[go: up one dir, main page]

WO2003016599A1 - Element a semi-conducteur organique - Google Patents

Element a semi-conducteur organique Download PDF

Info

Publication number
WO2003016599A1
WO2003016599A1 PCT/JP2002/008070 JP0208070W WO03016599A1 WO 2003016599 A1 WO2003016599 A1 WO 2003016599A1 JP 0208070 W JP0208070 W JP 0208070W WO 03016599 A1 WO03016599 A1 WO 03016599A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
organic semiconductor
thin film
semiconductor thin
forming
semiconductor element
Prior art date
Application number
PCT/JP2002/008070
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Takashi Minakata
Original Assignee
Asahi Kasei Kabushiki Kaisha
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Asahi Kasei Kabushiki Kaisha filed Critical Asahi Kasei Kabushiki Kaisha
Priority to JP2003520882A priority Critical patent/JP4219807B2/ja
Priority to DE60238123T priority patent/DE60238123D1/de
Priority to KR1020047001859A priority patent/KR100552866B1/ko
Priority to EP02760569A priority patent/EP1416069B1/en
Priority to US10/486,276 priority patent/US7061010B2/en
Publication of WO2003016599A1 publication Critical patent/WO2003016599A1/ja

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/54—Organic compounds
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B7/00—Single-crystal growth from solutions using solvents which are liquid at normal temperature, e.g. aqueous solutions
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B7/00—Single-crystal growth from solutions using solvents which are liquid at normal temperature, e.g. aqueous solutions
    • C30B7/005—Epitaxial layer growth
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H10K71/12—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/615—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene
    • H10K85/623—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene containing five rings, e.g. pentacene
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
    • H10K10/40—Organic transistors
    • H10K10/46—Field-effect transistors, e.g. organic thin-film transistors [OTFT]
    • H10K10/462—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs]
    • H10K10/466—Lateral bottom-gate IGFETs comprising only a single gate
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/615—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Thin Film Transistor (AREA)
  • Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
  • Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
PCT/JP2002/008070 2001-08-09 2002-08-07 Element a semi-conducteur organique WO2003016599A1 (fr)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003520882A JP4219807B2 (ja) 2001-08-09 2002-08-07 有機半導体素子
DE60238123T DE60238123D1 (de) 2001-08-09 2002-08-07 Organische halbleiterschicht und verfahren zu ihrer herstellung
KR1020047001859A KR100552866B1 (ko) 2001-08-09 2002-08-07 유기 반도체 소자
EP02760569A EP1416069B1 (en) 2001-08-09 2002-08-07 Organic semiconductor film and method for manufacture thereof
US10/486,276 US7061010B2 (en) 2001-08-09 2002-08-07 Organic semiconductor element

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001-242808 2001-08-09
JP2001242808 2001-08-09

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2003016599A1 true WO2003016599A1 (fr) 2003-02-27

Family

ID=19073024

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2002/008070 WO2003016599A1 (fr) 2001-08-09 2002-08-07 Element a semi-conducteur organique

Country Status (7)

Country Link
US (1) US7061010B2 (ja)
EP (2) EP2199437B1 (ja)
JP (1) JP4219807B2 (ja)
KR (1) KR100552866B1 (ja)
CN (2) CN100334263C (ja)
DE (1) DE60238123D1 (ja)
WO (1) WO2003016599A1 (ja)

