[go: up one dir, main page]

WO2009031381A1 - Procédé de fabrication d'un métal-oxyde-semi-conducteur et transistor en couches minces obtenu par le procédé - Google Patents

Procédé de fabrication d'un métal-oxyde-semi-conducteur et transistor en couches minces obtenu par le procédé Download PDF

Info

Publication number
WO2009031381A1
WO2009031381A1 PCT/JP2008/064206 JP2008064206W WO2009031381A1 WO 2009031381 A1 WO2009031381 A1 WO 2009031381A1 JP 2008064206 W JP2008064206 W JP 2008064206W WO 2009031381 A1 WO2009031381 A1 WO 2009031381A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
metal oxide
oxide semiconductor
thin film
semiconductor manufacturing
film transistor
Prior art date
Application number
PCT/JP2008/064206
Other languages
English (en)
Japanese (ja)
Inventor
Makoto Honda
Katsura Hirai
Hiroshi Kita
Original Assignee
Konica Minolta Holdings, Inc.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Konica Minolta Holdings, Inc. filed Critical Konica Minolta Holdings, Inc.
Priority to JP2009531166A priority Critical patent/JPWO2009031381A1/ja
Publication of WO2009031381A1 publication Critical patent/WO2009031381A1/fr

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D30/00—Field-effect transistors [FET]
    • H10D30/60—Insulated-gate field-effect transistors [IGFET]
    • H10D30/67—Thin-film transistors [TFT]
    • H10D30/674—Thin-film transistors [TFT] characterised by the active materials
    • H10D30/6755—Oxide semiconductors, e.g. zinc oxide, copper aluminium oxide or cadmium stannate

Landscapes

  • Thin Film Transistor (AREA)
  • Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
  • Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)

Abstract

L'invention porte sur un nouveau procédé de fabrication d'un métal-oxyde-semi-conducteur par lequel une fluctuation de courant à l'état bloqué ou similaire est améliorée, la mobilité est améliorée, un élément TFT est stabilisé, et de plus, un rendement de production est amélioré et un métal-oxyde-semi-conducteur est rendu flexible par réalisation de sa formation par application continue, impression et similaire sur un substrat de résine. L'invention porte également sur un transistor en couche mince fabriqué par un tel procédé de fabrication. Le procédé de fabrication du métal-oxyde-semi-conducteur est caractérisé par la formation d'un film mince comprenant un précurseur d'un métal-oxyde-semi-conducteur, sur le substrat, puis, par l'irradiation du film mince avec une onde électromagnétique en présence d'oxygène pour fabriquer le métal-oxyde-semi-conducteur.
PCT/JP2008/064206 2007-09-07 2008-08-07 Procédé de fabrication d'un métal-oxyde-semi-conducteur et transistor en couches minces obtenu par le procédé WO2009031381A1 (fr)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009531166A JPWO2009031381A1 (ja) 2007-09-07 2008-08-07 金属酸化物半導体の製造方法、及びその方法により得られた薄膜トランジスタ

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007232428 2007-09-07
JP2007-232428 2007-09-07

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2009031381A1 true WO2009031381A1 (fr) 2009-03-12

Family

ID=40428703

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2008/064206 WO2009031381A1 (fr) 2007-09-07 2008-08-07 Procédé de fabrication d'un métal-oxyde-semi-conducteur et transistor en couches minces obtenu par le procédé

Country Status (2)

Country Link
JP (1) JPWO2009031381A1 (fr)
WO (1) WO2009031381A1 (fr)

