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WO2004051369A1 - フォトマスクブランク、及びフォトマスク - Google Patents

フォトマスクブランク、及びフォトマスク Download PDF

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WO2004051369A1
WO2004051369A1 PCT/JP2003/015287 JP0315287W WO2004051369A1 WO 2004051369 A1 WO2004051369 A1 WO 2004051369A1 JP 0315287 W JP0315287 W JP 0315287W WO 2004051369 A1 WO2004051369 A1 WO 2004051369A1
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WO
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light
photomask
shielding film
substrate
blank
Prior art date
Application number
PCT/JP2003/015287
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Ryu Ohtaguro
Original Assignee
Hoya Corporation
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hoya Corporation filed Critical Hoya Corporation
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Priority to JP2004556864A priority patent/JPWO2004051369A1/ja
Publication of WO2004051369A1 publication Critical patent/WO2004051369A1/ja

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    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/50—Mask blanks not covered by G03F1/20 - G03F1/34; Preparation thereof
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    • G03F1/62—Pellicles, e.g. pellicle assemblies, e.g. having membrane on support frame; Preparation thereof
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2022—Multi-step exposure, e.g. hybrid; backside exposure; blanket exposure, e.g. for image reversal; edge exposure, e.g. for edge bead removal; corrective exposure
    • G03F7/2026—Multi-step exposure, e.g. hybrid; backside exposure; blanket exposure, e.g. for image reversal; edge exposure, e.g. for edge bead removal; corrective exposure for the removal of unwanted material, e.g. image or background correction

Definitions

  • the present invention relates to a photomask used for transferring a pattern in a lithography technique, and a photomask blank as an original material of the photomask.
  • the photomask is prepared by first precision-polishing quartz glass or the like to obtain a light-transmitting substrate (polishing step).
  • the main surface of the obtained light-transmitting substrate is subjected to sputtering or the like, for example, containing chromium as a main component.
  • a light-shielding film to be formed film formation step
  • apply a resist film on the formed light-shielding film coating step
  • selectively expose the applied resist film exposure step
  • develop the exposed resist film develop the exposed resist film.
  • the light shielding film is patterned by etching (etching step).
  • etching step an intermediate product of the photomask obtained through the above-described film forming process, that is, a material original plate is called a photomask blank.
  • the outer peripheral portion and the side portion of the light-transmitting substrate are gripped.
  • the light-shielding film is easily peeled off.
  • the peeled-off material adheres to the light-shielding film pattern as particles, defects such as a light-shielding film residue are generated in the pattern. Inevitably increase the number of washings of the blanks or blanks.
  • the above technique is not applied to a blank in which a fine mask pattern is formed using electron beam lithography in the exposure step. This is because, when a fine pattern is drawn, electron beam drawing is performed in the above-mentioned exposure step. However, when drawing a fine pattern using an electron beam, charge-up of the substrate by the electron beam is required. This is because, in order to prevent this, it is necessary to provide conductivity (set up a conductive pin) with a light-shielding film having conductivity even in the outer peripheral portion of the blank.
  • a finer pattern is required in accordance with a higher definition of the display device and the like.
  • electronic lithography is performed in the process.
  • Patent Document 1 Japanese Patent Application Laid-Open No. Sho 60-19444 (page 2, FIG. 1)
  • Patent Document 2 Japanese Patent Publication No. Hei 3-334500 (pages 2, 3; Figure 2) Disclosure of the Invention
  • the board is heavy (about lkg to 15 kg) when the board is held by hand when handling the board.
  • the side surfaces need to be rough due to the increased risk. Therefore, in a large photomask, the light-shielding film on the side surface is more easily peeled off.
  • an object of the present invention is to provide a technology capable of preventing generation of particles such as exfoliated matters when handling a blank in which a large and fine mask pattern is formed or a photomask manufactured using the blank.
  • a light-shielding film is formed only on a portion of the main surface of the light-transmitting substrate other than the peripheral edge, and the peripheral portion is an undeposited region of the light-shielding film.
  • a photomask blank is provided, wherein the size of the substrate is not less than 300 [mm] on one side, and the width of the undeposited region is not less than 3 [mm].