Cited By (77)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2003028125A3 (en) * 2001-09-27 2003-07-03 3M Innovative Properties Co Substituted pentacene semiconductors
JP2004266272A (ja) * 2003-02-14 2004-09-24 Toray Ind Inc 電界効果型トランジスタ並びにそれを用いた液晶表示装置
JP2005079225A (ja) * 2003-08-29 2005-03-24 Institute Of Physical & Chemical Research 有機材料パターンの形成方法及び薄膜トランジスタの製造方法
JP2005123290A (ja) * 2003-10-15 2005-05-12 Toppan Printing Co Ltd 薄膜トランジスタおよびその製造方法
WO2005042445A3 (ja) * 2003-11-04 2005-07-14 Kanto Denka Kogyo Kk フッ素化されたペンタセン誘導体及びそれらの製造方法
WO2005080304A1 (ja) * 2004-02-25 2005-09-01 Asahi Kasei Kabushiki Kaisha ポリアセン化合物及び有機半導体薄膜
JP2005251876A (ja) * 2004-03-02 2005-09-15 Tdk Corp 有機半導体素子の製造方法、有機半導体素子及びこれを用いた回路装置
WO2005087390A1 (ja) * 2004-03-10 2005-09-22 Asahi Kasei Kabushiki Kaisha 縮合多環芳香族化合物薄膜及び縮合多環芳香族化合物薄膜の製造方法
JP2005268450A (ja) * 2004-03-17 2005-09-29 Asahi Kasei Corp 有機半導体薄膜及びその製造方法並びに有機半導体素子
JP2005268449A (ja) * 2004-03-17 2005-09-29 Asahi Kasei Corp 縮合多環芳香族化合物薄膜の改質方法，縮合多環芳香族化合物薄膜，及び有機半導体素子
JP2005281180A (ja) * 2004-03-29 2005-10-13 Asahi Kasei Corp 縮合多環芳香族化合物微粒子及びその製造方法、並びに、縮合多環芳香族化合物薄膜及びその製造方法
JP2005294737A (ja) * 2004-04-05 2005-10-20 Asahi Kasei Corp 縮合多環芳香族化合物薄膜の製造方法
JP2005316310A (ja) * 2004-04-30 2005-11-10 Micro Engineering Inc 液晶ディスプレイの製造方法
US6974877B2 (en) 2001-09-27 2005-12-13 3M Innovative Properties Company Process for preparing pentacene derivatives
WO2005119794A1 (ja) 2004-06-01 2005-12-15 Japan Science And Technology Agency 光電変換素子用材料及び光電変換素子
JP2006028054A (ja) * 2004-07-14 2006-02-02 Konica Minolta Holdings Inc 有機薄膜トランジスタ材料、有機薄膜トランジスタ、電界効果トランジスタ及びスイッチング素子
JP2006028055A (ja) * 2004-06-17 2006-02-02 Konica Minolta Holdings Inc 有機半導体材料、有機トランジスタ、電界効果トランジスタ及びスイッチング素子
JP2006055722A (ja) * 2004-08-19 2006-03-02 Fuji Electric Holdings Co Ltd 薄膜形成方法
JP2006060060A (ja) * 2004-08-20 2006-03-02 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体素子を備えた表示装置及びその製造方法並びにその半導体素子を備えた表示装置を搭載した電子機器
JP2006073908A (ja) * 2004-09-06 2006-03-16 Sony Corp 薄膜型電界効果トランジスタ、薄膜型電界効果トランジスタの製造方法、アクティブマトリクス回路および液晶表示装置
JP2006128691A (ja) * 2004-10-27 2006-05-18 Samsung Electronics Co Ltd 薄膜トランジスタの製造方法及び表示素子
JP2006165533A (ja) * 2004-11-11 2006-06-22 Mitsubishi Chemicals Corp 電界効果トランジスタ
JP2006303423A (ja) * 2005-03-25 2006-11-02 Mitsubishi Chemicals Corp 電界効果トランジスタ
JP2006526157A (ja) * 2003-05-27 2006-11-16 フアーク・クーゲルフイツシエル・アクチエンゲゼルシヤフト ポリマ電子装置を持つころがり軸受
JP2006335719A (ja) * 2005-06-03 2006-12-14 Asahi Kasei Corp ポリアセン化合物及びその製造方法並びに有機半導体素子
JP2006344715A (ja) * 2005-06-08 2006-12-21 Konica Minolta Holdings Inc 有機半導体膜の形成方法及び有機薄膜トランジスタの製造方法
WO2006137512A1 (ja) * 2005-06-24 2006-12-28 Konica Minolta Holdings, Inc. 有機半導体膜の形成方法、有機半導体膜、及び有機薄膜トランジスタ
JP2007013097A (ja) * 2005-06-01 2007-01-18 Sony Corp 有機半導体材料、有機半導体薄膜及び有機半導体素子
WO2007015503A1 (ja) * 2005-08-02 2007-02-08 Adeka Corporation 光電変換素子
JP2007079359A (ja) * 2005-09-16 2007-03-29 Ricoh Co Ltd 画像表示装置。
KR100757615B1 (ko) 2003-07-17 2007-09-10 마츠시타 덴끼 산교 가부시키가이샤 전계 효과형 트랜지스터 및 그 제조 방법
WO2007111191A1 (ja) * 2006-03-24 2007-10-04 Konica Minolta Holdings, Inc. 有機半導体薄膜、有機薄膜トランジスタ及びその製造方法
JP2007294718A (ja) * 2006-04-26 2007-11-08 Konica Minolta Holdings Inc 有機半導体膜及び有機薄膜トランジスタ
JP2007294719A (ja) * 2006-04-26 2007-11-08 Konica Minolta Holdings Inc 有機薄膜トランジスタ
US7297621B2 (en) 2003-04-15 2007-11-20 California Institute Of Technology Flexible carbon-based ohmic contacts for organic transistors
JP2007308421A (ja) * 2006-05-18 2007-11-29 Tosoh Corp スピロビ（ヘテロフルオレン）誘導体、その用途、及びその製造方法
JP2007311442A (ja) * 2006-05-17 2007-11-29 Hitachi Ltd 有機薄膜トランジスタおよびその製造装置と製造方法
US7315043B2 (en) 2002-03-08 2008-01-01 Canon Kabushiki Kaisha Method for forming an organic semiconductor film
JP2008053659A (ja) * 2006-08-28 2008-03-06 Olympus Corp 高品位分子性結晶製造方法及び有機半導体デバイス
WO2008026602A1 (fr) 2006-08-28 2008-03-06 Tosoh Corporation Dérivé hétéroacène, dérivé tétrahalotérphényle, et leurs procédés de production
