画データ Sを作成した後. 再びこの描画データ Sに基づいて露光予測演算を行い（ 1 3 0 0 ) 、修正が必要な領域が存在しなくなるまで工程（ 1 3 0 0〜 1 6 0 0 ) を繰り返す。このとき、修正領域 Rについてのみ限定的に露光予測演算を行いながら適切な描画データ S を作成するようにすることが望ましい。必要な部分についてのみ演算を行うことにより演算量が削減され、より迅速に演算結果が得られることになるからである。修正領域 Rがなくなり、図 1 7に示す転写パターン 3 0が形成されるとの演算桔果が得られたならば、位相シフトマスクを作成する（ 1 7 0 0 ) 。なお、最初の露光予測演算結果により修正領域 Rがなければ、工程（ 1 4 0 0 ) から直ちに位相シフトマスクを作成する工程（ 1 7 0 0 ) に移行するのは言うまでもない。位相シフトマスクにおいて露光予測演算により修正領域 Rを求めて限定的に修正を行う場合について、図 1 6および図 2 1〜図 2 4に基づいて、さらにレベンソン型位相シフトマスクを例に説明する。

図 2 1 に示すような連铳した長方形の転写パターン 3 0を半導体ウェハ上に形成する場合、レベンソン型位相シフトマスクでは、隣接する相互の転写領域の透過光の位相が反転するように一つおきに位相シフタが設けられる。したがって、このような転写パターン 3 0を形成するために、図 2 2 (a ) に示す位相シフタのない転写領域 3 1 aの形成されたマスクパターンと、同図（b) に示す位相シフタを有する転写領域 3 1 bの形成されたマスクパターンとにより図 2 2 ( c ) に示す暫定的な描画データ Sを作成する（ 1 2 0 0 ) 。

そして、図 2 2 ( c ) に示す描画データ Sについて露光予測演算を行い（ 1 3 0 0 ) 、修正領域 Rを求める（ 1 4 0 0 ) 。ここで、図 2 2 ( c ) の描画デ一夕 Sでは、図 2 3に示すように、左側の転写パターン 3 0力 <パターン細りになるとの結果が得られたとする。

そこで、修正領域 Rについてのみ修正内容に沿った新たな描画データ Sを作成する（ 1 5 0 0 ) 。つまり、図 2 4 ( c ) に示すように、幅 Wを有する捕助パターン 3 1 cを形成する修正を行い、これを図 2 4 ( a ) , (b) とマージして図 2 4 (d ) に示す描画データ Sとする（ 1 6 0 0 ) 。これにより、左側の転写領域 3 1 aはパターン細りを見越して他よりも幅 Wだけ幅広になる。そして、新たな描画データ Sを作成した後、修正が必要な領域が存在しなくなるまで工程（ 1 3 0 0 - 1 6 0 0 ) を繰り返す。なお、このときも、修正領域 Rについてのみ露光予測演算を行うことが望ましい。そして、最終的に図 2 1 に示すように全て同じ幅の転写パターン 3 0が形成されるとの演算結果が得られたならば、位相シフトマスクを作成する（ 1 7 0 0 ) 。

このように、本実施の形態によれば、位相シフ卜マスクの製造において露光予測演算結果により修正領域 Rを求め、この変更領域 Rについてのみ新たな描画デ一夕 Sを作成することにより、描画デ一夕修正作業を短時間のうちに行うことができる。

以上、本発明者によってなされた発明を実施例に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることは言うまでもない。産業上の利用可能性

以上のように、本発明によるフォトマスクの製造方法および位相シフトマスクの製造方法ならびに半導体装置の製造方法は、回路素子を形成するフォ卜マスクのレイァゥト変更技術に用いて好適なものである。

Claims

請求の範囲

1. 半導体ゥヱハ上に転写されるパターンの形成されたフォトマスクの製造方法であって、次の工程（a) 〜（e) を含むことを特徴とするフォ卜マスクの製造方法。

(a) 設計変更前後における設計データを相互に比較する工程、

(b) その比較結果から変更後の前記設計データにおいて変更前の前記設計デー夕と異なっている変更領域を求める工程、

(c) 前記変更領域について変更内容に沿った新たな描画データを作成する工程、 (d) 前記変更領域の前記描画データと設計変更前において既に作成されている前記変更領域以外の描画データとを合成する工程、

( e ) 合成された前記描画データに基づいて設計変更後のフォトマスクを製造する工程。

2. 請求項 1記載のフォトマスクの製造方法において、前記（c) 工程は次のェ程（c , ) 〜（c ₃ ) からなることを特徵とするフォ卜マスクの製造方法。

(c , ) 階層化設計された前記設計データのうちで前記変更領域を包含する最小ブロックの前記設計データである親データを求める工程、

( C 2 ) 前記親データの下位の階層の設計データである子データのうちで前記変更領域にかかる前記子データの図形座標を前記親データの座標系に変換する工程、 (c₃ ) 前記親データおよび座標変換された前記子データについて変更内容に沿つた新たな描画データを作成する工程。

3. 半導体ゥ Xハ上に転写されるパターンの形成されたフォトマスクの製造方法であって、次の工程（a) ~ ( f ) を含むことを特徴とするフォトマスクの製造方法。

