WO2008018195A1 - Polymère présentant un groupe bis(diphénylphosphino)binaphthyle - Google Patents

Description

明 細 書

ビス（ジフエニルホスフイノ）ビナフチル基含有ポリマー 技術分野

[0001] 本発明は、付加反応、特に不斉 1, 4付加反応によって付加化合物を製造するため の触媒、又は還元反応、特に不斉還元反応によって還元化合物を製造するための 触媒に用いられるビス（ジフエ-ルホスフイノ）ビナフチル（BINAP)基含有ポリマーに 関するものである。

背景技術

[0002] 不斉炭素を有しない化合物から化学合成により不斉化合物へ誘導する際、不斉触 媒が用いられる。

[0003] 不斉誘起能が優れた触媒として、非特許文献 1〜2に記載されて ヽるようにビス (ジ フエニルホスフイノ）ビナフチル誘導体が知られている。このような誘導体を用い、 1— メントールのような不斉化合物を高い光学純度で収率良く工業的に大量生産する方 法も知られている。しかし、非特許文献 1に記載されているように、反応性が低いビス (ジフエニルホスフイノ)ビナフチルをィ匕学修飾してその誘導体を短工程で収率よく合 成するのは、極めて困難である。し力もそれを触媒として用いた後、反応終了後に煩 雑な操作を経て、触媒を回収しなければならないうえ、高価な触媒の再利用ができな い。

[0004] 非特許文献 3〜6、特許文献 1に、簡便に回収できるビス (ジフエニルホスフイノ)ビ ナフチル基含有樹脂が開示されている。一般的にこのような榭脂は、複雑な多工程 を経て合成されるもので、全収率や不斉収率が悪カゝつたり、榭脂の種類が限定され たりするため、不便である。

[0005] 本発明者らは、非特許文献 7に記載のビス (ジフエニルホスフイノ)ビナフチルのジ ォキシド誘導体から、非特許文献 8に記載の通りその 5, 5 'ージョード体に高収率で 誘導できることを見出して 、る。

[0006] 特許文献 1：特開 2004 - 161963号公報

非特許文献 1 :マーク レマイリ (Marc Lemaire)ら、ケミカル レビューズ (Chemical Re views), 2005年、第 105卷、 p.1801- 1836

非特許文献 2 :ジエー.ピー.ゲネット O.P.Genet)ら、テトラへドロン アシンメトリー (Tet rahedron Asymmetry), 1994年、第 5卷、第 4号、 p.675- 690

非特許文献 3 :アルバート エス.シー.チャン (Albert S.C.Chan)ら、ジャーナルォブ アメリカン ケミカノレ ソサエティ一 (Journal of American Chemical Society), 1999 年、第 121卷、 p.7407-7408

非特許文献 4 :タミオ ハヤシ (Tamio Hayashi)ら、オーガニック レターズ (Organic L etters)、 2004年、第 6卷、第 19号、 p.3357- 3359

非特許文献 5 :ディ.ジエー.ベイストン (D.J.Bayston)ら、ザ ジャーナル ォブ ォー ガ-ック ケミストリー (The Journal of Organic Chemistry), 1998年、第 63卷、 p.313 7-3140

非特許文献 6 :クリスチン サルツゾ (Christine Saluzzo)ら、バイオオーガニック &メデ イシナノレ ケミストリー レターズ (Bioorganic & Medicinal Chemistry Letters) 2002 年、第 12卷、 p.1841-1844

非特許文献 7 :トヨシ シマダ (Toyoshi.Shimada)ら、ザ ジャーナル ォブ オーガニッ ク ケミストリー (The Journal of Organic Chemistry), 2001年、第 66卷、 p.8854— 885 8

非特許文献 8 :トヨシ シマダ (Toyoshi.Shimada)ら、ザ ジャーナル ォブ オーガニッ ク ケミストリー (The Journal of Organic Chemistry), 2005年、第 70卷、 p.10178— 10 181

発明の開示

発明が解決しょうとする課題

本発明は前記の課題を解決するためになされたもので、付加反応、特に不斉 1, 4 付加反応、又は還元反応、特に不斉還元反応の触媒として用いられ、簡便に回収で き、再使用可能なビス (ジフエニルホスフイノ)ビナフチル基含有ポリマーを提供するこ とを第一の目的とする。またこのポリマーを、簡便かつ収率よく製造する方法を提供 することを第二の目的とする。更に光学活性なこのポリマーを触媒として用いて、高い 光学純度で 1, 4付加化合物を製造したり、このポリマーと金属とを含む触媒を用いて 、不斉還元した化合物を製造したりする方法を提供することを第三の目的とする。 課題を解決するための手段

[0008] 前記の目的を達成するためになされた特許請求の範囲の請求項 1に記載のビス ( ジフエ-ルホスフイノ）ビナフチル基含有ポリマーは、ラセミ又は光学活性の 2, 2，一 ビス（ジフエ-ルホスフイノ）—1, 1 '—ビナフチルイ匕合物の 5位が（メタ）アタリロイル基 複数含有化合物の一つの (メタ)アタリロイル基の不飽和末端で置換され、別な 2, 2' —ビス（ジフヱ-ルホスフイノ）—1, 1，—ビナフチル化合物の 5，位が該 (メタ）アタリ口 ィル基複数含有化合物の他の (メタ)アタリロイル基の不飽和末端で置換されており、 その繰返しにより、分子量 1500〜 10000に形成されて ヽることを特徴とする。

[0009] 請求項 2に記載のビス（ジフヱ-ルホスフイノ）ビナフチル基含有ポリマーは、請求項 1に記載されたもので、 2, 2，一ビス（ジフエ-ルホスフイノ）一 1, 1，一ビナフチルイ匕 合物が、 R体、又は S体であることを特徴とする。

[0010] 請求項 3に記載のビス（ジフヱ-ルホスフイノ）ビナフチル基含有ポリマーは、請求項 1に記載されたもので、該 (メタ)アタリロイル基複数含有化合物が、（メタ)アクリル酸 エステル基、又は (メタ)アクリルアミド基を複数有して 、ることを特徴とする。

[0011] 請求項 4に記載のビス（ジフエ-ルホスフイノ）ビナフチル基含有ポリマーは、請求項 1に記載されたもので、二つの (メタ)アタリロイル基を含有する該 (メタ)アタリロイル基 複数含有化合物と、該 2, 2，一ビス (ジフヱ-ルホスフイノ） 1, 1，ービナフチル化合 物との交互の前記繰り返しにより、線状に形成されていることを特徴とする。

[0012] 請求項 5に記載のビス（ジフヱ-ルホスフイノ）ビナフチル基含有ポリマーは、請求項 1に記載されたもので、少なくとも三つの (メタ）アタリロイル基を含有する該 (メタ）ァク リロイル基複数含有化合物と、該 2, 2，—ビス (ジフエ-ルホスフイノ） 1, 1，—ピナ フチルイ匕合物との前記繰り返しにより、網目状、又は放射状に形成されていることを 特徴とする。

[0013] 請求項 6に記載のビス (ジフヱニルホスフイノ)ビナフチル基含有ポリマーを製造する 方法は、遷移金属又はその塩の存在下、（メタ)アタリロイル基複数含有化合物中の（ メタ）アタリロイル基と、 2, 2，一ビス（ジフヱ-ルホスフイノ）一 5, 5，一ジョード一 1, 1， ービナフチル化合物のジォキシド体中のョード基とでクロスカップリング反応させてか ら、高分子化させるとともに該ジォキシド体を還元することにより、請求項 1に記載され たポリマーを製造すると!/、うものである。