JP2008081494A (ja) * 2006-08-28 2008-04-10 Tosoh Corp ヘテロアセン誘導体、テトラハロターフェニル誘導体及びそれらの製造方法
JP2008094838A (ja) * 2006-09-13 2008-04-24 Okayama Univ 溶解性の高いペンタセン化合物およびそれを用いた有機半導体素子
JPWO2006059486A1 (ja) * 2004-12-02 2008-06-05 コニカミノルタホールディングス株式会社 有機薄膜トランジスタ材料、有機薄膜トランジスタ、電界効果トランジスタ、スイッチング素子、有機半導体材料及び有機半導体膜
JP2008537350A (ja) * 2005-04-22 2008-09-11 シュタイナー・ゲゼルシャフト・ミト・ベシュレンクテル・ハフツング・ウント・コンパニー・コマンデイトゲゼルシャフト 電子部品を製造するための方法と装置
JP2008222607A (ja) * 2007-03-09 2008-09-25 Chisso Corp 溶解性の高いアセン化合物およびそれを用いた電子素子
EP1986247A1 (en) 2005-05-12 2008-10-29 MERCK PATENT GmbH Polyacene and semiconductor Formulation
JP2009503829A (ja) * 2005-07-29 2009-01-29 ポリアイシー ゲーエムベーハー ウント コー カーゲー 電子コンポーネントを製造するための方法
JP2009509317A (ja) * 2005-07-29 2009-03-05 コンセホ・スペリオール・デ・インベスティガシオネス・シエンティフィカス 有機伝導体基板上へのパターンの形成方法及び該方法によって得られる有機材料
WO2009028453A1 (ja) * 2007-08-31 2009-03-05 Konica Minolta Holdings, Inc. 薄膜トランジスタ
JP2009062302A (ja) * 2007-09-05 2009-03-26 Chisso Corp ［１］ベンゾカルコゲノ［３，２−ｂ］［１］ベンゾカルコゲノフェン骨格を有する化合物およびこれを用いた有機トランジスタ
US7576208B2 (en) 2003-11-28 2009-08-18 Merck Patent Gmbh Organic semiconductor layers
JP2010021554A (ja) * 2003-12-04 2010-01-28 Novaled Ag 有機メソメリー化合物の使用、有機半導体物質、及び、電子素子
US7655809B2 (en) 2004-05-18 2010-02-02 University Of Ottawa Compounds comprising a linear series of five fused carbon rings, and preparation thereof
US7659138B2 (en) 2003-12-26 2010-02-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing an organic semiconductor element
WO2010032453A1 (ja) * 2008-09-19 2010-03-25 出光興産株式会社 有機エレクトロルミネッセンス材料組成物
JP2010168305A (ja) * 2009-01-22 2010-08-05 Asahi Kasei Corp ポリアセン化合物及び有機半導体素子
US7935836B2 (en) 2004-05-18 2011-05-03 Alexander Graham Fallis Compounds comprising a linear series of five fused carbon rings, and preparation thereof
US7951962B2 (en) 2006-09-21 2011-05-31 Seiko Epson Corporation Organic semiconductor compound, organic semiconductor thin film, organic semiconductor coating liquid, organic thin film transistor, methods for producing bis(benzo[4,5] thieno)[2,3-B:3′2′-E][1,4]dithin and bis(benzo [4,5]thieno)[2,3-B:2′3′-E][1,4]dithiin
US7985885B2 (en) 2005-04-08 2011-07-26 Tosoh Corporation Terphenylene derivative, tetrahaloterphenyl derivative, and processes for producing both
WO2012014653A1 (ja) 2010-07-27 2012-02-02 コニカミノルタホールディングス株式会社 ガスバリア性フィルム、ガスバリア性フィルムの製造方法及び電子デバイス
WO2012026362A1 (ja) 2010-08-25 2012-03-01 コニカミノルタホールディングス株式会社 ガスバリア性フィルムの製造方法及び有機光電変換素子
WO2012035853A1 (ja) 2010-09-13 2012-03-22 新日鐵化学株式会社 含窒素芳香族化合物、有機半導体材料及び有機電子デバイス
WO2012050002A1 (ja) 2010-10-13 2012-04-19 新日鐵化学株式会社 含窒素芳香族化合物、有機半導体材料及び有機電子デバイス
US8178397B2 (en) 2004-11-11 2012-05-15 Mitsubishi Chemical Corporation Field effect transistor
WO2012090644A1 (ja) 2010-12-27 2012-07-05 コニカミノルタホールディングス株式会社 ガスバリア性フィルム及び電子デバイス
WO2012090665A1 (ja) 2010-12-27 2012-07-05 コニカミノルタホールディングス株式会社 ガスバリアフィルムの製造方法、ガスバリアフィルムおよび電子デバイス
EP2506326A2 (en) 2011-04-01 2012-10-03 Sony Corporation Thin-film device, method of manufacturing the same, and method of manufacturing image display apparatus
WO2013021971A1 (ja) 2011-08-09 2013-02-14 コニカミノルタホールディングス株式会社 有機光電変換素子、およびそれを用いた有機太陽電池
EP2565954A2 (en) 2011-08-29 2013-03-06 Sony Corporation Transistor and method of producing same, and display
WO2013077255A1 (ja) 2011-11-24 2013-05-30 コニカミノルタ株式会社 ガスバリアーフィルム及び電子機器
WO2013172359A1 (ja) 2012-05-14 2013-11-21 コニカミノルタ株式会社 ガスバリア性フィルム、ガスバリア性フィルムの製造方法及び電子デバイス
JP2014146665A (ja) * 2013-01-28 2014-08-14 Sijtechnology Inc 有機半導体膜の製造方法、その製造装置および有機半導体基板
KR20140101411A (ko) 2011-12-08 2014-08-19 신닛테츠 수미킨 가가쿠 가부시키가이샤 함질소 방향족 화합물, 유기 반도체 재료 및 유기 전자 디바이스
US8952359B2 (en) 2010-08-25 2015-02-10 Sony Corporation Electronic device and method of manufacturing the same, and semiconductor device and method of manufacturing the same
KR20150134427A (ko) 2013-03-28 2015-12-01 신닛테츠 수미킨 가가쿠 가부시키가이샤 유기 트랜지스터용 유기 반도체 재료 및 유기 트랜지스터 소자
JP5916976B2 (ja) * 2006-05-18 2016-05-11 コニカミノルタ株式会社 有機薄膜トランジスタの形成方法、及び有機薄膜トランジスタ
JP2018037466A (ja) * 2016-08-29 2018-03-08 国立研究開発法人物質・材料研究機構 半導体装置