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2010106920A1 (fr) * 2009-03-18 2010-09-23 コニカミノルタホールディングス株式会社 Procédé de fabrication d'un transistor à couches minces et transistor à couches minces
JP2010258058A (ja) * 2009-04-22 2010-11-11 Konica Minolta Holdings Inc 金属酸化物半導体の製造方法、金属酸化物半導体および薄膜トランジスタ
JP2010263103A (ja) * 2009-05-08 2010-11-18 Konica Minolta Holdings Inc 薄膜トランジスタ、及びその製造方法
JP2010272663A (ja) * 2009-05-21 2010-12-02 Sony Corp 薄膜トランジスタ、表示装置、および電子機器
JP2011512029A (ja) * 2008-01-31 2011-04-14 ノースウエスタン ユニバーシティ 溶液処理型高移動度無機薄膜トランジスタ
CN104347728A (zh) * 2013-08-07 2015-02-11 加利福尼亚大学董事会 透明金属氧化物纳米颗粒组合物、其制造方法以及包括该组合物的制品
JP2016028291A (ja) * 2010-04-28 2016-02-25 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置の作製方法
US9515193B2 (en) 2013-03-19 2016-12-06 Fujifilm Corporation Metal oxide film, method for manufacturing same, thin film transistor, display apparatus, image sensor, and X-ray sensor
JP2017152693A (ja) * 2016-02-24 2017-08-31 日本放送協会 塗布型酸化物半導体、薄膜トランジスタ、表示装置および塗布型酸化物半導体の製造方法
US9779938B2 (en) 2013-07-10 2017-10-03 Fujifilm Corporation Metal oxide thin film, method of producing same, and coating solution for forming metal oxide thin film used in said method
US9852906B2 (en) 2009-06-30 2017-12-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
JPWO2019234561A1 (ja) * 2018-06-08 2021-06-17 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、および半導体装置の作製方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05251705A (ja) * 1992-03-04 1993-09-28 Fuji Xerox Co Ltd 薄膜トランジスタ
JP2000123658A (ja) * 1998-10-09 2000-04-28 Fuji Photo Film Co Ltd 透明導電膜の製造方法及び透明導電膜
JP2001244464A (ja) * 2000-03-02 2001-09-07 Sanyo Electric Works Ltd 金属酸化物トランジスタの製造方法
JP2007042689A (ja) * 2005-07-29 2007-02-15 Fujifilm Holdings Corp 金属アルコキシド溶液、それを用いた半導体デバイスの製造方法及び半導体デバイス
JP2007042690A (ja) * 2005-07-29 2007-02-15 Fujifilm Holdings Corp ナノ粒子分散液、それを用いた半導体デバイスの製造方法及び半導体デバイス

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05251705A (ja) * 1992-03-04 1993-09-28 Fuji Xerox Co Ltd 薄膜トランジスタ
JP2000123658A (ja) * 1998-10-09 2000-04-28 Fuji Photo Film Co Ltd 透明導電膜の製造方法及び透明導電膜
JP2001244464A (ja) * 2000-03-02 2001-09-07 Sanyo Electric Works Ltd 金属酸化物トランジスタの製造方法
JP2007042689A (ja) * 2005-07-29 2007-02-15 Fujifilm Holdings Corp 金属アルコキシド溶液、それを用いた半導体デバイスの製造方法及び半導体デバイス
JP2007042690A (ja) * 2005-07-29 2007-02-15 Fujifilm Holdings Corp ナノ粒子分散液、それを用いた半導体デバイスの製造方法及び半導体デバイス