  • the light-shielding film is patterned using laser writing.
  • the surface roughness (R a) of the side surface of the translucent substrate is a rough surface of 0.05 to 0.3 m. It is effective for
  • FIG. 1 is a view schematically showing a photomask blank according to an embodiment, (a) is a plan view, and (b) is a cross-sectional view.
  • FIG. 2 is an enlarged view schematically showing a peripheral portion of the photomask blank according to the embodiment.
  • FIG. 1 shows a photomask blank according to an embodiment.
  • a light-shielding film 2 is formed only on a portion of the main surface of the light-transmitting substrate 1 other than a peripheral edge 1S, and the peripheral portion 1S is a region where the light-shielding film 2 is not formed. is there.
  • the translucent substrate 1 is a substrate that is substantially transparent to exposure light.
  • the translucent substrate 1 has a rectangular shape or a square shape in a plan view, and has a size of at least 300 [mm] on one side, that is, at least one of the four sides of the rectangular or square shape.
  • the two sides are more than 300 [mm].
  • each side is more than 300 M], that is, a rectangular or square shape is more effective for a photomask, even if the four sides are all larger than 300 [mm]. is there.
  • Such a large photomask is suitable for use, for example, in the manufacture of a liquid crystal display device or the like.
  • the size of the light-transmitting substrate 1 is 330 ⁇ 450 [mm], 390 ⁇ 610 [mm], 500 ⁇ 750 [mm], and 520 X 800 [mm] or more.
  • the thickness of the translucent substrate 1 is not particularly limited, but a high-precision mask substrate or a large-sized substrate requiring high flatness, such as the photomask of the present invention, tends to be thick. . In one embodiment, the thickness of the translucent substrate 1 is set to 5 to 15 [mm].
  • the width A (see FIG. 2) of the undeposited region 1S on the main surface of the translucent substrate 1 is 3 [mm] or more, and preferably 5 [mm]. Good. However, it is preferable that the width A of the undeposited region 1S is set to a value such that the undeposited region 1S does not overlap with a so-called drawing assurance region of a photomask manufactured using this blank. Specifically, when the drawing assurance area is an area excluding 10 [mm] from the peripheral end face of the translucent substrate 1, the width A of the undeposited area 1S is set to 10 [mm] or less. Is preferred.
  • the width A of the unformed region 1S is 5 ⁇ 1 [mm].
  • the light-shielding film 2 substantially shields the exposure light, and can be configured using, for example, a metal such as chrome.
  • the light-shielding film may have a multi-layer structure or a continuous layer structure including an anti-reflection layer, a semi-translucent layer, and the like.
  • This light-shielding film 2 is patterned using pattern drawing by a laser drawing device. That is, this photomask blank is for laser writing.
  • the translucent substrate 1 having a horizontal diameter of 300 mm or more in a plan view is obtained.
  • the side surface (the end surface ⁇ and the chamfered portion 1C) of the translucent substrate 1 does not need to be precisely polished, and may be rough (see FIG. 2). Even if the end face 1T and the chamfered portion 1C are rough, since the light-shielding film 2 is not formed on these portions, there is no problem that the light-shielding film 2 peels off and adheres to the mask pattern surface.
  • the side surface of the substrate is preferably a rough surface having a surface roughness (R a) of 0.05 m or more, more preferably 0.15 m or more. l jLi m or more, most preferably Q.15 im or more. Further, if the side surface of the substrate is too rough, there is a problem that particles potentially embedded in the grooves are generated during cleaning or the like. Considering this point, the side surface of the substrate, particularly the end face, preferably has a surface roughness (R a) of 0.3 m or less, more preferably 0.25 m or less, and most preferably 0.2 m or less. It is as follows.
  • a side portion having a surface roughness (R a) of 0.05 to 0.3 m it can be performed by controlling a polishing method.
  • a diamond tool (a diamond particle having a predetermined roughness can be obtained). It can be obtained by polishing using a diamond tool with a grain size of # 700 to # 240 in an embedded wheel-shaped grinding wheel).