Families Citing this family (46)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6784017B2 (en) * 2002-08-12 2004-08-31 Precision Dynamics Corporation Method of creating a high performance organic semiconductor device
US7135728B2 (en) * 2002-09-30 2006-11-14 Nanosys, Inc. Large-area nanoenabled macroelectronic substrates and uses therefor
WO2004032193A2 (en) * 2002-09-30 2004-04-15 Nanosys, Inc. Large-area nanoenabled macroelectronic substrates and uses therefor
EP1434281A3 (en) * 2002-12-26 2007-10-24 Konica Minolta Holdings, Inc. Manufacturing method of thin-film transistor, thin-film transistor sheet, and electric circuit
US7554121B2 (en) * 2003-12-26 2009-06-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Organic semiconductor device
DE102004024461A1 (de) 2004-05-14 2005-12-01 Konarka Technologies, Inc., Lowell Vorrichtung und Verfahren zur Herstellung eines elektronischen Bauelements mit zumindest einer aktiven organischen Schicht
JP2006005041A (ja) * 2004-06-16 2006-01-05 Toshiba Corp 有機半導体素子とその製造方法
US7105375B2 (en) * 2004-07-30 2006-09-12 Xerox Corporation Reverse printing
JP4341529B2 (ja) * 2004-11-05 2009-10-07 セイコーエプソン株式会社 電子デバイス、電子デバイスの製造方法および電子機器
EP1670079B1 (en) 2004-12-08 2010-12-01 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Method of forming a conductive pattern of a thin film transistor
US7265380B2 (en) * 2005-03-25 2007-09-04 Osaka University Ambipolar organic thin-film field-effect transistor and making method
EP1883950B1 (en) * 2005-05-21 2012-07-25 Merck Patent GmbH Oligomeric polyacene and semiconductor formulation
KR100647695B1 (ko) 2005-05-27 2006-11-23 삼성에스디아이 주식회사 유기 박막 트랜지스터 및 그의 제조방법과 이를 구비한평판표시장치
US7482281B2 (en) * 2005-09-29 2009-01-27 Tokyo Electron Limited Substrate processing method
US8101776B2 (en) 2005-12-12 2012-01-24 Basf Se Organic semiconductors and their manufacture
US7514710B2 (en) * 2005-12-28 2009-04-07 3M Innovative Properties Company Bottom gate thin film transistors
US20070154624A1 (en) * 2005-12-30 2007-07-05 Lucent Technologies Inc. Synthesis of acenes and hydroxy-acenes
US8264137B2 (en) * 2006-01-03 2012-09-11 Samsung Electronics Co., Ltd. Curing binder material for carbon nanotube electron emission cathodes
US8138075B1 (en) 2006-02-06 2012-03-20 Eberlein Dietmar C Systems and methods for the manufacture of flat panel devices
TWI307124B (en) * 2006-04-06 2009-03-01 Ind Tech Res Inst Method of fabricating a semiconductor device
US7495251B2 (en) * 2006-04-21 2009-02-24 3M Innovative Properties Company Electronic devices containing acene-thiophene copolymers with silylethynyl groups
US20070286953A1 (en) * 2006-05-20 2007-12-13 Macpherson Charles D Solution processible materials and their use in electronic devices
CN101165937A (zh) * 2006-10-18 2008-04-23 清华大学 有机复合物p-n结及其制备方法以及应用该p-n结的有机复合物二极管
US20080187651A1 (en) * 2006-10-24 2008-08-07 3M Innovative Properties Company Conductive ink formulations
ES2299392B1 (es) 2006-11-14 2009-04-16 Consejo Superior Investigaciones Cientificas Dispositivo sensor organico y sus aplicaciones.
US7892454B2 (en) * 2006-11-17 2011-02-22 Polyera Corporation Acene-based organic semiconductor materials and methods of preparing and using the same
CN100402710C (zh) * 2006-12-08 2008-07-16 北京工业大学 有机分子晶体纤维的大尺度生长方法
GB2453766A (en) * 2007-10-18 2009-04-22 Novalia Ltd Method of fabricating an electronic device
KR100918025B1 (ko) * 2007-12-05 2009-09-18 한국전자통신연구원 검출 소자
KR101932806B1 (ko) 2008-03-06 2018-12-27 메르크 파텐트 게엠베하 유기 반도체 조성물
EP2307427B1 (en) * 2008-05-30 2015-02-18 3M Innovative Properties Company Silylethynyl pentacene compounds and compositions and methods of making and using the same
US9782949B2 (en) 2008-05-30 2017-10-10 Corning Incorporated Glass laminated articles and layered articles
JP5406284B2 (ja) * 2008-06-11 2014-02-05 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー 有機半導体の堆積のための混合溶媒系
US8901540B2 (en) 2008-08-29 2014-12-02 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Fused ring compounds useful in organic thin-film transistors
JPWO2010024388A1 (ja) * 2008-08-29 2012-01-26 出光興産株式会社 有機薄膜トランジスタ用化合物及びそれを用いた有機薄膜トランジスタ
US7855121B2 (en) * 2009-03-27 2010-12-21 Samsung Electronics Co., Ltd. Method of forming organic thin film and method of manufacturing semiconductor device using the same
WO2010138807A1 (en) 2009-05-29 2010-12-02 3M Innovative Properties Company Fluorinated silylethynyl pentacene compounds and compositions and methods of making and using the same
US9017826B2 (en) * 2009-08-26 2015-04-28 The University Of Southern California Visible/near-infrared porphyrin-tape/C60 organic photodetectors
WO2011128034A1 (en) 2010-04-12 2011-10-20 Merck Patent Gmbh Composition having improved performance
TWI514572B (zh) * 2011-06-10 2015-12-21 E Ink Holdings Inc 金屬氧化物半導體電晶體
GB201116251D0 (en) 2011-09-20 2011-11-02 Cambridge Display Tech Ltd Organic semiconductor composition and organic transistor
US20150372236A1 (en) * 2013-02-11 2015-12-24 The Board Of Trustees Of The University Of Alabama Well-oriented 6,13-bis(triisopropylsilylethynyl) pentacene crystals and a temperature-gradient method for producing the same
US9835570B2 (en) * 2013-09-13 2017-12-05 The United States Of America As Represented By The Administrator Of Nasa X-ray diffraction (XRD) characterization methods for sigma=3 twin defects in cubic semiconductor (100) wafers
CN112881485B (zh) * 2021-01-14 2021-12-17 西安电子科技大学 一种用于检测次氯酸根的GaN传感器及检测方法
CN115112734B (zh) * 2022-06-23 2024-02-06 湖北科技学院 一种用于vWF检测的电化学免疫传感器及其制备方法和应用
KR102839440B1 (ko) * 2022-09-23 2025-07-25 한양대학교 산학협력단 도핑된 유기반도체 박막의 제조방법