[0014] 請求項 7に記載の製造方法は、請求項 6に記載されたもので、二つの (メタ)アタリ口 ィル基を含有する該 (メタ)アタリロイル基複数含有化合物の 1モル当量と、該ジォキ シド体の 1モル当量とを、前記クロスカップリング反応させつつ該高分子化させること を特徴とする。

[0015] 請求項 8に記載の製造方法は、請求項 6に記載されたもので、 n個（nは少なくとも 3 )の (メタ)アタリロイル基を含有する該 (メタ)アタリロイル基複数含有化合物の 1モル 当量と、該ジォキシド体の l〜nモル当量とを、前記クロスカップリング反応させつつ 該高分子化させることを特徴とする。

[0016] 請求項 9に記載の製造方法は、請求項 6に記載されたもので、該 (メタ）アタリロイル 基複数含有化合物の 2モル当量と、該ジォキシド体の 1モル当量とを、前記クロスカツ プリング反応させた後、該高分子化させることを特徴とする。

[0017] 請求項 10に記載の 1, 4付加化合物の合成方法は、請求項 1に記載のビス (ジフ -ルホスフイノ）ビナフチル基含有ポリマーの存在下で、 _a , j8不飽和カルボ二ルイ匕 合物に、求核試薬を 1, 4付加反応させた後、該ポリマーを濾別することを特徴とする

[0018] 請求項 11に記載の合成方法は、請求項 10に記載されたもので、該ポリマーが、 R 体、又は S体の 2, 2，—ビス（ジフエ-ルホスフイノ） 1, 1，ービナフチル基を含有し 、該 α , β不飽和カルボニル化合物力 直鎖状、分岐鎖状若しくは環状の α , j8不 飽和ケトン化合物、又は直鎖状、分岐鎖状若しくは環状の OC , β不飽和エステルで あり、該求核試薬が、アルケニルボロン酸、又はァリールボロン酸であって、該求核試 薬を不斉に該 1, 4付加反応させることを特徴とする。

[0019] 請求項 12に記載の触媒は、請求項 1に記載のビス（ジフ -ルホスフイノ）ビナフチ ル基含有ポリマーと、遷移金属とを含有しており、不飽和基含有化合物を接触水素 還元、又はジカルボ-ル化合物のカルボ-ル還元の何れかの還元をさせるものであ ることを特徴とする。

[0020] 請求項 13に記載の触媒は、請求項 12に記載されたもので、該ポリマーが、 R体、 又は S体の 2, 2，—ビス（ジフエ-ルホスフイノ） 1, 1，ービナフチル基を含有し、該 遷移金属に、そのホスフイノ基が配位しており、該還元が不斉還元であることを特徴と する。

[0021] 請求項 14に記載の触媒は、請求項 13に記載されたもので、該遷移金属を含有す る錯体と、該ポリマーと、ハロゲンィ匕水素とが、反応して生成したものであることを特徴 とする。

[0022] 請求項 15に記載の触媒は、請求項 12又は 13に記載されたもので、直鎖状、分岐 鎖状若しくは環状で、 a , j8不飽和ケトン化合物、 a , j8不飽和カルボン酸、又は α , β不飽和エステルであり、該ジカルボニル化合物が、直鎖状、分岐鎖状若しくは環 状で、 αジケトン化合物、 j8ジケトンィ匕合物、 αケトカルボン酸ィ匕合物、 j8ケトカルボ ン酸化合物、 αケトエステル化合物、又は j8ケトエステルイ匕合物であることを特徴と する。

[0023] 請求項 16に記載の還元方法は、請求項 12又は 13に記載の触媒の存在下で、不 飽和基含有ィ匕合物を接触水素還元、又はジカルボ-ルイ匕合物のカルボ-ル還元の 何れかの還元をすることを特徴とする。

発明の効果

[0024] 本発明のビス (ジフエ-ルホスフイノ)ビナフチル基含有ポリマーは、有機溶媒に可 溶で水に不溶の固体である。このポリマーは、 1, 4付加反応や還元の触媒として用 いられる。中でも、光学活性のビス（ジフエ-ルホスフイノ）ビナフチル基含有ポリマー は、特に不斉 1, 4付加反応の触媒や不斉還元の触媒として用いられ、濾別するだけ で簡便に回収でき、繰返して用いることができるものである。

[0025] このビス（ジフエニルホスフイノ）ビナフチル基含有ポリマーを製造する方法は、短ェ 程で、簡便かつ収率よく所望のポリマーを得ることができるのであるから、歩留まりが よくし力も経済性に優れている。

[0026] 触媒として光学活性のこのポリマーを用いて 1, 4付加反応をさせると、水懸濁液又 は水溶性溶媒懸濁液中、高い光学純度で、ェナンチォ選択的に、またジァステレオ 選択的に、 1, 4付加ィ匕合物を製造することができる。

[0027] 光学活性のこのポリマーと金属とを有する触媒を用いて還元反応をさせると、水懸 濁液又は水溶性溶媒懸濁液中、高い光学純度で、不斉還元された化合物を製造す ることがでさる。

図面の簡単な説明

[0028] [図 1]本発明を適用するビス（ジフエ-ルホスフイノ）ビナフチル基含有ポリマーを加水 分解した分解物の³¹ P核磁気共鳴スペクトルを示す図である。

発明を実施するための最良の形態

[0029] 以下、本発明の実施例を詳細に説明するが、本発明の範囲はこれらの実施例に限 定されるものではない。

[0030] 本発明のビス（ジフエ-ルホスフイノ)ビナフチル基含有ポリマーの製造方法の一例 について、下記反応式 (I)を参照しながら説明する。

[0031] [化 1]

[1〕（1モル当量） 〔2〕（1モル当量)

[0032] 先ず、（R)— 2， 2，一ビス（ジフエ-ルホスフイノ） 1, 1，一ビナフチル ((R)― BIN AP)〔1〕を、 30%過酸化水素水で、酸化反応をさせると、ホスフイノ基が酸ィ匕された（ R)— BINAPジォキシド〔2〕 、得られる。

[0033] 次いで、この (R)— BINAPジォキシド〔2〕を、トリフルォロメタンスルホン酸（CF SO H)存在下で、ビス（ピリジン）ョードニゥム テトラフルォロボレート（IPy BF )と反応さ せると、高収率で位置選択的に、（R)— BINAPジォキシドの 5, 5'ージョード体〔3〕 が得られる。このとき、（R)— BIN APジォキシド〔2〕 1モル当量に対し、 CF SO Hを

3 3 約 3モル当量、 IPy BFを 2〜6モル当量用い、 30〜25°Cで 20〜80時間反応さ

2 4

せることが好ましい。

[0034] その (R)— BINAPジォキシドの 5, 5， 一ジョード体〔3〕の 1モル当量と、（メタ）アタリ ロイル基複数含有ィ匕合物として R¹がネオペンチルダリコールの脱水酸基残基である ネオペンチルグリコールジアタリレート〔4〕の 1モル当量とを、触媒量の酢酸パラジゥ ム（Pd(OAc) )、トリフ ニルホスフィン（PPh )、酢酸ナトリウム（NaOAc)存在下、反

2 3

応させる。すると、ジアタリレート〔4〕の一方のアタリロイル基の不飽和末端力 （R)— B INAPジォキシドの 5, 5'ージョード体〔3〕分子の 5位へ、所謂、溝呂木 Heck反応 によるクロスカップリングにより置換し、またこのジアタリレート〔4〕の他方のアタリロイル 基の不飽和末端が、別な 5, 5'ージョード体〔3〕分子の 5'位へ同様に置換し、その 置換が順次繰返されることにより、（R)— BINAPジォキシド含有ポリマー〔5〕が得られ る。このとき、加熱下例えば 120〜130°Cで、数時間〜 2日間反応させることが好まし い。