  • the width B of the chamfer 1C (see Fig. 2) is, for example, 0.3 [i! ] To 1.3 [mm].
  • the light-shielding film 2 is formed only on the main surface of the obtained light-transmitting substrate 1 except for the peripheral portion 1S.
  • the peripheral portion is a region including the above-described end surface 1T and chamfered portion 1C.
  • the light shielding film 2 can be formed by sputtering. Sputtering may be performed in a state where the non-film-forming region 1S is masked by a frame-shaped holder (not shown) and the light-transmitting substrate 1 is held. This allows Since the sputter target particles do not adhere to the area masked by the frame-shaped holder on the main surface of the translucent substrate 1, that area can be used as the unfilmed area 1S. At this time, by holding the translucent substrate 1 so that the film formation surface (main surface) faces downward, the problem of particles adhering to the film formation surface can be reduced.
  • the frame-shaped holder can be grounded at the time of sputtering film formation, thereby preventing abnormal discharge.
  • the width A of the undeposited region 1S is set to 3 mm or more
  • the width of the frame-shaped holder can be set to 3 mm or more correspondingly. Therefore, sufficient grounding can be ensured during the spattering, so that abnormal discharge can be reliably avoided, and as a result, the yield can be improved.
  • the register used here is a register for laser writing, and specifically, NPR3510PG manufactured by Nagase & Co., Ltd. is exemplified.
  • the applied resist film is backed, it is selectively exposed by laser drawing.
  • the laser drawing does not need to be performed in a vacuum unlike the electron beam drawing, and can be performed in the atmosphere, so that there is an advantage that a large-scale apparatus is not required.
  • the laser drawing apparatus used here specifically, LRS manufactured by MICRONIC or the like can be mentioned.
  • the exposed resist film is developed to form a resist pattern, and the light-shielding film 2 is etched using the resist pattern as a mask. Then, a light-shielding film pattern is formed. Then, the resist pattern is removed, and thereafter, predetermined cleaning is performed to complete the photomask according to the embodiment.
  • the photomask blank according to the embodiment is used for laser writing, it is possible to avoid the problem of charge-up in conventional electron beam writing, so that the size is 300 mm or more on one side. Even though it is large, there is no problem even if the width A of the undeposited area 1 S is 3 [mm] or more.
  • photomasks Large photomask blanks or photomasks (hereinafter referred to as photomasks, etc.) are also heavy, so they must be firmly held during transportation, etc.
  • photomasks By setting the width A of the area 1S to 3 [mm] or more, even if the photomask or the like is conveyed in a state where the end face 1T and the chamfered portion 11C are gripped by hand or the like. It is possible to reliably prevent humans or the like from contacting the light shielding film 2. Therefore, the problem of peeling of the light shielding film 2 can be reliably prevented.
  • the photomasks and the like of the present invention are those in which the mask pattern is particularly fine and strict defect inspections are performed. For example, it is suitable for use as a mask for manufacturing a TFT (thin film transistor).
  • a rectangular substrate is illustrated as the translucent substrate 1, but the translucent substrate may be a square.