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0555568A (ja) * 1991-08-28 1993-03-05 Asahi Chem Ind Co Ltd 有機薄膜トランジスタ
EP0786820A2 (en) * 1996-01-29 1997-07-30 Motorola, Inc. Organic thin film transistor with enhanced carrier mobility
US6203933B1 (en) * 1995-05-17 2001-03-20 Tdk Corporation Organic EL element

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2243035B2 (ja) * 1973-09-11 1979-06-01 Chabas Et Besson Sa
JPS61147238A (ja) * 1984-12-03 1986-07-04 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 有機非線形光学材料の製造方法
FR2664430B1 (fr) * 1990-07-04 1992-09-18 Centre Nat Rech Scient Transistor a effet de champ en couche mince de structure mis, dont l'isolant et le semiconducteur sont realises en materiaux organiques.
US6215130B1 (en) * 1998-08-20 2001-04-10 Lucent Technologies Inc. Thin film transistors
JP4744056B2 (ja) * 2000-02-29 2011-08-10 独立行政法人科学技術振興機構 ポリアセン誘導体及びその製造方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0555568A (ja) * 1991-08-28 1993-03-05 Asahi Chem Ind Co Ltd 有機薄膜トランジスタ
US6203933B1 (en) * 1995-05-17 2001-03-20 Tdk Corporation Organic EL element
EP0786820A2 (en) * 1996-01-29 1997-07-30 Motorola, Inc. Organic thin film transistor with enhanced carrier mobility