[0035] (R)— BIN APジォキシド含有ポリマー〔5〕に、過剰量のフエ-ルシラン（PhSiH )を

3 加え、還元反応をさせると、ォキシド基がホスフイノ基に還元され、線状に高分子化し た所望の (R)— BINAP基含有ポリマー〔6〕が、得られる。このとき、加熱下例えば 12

0°Cで、数時間〜 3日間反応させることが好ましい。トリェチルァミン存在下、トリクロ口 シランで還元してちょい。

[0036] ビス（ジフエ-ルホスフイノ）ビナフチル基含有ポリマーの製造方法の別な一例につ いて、下記反応式 (II)を参照しながら説明する。

[0037] [化 2] O

量)

PhSiH₃

〔9〕

(R)— BIN APジォキシドの 5, 5，—ジョード体〔3〕の 1モル当量と、（メタ）アタリロイ ル基複数含有ィ匕合物であるペンタエリスリトールテトラアタリレート〔7〕の 1モル当量と を、触媒量の Pd(OAc)、 PPh、 NaOAc存在下、反応させる。すると、このテトラァク

2 3

リレート「7〕の一つのアタリロイル基の不飽和末端力 （R)— BIN APジォキシドの 5, 5 ，—ジョード体〔3〕分子の 5位へ置換し、またこのテトラアタリレート〔7〕の他の一つの アタリロイル基の不飽和末端力 別な 5, 5'ージョード体〔3〕分子の 5'位へ同様に置 換し、その置換が順次繰返されることにより、線状に高分子化した (R)— BINAPジォ キシド含有ポリマー〔8〕が得られる。

[0039] それをフ -ルシランで還元すると、ォキシド基がホスフイノ基に還元され、線状に 高分子化した所望の (R)— BINAP基含有ポリマー〔9〕が、得られる。なお、このポリ マー〔9〕に残存するアタリロイル基をラジカル重合させて、更に高分子化させてもよい

[0040] ビス（ジフエニルホスフイノ）ビナフチル基含有ポリマーの製造方法の更に別な一例 につ 、て、下記反応式 (III)を参照しながら説明する。

[0041] [化 3]

(R)— BIN APジォキシドの 5, 5，—ジョード体〔3〕の 4モル当量と、（メタ）アタリロイ ル基複数含有ィ匕合物であるペンタエリスリトールテトラアタリレート〔7〕の 1モル当量と を、触媒量の Pd(OAc)、 PPh、 NaOAc存在下、反応させる。すると、このテトラァク

2 3

リレート〔7〕の四つの（メタ）アタリロイル基の不飽和末端力 （R)— BINAPジォキシド の 5, 5，ージョード体〔3〕の 4分子の各 5位へ置換し、その夫々の (R)— BINAPジォ キシドの 5, 5'ージョード体の各 5'位へ、別なテトラアタリレート〔7〕分子が夫々置換 し、その置換が順次繰返されることにより、（R)— BINAPジォキシド含有ポリマーが得 られる。それをフエニルシランで還元すると、ジォキシドがホスフイノ基に還元され、デ ンドリマーとして放射状に高分子化した所望の (R)— BINAP基含有ポリマー〔10〕が 、得られる。

[0043] ビス（ジフエニルホスフイノ）ビナフチル基含有ポリマーの製造方法の更に別な一例 につ 、て、下記反応式 (IV)を参照しながら説明する。

[0044] [化 4]

I 〔3〕（1モル当量〉

(R)— BIN APジォキシドの 5, 5，—ジョード体〔3〕の 1モル当量と、（メタ）アタリロイ ル基複数含有化合物であるネオペンチルクリコールジアタリレート〔4〕の 2モル当量と を、触媒量の Pd(OAc)、 PPh、 NaOAc存在下、反応させる。すると、（R)— BINAP

2 3

ジォキシドの 5, 5，ージョード体〔3〕の 5位と 5，位とに、別々にこのジアタリレート〔4〕 の 2分子が置換した中間体〔11〕が得られる。これをァゾイソブチル二トリル (AIBN) のような重合剤存在下、ラジカル重合させることにより、（R)— BINAPジォキシド含有 ポリマー〔12〕が得られる。それをフエニルシランで還元すると、ォキシド基がホスフィ ノ基に還元され、直鎖状に高分子化した所望の (R)— BINAP基含有ポリマー〔13〕 力 得られる。

[0046] これらの BINAP基含有ポリマーは、塩化メチレンゃテトラヒドロフランのような有機 溶媒に可溶であるが、水に不溶であり、メタノールに難溶である。

[0047] なお、（R)— BINAP基含有ポリマー〔6〕中の p、〔9〕中の q、〔13〕中の rの各繰返し 数は、そのポリマーの平均分子量を 1500〜10000にする数で、 2〜20程度、好まし くは 2〜 10である。

[0048] (メタ）アタリロイル基複数含有化合物〔4〕中の R¹や、〔7〕中の R²は、例えば直鎖状 、分岐鎖状、環状の脂肪族基、芳香環基、ポリエーテル基を含む基であり、カルボキ シル基のような官能基で置換されて 、てもよ 、基である。

[0049] (メタ）アタリロイル基複数含有化合物は、前記のものの他、アクリル酸エステル基、 メタクリル酸エステル基、アクリル酸アミド基又はメタクリル酸アミド基を複数含有する 化合物が挙げられる。中でも、（メタ)アクリル酸エステル基複数含有ィ匕合物であること が好ましい。

[0050] (メタ）アタリロイル基複数含有ィ匕合物として、より具体的には、 2—メタクリロイロキシ ェチルアシッドホスフェート（共栄社ィ匕学株式会社製の商品名；ライトエステル P— 2 M)、エチレングリコールジメタタリレート（同 EG)、ジエチレングリコールジメタクリレー ト（同 2EG)、 1, 4—ブタンジオールジメタタリレート（同 1. 4BG)、 1, 6—へキサンジ オールジメタタリレート（同 1. 6HX)、 1, 9ーノナンジオールジメタタリレート（同 1. 9N D)、 1, 10—デカンジオールジメタタリレート（同 1 ' IODC)、トリメチロールプロパント リメタクリレート（同 TMP)、グリセリンジメタクリレー HG— 101P)、 2—ヒドロキシ一 3 —アタリロイロキシプロピルメタタリレート（同 G— 201P)、ビスフエノール Aのエチレン オキサイド付力卩物のジメタタリレート（同 BP— 2EM、同 BP— 4EM、又は同 BP— 6E M ;夫々エチレンオキサイドの 2. 6モル、 4モル、 6モル付カ卩物）、トリエチレングリコー ルジメタタリレート（同 3EG)、ポリエチレングリコール # 200ジメタタリレート（同 4EG)〔 なお #に付く数字はポリエチレングリコールの分子量〕、ポリエチレングリコール # 40 0ジメタタリレート（同 9EG)、ポリエチレングリコール # 600ジメタタリレート（同 14EG) 、ネオペチルグリコールジメタタリレート（同 NP)、 2 ブチルー 2 ェチルー 1, 3 プ 口パンジオールジメタタリレート（同 BEPG— M)；