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

大型でかつ微細なパターンが要求されるブランクを取り扱うに際して、パーティクルの発生を防止できるようにする。　透光性基板1の主表面上における周縁1Sを除く部分のみに遮光膜2が形成され、該周縁部1Sが遮光膜2の未成膜領域とされてなるフォトマスクブランクにおいて、前記透光性基板1のサイズが、一辺が３００ミリメートル以上であると共に、前記未成膜領域Sの幅が３ミリメートル以上であり、前記遮光膜2がレーザ描画を用いてパターニングされるようにしたことを特徴とするフォトマスクブランクを提供する。

Description

フォ トマスクブランク、 及びフォ トマスク 技術分野
本発明は、 リソグラフィー技術においてパターンの転写に用いられる フォ トマスクと、その素材原版であるフォ トマスクブランクとに関する。
明
背景技術
フォ トマスクは、まず石英ガラス等を書精密研磨して透光性基板を得（研 磨工程）、 得られた透光性基板の主表面にスパッ夕リング等によって、 例 えばクロムを主成分とする遮光膜を形成し（成膜工程）、 形成した遮光膜 上にレジスト膜を塗布し（塗布工程）、 塗布したレジスト膜を選択的に露 光し（露光工程）、 露光したレジスト膜を現像すると共にエッチングを行 つて遮光膜をパターニングする（エッチング工程）ことにより製作される。 ここで、 上記成膜工程を経て得られるフォ トマスクの中間生成物、 即ち 素材原版をフォ トマスクブランクと呼んでいる。
ところで、 フォ トマスクにしろ、 フォ トマスクブランクにしろ、 それ を工程間で運搬するとき等は、 透光性基板の外周部や側面部が把持され るため、 その把持しろとなる部分に形成された遮光膜が剥がれ易くなる という問題がある。 遮光膜が剥がれた場合、 その剥離物がパーティクル として遮光膜パターンに付着してしまうと、 該パターンに遮光膜残り等 の欠陥が生じることになるし、 またその剥離物を除去するためにはマス ク或いはブランクの洗浄回数の増加が避けられない。
そこで、 フォ トマスクの外周部に遮光膜が形成されないようにするこ とで、 ハンドリング時に発生する遮光膜の剥離物（パーティクル）を低減 する技術が知られている（特許文献 1， 2参照）。 これらの技術は、 シリ コンウェハ等を処理対象とするリソグラフィ一技術で用いられるフォ ト マスクに適用され得る。
一方、 上記の技術は、 露光工程で電子線描画を用いて微細なマスクパ ターンが形成されるブランクに対しては適用されていない。 これは、 特 に微細なパターンを描画する場合には、 上記露光工程で電子線描画が行 われるが、 電子線を用いて微細なパターンを描画するに当たっては、 該 電子線による基板のチャージアツプを防止するためにブランクの外周部 においても導電性を有する遮光膜で導電をとる（導通ピンを立てる）必要 があるからである。
例えば、 液晶ディスプレー等の表示装置の製造に用いられるフォ トマ スクでは、 該表示装置の高精細化等に伴って、 パターンの微細化が要求 されており、 かかるフォ トマスクの製造過程では、 上記露光工程におい て電子描画が行われているのが現状である。
特許文献 1 ： 特開昭 6 0 — 1 9 4 4 4 6号公報 （第 2頁、 第 1図） 特許文献 2 ： 特公平 3 - 3 4 0 5 0号公報 （第 2 — 3頁、 第 2図） 発明の開示
しかしながら、 液晶ディスプレイ等の表示装置の製造に用いられるフ オ トマスクは、 近年、 パターンの高精度化が進む一方で、 表示画面の大 面積化に伴って大型化する傾向にあり、 大型のマスクである程、 厚く重 くなるため、 剥離物の発生の問題が深刻化する。 つまり、 大型のマスク は、 これを取り扱う際に、 その外周部を挟み込む冶具を用いてしっかり と保持されることがあるが、 マスクが重い程、 冶具との接触部、 即ち外 周部にかかる荷重も大きいので、 その部分の遮光膜が剥がれ易くなる。