( b ) その比蛟結果から変更後の前記設計デー夕において変更前の前記設計デ一夕と異なっている変更領域を求める工程、

( c ) 階層化設計された前記設計データのうちで前記変更領域を包含する最小ブ口ックである親デ一夕およびその下位の階層の設計データである子データを抽出する工程、

一 ( d ) 抽出された前記親データおよび前記子データについて変更内容に沿った新たな描画データを作成する工程、

( e ) 前記描画データと設計変更前において既に作成されて変更が加えられていない描画データとを合成する工程、

( f ) 合成された前記描画データに基づいて設計変更後のフォ卜マスクを製造する工程。

4 . 選択的に光の位相をシフトさせながら半導体ゥヱハ上にパターンを転写する位相シフトマスクの製造方法であって、次の工程（ a ) - ( f ) を含むことを特徵とする位相シフトマスクの製造方法。

( a ) 前記位相シフトマスクについての暫定的な描画データを作成する工程、

( b ) 前記描画データに基づいて露光予測演算を行う工程、

( c ) その露光予測演算結果から前記描画データにおいて修正が必要な領域を求める工程、

( d ) 修正が必要な前記領域が存在した場合には前記領域について修正内容に沿つた新たな描画データを作成する一方、存在しない場合には（ f ) 工程に移行する工程、

( e ) 前記描画データと修正が不要な前記描画データとを合成する工程、

( f ) 合成された前記描画データに基づいて位相シフトマスクを製造する工程。

5 . 請求項 4記載の位相シフトマスクの製造方法であって、前記（d ) 工程において新たな描画データを作成した後、修正された前記領域について限定的に露光予測演算を行いながら適切な前記描画データを作成することを特徴とする位相シフトマスクの製造方法。

6 . フォ卜マスクに形成されたパターンを半導体ゥヱハ上に転写して所定の電子回路を形成する半導体装置の製造方法であって、次の工程（ a ) 〜（h ) を含むことを特徵とする半導体装置の製造方法。

( a ) 前記フォ卜マスクの設計変更前後における設計データを相互に比絞するェ程、

( b ) その比拳交結果から変更後の前記設計データにおいて変更前の前記設計デ— 夕と異なっている変更領域を求める工程、

„ ( C ) 前記変更領域について変更内容に沿った新たな描画データを作成する工程、

(d) 前記変更領域の前記描画データと設計変更前において既に作成されている前記変更領域以外の描画データとを合成する工程、

( e ) 合成された前記描画データに基づいて設計変更後のフォトマスクを製造する工程、

( f ) フォトレジストの塗布された半導体ゥヱハを露光装置のゥヱハステージに搭載してこれを露光位置に位置決めする工程、

(g) 製造された前記フォトマスクを露光光源から前記半導体ウェハに至る光路上に配置する工程、

(h) 前記フォ卜マスクに露光光を照射して前記フォトマスクに形成された前記パターンを前記半導体ウェハ上に露光する工程。

7. 請求項 6記載の半導体装置の製造方法であって、前記（c) 工程は次の工程

( C , ) 〜（ C ₃ ) からなることを特徴とする半導体装置の製造方法。

(c , ) 階層化設計された前記設計データのうちで前記変更領域を包含する最小プロックの前記設計データである親データを求める工程、

( C 2 ) 前記親データの下位の階層の設計データである子データのうちで前記変更領域にかかる前記子データの図形座標を前記親データの座標系に変換する工程、

( C 3 ) 前記親データおよび座標変換された前記子データについて変更内容に沿つた新たな描画データを作成する工程。

8. フォ卜マスクに形成されたパターンを半導体ウェハ上に転写して所定の電子回路を形成する半導体装置の製造方法であって、次の工程（a) 〜（ i ) を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

(a) 前記フォトマスクの設計変更前後における設計データを相互に比較するェ程、

( b ) その比絞結果から変更後の前記設計データにおいて変更前の前記設計デー夕と異なっている変更領域を求める工程、

( c ) 階層化設計された前記設計データのうちで前記変更領域を包含する最小ブ口ックである親データおよびその下位の階層の設計データである子データを抽出する工程、

_ ( d ) 抽出された前記親データおよび前記子データについて変更内容に沿った新たな描画データを作成する工程、

( f ) 合成された前記描画データに基づいて設計変更後のフォトマスクを製造する工程、

( g ) フォトレジス卜の塗布された前記半導体ゥヱハを露光装置のゥヱハステ一ジに搭載してこれを露光位置に位匿決めする工程、

( h ) 製造された前記フォトマスクを露光光源から前記半導体ウェハに至る光路上に配置する工程、

( i ) 前記フォトマスクに露光光を照射して前記フォ卜マスクに形成された前記パターンを前記半導体ウェハ上に露光する工程。

9 . 選択的に光の位相をシフ卜させる位相シフ卜マスクに形成されたパターンを半導体ウェハ上に転写して所定の電子回路を形成する半導体装置の製造方法であつて、次の工程（ a ) ~ ( i ) を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

( a ) 前記位相シフトマスクについての暫定的な描画デ一夕を作成する工程、

( b ) 前記描画データに基づいて露光予測演算を行う工程、

( e ) 前記描画データと修正が不要な前記描画データとを合成する工程、 ( f ) 合成された前記描画データに基づいて位相シフ卜マスクを製造する工程、

( g ) フォトレジス卜の塗布された前記半導体ゥヱハを露光装置のゥハステージに搭載してこれを露光位置に位置決めする工程、

( h ) 製造された前記位相シフ卜マスクを露光光源から前記半導体ゥヱハに至る光路上に配置する工程、 ( i ) 前記位相シフ卜マスクに露光光を照射して前記位相シフ卜マスクに形成さ ― れた前記パターンを前記半導体ウェハ上に露光する工程。

1 0 . 請求項 9記載の半導体装置の製造方法において、前記（d ) 工程において新たな描画データを作成した後、修正された前記領域について限定的に露光予測演算を行いながら適切な前記描画データを作成することを特徴とする半導体装置の製造方法。