2—アタリロイルォキシェチルアシッドフォスフェート（共栄社ィ匕学株式会社製の商品 名；ライトアタリレート P— 2A)、トリエチレングリコールジアタリレート (同 3EG— A)、ポリ エチレングリコール 200 #ジアタリレート（同 4EG— A)、ポリエチレングリコール 400 #ジアタリレート（同 9EG— A)、ポリエチレングリコール 600 #ジアタリレート（同 14E G—A)、ネオペンチルグリコールジアタリレート（同 NP—A)、 3—メチルー 1, 5 ぺ ンタンジオールジアタリレート（同 MPD—A)、 1, 6 へキサンジオールジアタリレート (同 1, 6HX—A)、 2 ブチルー 2 ェチルー 1, 3 プロパンジオールジァクリレート（ 同 BEPG— A)、 1, 9 ノナンジオールジアタリレート（同 1, 9ND— A)、 2 メチル 1, 8 オクタンジオールジアタリレートと 1, 9ーノナンジオールアタリレートとの 15 〜20： 80〜85のモル比の混合物（同 MOD— A)、ジメチロール—トリシクトデカンジ アタリレート（同 DCP— A)、ビスフエノール Aのエチレンオキサイド 4モル付カ卩物のジ アタリレート（同 BP— 4EA)、ビスフエノール Aのプロピレンオキサイド 4モル付カ卩物の ジアタリレート（同 BP— 4PA)；

ビスフエノール Aのエチレンオキサイド 10モル付カ卩物のジアタリレート（同 BP— 10EA )、トリメチロールプロパントリアタリレート (同 TMP— A),エチレンオキサイド 6モル付 加物の変性トリメチロールプロパントリアタリレート (同 TMP— 6EO— 3A)、ペンタエリ ルリトールトリアタリレート（同 PE— 3A)、ペンタエリスリトールテトラアタリレート（同 PE —4A)、ジペンタエリスルトールへキサアタリレート（同 DPE— 6A)、トリメチロールプ 口パンアクリル酸ジエステル安息香酸モノエステル（同 BA— 134)、 2 ヒドロキシ 3 —アタリロイロキシプロピルメタタリレート（同 G— 201P)、ヒドロキシビバリン酸ネオべ ンチルダリコールジアタリレート（同 HPP—A)、トリス（テトラメチレングリコール）ジァク リレート（同 PTMGA— 250)、エチレンオキサイド 3モル付カ卩物の変性トリメチロール プロパントリァクリレート（同TMP— 3EO—A)、 2 ブチルー 2 ェチルー 1, 3 プ 口パンジオールのエチレンオキサイド 3モル変性アタリレート（同 BEPG— 3EA)、 2— ブチルー 2 ェチルー 1, 3 プロパンジオールのプロピレンオキサイド 3モル変性ァ タリレート（同 BEPG— 3PA)；

エチレングリコールジグリシジルエーテルのメタクリル酸付加物（共栄社ィ匕学株式会 社製の商品名；エポキシエステル 40EM)、プロピレングリコールジグリシジルエーテ ルのアクリル酸付カ卩物（同 70PA)、トリプロピレングリコールジグリシジルエーテルの アクリル酸付カ卩物（同 200PA)、グリセリンジグリシジルエーテルのアクリル酸付カ卩物（ 同 80MFA)、ビスフエノール Aのプロピレンオキサイド 2モル付カ卩物ジグリシジルエー テルのアクリル酸付カ卩物（同 3002A) ,ビスフエノール Aジグリシジルエーテルメタタリ ル酸付加物（同 3000M)、ビスフエノール Aジグリシジルエーテルアクリル酸付カ卩物（ 同 3000A)；

フエ-ルグリシジルエーテルアタリレートへキサエチレンジイソシァネートウレタンプレ ポリマー（共栄社ィ匕学株式会社製の商品名；ウレタンアタリレート AH 600)、フエ- ルグリシジルエーテルアタリレートトルエンジイソシァネートウレタンプレポリマー（同 A T 600)、ペンタエリスリトールトリアタリレートへキサメチレンジイソシァネートウレタ ンプレポリマー（同 UA—306H)、ペンタエリスリトールトリアタリレートトルエンジィソシ ァネートウレタンプレポリマー (同 UA— 306T),ペンタエリスリトールトリアタリレートイ ソホロンジイソシァネートウレタンプレポリマー（同 UA— 3061)が挙げられる。

[0051] (R)— BINAP基含有ポリマーは、光学活性な 1, 4付加化合物を不斉合成するた めの不斉触媒として用いられる。（R)— BINAPカゝらそのジォキシドを経て誘導された (R)— BINAP基含有ポリマーの例を示した力 （S)— BINAPから同様に誘導された (S) BINAP基含有ポリマーは、ェナンチォマーの 1, 4付加化合物を不斉合成す るための不斉触媒として用いることができる。ラセミ体の BINAPから同様に誘導され たラセミの BINAP基含有ポリマーは、不斉を誘起しないが、 1, 4付加反応の触媒と して用いることができる。

[0052] これらの BINAP基含有ポリマーは、 2, 2' , 3, 3 ' , 5, 5' , 6, 6' , 7又は 7，位に別 な官能基を有して 、てもよ 、。

[0053] 本発明の不斉の 1, 4付加ィ匕合物を合成する方法の一例について、下記反応式 (V )を参照しながら説明する。

[0054] [化 5]

[0055] この (R)—BINAP基含有ポリマーとロジウム含有触媒との存在下、環状 α , β不 飽和ケトン化合物であるシクロへキセノン〔14〕と、ァリールボロン酸であるフエ-ルポ ロン酸とを、水中で懸濁させながら、 1 , 4付加反応させると、光学活性な (R)— 3 フ -ルシクロへキサノン〔15〕力 光学純度 97%ee (ェナンチォマー過剰率）で得ら れる。この ） BINAP基含有ポリマーを空気下で濾別し、再度、同様に 1 , 4付カロ 反応させると、光学活性な (R)—3 フエ-ルシクロへキサノン〔15〕が、光学純度 97 %eeで得られる。

[0056] 疎水性の（R)— BINAP基含有ポリマーと疎水性の環状 a , β不飽和ケトン化合物 とが、水に溶けなくとも、その懸濁液中で効率よく付加反応して、高い光学純度の 1 , 4付加反応生成物〔15〕を誘導するという不斉誘起を発現する。その反応機構の詳細 は必ずしも明らかではないが、疎水性の環状 a , j8不飽和ケトン化合物〔14〕ゃァリ ールボロン酸力 同じく疎水性の (R)—BINAP基含有ポリマーに集積し易くなり、そ の結果、反応が速やかに進行するからであると、推察される。水懸濁液の例を示した 力 親水性の有機溶媒例えばエタノールの懸濁液であってもよい。媒体として、環境 汚染の恐れがある疎水性の有機溶媒を用いなくとも、水を用いればよいので、安全 '性が高い。

[0057] この 1 , 4付加反応の反応機構は、下記反応式 (VI)に示すように、金属錯体〔A〕が フエ-ルシクロへキセノンに 1 , 4付加反応し、フエ-ルロジウム中間体〔B〕を経由して フエニルシクロへキサノンを産生し、一方、ロジウム一ヒドロキソ錯体〔C〕カ讣ランスメタ ル化して再度金属錯体〔A〕を再生すると ヽぅ触媒作用により、進行するものである。 極めて不安定なロジウム ヒドロキソ錯体〔C〕を経由するにも関わらず、このポリマー を空気下で回収した後、再度 1 , 4付加反応に用いても、生成物の光学純度が全く低 下しない。 [0058] [ィ匕 6]

[Rh(BINAP)]-Ph

[0059] ティ ハヤシ (T Hayashi)ら、ジャーナル ォブ ジ アメリカン ケミカル ソサエティ 一 (Journal of the American Chemical Society), 2002年、第 124卷、 p.5052- 5058 に記載の通り、単に光学活性の BINAPを触媒に用い同様な 1 , 4付加反応をした後 、空気下で回収し、再度 1 , 4付加反応に用いると、回収した BINAPの不斉誘起能 が失活してしまう。このことから、本発明の光学活性の（R)—BINAP基含有ポリマー を繰返し使用できるのは、その高分子構造に因り、 BINAP基が特異的に、空気中の 酸素等の酸ィ匕性物質力 保護されているからであると推察される。