また、 基板の主表面のみならず、 基板の側面部を鏡面研磨することに より、成膜の際に側面部に回り込んで形成された遮光膜の付着力が増し、 遮光膜の剥がれが低減されることが考えられ、 半導体製造用のフォ トマ スクでは、 基板の側面部の鏡面研磨が実用化されている。 しかしながら、 表示装置用等の大型のマスクにおいては、 露光装置 （マスクァライナ） におけるフォ トマスクの検出を側面部で行う例があり、 基板の側面部が 鏡面であると反射光が検出できないという問題があることや、 基板を取 り扱う際に人手によって基板の側面部を持つときに、 基板の重量が重い (約 l k g〜 1 5 k g ) ことから、 基板の側面部が鏡面であると滑って 落下する危険性が増すという問題があることから、 側面部は粗面である ことが必要とされている。 そのため、 大型のフォ トマスクにおいては、 側面部の遮光膜がより剥がれ易い状況にある。
以上のように剥離物の発生の問題は、 近年において要求される高精度 なパターンが形成される大型のブランクにおいて特に深刻化する。
そこで本発明は、 大型でかつ微細なマスクパターンが形成されるブラ ンク又はそれを用いて製造されたフォ トマスクを取り扱うに際して、 剥 離物等のパーティクルの発生を防止できる技術を提供することを目的と する。
本発明によれば、 透光性基板の主表面上における周縁を除く部分のみ に遮光膜が形成され、 該周縁部が遮光膜の未成膜領域とされてなるフォ トマスクブランクにおいて、 前記透光性基板のサイズが、 一辺が 3 0 0 [mm]以上であると共に、 前記未成膜領域の幅が 3 [mm]以上であることを 特徴とするフォ トマスクブランクが提供される。
' 本発明のフォ トマスクブランクでは、 前記遮光膜が、 レーザ描画を用 いてパターニングされるようにするのが好ましい。
また、 本発明のフォ トマスクブランクでは、 前記透光性基板の側面部 の表面粗さ （R a ) が 0 . 0 5〜 0 . 3 mの粗面であるものに対し、 特 に効果的である。
また本発明によれば、 上記フォ トマスクブランクを用いて製造したフ オ トマスクも提供される。 図面の簡単な説明
第 1図は、 実施の形態によるフォ トマスクブランクを模式的に示す図 であり、 （a)は平面図、 （b)は断面図である。
第 2図は、 実施の形態によるフォ トマスクブランクの周縁部を模式的 に示す拡大図である。
1 透光性基板
1 S 透光性基板の周縁部
1 T 透光性基板の端面
1 C 透光性基板の面取部
2 遮光膜 発明を実施するための最良の形態
第 1図は、 実施の形態によるフォ トマスクブランクを示す。 このフォ トマスクブランクは、透光性基板 1の主表面上における周縁 1 Sを除く部分 のみに遮光膜 2が形成され、 該周縁部 1 Sが遮光膜 2の未成膜領域とされて なるものである。
透光性基板 1は、 露光光に対して実質的に透明な基板である。 この透光 性基板 1は、 平面視において矩形形状又は正方形形状をなしており、 そ のサイズは一辺が 3 0 0 [mm]以上、 即ち、 矩形形状又は正方形形状の四 辺のうち、 少なくとも対向する二辺が 3 0 0 [mm]以上である。 尚、 各辺 が 3 0 0 M]以上、 即ち、 矩形形状又は正方形形状の四辺のうち、 四辺 全てが 3 0 0 [mm]以上のより大型もフォ トマスクに対しさらに効果的で ある。 このような大型のフォ トマスクは、 例えば液晶表示装置等の製造 に用いて好適である。 具体的には透光性基板 1のサイズとしては、 3 3 0 X 4 5 0 [mm]、 3 9 0 X 6 1 0 [mm]、 5 0 0 X 7 5 0 [mm]、 5 2 0 X 8 0 0 [mm]、 又はそれ以上とすることができる。
尚、 透光性基板 1の厚さは特に限定されないが、 本発明のフォ トマスク のように高い平坦度が要求される高精度マスク用の基板やサイズの大き な基板は、 厚くなる傾向にある。一実施例では、 透光性基板 1の厚さを 5 〜 1 5 [mm]とする。
また透光性基板 1の主表面上における未成膜領域 1 Sの幅 A (第 2図参照） は 3 [mm]以上であり、 好ましくは 5 [mm]であるが、 それ以上であっても よい。 但し、 未成膜領域 1 Sの幅 Aは、 該未成膜領域 1 Sが、 このブランクを 用いて製造されるフォ トマスクのいわゆる描画保証領域と重ならない値 とするのが好ましい。 具体的には、描画保証領域が透光性基板 1の周端面 から 1 0 [mm]を除くェリァである場合には、 未成膜領域 1 Sの幅 Aは 1 0 [mm]以下とするのが好ましい。