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
See also references of EP1416069A4 *

Cited By (116)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6864396B2 (en) 2001-09-27 2005-03-08 3M Innovative Properties Company Substituted pentacene semiconductors
US6974877B2 (en) 2001-09-27 2005-12-13 3M Innovative Properties Company Process for preparing pentacene derivatives
WO2003028125A3 (en) * 2001-09-27 2003-07-03 3M Innovative Properties Co Substituted pentacene semiconductors
US7315043B2 (en) 2002-03-08 2008-01-01 Canon Kabushiki Kaisha Method for forming an organic semiconductor film
JP2004266272A (ja) * 2003-02-14 2004-09-24 Toray Ind Inc 電界効果型トランジスタ並びにそれを用いた液晶表示装置
US7297621B2 (en) 2003-04-15 2007-11-20 California Institute Of Technology Flexible carbon-based ohmic contacts for organic transistors
JP2006526157A (ja) * 2003-05-27 2006-11-16 フアーク・クーゲルフイツシエル・アクチエンゲゼルシヤフト ポリマ電子装置を持つころがり軸受
KR100757615B1 (ko) 2003-07-17 2007-09-10 마츠시타 덴끼 산교 가부시키가이샤 전계 효과형 트랜지스터 및 그 제조 방법
US7858968B2 (en) 2003-07-17 2010-12-28 Panasonic Corporation Field effect transistor and method of fabricating the same
JP2005079225A (ja) * 2003-08-29 2005-03-24 Institute Of Physical & Chemical Research 有機材料パターンの形成方法及び薄膜トランジスタの製造方法
JP2005123290A (ja) * 2003-10-15 2005-05-12 Toppan Printing Co Ltd 薄膜トランジスタおよびその製造方法
WO2005042445A3 (ja) * 2003-11-04 2005-07-14 Kanto Denka Kogyo Kk フッ素化されたペンタセン誘導体及びそれらの製造方法
JPWO2005042445A1 (ja) * 2003-11-04 2007-08-23 関東電化工業株式会社 フッ素化されたペンタセン誘導体及びそれらの製造方法
JP4647496B2 (ja) * 2003-11-04 2011-03-09 関東電化工業株式会社 フッ素化されたペンタセン誘導体及びそれらの製造方法
US7807993B2 (en) 2003-11-28 2010-10-05 Merck Patent Gmbh Organic pentacene semiconducting layers
US7576208B2 (en) 2003-11-28 2009-08-18 Merck Patent Gmbh Organic semiconductor layers
US8119804B2 (en) 2003-11-28 2012-02-21 Merck Patent Gmbh Organic semiconducting layers
US7842942B2 (en) 2003-11-28 2010-11-30 Merck Patent Gmbh Organic semiconducting layers
JP2010021554A (ja) * 2003-12-04 2010-01-28 Novaled Ag 有機メソメリー化合物の使用、有機半導体物質、及び、電子素子
US7977150B2 (en) 2003-12-26 2011-07-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing an organic semiconductor element
US8202760B2 (en) 2003-12-26 2012-06-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing an organic semiconductor element
US7659138B2 (en) 2003-12-26 2010-02-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing an organic semiconductor element
CN102280584A (zh) * 2003-12-26 2011-12-14 株式会社半导体能源研究所 有机半导体元件的制造方法
WO2005080304A1 (ja) * 2004-02-25 2005-09-01 Asahi Kasei Kabushiki Kaisha ポリアセン化合物及び有機半導体薄膜
CN1922123B (zh) * 2004-02-25 2010-05-05 旭化成株式会社 多并苯化合物及有机半导体薄膜
JP2005272460A (ja) * 2004-02-25 2005-10-06 Asahi Kasei Corp ポリアセン化合物及び有機半導体薄膜
US8236998B2 (en) 2004-02-25 2012-08-07 Asahi Kasei Corporation Polyacene compound and organic semiconductor thin film
US8110714B2 (en) 2004-02-25 2012-02-07 Asahi Kasei Corporation Polyacene compound and organic semiconductor thin film
KR100831519B1 (ko) * 2004-02-25 2008-05-22 아사히 가세이 가부시키가이샤 폴리아센 화합물 및 유기 반도체 박막
JP4820287B2 (ja) * 2004-02-25 2011-11-24 旭化成株式会社 ポリアセン化合物及び有機半導体薄膜
JP2005251876A (ja) * 2004-03-02 2005-09-15 Tdk Corp 有機半導体素子の製造方法、有機半導体素子及びこれを用いた回路装置
JP4783282B2 (ja) * 2004-03-10 2011-09-28 旭化成株式会社 縮合多環芳香族化合物薄膜及び縮合多環芳香族化合物薄膜の製造方法
JPWO2005087390A1 (ja) * 2004-03-10 2008-01-24 旭化成株式会社 縮合多環芳香族化合物薄膜及び縮合多環芳香族化合物薄膜の製造方法
WO2005087390A1 (ja) * 2004-03-10 2005-09-22 Asahi Kasei Kabushiki Kaisha 縮合多環芳香族化合物薄膜及び縮合多環芳香族化合物薄膜の製造方法
US7595093B2 (en) 2004-03-10 2009-09-29 Asahi Kasei Corporation Condensed polycyclic aromatic compound thin film and method for preparing condensed polycyclic aromatic compound thin film
JP2005268450A (ja) * 2004-03-17 2005-09-29 Asahi Kasei Corp 有機半導体薄膜及びその製造方法並びに有機半導体素子
JP2005268449A (ja) * 2004-03-17 2005-09-29 Asahi Kasei Corp 縮合多環芳香族化合物薄膜の改質方法，縮合多環芳香族化合物薄膜，及び有機半導体素子
JP2005281180A (ja) * 2004-03-29 2005-10-13 Asahi Kasei Corp 縮合多環芳香族化合物微粒子及びその製造方法、並びに、縮合多環芳香族化合物薄膜及びその製造方法
JP2005294737A (ja) * 2004-04-05 2005-10-20 Asahi Kasei Corp 縮合多環芳香族化合物薄膜の製造方法
JP2005316310A (ja) * 2004-04-30 2005-11-10 Micro Engineering Inc 液晶ディスプレイの製造方法
US7655809B2 (en) 2004-05-18 2010-02-02 University Of Ottawa Compounds comprising a linear series of five fused carbon rings, and preparation thereof
US7935836B2 (en) 2004-05-18 2011-05-03 Alexander Graham Fallis Compounds comprising a linear series of five fused carbon rings, and preparation thereof
US8022295B2 (en) 2004-06-01 2011-09-20 Japan Science And Technology Agency Photoelectric conversion devices
JP5178007B2 (ja) * 2004-06-01 2013-04-10 独立行政法人科学技術振興機構 光電変換素子及びそれを用いた太陽電池
WO2005119794A1 (ja) 2004-06-01 2005-12-15 Japan Science And Technology Agency 光電変換素子用材料及び光電変換素子
JPWO2005119794A1 (ja) * 2004-06-01 2008-04-03 独立行政法人科学技術振興機構 光電変換素子用材料及び光電変換素子
JP2006028055A (ja) * 2004-06-17 2006-02-02 Konica Minolta Holdings Inc 有機半導体材料、有機トランジスタ、電界効果トランジスタ及びスイッチング素子
JP2006028054A (ja) * 2004-07-14 2006-02-02 Konica Minolta Holdings Inc 有機薄膜トランジスタ材料、有機薄膜トランジスタ、電界効果トランジスタ及びスイッチング素子
JP2006055722A (ja) * 2004-08-19 2006-03-02 Fuji Electric Holdings Co Ltd 薄膜形成方法
US8003420B2 (en) 2004-08-20 2011-08-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device provided with semiconductor element and manufacturing method thereof, and electronic device installed with display device provided with semiconductor element
JP2006060060A (ja) * 2004-08-20 2006-03-02 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体素子を備えた表示装置及びその製造方法並びにその半導体素子を備えた表示装置を搭載した電子機器
KR101191279B1 (ko) * 2004-08-20 2012-10-16 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체소자를 구비한 표시장치와 그 제조 방법 및 그반도체소자를 구비한 표시장치를 탑재한 전자기기
JP2006073908A (ja) * 2004-09-06 2006-03-16 Sony Corp 薄膜型電界効果トランジスタ、薄膜型電界効果トランジスタの製造方法、アクティブマトリクス回路および液晶表示装置
JP2006128691A (ja) * 2004-10-27 2006-05-18 Samsung Electronics Co Ltd 薄膜トランジスタの製造方法及び表示素子
US8178397B2 (en) 2004-11-11 2012-05-15 Mitsubishi Chemical Corporation Field effect transistor
JP2006165533A (ja) * 2004-11-11 2006-06-22 Mitsubishi Chemicals Corp 電界効果トランジスタ
JPWO2006059486A1 (ja) * 2004-12-02 2008-06-05 コニカミノルタホールディングス株式会社 有機薄膜トランジスタ材料、有機薄膜トランジスタ、電界効果トランジスタ、スイッチング素子、有機半導体材料及び有機半導体膜
JP2006303423A (ja) * 2005-03-25 2006-11-02 Mitsubishi Chemicals Corp 電界効果トランジスタ