[0060] a , j8不飽和カルボ-ル化合物がシクロへキセノンの例を示した力 5—メチルー 3 ペンテン 2 オン、 3 ノネンー 2 オンのような直鎖状又は分岐鎖状の α , β 不飽和ケトン化合物；シクロペンテノン、シクロへプテノンのような環状の , β不飽 和ケトンィ匕合物;クロトン酸、 α , ι8不飽和ラタトンのような直鎖状、分岐鎖状又は環 状の a , β不飽和エステルであってもよ！/、。

[0061] 求核試薬が、フエニルボロン酸の例を示した力 アルケニルボロン酸;メチル基で例 示される置換基を有するフエニルボロン酸、置換基を有して!/ヽてもよ!ヽ芳香族複素環 ボロン酸のようなァリールボロン酸であってもよい。

[0062] なお、（R)— BINAP基含有ポリマーの例を示したが、（S)—BINAP基含有ポリマ 一を用いると、ェナンチォマーの 1 , 4付加反応生成物へ誘導することができる。 [0063] 次に、前記のビス（ジフエ-ルホスフイノ）ビナフチル基含有ポリマーと、遷移金属と を含有する触媒にっ ヽて説明する。

[0064] この触媒は、例えば、ビス（ジフエ-ルホスフイノ）ビナフチル基含有ポリマーと、遷 移金属を含有する化合物、例えば bis(2- methylallyDcycloocta- 1,5- dienerutheniumdl )錯体のような錯体とを、ハロゲンィ匕水素含有アルコール、アセトン中で反応させて得 られるもので、遷移金属に、このポリマーのホスフイノ基と、場合によってはハロゲン基 とアセトン分子とが、配位したものである。ビス（ジフエニルホスフイノ）ビナフチル基含 有ポリマーは、光学活性の（R)— BINAP基含有ポリマー、又は（S)— BINAP基含 有ポリマーであると、不斉還元、例えば不斉接触還元に用いることができるので好ま しい。

[0065] より具体的には、例えば、ハロゲンィ匕水素含有メタノールとアセトン中で、前記化学 式〔6〕で示される (R)— BINAP基含有ポリマーの 1モル当量と、ルテニウム錯体のよ うなルテニウムの 1モル当量とが反応して、ルテニウム原子に、（R)—BINAP基含有 ポリマーのビス（ジフエ-ルホスフイノ）ビナフチル基中の二つのホスフイノ基が配位し た触媒が得られる。このとき未反応のルテニウム錯体が残ってしまうと不斉反応性が 低下してしまうので、ポリマーを小過剰例えば 2倍モル量程度用いることが好まし 、。

[0066] この触媒は、不飽和基含有化合物、例えば ex , β不飽和カルボニル化合物、具体 的には a , j8不飽和ケトン化合物、 a , j8不飽和カルボン酸、又は α , j8不飽和エス テルの不飽和基を接触水素還元するのに用いられる。

[0067] 不飽和基含有化合物が、接触水素還元によって不斉源となり得る不飽和炭素を有 して 、る場合、この不斉のビス（ジフエ-ルホスフイノ）ビナフチル基含有ポリマーと遷 移金属とを有する触媒で接触水素還元することによって、不斉還元をすることができ る。このような不飽和基含有ィ匕合物として、具体的には、直鎖状、分岐鎖状若しくは 環状の α , |8不飽和ケトンィ匕合物；直鎖状、分岐鎖状若しくは環状の α , |8不飽和 カルボン酸、例えばィタコン酸、チグリン酸、 2—ァセチルアミノアクリル酸のようなデヒ ドロアミノ酸、 2- (6—メトキシナフタレン一 2—ィル）アクリル酸；それらのエステルで ある直鎖状、分岐鎖状若しくは環状の , β不飽和エステルが挙げられる。

[0068] また、この触媒は、ジカルボニル化合物、具体的には、 又は βジケトン化合物、 a又は j8ケトカルボン酸化合物 a又は j8ケトエステル化合物のカルボ二ル基を水酸 基に還元する際に用いられる。

[0069] ジカルボ-ル化合物を、この不斉のビス（ジフエ-ルホスフイノ）ビナフチル基含有ポ リマーと遷移金属とを有する触媒で接触水素還元することによって、不斉還元をする ことができる。このようなジカルボ二ルイ匕合物として、具体的には、直鎖状、分岐鎖状 若しくは環状の (Xジケトンィ匕合物；直鎖状、分岐鎖状若しくは環状の βジケトンィ匕合 物;直鎖状、分岐鎖状若しくは環状の αケトカルボン酸化合物;直鎖状、分岐鎖状若 しくは環状の j8ケトカルボン酸ィ匕合物、例えば塩ィ匕 トリメチルアンモ-ォ 3—ケト 吉草酸;直鎖状、分岐鎖状若しくは環状の αケトエステルイ匕合物、例えばテトラヒドロ —4, 4 ジメチルー 2、 3 フラジオン、 2 フエ-ルー 2 ケト酢酸メチル；直鎖状、 分岐鎖状若しくは環状の j8ケトエステルイ匕合物、例えばァセト酢酸メチル、 3—ケト吉 草酸メチル、 3—ケトステアリン酸メチル、 3—ケト— 5—オタテン酸メチル、 3—ケト— 6 -オタテン酸メチル、 4—クロ口一 3—ケト吉草酸ェチルが挙げられる。

実施例

[0070] 以下に、本発明のビス（ジフエニルホスフイノ）ビナフチル基含有ポリマーを試作した 例を、調製例 1〜6に示す。

[0071] (調製例 1)

前記化学式 (I)に示すように、非特許文献 7の記載に従い、アセトン中、（R)— BIN APの 1モル当量を 35%過酸化水素水の 20モル当量で酸化させて、少量の二酸化 マンガンを加えた後、濾過した。濾液カゝらクロ口ホルムで抽出し、炭酸水素ナトリウム 水溶液で洗浄後、無水硫酸マグネシウムで乾燥させ、溶媒を減圧留去した。残渣を シリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製すると (R)— BINAPジォキシドが収率 92% で得られた。これから、非特許文献 8の記載に従い、 CF SO Hの 6モル当量存在下

3 3

で塩化メチレン中、 IPy BFの 3モル当量と反応させた。飽和チォ硫酸ナトリウムをカロ

2 4

え、塩化メチレンで抽出し、それを飽和食塩水で洗浄後、無水硫酸マグネシウムで乾 燥させ、溶媒を減圧留去した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製すると (R)— BIN APジォキシドの 5, 5 'ージョード体が収率 92%で得られた。

[0072] (R)— BINAPジォキシドの 5, 5，一ジョード体（203. 7mg, 0. 225mmol)、酢酸 ノ《ラジウム（2. 9mg, 0. 013mmol)、トリフエ-ルホスフィン（13. 9mg, 0. 053mm ol)を窒素雰囲気に置換した後、 N, N—ジメチルホルムアミド（DMF) (20mL)に溶 力し室温で 5分間攪拌した。その後、ジシクロへキシルメチルァミン (0. lmL, 0. 45 mmol)、ネオペンチルクリコールジアタリレートであるライトアタリレート NP— A (共栄 社ィ匕学株式会社製の商品名）（97. 2mg, 0. 458mmol)を加え、 130°Cで 48時間 攪拌した。反応終了後、真空で DMFを除去した後、粗生成物をメタノールで洗浄し 、下記化学式