尚、 一実施例では、 未成膜領域 1 Sの幅 Aを 5 ± 1 [mm]とする。
遮光膜 2は、 露光光を実質的に遮光するものであり、 例えばクロム等の 金属を用いて構成できる。 尚、 この遮光膜は反射防止層や半透光層等を 含む多層構造又は連続層構造を有するものであってもよく、 その場合は それら全ての層を指して遮光膜 2とする。 この遮光膜 2は、 レーザ描画装 置によるパターン描画を用いてパターニングされる。 即ち、 このフォ ト マスクブランクは、 レーザ描画用のものである。
以下、 このフォ トマスクブランクの製造方法と、 該ブランクを用いた フォ トマスクの製造方法について説明する。
〔研磨工程〕
まず、石英ガラス等を精密研磨した後、面取りを行って、縦 3 0 0 [ram] 以上、 横 3 0 0 [mm]以上の平面視四角径の透光性基板 1を得る。 ここで、 透光性基板 1の側面部（端面 Π及び面取部 1C) は特に精密研磨する必要が なく、 粗れていてもよい（第 2図参照）。 端面 1T及び面取部 1Cは粗れてい ても、 これらの部分には遮光膜 2を形成しないから、 該遮光膜 2が剥離し てマスクパターン面に付着する問題は生じない。 尚、 ハンドリングする 際に滑り難さを考慮すると、 基板の側面部、 特に端面は、 表面粗さ （R a) が 0. 0 5 m以上の粗面であることが好ましく、 さらに好ましくは 0. l jLi m以上、 最も好ましくは Q . 1 5 im以上である。 また、 基板の 側面部が粗れ過ぎていると、 溝に潜在的に埋め込まれたパーティクルが 洗浄時等に発生されてしまうという問題もある。 この点を考慮すると、 基板の側面部、 特に端面は、 表面粗さ （R a ) が 0. 3 m以下が好まし く、 さらに好ましくは 0. 2 5 m以下、 最も好ましくは 0. 2 m以下 である。 表面粗さ （R a ) が 0. 0 5〜 0. 3 mの側面部を得るために は、 研磨方法を制御することにより行うことができ、 例えばダイヤツー ル （所定の粗度のダイヤモンド粒子が埋めこまれたホイール状の研磨砥 石） において、 # 7 0 0〜 # 2 4 0 0の粒度のダイヤツールを用いた研 磨により得ることができる。
尚、 面取り部 1Cの幅 B (第 2図参照）は、 例えば 0. 3 [i ！]〜 1. 3 [mm] とすることができる。
〔成膜工程〕
次いで、得られた透光性基板 1の主表面上における周縁部 1Sを除く領域 のみに遮光膜 2を形成する。 ここでいう周縁部 とは、 前述した端面 1T 及び面取部 1Cを含む領域である。
遮光膜 2の形成には、 スパッタリングを用いることができる。 スパッタ リングは、 図示せぬ枠状の保持具によつて未成膜領域 1Sをマスキングし た状態で、 当該透光性基板 1を保持した状態で行うとよい。 これにより、 透光性基板 1の主表面における枠状保持具によつてマスキングされた領 域には、 スパッタターゲッ トの粒子が付着しないから、 その領域を未成 膜領域 1 Sとすることができる。 このとき、 透光性基板 1をその成膜面（主 表面）が下方を向くよう保持することにより、該成膜面へパーティクルが 付着する問題を低減できる。
また、 該枠状保持具として導電性を有するものを用いることにより、 該枠状保持具においてスパッ夕成膜時のアースをとり、 異常放電を防止 できる。 ここで未成膜領域 1 Sの幅 Aを 3 [mm]以上としているから、 これと 対応させて枠状保持具の幅を 3 [mm]以上とすることができる。 従って、 スパッ夕時に充分なアースを確保できるから、 異常放電を確実に回避で き、 その結果歩留まりを向上できるという効果が得られる。
以上の工程を経て、 実施の形態によるフォ トマスクブランクが完成す る。
〔塗布工程〕
次いで、形成した遮光膜 2上にレジストをスピンコート法等によって塗 布する。 ここで用いるレジス トは、 レーザ描画用のレジス トであり、 具 体的には、 長瀬産業社製の NPR3510PG等が挙げられる。