Cited By (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011512029A (ja) * 2008-01-31 2011-04-14 ノースウエスタン ユニバーシティ 溶液処理型高移動度無機薄膜トランジスタ
WO2010106920A1 (fr) * 2009-03-18 2010-09-23 コニカミノルタホールディングス株式会社 Procédé de fabrication d'un transistor à couches minces et transistor à couches minces
JP2010258058A (ja) * 2009-04-22 2010-11-11 Konica Minolta Holdings Inc 金属酸化物半導体の製造方法、金属酸化物半導体および薄膜トランジスタ
JP2010263103A (ja) * 2009-05-08 2010-11-18 Konica Minolta Holdings Inc 薄膜トランジスタ、及びその製造方法
JP2010272663A (ja) * 2009-05-21 2010-12-02 Sony Corp 薄膜トランジスタ、表示装置、および電子機器
US9852906B2 (en) 2009-06-30 2017-12-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
US10332743B2 (en) 2009-06-30 2019-06-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
JP2016028291A (ja) * 2010-04-28 2016-02-25 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置の作製方法
JP2017116942A (ja) * 2010-04-28 2017-06-29 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置の作製方法
US9697788B2 (en) 2010-04-28 2017-07-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device
US9515193B2 (en) 2013-03-19 2016-12-06 Fujifilm Corporation Metal oxide film, method for manufacturing same, thin film transistor, display apparatus, image sensor, and X-ray sensor
US9779938B2 (en) 2013-07-10 2017-10-03 Fujifilm Corporation Metal oxide thin film, method of producing same, and coating solution for forming metal oxide thin film used in said method
CN104347728A (zh) * 2013-08-07 2015-02-11 加利福尼亚大学董事会 透明金属氧化物纳米颗粒组合物、其制造方法以及包括该组合物的制品
JP2017152693A (ja) * 2016-02-24 2017-08-31 日本放送協会 塗布型酸化物半導体、薄膜トランジスタ、表示装置および塗布型酸化物半導体の製造方法
JPWO2019234561A1 (ja) * 2018-06-08 2021-06-17 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、および半導体装置の作製方法
JP7297743B2 (ja) 2018-06-08 2023-06-26 株式会社半導体エネルギー研究所 金属酸化物の作製方法

Also Published As

Publication number Publication date
JPWO2009031381A1 (ja) 2010-12-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2009031381A1 (fr) Procédé de fabrication d'un métal-oxyde-semi-conducteur et transistor en couches minces obtenu par le procédé
TW200741761A (en) Inductor element and method for production thereof, and semiconductor module with inductor element
DE602008003796D1 (de) Tors mit einem oxidhalbleiter
WO2010023853A3 (fr) Procédé de production d'un substrat en verre présentant un film mince
WO2013009505A3 (fr) Procédés de fabrication de dispositifs de transistor à film mince
GB2492627B (en) Oxide thin film transistor and method of fabricating the same
WO2008088021A1 (fr) Élément de capteur magnétique et son procédé de fabrication
EP2704188A3 (fr) Dispositif semi-conducteur et son procédé de fabrication
WO2009011224A1 (fr) Procédé de production d'un semi-conducteur d'oxyde métallique, et transistor en couches minces obtenu à partir du semi-conducteur d'oxyde métallique
TW200644247A (en) PMOS transistor with discontinuous CESL and method of fabrication
EP1973168A3 (fr) Procédé pour la fabrication d'une pile solaire par cassure le long une ligne de séparation et pile solaire ainsi fabriqué
WO2008099528A1 (fr) Dispositif d'affichage et procédé de fabrication du dispositif d'affichage
FR2962598B1 (fr) Procede d'implantation d'un materiau piezoelectrique
EP2348531A3 (fr) Transistor à couche mince et son procédé de fabrication
TW200735366A (en) Double gate thin-film transistor and method for forming the same
WO2010078189A3 (fr) Cellule de mémoire flash avec diélectrique à constante k élevée intégrée et grille de commande à base de métal
WO2011090963A3 (fr) Transformation de structure cristalline d'oxyde complexe de pérovskite en célite induite par une couche de getter pauvre en oxygène
TW200701469A (en) Method for manufacturing thin film transistors
WO2013015573A3 (fr) Transistor à effet de champ utilisant de l'oxyde de graphène et son procédé de fabrication
TW200731589A (en) Organic thin film transistor using ultra-thin metal oxide as gate dielectric and fabrication method thereof
SG168450A1 (en) Thin film transistor
WO2009047981A1 (fr) Procédé de fabrication de transistor en couches minces
WO2008123321A1 (fr) Procédé de formation d'un corps ferromagnétique, transistor et procédé de fabrication du transistor
WO2009028452A1 (fr) Procédé pour produire un métal oxyde semi-conducteur et transistor en couches minces utilisant une couche mince d'oxyde-semi-conducteur produite par le procédé
TW200733393A (en) Pixel structure and thin film transistor and fabrication methods thereof

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 08829909

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2009531166

Country of ref document: JP

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 08829909

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1