[0073] [化 7]

[0074] で示される (R)— BINAPジォキシド含有ポリマー〔16〕 (180. 4mg, 89%)を得た。

[0075] (R)— BIN APジォキシド含有ポリマー〔16〕 (456. 9mg, 0. 529mmol)をキシレン 30mLに溶解させ，トリクロロシラン（2. 2mL, 21. 8mmol)とトリエチルァミン（0. 7m L, 5. Ommol)とをカ卩え， 140°Cで 48時間撹拌した。その後，メタノールで十分洗浄 し，下記化学式

[0076] [化 8]

[0077] で示される (R)— BINAP含有ポリマー〔17〕 (420. 7mg, 96%)を得た。このポリマ 一の重量平均分子量は 2262であり、その Z平均分子量は 4889であった。なお、化 学式〔17〕中の sは、（R)— BINAP含有ポリマーのこの平均分子量の範囲となる数を 示す。

[0078] この（R) - BINAP含有ポリマー〔 17〕への還元した反応溶液を抜き取り、 50%KO

Η水溶液を加えて、加水分解後、析出物を濾別し、蒸留水で洗浄し、下記化学式 [0079] [化 9]

[0080] で示されるアクリル酸誘導体〔18〕を得た。その³¹ Ρ核磁気共鳴スペクトルを図 1に示 す。図 1から明らかなように、ホスフィンォキシド基のピークが観測されず、ホスフイノ基 に由来する単一ピークだけが観測されたことから、（R)— ΒΙΝΑΡ含有ポリマーの前記 化学式〔 17〕の構造が支持される。

[0081] (調製例 2)

調製例 1と同様にして得た (R)— BIN ΑΡジォキシドの 5, 5'—ジョード体（1. 0055 g, 1. l lmmol)、酢酸パラジウム（7. 4mg, 0. O33mmol)、トリフエ-ルホスフィン（ 34. 9mg, 0. 133mmol)を窒素置換した後、 DMF (lOOmL)に溶かし室温で 5分 間攪拌した。その後、酢酸ナトリウム（182. Img, 2. 22mmol)、ジメチロール—トリ シクトデカンジアタリレートであるライトアタリレート DCP— A (共栄社ィ匕学株式会社製 の商品名）（371. 7mg, 1. 221mmol)をカ卩え、 130°Cで 50時間攪拌した。反応終 了後、真空で DMFを除去した後、粗生成物をメタノールで洗浄し、下記化学式

[0082] [化 10]

[0083] で示される (R)— BINAPジォキシド含有ポリマー〔19〕 (984. 6mg, 90%)を得た。

[0084] この (R)— BINAPジォキシド含有ポリマー〔19〕 (501. 9mg, 0. 508mmol)を窒 素雰囲気に置換した後、フエニルシラン（3. lmL)を加え、 120°Cで 63時間攪拌し た。反応終了後、真空で濃縮した後、へキサン、ベンゼンで洗浄し、下記化学式 [0085] [化 11]

[0086] で示される (R)— BINAP含有ポリマー〔20〕（88〜100%)を得た。なお、化学式〔20 〕中の tは、（R)— BINAP含有ポリマーの前記の平均分子量の範囲となる数を示す。

[0087] (調製例 3)

調製例 1と同様にして得た (R)— BIN APジォキシドの 5, 5'—ジョード体（300. 8m g, 0. 332mmol)、酢酸パラジウム（2. 2mg, 0. Olmmol)、トリフエ-ノレホスフィン（ 10. 5mg, 0. 04mmol)を窒素雰囲気に置換した後、 DMF (30mL)に溶かし室温 で 5分間攪拌した。その後、酢酸ナトリウム（54. 5mg, 0. 664mmol)、 1, 9—ノナン ジオールジアタリレートであるライトアタリレート 1, 9ND— A (共栄社ィ匕学株式会社製 の商品名） 92. 8mg, 0. 346mmol)をカ卩え、 130°Cで 50時間攪拌した。反応終了 後、真空で DMFを除去した後、粗生成物をメタノールで洗浄し、下記化学式

[0088] [化 12]

[0089] で示される (R)— BINAPジォキシド含有ポリマー〔21〕 (280. 9mg, 89%)を得た。

調製例 1又は 2と同様にして還元すると、所望の (R)— BINAP含有ポリマーが得られ る。なお、化学式〔21〕中の uは、（R)— BINAP含有ポリマーの前記の平均分子量の 範囲となる数を示す。

[0090] (調製例 4)

調製例 1と同様にして得た (R)— BINAPジォキシドの 5, 5'—ジョード体（727. 6m g, 0. 803mmol)、酢酸パラジウム（5. 4mg, 0. 024mmol)、トリフエ-ルホスフィン (25. 3mg, 0. O96mmol)、を窒素雰囲気に置換した後、 DMF (73mL)に溶かし 室温で 5分間攪拌した。その後、酢酸ナトリウム（131. 7mg, 1. 61mmol)、ビスフエ ノール Aのエチレンオキサイド 4モル付カ卩物のジアタリレートであるライトアタリレート B P—4EA (共栄社ィ匕学株式会社製の商品名）（532. lmg, 0. 984mmol)を加え、 1 30°Cで 50時間攪拌した。反応終了後、真空で DMFを除去した後、粗生成物をメタ ノールで洗浄し、下記化学式

[化 13]

[0092] で示される (R)— BINAPジォキシド含有ポリマー〔22〕 (859. 3mg, 87%)を得た。

調製例 1又は 2と同様にして還元すると、所望の (R)— BINAP含有ポリマーが得られ る。化学式〔22〕中、 V +vは平均繰返し単位数である 4を示し、 Vは (R)— BINAP含

1 2 3

有ポリマーの前記の平均分子量の範囲となる数を示す。

[0093] (調製例 5a)

調製例 1と同様にして得た (R)— BINAPジォキシドの 5, 5'—ジョード体（302. 3m g, 0. 333mmol:約 1モル当量）、酢酸ノ《ラジウム（2. 2mg, 0. Olmmol)、トリフエ -ルホスフィン（10. 5mg, 0. 04mmol)、を窒素雰囲気に置換した後、 DMF (30m L)に溶力し室温で 5分間攪拌した。その後、酢酸ナトリウム（54. 6mg, 0. 666mmo 1)、ペンタエリスリトールテトラアタリレートであるライトアタリレート PE—4A (共栄社ィ匕 学株式会社製の商品名） (140. 4mg, 0. 398mmol:約 1モル当量）を加え、 130°C で 50時間攪拌した。反応終了後、真空で DMFを除去した後、粗生成物をメタノール で洗浄し、下記化学式

[0094] [化 14]

〔23〕

[0095] で示される (R)— BINAPジォキシド含有ポリマー〔23〕 (313. 3mg)を得た。調製例 1 又は 2と同様にして還元すると、所望の線状の (R)— BINAP含有ポリマーが得られる 。なお、化学式〔23〕中の wは、（R)— BINAP含有ポリマーの前記の平均分子量の範 囲となる数を示す。

[0096] (調製例 5b)