〔露光工程〕
次いで、 塗布したレジス ト膜をべ一クした後、 レーザ描画によって選 択的に露光する。 このときレーザ描画は、 電子線描画のように真空中で 行う必要がなく、 大気中で行えるので、 大掛かりな装置を用いなくて済 むという利点がある。 尚、 ここで用いるレーザ描画装置としては、 具体 的には、 MI CR0NI C社製の LRS等が挙げられる。
〔エッチング工程〕
次いで、 露光したレジスト膜を現像してレジストパターンを形成し、 該レジス トパターンをマスクにして遮光膜 2をエッチングすることによ り、 遮光膜パターンを形成する。 そして、 該レジス トパターンを除去し、 しかる後、 所定の洗浄を施して実施の形態によるフォ トマスクが完成す る。
本実施の形態によれば、 次のような効果が得られる。
(1 )実施の形態にかかるフォ トマスクブランクは、レーザ描画用とした ことにより、 従来の電子線描画におけるチャージアツプの問題を回避で きるから、 サイズが、 一辺が 3 0 0 [mm]以上の大型のものでありながら、 未成膜領域 1 Sの幅 Aを 3 [mm]以上にしても何ら支障がない。
(2)大型のフォ トマスクブランク又はフォ トマスク（以下、 フォ トマス ク等という。）は重量も嵩むので、 搬送のとき等にこれをしつかりと保持 しなければならないところ、 遮光膜 2の未成膜領域 1 Sの幅 Aを 3 [mm]以上 としたことにより、 当該フォ トマスク等を、 人手等によって端面 1 T及び 面取部 1 1 Cを把持した状態で搬送する場合であっても、該人手等が遮光 膜 2に接触してしまうことを確実に回避できる。 従って、 遮光膜 2の剥離 の問題を確実に防止できる。
(3)また、 透光性基板 1の端面 1 T及び面取部 1 C, 1 Cのみならず周縁部 1 S をも保持しろとする保持具を用いて当該フォ トマスク等を搬送する場合 であっても、 該保持しろを 3 [mm]以上に充分に確保できるので、 遮光膜 2 の剥離の問題を確実に防止しながら、 大型で重いフォ トマスク等を安定 してしつかりと保持できる。
(4)以上のように、遮光膜 2の外周部分の剥離を防止して微小異物（パ一 ティクル）の発生源を除去することにより、フォ トマスク等のマスクパ夕 ーン面に異物が付着してしまうことを防止できるから、 欠陥のないフォ トマスクを歩留まり良く製造できる。 従って、 本発明のフォ トマスク等 は、 マスクパターンが特に微細で厳しい欠陥検査が行われるもの、 また マスク寸法が非常に大きいが故に欠陥の発生率も高くなりがちなもの、 例えば TFT (薄膜トランジス夕）の製造用のマスクとして用いて好適であ る。
(5)また、従来必須であった異物を除去するためのフォ トマスク等の洗 浄回数を低減できるから、 当該フォ トマスク等の製造の直行率を向上で きる。
尚、 実施の形態では透光性基板 1として矩形のものを例示したが、 該透 光性基板は正方形であってもよい。 産業上の利用可能性
本発明によれば、 大型でかつ微細なパターンが要求されるブランクを 取り扱うに際して、 パーティクルの発生を防止できる。

Claims

請 求 の 範 囲
1 . 透光性基板の主表面上における周縁を除く部分のみに遮 膜が形 成され、 該周縁部が遮光膜の未成膜領域とされてなるフォ トマスクブラ ンクにおいて、
前記透光性基板のサイズが、 一辺が 3 0 0ミ リメートル以上であると 共に、
前記未成膜領域の幅が、 3ミ リメートル以上であることを特徴とする フォ トマスクブランク。
2 . 前記遮光膜が、 レーザ描画を用いてパターユングされるようにし たことを特徴とする請求の範囲第 1項に記載のフォ トマスクブランク。 3 . 前記透光性基板の側面部の表面粗さ （R a ) が 0 . 0 5〜 0 .
3 の粗面であることを特徴とする請求の範囲第 1項又は第 2項に記載 のフォ トマスクブランク。
4 . 請求の範囲第 1項〜第 3項から選ばれる一項に記載のフォ トマス クブランクを用いて製造されたことを特徴とするフォ トマスク。
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