US7985885B2 (en) 2005-04-08 2011-07-26 Tosoh Corporation Terphenylene derivative, tetrahaloterphenyl derivative, and processes for producing both
JP2008537350A (ja) * 2005-04-22 2008-09-11 シュタイナー・ゲゼルシャフト・ミト・ベシュレンクテル・ハフツング・ウント・コンパニー・コマンデイトゲゼルシャフト 電子部品を製造するための方法と装置
JP2008543736A (ja) * 2005-05-12 2008-12-04 メルク パテント ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフトング ポリアセンおよび半導体調製物
KR101355699B1 (ko) * 2005-05-12 2014-01-27 메르크 파텐트 게엠베하 폴리아센 및 반도체 배합물
EP1986247A1 (en) 2005-05-12 2008-10-29 MERCK PATENT GmbH Polyacene and semiconductor Formulation
JP2007013097A (ja) * 2005-06-01 2007-01-18 Sony Corp 有機半導体材料、有機半導体薄膜及び有機半導体素子
JP2006335719A (ja) * 2005-06-03 2006-12-14 Asahi Kasei Corp ポリアセン化合物及びその製造方法並びに有機半導体素子
JP2006344715A (ja) * 2005-06-08 2006-12-21 Konica Minolta Holdings Inc 有機半導体膜の形成方法及び有機薄膜トランジスタの製造方法
JP5245116B2 (ja) * 2005-06-24 2013-07-24 コニカミノルタ株式会社 有機半導体膜の形成方法、及び有機薄膜トランジスタの製造方法
GB2441701A (en) * 2005-06-24 2008-03-12 Konica Minolta Holdings Inc Organic semiconductor film forming method, organic semiconductor film and organic thin film transistor
GB2441701B (en) * 2005-06-24 2009-01-14 Konica Minolta Holdings Inc Method for forming organic semiconductor film, organic semiconductor film, and organic thin film transistor
WO2006137512A1 (ja) * 2005-06-24 2006-12-28 Konica Minolta Holdings, Inc. 有機半導体膜の形成方法、有機半導体膜、及び有機薄膜トランジスタ
US8080438B2 (en) 2005-06-24 2011-12-20 Konica Minolta Holdings, Inc. Organic semiconductor film forming method, organic semiconductor film and organic thin film transistor
JP2009503829A (ja) * 2005-07-29 2009-01-29 ポリアイシー ゲーエムベーハー ウント コー カーゲー 電子コンポーネントを製造するための方法
JP2009509317A (ja) * 2005-07-29 2009-03-05 コンセホ・スペリオール・デ・インベスティガシオネス・シエンティフィカス 有機伝導体基板上へのパターンの形成方法及び該方法によって得られる有機材料
JPWO2007015503A1 (ja) * 2005-08-02 2009-02-19 株式会社Adeka 光電変換素子
WO2007015503A1 (ja) * 2005-08-02 2007-02-08 Adeka Corporation 光電変換素子
JP2007079359A (ja) * 2005-09-16 2007-03-29 Ricoh Co Ltd 画像表示装置。
JP5195420B2 (ja) * 2006-03-24 2013-05-08 コニカミノルタホールディングス株式会社 有機半導体薄膜、有機薄膜トランジスタ及びその製造方法
WO2007111191A1 (ja) * 2006-03-24 2007-10-04 Konica Minolta Holdings, Inc. 有機半導体薄膜、有機薄膜トランジスタ及びその製造方法
JP2007294718A (ja) * 2006-04-26 2007-11-08 Konica Minolta Holdings Inc 有機半導体膜及び有機薄膜トランジスタ
JP2007294719A (ja) * 2006-04-26 2007-11-08 Konica Minolta Holdings Inc 有機薄膜トランジスタ
WO2007125811A1 (ja) * 2006-04-26 2007-11-08 Konica Minolta Holdings, Inc. 有機半導体膜及び有機薄膜トランジスタ
JP2007311442A (ja) * 2006-05-17 2007-11-29 Hitachi Ltd 有機薄膜トランジスタおよびその製造装置と製造方法
JP5916976B2 (ja) * 2006-05-18 2016-05-11 コニカミノルタ株式会社 有機薄膜トランジスタの形成方法、及び有機薄膜トランジスタ
JP2007308421A (ja) * 2006-05-18 2007-11-29 Tosoh Corp スピロビ（ヘテロフルオレン）誘導体、その用途、及びその製造方法
JP2008053659A (ja) * 2006-08-28 2008-03-06 Olympus Corp 高品位分子性結晶製造方法及び有機半導体デバイス
JP2008081494A (ja) * 2006-08-28 2008-04-10 Tosoh Corp ヘテロアセン誘導体、テトラハロターフェニル誘導体及びそれらの製造方法
US8138355B2 (en) 2006-08-28 2012-03-20 Tosoh Corporation Heteroacene derivative, tetrahaloterphenyl derivative, and processes for producing the same
WO2008026602A1 (fr) 2006-08-28 2008-03-06 Tosoh Corporation Dérivé hétéroacène, dérivé tétrahalotérphényle, et leurs procédés de production
JP2008094838A (ja) * 2006-09-13 2008-04-24 Okayama Univ 溶解性の高いペンタセン化合物およびそれを用いた有機半導体素子
US7951962B2 (en) 2006-09-21 2011-05-31 Seiko Epson Corporation Organic semiconductor compound, organic semiconductor thin film, organic semiconductor coating liquid, organic thin film transistor, methods for producing bis(benzo[4,5] thieno)[2,3-B:3′2′-E][1,4]dithin and bis(benzo [4,5]thieno)[2,3-B:2′3′-E][1,4]dithiin
JP2008222607A (ja) * 2007-03-09 2008-09-25 Chisso Corp 溶解性の高いアセン化合物およびそれを用いた電子素子
WO2009028453A1 (ja) * 2007-08-31 2009-03-05 Konica Minolta Holdings, Inc. 薄膜トランジスタ
JP2009062302A (ja) * 2007-09-05 2009-03-26 Chisso Corp ［１］ベンゾカルコゲノ［３，２−ｂ］［１］ベンゾカルコゲノフェン骨格を有する化合物およびこれを用いた有機トランジスタ
WO2010032453A1 (ja) * 2008-09-19 2010-03-25 出光興産株式会社 有機エレクトロルミネッセンス材料組成物
JP2010168305A (ja) * 2009-01-22 2010-08-05 Asahi Kasei Corp ポリアセン化合物及び有機半導体素子
WO2012014653A1 (ja) 2010-07-27 2012-02-02 コニカミノルタホールディングス株式会社 ガスバリア性フィルム、ガスバリア性フィルムの製造方法及び電子デバイス
US8952359B2 (en) 2010-08-25 2015-02-10 Sony Corporation Electronic device and method of manufacturing the same, and semiconductor device and method of manufacturing the same
WO2012026362A1 (ja) 2010-08-25 2012-03-01 コニカミノルタホールディングス株式会社 ガスバリア性フィルムの製造方法及び有機光電変換素子
KR20130139916A (ko) 2010-09-13 2013-12-23 신닛테츠 수미킨 가가쿠 가부시키가이샤 함질소 방향족 화합물, 유기 반도체 재료 및 유기 전자 디바이스
WO2012035853A1 (ja) 2010-09-13 2012-03-22 新日鐵化学株式会社 含窒素芳香族化合物、有機半導体材料及び有機電子デバイス
WO2012050002A1 (ja) 2010-10-13 2012-04-19 新日鐵化学株式会社 含窒素芳香族化合物、有機半導体材料及び有機電子デバイス
WO2012090644A1 (ja) 2010-12-27 2012-07-05 コニカミノルタホールディングス株式会社 ガスバリア性フィルム及び電子デバイス
WO2012090665A1 (ja) 2010-12-27 2012-07-05 コニカミノルタホールディングス株式会社 ガスバリアフィルムの製造方法、ガスバリアフィルムおよび電子デバイス
EP2506326A2 (en) 2011-04-01 2012-10-03 Sony Corporation Thin-film device, method of manufacturing the same, and method of manufacturing image display apparatus
US9246008B2 (en) 2011-04-01 2016-01-26 Sony Corporation Thin-film device, method of manufacturing the same, and method of manufacturing image display apparatus
US8853014B2 (en) 2011-04-01 2014-10-07 Sony Corporation Method of fabricating a thin-film transistor
WO2013021971A1 (ja) 2011-08-09 2013-02-14 コニカミノルタホールディングス株式会社 有機光電変換素子、およびそれを用いた有機太陽電池
EP2565954A2 (en) 2011-08-29 2013-03-06 Sony Corporation Transistor and method of producing same, and display
US8735998B2 (en) 2011-08-29 2014-05-27 Sony Corporation Transistor and method of producing same, and display
WO2013077255A1 (ja) 2011-11-24 2013-05-30 コニカミノルタ株式会社 ガスバリアーフィルム及び電子機器
KR20140101411A (ko) 2011-12-08 2014-08-19 신닛테츠 수미킨 가가쿠 가부시키가이샤 함질소 방향족 화합물, 유기 반도체 재료 및 유기 전자 디바이스
WO2013172359A1 (ja) 2012-05-14 2013-11-21 コニカミノルタ株式会社 ガスバリア性フィルム、ガスバリア性フィルムの製造方法及び電子デバイス
JP2014146665A (ja) * 2013-01-28 2014-08-14 Sijtechnology Inc 有機半導体膜の製造方法、その製造装置および有機半導体基板
KR20150134427A (ko) 2013-03-28 2015-12-01 신닛테츠 수미킨 가가쿠 가부시키가이샤 유기 트랜지스터용 유기 반도체 재료 및 유기 트랜지스터 소자
US9512131B2 (en) 2013-03-28 2016-12-06 Nippon Steel & Sumikin Chemical Co., Ltd. Organic semiconductor material for organic transistor, and organic transistor element
JP2018037466A (ja) * 2016-08-29 2018-03-08 国立研究開発法人物質・材料研究機構 半導体装置