調製例 1と同様にして得た (R)— BINAPジォキシドの 5, 5'—ジョード体（608. 8m g, 0. 672mmol:約 2モル当量）、酢酸ノ《ラジウム（4. 5mg, 0. 02mmol)、トリフエ -ルホスフィン（21mg, 0. 08mmol)を窒素雰囲気に置換した後、 DMF (60mL)に 溶力し室温で 5分間攪拌した。その後、酢酸ナトリウム（l lOmg, 1. 344mmol)、ライ トアタリレート PE— 4A (124. 9mg, 0. 354mmol:約 1モル当量）をカ卩え、 130°Cで 48時間攪拌した。反応終了後、真空で DMFを除去した後、粗生成物をメタノールで 洗浄し、（R)— BINAPジォキシド含有ポリマー（562. 8mg)を得た。調製例 1又は 2と 同様にして還元すると、所望の網目状の (R)— BINAP含有ポリマーが得られる。

[0097] (調製例 5c)

調製例 1と同様にして得た (R)— BINAPジォキシドの 5, 5'—ジョード体（299. 9m g, 0. 33 lmmol:約 4モル当量）、酢酸ノ《ラジウム（2. 2mg, 0. 010mmol)、トリフエ -ルホスフィン（10. 5mg, 0. 040mmol)を窒素雰囲気に置換した後、 DMF (30m L)に溶力し室温で 5分間攪拌した。その後、酢酸ナトリウム（54. 3mg, 0. 662mmo 1)、ライ卜アタリレー卜 PE— 4A (31. 6mg, 0. 090mmol:約 4モル当量）を加え、 130 °Cで 50時間攪拌した。反応終了後、真空で DMFを除去した後、粗生成物をメタノー ルで洗浄し、下記化学式

[化 15]

[0099] で示される (R)— BINAPジォキシド含有ポリマー〔24〕（ 157. 5mg)を得た。調製例 1 又は 2と同様にして還元すると、デンドリマーである所望の (R)— BINAP含有ポリマー が得られる。なお、化学式〔24〕は、デンドリマーの構造の一部を示している。

[0100] (調製例 6)

調製例 1と同様にして得た (R)— BIN APジォキシドの 5, 5'—ジョード体（1. Olg, 1. l lmmol)、酢酸パラジウム（7. 4mg, 0. 033mmol)、トリフエ-ノレホスフィン（35 . Img, 0. 134mmol)を窒素雰囲気に置換した後、 DMF (90mL)に溶かし室温で 5分間攪拌した。その後、酢酸ナトリウム（183mg, 2. 228mmol)、ライトアタリレート NP— A (共栄社ィ匕学株式会社製の商品名）（560. 9mg, 2. 643mmol)を加え、 30 °Cで 13時間攪拌した。反応終了後、水を加え、塩化メチレンで抽出操作を行い、飽 和食塩水で洗浄し、硫酸ナトリウムで乾燥させ、減圧下で溶媒を留去すると、下記ィ匕 学式

[0101] [化 16]

[0102] で示される (R)— BINAPジォキシド含有オリゴマー〔25〕1. 27gが得られた。このオリ ゴマ一は、二量体等の副生成物も含んでいる。シリカゲルクロマトグラフィー（へキサ ン：酢酸ェチル = 1 : 1)を用いて精製し、 282mgの精製物を得た。その 154mgを D MFに溶解させ、 5モル⁰ /₀のァゾビスイソブチ口-トリル存在下、ラジカル重合させると 、下記化学式

[0103] [化 17]

〔26〕

[0104] で示される (R)— BINAPジォキシド含有ポリマー〔26〕 143. 7mgを得た。調製例 1又 は 2と同様にして還元すると、所望の (R)— BINAP含有ポリマーが得られる。調製例 1又は 2と同様にして還元すると、所望の (R)— BINAP含有ポリマーが得られる。なお 、化学式〔26〕中の Xは、（R)— BINAP含有ポリマーの前記の平均分子量の範囲とな る数を示す。

[0105] 調製例 6中のラジカル共重合反応と還元反応との順序を逆にしてもよい。

[0106] 次に、（R)— BINAP含有ポリマーを用いて、不斉 1, 4付加化合物を合成した方法 について説明する。

[0107] (実施例 1)

シクロへキサノン（30mg, 0. 312mmol)と、 Rh(acac) (C H ) のロジウム錯体（5.

2 4 2

2mg, 0. 02mmol)と、調製例 1で得た (R)— BINAP含有ポリマー〔17〕50mg、フエ ニルボロン酸（244mg, 2. Ommol)とを、水 4mL中、 100°Cで 13時間反応させる。 反応液を濾過し、（R)— BINAP含有ポリマーを分取して回収した。一方、濾液からェ 一テルで抽出し、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液、飽和食塩水で洗浄し、硫酸ナトリ ゥムを乾燥し、減圧下で溶媒を留去すると、粗生成物が得られた。粗生成物をプレパ ラトリ一クロマトグラフィー（へキサン：酢酸ェチル = 3： 1)で精製すると、光学純度 97 %eeで (R)—3—フエ-ルシクロへキサノン 43. 5mg (収率 80%)が得られた。

[0108] (実施例 2)

実施例 1のようにして回収した (R)— BINAP含有ポリマーを用いたこと以外は、実施 例 1と同様にして反応させたところ、収率 63%、光学純度 97%eeで、（R)—3—フ -ルシクロへキサノンが得られた。

[0109] 次に、本発明のビス（ジフエニルホスフイノ）ビナフチル基含有ポリマーを用いた触 媒を試作した例を、調製例 7に示す。

[0110] (調製例 7)

オートクレーブに、前記化学式〔17〕の（R)— BINAP含有ポリマー（9mg, 0. 010 8mmol)、 bis(2— methylallyl)cycloocta— 1,5— dieneruthenium(II)錯体 (1. mg, 0. 00 54mmol)をカ卩え、窒素置換した後、アセトン（0. 5 mL)と、 0. 29Mの HBrメタノー ル溶液 (0. 043mL, 0. O125mmol)とを加え、室温で 1時間攪拌した。攪拌終了後 、真空下で溶媒を除去すると、触媒が得られた。 [0111] (実施例 3)

テトラヒドロフラン（THF) (0. 3mL)、エタノール（EtOH) (0. 3mL)に溶かしたイタ コン酸 (40. 9mg, 0. 314mmol)の溶液を、調製例 7で得た触媒の入ったオートタレ ーブに加えた後、水素置換を行い、反応温度 50°Cで、 3atmの水素圧下、 18時間 攪拌した。反応終了後、室温まで冷却した後，触媒を、空気下でろ過して回収し、 T HFで洗浄（3 X lmL)した。ろ液力 溶媒を濃縮すると、 目的の（S)—2—メチルコハ ク酸（methylsuccinic acid)を得た。それの NMR収率は、 > 99%であり、光学純度は 、 > 90%eeであった。

[0112] (実施例 4)

実施例 3のようにして回収した触媒を用いたこと以外は、実施例 3と同様にして反応 させたところ、 NMR収率で > 99%、光学純度 > 90%eeで、（S)— 2—メチルコハク 酸が得られた。

[0113] このようにして得られた触媒は、回収して何度でも繰返して使用できるものであった

[0114] これまでに報告されているィタコン酸の不斉水素化においては、ルテニウム触媒を 用いた例のものがあり、例えば光学活性 BINAPを用いて 3atm、 50°Cで 48時間、接 触還元して、 100%の収率で、光学純度 98%eeの例力 前記非特許文献 2に示され ているが、この触媒がポリマーでないから回収して再利用できないものである。それ に対し、実施例 3及び 4の収率、光学純度は、これと略同等であり、回収'再利用でき るものである。

