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WO2008136813A3 - Mémoire à semi-conducteurs à modes volatil et non volatil et son procédé de fonctionnement - Google Patents

Mémoire à semi-conducteurs à modes volatil et non volatil et son procédé de fonctionnement Download PDF

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Publication number
WO2008136813A3
WO2008136813A3 PCT/US2007/024544 US2007024544W WO2008136813A3 WO 2008136813 A3 WO2008136813 A3 WO 2008136813A3 US 2007024544 W US2007024544 W US 2007024544W WO 2008136813 A3 WO2008136813 A3 WO 2008136813A3
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WO
WIPO (PCT)
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volatile
semiconductor memory
operating
floating gate
functionality
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Application number
PCT/US2007/024544
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English (en)
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WO2008136813A2 (fr
Inventor
Yuniarto Widjaja
Original Assignee
Yuniarto Widjaja
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Publication date
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  • Semiconductor Memories (AREA)

Abstract

L'invention concerne une mémoire à semi-conducteurs présentant deux modes de fonctionnement (mémoire volatile et mémoire non volatile) et ses procédés de fonctionnement. Une cellule mémoire à semi-conducteurs comprend : une première région incorporée à un premier emplacement dans le substrat et possédant un second type de conductivité; une seconde région incorporée à un second emplacement dans le substrat et possédant le second type de conductivité, de sorte qu'au moins une partie du substrat possédant le premier type de conductivité est située entre le premier et le second emplacement, et fonctionne comme un corps flottant pour stocker des données dans la mémoire volatile; une grille flottante ou une couche de piégeage positionnée entre le premier et le second emplacement et au-dessus d'une surface du substrat et isolée de cette dernière par une couche d'isolation; la grille flottante ou la couche de piégeage étant configurées pour recevoir un transfert de données stockées dans la mémoire volatile et stocker les données sous forme de mémoire non volatile dans la grille flottante ou la couche de piégeage lors d'une interruption d'alimentation de la cellule mémoire; et une grille de commande positionnée au-dessus de la grille flottante ou de la couche de piégeage et une seconde couche d'isolation positionnée entre la grille flottante ou la couche de piégeage et la grille de commande.
PCT/US2007/024544 2006-11-29 2007-11-29 Mémoire à semi-conducteurs à modes volatil et non volatil et son procédé de fonctionnement WO2008136813A2 (fr)

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US60/861,778 2006-11-29
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Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5519831A (en) * 1991-06-12 1996-05-21 Intel Corporation Non-volatile disk cache
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US20060125010A1 (en) * 2003-02-10 2006-06-15 Arup Bhattacharyya Methods of forming transistor constructions

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