WO1996009668B1 - Dispositif optique - Google Patents
Dispositif optiqueInfo
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- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract 18
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims abstract 14
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract 9
- 230000003321 amplification Effects 0.000 claims abstract 8
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 claims abstract 8
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 claims abstract 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract 2
- 239000011149 active material Substances 0.000 claims 4
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 claims 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 claims 1
- 230000009022 nonlinear effect Effects 0.000 abstract 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract 1
Abstract
L'invention concerne un dispositif optique conçu pour être utilisé comme amplificateur ou modulateur. Ce dispositif comprend un substrat à semiconducteurs (2) pourvu d'une zone allongée formant guide d'ondes (1) et présentant une frontière de guidage de la lumière et s'étend entre une entrée (3) et une sortie (4) pour assurer un rayonnement optique. Une couche optiquement active d'un matériau (6) assure l'amplification de la lumière traversant la zone formant guide d'ondes (1). La largeur (w) de la zone (1) est réduite vers l'extérieur à partir de l'entrée pour permettre l'amplification des signaux optiques d'entrée, et est réduite vers la sortie (4) de manière à concentrer la lumière amplifiée en un seul mode vers la sortie. La concentration de la lumière amplifiée dans la zone active peut générer des effets non linéaires qui sont exploités pour assurer une modulation de données ou une commutation. Dans un mode de réalisation, la zone formant guide d'ondes comprend une première zone active (30) pour amplifier la lumière et une deuxième zone passive (31) pour concentrer la lumière vers la sortie.
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US08/809,130 US5917972A (en) | 1994-09-14 | 1995-09-14 | Optical device |
CA002199510A CA2199510C (fr) | 1994-09-14 | 1995-09-14 | Dispositif optique |
EP95931340A EP0781465B1 (fr) | 1994-09-14 | 1995-09-14 | Dispositif optique |
DE69532083T DE69532083T2 (de) | 1994-09-14 | 1995-09-14 | Optische vorrichtung |
JP51066996A JP3895370B2 (ja) | 1994-09-14 | 1995-09-14 | 光デバイス |
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
EP94306753.8 | 1994-09-14 | ||
EP94306753 | 1994-09-14 | ||
GBGB9425729.2A GB9425729D0 (en) | 1994-09-14 | 1994-12-20 | Otical device |
GB9425729.2 | 1994-12-20 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
WO1996009668A1 WO1996009668A1 (fr) | 1996-03-28 |
WO1996009668B1 true WO1996009668B1 (fr) | 1996-05-23 |
Family
ID=26137289
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
PCT/GB1995/002191 WO1996009668A1 (fr) | 1994-09-14 | 1995-09-14 | Dispositif optique |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5917972A (fr) |
EP (1) | EP0781465B1 (fr) |
JP (1) | JP3895370B2 (fr) |
CA (1) | CA2199510C (fr) |
DE (1) | DE69532083T2 (fr) |
GB (1) | GB9425729D0 (fr) |
WO (1) | WO1996009668A1 (fr) |
Families Citing this family (27)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2760850B1 (fr) * | 1997-03-13 | 1999-04-16 | Alsthom Cge Alcatel | Procede de fabrication de circuits optiques integres permettant de minimiser les pertes optiques de couplage |
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FR2768524B1 (fr) * | 1997-09-12 | 1999-10-22 | France Telecom | Amplificateur a large surface avec recombineur a interferences multimodes |
JP3045115B2 (ja) * | 1997-09-30 | 2000-05-29 | 日本電気株式会社 | 光半導体装置の製造方法 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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-
1994
- 1994-12-20 GB GBGB9425729.2A patent/GB9425729D0/en active Pending
-
1995
- 1995-09-14 DE DE69532083T patent/DE69532083T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1995-09-14 CA CA002199510A patent/CA2199510C/fr not_active Expired - Fee Related
- 1995-09-14 WO PCT/GB1995/002191 patent/WO1996009668A1/fr active IP Right Grant
- 1995-09-14 JP JP51066996A patent/JP3895370B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1995-09-14 EP EP95931340A patent/EP0781465B1/fr not_active Expired - Lifetime
- 1995-09-14 US US08/809,130 patent/US5917972A/en not_active Expired - Lifetime
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