Also Published As

Publication number Publication date
CN100334263C (zh) 2007-08-29
JP4219807B2 (ja) 2009-02-04
EP1416069B1 (en) 2010-10-27
EP2199437A3 (en) 2011-10-19
US20050258417A1 (en) 2005-11-24
EP2199437B1 (en) 2015-07-29
KR100552866B1 (ko) 2006-02-20
DE60238123D1 (de) 2010-12-09
JPWO2003016599A1 (ja) 2004-12-02
EP2199437A2 (en) 2010-06-23
US7061010B2 (en) 2006-06-13
EP1416069A4 (en) 2007-07-11
EP1416069A1 (en) 2004-05-06
CN1541288A (zh) 2004-10-27
KR20040029402A (ko) 2004-04-06
CN101108783B (zh) 2012-04-04
CN101108783A (zh) 2008-01-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2003016599A1 (fr) Element a semi-conducteur organique
WO2003058723A1 (fr) Transistor a film mince organique et son procede de fabrication
ES2282708T3 (es) Componente electronico organico con capa funcional semiconductora estructurada y metodo para producir el mismo.
ATE436090T1 (de) Tft und flachbildschirm mit durchkontaktierungen und anodenkontakt mit abgeschrägten seitenwänden
EP1494298A3 (en) Organic thin film transistor comprising multi-layered gate insulator
WO2006025609A3 (en) Thin film transistor and its manufacturing method
KR960002890A (ko) 반도체층에 유기화합물을 사용한 tet, 그 제조방법 및 그것을 사용한 액정표시장치
EP1701387A3 (en) Organic thin film transistor array panel and manufacturing method thereof
CA2334862A1 (en) An integrated inorganic/organic complementary thin-film transistor circuit and a method for its production
WO2004003972A3 (en) Transistor and sensors made from molecular materials with electric dipoles
WO2003103032A3 (en) A method for making a semiconductor device having a high-k gate dielectric
EP1662558A4 (en) FIELD EFFECT TRANSISTOR AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF
TW200703735A (en) Organic thin film transistor array panel and method of manufacturing the same
TW200727492A (en) Organic thin film transistor array panel
WO2003041184A3 (en) Organic field effect transistors
AU2002368525A1 (en) Integrated antifuse structure for finfet and cmos devices
TW200500702A (en) Thin film transistor array panel and manufacturing method thereof
TW200610206A (en) Organic thin film transistor and substrate including the same
TW200729508A (en) Thin-film transistor panel and method for manufacturing the same
EP1548840A4 (en) ORGANIC THIN FILM TRANSISTOR AND METHOD FOR PRODUCING AN ORGANIC THIN FILM TRANSISTOR
EP1396881A4 (en) CONDUCTIVE THIN FILM FOR A SEMICONDUCTOR COMPONENT, SEMICONDUCTOR ELEMENT AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF
TW200608576A (en) Method for fabricating organic thin film transistor and method for fabricating liquid crystal display device using the same
WO2004061906A3 (en) Method of fabricating organic field effect transistors
EP1443570A3 (en) Heterojunction organic semiconductor field effect transistor (FET) with a gate insulation layer and manufacturing process thereof
TW200745710A (en) Organic transistor and method for manufacturing the same

Legal Events

Date Code Title Description
AK Designated states

Kind code of ref document: A1

Designated state(s): AE AG AL AM AT AU AZ BA BB BG BY BZ CA CH CN CO CR CU CZ DE DM DZ EC EE ES FI GB GD GE GH HR HU ID IL IN IS JP KE KG KP KR LC LK LR LS LT LU LV MA MD MG MN MW MX MZ NO NZ OM PH PL PT RU SD SE SG SI SK SL TJ TM TN TR TZ UA UG US UZ VC VN YU ZA ZM

Kind code of ref document: A1

Designated state(s): AE AG AL AM AT AU AZ BA BB BG BR BY BZ CA CH CN CO CR CU CZ DE DK DM DZ EC EE ES FI GB GD GE GH GM HR HU ID IL IN IS JP KE KG KP KR KZ LC LK LR LS LT LU LV MA MD MG MK MN MW MX MZ NO NZ OM PH PL PT RO RU SD SE SG SI SK SL TJ TM TN TR TT TZ UA UG US UZ VC VN YU ZA ZM ZW

AL Designated countries for regional patents

Kind code of ref document: A1

Designated state(s): GH GM KE LS MW MZ SD SL SZ UG ZM ZW AM AZ BY KG KZ RU TJ TM AT BE BG CH CY CZ DK EE ES FI FR GB GR IE IT LU MC PT SE SK TR BF BJ CF CG CI GA GN GQ GW ML MR NE SN TD TG

Kind code of ref document: A1

Designated state(s): GH GM KE LS MW MZ SD SL SZ TZ UG ZM ZW AM AZ BY KG KZ MD RU TJ TM AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR GB GR IE IT LU MC NL PT SE SK TR BF BJ CF CG CI CM GA GN GQ GW ML MR NE SN TD TG

DFPE Request for preliminary examination filed prior to expiration of 19th month from priority date (pct application filed before 20040101)
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application
WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2003520882

Country of ref document: JP

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2002760569

Country of ref document: EP

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 1020047001859

Country of ref document: KR

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 10486276

Country of ref document: US

Ref document number: 20028156110

Country of ref document: CN

WWP Wipo information: published in national office

Ref document number: 2002760569

Country of ref document: EP

REG Reference to national code

Ref country code: DE

Ref legal event code: 8642