[0115] 別に報告されたィタコン酸の不斉水素化においては、ビス（ジフエニルホスフイノ）ビ ナフチル基含有榭脂 (polymer-support BINAP)を触媒として用いたものがあり、例え ばこのような触媒を用いて 10atm、 50°Cで 18時間、接触還元して、 95%の収率で 光学純度 56%eeの例力 前記非特許文献 5に示され、また別な触媒を用いて 40at m、 10°Cで 16時間、接触還元して、 91%の収率で光学純度 19%eeの例力 前記 非特許文献 6に示されている。これらは、高圧で接触還元しなければならないうえ光 学純度が低い。それに対し、実施例 3及び 4力も明らかなように、触媒を初回使用し た時でも同じ条件で再利用した時でも、収率、光学純度、立体選択性が極めて高か つた o

産業上の利用可能性

[0116] 本発明のビス（ジフエ-ルホスフイノ)ビナフチル基含有ポリマーは、付加反応、特に 不斉 1, 4付加反応によって付加化合物を製造する触媒、又は還元反応、特に不斉 還元反応によって還元化合物を製造する触媒として用いられる。特に、光学活性の ビス (ジフエニルホスフイノ)ビナフチル基含有ポリマーは、不斉 1, 4付加反応触媒や

、不斉還元触媒として有用である。

[0117] このビス（ジフエ-ルホスフイノ）ビナフチル基含有ポリマーは、ラセミ体であっても光 学活性体であっても、短工程で収率良ぐ安価に製造できる。

[0118] 光学活性のビス (ジフエ-ルホスフイノ)ビナフチル基含有ポリマーを触媒として用い て、高い光学純度で、ェナンチォ選択的に、またジァステレオ選択的に、マイケル反 応による付加化合物をはじめとする様々な不斉 1, 4付加化合物や、不斉還元された 化合物を製造することができる。このような化合物は、医薬品、食品添加物、化成品 等の原料に用いられる。

Claims

請求の範囲

[1] ラセミ又は光学活性の 2, 2，一ビス（ジフエ-ルホスフイノ）—1, 1，ービナフチル化 合物の 5位が (メタ）アタリロイル基複数含有化合物の一つの（メタ）アタリロイル基の不 飽和末端で置換され、別な 2, 2，一ビス（ジフエ-ルホスフイノ）—1, 1，ービナフチル 化合物の 5'位が該 (メタ)アタリロイル基複数含有化合物の他の (メタ)アタリロイル基 の不飽和末端で置換されており、その繰返しにより、分子量 1500〜10000に形成さ れて 、ることを特徴とするビス（ジフエ-ルホスフイノ）ビナフチル基含有ポリマー。

[2] 2, 2，一ビス（ジフエ-ルホスフイノ）—1, 1，ービナフチル化合物が、 R体、又は S体 であることを特徴とする請求項 1に記載のビス (ジフエニルホスフイノ)ビナフチル基含 有ポリマー。

[3] 該 (メタ)アタリロイル基複数含有化合物が、（メタ)アクリル酸エステル基、又は (メタ) アクリルアミド基を複数有して 、ることを特徴とする請求項 1に記載のビス (ジフエニル ホスフイノ）ビナフチル基含有ポリマー。

[4] 二つの (メタ)アタリロイル基を含有する該 (メタ)アタリロイル基複数含有化合物と、 該 2, 2'—ビス（ジフエ-ルホスフイノ） 1, 1 'ービナフチル化合物との交互の該繰り 返しにより、線状に形成されていることを特徴とする請求項 1に記載のビス (ジフエ- ルホスフイノ）ビナフチル基含有ポリマー。

[5] 少なくとも三つの (メタ)アタリロイル基を含有する該 (メタ)アタリロイル基複数含有ィ匕 合物と、該 2, 2'—ビス（ジフエ-ルホスフイノ） 1, 1 'ービナフチルイ匕合物との該繰 り返しにより、網目状、又は放射状に形成されていることを特徴とする請求項 1に記載 のビス（ジフエ-ルホスフイノ）ビナフチル基含有ポリマー。

[6] 遷移金属又はその塩の存在下、（メタ)アタリロイル基複数含有化合物中の (メタ)ァ クリロイル基と、 2, 2，一ビス（ジフエ-ルホスフイノ）一 5, 5，一ジョードー 1, 1，一ピナ フチル化合物のジォキシド体中のョード基とでクロスカップリング反応させてから、高 分子化させるとともに該ジォキシド体を還元することにより、請求項 1に記載されたビ ス (ジフエ-ルホスフイノ)ビナフチル基含有ポリマーを製造する方法。

[7] 二つの (メタ)アタリロイル基を含有する該 (メタ)アタリロイル基複数含有化合物の 1 モル当量と、該ジォキシド体の 1モル当量とを、該クロスカップリング反応させつつ該 高分子化させることを特徴とする請求項 6に記載の製造方法。

[8] n個（nは少なくとも 3)の (メタ)アタリロイル基を含有する該 (メタ)アタリロイル基複数 含有化合物の 1モル当量と、該ジォキシド体の l〜nモル当量とを、該クロスカップリン グ反応させつつ該高分子化させることを特徴とする請求項 6に記載の製造方法。

[9] 該 (メタ）アタリロイル基複数含有化合物の 2モル当量と、該ジォキシド体の 1モル当 量とを、該クロスカップリング反応させた後、該高分子化させることを特徴とする請求 項 6に記載の製造方法。

[10] 請求項 1に記載のビス（ジフエ-ルホスフイノ）ビナフチル基含有ポリマーの存在下 で、 a , j8不飽和カルボニル化合物に、求核試薬を 1 , 4付加反応させた後、該ポリ マーを濾別することを特徴とする 1 , 4付加化合物の合成方法。

[11] 該ポリマーが、 R体、又は S体の 2, 2，一ビス（ジフエ-ルホスフイノ）—1 , 1，—ピナ フチル基を含有し、該 α , |8不飽和カルボニル化合物が、直鎖状、分岐鎖状若しく は環状の OC , β不飽和ケトン化合物、又は直鎖状、分岐鎖状若しくは環状の OC , β 不飽和エステルであり、該求核試薬が、アルケニルボロン酸、又はァリールボロン酸 であって、該求核試薬を不斉に該 1 , 4付加反応させることを特徴とする請求項 10〖こ 記載の 1 , 4付加化合物の合成方法。

[12] 請求項 1に記載のビス（ジフヱニルホスフイノ）ビナフチル基含有ポリマーと、遷移金 属とを含有しており、不飽和基含有化合物を接触水素還元、又はジカルボニル化合 物のカルボニル還元の何れかの還元をさせるものであることを特徴とする触媒。

[13] 該ポリマーが、 R体、又は S体の 2, 2，一ビス（ジフエ-ルホスフイノ） 1 , 1，一ピナ フチル基を含有し、該遷移金属に、そのホスフイノ基が配位しており、該還元が不斉 還元であることを特徴とする請求項 12に記載の触媒。

[14] 該遷移金属を含有する錯体と、該ポリマーと、ハロゲンィ匕水素とが、反応して生成し たものであることを特徴とする請求項 13に記載の触媒。

[15] 該不飽和基含有化合物が、該不飽和基含有化合物が、直鎖状、分岐鎖状若しくは 環状で、 a , β不飽和ケトンィ匕合物、 a , β不飽和カルボン酸、又は α , β不飽和ェ ステルであり、該ジカルボニル化合物が、直鎖状、分岐鎖状若しくは環状で、 αジケ トンィ匕合物、 j8ジケトンィ匕合物、 αケトカルボン酸ィ匕合物、 j8ケトカルボン酸ィ匕合物、 aケトエステル化合物、又は βケトエステルイ匕合物であることを特徴とする請求項 12 又は 13に記載の触媒。

請求項 12又は 13に記載の触媒の存在下で、不飽和基含有化合物を接触水素還 元、又はジカルボ-ル化合物のカルボ-ル還元の何れかの還元をすることを特徴と する還元方法。